BÀI TN 2

KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

MỤC TIÊU:

➢ Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

➢ Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
➢ Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

CHUẨN BỊ:
➢ Chuẩn bị bài prelab
➢ Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền thuận.

Yêu cầu

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D1, dùng VOM ở chế độ đo mA kết nối D1 và
R1. Dùng 1 VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp vào Vin, một VOM khác đo điện áp 2 đầu
diode. Nếu như thiếu VOM thì có thể dùng 1 VOM đo điện áp Vin rồi sau đó đo điện áp
trên diode.

Kiểm tra

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất, bật nguồn. Tăng dần Vin và ghi các giá trị đo:

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
ID (mA) 1,38 3,31 5,27 7,22 9,19 11,15 13,12 15,09 17,07
VD (V) 0.59 0,640 0,66 0,673 0,685 0,694 0,702 0,707 0,713
Vẽ đặc tuyến thuận của diode

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Xá
Xác định điện áp ngưỡng của diode D:

0,64V

Lặp lại thí nghiệm cho Led D2.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
ID2 (mA) 0,24 2,12 4,06 6,01 7,96 9,91 11,88 13,84 15,8
VD2 (V) 1,735 1,837 1,876 1,904 1,925 1,944 1,960 1,975 1,988
Điện áp ngưỡng của D2: 1,904

Lặp lại thí nghiệm cho Led D3.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
ID3 (mA) 0 1,28 3,14 4,94 6,85 8,94 10,86 12,80 14,72
VD3 (V) 1,989 2,646 2,733 2,796 2,855 2,909 2,955 2,998 3,035
Điện áp ngưỡng của D3: 2,733V

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

 Khảo sát đặc tính diode trong miền ngược.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị điện trở R2.

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D8 và điện trở R2 như hình vẽ,. Dùng 1 VOM
ở chế độ đo điện áp đo điện áp trên R2 (VR2), một VOM khác đo điện áp 2 đầu diode VD.

Kiểm tra

Giá trị R2 là: 147k Ω

Nhắc lại công thức liên hệ giữa ID, IS, VD

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Tăng dần Vin, quan sát VD và ghi các giá trị đo được vào bảng sau:

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
VD (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
VR2 26,6 52,8 78,7 115,1 143,9 172,5 201,1 229,6 258,3
(mV)

Id ( μA ) 0,18 0,358 0,535 0,783 0,979 1,171 1,37 1,56 1,76

Nhận xét về điện trở của diode trong miền ngược:

Điện trở của diode trong miền ngược lầ rất lớn. 10KΩ(sai số không đáng kể)

Dòng điện ngược bão hòa Is bằng bao nhiêu? (Gợi ý: dựa vào công thức liên hệ giữa ID, IS,
VD ta tính được Is, chú ý dấu của VD)

IS =2μA

Dùng dòng điện ngược bão hòa Is đã có, kiểm chứng lại dòng điện thuận theo lý thuyết của
diode D1 với bảng đo đã thực hiện ở trên, coi nhiệt độ phòng là 30oC.

Gợi ý: Chép lại bảng số liệu đo được ở miền thuận của diode D ở thí nghiệm 1 vào 2 hàng
ID (mA) và VD (V). Hàng ID(theory) được tính theo công thức lý thuyết dựa vào Is đã tính
phía trên và hàng VD (V). Sau đó so sánh ID(theory) và ID (mA) (thực tế đo ở bài 1).

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
ID (mA) 1,38 3,31 5,27 7,22 9,19 11,15 13,12 15,09 17,07
VD (V) 0,59 0,64 0,66 0,673 0,685 0,694 0,702 0,707 0,713
ID(theory)

Nhận xét giá trị thu được, giải thích:

ID
Trong miền ngược, diode có giá trị điện trở rất lớn và giá trị thực tế khác xa với lý thuyết.

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu bán kỳ.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần
số 1Khz, biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 1 của dao động ký đo dạng sóng ngõ vào, kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích

- Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 1,52V.

- Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra nhỏ hơn giá trị đỉnh của sóng ngõ vào là do ở diode có sự sụt
áp. Khi sự sút áp này lớn hơn điện áp ngưỡng của diode thì diode mới dẫn điện.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Giải thích sự khác nhau của ngõ ra khi có và không có tụ C1.
Dạng sóng ngõ ra hi nối vào tụ vào tải phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là do khi có
tụ điện thì tụ điện được nạp khi điện áp tăng và khi điện áp giảm thì tụ điện xả để duy trì điện
áp qua tải được ổn định. Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu toàn kỳ.

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần
số 1Khz, biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1, lưu ý tháo probe kênh 1 ra khỏi mạch.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích

- Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 0,8V.

- Nguyên nhân sóng ngõ ra có giá trị đỉnh thấp hơn sóng ngõ vào và thấp hơn giá trị đỉnh của
sóng ngõ ra trong trường hợp chỉnh lưu bán kì là do trong mỗi bán kì, giữa hai đầu chỉnh lưu
cầu đều phải có sụt áp lớn hơn hai lần điện áp ngưỡng của mỗi diode thì diode mới dẫn, cho

nên
Vout ≈ Vin - 2VON

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Giải thích sự khác nhau khi có và không có tụ C1.

Khi có tụ C1 dạng sóng ngõ ra phẳng hơn. Vì tụ điện nạp điện từ nguồn (VC tăng ) khi
Vin - Vd > VC V - Vd ∈ VC
, xả điện (VC giảm) khi in . Nhưng khoảng thời gian cần để tụ
Vin - Vd ∈ VC
xả điện lớn hơn khoảng thời gian mà rất nhiều, do vậy VC giảm không nhiều,
nên dạng sóng ngõ ra khá phẳng.
THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

Khảo sát diode zener.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị của R3 và R4.

R3= 544Ω R4= 322Ω

Kết nối nguồn điện 0-20V vào mạch, chỉnh điện áp về 0V. Dùng VOM ở chế độ đo mA kết
nối R3 và D9. Dùng 2 VOM đo điện áp vào và điện áp ra.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Kiểm tra

Tăng dần điện áp vào, ghi nhận điện áp trên Zener và dòng điện qua Zener như bảng sau

Vi (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Vdz 1,983 3,93 5,152 5,187 5,198 5,208 5,217 5,224 5,231
Iz 0,5µA 14,4µA 1,46 4,94 8,28 11,81 15,33 18,93 21,64
mA mA mA mA mA mA mA

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Vẽ đặc tuyến của Zener và xác định Vz.

Tính công suất R3 khi Id = IR3 = 20mA.

−3 2
P R =I R . R3=544. ( 20. 10 ) =0,2216W
2
3 3

Xác định dòng ổn áp tối thiểu, cách làm như thế nào?

IZ min ≈ 1, 46mA
- Dòng ổn áp tối thiểu

-
Điện áp
VZ ≈ 5,152V

IZ min
- Cách làm: dùng ổn áp tối thiểu được xác định tại khoảng thời điểm mà khi Vi

IZ
đang tăng mà tăng một khoảng lớn từ μA lên mA

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

 Chỉnh Vin sao cho Id = IR3 = 5 mA. Sau đó kết nối tải R4 song song với Zener.

Quan sát sự thay đổi của Volt kế và Miliampe kế khi có tải và không có tải, giải thích sự thay
đổi đó.

Quan sát: Số chỉ trên Miliampe kế tăng nhưng chỉ số trên Volt kế lại không nhiều. Nguyên nhân: là do
với điều kiện của thí nghiệm này, diode zener đã đạt trạng thái ổn áp do dòng điện đã đạt giá trị ổn áp tối
thiểu nên điện áp giữa hai đầu diode zener ổn định ở mức điện áp áp. Đối với Miliampe kế thì Miliampe
kế lúc này đang hiển thị cường độ dòng điện trong cả mạch, tức là là tổng của cả dòng điện qua diode
zener và tải nên lúc này Miliampe kế hiển thị giá trị lớn hơn ban đầu khi chỉ có dòng điện qua diode zener

Giảm Vin cho đến khi mạch không còn ổn áp. Mạch không còn ổn áp khi nào?

Khi điện áp qua Zenner bị sụt áp dưới mức điện áp phân cực nghịch của Zenner, cụ thể trong bài này là
5,1 V.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 Ghi nhận lại giá trị Vin khi mạch không còn ổn áp.

Vin = 15,20 V

Tính Vin theo lý thuyết để mất ổn áp, biết VZ = 5.6V.

Xét mạch ta có:V ¿ =V R + V̇ ż =I R × R3 +V z

3 3

(với điều kiện là Zener ổn áp, V z không đổi)

(
Suy ra: V ¿ = Iz+
R4 )
V̇ ż
× R3 +V z

Vì V ¿ là hàm đồng biến với Iz và các thành phần còn lại là không đổi nên với điều kiện là:
diode zener ổn áp là ngay khi đạt giá trị điện áp V z nên điện áp V ¿ nhỏ nhất để diode zener
vẫn ổn áp theo lý thuyết: ( Iz lúc này là Iz min )

(
V ¿ = 1.46 × 10−3 +
322)
5 ,6
×554+ 5.6=16.04 V

So sánh hai giá trị Vin theo lý thuyết và thực tế.

Giá trị Vin theo lý thuyết sẽ cao hơn so với giá trị Vin thực tế.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”