Sveučilište J.J.

Elektrotehnički fakultet
Strossmayera u Osijeku Osijek

Prof.dr.sc. Tomislav Švedek

ELEKTRONIKA 1

Predavanje 38/45
 7.2.3. Fotodetektori

Vrijeme odziva - kritična karakteristika - osiromašeno područje db što

šire da bi se fotoni apsorbirali unutar njega, a ne u kvazi-neutralnim N-
i P-područjima.
Unutrašnje električno polje razdvaja i usmjerava parove nosilaca na N-
odnosno P-stranu. Prevladava drift nosilaca, pa je ukupan odziv
fotodetektora vrlo brz.
Fotodiode s osiromašenim slojem (engl. Depletion Layer
Photodiodes). - generiranje para elektron-šupljina uglavnom u
osiromašenom području
Širina db = kompromis (velika osjetljivost i kratko vrijeme odziva):
- veća osjetljivosti - širi db (slabije dopiranje). Većinu nosilaca

apsorbira osiromašeni sloj, manji barijerni kapacitet (manja

vremenska konstanta detektorskog kruga)
- kraće vrijeme odziva - uži db
Predavanje 38/45
 7.2.3. Fotodetektori

PIN fotodetektor - metoda kontrole širine db

hc
 EG

R P
I
U
N
Iopt

Fotodetektor je osjetljiv na fotone energije  EG

hc < EG - fotoni nisu apsorbirani,
hc > EG - fotoni apsorbirani ali u blizini površine gdje je
učestalost rekombinacije vrlo velika.
Intrinsični fotodetektori - diode od čistih poluvodiča GaAs, Si i Ge -
daju najbolji odziv na optičku pobudu valne duljine koja odgovara
njihovu energetskom procjepu.
Predavanje 38/45
 7.2.3. Fotodetektori

Ekstrinsični fotodetektori - osjetljivi na duže valne duljine

(optička pobude elektrona na razinu primjese ili iz nje).
Za podešavanje širine energetskog procjepa prema pojedinom dijelu
optičkog spektra koriste se razni složeni (kompaundni) spojevi.
Npr. HgCdTe spoju energetski procjep se može varirati
od 1,6 eV (CdTe) do skoro 0 eV (HgTe).

Lavinska fotodioda (engl. Avalanche Photodiodes) - za detekciju

optičkog signala vrlo niskog intenziteta - rade u području lavinskog
proboja.
Silicijska lavinska fotodioda može biti veoma osjetljiva na optičku
pobudu niskog intenziteta, i to s vremenom odziva reda veličine 1 ns.

Predavanje 38/45
 7.3. FOTOTRANZISTORI

Fototranzistor - povećanje osjetljivosti detekcije svjetlosti - fotodiodi

dodan emiterski spoj.
U fototranzistorima emiterski spoj ima malu, a kolektorski
veliku površinu. Upadna svjetlost djeluje uglavnom na
kolektorski spoj.
E B metal
SiO2
N P
N staklo

Iopt
C
IC
I’C = Iopt
I E  I opt  I opt  1   I opt
IE
Predavanje 38/45
 7.4. SVJETLEĆE DIODE

Pri injekciji nosilaca naboja struja kroz propusno polariziran PN-spoj

obično nastaje radi rekombinacije u osiromašenom području ili
rekombinacije u kvazi-neutralnom području u blizini PN-spoja.

1) Neizravni poluvodiči (kod kojih se rekombinacija odvija preko R-

centara): Si , Ge - rekombinacija izaziva samo zagrijavanje rešetke.
2) Izravni poluvodiči (složeni -kompaundni poluvodiči s izravnom
rekombinacijom): GaAs - rekombinacija može izazvati emisiju
svjetlosti - injekcijska elektroluminiscencija

Injekcijska elektroluminiscencija koristi se za izradu dioda koje

emitiraju svjetlost (engl. Light Emitted Diodes - LED).

Predavanje 38/45
 7.4.1. Luminiscencija

Luminiscencija - svojstvo nekog materijala da emitira svjetlost =

proces "hladne" emisije (za razliku od "vrućih" procesa - sijalica sa
žarnom niti).
Podjela luminiscencija prema najčešćim mehanizmima pobude nosilaca
naboja:
a) fotoluminiscenciju - pobuda apsorpcijom fotona
- brzi R proces - fluorescencija
- spori R proces - fosforescencija,
b) katodoluminiscenciju - pobuda bombardiranjem materijala
elektronima visoke energije, i
c) injekcijsku luminiscenciju - pobuda uvođenjem struje u
uzorak materijala.

Predavanje 38/45
 7.4.1. Luminiscencija

Fotoluminiscencija = osvjetljavanje materijala monokromatskom

svjetlošću  apsorpcija fotona  generiranje para elektron-šupljina 
svjetlost emitira rekombinacija para elektron -šupljina.
Fotoluminiscencija (fluorescencija):
Mehanizam pobude i izravna predaja viška
rekombinacija: energije rešetci emisija
fotona
polje fotona EG
hc G R hc
 EG  EG
1 2
0
apsorpcija
fotona
hc hc

1 2
Predavanje 38/45
 7.4.1. Luminiscencija

Fotoluminiscencija (fluorescencija): Uvjet za stalnu emisiju svjetlosti

G = R  za svaki apsorbirani mora biti i jedan emitirani foton.

polje fotona EG
Vrlo brzi R proces -
hc G R hc
 EG  EG srednje vrijeme života
1 2
e-p para  10-8 s =
0 fluorescencija

Primjena - fluorescentne sijalice (plinom punjene cijevi - smjesa argona

i žive, s unutrašnje strane premazane fluorescentnim materijalom). Atomi
plina pobuđeni el. izbojem između elektroda, emitiraju fotone u vidljivom
i ultraljubičastom dijelu spektra. Luminiscentni premaz apsorbira fotone i
re-emitira ih u vidljivom dijelu spektra.
Predavanje 38/45
 7.4.1. Luminiscencija

Fotoluminiscencija (fosforescencija) Mehanizam pobude i

rekombinacije preko R-centara
emisija fotona (izravna
rekombinacija)
polje fotona EG
hc G ER
 EG hc
1 R  EG
2
0
apsorpcija
fotona

Ako je vjerojatnost ponovne termičke pobude vrlo mala - kašnjenje

između pobude i rekombinacije može biti relativno dugo (ako je
vjerojatnost zahvaćanja R-centrom veća od vjerojatnosti rekombinacije -
elektron prije rekombinacije može biti i nekoliko puta zahvaćen R-
centrom) = spori R proces - fosforescencija. Valna duljina emitirane
svjetlosti (boja) ovisi o prisutnim primjesama.
Predavanje 38/45
 7.4.1. Luminiscencija

Katodoluminiscencija: pobuda visoko-energiziranim elektronima -

katodna cijev (osciloskop, televizor i sl.).
snop elektrona
emitirana
svjetlost
anoda
katoda

K A
visoki
sustav za otklon
napon
snopa elektrona fosforescentni
premaz
Energizirani elektroni udarom predaju energiju materijalu
fosforescentnog premaza zaslona i pobuđuju njegove elektrone na višu
energetsku razinu. Pri rekombinaciji tih elektrona, na zaslonu se
pojavljuje svijetla točka.
Predavanje 38/45
 7.4.1. Luminiscencija

Injekcijska luminiscencija: struja propusne polarizacije uzrokuje

injekciju manjinskih u područje većinskih nosilaca, gdje ti manjinski
nosioci mogu rekombinirati izazvavši pri tom emisiju svjetlosti - do
emisije svjetlosti dolazi samo ako je rekombinacija izravna - bez R-
centara.
Manja vjerojatnost pojave fotona
- ako je veći broj posrednika ili
- je premala promjena energije ( kT).

Pri maloj ukupnoj promjeni energije (prelasku elektrona na

donorsku, ili šupljine na akceptorsku razinu), energija se
pretvara u toplinsku energiju rešetke, a ne u emisiju fotona.

Predavanje 38/45
 7.4.1. Luminiscencija

Bitne značajke svjetlećih dioda - LED su:

- jačina emitirane svjetlosti kod određene struje propusne
polarizacije (izražava se u cd - kandelima),
- valna duljina emitirane svjetlosti pri maksimalnom zračenju,
spektralna širina zračenja ( 50% od maksimuma), te
- kut zračenja koji ovisi o tipu kućišta.

A metal
SiO2
I R P
N
U
N+

K
Predavanje 38/45
 7.4.2. Materijali za izradu svjetlećih dioda

Valna duljina emitirane svjetlosti , odnosno energija fotona - hc/

ovisi o EG. Pomoću složenih struktura raznih vrsta materijala
moguće je povećati broj raspoloživih energija (odnosno valnih
duljina svjetlosti).
Složeni poluvodič GaAs1-xPx - kombinacija GaAs i GaP - energetski
procjep se može mijenjati od 1,43 eV GaAs (infracrveno) do 2,26
eV GaP (zeleno) - x = udio atoma fosfora na strani V stupca (x  0,4
crveni dio spektra )
GaAs1-xPx dopiran s dušikom - žuti i zeleni dio spektra.

Za infracrveni (nevidljivi) dio spektra koriste se materijali - GaAs,

InP i njihove legure - pogodne za realizaciju predajnika u optičkim
komunikacijskim sustavima!

Predavanje 38/45
 7.5. OPTOIZOLATORI

Zaštita ulaznih sklopova za obradu signala od tranzijentnih napona

generiranih u nadziranom procesu (posebno ako se radi o visokom
naponu koji može uništiti osjetljive sklopove), te galvansko
odvajanje:
- induktivno (pomoću transformatora) ili
- optički pomoću optoizolatora.

Optoizolator ili optički sprežnik (engl. optocoupler) omogućava

galvansko odvajanje ulaza od izlaza (potencijalna razlika nekoliko
kV) - veza između ulaza i izlaza ostvaruje se optičkom spregom.

Osim galvanskog odvajanja optoizolator sprečava i

povratno djelovanje izlaza na ulaz!

Predavanje 38/45
 7.5. OPTOIZOLATORI

izvor svjetlosti - obično detektor svjetlosti -

GaAs fotodioda za fotootpornik, fotodetektor, ili
infracrveni dio spektra silicijski fototranzistor

R1
IF IC
U1 U2

R2

Neki optoizolatori imaju i zaseban izvod baze - strujom

baze može se dodatno mijenjati struja kolektora! U
energetske optoizolatore umjesto fototranzistora ugrađuje
se tiristor, pa je izlazna struja optoizolatora reda A!

Predavanje 38/45
 7.5. OPTOIZOLATORI

Karakteristični parametri optoizolatora:

- napon električke izolacije (do nekoliko kV),
- struja propusne polarizacije fotodiode IF,
- kolektorska struja IC, te
- omjer struja IC/IF = omjer istosmjernih struja (engl. direct-
current ratio) - viši što je bolja optička veza među
komponentama i veće pojačanje tranzistora!

Optička veza između fotodiode (ili PV lasera) i foto-

tranzistora koristi se i kod optičkih komunikacija: prijenos
govora, slike i podataka. Između izvora i detektora
svjetlosti polaže se optičko vlakno (engl. optical fiber).
Brzina prijenosa, odnosno širina prijenosnog
frekvencijskog opsega, vrlo je velika > 100 GHz.

Predavanje 38/45
 7.6. POLUVODIČKI LASERI

LASER (skraćenica od engl. Light Amplification by Stimulated

Emission of Radiation - Pojačanje svjetla stimuliranom emisijom
radijacije) izvor:
- usmjerenog,
- monokromatskog i
- koherentnog svjetla.
LED emitira nekoherentnu svjetlost generiranu spontanom
rekombinacijom elektrona i šupljina injektiranih kroz PN-spoj.
Ovisno o tipu lasera svjetlost može biti emitirana kao:
- kontinuirani snop male i srednje snage, ili
- kratak svjetlosni impuls snage do 1 MW.
1962. prvi PV PN-laseri - GaAs (infracrveni) i GaAsP (vidljivi dio
spektra) - od ostalih tipova lasera razlikuju se po: malim dimenzijama
( 0,1x0,1x0,3 mm), velikoj djelotvornosti i izlazu koji se lako
modulira strujom PN-spoja.
Predavanje 38/45
 7.6.1. Stimulirana emisija

emisija
fotona LED - spontana emisija - sporadična
E2
emisija radijacije. Učestalost
spont hc rekombinacije elektrona proporcionalna
 E 2  E1 
12 je samo broju elektrona na višoj razini -
E1 populaciji elektrona razine E2.

Eksponencijalno razgrađivanje  ako se dopusti razgradnja početne

populacije elektrona razine E2 odlaskom na nižu razinu E1.

Predavanje 38/45
 7.6.1. Stimulirana emisija

Stimulirana emisija - elektron na višoj ili pobuđenoj razini energije može

biti i stimuliran na rekombinaciju pomoću polja fotona odgovarajuće
valne duljine (i energije) hc/=E2–E1.
spontana stimulirana
emisija fotona emisija fotona
E2
stimulirajuće polje fotona
apsorp spont stim hc
hc
 E 2  E1   E 2  E1 
1 12
E1
apsorpcija
fotona apsorp = spont + stim

Svi fotoni imaju energiju hc/=E2–E1 pa je emitirana svjetlost

monokromatska (jedne valne duljine) i koherentna (svi fotoni u fazi).
Predavanje 38/45
 7.6.1. Stimulirana emisija

U termodinamičkoj ravnoteži populacija n2 << n1 - više elektrona na nižoj

energetskoj razini.
U radijacijskom polju fotona energije hc/ istodobno su prisutna tri
procesa:
a) stimulirana emisija - proporcionalna trenutnom broju
elektrona n2 na gornjoj energetskoj razini E2 i gustoći energije
stimulirajućeg polja .
b) apsorpcija fotona - proporcionalna populaciji elektrona donje
razine n1 i gustoći energije stimulirajućeg polja .
c) spontana emisija - učestalost proporcionalna samo populaciji
gornje razine n2.

Stacionarno stanje: populacije n2 i n1 su konstantne  apsorp = spont + stim

Za prijelaz iz gornje u donju razinu nije potrebno postojanje energije .
Za pobudu elektrona na prijelaz u višu razinu nužno je privesti energiju!
Predavanje 38/45
 7.6.1. Stimulirana emisija

U termodinamičkoj ravnoteži populacija n2 << n1 (stim << spont) 

populacija n2 može se povećati većom gustoćom energije stimulirajućeg
polja fotona   optički rezonator (sustav zrcala) - višestruka refleksija
na frekvenciji c/ stvara velika gustoća fotona.

n2 E2
stimulirajuće polje fotona
apsorp spont stim hc
hc
 E 2  E1   E2  E1 
1 12
n1 E1

Za stim >> spont (stimulirana emisija fotona veća apsorpcije fotona)

populacijsku inverziju - n2 > n1

Predavanje 38/45
 7.6.2. Populacijska inverzija PN-spoja

P+N+-spoj (degenerirani poluvodič) pri velikoj struji propusne

polarizacije, elektroni i šupljine se pojačano injektiraju u i kroz PN-spoja
 osiromašeno područje nije više osiromašeno - velika koncentracija
elektrona u vodljivom i šupljina u valentnom pojasu - uski pojas u PN-
spoju i oko njega postaje područje populacijske inverzije - najlakše se
opisuje kvazi-Fermijevim razinama.

 E  E Fn   E  E Fi 
n  N c exp  vod   ni exp Fn 
 kT   kT 

 E Fp  E val   E Fi  E Fp 
p  N v exp    ni exp
 


 kT   kT 
Koncentracija elektrona injektiranih u području populacijske inverzije u
P-tip poluvodiča i šupljina injektiranih u N-tip poluvodiča, mnogo je viša
od ravnotežne koncentracije.
Predavanje 38/45
 7.6.2. Populacijska inverzija PN-spoja

P+ N+
EFn= EF EFn= EF
Evod n
Evod Evod
EFn EFn
EFn – EFp Evod –Eval
Eval
Eval Eval
EFp= EF p EFp= EF

područje populacijske
inverzije
Razlika kvazi-fermijevih energija EFn – EFp = mjera odstupanja od
ravnotežnog stanja. Na rubovima osiromašena sloja u području
populacijske inverzije odstupanje je najveće, a razlika energija
EFn – EFp > EG.
Predavanje 38/45
 7.6.2. Populacijska inverzija PN-spoja

Kod poluvodičkih lasera stoje na raspolaganju pojasi energija (ne

energetske razine). Prijelazi sa svih razina energije ispod EFn u vodljivom
na sve razine iznad EFp u valentnom pojasu zadovoljavaju uvjete
populacijske inverzije:

E Fn  E Fp   hc  EG
 stimulirana emisija PN-lasera može postojati za razne valne duljine, a
dominantnu valnu duljinu fotona određuje rezonantna šupljina i jaka
rekombinacijska radijacija u okolici hc = EG.

Predavanje 38/45
 7.6.2. Populacijska inverzija PN-spoja

PN-laser: odnos intenziteta svjetlosti IEM i energije fotona hc

IEM IEM IEM

hc hc hc
  
nekoherentna emisija laserski modovi na dominantni laserski
ispod praga pragu mod iznad praga

skala intenziteta komprimirana u smjeru 

Predavanje 38/45
 8. POLUVODIČKE ENERGETSKE
SKLOPKE

Režim sklopke - komponenta prelazi iz stanja

- blokiranja (isključeno - OFF: I  0 A, U  Umaks) u stanje
- vođenja (uključeno - ON: I  Imak, U  0 V) i obrnuto.
- Pdis = I U - disipacija na sklopci mala !
Digitalni sklopovi
- male struje (1 mA), i mali naponi (V).
Sklopovi energetske elektronike (ispravljači, pretvarači frekvencija)
- velike struje (100 A), veliki naponi (1 kV)
Poluvodičke energetske sklopke
- mala disipacija,
- velika brzina prekapčanja i
- bistabilan način rada - komponenta blokirana u području
propusne polarizacije sve dok je u stanje vođenja ne prebaci
neki vanjski okidni signal.
Predavanje 38/45
 8. POLUVODIČKE ENERGETSKE
SKLOPKE

Bistabilna komponenta (unutrašnja povratna veza) u propusnoj

polarizaciji ostaje u :
- stanju vrlo visoke impedancije - stanju blokiranja, ili
- stanju vrlo niske impedancije - stanju vođenja.

Prijelaz iz jednog u drugo stanje tek ispunjenjem određenih uvjeta koji se

mogu mijenjati izvana - tiristori.

Tiristor zamjenjuje nazive: četveroslojna dioda, četveroslojni

tranzistor, Shockleyjeva dioda i trioda, te NPNP i PNPN-
dioda i tranzistor.
I-U karakteristika tiristora slična karakteristici tiratrona -
plinom punjene cijevi.

Predavanje 38/45
8. POLUVODIČKE ENERGETSKE
SKLOPKE

Jednospojni tranzistor (engl. UniJunction Transistor– UJT) -

često kao sklopka za okidanje tiristora, u sklopovima
oscilatora i generatora relaksacijskih oscilacija.

Bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom

(engl. Insulated Gate Bipolar Transistor - IGBT ) - za rad na
višim frekvencijama - “hibridna” komponenta koja koristi
najbolja svojstva bipolarnog tranzistora (BT) i tranzistora s
efektom polja s izoliranom upravljačkom elektrodom
(MOSFET).

Predavanje 38/45
 8.1 JEDNOSPOJNI TRANZISTORI (UJT)

Jednospojni tranzistor (engl. UniJunction Transistor– UJT) ili dvobazna

dioda - temelji rad na modulaciji vodljivosti baze - ima samo jedan PN-
spoj - često se upotrebljava kao komponenta za okidanje tiristora.
B2
IBB P+N spoj s dva bazna područja
N
 dvobazna dioda).

UBB P+ E IEE B2
B1 E
UEE
UE
RE Iz blokiranja prelazi u vođenje
kada vanjski napon UE dosegne
B1
kritični iznos Upr0.

Predavanje 38/45
 8.1 JEDNOSPOJNI TRANZISTORI (UJT)

Propusna polarizacija - IBB > 0. Kod još veće IE strujno-naponska

karakteristika se oblikom približava karakteristici obične PN-diode. Mali
naponski pomak od karakteristika obične PN-diode posljedica je pada
napona na konačnom preostalom otporu R’1.

B2
IBB
R2 IE, mA

UD IBB = 0 IBB > 0

UBB IEE
E
UEE negativan
UE otpor
R’1 RE
B1
U E, V
Upr0
Predavanje 38/45
 8.2 TIRISTORI
8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Osnovna struktura i koncentracija primjesa diodnog tiristora

omski
kontakt
P1+ P1 N1 P2 N2 N2 +
omski
kontakt
|NA– ND|

unutarnji tiristor

db1 db2 db3 x

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Simbol i I-U karakteristika diodnog tiristora

A K IA , A
Propusna polarizacija

Ih - (engl holding current) struja vođenje

držanja
Uh - (engl holding voltage) napon područje negativnog
Ih
držanja otpora
Upr IA(UPM0)
Uh UPM0 UAK, V
proboj blokiranje
Nepropusna
polarizacija –IA, A

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Stanje blokiranja u propusnoj polarizaciji

UAK
A K
UAK < UPM0 + P1 N1 P2 N2 –
IA
db1 db2 db3

IA db1 i db3 propusno polarizirane

db2 nepropusno polarizirana

Struja IA kroz db1 i db3 = reverzna

struja zasićenja osiromašenog
područja db2!
1 i 2 ekvivalentnog PNP i
NPN-tranzistora su vrlo mali!
UPM0 UAK

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Stanje vođenja u propusnoj polarizaciji

+U01– –U02 + +U03–

UAK = Uh A K
+ P1 N1 P2 N2 –
IA
db1 db2 db3
IA (1 +2)1 - db2 se prepolarizira -
regenerativan proces: veća opskrba
elektronima N1-strane  veća
injekcija šupljina kroz db1 uz
zadržavanje električne neutralnosti
prostornog naboja  veća injekcija
šupljina tranzistorskim efektom
opskrbljuje P2-područje i proces se
UPM0 UAK
zatim samostalno nastavlja.......
Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Reverzno područje u nepropusnoj polarizaciji

UAK
A K
UAK  Upr – P1 N1 P2 N2 +
IA
db1 db2 db3
IA db1 i db3 nepropusno polarizirane
db2 propusno polarizirana

db3 < db1  proboj pri nekoliko

volta.
Proboj diodnog tiristora ovisi o
Upr=UPM0 proboju db1  Upr  UPM0.
UPM0 UAK

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada
Tumačenje prijelaza iz stanja blokiranja u stanje vođenja
pomoću dvo-tranzistorske analogije

A A A
P1 P1 IA
db1 db1
IB1= IC2 IB1= IC2
N1 N1 N1 T1
 
IC1= IB2 db2 T2
db2 db2 IC1= IB2
P2 P2 P2
db3 db3
N2 N2 IK

K K K

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada
Tumačenje prijelaza iz stanja blokiranja u stanje vođenja
pomoću dvo-tranzistorske analogije
A 1 = N - faktor strujnog pojačanja PNP tranzistora
IA 2= N - faktor strujnog pojačanja NPN-tranzistora,
ICB01 i ICB02 - struje zasićenja PNP i NPN tranzistora
IB1= IC2
T1 I C 2   2 I E  I CB 02   2 I K  I CB 02
T2
IC1= IB2 I B1  I E1  I C1  (1  1 )I A  I CB 01
IK 

K I C 2   2 I K  I CB 02  I B1  (1  1 )I A  I CB 01

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada
Tumačenje prijelaza iz stanja blokiranja u stanje vođenja
pomoću dvo-tranzistorske analogije
A IA i IK prema analogiji s PN-diodom: IA = IK
IA
 2 I K  I CB 02  (1  1 )I A  I CB 01
IB1= IC2
T1 

T2  2 I A  I CB 02  (1  1 )I A  I CB 01
IC1= IB2

IK
IA = ICB01 + ICB02  (1 +2) <<1 I CB 01  I CB 02
K IA 
IA raste sa (1 +2)  1
1  1   2 

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Mehanizmi okidanja diodnog tiristora

Načini naglog povećanja nosilaca naboja koji potiče prijelaz diodnog
tiristora iz blokirajućeg u vodljivo stanje:
• povećanje temperature - povećavanje učestalosti termičkog
generiranja parova nosilaca naboja i njihovo vrijeme života 
povećanje struje  povećanje faktora strujnog pojačanja.
• optička pobuda - optičko generiranje parova nosilaca naboja (npr.
kod optoelektroničkih komponenata kao što su svijetlom aktivirani
SCR: LASCR (engl. Light-Activated SCR)).
• naponski proboj - nastaje kod UAK UPM0. Posljedica je proboj (ili
znatno propuštanje) srednjeg nepropusno polariziranog osiromašenog
područja db2. Mehanizam proboja obično nastaje kombinacijom
a) lavinske multiplikacije i
b) efekta suženja baze.

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Mehanizmi okidanja diodnog tiristora

A
Lavinska multiplikacija: nastaje u srednjem
IA
nepropusno polariziranom osiromašenom području
db2  povećava se injekcija emiterskih spojeva.
IB1= IC2
T1
Zbog tranzistorskog efekta ne mora biti dosegnut
T2 puni napon proboja osiromašenog područja db2!
IC1= IB2
Proboj nastaje u kolektorskom spoju tranzistora
IK kod IB = 0, za je M = 1:

K
M I CB 01  I CB 02 
IA 
1  M 1   2 

Predavanje 38/45
 8.2.1. Diodni tiristori - načelo rada

Mehanizmi okidanja diodnog tiristora

M I CB 01  I CB 02 
A I 
Lavinska multiplikacija A 1  M 1   2 
IA
Uvjet prelaska u vodljivo stanje:
IB1= IC2
T1 M 1   2   1
T2
IC1= IB2 M - faktor lavinske multiplikacije određuje izraz:
1
IK M 
k 1
 U AK 
K 1  
 U pr 
 

Predavanje 38/45
 8.2.2. Triodni tiristori

Triodni tiristor - SCR (engl. Semiconductor Controlled Rectifier) -

najčešće je korišteni tip tiristora.

A K
IA P1 N1 P2 N2 IK
 A
RG IG IA

UG IB1= IC2
T1
IC1
IG može pokrenuti prebacivanje u T2
G IB2
stanje vođenja: viša IG  niži UPM! IG

IK
IB2 = IG + IC1
K
Predavanje 38/45
 8.2.2. Triodni tiristori

Simbol i I-U karakteristika triodnog tiristora

A K IA , A
G

IG2 > IG1 > IG = 0

UPM2 UPM0 UAK, V

UPM1

Predavanje 38/45
 8.2.2. Triodni tiristori

A I C 2   2 I K  I CB 02   2 I A  I G   I CB 02
IA
I B1  I E1  I C1  (1  1 )I A  I CB 01
IB1= IC2
T1 

 2 I A  I G   I CB 02  (1  1 )I A  I CB 01
IC1
G T2
IG IB2

IK  2 I G  I CB 01  I CB 02
IA 
I K  I A I G
K 1  1   2 

Do uključenja tiristora dolazi pri UPM < UPM0 - zbog IG raste

struja u blokiranom tiristoru, pa je uvjet 1 +2 = 1
postignut prije lavinske multiplikacije!
Predavanje 38/45
 8.2.2. Triodni tiristori

A Okidanje propusno polariziranog tiristora.

IA

IB1= IC2 Zbog regenerativnog djelovanja ekvivalentnih

T1 tranzistora nakon prelaska u stanje vođenja struja
G IC1 upravljačke elektrode gubi kontrolu nad
IG T2 tiristorom  struja upravljačke elektrode može
IB2
biti impulsnog tipa (nekoliko mikrosekunda).
IK

K
GTO tiristori (engl. Gate Turn-Of f) - gašenje pomoću upravljačke
elektrode.

Predavanje 38/45
 8.2.3. Dvosmjerni diodni tiristori

DIAC (engl. DIode AC switch) ili bilateralni diodni tiristor -

antiparaleni spoj dvaju diodnih tiristora.

IA
A1 A2

–Upr =UPM0
UPM0 UAK

Predavanje 38/45
 8.2.4. Dvosmjerni triodni tiristori

TRIAC ili bilateralni triodni tiristor - nije jednostavan antiparaleni

spoj dvaju triodnih tiristora.

IA , A
A1 A2
G
IG2 > IG1 > IG = 0
– UPM1
–UPM0 – UPM2
UPM2 UPM0 UAK, V
UPM1

Predavanje 38/45
 8.2.5. Problemi pri naglom porastu anodnog
napona i anodne struje
duA/dt efekt - prelazak u stanje vođenja pri nižem naponu od UPM0
zbog naglog porasta anodnog napona propusno polariziranog tiristora -
česta pojava zbog tranzijenata u mrežama za napajanje tiristora.
A A A
P1 P1 i
db1 Cb1 Cb1

N1 N1 N1 T1
  Cb2
Cb2 T2
db2 Cb2
P2 P2 P2
db3 Cb3 Cb3
N2 N2 i

K K K
Predavanje 38/45
 8.2.5. Problemi pri naglom porastu anodnog
napona i anodne struje
duA/dt efekt -širina nepropusno polariziranog područja tiristora db2
nastoji se prilagoditi naglom porastu anodnog napona:
- duA/dt malo zanemarive struje "izvlačenja" elektrona i
šupljina
- duA/dt veliko struje postaju znatne, velika brzina izvlačenja
A elektrona i šupljina.
i
Kapacitivna tranzijentna struja PN-spoja:
T1
dCb 2 u A  du dC b 2
Cb2 i t    Cb 2 A  u A
T2 dt dt dt

K Predavanje 38/45
 8.2.5. Problemi pri naglom porastu anodnog
napona i anodne struje
duA/dt efekt
Barijerni kapaciteti propusno polariziranih područja Cb1 i Cb3 kratko su
spojeni malim otporom propusne polarizacije. Cb2 je funkcija napona uA i
vremena t.
Za skokovi PN-prijelaz: Cb2  k/(uA)1/2 :
A C du
i t   b2 A
i 2 dt

Povećanje struje zbog duA/dt >> 0 dovodi

T1
do povećanja zbroja faktora pojačanja (1
Cb2 +2)  uvjet za prelazak u vođenje
T2
postignut pri znatno nižim naponima od
UPM0!
i
U realnim tiristorima duA/dt  10 - 100V/s.
K Predavanje 38/45
 8.2.5. Problemi pri naglom porastu anodnog
napona i anodne struje
diA/dt efekt - prevelika gustoća struje u blizini kontakta upravljačke
elektrode - mjesto najvećeg zagrijavanja koje može uništiti tiristor.

struja šupljina
db1 db2
P1 N1 P2
+A G
+ struja elektrona
Rp2
–K
– N2
db3

Predavanje 38/45
 8.3. BIPOLARNI TRANZISTORI S
IZOLIRANOM UPRAVLJAČKOM
ELEKTRODOM - IGBT
IGBT-a struktura = kombinacija bipolarnog tranzistora i tranzistora s
efektom polja s izoliranom upravljačkom elektrodom. IGBT karakterizira:
- jednostavno (naponsko) upravljanje – MOSFET, i
- mali napon vođenja (napon zasićenja) - BT.

Predavanje 38/45
 8.3. BIPOLARNI TRANZISTORI S
IZOLIRANOM UPRAVLJAČKOM
ELEKTRODOM - IGBT

Da bi PNP sklopka došla u ON stanje, treba propusno polarizirati i

emiterski i kolektorski spoj - granični uvjet ulaska u zasićenje: UCB = 0.

OFF stanje

ON stanje

Predavanje 38/45
 8.3. BIPOLARNI TRANZISTORI S
IZOLIRANOM UPRAVLJAČKOM
ELEKTRODOM - IGBT

Ako se sklopka SW zamijeni N-

kanalnim MOSFET-om dobiva
se naponski upravljana
bipolarna tranzistorska
sklopka - IGBT.

Predavanje 38/45
 8.3. BIPOLARNI TRANZISTORI S
IZOLIRANOM UPRAVLJAČKOM
ELEKTRODOM - IGBT
IGBT - izlazne I-U karakteristike
IC , mA UGE5
15
UGE4
10 UGE3
5 UGE2
UGE1 = Utn
UCEzas UCE , V

Napon vođenja UCEzas: 1,5 - 4 V(kod MOSFETa za nazivne napone od 1000 V

veći od 10V!)
Napon praga relativno visok - Utn > 4 V.
Ulazni otpor vrlo velik (ulaz komponente MOS struktura) - opasnost od proboja
zbog statičkog elektriciteta.
Predavanje 38/45
Predavanje 38/45