1. Kako šupljina prenosi elektricitet?

Ona prenosi elektricitet tako što to upražnjeno mjesto popunjava elektron iz neke od susjednih
kovalentih veza (jer se kovalentna veza mora ponovno uspostaviti i neutralizirati njen
pozitivan naboj). To uzrokuje razbijanje susjedne kovalentne veze i cijeli proces se ponavlja.

2. Čemu je jednak umnožak koncentracija većinskih i manjinskih nosilaca u poluvodiču?

Umnožak ravnotežnih koncentracija elektrona i šupljina konstantan je i jednak kvadratu
koncentracije u čistom poluvodiču n0p0=nipi=ni2.

3. Što je Fermijeva razina?

Fermijeva razina je omjer koncentracije elektrona i šupljina.

4. Što je nehomogeni poluvodič?

Nehomogeni poluvodič je poluvodič kod kojeg se koncentracija nosilaca naboja u poluvodiču
istog tipa provodnosti (N ili P) mijenja prostorno.

5. Gdje se kod PN-spoja javlja električno polje i zašto?

Električno polje se stvara u osiromašenom području, a stvara se zbog prostornog naboja u
osiromašenom području lijevo i desno od PN-spoja.

6. Kako o naponu ovisi barijerni kapacitet PN-spoja?

Barijerni kapacitet PN-spoja je naponski promjenjivi kapacitet pa je stoga proporcionalan
naponu tj. povećanjem napona povećava se i kapacitet.

7.Napisati Schockley-evu jednadžbu.

Schottkyeva jednadžba idealne diode glasi :

8. Definirati diodu sa uskim i širokim stranama.

Kod dioda uskih strana kvazineutralna područja znatno su kraća od difuzijskih duljina , pa
stoga kod njih ne dolazi do značajnije rekombinacije nosilaca naboja. Svi manjinski nosioci
rekombiniraju tek na ohmskim kontaktima takve diode. Kod dioda širokih strana P-područja i
N-područja znatno su dulja od osiromašenog područja. U takvoj se diodi, zbog rekombinacije,
ravnotežna koncentracija nosilaca naboja ponovo uspostavlja na dovoljnoj udaljenosti od
osiromašenog područja.

9. Usporediti temperaturne koeficijente lavinskog i tunelskog proboja.

Kod lavinskog proboja s porastom temperature povećava se napon proboja jer je obrnuto
proporcionalan s pokretljivosti nosilaca naboja koja se smanjuje s porastom temperature. Kod
Zenerovog proboja s porastom temperature smanjuje se probojni napon, jer se smanjenjem
širine energetskog procjepa EG povećava vjerojatnost tuneliranja.

10. O čemu ovisi visina potencijalne barijere koja sprečava prelazak elektrona iz metala u
poluvodič?
Visina potencijalne barijere koja sprječava prijelaz elektrona iz metala u poluvodič ovisi o
razlici izlaznog rada iz metala i afiniteta.
11. Kako širina energetskog procijepa utječe na reverznu struju zasićenja?
S porastom širine energetskog procjepa EG reverzna struja zasićenja IS opada.

12. Što je PIN dioda?

To je dioda kod koje se između dva jako dopirana (dobro vodljiva) područja nalazi (slabo
provodno) područje (gotovo) čistog poluvodiča. Koriste se kao promjenjiv otpor i kao
posebna vrsta prekidačkih diodana vrlo visokim frekvencijama i pri velikim snagama.

13. Kako treba polarizirati varaktor da bi se dobila naponska promjena kapaciteta?

Da bi se dobila naponska promjena kapaciteta varaktor treba nepropusno polarizirati.

14. Na kojem je dijelu karakteristike dinamički otpor tunelske diode negativan?

Dinamički otpor tunelske diode negativan je na 4. dijelu karakteristike.

15. Koji sve načini rada bipolarnog tranzistora postoje, ovisno o polarizaciji emiterskog i
kolektorskog spoja?
Baza i emiter čine u normalnom aktivnom načinu rada propusno polariziran PN spoj (kod
NPN tranzistora), za razliku od kolektora i baze koji u normalnom aktivnom načinu rada čine
nepropusno polariziran PN spoj.

16.Kako se može mijenjati provodnost poluvodiča?

Električna provodnost čvrstog tijela ovisi o slobodnim nosiocima naboja, koji se mogu gibati
pod djelovanjem električnog polja ili gradijenta koncentracije nosilaca naboja. Provodnost
poluvodiča može se mijenjati promjenom temperature.

17.O čemu ovisi koncentracija elektrona u čistom poluvodiču?

Koncentracija elektrona (šupljina) u čistom poluvodiču ovisi o materijalu i temperaturi.

18. Kako Fermijeva razina ovisi o koncentraciji primjesa?

Ako su primjese donorskog tipa (N-tip), položaj Fermijeve razine pomiče se prema gornjem
rubu energetskog procjepa i nalazi se iznad razine (koncentracija elektrona je veća od
koncentracije šupljina). Ako su primjese akceptorskog tipa (P-tip) Fermijeva razina je bliža
dnu energetskog procjepa i nalazi se ispod razine (koncentracija šupljina jeveća od
koncetracije elektrona).

19. Zbog čega dolazi do difuzije u poluvodiču?

Do difuzije u poluvodiču dolazi zbog neravnotežne koncentracije nosilaca naboja u
materijalu, a ona može nastati za vrijeme tehnološke izrade poluvodiča ili pod djelovanjem
vanjskih utjecaja (električno polje, osvjetljavanje poluvodiča, injekcija nosilaca naboja).

20.Kako se stvara osiromašeno područje?

Osiromašeno područje se stvara na način da područje nekompenziranog prostornog naboja u
prvoj aproksimaciji čine samo nepokretni ioni primjesa, ali ne i slobodni nosioci naboja.

21. Kako o koncentracijama primjesa ovisi barijerni kapacitet PN-spoja?

Barijerni kapacitet PN-spoja je obrnuto proporcionalan koncentraciji primjesa tj. dodavanjem
primjesa barijerni kapacitet se smanjuje.

22. Što su kvazineutralna područja PN-spoja?

Kvazineutralna područja su područja dovoljno udaljena od PN-prijelaza gdje koncentracija
nosilaca naboja ostaje ista kao i prije spajanja monokristala P-tipa i N-tipa.
Ona se nadovezuju na osiromašeno područje i u njemu nema zamjetnog djelovanja
električkog polja.

23. Što je faktor injekcije kod PN-spoja?

Faktor injekcije je omjerom injektirane struje manjinskih nosilaca naboja i ukupne struje PN-
spoja.

24. U kakvim osiromašenim područjima dolazi do Zenerovog proboja?

Do Zenerovog (tunelskog) proboja dolazi u uskim osiromašenim područjima, dakle pri
visokim koncentracijama primjesa i skokovitim PN-prijelazima.

25.Zbog čega dolazi do difuzije u poluvodiču? Što je difuzijska konstanta?

Do difuzije u poluvodiču dolazi zbog neravnotežne koncentracije nosilaca naboja u
matrerijalu, a ona može nastati zavrijeme tehnološke izrade poluvodiča ili pod djelovanjem
vanjskih utjecaja (elelektrično polje, osvjetljavanje poluvodiča, injekcija nosilaca naboja).
Difuzijska konstanta je konstanta pomoću koje se računa broj elektrona(šupljina)
koji sudjeluju u difuziji.

26.Što je nehomogeni poluvodič i ugrađeno električno polje?

Nehomogeni poluvodič je poluvodič kod kojeg se koncentracija nosilaca naboja u poluvodiču
istog tipa provodnosti (N ili P) mijenja prostorno. Ugrađeno električno polje je specifičnost
nehomogenog poluvodiča.

27.Kakva je veza između difuzijske konstante i pokretljivosti istovrsnih nosilaca naboja?

Veza između difuzijske konstante i pokretljivosti istovrsnih nos ilaca naboja je ta da bilo
kakva prostorna promjena nosilaca naboja izaziva difuzijsku struju koja uspostavlja unutarnje
polje, a ono opet driftnom preraspodjelom uspostavlja novu ravnotežu nosilaca naboja.

28.Što opisuje jednadžba kontinuiteta?

Vremenski prirast gustoće nosilaca naboja u nekom volumenu određen je razlikom
učestalosti procesa generiranja i rekombinacije nosilaca naboja u tom volumenu, te
protjecanjem izvana narinutih nosilaca naboja kroz taj volumen.

29.Što je difuzijska duljina?

Difuzijska duljina je srednji slobodni put elektrona,odnosno šupljine prije njihove
rekombinacije, a ovisi o difuzijskojkonstanti i vremenu života nosilaca naboja.

30.Po kojem se zakonu prostorno razgrađuje ekscesni naboj? Koliko ekscesnih

elektrona preostaje?
Po exp zakonu, ostane 1/e.

31 . Akceptor (primalac) je atom primjese koji osigurava šupljinsku provodnost. On

popunjava svoju valentnu vezu preuzimanjem elektrona iz susjedne razbijenekovalentne veze,
postajući pri tome negativan ion.

32.Kako šupljina prenosi elektricitet? Ona prenosi elektricitet tako što to upražnjeno mjesto
popunjava elektron iz neke od susjednih kovalentih veza (jer sekovalentna veza mora
ponovno uspostaviti i neutralizirati njen pozitivan naboj). To uzrokuje razbijanje susjedne
kovalentne veze i cijeli proces se ponavlja. Gibanje tog mnoštva elektrona koji redom
popunjavaju praznine u razbijenim valentnim vezama, ekvivalentno je gibanju zamišljene
čestice koja je nosilac pozitivnog naboja (šupljine) i koja se giba u suprotnom smjeru od
gibanja elektrona.

33.Nacrtati modele elektronskih veza za Si poluvodič N tipa na T > Ti.

*isto kao i 48*
Kod N-tipa većinski nosioci naboja su elektroni, a manjinski šupljine. Zato što N-tip
poluvodiča nastaje tako da se čistom poluvodiču dodaju atomi peterovalentne primjese. Tada
4 elektrona iz atoma primjese popunjavaju 4 kovalentne veze i stvaraju stabilnu ljusku od 8
elektrona. Peti elektron postaje slobodan i zajedno sa elektronima dobivajutermičkim
razbijanjem kovalentnih veza stvaraju pretežno elektronsku provodnost poluvodiča, jer
šupljine nastaju samo termičkim razbijanjem valentnih veza. Kod P-tipa većinski nosioci
naboja su šupljine, a manjinski elektroni. Zato što P-tip poluvodiča nastaje tako da se čistom
poluvodiču dodaju atomi trovalentne primjese. Tada 3 elektrona primjese stvaraju 3
kovalentne veze, dok jedna ostaje nekompletna. Slobodne šupljine nastale ionizacijom
primjesa i termičkimrazbijanjem kovalentnih veza stvaraju pretežno šupljinsku provodnost
poluvodiča, jer elektroni nastaju samo termičkim razbijanjem kovalentnih veza

34.
Što su to vremena života nosilaca naboja? Zašto je važno vrijeme života manjinskih nosilaca
naboja?
Efektivno vrijeme života nosilaca naboja je srednje vrijeme između generiranja i
rekombinacije nosioca naboja. Vrijeme manjinskih nosilaca naboja je kraće, pa prema tome
i važnije npr. kod poluvodiča P-tipa elektroni su manjinskinosioci pa je τef0≈τn

35. Ekstrinsično ili radno područje je temperaturni opseg između Ti i Tintr i unutar njega se
nalazi poluvdič N– tipa ili P-tipa. Ti je temperatura potpune ionizacije pri kojoj su sve
donorske (akceptorske) primjese ionizirane. Tintr predstavlja gornju granicu ekstrinsičnog
temperaturnog područja kod koje koncentracija terrmički generiranih elektrona postaje
jednaka koncentraciji primjesa.

36. Zbog čega dolazi do difuzije u poluvodiču? Što je difuzijska konstanta?

Do difuzije u poluvodiču dolazi zbog neravnotežne koncentracije nosilaca naboja u
matrerijalu, a ona može nastati zavrijeme tehnološke izrade poluvodiča ili pod djelovanjem
vanjskih utjecaja (elelektrično polje, osvjetljavanje poluvodiča, injekcija nosilaca naboja).
Difuzijska konstanta je konstanta pomoću koje se računa broj elektrona(šupljina) koji
sudjeluju u difuziji.

37. Definirati skokoviti PN-spoj?

38. Gdje je električno polje u poluvodiču maksimalno?

Električno polje u poluvodiču je maksimalno je kada su električna polja s obje strane
poluvodiča jednaka i imaju najveću vrijednost.

39. Što su kvazineutralna područja PN-spoja?

Kvazineutralna područja su područja dovoljno udaljena od PN-prijelaza gdje je koncentracija
nosilaca naboja jednaka kao i prije spajanja P i N strane.

40. Kako se s porastom temperature mijenja reverzna struja zasićenja silicijskog PN-spoja?
Povećanjem temperature reverzna struja zasićenja u silicijskim diodama raste.

41. Kakvog karaktera mogu biti spojevi metal-poluvodič?

Spojevi metal-poluvodič mogu biti ohmskog ili ispravljačkog karaktera.

42. Što je napon koljena diode?

Napon koljena diode je je napon do kojeg je struja propusne polarizacije zanemarivo mala,
nakon toga eksponencijalno raste.

43.Što su tunelske diode?

Tunelske diode su vrsta dioda u kojima se zbog vrlo visoke koncentracije primjesa Fermijeve
razine poluvodiča nalaze u valentnom i vodljivom pojasu. Nalaze primjenu kod veoma brze
sklopke te kao aktivni elementi mikrovalnih oscilatora s negativnim otporom.

44.Nacrtati strujno-naponsku karakteristiku ispravljačke diode.

45. Na koje se sve načine može spajati bipolarni spojni tranzistor?

Tranzistori se mogu spajati u spoj zajedničkog emitera, spoj zajedničkog kolektora i spoj
zajedničke baze.

46.Što su donori?
Donor (davalac) je atom primjese koji osigurava elektronsku provodnost. On daje elektron
koji postaje nosilac negativnog naboja i nakon toga postaje pozitivan ion. Nalaze se u 5.
stupcu periodnog sustava.

47.Što je šupljina?
Šupljina je upražnjeno mjesto u ljusci atoma koji je izgubio elektron, a kojem pridjeljujemo
pozitivni naboj. Ona prenosi elektricitet tako što to upražnjeno mjesto popunjava
elektron iz neke od susjednih kovalentih veza (jer se kovalentna veza mora ponovno
uspostaviti i neutralizirati njen pozitivan naboj).

48.Nacrtati modele energetskih pojasa za poluvodič N tipa.

Energetski pojas se nalazi iznad Fermijeve razine čistog poluvodiča.

49. Što je ekstrinsično ili radno područje poluvodiča?

Ekstrinsično ili radno područje je temperaturni opseg između Ti i Tintr i unutar njega se
nalazi poluvodič N–tipa ili P-tipa. Ti je temperatura potpune ionizacije pri kojoj su sve
donorske (akceptorske) primjese ionizirane. Tintr predstavlja gornju granicu ekstrinsičnog
temperaturnog područja kod koje koncentracija terrmički generiranih elektrona postaje
jednaka koncentraciji primjesa.

50. Zašto pri većim električnim poljima brzina elektrona više ne raste linearno?
Pri većim električnim poljima brzina elektrona (šupljina) ne raste više linearno zato što
linearni odnos između driftne brzine i električnog polja vrijedi samo ako je driftna brzina
znantno manja od srednje kaotične termičke brzine vT≈107 cm/s, odnosno ako je električno
polje manje od neke kritične vrijednosti Fkrit.

51. Kako provodnost poluvodiča ovisi o pokretljivosti nosilaca naboja?

Provodnost poluvodiča ovisi o pokretljivosti nosilaca naboja tako što u području ispod
temperature Ti pokretljivost naboja je mala, a time i provodnost. Unutar ekstrinstičnog
područja provodnost je σn, odnosno σp i porastom temperature malo opada zbog
temperaturnog pada pokretljivosti nosilaca naboja. U intrinsičnom području iznad Tintr
provodnost raste prema σi jer poluvodič teži intrinsičnom stanju.

52. Što je asimetrično osiromašeno područje?

To je osiromašeno područje kod kojeg koncentracija donora na N-strani i koncentracija
akceptora na P-strani nisu jednake.

53. Definirati diode sa uskim stranama.

Kod dioda uskih strana kvazineutralna područja znatno su kraća od difuzijskih duljina, pa
stoga kod njih ne dolazi do značajnije rekombinacije nosilaca naboja. Svi manjinski nosioci
rekombiniraju se tek na omskim kontaktima takve diode.

54. Kako se uz konstantnu struju propusne polarizacije mijenja napon ako se temperatura
smanjuje?
Uz konstantnu struju propusne polarizacije kroz diodu napon se povećava pri smanjivanju
temperature.
55.Kako difuzijski kapacitet ovisi o struji PN-spoja?
Difuzijski kapacitet je proporcionalan istosmjernoj struji.

56. Na koje se načine može dobiti spoj metal-poluvodič?

Metal-poluvodič se može dobiti tako da se metal spoji sa N tipom poluvodiča ili P tipom
poluvodiča.

57.Kako se može linearizirati strujno-naponska karakteristika ispravljačke diode?

I- U karakteristika ispravljačke diode može se linearizirati tako da se dioda odlikuje s:
-zanemarivom reverznom strujom zasićenja Is
-naponski malom ovisnom strujom propusne polarizacije (zanemariv rd!)
-visokim reverznim naponom proboja Upr
-niskim naponom koljena Uo

58.Gdje se koriste referentne diode?

Referentne diode se rabe za probojne napone od jednog do nekoliko stotina volti . U okolici
napona proboja Upr referentna dioda može biti kao izvor konstantnog napona i promjenjive
struje.

59.Što je PIN dioda?

Kod PIN dioda se između dva jako dopirana (dobro vodljiva) područja nalazi (slabo
provodno) područje (gotovo) čistog poluvodiča. Koriste se kao promjenjiv otpor i kao
posebna vrsta prekidačkih dioda na vrlo visokim frekvencijama i pri velikim snagama.

60. Koje su unutrašnje komponente struje emitera?

Unutrašnje komponente struje emitera su elektronska komponenta (prijelaz elektrona iz
emitera u bazu) i šupljinska kompontenta (prijelaz šupljina iz baze u emiter).