C2 NLMT

Bài giảng:
NĂNG LƯỢNG TÁI TẠO

TS.NguyễnThịMiSa
0
C2: NĂNG LƯỢNG ĐIỆN MẶT TRỜI
1. Nguồn năng lƣợng mặt trời (thiên văn)

2. Tế bào quang điện
3. Đặc tuyến I-V của pin quang điện
4. Công nghệ chế tạo pin quang điện
5. Đặc tính làm việc của pin quang điện
6. Hệ điện mặt trời độc lập
7. Hệ điện mặt trời hòa lƣới
8. Tính toán kinh tế cho hệ hòa lƣới
9. Xu huớng sử dụng năng lƣợng mặt trời
10. Giải pháp công nghệ cho các hệ điện mặt trời
Năng lượng tái tạo 1
C2: NĂNG LƯỢNG ĐIỆN MẶT TRỜI
Năng lượngtái tạo 2

1. Nguồn tài nguyên năng lượng mặt trời
• Trƣớc khi nói về năng lƣợng mặt trời, hãy tìm

hiểu về mặt trời:
• Nhờ cƣờng độ ánh nắng ra sao
• Vị trí của mặt trời ở đâu tại mọi thời điểm
• Bức xạ mặt trời ra sao (insolation: incident solar
radiation)
• Từ đó xác định bức xạ trung bình nhận đƣợc mỗi
ngày
• Và chọn vị trí và góc lắp đặt dàn pin mặt trời sao
cho hiệu quả nhất
Renewable energy ressources on Earth by year
Réf. : human activities : 140. 106 GWh
Moon
25 106 GWh
Earth 45%
1600 109 GWh 720 109
sun
noyau GWh
transforme
d
0,3 109 GWh In heat
30% -Hydro cycles (88%)

350 109 GWh
directly 25% - wind, waves 32 109 GWh
converted at
re-emitted to surface Photosynthesis
and
space atmosphère (0,24%) 109 GWh
Hydrocarbon fossil = stored solar energy

Năng lượngtái tạo
27 years = 1 day
4
Bức xạ của lỗ đen và mặt trời
• Mặt trời
– Đƣờng kính 1.4 triệu km
– Tổng công suất bức xạ điện từ là 3.8 x 1020 MW
• Vật thể đen
– Là vật thể vừa hấp thụ hoàn toàn, vừa bức xạ hoàn hảo
– Bức xạ hoàn hảo – phát xạ năng lƣợng trên mỗi đơn
vị diện tích nhiều hơn bất kỳ một vật thể thực ở cùng
nhiệt độ.
– Hấp thụ hoàn toàn – hấp thụ tất cả bức xạ, hoàn toàn
không có phản xạ.
Định luật Plank
• Định luật Plank – bƣớc sóng phát xạ từ vật thể đen phụ
thuộc vào nhiệt độ của nó
• λ = bƣớc sóng (μm)

• Eλ = công suất phát xạ trên mỗi đơn vị diện tích của
vật thể đen (W/m2-μm)
• T = nhiệt độ tuyệt đối (K)
Phổ điện từ
Ánh sáng nhìn thấy đƣợc có bƣớc sóng trong khoảng 0.4 đến 0.7 μm,
với bƣớc sóng của tia tử ngoại ngắn hơn và tia hồng ngoài dài hơn
Source: www.en.wikipedia.org/wiki/Electromagnetic_radiation
Phổ bức xạ của trái đất ở 288oK
Trái đất là một vật thể đen phát xạ ở 288K
Hình 7.1
Diện tích dƣới đƣờng cong là tổng công suất bức xạ phát ra
Định luật Stefan-Boltzmann
• Tổng công suất bức xạ của vật thể đen đƣợc tính bằng
định luật bức xạ Stefan –Boltzman
E  AT4 (7.2)
• E = tổng mức phát xạ của vật thể đen (W)
• σ = hằng số Stefan-Boltzmann = 5.67x10-8 W/m2-K4
• A = tổng diện tích bề mặt của vật thể đen (m2)
Quy tắc Wien
• Bƣớc sóng mà công suất bức xạ trên mỗi đơn vị diện

tích lớn nhất là
max (m)  2898

o
(7.3)
T( K)
• λ = bƣớc sóng (μm)
• λmax = 0.5 μm cho mặt trời, T = 5800 K
• λmax = 10.1 μm với trái đất (một vật đen), T = 288 K
Bức xạ của trái đất
• Ví dụ 7.1: Trái đất là một vật thể đen, có

nhiệt độ trung bình 17oC, diện tích bề mặt
5,1x1014m2. Tính công suất bức xạ và bƣớc
sóng có công suất bức xạ đỉnh. So sánh với
bƣớc sóng bức xạ đỉnh của mặt trời 5800oK.
E  AT4 (7.2)
 max (m)  2898
o
(7.3)
T( K)
Tỷ trọng khí quyển m - Air Mass Ratio
Khi tia nắng băng
qua bầu khí quyển,
lƣợng năng lƣợng
đến đƣợc bề mặt
trái đất sẽ bị suy
hao
Hình 7.3
• h1 = chiều dài đƣờng đi qua bầu khí quyển với ánh

nắng mặt trời ngay trên đỉnh đầu
• h2 = chiều dài đƣờng đi qua bầu khí quyển để đến bề
mặt trái đất
• β = góc cao độ của mặt trời
Tỷ trọng khí quyển - Air Mass Ratio
h2 1
air mass ratio m  = (7.4)
h1 sin 
Hình 7.3
• Air Mass ratio bằng 1 (“AM1”) đồng nghĩa với mặt trời
ngay trên đỉnh đầu (m=1)
• AM0 ở bên ngoài bầu khí quyển
• AM1.5 là trị trung bình trên bề mặt trái đất (m=1.5)
Phổ mặt trời trên bề mặt trái đất

Phổ mặt trời trên bề mặt trái đất
m tăng lên khi

mặt trời xuống
thấp trên bầu trời.
Quỹ đạo trái đất
• Quay một vòng mất 365.25 ngày theo quỹ đạo hình elip
• Khoảng cách từ trái đất đến mặt trời:
• n = số ngày (bắt đầu từ ngày 1.1)

• d (km) thay đổi từ 147x106 km vào ngày 2.1 đến
152x106 km vào ngày 3.7 (tƣơng ứng với mùa đông và
mùa hè)
• Đơn vị góc tính bằng độ cho cả chƣơng này.
Quỹ đạo trái đất
• Trong một ngày, trái đất quay 360,99˚

• Quỹ đạo trái đất quay còn gọi là mặt phẳng hoàn
đạo
• Trái đất quay quanh một trục nghiên 23.45˚
• Ban ngày và ban đêm dài bằng nhau vào ngày
21.3 và 21.9 (Xuân phân và Thu phân)
• Đông chí là ngày mà Bắc cực xa mặt trời nhất
• Hạ chí là ngày Bắc cực gần mặt trời nhất

Thiên độ δ - Solar Declination
• Thiên độ δ – là góc hợp bởi mặt phẳng xích

đạo với đƣờng thẳng nối tâm mặt trời và tâm
trái đất (δ<0 khi mặt trời ở bán cầu Nam)
• δ biến thiên trong khoảng +/- 23.45˚
• Là một hàm của hình sin tính theo ngày, bắt
đầu từ ngày Xuân phân (n=81 ) tính cho cả
năm 365 ngày.

Vị trí mặt trời theo thời gian trong năm
• Xác định vị trí mặt trời
Hạ chí
Xuân phân
Thu phân
Thiên độ
Hình 7.6 Đông chí
• Tính toán vị trí mặt trời bất kỳ thời điểm nào

• Từ đó xác định góc nghiêng cho dàn pin mặt trời
Ví dụ 7.2 – Góc lắp dàn PV
• Tìm góc lắp đặt tối ƣu của dàn pin mặt trời phẳng, lắp
đặt cố định ở TP.HCM (vĩ độ 10o45’00”) giữa trƣa vào
ngày 4 tháng 9.
• Bảng 7.1:

Góc thu giữa trưa
• Giữa trƣa – khi mặt
trời chiếu thẳng theo
đƣờng kinh tuyến
• Phía Bắc bán cầu –
mặt phẳng thu sẽ
nghiêng một góc bằng
đúng với vĩ độ vào
thời điểm Xuân phân
• Vào chính trƣa, tia
L = vĩ độ (độ) Hình 7.8
nắng vuông góc với
tấm thu
L < 0 ở bán cầu Nam
Cao độ giữa trưa βN - Altitude Angle
• Góc cao độ giữa trƣa là góc giữa tia nắng mặt trời với
mặt phẳng trái đất
 N  90 L   (7.7)
• Zenith – trục hƣớng tâm, vuông góc với mặt phẳng trái
đất (hay đƣờng chân trời)
Hình 7.9
Ví dụ 7.2 – Góc lắp dàn PV
• Góc thiên độ δ là
• Góc cao độ là
• Để tia nắng mặt trời chiếu vuông góc với giàn pin mặt
trời thì góc nghiên bằng:
 tilt  90  N = ???

Góc cao độ  và góc phương vị s
Altitude Angle
Azimuth Angle
s < 0 ở phía Tây Hình 7.10

Vị trí mặt trời theo thời gian trong ngày
• Vị trí mặt trời trong ngày đƣợc xác định theo góc
cao độ β và góc phƣơng vị ϕS
• β và ϕS phụ thuộc vào vĩ độ, ngày và giờ.
• Góc phƣơng vị (ϕS )
– > 0 vào buổi sáng
– < 0 vào buổi chiều
– Tính từ trục hƣớng cực Nam (xem nhƣ hƣớng Nam)
• Lấy giờ giữa trƣa là chuẩn.



• Xoay theo mặt trời

• Xoay theo mặt trời

• Góc giờ H - là góc cần để trái đất quay cho đến

khi mặt trời nằm ngay trên đƣờng kinh độ mà
bạn đang đứng
• Nếu xem trái đất quay một góc 15˚/giờ, thì
H  1512-h (7.10)
• Ở 11 AM giờ mặt trời (h-ST-solar time), H = +15˚
(trái đất cần thêm 1 giờ để quay đến giữa trƣa)
• Ở 2 PM giờ mặt trời: h=14 (giờ)  H = -30˚
sin   cos L cos cos H sin Lsin  (7.8)
cos sin H (  90 o
)
sinS  (7.9)
cos
• H = góc giờ (độ) (<0 vào buổi chiều)
• L = vĩ độ (độ) (<0 ở bán cầu Nam?)
• Kiểm tra độ lớn góc phƣơng vị nhỏ hơn hay lớn

hơn 90˚!

Ví dụ 7.3 – Mặt trời ở đâu?
• Xác định góc cao độ β và góc phƣơng vị ϕS
lúc 3 PM (giờ mặt trời) ở TP.HCM (L =
10,75o vĩ Bắc ) vào ngày 29/7?
Tính góc
nghiêng và
tỷ trọng
( N  90o ) khí quyển?
Ví dụ 7.3 – Mặt trời ở đâu?
• Xác định góc cao độ β và góc phƣơng vị ϕS lúc 11:00 AM

(giờ mặt trời) ở TP.HCM (L = 10,75o) vào ngày 29/8?
• Góc thiên độ
• Góc giờ
H  1512-??? h  ??? 
• Góc cao độ
sin  cos L cos cos H  sin L sin
 sin1 ???  ???  (  N  90 o)
Example 7.3 – Xác định vị trí mặt trời?
• Góc phƣơng vị
cos sin H
sin S
cos
• Tính đƣợc 2 giá trị góc phƣơng vị theo hàm arcsin:

 S= sin 1
???  ??? 
• Kiểm tra điều kiện sau để chọn 1 trong 2 giá trị trên:
cos H  cos???   ???  tan  ???
tan L
S = ??? 
Sơ đồ dùng phân tích bóng che cho mặt trời
• Từ việc xác định vị trí mặt trời trên bầu trời

ở mọi thời điểm
• Cũng có thể xác định bóng che ở mọi thời
điểm
• Bằng cách phát họa góc phƣơng vị và góc
cao độ của hàng cây, tòa nhà, và các vật gây
ra bóng che
• Theo sơ đồ đƣờng mặt trời để xác định thời
gian bị bóng râm che phủ
Sơ đồ dùng phân tích bóng cho mặt trời
• Xác định góc phƣơng vị của vật gây bóng che
Góc lệch giữa cực trái đất và cực từ trường khi dùng la bàn
• Xác định góc cao độ vật gây bóng che

• Hàng cây ở hứớng đông nam, căn nhà ở hƣớng tây nam
• Có thể ƣớc tính lƣợng năng lƣợng mất đi do bóng che
40o vĩ Bắc
Cây cao che
từ 8:30 đến
9:30 tháng
11 tháng 1.
Nhà che sau

15:00 tháng
11 tháng 1.
Hình 7.15
California Solar Shade Control Act
• Bóng che tấm thu năng lƣợng mặt trời (từ nhà kế
bên) đƣợc pháp luật quy định ở một số quốc gia.
• Ví dụ đạo luật kiểm soát bóng che của California
vào năm 1979: Không để cho cây hay bụi cây gây
bóng che cho tài sản của hàng xóm lớn hơn 10%
diện tích tấm thu trong khoảng 10 am đến 2 pm.

The Guilty Trees were Subject to
Court Ordered Pruning
Trƣờng hợp đầu tiên bị kết án năm 2008.

Nguồn: NYTimes, 4/7/08
Giờ mặt trời ST và giờ đồng hồ CT
• Hầu hết tính toán liên quan đến giờ mặt trời (ST)
• Giờ mặt trời đƣợc tính từ giữa trưa.
• So với giờ đồng hồ thì cần 2 hiệu chỉnh:
– Theo kinh độ cần hiệu chỉnh múi giờ
– Theo sự không đồng đều khi trái đất quay quanh mặt trời
• Hai địa điểm sẽ có cùng giờ mặt trời chỉ khi có cùng
kinh tuyến
• Giờ mặt trời sẽ khác nhau 4 phút nếu lệch 1˚ kinh tuyến
• Trong khi giờ đồng hồ chỉ có 24 múi 1-giờ, mỗi múi
giờ dùng chung cho 15˚ kinh tuyến.
Bản đồ phần múi giờ thế giới
Năng lượng tái tạo Nguồn: http://aa.usno.navy.mil/graphics/TimeZoneMap0802.pdf 46

Bản đồ phần múi giờ thế giới
Năng lượng tái tạo Nguồn: http://www.timeanddate.com/time/map/ 47

US Local Time Meridians (Table 7.4)
Múi giờ Kinh độ chuẩn múi giờ

(Local Time Meridian)
Hà Nội – Băng cốc -105˚
(GMT+7) (Độ kinh Đông < 0)
Eastern 75˚
Central 90˚
Mountain 105˚
Pacific 120˚
Eastern Alaska 135˚
Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Do quỹ đạo trái đất quay hình elip nên thời gian theo
giờ mặt trời biến thiên theo từng ngày trong năm
Ngày dài hơn

vào mùa Đông!
(E (phút)
lớn hơn)

• Do quỹ đạo trái đất quay hình elip nên thời gian theo
giờ mặt trời biến thiên theo từng ngày trong năm
• Sự khác nhau giữa ngày 24-giờ và ngày mặt trời đƣợc
tính bằng Phương trình thời gian E (tính bằng phút)
• n là ngày trong năm




• Kết hợp hiệu chỉnh sai lệch theo kinh độ và phương

trình thời gian E có đƣợc:
ST = CT + (LT-LL)  4(phút) + E(phút) (7.14)

• CT – giờ đồng hồ
• ST – giờ mặt trời
• LT Meridian – Kinh độ chuẩn của múi giờ
• LL – Độ kinh Đông có giá trị < 0, Tây có giá trị > 0.
• Giờ đồng hồ có thể khác múi giờ, thay đổi theo mùa
• (min) = phút
Ví dụ 7.5 – Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Tại TP.Hồ Chí Minh (L=10o45'0'' vĩ Bắc,

106°40'0" kinh Đông), vào ngày 29 tháng
8. Tính giờ mặt trời lúc 11:30 giờ đồng hồ?
Solar Time (ST)  Clock Time (CT) +

4 min LT Meridian  Local Longitude +E(min)

• Tính giờ đồng hồ ngay giữa trƣa ở Boston (71.1˚ kinh

Tây) vào ngày 1.7 với Eastern Daylight Time (giờ đồng
hồ quy định chậm hơn 1 giờ vào mùa Đông)
• Ngày 1.7 có n = 182
• Từ Phương trình thời gian (7.12) và (7.13) có
360 360
B= (n  81)  (182  81)  99.89
364 364
E = 9.87sin2B  7.53cosB 1.5sin B =  3.5 min

• The local time meridian for Boston is 75˚, so the

difference is 75 ˚-71.7 ˚, and we know that each degree
corresponds to 4 minutes
• Using (7.14)
CT = ST  4 min/ 75 71.1 (3.5min)
CT = 12 : 00 12.1min 11: 49.9 AM EST
• But we need to adjust it for Daylight Savings, so add 1
hour
CT = 12 : 49.9 AM EDT

Mặt trời mọc và mặt trời lặn
• Có thể tính toán gần đúng giờ bình minh và hoàng hôn
bằng cách giải pt (7.8) khi cao độ bằng 0:
sin   cos L cos  cos H sin Lsin  (7.8)
sin   cos L cos cos H sin Lsin   0 (7.15)
sin L sin 
cos H   =  tan Ltan (7.16)
cos L cos
Hour angle of sunrise H SR  cos (tan
1
Ltan )
(7.17)
• HSR >0 khi mặt trời mọc, và < 0 khi mặt trời lặn
H SR
Gio` (hinh hoc)  12 : 00  (7.18)
15 / h
• Khí tƣợng thủy văn xác định thời điểm mặt trời mọc/lặn
ở đỉnh của mặt trời thay vì ở tâm mặt trời nhƣ tính toán
hình học
• Và xét thêm khúc xạ của khí quyển (bình minh sớm hơn
và hoàn hôn trễ hơn 2,4 phút)
• Hệ số hiệu chỉnh Q
3.467
Q (min) (7.19)
cos L cos  sin H SR
• Giờ hình học trừ bớt Q khi mặt trời mọc hay lặn.

Chùm tia bức xạ trực tiếp
• Chùm tia bức xạ trực tiếp (Direct beam radiation) IBC –
đi theo đƣờng thẳng qua bầu khí quyển tới ngƣời nhận
• Bức xạ tán xạ (Diffuse radiation) IDC – phân tán bởi các
phân tử trong bầu khí quyển
• Bức xạ phản xạ
(Reflected radiation)
IRC – phản chiếu từ
bền mặt phản xạ
Năng lượng tái tạo

Hình 7.18 58
Cường độ bức xạ ngoài khí quyển I0
• Tính toán cho ngày bầu trời quang đãng

• I0 là công suất bức xạ qua một đơn vị diện tích bên
ngoài bầu khí quyển.
• I0 phụ thuộc vào khoảng cách giữa trái đất và mặt trời
(có thể ƣớc định đƣợc theo từng ngày trong năm)
• Bỏ qua các vết đen của mặt trời, I0 có thể tính:

 0.034 cos  
360n 
I  SC
0 1 365  (W/m 2 ) (7.20)
  
• SC = hằng số mặt trời = 1.377 kW/m2
• n = ngày trong năm
Cường độ bức xạ ngoài khí quyển I0
• Hằng năm, chỉ gần một nửa I0 truyền tới đƣợc bề mặt trái
đất dƣới dạng bức xạ trực tiếp (IB)
• Khi trời quang, bức xạ trực tiếp có thể lên đến 70% I0
Hình 7.19
Sự suy giảm bức xạ qua bầu khí quyển
• Có thể tính độ suy giảm cƣờng độ bức xạ qua bầu khí

quyển theo hàm mũ:
I  Aekm (7.21)
B
• IB = cƣờng độ bức xạ đến bề mặt trái đất

• A = thông lƣợng ngoài khí quyển
• k = độ sâu quang học
• m = tỷ trọng khí quyển (AM?) (7.4)

Sự suy giảm bức xạ qua bầu khí quyển
Từ bảng 7.6, A, k và C có thể đƣợc tính theo phƣơng trình:

A  1160  75sin  n  275 (W/m2 )
360
(7.22)
365 
k  0.174  0.035sin  n 100
360
(7.23)
365 
C  0.095  0.04 sin  n  100
360 (7.28)
365 
Cường độ nắng qua bề mặt thu
• Bức xạ trực tiếp IBC là hàm giữa của góc hợp bởi tia nắng
và (pháp tuyến của) mặt phẳng thu
I BC  I B cos
• Bức xạ tán xạ IDH đƣợc chiếu đến từ các hƣớng phụ khác
với tia nắng, thƣờng từ 6% đến 14% của bức xạ trực tiếp.
I DH  C.I B
• Bức xạ phản xạ IRC đến từ một bề mặt trƣớc tấm thu, và
phụ thuộc độ phản xạ  của bề mặt đó   0.8 với tuyết,
và 0.1 với mái lợp. I ?
RC
Solar Insolation on a Collecting
Surface, cont.
 1  cos 
I RC   I  I DH  
    0!!!
BC
2
1  cos 
I RC  I Bsin  C   
 2 
Hệ thống xoay theo mặt trời - Tracking Systems
• Hầu hết pin mặt trời đƣợc lắp cố định. Nhƣng cũng có
một số hệ thống xoay theo mặt trời có hiệu quả hơn.
• Hệ thống mặt trời có thể chỉ gồm 1 trục (xoay theo giờ
trong ngày), hoặc 2 trục (theo cao độ (lên-xuống) và
theo góc phƣơng vị (Đông-Tây)).
• Hệ xoay theo mặt trời có thể
tăng thêm đến 20% công
suất với hệ 1 trục, và 25-
30% công suất với hệ 2 trục.

Cường độ nắng theo từng tháng trong năm
• Với hệ pin mặt trời lắp cố định, công suất bức xạ nhận
đƣợc phụ thuộc nhiều vào góc nghiêng lắp đặt. Tùy theo
tiêu chí sử dụng mà có thể chọn góc nghiêng phù hợp.

tháng
Số giờ nắng ở TP. Long Xuyên là 5 giờ/ngày.
Nguồn: NASA
US Annual Insolation

Worldwide Annual Insolation
Vào năm 2007, tổng công suất PV trên thế giới khoảng 7800 MW, với hầu hết ở Đức
(3860 MW), Nhật (1919 MW), Mỹ (830 MW) và Tây Ban Nha (655MW).



 Tiềm năng nguồn năng lƣợng mới ở Việt N
am
Bản đồ tiềm năng năng lượng mặt trời



Tế bào quang điện

Pin quang điện

Pin quang điện

Vật liệu quang điện

Nguyên lý hoạt động
Mô hình toán pin mặt trời
•
•
•• Vmp, IMP: Điểm công suất

•
•
cực đại
ISC: Dòng điện ngắn mạch
COC: Điện áp hở mạch
1.
Ví dụ 3.1: Một tấm pin có thông số như Bảng 3.1, tính:
2. Hệ số điền kín của pin

Bảng 3.1:
3. Dòng điện ngắn mạch với bức xạ 400W/m2

Tính điện áp hở mạch ở 1000W/m2, 50oC
1.
Ví dụ 3.1: Một tấm pin có thông số như Bảng 3.1, tính:
2. Hệ số điền kín của pin

Bảng 3.1:
3. Dòng điện ngắn mạch với bức xạ 400W/m2

Tính điện áp hở mạch ở 1000W/m2, 50oC
PIN QUANG ĐIỆN
Các yêu cầu để thiết kế một hệ thống pin mặt trời
tốt dựa trên mô hình toán:
-IPh càng lớn càng tốt: Phải giảm thiểu diện tích
dây dẫn và hiện tƣợng phản xạ ánh sáng bề mặt
-ID càng nhỏ càng tốt: tối ƣu mật độ tạp chất
-RSh lớn: kết cấu tế bào quang điện
-RS nhỏ: giảm điện trở dây dẫn điện
-Hệ thống phải làm việc ở điểm công suất cực đại
(MPP)
• Điểm làm việc của hệ thống

là giao điểm của 2 đƣờng đặc
•tuyến tải và nguồn

Hàm mô tả quan hệ điện của
pin mặt trời rất phức tạp. Để
đơn giản ta có thể dùng
phƣơng pháp vẽ đồ thị để tìm
giá trị điện trở tối ƣu:
Quy đổi tổng trở
•
•
Gọi k = V2/V1 là tỉ số giữa điện áp đầu ra với
điện áp đầu vào
Ta có:
• Tỉ số V2/I2 chính là điện trở tải
• Nếu có thể điều khiển được tỉ số k ta có

thể điều khiển được điểm làm việc của hệ
thống
••
Ví dụ 3.2: Tấm pin có thông số nhƣ sau:
Pmp = 163W; Vmp = 32,6V; Imp = 5A; Voc = 41,6V; Isc = 5,66A ở 1000W/m2
Pmp = 81,5W; Vmp = 29V; Imp = 2,8A; Voc = 37,4V; Isc = 3,15A ở 500W/m2
Tính hệ số điền kín, điện trở tải tối ƣu và vẽ đặc tuyến I – V, P – V tại 1000W/m2 và 500W/m2
••
Ví dụ 3.2: Tấm pin có thông số nhƣ sau:
Pmp = 163W; Vmp = 32,6V; Imp = 5A; Voc = 41,6V; Isc = 5,66A ở 1000W/m2
Pmp = 81,5W; Vmp = 29V; Imp = 2,8A; Voc = 37,4V; Isc = 3,15A ở 500W/m2
Tính hệ số điền kín, điện trở tải tối ƣu và vẽ đặc tuyến I – V, P – V tại 1000W/m2 và 500W/m2
Maximum Power Point Tracking
Photovoltaic Boost conveter
R()
Quy đổi tổng trở
Boost Buck – Boost
Buck
BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN ÁP MỘT CHIỀU
Các bộ biến đổi DC-DC
Bộ biến đổi DC-DC Buck (step down)
uL
US-U0
t
-U0
iL IL,max
IL ΔiL
IL,min
t
iD
t
iC
t
DT T
uL
US-U0
t
-U0
iL IL,max
IL ΔiL
1 
IL,min
uL  ? t
diL ? DT T
di  
uL  L L  2  dt L
dt 
( x1 , y1 );( x2 , y2 )  y  ax  b
y y iL ?
 y  1 2  a 
x1  x2 DT L
diL I L ,max  I L ,min iL ?
    (iL )closed    DT
dt DT  0 DT L
uL
US-U0
t
-U0
iL IL,max
IL ΔiL
uL  ? 1  diL ?
IL,min
t
  DT T
di
uL  L L  2  dt L
dt 
diL I L ,min  I L ,max iL
 
dt T  DT (1  D)T
iL U 0 ?
  (iL )open    (1  D)T
(1  D)T L L
(iL )closed  (iL )open  0 u
U -U
S
L
0
t
? ?
  DT    (1  D)T  0 -U0
L L iL IL,max
U0  U S ? IL
IL,min
ΔiL
t
DT T
uL
US-U0
t
-U0
iL IL,max
IL ΔiL
1 
IL,min
uL  U S  U 0 t
diL U S  U 0 DT T
di  
uL  L L  2  dt L
dt 
( x1 , y1 );( x2 , y2 )  y  ax  b
y y iL U S  U 0
 y  1 2  a 
x1  x2 DT L
diL I L ,max  I L ,min iL  U  U0 
    (iL )closed   S  DT
dt DT  0 DT  L 
uL
US-U0
t
-U0
iL IL,max
IL ΔiL
uL  0  U 0 1  diL U 0
IL,min
t
  DT T
di
uL  L L  2  dt L
dt 
 
dt T  DT (1  D)T
iL U 0  U 
  (iL )open   0  (1  D)T
(1  D)T L  L 
(iL )closed  (iL )open  0 u
U -U
S
L
0
t
 US  U0   U0 
  DT    (1  D)T  0 -U0
 L   L  iL IL,max
U0  U S D IL
IL,min
ΔiL
t
DT T

Bộ biến đổi DC-DC Boost (step up)

uL  U S  0 1 
 diL U S
di  
uL  L L  2   dt L
dt 
diL I L ,max  I L ,min iL
 
dt DT  0 DT
iL U S U DT
  (iL )closed  S
DT L L

uL  U S  U 0 1 
 diL U S  U 0
di  
uL  L L  2  dt L
dt 
diL I L ,min  I L ,max iL US U0
  
dt T  DT (1  D)T L
(U S  U 0 )(1  D)T
 (iL )open 
L

(iL )close  (iL )open  0
U S DT (U S  U 0 )(1  D)T
 0
L L
U S ( D  1  D)  U 0 (1  D)  0
US
U0 
1 D

Bộ biến đổi DC-DC Buck-Boost
uL
K D US
uL uC
t
US U0
US-U0
iL IL,max
IL ΔiL
D IL,min
K t
uL uC
US U0 iD
iL iC
t
K D iC
US
uL uC
U0 t
iL iC iR DT T

K D uL
US
US
uL uC
U0 t
iL iC
US-U0
diL  iL
uL  L  di U IL
IL,max
ΔiL
dt   L  S IL,min
dt L t
uL  U S  0 
iD
diL I L ,max  I L ,min iL
 
dt DT  0 DT t
iL U S
 iC
DT L t
U 
 (iL )closed   S  DT
 L  DT T

K D uL
US
US
uL uC
U0 t
iL iC iR US-U0
uL  U 0  iL IL,max
 diL U 0 IL ΔiL
diL    IL,min
uL  L dt L t
dt  iD
 
dt T  DT (1  D)T t
iL U
 0 iC
(1  D)T L t
U 0 (1  D)T
 (iL )open  DT T
L

(iL )open  (iL )close  0 iL IL,max
IL ΔiL
 S
U  U0  IL,min
  DT    (1  D )T  0 t
 L   L  iD IL,max
 D 
U 0  U S  
IL,min
t
1 D 
U0 IL,max
D iS
IL,min
U S  U0 t
DT T
Bảng 3.1:
Ví dụ 3.3: Sƣ̉ dụng tấm pin trong ví dụ 3.1 nối với
tải trở RL = 15Ω
Xác định điểm làm việc của hệ thống khi bức xạ
500W/m2
Để lấy đƣợc công suất cực đại tƣ̀ tấm pin cần dùng
mạch biến đổi điện áp DC nào. Tính độ rộng xung
PWM tại bức xạ 1000W/m2
1)
Ví dụ 3.3: Sƣ̉ dụng tấm pin trong ví dụ 3.1 nối với tải trở RL = 15Ω
2) Xác định điểm làm việc của hệ thống khi bức xạ 500W/m2
Để lấy đƣợc công suất cực đại tƣ̀ tấm pin cần dùng mạch biến đổi điện áp DC nào. Tính
độ rộng xung PWM tại bức xạ 1000W/m2
Ví dụ 3.4: Sử dụng tấm pin trong ví dụ 3.1. Khi đang hoạt động tại điểm
công suất cực đại tại 1000, một đám mây bay ngang qua làm cƣờng độ bức
xạ giảm xuống 500. Xác định điểm làm việc của hệ thống lúc này. Nhận xét
sự thay đổi điểm làm việc.
Ví dụ 3.4: Sử dụng tấm pin trong ví dụ 3.1. Khi đang hoạt động tại điểm công suất cực đại tại
1000, một đám mây bay ngang qua làm cƣờng độ bức xạ giảm xuống 500. Xác định điểm làm việc
của hệ thống lúc này. Nhận xét sự thay đổi điểm làm việc.
Bài giải:
Hệ thống đang hoạt động tại điểm MPP của đặc tuyến 1000
→ RL = 6,52Ω
Dựa vào đồ thị ta có điểm làm việc mới khi giảm bức xạ là (20V;
3,05A)
Vậy điện áp và dòng điện giảm từ (32,6V; 5A) xuống (20V; 3,05A).
công suất giảm từ 163W xuống
61W
Mạch dò điểm công suất cực
đại
Maximum Power Point
Tracker (MPPT)
Photovoltaic Boost conveter
R()
D
T
Vin
Vout 
1 D
N
2
Vout h
Pout  VPV I PV  Vin Iin  Vout Iout 
R Load i
ề
Vin2 u
Pout 
1  D 
2
R Load g
i
ả
i
t
h
u
ậ
dP
P&O  Perturbation and Observation  0  P  0
dU
INC  Incremental Conductance

Giải thuật P&O
(Perturbation and Observation)
k
k-1 Giảm D  Tăng Vref

 P  0
dP
 0
dU
Giải thuật P&O
(Perturbation and Observation)
k-1
k Giảm D  Tăng Vref

Giải thuật INC
Incremental Conductance
Tăng Vref  Giảm D

Giải thuật INC
Incremental Conductance
Tăng Vref  Giảm D

Mức năng lượng






Phổ năng lượng mặt trời

Phổ năng lượng mặt trời

Ảnh hưởng của mức năng lượng lên
hiệu suất quang điện

Hiệu suất chuyển đổi quang điện thực tế

Hiệu suất chuyển đổi quang điện thực tế
Source : Loferski 1956

Mối nối p-n

Mối nối p-n

Mối nối p-n

Mối nối p-n

Mối nối p-n

Diode dùng mối nối p-n
k: hằng số Boltzmann
(ở 25oC)

Current
Voltage

 eV
kT 
I  IL  ID  IL  I0  e  1
 



Mạch tương đương đơn giản của tế
bào quang điện

Mạch tương đương đơn giản của tế bào
quang điện
(Chú ý: V là điện áp trên mỗi cell)
 eV
kT 
I  ISC  ID  ISC  I0  e  1
 
Mạch tương đương đơn giản của
1 tế bào quang điện
CÁC PHUƠNG TRÌNH BÊN DƢỚI LÀ TÍNH CHO 1 TẾ BÀO
(ở 25oC) (ở 25oC)
Mạch tương đương đơn giản của
1 tế bào quang điện
(Chú ý: V là điện áp trên mỗi cell)
(ở 25oC) (ở 25oC)
quang điện

quang điện
Ví dụ: 8.3: Cho tế bào quang điện có diện tích 100cm2,
với mật độ dòng ngƣợc bảo hòa I0=10-12A/cm2. Khi đủ độ
rọi, dòng ngắn mạch đo đƣợc là Isc=40mA/cm2. Cho biết
nhiệt độ trên tế bào là 35oC.
a) Tính điện áp hở mạch?
b) Tính điện áp hở mạch lúc độ rọi còn 50%?
c) Vẽ các đặc tuyến của pin quang điện trên?
(ở 25oC)
quang điện
Thường chọn Vd ≈ 0,6V cho pin Silic khi làm việc!

Mạch tương đương chính xác của tế
bào quang điện

bào quang điện

bào quang điện

Mạch tương đương đơn giản của tế bào quang điện
Ví dụ: 8.3.1: Ở điều kiện tiêu chuẩn (STC), cho tấm pin mặt trời 60
tế bào ghép nối tiếp sau:
a) Tính dòng ngƣợc bảo hòa của diode Io?

b) Tính dòng tải I khi TẤM PIN nối acquy 24V? Tính công suất tải?
c) Tính I khi cấp điện cho tải điện áp 30,6V? Tính công suất tải?
d) Khi tải dòng điện 5A, tính điện áp tấm pin? Tính công suất tải?
e) Tính lại câu b nếu Rp=1,94Ω/cell? Tính công suất tải?
f) Khi dòng điện tải I=5A, thử tính điện áp tải khi bỏ qua Rp và khi
Rp=1,94Ω/cell? Tính công suất tải?
bào quang điện

bào quang điện

bào quang điện

bào quang điện
 eVkT 
I  IL  ID  IL  I0  e  1
 
 eVRsI  V  RI
I  IL  I 0 e kT  1  s
  R SH
 
bào quang điện

bào quang điện

Ghép các tế bào quang điện

Ghép các tế bào thành tấm pin



Năng lượng mặt trời

Ghép nối tiếp nhiều tấm pin

Ghép nối nhiều tấm pin

Ghép song song nhiều tấm pin









3. Đặc tuyến I-V của pin quang điện

Đặc tuyến I-V

Đặc tuyến I-V

Đặc tuyến I-V
Current Ip
Pp(Ip) = Vp Ip
Vp(Ip)
Pm = Vco Icc
Pc = Vc Ic
E = 1000 W/m2
Icc
Ic
Peak power working point
Vc Vco Vp Voltage
Đặc tuyến I-V
Current Ip, Pp
Ip(Vp) Pp(Ip) = Vp Ip
Icc1 E1 = 1000 W/m2, T1 < T2 Vp Ip = Cte
Icc2 E = 800 W/m2, T2
Vco Vp Voltage

Tác động của nhiệt độ và cường độ
bức xạ (độ rọi từ mặt trời)

Tác động của nhiệt độ và cường độ bức xạ
_Thông số pin mặt trời thường cho ở điều

Isc = 0.05%/oC kiện thử nghiệm tiêu chuẩn – Standar Test
Voc = - 0.37%/oC Conditions (STC): 1kW/m2, phổ bức xạ mặt
trời AM1,5, nhiệt độ trên tế bào 25oC.
P R= - 0.5%/oC _NOCT (Normal operating cell temperature) ở
20oC, 800W/m2, tốc độ gió 1m/s.

Tác động của nhiệt độ trên tế bào quang điện
b) Tính lại các

thông số
khi nhiệt độ môi
a) Tính lại các trường là 30oC
thông số và cường độ bức
khi nhiệt độ trên xạ mặt trời là
cell là 75oC? 1kW/m2?
Tác động do bóng che












1. Đơn tinh thể (single crystal, monocrystalline): kỹ

thuật silicon phổ biến hiện nay.

2. Đa tinh thể (multicrystaline): mỗi tế bào quang điện

đƣợc hình thành từ một số mảng lớn các hạt đơn tinh
thể. Mỗi tế bào có kích thƣớc từ 1mm đến 10cm, bao
gồm các đa tinh thể silicon (mc-Si).
Từ phổ thông vẫn gọi là: polycrystaline

3. Mạng tinh thể (polycrystaline): gồm nhiều hạt kích

thƣớc khác nhau, từ 1m đến 1mm. Chẳng hạn nhƣ các
tế bào cadmium telluride (CdTe), copper indium
diselenide (CuInSe2), và mạng tinh thể (polycrystaline)
silicon (p-Si) hay màng mỏng (thin-film) silicon.
polycrystaline
thin-film
4. Vi tinh thể (microcystaline): là các tế bào chứa các hạt

có kích thƣớc nhỏ hơn 1m.
5. Vô định hình (amorphous): không chứa các mảng đơn
tinh thể, mà giống nhƣ silic vô định hình (a-Si).

Pin mặt trời thin-film amorphous

Pin mặt trời thin-film amorphous

Pin quang điện dùng tinh thể silicon
Hình 8.45: Một cách phân nhánh để trình bày về các kỹ thuật quang
điện. Tỷ lệ dựa theo thị phần PV vào cuối những năm 1990.
Kỹ thuật Czochralski tạo silicon đơn tinh thể
Hình 8.46: Phương pháp Czochralski tạo ra silicon đơn tinh thể.
Hình 8.47: Sự phát triển của các tế bào năng lượng mặt trời CZ-silicon. (a) Độ
dày của phiến bán dẫn của một tế bào những năm 1970. (b) Tế bào có rãnh
laser và điện cực chìm trên cả hai mặt. (c) Tế bào PERL. Theo Green (1993).
Kỹ thuật Czochralski tạo silicon đơn tinh thể
Hình 8.48: Tăng hiệu suất của các tế bào quang điện dùng silicon đơn tinh
thể trong phòng thí nghiệm. Theo Bube (1998).

Các kỹ thuật kéo tấm silicon
Hình 8.49: Tấm tinh thể silicon có thể được kéo lên bằng phương pháp EFG
(a) hoặc sử dụng 2 thanh kéo song song (b).

Các kỹ thuật kéo tấm silicon
Hình 8.50: Quy trình S-Web tạo ra tấm silicon liên tục, có thể pha tạp chất kích
thích và cắt thành các tế bào hình chữ nhật. Theo Schmela (2000).

Đúc thỏi silicon đa tinh thể
(Multicrystalline Silicon)
Hình 8.51: Đúc, cắt và cưa silicon để tạo thành wafer chưa các hạt tinh thể
silicon, giữa các hạt tồn tại các lằn ranh phân chia.

Mô đun tinh thể Silicon
Hình 8.52: Các tế bào tinh thể được nối nối tiếp với nhau và sau đó được bảo
vệ giữa các lớp thủy tinh, EVA, và polyme.

PIN QUANG ĐIỆN MÀNG MỎNG (THIN-FILM)

Silicon vô định hình
Hình 8.53: Mặt cắt ngang của một tế bào silicon vô định hình p-i-n. Độ dày
tính theo nanomet (10-9m) và vẽ không theo tỷ lệ.
Silicon vô định hình
Hình 8.54: Mô đun a-Si dạng linh hoạt có thể cuộn lại và để lưu trữ khi không
sử dụng. Theo SERI (1985).

Quy trình chế tạo Silicon vô định hình

Hình 8.55: Trình tự các bước thực hiện để tạo ra một môđun các tế bào
silicon vô định hình.

Hình 8.56: Các tế bào riêng lẻ chạy theo chiều dài của một mô đun silicon vô
định hình.

A-Si dạng đa liên kết hay xếp lớp
Hình 8.57: Các tế bào năng lượng mặt trời dùng siliccon vô định hình đa liên
kết được tạo ra từ hỗn hợp a-Si:H (mức năng lượng≈ 1,75 eV) với Carbon a-
Si:C ở lớp trên cùng (≈ 2,0 eV) để hấp

A-Si dạng đa liên kết hay xếp lớp

Gallium Arsenide and Indium Phosphide

Gallium Arsenide and Indium Phosphide

Cadmium Telluride
Hình 8.58: Sự bất tương đồng giữa hai loại vật liệu trong heterojunction, tạo
ra các liên kết lơ lửng.

Copper Indium Diselenide (CIS)

Copper Indium Diselenide (CIS)
Hình 8.60: Cấu trúc của tế bào màng mỏng đơn giản dùng copper indium
diselenide (CIS).

5. Đặc tính tải của pin quang điện

Đặc tính tải của pin quang điện

Đặc tính tải của pin quang điện

Đặc tuyến I-V cho tải trở



Đặc tuyến I-V cho tải động cơ DC




Đặc tuyến I-V cho tải acquy



Dò điểm công suất cực đại (MPPT)

Đặc tuyến I-V theo giờ



Hình 9.14: Bộ buck-boost sử dụng với pin mặt trời.






6. Hệ điện mặt trời độc lập

Hệ điện mặt trời độc lập












Ước lượng tải tiêu thụ




~2000W
~2500VA 223
Bộ nghịch lưu và hệ điện áp
85%

2350W 2000W

Dòng điện Idc thường nhỏ hơn 100A.

Với tải như trên, nên chọn hệ điện áp bao nhiêu V?

Bộ
nghịch
lưu và
hệ điện
áp
Khi chọn
Inverter, cần
đảm bảo
dòng khởi
động của tải!

Acquy
Acquy chì khởi động SLI chỉ cho phép xả MDOD = 20%
(Maximum Depth of Discharge). Khối lượng nhẹ do điện cực
nhỏ, điện tích đáy bình chứa kẹn hẹp,…
Acquy chì - axit
Tuổi thọ của acquy chì loại deep-cycle tăng lên đáng kể nếu
chỉ xả đến 20%.

Acquy chì - axit
Nhiệt độ quá thấp làm giảm khả năng tích điện của acquy!?
Acquy chì - axit
Khi xả cạn acquy:

_ Dung dịch chủ yếu là nước – dễ đông ở nhiệt độ âm (-8o).
_ Lớp PbSO4 làm giảm bề mặt phản ứng, tăng điện trở nội Ri.
_ Khối lượng riêng của acquy giảm.
Acquy chì - axit
H2SO4 (1,84g/ml)
H2O (1g/ml)

Dung lượng acquy
_ Dòng điện xả càng nhỏ thì dung lượng acquy càng tăng.
_ Nhiệt độ càng thấp thì dung lượng acquy càng giảm.
_ Suất xả điện C/20 ở 25oC làm chuẩn cho hệ thống PV.
Dung lượng acquy (T, DR)
Hình 9.42
_ Nhiệt độ càng thấp thì dung lượng acquy càng giảm.
_ Tốc độ xả càng nhanh thì dung lượng acquy cũng suy giảm.
Dung lượng acquy
+ Tính cho acquy deep-cycle.
Gợi ý:
_ Xem hình 9.39 để tính dung lượng acquy cần ở -20oC (chưa
xét tốc độ xả).
_ Xem hình 9.42 để tính dung lượng acquy thực sự cần với
tốc độ xả đều trong 48 giờ (ở nhiệt độ -20oC).
Dung lượng acquy

Hiệu suất Coulomb và hiệu suất acquy chì

_ Khi sạc acquy gần đầy, sẽ phát sinh khí hydrogen và oxygen
và làm giảm hiệu suất sạc acquy.
_ Khi bắt đầu sạc, hiệu suất Coulomb - hiệu suất dòng
điện (electron) - gần bằng 100%. Khi quá sạc, hiệu suất bị giảm
còn chừng 90%.
Thực tế, hiệu suất nạp-xả năng lượng của acquy chỉ
chừng 75%. Một phần là do tổn hao trên điện trở nội Ri của
acquy. Và còn tùy thuộc vào trạng thái sạc (SOC), nhiệt độ làm
việc,…
d) Cho biết hiệu suất Coulomb là 90%. Tính lại hiệu

suất năng lượng của acquy khi dòng nạp/xả là C/5?
Giả sử Ri không đổi!


Tính toán dung lượng acquy

Hình 9.46 được viết thành các phương trình gần đúng:
_ MDOD (Maximum Depth of Discharge) = 0,2 cho SLI, 0,8 cho

loại acquy xả sâu.
_ (T, DR) là hệ số dựa theo ảnh hưởng của nhiệt độ và suất
phóng điện như hình 9.39, 9.42.
Ví dụ 9.18.1: Một gia đình có nhu cầu tiêu thụ điện AC
3000Wh/đêm (từ 18-20 giờ) từ nguồn điện mặt trời độc
lập, vào mùa lạnh, nhiệt độ acquy là -20oC. Để đảm bảo
cấp điện đủ cho 95% thời gian sử dụng (5% thời gian
thiếu điện sẽ do máy phát dự phòng cung cấp). Tính dung
lượng bình acquy chì-axit loại xả sâu (deep-cycle) cần lắp
đặt? Vẽ sơ đồ đấu nối acquy? Biết hiệu suất trung bình
của bộ nghịch lưu là 85%. Tính theo Lat+15, tháng x, với x
là 1 số cuối của MSSV.
Sinh viên tham khảo cách giải trong tài liệu.

Ví dụ 9.18.2: Một gia đình có nhu cầu tiêu thụ điện AC

3000Wh/đêm (từ 17-22 giờ) từ nguồn điện mặt trời
độc lập ở Long Xuyên, nhiệt độ acquy khoảng 27oC.
Để cấp điện cho 95% nhu cầu (5% còn lại do máy
phát dự phòng cung cấp). Tính dung lượng bình
acquy chì-axit loại xả sâu (deep-cycle) cần lắp đặt?
Hiệu suất trung bình của bộ nghịch lưu là 90%. Xem

dữ liệu cường độ nắng ở Long Xuyên ở trang sau.
Chú ý: 95% nhu cầu tương ứng số giờ nắng - hình 9.46, nhiệt độ và tốc độ
xả của acquy - hình 9.39, 9.42, MDOD - bảng 9.14.
Tính toán giàn pin mặt trời
tháng
Số giờ nắng trung bình ở TP. Long Xuyên là 5 giờ/ngày.
Nguồn: NASA
https://eosweb.larc.nasa.gov/cgi-bin/sse/retscreen.cgi?email=skip@larc.nasa.gov
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
6 :00 7:12 8:24 9:36 10:48 12:00 13:12 14:24 15:36 16:48 18:0 0
-500
Tại TP.HCM, vào ngày 8/4/2015,

Giàn pin công suất 5500-Wp, phát lên lưới 20-kWh/ngày


Hệ nguồn điện mặt trời lai


Diode chống ngược



Tính toán lắp ghép dàn pin mặt trời




Hệ nguồn điện mặt trời lai
Hệ thống PV lai:
_ Giảm dung lượng acquy nhờ có máy phát.
_ Dòng cấp cho tải và dòng nạp acquy từ máy phát < C/5.
_ Hạn chế số lần khởi động máy phát.

Tóm tắt hệ điện mặt trời độc lập
Sinh viên tham khảo tài liệu.

7. Hệ điện mặt trời hòa lưới

Hệ điện mặt trời hòa lưới









Hòa lưới

Công suất định mức DC & AC

90%


Tính toán theo số giờ nắng đỉnh


tháng
Số giờ nắng ở TP. Long Xuyên là 5 giờ/ngày.
Nguồn: NASA





Hệ số sử dụng CF cho hệ PV nối lưới

Tính toán công suất cho hệ PV nối lưới











8. Tính toán kinh tế cho hệ nối lưới
Hiệu quả kinh tế của hệ thống

Tính theo USD/W

Tính theo USD/W

Tính giá thành

Tính giá thành

Tính giá thành

Tính giá thành

Tính giá thành

Tính giá thành

Tính giá thành

Tính giá thành

9. Xu hướng sử dụng năng lượng mặt trời

Xu hướng sử dụng năng lượng mặt trời




Đức

Đức

Đức

Đức

Đức

Đức

Đức

Đức

Úc

Trung Quốc

Việt nam
Cơ cấu nguồn phát điện 2011
Phát điện năm 2010

Việt nam

Việt nam

Việt nam

Việt nam

Việt nam

Việt nam

Việt nam

10. Giải pháp công nghệ cho các hệ điện mặt trời

Giải pháp công nghệ cho các hệ điện mặt trời



Hệ điện mặt trời độc lập: dành cho khu vực
chưa có chưa lưới điện quốc gia.



Hệ thống tích hợp “all in one” 334

Máy phát điện dự phòng dùng acquy

N ăng lượng tái tạo
Hệ điện mặt trời hòa lưới điện quốc gia
– Điện mặt trời đƣợc biến đổi hòa trực tiếp lên lƣới
điện quốc gia
– Hệ thống phát điện phân tán từ mỗi mái nhà
– Không dùng acquy, chi phí bảo dƣỡng thấp
– Cho phép nâng cấp Hệ điện mặt trời độc lập ngay
khi có điện lƣới quốc gia
– Dễ lắp đặt, vận hành, tuổi thọ cao


Phát điện phân tán, không dùng acquy,

giảm CO2, tuổi thọ cao, phí bảo dưỡng thấp
Đơn giản, hiệu quả, dễ lắp đặt, vận hành

OB: đặc thù cho điều kiện Việt Nam

Năng lượngtái tạo W0 = W2 - W1 341

Thiết bị hòa lưới điện mặt trời
342
Hệ điện mặt trời hòa lưới ở
ĐH Bách Khoa TP.HCM từ 2007


Năn g lượng tái tạo 345

Giải pháp hệ điện mặt trời hòa lƣới:

– Dễ lắp đặt, vận hành, tuổi thọ cao (>30 năm)
– Thời gian hoàn vốn chắc chắn chỉ từ 10-12 năm theo giá
điện hiện hành
– Không dùng acquy, chi phí bảo dƣỡng thấp
– Thân thiện môi trƣờng, giảm phát thải CO2
– Phát điện phân tán, dễ đầu tử mở rộng
– Phù hợp xu hƣớng phát triển khi nhu cầu tiêu thụ và giá
điện ngày càng tăng cao
– Đặc biệt hiệu quả khi Nhà Nƣớc, EVN chấp nhận mua
điện mặt trời với giá ƣuđãi
Hệ điện mặt trời lai – vừa hòa lưới điện quốc
gia, vừa có dự trữ phòng khi cúp điện.

Đặc thù cho điều kiện Việt Nam 347
Hệ điện mặt trời lai – vừa hòa lưới điện quốc
gia, vừa có dự trữ phòng khi cúp điện.

C2 NLMT

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

C2 NLMT

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Bài giảng:

NĂNG LƯỢNG TÁI TẠO

1. Nguồn năng lƣợng mặt trời (thiên văn)

Năng lượngtái tạo 2

• Trƣớc khi nói về năng lƣợng mặt trời, hãy tìm

30% -Hydro cycles (88%)

Hydrocarbon fossil = stored solar energy

• λ = bƣớc sóng (μm)

• Bƣớc sóng mà công suất bức xạ trên mỗi đơn vị diện

max (m)  2898

• Ví dụ 7.1: Trái đất là một vật thể đen, có

• h1 = chiều dài đƣờng đi qua bầu khí quyển với ánh

Năng lượng tái tạo 16

m tăng lên khi

• n = số ngày (bắt đầu từ ngày 1.1)

• Trong một ngày, trái đất quay 360,99˚

Năng lượng tái tạo 19

• Thiên độ δ – là góc hợp bởi mặt phẳng xích

Năng lượng tái tạo 21

Hình 7.6 Đông chí

• Tính toán vị trí mặt trời bất kỳ thời điểm nào

Năng lượng tái tạo 23

 tilt  90  N = ???

Năng lượng tái tạo 26

s < 0 ở phía Tây Hình 7.10

Năng lượng tái tạo 28

Năng lượng tái tạo 29

Năng lượng tái tạo 30

• Xoay theo mặt trời

Năng lượng tái tạo 32

• Xoay theo mặt trời

Năng lượng tái tạo 33

• Góc giờ H - là góc cần để trái đất quay cho đến

• Kiểm tra độ lớn góc phƣơng vị nhỏ hơn hay lớn

Năng lượng tái tạo 35

• Xác định góc cao độ β và góc phƣơng vị ϕS lúc 11:00 AM

• Tính đƣợc 2 giá trị góc phƣơng vị theo hàm arcsin:

• Từ việc xác định vị trí mặt trời trên bầu trời

• Xác định góc phƣơng vị của vật gây bóng che

• Xác định góc cao độ vật gây bóng che

Năng lượng tái tạo 41

Nhà che sau

Năng lượng tái tạo 43

Trƣờng hợp đầu tiên bị kết án năm 2008.

Năng lượng tái tạo Nguồn: http://aa.usno.navy.mil/graphics/TimeZoneMap0802.pdf 46

Năng lượng tái tạo Nguồn: http://www.timeanddate.com/time/map/ 47

Múi giờ Kinh độ chuẩn múi giờ

Ngày dài hơn

Năng lượng tái tạo 49

• n là ngày trong năm

Năng lượng tái tạo 50

Năng lượng tái tạo 50

Năng lượng tái tạo 50

Năng lượng tái tạo 50

• Kết hợp hiệu chỉnh sai lệch theo kinh độ và phương

ST = CT + (LT-LL)  4(phút) + E(phút) (7.14)

• Tại TP.Hồ Chí Minh (L=10o45'0'' vĩ Bắc,

Solar Time (ST)  Clock Time (CT) +

Năng lượng tái tạo 52

• Tính giờ đồng hồ ngay giữa trƣa ở Boston (71.1˚ kinh

Năng lượng tái tạo 53

• The local time meridian for Boston is 75˚, so the

Năng lượng tái tạo 54

Năng lượng tái tạo 57