Oct 13, 2021

ĐIỆN TỬ 1

GVGD: ThS. Nguyễn Văn Dũng

1
 NỘI DUNG MÔN HỌC

Oct 13, 2021

 Chương 1: Diode bán dẫn
 Chương 2: Transistor hai lớp tiếp giáp (BJT)

 Chương 3: Thiết kế & phân tích tín hiệu nhỏ (BJT)

 Chương 4: Transistor trường (FET)

 Chương 5: Mạch transistor ghép liên tầng

 Chương 6: Mạch khuếch đại thuật toán

Tài liệu tham khảo:

 Lê Tiến Thường, Mạch điện tử 1, NXB ĐH Quốc Gia. 2
 Oct 13, 2021
Chương 1:

DIODE BÁN DẪN

3
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Diode là một linh kiện điện tử phi tuyến đơn giản nhất.
 Các loại diode:
 Diode chân không,
 Diode khí,
 Diode chỉnh lưu kim loại,
 Diode bán dẫn, vv…
 Các vật liệu bán dẫn thường dùng:
 Silicon(Si)
 Germanium (Ge)
4
 Gallium Arsenide (GaAs)
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Cấu trúc nguyên tử:

5
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Cấu trúc tinh thể:

6
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Các mức năng lượng:

7
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Sự dẫn điện trong chất bán dẫn:
 Dòng khuếch tán (diffusion current): Khi có sự thay
đổi mật độ electron (hole)
 Dòng chảy (drift current): Khi có điện trường ngoài

8
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Phân loại bán dẫn:
“Doping” Là quá trình đưa vào chất bán dẫn các chất
khác cần thiết.

9
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Bán dẫn loại p:
 Chất đưa vào: Chất nhận (acceptor material). Ví dụ:
Boron (III)
 Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng

 Phần tử mang điện chủ yếu: Lỗ trống (positive): p-type 10

material
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Bán dẫn loại n:
 Chất đưa vào: Chất cho (donor material). Ví dụ:
Phosphorus (V)
 Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng

 Phần tử mang điện chủ yếu: Electron(negative): n-type 11

material
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Diode bán dẫn thông thường:
 Cấu trúc, ký hiệu:

 Lớp tiếp xúc pn:

12
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Phân cực của diode:

13
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Quan hệ giữa dòng điện & điện áp:
Diode lý tưởng

_
+

 vi > 0: iD > 0 và vD = 0 (Diode ngắn mạch: short circuit)

 vi < 0: vD < 0 và iD = 0 (Diode hở mạch: open circuit)
14
 CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Đặc tuyến volt – ampere của diode:

qv D vD
mVT
iD  I o (e mkT  1)  I o (e  1)

15
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Diode thực tế và Xấp xỉ tuyến tính hóa từng đoạn

16
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Phân tích mạch diode:

 Phần tử phi tuyến được thể hiện bởi đặc tuyến VA của
diode: i  f (v )
D D
 Phần tử tuyến tính là mạch tương đương Thevenin:

vD  vT  iD RT (DCLL) 17

Điểm tĩnh Q là giao điểm của đặc tuyến diode và DCLL

CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Phân tích mạch diode:

18
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Đường tải xoay chiều (AC load line):
Giả sử: 1/C << RL
và Vim << Vdc

 Tínhiệu DC: Điện trở tương đương Thevenin RTdc  ri  R1

Độ dốc DCLL: 1 1
slopeDC   
RTdc ri  R1
 Tínhiệu AC: Điện trở tương đương Thevenin RTac  ri  R1 / / RL
Độ dốc ACLL: slope   1   1 19
AC
RTac ri  R1 / / RL
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Phân tích đồ thị:

20
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 VD: Xét mạch dùng diode (Vγ=0.7V) sau:
Ri
 Giả sử diode tắt: VL< Vγ
+
RL 1 1K
VL  Vi  Vi Vi D RL 1K
VL
RL  Ri 2 _
VL  0.7  Vi  1.4V 4
Vi
 Khi Vi≥1.4V: Diode dẫn 1.4
VL  0.7V 0
t
-4
VL
0.7
21
0
t
-2
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Chỉnh lưu:
Chỉnh lưu là quá trình chuyển đổi từ tín hiệu xoay
chiều (AC) thành tín hiệu một chiều (DC).
  Có 2 loại chỉnh lưu:
 Chỉnh lưu bán kỳ (Half-wave rectification)
 Chỉnh lưu toàn kỳ (Full-wave rectification)

22
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Chỉnh lưu bán kỳ:

vi  v D
 Định luật Kirchhoff về điện áp: iD 
 vi > 0: vD = 0 (Diode ngắn mạch) ri  RL
vi vi RL
iD  v L  RL i D 
ri  RL ri  RL
 vi < 0: Diode hở mạch:
iD  0 v L  RL i D  0 23
 CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Điện áp trên tải vL:
 Giá trị trung bình:
1 VLm
VL, dc   v L (t )dt 
TT 
 Khai triển Fourier:
1 1 2 2 
vL (t ) VLm   cos ot  cos 2o t  cos 4o t  ...
 2 3 15 

24
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Mạch lọc:
 Để tạo điện áp DC ở ngõ ra thì cần sử dụng mạch lọc
thông thấp (LPF)
 Các bộ lọc LPF thường dùng:

25
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Chỉnh lưu toàn kỳ:

26
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Phân tích tín hiệu chỉnh lưu toàn sóng:
 Giá trị trung bình: VL , dc  2VLm
 Khai triển Fourier: 
2 4 4 
v L (t )  VLm   cos 2o t  cos 4o t  ... 
  3 15 
 Giá trị điện áp ngõ ra của mạch lọc:
2 2 1 
vo (t )  VLm   sin 2ot  sin 4ot  ... 
  300 1500 
 Giátrị hiệu dụng của thành phần gợn sóng:
2 2 1 
vo (t )  VLm   sin 2ot  sin 4ot  ...
  300 1500  27
 Độ gợn sóng 
1
 0.0024
420
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Mạch nhân đôi điện áp một bán kỳ:

 Bán kỳ âm của vS: C1 nạp điện qua D1 đến điện áp Vsmax

 Bán kỳ dương của vS: Điện áp chồng chập của C1 và vS
nạp điện cho C2 qua D2 đến điện áp 2VSmax
28
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Mạch nhân đôi điện áp hai bán kỳ:

 Bán kỳ dương của vS: C2 nạp điện qua D1 đến điện áp VSmax
Tổng điện áp vS và VSmax trên C1 (được nạp từ bán kỳ trước)
đặt lên tải RL thông qua D1
 Bán kỳ âm của vS: C1 nạp điện qua D2 đến điện áp VSmax

Tổng điện áp vS và VSmax trên C2 (được nạp từ bán kỳ trước)29

đặt lên tải RL thông qua D2
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Mạch xén: Dùng để loại bỏ tín hiệu nằm dưới (hay trên)
một mức chuẩn (reference level)
 Xén trên:

 Xén dưới:

 Xén 2 biên:

30
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Mạch ghim điện áp: Thực hiện việc di chuyển tín hiệu
(shifting operation) theo trục Y với độ dịch chuyển phụ
thuộc vào dạng sóng ngõ vào sao cho tín hiệu ngõ ra
luôn được ghim (clamped) tại một giá trị cố định.

31
CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 DiodeZener: Hoạt động chủ yếu trong vùng phân
cực nghịch
 Đặc tuyến VA: Phân cực thuận: Như Diode thông thường

Phân cực nghịch: vZ = VZ = constant

VZ: Điện áp Zener I Z max  iZ  I Z min
Izmax: Dòng phân cực nghịch tối đa
Izmin: Dòng phân cực nghịch tối thiểu để
vZ = VZ , thường IZmin = 0.1 IZmax

Pzmax=VzIzmax: Công suất tiêu tán tối đa

32
 CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Mạch ổn áp dùng Diode Zener:
 Thiết kế mạch sao cho Diode Zener
Hoạt động trong vùng ổn áp: IZmax  iZ  IZmin , vZ = VZ
vS  VZ vS  VZ vS  VZ
Ri    iZ   iL (1)
iR iZ  iL Ri
iZ min khi vS min (iR min )  iL max ; iZ max khi vS max (iR max )  iL min
iR min  iZ min  iL max
 (2)
iR max  iZ max  iL min 33
 CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 Mạch ổn áp dùng Diode Zener:
 Để IZmax  iZ  IZmin :
VS min  VZ VS max  VZ
min(iZ )   I L max  I Z min max(iZ )   I L min  I Z max
Ri Ri
VS min  VZ VS max  VZ
  Ri 
I L max  I Z min I L min  I Z max

*Thường chọn IZmin = 0.1 IZmax

I L max (VS max  VZ )  I L min (VS min  VZ )
 I Z max  34
VS min  0.9VZ  0.1VS max
 CHƯƠNG 1:
DIODE BÁN DẪN

Oct 13, 2021

 VD: Thiết kế mạch ổn áp dùng diode Zener VZ = 7.2
V, vS: 12V và iL: 12  100 mA
Chọn IZmin=0.1IZmax=10mA
I min  I Z min  I L max  10  100  110mA
VS  VZ 12  7.2
 Ri    43.5()
I min 0.11
VS  const  I min  I max  I Z max  I max  I L min  98mA
3
 PZ max  VZ .I Z max  7.2*98.10  0.706W 35
 Oct 13, 2021
Chương 2:

TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Bipolar junction transistor

36
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 1948: Transistor (TST) đầu tiên (Bell Lab)
 Các loại TST:
 BJT – Bipolar Junction Transistor: TST hai lớp tiếp giáp

PNP NPN

 FET – Field Effect Transistor: TST hiệu ứng trường

P-channel N-channel 37
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Dòng chảy trong BJT:
 Cấu tạo và ký hiệu  EB phân cực thuận
 CB phân cực nghịch

Cấu hình B chung – CB (Common Base Configuration) 38

CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mối nối Emitter-Base (EB):
Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận
hoạt động độc lập
 DCLL và đặc tuyến EB

39
39
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mối nối Emitter-Base (tiếp)
 Mạch tương đương đơn giản

 vE=VEBQ=Vγ (0.7V: Silicon; 0.2V: Germanium)

V EE  V EBQ 40
I EQ 
Re
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mốinối Collector-Base (CB):
Từ quan hệ: I C  I E  I CBO, mạch tương đương của
mối nối CB

41
41
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Ví dụ 1: Cho mạch điện như hình vẽ:
α≈1, ICBO ≈ 0; VEE = 2V; Re=1k; VCC=50V; Rc = 20k;
vi=1sinωt. Tính iE và vCB.

42
42
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Khuếch đại dòng trong BJT:
 Quan hệ giữa IC và IB (bỏ qua ICBO):

iC    iB với  
1
 Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ

iC    iB    iB
iC 
Suy ra:  iB  h fe
iB i B

Xem gần đúng: h fe    hFE

43
43
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Ví dụ 2: Cho mạch điện như hình vẽ, cấu hình E chung,
TST npn. Xác định hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ.
VBB  vi  VBEQ
 Ngõ vào i B   I BQ  ib
Rb
VBB  VBEQ vi
với I BQ  và ib 
Rb Rb
 Ngõ ra iC   iB    ( I BQ  ib )  I CQ  ic
i
 Hệ số khuếch đại dòng điện tín hiệu nhỏ A  c  
i
ib 44
44
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung
 Vùng bão hòa:
vCE ≤ VCEsat
Quan hệ giữa iC và iB là không tuyến tính
 Vùng chủ động:
VCEsat ≤ vCE ≤ βVCEO
Quan hệ tuyến tính
Giới hạn dòng: IC-cutoff ≤ iC ≤ IC-max

iC    i B  I CBO

45
45
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Ví dụ 3: VCC=10V, Rb=10K, Rc=1K. TST: β=100, VBE=0.7V,
VCEsat=0.1V. Tìm điều kiện làm việc (IC và VCE) của TST khi: a)
VBB=1.5V and b) VBB=10.7V

 a) IB=0.08mA; IC= βIB=8mA

VCE=2V: TST hoạt động
trong vùng tích cực
 b) IB=1mA;
Giả sử IC= βIB=100mA => VCE=-90!!!
TST hoạt động trong vùng bão hòa: VCE=VCEsat=0.1
46
46
VCC  VCE 10  0.1
IC    9.9mA
Rc 1K
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mạch tương đương

47
47
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Giải tích mạch BJT bằng đồ thị
 Mạch khuếch đại cơ bản

 Mạng phân cực

48
48
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mạng phân cực (Mạch tương đương Thevenin)

R1 R1 R2
V BB  VCC Rb 
R1  R2 R1  R2
 Thiết kế
Rb VCC
R1  R 2  Rb
1  V BB / VCC V BB

49
49
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Hoạt động của mạch khuếch đại (DC)
 Ngõ ra
VCC  vCE  iC R L  i E Re
Với ic=αiE≈iE, suy ra: VCC  vCE  iC ( R L  R:e　　) DCLL
 Ngõ vào
V BB  i B Rb  v BE  i E Re V BB  v BE V BB  v BE
iE  
Bỏ qua ICBO: iB=(1-α)iE, => Re  (1   ) Rb 1
Re  Rb
1 
Để loại bỏ sự thay đổi của iE do βthay đổi, chọn
 Tính điểm Q (ICQ, VCEQ) Re >> Rb/(1+)

V BB  V BEQ  R 
I CQ  I EQ  VCEQ  VCC  (V BB  0.7)1  L 
Re  Re  50
50
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Giải tích bằng đồ thị

51
51
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Giải tích bằng đồ thị
 Tín hiệu nhỏ
ic  iC  I CQ và v ce  vCE  VCEQ
 Quan hệ pha: ib tăng, ic, ie tăng, vce giảm
 Điều kiện để iC có thể dao động cực đại (max
swing): (Giả sử VCEsat = 0 và IC-cutoff = 0)
VCC / 2
I CQ 
R L  Re
VCEQ  VCC / 2
52
52
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Ví dụ 4: Tìm Q để có max swing:
 DCLL:

9  VCEQ  I CQ (1000  200)

 Max swing:

53
53
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Ví dụ 5: Tìm R1 và R2 trong ví dụ 4 để đạt
max swing

Chọn
thường chọn

54
54
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tính toán công suất
 Công thức tổng quát
 V(t) = Vav + v(t)
 Vav, Iav: giá trị trung bình
 I(t) = Iav + i(t)
 v(t), i(t): thành phần thay đổi theo
thời gian có trung bình bằng 0
1T
P   V (t ) I (t )dt
T0
1T
P   (Vav  v (t ))( I av  i (t ))dt
T0
1T
P  Vav I av   v (t )i (t )dt
T0
55
55
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tính toán công suất (tiếp)
 Công suất trung bình tiêu tán trên tải (công suất
xoay chiều)
1T 2
PL,ac   ic R L dt
T0
Giả sử ic=Icmsinωt

2
I cm RL
PL,ac 
2
56
56
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tính toán công suất (tiếp)
 Công suất nguồn cung cấp trung bình

PCC  VCC I CQ

57
57
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tính toán công suất (tiếp)
 Công suất trung bình trên Transistor

Bảo toàn năng lượng:

Khai triển: PC  PCC  PL  PE

2
1T 2 1T
Ci dt   
 CQ cm
I I sin  t  2
dt  I 2
CQ 
I cm
T0 T0 2 58
58
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tính toán công suất (tiếp)
 Công suất trung bình trên Transistor
Suy ra: 2
2 I cm
PC  PCC  ( R L  Re ) I CQ  ( R L  Re )
2
TST tiêu thụ công suất cực đại khi không có tín hiệu:

59
59
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tính toán công suất (tiếp)
 Hiệu suất PL,ac
Hiệu suất:   P
2
I cm  RL / 2
 Max swing:  2
CC VCC / 2 RL
Hiệu suất cực đại khi Icm cực đại: max(Icm) = ICQ VCC
2 
VCC / 8R L 2 RL
Suy ra: max(ŋ)= 2 = 0.25
VCC / 2 R L (giả sử RL>>Re)

Tỷ số công suất tiêu tán TST cực đại trên công suất tải
xoay chiều cực đại

2
max( PC ) VCC / 4 RL
 2 2 60
60
max( PL,ac ) VCC / 8 R L
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tụ Bypass vô hạn
Re:
 tạo dòng phân cực ICQ (C3)
 tăng độ ổn định phân
cực (C3)
 nhưng giảm hiệu suất (C4)
 và giảm hệ số khuếch đại
đối với tín hiệu nhỏ xoay
chiều (C4)
 Sử dụng tụ bypass (Giả sử

Ce->∞, đối với tín hiệu xoay

61
61
chiều: )
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tụ Bypass vô hạn (tiếp)

62
62
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Tụ ghép (coupling capacitor) vô hạn
Tụ ghép: ngăn dòng DC qua tải

63
63
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mạch Emitter Follower

(a) Mạch Emitter Flower

(b) Mạch tương đương

64
64
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mạch Emitter Follower (tiếp)

(c) Mạch Emitter Flower với tải AC

65
65
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mở rộng
 Xét mạch Emitter Follower với
mạch phân cực Base – Injection:
Tính toán mạch phân cực
Ngõ vào

Ngõ ra
Thiết kế mạch phân cực:
Chọn điểm tĩnh Q; Tính
66
66
CHƯƠNG 2:
TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

Oct 13, 2021

 Mở rộng (tiếp)
 Nguồn của mạch khuếch đại: có thể thay đổi điện áp nguồn
cung cấp cho mạch KĐ để thay đổi mức DC của ngõ ra (vẫn
đảm bảo TST phân cực đúng).

67
67
Mạch CE
 Oct 13, 2021
Chương 3:

THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH

TÍN HIỆU NHỎ

68
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 Các thông số hybrid:

v1  h11i1  h12 v2 v1  hi i1  hr v2
i2  h21i1  h22 v2 i2  h f i1  ho v2

69
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

v1
hi 
i1 v 2  0
v1
hr 
v 2 i1  0

i2
hf 
i1 v 2  0

i2
ho 
v 2 i1  0
70
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 Các thông số hybrid:
 v1, i1, v2, i2, là các đại lượng tín hiệu nhỏ
 Các thông số hybrid h phụ thuộc vào tĩnh điểm Q của
TST
hr  104  105 0
ho  104  106  1  104  106 
ho
 Các thông số hybrid h cho các cấu hình khác nhau (CE,
CB, CC):
 CE: hie, hfe
 BC: hib, hfb
71
 CC: hic, hfc
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 Cấu hình E chung (Common Emitter – CE):

 Xác định các hệ số hybrid cho cấu hình CE:

ic i C
h fe    hFE  
ib Q i B Q
72
v be v BE v BE VT
hie    h fe  mh fe
ib Q i B Q i E Q I CQ
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 Cấu hình E chung (Common Emitter – CE):
 Mạch tương đương:

   h fe 
i L i L ib Rb
 Độ lợi dòng: Ai  
ii i b ii Rb  hie
 Trở kháng vào: Z i  Rb // hie
1 73
 Trở kháng ra: Zo  
hoe
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 VD: Cho mạch sau, hfe =50
Xác định:
•Tĩnh điểm Q
•Mạch tương đương tín hiệu
nhỏ, giả sử bỏ qua hoe va hre
•Độ lợi dòng Ai = iL / ii
•Trở kháng ngõ vào nhìn từ
nguồn dòng
•Trở kháng ngõ ra nhìn từ
tải 1K
74
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 Cấu hình B chung (Common Base – CB):

Các thông số hybrid:

veb veb h V
hib    ie  T
ii ie vcb  0 h fe  1 I EQ
hrb  104
ic h fe
h fb  
ie vcb  0 h fe  1
ic h
hob   oe
vcb ie  0 1  h fe
75
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 VD:
hfe = 50; hie = 0.83K;
hoe = 10 –4 Ω; hre = 0.
h fe
h fb   0.98
1  h fe
hie
hib   16
1  h fe
hoe
hob   2.106 
1  h fe
iL 500  100 
Ai   (0.98)     0.83 Z i  16
ii 500  5  100  16 
76
vL RL iL
Av    41.5 Z o  500K
vi ri ii
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 Cấu hình C chung (Common Collector – CC):

77
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ

Oct 13, 2021

 Phản ánh trở kháng:
 Phản ánh từ Emitter  Base: (chuẩn ib)
- Dòng / (hfe + 1) (Ví dụ: ie  ie/(hfe + 1))
- Trở kháng  (hfe + 1) (Ví dụ: Re  Re(hfe + 1))
- Áp: không đổi (Ví dụ: ve  ve)
 Phản ánh từ Base  Emitter: (chuẩn ie)
- Dòng x (hfe + 1) (Ví dụ: ib  ib(hfe + 1))
- Trở kháng / (hfe + 1) (Ví dụ: ri’  ri’/(hfe + 1))
- Áp: không đổi (Ví dụ: ve  ve)
78
CHƯƠNG 3:
THIẾT KẾ & PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ
ri,

Oct 13, 2021

Rc
 VD: Ai   h fe
Rc  R L ri,   hie  ( h fe  1) Re 

79
 Oct 13, 2021
Chương 4:

MẠCH TRANSISTOR
GHÉP LIÊN TẦNG

80
 CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Bộ khuếch đại ghép Cascade:

 Phân tích DC:

VBB1  VBE1
I CQ1  VCEQ1  VCC  ICQ1 ( RE1  RC1 )
Rb1
RE1 
1
VBB 2  VBE 2
I CQ 2  VCEQ 2  VCC  ICQ 2 ( RE 2  RC 2 )
R 81
RE 2  b 2
2
 CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Bộ khuếch đại ghép Cascade:
 Phân tích AC:

i L i L ib 2 ib1   h R 
fe 2 C 2 
  h R ' 
fe1 b 2   R ' 
Ai       b 1 
ii ib 2 ib1 ii  RC 2  R L  Rb' 2  hie 2  Rb' 1  hie1 
  82
CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại vi sai:

Giả sử 2 TST giống nhau:

VE1 = VE2 = (IE1 + IE2)Re – VEE = 2IE1Re – VEE = 2IE2Re – VEE
VEE  0.7
I EQ1  I EQ 2 
83

2 Re  Rb / h fe
CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại vi sai:
 Phân tích tín hiệu nhỏ:

i0 = (i1 + i2)/2 và i = i2 – i1  i1 = i0 – (i/2) và i2 = i0 + (i/2)

Dùng phương pháp chồng chập:
 Mode chung: i1 = i2 = i0
 Mode vi sai: i2 = - i1 = i/2 84
CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại vi sai:
 Mode chung:

 Do tính đối xứng: ie1c = ie2c  iRe = 2ie1c = 2ie2c

ve = (2Re)ie2c
Rbi0
 ie 2 c  85
2 Re  hib  Rb / h fe
CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại vi sai:
 Mode vi sai:

ie1d = - ie2d  iRe = 0  ve = 0

Ngắn mạch Re
Rb i
 ie 2 d  86
2(hib  Rb / h fe )
CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại vi sai:
 Chồng chập:
Rb Rb
ie 2  ie 2 c  ie 2 d  i0  i
2 Re  hib  Rb / h fe 2(hib  Rb / h fe )
 Rc
iL  iie 2  Ac io  Ad id
Rc  RL
 Rc Rb
Ac 
Rc  RL 2 Re  hib  Rb / h fe
 Rc Rb
Ad 
Rc  RL 2(hib  Rb / h fe ) 87
CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại vi sai:
 Tỷsố triệt tín hiệu đồng pha
(Common Mode Rejection Ratio – CMRR)
Mạch khuếch đại vi sai lý tưởng: Ac = 0: iL = Adi
Ad 2 Re  hib  Rb / h fe Re
Mạch thực tế: CMRR  A  2(h  R / h )  h  R / h
c ib b fe ib b fe

88
 CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại Darlington:
R1
VBB  VCC ; Rb  R1 / / R2
R1  R2
VBB  1.4
I CQ 2 
Re  Rb / (h fe1h fe 2 )
VCC  VCE 2  RC ( I C1  I C 2 )  RE I E 2
I C1  I E1  I B 2  I C 2 / h fe 2  I C 2
 VCC  VCE 2  ( RC  RE ) I C 2
 VCEQ 2  VCC  ( RC  RE ) I CQ 2 89

 VCEQ1  VCEQ 2  0.7; I CQ1  I CQ 2 / h fe 2

CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại Darlington:

VT VT VT
hie 2  h fe 2  h fe 2   hib1
I CQ 2 h fe 2 I CQ1 I CQ1
iL h fe 2 Rc h fe1 ( Rb / h fe1 ) h fe 2 RC h fe1 Rb
Ai   
ii Rc  RL ( Rb / h fe1 )  hib1  hie 2 Rc  RL Rb  2h fe1hib1
Rc Rb 90
Ai  (h fe1h fe 2 )
Rc  RL Rb  2hie1
 CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch ghép Cascode:
R1
VB1  Vcc
R1  R2  R3
VE1  VB1  VBE1  VB1  0.7
VB1  0.7
I C1   IC 2
Re
R1  R2
VB 2  Vcc
R1  R2  R3
VE 2  VB 2  VBE 2  VB 2  0.7
VCE1  VC1  VE1  (VE 2  RC I C1 )  VE1 91

VCE 2  VC 2  VE 2  (VCC  RL I C 2 )  VE 2
CHƯƠNG 4:
MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG

Oct 13, 2021

 Mạch ghép Cascode:

v L v L i e 2 ib1 R1 // R2
AT     h fb2 R L ( h fe1 )
ii i e 2 ib1 ii R1 // R2  hie1

92
 Oct 13, 2021
Chương 6:

MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

OPERATIONAL AMPLIFIER

93
CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Mạch khuếch đại thuật toán lý tưởng:
Vo
AOL  a  
Vd
 Vd  V   V   0
V V 
Vd
Z i  rd  
id
 id  iN  iP  0 94

Z o  ro  0
 CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
 Bộ khuếch đại không đảo:
-
 AOL    V  V  Vi
  R1 I1 v R2 I2
< <
 Vo
 Z i    id  0  I1  I 2 V+
+
V0  V  Vo  Vi
I2   Vi
R2 R2 -

V  Vi
I1  
R1 R1 Vo R2
Avf   1
Vo  Vi Vi Vo 1 1 Vi R1 95
   Vi (  )
R2 R1 R2 R2 R1
 CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
 Bộ khuếch đại đảo: I1 R1 I2 R2
+
Vi

AoL    V  V  0 
-
V- Vo

Z i    id  0  I1  I 2 V
R =R1//R
M
Vi  V  V   Vo Vi Vo 2
  
R1 R2 R1 R2
Vo R2
 Avf  
Vi R1 96
 CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
 Bộ khuếch đại tổng:
R1
V1 I1
>
I2R2 Rf
AOL    V   V   0
V2 If
> R3 Z i    id  0  I1  I 2  I 3  I f
V3
> Vo
I3 V1 V2 V3 Vo
  
R
R1 R2 R3 Rf
M
 V1 V2 V3 
RM=R1//R2//R3//Rf Vo  R f    
 R1 R2 R3 
97
 CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
R2
 Bộ khuếch đại vi sai: I2
 AoL    V   V  (1)
>
 I1 R1
  I1  I 2 V1 > Vo
 Z i    id  0   I  I V2 >
  3 4 R3 I3
I4
V1  V  V   Vo R2  R2  R4
   Vo   V1  V 1  
R1 R2 R1  R1 
V2  V  V  V2 V  V   R4
    V  V2
R3 R4 R3 R3 R4 R4  R 3
R2 R4 R2 98
Vo   V1  (1  )V 2
R1 R3  R4 R1
CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
 Bộ vi phân:
Vi Ic C IR R
>
AoL    V   V   0 >
id
Z i    id  0  I c  I R V- > Vo
V+
dVc d (Vi  0) dVi (t )
Ic  C C C
dt dt dt
V   Vo 0  Vo Vo
Ic   
R R R
dVi (t ) Vo dVi (t )
C   (5)  Vo   RC 99
dt R dt
 CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
 Bộ tích phân:
Ic C
  Vi I R R
AOL    V  V  0 > >
Z i    id  0  I R  I c i
V - >d Vo
dVc d (0  Vo ) dVo V+
IC  C C  C
dt dt dt
Vi  V   Vi
IR   Vi  V 
R R
Vi dVo dVo Vi 1

100
  C    Vo   Vi dt
R dt dt RC RC
 CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
 Bộ biến đổi dòng sang áp:
i R
  R>
AOL    V  V  0
id
Z i    id  0  ii  I R ii
V- Vo
V   Vo 0  Vo Vo V+
IR   
R R R
Vo
 ii    Vo  ii R
R
101
CHƯƠNG 6:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Oct 13, 2021

 Các mạch khuếch đại thuật toán cơ bản:
 Bộ biến đổi áp sang dòng:
R I io
< <
AoL    V   V   Vi
id
V-
Z i    id  0  io  I V
+
Vo
+
V  Vi
 io  I   -
Vi
R R
102