You are on page 1of 19

Chương 2.

Mạch khuếch đại cộng hưởng

Chương 2. MẠCH KHUẾCH ĐẠI CỘNG HƯỞNG

Mục tiêu:
- Nắm biết được nguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại cộng hưởng.
- Nắm biết được cách phân tích, tính toán và vẽ được biểu đồ Bode cho đáp ứng tần
số thấp của mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT và eMosFET.
- Thiết kế được một mạch khuếch đại cộng hưởng chọn lọc tần số cho mạch thu RF

Yêu cầu:
- Phần mềm mô phỏng mạch điện tử MULTISIM

Nội dung Trang

Chương 2. MẠCH KHUẾCH ĐẠI CỘNG HƯỞNG ....................................................1

2.1. Nguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại cộng hưởng .......................................2

2.2. Khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại cộng hưởng đơn ...........................3

2.3. Khảo sát đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp ......9

2.4. Câu hỏi ôn tập.......................................................................................................13

2.5. Bài tập về khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại ....................................14

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 1


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
2.1. Nguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại cộng hưởng
Về bản chất, mạch khuếch đại cộng hưởng là một mạch ghép giữa khung giao động cộng
hưởng LC và mạch khuếch đại tần số cao tín hiện nhỏ thông thường, như Hình 2.1.

Hình 2. 1. Minh họa mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT

Nguyên lý hoạt động như sau:

• Khi tần số của tín hiệu thu không bằng tần số của khung giao động LC, thì tín hiệu
ngõ ra của khung giao động rất bé, dẫn đến tín hiệu ngõ ra của mạch khuếch đại
cũng rất bé. Ta xem như trường hợp này, không có tín hiệu thu.

• Khi tần số của tín hiệu thu đúng bằng tần số của khung giao động LC, thì tín hiệu
ngõ ra của khung giao động rất lớn, dẫn đến tín hiệu ngõ ra của mạch khuếch đại
cũng rất lớn. Ta xem như trường hợp này, có tín hiệu thu. Tần số cộng hưởng:
1
𝑓0 = (2. 1)
2𝜋√𝐿𝐶

• Cuộn dây L trên thực tế cuộn dây L có lõi không khí, thường cho bán kính vòng
dây, số vòng quấn và chiều dài cuộn dây, ta phải tính ra giá trị cảm kháng như sau:
𝑟 2 𝑛2
𝐿= (2. 2)
22.9𝑙+25.4𝑟

Trong đó r là bán kính của vòng dây với đơn vị cm, n là số vòng dây quấn, l
là chiều dài vòng dây với đơn vị cm. Giá trị L đơn tính theo đơn vị 𝜇𝐻.
Do đặc tích của dây quấn luôn có điện trở tổn hao, nên ta có thể tượng đương
hóa cuôn dây gồm cuộn dây L nối tiếp với điện trở nội 𝑟𝑐 . Ta có thể có dạng
biến đổi tương đương cuộn L song song với 𝑅𝑝 , với:

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 2


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
(𝑤𝐿)2
𝑅𝑝 = = 𝑤𝐿𝑄𝑐 = 𝑟𝑐 𝑄𝑐2 (2. 3)
𝑟𝑐

Với 𝑄𝑐 được gọi là hệ số chất lượng của cuộn dây,


𝜔𝐿
𝑄𝑐 = (2. 4)
𝑟𝑐

Ứng dụng thực tế:

• Làm mạch chọn lọc tần số sóng mang trong các thiết bị thu vô tuyến.

• Làm mạch tạo dao động và phát vô tuyến.

2.2. Khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại cộng hưởng đơn

2.2.1. Mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT

Cho mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT như Hình 2.1. Biết Transistor có β = 155, fT
= 600MHz, L = 0.5𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 100𝑝𝐹, Ccb = 2pF, ri = 50Ω, R1 = 6.8kΩ, R2 = 33kΩ, RE =
100Ω, RC = 1K Ω, RL = 1.5kΩ, VCC = +12V. Vì ta khảo sát mạch ở tần số cao nên các tụ
Cb, Cc và Ce xem như bypass ở tần số làm việc.

a) Tính phân cực DC


𝑅1 𝑅2
Ta có 𝑅𝐵 = = 5.64 𝐾Ω
𝑅1 +𝑅2

𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉 = 2.05𝑉
𝑅1 +𝑅2 𝐶𝐶

Giải sử mạch hoạt động ở chế độ khuếch đại,


𝐼𝐸
Ta có: 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅𝐵 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝛽

𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 = 𝑅𝐵
+𝑅𝐸
𝛽

𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐵 = 10.0 𝑚𝐴
+𝑅𝐸
𝛽

 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 1.1 𝑉 > 0.2𝑉

Vậy mạch hoạt dộng ở chế độ khuếch đại, với điểm phân cực Q (10.0mA, 1.1V).

b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 3


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng

Hình 2. 2. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao của mạch

Trong đó:
𝑅𝑏𝑒 = 𝑅1 //𝑅2 //ℎ𝑖𝑒 = 366Ω (2. 5)
𝛽
𝑔𝑚 = = 0.4 (2. 6)
ℎ𝑖𝑒

𝑅𝐿∗ = 𝑅𝐿 //𝑅𝐶 (2. 7)


𝐶𝑀 = (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ )𝐶𝑏𝑐 = 477𝑝𝐹 (2. 8)
𝑔𝑚
𝐶𝑏𝑒 = = 105𝑝𝐹 (2. 9)
2𝜋𝑓𝑇

Đặt C = 𝐶𝑏𝑒 + 𝐶𝑀 = 582𝑝𝐹 (2. 10)

Tiếp tục biến đổi tương đương, ta được:

Hình 2. 3. Mạch tương đương rút gọn



Với: 𝑅𝑏𝑒 = 𝑟𝑖 //𝑅𝑝 //𝑅𝑏𝑒 = 43.3𝛺

𝑅𝑝 là điện trở qui đổi tương đương mắc song song với cuộn dây,
(𝑤𝐿)2
𝑅𝑝 = = 𝑤𝐿𝑄𝑐 = 𝑟𝑐 𝑄𝑐2 = 2.7kΩ (2. 11)
𝑟𝑐

Với 𝑟𝑐 là nội trở thuần của cuộn dây và 𝑄𝑐 là hệ số phẩm chất của cuộn dây.
Thông thường 𝑄𝑐 =100.
𝐶 ∗ = 𝐶 + 𝐶 ′ = 682𝑝𝐹 (2. 12)

c) Thiết lập biểu thức hàm truyền Av của mạch

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 4


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
𝑣𝑖
𝑣𝐿 𝑣𝐿 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒 𝑟𝑖
𝐴𝑣 = = ∙ ∙ 𝑣𝑖 ∙ (2. 13)
𝑣𝑖 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑖
𝑟𝑖

1 1
= −𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ 1 1 ∙
+𝑗𝑤(𝐶+𝐶 , )+𝑗𝑤𝐿 𝑟𝑖
𝑅∗𝑏𝑒


𝑅𝑏𝑒 1
= −𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ 𝑅∗
𝑟𝑖 ∗ − 𝑏𝑒 )
1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝑤𝐿

𝑅𝑏𝑒 1
|𝐴𝑣 | = 𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ (2. 14)
𝑟𝑖 𝑅∗
2
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅 ∗ − 𝑏𝑒 )
𝑏𝑒 𝑤𝐿


𝑅𝑏𝑒
𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥_𝑑𝐵 = 𝐴𝑜𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 (𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ ) = 46.3dB (2. 15)
𝑟𝑖

Tần số cắt của mạch khuếch đại tại điểm w sao cho,
𝐴 1 𝐴
| 𝑣| = tương ứng với | 𝑣 | = 3𝑑𝐵.
𝐴𝑜 √2 𝐴𝑜 𝑑𝐵

1 1
 𝑅∗𝑏𝑒
= (2. 16)
∗ − √2
|1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝑤𝐿
)|

1 1
 =
𝑅∗𝑏𝑒
2 √2

√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − )
𝑤𝐿

∗ 2
∗ 𝑅𝑏𝑒
(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − ) =1 (2. 17)
𝑤𝐿

Vậy ta có thể tính tần số cắt của hàm truyền biên độ bằng cách giải pt (2.15), tìm nghiệm
w như sau:
𝑤1 𝑤
𝑤𝐻 =
2
(√1 + 4 𝑤2 + 1) (2. 18)
1

𝑤1 𝑤2
𝑤𝐿 = (√1 + 4 − 1) (2. 19)
2 𝑤1


1 𝑅𝑏𝑒
Với 𝑤1 = ∗ = 33.8𝑀𝑟𝑎𝑑/𝑠 và 𝑤2 = = 86.6𝑀𝑟𝑎𝑑/𝑠
𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝐿

𝑓𝐿 = 6.3MHz, 𝑓𝐻 = 11.7MHz

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 5


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
Vậy ta có băng thông của hàm truyền mạch khuếch đại là:
1
BW = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿 = ∗ = 5.4MHz (2. 20)
2𝜋𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒

Mạch cộng hưởng tại tần số w, sao cho |𝐴𝑣 |𝑚𝑎𝑥 , tức là:

∗ 𝑅𝑏𝑒
𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − =0
𝑤𝐿
1
𝑓0 = = 8.61MHz (2. 21)
2𝜋√𝐿𝐶 ∗

d) Vẽ biểu đồ Bode cho biên độ của hàm truyền độ lợi áp


Biểu đồ Bode của hàm truyền biên độ của pt (2.14) có dạng như Hình 2.4. Tại các
điểm 𝑓𝐿 và 𝑓𝐻 , giá trị 𝐴𝑣𝑑𝐵 = 𝐴0𝑑𝐵 − 3𝑑𝐵

Hình 2. 4. Biểu đồ Bode cho đáp tuyến hàm truyền độ lợi áp

Hình 2. 5. Kết quả mô phỏng mạch khuếch đại ghép biến áp trên MULTISIM

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 6


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
Kết quả mô phỏng trên MULTISIM cho thấy có chút sai lệch so với lý thuyết. 𝑓0 =
9.8𝑀𝐻𝑧, 𝑓𝐿 = 5.6𝑀𝐻𝑧 và 𝑓𝐻 = 16.3𝑀𝐻𝑧. Điều này là hiển nhiên, vì trong khi phân tích
mạch ta dùng phương trình mô tả đơn giản cho linh kiện BJT. Trên thực tế mô phỏng trong
MULTISIM thì dùng các hàm mô tả BJT gần với đặc tính thực tế của vật liệu.

2.2.2. Mạch khuếch đại cộng hưởng dùng FET

Phân tích đáp ứng tần số cao cho mạch khuếch đại như hình dưới. Biết mạch có Ri = 50Ω,
L = 0.5uH, C’ = 1nF, R1 = R2 = 1MΩ, Rs = 1kΩ, RL = 1.5kΩ, RD = 1kΩ. eMosFET
được phân cực tại g_m=0.0005 (1/ohm), rds = 120kΩ, Cgd = 0.69pF, Cgs = 2.1pF. Các tụ
CG, CD và CS xem như nối tắt (bypass) ở tần số làm việc.

Hình 2. 6. Mạch khuếch đại FET cấu hình CS

a) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 7


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng

Hình 2. 7. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao

𝑅𝑝 = 𝑤𝐿𝑄𝑐 = 2.23kΩ (2. 22)

𝑅𝐺∗ = 𝑟𝑖 //𝑅𝑝 //𝑅𝐺 = 50Ω (2. 23)

𝑅𝐿∗ = 𝑟𝑑𝑠 //𝑅𝐷 //𝑅𝐿 = 597𝛺 (2. 24)


𝐶𝑀 = (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ )𝐶𝑔𝑑 = 0.9𝑝𝐹 (2. 25)

𝐶 ∗ = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑀 + 𝐶′ = 1003𝑝𝐹 (2. 26)

Hình 2. 8. Mạch tương đương rút gọn

Tương tự như mạch khuếch đại BJT, ta có biểu thức hàm truyền độ lợi áp là,

𝑅𝐺 1
𝐴𝑣 = −𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ 𝑅∗𝐺
(2. 27)
𝑟𝑖 ∗ −
1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝐺 )
𝑤𝐿


𝑅𝐺 1
|𝐴𝑣 | = 𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ (2. 28)
𝑟𝑖 2
𝑅∗𝐺
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅 ∗ − )
𝐺 𝑤𝐿


𝑅𝐺
𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑜 = 𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ = -10.7dB (2. 29)
𝑟𝑖

Tần số cắt của mạch khuếch đại tại điểm w sao cho,
𝐴 1 𝐴
| 𝑣| = tương ứng với, | 𝑣 | = 3𝑑𝐵 (2. 30)
𝐴𝑜 √2 𝐴𝑜 𝑑𝐵

Vậy ta có thể tính tần số cắt của hàm truyền biên độ bằng cách giải pt (2.15), tìm nghiệm
w như sau:

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 8


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
𝑤1 𝑤1
𝑤𝐻 = (√1 + 4 + 1) => 𝑓𝐻 = 8.9MHz
2 𝑤2

𝑤1 𝑤
𝑤𝐿 = 2
(√1 + 4 𝑤1 − 1) => 𝑓𝐿 = 5.67MHz
2


1 𝑅𝐺
Với 𝑤1 = ∗ và 𝑤2 =
𝐶 ∗ 𝑅𝐺 𝐿

Vậy ta có băng thông của hàm truyền mạch khuếch đại là:
1
BW = 𝑤𝐻 − 𝑤𝐿 = ∗ = 3.2MHz
2𝜋𝐶 ∗ 𝑅𝐺

Mạch cộng hưởng tại tần số w, sao cho:



𝑅𝐺 1
𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝐺∗ − = 0 => 𝑓0 = =7.1MHz
𝑤𝐿 2𝜋√𝐿𝐶 ∗

e) Vẽ biểu đồ Bode cho biên độ của hàm truyền độ lợi áp


Biểu đồ Bode của hàm truyền biên độ của pt (2.38) có dạng như Hình 2.9. Tại các
điểm 𝑓𝐿 và 𝑓𝐻 , giá trị 𝐴𝑣𝑑𝐵 = 𝐴0𝑑𝐵 − 3𝑑𝐵

Hình 2. 9. Biểu đồ Bode cho đáp tuyến hàm truyền độ lợi áp

2.3. Khảo sát đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp

Hình 2. 10. Mạch khuếch đại BJT ghép biến áp

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 9


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
Để tăng giá trị hệ số khuếch đại của mạch, người ta ghép biến áp với tỷ lệ số vòng dây
quấn cuộn thứ cấp lớn hơn cuộn sơ cấp. Cuộn dây có giá trị điện cảm là L.

Kết hợp với lý thuyết Miller, mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao của mạch khuếch
đại dùng BJT cấu hình E chung được đơn giản hóa thành sơ đồ như Hình 2.10.

Hình 2. 11. Mạch tương đương dùng tụ Miller

Do biến áp cũng có giá trị điện cảm, nên ta tương đương hóa biến áp như Hình 2.11, gồm
cuộn dây mắc song song với điện trở qui đổi và biến áp lý tưởng.

Hình 2. 12. Mạch tương đương khai triển biến áp

Trong đó:
𝑅𝑏𝑒 = 𝑅1 //𝑅2 //ℎ𝑖𝑒 (2. 31)
𝛽 𝑔𝑚
𝑔𝑚 = , 𝑅𝐿∗ = 𝑅𝐿 //𝑅𝐶 , 𝐶𝑀 = (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ )𝐶𝑏𝑐 , 𝐶𝑏𝑒 =
ℎ𝑖𝑒 2𝜋𝑓𝑇

Đặt C = 𝐶𝑏𝑒 + 𝐶𝑀 (2. 32)

a) b)
Hình 2. 13. Đoạn mạch cần rút gọn

Mặt khác, xét đoạn mạch như Hình 2.11 a), ta có:

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 10


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
𝑢1 𝑖2 𝑛2
= = (2. 33)
𝑢2 𝑖1 𝑛1

𝑛2
Đặt 𝛼 = , ta có Ztđ của đoạn mạch a) là:
𝑛1
𝑢1 𝑢2
𝑍𝑡𝑑 = = (2. 34)
𝑖1 𝛼2 𝑖2

Do đoạn mạch Hình 2.11 a) không có nguồn độc lập, nên có thể tương đương hóa nó với
một đoạn mạch như Hình 2.11 b). Thay thế mạch tương đương Hình 2.12 vào mạch tương
đương Hình 2.11, ta được kết quả mạch tương đương thay thế biến áp như Hình 2.13,

Hình 2. 14. Mạch tương đương thay thế biến áp

Cuối cùng ghép các thành phần cùng đặc tính trong mạch Hình 2.13, ta được mạch tương
đương tối giản sau:

Hình 2. 15. Mạch tương đương tối giản


∗ 𝑅𝑏𝑒
Với: 𝑅𝑏𝑒 = 𝑟𝑖 //𝑅𝑝 // (2. 35)
𝛼2

𝐶 ∗ = 𝛼2𝐶 + 𝐶 ′ (2. 36)

Thiết lập biểu thức hàm truyền Av của mạch


𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑖
𝑣𝐿 𝑣𝐿 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝛼 𝑟𝑖
𝐴𝑣 = = ∙ 𝑣𝑏𝑒 ∙ 𝑣𝑖 ∙ (2. 37)
𝑣𝑖 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑖
𝛼 𝑟𝑖

1 1
= −𝛼𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ 1 1 ∙ (2. 38)
+𝑗𝑤(𝐶+𝐶 , )+𝑗𝑤𝐿 𝑟𝑖
𝑅∗𝑏𝑒

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 11


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng

𝑅𝑏𝑒 1
= −𝛼𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ ∙ 𝑅∗𝑏𝑒
(2. 39)
𝑟𝑖 ∗
1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − )
𝑤𝐿


𝑅𝑏𝑒 1
|𝐴𝑣 | = 𝛼𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ ∙ (2. 40)
𝑟𝑖 2
𝑅∗𝑏𝑒
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅 ∗ − )
𝑏𝑒 𝑤𝐿

Cách vẽ biểu đồ Bode, tính tần số cắt dưới, cắt trên và băng thông cũng giống như trong
phần 2.2.1, ta có:

𝑅𝑏𝑒
𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑜 = 𝛼𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ (2. 41)
𝑟𝑖

Tần số cắt của mạch khuếch đại tại điểm w sao cho,
𝐴 1 𝐴
| 𝑣| = tương ứng với | 𝑣 | = 3𝑑𝐵.
𝐴𝑜 √2 𝐴𝑜 𝑑𝐵
1 1
 ∗ = (2. 42)
∗ − 𝑅𝑏𝑒 )|
|1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 √2
𝑤𝐿

1 1
 =
𝑅∗𝑏𝑒
2 √2
∗ −
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 )
𝑤𝐿

∗ 2
𝑅𝑏𝑒
(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒


𝑤𝐿
) =1 (2. 43)

Vậy ta có thể tính tần số cắt của hàm truyền biên độ bằng cách giải pt (2.43), tìm nghiệm
w như sau:
𝑤1 𝑤2
𝑤𝐻 = (√1 + 4 + 1) (2. 44)
2 𝑤1

𝑤1 𝑤2
𝑤𝐿 = (√1 + 4 − 1) (2. 45)
2 𝑤1


1 𝑅𝑏𝑒
Với 𝑤1 = ∗ và 𝑤2 = (2. 46)
𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝐿

Vậy ta có băng thông của hàm truyền mạch khuếch đại là:
1
BW = 𝑤𝐻 − 𝑤𝐿 = ∗ (2. 47)
2𝜋𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒

Mạch cộng hưởng tại tần số w, sao cho:



∗ 𝑅𝑏𝑒
𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − =0 (2. 48)
𝑤𝐿
1
𝑓0 = (2. 49)
2𝜋√𝐿𝐶 ∗

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 12


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
Vẽ biểu đồ Bode cho biên độ của hàm truyền độ lợi áp
Biểu đồ Bode của hàm truyền biên độ của pt (2.56) có dạng như Hình 2.16. Tại các
điểm 𝑓𝐿 và 𝑓𝐻 , giá trị 𝐴𝑣𝑑𝐵 = 𝐴0𝑑𝐵 − 3𝑑𝐵

Hình 2. 16. Biểu đồ Bode cho đáp tuyến hàm truyền độ lợi áp

2.4. Câu hỏi ôn tập


1) Trình bày nguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại cộng hưởng.
2) Trình bày phương pháp thiết kế mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT/FET.
3) Trình bày cách chọn lựa các tụ ghép ngõ vào/ra cho mạch khuếch đại cao tần.
4) Trình bày phương pháp thiết kế mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp dùng
BJT/FET.
5) Hãy so sánh ưu điểm của mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp với mạch
khuếch đại cộng hưởng đơn.

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 13


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
2.5. Bài tập về khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại ghép biến áp
Bài 2.1.

Hình bài 2. 1.
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.1. Biết Transistor có fT = 600MHz, L =
0.33𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 100𝑝𝐹, Ccb = 2pF, Ri = 50Ω, R1 = 1.5kΩ, R2 = 3.5kΩ, RE = 300Ω, RC = RL
= 1kΩ, β = 120, VCC = +5V. Các tụ Cb, Cc, Ce được xem như bypass ở tần số làm việc.
Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp

Bài 2.2.

Hình bài 2. 2

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 14


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
Phân tích đáp ứng tín hiệu nhỏ, tần số cao cho mạch khuếch đại như Hình bài 2.2. Biết
Transistor có fT = 500MHz, L = 0.1𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 150𝑝𝐹, Ccb = 1.2pF, Ri = 50Ω, R1 = 3kΩ,
R2 = 7kΩ, RE = 300Ω, RC = RL = 1kΩ, β = 120, VCC = +5V. Các tụ Cb, Cc, Ce được xem
như bypass ở tần số làm việc.
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp

Bài 2.3.

Hình bài 2. 3

Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.3. Biết Transistor có fT = 300MHz, L =
0.5𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 150𝑝𝐹, Ccb = 2.3pF, 𝑛2 = 3𝑛1 , Ri = 50Ω, R1 = 1.5kΩ, R2 = 3.5kΩ, RE =
300Ω, RC = RL = 1kΩ, β = 120, VCC = +5V. Các tụ Cb, Cc, Ce được xem như bypass ở tần
số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp

Bài 2.4.
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.4. Biết Transistor có fT = 500MHz, L =
0.2𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 100𝑝𝐹, Ccb = 3.2pF, 𝑛2 = 3𝑛1 , Ri = 50Ω, R1 = 4.5kΩ, R2 = 10.5kΩ, RE =
200Ω, RC = RL = 1kΩ, β = 120, VCC = +5V. Các tụ Cb, Cc, Ce được xem như bypass ở tần
số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 15


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp

Hình bài 2. 4

Bài 2.5.

Hình bài 2. 5.

Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.1. Biết Transistor eMosFET được phân
cực tại gm=0.005 (1/ohm), rds = 120kΩ, Cgd = 2pF, Cgs = 12pF, Ri = 10Ω, L = 0.5𝜇𝐻, C’
= 150pF, R1 = 1.5kΩ, R2 = 3.5kΩ, Rs = 200Ω, RD = RL = 500Ω, VDD = +5V. Các tụ CG,
CD, CS được xem như bypass ở tần số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với
các yêu cầu sau:
e) Tính phân cực DC
f) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
g) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
h) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 16


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
Bài 2.6.

Hình bài 2. 6
Phân tích đáp ứng tín hiệu nhỏ, tần số cao cho mạch khuếch đại như Hình bài 2.2. Biết
Transistor eMosFET được phân cực tại gm=0.003 (1/ohm), rds = 120kΩ, Cgd = 1.2pF, Cgs
= 2.5pF, Ri = 10Ω, R1 = 33kΩ, R2 = 33kΩ, RE = 200Ω, RD = RL = 1kΩ, VDD = +5V. Các
tụ CG, CD, CS được xem như bypass ở tần số làm việc.
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp

Bài 2.7.

Hình bài 2. 7

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 17


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.3. Biết Transistor eMosFET được phân
cực tại gm=0.005 (1/ohm), rds = 200kΩ, Cgd = 1.2pF, Cgs = 3.2pF, 𝑛2 = 3𝑛1 , Ri = 10Ω,
R1 = 3.2kΩ, R2 = 6.8kΩ, RS = 200Ω, RD = RL = 1.5kΩ. Các tụ CG, CD, CS được xem như
bypass ở tần số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp.

Bài 2.8.
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.4. Biết Transistor eMosFET được phân
cực tại gm=0.005 (1/ohm), rds = 200kΩ, Cgd = 1.2pF, Cgs = 3.2pF, 𝑛2 = 3𝑛1 , Ri = 10Ω,
R1 = 20kΩ, R2 = 20kΩ, RS = 200Ω, RD = RL = 2kΩ. Các tụ CG, CD, CS được xem như
bypass ở tần số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp

Hình bài 2. 8

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 18


Chương 2. Mạch khuếch đại cộng hưởng

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Lê Tiến Thường, "Mạch Điện Tử 2", Nhà xuất bản Đại Học Quốc Gia TP. Hồ Chí Minh 2004.

[2] Hướng dẫn sử dụng Multisim:


Https://knowledge.ni.com/KnowledgeArticleDetails?id=kA03q000000YH7MCAW&l=en-US.

[3] Datasheet của transistor BJT 2SC1815:

Https://www.mouser.com/datasheet/2/68/2sc1815-1149989.pdf.

[4] Datasheet của transistor eMosFET IRF510:

Https://www.vishay.com/docs/91015/sihf510.pdf

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 19

You might also like