第３４卷 　 第２期 固体电子学研究与进展 Ｖｏ

ｌ．３４，
Ｎｏ．
２
　　　　 　　　　 　　　　　 　　　
２０１４ 年 ４ 月 ＲＥＳＥＡＲＣＨ　
＆ ＰＲＯＧＲＥＳＳ　
ＯＦ　
ＳＳＥ ｒ．，２０１４
Ａｐ
檸殠
檸檸檸檸檸檸殠
射频与微波
檸檸檸檸檸殠

基于 ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ工艺的射频开关设计
蒋东铭 　 陈新宇 　 许正荣 　 张有涛
＊

（南京电子器件研究所，国博电子有限公司，南京，
２１００１６）
２０１３－０９－１０ 收稿，
２０１３－１０－２３ 收改稿

摘要：采用 ０．
１８μｍ　 ＳＯＩ工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关，集成了开关电路、驱动器 和 静 电 保 护
ＣＭＯＳ　
电路。在 ＤＣ～６ＧＨｚ频带内，测得插 入 损 耗 ０．
７ｄＢ＠２ ＧＨｚ、
１ｄＢ＠４ ＧＨｚ、
１．５ｄＢ＠６ ＧＨｚ，隔 离 度 ３７ｄＢ＠２
ＧＨｚ、 ２７ｄＢ＠６ＧＨｚ，在 ５ＧＨｚ以 内 端 口 输 入 输 出 驻 波 比 ≤１．
３１ｄＢ＠４ＧＨｚ、 ５：１，输 入 功 率 １ｄＢ 压 缩 点 达 到 ３３
ＩＰ３ 达到 ４２ｄＢｍ。可应用于移动通信系统。
ｄＢｍ，
关键词：互补金属氧化物半导体；绝缘衬底上硅；射频开关；驱动器；集成
中图分类号：
ＴＮ４３２　　 文献标识码：
Ａ　　 文章编号：
１０００－３８１９（
２０１４）
０２－０１４２－０４

ＲＦ　
Ｓｗｉ
ｔｃｈ　
Ｄｅｓ
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ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ　
Ｔｅｃｈｎｏ
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ｔ ｉｎｇ，２１００１６，ＣＨＮ）

Ａｂｓ
ｔｒａｔ：Ａ　
ｃ ｓ
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ｈｒｏｕｇｈ（ＳＰＤＴ）ＲＦ　 ｓｗｉｔｃｈ　
ｈａｓ　ｂｅｅｎ　ｄｅｓ
ｉｇｎｅｄ　
ａｎｄｆ
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ｕｓ
ｉｎｇ　０．１８μｍ　ＣＭＯＳ　 ＳＯＩ　ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｉ ｔ
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　ｒａｎｇｅ　ｏｆ　ＤＣ～６ＧＨｚ ｉ， ｎｓｅｒ
ｔｉｏｎ
ｌ
ｏｓ ７ｄＢ＠２ＧＨｚ，≤１ｄＢ＠４ＧＨｚ，≤１．
ｓ≤０． ５ｄＢ＠６ＧＨｚ；ｉｓｏ
ｌａｔ
ｉｏｎ≥３７ｄＢ＠２ＧＨｚ，≥３１ｄＢ＠
４ＧＨｚ，≥２７ｄＢ＠６ＧＨｚ，ｉ
ｎｐｕ
ｔ　ａｎｄ　
ｏｕｔ
ｐｕｔ
　 ５：
ＶＳＷＳ ≤１． １ｗｉｔｈ
ｉ ５ＧＨｚ，ｉ
ｎ　 ｎｐｕ
ｔ　１ｄＢ　
ｃｏｍｐｒ
ｅｓ－
ｓ
ｉｏｎ　
ｐｏｉ
ｎｔＰ－１ｄｂ ≥３３ｄＢｍ，ＩＰ３≥４２ｄＢｍ．Ｔｈ
　 ｉｓｓｗｉ
　 ｔｃｈ
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ｅｍｅｎ ｔ
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ｙ　 ｔ
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ｃｔｒ（
ｏ ＣＭＯＳ）；ｓ
ｉｌｉ
ｃｏｎ－ｏｎ－ｉ
ｎｓｕ
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ＳＯＩ）；ＲＦ
ｓｗｉ
ｔｃｈ；ｄｒｉｖ
ｅｒ；ｉｎ
ｔｅｇｒ
ａｔｉｏｎ
ＥＥＡＣＣ：２５７０Ｄ

ｐｈ
ｉｒｅ，ＳＯＳ）工 艺 加 工。 这 两 种 工 艺 材 料 均 使 用 半
引　言 绝缘或绝缘衬底，有效地减小了衬底损耗 ［１］。
随着 现 代 无 线 通 信 功 能 集 成 度 的 提 高，要 求 系
射频开关是现代无线通信系统中一个关键部 统能够在多个子系 统 及 频 段 间 自 由 切 换，因 此 对 于
件，其主要功能是进 行 收 发 信 道 的 切 换 和 多 通 道 的 Ｔ／Ｒ 切换开关的复杂 度 和 集 成 度 要 求 也 越 来 越 高。
选择。射频收发系 统 开 关 通 常 要 求 插 损 低、隔 离 度 尽管砷化镓 Ｅ／Ｄ 工 艺 已 经 解 决 了 驱 动 器 集 成 的 问
高、功率容量大、线 性 度 指 标 良 好，同 时 要 求 覆 盖 较 题，但是对于诸如 ＳＰ９Ｔ、
ＳＰ１０Ｔ 之 类 复 杂 度 和 集 成
宽的工作频带。为 了 达 到 上 述 要 求，射 频 开 关 常 选 度很高的开关仍 然 难 以 实 现。 因 此，越 来 越 多 的 设
用砷 化 镓 工 艺 或 蓝 宝 石 衬 底 上 硅 （
Ｓｉｌ
ｉｃｏｎ－ｏｎ－ｓ
ａｐ－ 计者试图利用 集 成 度 更 高 的 射 频 ＣＭＯＳ 工 艺 来 设

＊ 联系作者：
Ｅ－ｍａ
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ｄｏｎｇｍｉ
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　２ 期 　　 蒋东铭等：基于 ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ工艺的射频开关设计 １４３

计高复 杂 度 的 射 频 开 关 ［２］，但 是 普 通 的 体 硅 射 频 　　 同传统的 ＣＭＯＳ 工艺类似， ＣＭＯＳ　ＳＯＩ工艺同

ＣＭＯＳ 工艺无 法 解 决 衬 底 寄 生 效 应 带 来 的 损 耗 问 时提供 ＮＭＯＳ 器件和 ＰＭＯＳ 器件。 因 此 倒 相 器 的
题和拴锁 效 应 问 题。ＳＯＳ 工 艺 虽 然 也 可 以 用 于 制 设计也与传统 ＣＭＯＳ 工艺相同，基本结构如图１，其
作射频 ＣＭＯＳ 器件，但是其昂贵的蓝宝石衬底决定 中 Ｔ１ 为 ＰＭＯＳ 管，
Ｔ２ 为 ＮＭＯＳ 管。 根 据 所 使 用
了器件不具备成本优势 ［
１］
。 的 电 源 电 压 和 器 件 的 阈 值 电 压 调 整 ＰＭＯＳ 和
绝缘衬底上硅（
Ｓｉｌ
ｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉ
ｎｓｕ
ｌａｔ
ｏｒ，ＳＯＩ）工 艺 ＮＭＯＳ 管的宽长比，再 结 合 输 入 电 压 Ｖｉ，通 过 仿 真
的出现很好地解决了系统集成度和成本之间平衡的 就可以得到满足传输特性所需要的器件值。
问题 ［
。ＳＯＩ工艺在普通硅衬底材料表面生长出一
３］

层绝缘层，然后在 绝 缘 层 之 上 再 加 工 出 各 种 ＣＭＯＳ
器 件。 由 于 ＳＯＩ 工 艺 解 决 了 传 统 体 硅 工 艺 中 衬 底
损耗及拴锁问题，其衬底材料的成本又较 ＳＯＳ 工艺
要低，同 时 又 由 于 采 用 ＣＭＯＳ 逻 辑 和 工 艺 制 程，其
集成度又远高于砷化镓工艺，因此 ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ工艺
不仅可以用于制作 射 频 开 关，还 可 以 制 作 出 更 为 复
杂的射频 收 发 系 统 ［４］。 文 中 使 用 了 ０．
１８ μｍ 射 频
ＳＯＩ工艺，设计了 一 个 集 成 了 驱 动 电 路 的 反
ＣＭＯＳ　
图 １　ＣＭＯＳ 倒相器
射式单刀双掷开关。
Ｆ
ｉｇ．
１　ＣＭＯＳ
　ｉｎｖｅ
ｒｔｅ
ｒ

ＳＯＩ开关的电路设计
１　ＣＭＯＳ　
ＣＭＯＳ 倒相器的单级 延 迟 时 间 通 常 都 很 小，因
此主要的延迟来自级间。通过计算不同栅宽下的上
文中设计的 ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ 开 关 主 要 分 为 三 个 部
升时间和下降时间 以 及 电 平 翻 转 点，就 可 以 得 到 满
分：驱动器电路、单刀双掷射频开关以及静电保护电
足最小延迟以及最佳驱动能力的器件尺寸。
路。驱动电路 部 分 采 用 传 统 的 ＣＭＯＳ 逻 辑 倒 相 器
最终设计得到的驱动器 单 元 如 图 ２。 在 该 驱 动
实现，射频开 关 由 厚 栅 氧 ＮＭＯＳ 器 件 组 成，静 电 保
器电路中，在输入的 第 一 级 和 第 二 级 倒 相 器 之 间 插
护电路则采用抗静电二极管实现。
入了一个 ＮＭＯＳ 反馈，其作用是消除输入信号中可
１　 驱动器电路设计
１． 能存在 的 毛 刺。 倒 相 器 级 间 推 动 比 控 制 在 １∶２～
１∶３ 之间，以 保 证 最 佳 的 驱 动 能 力 和 最 小 的 延 迟。
开关 驱 动 电 路 的 主 要 功 能 是 将 外 部 输 入
驱动器电源 电 压 Ｖｄｄ 选 用 常 规 ＣＭＯＳ 电 源，电 压 控
ＣＭＯＳ 控制信 号 转 换 为 串 联 和 并 联 的 开 关 器 件 所
制在 １． ５ Ｖ 之 间；输 入 驱 动 信 号 低 电 平 为 ０
８～２．
需要的互补控制信 号，实 现 控 制 开 关 整 体 通 路 的 导
Ｖ，高电平则略低于 Ｖｄｄ。
通与关断。

图 ２　 驱动器电路结构
Ｆ
ｉｇ．
２　Ｄｒ
ｉｖｅ
ｒ　ｃ
ｉｒｔ
ｕｉｔ

扑如图 ３。在该电路中，串 联 管 Ｔ１、

Ｔ２ 分 别 在 各 自
２　 射频开关的电路实现
１．
的通道打开时呈开 启 状 态，在 通 道 关 闭 时 呈 关 断 状
反射 式 单 刀 双 掷 开 关 电 路 采 用 串 并 结 构，其 拓 态；并联管 Ｔ３、
Ｔ４ 所起的作用则是在各自的通道关
１４４ 固　体　电　子　学　研　究　与　进　展 ３４ 卷 　

闭时增加通道隔离度，因此其状态与 Ｔ１、
Ｔ２ 的状态
相反。在 ＣＭＯＳ 工 艺 中，通 常 单 个 ＭＯＳ 器 件 的 工
作电压和击穿电压 都 比 较 低，因 此 为 了 保 证 开 关 具
有足够的功率容量，开关管需要采用 Ｓ
ｔａｃｋ 结 构 ５ ，
［］

即多个低压器件串联的方式来保证足够的通过功率
和阻断 功 率。 文 中 采 用 的 是 １２ 个 ２．
５Ｖ 的射频
ＮＭＯＳ 串联的 Ｓ
ｔａｃｋ 结构（图 ４），每 个 ＮＭＯＳ 的 栅
图 ３　 单刀双掷开关电路拓扑
极单独连接高值电阻，串 联 支 路 Ｔ１／Ｔ２ 栅 宽 为 ２． ５
Ｆ
ｉｇ．
３　ＳＰＤＴ　
ｓｗｉ
ｔｃｈ
　ｔｏｐｏ
ｌｏｇｙ
ｍｍ，并联支路 Ｔ３／Ｔ４ 栅宽为 ０．
５ｍｍ。

图 ４　Ｓ
ｔａｃｋ 结构开关
Ｆ
ｉｇ．
４　Ｓ
ｔａｃｋ　ｓｗｉ
ｔｃｈ

面积为 １． ０ ｍｍ，其中 ＳＰＤＴ 开关核心电

１ ｍｍ×１．
３　ＥＳＤ 电路的设置
１．
路面积为 ０． ７ ｍｍ，驱 动 器 核 心 电 路 面 积
２ｍｍ×０．
ＣＭＯＳ 器 件 的 栅 极 是 所 有 ＣＭＯＳ 电 路 中 最 薄 仅为 ０． ０３ ｍｍ。 对 其 主 要 性 能 指 标 进 行
１ｍｍ×０．
弱的环节，因 此 对 于 ＣＭＯＳ 电 路 的 ＥＳＤ 防 护 主 要 了测试，结果如图 ７～１１。
是针对和栅极有连接的外部压点的防护。文中所设
计的电路中，驱动器 控 制 端 口 的 栅 极 直 接 连 接 到 外
部输入输出端口，因 此 在 该 端 口 放 置 了 连 接 电 源 和
地的抗静电二极管，利 用 反 向 二 极 管 进 行 正 反 向 静
电电荷的泄放。为 了 提 高 泄 放 的 速 度，还 在 电 源 和
地之间增加了大容量的泄放通路（
Ｐｏｗｅ
ｒ　ｃ
ｌａｍｐ），有
效地保护了电路中电源和信号控制端等相对薄弱的
端口（图 ５）。

图 ６　ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ单刀双掷开关芯片照片
Ｆ
ｉｇ．
６　Ｐｈｏ
ｔｏｇ
ｒａｐｈ　
ｏｆ　
ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ
　ＳＰＤＴ　
ｓｗｉ
ｔｃｈ　
ｃｈｉ
ｐ

从测试结果来看，开关在 ４ＧＨｚ以内的频段能
图 ５　ＥＳＤ 保护电路
够满足射频系统所 需 要 的 插 损 和 隔 离 度，同 时 又 能
Ｆ
ｉｇ．
５　ＥＳＤ　
ｐｒｏ
ｔｅｃ
ｔ　ｃ
ｉｒｃｕ
ｉｔ
够提供足够的功率容 量，在 ２ＧＨｚ频 率 下 测 得 １ｄＢ

２　 流片测试结果 功率压缩点达到 了 ３３ｄＢｍ，输 入 ＩＰ３ 可 以 达 到 ４２

ｄＢｍ。在 １． ５Ｖ 工作电压范围下，开关的性能
８～２．
ＳＰＤＴ 开关采用０．
１８μｍ　 ＳＯＩ工艺流片
ＣＭＯＳ　 差异不大，因此适用于低电压的系统。
加工。流片加工得到的开关芯 片 照 片 如 图 ６。 芯 片 为了验证 ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ开关的抗静电特性，对开
　２ 期 　　 蒋东铭等：基于 ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ工艺的射频开关设计 １４５

图 ７　 开关插损性能 图 １０　 开关驻波性能

Ｆ
ｉｇ．
７　Ｓｗｉ
ｔｃｈ
　ｉｎｓ
ｅｒｔ
ｉｏｎ
　ｌｏ
ｓ ｐｅ
ｓ　 ｒ
ｆｏｒｍａｎｃ
ｅ Ｆ
ｉｇ．
１０　Ｓｗｉ
ｔ ＶＳＷＲ ｐｅ
ｃｈ　 ｒｆｏ
ｒｍａｎｃ
ｅ

图 ８　 开关隔离度性能
Ｆ
ｉｇ．
８　Ｓｗｉ
ｔｃｈ
　ｉｓ
ｏｌａ
ｔｉ ｐｅ
ｏｎ　 ｒ
ｆｏｒｍａｎｃ
ｅ 图 １１　 开关时间性能
Ｆ
ｉｇ．
１１　Ｓｗｉ
ｔｃｈ
　ｔ ｐｅ
ｉｍｅ　 ｒ
ｆｏｒｍａｎｃ
ｅ

串联的外部电阻 过 高 导 致 ＲＣ 延 迟 时 间 过 长，因 此
可以通过适当调低栅极串联的电阻来讲开关时间控
制在 １μｓ以内。

３　 结 　 论

采用 ０．
１８μｍ　
ＣＭＯＳ　ＳＯＩ工艺，研制开发了单
刀双掷射频开关，具 有 插 损 低、隔 离 度 高、功 率 容 量
大、集 成 度 高 等 诸 多 特 点。ＣＭＯＳ　
ＳＯＩ 工 艺 低 成
图 ９　 开关功率压缩特性（
ｆ＝２ＧＨｚ）
本、高集成度的优势 有 利 于 开 发 功 能 更 加 复 杂 的 系
ｉ
ｇ．９　Ｓｗｉ
ｔ ｐｏｗｅ
ｃｈ　 ｒ　ｃ
ｏｍｐ
ｒｅｓ
ｓｉ ｐｅ
ｏｎ　 ｒ
ｆｏ ｅ（
ｒｍａｎｃ ｆ＝２ＧＨｚ）
统，可以满足射频频 段 内 各 种 民 用 无 线 通 信 系 统 的
需求。
关引出端口进行 了 抗 静 电 试 验。 试 验 结 果 表 明，开
关内部的 ＥＳＤ 电 路 有 效 地 保 护 了 各 个 薄 弱 引 出 端 参 考 文 献
口，抗静电能力高于 ２　
０００Ｖ（ＨＢＭ），远高于一般的
［
１］　Ｂｏ
ｔｕｌ
ａ　Ａ，Ｊ
ｏｓ Ａ，Ｓ
ｅｐｈ　 ｌｉ Ｊ，ｅ
ｎｋｍａｎ　 ｔ　ａ
ｌ．Ａ　
ｔｈｉ
ｎ－ｆ
ｉｌｍ
砷化镓开关。
ＳＯＩ
　１８０ｎｍ　
ＣＭＯＳ　
ＲＦ　
ｓｗｉ
ｔｃｈ
　ｔｅ
ｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ［
Ｃ］．Ｔｏｐ
ｉｃａ
ｌ
从目 前 测 得 的 开 关 时 间 来 看，开 关 导 通 和 关 断
Ｍｅ
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ｔｅｇ
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ｅｄ　Ｃ
ｉｒｃｕ
ｉｔｓ
　ｉｎ
的延迟在 １～２ μｓ 之 间，略 大 于 射 频 系 统 的 要 求。
Ｓｙ
ＲＦ　 ｓ
ｔｅｍｓ　
Ｄｉｇｅ
ｓｔ，２００９：
１５２－１５５．
分析电路发现，主要问题在于本设计中 ＮＭＯＳ 栅极
（下转第 １６２ 页）
１６２ 固　体　电　子　学　研　究　与　进　展 ３４ 卷 　

Ｊ］．计算机与现代化，
［ ２０１２，
６：１７９－１８２． １１）：１６２５－１６２９．
［
８］　Ｚｈｏｎｇ　
Ｐｉｎｇ，Ｈｅ　
Ｇｕｏｘ
ｉｎｇ，
Ｚｈａｎｇ　
Ｍｉｎｈａｏ．Ｓｐｅ
ｃｔｒ
ａｌｏｐ－
　 ［
１５］ Ｍｅｎｅｇｈｅ
ｓｓ Ｇ，Ｍｅｎｅｇｈ
ｏ　 ｉｎ Ｍ，
ｉ　 Ｚａｎｏｎ
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４３
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３５）：
３５４００７．
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Ｊ］．Ｏｐ
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ｓ　Ｅｘｐ
ｒｅｓ，
ｓ ２０１２，
２０（
Ｓ５）：
Ａ６８４－Ａ６９３． ［
１６］Ｊｕｎｇ　
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Ｊ　Ｈ，
Ｈｏｎｇ　
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［
９］　Ｓｕｇ
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２０１１，
１５８（
２）：
Ｈ１３２－Ｈ１３６
（
１０）：
１３１７－１３１９． ［
１７］Ｃｈｅｎ　
Ｈｕａｎ
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ｉｃｓ，
２０１４，
６１（
２）：
Ｔｅ
ａｎｄ　 ｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ，
２００６，
２１（
２）：
１３８－１４３ ７８４－７９７
［
１１］ Ｍｉ Ｋ，
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ｌ－Ｋｙｕ　 Ｊ
ａ－Ｙｅ Ｋ，
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ｉｎｇ １８］ 杨武，何国兴 ．ＬＥＤ 和荧 光 粉 光 谱 数 学 模 型 ［
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ｙｐｅ　
ＧａＮ　
ｆｏｒ　
ｈｉｇｈ　
ｅｆｆ
ｉｃｉ
ｅｎｃｙ
　ＩｎＧａＮ－ＧａＮ 激光，
２０１２，
３２（
６）：
５３２－５３７．
ｕ
ｌｔｒ
ａｖｉ
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ｉｇｈ
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ｉｏｄｅ［
Ｊ］．ＩＥＥＥ　Ｐｈｏ
ｔｏｎ
ｉｃｓ １９］ 金伟其，胡 威 捷 ．辐 射 度、光 度 与 色 度 及 其 测 量 ［Ｍ］．
［
Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ　Ｌｅｔ
ｔｅｓ，
ｒ ２００７，１９（２３）：１８８０－１８８２． 北京：北京理工大学出版社，
２００９：
１１２－１２９．
［
１２］Ｋａｎｇ　Ｊ　Ｍ，Ｋｉｍ　 Ｗ，
Ｊ　 Ｃｈｏ
ｉ　Ｊ　Ｈ，ｅｔ
　ａｌ．Ｌ ｉ
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ｉｐｓ［
Ｊ］． 李毓钦 （
ＬＩ　
Ｙｕｑ
ｉｎ）　 男，
１９８９ 年 生，硕
Ｍｉ
ｃｒｏｅ
ｌｅｃ
ｔｒｏｎ
ｉｃｓ　Ｒｅ
ｌｉａｂ
ｉｌｉ
ｔｙ，２００９，４９ （
９－１１）：１２３１－ 士研究生，主要从 事 光 电 设 计 方 面 的 研
１２３５． 究。
［
１３］ Ｍｕｅ
ｌｌｅ ｃｈ　Ｒ，Ｍｕｅ
ｒ－Ｍａ ｌｌｒ　Ｇ　Ｏ，Ｋｒ
ｅ ｓ　Ｍ　Ｒ，
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Ｔｏｐ
ｉｃｓ
　ｉｎ　
Ｑｕａｎ
ｔｕｍ　
Ｅｌｅ
ｃｔｒ
ｏｎｉ
ｃｓ，
２００２，
８（２）：
３３９－３４５．
［
１４］ Ｍｅｎｅｇｈ
ｉｎ Ｍ，Ｔｒ
ｉ　 ｅｖｉ
ｓａｎｅ
ｌｌ Ｌ，
ｏａ　 Ｓａｎｎａ
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ａｌｄｅｇ
　 ｒａｄａ
ｔｉｏｎ　
ｏｆＩ
　ｎＧａＮ／ＧａＮ 陈长缨（
ＣＨＥＮ　
Ｃｈａｎｇｙ
ｉｎｇ）　 男，
１９５５ 年 生，教 授，主 要 研 究
ＨＢＬＥＤｓ［
Ｊ］．Ｍｉ
ｃｒｏｅ
ｌｅｃ
ｔｒｏｎ
ｉｃｓ　
Ｒｅｌ
ｉａｂ
ｉｌｉ
ｔｙ，
２００７，
４７（
９－ 无线光通信与电子通讯技术 。

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（上接第 １４５ 页）
［
２］　Ｊ
ｅｏｎｇ　Ｊ，Ｐｏ
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Ｗｉ
ｒｅｌ
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Ｃｏｍｐｏｎｅｎ
ｔｓ　
Ｌｅｔ
ｔｅｓ，２０１１，２１（
ｒ ８）：
４３３－４３５． Ｓｙ
ｓｔｅｍｓ　
Ｄｉｇｅ
ｓｔ，２０１１：
１－４．
［
３］　Ｓｈａｈ
ｉｄｉ　
Ｇ　Ｇ．ＳＯＩ
　ｔｅ
ｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ
　ｆｏ
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ＧＨｚ
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Ｒｅｓ
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ａｎｄ　
Ｄｅｖｅ
ｌ ｔ，２００２，４６（
ｏｐｍｅｎ ２／ 蒋东 铭 （
Ｊ ｎｇ）　 男，
ＩＡＮＧ　Ｄｏｎｇｍｉ １９７８
３）：
１２１－１３１． 年生，
２００７ 年毕 业 于 东 南 大 学 电 路 与 系
［
４］　Ｏｒ
ｌ Ｐ，Ｇｒ
ａｎｄｏ　 ｏｖｅ
ｓ　Ｋ，Ｍａ
ｔｔ Ａ，ｅ
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ｌ．Ｘ－ｂａｎｄ 统专业，获硕士学位，现在南京 国 博 电 子
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ｌｏｇｙ 有限公司从事射频微波集成电 路 设 计 研
［
Ｃ］．ＩＥＥＥ　
Ｉｎｔ
ｅｒｎａ
ｔｉｏｎａ
ｌ　Ｃｏｎ
ｆｅｒ
ｅｎｃ
ｅ　ｏｎ　
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ｒａ－Ｗｉ
ｄｅ－ 究。
ｂａｎｄ　
Ｄｉｇｅ
ｓｔ，２０１２，：
２８８－２９１．
［
５］　Ｂ
ｌａｓ Ｖ，Ｚｗｉ
ｃｈｋｅ　 Ｒ，Ｈｕ
ｎｇｍａｎ　 ｒｗｉ
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ｌ．Ａ　
ｌｉｎｅ
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