ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

TRƯỜNG ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

BÁO CÁO THỰC TẬP KỸ

THUẬT CÔNG TY EVSE LAB

THIẾT KẾ BỘ LỌC LCL CHO BỘ BIẾN ĐỔI

INTERLEAVED BOOST PFC

Sinh viên thực hiện: Nguyễn Anh Quốc

MSSV: 20200512
Giảng viên hướng dẫn: TS. NGUYỄN DUY ĐỈNH

Hà Nội, 12-2023
2
 MỤC LỤC
CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ CÔNG TY ............................................................ 5

1.1 Tổng quan về công ty .................................................................................... 5

1.2 Hướng nghiên cứu chính ............................................................................... 5

1.3 Mục tiêu của công ty ..................................................................................... 5

CHƯƠNG 2: NHIỆM VỤ VÀ HOẠT ĐỘNG THỰC TẬP KỸ THUẬT CỦA CÁ

NHÂN ................................................................................................................... 6

2.1 Nguyên nhân dẫn đến cần sử dụng bộ lọc trong các bộ biến đổi.................... 6

2.2 Tổng quan về các bộ lọc thụ động. ................................................................ 6

2.2.1 Bộ lọc thông thấp bậc 1........................................................................... 6

2.2.2 Bộ lọc thông thấp bậc 2........................................................................... 7

2.2.3 Bộ lọc thông thấp bậc 3..........................................................................10

2.2.4. Cấu trúc Damping LCL .........................................................................13

2.3 Quy trình thiết kế bộ lọc Damping LCL. ......................................................15

2.4 Tính toán thiết kế bộ lọc Damping LCL cho Interleaved Boost PFC. ...........16

2.5 Thiết kế cuộn cảm cho bộ lọc và lựa chọn tụ điện. .......................................17

2.5.1 Thiết kế cuộn cảm. .................................................................................17

2.5.2 Lựa chọn tụ điện lọc...............................................................................20

2.6 Mô phỏng bộ lọc trên phần mềm PSIM. .......................................................20

NHẬN XÉT CỦA ĐƠN VỊ THỰC TẬP ..............................................................22

ĐÁNH GIÁ CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN .................................................23

3
 Lời nói đầu
Trong những năm đầu học trên giảng đường đại học sinh viên được trang bị
đầy đủ các kiến thức về lí thuyết về những lĩnh vực chính mà chính bản thân đam
mê lựa chọn. Học phải luôn đi đôi với hành, để có một cái nhìn thực tế hơn giữa lí
thuyết và thực nghiệm, để củng cố lại những kiến thức và suy đoán, trường Đại học
Bách Khoa Hà Nội đã tổ chức các đợt thực tập kỹ thuật cho sinh viên, khoảng thời
gian này rất quan trọng đối với sinh viên, bởi vì giữa lí thuyết và thực hành vẫn còn
là một khoảng cách rất lớn, nắm rõ lí thuyết còn phải nắm rõ cả những vấn đề xẩy ra
khi thực nghiệm, biết cách xử lí tình huống, sử dụng các thiết bị đo, bảo vệ…Tất cả
lí thuyết sẽ đều trở nên vô dụng nếu như không được kiểm nghiệm, kiểm chứng,
thực hiện trong hệ thống thực.
Trong khoảng thời gian thực tập em đã học hỏi được rất nhiều điều, nhìn thấy
được thiếu sót của bản thân, thấy được sự quan trọng của thực nghiệm dưới sự hướng
dẫn tận tình của tiến sĩ Nguyễn Duy Đỉnh.
Em xin chân thành cảm ơn tiến sĩ Nguyễn Duy Đỉnh của công ty EVSE Lab
đã luôn giúp đỡ và tạo điều kiện cho em có một kỳ thực tập thành công.

4
 CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ CÔNG TY
1.1 Tổng quan về công ty
EVSE lab là công ty nghiên cứu về lĩnh vực điện tử công suất với sự hướng dẫn của
Tiễn sĩ Nguyễn Duy Đỉnh - bộ môn Tự động hóa Công nghiệp. Công ty chuyên
nghiên cứu các bộ nguồn SMPS và ứng dụng trong xe điện. EVSE Lab đã đi vào
hoạt động được một năm ổn định với quân số hiện tại là 11 thành viên và dự kiến
tuyển thêm 20 thành viên.
1.2 Hướng nghiên cứu chính
• DC/DC, DC/AC, AC/DC converter design, optimization and control
• Magnetic design and optimization
• High power density resonant converter design and control
• SiC-based converter design and control
• Battery quick charger and on-board charger
• ARM, DSP-based embedded system.
1.3 Mục tiêu của công ty
• Nghiên cứu các ứng dụng của PE trên EVSE, chẳng hạn như bộ sạc pin, bộ biến
đổi DC/DC
• Làm chủ các công nghệ tiên tiến trên EVSE
• Hợp tác với các công ty để sản xuất bộ biến đổi điện tử công suất chất lượng cao
và đạt tiêu chuẩn
• Góp phần đào tạo các kĩ sư có kĩ năng tốt làm việc trong lĩnh vực điện tử công
suất.
• Chia sẻ những kiến thức quý giá đến các đồng nghiệp đang muốn tìm hiểu các
kiến thức về điện tử công suất.

5
 CHƯƠNG 2: NHIỆM VỤ VÀ HOẠT ĐỘNG THỰC TẬP
KỸ THUẬT CỦA CÁ NHÂN
2.1 Nguyên nhân dẫn đến cần sử dụng bộ lọc trong các bộ biến đổi.
Thực tế trong các bộ biến đổi điện tử công suất thường hay dùng các loại khóa bán
dẫn đóng cắt với tần số cao hàng KHz. Chính vì nguyên nhân đó trong bộ biến đổi
tồn tại các nguồn nhiễu. Nhiễu này theo đường dây có thể trả ngược về lưới dẫn đến
hiện tượng méo sóng hài phía lưới, chính vì vậy đã có nhiều tiêu chuẩn được đặt ra
để kiểm soát hiện trạng này như tiêu chuẩn IEEE 1547 hay IEC 61727. Để giải quyết
vấn đề này các bộ lọc thụ động và tích cực được đề xuất.
2.2 Tổng quan về các bộ lọc thụ động.
2.2.1 Bộ lọc thông thấp bậc 1

Hình 2.1 Bộ lọc thông thấp RC

Bộ lọc thông thấp bậc 1 RC cấu tạo gồm 2 thành phần chính đó là thành phần điện
trở và tụ điện. Thành phần điện trở có tác dụng làm suy giảm nguồn nhiễu. Thành
phần điện dung tạo ra đường dẫn trở kháng thấp với thành phần tín hiệu tần số cao
nhằm khép vòng không đễ nhiễu ảnh hưởng đến phía đầu ra.
Hàm truyền bộ lọc thông thấp bậc 1 RC có dạng:
1
𝐺𝐿𝑃𝐹 =
𝑅𝐶 × 𝑠 + 1
Trong đó tần số cắt có dạng:

6
 1
𝑓𝑐 =
2𝜋𝑅𝐶

Hình 2.2 Biểu đồ Bode bộ lọc thông thấp bậc 1 RC.

Hình 2.2 biểu diễn đồ thị Bode của bộ lọc thông thấp RC có thể thấy các thành phần
tần số lớn hơn tần số cắt sẽ có độ suy giảm biên độ là 20dB/dec. Do vậy khi thiết kế
sẽ tiến hành chọn tần số cắt nhỏ hơn thành phần tần số cao từ nguồn nhiễu. Tuy
nhiên, với ứng dụng thiết kế bộ lọc đầu vào cho bộ biến đổi interleaved Boost PFC
thì thành phần điện trở ở bộ lọc trên sẽ gây thêm tổn hao cho bộ biến đổi dẫn đến
không đảm bảo về mặt hiệu suất.
2.2.2 Bộ lọc thông thấp bậc 2.

Hình 2.3 Bộ lọc thông thấp LC

Bộ lọc thông thấp bậc 2 LC cấu tạo gồm 2 thành phần chính đó là thành phần điện

7
cảm và tụ điện. Thành phần điện cảm có tác dụng tạo đường dẫn trở kháng cao với
thành phần tín hiệu tần số lớn dẫn đến suy giảm nguồn nhiễu. Thành phần điện dung
tạo ra đường dẫn trở kháng thấp với thành phần tín hiệu tần số cao nhằm khép vòng
không đễ nhiễu ảnh hưởng đến đầu ra.
Hàm truyền bộ lọc thông thấp bậc 2 LC có dạng:
1
𝐺𝐿𝑃𝐹 =
𝐿𝐶 × 𝑠 2 + 1
Tần số cộng hưởng có dạng:
1
𝑓𝑟 =
2𝜋√𝐿𝐶

Hình 2.4 Biểu đồ Bode bộ lọc thông thấp LC.

Hình 2.4 biểu diễn đồ thị Bode của bộ lọc thông thấp LC có thể thấy các thành phần
tần số lớn hơn tần số cắt sẽ có độ suy giảm biên độ là 40dB/dec. Do vậy khi thiết kế
sẽ tiến hành chọn tần số cắt nhỏ hơn thành phần tần số cao từ nguồn nhiễu. Tuy
nhiên, nhược điểm lớn nhất của bộ lọc thông thấp bậc 2 LC đó là có xuất hiện điểm
tần số cộng hưởng chính vì vậy thường ta sẽ sử dụng các phương pháp damping để
giải quyết vấn đề này.

8
 Hình 2.5 Bộ lọc thông thấp RLC
Bộ lọc thông thấp bậc 2 RLC cấu tạo gồm 3 thành phần chính đó là thành phần điện
cảm, điện trở và tụ điện. Thành phần điện cảm có tác dụng tạo đường dẫn trở kháng
cao với thành phần tín hiệu tần số lớn dẫn đến suy giảm nguồn nhiễu. Thành phần
điện dung tạo ra đường dẫn trở kháng thấp với thành phần tín hiệu tần số cao nhằm
khép vòng không đễ nhiễu ảnh hưởng đến đầu ra.
Hàm truyền bộ lọc thông thấp bậc 2 RLC có dạng:
1
𝐺𝐿𝑃𝐹 =
𝐿𝐶 × 𝑠 2 + 𝑅𝐶 × 𝑠 + 1
Tần số cộng hưởng có dạng:
1
𝑓𝑟 =
2𝜋√𝐿𝐶
Hệ số giảm chấn:

𝑅 𝐶
= ×√
2 𝐿

9
 Hình 2.6 Biểu đồ Bode bộ lọc thông thấp RLC lần lượt với
 > 1 (xanh),  = 1(đỏ),  < 1 (đen)
Hình 2.6 biểu diễn đồ thị Bode của bộ lọc thông thấp RLC có thể thấy các thành
phần tần số lớn hơn tần số cắt sẽ có độ suy giảm biên độ là 40dB/dec. Do vậy khi
thiết kế sẽ tiến hành chọn tần số cắt nhỏ hơn thành phần tần số cao từ nguồn nhiễu.
Đồng thời, bộ lọc RLC cũng giải quyết được vấn đề cộng hưởng ở bộ lọc LC thông
qua việc lựa chọn hệ số giảm chấn. Tuy nhiên, do có tồn tại thành phần điện trở
chính vì vậy sẽ không đảm bảo vấn đề về hiệu suất cho bộ biến đổi khi thiết kế bộ
lọc đầu vào.
2.2.3 Bộ lọc thông thấp bậc 3.

Hình 2.7 Bộ lọc thông thấp bậc LCL

10
Bộ lọc thông thấp bậc 3 LCL cấu tạo gồm 2 thành phần chính đó là thành phần điện
cảm và tụ điện. Thành phần điện cảm có tác dụng tạo đường dẫn trở kháng cao với
thành phần tín hiệu tần số lớn dẫn đến suy giảm nguồn nhiễu. Thành phần điện dung
tạo ra đường dẫn trở kháng thấp với thành phần tín hiệu tần số cao nhằm khép vòng
không đễ nhiễu ảnh hưởng đến đầu ra.
Hàm truyền bộ lọc thông thấp bậc 3 có dạng:
𝑖𝑔 1
𝐺𝑖𝑔 𝑣𝑖 = = (2.1)
𝑣𝑖 𝐿2 .𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡 .𝐶×𝑠 3 + (𝐿2 +𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡 )×𝑠

𝑖𝑔 1
𝐺𝑖𝑔𝑖𝑖 = = (2.2)
𝑖𝑖 𝐿2 .𝐶×𝑠 2 + 1

Tần số cộng hưởng của (2.1) có dạng:

1 𝐿2 + 𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡
𝑓𝑟 = ×√
2𝜋 𝐿2 . 𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡 . 𝐶
Tần số cộng hưởng của (2.2) có dạng:

1 1
𝑓𝑟 = ×√
2𝜋 𝐿2 . 𝐶

11
 Hình 2.8 Biểu đồ Bode hàm truyền 𝐺𝑖𝑔𝑣𝑖

Hình 2.9 Biểu đồ Bode hàm truyền 𝐺𝑖𝑔𝑖𝑖

Do thực tế nguồn nhiễu đa phần đến từ điện áp 𝑣𝐷𝑆 của Mosfet, dựa vào hình 2.8 có
thể thấy các thành phần tần số lớn hơn tần số cộng hưởng sẽ có độ suy giảm
60dB/dec. Tuy nhiên, bộ lọc này có một nhược điểm đó chính là có tồn tại điểm tần
số cộng hưởng để giải quyết vấn đề này các phương pháp damping được đề xuất cụ
thể ở mục 2.2.4.
12
2.2.4. Cấu trúc Damping LCL

Hình 2.10. Cấu trúc Damping LCL.

Cấu trúc này sẽ bổ sung thêm một điện trở mắc nối tiếp với tụ điện C thường sẽ tận
dụng luôn thành phần ESR có trong cấu trúc của tụ điện.
Hàm truyền bộ lọc có dạng:
𝑖𝑔 𝐶𝑅×𝑠+1
𝐺𝑖𝑔 𝑣𝑖 = = (2.3)
𝑣𝑖 𝐿2 .𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡 .𝐶×𝑠 3 + (𝐿2 +𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡 ).𝐶.𝑅×𝑠 2 +(𝐿2 +𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡 )×𝑠

𝑖𝑔 𝐶𝑅×𝑠+1
𝐺𝑖𝑔 𝑖𝑖 = = (2.4)
𝑖𝑖 𝐿2 .𝐶×𝑠 2 + 𝐶.𝑅×𝑠+ 1

Tần số cộng hưởng của (2.3) có dạng:

1 𝐿2 + 𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡
𝑓𝑟 = ×√ (2.5)
2𝜋 𝐿2 .𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡.𝐶
Tần số cộng hưởng của (2.4) có dạng:

1 1
𝑓𝑟 = ×√
2𝜋 𝐿2 . 𝐶

Hệ số giảm chấn:

13
 𝑅 (𝐿2 +𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡 ).𝐶
= ×√ (2.6)
2 𝐿2 .𝐿𝑏𝑜𝑜𝑠𝑡

Hình 2.11 Biểu đồ Bode hàm truyền 𝐺𝑖𝑔 𝑣𝑖 với

 > 1 (xanh),  = 1(đỏ),  < 1 (đen)

Hình 2.11 biểu diễn đồ thị Bode của bộ lọc thông thấp Damping LCL có thể thấy
các thành phần tần số lớn hơn tần số cắt sẽ có độ suy giảm biên độ là 60dB/dec. Do
vậy khi thiết kế sẽ tiến hành chọn tần số cắt nhỏ hơn thành phần tần số cao từ nguồn
nhiễu. Đồng thời, Damping LCL cũng giải quyết được vấn đề cộng hưởng ở bộ lọc
LCL thông qua việc lựa chọn hệ số giảm chấn. Do vậy trong bài báo cáo này sẽ trình
bày chi tiết về bộ lọc Damping LCL.

14
2.3 Quy trình thiết kế bộ lọc Damping LCL.

Hình 2.12 Quy trình thiết kế bộ lọc Damping LCL.

Bước đầu tiên khi thiết kế bộ lọc cần phải xác định và mô hình hóa nguồn nhiễu
trong bộ biến đổi, xác định dải biên độ và tần số nhiễu từ đó xác định mức lọc mong
muốn của bộ lọc. Từ đó tiến tới bước tiếp theo đó chính là chọn tần số cắt cho bộ
lọc. Dựa vào tần số cắt đã chọn bước tiếp theo đó chính là đi tối ưu về kích thước
cho bộ lọc đầu vào, bước này là rất quan trọng để đảm bảo về mặt hiệu suất cũng
như kích thước của bộ biến đổi. Tiếp đến sẽ phải dự đoán khả năng suy giảm giá trị
điện cảm của cuộn lọc nhằm đảm bảo chất lượng bộ lọc trong suốt quá trình vận
hành.

15
2.4 Tính toán thiết kế bộ lọc Damping LCL cho Interleaved Boost PFC.

Hình 2.13 Cấu trúc bộ biến đổi Interleaved Boost PFC.

Thông số tính toán thiết kế:

Giá trị dòng điện đỉnh đầu vào: 𝐼𝑖𝑛_𝑝𝑒𝑎𝑘 = 13 𝐴
Độ đập mạch dòng điện đầu vào: 𝐼𝑖𝑛_𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒 = 3.9 𝐴
Tần số đóng cắt: 𝑓𝑠𝑤 = 60 𝑘𝐻𝑧
Dựa vào tần số đóng cắt có thể thấy được nguồn nhiễu sẽ thành phần tần số đóng cắt
60kHz. Để giảm được thành phần nhiễu tần số 60kHz ta tiến hành chọn 𝑓𝑐 = 15 𝑘𝐻𝑧
, do để giảm thiểu kích thước bộ lọc cũng như dự trữ độ suy giảm độ tự cảm của
cuộn lọc nên ta sẽ chọn tần số cắt 𝑓𝑐 = 20 𝑘𝐻𝑧. Từ đây ta xây dựng đồ thị biểu diễn
sự phụ thuộc của L và C với tần số cắt 20kHz, dựa vào đồ thị có thể chọn được giá
trị L và C phù hợp để đảm bảo về mặt kích thước và hiệu suất của bộ biến đổi điện
tử công suất.

16
 Hình 2.14 Đồ thị phụ thuộc giữa L và C với tần số cắt 20kHz.
2.5 Thiết kế cuộn cảm cho bộ lọc và lựa chọn tụ điện.
2.5.1 Thiết kế cuộn cảm.
Bước 1: Lựa chọn thông số
 Hệ số sử dụng cửa sổ Ku thể hiện mức độ diện tích dây chiếm trong diện tích
trong cửa sổ của lõi, giá trị này được chọn là: Ku = 0.4
 Mật độ dòng điện J, giá trị mật độ dòng điện trong một dây được chọn là: J =
350 A/cm2
 Mật độ từ thông cực đại do dòng một chiều Bm, giá trị được chọn là: Bm =
0.5
 Giá trị độ tăng nhiệt cực đại là: ∆T = 50 ℃
Bước 2: Lựa chọn lõi
Giá trị dòng điện cực đại:
𝐼𝑖𝑛_𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒
𝐼𝑝𝑒𝑎𝑘 = 𝐼𝑖𝑛_𝑝𝑒𝑎𝑘 + = 14.95 𝐴
2
Năng lượng lưu trữ tối đa:
1
𝐸= × 𝐿 × 𝐼𝑝𝑒𝑎𝑘 2 = 0.002235 𝐽
2
Giá trị hệ số diện tích lõi được xác định:

17
 2𝐸 × 104
𝐴𝑝 = = 0.638579 𝑐𝑚4
𝐵𝑚 𝐽𝐾𝑢
Lựa chọn lõi xuyến MS-106125-2 với các thông số như sau:
 MPL = 6.35 cm
 Wtfe = 25 g
 MLT = 4.46 cm
 Ac = 0.654 𝑐𝑚2
 Wa = 1.56 𝑐𝑚2
 Ap = 1.02024 𝑐𝑚4
 𝜇 = 125
 AL = 1.57e-07 H/𝑁 2
 At = 28.8 𝑐𝑚2
 Ve = 4.15 𝑐𝑚3
Bước 3: lựa chọn dây quấn
Diện tích dây cần thiết kế là:
𝐼𝑖𝑛_𝑝𝑒𝑎𝑘
𝐴𝐵𝑊 = = 0.026264 𝑐𝑚2
𝐽√2
Lựa chọn dây AWG 13
Số vòng dây quấn cần thiết là:

𝐿
𝑁𝐿 = √ = 11 (𝑣ò𝑛𝑔)
𝐴𝐿

Bước 4: Tính toán tổn hao

Tổn hao lõi: dựa theo công thức tính tổn hao lõi trong datasheet của lõi MS-
106125-2.
𝑃𝑐𝑜𝑟𝑒 = 1.48 𝑊
Tổn hao dây dẫn:

18
 𝑜ℎ𝑚
DCR = 𝑁𝐿 × 𝑀𝐿𝑇 × = 0.003302 Ω
𝑐𝑚

ACR = 𝐹𝑟 × 𝐷𝐶𝑅 = 0.012941 Ω

Tổng tổn hao của dây dẫn là:

𝑃𝑤𝑖𝑟𝑒 = 𝐷𝐶𝑅 × 𝐼𝑖𝑛_𝑟𝑚𝑠 2 + 𝐼𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒 2 × 𝐴𝐶𝑅 = 0.475862 W
Từ đây thu được tổng tổn hao xấp xỉ: 𝑃𝑠𝑢𝑚 = 2 W
Bước 5: Tính toán độ tăng nhiệt của cuộn cảm:
Mật độ năng lượng của cuộn cảm:
𝑃𝑠𝑢𝑚
Ψ= = 0.067785 𝑊/𝑐𝑚2
𝐴𝑡

Độ tăng nhiệt của cuộn cảm là:

∆𝑇 = 450 × 𝛹 0.826 = 48.722 ℃ < 50 ℃
Bước 6: Tính toán giá trị mật độ từ thông cực đại 𝐵𝑝𝑒𝑎𝑘 :
𝐵𝑎𝑐
𝐵𝑝𝑒𝑎𝑘 = 𝐵𝑑𝑐 + = 0.39 𝑇 < 0.7 × 𝐵max _𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 = 0.49
2
Bước 7: Mô phỏng kiểm chứng trên phần mềm FEMM
7.1 Mô phỏng ứng với tần số không.

Hình 2.15 Kết quả mô phỏng ứng với tần số không

Độ tự cảm: L = 19.6 𝜇𝐻
Điện trở DCR = 0.001284 Ω
Mật độ từ trường DC 𝐵𝑑𝑐 = 0.35467 𝑇

19
Do phần mềm mô phỏng FEMM đang thực hiện mô phỏng ở chế độ 2D nên giá trị DCR
cần được quy đổi:
𝑀𝐿𝑇
𝐷𝐶𝑅 = 𝐷𝐶𝑅𝐹𝐸𝑀𝑀 × = 3 𝑚Ω
2 × 𝐷𝑒𝑝𝑡ℎ
7.2 Mô phỏng ứng với tần số là 𝑓𝑠𝑤

Hình 2.15 Kết quả mô phỏng ứng với tần số 𝑓𝑠𝑤

𝑀𝐿𝑇
Giá trị điện trở AC: 𝐴𝐶𝑅𝐹𝐸𝑀𝑀 × = 0.01463 Ω
𝐷𝑒𝑝𝑡ℎ

2.5.2 Lựa chọn tụ điện lọc.

Yêu cầu đặt ra cho tụ lọc:
 Chịu được điện áp lớn
 Độ ổn định cao với tần số và điện áp
 Sai số thấp <1%
Dựa vào các yêu cầu trên các loại tụ điện phim được đề xuất. Ta lựa chọn tụ phim
CBB 3.3UF 335J 400V 25MM.
2.6 Mô phỏng bộ lọc trên phần mềm PSIM.

20
 Hình 2.16 Sơ đồ mạch trên phần mềm PSIM.

Hình 2.17 Dạng sóng dòng điện lưới khi chưa có bộ lọc.
Nhận xét: có thể nhận thấy nguồn nhiễu với tần số đóng cắt ảnh hưởng tương đối
đến chất lượng dòng điện lưới với giá trị THD đo được cỡ 4%.

Hình 2.18 Dạng sóng dòng điện lưới khi có bộ lọc.

Nhận xét: có thể nhận thấy nguồn nhiễu với tần số đóng đã được lọc tương đối với
giá trị THD đo được ở dòng lưới giảm từ cỡ 4% xuống 0.7%.

21
 NHẬN XÉT CỦA ĐƠN VỊ THỰC TẬP

Họ và tên sinh viên thực tập: NGUYỄN ANH QUỐC

Ngày tháng năm sinh: 04/10/2002
Cán bộ hướng dẫn thực tập: TS. Nguyễn Duy Đỉnh
Bộ phần thực tập: Thiết kế bộ lọc LCL cho bộ biến đổi Interleaved Boost PFC
Sau thời gian sinh viên Nguyễn Anh Quốc thực tập tại đơn vị, tôi có các nhận xét
như sau:
1. Về ý thức chấp hành nội qui, qui định cơ quan
2. Về đạo đức, tác phong
3. Về chuyên môn

Hà Nội, ngày tháng năm 2023

Xác nhận của đơn vị

22
 ĐÁNH GIÁ CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................
..................................................................................................................................

23