Ch2 Cac Phuong Phap Nhieu Xa PDF

HANOI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
INTERNATIONAL TRAINING INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
CÁC PHƯƠNG PHÁP VẬT LÝ

PHÂN TÍCH CẤU TRÚC VẬT RẮN
TRONG KHOA HỌC VẬT LIỆU
Dr. NGUYEN ANH TUAN
HANOI-2007
NỘI DUNG BÀI GIẢNG
CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC CHẤT RẮN & MẠNG TINH THỂ
1.1. Cấu trúc nguyên tử.
1.2. Chất rắn và các liên kết trong chất rắn.
1.3. Cấu trúc tinh thể của chất rắn - Mạng tinh thể và đối xứng tinh thể.
1.4. Cấu trúc vật rắn vô định hình.
CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP NHIỄU XẠ
2.1. Cơ sở của nhiễu xạ - Lý thuyết tổng quát.
2.2. Nhiễu xạ tia X (XRD).
2.3. Nhiễu xạ điện tử (ED).
2.4. Nhiễu xạ nơtron (ND).
CHƯƠNG 3: CÁC PHƯƠNG PHÁP HIỂN VI
3.1. Cơ sở của HV - Hiển vi quang học (OM).
3.2. Hiển vi điện tử truyền qua (TEM).
3.3. Hiển vi điện tử quét (SEM).
3.4. Các loại hiển vi khác (hiển vi laze đồng tiêu, hiển vi tia X, hiển vi
nơtron,....).
NATuan-ITIMS-2007
TÀI LIỆU THAM KHẢO CHÍNH
1. “Materials science and technology”, Ed. by R.W. Cahn, P. Haasen and E.J.
Kramer, Vol. 1&2 A & B, VCH Weinheim, 1993.
2. “Elemen of X-ray diffraction”, B.D. Culity and S.R. Stock; Prentice Hall, 2001.
3. “Diffraction for Materials Scientists” by J.M. Schultz, Prentice-Hall, Inc.,
Englewood Cliffs, New Jersey 1982.
4. “Electron Microscopy in Material Science” ed. by U. Valdrè; Academic Press
Inc., New York and London 1971.
5. “Fundamental of surface and thin film analysis ”, L.C. Feldman and J.W.
Mayer, North Holland, Amsterdam, 1986.
6. “Electron Microscopy of thin crystals ”, P.B. Hirsch, London, 1965.
7. “Scanning tunneling microscopy and related methods”, NATO ASI series E,
Vol. 184, 1990.
8. “Electron Scattering and Related Spectroscopies”, by M. De Crescenzi and
M.N. Piancastelli; World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. 1996.
9. “Analytical Techniques for Thin films” Ed. by K.N. Tu and R. Rosenberg
(Treatise on Materials Science and Technology, Vol. 27); Academic Press, Inc.;
Hardcourt Brace Jovanovich, Publishers, 1988.
10. “Practical surface analysis” – 2nd ed. by David I. Briggs, John Wiley & Sons
1996.
NATuan-ITIMS-2007
2.1. Cơ sở của nhiễu xạ - Lý thuyết tổng quát

2.2. Nhiễu xạ tia X (XRD)
2.3. Nhiễu xạ điện tử (ED)
2.4. Nhiễu xạ nơtron (ND)
NATuan-ITIMS-2007
MỞ ĐẦU: Giới thiệu về hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng

Bản chất của ánh sáng
- Bản chất hạt của ánh sáng do Newton đưa ra từ cuối TK XVII đã không giải thích
được các hiện tượng nhiễu xạ, giao thoa, phân cực và tán sắc của ánh sáng.
- Đến TK XIX, Huygens (1629-1695) đưa ra thuyết sóng của ánh sáng (Khảo luận
về ánh sáng; 1678/1690), coi ánh sáng là sóng đàn hồi lan truyền trong môi
trường ête, tương tự như sóng âm lan truyền trong môi trường không khí.
- 1865, Maxwell đã chứng tỏ ánh sáng là sóng điện từ: các trường điện và từ biến
thiên lan truyền trong không gian với vận tốc của ánh sáng.
Bản chất sóng điện từ của ánh sáng đã giải thích được các hiện tượng nhiễu xạ,
giao thoa, phân cực và tán sắc của ánh sáng. (Tuy nhiên, một số hiện tượng khác
như quang điện, tán xạ Compton,…lại phải dựa trên bản chất hạt của ánh sáng).
- Thuyết lượng tử tổng hợp cả tính chất sóng và hạt: ánh sáng là dòng các hạt
(photon) lan truyền theo các nguyên lý của sóng điện từ.
Ánh sáng có lưỡng tính sóng và hạt. Tuy nhiên các hiện tượng nhiễu xạ và giao
thoa chỉ dựa trên bản chất sóng điện từ của ánh sáng.
NATuan-ITIMS-2007
- Nguyên lý Huygens: Mỗi điểm mà sóng truyền tới trở thành

tâm của các sóng thứ cấp. Vị trí của mặt đầu sóng thực lan
truyền được xác định bởi mặt bao của các sóng thứ cấp đó.
Nguồn sóng
thứ cấp
Sóng thứ
Mặt sóng cấp
mới
Mặt sóng là mặt đẳng pha Mặt sóng Tia sáng
ban đầu
Mặt sóng ở thời gian t + ∆t
Mặt sóng ở thời gian t

NATuan-ITIMS-2007
Nguyên lý Huygens
Mặt bậc 0
Mặt bậc 1
Mặt bậc 2
Các tâm phát sóng thứ cấp

Các đỉnh sóng phía trước
NATuan-ITIMS-2007
Sự nhiễu xạ và khúc xạ của sóng
Sự khúc xạ sóng hiểu theo nguyên lý

Huygens.
Sự nhiễu xạ sóng hiểu theo nguyên lý

Huygens.
NATuan-ITIMS-2007
Sóng phẳng (plane wave)
- Sóng phẳng là sóng có tần số không đổi, các mặt sóng là mặt phẳng song song với
nhau với biên độ không đổi vuông góc với phương truyền sóng (phương của vectơ
vận tốc pha v); và thoả mãn phương trình sóng một chiều trong hệ toạ độ Decade:
∂ 2ψ 2 ∂ ψ
2
=v (1)
∂t 2
∂x 2
- Nghiệm của phương trình sóng phẳng có dạng tổng quát:
r r
i ( k . x −ωt )
ψ ( x, t ) = ψ 0 e (2)
Hay dưới dạng điều hoà (eiφ = cosφ + i sinφ):
rr
ψ ( x, t ) = ψ 0 cos(ωt − k . x + φ ) (3)
trong đó A là biên độ sóng, ω là tấn số góc, k là vector sóng (k là số sóng = ω/v,
trong trường hợp ánh sang, v = c), x là vector tia của hướng lan truyền sóng, còn ø là
pha của sóng.
- Để thu được các sóng phẳng, vector vị trí, hay vector vận tốc pha phải luôn duy trì
vuông góc với một mặt phẳng cho trước. Nếu lấy một điểm x0 ở trên mặt sóng, thì
đối với sóng phẳng luôn thỏa mãn hệ thức:
(x – x0).k = 0, và: x.k = x0.k = const.
NATuan-ITIMS-2007
Sóng cầu (Spherical wave)
- Sóng cầu là sóng phát ra từ một tâm điểm và lan truyền đẳng hướng trong KG, thoả
mãn phương trình truyền sóng:
1 ∂ 2
ψ
∇ 2ψ = 2 2
v ∂t (4)
Trong đó
∂ 2
∂ 2
∂ 2
∇ 2 = 2 + 2 + 2 và r = x 2 + y 2 + z 2
∂x ∂y ∂z
- Nhưng trong hệ toạ độ cầu, vì đẳng hướng (không phụ thuộc góc, hay có tính đối
xứng góc), nên không phụ thuộc các tọa độ góc φ và θ , do đó p/t (4) có thể được
viết dưới dạng:
∂ ψ 2 ∂ψ
2
1 ∂ψ 2
+ =
∂r 2 r ∂r v 2 ∂t 2 (5)
Nghiệm của phương trình sóng cầu,
r r
i ( k .r −ωt )
r e
ψ (r , t ) = ψ 0 (6)
r
Hay dưới dạng điều hoà:
ψ0 rr
ψ (r , t ) = cos(ωt − k .r + φ ) (7)
r
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
- Hình ảnh về sóng phẳng và sóng cầu:
Sóng phẳng Sóng cầu
NATuan-ITIMS-2007
Sóng dọc và sóng ngang
- Sóng dọc được hình thành khi phần tử dao động dịch chuyển song song với
phương lan truyền sóng. Các phần tử dao động không chuyển động cùng với
sóng, mà chỉ dao động tiến-lùi xung quanh vị trí cân bằng của nó khi sóng đi qua.
- Với sóng ngang, các phần từ dao động dịch chuyển theo phương vuông góc với
phương lan truyền sóng. Ở đây các phần tử dao động cũng không chuyển động
cùng với sóng, mà chỉ dao động lên xuống xung quanh vị trí cân bằng của nó khi
sóng đi qua.
NATuan-ITIMS-2007
Bản chất sóng điện từ của ánh sáng

- Sóng điện từ là sóng sinh ra bởi tương tác giữa điện trường và từ trường biến thiên
theo thời gian
Minh hoạ về sự lan truyền sóng điện từ (phim)

NATuan-ITIMS-2007
Sự tán xạ và giao thoa của sóng
Hình ảnh giao thoa của 2 nguồn sóng phát ra từ 2 điểm gần nhau
NATuan-ITIMS-2007
Hiện tượng giao thoa và nhiễu xạ sóng điện từ qua nhiều khe hẹp
Giao thoa qua 2 khe
Sóng Điều này sẽ được điều
phẳng Nhiễu xạ qua 1 khe
biến bởi đường bao của
tới nhiễu xạ 1 khe
Sóng
phẳng tới
Nhiễu xạ qua 3 khe Nhiễu xạ qua 4 khe

Điều này sẽ được điều Điều này sẽ được điều
biến bởi đường bao của biến bởi đường bao của
nhiễu xạ 1 khe nhiễu xạ 1 khe
Sóng
phẳng tới Sóng
phẳng tới
NATuan-ITIMS-2007
Nhiễu xạ qua 5 khe

Điều này sẽ được điều
biến bởi đường bao của
nhiễu xạ 1 khe
Sóng
phẳng tới
So sánh cường độ các cực đại nhiễu xạ theo số khe
NATuan-ITIMS-2007
Hiện tượng giao thoa và nhiễu xạ sóng điện từ qua các khe hẹp
Cường độ các vết

nhiễu xạ qua khe.
Thí nhiệm nhiễu xạ

qua một khe.
Ghi chú: sinc(x) = sin(x)/(x)
Các giản đồ nhiễu

xạ từ một khe.
Các giản đồ nhiễu

xạ từ nhiều khe.
Hình ảnh các vết
nhiễu xạ từ các
khe có độ rộng
khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
Hình ảnh các quầng nhiễu xạ qua 1 khe
- Nếu sóng điện từ có dạng điều hoà biểu

diễn theo thời gian (đ.vị là s), khi thực
hiên phép biến đổi Fourier đối với sóng
này, ta có thể nhận được một dạng biểu
diễn hàm này trong thang tần số (đ.vị là
Không gian thực Không gian pha s-1), có dạng chỉ là một sọc đơn.
Real: cos(2πνt) , Imaginary: -sin(2πνt) ⇒ Hình ảnh nhiễu xạ là kết quả của
phép biến đổi Fourier đ/v sự biến đổi
tuần hoàn theo thời gian của sóng qua
một cấu trúc không gian thực thành dạng
sóng biến đổi tuần hoàn trong không gian
tần số (KG ảo), và nó mô tả một cấu trúc
A delta function at nào đó trong KG ảo mà phản ánh cấu
trúc tương ứng của không gian thực.
NATuan-ITIMS-2007
Sự tán xạ của sóng trên các vật liệu
- Một hạt nhỏ tán xạ sóng theo tất cả các hướng đều nhau.
- Trong khi một vật liệu tinh thể tán xạ sóng điện từ chiếu tới chỉ theo một số hướng
và hơn nữa sự giao thoa làm tăng cường lẫn nhau để tạo ra sự nhiễu xạ.
Nhiễu xạ = tán xạ + giao thoa

NATuan-ITIMS-2007
2.1.1. SỬ DỤNG HIỆN TƯỢNG NHIỄU XẠ TRONG PHÂN TÍCH CẤU TRÚC
VẬT CHẤT
- Chùm tia tới (sóng bức xạ điện từ hoặc sóng DeBroglie): bước sóng λ,
cường độ I0
- Mẫu vật chất là một "HỘP ĐEN".
- Các giả thiết:
* Tán xạ đàn hồi: một số tia tới chỉ bị lệch hướng (góc 2θ);
* λ không đổi, cường độ I(s) là hàm của góc lệch 2θ,
trong đó s là một vector: s = 2(sinθ)/λ.
λ Black box
I0 Specimen
2θ
λ
I(2θ)
NATuan-ITIMS-2007
- Kết quả của tán xạ đàn hồi:
* Các chùm tia tán xạ có thể giao thoa với nhau, nếu cùng pha, có
thể xuất hiện các cực đại và các cực tiểu giao thoa.
* Tại các vị trí có cực đại giao thoa, các tia tán xạ có cường độ
mạnh lên do tổng hợp các sóng có cùng pha, cùng tần số → gọi là
các cực đại nhiễu xạ.
Nhiễu xạ = Tán xạ + Giao thoa.
- Kết quả của sự nhiễu xạ:
* Tùy thuộc vào điều kiện thực nghiệm: sự nhiễu xạ được thể hiện
qua nhiều hiện tượng khác nhau.
* Các dạng thường được ghi nhận :
+ Vết (spot) nhiễu xạ
Có thể tái tạo lại được
+ Vạch (line) nhiễu xạ
cấu trúc của môi trường
+ Đường viền (contour) nhiễu xạ tán xạ (mẫu/"hộp đen").
+ Đường nhiễu xạ ngược
NATuan-ITIMS-2007
Một số hình ảnh nhiễu xạ thường ghi nhận được của tia X và tia e
Ảnh các vết nhiễu xạ của tia e trên Ảnh các vành nhiễu xạ của tia e
đơn tinh thể. trên đa tinh thể.
Ảnh các vành nhiễu xạ của tia X trên đa tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
• Xét trường hợp khi môi trường tán xạ được cấu tạo bởi các điểm rời rạc: mỗi điểm
là một tâm gây ra sự tán xạ đối với chùm tia tới là sóng phẳng → tâm tán xạ.
• Mỗi tâm tán xạ như một nguồn phát sóng cầu thứ cấp. Các sóng cầu này giao
thoa với nhau tạo nên các cực đại nhiễu xạ ở những vị trí nhất định trong không
gian.
• Mỗi tia tán xạ đi những quãng đường có độ dài khác nhau trước khi đến mặt
phẳng chung PP’ → Điều kiện giao thoa bị phá vỡ.
P
• Mức độ bị phá hủy phụ thuộc vào mức độ trật tự của các
tâm tán xạ và góc nhiễu xạ 2θ.
Mẫu
"HỘP ĐEN"
Có 2 khả năng:
2θ
- Các tâm tán xạ sắp xếp P’
trật tự trong "hộp đen".

- Các tâm tán xạ sắp xếp
không trật tự. Sóng phẳng Tâm tán xạ
NATuan-ITIMS-2007
- Khi các tâm tán xạ sắp xếp hoàn toàn trật tự
Ö Sẽ có những tia tán xạ dưới những góc 2θhkl nào đó giao thoa hoàn
toàn với nhau Ö xuất hiện các cực đại nhiễu xạ (hay cực đại giao thoa).
Đó là những góc thỏa mãn điều kiện Bragg: nλ = 2dhkl sinθhkl (2.1)
+ n là số bậc phản xạ
+ dhkl là khoảng cách giữa các tâm tán xạ có cùng tính chất
nào đó (ký hiệu qua các chỉ số hkl)
+ θhkl là góc tán xạ từ các tâm tán xạ nằm ở khoảng cách
tương ứng dhkl .
- Khi các tâm tán xạ sắp xếp ít trật tự, hoặc hoàn toàn hỗn độn
Tính không trật tự càng lớn, mức độ bị phá hủy của điều kiện giao thoa
càng cao → sự giao thoa xảy ra không hoàn toàn hoặc bị mất hẳn.
Ö không xuất hiện các cực đại nhiễu xạ.

NATuan-ITIMS-2007
2.1.2. LÝ THUYẾT NHIỄU XẠ TỔNG QUÁT
- Sóng tới: λ, vectơ lan truyền đơn vị: ŝo

- Sóng tán xạ: λ, góc tán xạ 2θ, vectơ lan truyền tán xạ đơn vị: ŝ
- Chọn gốc O là một tâm tán xạ bất kỳ.
Các tâm tán xạ khác được xác định bằng các vectơ ri (i = 0, 1, 2, 3,...)
- Biên độ sóng tán xạ tại một điểm trong KG:
trong đó là biên độ
λ, ŝ
A = AI sin(ωt -2πx/λ) (2.2) Detector
Tâm tán xạ
Nguồn λ, ŝo 2θ
sóng tới r1 r2
O
r4 r3
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
2.1.3. CÁC HIỆU CHỈNH THỰC TẾ
NATuan-ITIMS-2007
2.1.4. CÁC TÍNH CHẤT TOÁN HỌC ĐƯỢC SỬ DỤNG TRONG LÝ THUYẾT
NHIỄU XẠ
1- Các chuỗi Fourier
2πnx
f ( x) = ∑ an sin (1)
n λ
λ/2 λ/2
2πmx 2πmx 2πnx
∫λ f ( x) sin dx = ∑ an ∫λ sin sin dx (2)
− /2
λ n − /2
λ λ
e iax − e − iax e ibx − e − ibx

sin ax sin bx = ⋅
2i 2i
e i( a +b ) x + e −i(a +b ) x e i( a −b ) x + e −i(a −b ) x
= −
−4 −4 (3)
1 1
= − cos( a + b ) x + cos( a − b ) x
2 2
NATuan-ITIMS-2007
Các tính chất toán học sử dụng trong lý thuyết nhiễu xạ
1- Các chuỗi Fourier

λ/2
2πmx 1 ⎡ λ/2 2π (m + n) x
λ/2
2π (m − n) x ⎤
∫ f ( x) sin dx = − ∑ an ⎢ ∫ cos dx − ∫ cos dx ⎥
λ
− /2
λ 2 n ⎣−λ / 2 λ −λ / 2
λ ⎦
1 ⎡ λ 2π (m + n) x λ 2π (m − n) x ⎤
=− ∑ n
a
2 n ⎢⎣ 2π (m + n)
sin
λ
λ /2
−λ / 2 −
2π (m − n)
sin
λ
λ/2
−λ / 2 ⎥ (4)
⎦
λ /2
2 π nx 1 λ λ
∫
x =πn
sin 2
dx = x − sin 2 x x = − πn = (5)
−λ / 2
λ 2 2π n 2
λ/2
2πnx λ
∫λ
− /2
f ( x) sin
λ
dx =
2
an (6)
NATuan-ITIMS-2007
2- Phép biến đổi Fourier
2πnx
g ( x ) = ∑ bn cos
n λ (7)
λ /2
2 2πnx
bn =
λ ∫
λ
− /2
g ( x ) cos
λ
dx
2πnx
i
h ( x ) = ∑ cn e λ
n
λ/2 2πnx (8)
2 i
cn = ∫ h( x)e
λ −λ / 2
λ
dx
NATuan-ITIMS-2007

∞
3- Tích phân Fourier
h( x) = ∫ c(q )e i 2πqx dx (9)
−∞
+M ∞ +M
∫ ∫ ∫
− 2πiq ' x 2πi ( q − q ') x
h ( x )e dx = c ( q ) e dxdq (10)
−M −∞ −M
+M +M +M
∫e ∫ cos[ 2π ( q − q ' ) x ]dx + i ∫ sin[ 2π ( q − q ' ) x ]dx

2 π i ( q − q ') x
dx = (11)
−M −M −M
sin 2πMQ
M
1
−M
∫ cos 2πQxdx = 2πQ
sin 2πQ −MM =
πQ
(12)
⎛ 2πMQ ⎞
∂ ⎜⎜ sin ⎟⎟
⎝ π Q ⎠ = 1 2 M cos 2πMQ − 1 sin 2πMQ = 0
∂Q Q πQ 2
2πMQ = tan 2πMQ (13)
Q=0 ( rad )
NATuan-ITIMS-2007
Tính chất của hàm δ
1. Trường hợp hàm f(x) liên tục
2. Các tích phân: Nếu
3. Sự dịch vị (theo phương trình (1)):
NATuan-ITIMS-2007
4. Lấy tích số:
5. Tích phân của hàm δ:
Hàm này được gọi là hàm “bậc” Heaviside function. Có dạng đồ thị đơn giản như sau:
NATuan-ITIMS-2007
2.1.5. CÁC THỪA SỐ TÁN XẠ NGUYÊN TỬ
- Các thừa số tán xạ là thành phần biên độ hay cường độ tán xạ riêng, nó phản ánh
những đóng góp hay ảnh hưởng của các yếu tố, nguyên nhân nào đó gây nên sự
tán xạ đang được xét. Sau này sẽ đề cập đến nhiều loại thừa số khác nhau ảnh
hưởng đến cường độ nhiễu xạ.
- Vì trong “hộp đen” các nguyên nhân chính gây nên tán xạ đang xét là các nguyên
tử, nên các thừa số tán xạ nguyên tử là những đại lượng đóng góp quan trọng
nhất vào biên độ tán xạ trong các bài toán về nhiễu xạ các chùm tia vật chất nói
chung trên các chất rắn (là tập hợp các tâm tán xạ gồm các nguyên tử).
- Các sóng được sử dụng trong thực nghiệm nhiễu xạ thường là sóng của tia X, tia
điện tử hay nơtron, vì vậy các thừa số tán xạ nguyên tử được xét ở đây là cho
các loại sóng này.
- Như trước đây đã thấy, từ biểu thức (38) có thể ký hiệu tỷ số biên độ tán xạ tổng
quát như sau:
r ∞
A(k ) r − ik . r
r r r
= ∫ ρ (r )e dvrr ≡ f (k )
AI (k ) −∞
- Lần lượt ta có các loại thừa số tán xạ nguyên tử: thừa số tán xạ nguyên tử đ/v
tia X (ký hiệu là fX(k)), thừa số tán xạ nguyên tử đ/v điện tử (ký hiệu là f e(k)),
thừa số tán xạ nguyên tử đ/v nơtron (ký hiệu là f n(k)).
NATuan-ITIMS-2007
2.1.6. SỰ BẢO TOÀN NĂNG LƯỢNG
Có thể chứng minh rằng cường độ tán xạ khi được lấy tích phân qua toàn bộ các giá
trị k là không đổi đối với một khối lượng cho trước, không phụ thuộc vào trạng thái kết
tụ của nó.
- Hãy nhớ lại cường độ tích phân tương đối được biểu diễn qua hàm tự tương
quan P(u), đối với một hệ bất kỳ, ta có:
r
I (k ) r −ikr .ur
= ∫ P(u)e dvur
I I (k )
- Ở đây vi cấu trúc của hệ được hàm chứa trong hàm tự tương quan P(u). Lấy
tích phân cường
r độ tương đối ở trên qua toàn bộ không gian k, ta được:
I (k ) r r −ikr .ur
r r
r r
r
[
∫ I I (k ) dvk = ∫ ∫ P(u)e dvu dvk = ∫ ∫ e dvk P(u)dvur
− ik . u
r ]
- Hãy nhớ lại những lập luận trước đây để đi đến biểu thức (31), ở đó đã chứng tỏ
tích phân của hàm exp có tính chất của hàm Dirac δ. Do đó ở đây ta có:
r r
r r
r ⎧0 ( r ≠ r ' ) r r r
∫e dv k = δ ( u ) = ⎨
− ik . u
r r r (Note : u = r ' - r )
⎩ ∞ ( r = r ')
NATuan-ITIMS-2007
- Vì vậy: r
I (k ) r r r
∫ I I (k ) k ∫
= δ r = P ( 0) = ρ V
2
dv ( u ) P ( u ) dv u e
Ở đây V là thể tích của vật liệu bị bức xạ, ρe là mật độ trung bình của điên tử.
- Biểu thức trên đây cho thấy vế phải là một hằng số. Do đó giá trị của tích phân
phải không phụ thuộc vào cấu trúc. Nói khác đi, biểu thức trên đây thể hiện
tính chất bảo toàn năng lượng của hệ.
NATuan-ITIMS-2007
2.1. Cơ sở của nhiễu xạ

NATuan-ITIMS-2007
GIỚI THIỆU
2.2.1. SƠ LƯỢC LỊCH SỬ TIA X
1895: tia X được W.C. Röntgen

Lần đầu tiên phát hiện ra.
Wilhelm Conrad Röntgen

(1845 - 1923)
The first Nobel Prize for Physics, in 1901
Bức ảnh tia X đầu tiên được ghi nhận

bởi Roentgen. Đó là bàn tay của Alfred
von Kolliker, chụp vào ngày 23/1/1896.
NATuan-ITIMS-2007
Lich sử của nhiễu xạ tia X bởi tinh thể
Max vol Laue William Henry Bragg William Lawrence Bragg

Germany United Kingdom United Kingdom
1879 – 1960 1862 - 1942 1890 (in Australia) – 1971
The Nobel Prize in Physics 1914 The Nobel Prize in Physics 1915 The Nobel Prize in Physics 1915
"for his discovery of the diffraction "for their services in the analysis "for their services in the analysis
of X-rays by crystals" of crystal structure by means of of crystal structure by means of
X-rays" X-rays"
NATuan-ITIMS-2007
2.2.2. BẢN CHẤT CỦA TIA X
- Sóng điện từ
* Bước sóng:
λ ~ 0.01 - 10 nm
(0.1 – 100 Å)
Tia X cứng: ~ 10-1 - 10-3 nm

(1 - 0.01 Å)
Tia X mềm: ~ 10 - 1 nm
(100 - 10 Å)
* Tần số: f ~ 1016 - 1020 Hz

* Năng lượng:
E = hν = hc/λ
Ö EX-ray = 102 - 106 eV
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
- Những tính chất cơ bản:
+ Không nhìn thấy (vùng ánh sáng nhìn thấy có bước sóng là 400 – 700 nm;
còn vùng bước sóng của tia X là 0.1 – 0.001 nm)
+ Truyền thẳng trong không gian tự do.
+ Phản xạ → bị che chắn bởi môi trường.
+ Hấp thụ → bị suy giảm cường độ bởi môi trường.
+ Tuyền qua → có tính “thấu quang” với nhiều môi trường không trong suốt.
Vì có bước sóng ngắn, năng lượng cao → khẳ năng xuyên thấu cao.
+ Khúc xạ → bởi chiết suất của môi trường vật chất.
+ Phản ứng quang hóa → tác dụng lên phim ảnh.
Ứng dụng:
- Chụp ảnh “X quang”
- Thăm dò không phá hủy
- 1912: Laue: quan sát thấy hiện tượng nhiễu xạ tia X trên tinh thể
Nhận xét: λX-ray ~ kích thước ng.tử và ô mạng tinh thể. EX-ray ~ năng lượng liên kết
giữa e- và hạt nhân nguyên từ. Tia X thích hợp cho việc phân tích cấu
trúc tinh thể của vật rắn.
NATuan-ITIMS-2007
Biểu diễn sóng điện từ của tia X:
Sóng phẳng: E & B luôn vuông góc với nhau và vuông góc với phương truyền sóng.
Sóng phẳng không phân cực: Sóng phẳng phân cực phẳng:
E quay quanh trục lan truyền trong E luôn nằm trong một mặt phẳng (B cũng
mặt phẳng vuông góc với phương lan tương tự, nhưng mặt phẳng chứa B luôn
truyền và chứa B. vuông góc với mặt phẳng chứa E).
Phương trình sóng điện từ:
Nghiệm của phương trình sóng điện từ phẳng:
; r.k = const.
NATuan-ITIMS-2007
PHỔ BỨC XẠ TIA X LIÊN TỤC (BỨC XẠ TRẮNG, BỨC XẠ ĐA SẮC, BỨC XẠ HÃM)
- Tia X được phát xạ khi hạt tích điện bất kỳ có gia tốc bị hãm đột ngột.
- Các điện tử thường được sử dụng.
- Các bia dùng để hãm các điện tử có gia tốc là một số kim loại chọn lọc.
- Điện tử có điện tích e được gia tốc dưới điện áp V có động năng bằng:
KE = eV = ½mv2
e = 1.6 x 10-19 C
m = 9.11 x 10-31 kg
- Mặt khác: eV = hc/λ
(6.624 x 10-27 erg-sec) x (2.998 x 1010 cm/sec) 12400

Î λ = hc/(eV) = -------------------------------------------------------------- = --------------- Å
(1.6 x 10-20 emu) x (V volts) V
Ö Như vậy λ biến đổi liên tục theo điện áp gia tốc điện tử V.
NATuan-ITIMS-2007
Sự thay đổi cường độ phổ tia X liên tục theo bước sóng ở các điện áp khác nhau của Mo
1) Cường độ I biến đổi liên tục theo λ.

2) Có Imax phụ thuộc vào V & dịch về
phía sóng ngắn khi V tăng.
3) Có giới hạn về độ dài sóng ngắn,
λSWL, và giới hạn này dịch về phía
sóng ngắn khi V tăng.
4) I phụ thuộc Z (nguyên tử số của
bia) và i (dòng qua ống phát):
I = AiZV 2
(A là hằng số tỷ lệ)
Î Bia thường được làm từ các kim
loại nặng.
Giới hạn sóng
ngắn, λSWL
NATuan-ITIMS-2007
PHỔ TIA X ĐẶC TRƯNG (BỨC XẠ VẠCH, BỨC XẠ ĐƠN SẮC)
λKα
- Khi V > V* (một giá trị tới hạn nào đó λKα1 ~ 0.709 Å
λKα2 ~ 0.71 Å
của điện áp, phụ thuộc vào bản chất λKβ1 ~ 0.632 Å
của vật liệu bia) Î xuất hiện các đỉnh
cường độ cực đại trên nền phổ liên tục
ở các λline xác định và đặc trưng cho
λKβ
loại vật liệu bia Î các vạch đặc
trưng hay phổ bức xạ đặc trưng.
- λline → K, L, M, N,... → λK, λL, λM,...
Ö Như vậy bức xạ đặc trưng xuất

hiện khi các e- bắn phá bia có năng
lượng đủ cao để thấm sâu vào các
lớp vỏ bên trong nguyên tử và gây
các kích thích và chuyển dời lượng
tử ở các lớp K, L, M, ...
NATuan-ITIMS-2007
Lưu ý:
- Việc tăng V làm tăng cường độ phổ đặc trưng nhưng không làm thay đổi bước sóng
của bức xạ đặc trưng (vị trí cực đại của phổ liên tục thay đổi).
- Bước sóng không phân giải là trung bình có trọng số của các thành phần của nó:
λKα = ⅓ (2 x λKα1 + λKα2 ).
VD: λMoKα = ⅓ (2 x 0.709 + 0.714) = 0.711 Å
- Cường độ của bất kỳ vạch đặc trưng nào cũng phụ thuộc vào dòng i qua ống phát
và lượng điện áp chênh lệch so với điện áp tới hạn kích thíc vạch tương ứng, ∆V =
V - V*. Ví dụ đối với vạch K: IK = Bi(V - V*K)n
n nói chung phụ thuộc vào V và nằm trong khoảng 1-2. Đối với phần lơn các vật liệu
bia, trung bình n = 1.6.
- Định luật Moseley: bước sóng của bất kỳ vạch cụ thể nào cũng giảm theo nguyên tử
số Z: √ν = C(Z - σ) (σ là hệ số chắn) Eq = eVq ∝ (Zσ)2 (Vq là thế cực tiểu).

- Các vạch đặc trưng rất hẹp, thường < 0.001 Å đo ở vị trí một nửa cực đại, có cường
độ lớn, thích hợp cho các phép thực nghiệm nhiễu xạ tia X.
NATuan-ITIMS-2007
Moseley's Law for several x-ray

lines and absorption edges
(from Heinrich, 1981).
NATuan-ITIMS-2007
Characteristic Wavelengths
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
PHỔ TIA X ĐẶC TRƯNG (BỨC XẠ VẠCH)
Một số kim
loại phổ biến
dùng làm anốt
ống phát tia X
NATuan-ITIMS-2007
HUỲNH QUANG TIA X
- Các phổ đặc trưng K, L, M cũng có thể
được phát ra bằng chính sự kích thích của
các photon tia X.
Năng suất huỳnh quang tia X, w, đối với các

họ vạch K, L và M như là hàm của nguyên tử
số Z (Goldstein et al., 1984).
Giản đồ minh hoạ sự hấp thụ bên trong một
photon tia X và tạo ra một điện tử Augér.
- Một số vật liệu có huỳnh quang

mạnh bởi tia X tương ứng với các
bước sóng khác nhau (sử dụng các
vật liệu bia khác nhau).
NATuan-ITIMS-2007
CƠ CHẾ PHÁT XẠ TIA X ĐẶC TRƯNG
λKα : L → K λLα : M → L Lβ
Lα
λKβ : M → K λLβ : N → L
λKγ : N → K λLγ : P → L
Kα
Chú ý: Điện áp tối thiểu để có bức xạ
đặc trưng dãy K, thế kích thích, là: Kβ
Vmin = 12400 / λhấp thụ-K (volts)
K Kγ
Bước sóng phổ vạch dãy K (nm) của một số vật liệu bia phổ L
biến (David R. Lide: CRC Handbook of Chemistry and Physics.
Target Kβ₁ Kβ₂ Kα₁ Kα₂ Vmin(kV) M
Fe 0.17566 0.17442 0.193604 0.193998 7.10
N
Ni 0.15001 0.14886 0.165791 0.166175
K, L, M, N, ↔ n = 1, 2, 3, ...
Cu 0.139222 0.138109 0.154056 0.154439 8.98
Zr 0.070173 0.068993 0.078593 0.079015 E(Kα1) = EK - EL(III)

Mo 0.063229 0.062099 0.070930 0.071359 20.0
NATuan-ITIMS-2007
SỰ HẤP THỤ TIA X
- Hấp thụ dài (hấp thụ thẳng): Phương trình Beer:
It = Ioexp(-µt)
µ: hệ số hấp thụ thẳng, phụ thuộc bản chất và trạng
thái của vật chất (rắn, lỏng, khí) mà tia X đi qua và λ của tia X sử dụng.
- Hấp thụ khối:
It = Ioexp(-µ/ρ)ρt (ρ là mật độ khối (khối lượng riêng)
của chất; µ/ρ là hệ số hấp thụ khối, không phụ thuộc
trạng thái của môi trường).
- Hệ số suy giảm thực nghiệm: µ = µτ + µσ , trong
đó µτ là hệ số hấp thụ thực (hay còn gọi là hấp
thụ photon), µσ là hấp thụ tán xạ.
- Ngưỡng hấp thụ: µ/ρ = kλ3Z3
ở một số giá trị λ, hệ số µ/ρ thay đổi đột ngột
Ứng dụng: lọc bức xạ (lọc đơn sắc) cho tia X, …
NATuan-ITIMS-2007
Sự hấp thụ của một số bức xạ tia X theo tiêu

chuẩn của Kakanui Hornblende. Các ngưỡng
hấp thụ được chỉ thị ra đối với các nguyên tố
tương ứng, và độ cao của ngưỡng là một
phép đo gần đúng của mật độ nguyên tố.
NATuan-ITIMS-2007
Hệ số hấp thụ khối (Mass Absorbtion coefficients) đối với tia X của các nguyên tố hóa học
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Minh họa hiệu ứng hấp thụ tia X bởi các vật liệu khác nhau khi chiều dày của vật
liệu thay đổi
NATuan-ITIMS-2007
VẤN ĐỀ LỌC TIA X
Sử dụng ngưỡng hấp thụ của một số kim loại.
Kα
Ni được sử dụng phổ biến.
Kα
Kβ
Kβ
Không lọc Sau khi lọc bằng lá Ni

NATuan-ITIMS-2007
2.2.3. CÁC NGUỒN PHÁT TIA X
- Nguồn tự nhiên: trong không gian vũ trụ có nhiều vùng vật chất phát ra tia X
Trái đất là một nguồn phát tia Mặt trời cũng là một nguồn Thậm chí sao chổi cũng
X. Vùng đỏ bức xạ mạnh nhất. phát xạ tia X khổng lồ. là một nguồn phát tia X.
Bức xạ tia X từ một hệ sao đôi, trong Bức xạ tàn dư tia X của một sao siêu mới
đó có một sao nơtron hay lỗ đen. (phần màu xanh tím than).
NATuan-ITIMS-2007
- Nguồn nhân tạo:
1. Ống phát tia X
Chỉ ~ < 1 % động năng của e-

chuyển thành bức xạ tia X Ö
Hiệu suất phát xạ tia X rất thấp.
Tia X phát xạ
Óng chân không ~ < 10- 6 Torr
Lối ra nước
làm mát Dòng điện tử năng lượng
cao đập lên bề mặt bia (T)
Lối vào nước

làm mát anốt UF
A T K
I ~ 1.0 - 1000 mA
A
UHV ~ 30 - 150 kV
Nguyên lý cấu tạo và làm việc của một ống phát tia X
NATuan-ITIMS-2007
Một số kiểu ống phát
Kiểu ống phát thường

dùng trong kỹ thuật
nhiễu xạ tia X
Cửa sổ Be
Cửa sổ Be
NATuan-ITIMS-2007
Kiểu ống phát anốt quay
Ống phát anốt quay vỏ thủy tinh
Thường dùng trong công nghiệp
Ống phát anốt quay vỏ kim loại
Anốt quay có gắn bia
Catốt phát ra Cửa sổ Be cho

chùm tia e- tia X phát ra
Chùm tia X phát ra

Machlett FDX 1-2 Rotating Anode Tube
NATuan-ITIMS-2007
- Nguồn nhân tạo:
2. Synchrotron (Synchrotron storage ring)
(Vòng tích tụ đồng bộ)
+ Hạt điện tích q chuyển động với v ~ c (q thường là e- hoặc e+)
+ Tác dụng H → q chuyển động cong → bức xạ tia X theo phương tiếp tuyến
+ Cường độ bức xạ: I ~ Γ4 , với Γ = Ep/mc2, trong đó Ep là năng lượng của hạt q.
Ep ~ 2 – 8 GeV
1. Electron gun
2. Linac (linear accelerator )
3. Booster ring
4. Storage ring
5. Beamline
6. End station
NATuan-ITIMS-2007
Vấn đề quang học tia X
- Tia X cũng có những đặc điểm/tính chất như ở quang học thông thường → có thể sử dụng các
tính chất như truyền thẳng, phản xạ, khúc xạ, hội tụ, phân kỳ,… và sử dụng các công cụ/linh
kiện/vật liệu thích hợp để có được các tính chất như ở quang học thông thường.
- VD: dẫn truyền tia X (phản xạ, khúc xạ,…) sử dụng các hệ trên cơ sở các mặt đới cong (zone
plate), các cấu trúc quang học đa lớp (multilayer optics) và dãy cách tử vi cấu trúc (micro-
structured optical arrays),…
- Các phần tử linh kiện dùng trong quang học tia X có kích thước rất nhỏ, được thiết kế thích hợp
với tia X có những góc tới riêng, có năng lượng cụ thể. Vì vậy gây nhiều hạn chế về thực hành.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.4. GHI NHẬN VÀ PHÁT HIỆN TIA X (detector)
• Nguyên lý: chủ yếu dựa trên 3 nguyên lý chính:
– Hiệu ứng quang - huỳnh quang
– Hiệu ứng quang hóa Gemstar X-Ray Cameras
– Hiệu ứng quang điện

• Phương tiện/dụng cụ:
– Màn huỳnh quang
– Phim ảnh/kính ảnh nhũ tương
– Detector điện tử High Resolution Digital X-ray CCD Camera XDI
+ Ống đếm Geiger

+ Ống đếm tỷ lệ
+ Ống đếm nhấp nháy
+ Detector bán dẫn
→ Digital X-ray CCD Camera (Charge-coupled device )
NATuan-ITIMS-2007
Camera CCD dùng để ghi-đo/phát hiện tia X
- Trước đây, ngay cả cho đến gần đây, việc ghi-đo/phát hiện tia X phổ biến
vẫn là sử dụng phim ảnh, với ưu điểm chính là có thể cho phép trải trên
một diên rộng, có độ phân giải không gian tốt, và giá thành khá thấp.
- Tuy nhiên, ngày nay người ta đưa vào sử dụng các màn hình điện tử loại
CCD (Charge- Coupled Device) để làm detector tia X với nhiều ưu điểm nổi
trội: rất tiện lợi cho vệc ghi nhận/phát hiện tia X – ảnh tia X có thể được
hiển thị rất nhanh và có thể được lưu giữ dưới dạng số hoá.
- Có hai phương pháp chính để ghi nhận các photon tia X sử dụng detector
CCD: ghi trực tiếp và gián tiếp.
- Đặc trưng cơ bản của mỗi phương pháp đó trình bày ở slide sau.
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ minh hoạ detector CCD theo kỹ thuật
1) Ghi trực tiếp ghi trực tiếp photon tia X.
- Số quang điện tử phát xạ trong CCD
phụ thuộc vào năng lượng photon tia
X tới và được hấp thụ (eV):
- Ưu điểm: khoảng động lực (Dynamic

Range) cao: số đếm phát ra khi một
photon có năng lượng E (eV) được ghi
nhận:
Bảng: Số đếm trên photon ghi được (counts per detected photon) và khoảng động lực học
(dynamic range) ứng với các năng lượng tia X đến detector khác nhau (sử dụng một detector có
hệ linh kiện CCD 16-bit và có hiệu suất (g) là 7 photon (quang điện tử) trên một phép đếm)
NATuan-ITIMS-2007
2) Ghi gián tiếp Sơ đồ minh hoạ detector CCD theo kỹ
thuật ghi gián tiếp photon tia X.
- Có 3 thành phần chính trong một camera CCD
ghi gián tiếp lượng tử tia X: - Số photon ánh sáng nhìn
+ c màn huỳnh quang (phosphor) để chuyển đổi thấy, N, trên photon tia X
tia X thành ánh sáng, đập vào với năng lượng:
+ d bó sợi thuỷ tinh quang học tóp đầu (fiber-optic
taper) để thu nhỏ ảnh ánh sáng chiếu vào chip
CCD có kích thước nhỏ,
+ e chip CCD để ghi nhận ảnh ánh sáng như là
ảnh điện tích (do chuyển đổi bằng hiệu ứng d
quang điện).
e
- Có 3 kiểu ghi gián tiếp: A, B, C. c B
A e C
d e
Không có
Bó sợi
quang
d
c c Ví dụ: Nếu photon tia X đập vào màn huỳnh
quang với năng lượng là 1 keV, số photon
ánh sáng nhìn thấy sinh ra sẽ là N ≈ 658.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.5. HÌNH HỌC NHIỄU XẠ
1) Định luật Bragg

2) Phương trình Laue
3) Mạng nghịch và nhiễu xạ
4) Các hướng nhiễu xạ
5) Các phương pháp nhiễu xạ
6) Các ứng dụng của XRD
NATuan-ITIMS-2007
1) Định luật Bragg
λ = 2 dhkl sinθhkl
Lưu ý:
- Tia tới, pháp tuyến mặt phẳng
nhiễu xạ và tia nhiễu xạ là đồng
phẳng.
- Góc giữa tia nhiễu xạ và tia
truyền qua luôn là 2-Theta (2θ).
Minh họa định luật Bragg bằng mô

phỏng máy tính.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
2) Phương trình Laue
Lý thuyết Laue: (có thể sử dụng chung cho các bài toán của nhiều loại nhiễu
xạ khác nữa)
- Các giả thiết cơ sở:
* Mạng không gian gồm các điểm (nút) tán xạ đồng nhất (coi các nút
mạng là giống nhau) sắp xếp tuần hoàn.
* Bức xạ tới là một chuỗi sóng phẳng → mỗi nút mạng trở thành một
tâm tán xạ và phát ra sóng cầu.
* Chùm tia X qua tinh thể với vận tốc c
(bỏ qua tương tác giữa sóng tới và sóng
tán xạ).
* Sự tán xạ chỉ xảy ra một lần (sóng tán
xạ đi qua tinh thể không bị tán xạ lại).
* Cả bức xạ tới và bị tán xạ đều không bị
hấp thụ trong tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
-Sóng cầu
- Các tâm phát ra sóng cầu và biểu diễn các bậc

mặt sóng khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
* Ghi chú về các giả thiết đơn giản hóa nêu trên:
. Khi tính đến tương tác giữa sóng phẳng tới và sóng cầu bị tán xạ → tương tác
này sẽ gây nên sự điều biến vận tốc pha của sóng phẳng tới khi đi qua tinh thể.
Khi đó hệ số khúc xạ của tinh thể đối với tia-X là ≠ 1.
. Khi sóng cầu tán xạ khi đi qua tinh thể bị tái tán xạ nhiều lần bởi các nút mạng
khác → gây nên những hiệu ứng có thể trở nên rất quan trọng. Ví dụ, đ/v cấu trúc
tinh thể kiểu rạn men nhỏ, việc bỏ qua hiệu ứng tái tái xạ sẽ gây nên những sai số,
và trong trường hợp đó hiệu ứng này sẽ được xét đến.
. Khi có sự hấp thụ bức xạ tới cũng như bức xạ bị tán xạ ở trong mẫu tinh thể
được khảo sát → các tính toán cho trường hợp các tinh thể nhỏ của cấu trúc rạn
men bị hạn chế.
* Xét một mạng tinh thể hình hộp có ô đơn vị được xác định bởi các vector tịnh
tiến a, b và c. → Bất kỳ các vector nào song song với a,
b và c cũng đều chứa tương ứng N1, N2, và N3 nút, sao
cho N = N1N2N3 là tổng số nút mạng chứa trong ô được
c
b
quy định bởi các vector này.
a
NATuan-ITIMS-2007
Â Bài toán của lý thuyết Laue trở thành bài toán tìm ra hiệu ứng tổ hợp của
các sóng cầu đó ở một điểm nằm ngoài tinh thể và ở khoảng cách lớn
so với kích thước thẳng của tinh thể.
ŝo
- Giả sử mạng tinh thể có N ŝ
M
A2
nút mạng, trên mỗi trục tinh
thể có tương ứng N1, N2, N3 ŝo r
N
ŝ
nút mạng (N = N1N2N3 ). A1
- Chùm tia tới ŝo , λ .
B
- Xét các nút mạng A1, A2, r.
- Tia tán xạ ŝ, λ . s
θ S = s - so
→ Hiệu quãng đường: 0 θ Mặt phản xạ
│S │= │s – so│
A1N - A2M = r · (s – so) so = 2 sinθ
= r · S. A
S = s – so là vectơ nhiễu xạ, vuông góc với mặt phẳng tán xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Điều kiện để có nhiễu xạ: khi r = R là một vectơ mạng Bravais (A1, A2,...
là các nút mạng), → R · Ŝ = R · (ŝ – ŝo) = nλ (n = số nguyên, ŝ là vectơ đv).
- Mặt khác: so = ŝo/λ; s = ŝ/λ → r · (s – so) = n
Điều kiện Von Laue: R · S = R · (s – so) = n (n = số nguyên, R là

vectơ mạng Bravais)
↔ eiR·S = 1
- Dưới dạng vectơ sóng-k: k = 2πs → K = 2πS
Điều kiện Von Laue: R · K = 2πn → thể hiện tính trực giao
→ Theo điều kiện này, một cấu trúc giao thoa sẽ xuất hiện. Điều kiện
giao thoa này được quy định bởi sự thay đổi của vectơ sóng một lượng K
= k - ko, dưới dạng một mạng tuần hoàn (phản ánh tính tuần hoàn của
mạng tinh thể Bravais) là một vectơ thuộc không gian của vectơ sóng -
không gian nghịch đảo về mặt toán học với không gian của mạng tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
• Tóm tắt điều kiện Von Laue ko · Ќ = ½K
(hay phương trình Laue): O
½K (Ќ = ќ - ќo)
- Một vectơ sóng tới ko sẽ thoả
mãn điều kiện Laue - nghĩa là ½K
ko
thực hiện sự nhiễu xạ với cường
độ nhiễu xạ khác không - nếu và K
k
chỉ nếu điểm mút của vectơ này
nằm trong một mặt phẳng mà
vuông góc và cắt tại một nửa - Nếu sử dụng đến cosin chỉ phương
của một đường thẳng nối gốc của các vectơ ko và k, phương trình
của không gian-k với một nút Laue có dạng:
mạng nghịch K. a(cosα - cosαo) = hλ
- Những mặt phẳng như vậy b(cosβ - cosβo) = kλ
được gọi là các mặt phẳng c(cosγ - cosγo) = lλ
Bragg. với h, k, l, là những số nguyên.
NATuan-ITIMS-2007
Sự tương đương của các công thức Bragg và Von Laue
K = 2πn/d K = k - ko
K = 2 k sinθ –ko
→ k sinθ = πn/d
ko k
Vì: k = 2π/λ
→ nλ = 2dsinθ θ θ
Một vết nhiễu xạ Laue tương ứng với một sự thay đổi của vectơ sóng mà được cho
bởi vectơ mạng nghịch K tương ứng với một phản xạ Bragg từ họ của các mặt
phẳng mạng thuận vuông góc với K. Bậc của phản xạ Bragg, n, chính là chiều dài của
K mà được chia bởi chiều dài của vectơ mạng nghịch ngắn nhất song song với K.
NATuan-ITIMS-2007
Các tính toán nhiễu xạ theo lý thuyết hình học của Laue – Các dạng nón nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Nhiễu xạ từ một dãy nguyên tử sắp xếp theo mạng phẳng.
NATuan-ITIMS-2007
Nhiễu xạ từ một dãy nguyên tử sắp xếp

theo hàng khi góc tới bằng 90o.
Trường hợp chung cho sự giao nhau của các nón

nhiễu xạ đồng trục với 3 dãy nguyên tử sắp xếp
theo hàng không đồng phẳng.
NATuan-ITIMS-2007
3) Không gian nghịch - Mạng nghịch - Bản chất của các thực nghiệm nhiễu xạ tia X
• Không gian nghịch

- Một trong những khái niệm quan trọng để hiểu được các hiện tượng
nhiễu xạ là "không gian nghịch" (reciprocal space).
- Các tâm tán xạ trong "hộp đen" đã từng được đề cập trước đây là ở
trong không gian thuận, và bài toán tán xạ đã làm xuất hiện vectơ tán xạ
S = (ŝ - ŝo)/λ, với S = │S│2sinθ/λ.
kết quả tán xạ được biểu diễn trong không gian -s.
- Trong các biểu thức về biên độ và cường độ tán xạ đều biểu diễn qua
vectơ tán xạ s.
- Trong thực tế các tích phân liên quan đến quá trình tán xạ/nhiễu xạ cũng
thường được lấy trong không gian của s.
- Không gian s là một không gian nghịch (để mô tả tổng quát sự lan
truyền của sóng người ta thường sử dụng không gian k = 2πs).
NATuan-ITIMS-2007
• Khảo sát thực nghiệm nhiễu xạ: z s
- Chùm tia tới đơn sắc: λ, so ψ
y
- Chọn gốc của cả KG thực và KG λ
nghịch ở O và hệ trục x, y, z ở tâm so
của mẫu (hình vẽ).
O so, λ
→ Cường độ nhiễu xạ liên quan đến 2θ
vectơ tán xạ s:
x
I ( s ) = I I ∫ P(u)e −2πi u. s
dv u Minh họa cho thấy cách mà mạng nghịch
trở thành vùng ánh xạ đối với các thực
- Mỗi giá trị s tương ứng với một biên độ nghiệm nhiễu xạ (các giản đồ nhiễu xạ).
│s│= 2sinθ/λ, một góc tán xạ 2θ và góc

phương vị ψ. Về nguyên tắc có thể tạo ra một
giản đồ về cường độ ở trong
Ở mỗi phép thực nghiệm nhiễu xạ, có
không gian s dựa trên 3 tọa độ
thể thay đổi một cách độc lập 3 yếu tố:
cầu │s│, 2θ, ψ.
ŝo, 2θ, ψ. → Có thể gán cho mỗi điểm
trong KG nghịch (s-space) một cường → Giản đồ này sẽ biểu diễn
độ dự đoán trước khi cho trước một bộ các kết qủa thực hiện sự nhiễu
các điều kiện thực nghiệm. xạ trên mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
- Các kết quả nhiễu xạ từ một đơn tinh thể - các giản đồ nhiễu xạ - được
biểu diễn trong không gian nghịch (resp) gọi là mạng nghịch (rel).
- Một tinh thể hoàn hảo được lấp đầy bằng những ô cơ sở với gốc O tương
ứng ở đó r = 0 (hình vẽ):
- Mật độ điện tử trong mỗi ô cơ O O O

sở là ρc(r). Vị trí không gian
của các gốc rpqr của các ô cơ O O O
sở là rpqr = pa + qb + rc. c
- Quỹ tích của tất cảc các điểm O O O

mạng là: a
∞ ∞ ∞
z(r) = ∑ ∑ ∑δ (r - r
p=−∞ q=−∞ r =−∞
pqr )
- Mật độ điện tử phân bố trong toàn bộ tinh thể hữu hạn, hoàn hảo là:
ρ(r) = ρc(r) * z(r)
- Gọi σ(r) là hàm có tính chất: σ(r) = 1 khi r nằm trong tinh thể;
0 khi r nằm ngoài tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
- Với tính chất như một hàm delta của σ(r) và tính trơn và đơn điệu của hàm
ρc(r), ta có thể viết:
ρ(r) = ρc(r) * [z(r) · σ(r)]
∞
A( k )
∫
− i 2π s .r
- Đưa vào biểu thức biên độ nhiễu xạ trước đây: = ρ ( r )e dv r
Ae ( k ) −∞
A( s )
ta được: = F [ ρ (r )] ⋅F [ z (r ) ⋅ σ (r )]
Ae ( s )
Nhận thấy rằng:
* σ(r) chỉ đơn thuần giới hạn các giá trị có thể của r.
* Trong biểu thức biên độ trên đây, các số hạng đã được tách riêng ra
(tương ứng với hai thành phần của tích chập) tương ứng bao hàm:
+ Những thứ có chứa ở bên trong ô cơ sở → Thừa số cấu trúc F(s)
+ Sự phân bố của các ô cơ sở: → Thừa số mạng Z(s)
A( s )
→ Có thể biểu diễn biên độ nhiễu xạ gồm hai số hạng: = F ( s) ⋅ Z ( s)
Ae ( s )
NATuan-ITIMS-2007
• Ý nghĩa của các thừa số:
+ Thừa số mạng Z(r): chức năng là để xác định vị trí-s có cường độ nhiễu
xạ khác zero.
Nếu trên 3 trục tọa độ của tinh thể có số nguyên tử tương ứng là N1, N2, N3
(N = N1N2N3 là tổng số nguyên tử có trong tinh thể).
∞ N1 / 2 N 2 / 2 N 3 / 2
r r −i 2πsr .rr r r
∫ z (r )e dvr = ∫ ∑ ∑ ∑ δ (r - r
− i 2πs . r
Z (s ) = pqr )e dvrr
tinh thê − ∞− N 1 / 2 − N 2 / 2 − N 3 / 2
N1 / 2 r r N2 / 2 r r N3 / 2 r r
= ∑e − i 2πp ( s .a )
p = − N1 / 2
∑e
q=− N 2 / 2
− i 2πq ( s .b )
∑e
r =− N3 / 2
− i 2πr ( s .c )
r r r r r r
= N. ∑∑∑ δ ( s ⋅ a − h) δ ( s ⋅ b − k ) δ ( s ⋅ c − l )
h k l
Lưu ý:
- Vì N1, N2, N3 rất lớn nên 3 số hạng exp ở trên đã tiếp cận đến
hành vi của hàm delta.
- h, k, l, là các số nguyên.
NATuan-ITIMS-2007
- Công thức cuối cùng trên đây đã xác định một tập hợp các điều kiện cần
thiết để có cường độ nhiễu xạ khác không:
r r
r r ⎧ 0 khi s ⋅ a ≠ h
∑h δ ( s ⋅ a − h ) = ⎨1 khi sr ⋅ ar = h
⎩
Ta có điều tương tự với các cặp b, k và c, l.
Điều kiện Laue:
s.a = h
s.b = k h, k, l, là các số nguyên
s.c = l
- Nếu ta chọn 3 vectơ a*, b*, c* có đơn vị là (độ dài)-1, sao cho thỏa mãn đ/k:
a* · a = 1 a* · b = 0 a* · c = 0
b* · a = 0 b* · b = 1 b* · c = 0
c* · a = 0 c* · b = 0 c* · c = 1
Như vậy các vectơ a*, b*, c* có thể được dùng để mô tả mạng không gian
tuần hoàn ở trong KG nghịch (resp).
Nếu các vectơ mạng nghịch này có độ dài "đơn vị" → Mạng nghịch cơ sở.
NATuan-ITIMS-2007
- Mặt khác, từ các điều kiện của a*, b*, c* ở trên, ta cũng có thể có:
(ha* + kb* + lc*)· a = h
(ha* + kb* + lc*)· b = k
(ha* + kb* + lc*)· c = l
Rõ ràng rằng: s = (ha* + kb* + lc*)
Như vậy các giá trị

của s mà ứng với
cường độ nhiễu xạ
được xác định, sẽ rơi
c*
vào một mạng với các
nút ở trong không gian
b*
nghịch (resp).
a*
MẠNG NGHỊCH (rel)
NATuan-ITIMS-2007
• Mạng nghịch trong không gian nghịch
1) Ô cơ sở và các vectơ đơn vị trong mạng tinh thể: a, b, c

→ mạng thuận là tập hợp các vectơ thực r = pa + qb + rc (với p, q, r là các
số không nhất thiết phải nguyên).
→ R = ua + vb + wc (với u, v, w là các số nguyên) → Nút mạng Bravais.
2) Các vectơ đơn vị trong mạng nghịch tương ứng:

a*, b*, c* → r* = a* + b* + c*.
3) Thể tích của ô đơn vị trong mạng nghịch:
Vc* = a*·(b* × c*) = b*·(c* × a*) = c*·(a* × b*)
4) Quan hệ giữa các vectơ mạng nghịch với mạng thuận:
a* = (b × c)/Vc, b* = (c × a)/Vc, c* = (a × b)/Vc
a = (b* × c*)/Vc, b = (c* × a*)/Vc, c = (a* × b*)/Vc
Trong đó Vc là thể tích ô cơ sở: Vc = a·(b × c) = b·(c × a) = c·(a × b)
→ Như vậy a* vuông góc với cả b và c → a* vuông góc với mặt phẳng bc
(mặt yz). Tương tự như vậy với các vectơ b* và c*.
NATuan-ITIMS-2007
5) Độ lớn của các vectơ mạng nghịch: b×c

│a*│ = 1/(acosχ), a*
a
│b*│ = 1/(bcosψ),
χ c
│c*│ = 1/(ccosω).
(Hình bên mô tả cho trường hợp đầu.

b
Các trường hợp còn lại tương tự)
6) Bất kỳ vectơ mạng nghịch nào r* = ha* + kb* + lc* cũng dều vuông góc với
mặt phẳng hkl ở trong không gian thực.
7) r*hkl = 1/dhkl trong đó dhkl là khoảng cách của các mặt hkl.
8) Góc øhkl giữa mặt phẳng hkl với mặt phẳng h'k'l' bằng:
r* r*
rhkl ⋅ rh 'k 'l '
cos φhkl = * *
rhkl rh 'k 'l '
NATuan-ITIMS-2007
Bảng cosin góc giữa các mặt phẳng hkl và h'k'l'.
h1k1l1
h2k2l2
NATuan-ITIMS-2007
9)- Khoảng cách dhkl giữa các mặt hkl lân cận bằng:
1
= rhkl
*2
d 2hkl
• Từ biểu thức này có thể xác định cho 7 hệ tinh thể như sau:
Cubic
1
=
(h + k + l ) 2 2 2
Tương quan giữa mạng
2
d hkl a2 thuận và mạng đảo
Tetragonal
1
=
(
h2 + k 2
+
l2 )
2
d hkl a2 a2
1 h2 k 2 l 2
Orthorhomb ic 2
= + +
d hkl a2 b2 c2
Hexagonal
1
=
(
4 h 2 + kl + k 2
+
l2 )
2
d hkl 3 a2 c2
1
Rhombohedr al 2
= ( h 2 + k 2 + l 2 ) a * 2 + 2 ( hk + kl + lh ) a * 2 cos α *
d hkl
Chú thích
1 α*, β*, γ* tương ứng là góc giữa
Monoclinic 2
= h 2 a * 2 + h 2 b * 2 + l 2 c * 2 + 2lha * c * cos β *
d hkl b* và c*; c* và a*; a* và b*
1
Triclinic 2
= h 2 a * 2 + k 2 b * 2 + l 2 c * 2 + 2 hka * b * cos γ * + 2 klb * c * cos α * + 2lhc * a * cos β *
d hkl
NATuan-ITIMS-2007
+ Thừa số cấu trúc F(s): Trong biểu thức của biên độ tán xạ đề cập ở trên có 2 thừa
số: thừa số mạng và thừa số cấu trúc. Trên đây đã xét đến ý nghĩa của thừa
mạng Z(s), là thành phần quyết định đến hình học của nhiễu xạ. Thành phần thứ
hai là thừa số cấu trúc F(s) liên quan đến cường độ của nhiễu xạ.
- Thừa số cấu trúc F(s) có chức năng là để xác định biên độ hay cường độ nhiễu
xạ có liên quan đến các vị trí có thể có mà thừa số mạng đã chỉ ra.
- Vì mạng thực và mạng nghịch là nghịch đảo lẫn nhau về mặt toán học, nên có
thể chứng minh được rằng:
[ r r
]r r*
F ∑δ (r − rpqr) = ∑δ (s − rhkl )
[ r r*
]
r r
F ∑δ (s − rhkl ) = ∑δ (r − rpqr)
−1
(Chứng minh điều này tương tự như đã làm đối với thừa số mạng Z(s) ở trên).
(Phần này sẽ được khảo sát kỹ ở mục 2.2.7. CƯỜNG ĐỘ NHIỄU XẠ dưới đây).
NATuan-ITIMS-2007
• Cầu Ewald
- Điều kiện để nhiễu xạ tia X xảy ra cũng có thể được biểu diễn dưới dạng
biểu đồ trong không gian nghịch khi sử dụng phép dựng hình cầu Ewald.
là hình cầu trong không gian nghịch (không gian-k) có bán kính bằng ko/λ.
- Xây dựng cầu Ewald:
+ Trong không gian mạng nghịch gồm các
nút mạng nghịch, chọn nút gốc O.
+ Từ nút gốc O, vẽ vectơ ko hướng song
ko
song với phương tia tới. k
+ Tại đầu mút vectơ ko lấy làm tâm cầu
Ewald, vẽ hình cầu có bán kính k = 2π/λ K
sao đi qua gốc O.
- Chỉ có một số vectơ k thảo mãn điều kiện
Laue nếu, và chỉ nếu, một số nút mạng nghịch (gồm cả nút gốc) nằm trên
bề mặt của cầu Ewald mà từ đó sẽ có một phản xạ Bragg từ họ các mặt
phẳng mạng thuận vuông góc với vectơ mạng nghịch đó.
NATuan-ITIMS-2007
• BÀI TẬP:
Từ hình cầu Ewald có thể đi đến điều kiện Bragg:
Nếu các nút điểm trên mặt cầu Ewald là các nút nhiễu xạ, chúng phải thoả mãn
phương trình Bragg.
Chứng minh:
Chọn các điểm X và Y trên mặt cầu Ewald,
Sinθ = XY/2r
Đặt r = 1/λ
Nếu Y là nút mạng nghịch 000

và X là một điểm chung hkl nào đó
→ XY = 1/dhkl
Hay: λ = 2dhkl sin θ
NATuan-ITIMS-2007
• Các bước xây dựng cầu Ewald:
Bước 1:
Tạo mạng nghịch từ một mạng
thuận tương ứng
Bước 2:
Gán các chỉ số hkl tương ứng với
các trục mạng nghịch đã cho.
NATuan-ITIMS-2007
Bước 3:
- Xác định hướng chùm tia tới với
bước sóng λ cố định.
- Chọn điểm gốc mạng nghịch 000
ở đó tia tới chiếu vào.
Bước 4:
- Xác định một điểm O nào đó trên
đường của tia tới cách gốc mạng
nghich 000 một khoảng bằng 1/λ.
- Vẽ hình cầu tâm O có bán kính O
1/λ. Tất nhiên hình cầu này sẽ đi
qua gốc mạng nghịch 000.
(Trong trường hợp 2D, cầu Ewald là
một đường tròn)
NATuan-ITIMS-2007
Bước 5:
- Như thấy ở bước 4, không có nút
mạng nghịch nào nằm trên mặt cầu
Ewald → không có nhiễu xạ.
- Thường trong nhiễu xạ đơn tinh thể,
tinh thể được quay đối với chùm tia X.
Điều này tương đương với việc quay
mạng nghịch xung quanh gốc 000 (ví
dụ ở đây là quay quanh trục c).
- Một số nút mạng nghịch sẽ cắt cầu
Ewald, ví dụ nút 220.
Bước 6:
- Có thể tính toán các thông số đối với
nút 220 như ví dụ đưa ra ở đây: θ220,
d220.
NATuan-ITIMS-2007
Bước 7:
- Nút mạng nghịch 220 cắt cầu
Ewald thảo mãn điều kiện Laue →
thỏa mãn điều kiện Bragg → tạo nên
vết nhiễu xạ 220.
- Việc quay tiếp tục mạng nghịch sẽ

dẫn đến một số nút khác lần lượt cắt
mặt cầu Ewald → Các nút đó đều
thỏa mãn điều kiện Laue → tạo nên
các vết nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
• Một số nhận xét từ cách vẽ cầu Ewald cho các phương pháp nhiễu xạ:
1- Nếu tia X đơn sắc & tinh thể đứng yên → Chưa chắc đã có nhiễu xạ
⇒ Để có nhiễu xạ, cần có một trong hai cách:
+ Bước sóng tia X phải thay đổi Nút mạng nghịch
+ Mạng tinh thể phải được quay*) cắt cầu Ewald
*) Chuyển động quay ở đây không có nghĩa là mẫu bị chuyển dịch.
2- Tốt nhất là chuyển động quay theo cả 3 chiều: phương pháp Cardan: 3 vòng tròn
đồng tâm có 3 trục quay vuông góc nhau trong không gian 3D. Mẫu đặt ở tâm chung
của 3 vòng tròn, và detector được quay theo một vòng tròn khác. → Phương pháp
nhiễu xạ bốn vòng tròn (Four Circle Diffractometor).
3- Trong thực tế có thể chỉ quay theo 1 hoặc 2 trục quay. Trong trường hợp chỉ quay
tinh thể theo 1 trục → Phương pháp tinh thể quay, hay phương pháp tinh thể dao
động. Có thể thực hiện quay theo 1 trục và trượt theo 1 trục khác.
4- Trong trường hợp đơn tinh thể đứng yên, nếu sử dụng bức xạ tia X đa sắc, λ thay
đổi, bán kính cầu Ewald thay đổi nên vẫn có thể cắt nút mạng nghịch để có nhiễu xạ
→ Phương pháp Laue, nhưng không thể biết cực đại nhiễu xạ thuộc về λ nào.
⇒ Phương pháp này chỉ hạn chế cung cấp một số thông tin về cấu trúc mạng. Chủ
yếu chỉ để xác định đối xứng tinh thể.
5- Khi mẫu là đa tinh thể, ngay cả khi sử dụng bức xạ đơn sắc và tinh thể cố định, vẫn
có nhiễu xạ vì một nút mạng nghịch tương ứng với nhiều điểm trên mặt cầu Ewald
⇒ Phương pháp đa tinh thể, hay phương pháp bột (còn gọi là pp Debye-Scherrier).
NATuan-ITIMS-2007
4) Các hướng nhiễu xạ
- Làm thế nào xác định được các góc 2-Theta có thể có trong thực nghiệm nhiễu xạ?
2θ1, 2θ2, 2θ3,… = ?, nghĩa là xác định được các hướng nhiễu xạ.
Tổ hợp với định luật Bragg λ = 2dsinθ với phương trình khoảng cách giữa các
mặt, ta có thể xác định được các hướng nhiễu xạ (thông qua sinθ). Các hướng
này phụ thuộc vào các hệ tinh thể.
+ Phương trình khoảng cách giữa các mặt của 7 hệ mạng tinh thể:
Cubic
1
=
(h + k + l )2 2 2
2
d hkl a2
Sự tổ hợp của định luật Bragg và ph/trình khoảng cách giữa
1 (
h2 + k 2 l2) các mặt phẳng, khi một sóng tới được xác định (λ) và một
Tetragonal = +
2
d hkl a2 a2 mạng tinh thể với ô cơ sở được biết trước (a), cho phép ta
có thể tiên đoán về tất cả các hướng khả dĩ (ứng với các
1 h2 k 2 l 2
Orthorhomb ic = 2+ 2 + 2
2
d hkl a b c góc Bragg θ) của các tia nhiễu xạ từ các mặt (hkl).
1 (
4 h 2 + kl + k 2 l2) c*
Hexagonal 2
= +
d hkl 3 a2 c2
β* α*
a* b*
Rhombohedr al
1
= ( h 2 + k 2 + l 2 ) a *2 +2( hk + kl + lh ) a *2 cos α * γ*
2
d hkl
Chú thích
Monoclinic
1
= h 2 a *2 + h 2 b *2 + l 2 c *2 +2lha * c * cos β * α*, β*, γ* tương ứng là góc
2
d hkl giữa b* và c*; c* và a*; a* và b*
1
Triclinic 2
= h 2 a *2 + k 2b *2 + l 2 c *2 +2 hka * b * cos γ * +2 klb * c * cos α * +2lhc * a * cos β *
d hkl
NATuan-ITIMS-2007
+ Ví dụ các hướng tinh thể tương ứng trong hệ tinh thể cubic:
- Điều kiện Bragg là: λ = 2dsinθ
- Phương trình khoảng cách giữa các mặt trong hệ cubic:
1
=
(
h2 + k 2 + l 2 )
2
d hkl a2
- Tổ hợp các phương trình trên ta tìm được p/t về hướng
λ2
nhiễu xạ:
sin 2 θ =
4a 2
(h 2
+ k2 + l2 )
- Ví dụ những góc nhiễu xạ Bragg θ có thể có ứng với các tia nhiễu xạ từ mặt phẳng
(110) (khi λ và kích thước ô mạng a được xác định rõ) thoả mãn phương trình:
sin2θ110 = λ2/2a2
- Tương tự ta có các công thức xác định sin2θ đối với các hệ tinh thể khác.
⇒ Như vậy, các hướng nhiễu xạ có thể có sẽ gắn liền với hệ tinh thể (gồm 14 mạng
Bravais) và các tham số mạng của nó (a, b, c, và α, β, γ).
→ Nói khác đi: Các hướng nhiễu xạ được xác định chỉ bởi hình dạng và kích
thước của ô cơ sở.
→ Ngược lại: Có thể xác định về một tinh thể chưa được biết (hình dạng và kích
thước của ô cơ sở) khi đo các hướng (góc Bragg θ ) của chùm tia nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
5) Các phương pháp nhiễu xạ
(Khảo sát kỹ trong chương 6: Các bài thực hành phân tích cấu trúc)
Phương pháp λ θ
X Phương pháp Laue Biến đổi Cố định
Y Phương pháp quay đơn tinh thể Cố định Biến đổi một phần
Z Phương pháp bột Cố định Biến đổi
NATuan-ITIMS-2007
CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC CỦA VẬT RẮN
X Phương pháp Laue
Experiment of Laue 1912

X-ray diffraction by a single crystal
Phương pháp Laue thực hiện nhiễu xạ trong trường hợp đơn tinh thể đứng yên, nhưng
sử dụng bức xạ tia X đa sắc (λ thay đổi), do đó bán kính cầu Ewald thay đổi nên vẫn có
thể cắt nút mạng nghịch để có nhiễu xạ. Tuy nhiên phương pháp này không thể cho
biết cực đại nhiễu xạ thuộc về λ nào. ⇒ Vì vậy phương pháp này chỉ hạn chế cung cấp
một số thông tin về cấu trúc mạng. Chủ yếu chỉ để xác định đối xứng tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
Phương pháp Laue truyền qua
Các vết nhiễu xạ của một họ mặt

phẳng (hkl) thường phân bố trên
các đường parabollic kín hoặc mở.
NATuan-ITIMS-2007
Phương pháp Laue phản xạ ngược
Các vết nhiễu xạ của một họ mặt phẳng (hkl) thường phân bố trên một
cung của đường hyperbolic.
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ ứng dụng kỹ thuật Laue để kiểm tra cấu trúc tinh thể
của các wafers Si trong công nghiệp bán dẫn
- Xác định hướng tinh thể của thỏi Si.
• Sau khi cắt ra khỏi thỏi, các wafer Si được xác định hướng để kiểm tra chất lượng
NATuan-ITIMS-2007
Giản đồ nhiễu xạ Laue phản xạ ngược
• Tính góc θ:
tan(180o −2θ) = r, trong đó r là khoảng cách từ tâm ảnh, là vết của
chùm tia trên film, và R là khoảng cách từ film tới tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
• Hình chiếu nổi và Lưới Wulff
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
• Lưới Greninger
- Lưới Greninger cho phép xác định các toạ

độ góc của pháp tuyến bề mặt của mặt
phẳng nhiễu xạ ứng với một vết nhiễu xạ
nào đó.
- Các toạ độ Greninger có thể được chuyển
thành các toạ độ trên hình chiếu nổi.
- Các bước được thực hiện như sau:
NATuan-ITIMS-2007
Chuyển đổi các số liệu Laue phản xạ ngược từ lưới Greninger
thành các số liệu trên hình chiếu nổi
NATuan-ITIMS-2007
Chuyển đổi các số liệu Laue phản xạ ngược từ lưới Greninger
thành các số liệu trên hình chiếu nổi
NATuan-ITIMS-2007
Sau khi chuyển đổi, các số liệu Laue phản xạ ngược ứng với
các số liệu trên hình chiếu nổi:
NATuan-ITIMS-2007
- Bước tiếp theo là phân tích các hình chiếu nổi thực nghiệm dựa vào giản đồ atlat
chuẩn để xác định các cực có chỉ số hkl thấp. Ví dụ :
Nhìn vào giản đồ thực nghiệm (bên trái) đối chiếu với hình chiếu nổi
chuẩn 001 (bên phải) – ta thấy hình chiếu thực nghiệm giống với hình
chiếu chuẩn sau khi quay nó đi một góc thích hợp.
NATuan-ITIMS-2007
Giản đồ hình chiếu nổi chuẩn 001
Xác định nhanh tính đối

xứng:
- Đối xứng bậc 4 (4-fold):
(100)
- Đối xứng bậc 3 (3-fold):
(111)
- ……………
NATuan-ITIMS-2007
Xác định các góc đặc trưng trong hệ lập phương
45º 45º
100 zone: 100 110 100
54.7º 35.3º 35.3º 54.7º

110 zone: 100 111 110 111 100
60º
111 zone: 110 110
Các góc này là đặc trưng cho sự

có mặt của những cực nào đó, là
chỗ giao nhau của một vùng mặt
phẳng – Đó là hình chiếu của các
trục vùng.
NATuan-ITIMS-2007
Y Phương pháp quay đơn tinh thể
Trong thực tế có thể chỉ quay theo 1 hoặc 2 trục quay. Trong trường hợp chỉ quay
tinh thể theo 1 trục → Phương pháp tinh thể quay, hay phương pháp tinh thể dao
động. Có thể thực hiện quay theo 1 trục và trượt theo 1 trục khác.
Tốt nhất là chuyển động quay theo cả 3 chiều: phương pháp Cardan: 3 vòng
tròn đồng tâm có 3 trục quay vuông góc nhau trong không gian 3D. Mẫu đặt ở
tâm chung của 3 vòng tròn, và detector được quay theo một vòng tròn khác.
→ Phương pháp nhiễu xạ bốn vòng tròn (Four Circle Diffractometor).
NATuan-ITIMS-2007
Y Phương pháp quay đơn tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
Z Phương pháp bột
Khi mẫu là đa tinh thể, ngay cả khi sử dụng bức xạ đơn sắc và tinh thể cố định, vẫn
có nhiễu xạ vì một nút mạng nghịch tương ứng với nhiều điểm trên mặt cầu Ewald.
NATuan-ITIMS-2007
Z Phương pháp bột
- Kỹ thuật Debye (sử dụng film để ghi chùm tia nhiễu xạ)
NATuan-ITIMS-2007
- Máy nhiễu xạ tia X (nhiễu xạ kế) ghi tia X bằng detector.
Giác kế (goniometer) - Sơ đồ tụ tiêu

để ghi chùm tia nhiễu xạ.
Sơ đồ hình học để ghi tia X nhiễu

xạ (sơ đồ tụ tiêu)
NATuan-ITIMS-2007
• Bộ phận lọc bằng các khe
Khe hạn chế chùm Khe hạn chế

Mẫu chùm tia tán
tia tán xạ ngang Khe hạn chế chùm tia tán
xạ ngang
Khe hạn chế chùm tia tán xạ thẳng đứng (tạo chùm
xạ thẳng đứng (tạo chùm tia song song nằm ngang)
tia song song nằm ngang) Khe giới hạn
chùm tia phân
Khe nhận chùm kỳ theo phương
tia hội tụ ngang
Nguồn
phát tia X
Detector
NATuan-ITIMS-2007
Các sơ đồ tụ tiêu Bragg-Brentano
- Kỹ thuật hội tụ một vòng tròn - Kỹ thuật hội tụ hai vòng tròn
(sơ đồ θ-θ) (sơ đồ θ-2θ)
NATuan-ITIMS-2007
– Kiểu sơ đồ tụ tiêu Bragg-Brentano θ-θ
NATuan-ITIMS-2007
– Kiểu sơ đồ tụ tiêu Bragg-Brentano θ-2θ
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
• Bài tập:
Xây dựng cầu Ewald cho các phương pháp nhiễu xạ sau:
- Phương pháp Laue,
- Phương pháp tinh thể quay,
- Phương pháp bột (hay phương pháp Debye-Scherrier).
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Các máy nhiễu xạ kế đơn tinh thể
IPDS II IPDS 2T
NATuan-ITIMS-2007
Máy nhiễu xạ Röentgen
http://www.microphotonics.com/stadimp.htm
NATuan-ITIMS-2007
• Giản đồ nhiễu xạ bột XRD hiển thị trên cửa sổ màn hình máy tính điều
khiển nhiễu xạ kế.
Ở khu vực góc

2-theta thấp
thường quan
sát thấy hiện
tượng phản xạ
toàn phần.
NATuan-ITIMS-2007
• Ví dụ về một giản đồ nhiễu xạ bột điển hình của NaCl
NATuan-ITIMS-2007
Thẻ ASTM (American Society for Testing and Materials)
_ Y
5-628 X
NaCl Z dÅ Int hkl dÅ Int hkl
Sodium Chloride Halite, Syn
Rad. CuKα1 λ 1.5406 Filter Ni d-sp [ 3.26 13 111
Cut off Int. Diffractometer I/Icor. 4.40 2.821 100 200
Ref. Swanson, Fuyat, Natl. Bur. Stand. (U.S.), Circ. 539, 2 41 (1953) 1.994 55 220
Sys. Cubic S.G. Fm3m (225) 1.701 2 311
\ 1.628 15 222
a 5.6402 b c A C
α β γ Z 4 mp 804o 1.410 6 400
Ref. Ibid. 1.294 1 331
Dx 2.16 Dm 2.17 SS/FOM F17 = 92.7(.0108,17) 1.261 11 420
1.1515 7 422
εα nωβ 1.542 εγ Sign 2V ]
1.0855 1 511
Ref. Dana’s System of Mineralogy, 7th Ed., 2 4
0.9969 2 440
Color Colorless ^ 0.9533 1 531
X-ray pattern at 26oC. An ACS reagent grade sample 0.9401 3 600
recrystallized twice form hydrocloric acid. Merck Index, 8 th
0.8917 4 620
Ed., p.956. Halite group, halite subgroup. PSC: cF8. 0.8601 1 533
Ghi chú: XSố thẻ; Ysố liệu định tính; Z tên và công thức 0.8503 3 622
hoá học; [ số liệu sử dụng nh.xạ kế;\ số liệu tinh thể học, 0.8141 2 444
(225) là số thứ tự của nhóm KG (có 230 nhóm KG); ] Số
liệu quang học; ^số liệu về mẫu; _số liệu về giản đồ nh.xạ
NATuan-ITIMS-2007
Joint Committee on Powder Diffraction Standards (1969)
International Centre for Diffraction Data, ICDF (1978)

1. Số file; 2. Ba vạch mạnh nhất; 3. Vạch ở góc thấp nhất; 4. Tên và công thức hoá học; 5. Các
số liệu và phương pháp sử dụng trên máy nhiễu xạ kế; 6. Các số liệu tinh thể học; 7. Các số liệu
quang học và những số liệu khác; 8. Các số liệu về mẫu; 9. Các số liệu về giản đồ nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Nhóm không gian của tinh thể NaCl: Fm3m (225) (Theo ký hiệu Schönflies là Oh)
Ký hiệu ngắn của Ký hiệu đầy đủ của Đói xứng Laue Số nhóm KG
nhóm điểm hệ LP nhóm điểm hệ LP (gồm 230 nhóm KG)
Ý nghĩa (xem thêm ý nghĩa của ký
hiệu Schönflies ở chương 1):
- Hệ tinh thể là LP (cubic) và mạng
Bravais là LPTM (fcc).
- Gồm có 4 trục đối xứng bậc 3 hoặc
3 tương đương nhau, 3 trục quay
bậc 4 (Oh) và 6 trục bậc 2.
- Có 3 mặt phản xạ vuông góc với
các trục quay bậc 4 và 6 mặt phản
xạ vuông góc với các trục bậc 2.
C3 C4 C3
C3
C4
C2 C2
C4
NATuan-ITIMS-2007
CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC CỦA VẬT RẮN
Hình chiếu nổi sử dụng trong biểu diễn đối xứng tinh thể học
Hình chiếu nổi của một tinh thể Cubic. Hình chiếu cầu của một tinh thể Cubic.
Các điểm △ và（）lần lượt ký hiệu
chỗ cắt của các trục quay bậc 4, 3, và
2 ở trên bề mặt hình cầu.
NATuan-ITIMS-2007
6) Các ứng dụng của XRD
• Dựa trên những dấu hiệu chủ yếu cung cấp thông tin về mẫu trên các giản đồ
XRD như sau:
– Vị trí các peak nhiễu xạ
– Độ rộng của peak nhiễu xạ
– Cường độ nhiễu xạ của peak
• Một số ứng dụng điển hình của kỹ thuật XRD. Vì XRD là một kỹ thuật không phá
hủy, nên có thể sử dụng để:
– Xác định pha tinh thể (cả định tính và định lượng);
– Xác định sự định hướng tinh thể;
– Xác định các tính chất cấu trúc: Các hằng số mạng (10-4 Å), ứng suất/biến
dạng mạng, kích thước hạt, sự sắp xếp tinh thể (expitaxy), thành phần pha,
sự định hướng ưu tiên (Laue, texture), chuyển pha trật tự-không trật tự, dãn
nở nhiệt;
– Đo chiều dày màng mỏng và màng đa lớp;
– Xác định sự sắp xếp các nguyên tử;
– Tìm các giới hạn dung dịch rắn hay hợp kim;
– v.v...
NATuan-ITIMS-2007
Những thông tin thường được khai thác từ các giản đồ XRD.
• Vị trí của peak - Góc 2-Theta (θhkl)
Từ đó xác định được bộ các vạch đặc trưng của một pha tinh thể xác định. Nghĩa là
xác định pha định tính (ít nhất cũng có một bộ gồm 3 vạch mạnh nhất không trùng
nhau), cũng như xác định được mặt nguyên tử tương ứng nào gây ra phản xạ (hkl)
và khoảng cách giữa các mặt đó: dhkl = λ/2sinθhkl
NATuan-ITIMS-2007
• Độ rộng của peak
- Trong phương pháp bột hay đa tinh thể, sự mở rộng của vạch nhiễu xạ có nhiều
nguyên nhân: do nhiệt độ, do sai số thiết bị (cơ khí,…), do ứng suất nội, và đặc biệt là
do kích thước các vi tinh thể. Sau khi loại trừ các yếu tổ mở rộng vạch khác, đóng
góp của kích thước tinh thể vào sự mở rộng vạch nhiễu xạ được xác định qua công
thức Scherrer: độ rộng của nửa vạch nhiễu xạ:
- Công thức này thường được sử

dụng để xác định kích thước tinh
thể (đơn tinh thể), hay còn gọi là hạt
vi tinh thể trong mẫu.
Chú ý: Kích thước tinh thể có thể rất
khác với kích thước hạt hình thành
trong quá trình kết tinh kim loại. Các
hạt này thường là đa tinh thể.
- Để xác định chính xác kích thước tinh thể, thường phải loại trừ các nguyên nhân mở
rộng vạch khác, như do máy, do nhiệt và vi ứng suất, sau đó chỉ quét trong phạm vi
góc 2-theta của 1 vạch nhiễu xạ đặc trưng nhất (xem hình trên), và sử dụng công thức
Scherrer.
Lưu ý cách gọi: Độ rộng nửa vạch (không gọi là nửa độ rộng vạch).
NATuan-ITIMS-2007
• Cường độ của peak nhiễu xạ
- Định lượng pha (Phase quantification) có mặt trong mẫu được xác định thông
qua đo cường độ tích phân của vạch nhiễu xạ, so sánh với cường độ tích
phân của mẫu chuẩn để tính cường độ tỷ đối, từ đó rút ra tỷ phần pha có mặt
trong mẫu.
(phần này sẽ xét đến kỹ hơn ở chương 6)
NATuan-ITIMS-2007
- Cường độ của peak nhiễu xạ phản ảnh sự tán xạ tổng cộng từ mỗi mặt phẳng trong
cấu trúc tinh thể của pha có mặt trong mẫu, và phụ thuộc trực tiếp vào phân bố các
nguyên tử cụ thể ở trong cấu trúc đó. Vì vậy cường độ peak nhiễu xạ rất phụ thuộc
vào cả cấu trúc và thành phần của pha.
- Phương trình cường độ nhiễu xạ từ pha α nào đó có trong mẫu, như sẽ thấy sau
này, gồm các thành phần (các thừa số tán xạ) như sau:
trong đó:
NATuan-ITIMS-2007
- Các số hạng trên đây có thể được định nghĩa lại bằng các hằng số thực nghiệm (chỉ
phụ thuộc vào cách bố trí thực nghiệm cụ thể) và ẩn số, là tỷ phần thể tích của pha
α cần được xác định, Xα.
Khi đó cường độ của peak nhiễu xạ hkl của pha α được trình bày đơn giản hơn:
Trong đó Ke là hằng số thực nghiệm, K(hkl)α là thừa số cấu trúc của pha α, ρα là mật
độ của pha α, và (µ/ρ)s là hệ số hấp thụ khối của mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
Một số ví dụ ứng dụng của XRD
• Quan sát hiệu ứng của kích thước

kết đám (Coherent Domain Size)
Kích thước các hạt kết tụ từ các hạt

siêu mịn Cu70Zn30 chế tạo bằng phương
pháp nghiền quay nguội (nghiền trong
nước) đã tăng lên khi tăng nhiệt độ ủ.
NATuan-ITIMS-2007
• Quan sát ảnh hưởng của nhiệt độ lên sự rã pha của YBa2Cu3O7-δ
NATuan-ITIMS-2007
• Quan sát sự chuyển pha cảm ứng điện trường của đơn tinh thể
Sự tách vạch (330) là do sự có

mặt của các domain <111> pha
mặt thoi (Rhombohedral phase)
Vạch (330) tách thành pha tứ

giác (Tetragonal phase)
NATuan-ITIMS-2007
• Quan sát ảnh hưởng của ứng

suất gây biến dạng mạng tinh thể
thông qua sự dịch vạch nhiễu xạ
và sự mở rộng của vạch nhiễu xạ
NATuan-ITIMS-2007
2.2.6. CƯỜNG ĐỘ NHIỄU XẠ
- Trước đây đã cho thấy biên độ, hay cường độ nhiễu xạ được biểu diễn qua hai
thành phần ứng với hai thừa số: Thừa số mạng Z(s) và Thừa số cấu trúc F(s):
A( s )
= F ( s) ⋅ Z ( s)
Ae ( s )
Từ đó bài toán nhiễu xạ được xét đến ở hai khía cạnh: khía cạnh hình học của
nhiễu xạ, ở đó chỉ quan tâm đến vấn đề có tính định tính, mang bản chất hình học:
điều kiện hình học và những vị trí trong không gian ở đó xuất hiện các cực đại
nhiễu xạ.
- Phần tiếp theo của bài toán nhiễu xạ là xét ở khía cạnh định lượng, đó là cường
độ nhiễu xạ. Thực tế là xét đến tính tương tác của tia X với các đối tượng gây ra
nhiễu xạ. Đó là tương tác của tia X với điện tử, nguyên tử và mạng tinh thể, là
những yếu tố chính gây nên sự thay đổi về lượng của cường độ nhiễu xạ.
- Ngoài ra một số yếu tố khác cũng gây ảnh hưởng không nhỏ đến cường độ nhiễu
xạ, như dao động nhiệt (yếu tố nhiệt độ), hấp thụ, vi hấp thụ, góc nhiễu xạ, sự phân
cực của tính đơn sắc, tính đối xứng của hệ tinh thể,…
NATuan-ITIMS-2007
1) Thừa số cấu trúc F(s)
Thừa số F(s) có chức năng là để xác định biên độ hay cường độ nhiễu xạ có liên
quan đến các vị trí có thể có mà thừa số mạng đã chỉ ra.
- Từ những lập luận tương tự như của trường hợp thừa số mạng Z(r) trước đây, có
thể thu được biến đổi Fourier cho trường hợp của thừa số cấu trúc F(r) như sau:
(Biến đổi Fourier thuận đ/v các vị trí trong mạng thuận) [ r r
] r r*
F ∑δ (r − rpqr) = ∑δ (s − rhkl )
[ ]
r r* r r (…)
(Biến đổi Fourier ngược đ/v các vị trí trong mạng nghịch) F ∑δ (s − rhkl ) = ∑δ (r − rpqr)
−1
Từ đó có thể viết biên độ tán xạ như sau, như trước đây đã từng làm đối với thừa
số mạng: rr
A( s)
Ae (r)
[ r r* r
= N ∑∑∑δ (s − rhkl ) ∗ F(s ) ] (…)
Nhận xét:
+ Điều trên đây cũng cho thấy rằng vị trí của các vết nhiễu xạ cũng được quy
định bởi các vectơ mạng Bravais trong không gian mạng thực.
+Trong khi đó, cường độ của các vết nhiễu xạ liên quan đến các nút mạng nghịch
ứng với các nút mạng Bravais đó, được quy định bởi thừa số cấu trúc F(s).
NATuan-ITIMS-2007
- Ta định nghĩa lại F(s) dưới dạng thông dụng nhất mà trước đây đã từng viết cho biên
độ A hoặc cường độ I: r r 2 πisr ⋅rr
F (s ) = ∫ ρ ( r )e dv rr
cell
- Chuyển sang các tọa độ "tâm nguyên tử" (atom-centered coordinates) trong ô đơn vị,
nghĩa là chọn gốc toạ độ tại tâm của một nguyên tử nút mạng, ta có (lưu ý sự chuyển
đổi từ ∫ sang ∑): r NC r r
F (s ) = ∑ fne 2 πis ⋅ rn
n =1
trong đó fn được gọi là thừa số cấu trúc nguyên tử thứ n (thừa số này sẽ được xét
đến trong phần tán xạ bởi nguyên tử), NC là số nguyên tử trong một ô đơn vị.
- Như đã thấy trước đây, điều cần thiết đối với s là nó chính là một vectơ mạng nghịch
r*hkl. Do đó có thể thay s bằng r*hkl trong biểu thức ở trên, và cũng viết rn trong không
gian thực dưới dạng các vectơ mạng thuận như sau:
rn = xna + ynb + znc
Khi đó:
r NC
r* r* r* r r r NC
F ( s ) = ∑ f n exp[ 2πi ( h a + kb + lc ) ⋅ ( x n a + y n b + z n c )] = ∑ f n e 2πi ( hx n + ky n + lz n )
n =1 1
NATuan-ITIMS-2007
Một số tính chất cần lưu ý đối với hàm exp khi (hx + ky + lz) là những
số nguyên (điều kiện Laue để có phản xạ)
a) eπi = e3πi = e5πi = … = - 1 → e(2n+1)πi = - 1 với n = 0, 1, 2, 3,…
b) e2πi = e4πi = e6πi = … = + 1 → e(2n)πi = + 1 với n = 0, 1, 2, 3,…

c) Nói chung, enπi = (- 1)n với ∀ n = 0, 1, 2, 3,…
d) enπi = e-nπi với ∀ n = 0, 1, 2, 3,…
e) eπi + e-πi = 2 cosx Lưu ý các tính chất của hàm exp
Thừa số cấu trúc: NC

r
F (s ) = ∑ fne 2 πi ( h x n + k y n + lz n )
1
NATuan-ITIMS-2007
Các ví dụ về tính toán F(s) – Hiệu ứng dập tắt có hệ thống:
1. Mạng tinh thể với ô cơ sở chỉ có 1 nguyên tử: (ví dụ mạng SC)
Đặt nguyên tử ở vị trí x,y,z = 0,0,0 ⇒ F(s) = Fhkl = f.

Ö Nghĩa là mỗi nút mạng nghịc sẽ có biên độ f.
2. Mạng tinh thể với ô cơ sở có một loại nguyên tử ở tâm khối: (ví dụ mạng BCC)
Đặt gốc tọa độ sao cho 2 nguyên tử ở trong ô xuất hiên ở vị trí x,y,z = 0,0,0
và ½, ½, ½. ⇒ F(s) = Fhkl = f .[1 + ℮iπ(h + k + l) ] = 0 → nếu h + k + l = số lẻ
= 2f → nếu h + k + l = số chẵn
3. Mạng tinh thể với ô cơ sở có một loại nguyên tử ở tâm mặt: (ví dụ mạng FCC)
Khi đó các nguyên tử được đặt ở (0,0,0); (½, ½, 0); (0, ½, ½), và (½, 0, ½).
⇒ Fhkl = f .[1 + ℮iπ(h + k) + ℮iπ(k + l) + ℮iπ(h + l)] = 0 → nếu h,k,l là hỗn hợp cả số lẻ và chẵn.
= 4f → nếu h,k,l hoàn toàn là số lẻ hoặc
hoàn toàn là số chẵn.
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: Hãy xét thừa số cấu trúc Fhkl trong trường hợp tinh thể CsCl
Gợi ý: - CsCl có mạng kiểu BCC, trong đó các nguyên tử nút đỉnh là các
nguyên tử Cs;
- Thừa số cấu trúc của ô mạng là tổng các thừa số cấu trúc của
mỗi lọai nguyên tử riêng biệt.
Cl
- Nguyên tử Cs định xứ ở 0,0,0

- Nguyên tử Cl định xứ ở ½, ½, ½.
fCs + fCl khi (h + k + l) = số chẵn

⇒ Fhkl = fCs + fCl .℮iπ(h + k + l) =
fCs - fCl khi (h + k + l) = số lẻ
NATuan-ITIMS-2007
Các điều kiện dập tắt hệ thống do các phần tử đối xứng tịnh tiến.
P: mạng nguyên thủy. A, B, C: tâm đáy ở trên các mặt -a, -b, -c, tương ứng.
I: tâm khối; F: tâm mặt. 21||b: biểu thị ô mạng có cạnh dài nhất là trục b. Ký hiệu này
cũng biểu thị trục xoắn bậc 2 song song với trục [010].
NATuan-ITIMS-2007
Sự vắng mặt hệ thống của các cực đại nhiễu xạ trong hệ lập phương
SC (lập phương FCC (lập phương BCC (lập phương

đơn giản) tâm mặt) tâm khối)
h2 + k2 + l2 Tất cả h, k, l hoặc đều Tổng (h + k + l) chẵn
Bất kỳ tổ hợp nào của
h, k, l là chẵn, hoặc đều là lẻ
Lưu ý đến hướng nhiễu xạ đã đề cập ở trên
1 100 - -
2 110 - 110
3 111 111 -
4 200 200 200
5 210 - -
6 211 - 211
7 - - -
8 220 220 220
9 300, 221 - -
10 310 - 310
11 311 311 -
12 222 222 222
NATuan-ITIMS-2007
2) Thừa số tán xạ tia X bởi nguyên tử
- Đối tượng gây nên sự tán xạ chùm tia X ở bên trong “hộp đen” (mạng tinh thể của
chất rắn) là các nguyên tử. Trong bài toán xét ở đây, các ng.tử được coi như là
các tâm tán xạ hiệu dụng, vì trong thực tế, gây ra sự tán xạ sóng tới chính là các
điện tử ở lớp vỏ của nguyên tử. Các điện tử này được quy về một điện tích điểm
đặt ở khối tâm của nguyên tử.
- Tia X là một dạng của bức xạ điện từ → khi tác động lên điện tử sẽ gây chuyển
động dao động cho các điện tử với tần số bằng
tần số dao động của sóng tới → các điện tử được
gia tốc dưới tác dụng của trường điện từ này.
- Các hạt điện tích khi được gia tốc sẽ tạo ra (bức
xạ) trường điện từ. Các điện tử khi bị kích thích
dao động bởi chùm tia X tới sẽ phát ra trường điện
từ thứ cấp theo tất cả các hướng và có tính tuần
hoàn giống như sóng kích thích, và trong thực tế
sẽ tiếp tục pha của sóng kích thích đó.
NATuan-ITIMS-2007
Như vậy trường điện từ thứ cấp, là trường tuần hoàn mới phát ra từ điện tử,
chính là sóng tán xạ.
- Trong trường hợp đ.tử gây ra tán xạ bởi sóng tới, nhưng làm thay đổi một trạng thái
lượng tử khác, thì sóng tán xạ sẽ bị thay đổi bước sóng đôi chút: lượng thay đổi này
tương ứng với năng lượng đã bị điện tử hấp thụ. Đó là trường hợp tán xạ không
đàn hồi
Chú ý: về nguyên tắc, các photon của sóng tới có thể gây ra kích thích cho các hạt
điện tích ở hạt nhân (proton), nhưng với khối lượng lớn của các hạt này, sự dao động
là rất không đáng kể, các kích thích là quá nhỏ không đủ để phát hiện được.
- Như trên đây đã cho thấy (38) biên độ tán xạ có thể biểu diễn dưới dạng:
r ∞
A(k ) r −ikr .rr
= ∫ ρ (r )e dvrr (38)
AI (k ) −∞
¾ Giả sử tâm của các ng.tử được đặt ở các vị trí được xác định bằng các vectơ r1,
r2, r3,… và giả thiết rằng mật độ của đám mây điện tử xung quanh hạt nhân ng.tử
thứ n là ρn(r - rn). Lưu ý: r là toạ độ của điểm bất kỳ trong không gian của “hộp
đen”, rn là toạ độ khối tâm của ng.tử.
NATuan-ITIMS-2007
→ Do đó mật độ tổng cộng của điện tử sẽ là:
r r r
ρ (r ) = ∑ ρ n (r - rn ) (52)
n
Thay (52) vào (38), ta được: Thừa số
r chung
r r ⎡∞
A( k )
∞
r r −ikr .rr r r −ikr .( rr − rrn ) ⎤
= ∫ ∑ ρ n ( r − rn )e dvrr = ∑ e − ik . rn
⎢ ∫ ρ n ( r − rn )e dvrr ⎥
AI ( k ) − ∞ n n ⎣−∞ ⎦ (53)
(tích phân của một tổng bằng tổng các tích phân với thừa số chung được rút ra)
¾ Nhận xét:
*) Số hạng tích phân trong (53) chính là biểu diễn biên độ của tán xạ bởi
nguyên tử thứ n (không phụ thuộc vào nguyên tử khác). Đặt tích phân
này như sau:
r ∞
r r −ikr.(rr−rrn )
fn (k) = ∫ ρn (r − rn )e
X
dvrr (54)
−∞
Tích phân này được gọi là Thừa số tán xạ tia X bởi nguyên tử.
(Lưu ý: Thừa số cấu trúc của nguyên tử fn đã đề cập trên đây chính là fn X ở đây).
NATuan-ITIMS-2007
→ Biên độ tán xạ được đóng góp bởi cấu trúc nguyên tử, và (38) bây giờ trở thành:
r
A(k ) r −ikr .rr (55)
= ∑ f n (k ).e n
X
AI (k ) n
**) Nhận thấy rằng giá trị của fnX gần như độc lập với trạng thái tích tụ, nghĩa là cấu
hình điện tử là của toàn bộ nguyên tử, trong khi đó các điện tử hoá trị quy định
kiểu nguyên tử.
Tuy nhiên, đ/v các nguyên tử có nguyên tử số Z lớn, các trạng thái hoá trị khác
nhau thường chỉ dẫn đến những ảnh hưởng rất nhỏ đối với thừa số tán xạ nguyên
tử ở những tỷ lệ bất kỳ.
***) Cũng nhận thấy biên độ tán xạ (55) có cùng dạng với biểu thức (13) trước đây,
chỉ khác ở chỗ rn trong b/th (55) biểu diễn vị trí của các tâm khối của nguyên tử
hơn là biểu diễn vị trí của các điện tử; và fnX(k) được thay thế để tính cho cường
độ tán xạ riêng của nguyên tử thứ n. → Do đó các nguyên tử được xem như là
các tâm tán xạ hiệu dụng.
NATuan-ITIMS-2007
- Khảo sát về dạng của thừa số tán xạ nguyên tử. Có thể viết thừa số này dưới dạng
như sau:
r r −ikr .rr
f (k ) = ∫ ρ n (r )e dvrr
X
n (56)
(one atom
of type n )
+ Nhận thấy rằng tại k = 0 (nghĩa là 2θ = 0), ta có:

r
f ( 0) = ∫ ρ n (r )dvrr = Z n
X
n
(57)
(one atom
of type n )
trong đó Zn là nguyên tử số của nguyên tử kiểu n.

+ Ở những góc cao hơn, k = 4πsinθ/λ, biên độ của fnX giảm liên tục:
f X(k)
Thừa số tán xạ nguyên tử của Hydro
1
Sử dụng biểu thức (64):
ρn(r) = Cexp(-r/0.48)
Các giá trị được

tính từ hàm sóng
0 chính xác
k = 4πsinθ/λ
NATuan-ITIMS-2007
- Lập luận về khuynh hướng giảm biên độ của thừa số tán xạ nguyên tử f X ở vùng k
lớn:
*) Giả thiết mật độ điện tử có đối xứng cầu, như đ/v nguyên tử Hydro và Heli.
Khi đó ρn(r) → ρn(r) và sự phụ thuộc góc được quy về việc khảo sát hàm trong
k hệ toạ độ cầu. φ sẽ bằng 0 khi r hướng dọc theo k và mặt phẳng
chứa θ vuông góc với k. Vì vậy k. r = cosφ, và dvr = r 2 sinφdθdr.
φ
Từ đó ta có:
r ∞ π 2π
∫∫ ∫
− ik . r cos φ 2
f nX ( k ) = ρ n ( r ) e r sin φ d θ d φ dr (58)
0 0 0
θ
Lấy tích phân theo toàn bộ θ (= 2π) ta được:
∞ π
∫∫ n
− ik . r cos φ 2
f n
X
( k ) = 2π ρ ( r ) e r sin φ d φ dr (59)
0 0
Đặt u = cosφ và lấy tích phân theo u, ta được:
∞ 1 ∞
− 1 ik . r
f n
X
( k ) = − 2π ∫∫ ρ n (r )e − ik . r . u
r dudr = − 2 π
2
∫ ρ n (r )
r 2
ikr
e( )
− e − ik . r dr (60)
0 −1 0
hay: ∞
sin k .r
( k ) = 4π ∫ ρ n (r )
X 2
f n r dr (61)
0
kr
NATuan-ITIMS-2007
**) Có thể thấy mật độ độ điện tử ρn(r) trong (60) và (61) có thể lấy gần đúng bằng
C.e- r/a đối với một trạng thái quỹ đạo s (là C và a các hằng số). Thay trở lại (61),
ta có biểu thức của thừa số tán xạ nguyên tử chính xác đối với H và He, còn gần
đúng bậc nhất đối với các nguyên tử khác:
∞ ∞ ∞
2πC 2πC
f nX ( k ) = ∫
ik 0
re −r / a
e (
ikr
− e − ikr
dr)= ∫
ik 0
re ( − 1 / a + ik ) r
dr − ∫ re ( − 1 / a − ik ) r
dr (62)
0
Lấy tích phân từng phần, ta được:

2 π C ⎧ ⎛ r − b1 r ⎞ ∞ ⎛ 1 − b1 r ⎞ ∞ ⎛ r − b2 r ⎞ ∞ ⎛ 1 − b2 r ⎞ ∞ ⎫ (63)
(k ) = ⎨⎜ − ⎟⎟ − ⎜⎜ 2 e ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ 2 e ⎟⎟ ⎬
X
f e e
ik ⎩ ⎜⎝ b1
n
⎠ 0 ⎝ b1 ⎠ 0 b
⎝ 2 ⎠ 0 ⎝ b2 ⎠ 0⎭
ở đây b1 = 1/a - ik; b2 = 1/a + ik.
Sử dụng quy tắc L'Hospital để đánh giá hàm ở các lân cận 0 và ∞, ta thấy:
−2
⎧ 2πC
1 1 ⎫ 8πC ⎛ 1 2⎞
f nX ( k ) =
⎨ 0 + + 0 + = ⎜ + k ⎟ (64)
2 2 ⎬ 2
⎩ ik
b1 b2 ⎭ a ⎝a ⎠
Như vậy đồ thị biểu diễn hàm fnX trên đây đã biểu diễn quan hệ giữa (1/a2 + k2)-2
đối với k = 4πsinθ/λ với a = 0.48 là trường hợp của hydro. Khi đó C được tìm ra bằng
cách đặt fnX = 0, vì ZH = 1. Cách tính đơn giản trên đây cho kết quả khá gần với
những tính toán chính xác hơn.
NATuan-ITIMS-2007
***) Nói chung thừa số tán xạ ng.tử đối với vật liệu bất kỳ đều được tính toán theo
cách như đã trình bày ở trên, nghĩa là bắt đầu với mật độ điện tử ρ(r) được lấy từ
cơ học lượng tử.
Trong tất cả các trường hợp, fX(0) = Z và đường cong của fX(k) đối với k đều giảm
tương tự như ở đồ thị trên đây.
****) Cần lưu ý rằng khi chùm tia X tới có khả năng kích thích mạnh một lớp vỏ ng.tử
K hay L để đến một trạng thái có năng lượng cao hơn, có thể có sự khác biệt đôi
chút đối với dáng điệu giảm chung của thừa số tán xạ ở khu vực k lớn. Điều này
chỉ xuất hiện khi λ gần với một giá trị tới hạn nào đó.
Nói chung thừa số tán xạ tia X bởi nguyên tử được cho bởi:
f = f 0 + ∆ f ' + i∆ f '' (65)
trong đó ∆f’ và ∆f’’ được lấy từ các thừa số tán xạ nguyên tử cổ điển f. Chúng
được gọi là các hiệu chỉnh tán sắc.
NATuan-ITIMS-2007
Sau đây sẽ xét từng trường hợp cụ thể những ảnh hưởng đến cường độ tán xạ
1) Tán xạ bởi một điện tử
- Bức xạ tia X đặc trưng phát ra từ ống phát nói chung là không phân cực.
Nhưng quá trình tán xạ làm cho chùm tia nhiễu xạ bị phân cực một phần.
→ Lượng phân cực này phụ thuộc vào góc tán xạ.
Ö Cường độ tán xạ bởi một điện tử biến thiên theo góc:

Cường độ tán xạ Ie ở khoảng cách R từ một điện tử tự do là (công thức Thomson):
⎛ e 4 ⎞ sin 2 α Liên quan đến N D

I e = I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎟ 2
bán kính điện z
⎝ m c ⎠ R tử cổ điển, re y
αz 2θ
trong đó Io là cường độ chùm tia tới, α là góc giữa W X'
phương tán xạ và phương gia tốc của điện tử. z

O y αy = 90o
- Giả sử điện tử đặt ở O. Chùm tia tới dọc theo XX' E
và không phân cực ( , hay phân cực tròn) X
→ E2 = E2y + E2z và về trung bình Ey = Ez Ö ½Io = Ioy + Ioz S
NATuan-ITIMS-2007
- Điện tử làm tán xạ chùm tia tới và chùm tia tán xạ hướng dọc theo OD, tạo một góc
2θ với phương của chùm tia tới. Chùm tia tán xạ có sự phân cực nhất định ( ).
- Thành phần y của chùm tia này gia tốc điện tử theo phương OE tạo một góc αy = 90o
so với phương tán xạ OD; gây ra cường độ tán xạ bằng:
⎞ sin α y
2
⎛ e 4
⎛ e 4
⎞
I ey = 2 .I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎟
1
2
= 1 .I ⎜
2 0⎜ ⎟
2 4 2 ⎟
⎝m c ⎠ R ⎝m c R ⎠
- Thành phần z gia tốc điện tử theo phương ON, tạo một góc αz = (90o - 2θ) so với
phương tán xạ OD; gây ra cường độ tán xạ bằng:
⎛ e 4
⎞ sin 2
αz ⎛ e 4
⎞ 2
I ez = 2 .I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎟
1 1 .I ⎜
2
=
2 0⎜ ⎟ cos 2θ
2 4 2 ⎟
⎝m c ⎠ R ⎝m c R ⎠
- Do vậy cường độ tán xạ tổng cộng trong phương OD bằng: Ie = Iey + Iez Ö
⎛ e 4 ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ ⎛ e4 ⎞
I e = I 0 ⎜⎜ 2 4 2 ⎟⎟⎜⎜ ⎟⎟ = I 0 ⎜⎜ 2 4 2 ⎟⎟.℘(θ )
⎝ m c R ⎠⎝ 2 ⎠ ⎝m c R ⎠
- Đại lượng ℘(θ) = 1 + cos22θ)/2 chính là thừa số phân cực, đặc trưng cho tán
xạ bởi điện tử.
NATuan-ITIMS-2007
2) Tán xạ bởi một nguyên tử
→ Sóng bị tán xạ bởi tất cả điện tử trong nguyên tử. Hơn nữa, sóng tán xạ có cùng
chiều dài quãng đường đối với hướng chùm tia tới, và do đó có cùng pha.
Ö Biên độ sóng tán xạ theo phương tán xạ từ toàn bộ

nguyên tử sẽ tỷ lệ với số điện tử có trong nguyên tử
tính theo phương tới. Tuy nhiên, theo phương khác,
các điện tử này không nhất thiết phải cùng pha.
- Các điện tử của một nguyên tử phân bố trong

Hiệu quãng đường
một vùng không gian có kích thước cỡ như
bước sóng của tia X sử dụng trong nhiễu xạ. D
2θ
→ Sóng tạo thành sẽ giao thoa một phần và
C
làm giảm biên độ của sóng tán xạ trên toàn bộ A
nguyên tử. → Sóng trở nên lệch pha hơn khi B
1λ
góc tán xạ tăng lên → Biên độ giảm nhanh.
NATuan-ITIMS-2007
Ö Biên độ tán xạ ở một góc cụ thể phụ thuộc vào số điện tử (do đó phụ thuộc vào
trạng thái liên kết hóa học của nguyên tử), phụ thuộc vào sự phân bố điện tử trong
nguyên tử, và phụ thuộc vào bước sóng của bức xạ tới.
- Hiệu suất tán xạ bởi một nguyên tử theo một phương cụ thể chính là: fo = AA/Ae
trong đó AA là biên độ sóng tán xạ từ toàn bộ nguyên tử, Ae là biên độ của sóng tán
xạ từ một điện tử tự do. → fo được gọi là thừa số tán xạ nguyên tử (trước đây khi
xét trong ô mạng có nhiều nguyên tử, đã ký hiệu là fn).
→ IA = Ie fo2
sin[4πr (sin θ / λ )]
∞
→ Thừa số tán xạ nguyên tử : f o = ∫ D (r )dr

0
4πr (sin θ / λ )
+ D(r) = 4πr2ρ(r) là sác xuất tìm ra điện tử nằm trong khoảng giữa bán kính r và r + dr
→ Do đó D(r)dr = Z, chính là tổng số điện tử có trong khỏang giữa hai mặt cầu bán
kính r và r + dr.
+ 4π r (sinθ/λ) biểu diễn độ lệch pha do các điện tử ở khoảng cách r so với mặt phẳng
phản xạ đi qua tâm nguyên tử .
(Lưu ý: Tán xạ bởi nguyên tử chủ yếu là tán xạ bởi “đám mây” điện tử).
NATuan-ITIMS-2007
- Thừa số tán xạ nguyên tử fo phụ thuộc chủ yếu vào sinθ/λ .
→ Các số liệu tán xạ nguyên

ZAg = 47
tử được biểu diễn theo số hạng
sinθ/λ này.
ZBr = 35
- Công suất nhiễu xạ của một số

ZFe = 26
fo nguyên tử và ion.
- Cực đại của fo tại sinθ/λ = 0,
ZCa = 20
ứng với θ = 0.
ZCl = 17
ZAl = 13 - fo giảm khi tăng θ.
- Thấy rõ fo giảm theo Z.
ZO = 8
ZC = 6
Khi λ thay đổi, fo thay đổi như thế nào?
NATuan-ITIMS-2007
3) Tán xạ bởi một ô cơ sở - Trong khi đó sự dịch chuyển của các mặt Q và R, tương
- Trên đây đã thấy sự tán xạ ứng là xQ, xR.
tia X từ một nguyên tử phụ
thuộc vào sự phân bố của → Độ lệch pha gây nên bởi các mặt phản xạ này tương
điện tử trong nguyên tử. ứng là:
→ Có thể nhận định rằng sự φQ = 2πxQ/dhkl ;
tán xạ trên một ô đơn vị sẽ φR = 2πxP/dhkl.
phụ thuộc vào sự sắp xếp
các nguyên tử ở trong ô đó.
- Khảo sát cấu trúc tinh thể

gồm 3 lọai nguyên tử: P (đặt ở
nút mạng gốc), Q và R, với hệ
thống các mặt phản xạ (hkl) và
khoảng cách giữa chúng là dhkl.
→ Độ lệch pha của các phản

xạ từ các mặt P kế tiếp là 360o,
hay 2π, vì hiệu quãng đường
của các tia phản xạ từ các mặt xR
xQ
này là 1λ.
NATuan-ITIMS-2007
F(hkl) = (A2 + B2)1/2
Biểu diễn các thành phần α(hkl) = arctan(B/A)
lệch pha của các mặt hkl
ứng với nguyên tử P, và
các mặt dịch chuyển nhỏ
của các nguyên tử Q và R.
Biểu diễn các thành phần lệch biên độ khi phản xạ

từ các mặt hkl ứng với nguyên tử P, và các mặt
của các nguyên tử Q và R bị dịch chuyển nhỏ.
- Đối với một ô cơ sở có m nguyên tử:
F (hkl ) = [(∑ f 0 , r cos ϕ r ) + (∑ f 0 , r sin ϕ r )

2 2
] 1/ 2
trong đó f0,r là thừa số tán xạ nguyên tử, φ0,r là thừa số pha của nguyên tử vị trí r.
- Góc lệch pha đối với mặt hkl từ một ô cơ sở sẽ là: α (hkl ) = arctan
∑ f 0,r sin ϕ r
∑ f 0,r cos ϕr
- Cường độ tán xạ bởi ô cơ sở: IC/IA = |F(hkl)|2 (tương tự như trường
xR
hợp tán xạ
xQ
bởi nguyên tử, nhưng ở đây thay f0 bằng |F(hkl)|).
NATuan-ITIMS-2007
- Biểu diễn thừa số pha trong biểu thức của biên độ cấu trúc theo vị trí các
nguyên tử trong ô cơ sở. (1/k)·b
O b
* Ví dụ: Xét ô mạng 2-D, gốc ở O. xr·a
* Giả thiết họ mặt (hk) cho phản (1/h)·a
yr·b xr, yr
xạ bậc nhất. Mặt hk gần gốc nhất
ng.tử r
có các đoạn cắt (1/h)·a và (1/k)·b
trên các cạnh ô cơ sở. (hk)
* Độ lệch pha từ các mặt này là 2π

theo hai hướng a và b.
a
* Xét nguyên tử r có tọa độ xr, yr
tương ứng lệch khỏi gốc O một đọan xr·a và yr·b theo các cạnh a và b.
→ Độ lệch pha từ các đoạn lệch gốc này tương ứng là:
φr(a) = [xr·a/(a/h)]2π = hxr·2π và φr(b) = [yr·b/(b/k)]2π = kyr·2π
→ Độ lệch pha tổng cộng đối với nguyên tử r là: φr = φr(a) + φr(b) = 2π (hxr + kyr)
→ trong không gian 3-D: φr = 2π (hxr + kyr + lzr)
NATuan-ITIMS-2007
- Từ những điều trên đây (thay thế các thừa số pha vào biên độ cấu trúc ở trên) ta có
Ö F ( hkl ) = {[∑ f 0 , r cos 2π ( hx r + ky r + lz r )] [∑ f

2
+ 0 , r sin 2π ( hx r + ky r + lz r ) ]}
2
1
2
Ö Nhận xét:
1- |F | phụ thuộc vào loại nguyên tử có trong ô cơ sở và vị trí của chúng.
(f0,r) (cosφr & sinφr)
2- Các số hạng cosφr & sinφr thường được gọi là thừa số cấu trúc hình học vì là
hàm của tọa độ nguyên tử → Đặc trưng cho nhóm không gian của tinh thể.
3- Góc lệch pha của các mặt phản xạ thuộc họ (hkl) `đơn giản là hàm của tọa độ
α (hkl ) = arctan ∑
nguyên tử → f 0,r sin 2π (hxr + kyr + lz r )
∑f 0,r cos 2π (hxr + kyr + lz r )
NATuan-ITIMS-2007
4) Thừa số nhiệt độ (Thừa số Debye):
- Thừa số tán xạ trên đây (tán xạ bởi nguyên tử) được xét với giả thiết nguyên tử ở
trạng thái tĩnh.
- Trong thực tế, sự dao động nhiệt của các nguyên tử làm sự xê dịch vị trí của
chúng. Nhiệt độ càng cao các nguyên tử dao động càng mạnh. → Theo thuật ngữ
của khái niệm phản xạ Bragg, khi có dao động nhiệt, một mặt phẳng phản xạ
không còn là một mặt phẳng toán học.
⇒ Các sóng phản xạ thỏa mãn ở góc Bragg sẽ không chính xác cùng pha → Độ lớn
của thừa số cấu trúc hình học sẽ nhỏ hơn so với dự đoán từ các thừa số tán xạ
nguyên tử.
- Với bất kỳ tinh thể nào, sự ảnh hưởng của dao động nhiệt lên biên độ cấu trúc
hình học cũng tăng lên theo góc Bragg, vì θ = arcsin(nλ/2d), và tăng lên theo
T.
→ Debye: Thừa số tán xạ của một nguyên tử ở một nhiệt độ thông thường (T) có
quan hệ với thừa số tán xạ của nó ở trạng thái tĩnh (To) qua biểu thức:
⎡ B sin 2 θ ⎤ , trong đó B thể hiện sự xê dịch khỏi vị trí cân bằng của
T = T 0 exp ⎢− ⎥ các nguyên tử. B phụ thuộc vào loại nguyên tử và sự
⎣ λ2
⎦ định hướng của các mặt phản xạ trong tinh thể.
- Đánh giá định lượng T chỉ có tính chất gần đúng.
NATuan-ITIMS-2007
5) Thừa số hấp thụ
- Các chùm tia tới và chùm tia phản xạ bị hấp thụ một phần khi đi qua tinh thể.
→ Cường độ phản xạ bị suy giảm.
- Hệ số hấp thụ phụ thuộc vào:
* Hệ số hấp thụ của tinh thể
* Thiết diện ngang
* Trong trường hợp mẫu bột, phụ thuộc vào hệ số ép chặt (mật độ xếp chặt của
các hạt tinh thể).
⇒ Cường độ phản xạ thay đổi theo góc Bragg.
+ Một mẫu có độ hấp thụ tia X cao sẽ
bj hấp thụ nhiều nhất ở sâu bên
trong mẫu (tâm), tương ứng với
cường độ phản xạ yếu nhất; bị phản
xạ càng nhiều khi càng ra gần biên
(bề mặt).
+ Khi góc θ tăng lên → phần thể tích
đóng góp cho phản xạ tăng lên →
cường độ chùm tia phản xạ cũng lớn
hơn, nghĩa là hấp thụ giảm đi.
NATuan-ITIMS-2007
Định luật Beer:
Hệ số tuyền qua: ℑ = It/Io = e-µt
trong đó t là chiều dày mà tia X đi qua, µ là hệ số hấp thụ thẳng.

µ A
- Gọi hệ số hấp thụ nguyên tử là σa (cm2): σa = × cm 2
ρ N0
m
n
trong đó µ/ρ là hệ số hấp thụ khối. ⇒ µ = m
Vuc
∑ ai
(σ
i =1
) cm -1
với A là trọng lượng nguyên tử, nm là số của phân tử, mỗi phân tử có m nguyên tử
trong ô thể tích Vuc, N0 là số Avogadro.
Ö Hệ số truyền qua ℑ, hay ở đây còn gọi là thừa số hấp thụ, phụ thuộc vào bản
chất của mẫu và bước sóng tia X tới. (Xem thêm bảng các hệ số hấp thụ khối của
các nguyên tố với các bước sóng tia X sử dụng khác nhau ở Slide 49 và 50 trên đây).
- Sau đây sẽ cho thấy sự phụ thuộc vào góc Bragg θ của thừa số hấp thụ ℑ.
NATuan-ITIMS-2007
- Trong thực nghiệm nhiễu xạ tia X bởi một tinh thể, hoặc mẫu của bột tinh thể, nói
chung tất cả các tia X đều không có cùng chiều dài quãng đường đi ở trong môi
trường.
- Chùm tia tới có cường độ I0 đập lên mẫu sẽ bị giảm cường độ xuống còn Ioe-µt1
ở độ sâu t1 trong thể tích mẫu, và tia nhiễu xạ bị giảm cường độ tương tự sau khi
đi qua khoảng cách t2 trước khi ra khỏi tinh thể.
∆x
t1
t2
∆y
Itr.qua(θ = 0)
(hkl)
- Thừa số truyền qua trở thành:
Phụ thuộc góc Bragg Phụ thuộc vị trí Itr.qua(2θ)
1
ℑ (hkl ) = ∫
− µ [ t1 ( xyz ) + t 2 ( xyz )]
e dxdydz , ở đây tích phân được lấy qua thể tích
Vcrystal Vcrystal của tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
* Những lưu ý:
- Thừa số hấp thụ tăng khi góc θ giảm >< Thừa số nhiệt độ tăng khi góc θ tăng.
- Trong thực tế hai thừa số hấp thụ và nhiệt độ gần như triệt tiêu lẫn nhau ở những
tinh thể có hệ số hấp thụ vừa phải.
- Có thể tính được thừa số hấp thụ của tinh thể có hình dạng bất kỳ. Mức độ hiệu
chỉnh chính xác của sự hấp thụ tùy thuộc vào mức độ chính xác trong việc xác định
dạng đó, do đó phụ thuộc vào việc xác định được chính xác độ dài quãng đường
của các tia tới và tia nhiễu xạ.
- Dể dẽ dàng xác định quãng đường tương đối chính xác → chế tạo mẫu có hình
dạng xác định: thường là hình trụ hay cầu.
- Dạng mẫu hình cầu là lý tưởng cho việc chuẩn hóa XRD đối với đơn tinh thể.
Tuy nhiên nhiều tinh thể khó tạo dạng cầu, nên chỉ có thể tạo được dạng gần cầu.
- Để giảm ảnh hưởng của sự hấp thụ, mẫu cần được chế tạo có kích thước đủ nhỏ.
- Để không cần phải hiệu chỉnh sự hấp thụ, mẫu cần có kích thước cỡ 0.1 mm (100
µm). Ở kích thước này, có thể bỏ qua sự hấp thụ trong mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
Sự dập tắt sơ cấp và thứ cấp
- Sự dập tắt sơ cấp:
Trong một đơn tinh thể “lý tưởng hoàn hảo”, một số lớp ở bề mặt bị rơi vào tình
trạng hầu như phản xạ toàn phần năng lượng tới, đến mức phần ở sâu hơn bên
trong tinh thể không nhận được bức xạ tới. → Việc chắn các lớp ở bên dưới bởi
những lớp ở bên trên trong một tinh thể hoàn hảo gọi là sự dập tắt sơ cấp.
- Sự dập tắt thứ cấp:
Ngay cả với một tinh thể không lý tưởng, nhưng có cấu trúc kiểu "khảm trai"
(mosaic) của các khối tinh thể có kích thước đủ nhỏ sắp xếp không trật tự mà
sự dập tắt sơ cấp không xảy ra, thì chùm tia tới chiếu vào một khối ở sâu bên
trong tinh thể có khi ít hơn so với sự hấp thụ thông thường.
Hiệu ứng này xuất hiện vào lúc điều kiện phản xạ được thỏa mãn và là kết quả
của việc chùm tia phản xạ bởi các khối sắp xếp giống nhau ở gần bề mặt tinh
thể bị đi ra khỏi chùm tia tới. Đó là hiệu ứng dập tắt thứ cấp.
- Hiệu ứng dập tắt thứ cấp thường xảy ra hơn hiệu ứng dập tắt sơ cấp.
- Có thể bổ xung hệ số dập tắt vào hệ số hấp thụ thông thường.
NATuan-ITIMS-2007
6) Thừa số Lorentz
- Trong các phương pháp nhiễu xạ đơn tinh thể, trong đó mẫu được cho chuyển động
trong vùng của chùm tia X chiếu tới (như phương pháp đơn tinh thể quay, hoặc dao
động), các mặt phản xạ trong tinh thể lần lượt được biến đổi tương ứng với những
góc thoả mãn điều kiện Bragg → lần lượt thực hiện phản xạ.
- Tốc độ mà các mặt phẳng trải qua các điều kiện Bragg thay đổi theo góc nhiễu xạ,
→ mỗi phép đo cường độ phải được hiệu chỉnh riêng biệt đối với nhau theo thời
gian mà một mặt phẳng cụ thể mất để quay qua góc Bragg đó.
⇒ Dạng của hiệu chỉnh này chính là thừa số Lorentz, phụ thuộc vào phương pháp
ghi phản xạ.
P
- Hình học của điều kiện Bragg θ
1/d θ
- Đây chính là vòng tròn phản xạ Bragg của tập θ 2θ
X O θ R
hợp các mặt phẳng phản xạ có khỏang cách d
d
của tinh thể đặt ở vị trí R (cầu Ewald). P chính
là vết cực đại nhiễu xạ trong không gian nghịch.
NATuan-ITIMS-2007
- Từ những minh họa ở hình vẽ → ∠(PXR) = θ và P
∠(RPX) = 90o → PR/XR = sinθ → PR ~ 1/d, V ∠(RPX) = 90o
XR ~ 2/λ. ∠(ROP) = 2θ → OP // phương VN 1/d = 2sinθ/λ
phản xạ. θ 2θ ω
X 1/λ O R
- Giả thiết tinh thể quay với vận tốc góc không đổi
ω quanh trục tại R và vuông góc với mặt phẳng
chứa hình tròn tâm O.
→ Khi đó điều kiện Bragg cho các mặt phẳng đang xét (ở điểm R) luôn được thỏa
mãn trong suốt quá trình quay mà điểm P nằm trên chu vi của đường tròn quay
quanh điểm R.
- Thời gian cần thiết để điểm P cắt đường tròn tâm O phụ thuộc vào vận tốc của
điểm P và góc mà ở đó nó cắt đường tròn tâm O, giả sử với thành phần vận tốc là
VN vuông góc với chu vi đường tròn tâm O.
- Nhận xét:
* Các điểm ở xa R (ứng với khoảng cách giữa các mặt nhỏ, góc θ lớn) sẽ
chuyển động nhanh hơn các điểm ở gần R, nhưng cắt qua đường tròn ở
những góc nghiêng hơn.
NATuan-ITIMS-2007
* Vận tốc V của điểm P là: PR·ω = (1/d)ω = [(2sinθ)/λ]ω
Vận tốc này được hướng dọc theo PX.
- Từ đó ta có: ⎛ 2 sin θ ⎞ ⎛ sin 2θ ⎞

VN = V cos θ = ⎜ ω ⎟ cos θ = ⎜ ⎟ω
⎝ λ ⎠ ⎝ λ ⎠
- Gọi E là năng lượng tổng cộng của bức xạ bị phản xạ bởi một họ các mặt mà làm
cho P cắt ngang qua chu vi của đường tròn phản xạ Bragg, thì ta có cường độ tán
xạ bởi tinh thể sẽ là:
⎛ sin 2θ ⎞
E ⋅ VN = Eω ⎜ ⎟ = Ic
⎝ λ ⎠
- Tích trên đây là không đổi đối với một cường độ chùm tia cho trước.
- Hệ thức trên đây có thể được viết lại dưới dạng năng lượng trong khuôn khổ của
vận tốc góc của tinh thể:
⎛ λ ⎞
Eω = I c ⎜ ⎟
⎝ sin 2θ ⎠
- Vì năng lượng E = I.t , với t là thời gian, → lượng λ/2sinθ biểu thị thời gian mà các
mặt phản xạ tương ứng cần để phản xạ năng lượng E. → 1/2sinθ biểu diễn thời gian
tương đối mà bất kỳ mặt phẳng tinh thể nào cần để quay khoảng góc nhỏ của θ mà sự
phản xạ xuất hiện. L(θ) = 1/2sinθ chính là thừa số Lorentz.
NATuan-ITIMS-2007
7) Thừa số lặp lại
- Số của các mặt phẳng riêng biệt cắt một ô cơ sở trong một họ hkl cụ thể được gọi
là thừa số lặp lại, Mhkl.
- Đối với những hệ có đối xứng thấp, hệ số lặp lại cũng luôn thấp.
- Đối với những hệ có đối xứng cao, họ các mặt đơn có thể được lặp lại nhiều lần bởi
các phép biến đổi đối xứng, mỗi lần lặp lại đó sẽ làm tăng thêm cường độ nhiễu xạ.
VD: Ở hệ lập phương đơn giản, mỗi mặt tinh thể có 1 mặt chéo (110) và 1
mặt tương đương (-110). ⇒ Với 6 mặt có tất cả 12 hướng tinh thể.
Tương tự, mặt (100) có 6 hướng ⇒ Như vậy họ mặt (110) có cường độ
gấp đôi cường độ của họ mặt (100) vì thừa số lặp lại.
- Thừa số lặp lại của các lớp tinh thể khác nhau, với các họ mặt khác nhau được cho
trong bảng dưới đây:
a Khi tất cả các hoán vị của các chỉ số không tạo ra các mặt phẳng tương đương, M phải được giảm đi một nửa.
NATuan-ITIMS-2007
Thừa số lặp lại Mhkl thường sử dụng trong phương pháp bột đối với các
tinh thể có đối xứng lập phương.
hkl Mhkl
h00 6
hhh 8
hh0 12
hhk 24
hk0 24
hkl 48
NATuan-ITIMS-2007
8) Thừa số cấu trúc và sự vắng mặt hệ thống của các cực đại nhiễu xạ
SC (lập phương đơn FCC (lập phương tâm BCC (lập phương
giản) mặt) tâm khối)
h2 + k2 + l2 Tất cả h, k, l hoặc đều là Tổng (h + k + l) chẵn
Bất kỳ tổ hợp nào của
h, k, l chẵn, hoặc đều là lẻ
1 100 - -
2 110 - 110
3 111 111 -
4 200 200 200
5 210 - -
6 211 - 211
7 - - -
8 220 220 220
9 300, 221 - -
10 310 - 310
11 311 311 -
12 222 222 222
NATuan-ITIMS-2007
9) Tổng kết các yếu tố gây nên cường độ nhiễu xạ tương đối (thừa số cấu trúc)
a) Các tác nhân chính – bản chất của tinh thể
1 + cos 2 2θ
- Tán xạ bởi điện tử → Thừa số phân cực: ℘(θ) =
2
sin[4πr (sin θ / λ )]
∞
- Tán xạ bởi nguyên tử → Thừa số tán xạ nguyên tử: f o = ∫ U (r )dr

0
4πr (sin θ / λ )
[
- Tán xạ bởi ô mạng → Thừa số cấu trúc: F(hkl) = (∑ f0,r cosϕr ) + (∑ f0,r sinϕr )
2
]
2 1/ 2
b) Các tác nhân phụ - các yếu tố ảnh hưởng

⎡ B sin 2 θ ⎤
- Thừa số nhiệt độ: T = T 0 exp ⎢−
⎣ λ2 ⎥⎦
1
- Thừa số hấp thụ: ℑ ( hkl ) =
V crystal ∫ e − µ∆t d x d y d z
- Thừa số Lorentz: L(θ) = 1 1 + cos 2 2θ

Thừa số góc: L (θ).℘(θ) =
sin 2θ sin 2θ
- Thừa số lặp lại : Mhkl (phụ thuộc vào kiểu tinh thể và họ mặt hkl)
- Vi hấp thụ: xuất hiện đối với mẫu đa pha. Hệ số hấp thụ thẳng tiêu biểu ở các mẫu này được tính trên cơ
sở các tỷ lệ thành phần pha có ở trong hỗn hợp đa pha. Vi hấp thụ sẽ xuất hiện khi các tinh thể lớn
tương tác ưu tiên với chùm tia gây ra cả hấp thụ dị thường và các cường độ không đại diện cho những tỷ
lệ thành phần cảc các pha này. Để hạn chế ảnh hưởng của vi hấp thụ, cần giảm kích thước các vi tinh
thể ở trong mẫu.
- Sự phân cực đơn sắc: Trên đây đã cho thấy chùm tia nhiễu xạ còn bị phân cựuc một phần bởi quá trình
nhiễu xạ. Vì tinh thể lọc đơn sắc có thể làm biến đổi cường độ nhiễu xạ → số hạng liên quan đến góc
nhiễu xạ của bộ lọc sắc (θm) cần phải được đưa thêm vào để hiệu chỉnh.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.7. CƯỜNG ĐỘ TÍCH PHÂN
• Biểu thức chung của cường độ tích phân
Định nghĩa:
Cường độ bị nhiễu xạ bởi mặt tinh thể (hkl) được gọi là cường độ
tích phân (integrated intensity), hay phản xạ tích phân (integrated
reflection), nghĩa là cường độ nhiễu xạ được lấy tích phân qua
vùng lân cận của cực đại nhiễu xạ.
- Khi đó biểu thức chung của cường độ tích phân có thể biểu diễn như sau: với một
tinh thể nhỏ có thể tích δV quay với vận tốc không đổi ω quanh trục song song với
mặt (hkl) → Năng lượng phản xạ tích phân sẽ tỷ lệ với δV nên có thể viết (với Q là
khả năng phản xạ khối riêng): Q(hkl)δV = E(hkl)ω/I0 (cm2),
trong đó E(hkl) là năng lượng tổng cộng được nhiễu xạ từ một chùm tia có cường
độ I0.
- Năng lượng tổng cộng của bức xạ bị phản xạ bởi một họ các mặt thu được
trong thời gian quay tinh thể chính là cường độ tán xạ bởi tinh thể đã được hiệu
chỉnh Lorentz: ⎛ λ ⎞
Eω = I c ⎜ ⎟
⎝ sin 2θ ⎠
Cướng độ tán xạ bởi tinh thể: I c = I e ( F (hkl ) × N ) × V × T , trong đó |F(hkl)| là tỷ lệ
2
-
giữa biên độ hỗn hợp của sóng tán xạ bởi một ô cơ sở với biên độ của sóng tán xạ
bởi một điện tử, N là số ô đơn vị trong một đơn vị thể tích, V là thể tích của tinh
thể, T là thừa số nhiệt độ.
NATuan-ITIMS-2007
- Như trước đây đã thấy, cường độ tán xạ đo ở khoảng cách R bởi một điện tử là:
⎛ e 4 ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞
I e = I 0 ⎜⎜ 2 4 2 ⎟⎟⎜⎜ ⎟⎟
⎝ m c R ⎠⎝ 2 ⎠
- Nếu lấy R = 1/λ , chính là cầu phản xạ Ewald, ⇒ Năng lượng tổng cộng nhận được
với một vết nhiễu xạ nằm trên chu vi của cầu Ewald sẽ là:
⎛ e4 ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 1
Eω = I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎜
2 ⎟⎜
⎟
⎟ × ( F ( hkl ) × N )2
× V × T ×
⎝ m c (1 / λ ) ⎠⎝ 2 ⎠ sin 2θ
⎛ e 4 N 2 λ3V ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
= I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎜
⎟⎜ ⎟
⎟ F ( hkl ) T Thừa số góc: L (θ).℘(θ)
⎝ 2m c ⎠⎝ sin 2θ ⎠
Biểu thức này được viết với giả thiết không có sự ảnh hưởng của các laọi hấp thụ
thông thường cũng như hấp thụ đặc biệt lên các chùm tia nhiễu xạ và sơ cấp ở trong
tinh thể (gây nên các hiệu ứng tắt sơ cấp và thứ cấp). Vì thế nó chỉ áp dụng một cách
lý thuyết cho trường hợp lý tưởng với tinh thể vô cùng nhỏ (để loại trừ hấp thụ).
- Viết lại năng lượng tổng cộng dưới dạng: Eω ⎛ e 4 N 2 λ3V ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
= ⎜⎜ ⎟
2 4 ⎟⎜
⎜ ⎟
⎟ F ( hkl ) T
I 0 ⎝ 2m c ⎠⎝ sin 2θ ⎠
→ Đây là năng lượng tổng cộng tương đối giữa năng lượng được phản xạ bởi họ mặt
(hkl) với năng lượng tới tính trên một đơn vị diện tích của tinh thể và trong một đơn
vị thời gian.
NATuan-ITIMS-2007
- Biểu thức Eω/I0 trên đây chính là Cường độ (hay phản xạ) tích phân, được đo
bằng cách so sánh giữa cường độ phản xạ từ một họ mặt phẳng với cường độ
chùm tia tới. Tuy nhiên việc đo cường độ sơ cấp không thuận tiện về mặt thực
nghiệm, và cũng không cần thiết, nên chỉ sử dụng biểu thức tương đối cho trường
hợp tổng quát.
e 4 N 2 λ3V
- Số hạng 2 4
là một hằng số đối với mỗi thực nghiệm với tinh thể cho trước.
2m c
Cường độ tương đối của tất cả các mặt phản xạ mà song song với trục quay có
dạng: ⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
I hkl ∝ ⎜⎜ ⎟⎟ F (hkl ) T
2 ⎝ sin 2θ ⎠
⎛ e ⎞ I 0λ
2 3
- Nếu đặt K e = ⎜⎜ ⎟
2 ⎟ , là một hằng số đối với một phép thực nghiệm cụ thể,
m c
⎝ e ⎠ 64 π L
ở đây I0 là cường độ chùm tia tới, L là khoảng cách từ mẫu đến detector, (e2/mec2)2
chính là bình phương của bán kính điện tử cổ điển, re, có thể viết cường độ của
vết/peak nhiễu xạ từ một pha α nào đó trong mẫu dạng chữ nhật phẳng đặt trong
một nhiễu xạ kế có các khe lấy chùm tia nhiễu xạ cố định (bỏ qua hấp thụ của
không khí) là:
K e K ( hkl )α vα
I ( hkl )α =
µs
NATuan-ITIMS-2007
ở đây vα là phần thể tích của pha α, µs là hệ số hấp thụ thẳng, còn K(hkl)α cũng là
một hằng số đối với mỗi phản xạ hkl từ cấu trúc tinh thể của pha α.
M 2 ⎛ 1 + cos 2 2θ cos 2 2θ m ⎞
K ( hkl )α = hkl F( hkl )α ⎜⎜ ⎟⎟
Vα2 ⎝ sin θ cos θ
2
⎠ hkl
với Mhkl là thừa số nhân số đối với mặt phản xạ hkl của pha α, Vα là thể tích của ô cơ
sở của pha, θm là góc nhiễu xạ của bộ lọc đơn sắc (là đơn tinh thể) (monochromator),
còn F(hkl)α là thừa số cấu trúc đối với phản xạ hkl của pha α, bao gồm cả các hiệu ứng
tán xạ dị thường và nhiệt độ.
Lưu ý: thừa số trong ngoặc đơn là hỗn hợp của các hiệu chỉnh phân cực và Lorentz,
nên gọi là hiệu chỉnh Phân cực-Lorentz, (Lp)hkl:
⎛ 1 + cos 2 2θ cos 2 2θ m ⎞
( Lp ) hkl = ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ sin θ cos θ
2
⎠ hkl
NATuan-ITIMS-2007
• Tổng kết cường độ tích phân tổng quát:
- Cường độ tán xạ tổng quát:
+ Tổ hợp của hai thành phần: thừa số cấu trúc và thừa số mạng
r 3 ⎛ sin 2 π N s a ⎞
I (s )
= F (s) Z (s) = F (s) ∏ ⎜ ⎟
2 2 2 j j j
Ie (s) ⎜
j =1 ⎝ sin π s j a j
2 ⎟ Hàm giao thoa
⎠
Lưu ý ở đây các cạnh aj (j = 1, 2, 3) chính là các cạnh a, b, c, tương ứng:
a1 = a ; a 2 = b ; a 3 = c
+ Biểu thức chung của cường độ tán xạ thực nghiệm tổng quát có thể viết lại dưới
dạng: 2
2
⎡ e ⎤
∑ Q δ V = L ⋅ P ⋅ g ⋅ ℑV xtl ⋅ M ⋅ ⎢ 2
F ( T ) ⎥
⎣ mc ⎦
Lorentz Phân cực Hình học Truyền qua Thể tích tinh thể Nhân số Thừa số cấu trúc
được chiếu xạ mặt ph/xạ tinh thể ở T oK
- Biểu thức cường độ tán xạ ứng với các phương pháp thực nghiệm nhiễu xạ:
Cường độ tích phân được xét theo các phương pháp thực nghiệm nhiễu xạ khác
nhau sẽ có dạng biểu thức khác nhau, trong đó có những phương pháp làm xuất
hiện các thừa số đặc biệt.
NATuan-ITIMS-2007
- Có nhiều phương pháp để thực nghiệm nhiễu xạ. Tuy nhiên có hai phương pháp
thường được sử dụng trong kỹ thuật nhiễu xạ tia X:
Cường độ tích phân trong phương pháp bột:
re = (e2/mec2) chính là
bán kính điện tử cổ điển.
re2 = 7.94 x 10-30 m2. Thể tích vùng được chiếu bức xạ.
re2 V λ3 ⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
J hkl = I0 ⎜⎜ ⎟⎟ M hkl F (hkl )
64π 2 R 3 Vc2 sin θ sin 2θ ⎝ 2 ⎠
Bán kính của buồng chụp Lorentz Phân cực Thừa Cấu trúc
Debye-Scherrer (khoảng số lặp
cách từ tinh thể đến điểm
Thể tích ô cơ sở.
ghi vết nhiễu xạ).
Cường độ tích phân trong phương pháp quay tinh thể:
Ehklω re2 V λ3 ⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2

Phkl = = 2 2 ⎜⎜ ⎟⎟ M hkl F (hkl )
I0 R0 Vc 2 sin 2θ ⎝ 2 ⎠
NATuan-ITIMS-2007
• Bề rộng của cực đại nhiễu xạ và kích thước của nút mạng nghịch
3 ⎛ sin 2 π N s a ⎞
I (s)
= F (s) G ; G = ∏ ⎜ ⎟
2 j j j
⎜ ⎟ Hàm giao thoa:
j =1 ⎝ sin π s j a j
2
Ie (s) ⎠
- Xét hàm giao thoa G ở lân cận cực đại nhiễu xạ g, nghĩa là xét đến các điểm ở lân
cận với một khoảng rất nhỏ εj nào đó, có vectơ mạng nghịch là g'.
r* r r* r* r*
r = g = ha + kb + lc
r r r r r
r * ' = g' = (h + ε 1 )a * + (k + ε 2 )b * + (l + ε 3 )c *
- Cực đại chính của hàm G có cường độ là Nj2 ở ngay tại điểm giữa của nút mạng
nghịch. Ngoài ra G còn có những cực đại phụ khác có cường độ bằng 4Nj2/(2n+1)2π2
(n là những số nguyên) tại các điểm lân cận nút mạng nghịch có giá trị εj = 1/Nj, 2/Nj,
3/Nj,.... (Nj là số nút theo chiều j).
- Tỷ số giữa cực đại chính và các cực đại phụ

là 4/(2n+1)2π2 khi n =1, 2, 3,... → tỷ số
này tương ứng bằng 4,5%; 1,62%; 0,82%; ... 1/Nj
Nghĩa là các cực đại phụ rất nhỏ so với 2/Nj
cực đại chính. −3 −2 −1 0 1 2 3

Nj Nj Nj Nj Nj Nj
Kích thước mẫu mỏng làm cho các nút mạng nghịch bị kéo dài ra theo hướng mạng
nghịch tương ứng với chiều bị làm mỏng trong không gian thực của mẫu tinh thể:
Chiều làm
mỏng mẫu
tinh thể.
Mạng không gian thực

Nếu có các mặt phản xạ (001) …
… thì các nút mạng nghich sẽ bị kéo dài ra Mạng không gian nghịch
theo hướng [001]* trong mạng nghịch.
Chiều kéo dài của
nút mạng nghịch.
NATuan-ITIMS-2007
Ö Theo 3 chiều không gian nghịch, hàm giao thoa có cực đại với bề rộng cókích thước
là a*/N1, b*/N2, c*/N3. → Tinh thể thực có kích thước là N1a, N2b, N3c.
→ Nút mạng nghịch có kích thước tương ứng là a*/N1, b*/N2, c*/N3.
K/t tinh thể k/t nút mạng nghịch K/t tinh thể k/t nút mạng nghịch
NATuan-ITIMS-2007
SỰ BẢO TOÀN NĂNG LƯỢNG
Có thể chứng minh rằng cường độ tán xạ khi được lấy tích phân qua toàn bộ các giá
trị k là không đổi đối với một khối lượng cho trước, không phụ thuộc vào trạng thái kết
tụ của nó.
- Hãy nhớ lại cường độ tích phân tương đối được biểu diễn qua hàm tự tương
quan P(u), đối với một hệ bất kỳ, ta có:
r
I (k ) r −ikr .ur
= ∫ P(u)e dvur
I I (k )
- Ở đây vi cấu trúc của hệ được hàm chứa trong hàm tự tương quan P(u). Lấy
tích phân cường
r độ tương đối ở trên qua toàn bộ không gian k, ta được:
I (k ) r r −ikr .ur
r r
r r
r
[
∫ I I (k ) dvk = ∫ ∫ P(u)e dvu dvk = ∫ ∫ e dvk P(u)dvur
− ik . u
r ]
- Hãy nhớ lại những lập luận trước đây để đi đến biểu thức (31), ở đó đã chứng tỏ
tích phân của hàm exp có tính chất của hàm Dirac δ. Do đó ở đây ta có:
r r
r r
r ⎧0 ( r ≠ r ' ) r r r
∫e dv k = δ ( u ) = ⎨
− ik . u
r r r (Note : u = r ' - r )
⎩ ∞ ( r = r ')
NATuan-ITIMS-2007
- Vì vậy: r
I (k ) r r r
∫ I I (k ) k ∫
= δ r = P ( 0) = ρ V
2
dv ( u ) P ( u ) dv u e
Ở đây V là thể tích của vật liệu bị bức xạ, ρe là mật độ trung bình của điên tử.
- Biểu thức trên đây cho thấy vế phải là một hằng số. Do đó giá trị của tích phân
phải không phụ thuộc vào cấu trúc. Nói khác đi, biểu thức trên đây thể hiện
tính chất bảo toàn năng lượng của hệ.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.8. ĐO CƯỜNG ĐỘ TÍCH PHÂN
(Tự nghiên cứu về phần nội dung này)
NATuan-ITIMS-2007
2.2.9. XÁC ĐỊNH VỊ TRÍ NGUYÊN TỬ & Vấn đề xác định lệch pha và dấu
của thừa số cấu trúc
NATuan-ITIMS-2007
2.2.10. XÁC ĐỊNG CẤU TRÚC TINH THỂ
Nhớ lại:
Eω ⎛ e 4 N 2 λ3V ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
- Phương trình phản xạ tích phân: =⎜ ⎟⎟⎜⎜ ⎟⎟ F (hkl ) T
I 0 ⎜⎝ 2m 2 c 4 ⎠⎝ sin 2θ ⎠
có chứa thừa số |F(hkl)| biểu diễn các vị trí của các nguyên tử trong ô cơ sở:
F ( hkl ) = {[∑ f ] [∑ f
2
0 , r cos 2π ( hx r + ky r + lz r ) + 0 , r sin 2π ( hx r + ky r + lz r ) ]}
2
1
2
Phương trình này cho phép tính được những cường độ phản xạ khi biết cấu trúc tinh
thể. Cường độ đo được, sau khi hiệu chỉnh hấp thụ và sự dập tắt, và các thừa số đặc
biệt chỉ xuất hiện từ phương pháp cụ thể dùng để ghi phản xạ, có thể thực hiện tính
toán cấu trúc tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.11. LÝ THUYẾT ĐỘNG LỰC HỌC NHIỄU XẠ
- Các vấn đề về cường độ nhiễu xạ trên đây được xét với tinh thể “thực” và đặc biệt
đã bỏ qua tương tác của sóng tán xạ và sóng tới, và kích thước các đơn tinh thể
không đủ lớn. Vì thế xuất hiện rất nhiều các hiệu chỉnh (các thừa số tán xạ). Đó là
cường độ nhiễu xạ đã được xét trên cơ sở của lý thuyết động học, ở đó bài toán
được xét ở những khía cạnh có tính chất hiện tượng luận hay có tính “kinh nghiệm”.
- Trong trường hợp các đơn tinh thể hoàn hảo, có kích thước đủ lớn, các cường độ
nhiễu xạ đo được và tính toán theo thuyết động học không phù hợp với các số liệu
thực nghiệm, vì khi đó các tương tác giữa bức xạ tới với bức xạ tán xạ, hay các
tương tác với trường tinh thể,… có ảnh hưởng không nhỏ tới cường độ tán xạ.
- Thuyết động lực học nhiễu xạ khảo sát trường sóng trong trường thế tuần hoàn của
mạng tinh thể và kể đến tất cả các hiện tượng tán xạ nhiều lần. Không như thuyết
động học nhiễu xạ, ở đó chỉ mô tả gần đúng vị trí của các cực đại nhiễu xạ
Bragg hay Laue trong không gian nghịch, thuyết động lực học tính cả đến hiện
tượng khúc xạ, hình dạng và kích thước của các vết nhiễu xạ, các hiện tượng dập
tắt và giao thoa. Kết quả là có sự tán sắc của sóng tán xạ bởi bề mặt tinh thể.
⇒ Thuyết động lực học (dynamical theory of diffracton) về cường độ nhiễu xạ là xét
đến bài toán tán xạ khi đưa vào các tương tác hay các hiện tượng kể trên.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.12. CƯỜNG ĐỘ TÁN XẠ TIA X Ở CHẤT RẮN VÔ ĐỊNH HÌNH
NATuan-ITIMS-2007

NATuan-ITIMS-2007
2.3.1. MỞ ĐẦU
2.3.2. LÝ THUYẾT CỦA NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ
..) Tán xạ điện tử bởi điện tử

1) Tán xạ điện tử bởi nguyên tử
2) Tán xạ điện tử bởi mạng tinh thể
3) Lý thuyết đơn giản của sự lan truyền sóng điện tử trong tinh thể
4) Lý thuyết hình thức luận của tán xạ đàn hồi trong tinh thể hoàn hảo
2.3.3. THỰC NGHIỆM NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ
1) LEED (Low-Energy Electron Diffraction)

2) HEED (High-Energy Electron Diffraction)
3) TED (Transmission Electron Diffraction)
4) CBED (Convergent Beam Electron Diffraction)
5) EBSD (Electron Backscatter Diffraction)
NATuan-ITIMS-2007
2.3.1. MỞ ĐẦU
- 1924, de Broglie đã đưa ra giả thuyết về tính chất sóng của các hạt vật chất. Năm 1925 lần
đầu tiên Davisson & Germer làm thực nghiệm nhiễu xạ điện tử (ED) trên tinh thể Ni, và năm
1927, G.P. Thomson (con của J.J. Thomson) thực hiện nhiễu xạ e trên các lá KL Au và Al.
⇒ Đã chứng tỏ tính chất sóng của các vi hạt (dựa trên giả thuyết này người ta đã xây dựng lý
thuyết cơ học sóng của cấu trúc nguyên tử, phân tử).
Louis Victor de Broglie

(1892-1987) Clinton Joseph Davisson (left; George Paget Thomson
Nobel Prize in Physics in 1929 1881-1958) and Lester Halbert (1892-1975)
Germer (right; 1896-1971) in 1927 Nobel Prize in Physics
in 1937
Nobel Prize in Physics in 1937
Cùng chia giải

NATuan-ITIMS-2007
Davisson-Germer Experiment 1925 Davisson, C. J., "Are Electrons Waves?"
Franklin Institute Journal 205, 597 (1928)
1 n
= = 0.815 U (volts)
λ (nm) 2d sin θ
NATuan-ITIMS-2007
Thomson Experiments
Thực nghiệm nhiễu xạ điện tử của G.P. Thomson
J.J. Thomson (giải Nobel năm 1906 (1927) trên các lá kim loại mỏng (Au & Al).
về chứng minh tia cathode là hạt e-)
Ống tia cathode của J.J. Thomson
(a) (b)
Ảnh nhiễu xạ điện tử (ED) từ một lá kim loại Au đa
tinh thể mỏng (a) và đơn tinh thể Al (b).
NATuan-ITIMS-2007
Bước sóng ℮
- Bước sóng de Broglie của điện tử được gia tốc dưới điện thế U là: có hiệu chỉnh
h h 12.3 o
1.23 tương đối tính
λ= = = ( Α) hoặc: λ (nm) =
p mv U ( volts) U (volts)
• h = hằng số Planck (6.624 X 10-27 erg/s)

• m = khối lượng của điện tử (9.11 X 10-28 gram = 1/1837 of a proton)
• v = vận tốc của điện tử
→ với U ~ 40 - 60 kV → λ ~ 0.05 Å.
- Ví dụ: Một chùm tia điện tử năng lượng 100 keV có λ = 0.0389 Å, phân giải được
kích thước đến 0.0195 Å.
- Sự khác nhau giữa ED và XRD

1. Thiết diện tán xạ điện tử của nguyên tử khá lớn đối với cả tán xạ đàn hồi và
không đàn hồi làm cho ℮ tương tác với vật chất mạnh hơn nhiều so với tia X.
→ ℮ ít xuyên thấu hơn nhiều so với tia X → ℮ rất dễ bị hấp thụ mạnh trong không khí.
→ Các thao tác để thực nghiệm nhiễu xạ đối với ED, từ việc tạo ra chùm tia điện tử
(tia-℮), bố trí mẫu đến ghi giản đồ nhiễu xạ, đều được thực hiện ở trong buồng
chân không cao.
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Sự xuyên thấu ít và tương tác mạnh của ℮ với nguyên tử và điện tử trong CR →
kỹ thuật ED trở thành gần như là duy nhất để nghiên cứu các hiện tượng liên quan
đến một lượng ít các nguyên tử, như tán xạ trên các “cấu trúc bề mặt” và tán xạ với
các chất khí. Đặc biệt ED thích hợp để nghiên cứu các màng mỏng và các bề mặt
tinh thể rắn. Tuy nhiên ở đây thường phải giải quyết những vấn đề lớn liên quan đến
hiệu ứng hấp thụ và các hiệu ứng bề mặt.
Đối với giản đồ nhiễu xạ tia-℮ truyền qua, mẫu phải rất mỏng, như dạng màng
mỏng hay lá mỏng. Đối với mẫu dày, giản đồ nhiễu xạ phản xạ tia-℮ được ghi bằng
kỹ thuật góc sượt (glancing-angle). → Giản đồ nhiễu xạ được tạo chỉ bởi một lớp
mỏng ở bề mặt mẫu, chỉ từ vài chục đến vài trăm angstrom.
Nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược (BSED) cũng
cung cấp thông tin về tinh thể học của mẫu.
2- Cường độ tán xạ ℮ lớn hơn so với tia X Chùm tia-e
đến mức ngay cả một lớp rất mỏng cũng
cho vết/vạch nhiễu xạ mạnh chỉ trong một Mẫu Màn huỳnh quang
& các vành nhiễu xạ
thời gian rất ngắn.
Kỹ thuật góc sượt
3- Cường độ tán xạ ℮ giảm nhanh hơn nhiều so
với trường hợp nhiễu xạ tia X khi góc 2θ tăng.
Cùng với λ rất ngắn làm cho giản đồ ED bị hạn chế trong vùng góc ~ ±40 (2θ).
NATuan-ITIMS-2007
- Về mặt thực nghiệm, ED đã từng phát triển qua 3 giai đoạn:
+ Giai đoạn đầu: trước khi sáng chế ra TEM, các "buồng nhiễu xạ điện tử" (electron
diffraction cameras) đã được tự làm "bằng tay" (homemade).
Ở giai đoạn này, nhiều nghiên cứu cấu trúc của các lá kim loại, các lớp mạ
điện hóa, các màng mỏng chế tạo bằng kỹ thuật bốc bay trong chân không, các
màng ôxýt ở trên bề mặt kim loại và các lớp bề mặt được đánh bóng.
Electron Diffraction Tube - Welch

Scientific Co. Cat. No. 2639
NATuan-ITIMS-2007
+ Giai đoạn thứ hai: Kỹ thuật ED được tổ hợp và cùng được thực hiện trên các máy
TEM. Điều này cho phép tăng cường tính năng nghiên cứu cấu trúc của các hạt tinh
thể, hoặc các vùng tinh thể có kích thước rất nhỏ và được lựa chọn.
+ Giai đoạn thứ ba: phát triển các kỹ thuật nhiễu xạ điện tử năng lượng thấp (LEED),
còn gọi là nhiễu xạ điện tử chậm, ở đó sử dụng các thiết bị nhiễu xạ đặc biệt với
điện áp làm viẹc chỉ cỡ 100V. Với năng lượng thấp như vậy, ℮ có thể thấm sâu chỉ
vào một đơn lớp nguyên tử, hoặc cỡ như vậy, ở bề mặt mẫu. Thông tin thu nhận
được từ giản đồ LEED cho biết cách sắp xếp các nguyên tử ở bề mặt, mà cách sắp
xếp này thường hoàn toàn khác với cách sắp xếp ở sâu bên trong mẫu.
Ở giai đoạn sau này, nhiều kỹ thuật khác nữa cũng đã được phát triển, như
nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược (BSED), là sự tổ hợp ED với SEM, nhiễu xạ điện tử
chùm tia năng lượng cao phản xạ (RHEED), nhiễu xạ điện tử chùm tia năng lượng
cao truyền qua (RHEED), còn gọi là nhiễu xạ điện tử nhanh, hay kỹ thuật nhiễu xạ
điện tử bằng chùm phần kỳ (CBED),...
NATuan-ITIMS-2007
2.3.2. LÝ THUYẾT CỦA NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ (ED)
1) Tán xạ điện tử bởi nguyên tử
- Khác với tán xạ tia X ở chỗ, sóng bức xạ của điện tử phải thỏa mãn phương trình
Schrödinger:
⎛ 4π 8π 2 m ⎞
∇ Ψ + ⎜⎜ 2 − 2 V ⎟⎟Ψ = 0
2
⎝λ h ⎠
trong đó V là thế tương tác giữa sóng điện tử có bước sóng λ với toàn bộ điện tích
phân bố của nguyên tử.
- Với sóng điện tử là sóng phẳng đến dọc theo trục x, tới một nguyên tử cô lập ở r = 0,
nghiệm có nghiã đối với phương trình trên phải có dạng tiệm cận ở giá trị r lớn:
⎛ 2πix ⎞ 1 ⎡ ⎛ 2πi ⎞ r r ⎤
Ψ = exp⎜ ⎟ + ⎢exp⎜ ⎟ S ⋅ r ⎥ f (φ )
⎝ λ ⎠ r⎣ ⎝ λ ⎠ ⎦
Vectơ tán xạ
Mô tả sóng Mô tả sóng bị tán xạ
S = (s - so)/λ = r*
phẳng không ở góc ø với biên độ f(ø) │S│= S = 2sin(½ø)
bị tán xạ tương quan với biên độ r*= G= ha* + kb* + lc*
của sóng tới. ø = 2θ
NATuan-ITIMS-2007
- Lưu ý: Biên độ tán xạ điện tử f(ø) bởi nguyên tử ở trên đây, như đã biết từ lý thuyết
tổng quát về nhiễu xạ, chính là thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử mà ta đã ký
hiệu là f e(s), hoặc f e(k), khi nhớ lại rằng k = s/λ.
- Các điện tử mang điện tích âm và rất nhạy với điện trường định xứ ở trong nguyên
tử. Vì thế, tương tự như ở trường hợp tán xạ tia X bởi nguyên tử, ta có thể viết:
r r ikr⋅rr
f (k ) = B ∫ V (r )e dvrr '
e
ở đây B là một hằng số, thế V(r) là thế tương tác Coulomb giữa ℮ tới có điện tích
-e với một nguyên tử có điện tích hạt nhân là +Ze và một điện tích phân bố của
nguyên tử ở vị trí r so với tâm nguyên tử lấy làm gốc tọa độ. Tích phân được lấy
trong thể tích nguyên tử.
- Giả thiết mật độ điện tích của nguyên tử có dạng phân bố cầu. Xét ảnh hưởng của
phần tử thể tích vô cùng nhỏ dvr' ở vị trí r' có mật độ điện tích địa phương tổng
cộng là ρc(r') (kể cả điện tích hạt nhân) lên điện tử ở r (hình ở slide
r sau).
ρ (r ' )
→ Thế năng tác động tới chỉ một phần tử thể tích này chính là: rc r dvrr ' .
r −r'
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Vậy thì thế năng do tất cả các phần tử thể tích

dvr'
như vậy trong đám mây điên tử bao quanh hạt
r'
r
nhân nguyên tử, sẽ là: r ρ (r ' )
+Z V (r ) = ∫ rc r dvrr '
atom
r − r'
r
→ từ đó thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử
có dạng:
r rr ⎡
r r r
⎤ r ikr ⋅rr'
ρ c ( r ' ) ik ⋅ r r r e i k ⋅( r - r ' )
f ( k ) = B ∫ ∫ r r e dvr dvr ' = B ∫ ⎢ ∫ r r dvrr ⎥ρ c ( r ' )e dvrr '
e
r − r' ⎢⎣ r − r ' ⎥
atom
1 44244 3⎦
1 /( πk 2 )
B r ikr ⋅rr'
f ( k ) = 2 ∫ ρ c ( r ' )e dvrr '
e
πk
- Mặt khác, mật độ điện tích ở r' trong nguyên tử có thể biểu diễn dưới dạng:
r r r
ρ c (r ' ) = eZδ (r ' ) − eρ e (r ' )
trong đó số hạng đầu biểu diễn điện tích của hạt nhân ở r' = 0, nghĩa là mật độ điện
tích hạt nhân chỉ tập trung tại tâm hạt nhân, là gốc của nguyên tử, số hạng thứ hai
biểu dẫn mật độ điện tử ở tại r' trong nguyên tử có mật độ địa phương là ρe(r') .
NATuan-ITIMS-2007
- Lưu ý rằng ρc(r') là mật độ điện tích tổng cộng trong nguyên tử, bao gồm cả hạt nhân
còn ρe(r') là mật độ điện tử của đám mây điện tử trong nguyên tử. Khi đó thế tổng cộng
V(r) trên đây có thể biểu diễn dưới dạng tách riêng hai thành phần như sau:
Ze 2 ρ (r ' )
V (r ) = − + e 2 ∫ re r dvrr'
r atom
r − r'
- Sử dụng biễu diễn của ρc(r') trên đây thay vào biểu thức fe(k) ở trên để rút ra được:
⎡ ⎤
Be
πk
[ r rr
r rr
] Be ⎢
πk 1442443
r rr
⎥ Be 1
f e (k ) = 2 Z ∫ δ (r ' )e ik ⋅r' dvrr ' − ρ e (r ' )e ik ⋅r' dvrr ' = 2 ⎢ Z − ∫ ρ c (r ' )e ik ⋅r' dvrr ' ⎥ =
π k
[2
Z − f X
(k ) ]
⎢⎣ X
f (k ) ⎥
⎦
trong đó fx(k) chính là thừa số tán xạ nguyên tử đối với tia X.
- Có thể sử dụng thế tổng cộng V(r) ở trên để giải phương trình Schrödinger, từ đó rút
ra được dạng thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử có dạng như sau:
e2 1
f (φ ) =
e
[Z − f x (φ / 2)] B = π/2mv2
2mv sin (φ / 2)
2 2
- Khi nhớ lại rằng vectơ tán xạ S = (s - so)/λ = r* = ha* + kb* + lc*, │S│= S = 2sin(½ø),
trong đó ø = 2θ, và khi chuyển S sang k = 2πs, với k = 2πsinθ/λ, ta có thể viết lại thừa
số tán xạ nguyên tử như sau:
NATuan-ITIMS-2007
⎛ sin θ ⎞ e2 1 ⎡ X ⎛ sin θ ⎞ ⎤
⎟= −
e
f ⎜ ⎢ Z f ⎜ ⎟⎥
⎝ λ ⎠ 2mv sin (θ ) ⎣ ⎝ λ ⎠⎦
2 2
⇒ Như vậy 1/k2 sẽ là đóng góp chính cho sự phụ thuộc k, hay 1/sin2θ là đóng góp
chính cho sự phụ thuộc θ của biên độ sóng điện tử tán xạ bởi nguyên tử. Hàm f e(k)
giảm đơn điệu theo k.
- Thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử thu được trên đây là kết quả của phép gần
đúng Born thứ nhất [trong chuỗi triển khai Born của hàm sóng tán xạ, chỉ lấy số hạng
bậc nhất có dạng exp(ik·r)]. Đối với các gần đúng bậc cao hơn cho thấy không làm
thay đổi độ lớn của biên độ f e(k), nhưng nó cho thấy sự dịch pha tỷ lệ với số nguyên
tử Z và gần như tỷ lệ thuận với vectơ tán xạ S.
- Hãy nhớ lại kết quả đã thu được trước đây đối với thừa số tán xạ tia X bởi một
nguyên tử đơn như r sau:
sin[4πr(sinθ / λ )]
2πi r r
⎛ S ⎞ r S ⋅r
X ⎛ sinθ ⎞
∞
f ⎜⎜ ⎟⎟ = ∫ ρe (r ) e
X λ
dvrr ⇒ f ⎜ ⎟ = ∫ 4πr ρe (r)
2
dr
λ
⎝ ⎠ atom ⎝ λ ⎠ 0
4π r (sinθ / λ )
- Trong trường hợp điện tử bị tán xạ bởi một đám nguyên tử - phân tử → Biên độ
tán xạ phân tử của điện tử có dạng là tổng các biên độ tán xạ nguyên tử được lấy
trung bình (xấp xỉ) pha do sai khác về vị trí ng.tử: n n sin [2πSrij / λ ]
M c = ∑ ∑ f (e) f (e)
2
i j
i
2πSrij / λ
j
trong đó f(e)i(j) chính là f e(k) ở trên ứng với nguyên tử i hay j cách nhau một khoảng rij.
NATuan-ITIMS-2007
- Trong trường hợp i = j, fi 2 là cường độ tán xạ nguyên tử kết hợp. Những số hạng
như vậy chỉ đóng góp vào làm giảm đơn điệu phông tán xạ nền.
Những thông tin về cấu trúc phân tử đo được từ tán xạ của điện tử là do đóng góp
của các số hạng hỗn hợp với i ≠ j.
- Có 2 hiệu ứng ảnh hưởng chính đến cường độ tán xạ tổng cộng của điện tử:
+ Tán xạ không đàn hồi, ở đó năng lượng của điện tử thay đổi trong suốt quá trình
tán xạ. Đây là tán xạ hoàn toàn không kết hợp, xuất hiện dưới dạng bức xạ
khuếch tán của phông (nền). So với tia X, thiết diện tán xạ này của điện tử gấp
~ 108 lần thiết diện tán xạ của tia X.
+ Hiệu ứng dao động nhiệt làm giảm bớt tán xạ nguyên tử kết hợp: → tương tự
như trong trường hợp nhiễu xạ tia X, biên độ dao động riêng biệt cho mỗi cặp
nguyên tử được đưa vào. ⇒ Tán xạ tổng cộng, bao gồm cả tán xạ không đàn hồi
I(Zi,S): n −
Bi S 2 n n −
Bij S 2
[
sin 2πSrij / λ ]+ n
Mc = ∑ fi (e) 2
+ ∑∑ fi ∑ I (Z , S )
2 2 λ2 (e) (e) 2λ 2
e fj e
2πSrij / λ
i
i i j i
trong đó Bi và Bij tỷ lệ với biên độ căn bậc hai của dao động nhiệt của nguyên tử
thứ i và cặp nguyên tử i-j.
NATuan-ITIMS-2007
2) Tán xạ điện tử bởi mạng tinh thể
- Như trên đây đã thấy hàm sóng ψ mô tả sự lan truyền của sóng điện tử trong không
gian tự do có dạng sóng phẳng exp[2πis·r] trong đó vectơ sóng s mô tả hướng của
chuyển động (hướng tới) và có biên độ │s│= s = 1/λ = (2moeUo)1/2/h, ở đây Uo là thế
gia tốc điện tử.
- Khi sóng điện tử đập lên tinh thể, sự tán xạ đàn hồi (phản xạ Bragg) xảy ra với biên
độ sóng có dạng exp[2πis'·r] xuất hiện theo phương s' (nhưng về độ lớn, s' = s) chứa
thừa số giao thoa A mà có tính đến các hiệu quãng đường liên quan đến sự tán xạ
bởi các nguyên tử khác nhau, và thừa số tán xạ nguyên tử fj của nguyên tử thứ j:
r r r
( − s ' )⋅raj
A= ∑ fj e (e) 2 πi s
r
raj
- Hướng tán xạ s' tạo với hướng tới s một góc ø = 2θ nào đó và phụ thuộc chỉ vào độ
lớn của vectơ tán xạ S = s' - s: │S│ = │s' - s│= 2sinθ/λ.
- Trong một tinh thể hoàn hảo, vị trí của nguyên tử-j trong ô cơ sở thứ-n được xác định
bằng vectơ raj = rn + Rj (rn = n1a + n2b + n3c). Do đó:
NATuan-ITIMS-2007
r r r r r r
A=∑ f j
( e ) − 2πiS ⋅ R j
e ∑e − 2πiS ⋅rn
= F (S )∑ e − 2πiS ⋅rn
j n n
- ở đây ta đã thấy, tương tự như ở trường hợp nhiễu xạ tia X bởi mạng tinh thể, thừa
số F(S) chính là thừa số cấu trúc, của biên độ tán xạ của điện tử bởi mạng tinh thể.
- Hành vi của số hạng giao thoa phụ thuộc vào vectơ tán xạ S = s' - s, một vectơ trong
không gian mạng nghịch.
- Gọi vectơ mạng nghịch cơ sở là G = ha* + kb* + lc*, với h,k,l là những số nguyên,
và chính là các chỉ số Miller của mặt phản xạ Bragg tương ứng vuông góc với G, và
như đã từng thấy, G·rn = số nguyên đối với bất kỳ vectơ ô cơ sở rn nào.
⇒ Tất cả các sóng tán xạ bởi các ô cơ sở khác nhau đều có cùng pha, do đó có biên
độ cực đại nhiễu xạ với biên độ A khi và chỉ khi: S = s' - s = G. Điều đó tương đương
với điều kiện Bragg đã nêu ở trên: λ = 2dsinθ.
- Khi điều kiện Bragg không hoàn toàn chính xác, nghĩa là chỉ lệch khỏi điều kiện chính
xác một lượng nhỏ được biểu diễn bằng vectơ nhỏ δ nào đó trong không gian mạng
nghịch → S = s' - s = G + δ . Vectơ δ biểu thị độ lệch khỏi điều kiện phản xạ Bragg.
NATuan-ITIMS-2007
2θ
s'
s
Cầu Ewald
δ
-G G
- Cường độ nhiễu xạ │A│2 từ một tinh thể hoàn hảo có chiều dày t theo chiều z (là
chiều của chùm tia ℮ tới) và các chiều ngang có kích thước Lx và Ly thu được bằng
cách thay S = s' - s = G + δ vào biểu thức của A ở trên, ta được:
sin 2 (π t δ z ) sin 2 (π L x δ x ) sin (π L y δ y )

2 2
2 F
A =
V c2 (πδ z )2 (πδ x )2 (πδ )y
2
Hàm giao thoa
⇒ Như vậy│A│2 sẽ rất nhỏ trừ phi tδz, Lxδx, và Lyδy có độ lớn rất nhỏ. Nhưng vì Lx
và Ly lớn hơn nhiều so với t nên ta coi như bỏ qua δx và δy so với δz.
→ Để đơn giản, ta đặt δz = δ.
NATuan-ITIMS-2007
- Lưu ý:
+ Trong trường hợp của ED, ở đó các giá trị λ là nhỏ, dẫn đến các góc Bragg rất
nhỏ: θ ≅ λ/2d ≅ 0.01 rad, và cầu Ewald rất lớn (vì λ nhỏ, bán kính cầu là 1/λ).
+ Biên độ tán xạ nguyên tử f (e) suy giảm rất nhanh khi sinθ/λ tăng (ứng với những
góc θ cao). Vì vậy các nút mạng nghịch quan trọng xuất hiện để phản xạ Bragg,
trong trường hợp cho trước, sẽ nằm trên một mặt phẳng của mạng nghịch đi qua
gốc và gần như nằm vuông góc với hướng chùm tia tới. ⇒ Khả năng nhận ra và
xác định chỉ số các vết nhiễu xạ trong các giản đồ nhiễu xạ dạng lưới đan chéo
nhau (cross grating diffraction patterns) là một cách sơ bộ nhưng quan trọng trong
việc giải thích các vi ảnh điện tử của tinh thể.
+ Biểu thức│A│2 trên đây cho thấy một giản đồ nhiễu xạ dạng lưới đan chéo nhau
cho trước sẽ được quan sát thấy qua một khoảng nào đó (~ 5o) của góc tới (giá trị
của δ, và do đó cường độ, mà không phải vị trí, của mỗi vết nhiễu xạ có thể thay
đổi).
+ Trong trường hợp các tinh thể dày hơn, các giản đồ nhiễu xạ quan sát thấy có các
đường được gọi là đường Kikuchi xuất hiện do tán xạ không đàn hồi và khi tinh
thể bị nghiêng đi các đường này dịch chuyển như thể bị gẵn cứng với nó.
NATuan-ITIMS-2007
- Trở lại với các biểu thức về biên độ tán xạ A đã đề cập ở trên cho trường hợp tinh thể
hoàn hảo. Ảnh hưởng của việc tinh thể không hoàn hảo được đặc trưng bằng sự
thay đổi trong thừa số cấu trúc F (VD như do các nguyên tử tạp), hoặc do biến dạng
đàn hồi làm xê dịch ô đơn vị ra khỏi vị trí tinh thể hoàn hảo rn thành rn + R(rn).
r r
Trong trường hợp này, từ A = F (S ) ∑e −2πiS ⋅rn
và S = G + δ, ta có:
n
r r
A = F∑e −2πi (δz +G ⋅ R )
ở đây đã sử dụng G·rn = số nguyên và δ·rn = δz, và đã bỏ qua số hạng δ·R vì là rất
nhỏ: δ << G và R << rn.
⇒ Như vậy sự có mặt của sai hỏng làm xuất hiện sự thay đổi trong giản đồ nhiễu xạ và
điều đó được sử dụng để cung cấp thông tin về bản chất của hàm dịch chuyển R.
- Có thể thấy rằng, nếu hướng của R nằm trong một mặt phẳng, sẽ có những phản xạ
Bragg (từ các mặt phẳng nguyên tử song song với hướng đó) mà không bị ảnh
hưởng của sự không hoàn hảo, thì G·R = 0.
NATuan-ITIMS-2007
3) Lý thuyết đơn giản của sự lan truyền sóng điện tử trong tinh thể
- Nguồn gốc của các hiệu ứng nhiễu xạ được mô tả trên đây được coi như là
sự lan truyền điện tử trong trường thế tinh thể có tính tuần hoàn:
V(r + rn) = V(r)
⇒ Để đảm bảo tính chất đó, thế V(r) có dạng chuỗi Fourier:
r r r
V (r ) = ∑ VG e 2πiG ⋅r
G
trong đó VG là hằng số phụ thuộc vào dạng của thế trong trường hợp cụ thể, và có
tính chất VG = V-G* vì V(r) là số thực.
- Thế V(r) làm cho vectơ sóng điện tử s thay đổi thành sl:
1
{2m0e(E0 + V )} 2
1
sl =
h
⎛ 1 V ⎞ m eV
≅ s⎜⎜1 + ⎟⎟ = s + 02
⎝ 2 E0 ⎠ h s
NATuan-ITIMS-2007
- Khi một sóng phẳng φoexp[2πis·r] chiếu lên một phiến tinh thể mỏng dz, một sự dịch
pha sẽ xuất hiện thêm ở trong phiến tinh thể sao cho sóng ló ra phía sau có dạng:
r dz
r r 2πim0 eV ( r ) 2 s
2πis ⋅r ⎡ rr
2πis ⋅r r dz ⎤
ϕ0e e ≅ ϕ0e
h
⎢1 + 2πim0 eV (r ) h 2 s ⎥
⎣ ⎦
rr
dịch pha rr⎡ ⎛ dz ⎞ 2πi G⋅r ⎤
⎢1 + ⎜ 2πim0 e h 2 s ⎟∑ VG e
2πis ⋅r
≅ ϕ0e ⎥
⎣ ⎝ ⎠ G ⎦
thành phần sóng truyền qua thành phần sóng nhiễu xạ
- Sóng nhiễu xạ ra khỏi phiến tinh thể với vectơ sóng s' và biên độ dφG ở đó:
r r r
r r
2 πi s ' ⋅ r ⎛ dz ⎞ 2πi ( s +G )⋅r
dϕ G e = ⎜ 2πim 0 e 2 s ⎟ϕ 0VG e
⎝ h ⎠
- Như đã quy ước từ trước là phiến tinh thể mỏng theo chiều z và đó cũng là phương
của chùm tia ℮ tới. Khi đó ta có: πi −2πisz phương trình động học
dϕ G = ϕ 0e dz nhiễu xạ cho các tinh thể
ξG hoàn hảo.
trong đó ξG có thứ nguyên chiều dài, gọi là chiều dài tắt (extinction distance), được
xác định là: ξG = h2/2moesVG. Giá trị điển hình của ξG ~ 10 - 100 nm.
NATuan-ITIMS-2007
- Lấy tích phân phương trình động học nhiễu xạ theo toàn bộ chiều dày t của phiến tinh
thể, ta được: πi −πist sin( πst )
ϕ G (t ) = e
ξG πs
2 π 2 sin 2 (πst )
và cường độ nhiễu xạ: ϕ G (t ) = 2
ξ G (πs ) 2 Thừa số giao thoa
Phân tích cường độ nhiễu xạ:
+ Nếu tinh thể có chiều dày là t, các vân chiều dày (thickness fringes) sẽ được
quan sát thấy với khoảng cách ∆t = 1/s.
+ Khi t không đổi, s biến thiên do sự uốn cong địa phương của tinh thể, các đường
viền dập tắt (extinction contours), hay các đường viền cong (bend contours) sẽ
xuất hiện theo quỹ tích các điểm mà ở đó tinh thể ở vị trí phản xạ Bragg.
+ Các đường contour đối xứng theo ±s, và có tâm sáng cực đại nhưng ở bên cạnh
có cực đại phụ với cường độ bị suy giảm đi một lượng không đổi là ∆s = 1/t.
(Các đường contour này thực tế được quan sát thấy ở những tinh thể rất mỏng).
+ Khi chỉ có một phản xạ Bragg là quan trọng, cường độ trong ảnh trường sáng là
bù với cường độ trong ảnh trường tối, nghĩa là: |φo|2 = 1 - |φG|2.
NATuan-ITIMS-2007
- Khi tinh thể không hoàn hảo, những dịch chuyển R do sai hỏng làm cho trường thế ở
điểm r trong tinh thể không hoàn hảo sẽ tương tự như ở điểm r – R(r) trong tinh thể
hoàn hảo: r r r r r
V (r ) = ∑ VG e 2πiG ⋅r −2πiG ⋅ R
e
G
r r
πi −2πi ( sz +G ⋅R )
⇒ dϕ G = ϕ 0e dz
ξG
r r
πi t
−2πi ( sz +G ⋅R )
ϕG = ϕ0 ∫ e dz
ξG 0
2
ϕ G (t ) = 2
2
(
π 2 sin πt s + 1 / ξ G
2 2
)
và cường độ nhiễu xạ:
(
ξG π s 2 + 1 / ξ 2 2
G ) Thừa số giao thoa
Chiều dài tắt

- Công thức cường độ thu được trên đây là kết quả của việc áp dụng lý thuyết động
lực học hai chùm tia (two-beam dinamical theory), ở đó đã giả thiết rằng cả hai
biên độ sóng tới φo và sóng nhiễu xạ φG đều thay đổi theo chiều dày z ở trong tinh
thể, và sự thay đổi của φo là do sóng nhiễu xạ φG → tính đến tương tác giữa hai
chùm tia tới và tán xạ.
NATuan-ITIMS-2007
- Phép gần đúng cột (column approximation).
r r
* Từ biên độ tổng quát đã trình bày khi có sự chuyển R(r): A = F∑e −2πi (δz +G ⋅ R )
|φo|2 + |φG|2 = constant
- Lý thuyết động lực học n-chùm tia
G2ξG/s >> 1
- Phép gần đúng cách tử pha (phase grating approximation).
r r ⎛ 2πim e ⎞
t
Ψ ( x, y, t ) = ϕ 0 exp(2πis ⋅ r ) exp⎜ 2
0
s ⎟ ∫ V ( x , y , z ) dz
⎝ h ⎠0
⇒ G2t/2s << 1
NATuan-ITIMS-2007
4) Lý thuyết hình thức luận của tán xạ đàn hồi trong tinh thể hoàn hảo
- Phương trình Schrödinger:
r 8π 2 me r r
∇ Ψ (r ) +
2
[E + V ( r ) ]Ψ ( r )=0
h2
trong đó E và m là năng lượng và khối lượng điện tử trong trường thế của trường tinh
thể hoàn hảo. Các điện tử có tính tương đối, nên có quan hệ với năng lượng được
gia tốc bởi thế E0 và khối lượng tĩnh m0 của điện tử:
eE 0
1+
m0 ⎛ eE 0 ⎞ 2m0 c 2
m= = m 0 ⎜⎜ 1 + ⎟
2 ⎟
; E = E0
v2 ⎝ m0 c ⎠ eE 0
1− 2 1+
c m0 c 2
eE 0
1+ Thành phần pha
r 2 m0 c 2
- Biên độ của vectơ sóng: s = s = λ −1 = 2 m 0 eE 0 Thành phần biên độ
h
2
r r r
h r r
- Hàm thế được biểu diễn dưới dạng chuỗi Fourier: V (r ) = ∑ ∑
2πiG ⋅r 2πiG ⋅r
VGr e = U Gr e
G
r
2me Gr
với UG là hằng số, có liên quan tới thừa số tán xạ điện tử fj của nguyên tử thứ-j trong
ô cơ sở (ở điều kiện sinθ/λ = G/2): m e−M G l r r Tìm nghiệm của
∑f
− 2πiG ⋅ ρ j
Thừa số nhiệt độ Debye- UG = (sin θ / λ )e phương trình
m0 πVc
j
Waller: UG giảm nhẹ theo T j =1 Schrödinger
UG tăng theo E vì m/m0
NATuan-ITIMS-2007
- Nghiệm của phương trình Schrödinger được tìm dưới dạng tổ hợp tuyến tính của
các sóng phẳng kiểu như các phản xạ Bragg:
r r r r r
Ψ ( r ) = b( r ) = ∑
r
CGr e 2πi ( k + G )⋅r
Thành phần pha
G
Thành phần biên độ
Hàm này có dạng của hàm Block của sóng phẳng dạng exp[2πik·r] được nhân với
một hàm tuần hoàn.
Vì vậy có thể đi đến hệ phương trình của các biên độ sóng tán xạ CG như sau:
[ r r2
( )]
K − k + G CGr + ∑
2
r
UGr 'CGr −Gr ' = 0
G'≠0
trong đó K2 = s2 + U0 là hằng số, phụ thuộc chủ yếu vào năng lượng của điện tử.
→ Giải hệ phương trình trên đây để thu được biên độ tán xạ điện tử bởi mạng tinh thể.
- Hệ phương trình trên gồm có N phương trình, với N tùy thuộc vào số nút mạng nghịch
hoặc số chùm tia được khảo sát, thiết lập lên các phương trình cơ sở của lý thuyết
động lực học.
- Nếu sử dụng phép gần đúng 2-chùm tia, ở đó chỉ khảo sát biên độ sóng C0 và CG. →
(K2 – k2)C0 + U-GCG = 0 ; UGC0 + [K2 – (k + G)2]CG = 0
NATuan-ITIMS-2007
- Để có nghiệm không tầm thường, ta phải có:

r2
( )( )
K −k
2
U −G r2 2 r r 2 2
r r = K 2
− k K − ( k + G ) − U G =0
UG K 2 − (k + G ) 2
NATuan-ITIMS-2007
2.3.3. THỰC NGHIỆM NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ
MỞ ĐẦU:
- Để thực hiện phép ED, chùm tia ℮ được tạo ra từ hệ súng điện tử, sau khi hội tụ
(bằng trường tĩnh điện hay tĩnh từ), được chiếu lên mẫu tinh thể. Các tia nhiễu xạ,
tạo thành giản đồ nhiễu xạ ℮, được ghi nhận bằng: phim ảnh, màn huỳnh quang,
camera CCD.
⇒ Như vậy, nói chung thiết bị ED chỉ gồm có 3 bộ phận chính:

Nguồn (súng) ℮ - hệ thống thấu kính chùm tia ℮ - detector/màn hiển thị.
- Nguồn điện tử
- Hệ thống thấu kính (từ hoặc tĩnh điện)
NATuan-ITIMS-2007
CÁC LOẠI NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ:
Tùy theo năng lượng của chùm tia ℮, E = eV, có các loại nhiễu xạ ED tương ứng
như sau:
+ Nhiễu xạ điện tử năng lượng thấp, LEED: 5 - 500 eV; → λ ~ 5 - 0.5 Å.
+ Nhiễu xạ điện tử năng lượng trung bình, MEED: 0.5-5 keV; → λ ~ 0.5 - 0.2 Å.
+ Nhiễu xạ điện tử năng lượng cao, RHEED: 5 - 500 keV. → λ ~ 0.2 - 0.02 Å.
Các điện tử có năng lượng khi

tương tác với nguyên tử sẽ bị
tán xạ (đàn hồi hoặc không
đàn hồi), hay tán xạ ngược.
NATuan-ITIMS-2007
- Điện tử có điện tích, có khối lượng rất nhỏ, độ thấm sâu vào CR bị hạn chế:
→ LEED, MEED và RHEED là các kỹ thuật chủ yếu dùng cho phân tích bề mặt.
Lưu ý: trong ED, sự tán xạ nhiều lần rất quan trọng, không thể bỏ qua.
- Kỹ thuật nhiễu xạ điện tử truyền qua (transmission electron diffraction, TED),

thường được thực hiện kết hợp trong kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM), chỉ giới
hạn sử dụng đối với mẫu có chiều dày nhỏ hơn 1 mm.
- Trong kỹ thuật TED, khi chiếu chùm tia ℮ được kỳ thành hình nón và chiếu lên mẫu
tinh thể mỏng → thực hiện ED đồng thời dưới các góc tới khác nhau → kỹ thuật
CBED (Convergent Beam Electron Diffraction) → bộc lộ đối xứng tinh thể 3 chiều.
- Ngoài ra còn có kỹ thuật nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược (EBSD), thường kết hợp
với kính hiển vi điện tử truyền qua (SEM).
- ED cũng là một kỹ thuật rất hữu ích trong việc nghiên cấu trúc trật tự gần của CR
VĐH và cấu trúc hình học của các phân tử tự do của các chất khí.
NATuan-ITIMS-2007
- LEED chủ yếu được sử dụng để nghiên cứu cấu trúc của các bề mặt đơn tinh thể
và các quá trình ở trên các bề mặt có liên quan đến tính tuần hoàn ngang của
những bề mặt đó (cấu trúc mạng tuần hoàn theo 2 chiều bề mặt).
- Cường độ các vết nhiễu xạ được đo như là hàm của năng lượng của chùm tia tới,
để thu được đường đặc trưng LEED I-V, hay I(V) [hoặc I(E)] → Cung cấp thông tin
về vị trí nguyên tử ở trong lớp bề mặt tinh thể.
- Phân tích chi tiết phân bố cường độ của một vết nhiễu xạ đơn cung cấp thông tin về
sai hỏng ở trên bề mặt, như mật độ bậc, kích thước các đảo.
- Tổ hợp kỹ thuật LEED với phổ kế điện tử Auger (Auger electron spectroscopy, AES)
và với các phép đo công thoát bề mặt mẫu, là một công cụ cực kỳ mạnh để nghiên
cứu quá trình hấp thụ nguyên tử trên bề mặt CR.
- Kết hợp LEED với các kỹ thuật phụ trợ khác như phổ kế tán xạ ion (ion scattering
spectroscopy, ISS), phổ kế tổn hao năng lượng điện tử (electron energy loss
spectroscopy, EELS), hay phổ quang điện tử (photoelectron spectroscopy, PES) làm
tăng khả năng lý giải các kết quả của LEED.
NATuan-ITIMS-2007
1) LEED (Low-energy electron diffraction)
- Trong kỹ thuật LEED (được thực hiện lần đầu tiên bởi Davisson & Germer vào năm
1927), một chùm tia ℮ đơn sắc, gần như song song có kích thước (đường kính) ~
0.1 - 1.0 mm, đập lên bề mặt mẫu đơn tinh thể theo hướng vuông góc. → Các tia
điện tử tán xạ ngược đàn hồi, có hướng xuyên tâm, được tách/lọc ra khỏi các điện
tử khác bằng bộ phân tích năng lượng trường hãm, là hệ thống 4 điện cực lưới và
chiếu lên màn hiển thị dạng bán cầu, mà tâm là nơi đặt mẫu.
Sơ đồ cấu tạo của hệ nhiễu xạ LEED bốn - Lưới 1 nối đất, cùng thế
điện cực lưới (Theo M.A. Van Hove, 1986) 0V với mẫu, để tạo ra vùng
U0 ~ 6 kV không có thế giữa mẫu và
lưới 1 → hạn chế tối thiểu
sự lệch tĩnh điện của các ℮
Súng điện tử
Chùm tia tới
nhiễu xạ.
Mẫu
- Lưới 2 và 3 có thế âm –
Tia nhiễu xạ (U0 – ∆U), gọi là lưới triệt,
Màn huỳnh quang có tác dụng chỉ cho những
Lưới 1 điện tử có năng lượng hẹp
Lưới triệt
Lưới 2 e∆U của các ℮ tán xạ đàn
Lưới 3 hồi đi qua và tới màn ảnh.
Lưới 4
NATuan-ITIMS-2007
- Điện cực lưới thứ 4 cũng thường được nối đất với thế bằng 0 V, để giảm sự thâm
nhập điện trường của các lưới triệt do cao thế của màn huỳnh quang, làm thấy
được các vết nhiễu xạ.
- Màn hùynh quang trong suốt nên có thể quan sát được các vết nhiễu xạ từ phía
sau (màn ảnh) mà không thấy bóng của mẫu, nhưng bị súng điện tử (có đ/kính <
15 mm) gây trở ngại. Vùng ảnh quan sát được hoàn toàn có đường kính rộng ~
140 mm.
- Tính đối xứng của giản đồ LEED nhận được phản ánh tính đối xứng của cách sắp
xếp các nguyên tử ở bề mặt mẫu tinh thể.
- Cường độ của vết nhiễu xạ, là hàm của năng lượng, xác định chính xác cách sắp
xếp nguyên tử ở trong ô cơ sở.
- Ngày nay ít sử dụng màn huỳnh quang, phim ảnh để ghi nhận giản đồ nhiễu xạ
LEED. Thay vào đó người ta sử dụng màn CCD, đặc biệt sử dụng các thiết bị hay
detector phân tích profile vết nhiễu xạ đơn lẻ (SPA-LEED) để đo sự phân bố cường
độ của các vết nhiễu xạ LEED.
NATuan-ITIMS-2007
Mẫu tinh thể Màn huỳnh quang
Lối ra của
chùm tia ℮ Các lưới triệt
Súng điện tử
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ nguyên lý của một hệ SPA LEED Tinh thể
Màn hùynh Thấu kính

quang tĩnh điện
phía tinh
Các vết Các phiến
thể
nhiễu xạ điện cực
Các phiến phía tinh
Súng điện tử điện cực thể
phía màn
hình
Bộ phân tích
Các thấu kính tĩnh điện
kênh điện tử
(detector)
dạng 8 phiến điện cực
dùng để điều khiển góc
của chùm ℮ đi đến
detector điện tử.
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ cấu tạo của SPA LEED (Spot Profile Analysis)
(Picture from: Henzler,Göpel, Oberflächenphysik

des Festkörpers, Teubner Stuttgart 1994).
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ của buồng chân không siêu cao (UHV) để sử dụng các phép đo LEED và AES
NATuan-ITIMS-2007
* Phân tích LEED
- Thông tin thu nhận được từ LEED: có thể nhận được 2 loại thông tin trực tiếp từ
giản đồ nhiễu xạ LEED. Đó là:
+ Vị trí của các vết nhiễu xạ: cung cấp thông tin về tính tuần hoàn, tính đối xứng,
tính trật tự tầm trung của bề mặt tinh thể.
+ Cường độ các vết nhiễu xạ: xác định mức độ hoàn hảo của sự sắp xếp các
nguyên tử bề mặt (phân tích giống như sử dụng nhiễu xạ tia X trong tinh thể học).
Cụ thể là thông tin về vị trí và tính đồng nhất của tất cả các nguyên tử có ở
trong ô cơ sở của lớp tinh thể bề mặt.
LEED spot profile

(được đo bằng kỹ
thuật SPA-LEED
với các độ phân
giải khác nhau)
Giản đồ LEED
NATuan-ITIMS-2007
- Mô tả cấu trúc tinh thể học của bề mặt: Do điện tử không thấm đủ sâu vào khối
tinh thể để có đủ thông tin về tính tuần hoàn 3D, nên các giản đồ LEED được
xác định bởi tính tuần hoàn bề mặt 2D.
+ Tính tuần hoàn 2D của bề mặt tinh thể nhiễu xạ được mô tả bằng 2 vector mạng
nghịch a* và b* song song với bề mặt tinh thể được chiếu chùm tia ℮.
→ Một nút mạng của bề mặt được biểu diễn bởi vector mạng: R = ma + nb.
+ Điều kiện Laue hay Bragg 2D để từ đó xác định các vector mạng nghịch trong
trường hợp này là:
a · a* = b · b* = 2π → a // a* ; b // b*
a · b* = b · a* = 0 → a ┴ b*; b ┴ a*
(|a*| = 2π / |a|; |b*| = 2π / |b|)
⇒ Như vậy các vector mạng nghịch a* và b* cũng song song với bề mặt tinh thể, và
xác định giản đồ LEED trong không gian vector sóng.
+ Mỗi vết nhiễu xạ trên giản đồ LEED được xác định bởi các vector mạng nghịch
a* và b* như sau:
G(m,n) = ha* + kb*.
NATuan-ITIMS-2007
- Khái niệm của ô cơ sở bề mặt:
+ Ô cơ sở là ô đơn giản nhất lặp lại một cách tuần hoàn mà có thể lấp đầy một
cách đồng nhất trong một dãy được sắp xếp theo một trật tự nào đó (ordered
array). Dãy ở đây là sự sắp xếp trật tự của các nguyên tử bề mặt. ⇒ Bằng cách
tịnh tíên ô cơ sở, có thể xây dựng được toàn bộ cấu trúc của dãy.
VÍ DỤ
Bề mặt fcc(100)
b a
Lưu ý: Các hình ở
đây mô tả các a
a
nguyên tử bề mặt
được nhìn từ trên
xuống (top-view) (a) (b)
Bề mặt fcc(100) có đ/x quay bậc-4 (đ/x hình vuông).
Có thể có 2 lựa chọn ô cơ sở trong trường hợp này.
+ Thường lựa chọn ô cơ sở sao cho b ngược chiều kim đồng hồ đối với a như
trong trường hợp ở hình (b). Bề mặt fcc(100), ô cơ sở thoả mãn: |a| = |b| và a ┴ b.
+ Lưu ý: Chiều dài của các vector a và b liên quan đến hằng số mạng a của ô cơ
sở khối (hình vuông mầu hồng) bởi hệ thức: |a| = |b| = a/√2.
NATuan-ITIMS-2007
+ Khi mạng tinh thể khối có cấu trúc kiểu fcc và bề mặt thực hiện nhiễu xạ song
song với mặt (110), ô cơ sở là hình chữ nhật có tính chất: |a| < |b| và a ┴ b.
VÍ DỤ b
Bề mặt fcc(110) a
Trong trường hợp này, bề mặt fcc(110) có đ/x quay bậc-2

và ô cơ sở có dạng hình chữ nhật được chỉ ra trong hình.
NATuan-ITIMS-2007
+ Với trường hợp bề mặt thực hiện nhiễu xạ song song với mặt (111), ô cơ sở là
một hình thoi có tính chất: |a| = |b| và a⌃b ≠ 90o
+ Cũng có 2 lựa chọn ô cơ sở trong trường hợp bề mặt là fcc(111): ứng với a⌃b
< 90o và a⌃b > 90o
VÍ DỤ b
Bề mặt fcc(111)
a
b
a
Trong trường hợp này, bề mặt fcc(111) có thể có

đ/x quay bậc-3 hay bậc-6, và ô cơ sở có dạng hình
thoi được chỉ ra trong hình. Thường ô cơ sở được
chọn với a⌃b = 120o
NATuan-ITIMS-2007
- Các cấu trúc của các lớp lắng đọng bên trên bề mặt:
+ Nếu có các nguyên tử hay phân tử được hấp thụ trên một bề mặt có cấu trúc và
tính đối xứng xác định, cũng có thể sử dụng những ý tưởng mô tả về cấu trúc
tinh thể bề mặt trên đây để xác định cấu trúc và tính trật tự của các nguyên tử
hay phân tử hấp thụ này.
+ Ô cơ sở của chất hấp thụ bề mặt cũng được xác định bởi 2 vector, để phân biệt
với ô cơ sở của bề mặt đế, ở đây ký hiệu là b1 và b2.
+ Thường chọn b2 đi ngược chiều kim đồng hồ từ b1; và b1 song song với a (của
bề mặt đế) còn b2 song song với b (của bề mặt đế) .
- Các ký hiệu mô tả cấu trúc của sự lắng đọng trên bề mặt:
Có 2 kiểu ký hiệu thường được sử dụng:
+ Ký hiệu Woods
+ Ký hiệu “ma trận”
Lưu ý: Ký hiệu Woods là đơn giản nhất và thường hay được sử dụng nhất, nhưng
chỉ đối với trường hợp khi 2 ô cơ sở của chất hấp thụ và của bề mặt đế có cùng
tính đối xứng hoặc có tính đối xứng rất gần nhau (đặc biệt hơn là phải có góc giữa
các vector cơ sở của chất hấp thụ bằng góc giữa các vector cơ sở của bề mặt đế:
b1⌃b2 = a⌃b).
NATuan-ITIMS-2007
+ Ký hiệu Woods: Ký hiệu đầy đủ là: X{hkl} (m×n)Røo – A
- Ký hiệu Woods bao hàm 2 ý nghĩa:
* Trước hết, nó bao hàm về độ dài của hai vector cơ sở của chất hấp thụ b1 và b2
ở trong hai vector cơ sở của bề mặt đế, a và b.
* Tiếp theo nó biểu diễn góc mà các vector cơ sở của chất hấp thụ trên bề mặt bị
quay đi so với ở các vector ở lớp bề mặt đế.
- Trong ký hiệu Woods đầy đủ, X và A là ký hiệu tương ứng cho đế và chất hấp thụ
trên đế đó, {hkl} là chỉ số Miller của mặt phẳng bề mặt đế.
Ký hiệu (m×n)Røo xác định quan hệ tỷ số về độ dài của các trục cơ sở a và b của
đế với các trục cơ sở b1 và b2 của chất hấp thụ trên bề mặt đế mà ý nghĩa đầu tiên
trên đây đã đề cập đến: (m×n) = (|b1|/|a| × |b2|/|b|) → m = |b1|/|a|; n = |b2|/|b|.
- Thường cách ký hiệu Woods hay được dùng dưới dạng đơn giản là (m×n)Røo
- Một số ví dụ về kiểu ký hiệu Woods:
* (2 x 2)R0o; trong đó (2 x 2) có nghĩa là |b1| = 2|a| và |b2| = 2|b| (ô cơ sở chất hấp
thụ lớn gấp 2 lần ô cơ sở bề mặt đế và hướng các vector cơ sở tương ứng vẫn
là song song với nhau, không bị quay lệch đi).
* (√2 x √2)R45o; trong đó (√2 x √2) có nghĩa là ô cơ sở của chất hấp thụ với các
trục b1 và b2 chính là đường chéo của ô cơ sở của bề mặt đế. Đồng thời góc của
bộ các vector cơ sở này lệch đi một góc 45o.
NATuan-ITIMS-2007
+ Lưu ý:
- Kiểu ký hiệu Woods, ngoài việc được sử dụng để ký hiệu cấu trúc của
các lớp nguyên tử được hấp thụ ở trên một bề mặt nào đó (như đã đề
cập ở trên), nó còn được dùng để mô tả cấu trúc của bản thân lớp bề
mặt khi nghiên cứu cấu trúc tinh thể của bề mặt đó bằng nhiễu xạ điện
tử năng lượng thấp,LEED, nghĩa là không phải nghiên cứu lớp chất
được hấp thụ trên bề mặt đó.
⇒ Khi đó kiểu ký hiệu Woods thể hiện tỷ số các chiều dài của các trục
a và b ở trong lớp bề mặt với các chiều dài của chúng ở trong khối, và
mức độ quay góc giữa các vécter cơ sở ở trên bề mặt và ở trong khối.
Nghĩa là LEED cho phép nghiên cứu mức độ sai lệc của cấu trúc ở bề
mặt so với ở trong khối vật liệu.
NATuan-ITIMS-2007
- Một số kiểu sắp xếp các nguyên tử chất hấp thụ trên các bề mặt đế có cấu trúc
lập phương:
Bề mặt đế fcc(100)
-Substrate : fcc(100)
- Substrate unit cell
- Substrate : fcc(100)
- Adsorbate unit cell
- Adsorbate atoms
- Adsorbate atoms Một kiểu liên kết bề mặt khác có cùng cấu
Ô cơ sở của bề mặt đế có cấu trúc fcc(100) và hình ( 2 x 2 ) ở trên đế có cấu trúc fcc(100):
các ng.tử của chất hấp thụ liên kết ngay trên các ng.tử hấp thụ nằm ở những chỗ trũng
đỉnh (on-top) với từng ng.tử bề mặt đế theo bậc-4 (four-fold hollows) của các ng.tử bề
cấu hình ( 2 x 2 ). mặt đế.
NATuan-ITIMS-2007
- Ghi chú: Trên đây cả hai cấu trúc sắp xếp với cấu hình (2 x 2) được gọi là cấu hình
nguyên thuỷ [primitive (2 x 2), hay p(2 x 2)]. Nghĩa là các ô cơ sở thực sự là những ô
đơn giản nhất có thể dùng để mô tả cấu trúc của chất hấp thụ bề mặt, và chỉ chứa
một “đơn vị” lặp lại.
Lưu ý: chữ p được sử dụng ở đây, hoặc có thể không sử dụng, với ngụ ý đó là cấu
hình (hai – hai) nguyên thuỷ để phân biệt với
các cấu hình (hai – hai) khác).
- Cấu hình (2x2) như trên cũng được tìm thấy

ở cách sắp xếp của các nguyên tử hấp thụ
trên bề mặt đế có cấu trúc fcc(110).
Tuy nhiên, trong trường hợp này các ng.tử hấp

thụ lại xuất hiện dưới một hình thức bên ngoài
hoàn toàn khác với trường hợp hấp thụ trên bề
mặt có cấu trúc fcc(100) như ở trên đây.
Trong trường hợp đế fcc(110), ô cơ sở của chất hấp thụ lớn
gấp 2 lần ô cơ sở của bề mặt đế theo cả 2 chiều, nhưng vẫn
duy trì dạng chữ nhật có tỷ số (1:√2) và không bị xoay đi. - Adsorbate atoms
NATuan-ITIMS-2007
- Một cách sắp xếp khác cũng theo cấu hình (2 x 2) của các nguyên tử chất hấp thụ
lên bề mặt đế có cấu trúc fcc(111), cũng thường xảy ra như mô tả ở hình dưới đây.
- Trong trường hợp này ô cơ sở của chất hấp thụ cũng có tính đối xứng như của ô
cơ sở của bề mặt đế, nhưng có độ dài gấp đôi theo cả 2 chiều (diện tích gấp 4 lần)
và không có sự quay góc giữa hai ô cơ sở này.
- Ô cơ sở, cả của bề mặt đế và chất hấp

thụ, đều cùng có trục đối xứng bậc-3.
- Ở đây các nguyên tử của chất hấp thụ

nằm ngay trên đỉnh của các nguyên tử bề
mặt, nhưng theo kiểu cách một.
- Adsorbate atoms
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ sau đây cho thấy một cấu trúc bề mặt kiểu khác có quan hệ gần gũi với cấu
hình kiểu (2 x 2) khi các nguyên tử được hấp thụ trên một bề mặt có cấu trúc fcc(100).
Khác là ở chỗ có thêm một nguyên tử ở tâm của ô cơ sở của chất hấp thụ có cấu
hình (2 x 2).
- Ở đây, nguyên tử ở tâm ô cơ sở của chất
hấp thụ tương đương về mặt tinh thể học với
các nguyên tử ở các đỉnh của ô này (nghĩa là
không phân biệt bởi chính các toạ độ với đế
ở bên dưới, hay bất kỳ đặc trưng cấu trúc
nào khác). Vì vậy đây không còn là một cấu
trúc p(2 x 2) nữa.
- Trong trường hợp này, người ta có thể phân

loại chúng theo 2 cách:
- Substrate : fcc(100) *) Biểu diễn là: centred (2 x 2) hay c(2 x 2),
- Adsorbate unit cell nhưng vậy ta đã sử dụng một ô cơ sở
- Adsorbate atoms không nguyên thuỷ, chứa 2 đơn vị lặp lại.
c(2 x 2) **) Biểu diễn là: (√2 x √2)R450, và như vậy đã
(√2 x √2)R450 sử dụng một ô cơ sở nguyên thuỷ thực sự.
NATuan-ITIMS-2007
- Trong cách ký hiệu Woods như (√2 x √2)R450, có nghĩa là ô cơ sở của chất hấp
thụ lớn gấp √2 lần ô cơ sở của đế theo mỗi chiều trên bề mặt, đồng thời cũng bị
xoay đi một góc 45o trong mặt phẳng bề mặt so với ô cơ sở của đế.
- Lưu ý: Nếu nguyên tử “ở tâm” không tương đương về mặt tinh thể học thì cấu trúc
vẫn là một ô cơ sở nguyên thuỷ p(2 x 2), nhưng khi đó có một cơ sở (basic) với 2
nguyên tử hấp thụ có mặt trong một ô đơn vị.
- Có thể sử dụng một cách mô tả ô cơ sở có tâm đối với một cấu trúc mà ô cơ sở
nguyên thuỷ không thể được mô tả bằng ký hiệu Woods thông thường.
Ví dụ: cấu trúc kiểu c(2 x 2) trên bề mặt đế fcc(110):
Substrate : fcc(110)
c( 2 x 2 )
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ sau đây minh hoạ một cấu trúc của các nguyên tử lắng đọng được quan sát
thấy rất phổ biến lên bề mặt đế có cấu trúc fcc(111) mà có thể được mô tả một cách
dễ dàng bằng ký hiệu Woods:
Hãy tự xác định ô đơn vị của

chất hấp thụ.
(√3 x √3)R30o
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ sau đây minh hoạ một cấu trúc của các nguyên tử lắng đọng được quan sát
thấy rất phổ biến lên bề mặt đế có cấu trúc fcc(111) mà có thể được mô tả một cách
dễ dàng bằng ký hiệu Woods:
Ô đơn vị của chất hấp thụ trong

trường hợp này được xác định
như sau:
Kéo dài ô đơn vị của đế ra một

đoạn tương ứng bằng √3 lần (1.732),
sau đó quay đi một góc 30o.
(√3 x √3)R30o
NATuan-ITIMS-2007
+ Ký hiệu “ma trận”: Đây là cách ký hiệu phổ biến hơn cách ký hiệu Woods. Nó sử
dụng được cho tất cả các kiểu xếp chồng có trật tự của các nguyên tử trên một
bề mặt của đế tinh thể.
- Cách ký hiệu này sử dụng một ma trận đơn giản để biểu thị quan hệ giữa
hai vector b1 và b2 của ô cơ sở chất hấp thụ với hai vector a và b của ô cơ sở
của bề mặt đế:
b1 a
b2 b
M
(Lưu ý: các phần tử ma trận cột là các vector, còn các phần tử ma trận M
là các số biểu diễn tỷ lệ giữa các vector cơ sở)
⇒ Ứng với ký hiệu Woods trên đây, (m×n) được chuyển thành dạng giống như ký
hiệu ma trận. Ví dụ, dạng ký hiệu Woods (2 x 2)R0o; được chuyển thành dạng
⎛2 0⎞
“ma trận” ⎜⎜ ⎟⎟ ; dạng ký hiệu (√2 x √2)R45o được chuyển thành dạng “ma
0 2⎠
⎛ 1 1⎞ ⎝
trận” ⎜⎜ ⎟⎟ (xem các ví dụ sau đây).
⎝ − 1 1 ⎠
NATuan-ITIMS-2007
Substrate : fcc (100)
(2 x 2) overlayer
- Đối với cấu trúc (2 x 2), ta có:
b1 a b
b2 a b
b2
Substrate : fcc (100)
c(2 x 2) overlayer
b
a b1
b2 b1
b
- Đối với cấu trúc c(2 x 2), ta có:
b1 a b
a
b2 a b
NATuan-ITIMS-2007
Tóm lại
Các cấu trúc bề mặt có trật tự có thể được mô tả bằng cách xác
định ô đơn vị của chất hấp thụ trong mối quan hệ với ô đơn vị
của đế ở bên dưới bằng:
1) Ký hiệu Wood: trong đó các độ dài của b1 và b2 được xác định một cách
đơn giản bởi một nhân số của a và b tương ứng, và điều đó còn được kéo
theo bởi góc quay của b1 ra khỏi a (nếu góc quay đó khác zero).
2) Ký hiệu Matrix: trong đó b1 và b2 được xác định một cách phụ thuộc như là
tổ hợp tuyến tính của a và b và quan hệ này được biểu diễn dưới dạng một
ma trận.
NATuan-ITIMS-2007
- Tiên đoán/giải thích các giản đồ LEED
+ Tương tự như đ/v các ảnh nhiễu xạ Laue, các giản đồ nhiễu xạ LEED cũng là
phép biến đổi Fourier của KG mạng thuận của tinh thể bề mặt được nhiễu xạ.
Nói cách khác, giản đồ LEED chính là ảnh Fourier của KG mạng tinh thể. Vì vậy
trật tự ở các ảnh nhiễu xạ LEED phản ánh tính trật tự của lớp tinh thể bề mặt gây
ra sự nhiễu xạ điện tử.
Sự tương ứng giữa cấu trúc

(cách sắp xếp và tính tuần
hoàn) của các nguyên tử bề
mặt và dạng giản đồ LEED
tương ứng quan sát thấy.
+ Cần chú ý rằng khoảng cách giữa các vết nhiễu xạ (trong KG mạng nghịch) luôn
tỷ lệ nghịch với khoảng cách tương ứng giữa các nguyên tử trong KG mạng thuận.
NATuan-ITIMS-2007
Hãy nhớ lại rằng nếu mạng là 1 dãy các nguyên tử cách nhau a → ảnh nh.xạ là
những đường thẳng cách đều nhau là 2π/a & vuông góc với dãy ng.tử vì đ/k Bragg là
nλ = asinθ. Nếu là mạng 2D, ta có các đ/k Bragg là nλ = asinθa và mλ = bsinθb.
→ Do đó vết nh.xạ chính là giao điểm của 2 hệ thống đường thẳng vg.góc với nhau,
ứng với các cạnh a và b của mạng 2D.
Cấu trúc tinh thể (không Giản đồ nhiễu xạ (không
gian mạng thực) gian mạng nghịch)
G (hkl )
rG
O (000)
- Vì khoảng cách của một vết nhiễu xạ G (hkl) là rG trên giản đồ LEED, tính từ vết gốc O (000)
nào đó liên quan tới khoảng cách giữa các mặt hkl của tinh thể, dhkl, qua hệ thức: dhkl = λL/rG,
trong đó là khoảng cách từ bề mặt tinh thể được chiếu đến màn ảnh nhiễu xạ.
- Từ đó xác định được dhkl → xác định được chỉ số phản xạ hkl.
NATuan-ITIMS-2007
- Các lưu ý quan trọng khi nhận định về ảnh nhiễu xạ LEED
+ Trong trường hợp ảnh nhiễu xạ LEED thu được khi nghiên cứu các lớp được hấp
thụ trên bề mặt, luôn ghi nhớ rằng các vết nhiễu xạ LEED đó có khoảng cách gần
với nhau hơn so với trường hợp nhiễu xạ chỉ có đế không. Điều đó có nghĩa là
khoảng cách giữa các nguyên tử hấp thụ lớn hơn so với khoảng cách của các
nguyên tử bề mặt đế.
Ví dụ cứ hai nguyên tử đế có thể có 1 nguyên tử được hấp thụ (nhưng vấn đề là

nguyên tử hấp thụ đó nằm ở đâu, ở vị trí như thế nào trên bề mặt đế ?).
+ Vì vậy một điều quan trọng khác ở đây trong việc đoán nhận về giản đồ nhiễu xạ
LEED là chỉ một mình giản đồ nhiễu xạ LEED thôi không đủ thông tin để nói về vị trí
được hấp thụ. ⇒ Ảnh nhiễu xạ LEED chỉ cho biết thông tin chung về tính đối xứng
bao trùm của các vị trí được hấp thụ trên bề mặt.
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ:
Có thể có 3 khả năng sắp xếp các nguyên tử hấp thụ trên bề mặt như sau, và
chúng đều cho cùng một kiểu bức tranh nhiễu xạ LEED giống nhau: cấu hình p(2 x 2)
trên bề mặt fcc(100).
Cách sắp xếp cách một Cách sắp xếp cách một Cách sắp xếp cách một
ngay trên đỉnh (on-top) ở chỗ lõm bậc-2 ở chỗ lõm bậc-4
(two-fold hollows) (four-fold hollows)
NATuan-ITIMS-2007
Một số dạng mạng thuận (ứng với cấu trúc tinh thể bề mặt) và mạng nghịch
tương ứng (ứng với dạng giản đồ LEED quan sát được) của các ô cơ sở
thường gặp.
Mạng hình vuông b* Mạng chữ nhật có tâm

a* b*
b b
a a
a*
Mạng lục giác

b
b* Mạng hình thoi
a b*
a*
b
a a*
Mạng hình chữ nhật

b
b*
a
a*
Các vết nhiễu xạ LEED
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập
Xác định các chỉ số phản xạ trên các giản đồ nhiễu xạ
Nếu đã biết chỉ số đối với 2 vết nhiễu xạ, ví dụ 2 vết tương ứng với 2 vector g1 và
g2, ta có thể xác định được chỉ số của các vết còn lại , ví dụ vết ghkl, bằng cách
sử dụng vector tổng hợp từ các vector đã biết.
110
000 020
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: phân tích một ảnh LEED cho thấy thông tin về kích thước và hình dạng
của ô cơ sở của tinh thể bề mặt.
gi = 2π/ai
a1 = 2π(g2 x n)/|g1 x g2|

a2 = 2π(n x g1)/|g1 x g2|
Với n là vector pháp tuyến của bề mặt nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
* Phân tích hình dạng của vết nhiễu xạ LEED
- Như đã thấy ở trên đây, vị trí các vết nhiễu xạ LEED chỉ mang thông tin về tính đối
xứng chung và kích thước của ô cơ sở bề mặt.
- Trong khi đó cấu trúc của vết nhiễu xạ, như hình dạng, phân bố cường độ và độ
rộng của vết, nghĩa là profile của các vết, lại mang thông tin về mức độ trật tự/vị trí
nguyên tử và loại ô cơ sở bề mặt.
- Hình dạng của các vết nhiễu xạ LEED là do tính trật tự của các nguyên tử bề mặt
quy định:
+ Các vết sắc nét và nhỏ khi bề mặt rộng và rất trật tự.
• Ảnh STM cho thấy bề mặt có cấu trúc tinh thể

hoàn hảo. Vì vậy các vết nhiễu xạ LEED thường
nhỏ và sắc nét.
• Điều này còn ngụ ý rằng toàn bộ bề mặt nhiễu
xạ là một tinh thể lớn.
⇒ Bề mặt tinh thể càng lớn (tương đương với
kích thước tinh thể càng lớn) → vết nhiễu xạ
càng nhỏ. Và ngược lại, hạt tinh thể trên bề mặt
càng nhỏ sẽ tạo ra các vết nhiễu xạ càng lớn.
NATuan-ITIMS-2007
+ Nếu trên bề mặt tinh thể hoàn hảo xuất hiện chỉ 1 “đảo” nhỏ gồm các nguyên tử
hình thành nên một “miếng đắp” có tính trật tự riêng, khác biệt với tinh thể bề mặt,
vết nhiễu xạ LEED bị nhoè rộng ra.
+ Nếu trên bề mặt tinh thể hoàn hảo xuất
hiện nhiều “đảo” nhỏ gồm các nguyên tử
hình thành nên những “miếng đắp”, hoặc
tạo thành những “bậc thang” trên bề mặt,
các vết nhiễu xạ LEED không những bị
nhoè rộng ra, thậm chí còn bị tách.
Đo sự phân bố cường độ của các vết

nhiễu xạ LEED ở những vị trí khác nhau.
LEED pattern
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Như vậy có thể đánh giá được mức độ “nhám” trên bề mặt tinh thể (lateral
roughness), độ rộng các “vết xước” và kích thước của các “đảo” thông qua độ rộng
cường độ của một vết nhiễu xạ LEED.
Lisland
K┴
∆K//~1/Lisland
K//
FWHM
⇒ Độ rộng ở ½ của cường độ vết nhiễu xạ là nghịch đảo của kích thước ngang trung
bình của “đảo” tinh thể hình thành trên bề mặt đế: FWHM = ∆K// ~ 1/Lisland
⇒ Hình dạng của vết nhiễu xạ chứa thông tin về phân bố thống kê của các “đảo” có
kích thước khác nhau.
⇒ Vì vậy đo profile các vết nhiễu xạ LEED sẽ cho phép định lượng được các thông
tin về bề mặt tinh thể cũng như những chất bám dính hay lắng đọng trên đó.
NATuan-ITIMS-2007
- Mức độ “nhám” theo chiều vuông góc với bề mặt (vertical roughness), độ cao của
“bậc thang”, các phân bố theo lớp trên bề mặt và chiều cao của độ gồ ghề (asperity
height) cũng có thể được đánh giá qua vết nh.xạ.
K┴
K//
K┴
K//
- Ngoài ra cường độ lớn nhất của profile của vết nhiễu xạ còn là độ đo đối với số
nguyên tử thuộc về loại pha tinh thể mà gây ra vết nhiễu xạ đó. ⇒ Vì vậy phân tích
này cung cấp thông tin về quá trình chuyển pha cấu trúc.
NATuan-ITIMS-2007
* Phân tích cường độ profile của vết
nhiễu xạ LEED (1 1)
- Đo cường độ profiles của các vết (1/2 ½)
nhiễu xạ LEED trong giản đồ của pha

c(2x2) khi nghiên cứu sự hấp thụ (0 0)
nguyên tử ôxy trên bề mặt Ni(100). (-1/2 -1/2)
(-1 -1)
- 4 phổ cường độ profile trong hình bên
đo ứng với 4 vết nhiễu xạ được chỉ ra
trên đường thẳng đứng trong cửa sổ đo
của màn hình máy tính. Chỉ số (hk) của
các vết này lần lượt từ trên xuống là
(11), (1/2 1/2), (-1/2 -1/2), (-1 -1).
- Tập hợp các profile cường độ vết

nhiễu xạ được đo theo các nhiệt độ ủ
khác nhau cho phép quan sát quá trình
thay đổi trật tự theo nhiệt độ.
NATuan-ITIMS-2007
- Ngoài ra, có thể đánh giá được nhiều thông tin khác nữa từ giản đồ nhiễu xạ LEED:
+ Xác định vị trí của các nguyên tử trong ô cơ sở bề mặt (nghĩa là xác định cấu
trúc bề mặt) bằng đo cường độ tích phân của vết nhiễu xạ.
+ Nghiên cứu các cấu trúc hấp thụ định xứ (các mảnh hay các mẩu nguyên tử,
phân tử được hấp thụ trên bề mặt nhưng không có trật tự tầm xa) thông qua
tính dị hướng của phân bố cường độ, hay còn gọi là tính loang dị hướng của
vết nhiễu xạ LEED.
LEED pattern of a The same surface The amplified

"clean" Ni (100) covered with difference map
surface potassium
+ Hay có thể quan sát được tương quan về vị trí giữa
các nguyên tử đế và nguyên tử được thêm vào thông qua
phép biểu diễn toàn ảnh (sử dụng phép giao thoa của các
tia được tách từ một chùm tia nhiễu xạ ban đầu: holography).
NATuan-ITIMS-2007
2) HEED (High-energy electron diffraction)
(hay còn gọi là kỹ thuật phản xạ của các tia nhiễu xạ năng lượng cao, RHEED)
- HEED chủ yếu để nghiên cứu cấu trúc của CR ở dạng lá mỏng, màng mỏng và các
hạt nhỏ (chiều dày hoặc đường kính ~ 10−9 to 10−6 m), cấu trúc của các phân tử, và
cũng được dùng cho phân tích bề mặt của các vật liệu kết tinh.
- Kỹ thuật HEED sử dụng chùm tia ℮ đơn sắc, song song và có đường kính ~ 10−3
đến 10−8 m (~ 4 × 10−2 đến 4 × 10−7 inc.) chiếu lên bề mặt mẫu.
- Trong kỹ thuật này, các tia tán xạ ngược bị bỏ qua, các ℮ tán xạ thẳng được ghi
nhận bằng màn huỳnh quang, phim ảnh hay các detector nhạy dòng điện (thường
không hạn chế đối với các ℮ tán xạ không đàn hồi).
- Giống như LEED, kỹ thuật phản xạ của các tia nhiễu xạ ℮ năng lượng cao
(Reflection HEED - RHEED) được sử dụng để xác định sự sắp xếp theo bề ngang
của các nguyên tử/phân tử ở trên bề mặt CR, bao gồm cả cấu trúc của các lớp được
hấp thụ lên bề mặt CR.
- Kỹ thuật RHEED cũng để xác định tính tuần hoàn ngang của các ng.tử sắp xếp
song song với bề mặt, nhưng có ưu điểm hơn so với LEED ở chổ có thể sử dụng
ngay cả với các bề mặt rất gồ ghề, như bề mặt bị ăn mòn, bị kết tụ/kết tủa,... vì các ℮
nhanh thấm sâu được vào những chỗ gồ ghề đó và tạo ra giản đồ truyền qua HEED.
- Kỹ thuật RHEED đặc biệt quan trọng để khảo sát và điều khiển quá trình hình thành
và phát triển của màng mỏng thông qua hiện tượng dao động của cường độ của
chùm tia "phản quang" (specular) gây ra khi mọc từ đơn lớp này đến đơn lớp khác.
NATuan-ITIMS-2007
Hệ RHEED/MBE
Sơ đồ cấu tạo của hệ MBE với

sự bố trí hệ đo RHEED
NATuan-ITIMS-2007
Kỹ thuật RHEED
- Góc tới nhỏ (~ 50) vì chỉ quan
sát được các lớp trên bề mặt,
và cùng với năng lượng của
điện tử, được giữ cố định trong
suốt quá trình nhiễu xạ. Sơ đồ thực nghiệm
nhiễu xạ RHEED
- Năng lượng điện tử nằm trong
khoảng 5 ÷ 100 keV, tương đương
với số sóng k = 2π/λ ~ vài trăm Å-1.
Hình ảnh giản đồ nhiễu xạ RHEED
- Bộ phận quan sát có thể là màn huỳnh
quang hoặc detector số, hay màn hiển
thị CCD ghép nối máy tính.
Màn huỳnh quang
& các vành nhiễu xạ
Mẫu
Chùm tia-e
tới năng
lượng cao
NATuan-ITIMS-2007
Kỹ thuật RHEED
Nguyên tắc tạo ảnh

nhiễu xạ RHEED
NATuan-ITIMS-2007
Kỹ thuật RHEED
Nguyên tắc tạo ảnh nhiễu xạ RHEED
NATuan-ITIMS-2007
Mạng đảo là các
thanh thẳng góc với
bề mặt mạng thuận
• Mạng đảo hai chiều
trong không gian ba
chiều là một hàng các
thanh đi qua các nút Mạng thuận hai chiều
đảo hai chiều và vuông
góc với bề mặt mẫu.
~ 3-50
NATuan-ITIMS-2007
Hình cầu Ewald cho nhiễu xạ bề mặt
• Hình cầu giới hạn: Do giới hạn về phạm

vi nhiễu xạ (vùng chiều dày tinh thể được
thực hiện nhiễu xạ từ chùm tia e tới rất
nhỏ) mà chỉ một số mặt phẳng có h,k,l hạn
chế nào đó thực hiện được sự nhiễu xạ
(thường các mặt có chỉ số thấp).
NATuan-ITIMS-2007
Các bước xây dựng cầu Ewald trong trường hợp sử dụng kỹ thuật RHEED
• Dựng không gian mạng đảo. • Dựng véc tơ sóng tới có mũi trùng
với gốc mạng đảo.
NATuan-ITIMS-2007
Các bước xây dựng cầu Ewald trong trường hợp sử dụng kỹ thuật RHEED
• Dựng hình cầu Ewald tâm là gốc • Vẽ các véc tơ mạng đảo tương ứng
của vec-tơ sóng tới. với nút đảo.
• Đánh dấu tất cả các điểm là nút • Các véc tơ trên là các hướng có thể
đảo và nằm trên hình cầu Ewald. cho cực đại nhiễu xạ
• Một số hướng bị dập tắt do tính chất
của mạng Bravais.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Các dạng hình học ảnh nhiễu xạ RHEED
- Với bề mặt khá phẳng: • Đơn tinh thể, mặt phẳng lý
tưởng: Ảnh là các chấm rõ
nét, gọi là các vết nhiễu xạ.
• Đa tinh thể: ảnh là chồng

chập của nhiều vết nhiễu xạ,
tạo ra các đường tròn đồng
tâm, gọi là các vành nhiễu
xạ.
• Màng đang mọc theo từng

lớp (epitaxy): ảnh là các vết
nhiễu xạ có dạng sọc vuông
góc với bề mặt màng mỏng.
- Với bề mặt khá gồ ghề: • Khi mẫu thô nhám, chùm

điện tử có thể thâm nhập
nhiều lớp trên mẫu, ảnh ED
giống như được chụp bằng
phương pháp Laue.
NATuan-ITIMS-2007
- Số chấm trên ảnh RHEED của mẫu có bề mặt gồ ghề khá dày đặc do số sóng điện
tử lớn hơn nhiều so với đơn vị mạng đảo.
NATuan-ITIMS-2007
3) TED (transmission electron diffraction)
Sơ đồ nguyên lý và cấu tạo của TEM có chức
năng thực hiện nhiễu xạ điện tử truyền qua TED)
NATuan-ITIMS-2007
Virtual
Aperture
Specimen - Để thực hiện chế độ nhiễu xạ ED

trong kính TEM, khe hở của vật kính
(objective aperture) được bỏ đi khỏi
Lower Objective đường đi của chùm tia ℮ ở vị trí mặt
Lens phẳng tiêu phía sau vật kính (back
focal plan) và kính được điều chỉnh
Ảnh nhiễu xạ TED BackFocal Plan để thu ảnh nhiễu xạ (điều chỉnh sự tụ
tiêu của mặt phẳng tiêu) rơi lên màn
ảnh quan sát mà không tạo ảnh ở
trên mặt phẳng ảnh.
SAAperture
Nguyên lý tạo ảnh nhiễu xạ TED
NATuan-ITIMS-2007
Bằng cách điều chỉnh cường

độ dòng điện của vật kính
(thấu kính từ, do đó làm tăng
cường độ từ trường) để điều
chỉnh tiêu điểm sao cho vết
nhiễu xạ được sắc nét và rơi
lên màn hình quan sát hay
thiết bị hiển thị.
NATuan-ITIMS-2007
- Ảnh nhiễu xạ LED và xác định chỉ số các vết nhiễu xạ
Lattice plane
have spacing of d
θ K+g
K
b*
Camera length L a*
K+g
Ewald Sphere K g
D
Vì λ rất nhỏ (~ 0.04 Å) → bán kính cầu Ewald ~ 1/λ rất lớn, gần như đường thẳng,
và góc θB nhỏ để có thể lấy gần đúng sinθB ~ θB và & tan2θB ~ 2θB ⇒
D
= tan (θ ) = tan (2θ B ); 1 D
L ≈
2 dSin θ B = λ d Lλ
NATuan-ITIMS-2007
Xác định cấu trúc ĐƠN TINH THỂ từ giản đồ nhiễu xạ TED
r/L = tan2θ
Hình học nhiễu xạ điên tử Từ định luật Bragg: 2dsinθ = λ.
Màn ảnh Vì λ rất nhỏ → sinθ ~ θ & tan2θ ~ 2θ
Thấu ⇒ r/L = 2θ = 2(λ/2d)
kính từ ⇒ r = λL/d
r Ö Nếu đo rG trên giản đồ nhiễu xạ ứng
với vết nhiễu xạ G, và λ, L là những
hằng số, thì dhkl của vết G được tính:
Súng-℮
dhkl = λL/rG
Mẫu
T = Chùm tia truyền thẳng r

O = Tâm điểm trên màn ảnh nhiễu xạ
S = Chùm tia nhiễu xạ Bragg
G = Vết nhiễu xạ Bragg
r = Khoảng cách từ tâm màn ảnh đến vết
nhiễu xạ Bragg G.
NATuan-ITIMS-2007
Kích thước mẫu mỏng làm cho các nút mạng nghịch bị kéo dài ra theo hướng mạng
nghịch tương ứng với chiều bị làm mỏng trong không gian thực của mẫu tinh thể:
Chiều làm
mỏng mẫu
tinh thể.
Mạng không gian thực

Nếu có các mặt phản xạ (001) …
… thì các nút mạng nghich sẽ bị kéo dài ra Mạng không gian nghịch
theo hướng [001]* trong mạng nghịch.
Chiều kéo dài của
nút mạng nghịch
(vuông góc với
chiều mỏng của
phiến/màng mỏng).
Với các mẫu đơn tinh thể, không phải lúc nào cũng có mặt phẳng cụ thể thoả mãn điều
này. Tuy nhiên, đây là cách xác nhận các pha tinh thể để định hướng chùm tia e sao
cho song song với các hướng mạng có chỉ số hkl thấp để dễ dàng ghi nhận được các
vết nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
- Bước sóng điện tử rất nhỏ → Bán kính cầu Ewald rất lớn (1/λ). Làm cho cầu
Ewald trở nên
→ Góc nhiễu xạ cũng rất nhỏ (1-2°). ⇒
cắt toàn bộ nút
- Mẫu tinh thể đủ mỏng → Nút mạng nghịch bị kéo dài ra . mạng nghịch mà
hình chiếu của
chúng là các vết
trên màn hình:
NATuan-ITIMS-2007
Xác định cấu trúc ĐA TINH THỂ từ giản đồ nhiễu xạ TED
rhkl
Giản đồ TED thu được từ mẫu tinh thể gồm rất nhiều các tinh thể con được
phân bố ngẫu nhiên có dạng gồm các đường tròn liên tục và đồng tâm. Bán
kính của các vòng này tỷ lệ nghịch với khoảng cách giữa các mặt phản xạ
dhkl của mạng tinh thể. → dhkl = Lλ/rhkl, (r - bán kính của các vành nhiễu xạ)
dùng để xác định nghĩa là chỉ số hkl.
NATuan-ITIMS-2007
Kiểu giản đồ nhiễu xạ tiêu biểu của một

mẫu gồm nhiều tinh thể con
và một mẫu VĐH
Giản đồ TED được tạo ra

từ một cấu trúc VĐH chỉ
tạo ra một vòng sáng ở
tâm giản đồ, ứng với vết
của chùm tia điện tử
Ảnh nhiễu xạ TED được tạo ra từ vật liệu gồm truyền qua mẫu, và một
nhiều tinh thể nhỏ, một số tinh thể được định vòng đơn tạo ra bởi sự
hướng đúng theo góc Bragg, trong khi một số tán xạ ngẫu nhiên của
khác thì không. Giản đồ gồm các vòng sáng gần các điện tử.
như liên tục mà không phải là các vết nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Các kiểu giản đồ nhiễu xạ điện tử truyền qua (TED)
Cấu trúc đơn tinh thể kiểu rạn men Cấu trúc sợi kiểu tấm Cấu trúc đa tinh thể
(MOSAIC SINGLE) CRYSTAL (PLATELIKE TEXTURE) (POLYCRYSTAL)
NATuan-ITIMS-2007
Xác định ô cơ sở đối với tinh thể
chưa biết:
Có thể ghi nhận được nhiều mặt cắt khác
nhau của mạng nghịch bằng cách
nghiêng mẫu tinh thể trong máy nhiễu xạ
điện tử (trong một kính hiển vi TEM).
Từ đó xác định được kiểu mạng và các
tham số tương ứng nếu biết quan hệ của
các mặt cắt 2D thu được này.
¼ giản đồ chuẩn (atlat) của hình chiếu nổi đối

với tinh thể lập phương.
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ xác định ô cơ sở của một pha mới của bán dẫn màng mỏng pentacene:
1. Nghiêng tinh thể chưa biết đi
một góc nhỏ để thu được giản
đồ nhiễu xạ điện tử (ED) đầu
tiên có chỉ số hkl bậc thấp.
2. Nghiêng tiếp tinh thể dọc theo
một hướng nào đó và ghi các
giản đồ ED tương ứng, sau đó
tập hợp ít nhất 3 giản đồ ED lại.
Viết các góc nghiêng này ra.
3. Dựng lại mạng nghịch.
4. Xác định chỉ số của giản đồ
và kiểm tra các góc nghiêng
(thực nghiệm và tính toán). 4 giản đồ ED thu được bằng cách nghiêng tinh thể pentacene
màng mỏng (lắng đọng trên đế (100) NaCl với tốc độ cao ở nhiệt
(Ghi chú: Pentacene là một chất độ phòng sau đó được ủ ở 200ºC trong 2 giờ). Mạng tinh thể được
bán dẫn hữu cơ quan trọng nhất tái tạo lại sau khi phân tích và tính toán cho thấy đây là mạng 3
dùng trong công nghệ chế tạo các nghiêng (triclinic) có a = 6.08 Å, b = 7.63 Å, c =15.3 Å, α = 80.7º,
transistor màng mỏng hữu cơ chất β = 84.5º và γ = 89.5º, với khoảng cách d của các mặt (001) là 15.1
lượng cao). Å. Các góc thực nghiệm (không có ngoặc đơn) và các góc tính
toán (trong ngoặc đơn) được chỉ ra ở hình trên đây.
NATuan-ITIMS-2007
Nghiêng tinh thể để có 3 giản đồ ED ứng với 3 vùng khác nhau
Sơ đồ biểu diễn phương pháp nghiêng tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
4) CBED (Convergent Beam Electron Diffraction)

- Các kỹ thuật nhiễu xạ điện tử như truyền thống
thường sử dụng một chùm tia tới có kích thước
nhỏ và song song chiếu lên một vùng diện tích rất
nhỏ nào đó trên mẫu, nên còn được gọi là nhiễu
xạ diện tích chọn lọc (Selected Area Electron
Diffraction: SAED).
- Trong kỹ thuật ED được thực hiện từ một hiển vi
TEM, cả độ lớn và cường độ của chùm tia đều có
thể đóng góp vào cho giản đồ nhiễu xạ. Việc này
được thực hiện bằng cách sử dụng một khe hẹp
hình tròn để hạn chế chùm tia điện tử song song
chiếu lên mẫu (xác định độ mở), còn gọi là khẩu độ
(aperture), ở tại vị trí mặt phẳng tiêu của vật kính.
Tạo nên một màng ngăn ảo (virtual diaphragm)
tại mặt phẳng mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
- Ngược lại, kỹ thuật nhiễu xạ chùm tia điện tử hội tụ (Convergent Beam Electron
Diffraction: CBED) lại sử dụng một chùm tia điện tử được hội tụ với kích thước vết
rất nhỏ (thường khoảng từ vài hay vài chục ăngstrom) để hạn chế vùng mẫu được
nhiễu xạ (Kỹ thuật này được thực hiện lần đầu tiên bởi Kossel và Mollenstedt vào
năm 1939). - Các hiển vi TEM thường được thiết kế tổ
hợp cả kỹ thuật nhiễu xạ SAED và CBED.
- Khi một chùm tia hội tụ được chiếu
xuyên qua mẫu tinh thể mỏng, các tia đi
ra khỏi mẫu ở các phía khác nhau, ảnh bị
đảo ngược giống như ở máy ảnh. Tuy
nhiên không cần để ý đến ảnh ngược
được tạo thành, mà chỉ cần nhìn vào
giản đồ hiễu xạ được tạo thành với các
vết được phóng to ra (xem slide sau).
- Tuỳ thuộc vào khoảng cách từ vật kính
đến bề mặt mẫu, có thể chọn được hoặc
là vùng Laue bậc không (zero order Laue
zone: ZOLZ), hay các vùng Laue bậc cao
Đĩa trung tâm (higher order Laue zones: HOLZ).
NATuan-ITIMS-2007
- Trong mạng nghịch, tất cả các phản xạ (hkl) trong một mặt phẳng (với pháp tuyến
{uvw}) tuân theo định luật về vùng (zone law) như sau: hu + kv + lw = N, với N luôn
là một số nguyên, và được gọi là bậc Laue (Laue order). {uvw} là hướng của chùm
tia điện tử tới.
- Các đường Kikuchi cũng xuất hiện từ sự tán xạ không đàn hồi của các mặt có N
cao – các mặt thuộc vùng Laue bậc cao, HOLZ (higher order Laue zones).
- Ta sẽ có các vùng Laue:
+ ZOLZ: vùng Laue bậc không
(zero order Laue zone:),
+ FOLZ: vùng Laue bậc nhất
(first order Laue zone:),
+ SOLZ: vùng Laue bậc hai
(second order Laue zone:),…
→ HOLZ: vùng Laue bậc cao.
Ghi chú: các nút mạng thực được biểu
diễn bằng các chấm đen, các “nút”
mạng nghịch được biểu diễn bằng các
g
thanh dọc (bị kéo dài theo chiều mỏng
của tinh thể). Bán kính vòng nhiễu xạ
R1
ứng với FOLZ: g ≈ R1, → RN ứng với
vùng Laue bậc N. RN
NATuan-ITIMS-2007
- Các đường vùng Laue bậc cao (HOLZ) xuất hiện ở đĩa trung tâm của giản đồ khi
chùm tia điện tử tới mẫu dưới một góc hội tụ thích hợp, và được chiếu dọc theo một
trục vùng nào đó. (Ví dụ dưới đây là chiếu dọc theo trục vùng [210] của tinh thể GaAs).
Đĩa trung tâm

NATuan-ITIMS-2007
- Khi một đầu dò điện tử được tạo ra từ một chùm
tia hội tụ chiếu vào mẫu tinh thể mỏng dưới điều
kiện nhiễu xạ Bragg ở phản xạ bậc cao (g) sẽ tạo
ra trong các vết đĩa nhiễu xạ và vết đĩa truyền
thẳng qua (đĩa ở tâm) gồm các cặp đường thẳng,
hoặc thiếu hụt hay dư thừa các đường thẳng.
Đĩa ở tâm
- Có thể nhận thấy các cặp đường cắt nhau
hình chữ “V” ở trong vết đĩa ở tâm là chồng
chập từ các đường ở trong các vết đĩa
Đĩa ở tâm với các đường Kikuchi và ảnh phóng to nhiễu xạ phân bố ở xung quanh đĩa tâm.
NATuan-ITIMS-2007
- Ưu điểm lớn của kỹ thuật CBED so với kỹ thuật
SAED ở chỗ có nhiều thông tin hơn thu được từ
những vùng diện tích rất nhỏ của mẫu, thậm chí
vượt trội hơn cả một số kỹ thuật khác.
- Có độ phân giải không gian cao hơn so với kỹ
thuật SAED, và được quy định bởi kích thước
chùm tia nhỏ nhất của đầu dò điện tử. Kích
thước này có thể đạt được độ phân giải đến cỡ
ăngstrom, điển hình là khoảng 0.2 nm (2 Ǻ).
- Các giản đồ chứa thông tin về đối xứng tinh
thể, cấu trúc nguyên tử và điện tử của vùng
được nhiễu xạ trong mẫu.
Ảnh nhiễu xạ CBED của mẫu đơn tinh
- Một chùm tia điện tử hội tụ tạo thành một thể Si, cho thấy các vết nhiễu xạ được
phóng đại lên, gọi là các đĩa (disk).
giản đồ nhiễu xạ Fresnel (trường gần).
- Các vết nhiễu xạ thu được từ kỹ thuật CBED sẽ có dạng đĩa (disk), trong đó thể hiện rõ
sự biến đổi cường độ nhiễu xạ (trong nhiễu xạ thông thường, các tia nhiễu xạ Bragg tạo
nên những vết nhiễu xạ (spot), là những điểm hay những nốt nhỏ). (hình ở slide sau)
- Các giản đồ này chứa đựng nhiều thông tin về đối xứng và chiều dày của tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
Ảnh nhiễu xạ điện tử thu được trên cùng một mẫu tinh thể ở 2 chế độ chùm
tia tới khác nhau: chùm tia song song (chế độ SAD) (bên trái), và chế độ
CBED (bên phải). Các giản đồ nhiễu xạ tương ứng quan sát thấy có dạng vết
(sport pattern) với chế độ SAED, và dạng đĩa (disk pattern) vớichế độ CBED.
Có thể nhận thấy dạng vân nhiễu xạ Fresnel trong giản đồ nhiễu xạ CBED và các
đường thẳng là các đường nhiễu xạ Kikuchi (hình bên phải trên đây) (về đường
Kikuchi sẽ trình bày ở trong phần 5) EBSD dưới đây).
- Quan hệ giữa một giản đồ vết và một giản đồ chùm tia hội tụ có thể được khảo sát
bằng cách thay đổi góc hội tụ chùm tia. (xem hình ở slide sau)
NATuan-ITIMS-2007
- Sự hình thành các vết nhiễu xạ (chế độ SAED) hay đĩa nhiễu xạ (chế độ CBED)
ứng với sự thay đổi góc hội tụ (φ) của chùm tia điện tử chiếu lên tấm tinh thể mỏng.
NATuan-ITIMS-2007
- Sự hình thành các vết nhiễu xạ (chế độ SAED) hay đĩa nhiễu xạ (chế độ CBED)
ứng với sự thay đổi góc hội tụ (φ) của chùm tia điện tử chiếu lên tấm tinh thể mỏng.
Ghi chú: Khi Ghi chú: Khi

φ α ≈ 0 chùm α > 0 chùm
φ
tia song song tia hội tụ (chế φ
(chế độ SAD) độ CBED)
Góc tụ tiêu φ nhỏ Góc tụ tiêu φ trung bình Góc tụ tiêu φ lớn (quan sát
thấy các đường Kikuchi)
NATuan-ITIMS-2007
- Sự hình thành các đĩa nhiễu xạ (chế độ CBED)
ứng với sự thay đổi khoảng cách chụp ảnh nhiễu
xạ (camera) (là khoảng cách giữa vật kính phía
dưới và màn hiển thị).
Chiều dài lớn Chiều dài trung bình Chiều dài bé

NATuan-ITIMS-2007
- Sự thay đổi hình dạng vân nhiễu xạ Fresnel

trong các đĩa nhiễu xạ CBED khi thay đổi chiều
dài tiêu cự (vị trí tụ tiêu) của vật kính phía trên
mẫu của chùm tia điện tử chiếu lên mẫu.
Quá điểm hội tụ Đúng điểm hội tụ Chưa tới điểm hội tụ
(Overfocus) (Focus) (Underfocus)
NATuan-ITIMS-2007
Có thể nhận thấy các dạng vân nhiễu xạ Fresnel điển hình trong đĩa trung tâm
(hình bên trái), hay các đĩa khác xung quanh đĩa trung tâm của giản đồ nhiễu xạ
CBED và các đường thẳng là các đường nhiễu xạ Kikuchi.
NATuan-ITIMS-2007
- Quan sát ảnh bóng (shadow image) ở trong chế độ kiểu CBED.
1. Khi kính tụ II (Condenser II)

Giản đồ nhiễu xạ chế độ CBED
hoàn toàn chưa tới tụ tiêu
(Underfocus).
2. Khi kính tụ II gần như tụ tiêu
(Approchingfocus).
3. Khi kính tụ II hoàn toàn tụ
tiêu (Focus) Chế độ CBED.
4. Khi kính tụ II quá điểm tụ
tiêu (Overfocus) Ảnh bị
ngược so với 2.
NATuan-ITIMS-2007
- Hình ảnh giản đồ nhiễu xạ CBED ứng với chiều dày của tấm tinh thể mỏng khác nhau.
Mẫu tinh thể mỏng Mẫu tinh thể dày

NATuan-ITIMS-2007
- Vị trí chính xác của các đường nhiễu xạ trong các giản đồ CBED vùng Laue bậc
cao (HOLZ) rất nhạy với sự thay đổi của tham số mạng. Vì vậy thực hiện nhiễu xạ
CBED để thu các đường vùng Laue bậc cao HOLZ và xác định chính xác vị trí các
đường này người ta có thể xác định được sự thay đổi hằng số mạng tinh thể, ví dụ
do ứng suất đàn hồi hay các nguyên nhân khác dẫn đến sự biến dạng (đàn hồi)
mạng tinh thể chẳng hạn. Nguyên lý được trình bày ở hình dưới đây.
- Ưu điểm của cách xác định này so với các kỹ thuật khác ở chỗ thông tin nhận được
chỉ từ một thể tích rất nhỏ của mẫu: ~ (10x10x100) nm3.
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ dưới đây là ảnh nhiễu xạ CBED với các đường HOLZ của Si (hình (a) bên
trái). Khi tạo hợp chất Si1-xGex, sự thay thế của các nguyên tử Ge vào một số vị trí
của Si đã làm cho mạng tinh thể Si bị thay đổi đi (dãn ra) (hình dưới bên phải), dẫn
đến sự dịch chuyển của các đường HOLZ (hình (b) bên trái).
NATuan-ITIMS-2007
Tóm lại, giản đồ nhiễu xạ CBED cung cấp những thông tin sau:
- Chiều dày mẫu
- Thông tin chính xác hơn về các thông số mạng. Có thể xác định được tất cả 6 thông
số mạng: a, b, c, α, β, γ.
- Có thể quan sát trực tiếp mạng nghịch.
- Xác định hệ tinh thể và đối xứng tinh thể,
- Xác định sự đối xứng 3D của sự sắp xếp các ng.tử: xác định các toạ độ không gian.
- Xác định pha.
- Đặc trưng sai hỏng của cấu trúc tinh thể, như lệch mạng (dislocation).
- Xác định được mật độ điện tích liên kết.
Một số nhược điểm:

- Gây nhiễm bẩn hệ (kỹ thuật CBED đòi hỏi mẫu phải sạch, chân không ở trong TEM
phải rất cao).
- Gây nóng mẫu cục bộ, tạo ra dãn nở nhiệt và ứng suất nhiệt. Cần phải sử dụng bộ
giá đỡ “nghiêng kép” (double-tilt) được làm lạnh cho mẫu
NATuan-ITIMS-2007
5) EBSD (Electron Backscatter Diffraction) - Đường Kikuchi
1- Lịch sử phát triển của kỹ thuật EBSD
- 1924: lần đầu tiên khi Kikuchi thực hiện nhiễu xạ trên tinh thể mica (ở trong TEM) đã
quan sát thấy bên cạnh những vết nhiễu xạ còn có rất nhiều những vết nhiễu xạ khác
dưới dạng là các đường cắt nhau. → gọi là những đường Kikuchi.
- 1954: các đường Kikuchi phản xạ ngược (ở góc

cao) lại được Alam, Blackman và Pashley quan
sát thấy trong TEM khi thực hiện nhiễu xạ ED
trên LiF, KI, NaCl và PbS2.
- 1969-1979: phát triển 3 kỹ thuật nhiễu xạ ở trong

SEM, trong đó vào năm 1972 Venable và Harland
đã công bố những kết quả nghiên cứu vi tinh thể
và vi texture bằng kỹ thuật EBSD trên SEM.
Các đường Kikuchi quan sát thấy lần đầu
tiên ở tinh thể mica bởi Kikuchi.
NATuan-ITIMS-2007
- 1982-1984: sử dụng máy tính hỗ trợ việc xác định chỉ số của các đường Kikuchi
trong EBSD và trừ giá trị nền (Dingley, Wright, Adams, Schwarzer,…).
- 1990: việc xác định chỉ số trong các giản đồ EBSD hoàn toàn tự động bằng phép
biến đổi Hough (Yale, Clausthal, Ris).
- 2000: phân tích tự động rất nhanh các giản đồ EBSD ⇒

+ Kỹ thuật EBSD phân giải cao
+ Thực nghiệm EBSD tại chỗ (in-situ)
+ Kỹ thuật EBSD dòng cao (high current).
- Kỹ thuật EBSD hiện nay chủ yếu được sử dụng trong SEM, vì vậy kỹ thuật này còn
có tên gọi là kỹ thuật nhiễu xạ điện tử ở trong SEM:
+ Khi một chùm tia ℮ ổn định (về bước sóng và kích thước hội tụ) chiếu lên
bề mặt mẫu tinh thể được đặt nghiêng trong buồng mẫu của SEM, các điện
tử có thể bị nhiễu xạ và tạo nên một giản đồ rất đặc trưng trên màn hiển thị.
+ Các điện tử của chùm tia tới lan toả ra khắp các hướng ở phía bên dưới
bề mặt mẫu do tương tác đàn hồi (các điện tử bị tán xạ ngược), điều đó
tương đương như một nguồn phân kỳ với kích thước rất nhỏ (chỉ~100 nm)
nằm ở phía sau bề mặt mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
+ Các điện tử từ nguồn phân kỳ nhỏ sẽ bị nhiễu xạ bởi các mặt tinh thể (hkl) đối
với những tia nào thoả mãn điều kiện Bragg:
Hình thành các đường Kikuchi

(hkl)
θ, d
nλ = 2dsinθ
NATuan-ITIMS-2007

(hkl)
θ, d
nλ = 2dsinθ
NATuan-ITIMS-2007

(hkl)
θ, d
nλ = 2dsinθ
NATuan-ITIMS-2007
2- Kỹ thuật lắp đặt để thu ảnh giản đồ EBSD
Sơ đồ kết cấu các thành phần

cơ bản của một hệ EBSD.
Ảnh phía bên trong buồng SEM cho thấy

cách bố trí các bộ phận để thực hiện kỹ
thuật nhiễu xạ điện tử - EBSD.
NATuan-ITIMS-2007
Camera CCD (Charge-Coupled Device)

– Ồn nhiệt thấp
– Độ nhạy cao
– Không bị phá huỷ vì quá sáng
– Tốc độ thấp (?).
Camera SIT (Silicon Intensifier Target)

– Tốc độ cao
– Độ nhạy cao
– Tương phản cao
– Độ ồn (noise) cao.
NATuan-ITIMS-2007
3- Bố trí hình học để thu ảnh EBSD - đường Kikuchi
Một giản đồ EBSD, gồm các

đường/dải Kikuchi, của Ni ghi ở
điện thế gia tốc 20 kV.
Các thông số hình học trong kỹ thuật ghi nhận ảnh
nhiễu xạ EBSD
Các chế độ thường sử dụng trong kỹ thuật EBSD
- Điện áp gia tốc: 5 – 30 kV
- Cường độ chùm tia điện tử: 1 -15 nA
- Độ rộng của sổ WD: 20 mm
NATuan-ITIMS-2007
4- Những tính năng chính của kỹ thuật EBSD
- Cho phép nhận được thông tin về cấu trúc tinh thể học của mẫu trong hiển vi điện tử
quét (SEM): Giản đồ nhiễu xạ thu được là đặc trưng của cấu trúc tinh thể và đặc biệt là
sự định hướng tinh thể học của vùng mẫu mà từ đó xuất hiện đường nhiễu xạ Kikuchi.
- Ngoài việc xác định được hướng tinh thể của vùng được nhiễu xạ (hạt tinh thể), còn
có thể xác định được các độ lệch hướng ở các biên hạt, phân biệt được sự khác nhau
giữa các vật liệu khác nhau (pha tinh thể), và cung cấp thông tin về sự hoàn hảo của
các tinh thể địa phương (hạt tinh thể).
- Khi chùm tia ℮ được quét trong một ô lưới ngang qua bề mặt mẫu đa tinh thể (kỹ
thuật EBSD trong SEM), và hướng tinh thể được đo ở mỗi điểm ⇒ xây dựng được bản
đồ biểu lộ hình thái, sự định hướng và biên của các hạt tinh thể tạo thành của mẫu.
- Số liệu từ bản đồ này (gồm các pha, hay hạt tinh thể) cũng có thể được sử dụng để
biểu lộ sự định hướng ưu tiên (texture) có mặt ở trong vật liệu.
Tóm lại: Kỹ thuật EBSD hoàn toàn có thể thực hiện được việc biểu diễn mức độ
hoàn hảo và định lượng về vi cấu trúc của mẫu.
Hơn nữa, với công nghệ/kỹ thuật hiện nay, việc đo đạc và phân tích các số liệu EBSD
được tiến hành rất nhanh chóng: gần như đo ngay lập tức sau khi “point and click”.
NATuan-ITIMS-2007
Minh hoạ cho thấy:
- EBSD – Một công cụ xác định thành phần, cấu trúc và định hướng tinh thể rất nhanh:
NATuan-ITIMS-2007
Minh hoạ cho thấy:
- EBSD – Một công cụ xây dựng được bức tranh về cấu trúc hạt/pha tinh thể và phân
bố định hướng tinh thể ở bề mặt mẫu:
+ Các dải Kikuchi

tương ứng với các
mặt phẳng nhiễu xạ
khác nhau.
+ Chỗ giao nhau

của các dải ứng với
trục vùng tinh thể.
+ Sự sắp xếp hình

học (các dải bố trí
kiểu bậc-3, -4, …)
phụ thuộc vào đối
xứng tinh thể và
hướng tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
5- Kỹ thuật chuẩn bị mẫu đối với các phép đo EBSD
- Yêu cầu đối với bề mặt mẫu sử dụng trong kỹ thuật EBSD:
+ Nhẵn bóng như gương.
+ Vùng thể tích được tán xạ ngược dưới bề mặt mẫu (dày khoảng
100 nm) phải là tinh thể.
+ Vùng thể tích này không được có biến dạng dẻo quá mức (ứng
suất dư).
- Các vấn đề thường gặp đối với bề mặt thực hiện nhiễu xạ:
+ Biến dạng dẻo do đánh bóng cơ học
+ Các lớp ngoại lai (ôxýt)
+ Ứng suất nội
NATuan-ITIMS-2007
- Do bề mặt mẫu thường được tạo nhẵn bóng bằng kỹ thuật mài cơ học (bột kim
cương) ⇒ Tạo ra ứng suất dư trên bề mặt mẫu ⇒ Gây trở ngại cho việc thu giản đồ
EBSD có chất lượng tốt.
Mài bằng bột kim cương Bề mặt chứa ứng suất dư hoặc bị phá
huỷ sau khi tẩm thực
Vùng
ứng Vùng
suất dư ứng
suất dư
⇒ Chuẩn bị tốt bề mặt mẫu là kỹ thuật mấu chốt trong việc tạo ra các giản đồ
của các đường Kikuchi có chất lượng tốt.
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Cần phải tránh tạo ra suất dư trên bề mặt mẫu trong quá trình gia công bề mặt
bằng các cách sau:
+ Khử suất dư bằng tẩm thực sâu + Ngoài ra có thể sử dụng các bề
+ Mài kết hợp cơ-hoá học mặt được chẻ từ khối tinh thể,
hoặc các bề mặt màng mỏng
+ Đánh bóng bằng điện
được mọc, lắng đọng hay phủ
+ Mài ion trên các bề mặt của đế rắn.
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ minh hoạ chất lượng gia công bề mặt mẫu lên phép đo EBSD khi xác định
hướng tinh thể của các hạt tinh thể trong sợi dây Au sau khi mài ion.
Ảnh SEM (điện tử thứ cấp) Giản đồ định hướng của Bản đồ đặc tính bề mặt của
của đầu sợi dây Au 32 mm. các hạt tinh thể rạn men các hạt tinh thể rạn men
Giản đồ cho thấy sự lệch hướng ở

các biên hạt tinh thể rạn men.
NATuan-ITIMS-2007
- Tuy nhiên, trong kỹ thuật EBSD, còn phải thực hiện việc xử lý ảnh để nhận được các
giản đồ đường Kikuchi rõ nét nhất.
Ảnh gốc Ảnh nền Ảnh sau khi trừ nền
(Phần này sẽ đề cập đến ở dưới đây)
NATuan-ITIMS-2007
6- Lý thuyết cơ sở của EBSD
Mở đầu:
- Tán xạ đàn hồi: không mất mát năng lượng, chỉ làm lệch hướng của điện tử tới khi
chúng va chạm với nhau.
Sự tương tác giữa điện tử tới với điện trường của hạt nhân nguyên tử
của bia bị chiếu xạ. Kết quả là các điện tử bị tán xạ ngược.
Tương tác có thể xẩy ra nhiều lần (tương tác

thác lũ) khi một điện tử tương tác với nhiều hạt
nhân nguyên tử của bia.
NATuan-ITIMS-2007
- Tán xạ không đàn hồi: năng lượng của điện tử tới bị mất mát do truyền cho mẫu.
Gây ion hoá cho các nguyên tử trong mẫu.
Các điện tử bị phóng ra trong quá trình ion hoá: điện tử thứ cấp (SE) có
năng lượng < 50 eV.
Ngoài ra còn gây các tương tác khác: các phonon (1-100 eV), các
plasmon (10 eV),…
NATuan-ITIMS-2007
- Tán xạ ngược: do tương tác không đàn hồi một chút (<200 eV) (chủ yếu sinh ra các
phonon và plasmon) Chùm điện tử bị thấm sâu vào trong mẫu (~ 100 nm) và loang
ra theo tất cả các hướng Tương tự như một nguồn điện tử với tiêu điểm nhỏ và bị
phân kỳ.
NATuan-ITIMS-2007
- EBSD xuất hiện do nhiễu xạ Bragg: nλ = 2dsinθ
Hình thành nên các đường Kikuchi & các dải Kikuchi.
- Mỗi dải Kikuchi được giới hạn bởi một
cặp đường Kikuchi.
- Giản đồ EBSD là tập hợp gồm các dải
Kikuchi với phân bố có đ/x đặc thù:
Cặp
đường
(hkl) Kikuchi
θ, d
Cặp đường Kikuchi Cơ chế hình thành các dải Kikuchi

NATuan-ITIMS-2007
Cơ chế hình thành nên các dải Kikuchi
Chùm tia điện tử

Mặt phẳng
nhiễu xạ
Dải Kikuchi
Các nón
nhiễu xạ Màn huỳnh quang
Khi U = 20 kV λ ~ 0.07 Å θ ~ 0.5o
NATuan-ITIMS-2007
Những đặc trưng điển hình trên các
giản đồ EBSD Các trục vùng
- Vùng và Trục vùng trong

các ảnh EBSD
+ Vùng (Zone) các mặt phẳng trong
tinh thể là tập hợp những mặt/ bề mặt
cắt nhau theo những đường song song.
+ Trục vùng (Zone axis) là hướng
chung của các đường song song là các
giao tuyến của vùng các mặt phẳng.
Các đường Kikuchi có
thể được xác định chỉ số
Giảng đồ điện tử tán xạ ngược

(EBSP) của đơn tinh thể Ge được
thực hiện ở 20 kV.
Vùng các mặt phẳng Trục vùng

NATuan-ITIMS-2007
Xác định các chỉ số hkl trên ảnh EBSP
- Điều kiện Bragg: , lưu ý góc θ chính là độ rộng của dải

Kikuchi
NATuan-ITIMS-2007
Xác định các chỉ số hkl trên ảnh EBSP
NATuan-ITIMS-2007
Chỉ một tỷ lệ nhỏ các e đến được màn hình là gây ra nhiễu xạ → do đó giản đồ
EBSD được chồng lên tín hiệu nền ⇒ trừ nền là khâu quan trong để tăng cường độ
tương phản của giản đồ.
Ảnh chưa trừ nền
Ảnh đã trừ nền

NATuan-ITIMS-2007
Một số ảnh hưởng của chế độ chụp ảnh lên giản đồ EBSD
Giản đồ EBSD chụp ở các khoảng cách khác nhau

từ vùng nhiễu xạ tới detector.
NATuan-ITIMS-2007
Giản đồ EBSD chụp ở các điện thế màn huỳnh quang

khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
- Phép biến đổi Hough là kỹ thuật cho phép thu được các tham số của một đường
thẳng do đó rất thích hợp để xác định các đường/dải Kikuchi.
- Bằng phép biến đổi Hough, các đường trong EBSP được chuyển thành các “điểm”
hay các “vết” ở trong “không gian” Hough.
- Sử dụng phép biến đổi Hough để đo các hướng tinh thể ứng với các dải Kikuchi.
NATuan-ITIMS-2007
Phép biến đổi Hough của một EBSP
NATuan-ITIMS-2007
Phép biến đổi Hough của một EBSP
(Lưu ý cả đến độ xám trong phép
biến đổi Hough)
NATuan-ITIMS-2007

NATuan-ITIMS-2007
2.4.1. Giới thiệu:
Sơ lược lịch sử
- 1932 James Chadwick khám phá ra hạt neutron:
• Mn = 1.674928.10-27 kg
• Mn ~ 1.001 Mproton ~ 1840 me
• τ = 885 s (~ 15 min) (trong p/ư phân rã β)
• n → p + e- + νe + 0.78 MeV
(νe là phản hạt neutrino: antineutrino)
⇒ Giải Nobel vật lý năm 1935. James Chadwick: The Nobel Prize
(Ghi chú: 1930 khám phá ra hạt alpha, 1932 khám phá in Physics 1935 "for the discovery
of the neutron“.
ra tính phóng xạ).
- 1942: ra đời lò phản ứng hạt nhân và đặt nền móng cho sự hình thành một kỹ
thuật nhiễu xạ mới - là kỹ thuật nhiễu xạ neutron (ND).
- 1945, lần đầu tiên Ernest O. Wollan đã thực hiện được kỹ thuật nhiễu xạ ND ở
lò phản ứng hạt nhân Graphite ở Oak Ridge (Mỹ), và sau đó đã cùng với
Clifford G. Shull xây dựng nguyên lý cơ sở của ND và đã áp dụng thành công
cho nhiều loại vật liệu khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
- 1950s là giai đoạn có nhiều công trình nghiên cứu thực nghiệm đo đạc các thông
số tương tác và hấp thụ của neutron với từng nguyên tố và đồng vị.
Lý thuyết của tán xạ neutron với nguyên tử cũng đã được nghiên cứu đầy đủ hơn
trong giai đoạn này.
- 1990s: Shull (Mỹ) và Bertram N. Brockhouse(Canada) sau này đã nhận giải

Nobel vật lý năm 1994 về những nghiên cứu phát triển kỹ thuật tán xạ không
đàn hồi).
- Đặc biệt là trong giai đoạn này, bằng

kỹ thuật ND đã tiếp cận được cách sắp
xếp vi mô của mômen từ trong vật liệu.
The Nobel Prize in Physics 1994: (a) Clifford G.

Shull "for the development of the neutron diffraction
technique“ and (b) Bertram N. Brockhouse "for the
development of neutron spectroscopy“.
NATuan-ITIMS-2007
Nguồn nơtron
1- Lò phản ứng hạt nhân.

+ Vì thành phần nhiệt động của thông lượng neutron ở trong một lò phản ứng
hạt nhân có phân bố theo nhiệt độ của lò gần với phân bố Maxwell-Boltzmann
nên bước sóng trung bình ở tâm lò được đánh giá bằng: λ(Å) = h(2/πmkT)1/2
= 34.9/√T(oK)
+ Theo năng lượng, bước sóng của nơtron được đánh giá là: λ = h/p = 0.28/√Ee
(Ee = p2/2m). ⇒ Sau khi được làm chậm lại, nhiệt độ ở gần 300K ứng với Ee
= 0.08 eV, và được chọn lọc thích hợp, các neutron ở vùng tâm lò có bước
sóng so ánh được với tia X: λN ~ 1 Å (0.1 nm), nên có thể sử dụng chúng để
thực hiện nhiễu xạ trong nghiên cứu cấu trúc của các chất rắn được tạo bởi
các nguyên tử hay phân tử.
2- Các nguồn phân hạch:

Sự phân rã hạt nhân trong các nguồn phân hạch tự nhiên → giải phóng nơtron
dưới dạng hạt tự do → Chùm nơtron có năng lượng phân bố trong một dải rộng:
→ không "đơn sắc".
- Sử dụng các bộ đơn sắc đơn tinh thể (crystal monochromators ) hoặc dùng các
bộ lọc kiểu hấp thụ để tạo ra chùm tia nơtron '"đơn sắc“ với λ xác định.
NATuan-ITIMS-2007
Một số đặc điểm trong nhiễu xạ nơtron
- Chùm nơtron tương tác yếu với các hạt tích điện, tương tác mạnh với hạt nhân
nguyên tử → Là công cụ tốt hơn trong việc xác định vị trí proton.
- Đặc biệt hơn neutron tương tác mạnh với hạt nhân và mômen từ của điện tử, tương
tác với CR ít hơn nhiều so với tia X và điện tử (chủ yếu với lớp vỏ điện tử)→ND cũng
được ưu tiên sử dụng trong trường hợp mẫu bị phá hủy bởi bức xạ tia X, và trong
những trường hợp đòi hỏi có sự thấm sâu lớn.
- ND cung cấp thông tin về cấu trúc, tính trật tự và tính đối xứng trong các liên kết
nguyên tử/phân tử CR tương tự như XRD & ED.
- Trong ba phương pháp nhiễu xạ: XRD, ED, và ND, nhiễu xạ ND là cách duy nhất
để xác định cấu trúc trật tự từ trong chất rắn, vì nơtron rất nhạy với mômen từ.
- Những thông tin thu được từ thực nghiệm tán xạ neutron chậm cho phép đoán nhận
về bản chất của lực hạt nhân.
NATuan-ITIMS-2007
- Hai ứng dụng chính của tán xạ nơtron là:
+ tái tạo lại cấu trúc phân tử một cách tinh tế hơn sau khi đã xác định cấu trúc
sơ bộ trước bằng XRD. Đặc biệt ND là thế mạnh để nghiên cứu các chất
được cấu tạo từ các nguyên tử nhẹ, như hydro, heli hay các cấu trúc phân tử
hữu cơ, phân tử sinh học và tế bào sống (vì chứa hydro là một nguyên tố
quan trong khi các liên kết với hydro là liên kết trọng nhất trong các phân tử
hữu cơ và sinh học).
+ đặc trưng cấu trúc polimer sử dụng tán xạ nơtrong góc nhỏ (small-angle
neutron scattering, SANS).
- Nghiên cứu cấu trúc chất lỏng:

Có 2 cách để xác định hàm phân bố xuyên tâm f(r):
+ Sử dụng XRD và ND từ các chất lỏng (sử dụng bức xạ đơn sắc).
+ Mô phỏng máy tính cấu trúc của phân tử và các chuyển động trong chất lỏng.
NATuan-ITIMS-2007
2.4.2. Thực nghiệm nhiễu xạ nơtron
- Nhiễu xạ neutron có thể thực hiện trên các mẫu là đơn tinh thể, đa tinh thể hay bột.
- Để tập trung chùm tia lên bề mặt mẫu, người ta sử dụng một hệ thống hội tụ quang
học đặc biệt gồm nhiều ống “mao quản” (polycapillary focusing optics) để dẫn và tụ
tiêu các tia neutron.
- Detector, thường là một dãy gồm nhiều detector nối liên tiếp theo hình vòng cung
được bố trí trong khoảng góc tán xạ của neutron, ~ 10o – 160o với bề mặt mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
- Detector ghi nhận tia neutron tán xạ/nhiễu xạ:

Có các loại detector phổ biến như sau:
+ Loại ống đếm tỷ lệ (như 3He Pressurized Gas Tube Proportional Detectors)
và ống đếm nhấp nháy (như 6Li Scintillation Detectors) được sử dụng phổ
biến nhất trước đây.
+ Gần đây sử dụng loại sợi thuỷ tinh nhạy neutron (như Neutron Sensitive
Scintillating Glass Fiber (PUMA) Detectors).
+ Hay loại khuếch đại hàn kín (Sealed Image Intensified Neutron Detectors).
+ Các loại detector nhiều dây (Multi-wire Detectors), …
Hình ảnh một Detector tỷ lệ kiểu ống đếm khí nhấp nháy
NATuan-ITIMS-2007
- Detector ghi nhận tia neutron tán xạ/nhiễu xạ:
Một kiểu detector Neutron của NOVA có độ nhạy cao sử dụng nhiều tấm vi kênh
MCP (microchannel Plate) gắn chặt vào một kết cấu và được hút chân không sơ
cấp, tương tự như kiểu thiết bị nhìn ban đêm của quân đội.
Mỗi tấm MCP đơn có độ KĐ ~ 1000x đối với mỗi neutron được bắt (nghĩa là mỗi
neutron được ghi nhận tạo ra một xung trong 1 nanogiây tương ứng với khoảng
~1000 electrons.
NATuan-ITIMS-2007
Nguyên lý hoạt động của detector nhấp nháy
n + 6 Li → 4
He + 3 H + 4.79 MeV
NATuan-ITIMS-2007
Một số vật liệu nhấp nháy dùng trong các detector Neutron
Density of Scintillation Photon Photons

6Li atoms efficiency wavelength per neutron
Material
(cm-3) (nm)
Li glass (Ce) 1.75×1022 0.45 % 395 nm ~ 7,000
LiI (Eu) 1.83×1022 2.8 % 470 ~ 51,000
ZnS (Ag) - LiF 1.18×1022 9.2 % 450 ~ 160,000
NATuan-ITIMS-2007
Nguyên lý hoạt động của các detector Neutron bán dẫn
n + 6 Li → 4
He + 3 H + 4.79 MeV
NATuan-ITIMS-2007
Ống đếm tỷ lệ nhiều sợi (Multi-Wire Proportional Counter)
• Một dãy các detector rời rạc
• Từ nhiều detector sợi đơn được bỏ đi lớp vỏ bọc và sắp đặt cạnh nhau để tạo
thành đetector ống đếm tỷ lệ nhiều sợi.
NATuan-ITIMS-2007
Giải mã điện trở của detector nhiều sợi
NATuan-ITIMS-2007
Bộ đếm kiểu khí vi dải (Micro-Strip Gas Counter)
NATuan-ITIMS-2007
Thực nghiệm tán xạ neutron đàn hồi bởi vật liệu
Tương tác của neutron với vật liệu
Nguyên lý đo của các

phép nhiễu xạ
Neutron cũng được
dựa trên phương trình
Bragg: 2d·sin(θ)=λ.
NATuan-ITIMS-2007
Thực nghiệm tán xạ neutron không đàn hồi bởi vật liệu
NATuan-ITIMS-2007
Phổ kế 3 trục để ghi/đo tán xạ neutron không đàn hồi
NATuan-ITIMS-2007
Results from quantitative phase

analysis using neutron diffraction
(Movie)
NATuan-ITIMS-2007
Một số kiểu nhiễu xạ kế neutron
• HRPT
Thermal, High Resolution Powder Diffractometer
• DMC
Cold, High Intensity Powder Diffractometer
• TriCS
Thermal Single Crystal Diffractometer
• POLDI
Thermal, Time-of-Flight Strain Scanner
NATuan-ITIMS-2007
HRPT
Nhiễu xạ kế bột phân giải cao sử dụng Neutron nhiệt
(High Resolution Powder Diffractometer for thermal neutron)
HRPT features
¾Thermal neutrons (0.9-2.5) Å
¾2θ<165oÆhigh Q ≤ 13 Å-1
¾High resolution δd/d =10-3
¾1600-3He detectors (70%
efficiency @1.5Å) with angular
separation 0.1o
¾Flexible wavelength,
resolution/intensity
λ=1.9Å, 12’/24’
10mm, Na2Al12Ca3F14
NATuan-ITIMS-2007
DMC
Nhiễu xạ kế bột sử dụng neutron lạnh
(Cold Neutron Powder Diffractometer) detector
radial collimation
sample
sample table
collimation
monochromator shielding
neutron guide
monochromator
NATuan-ITIMS-2007
TriCS
Nhiễu xạ kế đơn tinh thể Monochromator:
(Single Crystal Diffractometer)
tanzboden (granite)
cradle
polygon
de
(1.5 - 380K)
te
monitor
ct
shutter
or
secondary
1
collimators
cooled N 2-filter collimation
neutron shutter
filter primary collimation (fail safe)
beam reduction
3
horizontal collimation r
c to
te
high energy shutter de
borpoly-
ethylen
iron
polyethylen
primary beam stop
monochromator
(Ge311 , C002)
H 2O - scatterer
three 2D detectors,1 single detector
NATuan-ITIMS-2007
Mặt mạnh và yếu của nhiễu xạ X-ray và
neutron là hiển nhiên khi biên độ tán xạ
neutron và X-ray có thể được so sánh:
chỉ trong bảng 15.1 sự biến đổi của tiết
diện liên kết (coherent cross section)
hoặc chiều dài tán xạ của neutron với Z
không monotonic và nhỏ hơn biến đổi
tương ứng của f. do đó ta có thể thấy
hydrogen hoặc deuterium với neutron.
Hydrogen có thuận lợi đó là: chiều dài tán
xạ là âm; nó cho hằng số lớn hơn các
nguyên tử khác. Nó có những bất lợi là
tiết diện không liên kết , nó làm tăng
undersirable nền rất lớn.
Comparison of radiation probes

NATuan-ITIMS-2007
Superior results from quantitative phase analysis using neutron diffraction

NATuan-ITIMS-2007
Phổ kế neutron góc nhỏ
NATuan-ITIMS-2007
Phổ kế neutron phân cực
NATuan-ITIMS-2007
So sánh 3 kỹ thuật nhiễu xạ
NATuan-ITIMS-2007
Crystal Structure
NATuan-ITIMS-2007

Ch2 Cac Phuong Phap Nhieu Xa PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ch2 Cac Phuong Phap Nhieu Xa PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

HANOI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

INTERNATIONAL TRAINING INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE

CÁC PHƯƠNG PHÁP VẬT LÝ

Dr. NGUYEN ANH TUAN

2.1. Cơ sở của nhiễu xạ - Lý thuyết tổng quát

MỞ ĐẦU: Giới thiệu về hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng

- Nguyên lý Huygens: Mỗi điểm mà sóng truyền tới trở thành

Mặt sóng ở thời gian t + ∆t

Mặt sóng ở thời gian t

Các tâm phát sóng thứ cấp

Sự nhiễu xạ và khúc xạ của sóng

Sự khúc xạ sóng hiểu theo nguyên lý

Sự nhiễu xạ sóng hiểu theo nguyên lý

- Hình ảnh về sóng phẳng và sóng cầu:

Sóng phẳng Sóng cầu

Sóng dọc và sóng ngang

Bản chất sóng điện từ của ánh sáng

Minh hoạ về sự lan truyền sóng điện từ (phim)

Sự tán xạ và giao thoa của sóng

Nhiễu xạ qua 3 khe Nhiễu xạ qua 4 khe

Nhiễu xạ qua 5 khe

So sánh cường độ các cực đại nhiễu xạ theo số khe

Cường độ các vết

Thí nhiệm nhiễu xạ

Các giản đồ nhiễu

Các giản đồ nhiễu

- Nếu sóng điện từ có dạng điều hoà biểu

Sự tán xạ của sóng trên các vật liệu

Nhiễu xạ = tán xạ + giao thoa

Ảnh các vành nhiễu xạ của tia X trên đa tinh thể.

trật tự trong "hộp đen".

Ö không xuất hiện các cực đại nhiễu xạ.

- Sóng tới: λ, vectơ lan truyền đơn vị: ŝo

1- Các chuỗi Fourier

e iax − e − iax e ibx − e − ibx

1- Các chuỗi Fourier

Các tính chất toán học sử dụng trong lý thuyết nhiễu xạ

2- Phép biến đổi Fourier

Các tính chất toán học sử dụng trong lý thuyết nhiễu xạ

∫e ∫ cos[ 2π ( q − q ' ) x ]dx + i ∫ sin[ 2π ( q − q ' ) x ]dx

Tính chất của hàm δ

1. Trường hợp hàm f(x) liên tục

2. Các tích phân: Nếu

3. Sự dịch vị (theo phương trình (1)):

4. Lấy tích số:

5. Tích phân của hàm δ:

2.1. Cơ sở của nhiễu xạ

1895: tia X được W.C. Röntgen

Wilhelm Conrad Röntgen

Bức ảnh tia X đầu tiên được ghi nhận

Max vol Laue William Henry Bragg William Lawrence Bragg

Tia X cứng: ~ 10-1 - 10-3 nm

* Tần số: f ~ 1016 - 1020 Hz

Phương trình sóng điện từ:

Nghiệm của phương trình sóng điện từ phẳng:

(6.624 x 10-27 erg-sec) x (2.998 x 1010 cm/sec) 12400

1) Cường độ I biến đổi liên tục theo λ.

Ö Như vậy bức xạ đặc trưng xuất

số Z: √ν = C(Z - σ) (σ là hệ số chắn) Eq = eVq ∝ (Zσ)2 (Vq là thế cực tiểu).

Moseley's Law for several x-ray

Năng suất huỳnh quang tia X, w, đối với các

- Một số vật liệu có huỳnh quang

Zr 0.070173 0.068993 0.078593 0.079015 E(Kα1) = EK - EL(III)