Ege Üniversitesi Fen Fakültesi Kitaplar Serisi No.

82

ELEKTRONİK DENEYLERİ

Yazan
Prof.Dr.Muzaffer ORAL
Fen Fakültesi Fizik Bölümü
Emekli Öğretim Üyesi

E.U.Fen Fakültesi
Baskı İşleri
1991
 ÖNSÖZ

· Bu kitap 1973-1978 yılları arasında Ege Üniversitesi Fen Fakültesi Genel

Fizik laboratuvarında yaptırılmış olan deneylere, yeni ilaveler ıfe hazırlanmıı
olup, üç bölümden ibarettir.
Birinci bölümde vakum tüplerinin tanıtılmasına ve bazı uygulamalarına yer
verilmiştir.

ikinci bölümde, yarı-iletken diod ve transist6riin tanıtılması amaç güı:lülınüı­

tür.
Üçüncü bölümde ısı, ışık ve mağnetik alandan etkilenen yarı iletken tertiplerin
bazı uygulamaları yer almaktpdır.

Kitabın meydana gelişinde büyük yardımı olan asistan Yılmaz Kanat'a, dizgi
ve baskı işlerini titizlikle yürüten pge Üniversitesi Merkez Matbııası personeline
en içten teşekkürlerimi burada ifade etmeyi bir borç bilirim.
ıs Aralık. 1981

Doç. Dr. Muza/in ORAL

BORNOVA

I
 BU BASKININ
"ÖNSÖZ"Ü
"ELEKTRONİK DENEYLERİ'' kitabının ikinci kez basılmasından,
hizmet verebilmiş olmanın mutluluğunu duydum.
Ancak, bu baskının, olabildiğince, bazı yenilikleri içermiş olduğu

halde gerçekleşmesini isterdim.

Benim isteğimin ve gösterebileceğim gayretim dışında olan nedenler
yüzünden, gideremediğim eksiklikler için duyduğum üzüntüyü belirtmeden
geçemiyeceğim.

Fakat, öğrencilerimizin hoşgörüsüne inanarak biraz teselli oluyor,

kendilerine başarılar diliyorum.

ANKARA
9 ŞUBAT 1991
Muzaffer ORAL
(

İçindekiler ı Sayfa

1- Vakum Tüpleri 5

D.1.1- Diod .......................... ,. .. ..... ............. 7

D. 1.2- Diod lamt>aıun doğrultucu olarak kullanılması 15
D. 1. 3- Triod ldmbanın mcelenmesi .. .. .. .. . . .. .. .. . . .. .. . . .. . 21

D .1.4- Triod ldmbanın r, s, µ bsabitlerinin bulunması ......... 27

D . 1. 5- Yüklü triod ldmbanın karakteristiklerinin çizilmesi ...• 33
D. 1. 6- Appleton metodu ile triod lambanın iç direncinbı ölçül-
mesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . • . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

D. 1. 7- Triod lambanın yükseltme katsayısının direncin değişimi

metodu ile tayini . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

D . 1 . 8- Triod ,ile alçak frekanslı titreşimlerin elde edilmesi ...... 49

D. 1. 9- Yükselteç olarak triod lamba . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
D .1. 10- Bir yükselticinin çıkış geriliminin :incel~esi ........ 57

.
D. 1. 11- Tetrod'un karakteristiklermin çizilmesi . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
D. ı . 12- Bir pentodun karakteristiklerinin çizilmesi , ...· ....... . 65
D. ı . 13- Mültivibratör . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

2- Diod ve transistör 77
1- Yarı iletkenler ..... •,• ..................................... . 79
D.2.1- Yüzey temaslı diod .. .. .. .. . .. .. .. .. .. .. .. .. .. . .. .. . 89
D.2.2- Zener Diod . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
D. 2. 3- Diod ile kesme devreleri . . . . .. . . .. . . . . . . . .. . . . . . . . . . . 103
D. 2. 4- Gerilim katlandırıcı .. .. . .. .. .. .. . .. .. . .. . .. .. . .. . .. .. 111
D.2.5- Yüzey temiislı transistörler .. .. .. . . .. .. .. . . . .. .. .. . . . . . 113

m
 D.~.6- Transistör parametrelerinm ~ası . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
D. 2. 7- Transistör karakteristikleri ..................... ; . . . . . . 125
D. 2. 8- Transistörün kutuplandırtlması ve işleme noktasının ka-
rarlılığının sağlanması . . . . . . . •. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
D.2.9-- Müşterek emettör montajında hybrid parametreleri 143
D. 2. 10- Transistörün amplifika~ör olarak kullanılması ........... 155
D. 2. 11- Transistötün giriş direncinin ve akım amplif~oAunun-
ölçülmesi ...................... , ............ • . . . . . . . . 163
D. 2. 12- Alan etkili transistör .............. ; . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
D. 2 ..13- Alan etkili transistörün amplifikatör olarak kullanılması. 177
D. 2. 14- Transistörün diod ile termik stabi!izasyonu . . . . . . . . . . . . . 181
D.2.15- Modülasyon ve detelcsiyon ............. : •......... :... 18J
3-· Isı, Işık ve Mainetik alan ............. _....................... 189
D. 3. 1- Foto-direnç ve fotoelektrik röle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
D.3.2- Termistans ............................ ·.............. 199
D. 3 . 3- Işık pili ................·• . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
D; 3 . 4- Hali öjeneratörü ile ölçüler 213
 -1-
VAKUM TÜPLERİ
 D.1-1 DİOD

Xoua :

a) Bir diodun fllmannun sıeaJchtının farklı delerleri için. pWc potansiyeli-

nin fo.nbiyonu olarak pWc (anod) akırnmm t1ııliıJminin ince1e.nmeai.
b) Yi1Jc direncbıo gGre diodu,ıı işleme noktaımın bu1u:ııması.

BBıt:

A. Dlod'aıı Prensip ve Çıı

1. FJektron tipleri (mııııa tlpled)
Vaicum tüplerinin Gzellilcleri, serbest ortamdaki (boıluktalcı") elektronlar
ilzeıine elektrik alanın etkisine dayanır. Metallerin eloktrik akırnrnı iletmclori
herhangi bir atoma ballı olmıyan. atonılar arasmda paylaşılabilen (maddenin
içinde serbestçe dolaşabilen) «serbest elektron» lamı_ vartııı ile milmkiin olmak-
tadır. Metal içinde bir e1cktrilı; alan meydana geti.rildiii, zaman, serbest elektron-
lar elektrik alana ters yönde si1ri1lclen.erclı: elektrik aJcı,ıımı meydana gctirüler.
· Hernekadar «serbest elektronlar» metal içiiıdo serbestce dolaşabilirlerso de, me,.
talin yüzeyine yaklaştıkca, ·geride kalan yilkler nedeniyle şiddeti daha artan geri
. çalttıcı bir kuvvete manız kalırlar. Serbest elektronlarm metali terk ederek uzaya
. atılabilmesi için (metalin yüzeyinden kurtulabilmeleri ·için), bir potansi)'el enerji
engelini aşabilecek yeterli minimum enerjiye sahip olmalan pıekir. Bu minimum
enerjiye (W) iş fonksiyonu dcınir. Ve elektron volt (1 cV = 1,6 x 10- 12 erg) ilo
ifade edilir.
2. Termoiyoıılk yayınlama (termolyoıılk emisyon)
(W) iş fonksiyonu büyük bir pratik önemi olan ve termoiyonik yayınlama
denilen olayı karakterize eden bir faktördür. Bir metal ısıtıldığı zaman elektron
yayınlanır ve bu yayınlanan eloktronların sayısı sıcaklıkla artar. Serbest elekt-
ronların ld:netilı: enerjileri sıcaklıkla orantılıdır. K.bıetilı; enerji (W) jş fonksiyo-
nundan büyük olan bir elektron ıQerideki bir noktadan ~ e dojru harclı:et
ediyorsa metalden kıurtularak ~rbest hale BCQebilir. Sıcaklılın yükselmesi elok-
trona, maddenin yim,yinden kurtulabilmesi için -gerelcli olan enerjiyi sallar ve
böylece sıcaklık arttıkça elektron yayınlanması da_artar.

1
 3. İki elemanlı elk.troo töpii {Diod)

Bir diod, havası boşaltılmış bir balon veya tüp içine yerleştirilmiş, elektron ·
yayan bir katod ile elektronları toplayan (anoddan) plaktan teşekkül eden bir
elektron tüpüdür. Diod şematik olarak Şekil 1.1-1 deki gibi gösterilir.
FI4rna:n.-lcatod elektron yayınlayan elemandır. Fliman akım (alternatif veya
doğru) geçirilerek ısıtılır. Genellikle flaman, iş fonksiyonu küçük oksit tabakası
ile kaplı bir metal silindir·olan katod He çevrilidir. Bq tür düzenleme ile fliman
oksit kaplı katodu ısıtmaya yarar.

Anod

Flôman

Şetµ 1.1-1

4. Uzay yftll :
Elektron yayınlanmasf sonucu katodda meydana çıkan pozitif yük, katodu
terk etmiş olan elektronların katodun yakınından ta.aklaşmalannı engeller. Ka-
todun etrafını saran bu negatif elektron bulutuna uzay yükü denir. Uzay yükü
diğer elektronların katodu terk etmelerini, yani termoiyonik yayırlamayı engel-
ler.

5. (Aııod) Pllk potansiyelinin etgisi

Pliğa pozitif bir potansiyel uygulanmadığı zaman pek az elektom ona ula-
pbil~celıi enerjiye sahiptir. Buna neden, pWı; ve katod arasında bir elektrik alanm
bulunmayışı ve uzay yiilcünün varlığıdır (Şekil 1.1-2).

8
 Plağa yeteri kadar pozitif bir potansiyel uygulanırsa, plak ve katod ara-
sında meydana gelen elektrik alan, elektronların plağa ulaşmasını sağlar. Böylece
dış devreden katoddan plağa doğru (I,)) plak akımı geçer (Şekil 1.1-3).

Uzay yükü

+Ep
Şekil 1.1-2 Şekil 1.1-3

Plll: ve katod arasındaki potansiyel farkı yeteri kadar küçükse, katoddan

yayınlanan elektronlar katod yalanından pek uzaklaşmazlar ve uzay yükü de-
nilen elektron birikintisine sebep olurlar. Elektomların buradan uzaklaşabilmesi
için plii.k-katod arasındaki potansiyel farkı ve bunclan meydana gelen elektrila
alan yeteri kadar büyük olmalıdır.

B. Statik Karakteristik
Statik karakteristik, plll: devresinde ·bir yük direnci bulunmadığı zaman,
plll: akımı (I,) ile plll: gerilimi (V,.) arasındaki ballantıyı gösteren bir eğridir.
Katodun farklı T 1 ,T 2 ,T 3 sıcaklıkları için elde edilen eğriler (Şekil 1.1-4) deki
gibidir.
,
1. Child-Laııgmiur kanunu
Akım uzay yükü ile .sınırlanmış olduğu zaman, I, ve V,. arasındaki bağıntı
I, = G V 3 / 2 şeklindedir. G sabiti, diod'un eletrotlarının şekillerine ve araların­
daki mesafeye bağlıdır. Katodun termoiyonik yayınlama özelliğinden bağıınsımır.
V, gerilimi arttıkça uzay yükü plağa do~ru çekilir ve hemen hiç uzay yükü-
nün kalmadığı bir· noktaya erişilinceye kadar azalır. Bu. durmda katodu terk
eden elektronlar plil.ğa ulaşabileceklerinden akımın şiddeti elektron yayınlama
hızına bajlı olur.

9
 -------T3
ip T2
------½,

-c;..ı..--------------~vp

Şekil. 1.1-4

Katod sıcaklıltnın ve pl&k geriliminin belli bir deleri için. Jcatod tarafmdan
yayınlanan btitün elektronlar pllğa ulaşabilirlu; V•• plAlc gerilimi btiyütiilme
ye devam edilse de ı, hemen hemen aynı kalır. Bu ha1de diod doyma (satürasyon)
rejiminde çahımalrtadır.

2. RicJaırdsoıı-l)ıahıııg Jıaıııum.

Şekil
1.1-4 deki eAnler, doyma (satürasyon) akımının lc;atodun sıcaklıltna
ballı olduiunu. göstermektedir. Termoiyonilc yayınlama (emisyon) alcım yo-
ğunluğunun sıcaklığa bağlılıjı Richardson-Dushman kanunu ile verilmekte_ ve

1. == AT 2 e- 6 /T (1-2)

şeklinde ifade edilmektedir

J. = akını yoğunlulu
T = K olarak lc;atodun
O
mutlak sıcaklıiı
e = 2,718 olarak tabü logaritma tabanı
A = Katodun tabiatına ballı bir sabite.
b = W/k
W = İş fonksiyonu
k = Boltzman sabiti {1,38x10 21 J/°K)

3. tç direnç
Karakteristiğin herhangi bir noktasındaki iç direnç, potansiyelin A V• artııı
ile, bu artışa lı;arşılık;olan akımın artışı ll. ı, arasındaki orandır :

R, = ll. V,, / AI,, (1-3)

10
v.. : Volt
ı.. : Amper
R, : ohm

C. Yök Çizgisi .
Bir lineer eleman (RL yük direnci) ile seri, lineer olmayan bir elemanı (diod)
ihtiva eden bir devre (Şekil. 1.1-5) yük çizgisi metodunu uygulayarak çözüın­
lenebilir.

+
V

Şekil. 1.1-S

ip

-RLV kar ek terist i k

IQ

Vp
VQ.
Şekil. 1.1-6

Giriş voltajının herhangi bir V deleri, plak akımı f, ve. V.ıı plak voltajı için
Kirchhoff kanununa göre

11
 V - v,, - I,,RL =o (1-3}
eşitliği yazılabilir. Bu eşitlik düzenlenirse
V =V,, + I,RL (1-4}
şeklinde bir dolru denklemi elde edilir.
Bu bir tek baAı.ntı, iki bilinmeyen I, ve V,, yı bulmak için yeterli değildir. Bu-
nunla beraber bu iki değişken, diod'un statik karaktirestiği. ile verilmetedir.
(Şekil. 1.1-6) da statik karakteristik· ve denklemi (1-4) eşitliği ile verilen yük
V
çizgisi denilen doğru görülüyor. Yük çizgisi I,,=0, V,, =V vo I,, = - -
RLt
V,, = O noktalarından geçer. Yük çizgisi ile statik karalcteristilin Q kesim nok-
tasının koordinatları pille potansiyelini ve pllk alamını verir.

Ölçiller.
A. Statik karakteristiğin çizilmesi
statı"k karakteristiği pille potansiyelinin fonksiyonu olarak ala-
Bir diod'un
mın değişiminigösteren I,, = f(V,,) ejrisidir. Bu ejriyi çizmek için Şekil. 1.1-7
de prensip şeması verilen bir montajdan faydalanılır.

•
63V

+
E
Şekil. 1.1-7

Isıtıcıya uygulanan belli bir potansiyel (6,3 volttan küçük ve 6,3 volt potan-
siyeller) için plak potansiyeline 0-15 volt arasında çeşitli değerler vererek plak
akımının değişimi sağlanır. Miliampermetreden okunan Iı,, voltmetreden oku-
nan Vı, değerleri ve ısıtıcıya uygulanan v potansiyeline görae aşaAı.daki gibi bir
· çizelge hazırlanarak I,, = f(V,,) karakteristiği çizilir.

12
 Çizelge : 1

Isıtıcı V 9 (volt) O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
V=
(volt) (I.P mA)

B. İç direncin bulunması

1. Hesaplama için bir örnek

Verilen bir işleme noktasma (Vp ve ip) göre iç direnç

R, = AV.,/M..,

dır.

AV., plak potansiyelinin. artışı

AV.P = plıUc potansiyelinin artışı
I., = plak potansiyelinin artışına karşılık plik akımının artışı

Verilen diod için plak potansiyeli V.,,10 volttan, 12 volta geçti#i za~
(AV., =2volt),Ipplak akımı20,6mAden36,8mAre geçiyorsa (AI.,= 16,2mA)

R,=----=-- = 123 ohm

16,2xıo- 1 16,2

olur.

Bu R, değeri plak akımının 20,6 + 36,8 değerine karfl)ıktır.

---- = 28,7 mA
2

2. ~ foakslyoıııı olarak iç dlreııdıı clellılml

Bu amaç için ı No.lu çizlgcdeki delerlero göre A V., A 1.,, ve R 1 dejerleri
lıeaaplanır.

13
 Çizelge : 2

V,, (Volt) O 2 4 6 8 10 12 14

AV,, 2 2 2 2 2 2 2

ı,, {mA)

AI,,

R,

3. HesaplananR, değerlerine göre R, = f{I,,) eğrisini çiziDiz.

C. Yüklü diod'ım karakteristikleri

Statik karakteristikler için olduğu gibi, plak devresinde RL yük direnci bu-
lunan diod'un karateristiği ısıtıcının normal sıcaklığı için çizilir.

Bu hal için I" = f(V") karakteristiğini çizmek üzere kullanılacak montaj .

Şekil. 1.1-8 deki gibidir. RL nin farklı sabit değe~leri için, V voltajına çeşitli
değerler vererek bunlara karşılık olan I" değerlerini miliampermetredeıı okuya-
rak ölçü sonuçlarını çizelge : 3 de gösteriniz. Karakteristikleri çiziniz.

Çizelge 3

V (volt) o 20 40 60 80 100 150 200 250

Rt= 5K I,(mA)
RL=lOK ı,, (mA)

14
 D.1.2. DİOD L1MBANıN İ>O~RULTUCU OLARA.K: DJLLANILMASI

Kona:
Diod 11.mba ile alternatif abııun. dojrultu]maıı.
.
Bilgi :

A. Alternatif akıİıuıı yanın periyodııımıı. 4oinltıılmuı

1. faydalamlacak dnre.
Diodun_ doJtultucu ~tarak çahımasıJU görmek tızeıe f2'yda]aıul•cak. deno-:
nin prensip ıeması Şekil. 1.2-1 de ver.ilmektedir.

_ıc

V tv _ı_K
C

ŞetD. 1.2-1

2. 1!lltnıılz .....
. .
IC. aııahtan açılır w RL yük direncine uyauıı bir deler ffriline awpeımctre. ytl1a
direncini ve alternatif gerilim temin edan kaynak ile ıcr,i dwumda olan diod"ıın.
.pWc potaıısiym periyodik olaralıı ·PQZitif w negatif deprler alır. Ancalc pWc po-
zitif potansiyelde olduiu zaman diod iletb;ıı oJduiundan. RL · yük diren~

~ 10 ~F (C)
~v

f\. (\ ·[:::. ~,
Şekil. 1~
ıs
ayni yönde kesik kesik bir akım geçer. Ossiloskopta gözlenen· eğri Şeki.l 1.2-2
a daki gibidir. Bu görünümden anlaş,Iacağı gibi alternatif akımın bir yarım pe-
riyodu doğrultulmuştur. Yani alternatif gerilim kaynağının pllk potansiyelini
pozitif kılan alternan.slar için, yük direncinden akım geçer.
3. Doğnıltalaiı alwıulakl dalgalanmanın kondamatör ile filtre yaparak
küçültülmesi.
K anahtan (örneğin C= 2 ıı. f bir kondansatör) .. zerine kapatılırsa ossilos-
kopta gözlenen eğri Şekil. 1.2-bb deki gibi olur.

Dikkat edilirse :
- Akımın ani değeri artık sıfıra düşmemektedir.
- Yük direncinin uçları arasındaki potansiyelde dalgalanma, filtresiz hal-
dekinden daha küçüktür.
- C= 10µ.f lık kondansatör ile dalgalanma daha da azalır (Şekil. l.2-2c);
V c ve le artar. Bunun nedeni kondansatörün her bir periyodda yüklenip kısmen
boşalmasıdır:

- Besleme geriliminin maksimum değeri için kondansatör yüklenir.

- Kondansatörün uçları arasındaki gerilim besleme geriliminden küçük
kaçak olduğu zam.an kondansatör RL direnci üzerinden boşalır.

Şu halde bir filtre kondansatör :

1 °. Dalgalanmayı büyük bir oranda küçültllr.
2°. Doğrultulan gerilim ve akımı büyültür.
3. Alteraatif' akımın her iki yanın periyodmma.dopııltıılması.

Eğer alternatif akımın bir periyodu dojrultınak istenirse, iki diod veya iki
pllklı bir diod kullanılır. Şekil. 1.2-3 de iki pllklı diod devresi görülüyor.
Transformatörün sekonderinin uçlan arasında meydana gelen gerilim ne-
deni ile P 1 plağı pozitif oldulu zaman elektronlar l. No.lu ok yönihıde hareket
ederler. Bir yarım periyot süresince bu pllk pozitif, diğer P2 pJiiı negatif potan-

Şekil. 1.2-3

16
ıiyoldcdir. Bunu izleyen yarım periyot süresince P2 plAlt pozitif, p 1 Plllı negatif-
tir. Bu defa katodun yayınladılt elektronları p 2 elektrodu çeker ve elektroııılar
2 No.lu ok yönünde akarlar. Görülüyor. ltl- her iki plijın ayn ayn çahımalan •
eıııasuıda RL yük direncinden ayni (D den C ye doğru) yönde akım geçer. Böy-
lece alternatif akımın bir periyodu (veya her· iki yarım periyodu dojrultulmuı
olur Şekil. 1.2-4 b •.
IIGl

(G)
Zaman

(b)
loman

Şetil." 1.2-4

A. Şekil 2-1 ele aMlea cleTreyl bnnık, ıetil, 2-2 MI eplleri ~ edlıılz.

B. Ylkll doinıJtııcıııaa karüterlsdll

Bu karakteristik yil1ı: direncinm uçları arasındaki Vc potansiyel farkını le
alammm fonksiyonu ola.tak veren Ve = f'(lc) epidir. Bu amaç için faydalanı-
1.- olan vo Şekil. 1.2-1 ele görülen devrede RL yil1ı: direnci bir reosta olabilir.

le (mA)

v. (volt)

le nin tabloda belirtilen de&erleri için Vc gerilimlorini tesbit ederek Vc' - f(lc:)
elrisiniçizhıiz ..

· C - 2 ı.ı. F ve C = 10 ı.ı. F için tekrarlayınız.

Biriimin plişinclen Jcondaıısatôrü.n atkisi:ni ·delcrleııdiriniL

17
 C. Doğrultulan gerilimin tepe değerlerinin (dalgalanmanın) değişiminin !

incelenmesi. i
\
l. Faydalaaılacak devre (Şekil. 1.2-5)
r .l
1

ıorF
,.._,
V

Şekil. 1.2.-5

Bu devrede görillen 10 ı.c. F lık kondansatör sadcce R direncinin uçlan arasın­

daki potansiyelde meydana gelecek dclişiıiıi yani dalgalanmayı voltm.otrc,ye ile-
tir. Bls kondansatörün empodansmı hesaplayalım. ' ·

1 1 1
Z - --- = ---- - lOOOx - - - == 318 ohm
10 -1x314 11:
1
görüldüiü gibi bu deler voltmcJrenin direnci yanında ihmal edilobilir ve V c nin
ölçülmesinde sistematik bir hataya sebebiyet vermez.
Yük dırenci RL = 5 K st olduiu halde C kapasitesini 0-40 ı.c.F arasında de-
li.ştirerck V C gerilimlerini ölçünüz.

C (ıı,F') O 1 3 4 5 6 ° 7 8 . 10 15 2S 30 40
Ve (Volt)
Vc = f(C) eğrisinin çiziniz ve eğrinin gidifini tartıımız.

D. Osilaskop yardıını ile plak akımının ölçfllmesl

1: Faydalamlacak devre (Şekil. 1.2-6)

2. Çahpıa metodu
Eğer- ossiloskop kalibre edilınemipe, bilinen bir voltaj ile önıelin 6 volt=2
kare; 1 kare 3 volt olacak şekilde kalibrasyon yapılır. Ossiloskop r = 100 ohm
direncinin uçları arasına bağlanır. Eter düşey çizgi 4,8 kareyi içine alıyorsa

18
 A

r= .:__ -@··,;._]'-XX)i.krrd
lÇ)O.ıı.ı-+--•-..-=j~-:.. - ;-___!--
---------- . .

Yük ~ fl= 5 KA

Şekil. 1.2-6

100 l == 3 x 4,8 - 14,4 volt

bıU

olur. Buradan

14,4

i
l
bıaz
=--- A = 144 mA
100
'
bulunur. •
Yüke sabit R = S K sı değerini veriniz ve C filtre kapasitesini değiıtiriniz.
Ossiloskobun. ekranında 1 kare = 3 volt oldupna göre aşaAıdaki çizelgeyi ba-
zırlayanı7.

C (µF) o 1 2 3 s 10 40

Kareler

100 I
- 1
volt

Jcmax

19
 E. Verilen dioda kullanarak
a) Alternatif akımın yarım periyodunu
b) Her ilci periyodunu doğrultunuz.

Gerekil Malzeme :
AC voltaj kaynajı (0-10 volt)
Diod (EZ 81)
DC voltmetre (O - 10) volt
DC miliampermetre (O - 300 mA)
Değişken kondansatör (1 - 40 p.F)
Ossiloskop '
s K sı direnç
AC voltaj kaynağı (10 - 10 V)

20
 ' D.1.3. TRİOD LAMBANIN İNCELENMESİ

Konu : Bu çalışmamn amacı

a) Katod sıcaklığı sabit olduğu halde farklı plik gerilimleri için I, = f(V ,)
ve kafes {griy) gerilimleri için I, = f(V,) karakteristiklerinin çizilmesidir.
farklı

BUıt:

A. Trlod llmbamn çalııma preııslbl

Bir triod iiç elektrodlu bir tüptür. Triod'da diod'daki iki elektroda ek olarak
kafes (griy) adı verilen üçüncü bir elektrod vardır. Griy, katod ve plAk arasmdalı:i
bölgede, katodu saran telden bir spiral şeklindedir. Plik katoda nazaran yeteri
kadar pozitif potansiyelde olduğu zaman, katodun yayınladılı elektronlar,
griyin telleri arasından geçerek pli.ğa doğııı akarlar. Katoddan plip dotru olan
bu elektron alı:ıtı griy potansi)eli ile kontrol edilebilir. ·

- Griy aeptlf potaıııiyelde :

Oriy uygun bir negatif potansiyelde e>ldulu zaman griyin telleri arasından
geçebilen elektronlar mevcut olabilir. Pli.la ulaşan bu elektronlar I, plilr akımını
l}leydana getirirler. Eğer griyin potansiyelinin negatifliği arttırılırsa (griy daha
fazla negatif potansiyelde tutulursa) eleJıitronlar daha kuvvetli olarak geri itile-
oeklerinden, katoddan pllğa doğııı olan elektron akışı azalır. Griy ptansiyelinin
yet.eri kadar büyük neğatif değeri için elektron akışı tamamen ke~ ve pllk akımı
sıfır olur.

Gıiy pozitif potıuıslyelde ·:

Griy pozitif bir potansiyele yükseltildiği zaman, katod ile bir diod teıJdJ
eder. Griy elektronları hızlandırır, bu durumda plilc akımı büyür. Griy poqnsi-
yelinin pozitif oluşu nedeniyle, griy tellerinin ~ d a n geçen elektronlar onun
tarafından vakalanırlar. ~u durumda gri) devresinden, griy potansiyelinin artıp
ile hızla büyüyen bir akım geçer. Griy potansiyeli belli bir pozitif potansiyeli aı­
~11 zaman I, pli.le akımı küçiilür, zira, katod tarafından yayınlanan clektronlaruı
büyiik bir kısmı griy tarafından tutulur. ·

11
 B. Statik Karakteristikler
1. I, = f(V,) karakteristikleri
Bu karakteristikler. griy potansiyelinin çeşitli sabit değerleri (V • = O, - V gt,
--Vg 2 , -V93 ,) için, I, plak akımını, V, plak potansiyelinin değişimi olarak ve
ren eğrilerdir. Şekil. 1.3-1 de triod'un bütün karakteristiklerini çizmeye imkln
veren devrenin şeması görülmektedir.

8
"
Y\

dı

Şekil. 1.3-1

Sal tarafta V, pl4k potansiyelini değiştirmeye yarayan R 1 potansiyomctıesi.

sol tarafta ise griy potansiyeline çeşitli değerler vermek için yararlanılacalc: olan
R 2 potansiyometrcsi bulunmaktadır. Katodun ısıtıcısına ayn bir kaynaktan
gerekli potansiyel farkı sağlanır. R 5 bir terslendiricidir. R 2 potansiyometrcsin-
deki sürgünün yerine ve terslendiricinin konumuna göre griye istenilen değerde
negatif ve pozitif potansiyeller uygulanabilir. Griy potansiyelinin çeşitli sabit
değerleri için, plak potansiyelinin fonksiyonu olarak, plak: değipmini veren
v. = sabit,.!, = f(V,) karakteristiklerinin görünümü Şekil. 1.3-2 deki gibidir.
Ip(ınA)

Vg=-l.

ot-""'.....;........ı::: ___ ~

Vp (Volt)
Şekil. 1.3-2

22
 2. I,, = f (V.) karakteristikleri.
Plak akımının griy potansiyeli ile kontrol cdilebileceAme daha önce delinil-
mişti. Plak potansiyelinin farklı sabit değerleri için, pllk akımını sıfır yapan griy
potansiyelinin negatiflik derecesi farklıdır. Plik potansiyeli ne kadar büyük ise,
plik: akımını sıfır yapan griy potansiyeli o de~· negatiftir. Plik potansiyelinin
giderek artan V,, 1 > V,, 2 > V,, 3 gibi değerleri için, plik: akımım sıfır yapan griy
potansiyellerinin v. 1 > v. 2 > V. 3 ·olacajı açıktır.
Plfilc potansiyeline verilen V,, 1 , V,, 2 , V,, 3 gibi sabit değerlerin horbiri için pl&k
akıinmı sıfır yapan griy potansiyelinden başlamak iizere pllk akımmm değişi­
mini veren. V, = sabit V,, = f(V.) lcarakteristiklorinin görünümü Şekil. 1.3-3
doJı::i gibidir.

:---IIG,,-"""""'----"-----------
,ı•

Vg1 Vg2 Yg3

♦

Vg(YOlt}
Şekil. 1.3-3

3. ı. = f(V.) kıınıkteristill­
ı'/-A
ig

'9= f(Vg)

\IJ(Volt)
Şekil 1.3,-4

23
 Şekil. 1.3-4 de, katod ısıtıcısının normal sıcaklığı için, griy potansiyelinin
fonksiyonu olaral!; gtjy akımının değişimi görülüyor. Griy potansiyeli biraz (1 volt
kadar) negatif olduğu zaman griy devresinden bir akım geçmeye başlar. Griy po-
tansiveli giderek artan pozitif değerler aldıkça, griy akımı hizla bir artış gösterir.
Hazırlıklar :
1 . Bir şasi üzerine yerleştirilmiş normal _ısıtma voltajı 6,3 volt olan bir triod
(ömeğin, ECC 81 çift triod'un bir elemanı yahut 12AU 7 veya 6J5) .ve yetecek
kadar bağlantı tellerini alınız.
2. Şekil. 1.3-1 de görülen devreyi kurunuz, bağlantıları bir defa daha
kontrol ediniz.
3. L4mbanın ısıtıcının devresinde bulunan R., reostasını düzenleyerek ısıtı-
cıya normal 6,3 volt potansiyel farkı tatbik ediniz. ·
4. K 1 ve K 2 anahtarlarını kapatınız.
Ölçmeler :
A. ı,, =f(V,,) karakteristikleri
1. Griy potansiyeline V,, = O olacak ıckilde R2 potanslyomctreıinl dOnnle-
yiniz.
2. Plil: potansiyeline sıfırdan başlamak üzer~ 1SO volta kadar 10 volt ara
ile giderek artan değerler veriniz.
S. V,, pllk potansiyelinin herbir değeri için I,, plAk akımını otuyunus.
4. V • = -2V yapınız ve ölçüleri tekrarlayınız,. ,
5. V,, = -4V.V,, =,-6V, V,, = -8V yapınız.
V,, anod potansiyelini 250. volta kadar yükscltirb:n I,, anek\ •Jarnl•nnı oku-
yunuz. Aşağıda görüldüğü gibi bir çiulgc hazırlayınız.
6. Öhü değerlerini kullanarak I,, == f(V,,) karakteristiklerini çiziniz.
Ölçü değerleri :
v,, 10 20 30 40 50 60 70 100 150 200 250·
v. = o ı,,
Triod V,,= -2 I,,
No. v. = -4 ı,,
v,, ·= -6 l,,
v. = -8 1,,

B. I,, f(V ,,) karakteristiklerinin çizilmesi

1. Plil: potansiyelini 100 volt yapınız. Griy potansiyeli sıfır volt olacak ıc­
kilde R2 potansiyometresini düzenleyiniz. I,, pl4k akımını okuyunuz. Daha
sonra sürgüyü C ye doAru sürerek griye bir volt ara ile giderek artan negatif
delerler veriniz ve her defası için I., pllk akımını Qkuyunuz.

24
 2. Böyle devam ederek alamın kesil~ andaki P 1 potansiyelini incelikle
tayin ediniz.
3. V • = 150 volt yapınt21 ve V 11 = O dan başlayara.kakımının sifır
olduğu V 112 griy potansiyelini tesbit ediniz.
4. Ayni işlem V • = 200 ve V • = 250 volt için tekrarlayınız.
5. Ölçü sonuçlarını aşağıdaki gibi ha2J1rlanan bir çizelgede gösteriniz. ve el-
rileri çiziniz. Kullandığınız lamba için işaret edilen alcım şiddetlerini aşmayınız.

Ölçü değerleri :
v. o -1 -2 -3 -4 -6
v. = 100 ı,.

Trio v,. = 150 ı.

No. v. = 200 ı.
v. = 250 l,.

E. GRİY AKIMININ DEÔİŞİMİNİN İNCELENMESİ.

1. Anod potansiyelini + 200 V yapınız.
2. Griy devresine 1 mikroampermetre yerleştirini3.
3. v. griy potansiyelini bir VQlt ile+ S veya+ _10 volta çıkarınız. her defa
ı. yı toyunuz. , ·
4. A~dald gibi bir çiulge hazırlayınız ve I. - f(V.) ejriıini çiziniz.

-2 -1 o + ı .... +ıo
Triod No. - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
111 (p.)A)

Gerekli Malzeme :
Triod (EC 92 )
+ 300 volt ve 6,3 V temin eden bir kaynak
0+SO volt doğru alam kaynağı
10000 ·ohm potansiyometre
2000 ohm potansiyometre
Birkaç ohm hık reosta
Voltmetre (6,3 _volt için).
Miliampermetre (0--50 mA)
Doğru akım voltmetresi (0--300 V)
Dofru alcım voltmetresi (0--20 V)
Mikr,,amperme~re (0--100 ıı, A)

25
 D.1.4. TRİOD LAMBANIN r,s, .!L SABİTLERiNiN BULUNMASI .

Konu : Triod llmb~nın r, (iç direnç), S (eğim), µ (yükseltme) katsayılarının

doğrudan doğruya ö)çü)ebileceji bu çalışmada, basit bir grafik metod U)$U,lm&-
caktır. ·

Bllıi :
A. İç direnç:
Tarif : Bir triod llmbanın belirli bir işleme noktasında (V•• V •' J.) iç direnci,
griy potansiyeli V 11 = sabit olmak şartıyla

~ v.
r=---
A ı.
oranı ile tarif edilir.
~ v.: Plik akımında A ı. kadar bir artışa sebep olan, plfilc potansiye-
lindeki artmadır.

İç direnç, I, = f(V,) yahut ı. = f(V .) karakteristiklerinden yaralanacak bu-

lunabilir. ·

ip

A ip

AVp Vp AVgO
Şekil. 1.4-1 Şekil. 1.4-2

Eğer ı. = f(V ,) karakterist;ğinden faydalanılacaksa, V g = sabit eğrisinin doğ­

rusal l9smı üzerinde A gibi bir noktadan B gibi bir noktaya olan değişim göz-
önüne alınacaktır (Şekil. 1.4-t):

27
 lp = f(V .) karakteristikleri üzerinde, I, eksenine paralel bir doğru boyunca
E den D ye olan bir yer değiştirme için V • = sabit Vt' V• = V • 2 - V, ı re
· karplık olan plak·alamı değiıimi !:;,. I., dır. (Şekil. 1.4-2). (

B. Elim
' ., I
Tarif : Bir triod'un bir işleme noktasında (V,, V •• I,) eğimi, anod gerilimi
V• = sabit olmak üzere S = !:;,. I ,/!:;,. V• oranı ile tarif edilir. !:;,. V • : Plil:
akımında !:;,. I, artışına sebep olan griy potansiyelinin artma miktarıdır. Verilen
bir .a V• için I, = f(V .) ve V, = sabit karakteristiği üzerinde E. noktasından
F noktasına bir yer değiştirme yapılmış olacağından bu değişikliğe karşılık olan
plll: akımında ki arttı !:;,. I, dır. (Şekil. l.4-3).

ip ip

Vp
Şekil. l .4-3 Şetil. ı .4-4

I, = f(V,) (V• = Sabit) karalc:teristiklerinclen faydalanarak da S buluna-

bilir. Verilen bir işleme noktası (V•• V•• I:.) için I, eksenine paralel bir dotru
bo)unca G ve H gibi iki nokta arasındaki yer değiıtirme halinde V, = sabit,
_fi V,, = v.2 - v. 1 ve akımdaki artış A ı, dır (Şekil. 1.4-4).

C. Yükseltme (ampllfibsyon) katsayısı

'ı
1'.'arif : Yükseltme katsayısı, plak alamında ayni değişiklile sebep olan pWc
po~'.·yeli değilimi (/:;,. V,) ile gri} potansiyeli dejipmi (A VJ arasındaki oran-
.S.r ,ı'• •
\~' \ . . '
.

!:;,. v,
(V• = sabit) ı.ı. = ...---.
,Av.
J, = rr,ı ,) Cv, = sabiO. qrakteristiktefi üı.erlnde JM ve ML dejişimleri
(Şekil. 1.4-5) sırasıyla pllk ve griy potansiyelleri 07.erindeki delifimdir, Şekil-

28' ,,}.

! .J,ı:
i.
den de görüldüğü gibı, plak ve griy potansiyellerindeki bu değişikliğe karşılık olan
plak akımındaki d IJ> değişikliği aynidir. r,S, ı.ı. büyüklükleri arasında ıı. = rS
bağıntısı vardır. ' -

gerçekten,

d V,, l!ı. V,, l!ı. I,,

[J. =--=----

şeklinde yazılabileceğinden ıı. = !S olur.

AVg O Vg

Şekil. J.4-5

A. ı-lç ...-.aaıı.ı......
Ya'.rarJanıJacak devre_ (Şekil : ı:3-1) deki gibidir.
(V• = sabit) I, = f(V,,) karalcteristilbıin doirusal kısmı iiZeriııdc pWc potan-
siyelinin a V,, artışma karşılık pWı; akımındaki deliıim l!ı. I, ise iç direnç ·
r =AV,/ l!ı. I, olur.
Buna bir örnek verelim. V,, 1 = 135 V, V,ı = 155 V
l!ı.V,, = 155 - 135 = 20 volt, l!ı. I,,, = I,,ı - I,,i = 6-4 2mA =
ise r = ıoı 2 · le • ohm veya 10000 ohm olur. r'nin bu deleri 6+4/ 2 = SmA
akımına karşılıktır. Vg =- 4 V alınız. Bu gerilim için I, = f (V,) karakto-
ristijinin dojrusal kısmı üz.erinde bulunan Vpı, Vp2, Vp 3 , .... ~. Vp• gıcrilim- _
leıine karşılık olan lpı, lp 2 , ...... lp 6 pWc alcımlannı okuyunuz. Bıı ölçtl
delerlerini ve bunlara göre hesapladıjuuz A V, ve A. I, ve r delerlcrini aıalı~
daki gibi bir çi2:clgede aösteriniz.

. 29
'
 Ölçil değerleri :
V,, (volt) V,, 1 V,, 2-V,, 1 V,2 v,,3 v,,. v,,, v,,6
I" (mA) I,ı I,,2 l,,3 -ı •• ı", ı,,6
ı,, I,,2-I,1
ı,, (mA) için
I,,ı+I,,2
r (K ohm)
2

2. r = f (1,,) eğrisinin çizimi

İç direncin tarifinden de anlaşılacağı gibi I,, büyüdükçe r küçiilür. Bu elrinin
gidişi (Şekil. 1.4-6) daki gibidir. Ölçü deterlerinizi lı:ullanarak bu elriyi çiziniz.

ip
Şekil. 1.4-6

B. 1. Eilmln tayini
Triod lambanın bir işleme (V,,. I,,, V11) noktasında elimi ni bulmak içbı, V,,
plak gerilirııini sabit tutunuz. Griy potansiyeline giderek daha küçük negatif de-
ierler vererek A V II değişime karşılık olan plak akımındaki A I, değişimini tespit
ediniz. S= AI"/ A V11 oranından eğimi bulunuz.
V,, = 200 volt için ölçü sonuçlarını aşaltdaki gibi bir çizelgede gllsteriniz.

öiçi değerleri :
_V, ·= 200 V.
I,, (mA) I,ı ı,,, ı,6
A I,, I,2-I, 1
v. -V111 . -V112 -V. 3 -V114 V115 V, -V112
A V11 v 111 -v112
ı., (için) l,ı +ı,2

S(mA/V) 2
I
30
 2. S = f ( IP ) eğrisinin çizimi :
S = A ip/ A V g (mA)/volt bağıntısından anlaşılacağı gibi plak akımı bü-
yüdükçe S de büyür. Ölçü değerlerinizi kullanarak S = f(lp) eğrisini çiziniz.

C. 1. Yükseltme katsayısının tayini

Plak potansiyeli V P nın belli bir değeri için, griy potansiy,eli V • yi A Y • kadar
değiştirerek, bu değişime karşılık olan A ip değişimini okuyunuz; sonra V, yi
ilk diğerine getiriniz, griy potansiyelindeki değişimin sebep olduğu ayni A 1~ de-
ğişimini elde edinceye kadar V P plak potansiyelini· A V P kadar değiştiriniz
(Şekil.. 1.4-5) den görüleceği gibi AV,, = V,, 1 -V,,,. olacağından yükseltme
katsayısını veren bağıntı

..,. =
- Av.
dir.

V,, 1 = lOOV V • = -4 volt alma. Griy voltajını 2 volt ktiçilltcrek plllc akımın­
daki A l,, dc,lişimini daha sonra da V• = -4 V olmak ii7.cı:e, ayni AI,, değişimini
vercı:ı A V,, yı bularak yükseltme katsayısını hesaplayınız. .

2. ıı, = f(I,,) eplslıılıı çlzllmeıf

r -= f(I,,) ve S = f(I,,) eArileri ıı, = f(I,,) elrisbıi çizmeye imlin verirler. tııc iki
elri üzerinde ayni ı,, deAerlcrine Jcarıılık olan r ve S dclcrlerbıi bulunuz. ıı, = rS
çarpımlarmı hesaplayınız. Bu değcrleri aşaAtdalı:i gibi bir çizelgede göstcr:bıiz,
Ve ıı. ·= f(I,,) elrisini çiziniz.

Ölçl ·Delerleii :
ı,, (mA) o,s 1,5 3 6 8 10
r ( K )
's (mA/V)
~ = r S

Gerekli Malzeme
Bir evvelki deneydekinin ayni

31
 D.1.5. YOKLU TRİOD LAMBANIN · ICARAKTERISTIKLERtNtN
ÇlztLMESİ

Komı : Bu çalışmanın amacı plAk devresinde bir )tile direnci buhmdulu

.taımııı I, plak akımını. V, ve V• potansiyellerinin fonksiyonu olarak ftl'OA
t,. = f(V,) ve ı, = f(V.) ejrilerini çizmektir.

Bilp:

A. I,. = f ( V, ) l[arakterlstiklerlıılıı çlzllmeıl

Bu karalı:teristilclm çimıelı: için Şekil. 1.5-1 deki. gibi bir ~ fayda-

lanılır. . .

~~------41,--·-----
~ Ep
Şekil. 1.5-1

Görülen devrede Rı. delişken bir direnç. E,. plqa sabit bir gerilim ıaiJayan
y,UtseJı:
voltaj kaynatıdır.

Griye tatbik edilecek olan dejiıilı: -V,, gerilimleri bir potansiyometre ile
stllanır. Rı. yük direncinin Rı.ı, Rı.2, Ru ... gibi delerlerinin herbiri. için.
Y, 'griy ·potansiyelWn dejiıilı: dejerlerine Jı:arıılık olan ı. pWc. aJcımJan ıııiJi..
4ttıpermotrodeıı okunarak ı, =- f(Vg) etrlleri çizilir. (Şekil. 1.5-2).

33
 Şekil. 1.5-2

B. Dinamik ejfm

fi,
Statik S =- - - ejimi RL = O karakteristi,liııe tekabül eder.
r
RL büyüdükçe

iL
So ... - - - - -
r + RL
4inamilc elfmi küçülür. .

Heuangi bir V • ve RL değerine karşılık olan dinamik elimi bulmalr: için

J, =f(V .) karateristiklerinden faydalanılır. Örneğin. Şelcil. 1.5-2 de RL2 için
çizilmiş olan J, = f(Vg) karakteristiğinin V O gibi bir griy potansiyeline karşı­
lık olan dinamik etınıi bulmak isteyelim. Bunun için Vg 2 nin iki tarafında alınan
simeftik V • değerlerine karşılık olan I, değerleri eğri üzerinde işaretlenerek,
bunlar arasındaki farktan AI, hesaplanır. Bir örnekle bunu açıklayalım. v. 2 = S
volt olsun. bunun iki tarafında alınan V • = -3 volt ve V • = -7 volt için akım
şiddetleri sırası ile I, = 5,~ mA ve I, = 3.4 mA ise, A I, = 2,2 mA ve A V • == 4
olur.

Bunlara göre elim. ..

AI, 2.2 1
s =----- =---=--- mA/volt
AV, 4 2

bulunur.

34
 C. Yük çlzglslnla çlzllmesl:

E, ve RL sabit oldulı,ı halde V, değişirse, llmbanın iıleme noktası yani, ve-

rilen E,, RL ve VII değerlerine karşılık olan V, ve I, değerleri ile belli olan nokta
bir doğru çizer. İşleme noktasını belirleyen V, ve I, değerleri dojrudun dol-
nıya da ölçülebilir, fakat katod ve plak arasına ballanan voltmetreden, plAk
akımı yanında ihmal edilemiyecek değerde bir alcım geçer. Bu suretle belirlenen
işleme noktaları teorik yük çizgisinin dışında bulunur.

Şekil. 1.5-1 deki devrede plik devresi için Kirchhoff voltaj kanunu yazıhrıa,
• pllk potansiyelini veren bajmtı.

olur.

Buradan atım pddeti için bulmum

v,
ı, - - - - - - + ----
....
, ll B,
,- -----+---
ıetlinde bir .dolro denklemidir.

Elrsenleri kcstiji noktalar (I,=0, E,=V-,) ve (V,=O. I,=B,/RL) olan bu

. dojruya (Şekil. 1.5-3) yük çizgisi denir. Bu dojnınun, griy potansiyelinin ve-
rilen V• değerine karşılık olan I, = f(V ,) eğrisi ile kesim noktası lAmbanın işleme
yerini verir. Böylece verilen RL yükü ve V, griy potansiyeli için I, pllk akımı vo
V• plil; potansiyeli belirlenmiş olur.

Oıçmer :
1. E, = 200 volt olmak üzere RL = 0,5,15,47,68,100 K-ohm dirençlerinin
herbiri için VII nin çeşitli değerlerine karşılık olan I, akımlarını tesbit ederek
örneği aşağıda verilen çizelgeyi hazırlayınız.
J, = f(V.) karakteristik eğrilerini çiziniz.

3S
 Ölçl Delerleri .
v. (volt) -12 -10 -8 ~ -4 -2 -1 o
o I,=
s I,=
R.L(ohm)
ıs I,=
47 I,:==

68 ·ı.-

100 I,=

Şekil. 1. ►3

2. S 0 = f(RL) elrlshdıı çlzilıaeıl :

Daha önce çizdilimiz E, = 200 volt. R.L =· sabit lcarakteriatitlerinden fay-
dalanarak V • = -5 volt için aıaltdaki gibi çizelge bazırlayuwı. S., :mı f{R.ı.)
ejrisiııi çiziniz.

Ölçl Delerled : .
R.L (K-ohm) o s ıs 47 68 100
il. ı. ( mA)
S0 (mA/ volt)
(R.L + r) K ohm

36
 3. a) Ylk ~ - ıfdhnerıl

E. == 200 volt RL == ı 5K oldulu baldo V• yi sıfır ilA -8 volt arasında deliı­

liıerek bunlara kaılıhk olan ı. akım fiddetlcriııi ölçünOZ.

v. (volt) o -2 -4 --8

ı. (mA)

Beılıir
(lıldl.
v. ~ için 1"ıldıılıımıız
1.5-4). .
..... ııotıaıarmı ev. ı.> .......,._

V• potansiyeli O w -8 volt arasmda deliftili zaman iıJeme nottalarmın çkdill

dolnıYu A,B nottalanndaıı itibaren uzataraJc. cbeıı1eri bıim nottalarmm
E. ft EJRL olduJunu ıöıilnOZ.
b) Daıı. önceki çalışmada çJzdilimiz V • == -2 volt I• == f(V.) kanktciiatili
11J.ıerine E. - 200 volt, RL ==
ıs tsı için yak çizpıiııi ~ - ,

· KaraJtteristit etri ile yi11c çiqisinin Q bıim noktası (Şeldl. I.S-5) Jlmbnın
ifıım. ,ntwmı wıeoııttir.

37.
 lp ;.,~1~# ~~:ı;ıı:!:f :ılfi" r,:~~ ,;
~et
:r,1,;;-.r~· ·· 1i .,,,,.·ı "I V ~i;i.;ıı,.r~ ~~tı ,,_, ~'i!H ""' ,;-;;, :ıfo• c~,;:: · :.
RL ·-·.::-,,~;;~.e; ;;.ri:d:;.,ilbi~ ., '.;E:ıs "I ~;.;ıfo :>',:;ı.r.ımi i>,;;: 1,wı' ~
•lQ ..

Şekil. 1.5-5
- ' . ~ .,, ·.·
Bu suretle bulduğunuz ·işleme noktasını Şekil. 1.5-4 den V ~ .:ıı:= ;+-2.. völt için
bulacağınız işleme. noktası ile karşılaştırımz. ,. ... .... , •
4. Yüklü triod lambanın katodunun otomatik olarak Jcutuplandınlmaıı ha-
linde I, -~ f(Y,) lç~rakteristiğipin ..çiıilmesi.
a) V. potansiyeİ farla. plak akımının geçtiği RK direnci (Şekil. üze- ,'.r:~
rindeki potansiyel düşüşü ile temin edilebilir; böylece Rıı: direnci V• potansiyeli,
dolayısiyle ı. akımı üzerinde etkili olur.

r-
:ıı::
o:
..P-
ip

RL
li
. o,

t----L-----t---:-tii. .♦-. "~'•!; ...~ : ',,

Rı.r~m},~lf; ~~r~ ;a-!~~F.;ft~~' ~"~~1,~ ~ftrleri vererdt ip

anoa a1ilirilannı tespıt edmız. . .... ; , . . ,:~,- · ,r .
38
 Rıc (K- ohm) 9 7 5 4 3 2 1 o.s
ı. (mA)
V ,-~.Rıc (volt)

I., delerleri ile hesapladıjınız V, =- I., Rıı: delerlcrine göre ı. = f(V ,) elrisini
çiziniz. Bu eğriyi, daha önce çizdijiniz Rıc =0, RL = 15 K ejrisi ile karşılaftın-
nız, farkın nedenini açıklayınız.

b) ı., = f(Rx:) ejrisini çiziniz, sonucu yorumlayınız.

Kullamlacak Malzeqıe :
Triod (EC 92, 12 AU7 gibi)
Dirençler· : s. ıs. 41, 68, ıoo Kst
0-10 K st arasında dejişen direnç
Anod , griy ve flinıan voltajlarını sajlayan yObek voltaj kQnalı
(0-2SO V, 0-SO volt; 6,3 volt)
DC miliampermetre (0-10 mA)
DC voltmetre (0-SO volt)
 D.1.6 APPLETON METODU İLE TRİOD LAMBANIN İÇ DIRBN•
ÇİNİN ÖLÇÜLMESİ

Koiıu : PWı: (anod) deyresindeki bir direncin deli,ıimine dayanan basit bir
montaj ile bir triod limbanm (veye pentod) r, iç diren.cinin tayini.

Bilgi : PIU: devresinde bulwıan bir direncin değişimine dayanan bir mctod
ile r, diren.cinin ~yini için faydalan.ılaça]c devrenin prensip ıeması Şekil. 6-1 de
görülmoktedir.

+
. Ep

Şekil. 1.6-1

Bir triodda !,.pille akımı, V, plik voltajı, ıı. yükseltme (amplifikasyon btsayııı)
ve griy potansiyeli Vg arasında

balmtısı vardır.

Bu bajıntıya dayanarak r• iç direncinin tayini için yapılacak işlem aşatiöa

belirtildiği gibidir. R direnci kısa devre yapılarak plll: akımı olcunur. Pl&lc akı­
mının bu deleri Iı ise yukarıdaki bajmtı
•

ıe]dinde (miliamparmetrenin r, )anında küçüle .olan cUrenci ihmal edilerek) ya._

zıta~lir. Anahtar açılınca Iı akımı küçülür, akımın yeni değeri l2 ise

41
 (6-2)

eşitlili yazılabilecelinden, bu iki, eıitlilcten

R 12
(3)

bulunur.

A. Direnebı llçlllmesl
ı. Şekil. 1.6-1 deki devreyi lcunmuz
2. E, ve V • ye normal değerlerini ~ ve b1'1Jları sabit tutunuz.
3. Anahtarı _kapatınız 11 akımını olcııymıuz.

4. Anahtarı açınız ve J 2 akımını okuyunuz.

5. r, yı hesaplayınız ve aıa&ıdat verilen ça.c1pyi lıuırlaymız.

oıcı Jlılıdııl :

Triocl No. il (obm) 1000 5000 10000

ı,

s.. - .....
v. - ...... .
Sonucu tartqmız.

B. r • == f(V..) .,. r,. ... f(V,) :qdlıılıılıı çl:ıfhıeıl

1. V,. yı sabit tuı.raJc. bir potansiyometre vasıtuiyle V• ye çqitli delerler

veriniz ve bunların hor biri için yukarıda bahsedilen mıtod ile r,. diıııııçlerini
buhıaıız. .

42
 V.,(Volt) -0,5 -1 -2 -4 -6
lı (m.A)

I:ı (mA)
v, = 100
R

r,,
Iı

v,, = 150
R

V,, = sabit r,, = f(V .,) eğrisini çiziniz.

2. V • yi normal deierinde sabit tutarak V,, yi değiştiriniz. (Ömejin 50 -250

volt arasında). V,, ruıi her bir değerine karşılık olan r,, yı yukarıdaki metoda
göre hesaplayınız.

V,, (volt) O 10 20 30 40 50 70 100 150 200

v. = - 2 R
r,,

R
r,,
Sonra V • = aabit r,, = f(V,,) eltisini çiziniz.

Gerall malzeme :
Triod (6J5 veyy,. 12AU7 yahut BCC 81, 12 AX7)
Stabil voltaj kaynağı (yüksek voltaj ve 6,3 volt)
Griye gerekli gerilimi sağlayacak kaynak (0-lSV)
Anahtar .
Doğru akım miliampermetresi (0-10 mA)
Voltmetre (0-300 V) -
Dirençler (1000 ohm. 5000 ohm, 10000 ohm ve 20000 ohm)

43
 D.1.7 TRİOD LAMBANIN YÜKSELTME KATSAYISININ
DİRENCİN DEÖİŞİMİ METODU İLE TAYİNİ

Konu :
Pllk akımının sabit kalmasını esas tutan ve pek fazla malzeme gerektirmeyen
basit bir yol olan direncin delişimi metodu i~e ıı. yükseltilme katsayısı bulunması.
Bilgi :
Negatif potansiyeldeki griy ile, pozitif potansiyeldeki pilim, katoddan anada ·
doğru giden elektronlar üzerindeki tesirleri farklıdır. Gri)in giderek artan negatif
potansiyeller alması pllğa giden elektronların sayısının azalrnas•na sebep olur.
Bunun sonucu olarak pllk akımının şiddeti küçülür.. Plak potansiS'elinin
artması ise pllk akımının büyümesini sağlar. Şu halde griy ve plak potansiye-
line U)gun değerler vermek suretiyle pllk akımı sabit tutulabilir. ~kil. 1.7-1
de buna imkin verecek olan ~ şeması görülüyor. Bu devreden faydalanarak
yükselt~ katsayısının ta)ini için yapılacak işler aşatıda belirtildiji gibidir.

f ip

Şekil. 1.7-1
K. anahtan 1 konumunda iken R direncine uygun bir deler ~ ff ı. plllc
akımı ölçülür.R direnci hem katod-griy devresinde hemde pWc ---:katod devm-
ıiııdedir. Bunu gOz&ıilııde tutarak

45
 V,ı = E, - R 1 I,.

ve

yazılabilir.

Anahtar 2 konumuna getirildiği zaman V • büyür, bunun sonucu olarııkı I, de

artar. R direncine daha büyük bir değer vermek suretiyle, ı, akımı ille delerine
getirilebilir. · ·

Bu durumda

V,. 2 - E,. - I,. R. 2

V-2 =- E•

dir.

Pllk ve piy potımiyelinin delilimi

A V,. == V,., - V,2 - 1,. (R.ı - R,)
Av. = v.2 - v., =- I, R. 1 .

ve yübeltme katsayısı :

AV,
fL = --- - -----
Av.
olur.

Ölçtller

1. 1000 ohm - 50000 ohm arasında dejiştirilebilen R. ciirenci ilo Şekil. 7-1
de görülen devreyi kurunuz.
2. V • ve E, yi normal dejerlerinc göre düzenleyiniz.

3. Anahtar 1 konumunda iken R :>e. uygun bir dejer (örneğin 5000 ohm)
veriniz ve I, akımını okuyunuz.

4. Auahtan 2 konumuna getiriniz:, ı, büyür, R yi bUyilltcrck ı, yı ilk dcğcrino

getiriniz. R nin bu~ deleri R2 olsun.

46
 s.
µ. =
Rı
bağmtısından yükseltme katsayını hesaplayınız.

6. A:ynı ölçüleri E, nin farklı değerleri için (250 . . . . 80) yapmız,

7. A~ağıda görülen çizelgeyi doldurunuz ve µ. = f (E,) eğrisini çiziniz, sonucu

Ölçfi Dejerleri :

v,, I, v,
Triod-No. - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Sabit

GwekJl Malzeme:
Triod (ECC 81, 12 AU7, 12 AX7 gibi)
Isıtıcıya 6,3 volt gelirim ile, değişik E, gerilimlerini sal)ayan kaynak
Doğru akım miliampermetresi (0-10 mA)
Doğru akım voltmetresi (0-1 O V)
Griye gerekli gerilimi sal)ayacak kaynak (0-10 V)
Griy potansiyeline gerekli deleri verebilmek için bir potıuısiyometre
İlci yollu anahtar
1000 - 50000 ohm arasında deli,keıı direnç (direnç kutusu).

47 ·
' D. 1 .1 TRİOD li.E ALÇAE. FREICANSU TITREştMLl!ldN ELDE
EDİLMESİ

Konu : Bu çah,mada, bir triod ltmbanın plik pevıeıindeki LC �tretim

dcvreıinin titreşimleri ile giiv potansiyeline uygun değer kazandırmak suretiyle,
titreşimlerin sönilmünün önlerim.esi, · yani titreşimlerin beslemııesi prensibi
ıösterilecektir.
Bilgi : Triod limba ile sönilmsüz titreşimler elde etmek için faydalanacak
devrenin· prensip ıemaıı a,a.jıda verilmektedir. (Şekil. 8-1)

Rg

1ı-ı----
-------1�1Ep
l Şekil. 1.8-1

ı ..nnıı-ı-ı-.w.•-·
•
L ve ı.. self'Jeri yüz yUT.e olmak üzere birbirloriııe yakla,tmhrJana. belli bir
mesafeden sonra miliam.pı-..rmetre bir griy atımının varlıjııu ıösterir; bu, titre­
titreşimlerin meydana geldiline işarettir. Bobinler birbirlerine çok yabıl oldulu
balcıe titreıimler nıeydmuL gelmiyorsa, bobinlerin sarplamun y&ıleri u,ıwı
delil demektir. Bu durumda L. bobiııbım ballaııtııı dc,littiriliı.

...
... ...
 Grfy Akımı :
Titreşimlerin
mevcut olmaması halinde griy akımı zayftır. L ve L 11 birbirlerine
· yaklaştırıldığızaman griy akımı artar; bu, griy devresinde bir indüksiyon e.nı.k
nin meydana gelmesi demektj.r. L bobininden bir alternatif akım geçtiği zaman,
yani devre titreştiği zaman L 11 bobininde bir indüksiyon e. m. k meydana gelir.
Titreşim devresinin uçları arasındaki gerilim : LC devresi titreşmediği zaman
L bobininden bir doğru akım geçer. Titreşim devresinin uçları arasına bağlanan
bir voltmetrenin alternatif akım için sapması ·titreşimlerin varlığına işarettir.
Eğer voltme•renin }erine bir Jculaklık bağlanırsa bir ses duyulur.

Plik akımının ossiloskop ile gözlenmesi :

-
PlaJc: devresindeki kaynak ile titreşim devresi arasına yerleştirilen küçük bir
direncin uçlarını ossilo~koba bağlanmak suretiyle plaJc: akımı gözlenebilir.

2. Kuplajm yGDI :
L ve L 11 nin bağlantısı değiştirilirse titreşimler kesilir. Ancak bir yöndeki
kuplaj için titreşimler devam eder. Bu, titreşim devresinin kaynak için zıt-elektro­
motor kuvvet gibi davrandığı zaman L 11 nin griye pozitif bir impuls temin ettiği
yöndür. (Bu halde V =VA - V 8 minimumdur); titreşim devresi bu şartlarda
enerji alabilir; böylece titreşimlerin sönmesi önlenir, sönümsüz 'titreşimler elde
edilir. ·

3 . ntreıtmıer1ıı 1en11ıı :

L ve L 11 birbirlerinden 'uzaklaştınnhrsa l.; ve V giderek küçillür, nihayet sıfır

olur. Şu halde titreşimlerin genliği kuplaj ile artar.

4. Titrefim)erin frekansı :
C Kapasitesi küçültülürse kulaklıkta ince bir ses duyulur, bu hal titreşimlerin
frekansınınkapasitesi ile ters }önde değiştiğini gösterir; L selfi küçültülürse ayni
sonuç elde edilir.

5. Mapetik ekran :
L ve L 11 bobinleri arasına tedrici olarak metalik bir levha yerleştirilirse, ossilos-
kobun ekranı üzerinde titreşimlerin genliğinin küçüldüğü sonra kaybolduğu
görülür. Bu olay, amplif.ikatörlerin parazit titreşimlerinden nasıl k...~ ·.·"·.· ·. bı.·iteceği
hakkında bir fikir verir. .
~it;:
,~
Ölçiiler
Bir triod (EC 92, ECC83) veya skrin griyi (02) aııoda baıtanmış EL84 pentod'u
trioda dönüştürmek suretiyle (böyleco llmbanın büyük ejiminden ve gücünden

50
fa}dalanılmış olur). (Şekil. 1.8-2 de verilen devreyi kurunuz.
1 . Pllk devresi ile griy devresi
~
arasındaki kuplajm etkisiııin. incelenmesi.

EP.
'--------.1,1,ı-.----'

Şekil. 1.8-2

·L ve L. yi uygun tarzda baj4yarak ve gerekli Ja..plajı saflayarak sönümsüz ·

titreşimler elde ediniz. Kuplaj küçültülürse; ı. küçülür; titreşim devresinin uçlan
arasındaki VAB gerilimi küçülür sonra birdenbire sıfır olur; aksine I., plAk akımı .
artar.

Bobinler arasındaki mesafeyi, d~layisiyle kuplajı de~Jı: ı. , V•• , 1.,

büyüklüklerinin tuplajı ile delifimb,i iııcc1eyiniz.

Ölçi J>elerler1:

L ve L. arasındaki
v•• (volt) ı. (mA)
mesafe (mm) ·

o
2
4
6
8
10
12

2. Titrefimledıı ,....,.......... ..ybd

a) Thomson.formillü ilo hesaplayaraJı:

51
 1
f ------
2 y'LC
1r
(hertz, henri, farat)

1
= 0,318
ff

1 0,318
f =-
2 'VLc

b) Frekansın ossiloskopla ölçülmesi

Titreşim devresinin çıkışını oss,ıoskoba bağlayınız. Ossiloskobun balayajını
bir veya iki periyod görecek şekilde düzenleyiniz. Önce titreşimlerin T periyodunu
ve sonra f frekansını bulunuz.
Örnek : Balayaj 0,5 ms/çm ise. 2 peri}od 1 (cm) yi örtüyorsa

0,5 X 1
T ·- - - -
2

olur ve

1
f = -·-
T

bağlantısından frtkans bulunur.

Gerekli malzemeler :
pentod EL84 veya 1 triod EC92
L = 0,044 H. bobin
L• = 4.46 H. »
Direnç R= 100 Kohm
Kondansatör C = O, 1 µF
» c. = 0,1 µF
Kaynak 0-300 volt .
Miliampermetre (0-100 mA)
Mikroampermetro (0-100 µA)
AC voltmetre
ossiloskop

52
 D .1. 9 YÜKSELTEÇ OLARAK TRİOD LAMBA.

Konu : a) Griy potansiyelinin, b) Yükseltilecek giriş sinyalinin genliğinin

fonksiyonu olarak yük direncinin uçları arasındaki potansiyel farkının incelen-
mesi.

Bilgi : Griy potansiyelinin değişimleri plak akımını, dolayısiyle plağa seri

bağlı yük direncinin uçları arasındaki potansiyel farkını değiştirir. Griy potansi-
yelinin değişfmlerinin plak akımı üzerindeki tesiri, plak potansiyelininldnden
daha büyüktür. Griy potansiyelindeki küçük değişimler, plak devresinde bulu-
nan yük direncinin uçları arasındaki potansiyel farkında büyük değişimlere yol-
açar. Şekil. 1.9-1 de bunu görmeye iınkin verecek bir devrenin şeması verili-
yor.

T
Ossileskop

111

Şekil. 1.9-1

Bu devrede, E. pllğa gerekli" pozitif potansiyeli sağlayan 1ca}nak, RL, plAlı:

devresindeki yük direnci; T, griy potansiyelindeki değişimlere sebep olacak V,.
gerilimlerini sağlayan transforınatör; E,, griye sabit negatif potansiyel sağlayan
kaynak, Eğer, E,, y. giriş voltajının tepe değerinden büyülese, griy hiçbir zaman
katoda nazaran pozi if olamıyacağından, griy akımı sıfmıır. Eğer griy devresinde
büyük bir direnç bulwıu}orsa, griy akımının var olması halin<1e çıkış voltajuım
dalgalı görünümünde bir bozulma (distorsjyon) meydana gelir.

Şekil. 1.9-2 a da görülen eğri triodun dinamik 1carakteristiğini yani plak

dcvresin<1e bir RL direnci bulW1duğu halde sabit bir pllk potansiyeli için, pWci
(anod) akımı ile griy-katod potansiyel farkı arasındaki bağlılığı göstermek-
tedir.

53
 Pl8ııcıfıımı

Şekil. 1.9-2

Griye alternatif bir potansiyel farkı tatbik edilmediii zaman anod akımı LM
gibi (Şekil. 9-2a) gibi bir deleı'.dir. Fakat (b de belirtildiii gibi) griye alterna-
tif bir gerilim tatbik edildiğinde, anod akımı minimum QS ve maksimum NP
değerleri arasında delifir: M, S, P noJı:talarmm sağ tarafta izdüşümleri alınırsa
anod abmının dalgalı görünü.mil (c) elde edilir. Gayet açıktır k i . ~ karak:-
teristilin SP parçası dojıu ise, anod aknDınm, dolayısiylo RL diıenchıin uçlan
_arasındaki. potansiyel farkının dalgalı gOrünümil, v. giriı voltajının dalgalı görü-
nümü ilo ayni oJacattır.

Ölçl3er :
A. A-V; == sabit griy potansi)elinin çıkıı potansiyeli iizerbıdeki etldshıin
incelenmesi.
1. Bu amaçla Şekiİ. 9-1 deki devreyi kurunuz.
a) E, = 200 volt, RL = 50 K-ohm. v. = 3 volt alınız.
v. nin -6, -9~ -13,.-18 volt deterleri için çıkıı voltajını ossiloakopda gözle-
yiniz. Gözlemleri belininiz. .
b) Ossiloakop'u sıra.siyle çıkışa (R.L direncinin uçlan arasına) ve girişe (yük-
aeltilocek gerilimi sallamakta olan transformatörün · -=lconderbıe) ballayarak
v. giriş voltajının yükseltildiği görün.üz. Çıkış voltaiınm ~tepe değeri. ile,
giriş voltajının tepe- tepe deleri arasındaki orandan A. ~oltaj yükselmosini
(amplifikasyonunu) hlılunuz.
· B- Giriı voltajının genJilinin ·çıkı, voltajı iizıeriııdeld edtishıin iMoJcmmesi
l. Bu amaçla Jı:ııllaıuJacak devıe.o.in ıeması Şekil. 9-1 deki gı"bidir•.
B, == ~ volt R.L == ·SO KS?. V• == - 2 volt ahnız.

S4
 Giriş voltajının v. = 1, 2, 3, S volt değerleri için çıkış voltajını ossilokopda
inceleyiniz. .

Gerekli Malzeme :
Triod (12 AU7, EC 92)
Doğru akım güç kaynağı (0-250 volt)
DC miliampermetre (0-10 mA)
Değişken transformatör
Ossiloskop
De voltmetre (0-20 volt)

55
 D.1.10 BİR YÜKSELTİCİNİN ÇIKIŞ GERİLİMİNİN İNCELENMESİ

Ioaa : Çok yaygın olan kademeli yükseltici (amplifikatör) tipinde, bir ka-
demenin çıkış gerilimi, direnç-kondansatör bağlantısı aracılığı ile, diğer yükseltici
kademesine iletilir. Elbette ikinci kademenin çıkış •gerilimı girif gerilimine
ballı olacaktır. işte bu çalışmada, bir kademenin ~ıkış geriliminin ·nelere ballı
oldulu incelenecektir.
1

BiJıl:

A. Ylbelticlıılıı ıerWm ylkseltiminln, ylk ~ lıalJılıpn ~ - ,

Bıı amaç için faydalanılacak devrenin prensip ıeınası Şekil. 10-1 do g&i)J.-
mektedit.

C
-------....---~C:
p
G

·.
. i

_ _..... . . ,_ __.__ _...;.ı,.___ _ __.__ _ --4., K'

Eg
Şekil 1.10-1

Bu devnde E,. E. pWc ve ıriY ıerilimlerini temin eden 1caynak1arm aeri)iııt- ·

·1on v.
iıe giriş gerilimidir. Bu gcıilimler sabit tutuldupıııda VO çıkı§ gcriliıııi R.L
:,ilk dimıci ile artar. .
S7
 A - V 0 /v. oranı voltaj yü.kseltmesini(amplifikasyonunun) verir. İkinci kade-
menin girişinde bulunan R' • direnci bir voltmetre ile (0-30 V) R' • = 300 ohm
mertebesinde) teşkil edilmiştir. Böylece incelenmekte olan kademenin çıkış voltajı
ôlçülmüş olacaktır. C kondansatörü plik potansiyelinin sadece alternatif bile-
şenini (v. deıı- ileri gelen bileşenini) geçirir.

G'. K' ikinci amplifikatör kademesinin giriş uçlarıdır.

Ölçiller :
1. A voltaj amplifilcasyonununu RL yük direncinin fonksiyonu olarak veren
A =f(RJ eğrisinin çizilmesi

E, = 200 v, v. = - 4.5 v. c = o.ı ı.ı, F,llLl == ıı x 10000 •

RL 2 = 11 x 1000, R' • = 300 K S?. , v. = 1,5 V (etkin deler) olmaJc tızerc
Şekil. 10-1 de görülen devreyi kurunuz.

Ölçil delerleri :

RL (K _ ohm) O 1 2 4 6 8 10 12 ·14 18 22 26 30 40 50
V 0 (Volt)

RL yük direncine örneği verilen çizelgedeki değerleri vererek, bu deterlerin her-

birine karşılık olan VO çıkış gerilimlerini ölçünüz. Daha sonra A = V o/v• yükselt
mesini hesaplıyarak A=f (RL) eğrisini çiziniz. Sonucu tartışınız.
2. Plil: besleme gerilimi E, niıı fonksiyonu olarak V- çıkıı gdriliminin ince-
lenmesi. .
Bu amac için RL = 50 ohm olmak üzere Şekil.· 10-1 deki devreden faydala-
nılacaktır. Çılaş potansiyelinde tam 4eterler elde edecek şekilde E, gerilimine
giderek azalan deterler veriniz. Bu E, değerlerinin herbirine karşılık olan V0
çıkış geril~~erini okuyarak bir çizelgede gösterseniz. ·

ÖlçO delerleri :

Ep (volt)
V 0 (Volt)
Vo=f (E,) karakteristiğini çiziniz ve sonucu tartışuıız.

_3. A sınıfında çalışma

a) Tarif.
Griyin ani deprlori, V•• blobj gerilimi ve sıfır ar~da "(V•• < V. < .O) kal-
dığı zaman bir amplifikatör ·till,11 A sm.ıf'uıda (veya A rejiminde çalışıyor denir.

58
 b) A sınıf halinde çıkış gerilimi pratik olarak giriş gerilimi ile orantılıdır.

c) Montaj :
Bu çalışmada faydalanılacak devremµ prensip şeması (Şekil. 1. 10-2) de gc5-
rülmektedir.

Şekil. 1.10-2

Giriı gerilimi 6,3 voltluk bir kaynaktan bir pota:ıısiyometrc yardımı

(R = llxlOO ohm) ile temin edilmektedir.

Gerekli Malnıııelef :
Triqd (EC 93 • . )
Dolro akım kaynalt (0-300 V)
Dolro akım kaynatı (0-10 V)
DÖğru akım voltmctresi (0-300 V)
Doim akım voltmctresi (direnci 300 K ohm mertebesinde)
Alternatif akım voltmetresi (0-10 V)
Altenıatü akım voltaj Jcaynajı (0-10 V)
Alternatif akım voltmetresi (0-10 V)
Direnç kutusu llxlOOOO ohm
Direnç kutusu 1 lxlOO ohm
Kondansatör. (O, 1 iL F)
Ossiloskop

59
 D. 1 .11 TETROD'un KARAKTERİSTİKLERİNİN ÇİZİLMESİ ·

Konu : Bu çalışmada bir tetrod'un a) plik potansiyelinin fonksiyonu ola-

rak skrin griy ve pUUc: akımlarının değişimini gösteren i, 2 = f(V.) ve 1~ = f(V.);.
b) Griy potansiyelinin çeşitli değerleri için plak akımını plak po~ansiyelinin fonk-
siyonu olarak veren, ı. = f(V.) karakteristikleri çizilecektir•.
Bilgi : Bir triodda griy plak arasındaki kapasite (C.~). triod'un yüksek fre-
kanslarda çalıştırılmasında bir engel teşkil eder. Bu engeli ortadan kal-
dırmak· düşüncesiyle griy-;plak arasına, skrin griy denilen ikinci bir griv yer-
leştirilir. Sabit potansiyelde tutulan skrin griy hir elektrosatik ekran teşkil
eder. Skrin griyin varlığı ile c,.
kapasitesi 1/1000 kadar küçülmüş olur.

Tetrodun ı. plak akımını G 1 kontrol griyinin potansiyelinin fonksiyonu ola-

rak gösteren ı. = f(V 11) eğrisi triodunki gibidir. ı. = f(V.) karakteristiği ise ta-
mamen değişik bir görünüme sahiptir. İşte bu nedenledir ki ı. = f(V.) karak-
teristikleri ile ilgileneceğiz. Skrin gri)'İll (G 2 ), potansiyeli (V 112 ) sabit bir pozitif
değeride tutularak, plak potansiyeline sıfırdan itibaren giderek artan değerler
verilirse plak akımının değişimi tipik bir görünüm arzeder, v. = O içm ı. = O
dır. Flaman tarafindan yayınlanan elektronların hem:en hemen hepsi skrm griy
tarafından tutulur. Plak potansiyeline sıfırdan itibaren giderek artan değerler
verildiğinde, plak akımında görülen değişimleri açıklığa kavuşturabilmek için
elektrodlar arasındaki potansiyel dağılımını (Şekil. 11-1) gözönüne almak ;.,y-
dalı olacaktır. (K: katod; 0 1 : kontrol griy, 0 2 : skrm griyi; p: plak)

Katod tarafından yayınlanan elektronların hızlandırılmasında elbette skrin

griyin rolü vardır. Plak potansiyeli artmaya başlayınca elektronların bir kısmı
skrm griym telleri arasından geçerek plıl.ğa ulaşabildiklermden plak akımı büyü-
meğe başlar; skrin griym yakalayabildiği elektronların sayısı azaldığmdan skrin
griy akım (i112 ) ise azalmaya başlar. Plak potansiyelmm artması elektronları
daha da hızlandırır. Plak potansiyelinin yeterli bir değeri içm, plağa çarpan bu
elektronların enerjileri plaktan elektron sökmeye imkan verecek bir değe ulaş­
mış olur. Katoddan gelen elektronların plağa çarpmaları ile meydana gelen bu
sekonder emisyon elektronların te.lcrar plağa dönmeleri veya plaktan uzaklaşma­
ları plak potansiyeline bağlı olacaktır. Eğer plak potansiyeli Şekil. 1.11-1 de
belirtildiği gibi, skrin griy potansiyelinden daha küçük bir x değermde ise, sckon-
cmisyon elektronları sterin griy tarafından yakalınırlar. Bu durumda plakdan
skrin giye doğru bir elektron akımı olur. Skrin gıiyit1 katoddan yayınlanan

61
elektronlardan yakalandıklarına, sekonder elektronlar da eklenince skrin griy
akımı büyür. Bazı şartlarda sekonder .emisyon elektronlarının sayısı primcr elek
tronlardan (]catodun yayınladılı elektfonlar) fıµ:la olabilir. Pllk elektron )&yın­
<
layan durumdadır artık; bu durumda (ve tabü V, V ııa için) pllk akımının yönü
deiişınif ve dejeride artmııtır. ·

1
1
1
1
r ı ',,
1 1
ı r ,
l 1 ',
1 1 '
1 1 '
1 1 ',
1 '
1 X ıGı
K o:""·,-t'-r-----------4-----.....ı.:.•-

Şekil. 1.11-1

.,ı,... .\ ig2
' ..._,,
, \ \ ;--------------- ip
/·
\ I
\ ,'
\ I
'ı\
,'I ,.
II '<,. _____
. _,

Şe1dl. 1.11-2

V, pWı: po-.i)eli, V 112 a1crin griy. ıx,taıısİyeli:ııcıcn bilyilk oldujıı zaman· . .

lconder elektronlar pWı: tararmdan ·geri çalJrılırlar. PWi: potansiyeli bU.yOdilkço
pllt akımı da giderek artar ve nihayet sattlrasyona, ulapr. V11 1 ==sabit, V 11a = sa-
bit olmak üzme, ılciiıı gri) (i11a) ve pWr;: aJc:ııiıının (I;,), pJAk potaıııiyeline ballı
olarak delilimi Şekil. 11-2 de a6rtlldülll pbidir.
 Ölçüler :

1. a) Belirli bir skrin potansiyeli (V ıız =65V) ve kontrol griy potansiyeli

(V" = - 1) volt için, V P plak potansiyelinin fonksiyonu olarak, plak ve skrin
akımları lp ile i" 2 nin değişimini incelemek ilZere Şekil. 11-3 de görülen dev-
reyi kurunuz.

E -=.- :!OOV
p

Şekil. 1.11-3

. Bu çalışmada bir pentod olan 6SJ7 lambası, skrin griy pJAk ile ~irlieıfıi.ril­
mek ·suretiyle tetrod olarak lı:ullanılıµalı;tadır.

Ölçl Deterlerl :

v. (volt) O 1 2 4 6 8 10 15 20 30 SO 10 100 150 200

V112 = 65V. I,,2

ı. = f(Vp) ve J112 = f(Vp) eğrilerini aynı kağıt üzerine çizerek sekonder eıiıisyomı­
nun tesirini görünüz.
b) V 11 2 = sabit olmak üzere çeşitli V 111 değerleri için ı. = f (V,) karakteristik-
lerinin çizilmesi. ·

V 11 2 = 6S volt olduju halde kontrol gıfy potansiyeline çeşitli ~..,:der vereeeJı:

I, = f(V.) karakteristiklerini çiziniz. :,ır

63
 Ölpl DelerlerJ

V, (Volt) O 1 2 4 6 8 10 15 20 25 30 50 70 100 150 200

v. 1 =--6V i. (mA)

v.2= --4,5 I,p

1,p

v. 4 =-2V I.P

v.,= -ı,5 I .P

2. v. 1 = -3 volt ve E.P = 200 volt, v. 2 = 65 vok olması halinde lambanın

•~leme noktası potansiyelinin V.P = 1 I O volt olması için pllk devresinde bulunması
gereken yük direncinin değerini, çi7.diğiniz lcarakteristiklerden ve yük çizgisinden
faydalanılarak bulunuz.

Daha sonra bu değerde bir direnci pille devresine ballıyarak, iılemo nolctaıı için
ı. ve V• delcrlcrini ölçünilZ, son~cu tartııuuz.

VG 1 2x4,5 V pil
VG2 100 volt (dotru akım lcaynalı)
E, 300 volt (dotıu akım lcaynalı)
R.ı İ .• S ııiA potan~)Ometl'e
R. 2 10 18 mA potansiyometre
R. 3 {- E• içinde
Dcjişl(pn direnç (l lxlOOOO direnç bıtum)

ı\nahtar

V 11 1 dolru akım voltnıAresi (0-10 volt)

V .2 dolru alam voltmetresi {0-10 volt)
•4'.laf.,. •. doırtl alam voltmctresi (0-300 volt
'·" doğru akım miliampcrmetrcsi (0-30 mA)
ı. 2 "d'ojru akım miliamperpıotresi (0-100 mA)
6SJ7 llmbası ve soketi
Ballantılar için yeteri kadar kablo ve fiş

64
 /

D. I. 12 BİR PENTODUN KARAKTERİSTİKLERİNİN ÇİZİLMESİ

Konu : Bu çalışmada, kontrol griyin farklı sabit v. 1 potansi}'elleri için,

plak potansiyelinin fonksiyonu olarak I.P plak akımının değişimi incelenecektir.

Bilgi : Bir pentod beş elektrodlu bir tüptür; katod {K.) , kontrol griy. (G 1 ),
skrin griy (G2 ), süpressör griy (G 3 ) ve plil: (P). Şekil : 12-1 de
EF 94 tipi bir pentoaun sembolik olarak gösterilişi verilmektedir.

EF9L

Uff,

.-:~;;:

9 ~-··-şekil. -1.12..ii.
r ."' ... :

I
Süpressör griy katoda· eağlıdır. Katod potansiyelinde olan süpressör griy,
sekonder emisyondan ileri gelen elektronların slc:rin griye ulaşmasını önler.
Bunun sonucu olarak da, bir tetrodda görüleri, ·pı~ akımındaki yön değişmesi
giderilmiş olur. Gücü bir triodun ki ile aynı seviyede olan bir pcntod için p.
· yükseltme (amplifikasyon) faktörü ve r,, iç direnci çok yüksektir. ,Bu farkldık
yüksek bir amplifikasyqnun varlığına ve karaJcteıistilc elrilmıl· diciifikJiline
işarettir. .1 ,.

Pe.ntodun 'I.P = f(V,,) karakteristikleri trioduokindcm az farklı oldıılu halde

I, = f(V,) karakteristikleri ilgi çekicidir. Bu karakteristik e ~ ·götüniimü
Şekil· 12-2 deki gibidir. Pozitif potansiyelde tutulan skrin griy; katoddan pJiia
dojn:ı• giden ·eıektrodlıu-dan bazılarını yahladıJım1aıı V, plU, - ~
fonksiyonu olarak I, pWc akımı dcii,tili ıibi i.2 ıktin ariY aJcuııt 6- clıifılt. V,,,

6S
 kontrol grıyın potansiyeli ve Vg 2 skrin griy potansiyeli sabiı olmalc üzere,
I.,=f (V.,) ve ve i.,2 = f(V.,) eğrilerinin görünümü Şekil. 12-3 de görül-
düğü gibidir.

Şekil. 1.12-2

lp
_ _ _ _ _ _ ip

J.-----------~yp
Şekil. 1.12-3

Ölçiiler :
1, = f(V.,) ve i~ 2 == f(V.,) karakteristiklerinin çizilmesi
1. a) Karakteristiklerin Vırı = O iç~ çizilmesi.
Kontrol griy ile katod arasındaki potansiyel farkı V ., 1 = O olması için, bu ilci
elektrod~ birleştirilmiş olduğu Şekil. 12-4 de görülen devre de, skrin griy ve
plii.k; devrelerinde birer potan4iyometre bulunmaktadır.
V ., 1 = O, V • 2 = 50 volt olmak Uzere pl§.k potansiyelini 0-250 volt arasında
değiştiriniz.V., nin her bir değeri için 1.., plii.k akımını ve i.2 skrin griy akımını
okuyun.uz. Kontrol griyin farklı {V• +
O) değerleri için lamİkteristilı:leri çizmek
.. ,. O.zere Şekil. 12-5 de görülen devreyi kurunuz. Bu devrede kontrol griy devresin.o
yerleştirilmiş olan potansiyrim~tre ·kontrol griye gerekli gerlllinlerl vermek İmli·
nını sailayovaktır. '

66
 Ep

/,

Şekil. 1.12-4
(p
-------ı'>----T"'""-,

A.
Gz
'
yı ,:
1 p
...L..

Şekil. 1.12-5

V.ı = -1 V v.2 = 50 V için plilk potansiyeline 0--200 volt ~asında

değerler vererek I,, ve :ı. 2 akımlarını okuyunuz. Ayni işlemi; v. 1 = -2 V, V-2=
100 V ve V• 1 = -3 V, v•2 = 100 V için yapınız. Bütün bunlara ait ölçü sonuçla-
rını v.ı = O, v. 2 = 50 V için bulduğunuz ölçü değerleri ile birlikte bir çixelğede
gösteriniz.

Ölçi Değerleri .
v,, o 5 10 ıs 20 25 · 40 so 10 100 150 200
v. 1 = O ·I,,
v. 2 = 50 V. 1. 2
v. 1 = -1 V. I,,
. v.2 == 50 ı.2
v. 1 = -2 I,,
v.2 = 100 ı.2
v.ı =; -3 ı,, .
v.2 = ıoo ı.2
Ölçü değerlerine göre ı,, = f(V,,) ve ı. 2 = f(V,,) eğrilerini çiziniz.
I,+ 1,2 toplamını teflı;il cdorek sonucu tartışınız.

, 67
 2. &ıı ııiıa tayini

Bir tetrodda, pille potansiyelindeki 6 V, değişikliiine karşılık pWı: a\omnun

6 I, değişikliği pek küçük olduğundan, iç direnci r, = 6 V,/t:ı. I, bağıntısına göre
bulmak pratik olarak imklnsızdır. yükseltme katsayısı da karakteristiklerden
faydalanarak bulunamaz g.. için durum farklıcıır. g,,, = (AI,/A v.) V, bağıntı­
sından anlaşılacağı gibi, V, = sabit olduğu halde kontrol gri)deki A V• deği­
şikliğine karşılık, plak akımındaki A I, değişiklilini bulmak, g,,, büyüklüğünü
bulmaya imkan verecektir.
Şekil. 12-6 da bunun nasıl yapılacağı belirtilmiştir. Buna göre verilen pentod
için gm yi bulunuz.

Vg1= O
Alp Vg,= ı
•

o Vp
Vp=200
Şekil. 1.12-6

Gerekli. Malzeme :
Triod karakteristiklerinin çizilmesinde kullanılan malzemelere illve olarak:
1 pentod (6SJT, EF 94 .. )
1 potansiyome.tre 800 ohm
1 anahtar
1 dolru akım miliampermetresi (0-10 ınA)
1 doğru akım voltmetresi (0-250 V)

NOT : Okumada hata yapmamak: için her ölçü aleti üzerine ölçUlcn dejerlori
göster~ bir etiket koyunuz.

68
 D. 1. 13 MÜLTİVİBRATÖR

Konu : Bu çalışmada, sinüsoidal olmayan ve birçok harmonilderi bulunun

sinyaller veren, bir mültivibratörün işleyişi, incelenecektir.

A. Mültivibratöriiıı çalışma prensibi

Bir mültivibratör, birinin çıkışı diğerinin girişi üzerine kapanmış ilci katlı bir
amplifikatörüdür. Üç tip ın:ültivibratör vardır: Astabjl, bistabl, monastabl.
(Şekil. 13-1) de astabil bir mültivibratörün devresi görülmektedir.

Ep+

1j

Şekil. 1.13-1

Mültivibratörün çalışma prensibi şöyledir. E. bataryası devreye girdiği zaman

T ı ve T 2 triodlarının her ikiside iletken olmaya başlarlar. Umbalardan geçen
ilk akım hemen hemen birbirine eşittir. Bununla beraber mükemmel bir denklik
lik gerçekleştirmek mümkün depldir. Devredeki hafif bir simetriksizlik: limba-
lardan birinin pUik akımının diğerinlcinden biraz farklı olmasına sebep olacaktır.
T ı rln ilk plll: akımını:rı T .2 nin plik akımından biraz·daha büyük olduğunu ka-
bul edelim. Bu fazlalık R 1 yük direnci üzerindeki potansiyel düşünün artn;ıasına
ve T ı triodunun pliğırun (P 1 noktasının) potansiyelinin _düşmesine sebep olur.
P 1 noktasındaki bu potansiyel değişildiği C 1 lcondansatörü ve onunla R. 1 diren-
cinin uçları arasına tatbik edilmiştir. C 1 kondansatörünün uçları arasındaki
gerilim birden. bire dejişemiyeceğinden, P 1 noktasının potansiyelindeki azalma,
R. 1 direncinin uçları arasında görünür. Bu hal T 2 triodunun griyinin potansiyelini
1ini negatif yapar. T 2 triodunun griy potansiyelindeki bu düşüş onun pl&k devre-
sin.den geQen alaIQlll azalıiıasma sebep olur. Böyle bir durumda R 2 direnci üa-
rindeki potansiyel düşüşii azalır ve bunun sonueu olarak T 2 triodunun pWı: po-
taıısiyeli (P2 noktası) artar. P 2 noktasının potansiyelindeki bu artış, C 2 kondansa-

69
törü ve buna seri bağlı R. 2 direncinin uçları arasına tatbik edilmiştir. C 2 kondan-
satörü birdenbire yüldenemiyeceğinden bu potansiyel artışının bütünü R. 2 di-
rencinin uçlan arasında görünür ve bu hal T 1 rin griyinin potansiyelinin artma-
sına sebep olur. T 1 gri)'inin potansiyelinin artması ise onun plil: akımının artma-
sına sebeb olur ve plil: (P 1 noktası) potansiyeli daha da küçülür ve böylece yu-
karıda bahsedilen olay T 1 deki akım maksimum ve T 2 deki akım sıfır oluncaya
kadar devam eder. Hernekadar yukarıda açıklanan işleyiş uzun zaman sürüyor-
muş gibi görünüyorsa da bu süre mikrosaniyenin kıesri kadardır. T 2 deki akımın
kesildiği ve T 1 dekinin maksimum olduğu anda, C 1 R., 1 devresine tatbik edilmiş
olan plil:-katod potansiyeli aniden düştüğündüen C 1 kondansatörü boşalma­
lıdır.

C ı kondansatörü R. 1 C 1 devresi üzerinden boşalır ve T 2 triodunun griy po-

tansiyeli üstel .olarak sıfıra doğru yükselir. Griyin potansi)'eli kesim potansiyeline
yükselteldiği zama" T 2 triodu iletken olmaya başlar. T 2 de p1ftk akımının yüksel-
mesi,, R 2 direnci üzerindeki potansiyel düşüşünden dolayı plak cP2 noktası)
potansiyelinin düşmesine sebeb olur. C 2 kond;: .3atörünün potansiyeli birden-
denbire değişemiyeceğinden P 2 noktasındaki potansiyel değişimliği R.2 direıı­
cinin uçları arasında görünüı:, bunun sonucu olarak T 1 griyinin potansiyeli ne-
gatif olur. tık yarım devirde geçen olay ikinci yarım devirde de devam eder.
Nihayet T 1 deki akım kesilir, P 1 noktasının potansiyeli plil: devresindeki kay-
nağın potansiyeline (+E,) yükselir. P 1 deki potansiyel değişikliği C'2 kondansa-
törü yolu ile T 2 nin griyine iletilir, bu triodun akımı maksimum olur. Böylece
tamamlanmış olan çevrimin periyodu RC zaman sabiij ile tayin edilir. Mülti-
visratör ile elde edilen dalga şekilleri yaklaşık olarak Şekil. 13-2 de görüldüiü
gibidir. -

"'1
(a)
1 1
1
o t
.1
(b)
~
o ' t

~tr ii
1

~,Ti!
. t+,.v' 1:1
t '(c)

(d)
4 o ' 1 - - ~ •t

:-_.;.
Şekil. 1.13-2

70
 B. Astabil bir mültivibratörün frekansının hesaplanması

1 . Bir kondansatörün büyük bir direnç üzerinden boşalması

VO kondansatörün uçlan arasındaki potansiyel farkı. V, ( < V 0 ), R direnci ve

kondansatör ile seri bağlı üretecin uçları arasındaki pota:ı:ı.ı.iyel farla (bu en so-
nunda kondansatörün uçları arasındaki potansiyel farkı olacaktır). Zaman. baş­
langıcı olarak deşarjın başladığı, yani anahtarın kapatıldığı anı anlamı. i, q, v ile t
zamanında devreden geçen akımı, kondansatörün yükünü ve kondansatörün
uçları arasındaki potan~iyel farkını gösterelim.

a) Potansiyel farkını zamana bağlayan denklem;

Şekil. 13-3 de görülen devreye Kirchhoff kanunu tatbik edilirse:
Vr - V + Ri = 0
v= V1 + Ri (1~1)
eşitliği elde edilir.
Diğer taraftan q = cV
dq dv
olduğundan i =- =--C (13-2)
dt dt
bulunur.
i ve q zamanla ·aziıldıklarmdan dq/dt, dv/dt negatif fonksiyonlardır.
(1) ve (2) bağııitıldtı a,tasında yapılan dÜZenleme sonucu
; :ın'ı dv
d \'\\RC~+ v = Vr (13-3)
dt
baltntısı buiuiUl.~)•• birinci mertebeden, sabit katsayılı ikinci taraflı bir dife-
ransiyel denktôlüdirI .

71
 b) İkinci tarafsız diferensiyel denkleminin genel integrali
' '
dv V
--=..:.,_ _ _
dt RC

d'V dt
- = - RC
V
-
t -
v- A. cxp ( - - )
RC

(A: fntegras)on sabiti)

C) İkinci taraflı denlrlemm 6ml integrali:

v=- v.,
omıası halidir. Gerçekten teorik olarak sonsuz bir zaman ıonunda

dv
v= v.,ve - - o
dt

olur.

d) İkinci taraflı denklemin genel ç&ümil :

t
V== A. up ( - - - - ) + v.,
RC

sabitini ilk şartlarla tayin edelim.

T
t= O için ;· V= V O ; exp ( - - - - ) =- 1
'RC

V0 = A + V1 ve A= V 0 --:- V1

Şu ıekilde denklemin genel çGZiimtl

72
 t
v= (V O - Vr) exp (- - - - ) + Vı
RC

2. (13-4) bağıntısının mültivatöre tatbik edilmesi ve T 2 triodunun iletken

olduğu t O süresinin tayini.
(13-4) bağıntısındaki büyüklüklere mültivibatör devresinde karııhk
olan büyüklükler:

c-c.
V. - E,. (1' 1 iletbn. T 2 de alcım ~ilmiş V,u, ·= O ve V, 2 == B,) ;
Vı - V,. = S.- I,.R, (T 1 de akım kesilmiş. T 2 iletken; V,. T .ı nin pWt
potansiyeli). Bu bl.yikliUder (13-4) denkleminde yerleştirilirse:

t
v- (B,. - V ,) exp ( - - - - ) + v,

denklemi elde 'edilir.

G ıriY potamiyeJi V011 = V, - v oldulundaıı yulcaİıdalci baimtı

t
- (E,. -V,.) ap ( ~ (13-5)

ıcklino giıer •

Zaman baflangıcı olarak t== o. T 1 de alamın kesildili, T .2 Din iletken oldulıı

anı seçelim.

t==- O için v= E,.. V011 = V, - B,. = -(E,-V,.) <O;

v küçüldilğü zaman V0111 bilyür ve V 011 = -:-- iV.-·ı bıilım vol~~• eriftiji to
anında· T 1 triodu yoni bir ııa.Jınıma baflar.

Bu dclcr1orlc (13-S) denklomindcn

t-
- (E, - V,) exp ( - - - - ) = - . IV.. I

73
 IVııol
exp (- - - - - =

ta · E, - V,,.
--- = ln ( - - - - ) (13-6)
R.C I Vıo 1

~itliği bulunur.

3. Mill1h ı1:ı~1töıfuı periyocl~. ·

. '
Tübleı , ve 3·i.i.k yük dirençlerini. ayni kabul ettik, o halde :

Yııoı = \,' ~,,ı) ; (Rı = R2); (V,,ı = Y,,2),

a) Siınt>t:rlk mültivibratör :

Her iki triodun iletkenlik süresi birbirine eşittir ve bu ard arda gelen iki ilet1cenlik
Ani. arasında geçen zamanın, yaıti T periyodunun yansma-c,ıittir:

T
veya T == 2 ı.
2

Şu halde mLltivibratörün (13~ bağıntısma gö~ bulunabilecek periyodu

T = 2x 2,3 R.C. lg (7)

ıv.oı

olur.
b) Simetrik olmıyan mültivibatör
simetrik olmıyan_ mültivibatörO.n periyodunu bu1mü için

B., - v.
T =- 2,3 R.Cı, + R.C 2 ) lg .., - - - - - - (8)
iV.,.)
balmtısından faydalanılır.

74
 ÖlçfiJer :
1. EC 92 triodu ile Şekil. (13-4) de görülen devreyi kurunuz. T 1 ve T 2 \riod-
larının plak devrelerindeki akımları ölçünÜZ. Tüblerde. akım kesildiği zaman
v.01 , V 002 potansiyellerini R. 1 ve R. 2 dirençlerinin yerine yerleştirilmiş voltme-
trelerle ölçünü,;.

Şekil. 1.13-4

V, = E, - R I, dejederini hesaplayınız.

2 Sahnıml•"il peırlyocluıwıı tayla( :

a) n== 10 silresi t'yi kronometre ile teıbit. edecek

t
T-
n

periyod~u bulunuz.
t,) daha önce buldulumuz V, ve V.. del,eıieıiııi (6) balmtısmda kullanarak
mOltivibratörün T periyodunıı bulunuz.:
'
1
c ) f - - - - balmtısından frekansı hesaplayınız.
T

a1ar.:k oısiloü:opda V,ı, V,2 el.ri1er:ini g6rtlıı0z.'

i5
 .
b) yukarıda verilen değerlere göre frekansı bulunuz•
c) R 1 =R 2 = 10 K, C 1 = C 2 1000 pF, R. 1 = R, 2 = SOK veya
R 1 = R 2 = I0K C 1 = C 2 = lOOOpFltn = 1 MO,R. 4 = 50KO
alarak v. 1 , V, 2 , V, 1 , V, 2 eğrilerini ossiloskopda görünüz ~ucu tartışınız.

Kulhıııılu Maboemeler :
2 triod (EC 92)
1 DC Voltaj kaynağı (0-300V)
1 DC miliampermetrc (0-10 mA)
2 DC Voltmetre (0-10 V)

Dirençler
Rı = R 2 --- 10400
R. 1 = R" = 3,3 M
R= 10 K
2 kondansatör O, 1 ı.ı- F
2 kondansatör 1000 pF

16
 -2-

Diod ve Transistör
 YARI İLETKENLER.

l. Ato:ınilc yı\pı

Yarı iletke.nlerin. fiziği, maddenin. Bohr atom modeli üzerine kurulmuş olup
bru;ı gözlemleri ~ikkate almak üzere yeniden ele alınmış ve değiştirilmiştir.

Bilindiği gibi maddenin her atomu, pozitif yüklü çok ağır bir çelö.rdekle, onun
etrafmda farklı yörüngelerde dolanan, belirli sayıda elemanter negatif yükler
yani elektronlardan meydana·gelıniştir. Denge halinde, yani, elektronik bombar-
dıman, sıcaklığın yükselmesi gibi dış etkenler olmadıkça at-~~ nötr'dür: Çekirde-
ğin pozitif yükü ve elelctronların negş.tif yükü birbirlerini dengeler. Elektronlar,
çekirdek etrafında çizdikleri yörüngenin yarı çapı· ile orantılı, bir potansiyel
· ve kinetik en.,erjiye sahiptirler. Gerçekten, çekirdek elektron ü.7eri.n.e, W,, potansi.;·
yel enerjisini karakterize eden bir çekim kuvveti tatbik eder. Dijer taraftan,
elektron çekirdek tarafmdan çekildiği halde onun üstüne dii§mez; ıu halde elek- •
tronu yörüngesi ii7A,rlnde tutan dengeleyici bir kuvvet vardır. Bu on.un W. lc;inetik •
enerjisidir. Elektronun kinetik ve potansiyel enerjisi ve çekirdek ~afmda do-
lanma frekaıısı yörttngesipjn yan çapuun bir .fonbiyon.udur. Belirli bir yörünge
için toplam enerji, yani, kinetik enerjinin ve potamfyel ener.imin toplamı yan
çapın fOJlli:siyonu olacaJı:tır: ·

w- . '

burada q elektronun yUkii r , ise yörüngesinin yan çapıdır.

Elektronlar birbiri ardına gelen ve her birinin belirli sayıda elektron ihtiva
-~ği tabakalarda bulunurlar, dolu bir tabakaya başka bir elektron yerleşemez.

Far_klı cisimler için de olsa, birinci tabakada m ~ elektron sayısı ı,

ikinci tabakada 8 ve üçüncfl tabakada 18 dir.

Bu farklı en.eijf fabakalan belirli enerji· sevi)elerine tekabül. ederler, çOnJı:i1

birinci. ild:ı:ı.ci ve üçlm.~ tabakada bulunan bir elektrona yer deiiftirme yaptıra• ,, __ --
bilmek, yani daha ytilcselc bir enerji seviyesine çıkartabilmek için farklı enerji
harcanması gere]aııdı;ledi. .

19
 Bazı tabakalar, birbirine çok yakın iki ait gnıp halinde. enerji seviyelerine,
;; 1 ~y~~I;u:.1 So~ ta.palcan.uı elektronlarına valans 'e~ıdtöhü' Ba ;ı cisimlerin demr>
· · -~~~ J>~~ birleşerek kimyasal bir bileşiınh'ı meydana ~esine imkin
·ve~' bµ_': ~lettroııyırdır. _--.-,
Son tabakası dolmamış bir atomun, bir başka cismin komşu atomundan
elektron alına yatkınlığı vıudır; ·
Dış tabaka tamamlanmamışsa, aksine iç tabakalar tamamlanmışlardır ve
bunlar daha lcüçük enerji seviyelerine tekabül ederler. Bu tabakalarda bulunan
elektronlar çekirdeğe sıkı sıkıya bağlıdırlar ve sadece vaians elektronlarına ait
olan kimyasal reaksiyonlara iştirak etmezler. Bununla beraber dış kılıfları dolu
olan bazı cisimler pek güç olarak kimyasal reaksiyonlara girerler. Dış kılıflan
dolu olan, asal ~azlar denilen, helyum, argon_ ve neon için. dunun ,böyledir_.
Şu halde bir cismin elektronları bulunquk1.:m .tabakaları göre belirli enerji
seviyelerini işgal ederler. Şekil. Yl de hidroj~. helyum ve yarı iletkenler içinde
uygulamada en çok yer alan germanyum ve silisyum atombınnın temsil edilişi
görfil.üyor.
-,,· ......... , l

I ,,....,,_ \ Hıdn>ııı.-.
\ ,~, ! ı-
....... , /
. ' ...... _ ,""

. Şekil: y l

Germanyun atomu Silisyum atomti

1 ci tabaka : 2 elektron 1 ·ci tabaka : elektron
2 ci tabaka : 8 elektron 2 ci ·, ta),aka
\ ·• .,:,
:. ts·
elektron
3 cil tabaka : 18 elelctron 3 cü tabaka : Çok yakın ilci
4 cü tabaka : Çok yakın iki tabakada tabakada 4 elclı:tron
4 elektron

Asal gazlardan olan helyumun . çekirdeje çok yakın qlap biricik taba.baı ilci
elektronrile dolmuştur. Germanyıu:n ve silisyum en_ dışta birbiieiıe ÇQk yakın iki
tabakada 4 elektrona sahiP.tirler.· Bu elemanJar Mendeleev periyodik cetveijnin
dördüncü s11twıunda yer alırlar. · · · ·

.'
ı·
 Bazı tabakalar, birbirine çok yakın iki ait gnıp halinde. enerji seviyelerine,
;; 1 ~y~~I;u:.1 So~ ta.palcan.uı elektronlarına valans 'e~ıdtöhü' Ba ;ı cisimlerin demr>
· · -~~~ J>~~ birleşerek kimyasal bir bileşiınh'ı meydana ~esine imkin
·ve~' bµ_': ~lettroııyırdır. _--.-,
Son tabakası dolmamış bir atomun, bir başka cismin komşu atomundan
elektron alına yatkınlığı vıudır; ·
Dış tabaka tamamlanmamışsa, aksine iç tabakalar tamamlanmışlardır ve
bunlar daha lcüçük enerji seviyelerine tekabül ederler. Bu tabakalarda bulunan
elektronlar çekirdeğe sıkı sıkıya bağlıdırlar ve sadece vaians elektronlarına ait
olan kimyasal reaksiyonlara iştirak etmezler. Bununla beraber dış kılıfları dolu
olan bazı cisimler pek güç olarak kimyasal reaksiyonlara girerler. Dış kılıflan
dolu olan, asal ~azlar denilen, helyum, argon_ ve neon için. dunun ,böyledir_.
Şu halde bir cismin elektronları bulunquk1.:m .tabakaları göre belirli enerji
seviyelerini işgal ederler. Şekil. Yl de hidroj~. helyum ve yarı iletkenler içinde
uygulamada en çok yer alan germanyum ve silisyum atombınnın temsil edilişi
görfil.üyor.
-,,· ......... , l

I ,,....,,_ \ Hıdn>ııı.-.
\ ,~, ! ı-
....... , /
. ' ...... _ ,""

. Şekil: y l

Germanyun atomu Silisyum atomti

1 ci tabaka : 2 elektron 1 ·ci tabaka : elektron
2 ci tabaka : 8 elektron 2 ci ·, ta),aka
\ ·• .,:,
:. ts·
elektron
3 cil tabaka : 18 elelctron 3 cü tabaka : Çok yakın ilci
4 cü tabaka : Çok yakın iki tabakada tabakada 4 elclı:tron
4 elektron

Asal gazlardan olan helyumun . çekirdeje çok yakın qlap biricik taba.baı ilci
elektronrile dolmuştur. Germanyıu:n ve silisyum en_ dışta birbiieiıe ÇQk yakın iki
tabakada 4 elektrona sahiP.tirler.· Bu elemanJar Mendeleev periyodik cetveijnin
dördüncü s11twıunda yer alırlar. · · · ·

.'
ı·
 Son tabakanın tamamlanmamış olduğunu görüyoruz. Bundan sonraki inccie-
melerimizde, son tabakada bulunabilecek toplam elektron sayısını veya elektron-
lar tarafından işgal edilebilecek yerlerin sayısını «hal» olarak adlandıracağız.
Hidrojen atomu için iki «hal» vardır, çünkü sadece bir tabakası mevcuttur ve ~u
hallerden biri doludur (işgal edilmeye müsait yerlerden biri işgal edilmiştir, }ani
dolmuştur). Helyum atomu içinde de «hal» sayısı ikidir ve bw:iların ikiside
doludur: Bu bir asal gazdır. Silisyum atomu için ikisi dolmuş olan 16 hal sayısı
vardır. Gerçekten, iki alt grup, 18 elektron ihtiva edecek olan son tabakayı teşkil
ederler. Sondan bir evvelki tabaka: alt tabaka iki elektronla dolmuştur. Genel-
likle her tabaka, ilk tabaka hariç, iki alt tabaka halindedir ve bunlardan altta
olanı iki elektronla dolmuştur. Bununla beraber, bundan sonra, valans elektron-
larından teşekkül eden dış tabaka ile ilgileneceğiz. Çekirdeğin enerji seviyesini
başlangıç alarak, elektrontronlar tarafından işgal edilen enerji seviyelerini
belirtmek suretiyle, atomun enerji seviyeleri temsil edilebilir.

vt 0000000 e e 0000000
W:ı ,
3, ıol:ı<lka ıamamlarim1$

Wı
'
tomamlanmıs 'ıtk lobalıı i

O'------------
Şekil: y 2

Böylece silisyum atomu için Şekil: Y 2 de görülen diyagram elde edilir.

Son tabaka iki alt grup halinde bölünmüştür, bunlardan biri iki elektronla
tamamlanmıştır, iki~ci grupta ikisi işgal edilmiş olan 16 hal vardır. Bu görüf
Bohr ato!Jl modeline dayanmaktadır. Bununla beraber, bazı gö2'lenen olaylan
açıklamak istenirse Bohr atomuna başka özelliicler atfetmek gerekir. Daha önce
deginildigi gibi, elektronlar çekirdelc: etrafında belirli yörüngelerde dolanmalı;tııdır­
lar. Elektromagnetik teori)e göre, belirli yörün,gede hareket eden yüklü bir par-
tikül etrafında bir ınagnetik alan meydana getirir, fU halde enerji yayar. Diler
bir deyimle yörüngesinde yer deliştiren eleJctronun enerji kayıp etmesi. yörüıı•
ae yan çapının küçülmesi, yarıçapı sıfır olunc:aya kadar dolanım frekansının
büyümesi gerekirdi. Bunun sonucu olarak da elektron çekirdek üzerine düşmiif
olurdu. Her bir elektron yörüngesinde dolaumaya devam ettijine göre beklenen
ile gözlenen arasında fark var d:eınektir.

81
 Bunu fil hipotez ile sonuçlandırmak mümkündür.: elektron yörüngesini
muhafaza ettikçe, ne enerji yayar ve ne de enerji absorplar.
Ancak, bir elektron yörüngesini değiştirdiii. zaman enerji absorplanması veya
yayınlanması .olabilir. Elektron bir enerji seviyesinden daha alçak bir enerji
seviyesine geçtiği zaman enerji yayınlanması olur. Elektron daha yüksek bir
enerji seviyesine çıktığı zaman enerji absorplanmış demektir. Birinci halde
bir foton yayınlanır, bunun enerjisi iki enerji seviyesi arasındak :farka eşittir:

f =-----
h

burada h Planck sabiti (6,62 x ıo- 2 7 erg/s). f : frekans

Elektronu daha üst seviyeye çıkarmak için elektrona en az iki enerji sevi-
yesi arasındaki farka eşit bir enerji kazandırmak 12,,,undır.

Bunu, elektrona yeterli bir termik enerji vermek suretiyle gerçe~eştirmek

mümkündür. Elektron yörüngesi üzerinde dolanırken termik uyarıma maruz
kalır ve denge konumu etrafında titreşir. Eğer termik enerji yeterli ise, titreşimin
genliği öyle .olabilir ki, elektron bulunduğu yörüngeyi terk ederek daha yüksek
enerji seviyesinde bir yörüngeye geçer. Bu halde bir enerji ,absorplanması var-
dır. Böyle bir hal özellikle sondan bir evvelki tabakadaki elektronlar için
söz konusudur. Eğer sıcaklığın yükselmesi durmuşsa, elektron, frekansı ilci enerji
seviyesi arasındaki -farkın fonkiyonu olan, bir foton yayınlayarak ilk konumuna
döner.

2. Enerji bandlan teorisi :

Şu ana kadar izole bir atomu ele aldık. Atomlar birbirlerini etkileınoyeoek
kadar uzak oldukları zaman durum yine· aynıdır.

Bir kristalin atomları muntazam diziler halinde kristal içinde yer almışlardır
ve bunlar arasında bu beraberliği sağlayan büyük kuvvetler mevcuttur. Kristal
içinde atomlar birbirlerine çok yakındırlar ve son tabalcanm ilci alt- grubundaki
elektronların ve kuantum hallerinin dağılımını dejiştirecek şekilde birbirlerini
etkilerler. Valans elektronları ve son tabakanın hallerinde ayrılmalar olur ve
bunlar çok farklı enerji seviy~lerini işgal ederler. Şekil: Y 3, Silisyum
için iki enerji seviyesinin .meydana gelişi hakkında bir fikir vermektedir.
Ordinatta valans elektronlarının ve işgal edilmeye müs~t hallerin (muhtemel
(hallerin) enerji seviyeleri gösteriliyor . Absiste ise iki atomu birbirinden
ayıran mesafe belirtilmektedir. Sıfır noktası, biri bu noktada b1:1lunan ve sabit
olan atomla diğeri bundan x uzaklıkta olan atomun çekirdeğinin enerji seviyesini
göstermektedir.

82
 1 1
\letkenhk
t::x:mdı

Yasak
band

Valans {
tandı

·Wı

o
Şekil: Y 3

Birinciden, x=x 1 gibi, yeteri kadar uzaklıkta ikinci bir silisyum atomu-
nun varlığını düşünelim. Burada izole bir atomun enerji seviyesinin benzeri tem-
sil edilecektir. Şimdi zihnen atomlar arasındaki mesafeyi küçültelim yani x=x 2 ye
getirelim. Bu noktada son tabakanın iki alt-grubuna ait iki enerji seviyesi
farklı iki band halinde ayrılır. Son tabakanın val~s elektronları ve muhtemel
halleri, artık iki sabit enerji seviyesini işgal edecek şekilde değil de, farklı iki
enerji bandını işgal edecek şekilde düş~y:olarak sıralanırlar. Atomlar x=x 3 gfoi
daha fazla yaklaştıkları zaman, iki jjr)i bandı üst üste biner. Kristal örgüsü
içinde iki silisyum atomunu birbir*-~ ayıran uzaklığa tekabül. eden x=x 4
uzaklığında, iki enerji bandı yenid~:j~ynhr.· Valans bandının elektronları (alt-
gı\ıplarınkilerle b~rlikte) bir tek ~~~içinde .gru~lanırl~'. bu ~ed«:11le bu banda
va\uıs bandı denır ve bu band nı!l'b&e!t zayıf bır enerJı sevıyesınde yer alır.
Aksine bütün muhtemel .haller yani, son tabakanın dolması için elektronların
işgal edebilecekleri haller, iletkenlik bandı adı verilen daha yüksek bir enerji
seviyesindeki bir band içinde yer alırlar. Bu iki bandın arasında hiç bir elektronun
ve muhtemel halin bulunmadığı yasak band bulunur. Şimdi büyük sa)ıda
siliyum atomlarından meydana gelen bir ağ için geçerli olan Şekil: Y 2
dekine benzer tarzda, bir gösteriş tarzını elde etmiş oluyoruz. (Şekil: Y 4.)
Eğer N tane atom varsa, iletkenlik bandı 14 N muhtemel «hal» ihtiva edecektir
Valans bandında 4 N elektron bulunacakhr. M-.°ıtlak sıfır sıcaklıkta valans bandı
dolu ve iletkenlik bandı bo~r.

83
 o o o o hııtenlık
o o o obcnlı
'alDk band •

-r,,ı---------
e e e e e e \tııons
8 8 ee e e bandı

,o--------
Şekil: Y 4
' ,
Bir elektronun. Y~lans bandından iletkenlik bandına geçebilmesi içm, ona en
az, yasak band genişliği kadar olan (wc - w.,) enerjisi temin etmek gerekir.
300°K de, germanyum için yasak band genişliği 0,72 eV, silisyum için ise 1,1 eV
dir. Anlaşılacağı gibi, yukarıda belirtilen sıcaklıkta, valans bandından iletkenlik
bandına geçen elektron sayısı silisyum için, germanyumda olduğundan daha azdır.
Mutlak sıfır sıcaklıkta, hiç bir elektron yasak ban.dl, aşarak iletkenlik bandına
,geçebilecek yeterli enerjiye sahip değildir. Bu şartlarda valans bandı dolu, iletken-
lik bandı boştur. Germanyum ve silisyum mükemmel bir dielektrik gibi davranır.
Germanyumun dielektrik sabiti 16, silisyumunki 12 dir. Eğer sıcaklık artarsa bazı
elektronlar, yasak bandı aşarak iletkenlik bandına geçebilecek yeterli enerjiye
sahip olabilirler. Bu elektronlar iletkenlik: bandında bazı halleri işgal ederler ve
valans bandında boşluklar bırakırlar. Bunun fiziksel anlamı şudur: elektronlara
temin edilen termilc enerji, onların kovalan bağı kopartarak , iletkenlik bandına
geçmelerine,' ,kris~ içinde serbest yük taşıyıcı olarak davrıİnmalarına imkin
vermiş olur. Bu durumda elektronlar iletkenlik bandında. boşluklar da valans ban-
dında hareket ederler. İlctbnlilc bandında yer: alan elektronlar ile valans bandında
meydana çıkan boşlukların enerji bandları ile gösterilişi Şekil : Y S deki gibi
olur.
w
o o o o o o olıııı-ıııı
0099'800 bandı
~ı----------

w. ı----------
9 e ••••ee e'a-
o,...._e_e_ 9eee.e
_____ _
eı.ıc1ı

Şekil: y s
Kristal Yapısı :
Oerman}um, silisyum gibi elmas kristal örgüso.ndc Jaistallefir. Her bir Ger-
manyum atomu, eşit mesafede bir dört yüzlünün tepelerine yer:J.eımiı dört komşu
atomla çevrilmiştir. Şekil: Y 6.

84
 Şekil: Y 6

Germenyum atomları spinleri zıt olan iki elektronu paylaşmak suretiyle birbir-
lerine bağlanırlar. Her germanyum atom~. komşu atomlarla homopolar bağa
iştirak eden dört ·valans elektronuna sahiptir. Enerji bandlarmın teşekıcınü
hatırlanırsa (Şekil: Y 3), atomlar arasındaki mesafe azaldıkça valans elektronla-
rının giderek daha küçük enerji seviyelerini işgal ederler. Bundan, birçok atomlar
kararlı bir kristal yapısı meydana getirmek için bir araya . geldikleri zaman,
valans elektronlarının ağ içinde, izole bir atomda olduğundan, daha küçük enerji
seviyelerini işgal ettikleri anlaşılır. Diğer bir deyimle, bir krisstalin teşekkülü
ısı yayınlanmasını gerektirir. Valans elektronlarının izole bir atomda bulun<1uk.-
ları enerji seviyesi ile, kristal teşekkül ettiği zaman bulundukları enerji seviyesi
arasındaki farka karşılık olan bu ısı, kovalan bağların kuvvetinin, yani kristalin
karanlığının bir ölçüsüdür. Tersine, kristali bozmak için aynı miktarda ısıyı
kristale temin etmek gerekir. Şekil: Y 7 de, atomlar arasındaki bağlanmaya
sadece valans elektronlarının iştirakleri olduğu dikkate alınarak, germanyumun
kristal yapisı temsil edilmektedir. · ·

Şekil: Y

85
 Mutlak sıfır sıcaklıkta, hiçbir serbest elektron yoktur. Bu halde germanyum
mükemmel bir yalıtkandır. Yapısı kararlıdır, ancak bir dış enerji ile bu durum
değiştirilebilir: bir elektronu kovalan bağından serbest hale getirebilmek için
0,72 eV enerji gerektiği halde, bir silisyum atomunun valans elektronunu serbest
hale getirebilmek için en az 1.1 eV kadar enerji temin etmek gerekir. Böylece
serbest hale geçen elektronlar arkalarında mutlak değerce elektronun yüküne eşit,
pozitif yüklü boşluklar (elektron boşlukları) bırakırlar. Bu boşluk serbest bir
elektronla tekrar birleşerek veya komşu atomdan bir elektron kaparak dolaşa­
bilecektir. Bir komşu atomdan kapılmış olan bir elektron da arkasında bir boşluk
~ırakacaktır. Komşu atomlar arasındaki bu elektron alış verişi, kristal içinde bir
çok pozitif yüklerin valans bandında ve elektronların da iletkenlik bandında rast-
gele ~oğrultularda hareket etmelerine sebep olacaktır.
N - tip yarı iletkrn
Kimyasal bakımdan saf germanyum, iletkenliği ve yasak band genişliği ile
belirlenir. Ergimekte olan germanyuma uygun miktarda, uygun bir yabancı madde
katmak suretiyle iletkenliğinin tipi değiştirilebilir.
İletkenliğin tipini değiştirmek üzere germanyum ve silisyuma ilave edilecek
en önemli maddeler periyodilc cetveli:İı III ve V cü grubunda yer alırlar. V ci
gruptaki elementler ( (arsenik, antimuan, bôr ...... ) beş ·valans elektronu ihtiva
ederler: bunlar beş· valanslı (birleşme değeri beş olan) elementlerdir. Eğer ergi-
mekte olan germanyuma arsenik ilive _edilirse, herbir arsenik atomu sıvının katı­
laşmasından sonra bir germanyum atomunun yerini alacaktır. Arseniğin dış ta-
bakasındaki elektronlar komşu germanyum atomları ile kovalan bağ kurarlar.
Germanyum atomlarİ dört valans _elektronlu olduğu için, arsenik atomunun an-
cak dört valans elektronu bu bağlantıya katılır ve beşinci elektron çekirdeje zayıf
olarak bağlanmış olur. Bu elektron kolayca çekirdeğin etkisinden kurtularak
iletkenlik bandına geçmek suretiyle bir ~rbest elektron halini alır. Arseniğin
germanyum atomları ile bağ kuramayan elektronunu bulunduğu tabakadan
sökebilmek: için 0,05 eVenerji gereklidir; Antimuan atc;,mu için bu enerji 0,01 eV
kadardır, ve bu kadarlık enerji oda sıcaklığında temin edilebilir'.
Şekil: Y 8 de arsenik atomunun germanyum atomları ile bağlanışı ve ar-
senik atomunun serbest hale geçen elektronu temsil ediliyor.

Şekil: Y8

86
 Elektron veren durumda olan arsenik atomları gibi atomlar, W c iletkenlik
bandına çok yakın ve W c ~ W O ~ 0,05 ( V veya 0,01 eV olan bir W O enerji se-
viyesini işgal ederler. Saf german;umda bir valans elektror.unun iletkenlik bandına
geçmesi için 0,72 eV enerji gereklidir. Bu enerji yüksek bir T sıcaklığında sağlana­
bilir. V ci gruba cıahil olan bir elementin germanyum gibi bir elemente katılması
yük taşıyıc1larmın (burada elektronlar) konsantrasyonunun büyümesine sebep
olur, çünkü donnör atomlarının iyonlaşması için gerekli olan (0,05 eV-0,01 eV)
enerji oda sıcaklığında temin edilebilir. Yalans bandından iletkenlik bandına
pek az elektron geçebilir. Şu halde iletkenlik bandında valans bandındaki boşluk­
lardan daha çok elektron vardır. Bu durumda bileşJce akım esas olarak elektrpn-
lardan ileri gelecektir. İşte bunun içindir ki bu tip germanyuma N-tip denir.
V ci gruptaki elementler elektron vermek suretiyle N_:_tip bir yarı iletkenin mey-
dana gelişine· sebep olduklarından bunlara «donör» denir.

Oda sıcaklığında bütün donnör atomları iyonize olurlar. Şekil: Y 9 da

N-tip bir yarıiletkende enerji seviyeleri temsil edilmektedir.

vtı-----------
-
Woı---cı--ı::ı--0----0
~- oı,.,;; crsıınilı
atomlorı

o---------•
Şekil: Y 9

P- tip yarıiletken

Ergimcktc olan gemıanyuma periyodik cetvelin m c1i grubunda bulunan

(indium, gallium ... ) bir elemanından örneğin indiumdan uygun .miktarda füi.ve
edilirse, germanyumun iletkenliğinin tipi değişir. Eriyik katılaştığı zaman
indium atomu kristal örgüsü içinde bir germanyum, atomunun yerini 'alır.
lndium atomu üç valans elektronludur, dört valans elektronlu, komşu FJlUUl-
yum atomu ile .bağlanabilmesi için bir elektrona ihtiyacı vardır. Komşu bir
kovalan bağdan bir elektron kaparak bağlantısını kurar, fakat bu defa elektronW1
kapıldığı bağda bir boşluk meydana gelir. (Şekil: Y 10) indium atomunun
germanyum atomları ·ile bağlanışı temsil edilmektedir.

87
 Şekil: Y 10

İndium atomları valans bşndırun çok yakınında bir WA enerji sevi}'esini işgal
ederler. Şekil: Y 11.

'ııt
i
i-----------
~ri,u-. olmı.J$ indİum oıc:mıoo
WA • , } - ~

EB $ EB al
EB EB
o

Şekil: Y 11

Valans t mdında bir boşluk meydana getirebilmek, yani valans bandındaki bir
elektronun indium atomunu iyonize (negatif olarak) edebilmesi için gerekli olan
'enerji çok küçüktür. 0,01 eV mertebesinde olan bu enerji ortamın sıcaklığında
dahi temin edilebilir.
Bu şekilde
elde edilen yaniletkene P- tip denir, çünkü valans bandındaki
boşlukların sayısı iletkenlik bandındaki elektronların sı;ıyısından çok daha fazla-
dır. İndium gibi III cü grubun. elementleri diğer komşu atomlardan elektron
aldıklarından bunlara «akseptör» denir.

88
 D.2. 1. YÜZEY TEMASLI DİOD

Konu : a) Yüzey temaslı yan-iletken diod'un ID =- f (VD) alam gerilim

karakteristilinin çizilmesi.
b) Diod'un direncinin tayini

A. P-N temas yiizeyinin özellili ...

YiiZey temaslı bir yarı iletken- diod, N-tip ve P-tip bölgeleri ihtiva eder.
N-tip yan iletkende çolımlukta olan yük taşıyıcılar elektronlanlar, P--tip yan
iletkende- ise çoAunluk yük taşıyıcıları boş~ardır. N-tip bölgede sabit yük
ınerlc.ezleri pozitü olarak iyonize olmuş donnör atomlardır. P-tip bölgede sabit
yük merkezleri negatü olarak iyonize olmuş abeptör atomlardır. (Şekil:- 2.1-1 a)

tıcı,Uı
ftt7ion
ı.tt_tJ
P-rıpi H-Tipl'

Ş §> şie (f)i~~ ~

~~Ş:0@!~~~
P-Tİpı •

p N
'ilı ~nkıgu (C}

.N

, Etelılroslatik p Yı
potansl)el rıl}
C d)

Şekil. 2.1.1

Farklı tipteki bu ilci bölgeııiıf birbirlerine dejdirildilclerini diişüneüm. (aer-

~kte bu. bölgeler kristalin. büyümesi sırasında meydana_'getirilir.) P--tip• ve ·

89
N-tip bölgelerin birbirlerinden ayrıldıkları temas yüzeyi (kavşak) bölgesinde
yük taşı)'ıcıları, çoğunlukta oldukları bölgeden, azınlıkta oldukları bölgeye geçer-
ler. N-tip bölgede, temas yüzeyinin yakınındaki yüksek enerjili elektronlar
azınlıkta oldukları P-tip bölgeye geçerek bazı boşlukları doldururlar. Buna
benzer şekilde, boşluklarda çoğunlukda oldukları P- tip bölgeden N-tip böl-
geye geçerler. P-tip bölgenin temas yüzeyi civarındaki negatif olarak iyonize
olmuş atomları daha önce kendilerine ait olan boşluklardan yoksun kalırlar. Üste-
lik, N-tip bölgeden P-tip bölgeye geçen elektronlarda vardır. P-tip bölgede,
temas yüzeyi civarında boşlukların eksilsilmesi ve N-tip bölgeden gelen elek-
tronların varlığı ile kuvvetler.en bir negatif yük fazlalığı me-ıdana gelir. Buna ·
benzer şekilde, temas yüzeyi civarında elektronların N-tip bölgeyi geçişi nede-
niyle, tt:mas yüzeyi civarindaki pozitif olarak iyonize olmuş atomlar daha
önce keP.dilerine ait olan elektronlardan yoksun kalmışlardır. Ayrıca P-tip
bölge~en N-tip bölgeye geçen boşluklar'da vardır. N-tip bölgede, temas yü-
zeyi civarında, elektronların karşı tarafa geçişinin hazırladığı negatif yük ek-
sikliğinin, P-tip bölgeden geçen boşluklarında iştiraki ile kuvvetl~mesi
sonucu, pozitif yük fazlalığı meydana gelir.

Bu olay derinlik ve şiddet .bakımından sınırlıdır. P-tip bölgeyi terk. eden

boşluklar arkalarında onları geri çağıran bir negatif yük bırakırlar; N-tip bölgede
meydana gelen pozitif yük, boşlu~lar'ın bu bölgeye gelmesini ve elektronlarında
N-tip bölgeden karşı tarafa geçmesini önleyecek durumdadır. Yük taşıyıcıla­
rının böyle yer_ değiştirmelerinin sonucu olarak, yönü N-tip bölgeden P-tip
bö)geve doğru olan bir elektrik alan meydana gelir, Elektrik alanın şiddeti
)'iik taşıyıcılarının P-N temas yüzeyini aşmalarına engel olacak değere eriştiği
zaman denge kurulur. İki tip bölge arasında son derece ince (mikron merte-
besinde) ve hiç bir yük taşıyıcının bulunmadığı, sadece sabit yük merkezlerini
ihtiva ~den (N-tip bölgede pozitif yüklü iyonlar, P-tip bölgede negatif
yüklü iyonlar) bir geçiş bölgesi meydana gelmiştir. (Şekil: 2.1-1 b) P-N temas
yüzeyinde (geçiş bölgesinin uçlarında) bir elektrik alanın varlığı, bir temaıı
potansi)'el farkının (V = f E.dl) "arltğına işarettir.

(Şekil. 2.1-c). V, temas potansiyel farkı, P-tip ve N-tip bölgelerin çoğunluk

yük taşıyıcılarının geçiş bölgesini aşmalarını engelleyecek yöndedir P-N temas
}ÜZÜnde, çoğunluk yük taşıyıcılarının ait oldukları bölgeden diğer bölgeye geç-
melerine karşı koyacak yönde bir potansiyel duvarı teşellül etmiş demektir.
Ancak, çok yüksek enerjili çoğunluk yük taşıyıcıları bu potansiyel duV"arını aşa­
bilirler. Temas potansiyel farkı, termik uyarım sonucu meydana gelen azınlık
yük taşıyıcılarının ((N-Tip bölgede boşluklar, P-tip bölgede elektronlar) geçiş
bölgesini aşmalarını kola}laştıracak yöndedir. Şu halde, V, temas potansiyel
farkı, çoğunluk yük taşıyıcıları içh bir engel teşkil ettiği halde, azınlık yük taşı-
yıcıları,'.tn P-N temas yüzeyini aşmalarını kolaylaştırmaktadır.

90
 P-N yüzey temaslı tertiplerin çalışma prensibini anlayabilmek için, temas
potansiyel farkını (Şekil. 2.1-1 b) de olduğu gibi kutuplandırılmış bir üreteç ile
temsil etmek faydalı olur.
Böyle bir kristale dışardan bir potansiyel farkı tatbik edildiğinde ne olacağını
araştıralım.

Eğer V potansi)el farkı temin eaebilen bir B üreticinin pozitif kutbc N-tip
bölgeye, negatif kutbu da P-tip bölgeye bağlanırsa (Şekil . 2:l-2b), potansiyel
duvarı yükselir. Çoğunluk yük taşıyıcılarının temas yüze}ini aşmaları daha da
güçleşir; geçiş bölgesi bu yük taşıyıçılarınm geçişine daha büyük direnç gösteren
bir hale gelmiş olur. Bu tarz bağlantıya ters yönde gerilim uygulama denir. Eğer
B üretecinin pozitif kutbu P-tip bölgeye, negatif kutbu da, N-tip bölgeye .bağ­
lanmışsa (Şekil . 2.l-2C). bunun tatbik ettiği potansiyel.farkı, temas yüzeyindeki
Vı temas potansiyel farkına karşıt durumdadır. Potansıyel duvarı alçalmış ~k.
taşıyıcıların hareketlerini engelleyen elektrik alanın şiddeti küçülmüştür.; çoğun­
luk yük taşıyıcılarının geçiş bölgesini aşmaları :kolaylaşmıştır. Bu tarz. bağlantıya
ileri yönde gerilim uygulama denir. Görülüyor ki bir P-N temas yüzeyini ihtiva
eden bu tertip dışarıdan uygulanan gerili~in yönüne gör~. akımı bir yöne doğru,
diğer yöne doğru olduğundan daha kolay geçirmektedir. Diğer bir deyimle,
ileri yönde gerilim uygulandığında akımın geçişine karşı gösterdiği direnç, ters
yönde gerilim uygulandığı zamanki dirençten daha küçüktür. Böyle bir düzene-
ğe diod adı verilir

Vt
-,ı ..

~
.fv..,,_,...---
8 fl.J 8

Şekil. 2.1-2

B. Diod'an akımlan

a) Potansiyel duvarını aşabilecek kadar yeterli enerjileri olan elektron ve

boşluklardan ileri gelen temas yüzeyini . P-tip bölgeden N-tip bölgeye doğru
geçen 10 diffüzyon akımı.

b) Termik uyarım sonucu meydana gelen ve potansiyel duvarını geçen boşluk

ve elektronlardan (azınlık yük taşıyıcılarmdan) ileri gelen ve yönü N-tip bölgeden
P-tip bölgeye doğru olan ı. akımı (ters akım) Dı~rıdan bir gerilim uygulanma- ·
dıjı zaman bileşke akımı sıfırdır: diffüzyon akımı, termik uyarımdan ileri gele11
akıma eşittir. 10 = ı. (Şekil. 2.1-2 a) I. akımı , elektron ltoşluk çiftinin mC)--
dana gelişine yani sıcaklığa bağlıdır. Sıcaklıkla ustel olarak artar.

91
 Temas yüzeyine ileri } önde bir gerilim uygulandığı zaman 10 akımı büyür
ı. ters akımı küçülür.
c) Bir Dioduri ters akımı.

Ters yönde uygulanan gerilim potansiyel duvarını yükseltir ve 10 küçülür

(Şekil. 2.l-2b) bu akım ihmal edilebilir bir değere ulaşır ulaşmaz, ters akım'
takriben O, 1 volt için gerilimden bağımsız olduğu bir değere kadar artma gös-
terir ve sonra sabit kalır; bu sabit ı. akımına doyma akımı denir.
'·
d) Diodun karakteristiği:

Teoriye göre potansiyel duvarını aşabilecek yeterli enerjiye sahip olan yük ta-
şıyıcılarının sayısı
(exp ev/kT) kadar artmaktadır. (e: elel.Jlanter yük; k: Boltzman
sabiti; T mutlak sıcaklık
V =0 için 10 =Is olduğuna göre, V sıfırdan farklı olduğu zaman

eV
Io = 15 exp
kT

olur.

Toplam akım

eV eV
lo - Is.= exp . s = 15 (exp
kT kT

Bir V t<"rs gerilimi için

-ev
lo = ı. exp
kT
ve ters yöndeki akım

-eV
I = I. - 10 = Is (1 -:-exp ) ~
~ Is
kt

alınabilir,
zira oda sıcaklığında e/kT, 40 mertebesinde olduğundan bu terim
1 den çok küçüktür. '
Şekil.. 2.l-3a ve 2.I-3b _deki bir P-N diodun teorik ve gerçek karakteristik-
leri görülmektedir.

92
 --L o
Is V V
Teırs acım
"'°
ca)
.<lı

Şekil. 2.1-3

Ölçüler :

A. BA 147/25 silisyum diodıın ileri yöade akuıı --prilim karakterlıtiifııiıı

çizilmesi

1. Faydalanılacak deffe :
Diod•a ileri yönde bir gerilim uygulamak için Şekil. 2.1-4'dc g6rülen devre-
yi hazırlayınız. ·

15V JV

K
Şekil.· 2.1~

Diod'lDl uçlan arasındaki potansiyel farbna çefitli dei«fer veıerek dioddan

geçen alcım şid.d.etlerini de.liştiriniz.

Ölçl çizelgesi : ·

V0 (volt) 0,4 0,4S 0,50 o,ss 0,60 0,70 0,75

10 (mA)

Ölçii delerlerini kullanarak 10 = f(V0 ) · elrisini çiziniz. Eltinin gidişini tar•

tışmız.
 R. Statik ve dinamik direncin tayini

Statik direnç diodun doğru akıma karşı gösterdiği dirençtir. Yukarıdaki

V
çalışmada alınan akım ve gerilim değerlerinin R5 = ( - - - - ) direncini
I

hesaplayınız. R5 = f (l 0 ) eğrisini çiziniz.

Karakteristiğin doğrusal kısmı üzerinde bir işleme noktasının civarında

aldığımız ô. V ve ô. l R 4 = ô. V / d t dinamik direncini
değişimlerinden
hesaplayınız. Çeşitli işleme noktaları için bulduğunuz değerlerie R 4 = f(I 0 )
eğrisini çiziniz.

C - Köprü ile alternatif akımın doğrultulması

1. Faydalanılacak dffl'e.

Alternatif akımın dogrultulması için faydalanılacak devrenin prensip şeması

(Şekil. 2.1-Sa) ve gerçekleştirilecek olanı (Şekil. 2.1-Sb) aşağıda görülmektedir.

Şekil. 2.1- 5

2. Dopultucu köprünün bir direnç üzerinden geçirdiği alum.

Şeması yukarıda verilen köprü ile alternatif akımın her ilci. yarım dev iri
doğrultulur; akım bir yarım devir 1 ve l' , diğer yanm devir için 2 ve 2'
diodlarmdan geçer; her ilci yarım devir için yük direncinden geçen akımın yönü
aynıdır. Doğrultulan akımın görünümü· (Şekil. 2.1-6) daki gibidir. İki yarım
devir arasındaki MN kesintisi diod'un 10 = f(V 0 ) karakteristiğinin (Şekil. 2. l--3b)
O V O kısmına karşılıktır. Ancak eşik· potansiyeli V O dan daha yüksek .bir V po-
tansiyel farkı için akım mevcuttur.

Seri ilci diod için v > 2 VO olmalıdır.

94
 . Şekıl. 2. 1-6

3. Doğrultulan gerilimin besaplanma'sı :

Köprünün ç~kışında gerilimin ani değeri

Doğrultulan ortalamaV c gerilimi, bir periyod süresinde v., nin ortalama deleridir.

2 2
---Vm-2V 0 = _ - v ~ / 2 - 2 V 0

V., = 0,637 . 6,3 V2 - 2 V0

3. :K6prinün zıt elektromotor kuvveti olan bir alıaacı l,eslemeııt

a) Faydalanılacak devre (Şekil. 2.1-7) de görüldülfr gibidir. E' yerinde
bir bataryıı. bulunmaktadır.

Ol
Şekil. 2.1-7

b) Doğrultulan akımın şekli.

Doğrultulan akım bir ossiloskopla incelenirse, her yarım devirin bir ~mmın
geçtiği
gözlenir. (Şekil. 2.1-8) köprü ancak,. gerilimin ani değeri E' zıt elektr~
motor kuvvetinden büyüle olduju zaman akım temin edebilir. Ossiloskopda
bunu gözleyiniz.

95
 le

O A 8 C t
1
ı-t ➔
1

Şekil. 2.1-8

4. Artan bir zıt elektromotor kuffetiıı akım ~indeki etkisi :

E' ne çeşitli değerler vererek 1., akım şiddetlerini ve ossiloskop yardımı ile
t zamanlarını çöZiinüz;

. · Ölçü çizelgesi :

:w (volt) o 1,5 · 3 4,5 6 1,5 9.

t (ms)

Gerekli malzemeler :
· 4 silisyum diod (BA 141/25, Bf 127)
Doğru akım miliampermetresi (0-150) mA)
Doğru akım voltmetresi (0--3V)
Doğru alcım kaynağı · (0--15V)
Alternatif alom kayiıaiı (0~6.3 V)
Alcümülatör veya pil bataryası (12V)
100 ohm direnç.
 D. 2.2. ZENER DİOD
Konu :

a) Zt.::ner diod'un statik karakteristiklerinin çizilmesi,

b) Zen.er diod'un voltaj stabilizatörü olarak kullanılması.

Bilgi :
Bir P-N yürey temaslı dioddan geçen akım, dind'a uygulanan gerilimin (Vol-
tajın) ileri yönde ve ters yönde oluşuna göre değişir. Diod'a·, ileri yönde gerilim
uygulandığı zaman diod iletkendir, ters yönae gerilim uygulandığı zaman ise
hemen hemen yalıtkandır, zira bu durµmda: pek zayıf bir akım ~ . Zener
diod, ters yönde uygulanan gerilimin-belirli bir değeri için, ters yöndeki direncin
birdenbire küçüldüğü ytlZey temaslı bir silisyum diod'dur. ·
Oiod'un uçları arasındaki ters gerilimin
1
-Vz ile belirlenen bir dileri için
diod tipile bir özellik gösterir. Uygulanan gerilim, hemen hemen sabit kaldığı
halde, ters akım, diod ile seri durumda olan dış devrenin direnci ile sınırlanabili­
len hızlı bir artış gösterir; bu akım, pratik olarak sabit . gerilim altında,
birkaç miliamper<1e-;1 birkaç yüz miliampere kadar' ulaşabilir. İİıce bir teknilc
ile, 'ters akımın keskin bir 9-irsek ) aptıktan sonra düşey doğrultuda artması
sağlanabilir, (Şekil. 2.2-1). Silisyum diodlar için dirsek, germanyum diodun-
kinden daha keskin (belirli) olduğundan silisyum diodlar tercih edilirler. Diod.
ileri yönde bir gerilim uygulandığı zaman akım gerilim karakteristiği bir kristal
diodunki gibidir.

1)-

Şekil. 2.ı...:.1

97
 V z gerilimi ~s akımın hızla artmaya başladJ.Aı gerilimdir. Bu gerilim uygu-
landığı an'.daıi itibaren diod, karakteristijin düşey kısmında çalışır. Alcım ile Vz
dirsek: geriliminin çarpımı gücü verecejinden, dioddan tiddetli akım geçirilmesi
diod'un yanmasına. sebep olabilir. Bu nedenle, diod ile çalışırken, yapımcı tara-
fmdan belirlenen maksimum akımdan daha bilyük bir akımla çalıplmamahdıt.
P-N temas yii2ıcyinde (geçi' bölgesinde) bir ters gerilim bulundulu zaman,
iletkenlijin artması için gerekli olan yük tqıyıcılan farklı ilci olay ile meydana
gelirler.

Zeııer Olayı :
P-N temas yüzeyinin ilci tarafında yer alan geçi' bölgesinin çok dar olması
halinde, burada mevcut olan, yaklaşık 3xl05 volt/crn delerindeki elektrik alan
kovalan bağın kopmasına sebep olur. Bir kovalan bağın kopması biı: eJelctron-
boşluk çiftinin meydana gelmesi demektir. Böylece kovalan bağdan ayrılmış
elektronların iletkenlik: bandına geçmeleri iletkenliği arttırır. Elektrik alan, boş­
luğu P-bölgesine, elektronu da N-bölgesine sürükler. Yük tapyıcıların bu tür
hareketi bir ters alonun varlığına yol açar. Zcner olayı bir defa başladıktan
sonra, geçi§ bölgesindeki potansiyel· farkının pek küçüle bir. artııına karşılık,
ters akımda hızlı bir artma
olur. Bu durumda diod, bir voltaj (gerilim) sınırla­
yıcı olarak iflcr.

İkinci bir olay da gcçif bölgesinin geniş olması halinde meydana gelir. Geçiş
bölgesindeki şiddetli elektrik alan azınlık yük taşıyıcılarını hızlandırır. Bunlara
çarpma ile bir kovalan bağı kopartacalc kadar enerji kazandırır. Çarpma ile iyon-
laşmadan meydana gelen, yani bir kovalan baldan kopmuş olan bir elektron da
hızlandınlaralc yeni bir i}'onlaşmaya sebep olur. Böylece meydana gelen }'ük
taşıyıcılarının sayısı artar ve ters akımın şiddeti bü)ür.

Ölçliler :

A. Akım-gerilim karakteristiğinin çizilmesi

1 . İleri yGnclekl karakteristik

a) Yararlanılacak devre :
.,
BZV85C9Vl Zener diod'un ileri yöndeki karalcteristiğini çimı.elr için (Şekil.
2.2-2) de görülen devreden faydalanılacaktır.
,b) Ölçü delerleri :
,. E kaynağından değiıilc geriljmler alarak zen.er diod'un' uçlan arasmdaki gc-
, rilimi degiştiri:niz ve bu gerilimlere karşılık olan iz akımlarını okuyunuz. (K\11-
lanılan diod'dan geçirilçcek maksimum akım 30 mA dir, bunu geçmemeye dikkat'•, ,
' '
edilmeJidir).
,ı .

98
 +
E

100..A.

Şekil. 2.2-2
1

Olçl Çlzelpsl : I!
f
_1o_<_mA_>__ı __2__4
_ _6__s_ _ıo_ _ıs_ _20_ _3s_ _30___ \.
V0 (volt)

2. r .. JGııdeld bnkterlıtlk :_
a) Devre (Şekil. 2.2-3): Ters yöndeki karakteristili çizmek için diod'un
anoduna negatif gerilim uygulanacaktır. Bunun için diod'un bailanıısı teQlen•
dirilir ve voltmetrcnin eşeli 10 volt ile ölçü yapmaya iınkAn'verecek tekilde de~
tirilir. •

'1)()-A.

Şekil. 2.2-3 ·

99
 b) ÖlçU deAerleri :
Diod'un uçları arasındaki gerilime çeşitli değerler vererek, bunlara karşılık
olan iz değerlerini okuyunuz. (veya dioddan geçen akıma tam değerler verecek
,ekilde gerilimi dejişuriniz).

Ölçu çizelgesi :

iz ( mA) 1 2 4 6 8 10 15 20 25 30

Vz (Volt)

Ölçü değerleri.ne göre iz = f(V z) ters yöndeki karakteristiği ileri }'öne ait
olan karakteristikle bir arada gösteriniz; Gerilimin V z gibi bir değere eriştikten
sonra akımın hızla arttığı bölgede, akım dlz kadar arttığı zaman potansiyelde
A V z kadar değişiklik olmuşsa

A~Vz
Rz - - - - -
A iz

oram Zener diod'un bu bölgede direncini verir.

Çizdiiiııiz ejriden fa}'dalanarak, ölçme yaptıjuıız bölge için, k.ullanıİan
Ze:ııer diod'un direncini bulunuz.

B. Zeııer diod• sabit gerilim elcle etmekte kııDanılınaın:

Zenor diod ile bir R direncinin uçları arasındaki geriliın sabit delerde (Vz)
tutulabilir. ·

1 . Dewe (Şekil 2.2-4) :

v,• 300.,,_
_ _ _ _ _ _ _ _ _.___ _ __.__ _ _ _ _ _ _ _ _ ,.ı

Şekil. 2.2-4

100 ' .
Zcner diod'wı uçları arasındaki gerilim V z 2.ener gerilimine eşit oldulu
zam.an akım hızla artar ve potansi)el hemen hemen sabit kalır. Bu gerilim aynı
zamanda R direncinin uçları arasındaki gerilimdir. Girişe verilen- V, feriliıiıi
R. direnci ile diodun uçları arasındaki V8 ve Vz gerilimlerinin toplamıııa Cfittir.
V, = Vs + Vz = (le + lz) Rı + Vz
V, -Vz
= Sabit

le büyüyünce Iz kfiçillür.

a) Giriş gerilimi V 1 sabit olduju halde, R di~enci deli§tiji zaman, direncin

uçları- arasındaki gerilimin incelenmesi :
R direncine çeşitli deAerler vererek, dirençten geçen akımı deliftiriniz. Bıı
akım şiddetlerine karşılık olan (Vz = Va) değerlerini okuymıuz.

Ölçl Çizelgesi :

I., (mA) o S 10 15 20 25 30 35 40

Vz = -Va (volt)

Ölçü deJerlerini dikkate alarak sonucu tartıımız.

le = O için diod'un uçları arasındaki gerilim Vz =- Va dir.
le = 40 mA için (rlc = v) kadar bir potansiyel düşüşü olmuştur.

eşitliğinden iç direncini bulunu2.

b) Giriş gerilimi değiştiği zaman sabit R direncinin uçlan arasmdaki gc,rillin!

Ölçil Çizelgesi :

V 1 (Volt) s 6 7 8 9 10 ıı 12 13 14 ıs 16 17

Va (volt)

ÖlçtüiQniiZ Va deJerlerine göre sonucu tartlftDlZ.

101
 Kıılhııııhıak ıııalzemel• :
Zener diod ; BZY8SCSV6
Doinı akını voltmetresi · (0-10 V)
Dojru akını miliampermetresi (0-100 mA)
Direnç 100 ohm, O,S W
Direnç 300 ohm. 0,5 W
Dojru akım kaynağı (0-1 S V)

102
 D. 2.3. DİOD İLE KESME DEVRELERİ

Konu : Bu çalışmada, yarı iletken diod ile alternatif gerilimin a) pozitif,

b) negatif yarım devirlerinin, c) giriş geriliminin belirli bir lcısmının geçirilmesi
yolları incelenecektir.

Bilgi :

A. DiOtt ile pozitif ve negatif yanm devirlerin kesilmesi

1 . Kesme devresi :

'l>·~u
\m·
o
-\hı ___
.
f._
(o)
t
'?ı-ıN

.
(b)
P()

(c)

Şekil. 2.3-1

Şekil. 2.3-1 b deki ·devrede v, giriş geriliminin pozitif yarım deviıi

süresinde alamın yönü diodun anodundan katoduna doğrudur. İdeal olarak
kabul edilen diod, kapalı anahtar gibi davranır ve v O çıkış gerilimi v, giriş ge-
rilimine eşit olur. Giriş geriliminin negatif yarım deviri süresinde alcım, diodun
katodundan anodura doğru geçmek temayülündedir. Akımın geçişine büyük bir
direnç gösteren ideal diod açık bir anahtar gibi davranır. Devreden akını
geçemiyeceğinden direncin uçları arasındaki potansiyel farkı sıfır olur. Böyle
bir devre, giriş-voltajının (Şekil. 2.3-1 a) pozitif yarım devirlerini geçirir, ne-
gatü yarım devirlerini keser. Bu devre negatif kesme devresi olarak tanımlanır.,
(Şekil. 2.3-1 c). Şekil. 2.3-2 deki devre için durum farklıdır.

(a)

Şekil. 2.3-2

103
Giriş geriliminin pozitif yarım deviri süresinde akım, diod'un anodundan
katoduna doiru geçmek isteyecektir. Bu durumda ideal diod kapalı. bir anahtar
gibi davranır. Dirençsiz düşünülen bu anahtarın uçlan arasındaki potansiyel
farkı sıfırdır. O halde pozitif yarım devir süresinde çıkış gerilimi sıfırdır. Negatif
yarım de-vir süresinde alam, diod:un katodundan anôda doğru akmak tama-
yülündedir. Bu durumda diod açık bir anahtar gibi davranır. Anahtar açık olun-
ca devreden akım geçmez. R direnci üzerinde potansiyel düşüşü oım.z ve kay-
nağın voltaji çıktı uçlarında görünür, (Şckil. 2.3-2 b) Şekil. 2.3-2 a daki
devre, giriş sinyalinin. pozitif kısmını Jc«!stiji için poıitif kesme devresi olarak
tamrolanır.

B. Dlod ile girif sinyallnbı beUrH bir bnıqın geçirilmesi

R
=\fn sınwt ·=:.Vı 1.<o Vı
o r----r----t.:---~--ı---

(a) (b)
Şekil. 2.3-3

Şekil .2. 3-3 de görülen devrede gırış sinyali v, = V., sin wt fonksiyonu ile
verilmiş olsun. t= O anında ~ anahtarı kapatıldığında, ileri yönde kutuplanm~-
ya· telcabii.l eden V,,. sin wt = V 1 olduğu ana kadar dioda ters yönde gerilim tat-
bik edilmiş olur. Giriş sinyali sıfırdan itibaren V 1 volta }ükselinoeye kadar ba-
taryanın gerilimi giriş geriliminden daha büyüktür.; bu durumda akım diodun
katodundan anoduna ·doiru geçmek isteyecetir; V, giriş gerilimi V 1 batarya
geriliminden küçük oldukça dioda ters gerilim uygulanmış olacalctır. Bu durum- ·
da diod iletken değildir, devresi açıktır. R direncinden alcım geçemi}eceği için
. bunun uçlan arasmd~ potansiyel düşüşü yoktur, çıkış gwilimi ,,1,ataryanın V 1
gerilimine eşit olur. Giriş,sinyali bataryanın voltajı V 1 den büyük olduğu zaman
diod'a ileri önde bir gerilim tatbik edilmiştir., diod iletkendir. Diod'un bulun-
duğu kolda bir direnç bulunmadığından devreden geçen akımdan dolayı bir po-
tansiyel düşüşü yoktur, çıkış gerilimi v O bataryanın V 1 gerilimine eşittir. (Şekil. 2
3-3b) görüldüğü gibi böyle bir devre. giriş sinyalinin pozitif yarım devirinin ba-
taryanın geriliminin üstünde kalan kısmını kesmektedir. Eğer Şekil. 3-4 a daki
gibi bir devre kullanılırsa her ilci· yarım devir için kesme iflcminin varolacajı
açıktır (Şelcil. 2.3-4 b).

104
 Cb)
Şakil. 2.3-4 •

c) Diod'un v 0 çıkıf geriliminin mabimum dcıJerinjn, belirli bir V., delerim

qmayacak ıcJcildcı, Jı:ullanılması

Bu amaçla kullanı)acak devrenin montajı Şekil. 2.~5 deki gibidir.

C
--·-ı .---....--..
. 1± +
~VR
- 'bo

Şekil. 2.3-5

Bu devrenin çalışmasını açıklamak için kaynak geriliminin Şekil. 2.3-6 ela

belirtildiği
gibi dalgalı görünüme sahip olduğunu kabul edelim.

----------------------

Şekil. 2.3-6
 •

Şekil. 2.3-7

Devreden görüleceği gibi kaynağın v, gerilimi Va batarya gerilimini aştığı

zaman diod ileri yönde kutuplandınlmış olur ve kondansatör, kaynak gerilimi
ile V R ge.riliminin farkına eşit bir gerilim altında yüklenir. v, kaynak gerilimi
Vm maksimum değerine ulaştığı zaman kondansatör, V.,. ~ Va gerilimi altında
yüklenecek demektir. Bu durum Şekil. 3-7· de gösterilmiştir.
Kaynağın gerilimi V,,. değerini aştıktan sonra kondansatör ideal diod üze-
rinden boşalamaz, çünkü v,, V.,. den küçük olduğu zaman diod ters yönde ku-
tuplandırılmış olur.
Bu durumda çıkış gerilimini veren baimtı

v 0 == v, -(V,. -Va)= v, + Va -V,.

şeklindedir.v, nin .ı,.labi,}eceği en büyük değer v. dir. görülüyorki Ve, V.,,, yi
hiçbir zaman aşamaz. Yukarıda verilen denklemi gösteren eğri Şekil. 2.3-8 deki
gibirlir.

Şekil. 2.3-8

Anlaşılacağı gibi bu devrede giriş sinyali kaydırılarak çıkış gerilimi sabit tutul-
maktadır.

106
 Ölçiler :

o
R:ı4oo.ıı

B 0
Şekil. 2.3-9

Şekil. 2.3-9 de görülen devreyi kurunuz. Paragraf (A) <1a bclirtildiAi gibi bu
devre, A, B uçİarı arasına tatbik edilen alternatif gerilimin negatif yarım devirleri
kesecek, pozitif yarım devirleri geçirecektir. (Şekil. 3-lc). R direncinin uçlarından
alınan gerilimin değişimini ossiloskopda gözleyiniz. V AB nın herhangi bir dejc,rine
karşılık, ossilos,k;opla ölçtüğünüz V,. deAerinden etkin dejeri ((V• = V,,. / vı
hesaplayınız, bunu •voltmetrede okuduğunuz değerle kar§ılaştınn~.

Ölçü Değerleri

V48 (volt) Vco (volt)

(V.) v. = v.ıvı
2
4
6
6,3

A C
400

ff ,v V o t'o
B O
Şekil. 2.3-10

vO çıkış gerilimhıin delişimhıi ossiloskopla gözleyiniz. giriş ve çıkış gerilimlerini

kaqı)aftınıuz. .

107
 Oıçı Delerlerl :

Vu (volt) Vco (volt)

(V.) V.=V.J vi"
2
4
6

3.

A R C
,oo
o
ıt
~ t'\J V +
V1 _4.5 V
e o
Şekil. 2.3-11

Yukarıda görülen devrede, V 1 kaynağı yerine 4,5 voltluk (veya 1,5 voltluk)
bir pil bajlayınız. v, giriş gerilimine karşılık olan v O çıkış gerilimini ossiloskop
yardımı ile ölçünüz. Son~cu tartışınız.

Oıça Delerlm :

Vco (volt)
(V.)

4
6
8
10

108
 400

R
'o,
2,4 N V
' v,-=-
Şekil. 2.3-12

Şekil~ 3-12 deki devrede V 1 = 4,5 volt V 2 = 1,5 volt pil kullanarak,
v, = 6,3 volt giriş gerilimi:nie karşılık olan v 0 çıkı~ geriliminin delişimini ossilos-
kopda görünüz ve bir kağıt üzerine geçiriniz. Giriş gerilimi ile çıkış geriliminin
değerlerini Jcarşılaştırıiıız.

5. Şekil. 2.3-7 de götülen devreyi C =- lOp.F V• .,. 4,5 volt pil ile hazırla-·
yınız. Giriş gerilimine çıcıitli deAerler vererek, çıJaf priliı:ııim oısilô&kop ile öl-
. çilnilz.

Ölçl J>elederl :

Vı (volt) V0 (volt)

2
4
6
8
10
I •

Giriş gerilimine Jcars{lık olan çıkış gerilimini ossiloskopla gözleybıiz, ıerilimm

değişimini gösteren eğriyi kajıt ü.zcrine geçiriniz. Çıkıt ıerilimbıi osıilosJı:op
yardımıyla ölçünüz. Sonucu tartıımı.z.

Kullaıulaıı Malzeıİıeler :

. Alternatif akım bynajı

AC voltmetre (0-10 V)
Diod (1N4001)
Pil (1,5 V; 4,5 V)
Kondansatör 1~
Direnç Jmtuıu (0-100 A)

••
 D. 2.4. GERiLİM KATLANDIRICl

Kon : Bu çalışmada eli.odlar ile hazırlamnış bir gerilim katlandmcıya yer

verilmiştir.

Bilgi : Doğrultucıılar, ac giriş geriliminden çok daha büyük de çıkıf gerili-

mi temin edeock şeldlde düzenlenebilirler (Şekil. 4-1 (a) ve (b) de iki gerilim
tatlandırıcısı devresi görülüyor.

Şclil. 2.4-1

Şekil. 4-1 (a) dalci tam-dalga gerilim katlandırıcısında x noktası pozitif oldulu
zaman D ı doğrultucusu, C 1 kondansatörü;nü, devre yüksÜZ veya çok küçfiJc
bir yük direncini ihtiva ettiği zaman,ac giriş geriliminin tepe değerine yakın
(v2 V,.;) bir gerilimle yükleyecektir. Bwıu izleyen yanın devirde, Y pozitif
olduğunda D 2 doğrultucusu C 2 kondansatörünü beıız.er gerilimle, işaret edilcı,ı
polarite de yükleyecektir. Böylece A ve B noktaları arasında (2 vı V,.c) giriş
gerilimine eşit olan bir de gerilimi mevcut olacalı;tır. Şekil. 4-1 b de görülen ve
daha çok tercih edilen g-erilim lcatlandırıcının çalışması şöyledir; Y noktasının
pozitif olduğu yanın devirin sonunda D2 doğrultucusu Cı lcondansatörünü
(v'2 V,.c) gerılim altında yüldeıniş olur. Bunu izliyen. yanın devirde D 1 re uy
gulanan gerilim C 1 il2lı)rindeJd gerilim ile traı,.sformötör çıkış geriliminin topJa..
mına eşittir. Böylece l>~. C 2 ·kondansatörünü yak]aşıJı; (2 v2 V,.c) gerilimi al-
. tında yüklemjş ohır. Bu sistem yüksek gerilimler için gerilim katlandınlınasında
kullanılır. Bu katlandıncı devreleri uygun bir tamla birleştirmek suretiyle daha
bilyiik de .gerilimteri eldio edilir.

111
 Ölçtller :
Şekil. 4-2 de görülen devreyi kurunuz. AB kolundaki ampermetre alternatif
akımın etkin değerfr•.i verecektir. Kaynaktan 6,3 volt gerilim alınız.

a) BD noktalan arasında yük bulunmadığı zaman bu uçlar arasındaki potan-

siyel farkını ölçünüz. Giriş gerilimi ile çıkış gerilimini karşılaştırınız. Ölı.,-ü değer­
lerini bir çizelgede gösteriniz.

+
Dı lNl.001 lOOOp.,F
25V
+ V
~d, r XJV

1~
d

1Nl.001
K

1)

Şekil. 2.4-2

Kııllaıula ~eler :
1 . AC voltaj Jcaynalı
2. Qiod (IN4001)
2 AC ampermetre (0-1 A)
ı DC ampermetre (0-1 A)
2 kondansatör (100 !J. F, 25 V)
1 Reosta (300 O ; lOW)
1 DC Voltmetre (0-30 V)

112
 D.2.5 - YÜZEY TEMASLI TRANSİSTÖRLER

Amaç : Bu çalışmanın amacı, öğren.cinin, bazı ·ölçüler yapıp karakteristikler

çizmek suretiyle transistörü tanımasını sağlamaktadır.

Bilgi :
Yüzey temaslı transistör, aynı tipten ilci bölge arasında, diğer tipten ince
bir bölge ihtiva eden yarı iletken kristaldir. P-N-P ve N-P-N tipi transistörlerin
şematik görünümü şekil. 2.5-1 deki gibidir. Sembolik gösterilişleri Şekil.
2.5-2 de görülmektedir.

FNP NPN

Şekil. 2.5-1

Biz burada N-P-N tipi transistörün çalışma prensibini açıklamaya çalışa­

cağız, bunwı prensibi anlaşıldıktan sonra diğerinkini-cki de açıklığı kavuşacak­
tır.Transistörün elektrik bağlantılarJ için gerekli üç elektrodun adlan
E (Emettor), B (Blse), C (Collector)

'·· Şekil. 2.5-2 ,

Transistörünün çalı_şması açılclandıktan sonra bu tür adlandırılmanın ma-

nası açıklık kazanacaktır. Şematik diyagrama göre, emettör ve kollektör simet-
rik durumda göründüklerinden, ilk bakışta, bağlantıların d~ğiştirilebileceği. akla
gelebilir. Halbuki, bu bölgelerde saflığı giderici madde konsantrasyonu farklı
yapıldıAmdan pratikte bu iİci ucun birbirlerinden ayırded.ilmesi gerekir. Önce

113
transistörün çalışmasını bir amplifikatör devresini ele alarak açıklayacağız.
Şekil. 2.5-3 de görülen amplifikatör, beysi'i (Base) ortak amplifikatör devresi
olarak bilinir, çünkü. beys giriş ve çıkış devreleri için ortaktır Giriş sinyali v,
emettör-base uçları arasına tatbik edilir. Çıkış sinyali v 0 , base--collector uçları
arasından alınır. · ·

E p C
N N

%s ~B
V- - -- - - - B- - - - - - J
'-----f_ ı,ı-,-~- - - + - - - ' fı t------J

VEE Vcc
Şekil. 2. 5-3

Her üç elektrod için akım elektrotlara doğru olduğu zaman pozitif, itibar
edilir. Emettor-Base gerilimı (V EB) ve Collector-base gerilimi (V cB) base'e
nazaran yüksek olduğu zaman pqzitif itibar edilir. Şekil. 2.5-3 de görülen dev-
:enin bir sinyali nasıl yükselttiğini an.lı)abilmek için emettor devresinin . açık ol-
duğunu kabul edelim. Bu durumda le kollektor akımı, V cc bataryası, RL yük
direncini ihtiva eden P-N kavşağının volt-amper karakteristiğine bağlı olacaktır.
Bu P-N kavşağında üreteci,, bağlanış şekline dikkat edilirse P-N kavşağına
ters ~rilim uygulanmış olduğu ve daha önce belirtilen kabullenmeye göre (kol-
lektör beyse nazaran daha yüksek potansiyelde) kollektör-beys gerilimi V Be
nin pozitif olacağı anlaşılır, Bu tarz. gerilim uygulanması azınlık yük taşıyıcıla­
rını (N tip bölge için boşluklar) N-:-tiP bölgeden P-tip bölgeye, yani kollektörden
beys'e doğru akıtacak yöndedir. Pozitif yüklerin aktığı yön .it.ı.bar.. olarak akı­
mın yönü olarak kabul edildiğinden, Ico ile gösterilen bu akımın yönü pozıtıf­
tır. Pratık olarak lco akımı V cc ve R~ den bağımsızdır. Şımdi de Emettör-beys
devres.ne ger..Iım uygulayınca ne olacağını araştıralım. Sınyal gerılımi;nin bu-
lunmadığı halden başlıyalım,. Bu halde devrenin görünümü Şekil. 2.5-4 de-
ki gibi olacaktır..
Emettör-beys kavşağı ileri yönde kutuplandırılmıştır, bu halde elektronlar
(N-tip bölge için çoğunluk yük taşıyıcıları) beys'i teşkil eden P-tip bölgeye gire-
celclerdir. Bu bölgeye giren elektronlar azınlık yük taşıyıcısı olarak, kollektör-
beys kavşağına doğru ilerlerler. Beys bölgesjndelci çoğunluk yük taşıyıcıları olan
boşluklarla emettörde.o. bu bölgeye giren elektronlar arasında bazı birleşmeler
olur. Ancak, beys bölgesindeki safJığı giderici yabancı madde konsantrasyonu

114
küçük yapıldığından,
burada bulunan boşlukların sayısı, emet«Srden gelen elek-
tronların sayısından
çok küçüktür. , ayrıca beys bölgesi ince olduğundan, elektron-
ların çoğu boşluklarla birleşmeden kollektör-beys lcavşafma ulaşabilirlctt. Bu
kavşağa uygulanan ters gerilim azınlık yük taşıyıcılarının kavşağı aşmalarını

E p N C
N
le: le
e
1
e
rı
J~e lı B

4-
J fl
VEE 'tc
Şelcil. 2.5-4

kolaylaştıracak: yöndedir. Şu halde beys bölgesinde emettörden gelmiş olan

elektronlar için kollektör-base kavşaimı aşmak · ve kollektöre dolru ilerlemelı;
kolay olacalctır. BU noktada, emettör, ko1lektör terimlerinin manası açıklanmı,
oluyor. Enıettör, base •bölgesine elektronlar neşreder. kollektör beys bölgesinden
elektronları toplar. Kollektöre ulaşım elektronlar dıf devredeki V ,,,, ve Vaa
bataryaları yoluyla emettöre_ dönerler. Akmıın pozitif yön.il pozitif yOklerin
ak:tıjı yön (negatif yülderbı aktığı yönün tersi) · olarak kabul edildiiindcn
18 emettör akımı emettötden dışa doln,ıdur ve işareti negatiflir; ko1lektör akımı
dışarıdan kollektöre dojıııdur, :işareti pozitiftir; beys akımı beys'e doğıııdur.
işareti pozitiftir.

Bir P-N-P tipi transistör<l.e de yine emet«Sr-beys kavşağı ileri yönde, kollek-
tör beys kavşağı ters yönde kutupJ.ıındırılır.' Y a1nız bu tip transistörde akım boş­
luklann akışı ile meydana geldiğinden yu]ı:anda .belirtilen akımlann yönleri
N-P-N tipindeki ne nazaran terstir.

Emettörden çıkan yük taşıyıcılarının ancak bir kısmı kollelctöre ulaşabileoe­

ğinden kollektör akımı emettör akımından daha küçüktür. Kollektör ·akımı e-
mettör akımının otls kadarıdır ot parametresi pozitiftir. Ve kollektör akımı değişi­
mi-·!::.. I., ve emettör akım değişimi!::.. Is olmak iizere ot -= ·et::.. I., / A Is) baltn-
tısı ile verilir.

Emettör akımı Is, kollektör ak:ımı le ile baso akımı 18 ni:iı. toplamml\ Clfit-
tir:

(S-1)

ııs
 Çalışmalar

A. Şekil 2.5-5 de &örfilen devreyi kıınmıız. .

Şekil. 2.5-S

Emettör akımı 1 m.A oluncaya kadar R 1 potansiyoD)etrcsiJÜ düzen1eyiniz.

Voltmetre 3 volt gösterinceye kadar R 2 potansiyometresini d~eyiniz ve I.,
kollektör akımını okuyunuz, Is emettör alanımı çoğaltacak ıekilde R 1 potan-
siyomctresini düzenleyiniz. le nasıl bir değişim gösterir? ·
.
1 . E 1 bataryasını tcrslendiriniz. K.olle1ctör alamı ne olur?
Emettör alamı ne. olur 'l

2. Emettör aJcımı 1 mA oluncaya kadar R 1 potansiyometresini düzenleyiniz.

V cB voltmetresi 3 volt gösterinceye kadar R2 yi düzen1eyiniz. le aJornmı kaydedi-
xuz. Daha, sonra V cB gerilimi 4,5 volt oluncaya kadar R2 yi dtimııleyiniz. le alo-
mı na_sı1 bir deliıün gösterir? ( b ~ mii ?) kiiçiiliir mii?)
. '

3. Devreyi Şekil. 2.5-6 da rörülen hale getiriniz. Vca - 3 volt olımcaya

kadar R 2 yi dOZe.nloyinjz. Kollektör abmmm deleri nedir. . .
4. 1, 2, 3 bsımJarında yapılan çahpnayı NPN tipi bir tranıistlSr olan
BC338 ile tekrarlayınız.

116
 B. Bo denemelerden edindiğimiz . bilgilere göre aşağıdaki sorulan cevaplan-
dınnız.

~
~ (b) eoıar,eıar

Şekil. 2.>-7

1. Şekil.2. >-7 de aıalıda belirtilen özel noktalan belirtbılz.

a) Emettör
b) Beys
c) Kollektör
d) Kollektör kavşağı
e) Emettör kavşajı
f) E 1 bataryasnıın kutupları
g) E 2 bataryasının kutupları
h) Emettör devresinde elektron akımının yönü
i) Beys devresindeki elektron akımının YÖJ1.ü
j) Kollektör devresinde elektron alc:ımmm yönü
2. Şekil. 2.>-7 için 1 de verilen soruları cevaplandırınız.

3. Aşajıda verilen bağı:ntılardan hangileri doJrudur, işaretleyiniz.

a) le - Is = 18 b) le = 18 - 18
c) 18 - 18 = le d) le + 18 = 18

4. Bir vakum tüpünde, plil: akımı, kontrol griyin negaff gerilimini çopl-
tarak kesilebilir.• Bir transistörde kollektör akımı nasıl kesilebilir.
5. Bir yaniletken nedir?
6. Şekil. 2.>-1 deki devrede elektron akımının yönünü belirtiniz.
7. Şekil. 2.>-1 deki devreden geçen alamı nasıl büyütebiliriz. İki yolu
belirtiniz.
8 . Bir transistörü, aşajıda belirtilen hususları gözönüne aJaralc: bir tüb ilo
kaqı)aştınnız.

117
 a) Elemanlar
b) Elemanlara uygulanan gerilimler
c) Elektrik akım taftyıcılan

C. Tr-.uı.ılsfflr De ça)lfll'lı.ea dikkat edilecek basuslar:

1. Transistöıibı ele.ktrodlan son derece naziktirler. Transistörü yerleştirirken

ve çıkartırken çok dikkatli olunuz.
2. Gerilim kaynalt devrede faal durumda iken transistörü devreden çıkart­
mayınız. Ayni ıekildo bir d-c veya sinyal voltajlan varken transistörü devreye
yerleştirmeyiniz.

3. Bir transistör devresine güç verilirken, gticii mümkOn oldu,lu kadar ted-
rici ıekildo arttmnız.
4. Transistöıibı uçları bir devreye lohi~irken ıeniı yilmyli bir pensle
tutarak transistöıibı fazla ısınmamasına dikkat ediniz.

Kıılhmılacü MalzeMeler :
Transistör PNP (BC127, BC179, BC307, BC41,>
Transistör NPN (BC338, BC108, BC238)
DC voltmetre (0-10 volt)
2 DC ~pormetıe (0-10 mA)
2 pil (1,S V vo 6 volt)
Potansiyometıe S K sı

.
 D. 2.6- TRANSİSTÖR PARAMETRELERİNİN TANINMASI

Konu : Bir transistörün çahşm!3-sında birinci derecede önemi olan dört

parametre vardır. Bunlar Icao, IEBO• hFs ve lcso dir. Bu denemenin
·amacı, öğrencinin transistörün parametrelerini tanımasmı ve bıınların ölçü me-
. totlarını öğrenmesini sağlainalctır.
Bilgi : Bir transistörün kullanabileceği bütün şartları tesbit etmekte, kesim
reya satürasyon akımı Icao ve d-'-C. akım kazancı hFs (yahut beta [3) nın bi-
linmesinin büyük önemi vardır.
Genellikle bütün transistör parametreleri, kollektör akımını, gerilim, yahut
sıcaklığınfonksiyonudurlar. Sıcaklık yaklaşık olarak 10°C yükseldiği zaman
Icao iki defa büyür;
Germanyum ve silisyum transistörler için bu böyledir. Transistörün akım
kazancı sabit değildir, fakat kollektör akımına ve ortamın sıcaklığına ballıdır.

(a)
Şekil. 2.6-1

Şokil. 2.6-1- akım kazancı (hpıı) nin kollelı:tör akımma nasd ballı olduju-
nu göstermektedir. işaret edelim ki, akım kazancı, le niıı küçüle deiorlcrindo
bir maksimuma dolru gitmekte sonra le yilkseldikçe todıid olarak azalmalctadır.
leo : ·Jeao veya leo, kollektör bsiın akımı, emettör açık olduiu halde,
tollektör-beys ters gerilimi ile ölçüUir. Icao şdclinde gösteriş tam bunu belirt-
mek için seçilmiştir. I harfini takip eden C,B kollcktör ve beys'i be1irtinek için

119
konulmuştur. Bunlar ters gerilim uygulanmış olan iki elem~dırlar. Üçüncü
eleman ·burada emettördür açık devre halindedir ve devrenin açık olduğu O
harfi ile belirtilmiştir.
lcao 35steriş tarzı genellikle Ico şeklinde kısaltılmıştır bununla beraber
elemanlr.rın bağlanış tarzıyine aynı kalmaktadır. lco akımını ölçmek için fay-
dalanılacd: devrenin şeması Şekil. 2.6-2 de görüldüğü gibidir.

PNP NPN

R, Rı

Ca) (b)

Şekil.- 2.6-2

I silisyum transistöre kıyasla germanyum transistör için daha büyük

olduğu halde, yine mikroamper mertebesindedir., bu nedenle devrede bir mikro-
ampermetre bulunmaktadır. Şekil. 2.6-2 ue görülen R 1 direnci, transistör
uygun olmayan bir tarzda bağlandığın da akımı sımrlamak içindir. Transistöre
gerekli gerilimler uygul~ndıiıı zaman Ico ın büyük önemi vardır. Ico sıcak­
lık ile değiştiğinden, kollektör akımırtın değişiminin (sinyal bulunmadığı zaman)
işleme noktasını kaydırmaması· için tedbir. alınması gerekir.
IEBo veya 180, akımı açık ve emettör beys kavşağı ters yönde
kollektör
kutupla:.~dığı zaman geçen akımdır.
(Bu IEBo• veya l 80 gösteriş tarzı, Icao
için yapılan gösteriş tarzına uymaktadır.) Bazan IEBo, 180 şeklinde kısal­
tılır. I 80 'ın ölçülmesinde faydalanılacak devrenin prensip şeması Şelcil. 2.6-3
verilmektedir. Burada'da R 2 transistörü ·korumak için bulundurulmaktadır.

PNP NPN

Şekil. 2.6-3

120
 13: hPE yahut 13, müşterek emettör devresinde (transistörün emettörü hem
girişhemde çıkış devresinde ortak olduğu zaman) akım kazancıdır. Bu para-
metri Şekil. 2.6-4 cıe görülen devre ile ölçülebilir.

ca> (b)

Şekil. 2.6-4

~. kollektör alamı (çıkış akımı) ve beys alamı (!iriş alamı) arasmdalci orandır.
~ sayıca 1 den biiyülctür ve transistörün bir tomel özelli.Aidir, Bu biı:- sabit
dejildir, kollelctör alcıınmın büyülclüğüne ve sıcalclığa ballı olarak detilir,
Gen.el olarak sıcaklık yükselince, transistörün tiphıe bajlı olarak, akuP kazmıcı
yükselir, veya alçalır. 13 yı bubnalc için kollektör akımı ve beys ~ ölçüliir ve
bunların oranı hesaplanır. AnlapJacağı gibi akım kazancı tr~siStörü:n devreye •
bajla:rıış tarzına göre dejişmelcted.ir.

Transistör üç tam:la bıtjl8ll&bilir: Beys, giriş VÖ çıkış devreleri için müşte­

rek; emettör giriş ve çıkış devreleri için müşterek. kollektör giriş ve çıkış devreleri"
için müşterek. Bunlar bir vakum ~p ampilifilcatöründe, griy....topraJdı, katot-
topraklı ve mıod (plik) topraklı bajlantılarına :ıcar.ııı1ctır. Her bir irmısistör
ballmıtı tarzı farklı bir alcım kazancına sahiptir; Beys ortak ballantısı bir alfa.
(cx) alcım kazancına sahiptir; emettö"r ortak bağlantısı bir beta (13) akım kazancına
ve kollektör ortak bağlantısı (1 + fi) akım kazancına s!l,hiptir. Bu denemede en
yaygın bağlantı tarzı oldujundan sadece omettör-ortalı: amplif~törOnde akım
bzancı ile ilgibıecejiz.

IcEo : lcEO• bir transistör beys açık ve kollektör kavşağı ters yönde Jı:u­
tııpJa:ndıtdığı zaman kollektör-emettör akımdır. (Şekil. . 2.6-5). IcEc;>• y~ılda­
Jaşık olarak Ico (1 + 13) ya eşittir. 13 birden çok büyük olduğundan, Ico (1+-~)
yerine Ico fi. alınabilir. lcEo• miliampermetre ile ölçülebilecek seviyede bir bü-
yüklük olduğundan bir transistörün kontrolünde lco dan daha çok ölçOlen bir
büyilklülctiir.

Ico ve fi sıcaJdıjına ballı . ·oldukbirından.

.
Jcao, .sıcaldıla son dorec:o
bajhdır.

121
 <a> (b)

Şakil. 2.6-5

Ölçiler :
A- Ico nn ölçülmesi : Transistörü Şekil. 2.6-2 de görülen devreye
bağlayınız. Hangi tip transistör ile çalışıyorsanız bağlantıyı ona göre yapınız.
N-P-N tipi ve P-N-P tipi için bağlantılar şekilde belirtilmiştir. R 2 direnci 5000
ohm 1/2 watt dejerinde bir dirençtir, E güç kaynağı 0-10 volt arasında değişe­
bilen bir kaynaktır. Bu devredeki mikroampcrmctrc Ico akımını dotrudan
doğruya okumaya imkan verir. Ölçü aletinin doğru bağlanmasına (giriş ve çıkış
uçlarına) dikkat ediniz.

1. Transistörü donem.o devresine baiJ,ayınız. B = 6 volt alınız. Ic0 'n ölçil-

nüz ve çizelge 6-l'o yerleştiriniz. ·
2. E= 3 volt oldutu halde yukarıdaki ölçtlyti tekrarlayınız

3. E = 3 volt olduAu halde yanmakta olan kibriti transistöre 3-4 cm

uza1clıkta10 sa:niyo kadar tutunuz. Bu arnanm sonunda kibriti uzaJdaıtırmız.
Ico'ın . maksimum de&erini kaydediniz. (Alevin transistöre pek yakın olma-
masına dikkat ediniz.)

4. Transistörü solumaya bırakınız ve daha •~• Ico aJarnmı c'SlçOnilz.

B. İ80 •Jr■ııunı• lllçBJ__,

Transistörü Şu:il. 2.6-3 do görülen devrelerden u,ımı olanına ballaymız.
E- 6 volt. Rı=- 5000.ft almız. Mikroampcırmetıedeıı 180 aJarnm•· olaıymıuz ve
'-çizelge 6-1 ele yorleıtiriniz.

c. ~ - llplı■n..ı

Transistörü Şekil. 2.6-4 do gc'Srillen dcvrelerdeı1 uygun olanına ballaymız.

Rı= 100000.ft (2 watt) potansiyometıe, R,== 1000 (2 watt) R.L 1/2 wattbk
dircııçlardon teıettıll eden bir direnç. tutusu
olabilir. B= 6 volt aJmız.

122
 1. RL = 10000 ohm aldıktan sonra, gerilim uygulayınız ve voltınetro mini-
mum gösterinceye kadar potansiyometreyi düunleyini7. I~ ve le yi okuyunuz;
bunları çizelge 6-1 de yerleştiriniz. ~ veya ( Ie/1 8 ) yi hesaplayınız, çizelgede
gösteriniz.
2. RL= 4700.n, ; RL= 2200.n, olduğu halde (1) de yapılan iflemleri tek-
rarlayınız.

D. IeEo akımının Glçilmesi:

Transistörü Şelcil. 6-5 de görülen devrelerden uygun olanına yerleşteriniz.
R= 5000 .n. , E= 6 V alınız. Miliampcrmetredc IeEo akımını gösterocoktir.
Bunu okuyunuz ve çizelgede gösteriniz.

6-1 Ölçi Delerleri :

Tn Tn Ico leo Ieo leo Iao

tip No E=6V E=3V aln alev
var yok

BıılduAımuz ölçü delerlerine göre sonucu tartıpıuz.

Kııllaılım Me!r:-ıl• :
1. Diıaııç( 5000 ohm 1/2 W )
1. Delişbn voltaj kaynalı ( D.C. 0-10) V
2. Milı;roampermotre (0-100 ı,ıA )
1. Miliampumetre ( Or-10 mA )
1. Transistör PNP { 2 N 107 • 2 N 135 )
1. Transistör NPN ( 2 N 167 • 2 N 169.).
1. DC voltmetre ( 0-10 V )
l. 100000 ohm 2 W potansiyometre
ı. 1000 1/2 w =F 10 % direnç
ı. 4700 ohm 1/2 W =F 10 ¾ direnç Ayn direçler wıya
ı. 2200 . ohm 1/2 w =F 10 ¾ dinınç dinınç bıtuııı

123
 D.2. 7- TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

Konu : Müşterek Emettör Devresi Karakteristiklerinin çizilmesi.

Bilgi :
A. Oç temel dene
Montajları balonundan transistör ve triod · J.Amba birbirlerine çok ben7.CI'lcr.
çünkü her ilciside üç elelctrod ihtiva eder. Transistörün emettör, beys ve kollektörü
· triod'un katod, griy ve anoduna kar~lıktır. Bir PNP tipi transistörde boşluk­
luldar emettörden kollektöre-d.oğru·bir alcım meydana gethirler. Halbuki triodda ·
katoddan anoda doğru bir elektron akımı vardır. Tr~törde botlukların ha-
reketlerinden ileri gelen alom emettör ve beys arasındaki potansiyel farkına bal-
hdır. buna karşılık triodda elektron alamı katod ve griy arasındaki potansiyd
farkı ile kontrol edilebilir. Triodda olduAu gibi, transistörün montajları üç temel
sınıfa ayrılabilir. Bunlar beys topraklı, emettör topraklı, kolldı:tör topraklı dev-
relerdir. Eberiya bu dcıYrelcr, müşterek beys, müşterek amettör, mU,trrek kol-
lektör devreleri, olarak ·adlandırılırlar. Şekil. 7-1 de ·gıiy topraklı bir triod
devresi ile buna tekabül edem m-u,terek beys transistör devresi görülüyor.

Şekil. 2.7-1

Her ild devrede merkezi ele1ctrod, yam beyi " ariY topraklanımıtır. Triod
demesinde katod .w ıriy arasındaki batarya griye. katoda nazarım belirli bir
dolcrde negatif bir potansiyel (E.) sallanmaktadır; bataryası ise anodu katoda
nazaran daha yübe]c potansiyelde tutmaktadır, CErE.). Bu i1ı:i batarya anoda
. triodun çalıpnası için ıenı1di potansiyelleri temin etmebıdir. Transistör deYıe­
sinde de gerekli çalıpııa ıart)arı tarnaınaı aynı ıda)de, beys - emettör wı be.ya '
kollektör aırasmdald ilci batarya iJo ıaıı-mattadır, ŞetiL 2.7-1-a da, cmııttOr

125
beys'e nazaran pozitif potansiyelde, halbuki kollelctör beys'e nazaran negatif
potansiyeldedir. Emettör devresinde (giriş devresinde) alcım 18 , kollektör devre-
sinde (çıkış devresinde) akım le dir. Oklar akımın yönünü belirler. Emettör akı­
mından (6. IE) ile gösterilen küçük bir artış kollelctör akımında küçük bir (6. IE)
artışına sebep olur. V 8 e sabit kalmak şartıyla le ve IE arasındaki orana akım
amplifikasyon katsayısı denir :

ot=----

Genellikle kollektör akımı emettör akımından daha zayıf olduğundan ot katsa-

yısı
birden küçüktür. ot; 0,95 ~ 0,999 arasında değişir.
Örneğin : OC 71 tipi transistor için.~ = 0,98 dir.
Şekil.
2.7-2 de her iki montajda birinci elelctrodlar, yani emettör ve katod
topralclanmıştır. Tüplü devre katod topraklı, transistörlü devrede emettör toprak-
lı devre olarak adlandırırlirlar. Bataryalar · tarafından temin edilen V EE( = V 88}
ve V eE ( = le RL) gerilimleri transistörün çalışması için gerekli olan gerilim-
lerdir.
. ı:-.

C le

Şekil. 2. 7-2

Beys veya giriş devresindeki alcım 18 , çıkış veya kollektör devresindeki akım
Ic dir. Bu montajda beys akımında küçük bir artış (6.1 8 ile gösterilmiştir,)
kollektör akımında bir 6. IE artışına sebeb olur. Müşterek amettör devresi için
akın ampıifikasyon gatsayısı [3, L:::,. le ve L:::,.18 arasındaki or~ ile ifade edilir.

f3 - - - - -

Müşterek beys devresi amplifilcasyon katsayısı ıx ile, müşterek cmcttör devresi

amplifikasyon katsayısı ~ arasında

126
 0(

(3 - - - - -
1 - ot

bağıntı vardır.

Bu bağıntı (7-2 a) daki devreye birinci Kirchhoff kanununun tatbik ederek

çıkarılır.

.ıi le
=

1 l1 lıı -11 le l1 lıı 1

= -1 = ---1
(3 l1 le l1 le ot

1 1- ot

·-
(3 ot•

0t

1- 0t

ot = 0,98 için

0,98
-----=49
1--0,98

bulunur.

Nihayet Şe1dl. 2.7-3 de, üçüncü elektrodun yani, kollektöt ve anodun

(pllk:) topraklandıtı temel devre görülüyor.

Şekil. 2.7-3 deki tüp temel devresine anod topraklı devre, transistör devre-
sinede kollektör topralclı devre denir. Bu devre nadiren,kullanılır. Üç temel devre
içinde .en fazla lcullanılan miişterelc emettör devresidir. Bunun nedeni devrenin
ö.zellikleri tanındığında açıklığa kavuıacaJttır.

127
 1
1

+ ~)-
Şekil. 2.7-3

B. Milşterek emettör. devresi karakteristikleri:

le - V ca karakteristiği :

Şekil. 2. 7-4 ,

Şekil. 2.7-4 görülen 'müşterek emettör devresinde ölçülebilecek dört

önemli büyüklük vardır :
Emettör ve beys arasındaki potansiyel farkı (VEB), emetör ve kollektör ara-
sındaki potansiyel farkı V ca ve beys, kollektör devrelerindeki 18 v~ le akımlan
Bu akımlar ve gerilµnler arasında karşılıklı bağıntılar bulunabilir, karakteristik
eğriler çizilebilir. Önce, V ea geriliminin ve 18 beys akımının fonksiyonu olarak
kollektör akımını inccliyelim. Bir eğri grubu halinde çizilebilen'. bu karakteris-
tikler (le - Ves karakteristikleri olarak bilinir.· Şekil. 2;7-5 de bu karakte-
ristikleri çizmek için faydalanılacak devcenin iCması görülü.yor.

128
 Şekil. 2.73..S

Rp 8 potansiyom~resi yardımı· ile 18 . akımı belirli bir değere göre, meseli.

1O mi{croampere ayarlanır (Bu değerin seçimi inceleme kr:nusu. olan transistörün
tipine bağlıdır.). J;)aha sonra Rpc potansiyometresi dfiZenlenc:rek Vcs ye giderek
artan değetlet Verilir ve bunlara karşılık olan le kollelctör aJornlan okunur.
Ayni işlem 18 nin bir başka değeri için (meseli 20 µA) için yapılır. Ölçü sonuçla-
rının şekillendirilmesi sonucu .Şekil. 2. 7-6 daki gibi bir eğri ailesi elde edilir.
Bir pentodun I,. f(V,.) eğrilerine benzeyen bu karakteristikler önemli üç bölgeye·
aynlabilir. · ,.

fc:(fmA)
2 ı
30,PA
1 '1Dp.A
VJ ,ıı-A
ls=O
o 5 1 15V
1
1 1

l.
"
A
Jlı(
B
Şekil. 2.7.6 * C

a) Sol uçtaki bölge: Bu bölgede Ves nin küçük bir artışı koDalctör akımın­
da biiyük bir artışa ~bep. olmaktadır. Bir çok transistörler için bu bölgode
Vcs• 0,2 volttan· küçüktür.
b) Ves nin artışının pratik olarak le de bir delifiklilc sobep olrnadıiı böl-
ge «lineer bölge» olarak adlandınlır.
 c) Sal uçta btlldlntülü lk,Jge :. Bölgede Va deki artıı le _akımında anl
bir artııa sebep olur.

C (18 - V 88) bnkterlıdklm

Girit karaktcristllc:leri denilen. cı. -
V••) bralctiristılderi. VCB gerilimleri-
nin sabit bir doteri için 18 akımı ite V88 gerilimi arasındaki baltntıyı verir.
Bu bajıntayı tesbit etmek için faydalanılacak devrenin ıeması Şekil. 2.7-7
de görülmektedir. Vca nin değeri Rpc potansiyometresi yardımı ile dÜZeJllenir.
R•• potansiyomaetresinde sürgii aşağıya indirildikçe, beys emottöre nazaran
daha az negatif olur, .emettör-beys diodu ters yönde kutuplanmış durumda ol-
duğundan iletken delildir, bunun sonucu· olarak da. V 88 geriliıninde bir artış
la alamında herhangibir değişiklije sebep olmaz, Dijer taraftan. sürgii yukarıya
dojnı hareket ettirilirse, emettör beys'o nazaran pozitif olur. V88 geriliminde
hafif bir artış, 18 alamında büyük bir artış meydana getirir. Bir transistöi'iln
giriş karakteristiği; Şekil. 2.7-8 de göt1llınektedir. EAriden (germanyum diod-
undaki ne çok benriyen) hemen görüleceği gibi Vca geriliminin etkisi pclc; zayıf­
tır. Gerilimin O dan 1 volt yükselmesi 18 nin dc&eri OZerindo pelı: az etkili olur.

+
Şekil. 2.7-7

ıe -\t:E=O
.
VcE =lV

Şe1cil. 2.7-8

130
 Ölçüler :
Müşterek emettör devresi karakteristiği

· A. le (1 8 ) Karakteristiği :

BC327 PNP tipi transistörü ile Şekil. 2. 7-9 da görülen devreyi kurunuz.

Şekil. 2. 7-9

1 . V es = sabit geriliminde ölçller :

Vee kaynağını düzenliyero]c emettör kollektör prilimini sabit· tutunuz. lla
direncini arttırarak 18 beys akımına giderek ki1çOlen det,rler 'VllriııiJ.

Ölçl Deterleri .
a) - Ve 8 = 1 volt icin
- ı. (ı,ı.A) 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2
- le (mA)
b) - Ves = S volt için
- ı. (ı,ı.A) 20 18 16 14 12 10 8 6 4 l
- le (mA)
c) - Ves = 8 volt için
- ı. (ı,ı.A) 20 18 16 14 il 10 8 6 4 2
- le (mA)
•
2. Ölçü değerelerine göre le (la) karakteristiklerini çiziıüs.

3. - Ve8 = S volt için

hesaplayınız.

\3\
 B. la = sabit le (Vea) bnkteıistWai

la akımına çeşitli sabit değerler vererek. Ve• geriliminin fonksiyonu ola-

rak le kollektör alamının d61ifimiıü inceleyiniz.

·Ölçl Delmerl .:

a) - 18 - S ııA için
- Vea Volt 1 3 s 7
- le (mA)
b) - J8 = 10 p.A için
- Vea (volt) 3 s 7
- le (mA)
c) - ı. - ıs ııA jçjn
- Vea (volt) 1 3 7
- le (mA)

2. Ölçü delerelerine göre le (Vca) elri)erini çiziniz.

C. <Vca = Sabit ) V 88 (18 ) bıütalııtWerl (ılrlı bnkterlatlkled):

1. V eı sabit tutulur. Ra dironcini deliftirorek la alamına çeşitli delerleri

verilir ve bunlara karşılık olan V88 depleri tesbit edilir.

- Vca =- 1 volt
- ı. (ıı.A) 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
- VBB (mV)
·· - V ca = S volt
- la ((LA) 2· 4 6 8 10 12 14 · 16 18 20
-Va8 (mV)
- Vca = 8 volt
- la ((LA) 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
- V 88 (mV)

2. Ölçü değerlcriııe göre 18 (V8 .} karakteristiklerini çiziniz.

132
:ı::a11am1aıı Malzemeler :
1. Transistör (BC 127 PNP, BC 327 vc,ya AC 125)
2. DC voltmetre (1-10 volt)
1. DC miliampormetro (1-100 mA)
1. DC milivoltmetrc (1-300 V)
1 DC mikroampcrmetro (1-50 p. A)
2 DC kaynak (1-10 volt)
Direnç : (10 K; 33 K; 100 K; 1 M)

IJJ
 D.2. 8- TRANSİSTÖRÜN KUTUPLANDIRILMASI VE İŞLEME
NOKTASININ KARARLIÔININ SAÖLANMASI

Konu : Amplifikatör tüplerinde olduğu gibi, bir transistör, besleme gerilimi;

mi, yük direnci ve kumanda elektrotlarının kutuplandırma tarzı ile belirlenen
bir işleme noktası etrafında çalışır. Bir transistörün parametreleri (~ , . Ico)
T sıcaklığının fonksiyonu ol4uğundan, işleme noktası sıcaklığın fonksiyonu ola-
rak değişir. ·
Bu denemede, elektrotları kutuplandırma yollan ve bunlann ifleme noktası­
nın kararlılığı
üzerindeki etkileri incelenecektir.

Bilgi :

A. Transistöriin işleme noktası tızerlııde etklll olan faktlrl• :

Bir transistörün işleme no~ sıcalclıAın dejiıimi ile kayması iki etgene
bajhdır. ·

1 . Ico ters akımın etkisi :

Kollektör ters akımı Ico nn sıcaklığın etkisi ile değişimi kollekttör akımı le
de büyük değişikliğe sebep olur. Alçak ğüçlü germanyum transistörler için oda
sıcaklığında, Ico birkaç mikroamper ve silisyum transistörler için ise birkaç
nanoamper mertebesindedir. Görülüyor ki, germanyum transistörler için Ico,
halli gereken bir sorun olduğu halde silisyum transistorlar için ihmal edilebilir.

2. Emettör-beys gerilimi V BE oin etkisi :

Sıcaklığınetkisi ile germanyum ve silisyum transistörlerde V 8 ıi (-2,5 mV/ 0 C)
değişir. Germanyum transistörlerde Ico dan ileri gelen etki, V88 don ileri
gelenden daha büyüktür. Silisyum transistorlar için ise Ico dan ileri gelen etki,

B. emittör deneleri için kutuplandırma

-
V8 ıı deki değişimden ileri gelen etkinin yanında ihmal edilebilir. ·
Miişterek

Daha önceki çalışmalarda emettör-beys ve emettör kolle.lctör diodlan için

gerekli gerilimler iki voltaj kaynaAt ile temin edilmişti. Bir tek voltaj kaynağı
ile de bu gerilimleri temin etmek mümkündür. Bunu gerçekleştirmek için çeşitli
devrelerden faydalanılmaktadır. Şekil. 2.8-1 de görülen devre bir örnek olarak

ns
•
wn1ebiHr. Bu devrede R 8 direncinden .seçen 18 abm ııedeni)lo diıeiıç tızerinde­

,~..-. __
ki potansiyel. diiliifil bcys'o gerekli aıerilimi sqlamahı&r. Ma,tcıek amısıtör
montajmda iki batarya. kullanıldılı zaman. bataryalarrıı ayni adlı htuplamun
müştoraJç oınattöre bajlandılı hatırlanırsa. :verilen.. devre ile 1;nı mebacl1iı yerine
__,,.......,,_.._,. ...

;;i· . ı

ı:

~L 2.8-1

Sıcakfılın delişimi veya trans:btöriin ayni tipten bir 'f>aıtası ilo deliıtfrihnesi
nodeniylo parametreler dejişe.bileoeğindcn işleme noktası yü1c çizgisi boyun~
yer değiştirir.
İşleme noktasının kararhhAııu saıtarnak için çeJit1i deyrelor vardır. Fabt
bu çalışmada sadece Ico nn değişiminden ileri geloecik deiişikUji &ılomek için ·
faydalanılan bazı devrelere yer veıilmiftir. · ·

A.. Beys demıalııdeki ııil ve direnç ile btıqılwdıı-

1 Montaj
Şekil. 2.8-2 de görülen devreyi (BFY 67 veya 2Nl613) transistörü ilo kuru-
nuz. Ves = S volt oluncaya kadar R 8 direncini darmıfeıyiniz vo bu deleri kayd...
ediniz. •

yaızıhrsa .
.,;, Kollekt&-emettör dCVRISİ için Kirchhoff kanunu----~
;; Vcc ..:,_ lcRe - Vça .- lııRıi == O

le ~·· 18 alarak kollektör akı.mı için.

le=----- (8-1)

·,
bajıntısı eldeedilit. R 8 = 5 K .st. Vca' = S·volt. R 8 == 2,5 K ·.it· için le = 1
ınA buJu.mıT; Şu ha'1do vorilen bu pırtlarda transistörlhı ifleme noktası
Vcı;= 5 volt; le = 1 mA 4Gpolori ile bolirlklir; .
;
 -
Şekil. 2.8-2
- )_.

:...·~~-j

a) verilen T transistörü ile oda sıcalıılılında Vcs• VBB, Vıtc, v.. aerı:.
timlerini-ölçünüz. Ölçii delcrolorindoıı faydalanarak

Ia--------
R.a

büyüklerini hesaplayınız.

b) Yukarıdaki işlmnleri ayni tipten başka bir T' transistörü ile telcratlaymız.
c) Devrede T transistörü olduğu halde lı:aynaluı gerilimini Vcc - 16 V ··.
yapmız. Yukarıda olduiu gibi le ve 19 akımlarını hesaplaymız.
d) Devrede T transistörü olduğu . halde sıcaklıit t = 100°C, Vcc. = 12.S
vok olmalı: üare, ayni ölçme ve hesaptarnalan yapınız. ·,

137
 e) T transistörünün sıcaklığı t = 100°c , Vcc = 12,5 V iken, VcE = 5
volt olabilmesi için Rs dire.ncinin yeniden düzenlenmesi gerekir.
Bu şartı sağlıyan Rs değerini tesbit ediniz. Daha önce yaptığımız gerilim
ölçmelerini tekrarlayarak le ve Is büyüklüklerini hesaplayınız.

Ölçü Değerleri

Transistörler

1 T 20 12,5
2 T' 20 12,5
3 T 20 16
4 T 100 12,S
s T •100 12,S
Rs =

2. Soııucuıı delerleııcllrtlmeıl :
a) İşleme noktasının değişımi, (1 ve 2 ölçüleri), Ayni şartlarda, ayni tipten
ilci transistörün işleme noktalannı belirtiniz.
b) &Vcc, tJı. Vc 8 , Vac, Vu, le, 12 dejorlorine göre sonucu de&erlen-
diriniz .(1 ve 3 ölçüleri) .
c) V cE• le, Is değerlerini karşılaştırarak (1 ve 4 ölçüleri). işleme noktası
üzerinde sıcaklığın nasıl bir etkisi olduğunu belirtiniz.
d) Transistörü ilk işleme noktasına (Vel! = 5V, le = 1 mA) döndürmek
için .Rs ııin etkisini belirtiniz.
tJı. Vu ) O için tJı. VBE• tJı. l 8 hangi yönde değişir?
tJı. Is nin bu değişiminin le üzerindeki etkisi nasıldır? R 2 nin varlığı bu dev-
rede nasılbir etkinlik sağlar?
T transistörünün sıcaklık t= 100 °C de iken ilk işleme noktasına getirebil-
mek için Rs direncinin büyütülmesi gerektiğini ölçü sonucu görmüş olacak-
sınız. Rs de bu yöndeki değişikliğin, böyle bir dönüşümü nasıl sağladığını
açıklayınız.

B. Voltaj kaynağı ve beys arasmda bııluııaıı direnç ile. katııplandırma.

"'
1. Montaj :
Şekil. 8-3 de görülen devrede bir tek volteaj kaynafı vardır. lkys ile kaynak
arasına bir ıs direnci yerleştirilmiştir.

138
 -------~-- Ycc
+ 12,5 V

Rs 5 KA

-
B

Is

_I

.:n::nıt~fıiıır.;1 :,;ı:,,, ·,:L

.,.:~v~.9t,.{t•ı: ~;":•t.'-ı;.-:r ~:,;:} 1.i:::•,~
Bu devreyi (A) daki ile karşılaştırabilmek için· ilk şartlann · ayni olması ll-
zımdır.Keza le akımının (A) daki delere sahip olabjlmesi için Re direncimn
hesaplanması gerekmektedir. · · ' --
2. Re direncinin hesaplanması :
'1 Re r ~'tenci · ~ ".!erilen -bağıntıya göre hesaplanabilir•
. Ul,t~·~· ;~..t.:.-r; ·.~. r·: · • .., r..:ı: ..• . s,»,

•u:d ,ı;;m:,, >ıi•·".d,lııı-,, ~;:;+!.~.,;,-.- - . . . - - - -

,,!: ::,A 'j1~ı? t~··f.. ~Y;}.t;i'.İ·.,~.. ~~<~ ·..ı ı.

·,."':::.t:. ~ı':i.·"' ·,, ,1i'· ,_1~· ., -~-ı.J_,

VeM gerilimini ölç_ünüz ve T. transistörü ile (A) daki 1. notu.. ölçü. sonucu olan
I_ı,ı değerlerini kulllanarak Re değerini hesaplayınız.
• ,. • . i :~;:,· ~ ·"

, .k Aşağıdaki belirtilen ölçmeleri yapınız.

·'-- Olçt'·Deletlen :· ·
"'~-- .,.,,..!, : ~ ' - ·:. :~- •. -f,

··Gomır,Nık i
•;, ;.l" ',,t;-,~- : .20 ll,s"
2 T' 20 12,5
3 T 20 16
4 T .12,5
100
"· l' Ra._ , lOOi" }2,5J. ~
le: ve le, ölçülen gcrilimlctden hesaplanacaktır.
 Vae Vcc - V 811 Vcc - {V88 + Va.>
le - - - - ; 18 - ----- =- - - - - - - - -

4. Oıçı ıoııııç1anm I I Fı■ llattae.

a) işleme nolı:talannır ,....,,,_sı (1 ve 2 ölçüleri)
T vo T' transistörleri idil tollelı:t6r-emett&r ıerilimleri ve kollelct6r alamlan;.
nın farklanm önceki m~etDırlc lı:arplaıtınnız. 18 akımları için do dolifimi
belirtiniz.
b) Vec artıp (1 w3 6Jo0Jm"),
Ve•• le , la dolifnıtlııiııi bel'ıtiniz.

c) S•calchlm yotıelmııl · (1 • 4 llollııO.

Vca,, Ic, 18 deti cleliıJalırt ......,(A) dakilıılı lı:aqılıııtınna.

d) (A) w (B) ele çat UI I • - • t
C ........ i;lıı ı,ııı. aolı:teımıe
dalıalcııraılıaHu1ııN-1a:ı

C. G sS W .lı I F CC C ı

ı. il '"-- 1
~ne
dl...._, ~ - ..•us
lıldl- 2.1-2 • •ııs.ı. (lılıl. · 2.1-3) olılıılıı ııııı ,ı. 1ı1r ..-
YOJtaJ byııalı w

cııııııtıııtıı.
....wttar
ııPtD aJcımnı. .sıdıı
,........ ,...
I k dl lılr R8 dlıwıııııl ...,_,,,.Jde+r. R8
....ıa lDl)clııııa ııdnlili potııııılJel
Jcııtııplıııdın temayllOııde
oldulaaçılcbr.Ra1bulclbıı la 5 im 'ı.i ylaılı Jcııtııplandınlmıııı ıııeJdidir. lıte
buma ıatı,ımıJc için Rı, &a . . . . . . . _ ı11ıldcll ıımn bJr YOJ.ı b6IGıclklııı
ra,delemhnılcladır.

Paramıınıledıı clııllınıııl - ılylı (ıwıll ıtcaJchlm artmaıı yDdıMlııı lc:o

aJcımauıı artmaıı U.) le n ttAlf . . . ııa,ııı. •• diıwaclndıD .... ı.
Jı
tllMtt6r ıJcımı da bllylr, Ga - le + 1.). • lıalcle. R 8 cliıeııdıdn uçlan ara-
ımdaki potıııııiyel dlılıa . . . . . ..,, • ltlr b.ımı . . y&ıde Jmtııp-
Jııadırmalr ııma,ılllndıı ...... r« ıı,d ....... ..,. · · - · ..,......
.....,.,_ -,-.1c., mı s,·ıı11ıı■s-a.•ı ur ı ..haass•ıı,ııır ...,_
♦1:h- 11ıı1ıa u ııı,ır. ...__ .., ıs ıı •• s.,..:ıa ,.ıı,r ıııa w . ..,...
mıılıııi ) ,, • .

2. · · - · · . , . , , :
..._ Maall1 w . . . :Pı l'9ılııı...,., JIJr alr•.....,_.w
Ya • S 'fOlt le • 1 il& ıt nuıı Jııı1ır lıı1ın dlııılıJlılL
 11 R1

-
1s B

---------------1M
Şotil. 2.M

3. T ft T' tıuıbtGderl De appla lıellrtllea llçllerl ,...._

01ç1 J>elederl :

Transistör t(OC) Vcc Vcl! v.. Vac Va■ le mA ı. ııA

1 T 20 12.s
2 T' 20 12.s
3 T 20 16
4 T 100 12.s
s T 100 12.s
Rı
R:ı

18 • hor bir ölçüde tosbit edilcm Vaı vo Vu dclerlcrindcn buluııur.

141
 1 2 3 4 s

Iı = 12 + la = VR1 /Rı
12 = Vaı. /R 2
la = lı - lı.

4. Ölçii sonuçlannm değerlendirilmesi

a) İşleme noktalarının dağılımı (1 ve 2 ölçüleri)
T ve T' transistörleri ile yapılan çalışmalardaki Ves• le, 18 dejerleri
arasındaki farkın değerini diğer montajdakilerle lcarşılaştırarak sopuca deAer-
lendiriniz.
b) a Vcc nin farlci (I ve 3 ölçülen")
(.11 VCB• le) deki dcjişimleri mceleyjniz ve sonucu ckterlendiriniz.
c) Sıcaklıkla işleme noktasının kararlılıjı (l ve 4 ölçüleri): hangi montajda
işleme .noktasının sıcaklıktan daha fazla otkilendijini belirtiniz.

Kııllaıulan Malzemeler :
1 Transistör (BFY 67 veya 2N 1613)
2 .,de voltaj kaynatı (O. ısv, Q-4,S V)
1 DC voltmetre (0-lSV)
Dirençler : 2,5 K Q. , S K Q.
Değişken dirençler (0-100 K Q.)

....

142
 D. 2. 9- MÜŞTEREK EMETTÖR MONTAJINDA HYBRİD
PARAMETRELERİ

Koqu : Bu çalışmada transistörün hybrid parametrelerinin ve eıdeAor

devrelerinin tanıtılmasına, amplifilcatörün gerilim amplifikasyonunun. giriı
ve çıkış dirençlerinin tayinine yer veıilmiftu:.

Bilgi :
A. Tr...ı.tGr bir cıaadrlpoldlr'

1 ° Quadripol a) Bir quadripol dört uçtan teıckkill eden bir devre parçasıdır;
iki giriş 1,1' ve iki çıJcıı 2,2' (Şekil. l.9-1).

l l1 12 2
v, t• •
:11
1 :1ı 2: fVı
Şekil. 2.9-1

b) Bir quadripolü karakterize eden d6rt btiyüklillı: (1 1 , 12 , V 1 , V 2 ) birbir-

lerine, ikisinin diler iki büyüklüJiln fonksiyonu olduiu iki denklemle bajlıdır­
lar. Sistem,
V1
..= fı (1,, V2)
12 == f2 {lı, Vı)

olarak seçilebilir.

c) Bir tran&istörde :
Iı · = 18 , l2 = le, Vı = V88 , V2 = Vea
olmak üzere sistem, '

v.. = fı (19 , Ve.>

le - .lı {la, Vc.>

ıetlinde yazılabilir.

143
 2 ° Hybrid parame~leri.
a) Transistörler için kullandıjımız parametreler farklı tabiatta oldukların­
dan, bunlara, hybrid parametr leri denir.
b) Bu parametreleri esasen tanımaktayız., burada sadece notasyonlar de-
AiıiJctir.
-h 11 : statik rejjmde giriş direnci

-h 12 çıkışın giriş üzerinde reaksiyon faktörü

-h 2 1 statik akım kazancı

-h.22 çıkış kondüktansı ( r. çıkış direncinin tersi)'

c) Şu halde

dVBB dlc
r. = h 11 - ~ = h.21 =
dl 8 dla

dYas 1 dlc
hı:ı - dYcs r.
= h:2.2 =
dVcB

B. TraıısJstnr deııldemleri :
ı O 18 nin de#işimi :
V c• = sabit olmak üzere be)s akımı dcliıtiii zaman :

dV'88 = h 11 dl8 vo dl'c = h 21 dl8

2 ° V es nin değişimi :
18 = sabit oldulu halde emettör-kolkktör gerilimi değişirse :

dV" BB =· h 12 dVca ve dl"c .. hu dVc•

144
 3 ° 18 ve Ves nin aynı zamanda değişmesi.
Eğer bu değişimler yeteri kadar küçükseler süperpozisyon prensibi uygu-
lanabilir :

dVBE = dv' 8 s + dV" 88 ; dlc = dl'c + dl"c

(9-1)

Bu baptılar ancak, küçük dolifimler için geçerlidir. Transistörün ampJüilca

tör olarak çalışması. halinde, bu dolifimlor, alternatif bilyüklükler.iıı ~ deJet•
leri .ile doliftirilir. . .

l O (2) clmıkleminc gGte transistGrün eıdeler devresi (Şekil. 2.9-2) dnnı­

ıi ıibi olur. Bu ıekil. iki deııldemin (9-2) ifadesidir.

B 1s 1c C

. .
~.'~ 1
')., .··
Re
CE

E .E le:
l.

Şekil.' 2.9-2

-Giriı devresi: vBE =-hıı i 8 + h12 Vcs

buradan h 11 bir direnç (r.), h 12 Vc 8 ise, -,Iektromotor kuvveti Vc8 ile

Jı:aqıt durumda olan bir ilreteçtir. '

145
 . -Çıkış devresi :

Transistörden geçen h 21 i 8 akımı, Re yük direnci ve r. çıkış direnci arasında pay-

laşılır. Eter İc pozitif ise, Vcs negatiftir, şu halde -h 2 2 Vcs pozitif bir alcım­
dır.

2° Şekil. 2.9-3 deki montajın çahfD1881 : ,

G .• iç ~nci R.•• elektromotor Jauvvoti e olan bir jeneratör olsun.

Şotil. 29-3

(9-3)

(9-4J

Çı1..ıı potaıısiy~Ji

(9-5)

ve priı potansiyeli :

dır.

D. AmpllflbsJoıı

ı. 0 Akım amplifikasyonu
Akını amplifikasyonu. çıkış abmı ile giriş alamı oAanıdır

146
 A, =---

(S) ~e (4) denklemlerinden

ic
---=------
İa 1 + h22 Re

A, =------
bıılumır.

Bıı oran poziıiftir. ııı halde lıer ilci alam aynı taıııladırlar. Bımlann tıddıı
11ıJueleriııia onııı'da A, clir

- - - ":- A, - - - - - - -

2° Gerilim (volta.J') amplif'ikasyonu çıJcıı pilimi ile ıiıiı priJimi orııııdır.

A., = -------- = --------

= -------- = -

147
 A,=---------

olduğundan

A»=-----------

Ao=--------------

Jc:oyaralı:

Rch21
A»=- . (9-8)
hu+ Re Ah.

Bu oran negatif oldulundan çıkış gerilimi giriş gerilimi ilo zıt fazda demektir.

3°. Güç amplifikasyonu :

Güç amplifikasyonu çtloş güeü ile giriş güeü arasındaki · orandır.
Iı, 12, Vı, V 2 , ile ib, İc, V 8 ıı, Vc8 nin etkin dejereleri gösterilirse,
güç aınplL'ikasyonu · '

P.
A,=--=----
P. Vı Iı

12
- - == 1 A,, vo -- = A, oldulundan
Iı

A, = 1 A. 1 x A,
dir.

Av YC A, nin (9-7) ve (9-8) bağıntıları ile verilen değerleri A,, üadesinde

yerine konulursa

148
 AP = - - - - - - - X

AP= - - - - - - - - - - - - - (9-9)

eşitliği elde edilir .

. E. Şema ve formlllleria basidepirllmesi.

1. 0 h 12 reaksiyon katsayısını ihmal ederek
a) Denklemler :

v88 - hıı ia
İc - h 21 i8 + hu Ve■

. b) Alam amplif"ıtasyonu :

A,------ (9-10)
1 + hu ile:
c) Gerilim amplif'ikaıyonu

lıaı R.c
A.-------- (9-11)
1 hı ı + R.c h, 1 hu

d) Efdejcr devre Chı 2 - O için) •(Şekil. 2.9-4)

h i
zı b

E
Şekil. 2.9-4

149
 2 ° hu ve h 22 yi ihmal ederek :

1
Re ~ r. (r. = ---) olduğu zaman h 22 ihmal edilebilir.

a) DenklemJer

· Vca · hıı İa

ic = h 21 i 8

b) Alam amplifjkasyonu

(9-12)

c) ıerilim amplifilı:aıyonu

hu Re
A. ... - ----- =----
d) 8i19 amplifibıyonu

A.------ . (9-14)

e) GfJeler devıe (hu - hu - O için) (Şelı:U. 9-5) ·

"ıı

Şekil. 2.9-S

Ölçll• :
1 . Verilen ( BFY67 ) transistörü ile (Şelc:il. 9-6) da görülen devreyi kurunuz.
Şemadaki dejerlerden görüleceji gibi,· işleme noktasuıda V ca - S V ; le - 1
.mA i VBll = 2,5 V oJac;aktır.

ıso
 Şdcil. 2.9-6

Bu. transistör için hybrid pa,ametreleriniıı yaktqık de&erleri :

ı
hu - ~ == 70 ; h 11 =r = 1,9 · IC sı ; r. == - - - - =- 100 ICS?.

~ 70
s-,;,,__=--37mA/V
r 1,9

2. Gerilim amplifikasyoau
-a) Ôlçırek.
Giriş gerilimini giderek arttırarak v. ye 0,2 V; 0,5 V; 1 V; 1,5 V det,rlerinl
veriniz ve bunlara karşılık olan V. giriş gerilimilerini ölçünOZ.

A •----

amplifikasyonlannı besapla)'ınız. Sonucu tartıfmlZ.

b) Hesapla
h 12 = h22 = O yaklaştırılması ile bulunan

151
 3. Amplifikatörün R.- giriş direnci.
v. = 1 V oluncaya kadar giriş gerilimini düzenle~. V, == V• giriş gerili- .
mini kaydediniz. R== 1000 ohm alınız, v. küçülür; v. = 1 volt olması için
jeneratörün uçları arasmdaki gerilimin V' 11, > V II olan bir değere çıkartılması .
gerekir. Giriş gerilimi yine V, dir. (V ıı' - V11) potansiyel farkı R direncinin uç- _
lan arasına tatbik edilmiş olur.
v,
I, = --- == - - - - - - - R. =R - - - - -
R., R V', - V,
ölçü SOllUCU bulduğunuz R., değerini verilen h 11 değeri ile karşılaştırınız.

4. Amplifikatörün R. çıkış direnci.

a) Çıkış gerilimini v. = 1 volt yapınız ve sonra RL devresindeki anahtarı ka-
patarak RL nin C= 100 µ. F lik kapasite ile bağlantısını sağlayınız, 1000 Hz de
reaktans
1 1 10
- - - - == == - - - == 1.6 n
C <ı> ıo- 4 .2 11: . 10 8 211:
VJ2 == 0,50 volt oluncaya kadar RL direncini düzenleyiniz. Bu şartı saitayan
RL direncinden (Rs = RL) Rs direncini bulunuz.

b) Hesapla
Transistörü:ı\ çıkış direnci (Rı) T ==r, olmak üzere amplifikatörün çıkış di-
rencini ·

R, a-----
r, + R,
baimtısından hesaplayınız.

S. C8 kondansatöıibıün etkisi.
Ca kapasitesini 200 µ. F dan sıfıra düşürünUZ amplif.ikasyon ve

--- oranını b\ıl\lıiluz; Vaıs, emettör ve toprak arasındaki alternatif

V,
gerilim lir.

152
 f == 1000 Hz

C(l"F) 200 100 10 1 0,1 0,01 o

, V,, (mV)
v. (V)
A ı=;: VJV,,
V18 (mV) ·
v..ıv.
v..ıv.
Ölçü sonuçlarına göre C 8 koıuıansatörilniin etkisini belirtiniz.
Kııllaılan Malzımeı. :
DC voltaj bynaı,. (0-lSV)
Transistör (BFY67)
Sinyal jeııcratörfl
2 AC voltmetre (0-100 mV; 0-1 volt)
· Kondansatörler: 10 ı-ı, F; 100 ı-ı, F; 200 14 F
Direııç)er: 60051., lOOOS?., 2,5 K st, 5 K.Sl., 10 Kst (dclitkm)

153
 D. 2.10- TRANSİSTÖRÜN AMPLİFİKATÖR OLARAK KULLA-
NILMASI.

Konu : AC 125 (germanyum PNP) transistörü ile birkaç milivoltluk gerilimin

yükseltilmesi.

Bilet :
A. Amplifikatörün preıııip ıemuı (Şekil 2.10-1)

-
Bu devrede
- Re :Jcollektör direnci
- R8 : Kollektör akunına termik stabilizasyon sajayan omettar d.ire.ııci

-
1
R 1, R2 : Beys'e gerekli akımı saiJayan kutupJa:ııdırma Jı;öpriisü.

B. (Stablllzasyoıı lwarhhk) :
Kollektör ters akımı Ico'rın sıcaklıltn etkisi ile değişimi kolleJctör akımı
le de büyük değişikliğe sebep olur.
Termik stabilizasyon sıcaklıltn artışından
ileri gelecek ti le kollelctör akımı
değişimini Sllllrlandırmaktan
ibarettir. Kollektö_r ters akımındaki ti leo değişimine
karşılık, kollektör akımı delişimi ti le ne kadar küçük ise transistör o derece
kararlı (stabil) çalışıyor demektir.

ıss
Bu iki büyüklük arasındaki

S=--- (10-1)

oranı stabilite faktörü olarak tanımlanİr. Çeşitti stabilizasyon düzenekleri vardır.

Bunlardan en uygun olan (Şekil. 2.10-1) deki gibidir.
Bilindiği gibi, kollektör akımı le, emettör akımı 18 , kollektör ters akımı
Ico ve beys akımı l8 arasında

(10-2)
VCI

la - 18 - le (10-3)

balmtılan vardır. Bıı ilci balıntıdan

le - Ico
ı. - - - - - - - le

cıla - le - lco - • le - Jc(I - «) - lco

le - - - - - - ı. +
1- « 1-•
· le - il ı. + (1 + f3) loo (iM)

tıfitlili elek edilir.

Bu eıitliiin le ye göıe difforanıiym alınırsa

dla dleo
ı -f3----- + (t+f3)---
dlc
ve buradan, S stabilizasyon faktörü için
1 + f3
s------- (10-S)

l-f3---
dlc
\
baimtısı bulunur.

156
 Bu bağıntıdan anlaşılacağı
gibi, herhangi bir devre için s·stabilite faktörü-
nü bulmak için dl 8 / ~le = değişimi
bilmek gerekir. Şekil. 2.10-1 a) daki devre
için stabilizasyon faktörünü hesaplıyalım. Bu devrenin analizini kolaylaştır­
mak için (Şekil. 2.10-1 b) de de görülen Thevenin eşdeğer devresinden fayda-
lanacağız.

Eşdeğer devrede :

v,,. = v. - Rs = R,1 -= - - - - - -

eşdeğer devrede, 1beys,-emettör devresi için, Kirchoff voltaj kanununa göre

yazılabilir diğer taraftan

olduğundan, bu iki eşitlikten

d Is
----- = - -----

bulunur. (dl9 /dlc) nin bu dejefi (10-5) bağıntisından yerine konutuna -stabili•
zasyon faktörü için

s = (1+~) (10--6)

balıntısı elde edilir.

C. f= 1000 Hz de parametreleri ftl'Ueıı @ = 125) AC 125 . . . . . . . .

ile hazırlanacak ampllfikatnr lçbı RE, Rı, R2 blylklllderiııl ~imi.

157
 1. Yük çizgisi denklemi

Kollektör-emettör devresi için yazılan Kirchhoffkanunundan bulunan

Veıı =
Vee - le Re - l 11 R11
la ~ le
Veıı = Ve~ - le (Rıı + Re) (10-7)

(10-7) bağıntısı yük çizgisinin denklemidir. işleme noktası ıçm V ee = 5 volt

la = 2 mA olarak. seçilmiş olsun. V cc = 12 V ve Re = 2,5 K seçilirse, bu halde
Ra = 1 K sı olur. Yük çizgisinin eksenleri kestiği noktalar
(10-7) baimtısına göre

le == O için IVcal == !Veci

Ve■ - O için ilci -

olur ve bulunan Vc■ = 12 volt le = 3,4 mA ~rleri yit çiqiıbıiıı ebıııleri

keıtili noktalan belirler (Şekil 2.10-2.) ·

- lc(fflA)
~

:~ :
1

1
...

',,...
o

Şekil. 2.10-2

• Yük çizgisi ile 18 == sabit le == f CVca) karaktcristijiııin kesim .noktası iı·

leme noktasını verecektir.

2. Boys Alcımı

Şokil. 2.10-3 de görülen Vca = 5 v. eğrisinden görüleceli, gibj le == 2 mA

için -18 = 10 iL A dır. Şu halde işleme noktasında -le == 2 mA Vc■ == S volt
-1 8 = 10 ı.ı. A,-V811 = 114mVdır.
158.
 41

1 Ic n-nA
5

'
--
AC 125
~ 2s·c ı..

"~ Cı-,.. 3

~ '2
~ ..... 1
r

~B
"- + la
j>A 25 20 ıs o 5 o p-A
5
/
-~
___, 100
-VCE lı6V__
,~
----
, -VBE !tnV

Şekil. 2. 10-3 _

,
3. Polarizasyon kö~rilstbıün Rı, R 2 dirençlerinin tayjni
AC 125 transtörünün işleme noktasında Ves = 5 volt, le-• =2 mA; Rs = 1
K st ; fi = 125 olduğuna göre Vcc = 12 volt Re = 2,5 K ile S < 8
olınası için R 8 , R 1 , R 2 delerlerini hesaplayarak amplifikatör devn:sini kuralım.

Ru :

s = (1+~) - - - - -
1 fi+RB/R. +
~ = 125 ve S= 8 için R 8 =7,4 K O bulunur.

· 159
 V 8 : Eşdeğer devredeki kaynağın e.m.k.i.
VeM bcys ve toprak arasındaki potansiyel farkı olmak üzere

v. = IaRe + VBM = IaRe + VBB + IERE = 10 X 10- 6 x7,4xl0 3

+o. 114 + 2,01=2,20 volt

Diğer taraftan

12
2,20 =

R8 - ------ - 7,4 JC.

dır.

Bunl.ara ıoro.

= 43 KQ.
Rı
R2 = 9 Kst
R1 = 43 K st R 2 = K st olmalı: suretiyle iyi bir stabilizasyoo saJanabilir.

Ölçller :
A. Aaıpllflkasyoııaa bıılıuııııuı

1. Ölçü ile
Daha önce tespit ettiğiniz, R 8 , Re, Rı, R2, Vcc cJ.oAerelerine göre
Şekil. 2.10-4 de verilen -devreyi kurunuz.
f = 1000 ffz de V., giriş geriliminin fonksiyonu olarak V1 çıkiş gerilimini (yük-
süz olarak) ölçünüz.

Ölçli Deterleri :

v. (mV) 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
V, (V)
.
Ölçü değerlerine görev. = f(V.) eğrisini çizinit, küçük ve büyük sinyaller için

160
 v.
gerilim amplifikasyonunu bulunuz, sonucu tartııınız.

500,uF 02V)

1 C: ossbkop
mV

+
Şetil. 2.10-4

B. Girit dlreııcl

·f = 1000 Hz ele amptifilcatörOn giriş diraıc:iııin ölçtllmc!Ji

1

R.a ,= O için, amplifitatörtın gİrif gerilimi V • -

10 mV ohmcaya bdar lcu·
manda jcneratörünii düzı:.nlcıyiniz; Jenuatöriin e.m.k.ııi ~ giriş
gerilimi V./ 2 = S mV oluncaya kadar R.8 direncini dODmleyiniz. R. kaynalm
,direnci olmak ~ giriş gerilimi V • için girişteki abm pddeti, :

1.. = E/ R.. + (~) giriş gerilimi V./2 oldulu zaman ~ pddeti

I
- =E/R.. + (il.) + R.• dir. Bu ild balıntıdan (il.) giriş direnci içbı buhman
2

(R..) = R.a - R.. .

qitlip:ıden &iıiı diren~ hesaplayınız.

 C. Çıkış direnci
1. f = 1000 Hz de ölçü
Bir yükün değeri jeneratörün iç direncine eşit ise, uçlan arasındaki gerilim jene-
ratörün e.m.t.nin yarısına eşittir. Bir amplifikatör için bu dirence amplifikatörün
çıkış direnci denir. RL devrede değilken çıkış gerilimini (V50 ) ölçünüz. Yüklü
haldeki çıkış gerilimi V s = V 50/2 olacak şekilde RL yük direncini düzenleyina.
Bu şartı sağlayan yük direnci amplifikatör kademesinin çıkış direncidir.
.

Kullanılan Malzemeler
Sinyal jeneratörü (f = 1000 Hz)
Transistör AC 125 (PNP)
Voltmetre (AF 0-200 V)
Dirençler : 1 Kst, 2,5 Kst, S Kst, 10 Kst, 45 KSl.
.1000 x 11 K Sl. direnç kutusu
Kondaıısatörlor
50 ıı, F (12V)
500 ı,ı. F (12V)

162
 D. 2.11- TRANSİSTÖRÜN GİRİŞ · DİRENCİNİN VE AKIM AMPLİ­
FİK.ASYONUNUN ÖLÇÜLMESİ

Konu : Müşterek emettör montajında, AC 12S transistörünün paramet-

relerinin, doğru akım polarizasyonuna eklenen küçük genlikli sinüsoidal sin-
yaller yardımı ile, dinamik rejimde ölçülmesi.

A. TransJstGriln çıkış denesi alternatif akua için ima de'ffe oJdııla lıaWe
ıiıiı direnci

Giriş direnci hııe = 6. V 88 / l:::,.18 veya hııe = V .,. / ı. parametresidir.

V,,. ve ı,, (indis küçük harflerle) büyüklükleri, giriş gıcrilimi ve beys akmu-
nm etkin deAerleridir. R. giriş direnci aşaı,.da belirtilen tal'7.da ölçll)ebilir.

1 . Ölçl Preııslltl
Bir sabit alcım .jeneratörü - R. 1 ► R. olan bir dirençle ıeri balh - ı. ıuiı
alamını temin etmelctcdir. ($ekil. 2.11-1).

'ıçin c;ıkış kısa ~

Şekil. 2. 11-1

Giriş uçlan R. ye eşit bir R direnci ilo birleştirilirse alternatif beys abmı

ı,. R. ı.
- - - , ve beys-emettör arasındaki potansi~ farkı - olur.
2 2

163
 odiofrekans milivoltmetresinin (mV-AF) sapması yarma iner. Bir işleme nok-
tasında R., direncini ölçmek jçin, milivoltmetrenin sapması not edilir: N; daha
N
sonra K anahtarı kapatılır, sapma - - oluncaya kadar R direnci dü-
2
zenlenir. Bu halde R., = R dir, ve R direnci direnç kutusundan okunan değer­
dir. .

2. Montaj (Şekil 2. 11-2)

AC 125

ırr'ıV

AF

Şc,lcil. 2.11-2

Yulcanda görülen montajda kollektör-emettör gerilimini temin eden kay-

nağın iç direnci ihmal edilebilecek değerde olduğundan transistörün çıkışı al-
ternatif akım için kısa devre demektir. Beys doğru akımı bir pil ve reostalarla
temin edilir; 22 KQ. civarında olan koruyucu direnç, V., = 1,5 V için, kollektör
akımı lenin 30 mA ri aşmamasını sağlamak üzere 18 alamıni sınırlar.

R. den çok büyük olan bu dirençler sonucu etkilemezler.

Sabit akım kumanda kaynağı bir odiofrekans ( = 1 KC/sn) sinyal jeneratörü

ile R 1 = lM Q. (ölçülecek dirençten 1000 defa kadar büyük)) direncinden te-
. oe,kkü1 eder. Kaynağın uçları arasındaki potansiyel farkı V ise beys aJrunı
V
ı. = - - - - olur; milivoltmetre R. ı. potansiyel farkını gösterir; bu

~--- Rı
pÔtaÜsiyel farkına karşılık, milivoltmetre N bölme sapar. f == freka:ıısuım,
i

164
 1 V eE I potansiyelinin ve I le I akımının belirli bir değeri için R., direncini
ölçmek üzere şöyle hareket edilir; K anahtarı açıkk.en V eB potansiyeline belirli
bir değer verilir (mesela 1,5 volt), miliampermetre belirli bir le akımını
(3 mA) gösterinceye kadar p değişken dirençleri düzenlenir.

Milivoltmetre N bölüme sapar. Daha sonra K anahtarı kapatılır; milivolt-

metrenin N/2 bölme sapması için devreye bir R dirençinin girmiş olması gere-
kir. Direnç kutusundan okunun bu R değeri, ölçmek istenilen R. direncidir.
R = R.,

Ölçüler

1. Kollektör geriliminin sabit olması halinde le nin fonksiyonu olarak R.

nin değişimi.

f= 1000 H:, VeE = 1,5 volt için p değişken dirençlerini düzenleyerek le

akımına aşağıda belirtildiği gibi çeşitli değerler veriniz ve her hal için R. yj
yukarıda belirtildiği tarzda tayin ediniz.

Ölçil Değerleri :

1 le 1 {mA) 2 4 6 8 10 12 14 15

Bulduğunuz R. değerleri ile R. = f{Ic) epini çiziniz sonucu açıklayınız.

2. Giriş direncinin {VeB) kollek'tör geriliminin fonksiyonu olarak defişimi.

Kollektör akımını ile 1 = 2 mA dejcrinde sabit tutunuz ve {Ve~) nin

farklı• dejcrleri için R. yi bulunuz.

Ölçtl Değerleri .· :

VcB {V) 1,5 3 4,5 6 7,5 9 10,5 12

R. = f{Vce> eğrisini çiziniz. Sonucu açıklayınız.

165
 e, Alternatif ahım için çıkış kısa devre olduğu halde akım amlifikasyonu-
nun bulunması

Akım amplikasyonu katsayı~•· [, = ~ lef~ Is veya le, I,, (indisler küçük harf)
kollektör ve beys akımlarının etkin değerlerini göstermek üzere [, = I.,/1,. ile
ifade edilen h 21 • parametresidir.

1 . Ölçi Preaslbi · :
Ölçü prensip şeması Şekil. 2 11-3 de görüldüğü gibidir.

Eı

Şekil. 2.11-3

Alternatif I,, giriş akımı sabit akım jeneratörü tarafından tem.in edilmek-
tedir. Eı gerilim kaynağı R 1 ~ R. olan bir direnç ile seri bağlıdır; giriş akımının
fiddeti :

Diler taraftan (R, r) gerilim bölücüsü için r < R oldujundan

la == - - - ~ - - - -
R + r R

dır. Bu bağıntılardan görüldüğü gibi Eı = Ria = R 1 I,, olduğundan R 1 ve R

deterleri la ve I,, oranını sabit tutarlar :

166
 Ill =----lı,
R

r direncinin uçları arasındaki alternatif V 1 potansiyel farkı ı., nin fonksiyonu

olarak ifade edilir :

V1 = la r = -----r 1,, (1)

R

le = () 1., olduğundan, V 2 = re le gerilimi de lı, nin fonksiyonu olarak ifade

edilir :

(2)

·~nın tayini, komutatörün 1 ve 2 konumunda milivoltmetredc ayni sapmayı

elde edecek şekilde r direncini düzenlemekten ibarettir. Bu baldo V 1 = Va de-
mektir, (1) ve (2) bajıntıları ile verilen bu gerilimlerden ~ için

--- r lı, = re ~ lı, ;

R

(3)

bajıntısı bulunur.

2. Oıçı 1ç1a faydalaaıı-. moııbıJ : Şekil 2.11-4.

Şekil. 2.11-4

167
•
Olçfiler :
1. ) Kollektör alamı sabit olduğu halde I., nin fonksiyonu olarak-~ değişimi
1 VcB 1 = 1,5 volt ; f = 1000 H. olmak üzere, I., akımına çizelgede gösterilen
değerleri veriniz ve her biri için f3 yı hesaplayıniz.

Ölçü Delerleri ;

1., (mA) 2 4 6 8 10 12 14 15

f3 = f (I.,) eğrisini çiziniz ve sonucu aflklayınız. .

2. Kollektör alamı sabit olduğu halde VcB nin fonksiyonu olarak

~ nın değişimi.

ilci = 2 mA ; f = 1000H. olmak iiZere; VçB gerilimine çizelgede gös-

terilen delerleri veriniz ve f3 yı hesaplayınız.

Vc8 (volt) 1,5 . 3 - 4,S 6 1.s 9 ıo.s

{3 = f(Vc 2 ) · eğrisini çiziniz (3 nın 1., ve Ves nin fonksiyonu olarak delişimini
karşılaştırınız.

Kullanılan Malzemeler :
Transistör AC 125 (PNP)
Sinyal Jeneratörü (::: 1 kC/sn)
Milivoltmetre (AF )
Voltmetre (DC. 0-30V)
Mi~permetre (DC. 0-lSmA)
Dirençler : 10 KQ., 500 K Q., 50 K.s?. (değişlın). 1 M direnç kutusu
(lOOxl 1). lxl 1). direnç kutusu (lOOOxl 1, lOOxl lXIOxl 1)

168
 D. 2.12- ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

Konıı : Alan etkili transistörün karakteristiklerinin çizilıncısi.

A; Alan etldli transistör

ı . Alan etkili transistörün yapısı

Alan etkili transistör. elektrik elan vasıtasıyla alamın kontrol edil.dili bir
yarı iletkon düz.enektir. İki tip alan ctlcili transistör vardır.

Kavşaklı (jonksiyon) alan etkili transistör (JFET veya FE1) ve diJcri metal-
oksit-scmilcondüktör (MOST veya MOSFE1) transistör
Şekil. 2.12-1 do JFET'in şematik diyagramı görülüyor.

G {gate)kapı

iP gae . ı
s m-kanal Q
Source
1P gate. 1 Oroi n
( giriş ucu) ..
. (cıkış ucu)
;·"'

G
~ 2.12-1

Alan etkili transistör bir yarı

iletken maddede ilci P-N kavşağı (birleşme
yüzeyi) toşekkül ettirilerek gerçekleştirilir.
Yukanda görülen şekilde N-tip yan
iletkenin. u.cuna ballantılar yapılmıştır. Gerilim {S, D) uçlar arasına tatbik edil-
miş oldulu,ndan, akım bu uçlar arasında akacaktır bu yan iletken .kıs­
ma kanal (alqm. yolu) adı verilir. Kanal N-tip olabildili gibi P-tip de olabilir. ·
Kanalın N-tip veya P-tip oluşuna göre transistörler N-kanal FET ve P-Kanal
FET olaraJı: tanımlanırlar.·· •,~ -

169
 Bir alan etkili transistörde akım, çoğunluk yük taşıyıcılarından meydana
gelir ve kanalı N-tip olan traiısistörde çoğunluk yük taşıyıcılar elektronlardır.

Bir alan etkili transistörde kanalın iki yanında diğer tipten bölgeler teşekkül
ettirilmiştir.

Ömeğiıı. N-tip kanalın iki yanında akseptör atomlarının diffüzyonu ile te•
şekkül ettirilmiş iki bölge vardır. Gate (geyt-kapı) adı vı.rilen bu bölgeler ile,
N-tip kanal arasında iki tane P-N kavşağı teşekkül ettirilmiş demektir. İlk ba-
kışta alan etkili transistörde dört uç (terminal) var gibi görünüyorsa da, uygu-
lamaların çoğunda iki geyt (kapı) birbirlerine birleştirilmiş olduğundan FET
üç terminalli bir düzenek olarak çalışır. FET aşağıdaki notasyonları standarttır.
Source (Surs)., S sursu (giriş ucu) çoğunlu.k yük taşıyıcılarının kanala girdiği
uçtur. S ucundan kanala giren akım ı. ile gösterilir.
Drain (Dren). D Drain'i çoğunluk yük taşıyıcılarının kanalı terk ettiği uç-
tur. 10 , D ucundan kanala giren akımdır.
Gate (Geyt). Q Geyt'i, kanalın maddesinin farklı tipinde bir yan iletken
bölgedir.
Geyt ve surs arasına tatbik edilen V01 gerilimi P-N kavşaı,.nı ters yönde
kutuplandıracak şekildedir. Geyt'tc.n kanala doAru olan akım 10 ile gösterilir.
Kanal : İki geyt bölgesi arasında bulunan kanal bölgesi, çolu,nluk yük ·
taşıyıcılarnun S giriş
ucundan D çıkış ucuna dolnı akarken ~teri bölgedir.

2 . Alan etklli transiıtGrilıı çalışması :

Bir P-N kavşaı,.nda geçiş bölgesinin iki tarafında sabit yüklerin bulundulu-
na daha önce değinilmişti. (Deney-2.1) Hatırlanacağı gibi, yük taşıyıcılar kavşağı
geçerek, U-tip bölgede pozitif iyonlar, P-tip bölgede ise negatif iyonlar olmak
üzere, arkalarında sabit yülcler bırakırlar. Bu yüklerin varhjından dolayı mev-
cut olan E elektrilc; alan, kavşaı,.n uçları arasındaki potansiyel farkının· kaynağı­
dır. K.avşaı,.n uçları arasındaki ters gerilim büyüdükçe, hareketsiz yülclerin bu-
lwıduğu bölge (sermt yük taşıyıcılardan yoks~ bölge) genişler. bu hal diren-
cin büyümesine yol açar.
Bir alan etkili transistörde kanal ve geytlerden teıe]dciil· eden ilci P-N kavşa­
jımn varlıima yukarıda deiiuilmişti. Geyt._ yük taşıyıcı akılını, yani S giriı ucun-
dan D çıkış ucuna giden akımı kontrol eder.
Çünkü- geytin varlığı ile kanalın
direnci, dolayısıyle kanaldan geçen akım kontrol edilebilir. Geyt maddesi ile
kanal maddesi arasındaki P-N kavşaluıda (iki tane) serbest yüklerden
. yoksun bir geçiş bölgesi vardır. Eğer P-N kavşağı t.ors yönde kutup-
landırılırsa bu geçiş bölgesi kanal içine doğru genişler (Şekil, 2.1~2). Geçiş
bölgelerinin (iki P-N kavşağının· varlığından dolayı) kanal içinde fazla ya)ılması ·

170
kanalın iletken olan kısmının kesitini küçülterek, bu bölgenin direncinin büyü-
mesine sebep olacaktır. İşte, S giriş ucu ve G geyti arasına tatbik edilen ve
P-N kavşağını ters yönde kutuplandırılacak olan gerilim, serbest yüklerden
yoksun bölgelerin kanalı daraltacak şekilde, genişlemesini sağlayacaktır. Böyle-
ce, kanalın direnci değiştirilerek l 0 akımı değiştirilmiş olacaktır. O halde, sabit
bir V 0 s (Source-Drain) gerilimi için 10 akımı, P-N kavşağına uygulanan V 01
(Gate-Source) geriliminin fonksiyonu olarak değişecektir.

Şekil. 2.12-2

3 . Alan etkW traıısistöriiıı statik karakteristikleri :

Statik karakteristikler, G ve S uçlan arasındalö V01 gerilimi parametre

olıiıalc üzere, 10 akımını V00 geriliminin fonksiyonu olaralc veren eğrilerdir.
Bu amaçla faydalanılacalc devrenin prensip şeması, kutuplandırma tarzı ve
semboller· Şekil. 2. 12-3 de· görülmektedir.
p
+
Io
...
'i,c; --
+
vos
T~o
Şekil. 2.12-3

Oeyt üzerindeki okun yönü, geyt kavşaAı ileri yönde lı:utuplandmldılt zaman
geyt'teki akımın yönünü gösterir. S ucunun müşterek olduiu montajda
ID = f f(V01) karalcteristilderinin görünümü Şekil. :2.12-4 deki gibidir.

171
 10 = O için geyt kavşakları arası tamamen açıktır. Küçük bir· V01 gerilimi
tatbik edilirse N-tip kanal basit bir yarı iletken gibi davranır ve 10 , V0 9 ile
lineer olarak artar. Karakteristiklerden ilgi çekici ikinci 9ölge satürasyon
os
bölgesidir. Vos büyürken, l 0 akımı, V ye bağlı 9lmak üzere satürasyona
ulaşır. 10 akımının satürasyona ulaşmasının nedeni 10 büyürken, kanal bo-
yunca potansiyel düşüşünün artmasıdır. Kanal boyunca potansiyel düşüşü ar-
tarken geyt ve kanal arasındaki P-N kavşağının .uçlarındaki potansiyel
farkı büyür. P-N kavşağının uçları arasındaki potansiyel farkı büyürken bu
kavşaktak! geçiş bölgesi büyür. Geçiş bölgesinin büyümesi kanalda pek az elek-
tron bulunmasına sebep olur ki, bu hal kanalın direncinin büyümesi demek-
tir. Direncin büyümesi akımın daha fazla artmasına engel olur ve 10 akımı he-
men hemen sabit kalır.

_ _ _ ___,_-- ~5t.) \f:lJ/G52lVG$l

_ _ _ _ _ _ _ _ VGSS:- Vc35 = O
_______ VGs,

- - - - - - - VG53
,__------VGS2
---------VG51

Şekil. 2.12-4

Ölçller :

A. Drain (Çıkış) akımı-ıate (Geyt) gerillıni karakteristikleri

Bunlar VO = sabit 10 == f(V 0 ) karalcteriı.tilderdir.

I. Devre.
N-kanal 2N4302 FET kullanarak Şekil. 2.12-5 de görülen devreyi, kurunuz.
2. Bir işleme noktasında akımm V os ile değişimi.
Alan ctlcili transistörü belirli bir işleme noktasına getiriniz. Bu işleme
noktası için VDs = =
15 V, V08 0,60 V olsun.

172
 2V
-t-

ŞOic:il. 2. 12-S

Bu hale karşılıla olan 10 alamını ölçünüz. V0 8 yi sabit tutarak, V 08 yi it--

leme noktasının ilci tarafında AV01 ( == 0,1 V} kadar dejiftiriniz ve bu gerilim-
lere karşılık olan l 0 değerlerini ölçtınttz :

VO - - O,7 V ; 10 =
' V O = - O,S V ; I' 0 =
11V oa = 0,20 V artı§! A 10 = I'0 -10
deliş~e sebop olacaktır. Bu biiyiiklüklerle, ~ volt başına

S= A. 10 /A Voı (mA/V}
artma miktanm hesaplayınız.

3 ~ a) VO = 1S V için 10 = f(V0 ) karakteristiklerinin çizilmesi

VO ye aşağıdaki çizelgede belirtilen delerleıi vererek, bunlara karşıbk olan Iı,
akımlarım ölçünttz. ·

Ölçü Değerleri ;

V O (volt) O -0,20 -0,40 -0,60 -0,80 -1,0 -1,20 -1,40 -1,60 -1,80 -1,90 -2,0

10 (mA)

A V O = 0,2 V içuı
Alo (mA)
1110 mA/V
s == - - - -

Ölçü değerleıine göre 10 = f(V 0 ) ejıisini çiziniz, eiri,nin gidişine. göre «S»
nin (elimin) değişimini belirtiniz.

113
 Drain akımının sıfır olduğu V.,, gerilimini belirtiniz.
b) V O = 5 volt için 10 . = f(V 0 ) karakteristiklerinin çizimi,
VO gerilimine 0,20 volt ara ile, V.,, blokaj gerilimine erişinceye kadar değer­
ler veriniz, bu gerilimlere karşılık olan akım şiddetlerini tesbit ederek karakte-
ristilc eJriyi çiziniz.

ÖJçO Değerleri :

- Vo (V) O 0,20 0,40 0,60 0,80 / 1,2 1,4 1,6

I (mA).

c) V O = 1 volt için 10 = f(V 0 ) karakteristilini,n çizimi,

Yukarıda yapılan işlemleri tekrarlayarak ·v.,, ıerilimini · tespit ediniz. Her

üç karakteristijin pdişini tartışınız.

B. 10 == f (V0 ), Draln almm- Drabı ıwuımı brakterlıtWırlı psQc:cd :

!.Dene.
10 = f(V 0 ) brakteristilclerinin çizimi için faydalanılan demııin ayni
(Şokil. 2.12-S).
2. a) V O == - 0,60 V için 10 - f(V0 ) km'.akteriıtiİi.

' VD ,... - 0.60 V

VO (V) 0,10 0,20 0,40 0,60 0,80 1,0 1,2 1,4 1, S 1,8 2,3 4 5 6 8 10 12 14
14 16 18 20
10 (mA)

r. çıJcıı direncinin hesaplanması

VO = 0,6 V , V 0 = 15 V için

,, oranından r1 çıkıf direncini hesaplayınız. V0 gerilimi cıvanndald r1 deleri ile,

yüksek VO goriliınl~ karşılık olan r. dcjerloriııi kaqılaştumız.

174
 b) V 0 =O volt c) V 0 =-3V ·d) V 0 =-0,9V e) V 0 =-1,2 de-
değerleri için 10 = f(V0) karakteristiklerini çiziniz.
c) r 05 . direncinin ölçülmesi.
Alan etkili transistörün giriş direnci gate-kanal kavşağının direncinin tersi
olup değeri büyüktür. Bu direnç diğer transistörlerin dirençlerini ölçmek için
faydalanılan metotla ölçlebildiği gibi bir kondansatörün büyük bir direnç ÜZC-
rinden boşalmasını esas alarak da ölçülebilir.

1 . Büyük bir direnç ölçülmesi.

V potansiyel farkı altında yük.lenmiş bir C kondansatörünün büyük bir
direnç üzerinden boşalması esnasında herhangi bir anda uçları arasındaki po-
tansiyel farkı

V = V.-•r-c
balmtısı ile bellidir. Zaman baf)angıcı olarak dcııarjın baıladılı .ıuu alalım ve
tc,zamanı sonunda da V =
V/ 2 olsun. ,.

V C R
+

.
Şelı:il. 2.IU

Bu halde

_t,,/RC ı.ı•c
e = 1/2 e = 2
t,,/RC
R
= ln2 = 2,30
= t./0,7, C
lg2 == 0,69
-~ 0,7 ,

Bu metotda voltmetıe.nin R,, direnci R direncinden çok biiyük kabul edilmekte-

. dir, aksi halde, paralel konumda olan R,, ve R ye denk direnC?i,, bilyük bir yak-
lqunla R,, 'yi bulmuı olurduk.

175
 2 . r os giriş direncinin ölçülmesi
a) Şekil. 2.12-7 deki devreyi kurunuz.

lQK_I\.. K

C
0.1fF

Şekil. 2.12-7

- V01 = 15 volt vo V01 = 0,80 volt yapmız ve 10 akımını 6lç(l aletinden

okuyunuz. Daha önce (B. 2 de) çizdiğiniz l 0 = f(V01) Vos =sabit= 15 V
karakteristiği ilZerinde V 05 = 0,80/2 = 0,40 volt'a tckabill eden 10 dcjerini
bulunuz, r o• direncini bulmak için, K anahtarı açıldıjında akını bu değere
ulaşıncaya kadar geçen zamanı tesbit etmek yetecektir., bu halde r 01 = tJ0,7C
baAıntısmdan bulunur.

Kullanılan Malzemeler :
N-Kanal 4302 FET
DC voltmetre (0-30 V)
DC voltmetre (0-3 V)
DC milıampermetre (O-S00 mA)
DC voltaj kaynajı
Pil (4,5) volt
Potansiyometre 1O K S?.

176
 D. 2. 13- ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖRÜN AMPLİFİKATÖR
OLARAK KULLANILMASI.

Konu : Yüzey temaslı tran~istörlerde, müşterek beys, müşterek emettör

ve müşterek
kollektör montajlarına karşılık, alan etkili transistörde de source'-
un müşterek, drain'in müşterek ve gate'in müşterek olduğu üç montaj var- ·
dır. Bu çalı~mada bu montajlarla amplifikasyonun hesaplanmasına yer veril-
miştir.

Bil&i : Yüıey temaslı ve alan etkili transJStör arasında kutuplandımıa

yönünden bir fark vardır.
- Yüzey temaslı transistörde : VBB ve VcE ayni işaretlidirlcr (NPN tipi
için, pozitif PNP tipi için negatif).

- Alan etkili transistörde : Va ve V0 (Yas, V01 ) zıt işaretlidirlcr,

N-Kanal bir FET için : VO negatif, VO pozitif

Bu çalışmada kullanılac~ olan alan etkili transistör, D. 2. 1,2 de karakteris-
tikleri çizilmiş olan 2N 4302 transistörü olacaktır. · ·

İşleme noktası için V 0 = ıs V; 10 = 1 mA; V 0 = -0,6 V olması sal-

lanacaktır.

Faydalanılacak devre Şekil. 2.13-1 de görüldülü gibidir.

ı
Şekil. 2.13'-l

Yük R 0 = IS K ; kutuplandırmayı sağlayacak olan direnç : r. = V 0 /10

= 0,6/1 = 0,6 K V00 = V08 + (R0 + r 5 ) 10 =IS+ 15,6xl = 30,6 V
177
 ÖlçOler :

A. M.üşterek source montajı

1. Dene.

Şekil. 2.13-1 deki devreyi kurunuz.

2. Gerilimce aınplifikasyon A = V• / V.,

a) v.. giriş gerilimine çizelgede belirtilen değerleri vererek bunlara karşılık:

olan v. çıkış gerilimlerini ölçünüz.

v. (m V) O 50 100 150 200 250 300 400 450 500

Va (V)

b) Vs = f(V.,) karakteristiğini çiziniz, eğrinin gidişine göre amplifikasyonu

hakkındaki görüşünüzü belirtiniz.

c) A amplifikasyonunu hesaplayınız.

3. Montajm R. gfrlı, direnci

R. = 1 M.n, direnç ile D. 12 de ölçtüğünüz r 05 = (R.}r iç direnci O (Oate)
ve M (toprak) arasında (R.) paralel durum4adırlar. Bunlan dikkate alarak
R. giriş direncini bulunuz.

4. Moatajm R5 çıkış direnci

Vs = 3 V olmasını sağlayınız ve RL yi devreye bağlayınız; Rı. yi düzenle-

yerek V's = 1,5 V=V5 /2 olmasını sağlayan RL değeri aradığımız R 8 çıkış diren-
cidir.

B. Müşterek dren montajı

1. Bu montajın şeması şekil : . 2. 13. 2 de verilmektedir.

Transistörün işleme noktasının bir evvelki montajdalcinin ayni (V01 = IS V,
le = 1 mA) olup olmadığına dikkat ediniz.

178
 Şekil. 2.13-2

2. Gerilimin ampllfikasyonu.

a) Giriş gerilimine çizelgede, belirtilen değereleri veriniz, çıkış gerilimlerini

ölçünilZ.

, Ölçil Değerleri

v. (V) o 1 2 3 4 s 6 7 8 9 10

v. (V)

v. = f(V.)

eğrisini çiziniz.
b) Amplifilcasyonu hesaplayınız.

3 •. Montajın R. girit direııd :

v. -v.
Giriş akımı ı. = ----

eşitliji ile ifade edilebileceğinden

v.
---= R. ----=---
ı. v. - V5 1 - A

bulunur.
R. = 1 M .sı ve daha önce tayin ettiğiniz A değni ile R. giriş direncini bulunuz.

179
 4. Montajın R5 çıkış direnci :
Yüksüz halde Vs = 1 V olmasını sağlayınız ve daha sonra RL yi düzenle-
yerek V'5 = V5 /2 yapınız; bunu gerçekleştiren RL değeri R. = RL dir.

C. Müşterek gayt (gate) montajı.

1 . Montaj Şeklli 2.13-:-5).

Şekil. 2.13-3

Bu devre, yüzey temaslı transistörün müşterek beys devresine karşılıktır.

Girişelektrodu so-.ırce ve çıkış elektrodu draindir.
Polarizasyon diğer iki devredeki,in ay,:idir. Giriş akımının tayini içhı fay-
dafa ·.ılacak o!a·1 r = 5 dire;:ci pratik olarak r..e polarizasyonu ne de ampli-
fik:ı-,J.; ·,u; değiştirmez bununla beraber amplikasyonu ölçmek için kısa devre
yapılabilir.

, 2 . Gerilim amplifikasyonu :
Paragraf A.2 çizelgedeki değerlere göre A amplifikasyonu bulum.•z.

3 . Girit direnci :
v.
Re = - - - - ; I. - - - - ile bulunan. R. - r V .JY. balmtııına
ı. r
göro giriş direncini hesaplayınız.

K ullamlacak Malzeme :
Temel elemanlar
Transistör 2 N 4302 FET
De Voltaj kaynajı (0-SOv)
Sinyal jenaratörü
Voltmetre (O-S00 mv)
Voltmetre (0-10 volt)
Dejifken direnç 15 kst

180
 D. 2.14- TRANSİSTÖRÜN DİOD İLE TERMİK STABİLİZASYONU.

Konu : Germenyum transistörün Ico ters akııİıını, ayni maddeden yapıl­

mış bir diodun 10 ters akım ile dengeliyerek termik stabitizasyonun sağlanması.
Bilgi : Germanyum transistörde Ico ters akımından dolayı 1., kollektör
akımının değişimi Şekil. 2.14-1 de görülen devreden faydalanarak büyük bir
ölçüde engellenebilir. Eğer diod transistörün madaesinden yapılmışsa diodun
, 10 ters akımı, sıcaklıkla transistörün Ico ters akımı kadar artacaktır. Kollelctör-
beys devresi için Kirchhoff voltaj kanunu yazılırsa :

(14-1)

Vcc = l.,R,, + Vcs

ve
(14-3)
oldujundan
V,:,: - VBE v,,,,
I = - - - - - - :::: - - - -

bulunur.
Diod ters yönde kutuplandınlmış olduju için bundan gcçeiı akım lo ters
akımıdır.

Beys akımı : 18 = I- 10 (14-4)

Kollektör akımı

. le = ~ 1B + (1 + ~) lco
J., = ~(I - Io) + (1 + ~) lco
1., = ~ I - ~ 10 + (l + ~) lco (14-5)

Bu bağıntıdan anlaşılacağı .gibi 10 ile Ico birbirlerine karşıt durumdadırlar.

Eğer ~> 1 ise kollektör akımı 1.,, esas olarak sabit kalır.
 -32V

m..A..

Şekil. 2.14-1 Şekil. 2.14-2

oıcıı-:
AC 125 tranıiıt6ril w ayni transist6rden bir baftaımm lcollekt6r beya· tav-
ıaıuu diod )erinde tullanmalc suretiyle Şekil. 14-2 de &Grfllımı devreyi turunuz.

a) Oda ııcaldılmda kollektör akırnmı 61çtmflz. Daha sonra tı'anıiıt&il 111-

tmız bıı ııcaklıltta le akımını ölçOııtiz.
b) .A)ni itlemi devrede diod bvlunmadıı, zaman yapınız.
..:) Sonucu tartquuz. ,
Gwekll M+enıe!er :
2 Trıııııiıt6r AC 125
DC miliam.pormetro (0--100. mA)
Dirençler · 330 .n, ; 30 K

182
 D. 2.15- MODÜLASYON VE DETEKSİYON,.

Konu : Radyo ~rekansındaki dalgaların ses frekansındaki dalgalarla mc,.

dülasyonu.
Bilgi :
Diodun. karakteristiğinjn lineer olmayışı, oıiun dolrultucu olmaktan başka
bir amaç için de kullanılmasına imkln verir.
Dioda genliği çok küçük bir alternatif gerilim tatbik edildilin,i kabul ede-
.ftm. Bu halde, diodun akını-gerilim lcarakteristiği.

(15-1)

bajıntısı ile üade edilir; burada a 1 ve a 2 birer sabittirler. Bu baAuıtıya göre diod
akımının bir kısmı tatbik edilen gerilimin karesi ile orantılıdır.

~~t. .......
1 1
1 1
----nı ı-------
Wı
Şekil. 2.15-1

Prensip şeması Şekil. 2.15-1 de. verilen bir devrede olduğu gibi dioda, <ı> 1
ve <ı> 2 fretanslı sinüsoidal iki sinyalin tatbik edildiğini kabul edelim. Toplam
diod gerilimi,· sinyallcro ait gerilimlerin toplamına eşittir.

·v = Vı sin <ı>ı t + V2 sin <ı>2t (15-2)

Burada V i ve V 2 , alternatif gerilimlerin maksimum dclerleridir.

183
 Akımı bulmak için (15-2) bağıntısı ile belli olan v değerini (15-1) bağıntı­
sında yerleştirelim.

i = aı V ı sin <ı> ı t + aı V 2 sin w 2 t + a2 V 2 ı sin 2 <ı> 1 t + a 2 V 2 2 sin 2 <ı> 2 t +

2 a2 Vı V2 sin <ı> 1 t. sin w 2 t (15-3)

Bu bajıntıyı düzenleyelim,

i - ----
2

(15-4) bajıntısının birinci terimi doAru alcım bileşenidir; ikinci terim

ise giriş voltajlarma tekabül eder. Son iki terim giriş sinyallerinin.kinden farklı
frekansa sahiptir. <ı> 1 ve <ı> 2 frekanslarının birbirlerinden çok farklı olmama-
ları halinde (<ı> 1 -<ı> 2 ) yi ihtiva eden terim nisbeten alçak frekanstadır. Şekil.
14-1) de görülen devrede L 2 C 2 çıkış devreshıin frekansı (<ı> 1 -<ı> 2 ) yapılırsa,
çıkış uçlarında kabul edilebilir genlikde, bu frekanslı bileşen görülür. Burada
geçen olay, <ı> 1 frekanslı giriş sinyalinin <ı> 2 sabit frekanslı sinüs dalga ile birleş­
tiril..:rek, çıkışta (w 1-w 2 ) •frekanslı bir dalga meydana getirilmesinden ibarettir.
Buna heterodin denilir ve radyo alıcılarında büyük bir önemi vardır. Gelen
yüksek frekanslı sinyal, amplifier edilmesi daha kolay olan alçak frekanslı sin-
yale dönıiştürülüyor demektir. <ı>.2 frekansı değiştirilerek, (<ı> 1 -<ı> 2 ) sabit kalmak
üzere, alıcının çeşitli <ı> 1 frekanslarına göre ayarlanması da mümkündür.

Bu devrenin başka bir önemli uygulaması daha vardır. Bunu belitrmek için
(15-4) bajıntısını yeniden d~liyelim.

2 sin asin b = cos (a-b) - cos (a+b)

olduAu göz önünde tutularak (15-4) bağıntısı aşalıdaki şekilde ifade edilebilir.

&2 1
i - - (V 2 ı + V 2 2) + aı Vı sin <ı>2 t .- - · - (V 2 ı cos 2 <ı>ı t + V2 2
2 2.
COS 2 <ı>.2 t) + &ı V 1 sin <ı> 1 t +2a 2 V1 (Y .ı sin <ı> 2 t) sin Cı)ı t (15-S)

184
<ı>.2 nin den çok küçük olduğunu ve L 2 C.2 çıkış devresinin Ct> 1 frekansına
Ct> 1
düzenlendiğini kabiul edelim. Bu halde, sadece son iki terim kabul edilebilir
bir çıkış genliğine sahip olur. Bunlardan birinci w 1 frekanslı giriş voltajından
hasıl olan akımdır. (15-5) bağıntısındald son terimin dikkatele incelenmesi,
bunun, genliği wı frekansla değiştn Ct> 1 frekanslı sinüsoidal bir dalga olduğunu
gösterir.

Şekil. 2.ıs-2

(lS-5) batıntısındalci son terimin dalgalı şekli (Şekil. 2.IS-2) do gösteril-

m;ştir. Bu halde, <ı> 1 frekansı, <ı> 2 frekansı ile modüle edilmiştir denir. <ı> 1 gibi
yülcsek frelcanslı taşıyıcı dalganın, ses ve resime tebbül eden alçak frekanslı
sinyal ile modülasyonu, rad)'o ve televizyonun esasını teşkil eder. Yüksek fre-
kanslı sinyal, verici istasyondan sinyallerin alınacağı alıcıya dojru yayılır. Sin-
yal, modüle dalgayı bir diod ile dcmodüle ederek alınu (Şekil. 2.lS-l).

J C R

Şekil. 2. IS-3

o._.=
Modülasyon ve· domodülasyonu gerçcklqtirmek ikcre Şekil. 2.15-4 de
&GriUcıı devreyi kurunuz.

185
 Modülotör Oemodülo1ör
------~-- --....
,
A_
---+--..
1
__.,,.___s_.-:,_··-...-_ - -.--_,..-__.._...,c_...-ıi--'~---.---
1 l o,
1 ı
l 1
ı I

,______,
1 1 l
I _____ , -.-,-1---ıf\J>-_ _.ı_.~

RF w, T1 AF Wz ~T2
Ossilotör Ossilatör
Wı
Wı
Şekil. 2.15-4

Bu devre modülatör ve memodülatör kısımlarından teşekkül eder. Oemodü·

latör modüle edilmiş dalgayı ses frekansında dalgaya dönüştürür.
Bu çalışmada dikkat edilmesi gerekli olan bazı hususlar vardır.

Birbirlerine yakın olan iki tel bir kondansatör gibi davranır ve sinyal üze-
rinde etkili olur. Bir tele dokunan elde aynı etkiyi yapar. Tellerin uzun olmama-
sun dikkat ediniz. RF jeneratörünün çıkışında koaksial kablo kullanınız. Yüksek
frekanslarda diodun da bir kapasite gibi davrandığını hatırdan çıkartmayınız.

Aşal!da bellrtilen çalıpnaları yapmu.

1- Her iki transformatörü ayni RF frekansına göre dil2:enleyiniz. 280 Kc/s

uygun bir frekanstır.
2- Devreyi çalıştırınız. A da görülen radyo frekans (RF) ve Odio frekans
(AF) bileşenlerinin ayni genlikte olmasına (takriben 1 volt) sağlayınız. B de gö-
rülecek voltajın nedenini açıklay_ınız ve dalgalı şeklini ossiloskopda gözleyiniz.
3- RF ve AF ossilatörlerinden alınan sinyallerin genliğini değiştiriniz.
B deki modüle dalganın değişimini ossilokopda izleyiniz.

İzlenimlerinizi değerlendir~.

AF yüksek voltaj seviyesinde görülen distorsiyona neyin sebep olabileceğini

araştırınız.

186
 4- Ossilatör, modüle edilmiş sinyalin distorsiyonunun küçük olduğu se-
viyede çalışırken
ve demodülatör kondansatörü devreye bağlanmamışken D
noktasındaki voltajın dalgalı şeklini ossilaskopda görünüz. Bu görünüm hak-
kındaki düşüncenizi belirtiniz. Şimdi kondansatörü devreye bağlayımz. Ne olur?

5- Demodülatör kondansatörünü değiştirmek suretiyle çıkış sinyalindeki

" değişildiği
inceleyiniz.

İzleJ:ıimlorinizi deAerlendiiiniz.

Kııllamlu Malzeme :
2 Silisyum diod (OA 8S)
AF ossilatörü
RF Ossilatörü
2 ayarlanabilen transformatör
IMS?. direJJç
500 pF koııdanıatör

187
 -3-
ISI, IŞIK VE MAGNETİK ALAN
 D. 3.1- FOTO-DİRENÇ VE FOTOELEKTRİK RÖLE

Konu : Bir foto-direncin temel özellilderinin incelenmesi ve bir fotoelek-

trik röle olarak kullanılması.
Bilgi :

A. Foto direnç :
FoterDirenç iletkenliği ışık etkisiyle değişen bir yaniletkendir.
Foto-direncin yapımında kullanılan bazı maddeler :
- Kadmium sülfür {Cd.S)
- Tallium sülfür (Tl2 S 3)
- Kurşun tuzlan : Kurşun sülfür (PbS); kurşun selenium (PbSE); kurşun
tellür (PbTe); selenium (Se).

1 . Bir foto-direncin özellllderi

a) Direncin aydınlanma ile değişmesi .

....----A
~
.-,-
Fotodirenc

Şekil. 3.1-1

Bir foto-direncin özelliklerini incelemek için, fotodirenç, bir ampermetre ve

bir voltmetre ile bir doğru akım (Şekil. 3.1-1) veya bir alternatif akım devre-
sine bağlanır. Foto-direncin iiZeri kapatıldığı zaman devreden geçen alcım
.... mikroamper mertebesindedir. Fot<rdirenç aydınlatıldığı zainan akım, miliamper
mertebesinde olur. Şu halde, foto-direncin direnci aydınlanma ile küçülmekte-
dir. Karanlıkta megohm mertebesinde olan direnç, aydınlıkta kohm mertebe-
sinde olur. Bir fot<rdirencin, aydınlanma-direnç karakteristiği (R=f(E))
(Şekil. 3.1-2) de görüldüğü gibidir. Aydınlanma arttığı zaman direnç hızla

. 191·
küçülür. Bu olayın fiziksel nedeni: Gelen ışınımın fotonları yeteri kadar ener-
jiye S!lhipseler bunlar sellülüri içinde serbest yük taşıyıcılarının (elektron-boşluk
çifti) meydana gelmesine sebc;p olurlar.· Bu yük taşıyıcılar, foto-direnç ile seri
durumda olan kaynağın temin ettiği. potansiyel farkı altında hızlanırlar. Bu
nedenle kaynağın temin ettiği. akını foto-Qirencin aydınlanmas1ı11a bağlı olur.

o ---
Fotodiıenı;

Şekil. 3. 2-2
E{lu,ı) .

B. Foto-direııda akım-gerilim r =f(V) karalrterlıtlll

Aydınlanmanın sabit tutulan E 1 , E 2 , E 3 ••• gibi farklı değerleri için, akım

şiddetinin potansiyel farkı He deji~imi incelenirse, I = f(V) karakteristiklerinin
bir doğru olduğu görülür. · ·
Bu karakteristikler, foto-dirençlerin aşağıda belirlenen özelliklere sahip olduk-
laımı anlamaya imlc:an verirler :

1 °. Bir_ foto-direnç, çalışma prensibi fotoelektrik emisyona dayanan bir

tübde C'lduğu gibi. satürasyon (doyma) hali göstermez.

mA

Şelcil. .3.1-3

2 °. Kullanılan sınırlar içinde foto-direncin direnci ançak aydııılaumaya

ballıdır. Akım-gerilim diyağramına göre direnç

192
 1
R.- - - - - cotı at
tgat

~ ejimi ile belirlenir.

Sabit bir aydınlanmada, alcım-gerilim karaktcristili bir dotrudur vo koor-

' diııat
eksonlerinin orijiniden geçer; ıu halde bir foto-direnç Ohm kanununa
uyar:

V
R. - - - - - sabit.
1

3 °. Aydınlanma arttılt zaman foto-diroııciniıı direnci hızla ktlç8111r.

c. Dayarbk:

Bir foto-dirençten geçen alcım,· foto-dirence tatbik edilen gerilime, 07.erino

düşen ışık akısına. ışınımların dalga boyuna,_ yani fotonlarm getirdiji enerjiye
bajlıdır.

Statik Duyarlık :

Statik duyarlık, verilen bir gerilim vo dalga boyu verilen raJ(lyasyoıılar... için.
geçen alam ile aldı.At ala aras_ındaki orandır. ·

I
s ------
F
\

:. I (amper); F {lümen),;_ S (amper/lümen)

el) Uygulama..
\.
Ta1lium sülf'"ur fot<>-:dirençlor p<)zometre ve lwmıetrelerdo, Jı:admium sfllftlrll ·
foto-dirençler ise rölelere kumanda devrelerinde kullanılırlar. Bu sonuncu uyp
lamada foto-direnç, belli bir cismin geçişini (sayma işlemı"), yangını .(alarm:·. '
sistomı") haber vermekte kullanılır.
 Öl.çiler :

A. Bir foto-dlreııcia wm-ı..ııtm brütirlıtllbıln çlıffwıl

1. Devre
Bir foto-direncin aydınlanması sabit tutuldupda alam-gerilim karakteris-
tiği, besleme geriliminin fQnksiyonu olarak bir delişim gösterir. Bu değişimi
görmek için faydalanılacak devrenin şeması Şekil. 3.1-4 de görülmektedir.
Bu devrede foto direnç, uçları arasındaki gerilim diiZenlenebilen bir doğru akım
kaynağı ile beslen_mektedir. Foto-dirençten . geçen akım bir miliaıµı,ermetre
ile ölçülür. Aydınlanmayı ölçecek luxmetrenin foto-voltaik pili (ışık pili ile)
foto-direnç yanyana }erleştirilir.

Şekil. 3.1-4

2. Ölçü için gerekli işlemlerin yapılması.

(Şekil. 3.1-4) deki devre kurulur ve· foto-direncin devresi açık tutulur.
Aydınlanmayı düzenlemek için luxmetrede yeterli bir sapma elde edilinceye
kadar ışık kaynaAı tedrici olarak yaklaştırılır (~• qık kaynalm,m uçları
arasındaki gerilim deli.ştirilir). ··Daha sonra foto-dirence deiişilc gerilimler ta-
bik: edilir, ve bu gerilimlere karşılık olan akım fiddetleri okunur. Her ölçü
için güç (W = V I) hesaplanır ve yapımcı tarafından bcli:rtilen ·maksimum gücün
aşılmamasına dikkat edilir.

Verilen foto-direnç (PR 1821-150 mw) için afaiıda belirtilen ölçüleri ya-
pınız.

a) E= 50 Lux

V (Volt) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I (mA)
VI (mw)

194
 b) E - 150 Lux

V (volt) 10 20 30 40 so 60 70 80

I .(mA)

VI (mw)

c) E = 250 Lux

.... V (volt) 10 20 30 40 so 1, 60

I (mA)

VI (mw)

.3. Ölçü değerelerine gön: akım-gerilim karakteristiklerini çiziniz.

B. Direııç,-aydınlamna karakteristiğinin çizilmesi

1. Devre
(Şekil. 3.1-4) dekinin aynı

Kaynağın gerilimini V = 10 volt alınız. Aydınlanmanın çeşitli değerleri için

miliamperriıetreden akım şiddetlerini okuyunuz. ·
Her ölçü için foto-dirençde harcanan W = VI gücünü hesaplayınız. E a:ydm-
lanniasının he.r değeri için R = V/ l oranını hesaplayınız, ölçü dejerlerini bir
O

çizelgede gösteriniz. ·

V = 10 volt

E (lux) 10 15 · 20 2~ 30 40 50 60 80 100 150 200

I (mA)

VI (mw)

R (K.Q)

195
 C. Foto-direnç ile bir r61enin çabştınlması.

1. Devre (Şekil. 3.1-S)

L
+
- - - - - - I ,____,

Şekil. . 3.1-5

2. lllhııl■ b ....... ff apNılı

~-
_.....,..,,,, ı.ııt• tııılıld.

a) Verilen foto-diıencin R. - f{E) brakteristili. rGlenin r diıeııci. r61enin

çekme ve bıralcma abmlan (Iıı:. 1.) besleme gerilimi bı1iniyona foto-diımıç
berine diı,ilrtilmesi gereken ıpk akısı ve devrodeo geçecek abm pddcıti tayin
edilebilir.

Omek :

ça1ııan rölenin Jcarakteristikkri 20 mA w 10 volt. demıyi

Foto-direnç ile
kaynaim gerilimi 30 volt oldujımda foto-diıendn delerinin m,
beslcıyeıı
olması ıe:-~ bulalım. ,. ,,

Devrenin toplam dinıııcİ R.T :

30
RT - - - - - - ı.s x.n.
20 X JO-I

olmalı.

lllSle 10 volt ile çabıtılı:ııa pSıe direnci. :

10

20 X JO-I

196
 .Foto-direncin değeri R., :

R., ~ RT - r = (1,5 - 0,5) K .n.

Eğer foto-direncin R = f(E) karakteristiği mevcutsa, R., direncine karşılık
olan aydınlanma değeri bu karakteristikten bulunabilir. Rölenin kapanma ve
açılma anlarına tekabül eden alcımlar deneme ile bulunur.

b) Devrenin, alcım-aydınlanma karakteristiğinin çizilmesi

Parağraf (B) de aydınlanmanın fonksiyonu olarak foto-direncin R = f(E)
karateristiği çizilmişti.O halde besleme gerilimi ayni kalmak şartiyle ayni E
değerlerine karşılık olan R direnci ve I = V/R +
r değerleri hesaplanarak
devrenin alcım-aydınlanma karakteristiği çizilebilir. R = f(E) karakteristiğinin
çizilmesinde aldığınız ayni aydınlanma değerleriyle aşağıda belirtilen ölçü ve
hesaplamaJaı:ı yapmız.

E (Lux 10 15 20 25 30 40 50 60 80 100 150 200

R + r (Kst)

I = V/R + r (mA)

Ölçü değerl~e göre devrenin I = f (E) karakteristilini çiziniz. Bu karakte-

ristilin görünümü• Şekil. 3.1-6 daki gibi olur.

(mA)

Şekil. 3.1-6.

c) Grafikten faydalanarak daha önce tesbit edilen lıı; ve 14 değerlerine kar-

şılık olan E değerlerini bulunuz.

197
 d) Deney yolu ile rölenin kapanma ve açılma hallerine karşılık E değer­
lerini tesbit ediniz..

Kul.anılan malzemeler
1 Fotodirenç (PR 1821)
1 voltaj kaynalı (DC 0-30)
1 DC voltmetre (0-15 V)
1 DC ıniliampermetre (0-10 mA)
1 Luxmetre
1 Elektromagnetik röle

198
 ·D.3.2. TERMİSTANS

Konu :

Termistansln gerilim düzenleyici (regülatörü) olarak kullanılması.

Bilgi :
A. termistansm özellikleri.

l O • Tarif : Termistans, mutlala değeri çok büyük, negatif sıcaklık katsa•

yısı ile belirlenen, sıcaklığı duyar bir dirençtir, (NTC)

2 °. Yapı elemanları :
Tormistansın yapımında metal oksitler kullanılır. Kullanılan metal oksit•
lerdc:ıı bazıları : Demir, manganez, majnezyuın, nibl, tungsten .•.
3 o. Dlreaç :
Termistansm direncinin sıcaklıkla değişim- katsayısı (Q.) genellikte 0,03 ve
0,05 arasında bulunur. Sıcaklık katsayısı m~talinkindon yaklaıılı: olarak on
defa büyüktür. ·
Termistansın direncini sıcaklıla ballayan balmtı :

R - Be"I' (1)

şeklindedir, burada k ve B birer ·sabittirler. Direncin sıcaklıla göre delilimi

Şokil: 3.2-1 ile gösterilmiştir.

Termistansın, gerilim-akım eğrisi eğimin negatif oldutu bir bölge ihtiva

eder, (Şekil. 3.2-2); bu bölgede joule olayı, R direncinin küçülmesine sebep
olur ve V ( = RI) azalır.

a.) Statik direnç

Statik direnç bir işleme noktasında ıeı:ilim. ve akım arasındaki orandır :

Rs = Vı/Iı (2)

b.) Dinamik direnç.

199
 Dinamik direnç bir işleme noktası civarında gerilim değişildiği (A V) ile
akım değişildiği (fı
I) arasındaki orandır : -
R0 = A V/A I _(3)

V(volt)

. 1 mA)
(91..

Şekil. 3.2-1 Şekil. 3.2-2 .

V(volt)

I(mA)

B. T_,..,..,..MIP ~
'
Şekil. 3.2-3

Termistansm uyguJarnaJan birbirinden çok farklı iki snıı.fda toplanır.

1 °-. Termista:nı his.Ulir derecocle ,smmadılı zaman.

Bu til.r uygulamalarda, tennistanstan geçen akını zayıftır; harcanan güç
küçüktür; ısmma azdır; tcrmistans, gerilim-akını karalctcristijinin yükselen kıs­
mında çalıpr. En önemli uygulamalar; Sıçakhk OlçWmcsi; sıGaklık dcngcJcmncıi.

,200
 2 °- Termistans hissedilir derecede ısındığı zaman
Bu halde terınistansın işleme noktası, karakteristiğin iniş kısmında veya
yatay kısmında bulunur. Bu bölgede bazı uygulamalar :
- gerilim regülasyonu;
- Gerilim değişimlerinin deteksiyonu;

Çalışmalar :
A. Tenıılstaıısın gerilim regillat6ri olarak kullanılması

r-·-~ R NTC

Şekil. 3.2-4 ŞeJr:il. 3.2--S

Terınistans ile ııori motalik bir R direnci (Şekil. 3.2-4) olsun. Bunların ayn
ayrı ve birarada oldukları halde gerilim-akım V = f(I) karakteristikleri çizi-
lirse, bu sonuncu karalateristik, hcinen hemen akımdan bağımsız, bir V 2 gerili-
mine tekabül eden bir düzlük arzedcr (Şekil. 3.2--S) . İşte bu bölgı,de termistans
gerilim regiilatöıil olarak JoıJlanıbr, Bu amaçla kıılJanıJacaiı: devrenin ıoması
Şekil. 3.2-6 da verilmeJctodir.

Şe1ı;iI. 3.2-6

Girif ıeriliminde bir delifiklik .,ıdutu zaman. çıkıı ıerilimi yine V:ı delcrin-
ct. kalacak. gerilim fazlalılı R. ·dire.ııcini:iı uçları arasında göriblcıcelctir.

201
 1. Verilen R direnci ve termistans ile Şekil. 3.2-5 de görülen karakteristik-
leri çizerek V 2 gerilimini tesbit ediniz.

2. Bu elemanlarla (Şekil. 3.2-6) daki devreyi hazırlayınız. Giriş ve çıkış

gerilimlerini birer voltmetre ile ölçerek, giriş gerilimindeki dejişikliğe karşılık
çıkış gerilimindeki değişikliği inceleyiniz. Sonucu tartışınız:

B. Termistansın' yangın alarm sisteminde kııllandması

Bir termistansın gerilim-akım karakteristiği V = f(I) onu yangın alarm sis-

teminde .kullanılabilecek bir devre elemanı durumuna getirir. Eğer bir termis-
tans bir batarya ve bir yük direnci ile seri bağlanır (Şekil. 3.2-7) ve bataryanın
gerilimine termistansın oda . sıcaklığındaki volt-amper karakteristiğinin tepe
değerinden daha küçük bir değer verilirse, devrenin işleme noktası karakteris-
tiğin üzerinde A gibi bir noktada bulunur (Şekil. 3.2-8).

NTC

R
---ı,~---'
Şekil. 3.2-7

Sıcaklık yükselince termistansın

direnci kllçülür, p o ~ l i düşer, işleme
noktası karakteristiğin iniş kısmıüzerinde .B gibi bir noktaya kayar. Bu halde
akım A dakinden çok büyük olduğundan bir röleyi çalıştırarak yangından ha-
berdar olunmasını sağlar. Verilen bilgiye dayanarak bu sistemi gerçekleştiriniz.

logV
Oda sıcalılıQı

o Log 1

Şekil. 3.2-8

202·
 Iallaııılacat Malzemeler :
Değişken gerilim kaynajı
Direnç k!}tusu. (Rs)
_ . Metalik. dirmıç
Tcrmistans
2. D.C. voitmetre (1-5 volt)
kapı zili.
 D.3.3- IŞIK PİLİ

Konu : a) Işık pilinde meydana gelen e.m.k.nin ışık şiddetinin fonksiyonu

olduğunun göriilmesi.

b) Transistör devresinde bulunan bir ışık pili ile .bir rölenin kontrolu.

A: .lfık pili. Fotopil. fotovoltailı: pil. glbıef pili olarakta tanımlanan qı]c
pili. ole~ alamı meydana ,etiıebilmeJı: için. fotovo'8i)c olaydan faydalanı- ·
lan bir tertiptir.

IııJı; enerjisini elektrik enerjisine d&ıüşttıren en etkin tertip P-N bvıaltdır­

Bir ışık pili belli bir tipte bir yan iletken plAb (mesela P-tip silisyum). o-riıı- .· ·
de karşı tipten. çok inco bir film· (ınoı:ell N-tip silisyum) tete1tklil ettiri1mıek
suretiyle meydana getirilir (Şekil. 3-Ij. Omri ~ ince metal bir tabaka (Altın).
i1o kaplanmıt bir yan iletbn de (ıeJenyum) bir ııık pili fef)d1 eder (ŞeJdl. 3.3-2).

Işık

N-tip.S!

Şelı:il. 3.3-1
 Şekil. 3.3-2

B. P-N kavşağı

I . Temas potansiyel farkı.

Hemen hemen bütün yarı iletken tertipler tdiod, foto-diod, transistör, güneş
pili ... ) P,-N kavşağı ihtiva ederler. Güneş pilinin çalışma prensibini teşkil eden
fotovoltaik olayı anlıyabilmek için p..:.N kavşağının özelliklerini iyice bilmek
gerekir. P---N kavşağı, bir monokristal yarıiletkenin, iletkenliğinin bir tipten
başka bir' tipi, yani P-tip den N-tipe geçtiği bölgedir. N-tip yarıiletkende çoğun­
lukta olan yük taşıyıcılar ele;tctronlar, P-tip yaniletkende · ise çoğunluk yük
taşıyıcılar boşluklardır. P-N kavşağının özelliğini anlıyabilmek için bu iki ayrı
tipte bölgenin birbirine değdirildiğini kabul edelim. Halbuki bu temas yüzeyi
kristalin bu.yümesi esnasında teşekkül ettirilir. P-N kavşağı teşekkül ettiği
zaman, temas bölgesinin. yakınındaki hareketli yükler, konsantrasyonlarının
küçük olduğu b~lgeye doğru hareket ederler.

Serbest elektronlar (N-tip bölgenin çoğunluk yük taşıyıcıları) N-tip

bölgeden P-tip bölgeye ve boşluklar (P-tip bölgenin çoğunluk yük taşıyıcıları)
P-tip bölgeden N-tip bölgeye doğru geçmeye ~aşlarlar. Bu geçişin sonucu ola-
rak temas yüzeyinin her iki tarafındaki atomlar iyonize olurlar. Böylece N-tip
bölgede pozitif yük fazlalığı, P-tip bölgede de negatif yük fazlalığı meydana
çıkar. Bu olay şiddet ve derinlik bakımından sınırlıdır. P-tip bölgeyi terk eden
boşluk arkasında, onu geri çağıran bir negatif yük bırakır, ayni zamanda N-tip
bölgede meydana çıkmış olan pozitif yük bunları geri püskürtür. N-tip bölge-
den P-tip bölgeye geçen elektronlar da' arkalarında onları geri çağıran bir pozi-
tif yük bırakırlar, ayrıca P-tip bölgede meydana gelmiş olan negatif yük de bun-
ları geri püskürtür. Temas yüzeyinin her iki tarafında meydana gelen iyonize
olmuş atomların varlığı nedeniyle temas yüzeyi bölgesinde, yönü N-tip bölge-
den P-tip bölgeye doğru olan bir elektrik alan meydana gelir. Bu alan her iki
bölgenin çoğunluk yük taşıyıcılarının karşı tarafa geçmelerine bir engel teşkil
e.der. Temas yüzeyindeki vT temas potansiyel farkı Şekil. 2.3-3, çoğunluk yük.
taşıyıcılar için bir potansiyel duvarı teşkil ettiği halde, azınlık yük taşıyıcılarının
(P-tip bölge için elektronlar , N-tip bölge için boşluklar) kavşak boyunca
sürüklenmelerini kolaylaşurır. P-N temas yüzeyi açık devre halinde dengede

206
 olduğu zaman, temas y67.eyinden geçen çoğunluk yük taşıyıcıları, yine bu yii7.den
geçen azınlık yük taşıyıcılar ile dengelenmiştir.

Eltltlron

' boşluk

Şekil. 3.3-3

Temas yüzeyi bölgesindeki elektrik; alan hareketli yüklerin yeniden terkibi

sonucu meydana gelmiştir, maddenin toplam yükü değişmemiştir. P-N kavşa­
ğında mevcut olan potansiyel farkı bir akım geçmesini sağlamaya muktedir
değildir. P-N kavşağı kısa devre yapılsa devred~ bir akım geçmez. P-N kav-
şağında mevcut olan potansiyel farkmm bir akım meydana getireıniyeceği
şöyle açıklanabilir; eğer geçiş bölgesindeki potansiyel farkı bir voltaj kaynağı
olsaydı, bunun yarı iletkende meydana getirdiği akımın P-tip bölgeden N-tip
bölgeye doğru olması gerekirdi. Fakat bu, çoğunluk yük taşıyıcılarının temas
yüzeyini aşmaları demektir ki, daha önce sözü edilen denge halinden dolayı
mümkün dejildir. P-N kavşağınm kısa devre yapılması yük tapyıcılanna
bir enerji temin etmediğinden, kavşak dengede kahr; 11öylece temas potansiyel
farkı kısa devre yapılmış bir yarı iletkenden akım geçmesino sebep olamaz.

2-P-N kavşağının band yapısı.

Bir P-N Jçavşağının özelliği P-tip ve N-tip yan iletkenlerin temas ettiril-
diği tahayy~l edilerek, burada meydana gelecek olayı düjünerek anlaplabilir.

Böyle bir temas yiizeyinin bulunması, halinde, denge mevcut olduğu zaman
Fermi enerji seviyesi madde boyunca yatay ve sürekli olmalıdır. Eğer' böyle
olmaz ise kavşağın bir tarafırı.daki elektronlar diğer tarafta bulunanlardan daha
yüksek enerjiye sahip olurlardı ve her iki t a r ~ maddelere ait Fermi seviye-
leri ayni oluncağa kadar bir taraftan diğer tarafa elektron geçişi olurdu. .W F ·
fermi seviyesi, N-tip yarı iletkende iletkenlik bandına, P-tip yaniletkende ise
valans bandına yakındır. Bir P-N kavşağı teşkil ettiği zaman P, tip ve N-tip yan
iletkenlore ait iletkenlik ve valans bandlan ayni seviyede olamıyacaf ından,
P-N kavşağının enerji diyagramı (Şekil. 3-4) de görüldüğü gibi temsil
edilir.

2.07
 P-flpl

C. FotOYoldk olay.

1. Fotonların enerjisi.

Işık, foton denilen ışık Jcuantumlarından teşekkül eden bir enerji şeklidir.
Bir fotonun enerjisi ait oiduğu radyasyonun frekansı ile orantılıdır :

E = h 11 (3-1)

burada E, bir fotonun enerjisi, h; Planclc sabiti (h= 6,62xl0 2 7 erg. saniye)
u rady~syonun frekansıdır.

Güneş yayılan radyasyonlar, her-

veya: herhangibir radyasyon lcaynaltndan
biri frekansı
ile Planek sabitinin çarpımı kadar enerji taşıyan fotonlann .teıkil
ettiği enerji akımıdır. Da:lga boyu A = 6000 A O olan kırmızı ıp]ıı demetini dü-
şünelim ve (3-1) baltntısından faydalanarak fotonlann enerjisini elektron-volt
olarak bulalım. ·

Iıılc hızı : C = 3 x 1010 cm/İn

.3 X 1010 cm/m.
E - h11 = 6,62 x 10- 2 7 erg. saniye x - - - - - - - -

= 3,31 ı ıo--u erg

1 eV = 1,60 X lQ-U joule = 1,6-X 10-u er&

208
 i
ı
3,31 x ıo- 12 erg

1
1! E-
1,60 x ıo- 12 erg/eV
= 2,08 eV
1

Fotovoltaik e.m.k. meydana gelişi

(Şekil. 3.3-5 de) bir P-N kavşağı üzerine ışık düştüğü zaman nasıl bir olay
geçtiği temsil edilmektedir.

.
Şekil. 3.3-S

Atomik boyutlar ktlçük olduğu için bir foton bir serbest elektron bir valans
elektron ile Jcarşılaşabilir vo ona enerjisini veıcbilir. Çolı,mlukta olan yiik taşı­
yıcılannın sayısı 1026 /m I geçmez, hatta kuvvetle yabancı madde karıştırılmış
yaniletkende bile bu sayı hem-en hemen valans elektronlarının 1/10000 kadarı•
dır. Şu halde bir fotonun bir serbest yük taşıyıcı ile karşılaşması ve ona enerji-
sini vermesi ihtimali zayıftır. Bir foton bir valans elektronu ile kaıltlaşır ve ona
yasak band genişlili W,, ye eşit. veya ondan daha yüksek bir enerji verirse ne
olur? Valans bandından sökülen bir elektron iletkenlik bandına geçer. Şekilde
gösterildiğigibi bu olay kavşağın muhtelif noktalarında meydana gelebilir. Eğer
elektron boşluk çifti A ve :8 kesitleri arasında meydana gelmişse (No. 1), bura-
da mevcut olan yüksek potansiyel gradyanı subest elektronu N-tip böl&e)e,
boşluğuda P-tip bölgeye doğru hızlandırır. Bu yük nakli N-tip bölgeden P-tip
bölgeye bir pozitif }Ük transferine denktir.
Elektron-boşluk ·çifti N-tip bölgede meydana gelirse-bu durum şekilde
(2no) ile gösterilmiştir-azınlıkta olan yük taşıyıcı, yani boşluk kavşağa doğru
gider ve onu aşarak P-tip bölgeye geçer. Bu durumda N-tip bölgeden P-tip böl-
geye bir pozitif yük transferi vardır. Çoğunlukta olan yük taşıyıcılarının hareket
yönünün pek önemi yoktur, zira, genellikle bunların enerjileri potansiyel du•
varını aşmaya yeteri; değildir. Eğer, elektron boşluk çifti P-tip bölgede meydana
gelirse-şekilde· (3 no) ile gösterilmiştir-elektron kavşağa doğru hareket eder ve
onu aşarak N-tip bölgeye ulaşır. Bu durumda da yine N-tip bölgeden P-tip
bölgeye· bir pozitif yük transferi vardır.

209
 Azıniıkta olan yük taşıyıcılarla çoğunlukta olan yük taşıyıcılar birleşebilirler,
yani bir elektron-boşluk çifti kayıp olabilir. Şekild~ 4 no ve 5 no ile bu durum
belirtilmiştir.

P-N kavşağında foton absorplanması ile meydana gelen yük taşıyıcılar (elek-
tronlar ve boşluklar) alan tarafından çoğunlukta oldukları bölgelere doğru sü-
rüklenirler; diğer bir deyimle, boşluklar P-,tip bölgeye, elektronlarda N-tip
bölgeye doğru hızlandırılırlar. Bu durumda kavşaktan bir I akımı geçer, böyle-
ce, P-tip bölge pozitif N-tip bölge de negatif elektriklçnir. ·
Bu hal P~N kavşağının ileri yönde kutuplanmasına (D. l. de bununla ilgili
bilgi verilmiştir) sebep olacağından, kavşaktaki potansiyel duvarı açılır. Kavşa­
ğın bir dış bağıntısı yoksa ileri yöndeki kutuplandırınadan dolayı bir lg akımı
geçer, 19 ile I dengelenmiş olur. P-N bölgeleri bir yük aracılığı ile dışarıdan bir-
leştirilirse I akınunın IL kadar kısmı dış devreden akar ,fe böylece ışık enerjisi
· elektrik enerjisine dönüştürülmüş olur (Şekil. 3.3-6).

Işık enerjisi

N Ig I Rı.

Elektrik
enerisi
Şekil. 3.3-6

'"'/la
I = 10 (e - l)
değerleri ile
eı,/lr;f

I = 10 (e - l)+IL (3-2)

bulunur.

Diodun uçları arasında, potansiyel duvarının alçaldıiJ. miktara eşit bir geri-
lim meydana gelir. Bu potansiyel farkı fotovoltaik e. m. k. dir, değeri silisyum
ve germanyum pilleri için sırasiyle 0,5 V ve 0,1 V kadardır.
Güneş pilinde mevaana gelen e.m.k. pil üzerine düşen ışık akıpna balh-
dır. Şekil·~- 3.7 de piliıı açık devre geriliminin ve kı&a dem akımının ıpk
şiddetiae söre dejişimi verilmektedir•.

210
 V
ac;ık
$
devre
gerilimi
• Kısa devre
akımı

-ışık şiddeti -..ıux

Şekil•. 3.3-7

ı ........................ _ ....
ı. O... (Şekil. 3.3-8).

Şekil 3. 3-8

Şekil. 3.3-8 de görülen . devreyi hazınlarken Luxmetre ve ıpk pilini ayni

düzlem içindo yanyana yerleştiriniz.
2. Açık dene ıel'.iliml ve kua den-e ıerJllml ft ima dnn abıılıırını llçll-
ıneıl.

Işık pili üzerine dejişik şiddete ışık dtışltrünOZ. ~ ıpk Jicldetine k,arııbk
olan kısa devre akımını ve açıkı devre gerilimini ölçOnOz.

211
 Ölçil Delerleri
E (lux) 30 100 lSO 200 2SO 300
I(mA)
V (mV)
Ölçü değerlerine göre (1 = f(E) ve V = f(E) elfilerini çıziniz ve sonucu tartııuıız.
B. Bir rölenin ıpk pili ile koııtroll
1. Devre (Şekil. 3.3-9).

AC188

Şekil. 3.3-9

Şekil. 3.3-9 da görülen amplifikatör devresinde emettör giriş ve çıkış devre -

leri için mürterelciir. Beys-emettör gerilimi bir ışık pili ile sağlanırsa, fotovol-
taik pil üzerine düşen ışık akısı değiştikçe, kollektör akımının dejişeeeji açıktır
Eğer bu akım bir röleden geçirilirse röle bir başka devreyi açıp kapayabilecek-
tir. Rölenin kumanda edeceli devrede bir zil veya bir Jimba bulunabilir.
•·
Bu ·denemede, AC 188 P-N-P transistörliniin kollektör devresindeki bir
röle ile bir iil devresinin açılıp kapanması ıaııanacaktır. Bunu gerçekleştirmek
µzere, R 8 . direncini öyle düzenlO)iniz ki ancak ışık pili aydmlatıldılı zaman zil
çalsın.

ICpQa..ı.. _.......,_ : -- •

Transiat6r AC_ 188

DC voltaj byııalı (0-30)
Direnç (0-IK st)
Iııt -pili {Leybold SSIU)
Zil
 D. 3.4- HALL JENERATÖRÜ İLE ÖLÇÜLER

Konu : Hail jeneratörü ile bir yarıiletkenin iletkenliğinin tipinin, ·yüktaşı­

yıcılarının hareketliliğinin
ve konsantrasyonunun tayini.
Bir transistör devresinde kollektör aJamınin Ve HA 11 voltajma göre mo-
dülasyonu.
Bilgi :
1 . Hall olayı •

Burada prensibine delineceğimiz Hali olayı, yan iletkenlerde iletkenliğin

anlaşılmasına büyük bir kolaylık sallar. Hali olavı ( + q) ve (- q) gibi iki tip
yük taşıyıcının vadıjını
ortaya koyar ve bu yük tapyıtılarmm u, ve u. (mobili-
tclcrinin) lıarekctliliklerinin tayinine imkln verir.
Şekil. 3.4-1 de görO.ldiiAil gibi, I.akımı geçen U2Unlulun L, genifliği a, ytıksek­
lili b olan homojen bir metal şerit veya bir yanilctkcıı olsun.
Bu iletkenin kar-
phldı yiizleri üzerinde, aralanndaki potansiyel farkı sıfır olan iki M, N nokta-
larına (eşpotansiyel bir dÜ7.ey 1lzerinde bulunan M, N noktalarına) birer elek- ·
trot yerlcttirilmiş oldutunu dilfünelim. Akun AA' BB' yüzünden girer ve
DD', CC' yüzünden çıkar. Blor bu numune Cı,· kenarına paralel, akı .yolun•
lulu B olan bir magıietik alan içinde bulunursa, ABCD v• A'B'C'D' yiizleri
arasında bir V potansiyel farkının meydana geld~ gözlenir. Bu potansiyel farkı
Ve Hali gıerilimi (Hail voltajı) olarak adlandırılır.

Hali geriliminin :
- I akımı
- B magnetik indüksiyonu
-1/b
ile orantılı oldulu göri1lür.

Aynca, deneme, P-tip yaniletken vo N-tip yan iletkenle tekrarlandıjıııda,

birinci halde üst yüzün potansiyelinin pozitif ikinci halde ise alt yüzün potan-
siyelinin pozitif oldulu görülür. Demolcki, ayni ıartJarda bulunan ayrı tipte iki
yarı iletken için Hail volltajının yönü değişiktir. İşte bu özellik yarıiletkcnlerin
hangi ·tip iletkenlile sahip oldultlarmı anlamaya imkln verir.

2l3
 j
il\
C
_g
8.
o
:::c

O ,....,
;l'ft-
- ---"'f
_.J'J
it' 1
,o 1
1
1 ıf-':...-.L--- 'b

214
 Hall geriliminin meydana gelişi, B magnetik alanı içinde v hızı ile hareket
eden q yüküne etkiyen

F = qv x B (5-1)

• Lorentz kuvvetini hatırlayarak kolayca anlaşılabilir.

Hatırlanacağı gibi v ve B birbirlerine dikeyseler

F ='q V B (5-2)
olur.

Önce I akımının geçtiği P-tip yarı iletkeni düşünelim. Böyle bir maddede
çoğunluk yük taşıyıcıları yükü mutlak değerce elektronunki kadar olan pozitif
(+ e) yüklü boşluklardır. Bu yük taşıyıcılar I akımı için kabul edilen yöndo
akarlar. Şekil. 3.4-1 de alcım (1%) ve magnetik alanın belirtilen By yönü için
bu yüklere etkiyen kuvvet Z eksenine paraleldir. Bu nedenle yük taşıyıcıların
yörüngeleri bükülür ve bunlar ABCD üst yüzüne doğru saparlar. Bunun sonucu
olarak üst yüzde pozitif yük fazlalığı, A'B'C'D' alt yüzündcde negatif yük fazla-
lığı meydarı.a çıkar. ABCD ve A'B'C'D' yüzlerindeki karşıt işaretli yülclerden
dolayı yönü· yukarıdan aşağıya (Z eksenine paralel) bir elektrik alan meydana
gelir. Bu alan yüzlerde daha fazla yük birikmesine karşı koyacak yöndedir, Şu
halde hareketli yükler hem elektrik alandan ilerigekn kuvvetin. hemde elektro-
magnetik kuvvetin etkisi altındadırlar. Elektrik alanın şiddeti, bu kuvvetlerin
eştiliğini sajlayan EH değerine eriştili zaman denge kurulmuş olur.

ovB - o EH (S-3)

denge şartından EH Hail elektrik alanı için

·EH= vB (5-4)

eşitliği elde edilir. V8, Hali potansiyeli aralarındaki mesafe b olan ilci nokta
Jırasmda meydana geldiğinden

(S-5)
dır.

Bu halde Hali gerilim.

V8 = v B b (S-6)

olur.
 Diğer taraftan I akımı.

I = epvs = epv (a.b)

(c,; yük; p; pozitif yük taşıyıcı kontrasyonu : v: hız; S: kesit) oldulundan Va

için

1 1B
Va=-. --- (S-7)
ep a

bulunur.

1/ep = Rtt yarı iletkeni belirleyen bir karakteristik olup Hall sabiti olarak
tanımlanır. Bu durumda V8 Hall gerilimi

V8 = R8 IB/a (S-8)

baimtısı ile verilir.

(+ e) yüklerinin yukarıya dolru sapması ilo ABCD yilzll V 8 potansiyelin-

dedir (Şekil. 3.4-2).

H
B
➔ + -,
+-+- - 1 o
l
$~"\)'

----
~4! 0e1E :Hı,
1
-- -

(a)

216
 Eğer
P-tip madde, N-tip madde ile değiştirlirse Hail geriliminin yönü deıt­
şir. Çünkü bu durumda, I alcunının ayni yönü için, yük taşıyıcılarının yükünün
işareti ve hızlarının yönü değişiktir. B in.agnetik alanının şekilde belirtilen yönü
için, bu numunenin çoğunluk yük taşıyıcıları olan elektronlara etkiyen kuvvet
Z eksenine paralel ve aşağıdan yukarıya doğrudur. Bu hal ABCD üst yüzünün
negatif A'B'C'D' alt yüzünün de pozütif yüklii olmasına sebep olur. Anla-
placağı gibi Ea Hail .alanının ve Va Hall geriliminin yönü değişmiştir.
(Şekil. 3.4-2)N-tip numune için Hail geriliminin ifadesi

1 . ·IB
V8 - --- x ---- (R.8 == 1/ne)
DO a

volt ile ifade edilen Va balıntısında (I (amper), a (metre) p ven metre küp ba-
pıa yük taşıyıcı sayısı e(Coulomb olarak) elektron1m yiktl vo B (Weber/m2 )
magnetik akı yoıuntuludur.

Otçıı..
ı. Verilea numunelerin her biri için ile ııekil. 3. 4-3 de görilleD devreyi
kurunuz. Hail volta.juım yOııintı tcıbit edenle numuoeııiıı hansi tipten oldu-
Aunu ~

u. Holl. ,
... ""''""
.____/...,__..·~x
1111-----'K'-

2. Yillı: tqıyıcılanmıı mobilite,ıiııin / harebdililmin) tayini .

Bir yaniletbnin ~Dili halı:kıada bilai,

.::. 217
 Boyutları a, L ile gösterilen bir yarı iletkenin uçları arasındaki potansiyel
farkı V olsun. Yük taşıyıcılarının hareketini sağlayan E alanı ile V potansiyel
farkı arasında

V = E.L (5-10)

ba!ıntısı vardır.

Akım şiddeti

I = nqvs = nqv (a.b) (5-11)

bağıntısı ile bellidir.

Diğer taraftan yük taşıyıcılarının alan içinde v sürüklenme hızı ile alan
arasında

v=uE (5-12)

bağıntısı vardır,burada u, yük taşıyıcılarının biriın. alandaki hızı olup, mobi-

lite, yahut hareketlilik olarak adlandırılır. Mobilite .birim (m2 /volt. s) dir.

• Numunenin direnci R olmak üzere

L 1 L
V=R I = p---. I = -- --nqvs (S-13)
s a S

yazılabilir.

(5-10) ve (S-13) bajıntıları eşitlenir ve E==v/u olarak yerleştirilirse, öz ilet-

kenlik için

a = n q u (S-14)

bulunur.

Yabancı madde bulaştırılmamış bir yarı iletkende elektronlar ve bo§luklar

iletkenliğe .iştirak ettikloril!den

a == nq (u. + u,) (5-15)

yazılabilir.

218
 N-tip ve P-tip yarı iletkenler izin öziletkenlik ifadeleri :

e1,. = u,. q,.

C1p = Uı, qp

şeklinde olur; bur~da n ve p çoğunluk yük taşıyıcılarının konsantrasyonu, u,.

ve uıı de bunların mobilitelerini gösterir.

e1 ölçülebilen bir büyüklük olduğundan

Un = CJD/nq = CJN Rn,ı (5-16)

uıı = ap/Pq = CJp Rpe

bağıntılarından u,. ve uıı biiyüklükleri hesaplanabilir.

a) (u,., n); (uı,, p) büyüklüklerini tayin için yapılacak çalışmalar.

Verilen numunelerin .herbiri ile (Şekil. 3.5.-3) de görülen devreyi kurunuz.

Şiddeti bilinen bir magnetik alanda meydana gelen Hali voltajını ölçünüz. Diğer
ölçebileceğin•z büyüklükleri de dikkate alarak R 8 Hail sabitini hesaplayınız.
Bildiğiniz metodlardan biri ile., numunenin direncini ölçünüz ve sonra öziletken-
· liğini bulunuz. Bu büyüklükler u mbbilitesini bulmak için yeterli olacaktır.
Numuneyi ısıtarak mobilitenin değişimini inceleyiniz.

b) R 8 Hali sabitini tayin ctıiktcn sonra

1 1
RH - - - - - = ----
nq ne

1 ı

RH =----
pq
=----
po

(e: elektron ve bo~uğun yükü)

balmtılarından n ve p konsantrasyonlanru bulunuz. Sıcaklıtm konsantrasyon

ti7.erindelci etkisini inceleyiniz.

c) Hail voltajının dejipmine göre (kollektör ak.ımmın dcjişimbıin incelen-

mesi.:

219
 Hali
Scındaiı 154

Şekil. 3.~s

görülen devrede beys-emettör devresi için. gerekli olan gerilimin Hall jeneratö-
ründen temin ediniz. Magnetilr alan tiddctini deliftiıerek. le kollektör akımının
delişimhıi incelcyinjz.

KaUanılu Mıılzenıeler :
Hall sondası (N-tip; P-tip) yanilctbndon.
Voltmetre (DC. 0-SOO m V)
Miliarnpmnotrc (DC. 0-100 mA).

220
 YARARLANil,AN ESERLER

1- Electronic Devices and Ci.Fcuis . Millman-Halkins (Mcgraw Hill Book

Company).
2- Introduction to Circuits Intruments and Electronics. James W. Nilsson.
(Harcourt, Bracs World ine.)
3- Basic Electronics : Royce Gerald Kloeffler, Maurice Wilson HorreJI
Lee e. Hargrave, (Wiley Intemational Edition).
4- Corversion de L' Enerji : Shicldon S. S. Channg, (Dwıod)...

S- Electronique Pnysique des Semi-Conductııres :' A. Petiu:lerc

(Gauthierr-Villars).
6- The Properties, Physics and Designe of Semiconductor Device.s
John N. Shive, (D. Van Nostrand ·company).
7-, Electronic Engineering : Charlcs L. Alley - Kemıeth W. Atwood,
(John Wiley)
8- Manupulation et Mesures Electroniques : J. Quinet, (Dunod).
9- Electronique Travaux Pratiques : Marcel Mounnic-Jean Ricard,
(Foucher).
10- Direct Energy Conversion : Staıiley W. Angrist, {Allyn and Bacon).
11- Mesures Electroniques : U. Zelbstein, (Dımod).

12- Basic Electronics for Scieı;ıtists : Brophy, (Mcgrawhill Book Eompany).

221