De Thi - NHCH

1.
Cảm biến là thiết bị dùng để biến đổi các đại lượng nào sau đây:
A. Đại lượng vật lý.
B. Đại lượng điện.
C. Đại lượng dòng điện
D. Đại lượng điện áp
[ ]
2. Cảm biến là thiết bị dùng để biến đổi các đại lượng nào sau đây:
A. Đại lượng không điện.
C. Đại lượng dòng điện
D. Đại lượng điện áp.
[ ]
3. Cảm biến là kỹ thuật chuyển các đại lượng vật lý thành:
A. Đại lượng không điện.
C. Đại lượng áp suất.
D. Đại lượng tốc độ.
[ ]
4. Đại lượng (m) là đại lượng cần đo của cảm biến được biểu diễn bởi hàm s=F(m) thì
A. (m) là đại đầu ra
B. (m) là đầu vào
C. (m) là phản ứng của cảm biến
D. (m) là đại điện
[ ]
A. (m) là đại lượng không điện
B. (m) là đại lượng điện
C. (m) là dòng điện
D. (m) là trở kháng
[ ]
A. (m) là đại lượng kích thích của cảm biến
B. (m) là đại đầu ra của cảm biến
C. (m) là đại lượng phản ứng của cảm biến
D. (m) là đại lượng điện của cảm biến
[ ]
7. Đại lượng (s) là đại lượng đo được của cảm biến được biểu diễn bởi hàm s=F(m) thì:
A. (s) là đại lượng không điện của cảm biến
B. (s) là đại lượng điện của cảm biến
C. (s) là đại lượng kích thích của cảm biến
D. (s) là đại lượng vật lý của cảm biến
[ ]
8. Đại lượng (s) là đại lượng đo được của cảm biến được biểu diễn bởi hàm s=F(m) thì:
A. (s) là đại lượng không điện của cảm biến
B. (s) là đại lượng đáp ứng của cảm biến
D. (s) là đại lượng đầu vào của cảm biến
[ ]
9. Đại lượng (s) là đại lượng đo được của cảm biến được biểu diễn bởi hàm s=F(m) thì
A. (s) là đại lượng vật lý của cảm biến
B. (s) là đại lượng đầu ra của cảm biến
D. (s) là đại lượng đầu vào của cảm biến
[ ]
10.Một cảm biến được gọi là tuyến tính trong một dải đo xác định nếu
A. Trong dải chế độ đó có độ nhạy không phụ thuộc vào đại lượng đo
B. Trong dải chế độ đó có sai số không phụ thuộc vào đại lượng đo
C. Trong dải chế độ đó có độ nhạy phụ thuộc vào đại lượng đo
D. Trong dải chế độ đó có sai số phụ thuộc vào đại lượng đo
[ ]
11.12.Đường cong chuẩn của cảm biến là:
A. Đường cong biểu diễn sự phụ thuộc của đại lượng điện (s) ở đầu ra của cảm biến vào giá trị của
đại lượng đo (m) ở đầu vào.
B. Đường cong biểu diễn sai số của đại lượng điện (s) ở đầu ra của cảm biến và giá trị của đại lượng
đo (m) ở đầu vào.
C. Đường cong biểu diễn sự phụ thuộc của đại lượng không mang điện (s) ở đầu ra của cảm biến
vào giá trị của đại lượng đo (m) ở đầu vào.
D. Đường cong biểu diễn sự phụ thuộc của đại lượng không kích thích (s) ở đầu ra của cảm biến
vào giá trị của đại lượng phản ứng (m) ở đầu vào.
[ ]
12.13.Đường cong chuẩn có thể biểu diễn:
A. Bảng liệt kê
B. Biểu thức đại số và đồ thị
C. Độ nhạy
D. Sai số
[ ]
13.14. Mục đích của chuẩn cảm biến là :
A. Xác định tín hiệu đầu ra cảm biến thuộc loại nào
B. Xác lập mối quan hệ giữa đại lượng điện ở đầu ra và đại lượng đo, trên cơ sở đó xây dựng
đường cong chuẩn
C. Xác định sai lệch trong quá trình đo của cảm biến
D. Tìm đặc tính vật lý của cảm biến
[ ]
14.16. Xác định phát biểu đúng cho các loại sai số khi sử dụng cảm biến:
A. Sai số hệ thống không khắc phục được, còn sai số ngẫu nhiên thì có thể khắc phục
B. Sai số hệ thống có thể khắc phục được, còn sai số ngẫu nhiên thì không
C. Cả sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên đều có thể khắc phục
D. Cả sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên đều không thể khắc phục
[ ]
15.17. Cảm biến nhiệt được chế tạo dựa trên nguyên lý nào sau đây:
A. Hiệu ứng nhiệt điện
B. Hiệu ứng hỏa nhiệt
C. Hiệu ứng áp điện
D. Hiệu ứng cảm ứng
[ ]
16.18.Cảm biến áp lực được chế tạo dựa trên nguyên lý nào sau đây:
A. Hiệu ứng nhiệt điện
B. Hiệu ứng hỏa nhiệt
D. Hiệu ứng cảm ứng
[ ]
17.19. Cảm biến đo tốc độ chuyển động quay có thể được chế tạo dựa trên nguyên lý nào sau
đây:
A. Hiệu ứng quang điện
B. Hiệu ứng quang-điện từ
D. Hiệu ứng cảm ứng điện từ
[ ]
18.20. Hiệu ứng Hall được ứng dụng để thiết kế loại cảm biến nào sau đây:
A. Cảm biến đo từ thông
B. Cảm biến đo bức xạ ánh sáng
C. Cảm biến đo dòng điện
D. Cảm biến đo tốc độ
[ ]
19.21. Hình vẽ sau mô tả cho nguyên lý chế tạo của cảm biến nào
A. Hiệu ứng nhiêt điện

B. Hiệu ứng hoả nhiệt
[ ]
22. Hình vẽ sau mô tả cho nguyên lý chế tạo của cảm biến nào:
[ ]

[ ]

[ ]

C. Hiệu ứng quang – điện – từ
D. Hiệu ứng Hall
[ ]

C. Hiệu ứng quang – điện – từ
D. Hiệu ứng Hall
[ ]
31.Cảm biến tích cực là cảm biến có đáp ứng là:
A. Điện tích
B. Điện trở
C. Độ tự cảm
D. Điện dung
[ ]
A. Điện áp
B. Điện trở
C. Độ tự cảm
D. Điện dung
[ ]
A. Dòng điện
B. Điện trở
C. Độ tự cảm
D. Điện dung
[ ]
34.Cảm biến thụ động là cảm biến có đáp ứng là:
A. Điện dung
B. Dòng điện
C. Điện áp
D. Điện tích
[ ]
A. Độ tự cảm
B. Dòng điện
C. Điện áp
D. Điện tích
[ ]
A. Điện trở
B. Dòng điện
C. Điện áp
D. Điện tích
[ ]
37.Vùng làm việc danh định của cảm biến là:
A. Là vùng làm việc danh định tương ứng với những điều kiện sử dụng bình thường của cảm biến.
B. Là vùng mà các đại lượng ảnh hưởng còn nằm trong phạm vi không gây nên hư hỏng.
C. Là vùng mà các đại lượng ảnh hưởng vượt qua ngưỡng của vùng không gây nên hư hỏng nhưng
vẫn còn nằm trong phạm vi không bị phá hủy.
D. Là vùng mà cảm biến phải tiến hành chuẩn lại cảm biến
[ ]
38.Vùng không gây nên hư hỏng:
A. Là vùng làm việc định danh tương ứng với những điều kiện sử dụng bình thường của cảm biến.
D. Là vùng mà cảm biến phải tiến hành chuẩn lại cảm biến
[ ]
39.Vùng không phá huỷ
A. Là vùng làm việc định danh tương ứng với những điều kiện sử dụng bình thường của cảm biến.
D. Là vùng có thể thường xuyên đạt tới mà không làm thay đổi các đặc trưng làm việc của cảm
biến.
[ ]
40. Cho biết hình sau là sơ đồ mạch đo
A. Nhiệt độ bằng cặp nhiệt điện
B. Điện thế bề mặt
C. Khuếch đại thuật toán
D. Mạch khử điện áp lệch
[ ]

B. Điện thế bề mặt
D. Mạch khử điện áp lệch
[ ]
B. Cầu Wheastone
D. Mạch khử điện áp lệch.
[ ]

B. Mạch lặp lại điện áp
D. Mạch khử điện áp lệchA.
[ ]
44. Sơ đồ khối đơn giản của một hệ thống đo lường không điện bao gồm:
A. Chuyển đổi sơ cấp, mạch lọc nhiễu, mạch khuyếch đại
B. Chuyển đổi sơ cấp, mạch đo, mạch khuyếch đại
C. Cảm biến, mạch đo, chỉ thị
D. Cảm biến, cơ cấu chỉ thị, Volt kế tuyến tính
[ ]
45. Chuyển đổi sơ cấp (cảm biến) có nhiệm vụ:
A. Khuyếch đại tín hiệu điện
B. Lọc nhiễu, bù nhiễu
C. Biến đổi đại lượng không điện cần đo thành đại lượng điện
D. Hiển thị kết quả
[ ]
46. Mạch đo trong hệ thống đo lường không điện có chức năng:
A. Phân tích đại lượng cần đo
B. Gia công tín hiệu điện từ khâu chuyển đổi sơ cấp
C. Biến đổi đại lượng không điện thành đại lượng điện
D. Hiển thị kết quả dưới dạng số, điện tử
[ ]
47. Đại lượng đầu vào của cảm biến thường là:
A. Dòng điện
B. Điện áp
C. Tổng trở
D. Các đại lượng vật lý trong tự nhiên
[ ]
48. Định nghĩa phương trình chuyển đổi
A. Là biểu thức toán học nêu lên mối quan hệ giữa đại lượng đầu vào và đại lượng đầu ra của cảm
biến
B. Là biểu thức toán học nêu lên mối quan hệ giữa đại lượng đầu vào và đại lượng đầu ra của mạch
đo
C. Là biểu thức toán học nêu lên mối quan hệ giữa đại lượng không điện cần đo và đại lượng nhiễu
D. Là biểu thức toán học nêu lên mối quan hệ giữa đại lượng không điện cần đo và đại lượng phụ
[ ]
50. Vì sao phương trình chuyển đổi của một cảm biến thường là hàm nhiều biến?
A. Vì cảm biến thường đo nhiều đại lượng khác nhau
B. Vì cảm biến thường có nhiều chức năng khác nhau
C. Vì cảm biến thường được đặt trong môi trường khác nhau
D. Vì cảm biến thường có nhiều đại lượng đầu vào khác nhau
[ ]
51. Đại lượng tác động đầu vào của cảm biến là:
A. Đại lượng điện
B. Đại lượng cần đo và nhiễu
C. Dòng điện và điện áp
D. Tổng trở
[ ]
52. Đại lượng đầu ra của cảm biến đo khối lượng là:
A. Khối lượng
B. Nhiễu
C. Độ nhạy
D. Điện áp hoặc dòng điện
[ ]
53. Nhiễu trong cảm biến đo nhiệt độ là đại lượng nào sau đây:
A. Nhiệt độ
B. Độ ẩm
C. Điện áp hoặc dòng điện
D. Đại lượng điện
[ ]
54. Định nghĩa độ nhạy của một cảm biến
A. Là tỉ số đầu ra trên đầu vào của cảm biến
B. Là tỉ số đầu vào trên đầu ra của cảm biến
C. Là tỉ số biến thiên đầu vào trên biến thiên đầu ra của cảm biến
D. Là tỉ số biến thiên đầu ra trên biến thiên đầu vào của cảm biến
[ ]
55. Định nghĩa độ nhạy chủ đạo của một cảm biến
A. Là tỉ số đầu ra trên đại lượng cần đo đầu vào của cảm biến
B. Là tỉ số đại lượng cần đo đầu vào trên đầu ra của cảm biến
C. Là tỉ số biến thiên đầu ra trên biến thiên đại lượng cần đo đầu vào của cảm biến
D. Là tỉ số biến thiên đại lượng cần đo đầu vào trên biến thiên đầu ra của cảm biến
[ ]
56. Định nghĩa độ nhạy phụ của một cảm biến
A. Là tỉ số biến thiên đại lượng nhiễu đầu vào trên biến thiên đầu ra của cảm biến
B. Là tỉ số biến thiên đầu ra trên biến thiên đại lượng nhiễu đầu vào của cảm biến
C. Là tỉ số đại lượng nhiễu đầu vào trên đầu ra của cảm biến
D. Là tỉ số đầu ra trên đại lượng nhiễu đầu vào của cảm biến
[ ]
57. Về mặt kỹ thuật, nên lựa chọn cảm biến có:
A. Độ nhạy chủ đạo càng nhỏ và độ nhạy phụ càng lớn
B. Độ nhạy chủ đạo càng nhỏ và độ nhạy phụ càng nhỏ
C. Độ nhạy chủ đạo càng lớn và độ nhạy phụ càng lớn
D. Độ nhạy chủ đạo càng lớn và độ nhạy phụ càng nhỏ
[ ]
60. Một cảm biến có thông số các độ nhạy như sau:
Độ nhạy chủ đạo Độ nhạy phụ
50Ω/mm 1Ω/ ℃
Hãy cho biết đại lượng đầu vào của cảm biến là đại lượng nào?
A. Điện trở
B. Khoảng cách
C. Nhiệt độ
D. Đại lượng vật lý ngẫu nhiên
[ ]
50Ω/mm 1Ω/ ℃
Hãy cho biết đại lượng đầu ra của cảm biến là đại lượng nào?
A. Điện trở
B. Khoảng cách
C. Nhiệt độ
[ ]
50Ω/mm 1Ω/ ℃
Hãy cho biết nhiễu đầu vào của cảm biến là đại lượng nào?
A. Điện trở
B. Khoảng cách
C. Nhiệt độ
[ ]
63. Độ chọn lựa của một cảm biến được định nghĩa là:
A. Tỉ số độ nhạy phụ trên độ nhạy chủ đạo
B. Tỉ số độ nhạy chủ đạo trên độ nhạy phụ
C. Tỉ số biến thiên đầu vào trên biến thiên đầu ra của cảm biến
D. Tỉ số biến thiên đầu ra trên biến thiên đầu vào của cảm biến
[ ]
64. Khi lựa chọn cảm biến, dựa vào yếu tố nào sau đây là đúng nhất:
A. Cảm biến có độ chọn lựa lớn nhất
B. Cảm biến có độ chọn lựa nhỏ nhất
C. Cảm biến có độ nhạy chủ đạo lớn nhất đồng thời có độ nhạy phụ lớn nhất
D. Cảm biến có độ nhạy chủ đạo nhỏ nhất đồng thời có độ nhạy phụ lớn nhất
[ ]
65. Khi lựa chọn cảm biến, giới hạn đo như thế nào là phù hợp nhất?
A. Càng lớn càng tốt
B. Càng nhỏ càng tốt
C. Lớn hơn hoặc bằng khoảng muốn đo và càng gần khoảng muốn đo càng tốt
D. Nằm trong 2/3 khoảng muốn đo
[ ]
66. Độ nhạy của một cảm biến như thế nào thì tốt?
B. Không lớn không nhỏ
C. Càng nhỏ càng tốt
D. Tùy thuộc vào khoảng muốn đo
[ ]
67. Chọn cảm biến tốt nhất về mặt kỹ thuật để đo khối lượng với khoảng cần đo từ 0÷100kg
A. Cảm biến 1
B. Cảm biến 2
C. Cảm biến 3
D. Cảm biến 4
[ ]
68. Chọn cảm biến tốt nhất về mặt kỹ thuật để đo vị trí với khoảng cần đo từ 0÷80mm
A. Cảm biến 1
B. Cảm biến 2
C. Cảm biến 3
D. Cảm biến 4
[ ]
A. Cảm biến 1
B. Cảm biến 2
C. Cảm biến 3
D. Cảm biến 4
[ ]
Cảm biến Độ nhạy chủ đạo Độ nhạy phụ Giới hạn đo
1 150mV/kg 2.2x10-2mV/0C 0÷200kg
2 140mV/kg 2.3x10-2mV/0C 0÷210kg
3 135mV/kg 2.35x10-2mV/0C 0÷180kg
4 130mV/kg 2.2x10-2mV/0C 0÷200kg
A. Cảm biến 1
B. Cảm biến 2
C. Cảm biến 3
D. Cảm biến 4
[ ]
71. Chọn cảm biến tốt nhất về mặt kỹ thuật để đo vị trí với khoảng cần đo từ 0÷100mm
1 150mV/mm -2
15x10 mV/0C 0÷110 mm
2 140mV/ mm 14x10-2mV/0C 0÷120 mm
3 130mV/ mm 13x10-2mV/0C 0÷105 mm
4 120mV/ mm -2
12x10 mV/0C 0÷100 mm
A. Cảm biến 1
B. Cảm biến 2
C. Cảm biến 3
D. Cảm biến 4
[ ]
72. Chọn cảm biến tốt nhất về mặt kỹ thuật để đo nhiệt độ với khoảng cần đo từ 0÷1500C
1 50mV/0C -2
15x10 mV/0C 0÷150 0C
2 60mV/ 0C 14x10-2mV/0C 0÷150 0C
3 65mV/ 0C 13x10-2mV/0C 0÷150 0C
4 20mV/ 0C -2
12x10 mV/0C 0÷150 0C
A. Cảm biến 1
B. Cảm biến 2
C. Cảm biến 3
D. Cảm biến 4
[ ]
73. Nguyên lý nào của cảm biến sau đây được coi là chuyển đổi dạng số:
A. Đo nhiệt đo
B. Đo khối lượng
C. Đo khoảng cách
D. Công tắc
[ ]
74. Nguyên nhân gây ra sai số trong cảm biến
A. Do đặc tính chuyển đổi là phi tuyến
B. Do xuất hiện đại lượng nhiễu tác động đầu vào cảm biến
C. Do không hoàn thiện trong công nghệ chế tạo cảm biến
D. Do đặc tính chuyển đổi là phi tuyến, do xuất hiện đại lượng nhiễu tác động đầu vào cảm
biến, do không hoàn thiện trong công nghệ chế tạo cảm biến
[ ]
75. Cảm biến loại tích cực biến đổi trực tiếp đại lượng không điện cần đo thành:
B. Đại lượng R/L/C
C. Tổng trở
D. Trở kháng
[ ]
76. Cảm biến loại thụ động biến đổi đại lượng không điện cần đo thành:
B. Đại lượng không điện
C. Đại lượng R/L/C
D. Đại lượng tuyến tính
[ ]
Câu 1: Các tia cực tím có bước sóng nằm trong khoảng
A. Nhỏ hơn 0.4 µm
B. Từ (0.4 đến 0.75) µm
C. Từ (0.75 đến 30) µm
D. Lớn hơn 30 µm
[ ]
Câu 2: Các tia hồng ngoại có bước sóng nằm trong khoảng
A. Nhỏ hơn 0.4 µm
B. Từ (0.4 đến 0.75) µm
C. Từ (0.75 đến 30) µm
D. Lớn hơn 0.75 µm
[ ]
Câu 3: Thực chất tế bào quang dẫn là một điện trở được chế tạo từ
A. Các kim loại tinh khiết
B. Các phi kim
C. Các chất bán dẫn
D. Các hợp kim
[ ]
Câu 4: Tế bào quang dẫn có độ nhạy phụ thuộc vào:
A. Các kim loại tinh khiết
B. Các phi kim
C. Các chất bán dẫn
D. Các hợp kim
[ ]
5. Thru-Beam là:
A. Cảm biến quang loại thu phát chung.
B. Cảm biến quang loại khuếch tán.
C. Cảm biến quang loại thu phát độc lập.
D. Cảm biến quang loại phản xạ
[ ]
6. Cảm biến quang loại Thru-Beam có phần phát và phần thu:
A. Ở trong hai bộ phận độc lập nhau và đặt đối diện nhau.
B. Ở trong hai bộ phận độc lập nhau và đặt song song nhau.
C. Ở chung trong một bộ phận.
D. Ở trong hai bộ phận độc lập nhau
[ ]
7. Diffuse là:
A. Cảm biến quang loại khuếch tán
B. Cảm biến quang loại phản xạ.
C. Cảm biến quang loại thu phát độc lập
D. Cảm biến quang loại thu phát chung
[ ]
8. Cảm biến quang loại Diffuse:
A. Có thể phân biệt được vật trong suốt.
B. Có thể phát hiện được đối tượng phản xạ ánh sáng tốt.
C. Có thể phân biệt được vật trong suốt và phát hiện được đối tượng phản xạ ánh sáng tốt.
D. Không thể phân biệt được vật trong suốt.
[ ]
9. Phân loại cảm biến quang theo nguồn sáng giữa phần phát và phần thu gồm:
A. Cảm biến quang loại thu phát độc lập
B. Cảm biến quang loại thu phát chung
C. Cảm biến quang loại khuếch tán
D. Cảm biến quang loại thu phát độc lập, loại thu phát chung và loại khuếch tán
[ ]
10. Loại cảm biến quang có khoảng cách phát hiện xa nhất là:
A. Cảm biến thu phát độc lập
B. Cảm biến quang loại thu phát chung
C. Cảm biến quang loại khuếch tán
D. Cảm biến quang loại phản xạ
[ ]
11. Các đơn vị đo năng lượng của cảm biến quang:
A. Năng lượng bức xạ: Q
B. Thông lượng ánh sáng : Ф
C. Cường độ ánh sáng : I , độ chói L
D. Năng lượng bức xạ: Q, thông lượng ánh sáng : Ф, cường độ ánh sáng : I và độ chói L
[ ]
12. Trên thân cảm biến có ghi “Dark on” tức là:
A. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu on, không có vật cho tín hiệu off
B. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu off, không có vật cho tín hiệu on
C. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu on
D. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu off
[ ]
13. Trên thân cảm biến có ghi “Light on”: tức là:
A. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu On , không có vật cho tín hiệu Off
B. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu Off , không có vật cho tín hiệu On
C. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu on
D. Khi phát hiện vật sẽ cho tín hiệu off
[ ]
14. Trong mạch điện hình dưới, khi ánh sáng tăng thì:
A. V+ tăng
B. V+ không phụ thuộc vào ánh sáng
C. V+ giảm
D. V+ =0
[ ]
15. Cho mạch điện như hình, chỉnh biến trở VR tại vị trí giữa, chiếu ánh sáng vào quang trở, quang
trở có giá trị bằng 1kΩ, thì:
A. LED tắt vì V2>V3
B. LED sáng vì V2>V3
C. LED tắt vì V2<V3
D. LED sáng vì V2<V3
[ ]
16. Đặc điểm của tế bào quang dẫn:
A. Độ nhạy không phụ thuộc vào nhiệt độ
B. Các thông số ổn định
C. Đặc tính điện trở - độ rọi là phi tuyến, thời gian đáp ứng tương đối lớn.
D. Độ nhạy không phụ thuộc vào cường độ chiếu sáng
[ ]
17. Cảm biến quang điện hoạt động dựa trên nguyên lý chung:
A. Thay đổi điện dung khi có ánh sáng thích hợp tác động
B. Thay đổi độ nhạy khi có ánh sáng thích hợp tác động
C. Thay đổi điện cảm khi có ánh sáng thích hợp tác động
D. Thay đổi trạng thái điện khi có ánh sáng thích hợp tác động
[ ]
18. Quang trở là phần tử thụ động có giá trị điện trở ……. khi cường độ chiếu sáng giảm, và
……khi cường chiếu sáng tăng.
A. Giảm, tăng
B. Tăng, tăng.
C. Tăng, giảm
D. Giảm, giảm.
[ ]
22. Mạch điện trong hình có hoạt động là:
A. Khi cường động chiếu sáng tăng thì transistor ngưng dẫn.
B. Mạch đèn đường.
C. Khi cường động chiếu sáng tăng thì led tắt.
D. Khi cường động chiếu sáng tăng thì transistor ngưng dẫn, led tắt và được ứng dụng
trong mạch chiếu sáng đèn đường
[ ]
23. Phân loại hiệu ứng trong tế bào quang dẫn thuộc loại:
A. Tích cực
B. Thụ động
C. Rời rạc
D. Số
[ ]
24. Tế bào quang điện có nguyên lý hoạt động:
A. Cường độ dòng quang điện thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
B. Giá trị điện trở thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
C. Trạng thái ngõ ra thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
D. Trạng thái ngõ vào thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
[ ]
25. Phân loại hiệu ứng trong tế bào quang điện thuộc loại:
A. Tích cực
B. Thụ động
C. Rời rạc
D. Số
[ ]
26. Tế bào quang dẫn thực chất là một điện trở có:
A. Điện trở trong tối bé
B. Điện trở trong tối lớn
C. Điện trở trong tối lớn và giảm nhanh khi độ rọi sáng tăng
D. Điện trở trong tối bé và tăng nhanh khi độ rọi sáng tăng
[ ]
27. Độ nhạy của tế bào quang dẫn được xác định theo biểu thức:
∆
A. =
∆F
∆F
B. =
∆
∆
C. =
∆F
∆F
D. =
∆
[ ]
28. Sơ đồ dưới là ứng dụng ……..để điều khiển rơ le:
A. Tế bào quang dẫn

B. Photo diode
C. Photo transistor
D. Tế bào quang điện
[ ]
29. Sơ đồ dưới là ứng dụng ……..để điều khiển điện áp ra của IC

B. Photo diode
C. Photo transistor
[ ]
30. Sơ đồ dưới là ứng dụng ……..để điều khiển cổng logic
B. Photo diode
C. Photo transistor
[ ]
31. Photodiode cho dòng điện đi từ catot đến anot khi:
A. Đặt điện thế tại anot lớn hơn catot
B. Đặt điện thế tại catot lớn hơn anot
C. Đặt điện thế tại anot lớn hơn catot và chiếu sáng lớp tiếp giáp
D. Đặt điện thế tại catot lớn hơn anot và chiếu sáng lớp tiếp giáp
[ ]
1. Nhiệt điện trở có hệ số nhiệt dương là:
A. Giá trị điện trở giảm khi nhiệt độ tăng.
B. Giá trị điện trở tăng khi nhiệt độ tăng
C. Đo được nhiệt độ lớn hơn 00C.
D. Đo được nhiệt độ nhỏ hơn 00C.
[ ]
2. Nhiệt điện trở có hệ số nhiệt âm là:
A. Giá trị điện trở giảm khi nhiệt độ tăng.
B. Giá trị điện trở tăng khi nhiệt độ tăng
C. Đo được nhiệt độ lớn hơn 00C.
D. Đo được nhiệt độ nhỏ hơn 00C.
[ ]
3.Các cảm biến tiếp xúc môi trường đo bao gồm:
A. Cảm biến giãn nở.
B. Cảm biến giãn nở, cảm biến điện trở
C. Cảm biến giãn nở, cảm biến điện trở, cặp nhiệt điện.
D. Cảm biến giãn nở, cảm biến điện trở, cặp nhiệt điện, hỏa kế
[ ]
4. Nguyên lý hoạt động của nhiệt kế giãn nở là:
A. Dựa trên sự giãn nở của chất rắn khi tăng nhiệt độ.
B. Dựa trên sự giãn nở của vật liệu khi tăng nhiệt độ.
C. Dựa trên sự giãn nở của chất khí khi tăng nhiệt độ.
D. Dựa trên sự phụ thuộc điện trở suất của vật liệu khi tăng nhiệt độ.
[ ]
5. Có bao nhiêu loại nhiệt điện trở:
A. 2
B. 3
C. 4
D. 5
[ ]
6. Các loại nhiệt điện trở là:
A. Nhiệt điện trở kim loại
B. Nhiệt điện trở SiliC.
C. Nhiệt điện trở oxit bán dẫn.
D. Nhiệt điện trở kim loại, nhiệt điện trở Silic, nhiệt điện trở oxit bán dẫn.
[ ]
7. Các kim loại thường dùng để chế tạo nhiệt điện trở kim loại là:
A. Pt, Cu, Ni
B. Pt, Cu, Si, Ni.
C. Pt, Cu, Ni, W.
D. Pt, Ni, Ag, W
[ ]
8. Kim loại nào sau đây khi chế tạo cảm biến đo được nhiệt độ cao nhất:
A. Pt
B. Cu
C. W
D. Ni
[ ]
9. Nguyên lý đo của nhiệt kế giãn nở dùng chất rắn là khi nhiệt độ thay đổi thì:
A. Chiều dài của vật liệu thay đổi
B. Thể tích của vật liệu thay đổi
C. Điện trở của vật liệu thay đổi
D. Điện trở suất của vật liệu thay đổi
[ ]
10. Nguyên lý đo của nhiệt kế giãn nở dùng chất lỏng là khi nhiệt độ thay đổi thì:
A. Chiều dài của vật liệu thay đổi
B. Thể tích của vật liệu thay đổi
C. Điện trở của vật liệu thay đổi
D. Điện trở suất của vật liệu thay đổi
[ ]
11. Phương trình Callendar – Van Dusen cho nhiệt điện trở Silic là:
A. R(t) = R0.(1 + A.t + B.t2 + C[t – 1000C].t3)
B. R(t) = R0.(1 + A.t + B.t+ + C.t2).
C. R(t) = R0.(1 + A.t + B.t2 + D.t4 + F.t6)
D. R(t) = R0.[1 + A.(t-t0)+ B.(t-t0)2]
[ ]
12. Thermocouple là:
A. Nhiệt điện trở.
B. Nhiệt kế giãn nở.
C. Cặp nhiệt điện.
D. Hỏa kế.
[ ]
13. Thermistor là
A. Nhiệt điện trở kim loại
B. Nhiệt điện trở bán dẫn
C. Cảm biến nhiệt cấu tạo từ Ni
D. Cảm biến nhiệt dạng IC
[ ]
14. Nguyên lý hoạt động của cặp nhiệt điện dựa trên:
A. Sự phân bố phổ bức xạ nhiệt do dao động nhiệt.
B. Sự giãn nở của vật rắn.
C. Cơ sở hiệu ứng nhiệt điện.
D. Cả 3 đáp án đều sai
[ ]
15. Nguyên lý hoạt động hỏa kế bức xạ toàn phần dựa trên:
A. Định luật Planck.
B. Định luật Kiêc - khop
C. Hiệu ứng Seebeck.
D. Hiệu ứng Doopler.
[ ]
16. Nguyên lý hoạt động hỏa kế quang điện dựa trên:
A. Định luật Planck.
B. Định luật Kiêc - khop
C. Hiệu ứng Seebeck.
D. Hiệu ứng Doopler.
[ ]
17. Các thành phần cơ bản chính của hỏa kế quang đo nhiệt độ gián tiếp là:
A. Nguồn sáng, bộ phát hiện, mạch dao động, mạch ngõ rA.
B. Nguồn sáng, các thấu kính, mạch dao động, mạch ngõ rA.
C. Nguồn sáng, các thấu kính, gương phản xạ, thu năng lượng, dụng cụ đo thứ cấp
D. Nguồn sáng, các thấu kính, bộ phát hiện, mạch dao động, mạch ngõ rA.
[ ]
18. Các thấu kính trong cảm biến quang được sử dụng với:
A. Nguồn sáng đèn đốt Wonfram.
B. Nguồn sáng Laser.
C. Nguồn sáng LED và bộ phận Photodetector.
D. Nguồn sáng đèn đốt Wonfram và nguồn sáng Laser.
[ ]
19. Các thấu kính trong cảm biến quang dùng để:
A. Làm rộng vùng phát xạ.
B. Tăng diện tích vùng hoạt động.
C. Làm rộng vùng phát xạ và tăng diện tích vùng hoạt động.
D. Làm hẹp vùng phát xạ và làm hẹp diện tích vùng hoạt động.
[ ]
20. Khi cảm biến quang đang ở chế độ “sáng” (Light Operate) thì :
A. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi có sóng ánh sáng đi được từ bộ phận phát đến bộ phận
nhận.
B. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi bộ phận nhận không nhận được sóng ánh sáng từ bộ phận
phát.
C. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi có sóng ánh sáng phát ra từ bộ phận phát.
D. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi bộ phận nhận phát ra sóng ánh sáng.
[ ]
21. Khi cảm biến quang đang ở chế độ “tối” (Dark Operate) thì :
A. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi có sóng ánh sáng đi được từ bộ phậnphát đến bộ phận
nhận.
B. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi bộ phận nhận không nhận được sóng ánhsáng từ bộ phận
phát.
C. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi có sóng ánh sáng phát ra từ bộ phậnphát.
D. Ngõ ra ở trạng thái tích cực khi bộ phận nhận phát ra sóng ánh sáng.
[ ]
22. Thông số Ni -200 có ý nghĩa như thế nào?
A. Điện trở tại nhiệt độ 00K là 200Ω.
B. Điện trở tại nhiệt độ 1000C là 200 Ω.
C. Điện trở tại nhiệt độ 00C là 200Ω.
D. Điện trở tại nhiệt độ 00F là 200Ω.
[ ]
23. Các phương pháp đo nhiệt độ là
A. Phương pháp trực tiếp
B. Phương pháp quang điện
C. Phương pháp gián tiếp
D. Phương pháp trực tiếp và phương pháp gián tiếp
[ ]
24. Để đo nhiệt độ thấp thực tế người ta thường sử dụng:
A. Nhiệt kế giãn nở
B. Nhiệt điện trở
C. Cặp nhiệt điện
D. Hỏa kế
[ ]
25. Nguyên lý chung đo nhiệt độ bằng các điện trở là dựa vào sự phụ thuộc:
A. Khối luợng của vật theo nhiệt độ.
B. Điện trở suất của vật liệu theo nhiệt độ
C. Điện áp theo nhiệt độ.
D. Dòng điện theo nhiệt độ.
[ ]
26. Pt100 có hệ số nhiệt trở bằng 0,00392/oC có điện trở bằng
A. 139,2Ω tại nhiệt độ 100 oC.
B. 100,392Ω tại nhiệt độ 100oF.
C. 139,20392Ω tại nhiệt độ 100 oK.
D. 10,0392Ω tại nhiệt độ 100 oF
[ ]
27. Mối quan hệ giữa T0C và T0F là:
A. T0F = 5/9T0C+32
B. T0F = 5/9T0C-32
C. T0F = 9/5T0C-32
D. T0F = 9/5T0C+32
[ ]
29. Để chế tạo nhiệt kế giãn nở dùng chất rắn, người ta thường sử dụng:
A. Hai kim loại có bản chất hóa học giống nhau
B. Hai kim loại có hệ số giãn nở theo chiều dài khác nhau
C. Một kim loại và một phi kim
D. Một kim loại và thủy ngân
[ ]
30. Trong mạch đo dùng logomet, để đo nhiệt độ đầu vào, người ta đo:
A. Giá trị dòng I1

B. Giá trị dòng I2
C. Góc quay của Roto
D. Độ lớn của điện trở Rt
[ ]
1. Cảm biến đo dịch chuyển dùng điện dung theo nguyên lý tiết diện thực thay đổi là do:
A. Hai bản cực dịch chuyển theo hướng vuông góc với bản cực
B. Hai bản cực dịch chuyển theo hướng song song với bản cực
C. Lớp điện môi giữa hai bản cực dịch chuyển
D. Tổn hao điện môi giữa hai bản cực thay đổi
[ ]
2. Cảm biến đo dịch chuyển dùng điện dung theo nguyên lý khoảng cách hai
bản cực thay đổi có phương trình chuyển đổi là hàm số có dạng:
A. Tuyến tính B. Hàm mũ
C. Phân số D. Bậc hai
[ ]
3. Cảm biến đo dịch chuyển dùng điện cảm theo nguyên lý khoảng cách khe hở không khí thay đổi
(bỏ qua từ trở lõi thép và phần ứng) có phương trình chuyển đổi dạng:
A. Tuyến tính B. Hàm mũ
C. Phân số D. Bậc hai
[ ]
5. Cảm biến đo sự dịch chuyển dùng điện cảm dựa vào nguyên lý:
A. Tác động dịch chuyển làm thay đổi từ thẩm mạch từ dẫn đến từ trở khe hở không khí thay đổi.
Do đó, từ trở tổng mạch từ cũng thay đổi làm giá trị điện cảm của cuộn dây thay đổi theo.
B. Tác động dịch chuyển làm thay đổi khoảng cách khe hở không khí dẫn đến từ trở khe hở không
khí thay đổi. Do đó, từ trở tổng mạch từ cũng thay đổi làm giá trị điện cảm của cuộn dây thay đổi
theo.
C. Tác động dịch chuyển làm thay đổi tiết diện khe hở không khí dẫn đến từ trở khe hở không khí
thay đổi. Do đó, từ trở tổng mạch từ cũng thay đổi làm giá trị điện cảm của cuộn dây thay đổi theo.
D. Tác động dịch chuyển làm thay đổi điện trở cuộn dây dẫn đến giá trị điện cảm của cuộn dây thay
đổi theo.
[ ]
6. Sử dụng điện thế kế con chạy quang và từ có ưu điểm so với con chạy cơ học là:
A. Độ chính xác cao
B. Đầu ra là điện áp
C. Đầu ra là điện trở
D. Không cần tiếp xúc nên không gây tiếng ồn, không bị mài mòn, tuổi thọ cao
[ ]
7. Cấu tạo cảm biến biến thế vi sai đo dịch chuyển gồm:
A. Cuộn dây sơ cấp, lõi thép di chuyển theo chuyển động cần đo, 2 cuộn dây thứ cấp mắc nối tiếp
ngược chiều.
B. Cuộn dây sơ cấp, lõi thép di chuyển theo chuyển động cần đo, 2 cuộn dây thứ cấp có số vòng
bằng nhau mắc nối tiếp cùng chiều
C. Cuộn dây sơ cấp, lõi thép cố định, 2 cuộn dây thứ cấp có số vòng bằng nhau mắc nối tiếp ngược
chiều
D. Cuộn dây sơ cấp, lõi thép di chuyển theo chuyển động cần đo, 2 cuộn dây thứ cấp có số vòng
bằng nhau mắc song song cùng chiều
[ ]
8. Nguyên lý hoạt động của cảm biến dịch chuyển dùng biến thế vi sai
A. Khi lõi từ dịch chuyển, làm thay đổi hệ số hỗ cảm giữa cuộn sơ cấp với các cuộn thứ cấp. Kết
quả điện áp ra của mạch thứ cấp máy biến áp thay đổi theo gần như tuyến tính với hiệu số các hệ số
hỗ cảm của hai cuộn thứ cấp.
B. Lõi thép di chuyển theo tác động cần đo làm từ trở mạch từ thay đổi, dẫn đến điện cảm 2 cuộn
dây thứ cấp thay đổi. Kết quả điện áp ra của mạch thứ cấp máy biến áp thay đổi theo.
C. Lõi thép di chuyển theo tác động cần đo làm điện trở trên 2 cuộn dây thứ cấp thay đổi. Kết quả
điện áp ra của mạch thứ cấp máy biến áp thay đổi theo.
D. Lõi thép di chuyển theo tác động cần đo làm từ thông cảm ứng trên 2 cuộn dây thứ cấp thay đổi,
dẫn đến từ thẩm mạch từ thứ cấp thay đổi. Kết quả điện áp ra của mạch thứ cấp máy biến áp thay
đổi theo.
[ ]
9. Một cảm biến biếp thế vi sai đo sự dịch chuyển có độ nhạy chủ đạo là 24[mV/mm] được dùng để
đo khoảng dịch chuyển từ 0,5[cm] đến 1,4[cm]. Điện áp ra của cảm biến trong trường hợp này thay
đổi trong khoảng nào
A. 50 120[mV] B. 50336[mV]
C. 1233,6[mV] D. 120336[mV]
[ ]
10. Mục đích cảm biến tiệm cận dùng để:
A. Đo khoảng cách
B. Đo sự dịch chuyển
C. Phát hiện có hay không có vật, đo khoảng cách và đo sự dịch chuyển
D. Hiển thị kết quả đo
[ ]
11. Đối tượng cảm biến tiệm cận điện cảm có thể phát hiện là:
A. Kim loại B. Chất lỏng
C. Chất rắn D. Vật bất kỳ
[ ]
12. Đối tượng cảm biến tiệm cận điện dung có thể phát hiện là:
A. Kim loại B. Chất lỏng
C. Chất rắn D. Vật bất kỳ
[ ]
13. Định nghĩa khoảng cách phát hiện của cảm biến tiệm cận
A. Là khoảng cách trung bình từ đầu cảm biến tới vị trí vật chuẩn mà cảm biến có thể phát hiện
được
B. Là khoảng cách tối thiểu từ đầu cảm biến tới vị trí vật chuẩn mà cảm biến có thể phát hiện đượC.
C. Là khoảng cách xa nhất từ đầu cảm biến tới vị trí vật chuẩn mà cảm biến có thể phát hiện được
D. Là khoảng cách cài đặt từ đầu cảm biến tới vị trí vật chuẩn mà cảm biến có thể phát hiện được
[ ]
14. Cảm biến điện cảm được chế tạo dựa trên nguyên lý nào sau đây:
A. Nguyên lý là dựa trên sự thay đổi của điện cảm khi có sự dịch chuyển
B. Nguyên lý là dựa trên sự thay đổi của điện dung khi có sự dịch chuyển
C. Nguyên lý là dựa trên cảm ứng điện từ, vật cần đo vị trí hoặc dịch chuyển được gắn vào một
phần tử của mạch từ gây nên sự biến thiên từ thông qua cuộn đo.
D. Nguyên lý là dựa trên sự thay đổi của quang điện khi có sự dịch chuyển
[ ]
15. Cảm biến tiệm cận điện dung phát hiện vật dựa vào nguyên lý:
A. Bản cực của tụ điện tạo ra vùng điện trường ở đầu cảm biến. Khi có vật đi vào vùng cảm biến, một
dòng điện xoáy được sinh ra trên bề mặt vật làm giá trị điện dung thay đổi. Mạch phát hiện sẽ phát
hiện ra sự thay đổi điện dung này và báo chuyển trạng thái ngõ ra cảm biến.
B. Bản cực của tụ điện tạo ra vùng từ trường ở đầu cảm biến. Khi có vật đi vào vùng cảm biến, cường
độ từ trường sẽ thay đổi. Mạch phát hiện sẽ phát hiện ra sự thay đổi này và báo chuyển trạng thái ngõ
ra cảm biến.
C. Bản cực của tụ điện tạo ra vùng trường điện từ ở đầu cảm biến. Khi có vật đi vào vùng cảm biến,
một dòng điện xoáy được sinh ra trên bề mặt vật và làm giảm biên độ dao động của trường điện từ.
Mạch phát hiện sẽ phát hiện ra sự giảm biên độ này và báo chuyển trạng thái ngõ ra cảm biến.
D. Bản cực của tụ điện tạo ra vùng điện trường ở đầu cảm biến. Khi có vật đi vào vùng cảm biến,
điện môi giữa các bản cực thay đổi dẫn đến giá trị điện dung thay đổi. Mạch phát hiện sẽ phát hiện ra
sự thay đổi điện dung này và báo chuyển trạng thái ngõ ra cảm biến.
[ ]
16. Xác định loại cảm biến có thể sử dụng cho yêu cầu đo chiều cao sản phẩm dưới đây:
A. Cảm biến quang dạng khuếch tán.

B. Cảm biến tiệm cận điện dung.
C. Cảm biến tiệm cận điện cảm
D. Cảm biến quang dạng khuếch tán, cảm biến tiệm cận điện dung, cảm biến tiệm cận điện cảm
[ ]
18. Từ biểu thức đo dịch chuyển quay, xác định tín hiệu ra của điện thế kế:
A. Rm
B. R
C. 
D. m
[ ]
19. Xác định loại cảm biến có thể sử dụng cho yêu cầu kiểm tra nắp chai (bằng kim loại) dưới đây:
C. Cảm biến tiệm cận điện cảm
D. Cảm biến quang dạng khuếch tán, cảm biến tiệm cận điện dung, cảm biến tiệm cận điện cảm
[ ]
20. Xác định loại cảm biến có thể sử dụng cho yêu cầu kiểm tra thanh chắn đóng dưới đây:

C. Cảm biến siêu âm.
D. Cảm biến quang soi thấu
[ ]
21. Xác định loại cảm biến có thể sử dụng cho yêu cầu phát hiện vị trí buồng thang dưới đây:
A.Cảm biến quang dạng khuếch tán.

B. Cảm biến tiệm cận điện cảm.
C. Cảm biến siêu âm.
D. Cảm biến quang soi thấu
[ ]
24. Cảm biến tiệm cận điện dung đo sự dịch chuyển theo nguyên lý khoảng cách giữa hai bản cực
thay đổi có tín hiệu vào là:
A. Điện dung
B. Khoảng cách
C. Diện tích
D. Đại lượng vật lý
[ ]
25. Cảm biến tiệm cận điện dung đo sự dịch chuyển theo nguyên lý diện tích bản cực thay đổi có tín
hiệu vào là:
A. Điện dung
B. Khoảng cách
C. Diện tích
[ ]
26. Cảm biến tiệm cận điện dung đo sự dịch chuyển theo nguyên lý khoảng cách giữa hai bản cực
thay đổi có tín hiệu ra là:
A. Điện dung
B. Khoảng cách
C. Diện tích
[ ]
27. Cảm biến tiệm cận điện dung đo sự dịch chuyển theo nguyên lý diện tích bản cực thay đổi có tín
hiệu ra là:
A. Điện dung
B. Khoảng cách
C. Diện tích
[ ]
28. Cảm biến tiệm cận điện cảm đo sự dịch chuyển loại tự cảm theo nguyên lý khoảng cách khe hở
không khí thay đổi có tín hiệu ra là:
A. Khoảng cách
B. Hệ số tự cảm
C. Sức điện động
D. Tiết diện
[ ]
29. Cảm biến tiệm cận điện cảm đo sự dịch chuyển loại hỗ cảm theo nguyên lý khoảng cách khe hở
không khí thay đổi có tín hiệu ra là:
A. Khoảng cách
D. Tiết diện
[ ]
30. Cảm biến tiệm cận điện cảm đo sự dịch chuyển loại hỗ cảm theo nguyên lý tiết diện thay đổi (bỏ
qua từ trở lõi thép và phần ứng) có tín hiệu vào là:
A. Khoảng cách
D. Tiết diện
[ ]
1. Cảm biến đo biến dạng chính là các đầu đo biến dạng gồm hai loại đầu đo:
A. Đầu đo điện cảm và điện dung
B. Đầu đo điện cảm và điện trở
C. Đầu đo điện trở và điện dung
D. Đầu đo điện trở và đầu đo dạng dây rung
[ ]
2. Cảm biến đo biến dạng chính là các đầu đo biến dạng có thể sử dụng để đo:
A. Áp suất
B. Lực
C. Gia tốc
D. Áp suất, lực và gia tốc
3. Khi đo biến dạng, các đầu đo biến dạng loại điện trở thường:
A. Dán trực tiếp lên bề mặt của cấu trúc cần khảo sát
B. Cách bề mặt của cấu trúc cần khảo sát một khoảng 
C. Có tiết diện thay đổi theo chiều dịch chuyển bề mặt của cấu trúc cần khảo sát
D. Có con trượt cơ học liên kết với vật trên bề mặt của cấu trúc cần khảo sát
[ ]
4. Các đầu đo biến dạng loại điện trở của cảm biến đo biến dạng sử dụng vât liệu:
A. Đầu đo kim loại, đầu đo hợp kim
B. Đầu đo kim loại, đầu đo bán dẫn
C. Đầu đo bán dẫn, đầu đo hợp kim
D. Đầu đo bán dẫn, đầu đo phi kim
[ ]
5. Điện trở của cảm biến đo biến dạng loại điện trở được biểu diễn bởi biểu thức:
A. R=.S/l
B. R=.l/S
C. R=l.S/
D. R=.l.S
[ ]
6. Điện trở loại N trong đầu đo bán dẫn đo biến dạng nhận được bằng cách:
A. Khuếch tán vào đế Silic loại P một tạp chất thuộc nhóm III
B. Khuếch tán vào đế Silic loại P một tạp chất thuộc nhóm V
C. Khuếch tán vào đế Silic loại N một tạp chất thuộc nhóm III
D. Khuếch tán vào đế Silic loại N một tạp chất thuộc nhóm V
[ ]
7. Điện trở loại P trong đầu đo bán dẫn đo biến dạng nhận được bằng cách:
A. Khuếch tán vào đế Silic loại P một tạp chất thuộc nhóm III
B. Khuếch tán vào đế Silic loại P một tạp chất thuộc nhóm V
C. Khuếch tán vào đế Silic loại N một tạp chất thuộc nhóm III
D. Khuếch tán vào đế Silic loại N một tạp chất thuộc nhóm V
[ ]
8. Hệ số đầu đo bán dẫn trong cảm biến đo biến dạng phụ thuộc:
A. Độ pha tạp
B. Nhiệt độ
C. Độ pha tạp, nhiệt độ
D. Nhiệt độ, lực gây biến dạng
[ ]
Câu 1: Các đại lượng nào sau đây là đại lượng điện tác động:
A. Điện trở
B. Điện áp
C. Nhiệt độ
D. Điện dung
[ ]
Câu 2: Các đại lượng nào sau đây là đại lượng điện thụ động:
A. Dòng điện
B. Gia tốc
C. Công suất
D. Điện cảm
[ ]
Câu 3: Các đại lượng nào sau đây là đại lượng không điện:
A. Điện áp
B. Vận tốc
C. Công suất
D. Điện trở
[ ]
Câu 4: Để đảm bảo độ chính xác nhiều khi ta phải đo nhiều lần sau đó lấy giá trị trung bình phương
pháp đo này gọi là:
A. Đo trực tiếp
B. Đo gián tiếp
C. Đo thống kê
D. Đo tương quan
[ ]
Câu 5: Điện áp 2 đầu điện trở có trị số “tin cậy” là 50V. Ta dùng vôn kế đo được 49V. Vậy
độ chính xác của phép đo này là:
A. 99%
B. 98%
C. 97%
D. 96%
[ ]
sai số tương đối của phép đo này là:
A. 99%
B. 98%
C. 2%
D. 1V
[ ]
sai số tuyệt đối của phép đo này là.
A. 99%
B. 98%
C. 2%
D. 1V
[ ]
Câu 8: Dùng 2 Volt kế A, B lần lượt đo điện áp. Khi Volt kế A đo được 300V thì sai số 3V; khi
Volt kế B đo được 50V thì sai số 2,5V. Vậy phát biểu nào sau đây là đúng.
A. Độ chính xác của Volt kế A cao hơn
B. Độ chính xác của Volt kế A thấp hơn
C. Sai số tuyệt đối của Volt kế A thấp hơn
D. Sai số tương đối của Volt kế A cao hơn
[ ]
Câu 9: Thế nào là sai số tuyệt đối:
A. Hiệu giữa trị số chỉ thị của đồng hồ đo với trị số chỉ thị của đồng hồ chuẩn
B. Tỉ số phần trăm so sánh giữa sai số tương đối với trị số chỉ thị của đồng hồ chuẩn
C. Số phần trăm giữa trị số tương đối so với trị số lớn nhất trên bảng chia độ đồng hồ đo
D. Là giá trị của 100% trừ cho trị số tương đối
[ ]
Câu 10: Trên đồng hồ miliampe kế có thang đo 25 mA. Sai số tương đối là ± 2%. Vậy ta có
thể hiểu sai số tuyệt đối của đồng hồ là:
A. ∆I = ± 0,5 mA.
B. ∆I = ± 0,1 mA
C. ∆I = ± 0,15 mA
D. ∆I = ± 0,25 mA
[ ]
Câu 11: Các đại lượng nào sau đây là đại lượng không điện:
A. Điện áp
B. Vận tốc
C. Công suất
D. Điện trở
[ ]
Câu 12: Thế nào là phép đo trực tiếp?
A.Là phép đo mà kết quả nhận được trực tiếp từ một lần đo duy nhất
B.Là phép đo mà kết quả nhận được từ hai phép đo trực tiếp.
C.Là phép đo phải tiến hành nhiều lần đo trực tiếp
D.Là phép đo mà kết quả đo nhận được thư ng phải thông qua giải một phương trình hay một
hệ phương trình.
[ ]
Câu 13: Thế nào là sai số tương đối:
A. Hiệu giữa trị số chỉ thị của đồng hồ đo với trị số chỉ thị của đồng hồ chuẩn
B. Là tỉ số của sai số tuyệt đối và giá trị thực của đại lượng cần đo.
C. Số phần trăm giữa trị số tương đối so với trị số lớn nhất trên bảng chia độ đồng hồ đo
D. Là sai lệch giữa giá trị đo được và giá trị thực của đại lượng đo.
[ ]
Câu 14: Đơn vị đo cư ng độ ánh sáng trong hệ thống đơn vị quốc tế là
A. Kelvin
B. Mol
C. Candela
D. Kilogam
[ ]
Câu 15: Phương pháp đo kiểu so sánh là
A. Phương pháp đo không có khâu phản hồi
B. Phương pháp đo có khâu phản hồi
C. Tín hiệu đo được đưa qua một hoặc nhiều khâu biến đổi
D. Tín hiệu đo được đưa trực tiếp đến bộ biến đổi A.D
[ ]
Câu 16: Thế nào là sai số chủ quan:
A. Là sai số sinh ra do sự không hoàn thiện của phương pháp đo.
B. Là sai số của thiết bị đo sử dụng trong phép đo.
C. Là sai số gây ra do ảnh hưởng của điều kiện bên ngoài lên đối tượng đo.
D. Là sai số gây ra do ngư i sử dụng.
[ ]
Câu 1: Dụng cụ đo tần số được gọi là:
A. Ampekế
B. Volkế
C. Tần số kế
D. Ômkế
[ ]
Câu 2: Cấu tạo của tần số kế cộng hưởng điện từ gồm:
A. Nam châm và cuộn dây
B. Nam châm và thanh rung
C. Thanh rung và thang đo khắc độ theo tần số
D. Nam châm điện, thanh rung và thang đo khắc độ theo tần số.
[ ]
Câu 3: Ưu điểm của tần số kế cộng hưởng điện từ là:
A. Cấu tạo đơn giản
B. Giá thành rẻ, ít sai số
C. Dải tần dô rộng
D. Cấu tạo đơn giản, giá thành thấp
[ ]
Câu 4: Đặc điểm của tần số kế chỉ thị số là:
A. Cấu tạo đơn giản, dải tần hẹp
B. Khó đọc kết quả đo, dải tần hẹp
C. Dải tần đo rộng, kết quả đo bằng số dễ đọc
D. Cấu tạo cồng kềnh, giá thành cao
[ ]
Câu 5: Mở rộng thang đo cho tần số kế chỉ thị số bằng:
A. Mạch chia 2
B. Mạch chia 10
C. Sử dụng cổng OR
D. Sử dụng cổng NAND
[ ]
8V/kg 0.01V/0C
A. Điện áp
B. Khối lượng
C. Nhiệt độ
D. Tín hiệu điện
[ ]
8V/kg 0.01V/0C
A. Điện áp
B. Khối lượng
C. Nhiệt độ
[ ]
8V/kg 0.01V/0C
A. Điện áp
B. Khối lượng
C. Nhiệt độ
[ ]
10mA.0C 0.05mA.atm
A. Dòng điện
B. Áp suất
C. Nhiệt độ
[ ]
10mA.0C 0.05mA.atm
A. Dòng điện
B. Áp suất
C. Nhiệt độ
[ ]
10mA.0C 0.05mA.atm
A. Dòng điện
B. Áp suất
C. Nhiệt độ
[ ]
7. Nhiễu trong các bộ cảm biến và mạch truyền dẫn gồm:
A. Nhiễu nội tại
B. Nhiễu đường truyền
C. Nhiễu do nguồn nuôi
D. Nhiễu nội tại và nhiễu đường truyền
[ ]
8. Nhiễu nội tại phát sinh do:
A. Không hòan thiện trong việc thiết kế, chế tạo các bộ cảm biến.
B. Từ trường, trường điện từ sóng radio, do mạch phối hợp trên đường truyền, hoặc phát sinh tại
máy thu.
C. Nhiệt độ gây giãn nở vật liệu dùng để chế tạo cảm biến gây ảnh hưởng tới tính chất điện của các
linh kiện.
D. Độ ẩm làm ảnh hưởng tới mạch điện và cả tính chất vật liệu.
[ ]
9. Nhiễu do đường truyền phát sinh do:
A. Không hòan thiện trong việc thiết kế, chế tạo các bộ cảm biến.
B. Từ trường, trường điện từ sóng radio, do mạch phối hợp trên đường truyền, hoặc phát sinh tại
máy thu.
C. Nhiệt độ gây giãn nở vật liệu dùng để chế tạo cảm biến gây ảnh hưởng tới tính chất điện của các
linh kiện.
D. Độ ẩm làm ảnh hưởng tới mạch điện và cả tính chất vật liệu.
[ ]
10. Nhiễu nội tại có đặc điểm:
A. Có thể khắc phục và có thể giảm thiểu.
B. Có thể khắc phục nhưng không thể giảm thiểu.
C. Không thể khắc phục nhưng có thể giảm thiểu.
D. Không thể khắc phục và không thể giảm thiểu.
[ ]
11. Nhiễu do đường truyền phát sinh có đặc điểm:
A. Có thể giảm thiểu.
B. Không thể giảm thiểu.
C. Luôn là hằng số
D. Luôn tồn tại khi thiết kế và chế tạo cảm biến
[ ]
12. Nhiễu do đường truyền phát sinh xuất hiện bởi tần số nguồn, người ta khắc phục bằng cách:
A. Ghép nối cơ khí, không để dây cao áp gần đầu vào chuyển đổi
B. Cách ly nguồn nuôi, sử dụng màn chắn, nối đất, lọc nguồn
C. Sử dụng cáp ít nhiễu có điện môi tẩm Cacbon
D. Lau sạch, sử dung các vật liệu cách điện
[ ]
Câu 3: Ánh sáng có tính chất:
A. Tính chất sóng
B. Tính chất hạt
C. Tính chất sóng và tính chất hạt
D. Tính đàn hồi, tính chất sóng và tính chất hạt
[ ]
Câu 4: Đơn vị năng lượng đo quang thông là:
A. Lm
B. Lux
C. Cd
D. W
[ ]
Câu 5: Đơn vị đo cường độ chiếu sáng là:
A. Lm
B. Lux
C. Cd
D. W
[ ]
Câu 6: Tế bào quang dẫn có nguyên lý hoạt động:
A. Cường độ dòng quang điện thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
B. Giá trị điện trở thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
C. Trạng thái ngõ ra thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
D. Trạng thái ngõ vào thay đổi khi có ánh sáng thích hợp tác động
[ ]
Câu 7: Hiện tượng quang dẫn là hiện tượng:
A. Điện trở của một vật liệu thay đổi khi bị ánh sáng chiếu vào
B. Điện cảm của một vật liệu thay đổi khi bị ánh sáng chiếu vào
C. Điện dung của một vật liệu thay đổi khi bị ánh sáng chiếu vào
D. Tổng trở của một vật liệu thay đổi khi bị ánh sáng chiếu vào
[ ]
Câu 8: Hiện tượng quang điện phát xạ là hiện tượng:
A. Thay đổi điện cảm khi có ánh sáng thích hợp tác động
B. Thay đổi điện dung khi có ánh sáng thích hợp tác động
C. Điện tử thoát khỏi bề mặt một vật liệu khi bị ánh sáng thích hợp chiếu vào (WF>W1)
D. Thay đổi độ nhạy khi có ánh sáng thích hợp tác động
[ ]
Câu 9: Cảm biến quang thường được ứng dụng phổ biến nhất để:
A. Đo dòng, đo áp
B. Đo điện trở
C. Đóng, cắt điều khiển
D. Bảo vệ quá tải
[ ]
Câu 10: Photo – diode/Phôt –transistor thường được ứng dụng trong:
A. Đo dòng quang điện
B. Đo giá trị điện trở
C. Bảo vệ quá tải
D. Điều khiển đóng cắt
[ ]
11. Điện trở của quang trở được cấu tạo tương đương
A. Hai điện trở tối Ro và điện trở được xác định bởi hiệu ứng quang điện do ánh sáng tác động Rp
mắc song song nhau.
B. Hai điện trở tối Ro và điện trở được xác định bởi hiệu ứng quang điện do ánh sáng tác động Rp
mắc nối tiếp nhau.
C. Hai điện trở tối Rp và điện trở được xác định bởi hiệu ứng quang điện do ánh sáng tác động Ro
mắc song song nhau.
D. Hai điện trở tối Rp và điện trở được xác định bởi hiệu ứng quang điện do ánh sáng tác động Ro
mắc nối tiếp nhau.
[ ]
12. Giá trị điện trở tối Ro phụ thuộc vào
A. Vật liệu cấu tạo, dạng hình học, kích thước và nhiệt độ.
B. Vật liệu cấu tạo, dạng hình học, kích thước và cường độ sáng.
C. Vật liệu cấu tạo, độ nhạy cảm với ánh sáng, kích thước và nhiệt độ.
D. Vật liệu cấu tạo, dạng hình học, kích thước, bản chất vật liệu và nhiệt độ.
[ ]
13. Bề mặt nào cho phản ứng ánh sáng tốt nhất đối với cảm biến quang:
A. Bề mặt khuếch tán
B. Bề mặt bóng loáng
C. Bề mặt kim loại
D. Bề mặt trong suốt
[ ]
14. Chế độ quang dẫn của photo diode là:
A. Chế độ quang dẫn được đặc trưng bởi độ tuyến tính cao, thời gian hồi đáp ngắn và dải
thông lớn.
B. Chế độ quang dẫn được đặc trưng bởi độ phi tuyến cao, thời gian hồi đáp ngắn và dải
thông lớn.
C. Chế độ quang dẫn được đặc trưng bởi độ tuyến tính cao, thời gian hồi đáp lớn và dải
thông lớn.
D. Chế độ quang dẫn được đặc trưng bởi độ tuyến tính cao, thời gian hồi đáp ngắn và dải
thông bé.
[ ]
15. Chế độ quang thế của photo diode là
A. Chế độ tuyến tính hoặc logarit tuỳ thuộc vào tải, ít nhiễu, thời gian hồi đáp lớn và dải thông nhỏ,
đặc biệt nhạy cảm với nhiệt độ khi làm việc ở chế độ logarit.
B. Chế độ tuyến tính hoặc logarit tuỳ thuộc vào tải, ảnh hưởng của nhiễu, thời gian hồi đáp lớn và
dải thông nhỏ, ít nhạy cảm với nhiệt độ khi làm việc ở chế độ logarit.
C. Chế độ tuyến tính hoặc logarit tuỳ thuộc vào tải, ít nhiễu, thời gian hồi đáp lớn và dải thông lớn,
đặc biệt nhạy cảm với nhiệt độ khi làm việc ở chế độ logarit.
D. Chế độ tuyến tính hoặc logarit tuỳ thuộc vào tải, ít nhiễu, thời gian hồi đáp lớn và dải thông nhỏ,
đặc biệt không nhạy cảm với nhiệt độ khi làm việc ở chế độ logarit.
[ ]
16. photo transistor được phân cực bằng cách chiếu ánh sáng vào mối nối giữa
A. Cực B và C.
B. Cực B và E
C. Cực C và E
D. Điều kiện khác
[ ]
17. Đối với photo transistor, ở chế độ quang dẫn thì thì transistor có dòng ngược Ir được tính
A. Ir = I0 + Ip
B. Ir = I0 - Ip
C. Ir = I0Ip
D. Ir = I0/Ip
[ ]
18. Cấu tạo cơ bản của cảm biến quang gồm:
A. Thấu kính hội tụ
B. Bộ khuếch đại ánh sáng
C. Đầu phát và đầu thu
D. Thấu kính phân kỳ
[ ]
19. Cảm biến có khả năng khuếch tán thuộc loại cảm biến:
A. Cảm biến áp suất
B. Cảm biến quang
C. Cảm biến siêu âm
D. Cảm biến phát xạ
[ ]
20. Ưu điểm của cảm biến quang thu phát độc lập so với cảm biến quang thu phát chung là:
A. Khoảng cách phát hiện xa, không bị ảnh hưởng bởi bề mặt, màu sắc
B. Độ chính xác
C. Tính ổn định
D. Dây dẫn
[ ]
21. Ưu điểm của cảm biến quang thu phát chung so với cảm biến quang thu phát độc lập là:
A. Giảm bớt dây dẫn
B. Độ chính xác
C. Tính ổn định
D. Ảnh hưởng bởi bề mặt vật liệu
[ ]
22. Cảm biến nào sau đây bị ảnh hưởng bởi bề mặt, màu sắc của vật nền:
A. Cảm biến quang thu phát chung
B. Cảm biến quang thu phát độc lập
C. Cảm biến quang khuếch tán
D. Cảm biến quang phản xạ giới hạn
[ ]
23. Cảm biến màu thiết kế dựa vào các màu sắc chủ đạo nào
A. Đỏ, xanh lá cây, tím
B. Xanh lá cây, tím, vàng
C. Xanh dương, đỏ, nâu
D. Đỏ, xanh lá cây, xanh dương
[ ]
24. Ta thường chia các loại cảm biến quang thành bao nhiêu loại:
A.1
B.2
C.3
D.4.
[ ]
25. .Ứng dụng cảm biến quang công nghiệp chủ yếu dùng trong lĩnh vực nào sau đây?
A. Gia đình.
B. nông nghiệp.
C. công cộng.
D. Đếm sản phẩm.
[ ]
26. Dòng điện ngược Ir chạy trong điode quang khi:
A. Điện áp U đặt lên điode phân cực thuận và vùng tiếp xúc được chiếu sáng thích hợp
B. Điện áp U đặt lên điode phân cực ngược và vùng tiếp xúc được chiếu sáng thích hợp
C. Điện áp U đặt lên điode phân cực ngượC.
D. Điện áp U đặt lên điode phân cực thuận
[ ]
Câu 27: Phân loại theo nguyên lý hoạt động của cảm biến quang hình dưới thuộc loại nào:
A. Thu, phát chung

B. Thu, phát độc lập
C. Khuếch tán
D. Nhiễu xạ
[ ]
A. Thu, phát chung

C. Khuếch tán
D. Nhiễu xạ
[ ]
A. Thu, phát chung

C. Khuếch tán
D. Nhiễu xạ
[ ]
30. Trình bày nguyên lý hoạt động của một mạch ứng dụng tế bào quang dẫn như hình:
A. Khi có ánh sáng thích hợp chiếu vào, điện trở của tế bào quang dẫn giảm mạnh dẫn đến dòng
điện đủ lớn chạy qua cuộn dây Rơle làm đóng/mở các tiếp điểm.
B. Khi có ánh sáng thích hợp chiếu vào, điện áp của tế bào quang dẫn tăng lên làm đóng/mở các
tiếp điểm của Rowle.
C. Khi có ánh sáng thích hợp chiếu vào, điện dung của tế bào quang dẫn giảm mạnh dẫn đến dòng
D. Khi có ánh sáng thích hợp chiếu vào, điện cảm của tế bào quang dẫn giảm mạnh dẫn đến dòng
[ ]
31. Cho biết phân loại theo nguyên lý hoạt động của 2 cảm biến quang trong hình dưới:
A. Cảm biến 1 loại thu phát chung, cảm biến 2 loại thu phát độc lập.
B. Cảm biến 1 loại khuếch tán, cảm biến 2 loại thu phát độc lập.
C. Cảm biến 1 loại thu phát độc lập, cảm biến 2 loại thu phát chung.
D. Cảm biến 1 loại khuếch tán, cảm biến 2 loại thu phát chung.
[ ]
32. Quang điện trở là phần tử thụ động có giá trị điện trở phụ thuộc vào:
A. Cường độ nguồn sáng chiếu vào
B. Bước sóng nguồn sáng chiếu vào
C. Thời gian chiếu sáng
D. Cường độ, bước sóng và thời gian nguồn sáng chiếu vào.
[ ]
33. Chế độ quang dẫn là chế độ:
A. Điode quang được phân cực thuận và chiếu sáng lớp tiếp giáp
B. Điode quang được phân cực ngược và chiếu sáng lớp tiếp giáp
C. Điode quang được phân cực ngược
D. Điode quang được chiếu sáng lớp tiếp giáp
[ ]
34. Chế độ quang thế là chế độ:
A. Điode quang được phân cực thuận và chiếu sáng lớp tiếp giáp
B. Điode quang được phân cực ngược và chiếu sáng lớp tiếp giáp
C. Điode quang được phân cực ngược
D. Điode quang được chiếu sáng lớp tiếp giáp
[ ]
35. Mạch Photo Tranzito có thể coi như:
A. Tranzito thường PNP
B. Tranzito thường NPN
C. Tranzito NPN và một photo điode
D. Tranzito PNP và một photo điode
[ ]
36. Trong tế bào quang điện chân không:
A. Anot nhận ánh sáng tới và catot thu điện tử phát ra từ Catot
B. Catot nhận ánh sáng tới và atot thu điện tử phát ra từ Anot
C. Anot và Catot nhận ánh sáng tới
D. Anot và Catot thu điện tử phát xạ
[ ]
37. Dòng IA tạo bởi các điện tử bức xạ từ Catot về Anot tăng khi:
A. Điện áp UAC tăng
B. Quang thông chiếu vào Catot tăng
C. Thời gian chiếu sáng vào Catot lớn
D. Quang thông chiếu vào Catot tăng và điện áp UAC tăng.
[ ]
Câu 1: Đơn vị đo lường nhiệt độ trong hệ SI là:
A. 0C
B. 0K
C. 0F
D. 0C, 0K, 0F
[ ]
2. 00C tương ứng với bao nhiêu độ F:
A. 320F
B. 2730F
C. 00F.
D. 1000F
[ ]
Câu 3: Trong phép đo nhiệt độ, mong muốn sai lệch giữa giá trị đo được và giá trị thực:
B. Càng nhỏ càng tốt
C. Bằng 0
D. Bằng
[ ]
Câu 4:
Phương pháp giảm sai lệch giữa giá trị đo được và giá trị thực trong phép đo nhiệt độ:
A. Giảm trao đổi nhiệt giữa cảm biến và môi trường đo.
B. Tăng trao đổi nhiệt giữa bộ cảm biến và bên ngoài.
C. Giảm trao đổi nhiệt giữa cảm biến và môi trường đo và tăng trao đổi nhiệt giữa bộ cảm biến
và bên ngoài.
D. Tăng trao đổi nhiệt giữa cảm biến và môi trường đo và giảm trao đổi nhiệt giữa bộ cảm biến
và bên ngoài.
[ ]
Câu 5: Việc xác định thang đo nhiệt độ được dựa vào:
A. Các định luật về nhiệt động họC.
B. Các định luật về thuỷ lực
C. Các định luật về cơ học
D. Các định luật về hoá học
[ ]
6. Đối với cảm biến nhiệt độ dùng kim loại, khi ta tăng nhiệt độ lên cảm biến thì điện trở của
kim loại của cảm biến này sẽ
A. Tăng
B. Giảm
C. Không đổi
D. Phá vở liên kết giữa các phân tử
[ ]
8. Có bao nhiêu phương pháp để đo nhiệt độ?
A.1
B.2
C.3
D.4
[ ]
9. PT100 là tên gọi của nhiệt điện trở kim,loại Pt và có:
A.Điện trở tại nhiệt độ 00K là 100
B. Điện trở tại nhiệt độ 1000C là 100
C. Điện trở tại nhiệt độ 00C là 100
D. Điện trở tại nhiệt độ 00F là 100
[ ]
10. Cảm biến nhiệt PT100 là loại cảm biến:
A.Tích cực
B.Thụ động
C.Cả tích cực và thụ động
D.Có tín hiệu đầu ra là nhiệt độ
[ ]
11. Phương pháp nào sau đây thuộc loại đo nhiệt độ theo phương pháp đo không tiếp xúc:
A. Phương pháp dùng hỏa kế
B. Phương pháp dùng điện trở chất bán dẫn
C. Phương pháp điện trở kim loại
D. Phương pháp cặp nhiệt điện
[ ]
12. Đối với cặp nhiệt ngẫu, nếu có một vật liệu kim loại thứ 3 chèn giữa hai nhiệt ngẫu như hình vẽ
thì
A. Điện áp ra không bị ảnh hưởng

B. Điện áp ra bị ảnh hưởng
C. Nhiệt độ ra không bị ảnh hưởng
D. Nhiệt độ ra bị ảnh hưởng
[ ]
13. Các kim loại được chọn lựa để chế tạo cặp nhiệt ngẫu dựa vào các tiêu chí nào sau đây
A. Độ nhạy, độ ổn định, bền cơ học và hóa học ở nhiệt độ làm việc, chi phí hợp lý.
B. Chịu nhiệt độ cao, độ ổn định, tính tương thích với hệ thống đo, kim loại phải dày.
C. Độ nhạy, chịu nhiệt độ cao, tính tương thích với hệ thống đo, kim loại phải dày.
D. Độ nhạy, kim loại phải dày, chịu nhiệt độ cao, chi phí hợp lý.
[ ]
14. Nhiệt điện trở oxit bán dẫn có tính chất:
A. Hệ số nhiệt điện trở dương
B. Hệ số nhiệt điện trở âm
C. Hệ số nhiệt điện trở lớn
D. Hệ số nhiệt điện trở bằng 0
[ ]
15. Nhiệt điện trở kim loại thường được chế tạo từ:
A. Nikel
B. Đồng
C. Platinum
D. Wonfram, Nikel, đồng và Platinum
[ ]
16. ở nhiệt độ cao hơn 3000C người ta thường dùng:
A. Nhiệt điện trở kim loại Ni
B. Nhiệt điện trở kim loại Pt
C. Nhiệt điện trở kim loại Cu
D. Nhiệt điện trở kim loại Ni và Cu
[ ]
17. Vật liệu hỏa điện được ứng dụng trong:
A. Sản xuất cảm biến tia hồng ngoại
B. Đo nhiệt độ thay đổi của môi trường
C. Chế tạo hỏa kế quang
D. Sản xuất cảm biến tia hồng ngoại, hỏa kế quang đo nhiệt độ không tiếp xúc
[ ]
18. AD 592 là cảm biến nhiệt độ nguồn dòng có dòng điện ngõ ra tăng 1A khi nhiệt độ của IC
tăng 10K. Để Vout là 1mV/0K thì giá trị biến trở R là:
A. 50
B. 60
C. 55
D. 45
[ ]
19. Trong nhiệt kế giãn nở, chiều dài của vật liệu thay đổi khi nhiệt độ thay đổi theo biểu thức:
l(t)  l01 lt

Xác định đại lượng vào (m) của cảm biến?
A. Chiều dài l(t)
B. Chiều dài l(0)
C. Hệ số thay đổi nhiệt độ 
D. Nhiệt độ t
[ ]
20. Trong nhiệt kế giãn nở, chiều dài của vật liệu thay đổi khi nhiệt độ thay đổi theo biểu thức:
Xác định đại lượng ra (s) của cảm biến?
A. Chiều dài l(t)
B. Chiều dài l(0)
C. Hệ số thay đổi nhiệt độ 
D. Nhiệt độ t
[ ]
21. Khi sử dụng nhiệt kế giãn nở dùng chất rắn kim loại – kim loại, yêu cầu về hệ số thay đổi
theo nhiệt độ của 2 kim loại là:
A. 1 = 2
B. 1 ≠ 2
C. 1 = 0
D. 2 = 0
[ ]
22. Ưu điểm nhiệt kế giãn nở đo nhiệt độ là:
A. Đơn giản
B. Chi phí thấp
C. Độ chính xác cao
D. Độ chính xác cao, đơn giản, giá thành thấp
[ ]
1. Cảm biến đo được vị trí và khoảng cách có ngõ ra là
A. ON/OF.
B. Analog
C. ON/OFF và Analog
D. Dạng sóng bất kỳ
[ ]
2. Cảm biến đo vị trí và khoảng cách được đo theo phương pháp nào sau đây
A. Phần tử cảm biến gắn với vật di động, tín hiệu đo là một hàm phụ thuộc vị trí trong phần tử cảm
biến, thông thường là trở kháng.
B. Phần tử cảm biến gắn với vật cố định, tín hiệu đo là một hàm phụ thuộc vị trí trong phần tử cảm
biến, thông thường là điện áp.
C. Phần tử cảm biến gắn với vật di động, tín hiệu đo là một hàm không phụ thuộc vị trí trong phần
tử cảm biến mà thường hàm này là trở kháng.
D. Phần tử cảm biến gắn với vật cố định, tín hiệu đo là một hàm không phụ thuộc vị trí trong phần
tử cảm biến, thông thường là trở kháng.
[ ]
3. Cảm biến điện cảm đo khoảng cách ngõ ra analog thường có các loại nào sau đây
A. Loại có một mạch từ, loại hai mạch từ và loại có lõi từ di động.
B. Loại có một mạch từ, loại hai mạch từ và loại có ba mạch từ.
C. Loại có hai mạch từ, loại ba mạch từ và loại có lõi từ cố định.
D. Loại có hai mạch từ, loại ba mạch từ và loại có bốn mạch từ.
[ ]
4. Hình vẽ sau mô tả cho cảm biến điện cảm ngõ ra analog thuộc loại
A. Loại có một mạch từ có khe từ biến thiên.

B. Loại có hai mạch từ.
C. Loại có ba mạch từ.
D. Loại có lõi từ di động
[ ]

B. Loại có hai mạch từ hình xuyến.
[ ]

B. Loại có hai mạch từ hình chữ U.
[ ]
A. Loại có một mạch từ.

[ ]
A. Loại có một mạch từ hình chữ U.

[ ]
A. Loại có một mạch từ hình chữ xuyến.

[ ]
A. Loại có một mạch từ hình chữ xuyến.
C. Loại có một mạch từ hình chữ U.
[ ]
11. Cảm biến hỗ cảm đo khoảng cách ngõ ra analog được mô tả như hình sau là loại nào:
A. Loại hỗ cảm có khe từ biến thiên

B. Loại vi sai
C. Loại có ba mạch từ
D. Loại có hai mạch từ
[ ]

B. Loại vi sai
C. Loại có hai mạch từ
D. Loại có ba mạch từ
[ ]
13. Cảm biến hỗ cảm đo khoảng cách ngõ ra analog được mô tả như hình sau là loại nào

B. Loại vi sai
C. Loại có hai mạch từ
D. Loại có biến áp
[ ]
A. Loại hỗ cảm có khe khí

B. Loại vi sai
C. Loại có nhiều mạch từ
D. Loại có biến áp
[ ]

B. Loại vi sai
C. Loại có ba mạch từ
D. Loại tự cảm có khe khí
[ ]

B. Loại vi sai
C. Loại tự cảm có khe khí
D. Loại có ba mạch từ
[ ]
17. Cảm biến điện dung loại đo khoảng cách ngõ ra analog là được chế tạo dựa trên nguyên lý nào
sau đây:
A. Nguyên lý là dựa trên sự thay đổi của điện dung khi có sự dịch chuyển
B. Nguyên lý là dựa trên sự thay đổi của điện cảm khi có sự dịch chuyển
C. Nguyên lý là dựa trên sự thay đổi của hỗ cảm khi có sự dịch chuyển
D. Nguyên lý là dựa trên sự thay đổi của quang điện khi có sự dịch chuyển
[ ]
18. Cảm biến điện dung loại đo khoảng cách ngõ ra analog , phần tử cảm ứng cơ bản của cảm biến
điện dung bao gồm 2 cực của một tụ điện có điện dung C là hàm phụ thuộc vào các thành phần nào
sau đây
A. Khoảng cách d giữa 2 cực của tụ điện, diện tích bản cực và hằng số điện môi.
B. Khoảng cách d giữa 2 cực của tụ điện, điện tích trên 2 bản cực và hằng số điện môi.
C. Khoảng cách d giữa 2 cực của tụ điện, diện tích bản cực và hằng số điện cảm.
D. Khoảng cách d giữa 2 cực của tụ điện, điện tích trên 2 bản cực và hằng số điện trường.
[ ]
19. Hình sau là loại nào của cảm biến điện dung loại đo khoảng cách ngõ ra analog
A. Loại khoảng cách biến thiên

B. Loại diện tích bản cực biến thiên
C. Loại điện môi biến thiên
D. Loại vi sai
[ ]
20. Hình sau là loại nào của cảm biến điện dung loại đo khoảng cách ngõ ra analog
A. Loại khoảng cách biến thiên

B. Loại diện tích bản cực biến thiên
C. Loại điện môi biến thiên
D. Loại vi sai
[ ]
21. Cảm biến quang điện loại đo khoảng cách ngõ ra analog gồm bộ phát và bộ thu ánh sáng có
nguồn sáng được sử dụng là
A. Diode phát quang hay bóng đèn điện
B. Diode phát quang hay diode zener.
C. Diode phát quang hay diode schottky.
D. Diode phát quang hay diode shockley.
[ ]
22. Cảm biến quang điện đo khoảng cách ngõ ra analog có nguồn sáng được sử dụng diode phát
quang thì các ánh sáng nào sau đây được sử dụng
A. Tia sáng hồng ngoại
B. Ánh sáng trắng
C. Tia sáng sóng siêu âm.
D. Bất kỳ tia sáng nào.
[ ]
24. Cảm biến quang phản xạ dùng để đo vị trí dịch chuyển là cảm biến có:
A. Đầu thu quang và nguồn phát đặt so le nhau
B. Đầu thu quang và nguồn phát đặt lệch nhau
C. Đầu thu quang đặt cùng phía với nguồn phát
D. Đầu thu quang và nguồn phát đặt về 2 phía thẳng hàng nhau
[ ]
25. Cảm biến quang soi thấu dùng để đo vị trí dịch chuyển là cảm biến có:
A. Đầu thu quang và nguồn phát đặt so le nhau
B. Đầu thu quang và nguồn phát đặt lệch nhau
C. Đầu thu quang đặt cùng phía với nguồn phát
D. Đầu thu quang và nguồn phát đặt về 2 phía thẳng hàng nhau

De Thi - NHCH

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

De Thi - NHCH

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1.

A. Hiệu ứng nhiêt điện

A. Hiệu ứng nhiêt điện

A. Hiệu ứng nhiêt điện

A. Hiệu ứng nhiêt điện

A. Hiệu ứng nhiêt điện

A. Nhiệt độ bằng cặp nhiệt điện

A. Nhiệt độ bằng cặp nhiệt điện

28. Sơ đồ dưới là ứng dụng ……..để điều khiển rơ le:

A. Tế bào quang dẫn

A. Tế bào quang dẫn

A. Giá trị dòng I1

A. Cảm biến quang dạng khuếch tán.

A. Cảm biến quang dạng khuếch tán.

A.Cảm biến quang dạng khuếch tán.

A. Thu, phát chung

A. Thu, phát chung

A. Thu, phát chung

A. Điện áp ra không bị ảnh hưởng

l(t)  l01 lt

A. Loại có một mạch từ có khe từ biến thiên.

A. Loại có một mạch từ có khe từ biến thiên.

A. Loại có một mạch từ có khe từ biến thiên.

A. Loại có một mạch từ.

A. Loại có một mạch từ hình chữ U.

A. Loại có một mạch từ hình chữ xuyến.

A. Loại hỗ cảm có khe từ biến thiên

A. Loại hỗ cảm có khe từ biến thiên

A. Loại hỗ cảm có khe từ biến thiên

A. Loại hỗ cảm có khe khí

A. Loại hỗ cảm có khe khí

A. Loại hỗ cảm có khe khí

A. Loại khoảng cách biến thiên

A. Loại khoảng cách biến thiên

You might also like