KULIAH ELEKTRONIKA DAYA

Pengantar

Definisi

MATERI II
Arsitektur SAKLAR ELEKTRONIK

Operasional

Sinkronisasi

Kesimpulan &
Saran
Muhamad Ali, MT
Http://muhal.wordpress.com
 Pengantar
Prev. Next Main

 Saklar Elektronik (Electronics Switching) merupakan dasar dari

aplikasi rangkaian elektronika daya
 Saklar elektronik untuk menghasilkan efisiensi yang tinggi
 Saklar Elektronik
Prev. Next Main

 Dioda Power (Power Diode)

 Transistor Power Bipolar (Power BJT)
 Transistor Efek Medan (Field-Effect Power Transistor,
MOSFET)
 Silicon-Controlled Rectifier (SCR) atau Thyristor
 Gate Turn-off Thyristor (GTO)
 Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)
 Mos-Controlled Thyristor (MCT)
 Dll
 Dioda Power
Prev. Next Main

 Dioda

i
Ideal

VTH~ 0

IR~0 v
 Dioda Power
Prev. Next Main

 Macam-macam bentuk Dioda Power

 Dioda Power
Prev. Next Main

 Dioda

ON, jika :
 A dan K dibias maju (FB), dimana A(+) dan K (-).
 VAK = 0, IA = Ibeban

OFF, jika :
 A dan K dibias mundur (RB), dimana A(-) dan K (+).

 VAK = Vsumber, IA = 0
 Dioda Power
Prev. Next Main

 Forward-biased region, where vD > 0. ID is very small if vD < VTH

(threshold or cut-in or turn-on or knee voltage). ID is large if vD > VTH.
The diode conducts fully and ID is limited externally. \
 Reverse-biased region, where vD < 0. The reverse leakage current, IR
(or IS) is very small, in the range of micro- to milli-ampere due to the
flow of the thermally generated carriers.
 Breakdown region, where vD < -VBR (breakdown voltage). VBR is
avalanche or zener voltage, where avalanche breakdown begins to
occur. The reverse current increases rapidly with a small change in
reverse voltage beyond VBR. If the current is limited external, the diode
is not spoiled as long as the power dissipation (ID*VBR) < PD,max.
 Comparisons:
VTH: power diodes: ~1V; signal diodes: ~0.7V
forward i-v: power diodes: linear; signal diodes: exponential
Ron (ohmic resistance): power diodes: >0; signal diodes: ~0.
 Karakteristik Switching Dioda
Prev. Next Main

Qrr  Irrtrr/2, Ileak  0

diF/dt diR/dt
IF
i(t) trr 0.25Irr Ileak

0 t
Tens of volts t3 Qrr
VFP t4 Irr
v(t)
t5
0
Von VR

Vrr
t1 t2

Bentuk gelombang Tegangan dan Arus untuk Dioda Power

yang di driven oleh arus dengan diF/dt tertentu dan and diR/dt.
 Transistor
Prev. Next Main

 Transistor merupakan komponen elektronika yang banyak digunakan

dalam aplikasi
 Transistor dapat digunakan sebagai penguat sinyal, pembangkit
gelombang, rangkaian pengendali dan juga switching
 Pada pokok bahasan elektronika daya, transistor banyak dioperasikan
sebagai saklar elektronik
 Transistor
Prev. Next Main

 Bentuk Transistor Daya

 Transistor Tipe NPN
Prev. Next Main

 A
 Transistor Tipe PNP
Prev. Next Main

 Transistor
 Daerah Kerja Transistor BJT
Prev. Next Main

 Daerah Cut Off

 Daerah Aktif
 Daerah jenuh/saturasi
 Transistor BJT
Prev. Next Main

 Transistor
ON, jika :
• Terminal C dan E dibias maju, polaritas C dan E
tergantung jenis transistornya.
• Arus IB > 0
• VCE = 0 dan IC = Ibeban

OFF, jika :
 Terminal C dan E dibias maju, polaritas C dan E
tergantung jenis transistornya.
 Arus IB = 0

 VCE = VCC = Vsumber dan IC = 0

 Transistor Sebagai Saklar
Prev. Next Main

 Transistor
 Kelemahan Transistor BJT
Prev. Next Main

 Memerlukan arus basis untuk mengaktifkannya

 Muncul rugi-rugi
 Muncul panas
 Efisiensi menurun
 Transistor FET
Prev. Next Main

 Transistor jenis lain yaitu Field Effec Transistor atau dikenal dengan
nama Transistor Efek Medan (FET)
 Transistor FET tidak memerlukan arus untuk mengaktifkannya
sehingga lebih efisien dan tahan terhadap panas
 Simbol FET
 Transistor FET
Prev. Next Main

 Transistor jenis lain yaitu Field Effec Transistor atau dikenal dengan
nama Transistor Efek Medan (FET)
 Transistor FET tidak memerlukan arus untuk mengaktifkannya
sehingga lebih efisien dan tahan terhadap panas
 Karakteristik FET
Prev. Next Main

 Transistor Drain
Gate
Source
VDS = VGS-VGS(TH)
Tipe N
VDS<VGS-VGS(TH) VDS > VGS-VGS(TH)
iD Ohmic Active region
region VGS5

Increasing VGS
IDS5
VGS4 iD Ideal
IDS4 on
VGS3
IDS3
VGS2 off
IDS2
VGS1 VGS > VGS(TH) vDS
IDS1
BVDSS vDS
VGS < VGS(TH) Cut-off region
 Transistor FET
Prev. Next Main

 FET
ON, jika :
• Terminal D dan S dibias maju, polaritas D dan S
tergantung jenis mosfetnya.
• Tegangan VGS > 0
• VDS = 0 dan ID = Ibeban

OFF, jika :
 Terminal D dan S dibias maju, polaritas D dan S
tergantung jenis mosfetnya.
 Tegangan VGS = 0

 VDS = VDD = Vsumber dan ID = 0

 FET Sebagai Saklar
Prev. Next Main

 FET
 SCR
Prev. Next Main

 SCR
 Struktur SCR
Prev. Next Main

 SCR
 Karakteristik SCR
Prev. Next Main

 SCR
 SCR
Prev. Next Main

 SCR
ON, jika :
A dan K dibias maju (FB), dimana A(+) dan K (-).
Arus IG > 0
VAK = 0, IA = Ibeban

OFF, jika :
 A dan K dibias mundur (RB), dimana A(-) dan K (+).
 Arus IG > 0
 VAK = Vsumber, IA = 0
 Contoh Aplikasi SCR
Prev. Next Main

 SCR
 Diac
Prev. Next Main

 Diac
 Karakteristik Diac
Prev. Next Main

 Diac
 Contoh Aplikasi Diac
Prev. Next Main

 Diac
 Triac
Prev. Next Main

 Triac
 Triac
Prev. Next Main

 Macam Bentuk Triac di Pasaran

 Triac
Prev. Next Main

 Triac
A dan K dibias maju (FB), A dan K dibias maju (FB),
dimana A(+) dan K (-). dimana A(+) dan K (-).
ON, jika :
OFF, jika :
Arus IG > 0
Arus IG =0
VAK = 0, IA = Ibeban
VAK = Vsumber, IA = 0

A dan K dibias mundur (RB), A dan K dibias mundur (RB),

dimana A(-) dan K (+). dimana A(-) dan K (+).
ON, jika : OFF, jika :
 Arus IG < 0  Arus IG = 0
 VAK = 0, IA = Ibeban  VAK = Vsumber, IA = 0
 IGBT
Prev. Next Main

 IGBT

Equivalent circuits
p-channel
n-channel C
C MOSFET
MOSFET npn
pnp
BJT
BJT
G
G
E
E
n-channel IGBT p-channel IGBT

Circuit symbols:
C C D
Drain(D)
Gate
G or (G)
n-Channel G or G
E Source(S) E S
n-channel IGBT p-channel IGBT
 IGBT
Prev. Next Main

 Macam-macam bentuk IGBT

 Karakteristik IGBT
Prev. Next Main

 Triac
iC Increasing VGE
VGE5 iC actual

VGE4 Active region

A few tens VGE3
of volts VGE(th) vGE
due J1 linearized
VGE2
breakdown Transfer curve
VRM VGE1 VGE > VGE(th)

VGE < VGE(th) Cut-off region BVCES vCE

~1V
Due to J1 forward bias

VGE(th) ~ 3- 8V, VGE(max) = 20 to 25V, VCE(sat) ~ 2- 4V

Terima Kasih

Prev. Main