Professional Documents
Culture Documents
3
TRANZYSTOR BIPOLARNY
Imię i Nazwisko: Grupa: Data:
Bartosz Olek 2 28.11.2023
Darya Miakinnik
Hubert Mudiuk
Schemat układu:
Pomiary dla Ib = 75 μA Pomiary dla Ib = 100 μA
Wykres charakterystyk:
Ic=f(Uce), Ib=100μm
20
18
16
14
12
Ic [mA]
10
8
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6
Uce [V]
Wykres 1. Wykres charakterystyki Ic=f(Uce) przy Ib=75μm (seria czerwona) oraz Ic=f(Uce) przy Ib=100μm (seria
niebieska)
10
8
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6
Uce [V]
Wnioski:
Podczas przeprowadzanego ćwiczenia zapoznaliśmy się z zasadą działania tranzystorów bipolarnych. W ćwiczeniu
wykorzystaliśmy tranzystor bipolarny BC 546, typu n-p-n.
Na podstawie przedstawionych powyżej wykresów, można wywnioskować, że dla stałego natężenia prądu Ib
wynoszącego 75μA, natężenie Ic w zależności od napięcia Uce rośnie bardzo szybko do osiągnięcia wartości Ic
wynoszącej ok. 13 mA przy Uce~0,5V. Dalej następuje powolne rośnięcie wartości Ic do prawie 16mA, przy Uce
rosnącym do ok 5V.
Z kolei dla stałego natężenia prądu Ib wynoszącego 100μA, natężenie Ic w zależności od napięcia Uce rośnie bardzo
szybko do osiągnięcia wartości Ic wynoszącej ok. 15 mA przy Uce~0,25V. Dalej następuje powolne rośnięcie
wartości Ic do prawie 19mA, przy Uce rosnącym do ok 1,75V.
Podczas wykonywania ćwiczenia, można było stwierdzić, że suma wartości na bazie i kolektorze daje nam wartość
na emiterze.
Zdjęcie pomiarów