‫باسمه تعالی‬

‫استاد‪ :‬بهزادارباهیمی‬ ‫تمرین دوم ردسالکترونیک دیجیتال پیشرفته (پاییز ‪)99‬‬

‫‪( -1‬تمرین کامپیورتی) با شبیه سازی ‪ HSPICE‬رد فناوری ‪ ،65nm TSMC‬ربای سلول ‪ Vdd=1.2 V ،SRAM‬طول کاانل ‪ ،L=65 nm‬ع رض رتازنیستور باالربنده‬
‫‪ W=130 nm‬باشد‪ ،‬ع رض رتازنیستور پایین ربنده و دسترسی را طوری قرار دهید که ‪ CR=1, 2‬و ‪ AR=1‬ربای هر یک از دو حالت جریان خواندن‪ ،‬و ‪ Vtrip-Vread‬را استخراج کنید‪.‬‬
‫منحنی اهی رپواهن ای حالت نگهدا ری و خواندن را از روی شبیه سازی رسم کنید‪.‬‬
‫𝑊‬ ‫𝑊‬
‫‪( )NL−NR‬‬ ‫‪( )AL−AR‬‬
‫= 𝑅𝐶‬ ‫𝐿‬ ‫𝐿 = 𝑅𝐴‬
‫𝑊‬ ‫𝑊‬
‫‪( 𝐿 )AL−AR‬‬ ‫‪( 𝐿 )PL−PR‬‬