MỤC LỤC

MẠCH CHỈNH LƯU……………………………………………………….……1

MẠCH XÉN............................................................................................................5
MẠCH ỔN ÁP DÙNG DIODE ZENER…………………………………….….9
MỘT SỐ MẠCH BJT THƯỜNG GẶP………………………………………...12
MỘT SỐ MẠCH FET THƯỜNG GẶP………………………………………..14
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ………………………………………17
MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP TẦNG……………………………………….....26
MẠCH KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP……………………………………………..39
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN………………………………………..42
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT………………………………………….47
MẠCH ỔN ÁP………………………………………………………………..….55
MỘT SỐ MẠCH THƯỜNG GẶP TRONG TRẮC NGHIỆM……………….58
LUYỆN TẬP……………………………………………………………………..66
 MẠCH CHỈNH LƯU (DIODE)
1. Mạch chỉnh lưu bán kì
VS N1
 ,Vi max  Vi 2
Vi N 2
Vo max Vi max  V Vi max  0,7
Vo ( dc )   
  
Dòng điện cực đại qua diode:
V  V Vi max  0,7
I D max  i max 
R R
Vo ( dc )
Dòng điện trung bình qua diode: I D ( dc ) 
R
Điện áp ngược cực đại : PIV  Vi max

Công suất điện trở R : PR  I R 2 .R( I R  I D ( dc ) )

**Trường hợp gắn thêm tụ điện

2 f .R.C
Vo ( dc )  .Vo max
2 f .R.C  1

Bài tập vận dụng: Cho VS = 220V, f = 50Hz, N1:N2 = 10:1, diode Silic, R = 220Ω. Tính
: a/ Vo(dc) , IR , PR
b/ Mắc thêm tụ C = 4700µF song song với điện trở R. Tính lại Vo(dc) ,
IR , PR
Giải
N2 1
Vi  .VS  .220  22V Vo ( dc ) 9,68
N1 10 IR    0,044 A
a/ R 220
Vo max Vi max  V 22 2  0,7 PR  I R 2 .R  0,0442.220  0,43W
Vo ( dc )     9,68V
  

1
 2 f .R.C 2.50.220.4700.106
Vo ( dc )  .Vo max  .(22 2  0,7)  30,12V
2 f .R.C  1 2.50.220.4700.10 6  1
b/
Vo ( dc ) 30,12
IR    0,14 A  PR  I R 2 .R  0,142.220  4,31W
R 220
2. Mạch chỉnh lưu toàn kì dùng máy biến áp đôi
VS N1
 ,Vi max  Vi 2
Vi N 2
2 2 2
Vo ( dc )  .Vo max  .(Vi max  V )  .(Vi max  0,7)
  
Điện áp cực đại qua diode:
V V  V Vi max  0,7
I D1max  I D 2max  o max  i max 
R R R
Vo ( dc )
Điện áp trung bình qua diode: I D1( dc )  I D 2( dc ) 
2R
Điện áp ngược cực đại : PIV  2Vi max  V  2Vi max  0,7

Công suất điện trở R : PR  I R 2 .R( I R  2.I D1( dc )  2.I D 2( dc ) )

**Trường hợp gắn thêm tụ điện

4 f .R.C
Vo ( dc )  .Vo max
4 f .R.C  1

Bài tập vận dụng: Cho VS = 220V, f = 50Hz, N1:N2 = 5:1, R = 100Ω, D1 và D2 là diode
Silic. Tính Iomax , PIV, PR
1 N 1 1
Vi  . 2 .VS  . .220  22V
2 N1 2 5
Vo max Vi max  V 22 2  0,7
I o max     0,3 A
R R 100

2
PIV  2Vi max  V  2.22 2  0,7  61,525V
Vo ( dc ) 2Vo max 2(Vi max  V ) 2.(22 2  0,7)
IR      0,2 A
R  .R  .R  .100
PR  I R 2 .R  0,22.100  4W

3. Mạch chỉnh lưu toàn kì dùng cầu diode

VS N1
 ,Vi max  Vi 2
Vi N 2
2 2 2
Vo ( dc )  .Vo max  .(Vi max  2V )  .(Vi max  1,4)
  
Điện áp cực đại qua diode:
Vo max Vi max  1,4
I D1max  I D 2max  I D 3max  I D 4max  
R R
Điện áp trung bình qua diode:
Vo ( dc )
I D1( dc )  I D 2( dc )  I D 3( dc )  I D 4( dc ) 
2R
Vo ( dc )
Điện áp trung bình qua tải: I R 
R
Điện áp ngược cực đại : PIV  Vi max  V  Vi max  0,7

Công suất điện trở R : PR  I R 2 .R

4 f .R.C
**Trường hợp gắn thêm tụ điện: Vo ( dc )  .Vo max
4 f .R.C  1
Bài tập vận dụng: Cho VS = 220V, f = 50Hz, N1:N2 = 5:1, 4 diode đều làm từ Silic, R =
100Ω. Tính :
a/ Vo(dc) , IR , PR
b/ Mắc thêm tụ C = 4700µF song song với điện trở R, tính lại Vo(dc) , IR , PR
Giải
a/

3
 N2 1
Vi  .VS  .220  44V Vo ( dc ) 38,72
N1 5 IR    0,4 A
R 100
2Vo max Vi max  2V 44 2  1,4 PR  I R 2 .R  0,42.100  16W
Vo ( dc )     38,72V
  
b/
4 f .R.C 4 f .R.C 4.50.100.4700.106
Vo ( dc )  .Vo max  .(Vi max  2V )  .(44 2  1,4)  60,185V
4 f .R.C  1 4 f .R.C  1 4.50.100.4700.106  1
V 60,185
I R  o ( dc )   0,6 A
R 100
PR  I R 2 .R  0,62.100  36W

4
 MẠCH XÉN
I. Mạch xén nối tiếp
VD1: Cho Vi = 12sin  t (V) , tính Vo

Ta có VA = Vi , VK = 3V
VA  VK  V
Để diode dẫn thì  VA  VK  0,7
 Vi  3,7V

𝑉𝑖 − 3,7 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑑ẫ𝑛

Vậy 𝑉0 = [
0 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑛𝑔ắ𝑡

VD2: Cho Vi = 12sin  t (V) , tính Vo

Ta có VA = Vi , VK = -3V
VA  VK  V
Để diode dẫn thì  VA  VK  0,7
 Vi  2,3V

𝑉𝑖 + 2,3 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑑ẫ𝑛

Vậy 𝑉0 = [
0 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑛𝑔ắ𝑡
5
VD3: Cho Vi = 12sin  t (V) , tính Vo
Ta có VK = Vi , VA = -3V
VA  VK  V
Để diode dẫn thì  VA  VK  0,7
 Vi  3,7V

𝑉𝑖 + 3,7 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑑ẫ𝑛

Vậy 𝑉0 = [
0 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑛𝑔ắ𝑡

6
II. Mạch xén song song
VD1: Cho Vi = 12sin  t (V) , tính Vo
Để diode dẫn thì :
VA  VK  V
 VA  VK  0,7
 Vi  0,7V

0,7 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑑ẫ𝑛

Vậy 𝑉0 = [
𝑉𝑖 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑛𝑔ắ𝑡

VD2: Cho Vi = 12sin  t (V) , tính Vo

Để diode dẫn thì :
VA  VK  V
 VA  VK  0,7
 Vi  2,7V

7
 2,7 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑑ẫ𝑛
Vậy 𝑉0 = [
𝑉𝑖 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑛𝑔ắ𝑡
VD3: Cho Vi = 12sin  t (V) , tính Vo
Để diode dẫn thì :
VA  VK  V
 VA  VK  0,7
 Vi  2,7V

−2,7 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑑ẫ𝑛

Vậy 𝑉0 = [
𝑉𝑖 𝑘ℎ𝑖 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑛𝑔ắ𝑡

8
 MẠCH ỔN ÁP DÙNG DIODE ZENER

Để mạch ổn áp hoạt động thì dòng qua diode zener phải thỏa :
I Z min  I Z  I Z max

1. Nguồn ổn định, tải thay đổi

- Để áp ngõ ra ở tải ổn định ở VZ thì I Z min  I Z  I Z max

Vi  VZ
Ta có: I S  , mà I L  I S  I Z
RS

 Vi  VZ
 I L min
  I Z max
 R
 
S

I V  VZ
 i  I Z min
 L max
RS

VZ V
 RL min  ; RL max  Z
I L max I L min
VD: Cho mạch ổn áp dùng diode Zener. Hãy:
- Xác định RL , IL để áp ra ổn áp tại 10V
- Xác định công xuất cực đại của diode Zener
Với IZmax = 32mA, Vi = 70V, VZ = 10V, RS = 1kΩ
Giải

9
 Vi  VZ 70  10
IS    60mA => 0  I Z  32mA
RS 1

 VZ 10
 R    0,17k 
 I L min  I S  I Z max  60  32  28mA
L min
 I 60
   
L max

 I L max  I S  I Z min  60  0  60mA  R  VZ  10  0,36k 

 L max I L min 28

PZ max  I Z max .VZ  0,032.10  0,32W

2. Nguồn thay đổi, tải ổn định

VZ
Ta có: I L  , mà I S  I L  I Z
RL

 VZ
 I S min  R  I Z min

  L

I V
 Z  I Z max
 S max
RL

Vi min  I S min .RS  VZ

 
Vi max  I S max .RS  VZ
VD: Cho mạch ổn áp dùng diode zener. Hãy xác định giới hạn của Vi để cho mạch
hoạt động ổn áp tại VL = 9V và diode zener hoạt động không quá công suất.
Với RL = 1kΩ , PZmax = 300mW, RS = 100Ω , VZ = 9V
Giải
VZ 9 PZ max 0,3
IL    9mA I Z max    33mA
RL 1 VZ 9

 I S max  I L  I Z max  9  33  42mA

 Vi max  I S max .RS  VZ  42.0,1  9  13,2V

10
3. Nguồn và tải thay đổi
Ta có:
Vi  VZ
IS  , IZ  IS  IL
RS
Vi  VZ
 I Z   IL
RS

Điều kiện cực trị :

Vi min  I S min .RS  VZ

Vi min 
I Z min    Vi min  VZ
 L max
I  R 
I Z min  I L max
S


Vi max  I S max .RS  VZ

Vi max 
I Z max    Vi max  VZ
 L min
I  R 
I Z max  I L min
S


11
 MỘT SỐ MẠCH BJT THƯỜNG GẶP
1. Mạch phân cực định dòng không có RE
VCC  VBE
IB  I C   .I B , I E  (   1).I B
RB

VCE  VCC  I C .RC

2. Mạch phân cực ổn định cực phát có RE

VCC  VBE
IB  I C   .I B , I E  (   1).I B
RB  (   1).RE

VCE  VCC  I C .( RC  RE ) (Vì I E IC )

3. Mạch phân cực dùng cầu phân áp

**Cách tính gần đúng
Điều kiện phải thỏa :  .RE  10 R2

VCC .R2 VE I
VB  ,VE  VB  VBE IE  , IB  E
R1  R2 RE  1
VCE  VCC  I C .( RC  RE ) (Vì I E IC )

**Cách tính chính xác

VCC .R2 R .R Vth  VBE
Tính Vth  , Rth  1 2 I B 
R1  R2 R1  R2 Rth  (   1).RE

I C   .I B , I E  (   1).I B VCE  VCC  I C .( RC  RE ) (Vì I E IC )

12
4. Mạch phân cực hồi tiếp từ cực C
VCC  VBE
IB  I C   .I B , I E  (   1).I B
RF   .( RC  RE )

VCE  VCC  I C .( RC  RE ) (Vì I E IC )

5. Mạch phân cực lặp cực E

VEE  VBE
IB 
RB  (   1).RE

I C   .I B , I E  (   1).I B

VCE  VEE  I E .RE

6. Mạch phân cực cực C chung

VEE  VBE I
IE  , I B  E , I C   .I B
RE  1
VCE  VEE  VCC  I E .( RC  RE )
VCB  VCC  I C .RC

13
 MỘT SỐ MẠCH FET THƯỜNG GẶP
1. Mạch phân cực cố định (JFET)
VGS  VGG , I G  0, I D  I S

Thế VGS vào phương trình Shockley tìm ID

2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 
VDS  VDD  I D .RD

2. Mạch tự phân cực (JFET)

VGS   I D .RS , I G  0, I D  I S

Thế VGS vào phương trình Shockley tìm ID

2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 
VDS  VDD  I D .( RD  RS )

*Chọn nghiệm ID thỏa : 0  I D  I DSS và VGS thỏa : VP  VGS  0

3. Mạch phân cực dùng cầu phân áp (JFET)

I G  0, I D  I S
VDD .R2
VG 
R1  R2
VGS  VG  I D .RS
Thế VGS vào phương trình Shockley tìm ID
2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 
VDS  VDD  I D .( RD  RS )

*Chọn nghiệm ID thỏa : 0  I D  I DSS và VGS thỏa : VP  VGS  0

14
4. Đường tải DCLL của JFET

VDD 1
ID   VDS
RD  RS RD  RS

5. Đường tải ACLL của JFET

VDSQ 1
iD   I DQ   vDS 
Rac Rac
Với Rac  RS  RD / / RL

6. Mạch phân cực cho MOSFET

6.1. D – MOSFET

15
 6.2. E – MOSFET
6.2.1 Mạch phân cực hồi tiếp
I G  0  VD  VG  VDS  VGS
VGS  VDD  I D .RD
Thế VGS vào phương trình

I D  k .(VGS  VT ) 2
*Chọn nghiệm ID thỏa : VT  VGS

VDS  VDD  I D .RD

6.2.2 Mạch phân cực dùng cầu phân áp

VDD .R2
I G  0  VG 
R1  R2
VGS  VG  I D .RS
Thế VGS vào phương trình

I D  k .(VGS  VT ) 2
*Chọn nghiệm ID thỏa : VT  VGS

VDS  VDD  I D .( RD  RS )

16
 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
I. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT
1. Mạch E chung
1.1. Trường hợp không có RE

**Phân tích DC
VCC  VBE
I BQ  , I EQ I CQ   .I BQ , VCEQ  VCC  I CQ .RC
RB

26mV
re  , hie   .re
I EQ

**Phân tích AC : Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ, lưu ý : nếu đề

không cho ro thì không vẽ nhánh có ro

Tổng trở vào : Z i  RB / / hie  hie Tổng trở ra : Z o  RC / / ro  RC

17
 **Nếu đề không cho ro, mặc định ro = 
Vo R
Hệ số khuếch đại : AV    ac ( Rac  RC / / RL )
Vi re

Zi Z
Ai   AV . , **Nếu đề không cho RL, Rac  RC , Ai   AV . i
RL RC
1.2. Trường hợp có RE

**Phân tích DC
VCC  VBE
I BQ  , I EQ I CQ   .I BQ , VCEQ  VCC  I CQ .( RC  RE )
RB  (   1).RE

26mV
re  , hie   .re
I EQ

**Phân tích AC: Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ, lưu ý : nếu đề
không cho ro thì không vẽ nhánh có ro

18
 vb ib .hie  ic .RE
Zb    hie   .RE
ib ib

Tổng trở vào : Z i  RB / / Z b Tổng trở ra : Z o  RC / /(ro  RE )

**Nếu đề không cho ro, mặc định ro = 

Vo R
Hệ số khuếch đại : AV    ac ( Rac  RC / / RL )
Vi re

Zi Z
Ai   AV . , **Nếu đề không cho RL, Rac  RC , Ai   AV . i
RL RC
***Nếu đề cho tụ song song với điện trở RE như hình sau, khi phân tích AC hãy vẽ
sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ và tính như 1.1. Trường hợp không có điện trở RE

2. Mạch C chung

**Phân tích DC :
19
 VCC  VBE
I BQ  , I EQ I CQ   .I BQ , VCEQ  VCC  I CQ .( RC  RE )
RB  (   1).RE

26mV
re  , hie   .re
I EQ

**Phân tích AC: Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ, lưu ý : nếu đề không cho ro thì
không vẽ nhánh có ro

Z b  hie   .( RE / / RL )

Tổng trở vào : Z i  RB / / Z b Tổng trở ra : Z o  re / / RE  re

Vo RE / / RL
Hệ số khuếch đại : AV   1
Vi re  ( RE / / RL )

Zi Z
Ai   AV . , **Nếu đề không cho RL, Rac  RC , Ai   AV . i
RL RC
*Mạch C chung không khuếch đại điện áp, chỉ khuếch đại dòng điện
3. Mạch B chung

20
**Phân tích DC
VCC  VBE
I BQ  , I EQ I CQ   .I BQ , VCEQ  VCC  I CQ .( RC  RE )
RB  (   1).RE

26mV
re  , hie   .re
I EQ

**Phân tích AC: Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ, lưu ý : nếu đề không cho ro thì
không vẽ nhánh có ro

Tổng trở vào : Z i  RE / / re  re Tổng trở ra : Z o  RC / / ro  RC

Vo Rac
Hệ số khuếch đại : AV   ( Rac  RL / / RC )
Vi re

Zi Z
Ai   AV .  1 ,**Nếu đề không cho RL, Rac  RC , Ai   AV . i
RL RC

***Mạch B chung không khuếch đại dòng điện, chỉ khuếch đại điện áp

21
II. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET - Cực S chung

**Phân tích DC :
Giải hệ phương trình

2 I DSS
  VGS 
2
g mo  (mS )
 I D  I DSS .1   VP
  VP   I D ,VGS
  V 
VGS   I D .RS g m  g mo 1  GS  (mS )
 VP 
**Phân tích AC: Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ, lưu ý : nếu đề không cho ro thì
không vẽ nhánh có ro

Tổng trở vào : Z i  RG Tổng trở ra : Z o  RD

Vo  g m .VGS .Rac
Hệ số khuếch đại : AV     g m .Rac ( Rac  RD / / RL )
Vi VGS

22
 **Nếu đề không cho RL thì Rac  RD

Vo Vo Vi Zi
AVs   .  AV .
VS Vi VS Zi  R
Vì hở mạch nên không có dòng điện => không khuếch đại dòng điện
III. Đáp ứng tần số của mạch khuếch đại

Băng thông: BW  f H  f L

Cho mạch như hình vẽ, tìm tần số cắt thấp fL

Ta tìm f LC1 , f LC 2 , f LCE => f L  max( f LC1 , f LC 2 , f LCE )

1 1
f LC1  f LC 2 
2 .C1.( RS  Z i ) 2 .C2 .( Z o  RL )

1   R / / RB   hie 
f LCE  Req   S  / / RE
2 CE .Req   

h 
**Nếu đề không cho RS , Req   ie  / / RE
 
Bài tập vận dụng: Cho mạch như hình sau. Hãy :
a/ Xác định điểm tĩnh Q
b/ Vẽ DCLL và ACLL của Q, maxswing
c/ Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
d/ Tìm Zi , Zo , AV , AVs , Ai
23
e/ Tính fL, biết rằng Ci = Co = 1000µF, CE = 47µF

Giải
a/ **Phân tích DC:
Xét điều kiện :  .RE  10 R2

Vì điều kiện thỏa nên ta sử dụng phương pháp tính gần đúng
VCC .R2 20.5,6
VBQ    1,3V
R1  R2 82  5,6
VEQ VBQ  VBE 1,3  0,7
I CQ I EQ     0,3mA
RE RE 2,2
VCEQ  VCC  I CQ ( RC  RE )  20  0,3.(6,8  2,2)  17,3V
26mV
re   86,67  hie   .re  180.86,67  15,6k 
0,3mA
=> Q (0,3mA;17,3V )

VCEQ VCC V 20
I CQ      CEQ  (mA)( Rdc  RC  RE )
Rdc Rdc 9 9
b/
vce VCEQ vce 17,3

ic    I CQ      0,3(mA)( Rac  RC )
 Rac Rac 6,8 6,8
max swing  2Vo max  2.min(17,3;2)  2.2  4V

c/

24
d/
Z i  R1 / / R2  5,24k  Z o  RC  6,8k 

Rac R 6800 Zi 5,24

AV    C   78 Ai   AV .    78 .  60
re re 86,67 RC 6,8

Zi 5,24
AVs  AV .  78.  66
Z i  RS 5,24  1
e/
1 1
f LCi    0,0255Hz
2 .Ci .( Z i  RS ) 2 .1000.106.(5,24  1).103
1 1
f LCo    0,0234 Hz
2 .Co .Z o 2 .1000.106.6,8.103
  R / / R1 / / R2   hie 
Req   S  / / RE  0,088k 
  
1 1
f LCE    38,5Hz
2 .CE .Req 2 .47.10 .0,088.103
6

 f L  max( f LCi , f LCo , f LCE )  f LCE  38,5Hz

25
 MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP TẦNG
1. Mạch ghép 2 BJT cực E chung bằng tụ điện

**Phân tích DC:

Tách 2 mạch ra tính bình thường:
VCC  VBE
I BQ1  , I EQ1 I CQ1  1.I BQ1 , VCEQ1  VCC  I CQ1.( RC  RE )
RB  ( 1  1).RE

26mV
re1  , hie1  1.re1 => Q1
I EQ1

Xét điều kiện  2 .R4  10 R2 , nếu thỏa ta sử dụng cách tính gần đúng

VCC .R2 VEQ 2 VBQ 2  VBE

VBQ 2  , I CQ 2 I EQ 2   , VCEQ 2  VCC  I CQ 2 .( R3  R4 )
R1  R2 R4 R4

26mV
re 2  , hie 2   2 .re 2 => Q2
I EQ 2

Không thỏa ta sử dụng cách tính chính xác

VCC .R2 R .R Vth  VBE
Vth  , Rth  1 2 I BQ 2 
R1  R2 R1  R2 Rth  (  2  1).R4

I EQ 2 I CQ 2   2 .I BQ 2 VCE  VCC  I C .( RC  RE )
26
 26mV
re 2  , hie 2   2 .re 2 => Q2
I EQ 2

**Phân tích AC: Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ

Vo Rac1.Rac 2
AV  
Vi re1.re 2
Z i  RB / / hie1 Zi
Rac1  RC / / R1 / / R2 / / hie 2 AVs  AV .
Z o  R3 Z i  RS
Rac 2  R3 / / RL

1
1 1 f LC1 
f LCi  f LCo  2 .C1.( Z o1  Z i 2 )
2 .Ci .( Z i  RS ) 2 .Co .( Z o  RL )
( Z o1  RC , Z i 2  R1 / / R2 / / hie 2 )

1  ( R / / R1 / / R2 )  hie1 
f LCE1  , Req   S  / / RE
2 .CE1.Req   1 
Tìm Vo khi có VS , Vo = VS.AVs
Bài tập vận dụng:

27
Cho mạch như hình vẽ, 1   2  100 . Hãy:

a/ Tìm điểm làm việc Q1 , Q2 , re1 , re2 , hie1 , hie2

b/ Viết và vẽ DCLL, ACLL của Q2 , xác định Vomax , maxswing
c/ Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
d/ Tìm Zi , Zo , AV , AVs
e/ Cho VS = 5sin  t (mV). Tính và vẽ Vo
f/ Tính fLC1 , biết C1 = 4,7µF
Giải

a/ Q1 :
VCC  VBE 24  0,7
I BQ1    0,03mA
RB  ( 1  1).RE 470  (100  1).3
I EQ1 I CQ1  1.I BQ1  100.0,03  3mA
VCEQ1  VCC  I CQ1.( RC  RE )  24  3.(3  1)  12V
26mV 26
re1    8,67  hie1  1.re1  100.8,67 0,87k 
I EQ1 3
 Q1 (3mA;12V )

Q2 : Xét điều kiện  2 .R4  10 R2 , vì thỏa nên ta sử dụng cách tính gần đúng

VCC .R2 24.4,7

VBQ 2    5,7V
R1  R2 15  4,7
VEQ 2 VBQ 2  VBE 5,7  0,7
I CQ 2 I EQ 2     5mA
R4 R4 1
VCEQ 2  VCC  I CQ 2 .( R3  R4 )  24  5.(3  1)  4V
26mV 26
rie 2    5,2  hie 2   2 .re 2  100.5,2  0,52k 
I EQ 2 5
 Q2 (5mA;4V )

28
 VCEQ 2 VCC V 24
b/ DCLL : I CQ 2      CEQ 2  ( Rdc 2  R3  R4 )
Rdc 2 Rdc 2 4 4

ACLL :

vce 2 VCC vce 2 4


ic 2    I CQ 2      5( Rac 2  R3 / / RL )
 Rac 2 Rac 2 2,31 2,31

Vomax = min (VCEQ2 ; ICQ2.Rac2)

= min (4;11,6) = 4V
maxswing = 2Vomax = 2.4 = 8V

c/
d/
Z i  RB / / hie1  470k / /0,87 k  0,87 k Z o  R3  3k

Rac1  RC / / R1 / / R2 / / hie 2  3k / /15k / /4,7 k / /0,52k  0,4k

Rac 2  R3 / / RL  3k / /10k  2,31k
V R .R 400.2310 Zi 0,87
AV  o  ac1 ac 2   20495 AVs  AV .  20495.  9535
Vi re1.re 2 8,67.5,2 Z i  RS 0,87  1
29
e/ Vo = AVs.VS = 9535.(5sin  t) =47,675sin  t (V)
1 1
f LC1    9,82 Hz
f/ 2 .C1.( Z o1  Z i 2 ) 2 .4,7.106.(3  0,45).103
( Z o1  RC  3k , Z i 2  R1 / / R2 / / hie 2  15k / /4,7 k / /0,52k  0,45k )

2. Mạch ghép 2 BJT cực E chung bằng tụ điện có 1 máy biến áp đầu
ra
**Phân tích DC:
Tách 2 mạch ra tính bình thường:
VCC  VBE
I BQ1  , I EQ1 I CQ1  1.I BQ1 ,
RB  ( 1  1).RE
VCEQ1  VCC  I CQ1.( RC  RE )

26mV
re1  , hie1  1.re1 => Q1
I EQ1

Xét điều kiện  2 .R4  10 R2 , nếu thỏa ta sử dụng cách tính gần
đúng

30
 VCC .R2 VE 2 VB 2  VBE
VB 2  , I CQ 2 I EQ 2  
R1  R2 R3 R3

VCEQ 2  VCC  I CQ 2 .R3 (Nếu không có R3 , VCEQ2 = VCC , khi đấy DCLL là 1 đường
thẳng song song với trục đứng IC , cắt trục ngang VCE tại giá trị của VCC , ACLL
không đổi)

26mV
re 2  , hie 2   2 .re 2 => Q2
I EQ 2

Không thỏa ta sử dụng cách tính chính xác

VCC .R2 R .R Vth  VBE
Vth  , Rth  1 2 I BQ 2 
R1  R2 R1  R2 Rth  (  2  1).R4

I EQ 2 I CQ 2   2 .I BQ 2 VCE  VCC  I C .( RC  RE )

26mV
re 2  , hie 2   .re 2 => Q2
I EQ 2

**Phân tích AC: Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ

Vo 1 Rac1.Rac 2
AV   .
Vi a re1.re 2
Z i  RB / / hie1
Rac1  RC / / R1 / / R2 / / hie 2
Z o  
Rac 2  a 2 .RL
Zi
AVs  AV .
Z i  RS
1
f LCi 
2 .Ci .( Z i  RS )

31
 1
f LC1 
2 .C1.( Z o1  Z i 2 )
( Z o1  RC , Z i 2  R1 / / R2 / / hie 2 )
1  ( R / / R1 / / R2 )  hie1 
f LCE1  , Req   S  / / RE
2 .CE1.Req  1 
Bài tập vận dụng:

Cho mạch như hình vẽ, biết 1   2    100 . Hãy

a/ Tìm Q1 , Q2 , re1 , re2 , hie1 , hie2
b/ Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
c/ Tính Zi , Zo , AV , AVs
d/ Vẽ DCLL, ACLL của Q2 , xác định Vomax , maxswing
e/ Cho VS = 10sin  t (mV) . Vẽ Vo
f/ Tính fLci , biết Ci = 2,2µF
Giải
a/ Q1 :

32
 VCC  VBE 24  0,7
I BQ1    0,03mA
RB  ( 1  1).RE 470  (100  1).3
I EQ1 I CQ1  1.I BQ1  100.0,03  3mA
VCEQ1  VCC  I CQ1.( RC  RE )  24  3.(3  1)  12V
26mV 26
re1    8,67  hie1  1.re1  100.8,67 0,87k 
I EQ1 3
 Q1 (3mA;12V )

Q2 : Xét điều kiện  2 .R4  10 R2 , vì thỏa nên ta sử dụng cách tính gần đúng

VCC .R2 24.4,7

VBQ 2    5,7V
R1  R2 15  4,7
VEQ 2 VBQ 2  VBE 5,7  0,7
I CQ 2 I EQ 2     5mA
R3 R3 1
VCEQ 2  VCC  I CQ 2 .R3  24  5.1  19V

26mV 26
re 2    5,2, hie 2   2 .re 2  100.5,2  0,52k 
I EQ 2 5

=> Q2 ( 5mA;19V)

33
b/

c/
Zi  RB / / hie1  470k / /0,87k  0,87k 
Z o  
Rac1  RC / / R1 / / R2 / / hie 2  3k / /15k / /4,7 k / /0,52k  0,4k 
Rac 2  a 2 .RL  32.100  0,9k 
Vo 1 Rac1.Rac 2 1 400.900
AV   .  .  2662
Vi a re1.re 2 3 8,67.5,2
Zi 0,87
AVs  AV .  2662.  1238
Z i  RS 0,87  1
VCEQ 2 VCC V 24
d/ DCLL : I CQ 2      CEQ 2  ( Rdc  R3 )
Rdc Rdc 1 1

vce 2 VCEQ 2 vce 2 19


ACLL : iC 2    I CQ 2      5( Rac  a 2 .RL )
 Rac Rac 0,9 0,9

Vomax = min (VCEQ2 ; ICQ2.Rac2)

= min (19;4,5) = 4,5V
maxswing = 2Vomax = 2.4,5 = 9V

34
e/ Vo = AVs.VS = 1238.(10sin  t) = 12,4sin  t (V)
f/
1 1
f LCi    38,7 Hz
2 .Ci .( Z i  RS ) 2 .2,2.10 .(0,87  1).103
6

3. Mạch ghép BJT cực E chung với JFET cực S chung bằng tụ điện

**Phân tích DC:

Tách 2 mạch ra tính bình thường:
VGS   I D .RS
2
 V 
I D  I DSS 1  GS 
 VP 
*Chọn nghiệm ID thỏa : 0  I D  I DSS và VGS thỏa : VP  VGS  0

VDS  VCC  I D .( RD  RS ) => Q1

2 I DSS  V 
g mo  (mS ) g m  g mo 1  GS  (mS )
VP  VP 
35
 VCC  VBE
I BQ  , I EQ I CQ   2 .I BQ , VCEQ  VCC  I CQ .( RC  RE )
RB  (  2  1).RE

26mV
re  , hie   2 .re => Q2
I EQ

**Phân tích AC: Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ

Rac 2
AV  g m .Rac1.
re
Z i  RG Zi
Rac1  RD / / RB / / hie AVs  AV .
Z o  RC Zi  R
Rac 2  RC / / RL

1 1
f LCi  f LCo 
2 .Ci .( Z i  R) 2 .Co .( Z o  RL )

1 1
f LC1  
2 .C1.( Z o1  Z i 2 ) 2 .C1. RD  ( RB / / hie ) 

Bài tập vận dụng:

36
Cho mạch như hình vẽ, biết IDSS = 6mA, VP = -6V,   150 . Hãy:
a/ Tìm Q1 , Q2 , gm , re , hie
b/ Vẽ DCLL và ACLL của Q2 , tìm Vomax và maxswing
c/ Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ, tìm Zi , Zo , AV
d/ Tính fLC1 , fLco , biết C1 = Co =1µF
Giải
a/ Q1 :
VGS   I D .RS  1,2 I D

 I D  12,1mA
2
 VGS   1,2 I D 
2

I D  I DSS 1    6.1   
 VP   6   I D  2,06mA
*Chọn nghiệm ID thỏa : 0  I D  I DSS và VGS thỏa : VP  VGS  0

=> ID = 2,06mA
VDS  VCC  I D .( RD  RS )  24  2,06.(2,4  1,2)  16,6V
=> Q1 ( 2,06mA;16,6V)

2 I DSS 2.6  V   2,5 

g mo    2(mS ) g m  g mo 1  GS   2.1    1,17(mS )
VP 6  VP   6 

Q2 :
VCC  VBE 24  0,7
I BQ    0,02mA
RB  (   1).RE 1200  (150  1).1,2
I EQ I CQ   .I BQ  150.0,02  3mA
VCEQ  VCC  I CQ .( RC  RE )  24  3.(2,4  1,2)  13,2V
26mV 26
re    8,67  hie  1,3k 
I EQ 3

=> Q2 (3mA;13,2V)

37
 VCEQ VCC V 24
b/ DCLL : I CQ      CEQ  ( Rdc 2  RC  RE )
Rdc 2 Rdc 2 3,6 3,6

vce VCEQ vce 13,2


ACLL : ic    I CQ      3( Rac 2  RC / / RL )
 Rac 2 Rac 2 1,5 1,5

Vomax = min (VCEQ ; ICQ.Rac2)

= min (13,2;4,5) = 4,5V
maxswing = 2Vomax = 2.4,5 = 9V

c/

Rac1  RD / / RB / / hie  2,4k / /1,2M / /1,3k  0,84k 

Z i  RG  1M 
Rac 2  RC / / RL  2,4k / /4k  1,5k 
Z o  RC  2,4k 
Rac 2 1500
AV  g m .Rac1.  1,17.840.  170034
re 8,67

d/
1 1
f LCo    24,87 Hz
2 .Co .( Z o  RL ) 2 .106.(2,4  4).103
1 1
f LC1    43,03Hz
2 .C1.( Z o1  Z i 2 ) 2 .106.  2,4  1200 / /1,3  .103

38
 MẠCH KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP

1. Phân loại hồi tiếp

- Dựa vào tín hiệu hồi tiếp là điện áp hay dòng điện và cách mắc tín hiệu với ngõ
vào ta có thể chia thành 4 loại mạch khuếch đại hồi tiếp
1.1 Hồi tiếp điện áp nối tiếp (khuếch đại điện áp)
- Ổn định điện áp ngõ ra theo điện áp ngõ vào, ổn định hàm truyền là hệ số khuếch
đại điện áp
Vo
Hệ số khuếch đại vòng hở: AV 
V
V fb
Hệ số hồi tiếp: V 
Vo

Vo
Hệ số khuếch đại vòng kín: AvF 
Vi

39
 1.2 Hồi tiếp điện áp song song ( khuếch đại truyền trở )
- Ổn định điện áp ngõ ra theo dòng điện ngõ vào, ổn định hàm truyền là hệ số
khuếch đại truyền trở
Vo
Hệ số khuếch đại vòng hở: Az 
I
I fb
Hệ số hồi tiếp:  g 
Vo

Vo
Hệ số khuếch đại vòng kín: AzF 
Ii
1.3 Hồi tiếp dòng điện nối tiếp ( khuếch đại truyền dẫn )
- Ổn định dòng điện ngõ ra theo điện áp ngõ vào, ổn định hàm truyền là hệ số
khuếch đại truyền dẫn
Io
Hệ số khuếch đại vòng hở: Ag 
Vg

V fb
Hệ số hồi tiếp:  z 
Io

Io
Hệ số khuếch đại vòng kín: AgF 
Vi

1.4 Hồi tiếp dòng điện song song ( khuếch đại dòng điện )
- Ổn định dòng điện ngõ ra theo dòng điện ngõ vào, ổn định hàm truyền là hệ số
khuếch đại dòng điện
Io
Hệ số khuếch đại vòng hở: Ai 
I
I fb
Hệ số hồi tiếp:  i 
Io

Io
Hệ số khuếch đại vòng kín: AiF 
Ii

40
Đây chỉ là một số trường hợp có thể ra trong đề thi, mọi người có thể xem thêm
sách giáo trình trang 319

41
 MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN ( OP – AMP)
1. Mạch khuếch đại đảo dấu
Vi
- Dòng qua Ri :
R1

Vo
- Dòng qua Rf :
Rf

- Hệ số khuếch đại :
Vo R R
Av    f  Vo   f .Vi
Vi Ri Ri
Bài tập ví dụ: Cho mạch như hình vẽ, hãy
viết Vo theo Vi
Rf 10
Vo   .Vi   Vi  10Vi
Ri 1

2. Mạch khuếch đại không đảo

Vi
- Dòng qua Ri :
R1

Vi  Vo
- Dòng qua Rf :
Rf

- Hệ số khuếch đại :

Vo  R f   Rf 
Av   1    Vo  1   .Vi
Vi  Ri   Ri 

Bài tập ví dụ: Cho mạch như hình vẽ, hãy viết Vo theo Vi

42
  R   4
Vo  1  f  .Vi  1  Vi  3Vi
 Ri   2

3. Mạch đệm ( Mạch theo điện áp )

- Đây là trường hợp đặc biệt của mạch khuếch đại không đảo với Rf = 0 và Ri  

- Áp dụng công thức

Vo  R f 
Av   1    Av  1
Vi  Ri 

 Vo  Vi

4. Mạch khuếch đại không đảo dùng cầu phân áp

- Hệ số khuếch đại :

Vo  R f  R2
Av   1  .
Vi  Ri  R2  R1
 R  R2
 Vo  1  f  . .Vi
 R i 
R 2
 R1

5. Mạch cộng đảo dấu

- Dùng phương pháp xếp chồng cho từng nguồn tác dụng, khi xét nguồn này thì các
nguồn kia nối đất ( ngắn mạch ) ta thấy mạch khi từng nguồn xếp chồng là mạch

43
khuếch đại đảo dấu, cộng tất cả ta sẽ ra áp đầu ra:
3 R R R R
Vo    f .Vi   f .V1  f .V2  f .V3
i 1 Ri R1 R2 R3

6. Mạch cộng không đảo

- Áp đầu ra:

 R  R2  Rf  R1
Vo  1  f  . .
V  1  . .V2
 
1
 Ri  2 R R1  Ri  2R R1

7. Mạch trừ ( Mạch khuếch đại vi sai )

- Áp đầu ra:

 R  R2 R
Vo  1  4  . .V2  4 .V1
 R3  R2  R1 R3

44
8. Mạch hỗn hợp

- Áp đầu ra:
Rf R  R f  R2 / / R5  R f  R1 / / R5
Vo   .V3  f .V4  1  . .V1  1  . .V2
R3 R4  R3
/ / R4 
R1
 R2
 R5  R3
/ / R4 
R1
 R2
 R5

Bài tập vận dụng :

1/ Cho R1 = R2 = R5 = 1k  , R3 = 7,5k  , R4 = 2,5k  , R6 = 2k  . Viết biểu thức Vo1
và Vo theo V1, V2

Bài giải
Ta đặt lần lượt từ trái sang phải là op – amp 1 và op – amp 2, tạm thời không nhìn
op – amp 2, chỉ nhìn op – amp 1. Ta thấy đây là mạch cộng không đảo, ta ghép
công thức :

45
  R  R2  R  R1  7,5  1  7,5  1
Vo1  1  3  . .V1  1  3  . .V2  1   . .V1  1   .1  1.V2
 R4 
R2
 R1  R4 
R2
 R1  2,5  1  1  2,5 
 2V1  2V2

Ta xem Vo1 là một nguồn bình thường đi vào op – amp 2, ta thấy đây là mạch
khuếch đại đảo dấu, viết Vo theo Vo1 rồi thay Vo1 bằng 2V1 + 2V2, ta sẽ ra được
biểu thức Vo theo V1 và V2 :
R6 2
Vo   .Vo1   .Vo1  2(2V1  2V2 )  4V1  4V2
R5 1
**Khi làm bài không cần phải viết lời giải thích dài dòng như vậy, chỉ cần ghi công
thức Vo1 và Vo rồi thế số làm
2/ Cho R1 = R3 = 1k  , R2 = R4 = 2k  . Viết biểu thức Vo1 theo V1, V2. Nếu V1 =
1V, V2 = 3V, hãy cho biết giá trị của Vo

Bài giải

R2  R  R4 2  2 2
Vo1   .V1  1  2  . .V2   .V1  1  . .V2  2V1  2V2
R1  R1 
R3
 R4
1  1  1  2

Khi thay V1 = 1V, V2 = 3V vào Vo1, Vo1 = 4V. Để biết được giá trị Vo, ta sẽ so sánh
2 giá trị áp đầu vào của op – amp ( đầu dương và đầu âm ), đầu dương là Vo1 và đầu
âm là V3, ta thấy Vo1 > V3 => Vo = 5V, còn nếu V3 > Vo1 => Vo = -5V, đây là mạch
so sánh.

46
 MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
1. Mạch khuếch đại công suất lớp A
*Phân tích DC :
VCC  VBE
I BQ  , I CQ   .I BQ , VCEQ  VCC  I CQ .RC
RB

Công suất đầu vào : Pi ( dc )  VCC .I CQ

*Phân tích AC :
Dòng ic xoay chiều : ic  ib . với ib đề cho trước

Công suất đầu ra : Po ( ac )  ic 2 .RC

Po ( ac )
Hiệu suất mạch :  %  .100 ( % max  25% khi
Pi ( dc )
và chỉ khi điểm Q nằm giữa DCLL)
Công suất tiêu tán : Ptt  Pi ( dc )  Po ( ac )

Bài tập vận dụng: Cho mạch KĐCS như hình vẽ, tính điểm Q1,
hiệu suất  % , vẽ DCLL, ACLL, xác định Vomax , Po(ac)max , hiệu
suất  % max .
Giải

VCC  VBE 24  0,7

I BQ    23,3mA
RB 1
I CQ   .I BQ  30.23,3  0,7 A
VCC 24
I CQ max    1,5 A  I CQ
RC 16

I CQ   .I BQ  30.23,3  0,7 A
=> Mạch hoạt động chế độ khuếch đại =>
VCEQ  VCC  I CQ .RC  24  0,7.16  12,8V

Công suất đầu vào : Pi ( dc )  VCC .I CQ  24.0,7  16,8W

47
Công suất đầu ra : Po ( ac )  ic 2 .RC  (ib . ) 2 .16  (0,01.30) 2 .16  1,44W

Po ( ac ) 1,44
=>Hiệu suất  %  .100  .100  8,57%
Pi ( dc ) 16,8

VCE VCC V 24
I CQ     CE 
Rdc Rdc 16 16
vce VCEQ vce 12,8

ic    I CQ      0,7
 Rac Rac 16 16
Vo max  min(VCEQ ; I CQ .Rac )  min(12,8;11,2)  11,2V

Vo max 2 11,22
Po ( ac ) max    3,92W
2 Rac 2.16
Po ( ac ) max 3,92
 %max  .100  .100  23,33%
Pi ( ac ) 16,8

2. Mạch khuếch đại công suất lớp A có gắn thêm MBA

(máy biến áp)
*Phân tích DC :
VCC  VBE
I BQ  , I CQ   .I BQ , VCEQ  VCC  I CQ .RC
RB

Công suất đầu vào : Pi ( dc )  VCC .I CQ

*Phân tích AC :
Dòng ic xoay chiều : ic  ib . với ib đề cho trước

Công suất đầu ra : Po ( ac )  ic 2 .Rac ( Rac  RL .a 2 ) (a là hệ số máy biến áp đi với 1 )

Po ( ac )
Hiệu suất mạch :  %  .100 ( % max  50% )
Pi ( dc )

Công suất tiêu tán : Ptt  Pi ( dc )  Po ( ac )

48
Bài tập mạch KĐCS lớp A có gắn MBA tương tự, chỉ khác phần vẽ DCLL và ACLL
**Vì không có trở RC nên VCE = VCC

Câu hỏi thêm : cho số liệu các RB,  , VCC như bài không gắn MBA, hệ số MBA là 2:1, RL
= 8  . Tìm lại RL để  %  50% , tính lại Po ( ac ) max , %max với RL vừa tính được.

Giải
Vì hiệu suất  %  50% nên điểm Q1 nằm giữa ACLL => vce   2VCC  48V

Dùng phương trình ACLL, cho ic   0 , ta có:

vce VCEQ 48 24

   I CQ  0   2  2  0,7  0  RL  8,57
Rac Rac a .RL a .RL

Vo max 2 Vcc 2 242

Po ( ac ) max     8,4W
2 Rac 2.a 2 .RL 2.22.8,57
Po ( ac ) max 8,4
 %max  .100  .100  50%
Pi ( dc ) 16,8

VCC  VBE
Tương tự đề hỏi tìm RB thì ta tìm lại ICQ, và I CQ   .I BQ   . , ta suy ra RB
RB

3. Mạch khuếch đại công suất lớp B

49
 Vo ( p ) N Pi ( dc )  2.VCC .I dc
I L ( p)  , I C ( p)  2 .I L ( p)
RL N1
Vo 2 ( p)
I C ( p) Po ( ac ) 
I dc  2 RL

VCC 2 2VCC 2
Công suất cực đại : Po ( ac ) max  , Pi ( dc ) max 
2 RL  .RL

1  2V 2 
Công suất tiêu tán cực đại của mỗi transistor : PQ max  . 2 CC 
2   .RL 

*Giá trị (p) là giá trị cực đại : I ( p )  2.I h / d (h/d là hiệu dụng)

Bài tập vận dụng : Cho mạch KĐCS lớp B có VCC = 30V, RL = 8  , N1:N2 = 1:1, Vo =
15V. Tính Pi(dc) , Po(ac) ,  % , Ptt ,  % max

Giải

50
 Vo ( p) 15 2 N
I L ( p)    2,65 A  I C ( p)  2 .I L ( p)  I L ( p)  2,65 A
RL 8 N1
I ( p) 2,65
Pi ( dc )  2.VCC .I dc  2.VCC . C  2.30.  50,6W
 
2 2
Vo 15
Po ( ac )    28,125W
RL 8
P 28,125
 %  o ( ac ) .100  .100  55,58%
Pi ( dc ) 50,6
Ptt  Pi ( dc )  Po ( ac )  50,6  28,125  22,475W

VCC 2 302
Po ( ac ) max    56,25W
2 RL 2.8 P o ( ac ) max 56,25
=>  %max  .100  .100  78,54%
2VCC 2 2.302 Pi ( dc ) max 71,62
Pi ( dc ) max    71,62W
 .RL 8

**Ghi chú : mạch KĐCS lớp B luôn có  % max  % , nếu tính khác số này, tức là tính sai
4
4. Mạch khuếch đại công suất lớp AB

51
 4.1. Mạch OCL
*Mạch OCL không khuếch đại áp, chỉ khuếch đại dòng => Vo  Vi

Vo 2 ( p)
Pi ( dc )  VCC .I dc  VEE .I dc Po ( ac ) 
V ( p) I ( p) 2 RL
I L ( p)  o , I dc  L 2VCC 2
RL   Pi ( dc ) max  Vcc 2
 .RL  Po ( ac ) max 
2 RL
**Khi đề cho VCC và VEE khác nhau, Vo max  min(VCC ;VEE )

1  2Vo max 2 
Công suất tiêu tán cực đại của mỗi transistor : PQ max  . 2 
2   .RL 

Vo max 2 2V 2
Công suất cực đại : Po ( ac ) max  , Pi ( dc ) max  o max
2 RL  .RL
Bài tập vận dụng : Cho mạch OCL có Vi = 15V, VCC = VEE = 30V, RL = 8  . Tính  % và
 % max
Giải

52
 Vo ( p) 15 2
Pi ( dc )  2.VCC .I dc  2.VCC .  2.30.  50,6W
 .RL 8
Vo 2 ( p) (15 2) 2
Po ( ac )    28,125W
2 RL 2.8
Po ( ac ) 28,125
%  .100  .100  55,58W %
Pi ( dc ) 50,6

2VCC 2 2.302
Pi ( dc ) max    71,62W
 .RL 8
VCC 2 302
Po ( ac ) max    56,25W
2 RL 2.8
Po ( ac ) max 71,62
 %max  .100  .100  78,54%
Pi ( dc ) max 56,25


**Ghi chú : mạch KĐCS lớp AB luôn có  % max  % , nếu tính khác số này, tức là tính
4
sai
4.2. Mạch OTL
*Mạch OTL không khuếch đại áp, chỉ khuếch đại dòng => Vo  Vi

53
 V ( p) I ( p) Vo 2 ( p)
I L ( p)  o , I dc  L Po ( ac )  Pi ( dc )  VCC .I dc
RL  2 RL
VCC 2
VCC VCC 2
 Pi ( dc ) max 
Vo max   Po ( ac ) max  2 RL
2 8 RL

1  2VCC 2 
Công suất tiêu tán cực đại của mỗi transistor : PQ max  . 2 
2   .RL 

Bài tập vận dụng : Cho mạch OTL có VCC = 36V, tính  % max

Giải
VCC 2 362 VCC 2 362
Pi ( dc ) max    25,78W Po ( ac ) max    20,25W
2 RL 2 .8 8RL 8.8
Po ( ac ) max 20,25
 %max  .100  .100  78,54%
Pi ( dc ) max 25,78


**Ghi chú : mạch KĐCS lớp AB luôn có  % max  % , nếu tính khác số này, tức là tính
4
sai

54
 MẠCH ỔN ÁP

1. Cấu tạo mạch ổn áp

- Khối lấy mẫu: Lấy tín hiệu ngõ ra đưa hồi tiếp vào tín hiệu ngõ vào tạo ra tín hiệu
mẫu
- Khối chuẩn: Tạo ra tín hiệu chuẩn ( thường sử dụng diode Zener )
- Khối so sánh : So sánh giữa tín hiệu mẫu và tín hiệu chuẩn để tạo ra tín hiệu điều
khiển
- Khối điều khiển: Nhận tín hiệu điều khiển để đưa điện áp ra ổn định
2. Mạch ổn áp nối tiếp đơn giản

Vo  VZ  VBE

3. Mạch ổn áp nối tiếp dùng 2 transistor

55
 R3  R4
Vo  (VZ  VBE )
R4

3. Mạch ổn áp song song dùng 1 transistor

Vo  VZ  VBE

Bài tập vận dụng : Cho mạch ổn áp như hình vẽ, hãy nêu chức năng các linh kiện
và tính Vo

56
 Giải
- Chức năng của các linh kiện:
+ Diode Zener : tạo tín hiệu chuẩn cho khối chuẩn của mạch ổn áp
+ Máy biến áp : biến 220V, 50Hz => 22V, 50Hz
+ R3 , R4 : Khối lấy mẫu điện áp ra
+ R1 , R2 : Điện trở hạn dòng cho Zener, Q1 , Q2
+ Q1 : Khối so sánh giữa điện áp mẫu và điện áp chuẩn
+ RL : Tải
+ D1 : Chỉnh lưu bán kì
+ C1 : Lọc điện áp gợn sóng
R3  R4 10  10
- Tính Vo  (VZ  VBE )  (3  0,7)  7,4V
R4 10

57
MỘT SỐ MẠCH THƯỜNG GẶP TRONG
TRẮC NGHIỆM
1. Mạch Schmitt Trigger
- Đây là một mạch so sánh điện áp nhưng thường dùng để biến đổi dạng tín hiệu
sóng sin thành sóng vuông
1.1 Mạch Schmitt Trigger đảo – đối xứng
Tương tự như mọi mạch so sánh khác,
khi V+ > V- thì Vo = +VCC , ngược lại,
khi V+ < V- thì Vo = -VCC
UTP  LTP  VCC .

1.2 Mạch Schmitt Trigger đảo – không đối xứng

Tương tự như mọi mạch so sánh khác,

khi V+ > V- thì Vo = +VCC , ngược lại,
khi V+ < V- thì Vo = -VCC
UTP  LTP nên mạch không đối xứng

1.3 Mạch Schmitt Trigger không đảo – đối xứng

Tương tự như mọi mạch so sánh khác, khi V+ > V- thì Vo = +VCC , ngược lại, khi
V+ < V- thì Vo = -VCC

58
 RI
UTP  LTP  VCC .
RF

1.4 Mạch Schmitt Trigger không đảo – không đối xứng

Tương tự như mọi mạch so sánh
khác, khi V+ > V- thì Vo = +VCC ,
ngược lại, khi V+ < V- thì Vo = -
VCC
UTP  LTP nên mạch không đối
xứng

2. Mạch dao động cầu Wien

3. Mạch dao động 3 điểm điện dung

3.1 Mạch dao động Hartley

59
3.2 Mạch dao động Colpitts

3.3 Mạch dao động Clapp

60
 3.4 Mạch dao động Armstrong

4. SCR ( Silicon – Controlled Rectifier )

61
5. Diac 6. Triac

7. GTO ( Gate Turn – Off )

62
8. SCS ( Silicon Controlled Switch )

9. SBS ( Silicon Bilateral Switch )

63
10. SIDAC

11. UJT ( UNIJUNCTION TRANSISTORS)

12. PUT ( The PROGRAMMABLE UJT )

64
65
 Đề 1
Câu 1: Chất bán dẫn tạp chất dạng P là chất bán dẫn
a. thuần có pha thêm tạp chất c. có hạt tải đa số là lỗ trống tự do
b. thuần có pha thêm tạp chất là d. có các hạt mang điện tự do là lỗ
nguyên tố có hóa trị V trống điện tử
Câu 2: Chuyển tiếp p-n có đặc tính
a. Dẫn điện theo 1 chiều c. Dẫn điện theo cả 2 trường hợp phân
b. Dẫn điện khi được phân cực thuận cực thuận và nghịch
và hở mạch khi bị phân cực nghịch d. Không dẫn điện
Câu 3: Hãy cho biết transistor nào trong hình 1 nào, là kí hiệu của
D_MOSFET kênh P?

a. Hình 1a b. Hình 1b c. Hình 1c D. Hình 1d

Câu 4: Cho mạch như hình 2, điện áp trên điện trở R4 là
a. 3V b. 8V
c. 2,3V D. 7,3V
Câu 5: Cho biết biểu thức nào sai trong quan hệ dòng điện
trong BJT?
a. I E  (   1).I C b. I C   .I B
c. I C   .I E d. I E  I C  I B
Câu 6: Diode Zener có đặc điểm
a. Hoạt động ở chế độ phân cực ngược c. Hoạt động ở chế độ phân cực thuận
b. Dẫn điện khi được phân cực thuận và d. Dẫn điện khi được phân cực thuận
khi phân cực ngược với điện áp ngưỡng V và khi phân

66
 cực
ngược với điện
áp VZ
Câu 7: Mạch khuếch đại trong hình 3 được phân
cực kiểu gì?
a. Phân áp b. Tự phân cực
c. Định dòng d. Cố định điện áp
Câu 8: Mạch khuếch đại trong hình 3, transistor
được mắc theo kiểu gì?
a. CS (Common Base)
b. CD (Common Drain)
c. CG (Common Gate)
d. CE (Common Emitter)
Câu 9: Trong mạch điện, một BJT (Si) có điện áp VBE = 0,7V, VCE ≈ 0V. BJT
đang ở trạng thái nào?
a. Ngưng dẫn b. Khuếch đại c. Bão hòa d. Không có đáp án nào đúng
Câu 10: Trong các mạch khuếch đại dùng BJT, mạch có điện trở vào bé nhất
là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CB b. CE c. CC d. CC và CE
Câu 11: Nếu điện áp vào của IC7805 Vi ≥ 8V, thì điện áp ra ổn
áp của IC là
a. 7V b. 8V c. 78V d. 5V
Câu 12: Mạch khuếch đại như hình 4, là mạch khuếch đại có
hồi tiếp âm
a. Điện áp song song c. Dòng điện song song
b. Dòng điện nối tiếp d. Điện áp nối tiếp
Câu 13: Hệ số hồi tiếp β của mạch khuếch đại hình 4 là
a. R3 b. R2 c. 1/R3 d. 1/R2
Câu 14: Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo hình 5, là mạch khuếch đại công
suất
a. TL b. OTL
c. OCL d. BTL
67
Câu 15: Công suất cực đại ngõ ra của
mạch khuếch đại hình 5 được tính
theo công thức
VCC 2
a. Po max 
2 RL

VCC 2
b. Po max 
RL

VCC 2
c. Po max 
8RL

VCC 2
d. Po max 
4 RL
Phần trắc nghiệm điền khuyết.
Cho mạch hình 5 : Nếu RL = 8Ω
Câu 1: Công suất nguồn cung cấp cực đại của mạch, Max (PCC) =…………………
Câu 2: Công suất tiêu tán cực đại trên transistor Q1, Max (PQ1) =………………….

Đề 2
Câu 1: Vật liệu nào thường dùng làm vật liệu bán dẫn
A. Silicon B. Germanium
C. Hợp chất Silicon và Germanium D. Tất cả đều sai
Câu 2: Hạt dẫn điện đa số trong bán dẫn loại N là
A. Electron và ion B. Ion âm C. Hạt nhân và ion âm D. Electron
Câu 3: Đường cong đặc tuyến của diode silicon cho thấy
A. Rào thế là 0V B. Rào thế nằm cố định ở 0,7V
C. Rào thế tăng nhẹ khi dòng điện tăng D. Rào
thế giảm nhẹ khi dòng điện tăng
Câu 4: Dòng điện đi qua diode trong hình bằng
bao nhiêu?
A. 1mA
B. 0,975mA
C. 0,93mA
68
 D. 0,0Ma

Câu 5: Cho mạch điện như hình, xác định

dòng điện đi qua Diode Zener
A. I = 19,3mA
B. I = 15mA
C. I = 15A
D. I = 20A

Câu 6: BJT trong hình 3 được phân cực

kiểu gì

A. Định dòng

B. Cố định
C. Hồi tiếp
D. Cầu phân áp

Câu 7: JFET trong hình 4 được mắc kiểu gì

A. Nguồn chung
B. Mắc kết hợp
C. Cổng chung
D. Máng chung

Câu 8: Hãy cho biết hình nào trong hình 5 là ký hiệu

của MOSFET kênh có sẵn?
A. Hình 5a
B. Hình 5b
C. Hình 5c
69
 D. Hình 5d

Câu 9: Trong mạch điện, một BJT (Si) có

điện áp VBE = 0,2V, VCE = VCC . BJT đang ở
trạng thái nào?
A. Ngưng dẫn B. Khuếch đại C. Bão hòa
D. Không có đáp án nào đúng
Câu 10: Cho mạch điện như hình 6,
nếu điện áp tại A có VA = 0V thì

A. Q1 dẫn bão hòa và led tắt

B. Q1 dẫn bão hòa và led
sáng
C. Q1 tắt và led tắt
D. Q1 tắt và led sáng
Câu 11: Mạch hình 7 là mạch ghép
A. Darlington
B. Vi sai
C. Cascode
D. R-C

Câu 12: Mạch khuếch đại công suất chế độ A

ghép trực tiếp có đặc điểm nào đúng
A. Điểm làm việc nằm giữa vùng khuếch đại và hiệu
suất tối đa đạt 25%
B. Điểm làm việc nằm giữa vùng khuếch đại và hiệu
suất tối đa đạt 50%
C. Điểm làm việc nằm giữa vùng khuếch đại và hiệu suất tối đa đạt 78,5%
D. Điểm làm việc trong vùng tắt và hiệu suất tối đa đạt 78,5%
Câu 13: Đặc tuyến vào ra của hình 8, là đường đặc tuyến của mạch
A. Schmitt Trigger đảo, đối xứng

70
 B. Schmitt Trigger đảo, không đối
xứng
C. Schmitt Trigger không đảo, đối
xứng
D. Schmitt Trigger
không đảo, không đối
xứng

Câu 14: Để một mạch dao động tạo

sóng sin phải thỏa mãn yêu cầu sau
A. Phải có hồi tiếp dương và hệ số |Aβ| = 1
B. Tổng góc lệch pha trong một vòng kín phải bằng 0o hay 360o
C. Phải có hồi tiếp và hệ số |Aβ| = 1
D. Tổng góc lệch pha trong một vòng kín
phải bằng 0o hay 360o và hệ số |Aβ| = 1
Câu 15: Mạch tích phân dùng OP- AMP,
R = 1kΩ , C = 1µF , có sóng vào Vi như
hình 9a, thì sóng ra Vo như

A. Hình b
B. Hình c
C. Hình d
D. Hình e

Đề 3
Câu 1: Điện áp rơi trên R1 là bao nhiêu nếu chuyển tiếp P-N được làm bằng
silicon?
A. 12V
B. 11,7V
C. 11,3V
71
D. 0V

Câu 2: Đường cong đặc tuyến của diode

silicon cho thấy
A. Rào thế là 0V B.
Rào thế nằm cố định ở 0,7V
C. Rào thế tăng nhẹ khi dòng điện tăng D.
Rào thế giảm nhẹ khi dòng điện tăng
Câu 3: Dòng điện đi qua diode Zener là bao
nhiêu
A. 0mA
B. 7mA
C. 8,3mA
D. 13mA
Câu 4: JFET
A. Là một linh kiện được điều khiển bởi dòng
B. Có tổng trở ngõ vào thấp
C. Là một linh kiện được điều khiển bởi áp
D. Luôn luôn được phân cực thuận
Câu 5: Cho sơ đồ mạch chỉnh lưu như hình sau. Hãy cho biết bán kỳ âm (-)
của nguồn, cặp diode nào hoạt động ?

A. D2 và D3
B. D1 và D4
C. D1 và D3
D. D2 và D4

Câu 6: Điện áp hình thành kênh dẫn trong MOSFET kênh cảm ứng là
A. Điện áp ngắt B. Điện áp bão hòa

72
C. Điện áp đánh thủng D. Điện áp ngưỡng UGSth
Câu 7: Trong mạch điện, một BJT (Si) có điện áp VBE = 0,7V, VCE = VC =4V .
Cho áp nguồn cung cấp VCC = 10V. BJT đang ở trạng
thái nào?
A. Ngưng dẫn B. Khuếch đại C. Bão hòa D.
Không có đáp án nào đúng
Câu 8: Một BJT khi hoạt động có IE = 10mA, IC =
9,95mA. Cho biết dòng điện IB
A. 0,005mA B. 0,05mA
C. 0,5mA D. 5mA
Câu 9: Mạch CC thường là tầng cuối cùng trước khi ra tải, chức năng chính
của tầng này là
A. Cung cấp độ lợi điện áp B. Cung cấp sự ngược pha
C. Nâng đáp ứng tần số D. Mạch khuếch đại đếm với tải trở
kháng thấp và phối hợp kháng để
truyền đạt công suất cực đại
Câu 10: Một BJT (Si) có β = 100 được phân cực như hình 5, xác định dòng IC
A. 83mA B. 8,3mA C. 0,83mA D. 0,83A
Câu 11: TRIAC
A. Được kích duy nhất bằng điện áp dương ở cực cổng
B. Được kích duy nhất bằng điện áp âm ở cực cổng
C. Không thể kích bằng điện áp ở cực cổng
D. Có thể kích bằng điện áp dương và âm ở cực cổng
Câu 12: Mạch trong hình 6 là mạch xén ……………. , với mức xén là …….. ?
A. Dưới, -2,3V
B. Trên, 2,3V
C. Trên, 3,7V
D. Dưới, -3,7V
Câu 13: Để BJT hoạt động ở chế độ ngưng dẫn, các tiếp giáp
phải được phân cực như thế nào ?
A. JE phân cực thuận, JC phân cực thuận
73
B. JE phân cực thuận, JC phân cực ngược
C. JE phân cực ngược, JC phân cực thuận
D. JE phân cực ngược, JC phân cực ngược
Câu 14: Kí hiệu nào dưới đây là DIAC ?

A. B.

C. D.
Câu 15: Khi góc kích của SCR bằng 0o , SCR hoạt động như ………………
A. Một transistor BJT C. Một transistor FET
B. Một diode D. Một điện trở
Câu 16: Khi OP-AMP làm việc ở mạch so sánh với nguồn cung cấp là ±VCC
thì nguyên lý so sánh là
A. Khi V+ > V- thì Vo = +VCC và khi V+ < V- thì Vo = -VCC
B. Khi V+ < V- thì Vo = +VCC và khi V+ < V- thì Vo = -VCC
C. Khi V+ < V- thì Vo = +VCC và khi V+ > V- thì Vo = -VCC
D. Khi V+ > V- thì Vo = +VCC và khi V+ > V- thì Vo = -VCC
Câu 17: Hàm truyền được ổn định trong mạch khuếch đại có hồi tiếp âm dòng
điện song song?
A. Hệ số khuếch đại áp
B. Hệ số khuếch đại truyền trở
C. Hệ số khuếch đại dòng
D. Hệ số khuếch đại truyền dẫn
Câu 18: Phân loại mạch khuếch đại công suất dựa vào đặc điểm nào sao đây
A. Điểm làm việc của transistor trong mạch
B. Hiệu suất của mạch

74
C. Tính năng của mạch
D. Công suất của mạch
Câu 20: Mạch dao động hình bên là mạch
dao động
A. Colpitts
B. Clapp
C. Hartley
D. Armstrong

Đề 4
Câu 1: Cho mạch như hình 1, dòng điện
đi qua diode bằng bao nhiêu?
a. 1mA
b. 0,975mA
c. 0,942mA
d. 0,0mA

Câu 2: Hạt dẫn điện đa số trong bán dẫn loại N là

A. Electron và ion B. Ion âm C. Hạt
nhân và ion âm D. Electron
Câu 3: Cho sơ đồ mạch chỉnh lưu như hình 2, hãy
cho biết ở bán kỳ dương (+)
của nguồn, cặp diode nào hoạt động ?
a. D1 và D3
b. D1 và D4
c. D2 và D3
d. D2 và D4
Câu 4: Độ dẫn điện của chất bán dẫn sẽ
……………………..
a. giảm khi nhiệt độ tăng
b. tăng khi nhiệt độ giảm
75
c. tăng khi nhiệt độ tăng
d. không đổi khi nhiệt độ thay đổi
Câu 5: JFET trong hình 3 được mắc kiểu gì ?
a. S chung
b. Mắc kết hợp
c. G chung
d. D chung
Câu 6: Chuyển tiếp P-N có đặc tính
a. Dẫn điện theo 1 chiều c. Dẫn điện theo cả 2 trường hợp phân
b. Dẫn điện khi được phân cực thuận cực thuận và nghịch
và hở mạch khi bị phân cực nghịch d. Không dẫn điện
Câu 7: Hãy cho biết hình nào trong hình 4, là ký hiệu của BJT loại PNP?
a. Hình a b. Hình b c. Hình c d. Hình d
Câu 8: Công thức nào là công thức mô tả của dòng điện chạy trong chuyển
tiếp P-N
  nq..KVd.T   nq..KVd.T 
a. I p n  I S . e  1 b. I p n  I S . e  1
   

 q.Vd   q.Vd 
c. I p n   I S . e n. K .T  1 d. I p n  I S . e n. K .T  1
   
Câu 9: Cho mạch ổn áp như hình 5, với Vi = 8V, R = 50Ω và Zener có VZ =
5V, IZmin = 10mA và IZmax = 50mA. Để cho mạch vẫn còn ổn áp thì điện trở tải
RL phải thuộc dải giá trị
a. 125Ω < RL < 250 Ω
b. 125Ω < RL < 500 Ω
76
c. 100Ω < RL < 250Ω
d. 100Ω < RL < 500Ω
Câu 10: FET là linh kiện bán dẫn …………….
a. được điều khiển bằng dòng điện ngõ vào c. được điều khiển bằng điện áp
ngõ vào
b. có trở kháng vào rất thấp d. hệ số ổn định nhiệt thấp
Câu 11: JFET trong hình 6 được phân cực kiểu gì ?
a. Tự phân cực
b. Phân áp
c. Định dòng
d. Cố định điện áp
Câu 12: Trong mạch điện, một BJT (Si) có điện
áp VBE = 0,7V, VCE ≈ 0V. BJT đang ở trạng thái
nào?
a. Ngưng dẫn b. Khuếch đại c. Bão hòa
d. Không có đáp án nào đúng
Câu 13: BJT trong mạch hình 7, được phân cực
kiểu gì ?
a. Định dòng cực B
b. Định dòng cực E
c. Hồi tiếp cực C
d. Cầu phân áp
Câu 14: Để BJT hoạt động ở chế độ tích cực, các
tiếp giáp phải được phân cực như thế nào ?
a. JE phân cực thuận, JC phân cực thuận
b. JE phân cực thuận, JC phân cực ngược
c. JE phân cực ngược, JC phân cực thuận
d. JE phân cực ngược, JC phân cực ngược
Câu 15: Cho biết biểu thức nào là quan hệ dòng điện trong BJT?

77
a. IE = IC + IB b. IE = IC – IB c. IB = IC + IE d. IC = IB + IE
Câu 16: Một BJT (Si) có β = 100 được phân cực như hình 9, dòng IC
= 10mA. Xác định VCE ?
a. 1,1V
b. 2,2V
c. 4,8V
d. 5,2V
Câu 17: Giá trị dòng điện nhỏ nhất đi từ anode sang cathode mà
vẫn còn duy trì sự dẫn điện của SCR được gọi là?
a. Dòng điện cực đại b. Dòng cổng thuận cực đại
c. Dòng duy trì d. Dòng rò cực cổng
Câu 18: Một mạch khuếch đại gồm 2 tầng khuếch đại, nếu hệ số khuếch đại
của tầng thứ nhất là -100 và tầng 2 là -50 thì hệ số khuếch đại toàn mạch là :
a. -150 b. +150 c. -5000 d. +5000
Câu 19: Một mạch khuếch đại có tần số cắt do ảnh hưởng của các tụ liên lạc
và bypass lần lượt là 10Hz, 50Hz và 150Hz. Thì tần số cắt thấp của mạch là
a. 10Hz
b. 50Hz
c. 150Hz
d. Tất cả đều đúng
Câu 20: Một mạch khuếch đại như
hình 11, tần số cắt thấp do ảnh hưởng
của tụ C2 là:
a. 40Hz
b. 4Hz
c. 16Hz
d. 160Hz
Câu 21: Mạch khuếch đại công suất chế độ A ghép trực tiếp có đặc điểm nào
đúng
A. Điểm làm việc nằm giữa vùng khuếch đại và hiệu suất tối đa đạt 25%
B. Điểm làm việc nằm giữa vùng khuếch đại và hiệu suất tối đa đạt 50%
78
C. Điểm làm việc nằm giữa vùng khuếch đại và hiệu suất tối đa đạt 78,5%
D. Điểm làm việc trong vùng tắt và hiệu suất tối đa đạt 78,5%
Câu 24: Mạch khuếch đại hình 12 là mạch khuếch đại có hồi tiếp âm
a. Điện áp nối tiếp
b. Điện áp song song
c. Dòng điện nối tiếp
d. Dòng điện song song
Câu 25: Hệ số hồi tiếp của mạch hình 12 là
a. 1/R3 c. 1/R1
b. R3 d. R1
Câu 26: Theo giả định về áp thì áp vào Op-Amp V+ = V- vì Op-Amp
a. có hệ số khuếch đại áp rất lớn
b. có điện áp ngõ ra rất bé
c. có điện áp ngõ vào rất lớn
d. cả a, b, c
Câu 27: Trong mạch hình bên, điện trở RC được
mắc vào ngõ vào không đảo của mạch khuếch đại
để
a. Giảm thiểu điện áp offset ngõ ra do ảnh hưởng bởi
dòng phân cực
b. Giảm hệ số khuếch đại của mạch
c. Tăng hệ số khuếch đại của mạch
d. Tăng điện trở ngõ vào
Câu 28: Mạch ổn áp IC hình 15, có điện áp ra nằm đúng trong khoảng
a. 1,45V đến 14,75V
b. 1,25V đến 13,75V
c. 0V đến 13,95V
d. 0V đến 14,75V
Câu 29: Trong cấu hình mạch CE, điện trở
emitter (RE) được dùng để
79
a. ổn định nhiệt b. Bypass tín
hiệu ac c. Phân cực cực
Collector d. Độ lợi cao
Câu 30: Mạch nguồn hình 16,
có độ gợn sóng
a. 2,5%.
b. 1,44%
c. 25%
d. 14,4%

Câu 31: Trong mạch nguồn hình 16, điện áp DC ngõ ra khoảng
a. 29,7V b. 20,6V c. 33V d. 22V
Câu 32: SCR là linh kiện có cấu tạo
gồm……………………..
a. 1 lớp bán dẫn b. 2 lớp bán dẫn c. 3 lớp bán
dẫn d. 4 lớp bán dẫn
Câu 33: Mạch dao động tạo sóng sin hình 17
có tần số dao động bằng

a. 1kHz
b. 100Hz
c. 10kHz
d. Tất cả đều sai

Câu 34: Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại đảo dùng Op-Amp
được tính chính xác theo công thức sau
A.RF A.RF
a. ACL   b. ACL 
RF  (1  A).R1 RF  (1  A).R1
A A
c. ACL   d. ACL 
R1 R1
1  A. 1  A.
R1  RF R1  RF

80
Câu 35: Cho mạch lọc như hình 18, mạch có tần số cắt
a. 83Hz
b. 167Hz
c. 26,5Hz
d. Tất cả đều sai

Câu 36: Mạch lọc hình 18 có độ lợi bằng, tại tần số hoạt động
a. 1 b. 3 c. 0 d. ∞

Đề 5
Câu 1: Tần số cắt cao của mạch khuếch đại bị ảnh hưởng bởi tụ
a. liên lạc b. bypass c. ký sinh d. a và b đúng
Câu 2: Mạch khuếch đại công suất lớp B phân cực làm việc Q tại vị trí
a. trong vùng khuếch đại b. trong vùng khuếch đại gần vùng ngắt
c. sâu trong vùng ngắt d. trong vùng ngắt gần vùng khuếch đại
Câu 3: Một mạch khuếch đại dùng FET có tần số cắt cao lần lượt là 540kHz,
1MHz. Vậy tần số cắt cao của mạch là
a. 540kHz b. 1MHz c. a và b sai d. a và b đúng
Câu 4: Hiệu suất cực đại mạch khuếch đại công suất chế độ AB lớn hơn chế
độ :
a. A b. B c. C d. cả 3 đều đúng
Câu 5: Đặc điểm mạch khuếch đại công suất chế độ AB là:
a. mỗi BJT khuếch đại bán kỳ tín hiệu b. mỗi BJT khuếch đại toàn kỳ tín hiệu
c. hiệu suất cực đại là 50% d. Điểm làm việc nằm sâu trong vùng ngắt
Câu 6: Đặc điểm mạch khuếch đại công suất chế độ C là:
a. Khuếch đại bán kỳ tín hiệu vào
b. Khuếch đại toàn kỳ
tín hiệu vào
c. Khuếch đại ít hơn bán kỳ tín hiệu
vào d. Cả 3 đều sai

81
Câu 7: Mạch khuếch đại công suất OCL
a. dùng tụ xuất tín hiệu ra b. dùng biến áp xuất tín hiệu ra
c. dùng 2 nguồn cung cấp ±VCC d. dùng 2 BJT cùng loại
Câu 8: Mạch khuếch đại công suất OTL
a. dùng tụ xuất tín hiệu ra b. dùng biến áp xuất tín hiệu ra
c. dùng 2 nguồn cung cấp ±VCC d. dùng biến áp đảo pha tín hiệu ra
Câu 9: Trong mạch cộng hưởng LC song song, hiệu suất đạt cực đại khi mạch
a. có tính cảm kháng b. có tính dung kháng
c. có tính trở d. cả 3 đều sai
Câu 10: Trong mạch khuếch đại lớp C, chọn áp phân cực được cực B bao
nhiêu khi tín hiệu ac vào cực B có Vp-p = 6V?
a. -3V b. -4V c. -5V d. -6V
Câu 11: Trong mạch khuếch đại lớp C, BJT dẫn
a. toàn kỳ tín hiệu b. bán kỳ tín hiệu
c. ít hơn một bán kỳ d. cả 3 đều sai
Câu 12: Mạch khuếch đại hồi tiếp có điện áp ngõ ra được lấy đưa về ngõ vào
và mắc song song tín hiệu ngõ vào là mạch
a. hồi tiếp điện áp nối tiếp b. hồi tiếp dòng điện nối tiếp
c. hồi tiếp điện áp song song d. hồi tiếp dòng điện song song
Câu 13: Mạch khuếch đại hồi tiếp điện áp nối tiếp là mạch
a. khuếch đại điện áp b. khuếch đại dòng điện
c. khuếch đại truyền trở d. khuếch đại truyền dẫn
Câu 14: Các thông số mạch hồi tiếp dòng điện song song là
a. AG , βZ b. AV , βV c. AI , βI d. AZ , βG
Câu 15: Tần số cắt là tần số mà tại điểm đó
a. độ lợi của mạch giảm đi 2 hay -3dB b. công suất tín hiệu suy giảm một nửa
c. a và b đúng d. a và b sai
Câu 16: Các tụ ghép tầng và tụ bypass ảnh hưởng đến tần số …………… của
mạch khuếch đại

82
a. trung bình b. cắt thấp c. cắt cao d. bất kỳ
Câu 17: Hiệu suất cực đại của mạch khuếch đại công suất chế độ A tải ghép
máy biến áp là
a. 25% b. 50% c. 72,8% d.
78%
Câu 18: Đặc điểm của mạch khuếch đại công suất chế độ
A
a. khuếch đại bán kỳ tín hiệu b. khuếch đại toàn kỳ
tín hiệu
c. méo xuyên tâm d. điểm làm việc nằm
sâu trong vùng ngắt
Câu 19: Mạch khuếch đại công suất OTL sử dụng 2 nguồn cung cấp ±VCC và
tụ xuất âm ở ngõ ra
a. đúng b. sai
Câu 20: Mạch khuếch đại hồi tiếp có điện áp ngõ ra được lấy đưa về ngõ vào
và mắc song song tín hiệu ngõ vào là mạch
a. hồi tiếp điện áp nối tiếp b. hồi tiếp dòng điện nối tiếp
c. hồi tiếp điện áp song song d. hồi tiếp dòng điện song song
Câu 21: Mạch khuếch đại hồi tiếp dòng điện nối tiếp là mạch
a. khuếch đại điện áp b. khuếch đại dòng điện
c. khuếch đại truyền trở d. khuếch đại truyền dẫn
Câu 22: Mạch khuếch đại hồi tiếp điện áp nối tiếp có tác dụng
a. tăng tổng trở vào, tăng tổng trở ra
b. tăng tổng trở vào, giảm tổng trở ra
c. giảm tổng trở vào, tăng tổng trở ra
d. giảm tổng trở vào, giảm tổng trở ra
Câu 23: Dạng mạch hình bên là mạch
a. hồi tiếp điện áp nối tiếp b. hồi tiếp dòng điện nối tiếp
c. hồi tiếp điện áp song song d. hồi tiếp dòng điện song song
Câu 24: Trong mạch dao động dịch pha R-C, hệ số khuếch đại là
a. A = 29 b. A = -29 c. A = 1/29 d. A = -1/29
83
Câu 25: Điều kiện mạch dao động tạo sóng sin theo tiêu chuẩn Barkhausen
a. Tổng độ lệch pha trong một vòng kín là 360o , độ lợi Aβ = 1
a. Tổng độ lệch pha trong một vòng kín là 360o , độ lợi A = β
a. Tổng độ lệch pha trong một vòng kín là 0o , độ lợi Aβ = 1
d. a và c đúng
Câu 26: Mạch dao động LC được sử dụng trong những mạch dao động
a. tần số thấp b. tần số cao
c. tần số trung bình d. tần số bất kỳ
Câu 27: Mạch chỉ có tác dụng cho dãi tần số thấp và tần số cao của tín hiệu đi
qua là mạch lọc
a. thông thấp b. thông cao
c. thông dãi d. triệt đãi

84
 MÔN THI: ĐIỆN TỬ CƠ BẢN
TRƯỜNG ĐH SPKT TP.HỒ CHÍ MINH
Mã môn học: BAEL340662
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ Học kỳ: I Năm học: 2015 -2016
Đề số 1. Đề thi có 3 trang.
BMCSKTĐT Thời gian: 90 phút
--------------------------- Được phép sử dụng tài liệu.

PHẦN I: (4đ)
Cho mạch như hình 1 7V
Si

Câu 1: Đây là mạch cổng:………………

Si +
Câu 2: Điện áp ngõ ra, VO=…………….. 5V
1k Vo
-
Hình 1 0 0

Cho mạch như hình 2 10V

I =4mA
Câu 3: Với IDQ=2mA, thì VGS=………… Vp=-6V 3,9k

Câu 4: Để IDQ=2mA, thì RS=…………

+
Câu 5: Tính VDS=………….., với trường hợp RS ở câu 4. + Vo
Vi
1M Rs
-
0 0 0 0 0

Hình 2

Cho mạch như hình 3 12V

Câu 6: Đây là mạch dao động tạo sóng sin có tên gọi 39k 2k
là:………………

3
1
2

Câu 7: Tần số dao động của mạch f=………….. 10mH

1
12k 2
1nF
1k 47uF 1
0
0 0 0 10mH

2
hình 3

Cho mạch như hình 4 0,1 uF

Câu 8: Đây là mạch lọc thông………………. 100k

VO 12V
Câu 9: Mạch có hàm truyền AV  =…………
8

Vi 10k
Vi 3
+
1
+ 2
- Vo
+
Câu 10: Mạch có tần số cắt fC=……………
4

- -
0
-12V
0 0

Hình 4

Cho mạch như hình 5, biết transistor có re=26Ω 12V

Câu 11: Mạch khuếch đại được mắc hồi tiếp 2k

dạng……………… 930k
Câu 12: Mạch có hệ số hồi tiếp =……………….
3

2 +
Câu 13: Mạch có hệ số khuếch đại vòng hở A=………… + Vo
1

Vi
-
0 0 0
Hình 5

85
Cho mạch như hình 6 +10V

HI
Câu 14: Transistor Q1 hoạt động lớp:…………., Q2 hoạt
động lớp:……………..

3
2 Q1
Câu 15: Max Pi(dc)=……………….. 8

1
Vi
Câu 16: Max Po(ac)=……………….. Q2 0
0
Câu 17: Đây là mạch khuếch đại công suất đẩy kéo có tên
là mạch……………….. Hình 6

HI
-10V

Cho mạch như hình 7 180k

Câu 18: Đây là mạch………………..
10V
Câu 19: Mạch có UTP=……………………

8
20k 3
+
Câu 20: Vẽ dạng sóng ra của mạch nếu Vi=5sint(V). 2
-
1
+
0 Vi + Vo

4
-
-10V -
0 0 Hình 7

PHẦN II: (6đ)

Câu 1: (2,5đ)
Cho mạch khuếch đại như hình 8. Biết transistor Q1 là loại Si có 1=100, transistor Q2 là loại Si có
2=100 và được phân cực với ICQ2=0,886 (mA), VCEQ2=6,9 (V).
+10V

120k 2k 1M 3k
C2 C3=1uF
C1
3

2 Q1 2 Q2
Vi +
1

3k
20k
0,5k 0,5k C4
-
0 0 0 0 0 0
hình 8
a) Tìm điểm làm việc của transistor Q1. (0,5đ)
b) Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của mạch. (0,5đ)
c) Tìm AV, Zo. (1đ)
d) Tính tần số cắt thấp của mạch nếu các giá trị tụ C1, C2, C4∞. (0.5đ)

86
Câu 2: (2đ)
Cho mạch như hình 9
10k 5k
2k
+15V +15V

4
0
2 - 2k
1k 1 2 -
V1 3 + 1 Vo
V3 3 + +
1k
V2
8

8
-15V
1k 0 -15V 0

0
hình 9
a) Viết biểu thức V0 theo V1, V2. (0,5đ)
b) Vẽ dạng sóng tại V3 và Vo nếu V1=3(V), V2=3sint (V) (1đ)
c) Nếu op-amp 1 là lý tưởng, hãy tính điện áp offset ngõ ra nếu op-amp 2 có IIO=10μA và
VIO=2mV. (0,5đ)

Câu 3: (1,5đ)
Cho mạch như hình 10.
Tìm điện áp cực đại tại
1

a)
22:15
1 điểm A, ( V A( P ) ) (0,25đ)
Ii Io
220V 2 - + 4

4 8
7806 b) Tìm Vr(p-p) (0,25đ)
100
470uF Ohm c) Vẽ dạng sóng tại điểm
A (0,5đ)
3

hình 10 d) Hãy cho biết điện áp ra

Biết Ii≈Io có ổn áp không? Vo=?
(0,5đ)

Chuẩn đầu ra của học phần (về kiến thức) Nội dung kiểm tra
[CĐR 1.1] Mô tả được cấu trúc, nguyên lý hoạt động và đặc tính của Câu 1
các linh kiện điện tử cơ bản
[CĐR 2.1] Tính toán và phân tích được các thông số của các mạch Câu 2,7,9,10,12,
điện tử cơ bản 13,15,16,19
Bài 1, bài 2
[CĐR 2.2] Thiết kế được các mạch ứng dụng của các linh kiện kiện tử Câu 3,4
[CĐR 2.5] Giải thích và phân tích được các mạch điện tử cơ bản Câu1,6,8,11,14,17,18,20
[CĐR 4.1] Đọc được sơ đồ mạch điện tử cơ bản thực tế: mạch nguồn, Bài 1, 2,3
khuếch đại

Cán bộ coi thi không giải thích đề thi

Thông qua bộ môn

87
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT
THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN CSKTĐT
-------------------------
ĐỀ THI CUỐI KỲ HỌC KỲ III NĂM HỌC 2017-
2018
Môn: Điện tử cơ bản
Mã môn học: BAEL340662
Đề số/Mã đề: 01 Đề thi có ……..trang.
Thời gian: 90 phút.
SV Được phép sử dụng tài liệu.

PHẦN I: TRẮC NGHIỆM (4 điểm)

Câu 1: Điện áp rơi trên R1 trong hình 1 là

bao nhiêu nếu chuyển tiếp P-N được làm từ
Germanium?
a. 12V
b. 11V Hình 1
c. 11.3V
d. 11.7V
Câu 2: Dòng điện chạy qua điện trở R1=1 kOhm trong mạch hình 1 là:
a. 12 mA
b. 11.7 mA
c. 11.3 mA
d. Đáp án khác
Câu 3: Đường cong đặc tuyến của diode silicon cho thấy:
a. Rào thế là 0 V
b. Rào thế nằm cố định ở 0.7 V
c. Rào thế tăng nhẹ khi dòng điện tăng
d. Rào thế giảm nhẹ khi dòng điện tăng

Câu 4: Cho mạch như hình 2. Điện áp ngõ D1(Si)

ra Vo sẽ là: 5V
a. 5 V + Vo
D2(Si)
b. 0 V 0V
c. 4.3 V R 1k
d. 4.7 V -

0
Hình 2
Câu 5: Dòng điện chạy qua Diode D2 trong hình 2 là:
a. 0 mA
b. 4.3 mA
c. 2.15 mA
d. 4.7 mA
Câu 6: Mạch điện hình 2 là mạch cổng logic?
a. AND
b. OR
c. NAND
d. NOT

88
Câu 7: Cho sơ đồ mạch chỉnh lưu như hình
sau. Hãy cho biết ở bán kỳ âm (-) của
nguồn, cặp diode nào hoạt động?
a. D1D3
b. D1D4
c. D2D3
d. D2D4
Hình 3
Câu 8: Một BJT khi hoạt động có IE=10mA. IB=0.05mA. Cho biết dòng điện IC?
a. IC=0.5mA
b. IC=5mA
c. IC=9.95mA
d. IC=9.5mA
Câu 9: BJT được phân cực như hình 4,
phương trình điện áp phía ngõ vào là....
a. VCC = IBRB + VCE + IERE
b. VCC = IBRB + VBE + IERE
c. VCC = IERE + VCE + ICRC
d. VCC = IBRB + VBE + ICRC
Hình 4
Câu 10: Mạch hình 4 là mạch phân cực cho BJT dạng:
a. Định dòng IB
b. Định dòng IB có điện trở RE
c. Cầu phân áp
d. Hồi tiếp từ cực C
Câu 11: Để BJT hoạt động ở chế độ bảo hòa, các tiếp giáp phải được phân cực như thế nào?
a. JE phân cực thuận, JC phân cực thuận.
b. JE phân cực thuận, JC phân cực ngược.
c. JE phân cực ngược, JC phân cực thuận.
d. JE phân cực ngược, JC phân cực ngược
Câu 12: Một BJT(Si) có β=100 được phân
cực như hình 5, xác định dòng IC?
a. IC = 93mA
b. IC = 9.3mA
c. IC = 0.93mA
d. IC = 9.3A
Hình 5
Câu 13: BJT là linh kiện bán dẫn........
a. Được điều khiển bằng dòng điện ngõ vào
b. Có trở kháng vào rất thấp.
c. Được điều khiển bằng điện áp ngõ vào
d. Hệ số ổn định nhiệt thấp
Câu 14: Cho biết biểu thức nào là quan hệ dòng điện trong BJT?
a. IE = IC + IB
b. IE = IC - IB
c. IB = IC + IE

89
 d. IC = IB + IE
Câu 15: Một mạch khuếch đại có tần số cắt do ảnh hưởng của các tụ liên lạc và bypass lần lượt là
100 Hz, 500 Hz và 850Hz. Thì tần số cắt thấp của mạch là
a. 100Hz
b. 500Hz
c. 850Hz
d. Tất cả đều đúng
Câu 16: Phân loại mạch khuếch đại công suất dựa vào đặc điểm nào sau đây
a. Điểm làm việc của transistor trong mạch
b. Hiệu suất của mạch
c. Tính năng của mạch
d. Công suất của mạch
Câu 17: Theo giả định về dòng thì dòng vào của OP-AMP I+=I-=0 vì
a. OP-AMP có hệ số khuếch đại rất lớn
b. OP-AMP có điện trở ngõ ra rất bé
c. OP-AMP có điện trở ngõ vào rất lớn
d. Tất cả đều đúng
Câu 18: Trong mạch khuếch đại CE, phát biểu nào sau đây sai
a. Độ lợi điện áp lớn
b. Độ lợi dòng điện lớn
c. Độ lợi điện áp bằng 1
d. Điện áp vào và ra ngược pha nhau
Câu 19: Cho mạch như hình 6, điện áp ngõ T1
2 D1

ra trên tải VL trong khoảng 220 Vrms

4 1

V1
50 Hz RL
10:1 3 3N246
a. 29.7V 0°
1kΩ
b. 20.6V 200µF
c. 33V
d. 22V Hình 6
Câu 20: Mạch nguồn hình 6, tụ điện C=200µF có chức năng
a. Liên lạc
b. Khuếch đại
c. Lọc điện áp gợn sóng
d. Không có chức năng gì

PHẦN II: TỰ LUẬN (6 điểm)

Bài 1(4đ):

Cho mạch khuếch đại như hình vẽ, biết rằng transistor T1 và T2 có hệ số β=150

90
 20V

330k 3k 560k
2k
2.2uF
1uF
1uF
Vi Vo
Q1
Q2

10k
22k
0.12k 22uF 0.12k 47uF

0 hinh 10
a. Hãy tìm điểm làm việc tĩnh Q1 và Q2.
b. Viết và vẽ DCLL và ACLL cho tầng 2, xác định tầm dao động cực đại của tín hiệu
ngõ ra của tầng 2
c. Xác định Zi, Zo, Zi2, Zo1 của mạch
d. Xác định Av, Ai của mạch
e. Cho tín hiệu vào Vi(sin, 10mVp, 10kHz), Hãy vẽ dạng sóng ở ngõ ra Vo.

Bài 2(1đ):
Hãy vẽ mạch khuếch đại công suất OCL. Cho ±Vcc = ±20V, tính công suất ngõ vào cực đại,
công suất ngõ ra cực đại.
Cho Vi(p)= 18V, tính công suất ngõ vào, công suất ngõ ra, hiệu suất mạch.

Bài 3(1đ):
Hãy dùng OP-AMP để thiết kế một hàm như sau : Vo = -3V1 +8V2. Với Vo : ngõ ra, V1, V2:
ngõ vào, giả sử op-amp lý tưởng. Cho nguồn cung cấp cho op-amp Vcc = 12V, V1 = 2V và
V2 = 2sin(t) (V). Hãy vẽ dạng sóng Vo.

Ghi chú: Cán bộ coi thi không được giải thích đề thi.

Chuẩn đầu ra của học phần (về kiến thức) Nội dung kiểm tra
[CĐR 1.2]: Có khả năng tính toán/thiết kế… Câu 1
[CĐR 2.3]:………………………………… Câu 2
[CĐR 4.4]:………………………………… Câu 3

Ngày 2 tháng 8 năm 2018

Thông qua Trưởng ngành

(ký và ghi rõ họ tên)

91