Professional Documents
Culture Documents
1
Nội dung
• Tổng quan về đáp ứng tần số.
– Đáp ứng tần số dạng tổng quát của MKĐ
– Phương pháp vẽ tiệm cận (biểu đồ Bode)
• Phân tích đáp ứng tần số thấp.
• Phân tích đáp ứng tần số cao.
2
Đáp ứng tần số
• A = a + jb = |A|∠A
b
| A | a 2 b2 A arctg ( )
a
3
Các khái niệm
• dB:
• Tần số gãy
5
Phân loại mạch lọc
• Lọc thông thấp (LPF)
– |T(w=0)|max và |T(w=∞)|min
• Lọc thông cao (HPF)
– |T(w=0)|min và |T(w=∞)|max
• Lọc thông dải (BPF)
– |T(w=0)|min và |T(w=∞)|min
• Lọc chắn/triệt dải (BSF/BRF)
– |T(w=0)|max và |T(w=∞)|max
6
Trở kháng tương đương RC
7
Mạch lọc RC một tầng
8
9
Phương pháp vẽ tiệm cận
1) Tìm độ lợi |Ai|, chuyển sang |Ai|dB
2) Vẽ từng thừa số, sau đó cộng các đồ thị riêng lẻ lại với nhau
j z
VD: A( ) Am Chuyển sang dB:
j p
A( ) dB 20lg Am 20lg 2 z 2 20lg 2 p 2
(2) (3)
(1)
>> z: 20dB/dec >> p: 20dB/dec
Hằng số
<< Z: 20lg Z << p: 20lg p
10
11
12
13
Ví dụ 1
14
Ví dụ 2
15
Ví dụ 3
16
17
Ví dụ 4
18
Phân loại MKĐ theo tần số
a) Ghép tụ (AC)
b) Ghép trực tiếp (DC)
c) Cộng hưởng (thông dải)
19
Đáp ứng tần số dạng tổng quát
|A|
Am
Tần số Tần số
thấp cao
Am
-------
2
Tần số giữa
fL B fH fL fH
20
Đáp ứng tần số giữa
Mid-band frequency:
- Coupling capacitors
are short circuits
CC1 and CC2 are coupling capacitors (large): 𝜇𝐹. - Parasitic capacitors
are open circuits
Cin and Cout are parasitic capacitors (small): 𝑝𝐹.
𝒗𝒐𝒖𝒕
𝑨𝑴𝑩 =
𝒗𝒊𝒏
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝑳
= 𝑨
𝑹𝒊𝒏 + 𝑹𝒈 𝑹𝑳 + 𝑹𝒐𝒖𝒕
21
Đáp ứng tần số thấp
Low frequency model: - Coupling capacitors are present.
- Parasitic capacitors are open circuits.
1 1
𝑓𝑙1 = 𝑓𝑙2 =
2𝜋 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 𝐶𝑐1 2𝜋 𝑅𝑜𝑢𝑡 + 𝑅𝐿 𝐶𝑐2
𝑓 𝑓
𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑗 𝑓𝑙1 𝑗
𝑓𝑙2
= 𝑨𝑴𝑩
𝑣𝑖𝑛 𝑓 𝑓
1+𝑗 𝑓 1+𝑗 𝑓
𝑙1 𝑙2
22
Đáp ứng tần số cao
High frequency model: - Coupling capacitors are short.
- Parasitic capacitors are present.
1 1
𝑓ℎ1 = 𝑓ℎ2 =
2𝜋 𝑅𝑖𝑛 ∥ 𝑅𝑔 𝐶𝑖𝑛 2𝜋 𝑅𝑜𝑢𝑡 ∥ 𝑅𝐿 𝐶𝑜𝑢𝑡
𝑹𝒊𝒏 𝑣𝑜𝑢𝑡 1 1
𝑽𝒕𝒉𝟏 = 𝒗𝒊𝒏 = 𝑨𝑴𝑩
𝑹𝒊𝒏 + 𝑹𝒈 𝑣𝑖𝑛 𝑓 𝑓
1+𝑗 𝑓ℎ1 1 + 𝑗 𝑓ℎ2
𝑹𝒕𝒉𝟏 = 𝑹𝒊𝒏 ∥ 𝑹𝒈
23
Đáp ứng tần số thấp của MKĐ
• Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp
– BJT
– FET
• Ảnh hưởng của tụ thoát
• Ảnh hưởng của tụ ghép
• Ảnh hưởng của tụ thoát và tụ ghép
24
Mô hình tương đương của BJT/FET
tín hiệu nhỏ tần số thấp
25
Ảnh hưởng của tụ thoát
26
iL iL ib RC Rb / / Ri
Ai (s) . h fe .
ii ib ii RC RL Rb / / Ri hie Re* / /Ce*
1
s
RC Rb / / Ri Re .Ce
Ai (s) h fe . .
RC RL Rb / / Ri hie s 1
Ce*.( Re* / /( Rb / / Ri hie )
27
s z1
Ai ( s) Aim . (s j )
s p1
RC Rb / / Ri
• Aim = Ai (jω)| ω => +∞ = h fe .
RC RL Rb / / Ri hie
1
• ωz1 = zero của hàm truyền đạt
Re .Ce
1
• ωp1 = Ce .( Re / /( Rb / / Ri hie )
* * cực của hàm truyền đạt
28
Giản đồ bode của hàm truyền: ωz1 < ωp1
– Ta có biểu thức:
| Ai ( ) |dB 20log | Aim | 20log 2 z21 20log 2 p21
z1
z1 | Ai ( ) |dB Aio 20log(| Aim | ) Độ dốc 0dB/dec
p1
1
z1 p1 | Ai ( ) |dB 20log(| Aim | . ) 20log
p1
Độ dốc 20dB/dec
p1 | Ai () |dB 20log(| Aim |) Độ dốc 0dB/dec
29
z1
Aio Aim *
p1
ωz1 ωp1 = ωL
30
Tìm tần số cắt thấp ωL = 2πfL :
| Aim | L2 z21 | Aim |
| Ai (L ) | | Aim |
2 L p1
2 2 2
31
Ảnh hưởng của tụ ghép
32
iL iL ib i* RC Rb Ri
Ai (s) . * . h fe . .
ii ib i ii RC RL ZCc Rb hie Re Ri ZCb R"
*
RC s Rb Ri s
Ai (s) h fe . . . .
RC RL s 1 Rb hie Re Ri R s
* " 1
Cc .( RC RL ) Cb .( Ri R" )
33
s s
Ai (s) Aim . . (s j )
s p1 s p 2
RC Rb Ri
• Aim = Ai (jω)| ω => +∞ = h fe . .
RC RL Rb hie Re* Ri R"
1
• ωp1 = Cc .( RC RL )
1
• ωp2 = Cb .( Ri R" )
là các cực của hàm truyền đạt
34
Giả sử ta có ωp1 < ωp2
|Aim |
35
Tìm tần số cắt thấp ωL = 2πfL :
| Aim | L2 |A |
| Ai (L ) | | Aim | im
2 L2 p21 . L2 p2 2 2
2
.
Giả sử ωp1 << ωp2 => nếu gần đúng: p1 p 2 0
2
L4 p2 2 .L2 0 L p 2
36
Ảnh hưởng của tụ thoát và tụ ghép
37
iL iL ib RC Ri / / Rb
A(s) . hfe. .
ii ib ii RC RL ZCc Ri / / R hie RE* / /CE*
b
1
s
RC Ri / / Rb s Ce .Re
A( s) hfe. . . .
RC RL Ri / / Rb hie s 1
s * *
1
CC ( RC R L ) C E .( RE / /(hie Ri / / Rb)
38
s s z 2
A(s) Aim . . (s j )
s p1 s p 2
Ri / / Rb
•Aim = Ai (jω)| ω => +∞ = hfe. RC .
RC RL Ri / / Rb hie
1
• ωp1 = C .( R RL )
c C
1
•ωp2 = C* .(R* / /(hie Ri / / Rb) là các cực của hàm truyền đạt
E E
1
• ωz2 = zero của hàm truyền đạt
Re .Ce
39
|Ai |dB Giả sử ωp1 < ωz2 < ωp2
|Aim |
41
1) Xác định tụ Cc1, bỏ qua Cc2 và Ce (rất lớn )
2) Xác định tụ Cc2, bỏ qua Cc1 và Ce
3) Xác định tụ C3, bỏ qua Cc1 và Cc2
4) Xác định tụ Cc1 và Cc2, bỏ qua Ce
5) Xác định tụ Cc2 và Ce, bỏ qua Cc1
6) Xác định tụ Cc1 và Ce, bỏ qua Cc2
7) Xác định tụ Cc1, Cc2 và Ce
Kiểm tra lại đáp ứng biên độ lớn nhất và tại tần số cắt?
42
43
Ví dụ 6
44
Ví dụ 7
• gm = 5mA/V
45
Ví dụ 8
46
47
Ví dụ 9
48
Ví dụ 10
• Cho R1=100 và R2=2K. Xác định C1 và C2 để
(w12 + w22 )1/2 = 100 rad/s (cho phép sai số
10%) với w1=1/R1C1, w2=1/R2C2.
• Lưu ý nên chọn giá trị tụ điện nhỏ nhất có thể.
Chọn w1=w2
Chọn w1=10w2
Chọn w2=10w1
49
Ước lượng tần số cắt thấp
50
Phương pháp ước lượng
thời hằng ngắn mạch
51
Đáp ứng tần số cao của MKĐ
• Tần số cao: các tụ ghép và tụ thoát không ảnh
hưởng (nối tắt)
• Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao
– BJT
– FET
• Định lý Miller
• Ảnh hưởng của tụ Cbe, Cgs
• Ảnh hưởng của Cbc, Cgd
52
Mô hình tương đương của BJT/FET
tín hiệu nhỏ tần số cao
53
54
55
56
57
Định lý Miller
60
61
• Để tăng tính ổn định, người ta thường gắn thêm 1 tụ
CBC từ cực B sang cực C có giá trị tầm vài nF để hồi
tiếp âm. Khi đó tổng điện dung giữa cực B và E là
C = Cbe + C’M
với C’M là điện dung Miller có được khi áp dụng định
lý Miller với Cbc//CBC
C’M = (CBC+Cbc)( 1 + gmR’L )
sẽ được ảnh hưởng nhiều nhất bởi tụ CBC, do đó ta chủ
động điều chỉnh được đáp ứng của mạch khuếch đại
bằng cách điều chỉnh CBC
C’M ≈ CBC( 1 + gmR’L )
62
Mạch CE có hồi tiếp
• Av = AM/(1+jw/wg)
• wg = 1/(RtđC)
• Rtđ = r//{(Rsig+Re)/(1+gmRe)}
63
Mạch CS tần số cao
1 gm
C gd rds || Rd C gd
64
g m rds || Rd
vd 1
Av
vi 1 jri C gs CM
1
fh
2ri C gs CM
65
1 jC gd / g m
Av
vd
g m rds || Rd
vi 1 jC gd rds || Rd
khi g m rds || Rd 1
66
Ví dụ 11
67
Mạch CS có hồi tiếp
68
Mạch CC tần số cao
69
70
Mạch CD tần số cao
vgd 1
Zi' rds || Rs 1 g m rds || Rs
i jC
gs
71
Mạch nguyên vẹn
73
vi 1 1 j C gd C gs ri
Z '
'
g m 1 jC gs / g m 1 jri C gd
o
io vi 0
74
vs vs vg
Av
vi vg vi
Mạch tương đương SF ở tần số cao
jC gs
1
vs g m rds || Rs
g m rds || Rs 1
gm
1 vì
vg 1 g m rds || Rs rds || Rs
1 jC gs
1 g m rds || Rs
vg 1
khi g m / Cgs
vi 1 jri Cgd Cgs /1 g m (rds || Rs
vg 1 ri || rds || Rs
hoac khi g m / C gs
vi ri 1 jC gd ri || rds || Rs
75
76
Mạch Cascode
77
78
79
Ước lượng tần số cắt cao
80
• Nghiệm thực:
• Nghiệm phức:
81
• Tăng độ lợi
• Tăng băng thông
82
• Tăng băng thông (không hiệu ứng Miller)
83
Bài tập 1
• Q1: hfe=80; hie=2,5KΩ, Cb’e=250pF, Cb’c=0
• Q2: hfe=60; hie=2KΩ, Cb’e=200pF, Cb’c=20pF
84
Bài tập 1 (tt)
a) Vẽ sơ đồ tương đương ở tín hiệu nhỏ tần số
thấp. Thành lập biểu thức Ai ở tần số thấp. Vẽ
biểu đồ Bode |Ai| ở tần số thấp.
b) Vẽ sơ đồ tương đương ở tín hiệu nhỏ tần số
cao. Thành lập biểu thức Ai ở tần số cao. Vẽ
biểu đồ Bode |Ai| ở tần số cao.
c) Từ câu a) và câu b). Tính băng thông -3dB:
BW-3dB, độ lợi dãy giữa Aim và tích số độ lợi
khổ tần GBW của mạch khuếch đại trên.
85
Bài tập 2
• BJT (hfe = 100, hie = 1KΩ)
86
Bài tập 2 (tt)
a) Trong trường hợp C1 = 1@µF và C2 có giá trị rất
lớn, xác định biểu thức và vẽ biên độ của độ lợi áp
xoay chiều |Av = vo/vi |theo tần số (dựa trên phương
pháp tiệm cận gần đúng).
b) Trong trường hợp C1 có giá trị rất lớn và C2 =
1@µF, tìm tần số cắt thấp (-3dB) của mạch trên.
c) Xác định giá trị của C1 và C2 (0.1 < C1, C2 <
100) để mạch có tần số cắt thấp (-3dB) fL = 300Hz.
87
Bài tập 3
• FET (gm = 5.10-3 mho, rds = 2@KΩ, Cgs = 100pF)
88
Bài tập 3 (tt)
a) Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao của
mạch trên.
b) Xác định biểu thức của độ lợi áp xoay chiều Av =
vo/vi và tìm tần số cắt cao (-3dB) của mạch trên.
c) Tìm lại tần số cắt cao (-3dB) của mạch trên trong
trường hợp FET có thêm tụ ký sinh Cgd = 10pF.
89
Bài tập 4
Cho các thông số:
Vcc=20v, R1=10k,
R2=100k, ri=10k,
Re=0.1k, RC=1k,
RL=1k, Ce=10 μF ,
Cc=20 μF, hfe=50.
a) Vẽ sơ đồ bé tín hiệu
tương đương ở tần số
thấp.
b) Xác định độ lợi Ai.
c) Vẽ biểu đồ Bode .
90
Bài tập 5
a) Tính độ lợi dãy giữa Aim
b) Tìm tần số 3dB fh
91
Bài tập 6
Các phép đo đạc chỉ ra rằng MKĐ như hình vẽ có độ lợi
dãy giữa là 32dB, tần số cắt trên 3dB là 800Hz và
dòng tĩnh emitter là 2mA. Giả sử rằng rbb’ = Cb’c = 0,
tìm hfe, rb’e và Cb’e.
92
Bài tập 7
Cho transistor như trong hình, wT =109 rad/s, hfe = 20,
Cbc =6pF, rbb’ =0 và IEQ =1mA.
Hãy tìm độ lợi áp dãy giữa và tần số cắt trên 3dB.
93
Bài tập 8
Tìm độ lợi dòng dãy giữa và tần số cắt trên 3dB.
94
Bài tập 9
Hãy tìm và vẽ trên đó biểu đồ tiệm cận cho độ lợi điện áp.
rbb ' 0, rb ' e 1K, Cb ' e 1000 pF , Cb ' c 10 pF và gm 0,05mho
95
Bài tập 10
a) | Z i | theo
b) |Z0 | theo
vi
c) | Av | theo
v0
96
Bài tập 11
Tính và vẽ |Yo|.
97
Bài tập 12
• hfe = 100
• hie = 1KΩ
98
Bài tập 12 (tt)
a) Giải thích ngắn gọn vai trò và ảnh hưởng của các tụ điện C1
và C2?
b) Vẽ sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ (có tụ C1 và C2)?
c) Trong trường hợp tụ C2 có giá trị rất lớn, xác định giá trị của
tụ C1 để mạch có tần số cắt thấp là 2@Hz? Tính biên độ của
độ lợi dòng Ai = io/ii tại các tần số 2.@Hz, 2@Hz và 2@0Hz?
d) Trong trường hợp tụ C1 có giá trị rất lớn và tụ C2 = 1@uF,
xác định biểu thức và vẽ (theo phương pháp tiệm cận) đáp
ứng biên độ tần số của độ lợi dòng Ai = io/ii? Tìm tần số cắt
thấp (theo Hz) của mạch?
e) Tìm giá trị thích hợp của C1 và C2 (0 < C1, C2 < ) để mạch
có tần số cắt thấp là 2@Hz?
99
Bài tập 13
• Với C = 1@ uF, tìm R để đảm bảo mạch hoạt
động đạt yêu cầu với tín hiệu âm thanh [20Hz
– 20KHz]?
100
Bài tập 14
The following figure shows the high-frequency equivalent circuit of a
CS amplifier with a resistance Rs connected in the source lead. The
purpose of this problem is to show that the value of Rs can be used
to control the gain and bandwidth of the amplifier, specifically to
allow the designer to trade gain for increased bandwidth.
a. Derive an expression for the low-frequency voltage gain.
b. Derive Rgs and Rgd.
c. Let 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 100𝑘𝛺, 𝑔𝑚 = 4𝑚𝐴/𝑉, 𝑅𝐿′ = 5𝑘𝛺, 𝐶𝑔𝑠 = 𝐶𝑔𝑑 = 1𝑝𝐹.
Determine the low frequency gain and 3dB frequency 𝑓𝐻 for 3 cases:
𝑅𝑠 = 0, 𝑅𝑠 = 100𝛺 and, 𝑅𝑠 = 250𝛺. Comment.
𝑅𝑠 = 0: 𝐴𝑣 = −20, 𝑓𝐻 = 72𝑘𝐻𝑧