Professional Documents
Culture Documents
ĐIỆN TỬ CHO
CÔNG NGHỆ THÔNG TIN
IT3420
2
Chương 2 Diode và ứng dụng
1.Khái niệm
2.Đặc tính Volt-Ampere
3.Mô hình và phân tích 1 chiều
4.Mô hình và phân tích xoay chiều
5.Ứng dụng của điốt
3
2.1 Khái niệm
• Là một linh kiện bán dẫn được tạo thành bằng cách
đặt 2 lớp vật liệu bán dẫn loại p và loại n tiếp giáp với
nhau.
• Ký hiệu:
4
Nồng độ hạt dẫn đa số
• Trong bán dẫn loại n: electron là hạt dẫn đa số và lỗ trống
là hạt dẫn thiểu số.
• Trong bán dẫn loại p: lỗ trống là hạt dẫn đa số và electron
là hạt dẫn thiểu số.
5
Bán dẫn thuần (tinh khiết)
• Có mật độ electron
tự do bằng với mật
độ lỗ trống
• Trong thực tế, là loại
bán dẫn được giảm
thiểu tạp chất tới
mức nhỏ nhất theo
công nghệ hiện tại.
6
Bán dẫn loại n
• Là loại bán dẫn được
hình thành khi thêm
vào tạp chất có 5
electron hoá trị trên nền
Si.
• 1 nguyên tử tạp chất
liên kết với 4 nguyên tử
Si xung quanh dẫn đến
thừa 1 electron hoá trị.
• Được gọi là nguyên tử
cho.
7
Bán dẫn loại p
• Là loại bán dẫn được
hình thành khi thêm vào
tạp chất có 3 electron
hoá trị trên nền Si.
• 1 nguyên tử tạp chất
liên kết với 4 nguyên tử
Si xung quanh dẫn đến
thiếu 1 electron hoá trị,
tạo thành 1 lỗ trống.
• Được gọi là nguyên tử
nhận.
8
Lớp tiếp giáp pn
• Hai khối bán dẫn p-n tiếp xúc nhau
• Do chênh lệch nồng độ → hiện tượng khuếch tán của
các hạt dẫn đa số:
• Điện tử khuếch tán từ n → p
• Lỗ trống khuếch tán từ p → n
9
Lớp tiếp giáp pn cân bằng nhiệt
• Trên đường khuếch tán, các điện tích trái dấu sẽ tái hợp
với nhau → trong một vùng hẹp ở hai bên ranh giới có
nồng độ hạt dẫn giảm xuống rất thấp.
• Tại vùng đó, bên p hầu như chỉ còn ion nhận tích điện
âm, bên n hầu như chỉ còn ion cho tích điện dương.
Vùng nghèo
10
Lớp tiếp giáp pn cân bằng nhiệt
• Trong vùng nghèo tồn
tại rất ít electron tự do
hay lỗ trống.
• Chênh áp giữa hai vùng
được gọi là hàng rào
điện thế, được tính bởi:
11
Lớp tiếp giáp pn phân cực ngược
• Đặt một điện áp (+) VR vào đầu n của lớp tiếp giáp pn
• Hàng rào điện thế tăng → vùng nghèo mở rộng →
điện trở tăng
• Dòng điện qua chuyển tiếp pn nhỏ và nhanh chóng đạt
trạng thái bão hoà.
12
Lớp tiếp giáp pn phân cực thuận
• Đặt một điện áp (+) VD vào đầu p của lớp tiếp giáp pn
• Hàng rào điện thế giảm → hạt dẫn đa số tràn qua hàng
rào sang miền đối diện → tình trạng thiếu hạt dẫn
trong vùng nghèo được giảm bớt → bề dày vùng
nghèo thu hẹp → điện trở giảm
• Dòng điện qua chuyển tiếp pn lớn và tăng nhanh theo
điện áp.
13
Đặc tính Volt-Ampere
• Điện áp rơi trên điốt và dòng điện qua điốt có dạng:
14
Điện áp đánh thủng diode
• Tăng dần điện áp Điện áp
ngược đặt vào lớp đánh thủng
tiếp giáp pn.
• Đến một giá trị đủ
lớn, dòng điện
ngược tăng vọt,
diode bị đánh
thủng.
• Lớp tiếp giáp có
mật độ tạp chất cao
bị đánh thủng
trước.
15
Mô hình và phân tích 1 chiều
• Diode là một loại thiết bị có đặc tính dòng điện - điện
áp không tuyến tính.
• Các mối quan hệ toán học hay mô hình mô tả các đặc
tính dòng điện - điện áp của để phân tích và thiết kế
các mạch điện.
• Xem xét các đặc tính dòng điện – điện áp của lớp tiếp
giáp pn để xây dựng các mô hình mạch điện khác
nhau.
• Phát triển các kỹ thuật mô hình hoá và phân tích một
chiều của các mạch điện diode.
• Mô hình tín hiệu lớn
16
Diode lý tưởng
▪ Đặc tính Volt-Ampere lý tưởng
19
Mô hình và phân tích 1 chiều
• Phương pháp lặp
• Phương pháp phân tích hình học
• Phương pháp mô hình tuyến tính từng đoạn
• Phương pháp phân tích bằng máy tính
20
Phương pháp lặp và phân tích hình học
• Phương pháp lặp sử dụng Thử và sai để tìm ra lời
giải.
• Phân tích hình học vẽ hai phương trình đồng thời, giao
điểm của hai đường chính là lời giải.
21
Phương pháp lặp và phân tích hình học
• Xét mạch điốt đơn giản:
Mặt khác:
?
22
Phương pháp lặp
• Xét mạch điốt đơn giản:
ID=?
23
Phương pháp phân tích hình học
Đường đặc tính
dòng điện-điện áp diode
Điểm làm việc Q • Theo Kirchhoff:
Đường tải
24
Phương pháp mô hình tuyến tính từng đoạn
• Xấp xỉ đặc tính dòng điện – điện áp sử dụng mối quan
hệ tuyến tính hoặc các đường thẳng.
• VD > V𝛾 : xấp xỉ bằng một đường
1
thẳng có độ nghiêng =
rf
• rf : điện trở
phân cực thuận
• V𝛾 : điện áp
ngưỡng
25
Phương pháp mô hình tuyến tính từng đoạn
• Xấp xỉ đặc tính dòng điện – điện áp sử dụng mối quan
hệ tuyến tính hoặc các đường thẳng.
• VD < V𝛾 : xấp xỉ bằng một đường
// với trục VD ở giá trị dòng = 0
26
Phương pháp mô hình tuyến tính từng đoạn
• Xấp xỉ đặc tính dòng điện – điện áp sử dụng mối quan
hệ tuyến tính hoặc các đường thẳng.
• Khi rf = 0, điện áp qua diode là 1
hằng số có giá trị VD = V𝛾 khi
diode ở trạng thái dẫn.
27
Phương pháp mô hình tuyến tính từng đoạn
Điểm
làm
việc Q
28
Phương pháp mô hình tuyến tính từng đoạn
29
Phương pháp mô hình tuyến tính từng đoạn
Điểm làm
việc Q
• Đặt điện áp ngược
vào diode
Đường tải
31
Phương pháp phân tích bằng máy tính
• Điện áp hạ trên diode tăng gần như tuyến tính đến
400mV, gần như không đo được dòng điện.
• Điện áp đầu vào tăng từ 500mV trở lên thì điện áp trên
diode tăng dần cho đến khoảng giá trị 610mV khi điện
áp đầu vào ở mức cao nhất.
34
Mô hình và phân tích 1 chiều
• Một số kết quả tương đương sau được sử dụng trong
tính toán mạch.
• Khi cấp một điện áp phân cực thuận đủ lớn cho diode
thì diode hoạt động ở chế độ phân cực thuận, tương
đương ngắn mạch.
• Ở chế độ phân cực thuận, điện áp hạ trên diode tương
đương V𝛾 được gọi là điện áp ngưỡng.
• Với điện áp đầu vào < V𝛾 , diode phân cực ngược, điện
áp hạ trên diode = 0V, dòng điện qua diode xấp xỉ 0A.
35
Mô hình và phân tích xoay chiều
• Xét mạch điện bao gồm: Thực hiện phân tích 1
• Nguồn 1 chiều VPS chiều đối với dòng và
• Nguồn xoay chiều 𝜐i áp 1 chiều
• Diode
• Điện trở R
36
Đặc tính Volt-Ampere xoay chiều
• IDQ: Giá trị dòng tại điểm làm
việc 1 chiều của diode.
• VDQ: Giá trị áp tại điểm làm
việc 1 chiều của điốt.
𝜐i << VPS
37
Mô hình và phân tích xoay chiều
• Lần lượt phân tích 1 chiều và xoay chiều, sử dụng 2
mạch điện tương đương.
• Từ đó tính được:
Điện áp đầu ra
1 chiều
39
Mạch tương đương xoay chiều
• Đặt
• Diode tương đương điện trở khuếch tán rd
• Từ đặc tính Volt-ampere của diode tính được:
41
Ví dụ 2.1 - Phân tích 1 chiều
• Mạch tương đương 1 chiều, điện áp hạ trên diode là
V𝛾
• Áp dụng định luật Kirchhoff tìm được dòng điện qua
diode:
42
Ứng dụng của diode
• Mạch chỉnh lưu
• Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
• Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
• Mạch lọc
• Mạch hạn chế
• Mạch dịch
43
Mạch chỉnh lưu
44
Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
• Cho mạch điện
45
Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
• Đường đặc tính truyền điện áp
46
Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
• Sử dụng phương pháp mô hình tuyến tính phân đoạn
để xác định vùng làm việc tuyến tính (dẫn hay khoá).
• Xác định điều kiện điện áp vào để diode dẫn. Tính toán
điện áp đầu ra trong điều kiện này.
• Xác định điều kiện điện áp vào để diode khoá. Tính toán
điện áp đầu ra trong điều kiện này.
49
Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
• Cho mạch điện:
• Tìm điện áp đầu ra?
50
Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
• Cho mạch điện:
• Tìm điện áp đầu ra?
51
Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
• Nửa dương của chu kỳ • Nửa âm của chu kỳ
• Điện áp đầu ra
52
Mạch lọc
• Cho mạch điện
53
Mạch lọc RC
• Nhận xét: có thể kết hợp bộ lọc RC vào mạch chỉnh
lưu cả chu kỳ để tạo dạng sóng đầu ra mượt mà hơn.
54
Mạch hạn chế nửa chu kỳ
• Cho mạch điện
55
Mạch hạn chế hai nửa chu kỳ
• Cho mạch điện
56
Mạch dịch
• Cho mạch điện
57
Mạch dịch
• Cho mạch điện
58
Kỹ thuật giải mạch nhiều diode
• Tìm hiểu kỹ thuật phân tích mạch chứa nhiều hơn 1
diode.
59
Mạch nhiều diode
• Xét mạch sau
Mạch điện
60
Mạch nhiều diode
• Xét mạch sau:
Điốt khoá
61
Mạch nhiều diode
• Tìm hiểu kỹ thuật phân tích mạch chứa nhiều hơn 1
diode.
• Sử dụng phương pháp tuyến tính từng đoạn, thông qua
đặc tính truyền điện áp có thể thấy vùng dẫn/thông và
vùng khoá/không thông của diode.
• Với mạch nhiều diode, các diode có thể ở trạng thái
khoá/dẫn → Có sự kết hợp trạng thái.
62
Mạch nhiều diode – Ví dụ 2.2
• Cho mạch điện • Đặc tính truyền điện áp
• Tìm:
• Khi:
63
Phương pháp giải mạch nhiều diode
• Đối với mạch nhiều diode, cần phải biết trạng thái hoạt
động của mỗi linh kiện là dẫn hay khoá.
1. Giả thiết trạng thái của 1 diode
• Nếu dẫn, VD = V𝛾
• Nếu khoá, ID = 0
2. Phân tích mạch tuyến tính với các trạng thái diode đã giả thiết
3. Đánh giá trạng thái kết quả của mỗi diode
• Nếu giả thiết ban đầu là khoá, và kết quả phân tích cho thấy ID = 0 và
VD ≤ V𝛾 thì giả thiết là đúng. Ngược lại, nếu ID > 0 và/hoặc VD >
V𝛾 thì giả thiết là không chính xác.
• Tương tự, nếu giả thiết ban đầu là dẫn, và kết quả phân tích cho thấy
ID ≥ 0 và VD = V𝛾 thì giả thiết là đúng. Ngược lại, nếu ID < 0 và/hoặc
VD < V𝛾 thì giả thiết là không chính xác.
4. Nếu giả thiết không chính xác thì cần đặt giả thiết mới, phân
tích mạch tuyến tính mới và lặp lại bước 3.
64
Mạch nhiều diode – Ví dụ 2.2
D2 dẫn
• Điện áp ra:
D1 khoá
65
Mạch nhiều diode – Ví dụ 2.2
D2 dẫn
• Mặt khác:
D1 dẫn
66
Mạch nhiều diode – Ví dụ 2.3
• Xét mạch sau:
• Tìm:
• Cho biết:
67
Mạch nhiều diode – Ví dụ 2.3
• Giả thiết: D1, D2, D3 dẫn
• Như vậy:
• Vì:
D2 khoá
68
Mạch nhiều diode – Ví dụ 2.3
• Giả thiết: D1, D3 dẫn, D2 khoá
• Tính được:
D1 dẫn
D3 dẫn
D2 khoá
69
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.1
• Cho mạch điện:
• Giả thiết:
• Tìm:
70
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.2
• Cho mạch điện:
• Giả thiết:
• Tìm:
71
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.1
• Cho mạch điện:
• Giả thiết:
• Tìm:
72
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.1
73
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.1
74
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.1
75
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.1
76
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.2
• Cho mạch điện:
• Giả thiết:
• Tìm:
77
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.2
78
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.2
79
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.2
80
Mạch nhiều diode – Bài tập 2.2
81
Kết thúc chương 2
82