Professional Documents
Culture Documents
8: 1452-1463 Tạp chí Khoa học và Phát triển 2015, tập 13, số 8: 1452-1463
www.vnua.edu.vn
SO SÁNH HAI THUẬT TOÁN INC VÀ P&O TRONG ĐIỀU KHIỂN BÁM ĐIỂM CÔNG SUẤT
CỰC ĐẠI CỦA HỆ THỐNG PIN MẶT TRỜI CẤP ĐIỆN ĐỘC LẬP
Nguyễn Viết Ngư1*, Lê Thị Minh Tâm1, Trần Thị Thường1, Nguyễn Xuân Trường2
1
Khoa Điện - Điện tử, Trường Đại học Sư phạm kỹ thuật Hưng Yên
2
Khoa Cơ - Điện, Học viện Nông nghiệp Việt Nam
Email*: ngunguyenviet77@gmail.com
TÓM TẮT
Năng lượng mặt trời là nguồn năng lượng sạch, hoàn toàn miễn phí và không gây ô nhiễm môi trường. Việc
nghiên cứu hệ thống điện mặt trời có ý nghĩa rất quan trọng, góp phần khai thác triệt để nguồn năng lượng tự nhiên
trong khi các nguồn năng lượng truyền thống đang ngày càng cạn kiệt. Điều khiển bám điểm công suất cực đại dàn
pin điện mặt trời (MPPT) được coi là một phần không thể thiếu trong hệ thống điện mặt trời, được áp dụng để nâng
cao hiệu quả sử dụng của dàn pin điện mặt trời. Bài báo giới thiệu và so sánh hai thuật toán điện dẫn gia tăng (INC)
và nhiễu loạn và quan sát (P&O) sử dụng để thực hiện điều khiển bám điểm công suất cực đại của dàn pin điện mặt
trời. Kết quả mô phỏng cho thấy, thuật toán INC có hiệu quả tốt hơn so với thuật toán P&O.
Từ khóa: Bám điểm công suất cực đại (MPPT), pin điện mặt trời (PV), thuật toán điện dẫn gia tăng (INC), thuật
toán nhiễu loạn và quan sát (P&O).
ABSTRACT
Solar energy is clean and free of cost and does not pollute the environment. The research of solar energy
systems plays a very important role that contributes to fully exploit the natural energy resources while traditional
energy sources become scare. Maximum Power Point Tracker (MPPT) control for Solar panels considered as an
indispensable part of the solar power system is applied in order to improve the efficiency of solar panels. This paper
described and compaired Perturb and Observer (P&O) and Incremental Conductance (INC) algorithms that were
used to implement for Maximum Power Point control of Solar panels. Simulation results showed that INC algorithm
had a better effect than P&O algorithm did.
Keywords: Incremental Conductance algorithm (INC), Maximum Power Point Tracking (MPPT); Perturb and
Observer algorithm (P&O); Photovoltaics (PV).
1452
Nguyễn Viết Ngư, Lê Thị Minh Tâm, Trần Thị Thường, Nguyễn Xuân Trường
Hình 1. Đặc tính làm việc I-V của PV và của tải (có thể thay đổi giá trị)
Từ đặc tính I -V cho thấy có một điểm gọi 2. MÔ TẢ TOÁN HỌC PIN MẶT TRỜI
là điểm công suất cực đại (MPP-maximum
Pin PV có mạch điện tương đương như một
power point), là điểm mà khi hệ thống hoạt
diode mắc song song với một nguồn điện quang
động tại điểm đó thì công suất ra của PV là lớn
sinh. Ở cường độ ánh sáng ổn định, pin PV có
nhất. Các yếu tố về thời tiết ảnh hưởng rất lớn
tới hoạt động của PV. Trong đó, nhiệt độ và một trạng thái làm việc nhất định, dòng điện
cường độ bức xạ mặt trời là những yếu tố tiêu quang sinh không thay đổi theo trạng thái làm
biểu ảnh hưởng mạnh nhất tới đặc tính I-V dẫn việc. Do đó, trong mạch điện tương đương có thể
tới sự thay đổi vị trí MPP của PV. xem như là một nguồn dòng ổn định Iph. Trên
thực tế, trong quá trình chế tạo pin PV, do tiếp
Trong hầu hết các ứng dụng người ta mong
muốn tối ưu hóa dòng công suất ra từ PV tới tải. xúc điện cực mặt trước và sau, cũng có thể do
Để làm được điều đó đòi hỏi điểm hoạt động của bản thân vật liệu có một điện trở suất nhất
hệ thống phải được thiết lập tại điểm MPP. Có định. Vì vậy trong mạch điện tương đương cần
nhiều thuật toán được nghiên cứu và ứng dụng phải mắc thêm vào một điện trở nối tiếp Rs và
trong thực tế. Bài báo này giới thiệu hai thuật một điện trở song song Rsh với tải RL. Như vậy,
toán P&O và INC; xây dựng thuật toán, mô mạch điện tương đương của pin PV được thể
phỏng và so sánh hai thuật toán trong điều hiện trên hình 2 (Zainudin, 2010; Nguyen Viet
khiển bám điểm công suất cực đại của dàn PV. Ngu, 2011; Sharma, 2014).
1453
So sánh hai thuật toán INC và P&O trong điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin mặt trời cấp điện
độc lập
Hình 3. Mô hình mô phỏng dàn PV khi nhiệt độ, cường độ bức xạ thay đổi
4
o
T = 25 C
2
S = 1000W/m
3
Ipv = 2.2(A)
2 Vpv = 19(V)
S = 800W/m
D ong dien (A)
2.2
2 Ipv = 1.65(A)
S = 600W/m
Vpv = 18.7(V)
1.65
2
S = 400W/m
1.1
2 Ipv = 1.1(A)
S = 200W/m
Vpv = 18(V)
0
0 5 10 15 20.0 25.0 30
Dien ap (V)
1454
Nguyễn Viết Ngư, Lê Thị Minh Tâm, Trần Thị Thường, Nguyễn Xuân Trường
70
T=25oC
60
50 S=1000W/m2
C o n g s u a t (W )
40
S=800W/m2
30
S=600W/m2
20
S=400W/m2
10
S=200W/m2
0
0 5 10 15 20 25 30
Dien ap (V)
b) Đường cong quan hệ P-V của PV
70
T=25oC
P3max
C o n g s u a t (W )
42.5
S=1000W/m2
P2max
31.2
P1max S=800W/m2
20
S=600W/m2
S=400W/m2
S=200W/m2
0
0 1.1 1.65 2.2 4
Dong dien (A)
c) Đường cong quan hệ P-I của PV
Hình 4. Đặc tính tương quan của PV khi bức xạ mặt trời thay đổi
4
S=1000W/m2
3.5
3
D o n g d ie n (A )
2.5
1.5 T=100oC
T=75oC
1 T=50oC
T=25oC
0.5
T=0oC
0
0 5 10 15 20 25 30
Dien ap (V)
a) Đường cong quan hệ I-V của PV
1455
So sánh hai thuật toán INC và P&O trong điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin mặt trời cấp điện
độc lập
70
P1max
S=1000W/m2
P2max
54.5
50
C o n g su a t (W )
45
P3max
T=100oC
T=75oC
T=50oC
T=25oC
T=0oC
0
0 16 1819.5 30
Dien ap (V)
b) Đường cong quan hệ P-V của PV
70
P1max S=1000W/m2
P2max
54.5 P3max
50
C o n g s u a t (W )
45
T=100oC
T=75oC
T=50oC
T=25oC
T=0oC
0
0 2.8 4
Dong dien (A)
Hình 5. Đặc tính tương quan của PV khi nhiệt độ thay đổi
Như vậy, vị trí của điểm MPP trên đường 3.1. Thuật toán nhiễu loạn và quan sát
đặc tính là không biết trước và nó luôn thay đổi P&O
phụ thuộc vào điều kiện bức xạ và nhiệt độ. Do Trong thuật toán này điện áp hoạt động
đó, cần có một thuật toán để theo dõi điểm
của pin mặt trời (PMT) bị nhiễu bởi một gia số
MPP, thuật toán này chính là trái tim của bộ
nhỏ ΔV và kết quả làm thay đổi công suất, ΔP
điều khiển MPPT.
được quan sát (Sivagamasundari, 2013;
3. CÁC THUẬT TOÁN ĐIỀU KHIỂN MPPT Chaudhari, 2005).
Cấu trúc của hệ thống MPPT điều khiển Hình 7 mô tả nguyên lý hoạt động của
theo điện áp tham chiếu được trình bày như thuật toán P&O, từ đó có thể suy ra cách thức
hình 6. hoạt động của thuật toán như sau:
1456
Nguyễn Viết Ngư, Lê Thị Minh Tâm, Trần Thị Thường, Nguyễn Xuân Trường
- Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di - Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di
chuyển theo hướng 1 (ΔP < 0 và ΔV < 0) thì cần chuyển theo hướng 3 (ΔP > 0 và ΔV < 0) thì cần
tăng điện áp hoạt động lên để di chuyển điểm giảm điện áp hoạt động để di chuyển điểm hoạt
hoạt động tới điểm MPP. động tới điểm MPP.
- Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di - Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di
chuyển theo hướng 2 (ΔP > 0 và ΔV > 0) thì cần chuyển theo hướng 4 (ΔP < 0 và ΔV > 0) thì cần
tăng điện áp hoạt động lên để di chuyển điểm giảm điện áp hoạt động để di chuyển điểm hoạt
hoạt động tới điểm MPP. động tới điểm MPP.
70
60
Vi tri MPP
50
C o n g su a t (W )
40
30 2
3
1
20
4
10
Tang Vref Giam Vref
0
0 5 10 15 20 25 30
Dien ap (V)
1457
So sánh hai thuật toán INC và P&O trong điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin mặt trời cấp điện
độc lập
Hình 8. Lưu đồ thuật toán P&O điều khiển thông qua điện áp tham chiếu Vref
Giải thích thuật toán: - Độ dốc dương ở bên trái điểm MPP.
Bộ điều khiển MPPT sẽ đo các giá trị dòng - Độ dốc âm ở bên phải điểm MPP.
điện I và điện áp V, sau đó tính toán độ sai lệch Đặc tính P-V và thuật toán INC được minh
∆P, ∆V và kiểm tra:
hoạ trên hình 9.
- Nếu ∆P. ∆V > 0 thì tăng giá trị điện áp
tham chiếu Vref. dP/dV = 0, tại MPP
- Nếu ∆P. ∆V < 0 thì giảm giá trị điện áp dP/dV > 0, ở bên trái MPP
tham chiếu Vref. dP/dV < 0, ở bên phải MPP
Sau đó cập nhật các giá trị mới thay cho giá Vì:
trị trước đó của V, P và tiến hành đo các thông
dP / dV d(IV) / dV I V(dI / dV)
số I, V cho chu kỳ làm việc tiếp theo.
I V(I / V)
3.2. Thuật toán điện dẫn gia tăng INC
nên ta có thể viết lại là
Thuật toán INC dựa trên thực tế như sau:
∆ /∆ = -I/V, tại MPP
- Độ dốc của đường cong công suất bằng
không tại điểm MPP (Chaudhari, 2005; ∆ /∆ > -I/V, ở bên trái MPP
Akihiro.Oi, 2005; Reisi, 2013; Hohm, 2003). ∆ /∆ < -I/V, ở bên phải MPP
1458
Nguyễn Viết Ngư, Lê Thị Minh Tâm, Trần Thị Thường, Nguyễn Xuân Trường
70
60
Vi tri MPP
50
C ong suat (W ) 40
30 dP/dV>0 dP/dV=0
dP/dV<0
20
10
Tang Vref Giam Vref
0
0 5 10 15 20 25 30
Dien ap (V)
Lưu đồ thuật toán hình 10 giải thích sự - Nếu điểm hoạt động nằm phía bên trái
hoạt động của thuật toán INC điều khiển theo điểm MPP thì chúng ta phải di chuyển nó
điện áp tham chiếu. Các giá trị dòng điện và sang bên phải bằng cách tăng điện áp của
điện áp của PV được đo và sau đó sử dụng các PMT.
giá trị tức thời và giá trị trước đó để tính toán - Nếu điểm hoạt động nằm bên phải điểm
các giá trị gia tăng của ∆I và ∆V. Thuật toán sẽ MPP thì chúng ta lại phải di chuyển nó sang
kiểm tra điều kiện của phương trình ở hình 10. bên trái tức là phải giảm điện áp PMT.
Hình 10. Lưu đồ thuật toán INC điều khiển thông qua điện áp tham chiếu Vref
1459
So sánh hai thuật toán INC và P&O trong điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin mặt trời cấp điện
độc lập
1460
Nguyễn Viết Ngư, Lê Thị Minh Tâm, Trần Thị Thường, Nguyễn Xuân Trường
3 3
o o
T = 25 C T = 25 C
2
Ipv tai P2max S = 800W/m Ipv tai P2max
S = 800W/m2
1.65 1.65
2
S = 400W/m S = 400W/m
2
0 0
0 0.25 0.5 0.75 0 0.25 0.5 0.75
Thoi gian (s) Thoi gian (s)
Hình 12. Dòng điện dàn pin khi cường độ Hình 13. Dòng điện dàn pin khi cường độ
bức xạ thay đổi (với thuật toán INC) bức xạ thay đổi (với thuật toán P&O)
25 25
o o
T = 25 C T = 25 C
Vpv tai P1max Vpv tai P2max Vpv tai P3max Vpv tai P1max Vpv tai P2max Vpv tai P3max
20 20
2 2
S = 600W/m S = 800W/m 2 2
Dien ap (V)
15 2 15 S = 800W/m
Dien ap (V)
2 S = 600W/m
S = 400W/m S = 400W/m
10 10
5 5
0 0
0 0.25 0.5 0.75 0 0.25 0.5 0.75
Thoi gian (s) Thoi gian (s)
Hình 14. Điện áp dàn pin khi cường độ Hình 15. Điện áp dàn pin khi cường độ
bức xạ thay đổi (với thuật toán INC) bức xạ thay đổi (với thuật toán P&O)
60 60
o o
T = 25 C T = 25 C
P3max P3max
42.5 42.5
Cong suat (W)
Cong suat (W)
2 2
P2max S = 800W/m P2max S = 800W/m
31.2 31.2
P1max 2 P1max 2
S = 600W/m S = 600W/m
20 20
2 2
S = 400W/m S = 400W/m
0 0
0 0.25 0.5 0.75 0 0.25 0.5 0.75
Thoi gian (s) Thoi gian (s)
Hình 16. Công suất dàn pin khi cường độ Hình 17. Công suât dàn pin khi cường độ
bức xạ thay đổi (với thuật toán INC) bức xạ thay đổi (với thuật toán P&O)
1461
So sánh hai thuật toán INC và P&O trong điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ thống pin mặt trời cấp điện
độc lập
3.5 3.5
S = 1000W/m2 S = 1000W/m2
Ipv tai P1max Ipv tai P2max Ipv tai P3max Ipv tai P1max Ipv tai P2max Ipv tai P3max
2.8 2.8
Dong dien (A)
0 0
0 0.25 0.5 0.75 0 0.25 0.5 0.75
Thoi gian (s) Thoi gian (s)
Hình 18. Dòng điện dàn pin khi nhiệt độ Hình 19. Dòng điện dàn pin khi nhiệt độ
thay đổi (với thuật toán INC) thay đổi (với thuật toán P&O)
25 25
S = 1000W/m 2 S = 1000W/m2
16 16
Dien ap (V)
Dien ap (V)
T = 25oC
T = 25oC
T = 50oC T = 50oC
T = 75oC T = 75oC
0 0
0 0.25 0.5 0.75 0 0.25 0.5 0.75
Thoi gian (s) Thoi gian (s)
Hình 20. Điện áp dàn pin khi nhiệt độ Hình 21. Điện áp dàn pin khi nhiệt độ
thay đổi (với thuật toán INC) thay đổi (với thuật toán P&O)
65 65
S = 1000W/m2 S = 1000W/m2
P3max P3max
54.5 P2max 54.5 P2max
50 P3max 50 P3max
45 45
Cong suat (W)
Cong suat (W)
T = 25oC T = 25oC
T = 50oC T = 50oC
T = 75oC T = 75oC
0 0
0 0.25 0.5 0.75 0 0.25 0.5 0.75
Thoi gian (s) Thoi gian (s)
Hình 22. Công suất dàn pin khi nhiệt độ Hình 23. Công suât dàn pin khi nhiệt độ
thay đổi (với thuật toán INC) thay đổi (với thuật toán P&O)
1462
Nguyễn Viết Ngư, Lê Thị Minh Tâm, Trần Thị Thường, Nguyễn Xuân Trường
1463