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Si功率元件｜基礎篇 下載資料

確認晶片溫度 2018.08.23
可充分發揮 矽 功率
元件特性的應用實
例
這是Rohm研討會的公開
重點 講義。
・最終需要確認Tj是否超過了絕對最大額定值。 協助機器節能、提昇效率與
時俱進的矽功率元件。二極
・Ta或Tc與發熱量（熱阻×功耗）的和是Tj。 體、MOSFET的基礎到選擇
方法、最先進的元件特性及
應用範例。
在本章中介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法
和步驟。 下載
本文將對雖然右側流程圖中
沒有提及，但在下面項目中
Si功率元件
有的第⑦“確認晶片溫度”進 基礎篇
行說明。基本上只要⑥“確
認平均功耗在額定功率範圍
・ 前言
・ 所謂電晶體－分類與
內”完成，就基本上沒有問 特徵
題了，不過可以再從晶片溫 ・ 什麼是Si二極體? —
度的角度上確認一下安全
前言—
・ 實際工作中的電晶體
性。 適用性確認 —前言—
實際工作中的適用性
①測量實際的電流/電壓波 確認和準備
形
確認在絕對最大額定
值 範圍內
②確認在絕對最大額定值範 確認在SOA（安全工作
圍內 區）範圍內
確認在實際使用溫度
③確認在SOA（安全工作 降額後的SOA範圍內
區）範圍內 確認平均功耗在額定
功率範圍內
④確認在使用環境溫度下降
確認晶片溫度
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額的SOA範圍內 總結
⑤連續脈衝（開關工作） ・ 發揮其特性的應用案
例 —前言—
⑥確認平均功耗在額定功率
・ 總結
範圍內
⑦確認晶片溫度 評估篇
⑦確認晶片溫度
產品介紹
在上一篇文章“確認平均功耗在額定功率範圍內”的結尾處談到了
FAQ
“確認功耗是否在額定範圍內的方法有幾種，不過最終還是判斷
Tj是否在絕對最大額定值範圍內。”。本文將作為其後續內容來
介紹一下晶片溫度即Tj的求法。

實際上，只要功耗在規定的額定值範圍內，晶片溫度也會在絕
對最大額定值範圍內。這是因為就像上一篇提到的，額定功率
的計算是基於晶片溫度的。因此，使用條件是否適當，通過這
之前的確認步驟即可作出判斷。不過，之所以再增加晶片溫度
確認這一步，一是為了提高確定性，另外還可以作為考慮一旦
意外超出規定的額定值時的對策時的依據。

決定晶片溫度的因素之一是熱阻。熱阻下降時晶片溫度就會隨
之降低，這在後面會通過公式進行說明。在使用條件的限制
中，通常會要求晶片溫度Tj在最大額定值範圍內，並且要進行散
熱設計以獲得所需的功率。在不改變電晶體單體的熱阻的情況
下可以處理的功率，遠遠低於電晶體本身所具有的能力。尤其
是功率電晶體，多與散熱器配合使用。在這種情況下散熱設計
的基礎就是晶片溫度Tj。

什麼是晶片溫度

為保險起見，在此明確一下什麼是晶片溫度。晶片溫度是指電
晶體晶片本身的溫度Tj（結溫）。晶片溫度Tj是周圍（環境）溫
度Ta與晶片發熱量相加後的溫度，是考慮額定值和壽命時最重
要的因素之一。

晶片溫度的計算

包括示例中使用的R6020ENZ在內，由於近年來的電晶體晶片
是由樹脂密封的，當然就無法直接測得晶片的溫度。因此，Tj基
本上是通過計算來求得的。以下為計算公式示例。

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Tj＝Ta＋θja×P

※ Tj：晶片（結點）溫度，Ta：環境溫度（℃），θja：結點
到環境間的熱阻（℃/W），P：功耗（W）

前面已經略作說明，如公式所示，晶片溫度Tj是熱阻×功率，即
晶片發熱量與環境溫度Ta的總和。這是最基本的公式。

圖中給出了各部分的溫度與熱阻之間的關係。圖中雖然包括散
熱片，不過外殼（封裝）溫度Tc只是電晶體封裝表面的溫度。
熱阻的關係如下。

沒有散熱片時的θca只是簡單地從給出的θja減去θjc後的值。有
散熱片時散熱片的熱阻相當於θca，反過來θja並不是單體給出
的值，而是θjc與θca的總和。下表是從技術規格書中摘錄的。功
率電晶體絕大多數都使用散熱片，所以一般會提供θja和θjc。

通常θjc會遠遠低於θja，因此通過散熱片的熱阻可大幅降低
θja。單體的θja（表中為TthJA）為40℃/W，比如使用10℃/W
的散熱片即可將θja降至11.04℃/W*。另外，假設散熱片是無限
大的散熱片時，可以認為θja＝θjc。（* 僅僅是用於舉例的簡單
計算。實際的θca需要考慮封裝表面與散熱片間結面的熱阻。另
外，本來散熱片的熱阻是計算出Tj在額定值範圍內所需的值後再
選擇的。）

最後，只要具備了計算所需的數值，計算就非常容易了。功耗
需要在上一篇提到的平均功耗的基礎上，還要考慮到最差條件
等因素。Ta基本上應為實測值。但是，測量Ta其實並不容易。
測量時只要用熱電偶測量環境溫度即可，但是發熱體附近和距

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離發熱體遠的位置之間的溫度差別很大。另外，還有安裝在實
際裝置的框體內，空冷風扇使空氣流動等情況，究竟以哪個條
件下的環境溫度為Ta，實際上是相當難的問題。對此，近年來
使用Tc求Tj的作法越來越多。

由Tc求Tj的方法

近年來，隨著熱成像和輻射溫度計等的普及，封裝表面的溫度
測量已經比傳統相對容易。用於計算的Tc使用封裝表面最高的
溫度，而利用熱成像可以一目了然地查看封裝表面的最高溫
度，非常方便。

這個方法對於表面安裝型封裝是很有效的方法，但對於上圖中
的TO-220型通孔插裝器件則需要採用稍微不同的方法。TO-220
型的功率電晶體在實際使用時，幾乎都與散熱片一起使用，散
熱片一般被設定在封裝的背面。所以如上圖所示，這種情況下
的外殼（封裝）溫度（不是背面和表面，而是指θjc的c）是與散
熱片之間的結面溫度。而且，由於與散熱片在一起，所以使用
熱成像儀測量外殼溫度（與散熱片間的結面）並不現實。

作為替代方法，一種選擇是使用熱電偶。在散熱片上打孔，將
熱電偶放在封裝背面來測量溫度。

另外，還可以根據散熱片的溫度來反向推算。在這種情況下，
需要的不是散熱片的θca，而是散熱片本身的熱阻。亦或回歸根
本，通過Ta來計算可能更簡單。重要的是準確獲得Tj。不管採用
什麼方法都是帶有餘量的，所以需要考慮精度究竟要求到什麼
程度。

接下來，請看由Tc計算的公式。根據前面提到的熱阻的關係，
公式如下。

Tj＝Tc＋θjc×P

※ Tc：外殼（封裝）表面最高溫度（℃），θjc：結點與外殼
表面間的熱阻（℃/W），
P：功耗（W）

至此可以得出結論：只要Tj未超過最大額定值150℃，所選的電
晶體就是合適的。但是在前面也提到過，基本上是需要散熱設

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計的，所以即使Tj超過了150℃，也可以通過降低熱阻來解決。

【下載資料】可充分發揮矽功率元件特性的應用
實例
這是Rohm研討會的公開講義。
協助機器節能、提昇效率與時俱進的矽功率元件。二極體、
MOSFET的基礎到選擇方法、最先進的元件特性及應用範例。

下載

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・實際工作中的電晶體適用性確認 —前言—
・實際工作中的適用性確認和準備
・確認在絕對最大額定值範圍內
・確認在SOA（安全工作區）範圍內
・確認在實際使用溫度降額後的SOA範圍內
・確認平均功耗在額定功率範圍內
・總結

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散熱器 結溫 散熱片 熱阻 超接合面面mosfet 功耗

外殼溫度 封裝溫度 降額 安全工作區 晶片溫度 soa
tc ta θca θja θjc sj-mosfet r6020en
tj mosfet 熱計算 SiC MOSFET IGBT

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