Professional Documents
Culture Documents
Mục tiêu:
- Nắm biết được nguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại cộng hưởng.
- Nắm biết được cách phân tích, tính toán và vẽ được biểu đồ Bode cho đáp ứng tần
số thấp của mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT và eMosFET.
- Thiết kế được một mạch khuếch đại cộng hưởng chọn lọc tần số cho mạch thu RF
Yêu cầu:
- Phần mềm mô phỏng mạch điện tử MULTISIM
2.1. Nguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại cộng hưởng .......................................2
2.2. Khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại cộng hưởng đơn ...........................3
2.3. Khảo sát đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp ......9
2.5. Bài tập về khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại ....................................14
Hình 2. 1. Minh họa mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT
• Khi tần số của tín hiệu thu không bằng tần số của khung giao động LC, thì tín hiệu
ngõ ra của khung giao động rất bé, dẫn đến tín hiệu ngõ ra của mạch khuếch đại
cũng rất bé. Ta xem như trường hợp này, không có tín hiệu thu.
• Khi tần số của tín hiệu thu đúng bằng tần số của khung giao động LC, thì tín hiệu
ngõ ra của khung giao động rất lớn, dẫn đến tín hiệu ngõ ra của mạch khuếch đại
cũng rất lớn. Ta xem như trường hợp này, có tín hiệu thu. Tần số cộng hưởng:
1
𝑓0 = (2. 1)
2𝜋√𝐿𝐶
• Cuộn dây L trên thực tế cuộn dây L có lõi không khí, thường cho bán kính vòng
dây, số vòng quấn và chiều dài cuộn dây, ta phải tính ra giá trị cảm kháng như sau:
𝑟 2 𝑛2
𝐿= (2. 2)
22.9𝑙+25.4𝑟
Trong đó r là bán kính của vòng dây với đơn vị cm, n là số vòng dây quấn, l
là chiều dài vòng dây với đơn vị cm. Giá trị L đơn tính theo đơn vị 𝜇𝐻.
Do đặc tích của dây quấn luôn có điện trở tổn hao, nên ta có thể tượng đương
hóa cuôn dây gồm cuộn dây L nối tiếp với điện trở nội 𝑟𝑐 . Ta có thể có dạng
biến đổi tương đương cuộn L song song với 𝑅𝑝 , với:
• Làm mạch chọn lọc tần số sóng mang trong các thiết bị thu vô tuyến.
2.2. Khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại cộng hưởng đơn
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng dùng BJT như Hình 2.1. Biết Transistor có β = 155, fT
= 600MHz, L = 0.5𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 100𝑝𝐹, Ccb = 2pF, ri = 50Ω, R1 = 6.8kΩ, R2 = 33kΩ, RE =
100Ω, RC = 1K Ω, RL = 1.5kΩ, VCC = +12V. Vì ta khảo sát mạch ở tần số cao nên các tụ
Cb, Cc và Ce xem như bypass ở tần số làm việc.
𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉 = 2.05𝑉
𝑅1 +𝑅2 𝐶𝐶
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 = 𝑅𝐵
+𝑅𝐸
𝛽
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐵 = 10.0 𝑚𝐴
+𝑅𝐸
𝛽
Vậy mạch hoạt dộng ở chế độ khuếch đại, với điểm phân cực Q (10.0mA, 1.1V).
b) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch
Hình 2. 2. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao của mạch
Trong đó:
𝑅𝑏𝑒 = 𝑅1 //𝑅2 //ℎ𝑖𝑒 = 366Ω (2. 5)
𝛽
𝑔𝑚 = = 0.4 (2. 6)
ℎ𝑖𝑒
𝑅𝑝 là điện trở qui đổi tương đương mắc song song với cuộn dây,
(𝑤𝐿)2
𝑅𝑝 = = 𝑤𝐿𝑄𝑐 = 𝑟𝑐 𝑄𝑐2 = 2.7kΩ (2. 11)
𝑟𝑐
Với 𝑟𝑐 là nội trở thuần của cuộn dây và 𝑄𝑐 là hệ số phẩm chất của cuộn dây.
Thông thường 𝑄𝑐 =100.
𝐶 ∗ = 𝐶 + 𝐶 ′ = 682𝑝𝐹 (2. 12)
1 1
= −𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ 1 1 ∙
+𝑗𝑤(𝐶+𝐶 , )+𝑗𝑤𝐿 𝑟𝑖
𝑅∗𝑏𝑒
∗
𝑅𝑏𝑒 1
= −𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ 𝑅∗
𝑟𝑖 ∗ − 𝑏𝑒 )
1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝑤𝐿
∗
𝑅𝑏𝑒 1
|𝐴𝑣 | = 𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ (2. 14)
𝑟𝑖 𝑅∗
2
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅 ∗ − 𝑏𝑒 )
𝑏𝑒 𝑤𝐿
∗
𝑅𝑏𝑒
𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥_𝑑𝐵 = 𝐴𝑜𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 (𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ ) = 46.3dB (2. 15)
𝑟𝑖
Tần số cắt của mạch khuếch đại tại điểm w sao cho,
𝐴 1 𝐴
| 𝑣| = tương ứng với | 𝑣 | = 3𝑑𝐵.
𝐴𝑜 √2 𝐴𝑜 𝑑𝐵
1 1
𝑅∗𝑏𝑒
= (2. 16)
∗ − √2
|1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝑤𝐿
)|
1 1
=
𝑅∗𝑏𝑒
2 √2
∗
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − )
𝑤𝐿
∗ 2
∗ 𝑅𝑏𝑒
(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − ) =1 (2. 17)
𝑤𝐿
Vậy ta có thể tính tần số cắt của hàm truyền biên độ bằng cách giải pt (2.15), tìm nghiệm
w như sau:
𝑤1 𝑤
𝑤𝐻 =
2
(√1 + 4 𝑤2 + 1) (2. 18)
1
𝑤1 𝑤2
𝑤𝐿 = (√1 + 4 − 1) (2. 19)
2 𝑤1
∗
1 𝑅𝑏𝑒
Với 𝑤1 = ∗ = 33.8𝑀𝑟𝑎𝑑/𝑠 và 𝑤2 = = 86.6𝑀𝑟𝑎𝑑/𝑠
𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝐿
𝑓𝐿 = 6.3MHz, 𝑓𝐻 = 11.7MHz
Mạch cộng hưởng tại tần số w, sao cho |𝐴𝑣 |𝑚𝑎𝑥 , tức là:
∗
∗ 𝑅𝑏𝑒
𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 − =0
𝑤𝐿
1
𝑓0 = = 8.61MHz (2. 21)
2𝜋√𝐿𝐶 ∗
Hình 2. 5. Kết quả mô phỏng mạch khuếch đại ghép biến áp trên MULTISIM
Phân tích đáp ứng tần số cao cho mạch khuếch đại như hình dưới. Biết mạch có Ri = 50Ω,
L = 0.5uH, C’ = 1nF, R1 = R2 = 1MΩ, Rs = 1kΩ, RL = 1.5kΩ, RD = 1kΩ. eMosFET
được phân cực tại g_m=0.0005 (1/ohm), rds = 120kΩ, Cgd = 0.69pF, Cgs = 2.1pF. Các tụ
CG, CD và CS xem như nối tắt (bypass) ở tần số làm việc.
a) Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao cho mạch
Tương tự như mạch khuếch đại BJT, ta có biểu thức hàm truyền độ lợi áp là,
∗
𝑅𝐺 1
𝐴𝑣 = −𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ 𝑅∗𝐺
(2. 27)
𝑟𝑖 ∗ −
1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝐺 )
𝑤𝐿
∗
𝑅𝐺 1
|𝐴𝑣 | = 𝑅𝐿∗ ∙ 𝑔𝑚 ∙ ∙ (2. 28)
𝑟𝑖 2
𝑅∗𝐺
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅 ∗ − )
𝐺 𝑤𝐿
∗
𝑅𝐺
𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑜 = 𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ = -10.7dB (2. 29)
𝑟𝑖
Tần số cắt của mạch khuếch đại tại điểm w sao cho,
𝐴 1 𝐴
| 𝑣| = tương ứng với, | 𝑣 | = 3𝑑𝐵 (2. 30)
𝐴𝑜 √2 𝐴𝑜 𝑑𝐵
Vậy ta có thể tính tần số cắt của hàm truyền biên độ bằng cách giải pt (2.15), tìm nghiệm
w như sau:
𝑤1 𝑤
𝑤𝐿 = 2
(√1 + 4 𝑤1 − 1) => 𝑓𝐿 = 5.67MHz
2
∗
1 𝑅𝐺
Với 𝑤1 = ∗ và 𝑤2 =
𝐶 ∗ 𝑅𝐺 𝐿
Vậy ta có băng thông của hàm truyền mạch khuếch đại là:
1
BW = 𝑤𝐻 − 𝑤𝐿 = ∗ = 3.2MHz
2𝜋𝐶 ∗ 𝑅𝐺
2.3. Khảo sát đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại cộng hưởng ghép biến áp
Kết hợp với lý thuyết Miller, mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao của mạch khuếch
đại dùng BJT cấu hình E chung được đơn giản hóa thành sơ đồ như Hình 2.10.
Do biến áp cũng có giá trị điện cảm, nên ta tương đương hóa biến áp như Hình 2.11, gồm
cuộn dây mắc song song với điện trở qui đổi và biến áp lý tưởng.
Trong đó:
𝑅𝑏𝑒 = 𝑅1 //𝑅2 //ℎ𝑖𝑒 (2. 31)
𝛽 𝑔𝑚
𝑔𝑚 = , 𝑅𝐿∗ = 𝑅𝐿 //𝑅𝐶 , 𝐶𝑀 = (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ )𝐶𝑏𝑐 , 𝐶𝑏𝑒 =
ℎ𝑖𝑒 2𝜋𝑓𝑇
a) b)
Hình 2. 13. Đoạn mạch cần rút gọn
Mặt khác, xét đoạn mạch như Hình 2.11 a), ta có:
𝑛2
Đặt 𝛼 = , ta có Ztđ của đoạn mạch a) là:
𝑛1
𝑢1 𝑢2
𝑍𝑡𝑑 = = (2. 34)
𝑖1 𝛼2 𝑖2
Do đoạn mạch Hình 2.11 a) không có nguồn độc lập, nên có thể tương đương hóa nó với
một đoạn mạch như Hình 2.11 b). Thay thế mạch tương đương Hình 2.12 vào mạch tương
đương Hình 2.11, ta được kết quả mạch tương đương thay thế biến áp như Hình 2.13,
Cuối cùng ghép các thành phần cùng đặc tính trong mạch Hình 2.13, ta được mạch tương
đương tối giản sau:
1 1
= −𝛼𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ 1 1 ∙ (2. 38)
+𝑗𝑤(𝐶+𝐶 , )+𝑗𝑤𝐿 𝑟𝑖
𝑅∗𝑏𝑒
∗
𝑅𝑏𝑒 1
|𝐴𝑣 | = 𝛼𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ ∙ (2. 40)
𝑟𝑖 2
𝑅∗𝑏𝑒
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅 ∗ − )
𝑏𝑒 𝑤𝐿
Cách vẽ biểu đồ Bode, tính tần số cắt dưới, cắt trên và băng thông cũng giống như trong
phần 2.2.1, ta có:
∗
𝑅𝑏𝑒
𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑜 = 𝛼𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ ∙ (2. 41)
𝑟𝑖
Tần số cắt của mạch khuếch đại tại điểm w sao cho,
𝐴 1 𝐴
| 𝑣| = tương ứng với | 𝑣 | = 3𝑑𝐵.
𝐴𝑜 √2 𝐴𝑜 𝑑𝐵
1 1
∗ = (2. 42)
∗ − 𝑅𝑏𝑒 )|
|1+𝑗(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 √2
𝑤𝐿
1 1
=
𝑅∗𝑏𝑒
2 √2
∗ −
√1+(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 )
𝑤𝐿
∗ 2
𝑅𝑏𝑒
(𝑤𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒
∗
−
𝑤𝐿
) =1 (2. 43)
Vậy ta có thể tính tần số cắt của hàm truyền biên độ bằng cách giải pt (2.43), tìm nghiệm
w như sau:
𝑤1 𝑤2
𝑤𝐻 = (√1 + 4 + 1) (2. 44)
2 𝑤1
𝑤1 𝑤2
𝑤𝐿 = (√1 + 4 − 1) (2. 45)
2 𝑤1
∗
1 𝑅𝑏𝑒
Với 𝑤1 = ∗ và 𝑤2 = (2. 46)
𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒 𝐿
Vậy ta có băng thông của hàm truyền mạch khuếch đại là:
1
BW = 𝑤𝐻 − 𝑤𝐿 = ∗ (2. 47)
2𝜋𝐶 ∗ 𝑅𝑏𝑒
Hình 2. 16. Biểu đồ Bode cho đáp tuyến hàm truyền độ lợi áp
Hình bài 2. 1.
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.1. Biết Transistor có fT = 600MHz, L =
0.33𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 100𝑝𝐹, Ccb = 2pF, Ri = 50Ω, R1 = 1.5kΩ, R2 = 3.5kΩ, RE = 300Ω, RC = RL
= 1kΩ, β = 120, VCC = +5V. Các tụ Cb, Cc, Ce được xem như bypass ở tần số làm việc.
Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp
Bài 2.2.
Hình bài 2. 2
Bài 2.3.
Hình bài 2. 3
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.3. Biết Transistor có fT = 300MHz, L =
0.5𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 150𝑝𝐹, Ccb = 2.3pF, 𝑛2 = 3𝑛1 , Ri = 50Ω, R1 = 1.5kΩ, R2 = 3.5kΩ, RE =
300Ω, RC = RL = 1kΩ, β = 120, VCC = +5V. Các tụ Cb, Cc, Ce được xem như bypass ở tần
số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp
Bài 2.4.
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.4. Biết Transistor có fT = 500MHz, L =
0.2𝜇𝐻, 𝐶 ′ = 100𝑝𝐹, Ccb = 3.2pF, 𝑛2 = 3𝑛1 , Ri = 50Ω, R1 = 4.5kΩ, R2 = 10.5kΩ, RE =
200Ω, RC = RL = 1kΩ, β = 120, VCC = +5V. Các tụ Cb, Cc, Ce được xem như bypass ở tần
số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
Hình bài 2. 4
Bài 2.5.
Hình bài 2. 5.
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.1. Biết Transistor eMosFET được phân
cực tại gm=0.005 (1/ohm), rds = 120kΩ, Cgd = 2pF, Cgs = 12pF, Ri = 10Ω, L = 0.5𝜇𝐻, C’
= 150pF, R1 = 1.5kΩ, R2 = 3.5kΩ, Rs = 200Ω, RD = RL = 500Ω, VDD = +5V. Các tụ CG,
CD, CS được xem như bypass ở tần số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với
các yêu cầu sau:
e) Tính phân cực DC
f) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
g) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
h) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp
Hình bài 2. 6
Phân tích đáp ứng tín hiệu nhỏ, tần số cao cho mạch khuếch đại như Hình bài 2.2. Biết
Transistor eMosFET được phân cực tại gm=0.003 (1/ohm), rds = 120kΩ, Cgd = 1.2pF, Cgs
= 2.5pF, Ri = 10Ω, R1 = 33kΩ, R2 = 33kΩ, RE = 200Ω, RD = RL = 1kΩ, VDD = +5V. Các
tụ CG, CD, CS được xem như bypass ở tần số làm việc.
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp
Bài 2.7.
Hình bài 2. 7
Bài 2.8.
Cho mạch khuếch đại cộng hưởng như Hình bài 2.4. Biết Transistor eMosFET được phân
cực tại gm=0.005 (1/ohm), rds = 200kΩ, Cgd = 1.2pF, Cgs = 3.2pF, 𝑛2 = 3𝑛1 , Ri = 10Ω,
R1 = 20kΩ, R2 = 20kΩ, RS = 200Ω, RD = RL = 2kΩ. Các tụ CG, CD, CS được xem như
bypass ở tần số làm việc. Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tần số cao với các yêu cầu sau:
a) Tính phân cực DC
b) Vẽ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
c) Xác định biểu thức hàm truyền độ lợi áp
d) Vẽ biểu đồ Bode cho độ lợi áp
Hình bài 2. 8
[1] Lê Tiến Thường, "Mạch Điện Tử 2", Nhà xuất bản Đại Học Quốc Gia TP. Hồ Chí Minh 2004.
Https://www.mouser.com/datasheet/2/68/2sc1815-1149989.pdf.
Https://www.vishay.com/docs/91015/sihf510.pdf