Quang Khac

Quang khắc
Lê Tuấn
Đại học Bách khoa Hà Nội

Quang khắc
Mục đích:
Quang khắc là công đoạn độc lập, có vai trò quan trọng bậc nhất trong
công nghệ sản xuất các mạch vi điện tử, nhằm truyền hình ảnh tô pô lên
phiến bán dẫn, xác định các vị trí thao tác tiếp theo cho hầu hết các bước
công nghệ.
Khoảng 35 – 50 % giá thành sản xuất chip được chi phí cho các công
đoạn quang khắc.
Ánh sáng (quang)
Đá (lên khối chất)
Ghi (khắc)
2/2/2006
2
Quang khắc (tiếp)
Quang khắc được chia thành 3 giai đoạn:
Thiết kế mặt nạ
Tạo mặt nạ
Truyền ảnh từ mặt nạ
lên đế bán dẫn
Giai đoạn cuối quan trọng nhất được trình bày theo 3 phần sau:
a) Hệ thống nguồn bức xạ (quang học, UV, tia X, tia điện tử, v.v…)
b) Hệ thống truyền ảnh lên mẫu bán dẫn
c) Các chất cảm quang
Các nội dung về quang khắc sẽ được trình bày tiếp theo ba phần trên
2/2/2006 Đại học Bách khoa Hà Nội 3
A – Hệ thống nguồn bức xạ

Là hệ thống tạo ra nguồn bức xạ cần thiết và điều khiển, biến đổi bức xạ đó thích
hợp cho việc chiếu vào mẫu sản xuất.
Bức xạ được sử dụng hiện nay trong sản xuất và nghiên cứu chế tạo mạch IC có
bước sóng nằm trong vùng nhìn thấy, UV, tia X, tia điện tử.
Việc giảm kích thước đặc trưng của IC đòi hỏi phải dùng các bức xạ với bước
sóng λ ngắn hơn. Hiện tượng nhiễu xạ đóng vai trò quan trọng khi λ giảm.
Nguồn sáng thông dụng trong công nghiệp hiện nay là đèn hơi thủy ngân, với
các vạch đơn săc λg = 463 nm (g-line) và λi = 365 nm (i-line), dùng trong các
công nghệ IC với chiều dài kênh dẫn 500 và 350 nm, tương ứng.
Nguồn có cường độ mạnh nhất trong vùng phổ UV là laser màu trên cơ sở Kr
(KrF có λKr = 248 nm – cho công nghệ 0,25 µm) và Ar (ArF có λArF = 193 nm)
năng lượng
Kr + NF3 ----------------------→ KrF + photon phát xạ
Tất nhiên, phải có các hệ thống truyền ảnh lên mẫu và chất cảm quang thích hợp
với từng loại bức xạ (tức là phù hợp với từng bước sóng).
2/2/2006
4
Nguồn laser màu
Laser mầu không có tính đơn sắc cao như laser Ar

(khoảng biến thiên bước sóng ~ 1 nm so với < 0,0001 nm),
nhưng thích hợp làm nguồn sáng cho quang khắc.
Các laser màu còn được bơm bởi đèn halogen áp suất
cao nên có mật độ công suất lớn (tới 10 kW/cm2) nên dễ
làm hư hại các thấu kính và do đó, tăng độ méo của ảnh.
Giới hạn thay thấu kính là 109 xung. Người ta còn thay chất
liệu làm thấu kính từ SiO2 sang CaF2 hay MgF2, đặc biệt
cho các bức xạ laser 157 nm.
2/2/2006
Bước sóng Công suất cực Tần số

Vật liệu
(nm) đại (mJ/xung) (số xung/giây)
F2 157 40 500
ArF 193 10 2000
KrF 248 10 2000
B – Hệ thống truyền ảnh lên mẫu bán dẫn
Được phân thành 3 loại:
- In tiếp xúc trực tiếp (Contact printing): Độ nét cao, gây xước mẫu và mặt nạ
- In sát mẫu (Promixity printing): Khe hở nhỏ cách mẫu giữ mặt nạ khỏi bị xước, nhưng độ
phân giải thấp. Khó truyền được kích thước ~ µm lên đế nếu không dùng nguồn chiếu như
tia X, tia điện tử.
- In chiếu (Projection printing): Là phương pháp được áp dụng phổ biến hiện nay. Đa số các
thiết bị quang khắc có hệ thống cơ học dò bước – lặp lại hay dò bước – quét, năng suất in
truyền ảnh ~ 50 phiến/giờ và giá thành trong khoảng 5 – 10 triệu USD.
2/2/2006
6
Vật lý của quá trình chiếu sáng – Nhiễu xạ
Hàm sóng của bức xạ (ví dụ, ánh sáng phổ nhìn thấy)
động sáng.
Nguyên lý Huyghen – Fresnel:
Bất kỳ một điểm nào (trong trường hợp này, nằm trên phần
trong suốt của mặt nạ) nhận ánh sáng đều có thể trở thành
nguồn sáng thứ cấp, phát ánh sáng về phía trước nó, với
pha và biên độ giống như do ánh sáng từ nguồn sơ cấp
đưa tới.
Nếu góc mở được giới hạn W theo chiều ngang và L theo
chiều dọc, thì tại phiến, dao động sáng được coi là tổng hợp
các dao động sáng được đóng góp từ các phần tử (dx) x
(dy) của phần trong suốt trên mặt nạ:
A e − ik ( R , R ')
E ( R' ) = d⌠
i
với A – biên độ sáng trên khoảng cách đơn vị từ nguồn, Σ –
góc khối của phần trong suốt của mặt nạ (W x L) nhìn tới
nguồn. Tích của E(R’) và E*(R’) cho biết cường độ sáng I.
2/2/2006 ()
E(r, v) = Eo (r) exp i√(r)
với Eo – biên độ, Φ – pha của dao
Đại học Bách khoa Hà Nội 7
Khi W và L ∞, cường độ sáng I → Eo2 như trường hợp không có mặt nạ chắn sáng.
Khi W và L nhỏ, biên độ tổng hợp của các sóng phẳng với các pha khác nhau.
Trường hợp đơn giản nhất:
1 2 1 2
Nếu thỏa mãn điều kiện sau (r – bán kính từ tâm vùng được chiếu sáng trên mẫu tới
điểm quan sát), phương trình E(R’) được giải và ta sẽ có điều kiện nhiễu xạ Fresnel:
W 2 >>  g 2 + r 2
Nhiễu xạ Fresnel (trường gần – near field) thường được dùng trong các hệ thống
truyền ảnh bằng cách in trực tiếp hoặc in sát mẫu.
2/2/2006
[]
I=E1ei√+21i √=1+E2 o(√1−2) E 2cs2
8
Phương pháp in chiếu là phương pháp công nghê quang khắc chủ yếu hiện nay, do
có các ưu điểm sau:
Độ phân giải cao
Độ sâu tiêu điểm
Độ chính xác cao
Thị trường rộng
Hàm truyền biến điệu nguồn bức xạ chiếu
Năng suất cao
Điều kiện nhiễu xạ Fraunhofer (trường xa – far field và trên W 2 <<  g 2 + r 2

cơ sở đó: máy in ảnh theo phương pháp in chiếu)
Cường độ sáng tại bề mặt mẫu trong nhiễu xạ Fraunhofer
với Ie(0) – cường độ tới (W/cm2),
⎣ g ⎣ và:
⎣ ⎣
⎣ ⎣
Ix = Iy =
2 xW 2 xL
 g  g
2/2/2006
⎣( 2W )( 2L) ⎣2 2
I ( x, y) = Ie ( 0⎣) ⎣Ix Iy
⎣2 xW ⎣ ⎣
sin⎣ sin 2 xL ⎣
0,61 α
Rayleigh đề nghị tiêu chuẩn hợp lý để đánh giá độ phân giải là R=
n sin 〈
Theo định nghĩa, góc mở số của thấu kính là
NA ≡ n sin 〈
suy ra: R = NA = k1 NA , k1 – hệ số thực
nghiệm, có giá trị (0,6 ÷ 0,8) phụ thuộc vào hệ

quang khắc và chất cảm quang.
Để tăng độ phân giải cần giảm λ hoặc tăng NA (tức
là tăng kích thước thấu kính)
Nhưng nếu tăng NA, ta lại làm giảm mất độ sâu

tiêu điểm (Depth of Focus – DOF), với k2 – hệ số
DOF = ± 2 = k2
Nếu DOF lớn,
(vì đối với các góc θ nhỏ
ảnh vẫn nét
tuy ở các độ
cao khác nhau
) (các lớp khác
nhau)
Ví dụ: Hệ chiếu sáng với nguồn KrF2 (λ = 248 nm) và NA = 0.6, các hệ số k1 = 0,75 và k2 = 0,5, ta
có độ phân giải R ≈ 0,3 µm và DOF ≈ 0,35 µm.
0,61
t hực
2( NA) ( NA) 2
Hàm truyền biến điệu (Modulation transfer function – MTF) là một thông số khác liên
quan tới kích thước đặc trưng của IC:
I max − I min
MTF =
I max + I min
MTF cho biết khả năng truyền đạt
trung thực các hình ảnh từ mặt nạ
sang tới lớp cảm quang trên phiến
bán dẫn.
Độ nét của ảnh (độ rộng phân biệt
tương phản giữa vùng bị che khuất
và vùng lộ sáng) ảnh hưởng tới khả
năng phân biệt giữa các chi tiết,
hay, tới kích thước đặc trưng trong
thiết kế IC.
Chất lượng truyền ảnh còn kém đi
hơn nữa sau công đoạn tẩm thực
do ảnh hưởng của hiện tượng tẩm
thực ngang.

Một thông số nữa là tính kết hợp không gian của
nguồn sáng: S = s/d , s – kích thước (đường kính)
của nguồn sáng, d – đường kính của thấu kính. Do
trong thực tế các nguồn sáng không phải là nguồn
sáng điểm nên các tia sáng sau thấu kính chiếu đến
mẫu không song song với nhau (không vuông góc với
bề mặt mẫu).
Trong thực tế người ta thường tính bằng công thức:
S =
với ký hiệu condensor – thấu kính tụ,

projection – thấu kính của hệ chiếu.
Các hệ thống truyền ảnh bằng phương pháp in
chiếu hiện nay có S = 0,5 ÷ 0,7.
Quan hệ giữa MTF và S được biểu diễn:
2/2/2006
12
( NA) condensor
( NA) projection
Tổng kết so sánh cả ba phương pháp truyền ảnh:
2/2/2006
13
Các ví dụ hệ thống in ảnh:
Hệ thống in ảnh trực tiếp/sát mẫu
Nguồn sáng đèn hơi hồ quang Hg qua các gương phản xạ
ellipse (2) không cung cấp chùm sáng có độ đồng đều tốt, do
đó, cần có bộ tích hợp quang học. Một trong số đó là thấu kính
mắt ruồi (Fly’s eye lens – chi tiết 7 trên hình vẽ) – bao gồm một
thấu kính lớn bằng thủy tinh nung chảy, có gắn nhiều thấu kính
con để tạo nhiều tia sáng, và một thấu kính thứ hai để tái hợp lại
các tia sáng đó. Chùm sáng sau khi qua gương phản xạ (8)
được đưa tới thấu kính hội tụ (9) rồi tới mặt nạ (10).
Phổ đèn hơi hồ quang Hg
Hiện nay, các hệ thống in ảnh

trực tiếp/sát mẫu không còn
được sử dụng nhiều trong công
nghiệp.
Thay vào đó là các hệ thống in
ảnh bằng phương pháp chiếu.
2/2/2006
14
Các hệ thống in chiếu
Hệ thống đầu tiên do Perkin-Elmer sáng chế vào khoảng những năm 1980, độ thu nhỏ 1:1 (ký hiệu
1x). Rất khó chế tạo mặt nạ, nhất là theo đà thu nhỏ kích thước linh kiện.
Các phương pháp in chiếu:
a) Quét toàn bộ: Cả mặt nạ và đế đứng yên, chiếu

sáng toàn bộ. Cũng dùng cách này cho in ảnh trực
tiếp/sát mẫu.
b) Dò bước 1x: Mặt nạ đứng yên, đế di chuyển từng
bước theo hai phương vuông góc trong mặt phẳng
ngang. Chiếu sáng không thu nhỏ cho từng diện
tích chip.
c) Dò bước M:1 (còn gọi là dò bước và lặp lại): Cũng
tương tự như phương pháp b), chỉ khác ở chố ảnh
trên mặt nạ khi truyền tới chip được thu nhỏ đi M
lần. Phương pháp này hiện nay vẫn được sử dụng
trong các máy in chiếu.
d) Dò bước và quét: Mặt nạ được quét theo một
phương, trong khi đế di chuyển từng bước theo hai
phương vuông góc trong mặt phẳng ngang. Như vậy,
chùm sáng với kích thước nhỏ hơn cả sau khi di chuyển
từng bước trên đế (ứng với vị trí từng chip) sẽ quét theo
ảnh chip. Các máy chiếu hiện đại áp dụng phương pháp
này để in ảnh trong quang khắc.
2/2/2006
Đại học Bách khoa Hà Nội 15
Các hệ thống ngày nay có độ thu nhỏ 2x hoặc 5x, và còn được gọi là các máy dò
bước – stepper. Phương pháp in ảnh phổ biến là dò bước và quét.
Hệ thống quang học trong các máy in chiếu hiện đại

Sơ đồ quang học của máy in chiếu laser màu
2/2/2006
16
Hệ thống Canon FPA 3000i5+Stepper
Hệ thống Canon FPA-6000ES6a Scanner
Kích thước trường (26 x 33) mm lớn hơn diện tích bất cứ IC nào hiện có
Model type: i-Line (365nm) Wafer size: 200mm; 150mm

(Loại) Stepper (Kích thước phiến)
Resolution: Numerical Aperture

≤0.35µm 0.45 ~ 0.63
(Độ phân giải) (NA): (Số góc mở)
Reduction ratio: Field size:

5:1 22mm x 22mm
(Tỷ lệ thu nhỏ) (Kích thước trường)
Overlay accuracy: (Độ Throughput: ≥100wph (200mm);

≤ 40nm (M+3σ)
chính xác chồng lấn) (Năng suất) ≥120wph (150mm)
Model type: KrF (248nm) Wafer size: 300mm; 200mm

(Loại) Scanner (Kích thước phiến)
Resolution: Numerical Aperture

≤0.09µm 0.55 ~ 0.86
(Độ phân giải) (NA): (Số góc mở)
Reduction ratio: Field size:

4:1 26mm x 33mm
(Tỷ lệ thu nhỏ) (Kích thước trường)
Overlay accuracy: (Độ Throughput: ≥100wph (300mm);

≤ 8nm (M+3σ)
chính xác chồng lấn) (Năng suất) ≥170wph (200mm)
Máy in laser dò bước (Laser stepper)
2/2/2006
18
C – Chất cảm quang
Chất cảm quang (CCQ) là một polymer hữu cơ được phun lên bề mặt mẫu, sau khi sấy khô
tạo thành một lớp dày 0,5 – 1,0 µm. Dưới tác động của ánh sáng, phần lộ sáng sẽ có độ hòa
tan tăng lên trong dung môi thích hợp (cảm quang dương), hay giảm đi so với độ hòa tan của
Chất cảm quang âm (CCQA)
hoạt động theo nguyên tắc kết
nối các phân tử (polymer hóa)
dưới tác dụng của ánh sáng.
CCCA phản ứng nhạy với bức
xạ và bám dính rất tốt với đế,
nhưng có một nhược điểm cơ
bản: do polymer hóa nên các
đường và hình ảnh nói chung
bị mất độ nét. Giới hạn độ phân
giải của CCQA vào khoảng 1
µm. Vì vậy, trong công nghệ
linh kiện bán dẫn kích thước
đặc trưng nhỏ (ví dụ, sản xuất
VLSI) chủ yếu sử dụng CCQ
dương (CCQD) – độ phân giải
0,1 µm và tốt hơn.
CCQD sẽ được mô tả chi tiết
ở các bản trình bày ngay sau:
phần không được chiếu sáng (cảm quang âm).

Thành phần của CCQ dương (cả g-line – λ = 436 nm – và i-line – λ = 365 nm) bao
gồm:
Cao su thụ động: là phần tử liên kết, có chức năng giúp màng cảm quang bám chặt vào đế.
Hợp chất quang hoạt (Photoactive compound – PAC): dưới tác động của bức xạ thay đổi tính
chất (độ hòa tan). Tỷ lệ với nền cao su trong màng khô là 1:1.
Dung môi: tạo độ nhớt cần thiết, vừa đủ để phủ lên khắp bề mặt của mẫu một lớp đồng đều
CCQ bằng phương pháp quay li tâm. Sẽ bốc hơi hết khi quay khô và sấy.
CCQ Diazonaphthoquinone (DNQ)
Cao su nền là novolac, một polymer chuỗi dài
có chứa các vòng hydrocarbon thơm có gắn
hai nhóm methyl và một nhóm OH.
PAC trong DNQ thường là diazoquinones, phần quang hoạt
nằm phía trên liên kết SO2. Diazoquinones không hòa tan trong
các dung môi bình thường, tốc độ hòa tan của phần không chiếu
sáng chỉ 1 – 2 nm/s. Phần phía dưới liên kết SO2 chỉ đóng vai trò
thứ yếu và trong các hình vẽ sau được thay bằng ký hiệu R. Phân
tử N2 liên kết yếu với mạch vòng và dễ bị bứt ra dưới tác động UV,
để lại nút C có tính hoạt hóa cao. Nguyên tử C này bứt khỏi mạch
vòng và liên kết đồng hóa trị với nguyên tử O – động thái này được
gọi là sự sắp xếp lại Wolf (Wolf rearrangement) – tạo thành keten.
Trong môi trường nước, việc nối thêm nhóm OH tạo ra sản phẩm cuối cùng là axit carbosilic.
Axit này dễ tan trong thuốc hiện là dung dịch loãng KOH hay NaOH.
2/2/2006
20
Sau khi bị chiếu sáng, PAC trong DNQ bị chuyển hóa thành axit carbosilic hòa
tan trong thuốc hiện (có tính kiềm) – mô tả ở hình trước.
+ UV
Carbosilic acid Keten
2/2/2006
21
CCQ phù hợp với bức xạ vùng cực tím sâu (Deep UV – DUV):
Các CCQ g-line và i-line có hiệu suất lượng tử (số phân tử N2 trong ví dụ với DNQ được giải
phóng trên mỗi photon ánh sáng tác động vào) cực đại < 1 (thường chỉ ~ 0,3), cho nên cần có
khuếch đại hóa học để cải thiện tình hình.
Tất cả các CCQ DUV đều áp dụng cơ chế trên nhờ sử dụng chất xúc tác để tăng độ nhạy.
Chất sinh axit bởi ánh sáng (Photo-acid generator – PAG) nhờ chiếu sáng chuyển hóa thành
axit. Sau đó, trong quá trình ủ nhiệt sau chiếu sáng, phân tử axit tác dụng với phân tử “chốt
chặn” trong chuỗi polymer, làm cho chuỗi bị hòa tan trong thuốc hiện và lại giải phóng ra phân
tử axit.
2/2/2006
22
Độ tương phản:
Nếu gọi Df là liều lượng chiếu xạ (đơn vị mJ/cm2) để thực
hiện hoàn toàn tác động lên độ hòa tan của CCQ và Do là
liều chiếu xạ tương ứng với việc không có tác động lên CCQ
thì độ tương phản được định nghĩa:
1
⎟
được các giá trị tốt hơn: γ = 5 ÷ 10 ở
Df = 20 ÷ 40 mJ/cm-2.
Nếu nhìn hình đồ thị bên, ta thấy khu vực
ảnh phân biệt rõ mức độ tương phản (vùng
với D > Df được gọi là areal image; và vùng
D < Df). Vùng màu xám là vùng được chiếu
sáng không hoàn toàn, liên quan tới độ nét
của các góc cạnh lớp cảm quang.
Hàm truyền biến điệu tới hạn (Critical

Modulation Transfer Function – CMTF) được
xác định cho CCQ, tương tự như cho các hệ quang học: 1

Giá trị điển hình của CMTF khoảng 0,4 cho các CCQ g-line D f − Do
và i-line. Các CCQ DUV có khuếch đại hóa học đạt được CMTFCCQ = = 1
D f + Do
CMTF = 0,1 ÷ 0,2. 10  +1
CMTF càng nhỏ càng tốt, vì CMTF < MTF để phân giải tốt
areal image.
Thông thường, các CCQ g-line và

i -đạt đ lợci á ưnị γ t ÷g=re ại 3 t i 2 ⎟ ⎟Df
Df = 100 mJ/cm-2, còn CCQ DUV đạt
lo g1 0 ⎟ ⎟
⎣ Do ⎟ ⎟
10 − 1
D – Các bước công nghệ chung của quang khắc (quang học)
Làm sạch v à khô bề mặt mẫu
Sấy sơ bộ (100 ºC, 10 phút)

Phủ lớp tăng cường độ bám sau chiếu sáng (☺)
dính (☺)
Hiện ảnh trong thuốc hiện
Phủ lớp cảm quang (~0,5µm) (nhiệt độ phòng, 30 – 60 giây)
bằng quay ly tâm (3000 - 6000
vòng/phút)
Sấy sau khi hiện ảnh (100 –
140 ºC, 10 – 30 phút) (☺)
Sấy sơ bộ (90 – 100 ºC, 10 –
30 phút)
Ổn định ảnh đã tạo thành (☺)
So trùng mặt nạ và Chiếu

sáng (~ 150 mJ.cm-2) toàn bộ
bề mặt mẫu, hay dò bước – Công đoạn công nghệ tiếp
quét từng diện tích chip. theo
Minh họa công đoạn quang khắc quang học
Hai mô đun này tạo nên thiết bị quang khắc.
2/2/2006
25
Hộp chứa các phiến Si được nạp vào mô đun thứ nhất. Một phiến đế Si được
chọn ra để thực hiện quang khắc.
2/2/2006
26
Chất cảm quang CCQ (Photoresist) dạng lỏng được phủ trên phiến bán dẫn đang
quay bởi máy quay ly tâm. Lực quán tính ly tâm khiến chất cảm quang được dàn
đều trên phiến.
2/2/2006
27
CCQ được làm khô trong lò hồng ngoại để loại trừ dung môi. Phiến bán dẫn có phủ lớp cảm
quang đã khô được đưa sang phần máy chiếu sáng.
2/2/2006
28
Trong phần máy chiếu sáng, ảnh được truyền từ tấm mặt nạ sang lớp CCQ phủ
trên bề mặt phiến bán dẫn. Để truyền ảnh trung thực, cần dùng bức xạ cực tím
bước sóng rất ngắn.
2/2/2006
29
Bức xạ UV đi qua phần che của mặt nạ tạo ảnh được gọi là phần chữ thập
(reticle).

Ảnh được chiếu đã bị thu nhỏ bởi hệ thống cột các thấu kính. Khi
áng sáng UV tới được lớp cảm quang, phần CCQ được chiếu
sáng trở thành không hòa tan trong dung dịch hóa học.
2/2/2006
31
Toàn bộ diện tích phiến đế bán dẫn được chiếu sáng bằng cách lần lượt dò bước
ảnh theo các hàng trên bề mặt phiến đế.
2/2/2006
32
Sau đó, phiến đế bán dẫn được đưa ra khỏi phần máy chiếu sáng.
2/2/2006
33
Các diện tích không được ánh sáng UV chiếu tới được tẩy bỏ trong dung dịch thuốc
hiện. Mỗi một khu vực hình ảnh đã được chiếu sáng và định hình trong thuốc hiện sẽ
trở thành một mạch IC riêng rẽ.
2/2/2006
34
Các lỗi quang khắc do phương pháp (nhắc lại)
1. Do giới hạn độ phân giải và MTF – Bản chất do hiện tượng nhiễu xạ
2/2/2006
35
Độ phân giải càng
nhỏ càng tốt → suy
ra
góc mở số NA càng
lớn càng tốt (*)
2/2/2006
36
Minh họa hai trường hợp δ đủ lớn (bên trái) và quá nhỏ (bên phải)
Độ sâu tiêu điểm DOF δ càng lớn Phải dung hòa giữa các
càng tốt → suy ra góc mở số NA yêu cầu (*) và (**) đối với
càng nhỏ càng tốt (**) NA
MTF phụ thuộc vào giá trị của kích thước đặc trưng
MTF càng tốt khi kích thước đặc

trưng giảm giá trị
2/2/2006
38
Ảnh hưởng của chất cảm quang (CCQ) thông qua giá trị MTF
của CCQ phụ thuộc vào chiều dày lớp CCQ:
CMTF của CCQ phải nhỏ hơn MTF của hệ quang học
Ảnh hưởng của tính kết hợp S của nguồn sáng (do nguồn sáng
có kích thước dài, không phải nguồn điểm) phụ thuộc vào giá trị
kích thước đặc trưng
2/2/2006
39
Các lỗi quang khắc so không trùng mốc dấu các mặt nạ
1. Do sai khác hệ số dãn nở nhiệt của vật liệu bán dẫn và mặt nạ
R = r( ∆Tm ⋅ 〈 m − ∆TS i ⋅ 〈 S i )
R – độ sai lệch khi so trùng các mặt nạ
r – bán kính phiến đế bán dẫn
ΔTm , ΔTSi – chênh lệch nhiệt độ của mặt nạ và đế
αm , αSi – hệ số dãn nở nhiệt của vật liệu mặt nạ và của đế bán dẫn
2. Do bị xê dịch
Hướng bị dịch chuyển
Ảnh của lần quang khắc đang thực hiện
Mốc đánh dấu của mặt nạ quang khắc

lần trước
Sai số tổng cộng σtotal của tất
Hai lỗi thường gặp: cả các lần quang khắc thứ i
phải nhỏ hơn sai số thiết kế
ảnh tôpô của mạch IC
3. Do lệch góc quay

Các phương pháp quang khắc hiện đại:

1. Chùm tia điện tử
2. Tia X
3. Bức xạ cực cực tím (Extreme UV - EUV)
4. Ướt (Nhúng trong chất lỏng chiết suất n > 1).
2/2/2006
41
In chiếu bằng chùm tia điện tử
SCALPEL được viết tắt từ tên gọi Scattering with Angular Limitation Projection
Electron beam Lithography (Quang khắc bằng chùm tia điện tử chiếu tán xạ với góc
giới hạn) là một phương pháp công nghệ mới tạo ra các chi tiết cực kỳ nhỏ trong mạch
IC. Điện tử được chiếu thông qua các “mặt nạ” – được tạo ra nhờ các “thấu kính” điện
từ” – và truyền hình ảnh của mặt nạ lên đế bán dẫn.
2/2/2006
42
Nguyên tắc hoạt động của thiết bị quang khắc bằng chùm tia điện tử
Bước sóng λ chùm tia điện tử được

Súng điện tử tính thông qua điện thế tăng tốc V:
Máy phát Cuộn dây so trùng khớp

hình ảnh
Máy phát Thấu kính hội tụ thứ nhất
hình ảnh Các tấm chắn
Điều khiển Nhưng cường độ chùm tia điện tử
bằng máy
phải đạt cỡ hàng chục mA mới đảm
tính
Thấu kính hội tụ thứ hai bảo được năng suất khoảng hơn
10 phiến đế mỗi giờ (tất cả các kiểu
Hạn chế góc mở chiếu véc tơ hay dò bước-quét) →
Cần có công suất rất lớn!
Các cuộn dây, thấu kính
hội tụ cuối cùng
Lớp cảm quang
Độ phân giải lý thuyết (chùm tia) < 1 nm,
độ phân giải do các điện tử thứ cấp ~ vài nm
Các kết quả tốt nhất hiện nay:
với cảm quang hữu cơ PMMA: ~ 7 nm
với cảm quang vô cơ (như AlF3): ~ 1 – 2 nm
12,3 Ví dụ: λ = 0,07 Å
NA = 0,002 ÷ 0,005
Phiến đế bán dẫn

Giá đỡ
Thiết bị quang khắc tia X
Dùng nguồn bức xạ synchrotron, các
điện tử được gia tốc và chuyển động
vòng nhờ các nam châm định hướng
trước khi có đủ năng lượng đến va đập
vào các đối âm cực, làm phát xạ tia X
bước sóng λ ~ 10 Å .
Các máy in quang khắc kiểu dò bước
được dùng đồng thời, với các chùm tia X
khác nhau cùng phát ra từ nguồn bức xạ
synchrotron.
Đối với các máy in dùng mặt nạ sát
mẫu với khoảng cách g nhỏ, độ phân
giải phụ thuộc lm ~ (λg)1/2.
Sơ đồ đường truyền bức xạ X trong
các máy in quang khắc chiếu kiểu dò
bước – quét được mô tả ở trang sau.
2/2/2006
44
2/2/2006
45
Ảnh trên lớp cảm quang được tạo thành do quang khắc EUV
2/2/2006
46
Quang khắc ướt bằng cách nhúng trong chất lỏng chiết suất n > 1
Ưu điểm:
2/2/2006
Hệ quang học
Thu hồi chiếu Nguồn
chất lỏng chất lỏng
Giá đỡ đế
Chất lỏng Phiến đế

Chiều qué t ảnh
n>1 bán dẫn
- Độ phân kích thước
đặc trưng của quang
giải tăng tỷ lệ khắc khô.
theo chiết
suất n của
chất lỏng. Ví
dụ, nếu
dùng nước
có n = 1,44 47
đối với
bước sóng λ
= 193 nm, độ
phân
giải tăng từ
90 nm đến 64
nm.
- Độ sâu tiêu
điểm DOF
tăng lên ở
các kích
thước đặc
trưng lớn
hơn,
ngay cả so
đối với các
Sơ đồ hệ thống quang khắc ướt
Bộ phận các
thấu kính
Gương Ống chất lỏng vào cuối cùng Nắp hộp chứa Đế Chất lỏng Ống chất lỏng ra
Gương
Chân không Lỗ bổ sung Bơm Điều khiển Bộ lọc Lỗ xả

chất lỏng nhiệt độ
Xu
hướng
phát
triển
của
quang
khắc
2/2/2006
49
Xu hướng phát triển quang khắc trong công nghệ Si
2/2/2006
50
Cám ơn đã theo dõi !!!
Mọi góp ý, bổ sung xin gửi đến:

Dr. Le Tuan
Hanoi University of Technology
Institute of Engineering Physics
Dept. of Electronic Materials
2nd Floor, C9 Building
1 Dai Co Viet Str., Hanoi, Vietnam
Mobile: 0912 560 536
E-mail: le.tuan@vnn.vn
2/2/2006
51

Quang Khac

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Quang Khac

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Quang khắc

Đại học Bách khoa Hà Nội

Ánh sáng (quang)

Đá (lên khối chất)

A – Hệ thống nguồn bức xạ

Laser mầu không có tính đơn sắc cao như laser Ar

Bước sóng Công suất cực Tần số

Điều kiện nhiễu xạ Fraunhofer (trường xa – far field và trên W 2 <<  g 2 + r 2

nghiệm, có giá trị (0,6 ÷ 0,8) phụ thuộc vào hệ

Nhưng nếu tăng NA, ta lại làm giảm mất độ sâu

2/2/2006 Đại học Bách khoa Hà Nội 10

2/2/2006 Đại học Bách khoa Hà Nội 11

với ký hiệu condensor – thấu kính tụ,

Hiện nay, các hệ thống in ảnh

a) Quét toàn bộ: Cả mặt nạ và đế đứng yên, chiếu

Hệ thống quang học trong các máy in chiếu hiện đại

Hệ thống Canon FPA-6000ES6a Scanner

Model type: i-Line (365nm) Wafer size: 200mm; 150mm

Resolution: Numerical Aperture

Reduction ratio: Field size:

Overlay accuracy: (Độ Throughput: ≥100wph (200mm);

Model type: KrF (248nm) Wafer size: 300mm; 200mm

Resolution: Numerical Aperture

Reduction ratio: Field size:

Overlay accuracy: (Độ Throughput: ≥100wph (300mm);

phần không được chiếu sáng (cảm quang âm).

Carbosilic acid Keten

Hàm truyền biến điệu tới hạn (Critical

2/2/2006 Đại học Bách khoa Hà Nội 23

Thông thường, các CCQ g-line và

Sấy sơ bộ (100 ºC, 10 phút)

So trùng mặt nạ và Chiếu

Hai mô đun này tạo nên thiết bị quang khắc.

2/2/2006 Đại học Bách khoa Hà Nội 30

MTF càng tốt khi kích thước đặc

Ảnh của lần quang khắc đang thực hiện

Mốc đánh dấu của mặt nạ quang khắc

3. Do lệch góc quay

Các phương pháp quang khắc hiện đại:

Bước sóng λ chùm tia điện tử được

Máy phát Cuộn dây so trùng khớp

12,3 Ví dụ: λ = 0,07 Å

Phiến đế bán dẫn

Chất lỏng Phiến đế

Chân không Lỗ bổ sung Bơm Điều khiển Bộ lọc Lỗ xả

Mọi góp ý, bổ sung xin gửi đến:

You might also like