Chương 2.

Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT

Chương 2.

PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU

NHỎ TẦN SỐ THẤP CỦA BJT

Mục tiêu:
- Tính toán được phân cực DC cho các dạng mạch khếch đại cơ bản
- Vẽ được mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp cho 3 dạng mạch khuếch đại
cơ bản là E chung, B chung và C chung.
- Thiết lập được phương trình toán học mô tả hệ số khuếch đại dòng và áp của mạch
điện.
- Tính toán được trở kháng vào và ra của mạch

Yêu cầu: Sinh viên ôn tập kiến thức về

- Đặc tính linh kiện BJT
- Định lý về phép biến đổi tương đương Thevenin và Norton cho mạch điện 1 cửa

Nội dung: Trang

2.1. Phân cực dc và ỗn định phân cực cho mạch khuếch đại bjt ....................................... 2
2.2. Đường tải dc/ac và điều kiện max-swing ................................................................... 6
2.3. Phân tích mạch khuếch đại bjt tín hiệu nhỏ tần số thấp ........................................... 10

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 1

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
2.1. PHÂN CỰC DC VÀ ỖN ĐỊNH PHÂN CỰC CHO MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT
2.1.1. Ký hiệu và phân loại transistor lưỡng cực BJT

Hình 2. 1. Ký hiệu của BJT loại N (NPN) Hình 2. 2. Ký hiệu của BJT loại P (PNP)

2.1.2. Các kiểu phân cực cho BJT

• Có 03 kiểu mắc mạch phân cực DC như Hình 2.1

a) Phân cực dùng cầu b) Phân cực trực tiếp c) Phân cực chung
phân áp nguồn

Hình 2. 3 Các kiểu phân cực DC (tĩnh)

Hình 2. 4. Đặc tuyến Volt/Ampere của BJT loại NPN

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 2

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
• Có 03 kiểu phân cực hoạt động cho mạch:
i. Phân cực chế độ bão hòa khi điện áp vCE ≤ 0.2V, như Hình 2.4. Khi ở
chế độ bảo hòa 𝑖𝐶 ≤ 𝛽𝑖𝐵 và vBE ≈ 0.8V.
ii. Phân cực chế độ khuếch đại khi điện áp vCE > 0.2V và VBE = 0.7V
(mặc định), như Hình 2.4. Khi ở chế độ bảo hòa 𝑖𝐶 = 𝛽𝑖𝐵 và 𝑖𝐸 =
(𝛽 + 1)𝑖𝐵
2.1.3. Tính toán phân cực DC (phân cực tĩnh)
Bài toán: Tính toán phân cực DC cho mạch ở chế độ khuếch đại dùng cầu phân áp như
Hình 2.5.
Áp dụng biến đổi tương đương thành mạng 1 cửa, ta được Hình 2.6. Tiếp đến, áp dụng biến
đổi tương đương Thevennin cho mạng 1 cửa, ta được Hình 2.7.

Hình 2. 5 Mạch phân Hình 2. 6. Mạch tương đương Hình 2. 7. Mạch tương đương
cực DC Thevenin
𝑅1 𝑅2
Trong đó, 𝑅𝐵 = (1)
𝑅1 +𝑅2
𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉 (2)
𝑅1 +𝑅2 𝐶𝐶

Xét vòng điện VBB -> RB -> Q -> RE-> GND, ta có:
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝐼𝐸 𝐼𝐸
Do mạch hoạt động ở chế độ khuếch đại nên 𝐼𝐵 = ≈ , (do 𝛽 ≫ 1)
𝛽+1 𝛽

𝐼𝐸
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝛽 𝐵
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
 𝐼𝐸 = 𝑅𝐵
+𝑅𝐸
𝛽

𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐵 (3)
+𝑅𝐸
𝛽

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 3

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
Để chắc chắn mạch được thiết kế phân cực DC ở chế độ khuếch đại, ta phải kiểm tra xem
VCE > 0.2V không. Nếu VCE ≤ 0.2V ta phải thiết kế lại các giá trị điện trở phân cực.

2.1.4. Thiết kế ỗn định phân cực cho BJT

Trên thực tế hệ số khuếch đại 𝛽 của BJT phụ thuộc vào nhiều yếu tố như: các giá trị
tần số hoạt động, tụ ký sinh giữa các mối nối, dòng phân cực và nhiệt độ hoạt động
của BJT.
Với một mạch khuếch đại được thiết trên cơ sở dòng phân cực cố định, khoảng tần
số làm việc cố định, tương ứng với nó cá giá trị tụ ký sinh gần như cố định. Do vậy
yếu tố quan trọng cần khắc phục là thay đổi hệ số khuếch đại do nhiệt độ, hay còn
được gọi là bù nhiệt (bổ chỉnh nhiệt) cho BJT.
Vậy trong bài toán thiết kế phân cực, để tránh hiện tượng điểm phân cực trôi nổi
(lúc tăng, lúc giảm), ta chú trọng việc làm giảm ảnh hưởng của hệ số khuếch đại của
mạch đến dòng phân cực. Để làm điều này, ta thiết kế lại các giá trị R1 và R2 sao
𝑅
cho 𝐵 ≪ 𝑅𝐸 . Khi đó (3),
𝛽
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = (4)
𝑅𝐸

2.1.5. Bài tập

Cho VBE = 0.7V, VBB = 2V, VCC = 10V

a) Tính dòng phân cực DC và xác
định chế độ hoạt động của mạch.
b) Tính VBB để mạch hoạt động ở
chế độ bão hòa.
c) Thiết kế ỗn định phân cực cho
mạch ở chế độ khếch đại.

Hình 2. 8. Mạch phân cực DC

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 4

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 5

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
2.2. ĐƯỜNG TẢI DC/AC VÀ ĐIỀU KIỆN MAX-SWING
Sau khi mạch khuếch đại được phân cực DC, xem như dòng điện được lưu thông trên
mạch thep nguyên lý từ nguồn xuống mass, từ cực B đến cực E và từ cực C đến cực
E (với BJT NPN). Tín hiệu điện AC được khuếch đại và truyền dẫn chồng lên thành
phần DC của mạch.
2.2.1. Đường tải DA/AC

Ta ký hiệu:
- RL là điện trở tải (Load)
- 𝑖𝐶 là giá trị dòng tổng (của AC và DC)
qua cực C của BJT
- 𝑖𝑐̃ là giá trị dòng AC
- 𝐼𝐶 là giá trị dòng DC
Trong phạm vi bài toán này, ta xem tụ CE có
giá bypass (∞)
Hình 2. 9.

Phương trình đường tải DC cho mạch được viết cho vòng mạch điện tải (VCC ->
RL->BJT->RE) như sau:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐿 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 ≈ 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 (𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 )
1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = − 𝑉𝐶𝐸 + (Được gọi là PT đường tài DC) (5)
𝑅𝐿 +𝑅𝐸 𝑅𝐿 +𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐶
Trong đó, 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = (6)
𝑅𝐿 +𝑅𝐸

và 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 (7)

Phương trình đường tải AC cho mạch được viết cho vòng mạch điện tải (GND ->
RL->BJT->GND) như sau:
𝑣𝑐𝑒
̃ = −𝑖𝑐̃ 𝑅𝐿
𝑣𝑐𝑒
̃
𝑖𝑐̃ = − (8)
𝑅𝐿

Mặt khác, mạch khuếch đại hoạt động tại một điểm phân cực Q (ICQ và VCEQ) nên
𝑣𝑐𝑒
̃ = 𝑣𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄
ta có: { (9)
𝑖𝑐̃ = 𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄
Thay (9) vào (8) ta có:
𝑣𝐶𝐸 −𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 = −
𝑅𝐿

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 6

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
1 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 = − 𝑣𝐶𝐸 + ( + 𝐼𝐶𝑄 ) (Được gọi là PT đường tài AC) (10)
𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝑉𝐶𝐸𝑄
Trong đó, 𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 = + 𝐼𝐶𝑄 (11)
𝑅𝐿

và 𝑣𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐿 (12)

Mô phỏng tính toán cho phương trình đường tải AC/DC, thể hiện trong Hình 2.10.

Hình 2. 10. Mô phỏng đồ thị AC/DC load line

2.2.2. Điều kiện Max-swing

a) Điều kiện Max-swing cho mạch được phân cực DC:
- Khi được phân cực DC cho mạch tại điểm Q thì Q chính là giao điểm của AC và
DC load line.
- Thành phần tín hiệu AC qua cực C giao động quanh điểm phân cực Q này.
- Với một mạch được phân cực cho trước, thì điều kiện Max-swing cho 𝑖𝑐̃ là biên độ
của 𝑖𝑐̃ ,
𝑖𝑐̃𝑚 = min ((𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐶𝑄 ), 𝐼𝐶𝑄 ) (13)
b) Điều kiện Max-swing tối ưu cho mạch được phân cực DC:
Mặt khác ta có thể làm cho max (𝑖𝑐̃𝑚 ), hay còn gọi là Max-swing tối ưu, bằng cách thiết
kế lại các thành phần của mạch điện để 𝑖𝐶𝑚𝑎𝑥 = 2𝐼𝐶𝑄 , và thay vào (11), ta có:

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 7

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐿 (14)
Mặt khác từ pt tải DC (5), thay điểm làm việc Q vào pt ta được,
1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄 = − 𝑉 + (15)
𝑅𝐿 +𝑅𝐸 𝐶𝐸𝑄 𝑅𝐿 +𝑅𝐸

Thay (14) vào (15) ta được,

1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄 = − 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐿 +
𝑅𝐿 +𝑅𝐸 𝑅𝐿 +𝑅𝐸

𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 ) = −𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐿 + 𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄 = (Điều kiện Max-swing tối ưu cho mạch) (16)
(2𝑅𝐿 +𝑅𝐸 )

2.2.3. Bài tập

Cho mạch điện như Hình 2.11, với VCC =

9V, RL = 1KΩ, RE = 1KΩ, R1 = 7KΩ, R2 =
2KΩ, và xem tụ CE có giá bypass (∞)
a) Tìm điểm phân cực tĩnh Q của mạch
và xác định chế độ hoạt động.
b) Tính giá trị Max-swing cho biên độ
của dòng AC qua tải RL.
c) Thiết kế lại để mạch ỗn định phân
cực DC và thỏa điều kiện Max-swing
Hình 2. 11
tối ưu. Trong trường hợp này,
a. Tính công suất nguồn cung cấp
và công suất của BJT
b. Tính công suất cực đại của tải.
c. Tính hiệu suất mạch khuếch đại.

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 8

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT

Bài tập về nhà: Bài 2.9, 2.11, và 2.15 trang 54, 55 sách giáo khoa [1]

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 9

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
2.3. PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI BJT TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP

2.3.1. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp của BJT
Áp dụng nguyên lý mạng 2 cữa, một BJT được biến đổi tương đương với một mạng 2 cữa
tham số h như Hình 2.12. Phương trình tham số h của mạng 2 cửa,
𝑣𝑏𝑒 = ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏 + ℎ𝑟𝑒 𝑣𝑐𝑒 (17a)
𝑖2 = ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 + ℎ𝑜𝑒 𝑣𝑐𝑒 (17b)

Hình 2. 12. Mạch tương đương 2 cửa

Hình 2. 13. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp của BJT loại NPN

Hình 2. 14. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp của BJT loại PNP

Các thông số h của transistor được tính như sau:

𝑣𝑏𝑒 𝑚𝛽×25(𝑚𝑉)
ℎ𝑖𝑒 = | = , với m = 1÷2 (mặc định m = 1) (18)
𝑖𝑏 𝑣 =0 𝐼𝐶𝑄 (𝑚𝐴)
𝑐𝑒

ℎ𝑓𝑒 = 𝛽 (hệ số khuếch đại của BJT)

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 10

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
ℎ𝑟𝑒 ≈ 0 và ℎ𝑜𝑒 → +∞. Do vậy, ta có thể xem như bỏ qua ℎ𝑟𝑒 và ℎ𝑜𝑒 . Mạch tương
đương tín hiệu nhỏ tần số thấp rút gọn được thể hiện ở Hình 2.14.

2.3.2. Mạch khuếch đại BJT cấu hình E chung (Emitter Common)

Cho mạch điện như Hình 2.15 bên,

với: Ri = R1 = 10KΩ, R2 = 50KΩ, RE
= 2.2KΩ, RC = 3.8KΩ, RL = 1KΩ, β
= 50 và VCC = 24V. Xem các tụ liên
cực có giá trị bypass.
a) Xác định điểm phân cực tĩnh
và chế độ hoạt động của
mạch khếch đại.
b) Vẽ mạch tương đương tín
hiệu nhỏ, tần số thấp
Hình 2. 15. Mạch khuếch đại BJT cấu hình E c) Tính Ai, Zi, Zo
chung

Giải
a) Xác định điểm phân cực tĩnh và chế độ hoạt động của mạch khếch đại
𝑅1 𝑅2
Ta có: 𝑅𝐵 = = 8.33𝐾𝛺 (19)
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 𝑉𝐶𝐶 10𝐾×24
𝑉𝐵𝐵 = = = 4𝑉 (20)
𝑅1 +𝑅2 10𝐾+50𝐾
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 4−0.7
𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐵 = 8.33𝐾 = 1.4𝑚𝐴 (21)
+𝑅𝐸 +2.2𝐾
𝛽 50

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 24 − 1.4𝑚(3.8𝐾 + 2.2𝐾) = 15.6 𝑉 (22)

Ta thấy VCEQ = 15.6V > 0.2V, vậy mạch hoạt động ở chế độ khuếch đại.

b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp.

Hình 2. 16. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 11

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
𝛽×25𝑚𝑉 50×25𝑚
Trong đó, ℎ𝑖𝑒 = = = 0.9𝐾𝛺
𝐼𝐶𝑄 (𝑚𝐴) 1.4𝑚

c) Tính Ai, Zi, Zo

𝑖𝐿 𝑖𝐿 𝛽𝑖𝑏 𝑖𝑏 𝑅𝐶 𝑅𝑖 //𝑅𝑏
Ta có, 𝐴𝑖 = = × × =− ×𝛽×
𝑖𝑖 𝛽𝑖𝑏 𝑖𝑏 𝑖𝑖 𝑅𝐶 +𝑅𝐿 𝑅𝑖 //𝑅𝑏 +ℎ𝑖𝑒
3.8𝐾 10𝐾//8.33𝐾
=− × 50 × = −33 (23)
3.8𝐾+1𝐾 10𝐾//8.33𝐾+0.9𝐾

𝑍𝑖 = 𝑅𝑖 //𝑅𝑏 //ℎ𝑖𝑒 = 0.75𝐾𝛺 (24)

𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 3.8𝐾𝛺 (25)

2.3.3. Mạch khuếch đại BJT cấu hình B chung (Base Common)

Cho mạch điện như Hình 2.17 bên, với: Ri

=500Ω, R1 = 2KΩ, R2 = 8KΩ, RC = 2KΩ, RL
= 2KΩ, β = 100 và VCC = 10V. Tụ Cb có giá
trị bypass.
a) Xác định điểm phân cực tĩnh và chế
độ hoạt động của mạch khếch đại.
Hình 2. 17. Mạch khuếch đại BJT cấu hình B b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ,
chung tần số thấp
c) Tính Ai, Zi, Zo

Giải
a) Xác định điểm phân cực tĩnh và chế độ hoạt động của mạch khếch đại
𝑅1 𝑅2
Ta có: 𝑅𝐵 = = 1.6𝐾𝛺 (26)
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 𝑉𝐶𝐶 2𝐾×10
𝑉𝐵𝐵 = = = 2𝑉 (27)
𝑅1 +𝑅2 2𝐾+8𝐾
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 2−0.7
𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐵 = 1.6𝐾 = 2.52𝑚𝐴 (28)
+𝑅𝑖 +0.5𝐾
𝛽 100

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝑖 ) = 10 − 2.52𝑚(2𝐾 + 0.5𝐾) = 3.7 𝑉 (29)

Ta thấy VCEQ = 3.7V > 0.2V, vậy mạch hoạt động ở chế độ khuếch đại.

b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp.

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 12

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT

Hình 2. 18. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ Hình 2. 19. Mạch tương đương áp dụng tính chất
tần số thấp bắc cầu cho nguồn dòng 𝛽𝑖𝑏

Hình 2. 20. Mạch tương đương cho đoạn Hình 2. 21. Mạch tương đương rút gọn
mạch EB
25𝑚𝑉 25𝑚
Trong đó, ℎ𝑖𝑏 = = = 10𝛺
𝐼𝐶𝑄 (𝑚𝐴) 2.52𝑚

c) Tính Av, Zi, Zo

𝑣𝐿 𝑣𝐿 𝛽𝑖𝑏 𝑖𝑒 1
Ta có, 𝐴𝑣 = = × × = −𝑅𝐿 //𝑅𝐶 × 1 × − ≈2 (30)
𝑣 𝛽𝑖𝑏 𝑖𝑒 𝑣𝑖 𝑅𝑖 +ℎ𝑖𝑏

𝑍𝑖 = ℎ𝑖𝑏 = 10𝛺 (31)

𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 2𝐾𝛺 (32)

2.3.4. Mạch khuếch đại BJT cấu hình phát theo E (Emitter Follower) hay còn được gọi là
cấu hình C chung

Cho mạch điện như Hình 2.22 bên, với: Ri

=0.5KΩ, RB = 2KΩ, RL = 0.5KΩ, β = 100 và
VCC = 5V. Tụ Cb có giá trị bypass.
a) Xác định điểm phân cực tĩnh và chế
độ hoạt động của mạch khếch đại.
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ,
tần số thấp
c) Tính Ai, Zi, Zo
Hình 2. 22. Mạch KĐ cấu hình C chung

Giải

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 13

Chương 2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng BJT
a) Xác định điểm phân cực tĩnh và chế độ hoạt động của mạch khếch đại
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 5−0.7
Ta có: 𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐵 = 2𝐾 = 8.2𝑚𝐴 (33)
+𝑅𝐿 +0.5𝐾
𝛽 100

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐿 ) = 5 − 8.2𝑚(0.5𝐾) = 5 − 4.1 = 0.9 𝑉 (29)

Ta thấy VCEQ = 0.9V > 0.2V, vậy mạch hoạt động ở chế độ khuếch đại.

b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp.

Hình 2. 23. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ Hình 2. 24. Mạch tương đương áp dụng biến đổi
tần số thấp Thevenin

𝛽25𝑚𝑉 100×25𝑚
Trong đó, ℎ𝑖𝑒 = = = 304𝛺 (30)
𝐼𝐶𝑄 (𝑚𝐴) 8.2𝑚

c) Tính Av, Zi, Zo

𝑣𝐿 ((𝛽+1)𝑅𝐿 +ℎ𝑖𝑒 )//𝑅𝐵 𝑅𝐵
Ta có, 𝐴𝑣 = = [((𝛽+1)𝑅 ≈ = 0.8 (31)
𝑣𝑖 𝐿 +ℎ𝑖𝑒 )//𝑅𝐵 ]+𝑅𝑖 𝑅𝐵 +𝑅𝑖

Từ Hình 2.24, ta có: 𝑍𝑖 = ((𝛽 + 1)𝑅𝐿 + ℎ𝑖𝑒 )//𝑅𝐵 ≈ 1.9𝐾𝛺 (32)
Để tìm Zo, ta ngắt mạch nguồn áp ngõ vào, cắt tải RL ra và đặt vào đó nguồn áp U. Mạch
tương đương nhìn từ tải ngõ ra được vẽ lại như Hình 2.25.

𝑈 −𝑖𝑏 (𝑅𝑖 //𝑅𝐵 +ℎ𝑖𝑒 ) 𝑅𝑖 //𝑅𝐵 +ℎ𝑖𝑒

Ta có, 𝑍𝑜 = = = (33)
𝐼 −(𝛽+1)𝑖𝑏 𝛽+1

𝑍𝑜 ≈ 7𝛺

Hình 2. 25. Mạch tương đương nhìn

từ ngõ ra

2.3.5. Bài tập về nhà: Bài 4.7, 4.8, 4.12, và 4.23.

Biên soạn: TS. Bùi Thu Cao 14