Lời nói đầu

Như đã biết ứng dụng của Điện tử công suất trong truyền động điện – điều
khiển tốc độ động cơ là lĩnh vực quan trọng và ngày càng phát triển. Các nhà
sản xuất không ngừng cho ra đời các sản phẩm và công nghệ mới về các phần tử
bán dẫn công suất và các thiết bị điều khiển đi kèm. Do đó khi thực hiện đồ án
chúng em đã cố gắng cập nhật những kiến thức mới nhất, những công nghệ mới
trong lĩnh vực điều khiển các phần tử bán dẫn công suất.
Với yêu cầu thiết kế bộ băm xung một chiều không đảo chiều để phục vụ
các mục đích đưa ra, chúng em đã cố gắng tìm hiểu về các phương án công
nghệ sao cho bản thiết kế vừa đảm bảo yêu cầu kĩ thuật, yêu cầu kinh tế. Với hi
vọng đồ án điện tử công suất này là một bản thiết kế kĩ thuật có thể áp dụng
trong thực tế nên chúng em đã cố gắng mô tả cụ thể, tỉ mỉ và tính toán cụ thể
các thông số của sơ đồ mạch.
Tuy nhiên do trình độ hiểu biết của chúng em còn hạn chế nên không thể
tránh khỏi những sai sót. Chúng em mong nhận được sự phê bình, góp ý của các
thầy cô để giúp chúng em hiểu rõ hơn các vấn đề trong đồ án cũng như những
ứng dụng thực tế của nó để bản đồ án của chúng em được hoàn thiện hơn. Trong
quá trình làm đồ án chúng em đã nhận được sự giúp đỡ, hướng dẫn của thầy
Nguyễn Văn Tiến. Chúng em xin chân thành cảm ơn!
Nguyễn Trung Thành Cao Hồng Lương Mai Đồng Tiến

1
MỤC LỤC
Lời nói đầu.......................................................................................................................................1
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ MẠCH XUNG ÁP MỘT CHIỀU............................................3
1.1: GIỚI THIỆU VỀ BỘ BIẾN ĐỔI XUNG ÁP..........................................................................3
1.1.1: Mạch xung áp xoay chiều..................................................................................................4
1.1.2: Mạch xung áp một chiều...................................................................................................8
1.2: GIỚI THIỆU CÁC THÀNH PHẦN TRONG MẠCH XUNG ÁP MỘT CHIỀU.................11
1.2.1: Thyristor..........................................................................................................................11
1.2.2: Tranzito............................................................................................................................12
1.2.3: MOSFET..........................................................................................................................14
1.2.4: GTO..................................................................................................................................15
1.3: GIỚI THIỆU CÁC MẠCH XUNG ÁP................................................................................15
1.3.1: Mạch xung áp một chiều có đảo chiều...........................................................................15
1.3.2: Mạch xung áp một chiều không đảo chiều:...................................................................18
CHƯƠNG 2: THIẾT KẾ MẠCH XUNG ÁP MỘT CHIỀU KHÔNG ĐẢO CHIỀU..........21
2.1: CÁC BỘ BIẾN ĐỔI XUNG ÁP MỘT CHIỀU KHÔNG ĐẢO CHIỀU..............................21
2.1.1: Van dùng Thyristor.........................................................................................................21
2.1.2: Van dùng Transistor.......................................................................................................22
2.2: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN........................................................................................23
2.2.1: Mạch băm xung một chiều..............................................................................................23
2.2.3: Tính toán chọn van..........................................................................................................26
2.3: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN........................................................................................27
CHƯƠNG 3: TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG.............................................................................31
3.1: TÍNH CHỌN THIẾT BỊ ĐỘNG LỰC..................................................................................32
3.1.1: Chọn tranzitor.................................................................................................................32
3.1.2: Chọn diode.......................................................................................................................33
3.1.3: Chọn diện trở hình thành điện áp Rp:...........................................................................33
3.2: THIẾT KẾ MẠCH...............................................................................................................33
3.2.1: Thiết kế sơ đồ nguyên lí..................................................................................................33
3.2.2 : Thiết kế nguồn cấp cho mạch điều khiển............................................................................36
3.3 MÔ PHỎNG..........................................................................................................................37
3.3.1 Phần mềm mô phỏng........................................................................................................37
3.3.2 Hình mô phỏng trên phần mềm.......................................................................................38

2
 3.3.3 Mạch thực..........................................................................................................................39
Tài liệu tham khảo.....................................................................................................................40
Diode https://www.tme.com/au/en/details/fe6a-dio/tht-universal-diodes/diotec-semiconductor/
fe6a/....................................................................................................................................................40

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ MẠCH XUNG ÁP MỘT CHIỀU

1.1: GIỚI THIỆU VỀ BỘ BIẾN ĐỔI XUNG ÁP
Để cắt điện áp nguồn người ta thường dùng các khóa điện tử công suất vì
chúng có đặc tính tương ứng với khóa lý tưởng, tức là khi khóa dẫn điện (đóng)
điện trở của nó không có đáng kể, còn khi khóa bị ngắt (mở ra) điện trở của nó
vô cùng lớn (điện áp trên tải sẽ bằng không). Trên hình 1.1 là sơ đồ nguyên lý
và sơ đồ đường cong điện áp.

Hình 1. 1 Sơ đồ nguyên lý và đường cong điện áp

Các bộ băm áp một chiều thường gặp hiện nay là các bộ băm áp nối tiếp. Trong
phần thiết kế này quan tâm nhiều đến các loại băm áp đó. Trong khoảng thời
gian 0 ÷ t1, khóa K đóng lại, điện áp trên tải U R sẽ có giá trị điện áp nguồn (U R
= E). Còn trong khoảng t1 ÷ t2 thì khóa K mở ra và điện áp U R = 0.
Như vậy giá trị trung bình của điện áp trên tải sẽ là:
1
1 t1
Ud= ∫
T CK 0
U I dt= U
T CK 1
(1.1)

t1
Nếu coi γ = T thì:
ck

3
 U d =γ U 1 (1.2)
Trong đó:
- U d: điện áp tải một chiều
- U 1: điện áp nguồn cấp một chiều
- t 1: khoảng thời gian đóng khóa K
- T ck: chu kì đóng cắt khóa K
- γ: độ rộng xung điện áp
Như vậy bộ biến đổi xung áp có khả năng điều chỉnh và ổn định điện áp ra
trên phụ tải.
Nó có những ưu điểm cơ bản:
 Hiệu suất cao vì tổn hao công suất trong bộ biến đổi không đánh kể so
với các bộ biến đổi liên tục;
 Độ chính xác cao cũng như ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ môi trường, vì
yếu tố điều chỉnh là thời gian đóng khóa K mà không phải là giá trị điện
trở của các phần tử điều chỉnh thường gặp trong các bộ biến đổi liên tục;
 Chất lượng điện áp tốt hơn so với các bộ biến đổi liên tục;
 Kích thước gọn, nhẹ.
Nhược điểm cơ bản của các bộ biến đổi xung áp là:
 Cần có bộ lọc đầu ra, do đó làm tăng quán tính của các bộ biến đổi khi
làm việc trong hệ thống kín;
 Tần số đóng cắt lớn sẽ tạo ra nhiễu cho nguồn cũng như các thiết bị điều
khiển.
Đối với các bộ biến đổi công suất trung bình (hàng chục kW) và nhỏ (vài
kW), người ta thường dùng các khóa điện tử là các bóng bán dẫn lưỡng cực
IGBT. Trong trường hợp công suất lớn (vài trăm kW trở lên) người ta thường
dùng GTO hoặc triristo. Tùy thuộc đầu vào điện áp mà người ta chia ra: bộ biến
đổi xung áp có đảo chiều và bộ biến đổi xung áp không đảo chiều

4
1.1.1: Mạch xung áp xoay chiều
Các bộ biến đổi xung áp xoay chiều có bản chất là các bộ biến đổi phụ
thuộc, giống như các bộ chỉnh lưu, điều chỉnh điện áp ra bằng cách thay đổi góc
điều khiển α. Bộ điều chỉnh xung áp xoay chiều cần điều chỉnh giá trị điện áp
xoay chiều, tần số sóng hài cơ bản không đổi, bằng tần số của điện áp lưới.
Dùng tiristo song song ngược, triac, thay đổi điện áp trong mỗi nửa chu kỳ điện
áp lưới theo góc mở α.
Ưu điểm:
 Đơn giản;
 Tin cậy.
Các sơ đồ van được thể hiện qua hình 1.2

Hình 1. 2 Sơ đồ van

Trong đó:
a. Cặp thyristor song song ngược
b. Cầu diod
c. Triac

a. Xung áp xoay chiều một pha

Tải thuần trở

5
  Điện áp trên tải phụ thuộc góc điều khiển α;
 Giá trị hiệu dụng của điện áp trên tải.

Hình 1. 3 Điện áp trên tải và giá trị hiệu dụng

√ √ √
π π
1 1 2 ( π −α )+ sin 2α
U o= ∫
π α
m 2
(U 1 sinθ ) dθ=U 1 ∫
π α
( 1−cos 2θ ) dθ=U 1
2π
(1.3)

Tải trở cảm

Khi một Thyristo nào đó thông, tải R-L được nối vào nguồn xoay chiều
di
Ri +Xi dϴ = U m1 sinϴ (1.4)

Nghiệm của phương trình:

XL
Z = √ R2 + X 2L Q = ϕ = arctgQ
R
m
U1 −ϴ−α
I= [sin(ϴ−φ) + e Q sin(α-ϕ)] (1.5)
Z

Phương trình góc dẫn van:

−λ
Sin (α + λ – ϕ) - e Q sin(α – ϕ) = 0 (1.6)

Tải thuần cảm

Các ứng dụng cực kỳ quan trọng trong các cuộn kháng điều khiển được
(Thyristor Controlled Reactor – TCR). TCR được sử dụng rộng rãi trong các
thiết bị bù trong hệ thống truyền tải điện cao thế như SVC, TCSC.

Biên độ của dòng qua cuộn cảm:

V 2 1
I L(α) = (1 - α - sin2α) (1.7)
ωL π π

Điện dẫn thay thế tương đương:

6
 1 2 1
BL (α) = (1 - α - sin2α) (1.8)
ωL π π

Theo điện dẫn tương đương có thể đường cong điện áp và dòng điện thể hiện

Hình 1. 4 Đường cong điện áp và dòng

điện

b. Xung áp xoay chiều ba pha

Sơ đồ van được thể hiện qua hình 1.5:
(a) Sơ đồ Thyristor song song ngược
(b) Sơ đồ Thyristor đấu tam giác

7
1.1.2: Mạch xung áp một chiều
Các bộ biên đổi xung áp một chiều có vai trò đặc biệt quan trọng trong
phạm vi ứng dụng ngày càng to lớn. Nếu điện áp xoay chiều có thể dùng máy
biến áp để biến đổi điện áp thì điện áp một chiều bắt được phải dùng bộ biến đổi
xung áp. Các bộ biến đổi xung áp dần loại trừ các loại biến áp tần số thấp trong
các bộ nguồn, dẫn đến kích thước các thiết bị điện tử ngày càng nhỏ gọn. Hai
loại bộ biến đổi xung áp một chiều: các bộ băm xung áp (chopper) và các bộ
biến đổi nguồn DC-DC.
Ưu điểm:
 Sử dụng các phần tử MOSFET, IGBT, đặt biệt là MOSFET, với
các tần số đóng cắt cao, vài chục đến vài trăm kHz;
 Nhờ tần số đóng cắt cao giảm được độ đập mạch của dòng điện,
điện áp một chiều, tiến tới lý tưởng;
 Kích thước các phần tử phản khác như điện cảm, tụ điện giảm đáng
kể, giảm kích thước bộ biến đổi nói chung đến mức rất nhỏ;
 Không dùng biến áp nguồn tần số thấp nữa. Giảm tổn hao, tiết
kiệm sắt thép.
Nhược điểm:
 Phát sinh nhiều vấn đề nghiên cứu.
Phần tử cơ bản là khóa điện tử V, là một van điều khiển hoàn toàn (GTO, IGBT,
MOSFET, BJT), được mắc nối tiếp giữa tải và nguồn. Diode D có vai trò quan
trọng trong sự hoạt động của sơ đồ, gọi là diode không. Diode này sẽ dẫn dòng
tải V khóa.
di
Khi V thông iR + L dt = E
di
Khi V khóa iR + L dt = 0

8
 Hình 1. 6 Sơ đồ nguyên lý
Từ 0 đến tx: V thông nối tải vào nguồn, Ut=E. Từ tx đến T, V khóa lại, tải bị cắt
khỏi nguồn, nếu tải có tính cảm, dòng tải tiếp tục duy trì qua Điôt, Ut=0
Tải trở cảm
+ Chế độ dòng liên tục
−T −ts
Q −t
E Ee −1 Q
iv = + −T
e ;
R R Q
1−e
−t x
−t−t x
E 1−e Q
iD = −T
e Q
; (1.9)
R Q
1−e
−T −t x
Q −t x
Ee −1 Q
∆I −T
(e −1)
R Q
1−e

+ Chế độ dòng gián đoạn

( ) ( )e
−t −t x −t x
E E (1.10)
i V = 1−e Q ; i D = 1−e Q Q
R R

Tải có sức phẩn điện động

di
Khi V thông iR + L dt = E - Ed
di
Khi V khóa iR + L dt = -Ed

+ Chế độ dòng liên tục

9
 −T−t x
E−E d E e Q −1 −1
iv = + eQ ;
R R −T
1−e Q
tx
Q −t −tx
−E E 1−e −1
iD = + e Q
(1.11)
Ed R −T
1−e Q

+ Chế độ dòng gián đoạn

( )
−t
(E−Ed )
iv = 1−e Q ;
R

( )
−t x −t−t x
−Ed E E−Ed
iD = + − e Q
e Q
(1.12)
R R R

Hình 1. 7 a, Dòng liên tục b, Dòng gián đoạn

Hình 1.7 là đồ thị dòng điện liên tục và gián đoạn tương ứng với các công thức
ở trên.

1.2: GIỚI THIỆU CÁC THÀNH PHẦN TRONG MẠCH XUNG ÁP MỘT
CHIỀU
*Các van dùng trong mạch xung áp

10
1.2.1: Thyristor
Thyristo là một phần tử bán dẫn cấu tạo từ bốn lớp tiếp giáp p-n-p-n, tạo ra ba
lớp tiếp giáp p-n. Thyristor có ba cực anot, catot, cực điều khiển G. Thyristor
gồm có các trạng thái: mở, khóa và đóng. Điều kiện để mở Thyristor là cần có
U AK >0 và có tín hiệu xung đưa vào cực điều khiển. Điều kiện để đóng là đặt

điện áp ngược lên A-K. Hình 1.6 là ký hiệu của Thyristor

Hình 1. 8 Ký hiệu
1.2.2: Tranzito

11
Là phần tử bán dẫn có cấu trúc gồm ba lớp bán dẫn p-n-p hoặc n-p-n, tạo
nên hai lớp tiếp giáp p-n. Cấu trúc này thường đưuọc gọi là BJT, được thể
hiện qua hình 1.9, 1.10, 1.11.

Hình 1. 9 Cấu tạo và ký hiệu của transistor

12
 Hình 1. 10 Quá trình quá độ của transistor

Hình 1. 11 Mạch trợ giúp đóng mở và thông số chính

13
1.2.3: MOSFET
MOSFET có cấu trúc bán dẫn cho phép điều khiển bằng điện áp với dòng
điện điều khiển cực nhỏ

Hình 1. 12 Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET

14
1.2.4: GTO
GTO có cấu trúc phức tạp hơn so với thyristo

Hình 1. 13 Cấu tạo, ký hiệu của GTO

1.3: GIỚI THIỆU CÁC MẠCH XUNG ÁP

1.3.1: Mạch xung áp một chiều có đảo chiều
Mạch xung áp một chiều có đảo chiều
Sơ đồ hình 1.4
Bộ biến đổi xung áp một chiều dùng van điều khiển IGBT có khả năng
thực hiện điều chỉnh điện áp và đảo chiều dòng điện phụ tải. Các diode đệm

15

Hình 1. 14 Bộ biến đổi đảo chiều

D1…D4 dùng để trả năng lượng phản kháng về nguồn và thực hiện quá trình
hãm tái sinh.
Trạng thái 1: E. > ED Động cơ sẽ làm việc ở góc phần tư thứ nhất. Năng
lượng cấp cho động cơ được lấy từ nguồn thông qua van T 1 và T2 dẫn trong
khoảng thời gian 0  t1. Trong thời gian còn lại của chu kỳ (t1T), năng lượng
tích trữ trong điện cảm sẽ duy trì cho dòng điện đi theo chiều cũ và khép mạch
qua T2 và D4 (hình 3.19f). Dòng điện tải được mô tả trên hình 1 là đường nét
liền.
Trạng thái 2: E. < ED, ). Động cơ làm việc ở góc phần tư thứ hai (chế độ
hãm).Trong khoảng thời gian 0  t1 động cơ sẽ trả năng lượng về nguồn thông
qua diode D1 và D2 (ID1 = ID2 = It; đường It là đường nét đứt trong sơ đồ ở hình 1).
Trong khoảng t1  T dòng tải sẽ khép mạch qua T 4 (T4 dẫn) và D2 (ID2=ID4=It).
Dòng tải sẽ có dạng như ở hình 2.h.
Trạng thái 3: E. = ED. Trong khoảng thời gian 0  t0 do ED > E. nên
động cơ sẽ trả năng lượng về nguồn thông qua diode D1 và D2 (iD1 = iD2 = it).

16
 Hình 1. 15 Biểu đồ xung trong bộ biến đổi đảo chiều

Trong khoảng t0  t1 do E. > ED động cơ chuyển sang làm việc ở chế độ
động cơ. Năng lượng từ nguồn qua các van T 1 và T2 được cấp cho động cơ (iT1 =
iT2 = it)
Trong khoảng thời gian t1  t2 lúc này T1 bị khoá, T4 mở. Năng lượng tích
trữ trong cuộn cảm sẽ cấp cho động cơ và duy trì dòng điện đi qua T2 và D4 (iT2 =
iD4 = it)
Trong khoảng t2  T khi năng lượng tích trữ trong điện cảm hết, sức điện
động của động cơ sẽ đảo chiều dòng điện và dòng tải sẽ khép mạch qua T4 và D2
(it = iD2 = iT4). Quá trình này tạo ra tích luỹ năng lượng trong điện cảm và khi T 4
bị khoá thì UAB > E và quá trình lặp lại như ban đầu.

17
 Mặc dù dòng điện tải đổi chiều, nhưng do có sự tham gia của T 4 và D4
vào quá trình làm việc nên trong khoảng t1  T điện áp trên tải (UAB) luôn bằng
không. Do đó dạng điện áp trên tải sẽ không bị biến dạng và thành phần sóng
điều hoà bậc cao trong điện áp phụ tải sẽ nhỏ nhất.

1.3.2: Mạch xung áp một chiều không đảo chiều:

Hình 1. 16 Mạch xung áp một chiều không đảo chiều

Bộ biến đổi xung áp (hình trên) cho phép điều chỉnh điện áp (U t)
lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp vào (E). Van điện tử T được đóng mở nhờ
tín hiệu điều khiển UG. Khi van dẫn điện, cuộn kháng K được tích một
năng lượng nhất định từ nguồn E (dòng nạp cho cuộn kháng là dòng i L1).
Tại thời điểm t1 van T bị khoá lại, sức điện động tự cảm của cuộn kháng
L sẽ duy trì dòng qua cuộn kháng vẫn theo chiều cũ, năng lượng tích trữ
trong cuộn kháng sẽ được nạp cho tải và tụ C (dòng i L2). Khi van T lại
dẫn điện, tụ C sẽ phóng điện qua tải và duy trì cho điện áp trên tải là bằng
phẳng, đồng thời cuộn kháng lại được tích năng lượng. Đồ thị điện áp và
dòng điện.
Tương ứng trong khoảng 0  t1, dòng qua van T là iT = iL1

Trong khoảng t1  T, dòng qua diode là ID = iL2

Điện áp trên cuộn kháng sẽ bằng E khi van T dẫn và khi van T
khoá sẽ có giá trị là –U1.

18
Hình 1. 17: Đồ thị xung của bộ xung áp một chiều không đảo chiều
Khi van T dẫn, diode sẽ chịu một điện áp ngược:
UD = E + UC = E + Ut (1.13)
Khi van T bị khoá, T sẽ có một điện áp thuận:
UT = E + UC = E + Ut (1.14)

Hình 1.18 Sơ đồ thay thế của bộ xung áp

R0 - Điện trở trong của nguồn; RT - Điện trở của van T; RD -
Điện trở của diode
Rt - Điện trở của tải; Et - Nguồn do tụ C tạo ra
19
 Giá trị của các điện trở tương đương trong sơ đồ thay thế sẽ
là:

(1.15)

(1.16)
Từ sơ đồ thay thế ta rút ra:

(1.17)
Trong đó: I0, IL, U1, E1, UR, It là các giá trị trung bình
Đường cong Ut sẽ có điểm cực trị đối với . Như vậy khi
thay đổi  ta có thể thay đổi được điện áp ra. Để đảm bảo có thể
tăng điện áp ra lớn hơn vào, điện trở trong của nguồn R 0 phải đủ
nhỏ (xem công thức (1.16). Nếu coi R 0 là không đáng kể, từ (1.17)
suy ra:

(1.18)
Có thể nhận thấy Ut < E0 khi 0 <  < 0,5 và Ut > E0 khi 0,5 <
 <1.

20
 CHƯƠNG 2: THIẾT KẾ MẠCH XUNG ÁP MỘT CHIỀU KHÔNG ĐẢO
CHIỀU
2.1: CÁC BỘ BIẾN ĐỔI XUNG ÁP MỘT CHIỀU KHÔNG ĐẢO CHIỀU
Theo nguyên lí hoạt động ta thấy rằng van bán dẫn thích hợp cho băm
xung một chiều phải là van cho phép điều khiển được cả mở và khóa, tức là van
điều khiển hoàn toàn, như các loại transistor hoặc GTO.

Hình 2. 1 Sơ đồ và đồ thị điện áp của băm xung áp một chiều

2.1.1: Van dùng Thyristor
Loại van bán điều khiển như thyristor là không phù hợp vì ở đây van phải
làm việc với điện áp một chiều và luôn là chiều thuận, do vậy không còn giai
đoạn điện áp âm của nguồn điện để khóa Thyristor như trong mạch chỉnh lưu
hay điều áp xoay chiều. Muốn sử dụng Transistor, buộc phải thiết kế các mạch
thực hiện chức năng khóa nó, gọi là mạch khóa cưỡng bức, mạch này thường
phức tạp và không tin cậy. Tuy nhiên vì trước đây công nghệ chưa chế tạo được
các van điều khiển hoàn toàn với công suất lớn, nên phải dùng.

21
2.1.2: Van dùng Transistor
Ngày nay các Transistor đã đủ sức thay thế các van Thyristor cả ở dài
công suất rất lớn. Trong đó hai loại van được dùng là MOSFET và IGBT với ưu
điểm vượt trội ở khả năng đóng cắt tốt, mạch điều khiển đơn giản và công suất
điền khiển lại khá nhỏ đến mức có thể IC hóa phần điều khiển; hơn nữa công
nghệ chế tạo chúng cũng không quá phức tạp.
Chính vì vậy, trong lính vực điện tử công suất, ngay cả loại van BJT vốn
còn được ứng dụng khá rộng rãi thời gian trước đây, thì đến thời điểm hiện tạo
đã bị thay thế bởi IGBT và BJT chỉ còn được dụng chủ yếu ở mạch điều khiển.
Khả năng làm việc của hai loại van này thể hiện ở đồ thị quan hệ áp – dòng ứng
dụng ở hình 2, qua đó ta thấy MOSFET thua kém hơn nhiều cả về khả năng
mang dòng và chịu điện áp, tuy nhiên MOSFET làm việc được với tần số mega
Hz, trong khi IGBT thường dưới 100kHz.

Hình 2. 2 Đồ thị điện áp của các van

Như vậy ta chọn mạch sử dụng Transistor để làm.

22
2.2: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN
2.2.1: Mạch băm xung một chiều
Ta chọn kiểu mạch băm xung một chiều kiểu nối tiếp:

Hình 2. 3 Sơ đồ các mạch băm xung

Nguyên lí làm việc: Chia ra hai giai đoạn làm việc: T 1 từ nguồn E chạy
qua Transistor qua L qua Rt trở về cực âm của nguồn
Trong khoảng thời gian còn lại, từ t 0 đến hết chu kì điều khiển, van Tran
khóa, điện cảm L phóng năng lượng tích lũy ở giai đoạn trước, dòng điện qua L
vẫn theo chiều cũ và chảy qua van đệm D (dòng i2), lúc này Ut = -Ud xấp xỉ 0.
Tùy theo dạng tải và tham số điều chỉnh mà chế độ dòng điện tải có thể
liên tục hay gián đoạn như trong thiết bị chỉnh lưu, nhưng thường mong muốn
chế độ dòng điện là liên tục. Vì vậy trong tính toán thiết kế cũng dựa trên việc
đảm bảo chế độ làm việc này cho BXMC, cũng vì thế dưới đây chỉ đề cập chế
độ này.

23
2.2.2: Các công thức tính toán
Trong chế độ dòng điện liên tục, tải có thể dạng RLE t hay RL (coi Et=0)
đều vẫn cho quan hệ điện áp ra tải như biểu thức cơ bản:
Ut= ¿ E=γE
T

(2.1)
Dòng trung bình qua tải:
Ut γE−Et
¿= =
Rt Rt
(2.2)
Bằng phương pháp giải mạch có qui luật biến thiên dòng điện tải trong hai giai
đoạn là:
−t −t
τ −1 τ
E a1 ( b 1−1 ) e Et ; i2= E (a 1−b1 )e − Et ;
i 1= −
Rt 1−a 1 Rt Rt 1−a1 Rt

−T
( )
Trong đó: a 1=exp τ ,b 1=exp ¿τ . ()
L
Còn: τ = Rt là hằng số thời gian của mạch tải.

Giá trị lớn nhất của dòng điện:

−1
E 1−b1 Et
I max= −
Rt 1−a1 Rt

(2.3)
Giá trị nhỏ nhất của dòng điện:
E a1 (b1 −1) Et
I min = −
Rt 1−a1 Rt

(2.4)
Độ dao động dòng tải:
E −1
∆ I=I max −I min= (1−b1 )¿ ¿
Rt

(2.5)

24
 Biểu thức này cho thấy độ đập mạch dòng không phụ thuộc vào tải là RL
hay RLEt, khi tải có sức điện động Et ảnh hưởng đến giá trị tức thời của dòng
điện làm giảm trị số một lượng bằng E t/Rt so với trường hợp tải RL. Có thể coi
gần đúng hệ số đập mạch theo biểu thức:
−1
∆ I (1−b1 )(1−a 1 b 1)
k đm= =
2 It 1−a1

(2.6)
Khảo sát cho thấy giá trị đập mạch dòng điện này phụ thuộc vào γ và đạt
được cực đại khi γ=0,5.

25
2.2.3: Tính toán chọn van
Vì quy luật dòng điện biến thiên dạng hàm số mũ, nên tính toán chính xác
các trị số trung bình dòng qua Transistor và diode sẽ cho các biểu thức tạp
không tiện sử dụng và cũng không thật sự cần thiết trong thực tế. Vì vậy thường
dùng phương pháp đơn giản hóa bằng cách coi dòng điện biến thiên tuyến tính
như hình
I max + I min
I t= (2.7)
2

Và phép tính tích phân theo i1 hay i2 chính là tính các diện tích hình thang,
sẽ được:
t0
1 1 (I max + I min ) t 0
I Tr = ∫ i 1 dt= =0,5 γ( I max + I min )
T 0 T 2

(2.7)
T −t 0
1
I D=
T
∫ i2 dt =0,5 ( 1−γ ) ( Imax + Imin )=I t −I Tr
0

(2.9)
Như vậy biểu thức tính dòng trung bình qua các van đã đơn giản hẳn đi.
Các biểu thức này cho thấy với cùng một dòng tải thì dòng điện qua Tran sẽ lớn
nhất khi γ=γ max, ngược lại với γ=γ minthì dòng điện qua diode D sẽ cực đại , dựa
vào đây người ta có thể xác định dòng trung bình lớn nhất chảy qua các van khi
làm việc để chọn van.
Điện áp lớn nhất van Tran phải chịu bằng điện áp nguồn E, điện áp ngược
lớn nhất đặt lên diode cũng bằng E.

26
2.3: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN
Dưới đây là sơ đồ của bộ biến đổi xung áp

Hình 2. 4 Sơ đồ bộ biến đổi xung áp

Công thức tính toán:
Giá trị trung bình của điện áp tại hai điểm A, B sẽ là:
1
1 t1 t1
U AB= ∫ E d t =E =Eγ ; γ =
T 0 t T

(2.10)
γ là hệ số điều chỉnh điện áp

Để tìm dòng tải ta dùng phương pháp toán tử Laplace: Nếu hàm số liên
tục thì ảnh Laplace của nó là:
x
F ( P )=∫ h(t) e (2.11)
− pt
dt
0

Và ngược lại nếu hàm h(t) được biểu diễn dưới dạng:
f (P)
h ( t )=∫
PF ( P)

27
thì:
f (0)
m
f (an ) a
h ( t )= +∑ e (2.12)
1
n

F (0) n=1 an F ( an)

an là nghiệm của phương trình đặc tính

Áp dụng công thức (2.10) ta tìm được ảnh của UAB:
− pt 1
E 1−e
U AB ( P )=
P 1−e− PT

Ảnh của dòng tải là:

U AB (P) E 1−e− pt 1
I ( P)= = (2.13)
Z( P) P (1−e−PT )(R+ PL)

Áp dụng công thức (2.11) ta tìm được dòng điện trong khoảng t - t1 là:
E
i 1=
R
¿ (2.14)

Trong khoảng t1: T là:

[
1−b−1
]
−t
E 1
i 2= 1− eτ
R 1−a1

(2.15)
Từ (2.14) và (2.15) ta xây dựng được đồ thị dòng điện và tương ứng là
dòng qua khóa điện từ và qua diode
L
τ = là hằng số thời gian của mạch tải.
R
−T −γT
τ τ
a 1=e ; b1=e

Cho các giá trị t = to và t = T - to ta tìm được:

−1
E 1−b
I max=
R 1−a 1

(2.16)
E (b1−1)a1
I min =
R 1−a1
(2.17)

Dòng trung bình qua van T sẽ là:

28
 [ ]
−1
E τ (1−b1 )(1−a1 b1)
I T= γ−
R T 1−a1

(2.18)
Dòng trung bình qua diode:

[ ]
−1
E τ (1−b 1 )(1−a1 b1)
I D=
RT 1−a1

(2.19)
Dòng trung bình qua tải:
E
I t=I T + I D= γ
R
(2.20)
Biểu thức (3.12) cho thấy dòng tải không phụ thuộc vào tần số đóng cắt
của van cũng như không phụ thuộc vào hằng số thời gian của mạch tải.
Biên độ đập mạch của dòng tải:
−1
E (1−b1 )(1−a 1 b1 )
∆ I max =I max−I min =
R 1−a1

Khi γ=0.5 thì ∆ I max đạt giá trị cực đại g.

Việc tính chọn van nhiều khi mang tính ước lệ vì khi chọn bao giờ cũng
có độ dự trữ nhất định nào đó. Do đó trong các tính toán không nhất thiết phải
tính chính xác dòng tải i1 để xác định giá trị của dòng qua van.
Để đơn giản phép tính người ta thường chọn:
E
I 1= γt :0 ≤ t ≤t 1 với γ=γ max
R
(2.21)
Và thay thế biểu thức (3.13) cho (3.6) để tính dòng trung bình qua các van.
Việc tính này cho kết quả sai số không quá 10% và có thể chấp nhận được
khi chọn van với một hệ số dự trữ nào đó.

29
 Từ các giá trị của it người ra dựng được đồ thị của dòng tải i t, dòng qua
GTO và qua diode (hình 3.8 d, e, f) cho trường hợp dòng tải là liên tục và khi
dòng gián đoạn (hình 3.8 g, h, i).
Hệ số đập mạch của điện áp ra:
∆ U AB (1−b−1
1 )(1−a1 b1 )
k đm= =
E 1−a 1

Khi năng lượng tích trữ trong điện cảm L là hữu hạn, sẽ xảy ra chế độ
dòng điện gián đoạn. Dòng qua diode đệm sẽ giảm về không trước khi khóa
điện từ T được đóng lại. Chế độ dòng điện gián đoạn sẽ làm tăng hệ số đập
mạch trên tải và làm giảm chất lượng đặc tính ngoài của bộ biến đổi.

30
 CHƯƠNG 3: TÍNH TOÁN VÀ MÔ PHỎNG
Vì mạch hoạt động ở dải 0 – 12V, nên động cơ sử dụng là:

Hình 3. 1 Động cơ DC GA12-N20

Thông số của động cơ GA12-N20 là:
Điện áp kích từ: U kt = 6 (V);
Dòng điện kích từ: I kt =0,07( A).

31
3.1: TÍNH CHỌN THIẾT BỊ ĐỘNG LỰC
Mạch động lực thiết kế có bốn linh kiện cần chọn: áptomat (AT),
tranzitor (T), điốt xả năng lượng (D), điện trở mồi kích từ. Các thiết bị này được
chọn căn cứ vào thông số: U kt và I kt .

HÌnh 3. 2 Sơ đồ mạch điều khiển băm áp bằng transistor lưỡng cực

3.1.1: Chọn tranzitor
Để thoả mãn điều kiện làm việc của mạch kích từ với thông số định mức
6V, 0,07A, chúng ta cần chú ý tới điều kiện làm việc cường kích của máy phát
điện. Theo điều kiện đó, mỗi khi cần cường kích dòng điện và điện áp kích từ
(trong trường hợp từ thông máy phát bị khử từ) có thể tăng tới 1,5 thông số định
mức.
Do đó tranzitor cần chọn phải đảm bảo làm việc được với thông số
U kt = 6 x 1,5 = 9 V,
I kt = 0,07 x 1,5 = 0,105 A.
Chọn điều kiện làm mát bằng cánh toả nhiệt, dòng điện định mức của tranzitor
được chọn
I c > K i . I kt =0,105 x 5=0,525 A
Chọn hệ số quá điện áp k U = 2,5, từ đó
U cco >2.5 x 9=22.5 V
Từ các thông số này chọn TRANSISTOR NPN TIP41C
Transistor TIP41C là transistor công suất thuộc loại transistor NPN.
TIP41C có Uc cực đại = 100V dòng Ic cực đại = 6A
Hệ số khuếch đại hFE trong khoảng 15 đến 75.
Thứ tự các chân từ trái qua phải: B C E

HÌnh 3. 3 Transistor NPN TIP41C

32
3.1.2: Chọn diode
Diode xả năng lượng có dòng điện làm việc lớn nhất chạy qua không thể
vượt quá 30% I kt , nghĩa là dòng điện lớn nhất của diode không vượt quá 0,3 x
0,105 = 0,0315A. Dòng điện này nhỏ, chọn điều kiện làm mát bằng vỏ diode lúc
đó dòng điện diode cần chọn I D > 10. 0,0315 = 0,315A, điện áp cũng chọn loại
tương tự như của tranzilor > 9 V .
Từ các thông số trên chọn diode loại DIOTEC MBRM110LT3G
I = 1A = 10V
3.1.3: Chọn diện trở hình thành điện áp Rp:
Ở chế độ không tải dòng điện kích từ vào khoảng 20% I dm= 0.2 x 0,07 =
0,014A. Điện áp khi kết thúc quá trình hình thành điện áp chọn 70%U dmdo đó
dòng điện kích lừ cần có để hình thành 70%U dm là 0,7 x 0,07 = 0,049A.
Gọi điện áp kích từ bằng điện áp định mức, điện trở mạch kích từ cần có
để dòng điện là 8.4A là:
U KT 6
R ΣKT = = =122,44 Ω (3.1)
I mồi 0,049
Điện trở cuộn dây kích từ:
U KT 6
R KT = = =85,71 Ω (3.2)
I KT 0,07
Điện trở phụ cần mắc thêm để hình thành điện áp:
R f =122,44−85,71=36,73 Ω (3.3)
3.2: THIẾT KẾ MẠCH
3.2.1: Thiết kế sơ đồ nguyên lí
Mạch điều khiển thiết kế theo nguyên lý mạch hình 3.4:

33
 Hình 3. 4 Sơ đồ mạch điểu khiển
Các khuếch đại thuật toán A1, A2, A3, A4, A5 chọn loại LM324N với nguồn
cấp là ±12V.
Chọn tần số điện áp tựa:
Cuộn dây kích từ máy phát có điện cảm khá lớn, dòng điện kích từ được
lọc đáng kể. Do đó, tần số của bộ băm áp không cần chọn quá cao. Vì vậy chọn
tần số khoảng 10kHz (chu kỳ dao động sóng tam giác T TG= 10-3s)
Chọn thông số mạch tạo điện áp tam giác
Các điện trở R1, R2 ta chọn R1 = R2 = 47 kΩ
Trị số C, R3 chọn từ biểu thức:

R1
T TG =4. R 3 . C . (3.4)
R2
Thay các R1, R2 vào công thức 3.4 ta được:

R3 .C=¿ 2,5.10-5
Chọn C =0.001 μF
Điện trở R3 được chọn:
10−4
R3 = −5
=25 kΩ (3.5)
2,5. 10
Điện áp đầu ra của A2 có trị số đỉnh bằng điện áp bão hoà của IC. Với
nguồn cấp 24V điện áp bão hoà của IC khoảng (80% - 90%).24V. Trị số này

34
vào khoảng 17,3V. Khuếch đại thuật toán A3 có nhiệm vụ kéo đường đặc tính
lên trên trục hoành (để phục vụ cho mục đích dễ đưa phản hồi). Các điện trở R4 ,
R5 chọn R4 = R5 = 68 kΩ .
Để nâng được đường điện áp tam giác lên trên trục hoành, khi đầu ra của
A2 có trị số 17,3V, chọn R6 = 0,5 x R4 = 34 kΩ. Chọn tiêu chuẩn R6 = 33kΩ.
Các điện trở R7 , R8 chọn 33 kΩ.
Ta có
UA4 17,3
R9 = = =8,75 kΩ (3.6)
I ra A 4 2.10−3
Chọn R9 = 5,1 kΩ
Bộ ghép quang chọn loại 4N35 có thông số; dòng vào chạy qua điốt cực
đại 60 mA, dòng ra trên colector tranzitor quang cực đại 150 mA, điện áp
tranzitor 30V, điện áp cách I1 3350V.
Tính chọn điện trở R10
12
R10 =
I DQ
Trong đó: dòng điện chạy qua diode quang có trị số khoảng (5 – 20) mA,
ta chọn 10 mA.
Theo thông số TRANSISTOR NPN TIP41C, chỉ cần dòng điện bazo transistor
3A là đủ để transistor mở hoàn toàn. Khi đó ta có điện trở R11 được tính:
100
R11= =33,33 Ω (3.7)
3
Chọn R11 = 33Ω thì ta có công suất điện trở này:
1002
P R 11= =303 W (3.8)
33
Vậy transistor đệm sẽ là Transistor MJ11032G
U cmax = 100V dòng I cmax cực đại = 30A

35
3.2.2 : Thiết kế nguồn cấp cho mạch điều khiển
Mạch điều khiển có hai hệ thống nguồn cấp cách li như hình 3.5.
Ta sử dụng Module L298 Mạch Cầu H Điều Khiển Động Cơ DC
 Có 2 bộ cầu H
 Sử dụng IC công suất L298N (ST NEW)
 Điện áp tín hiệu 5V/ 0mA-36mA
 Điện áp hoạt động của động cơ 5V-35V
 Dòng điều khiển động cơ 2A/1 mạch cầu H
 Nhiệt độ hoạt động -20 tới +135
 Công suất đầu ra 1 cầu H 25W

Hình 3. 5 MODULE L298

36
3.3 MÔ PHỎNG
3.3.1 Phần mềm mô phỏng
  Proteus là phần mềm cho phép mô phỏng hoạt động của mạch điện tử bao
gồm phần thiết kế mạch và viết chương trình điều khiển cho các họ vi điều
khiển như MCS-51, PIC, AVR, … 
Proteus là phần mềm mô phỏng mạch điện tử của Lancenter Electronics,
mô phỏng cho hầu hết các linh kiện điện tử thông dụng, đặc biệt hỗ trợ cho cả
các MCU như PIC, 8051, AVR, Motorola. 

Hình 3. 6 Dao diện proteus

Phần mềm bao gồm 2 chương trình: ISIS cho phép mô phỏng mạch và
ARES dùng để vẽ mạch in. Proteus là công cụ mô phỏng cho các loại Vi Điều
Khiển khá tốt, nó hỗ trợ các dòng VĐK PIC, 8051, PIC, dsPIC, AVR, HC11,
MSP430, ARM7/LPC2000 ... các giao tiếp I2C, SPI, CAN, USB, Ethenet, ...
ngoài ra còn mô phỏng các mạch số, mạch tương tự một cách hiệu quả. Proteus
là bộ công cụ chuyên về mô phỏng mạch điện tử.
  ISIS đã được nghiên cứu và phát triển trong hơn 12 năm và có hơn 12000
người dùng trên khắp thế giới. Sức mạnh của nó là có thể mô phỏng hoạt động
của các hệ vi điều khiển mà không cần thêm phần mềm phụ trợ nào. Sau đó,
phần mềm ISIS có thể xuất file sang ARES hoặc các phần mềm vẽ mạch in
khác. 

37
  Trong lĩnh vực giáo dục, ISIS có ưu điểm là hình ảnh mạch điện đẹp, cho
phép ta tùy chọn đường nét, màu sắc mạch điện, cũng như thiết kế theo các
mạch mẫu (templates) 
Những khả năng khác của ISIS là: 
• Tự động sắp xếp đường mạch và vẽ điểm giao đường mạch;
• Chọn đối tượng và thiết lập thông số cho đối tượng dễ dàng;
• Xuất file thống kê linh kiện cho mạch;
• Xuất ra file Netlist tương thích với các chương trình làm mạch in thông dụng; 
• Đối với người thiết kế mạch chuyên nghiệp, ISIS tích hợp nhiều công cụ giúp
cho việc quản lý mạch điện lớn, mạch điện có thể lên đến hàng ngàn linh kiện;
• Thiết kế theo cấu trúc (hierachical design);
• Khả năng tự động đánh số linh kiện.
3.3.2 Hình mô phỏng trên phần mềm
Sử dụng Proteus, ta xây dựng như hình 3.7

HÌnh 3. 7 Mạch xung áp một chiều không đảo chiều

Xây dựng mạch như trong hình, ta sẽ đo được dạng tín hiệu ra như hình
3.8

38
 HÌnh 3. 8 Tín hiệu ra
Kết luận: Vậy là mạch xây hoạt động tốt với
3.3.3 Mạch thực
Dựa trên số liệu và các thông số đã cho, ta xây dựng được mạch thực như
hình 3.9

HÌnh 3. 9 Mạch thực

Tài liệu tham khảo
Điện tử công suất – Võ Minh Chính – Phạm Quốc Hải – Trần Trọng Minh
39
Tính toán thiết kế thiết bị điện tử công suất – Trần Văn Thịnh
Tl084 datasheet
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/T/L/0/8/TL084A.shtml
Transitor https://linhkienvietnam.vn/transistor-npn-2n3055-to3-b7h5?
gclid=EAIaIQobChMIor-
58_2W5gIVkxWPCh1GWwyQEAQYAiABEgLxevD_BwE
Transistor đệm http://chipn24.com/transistor-tip41c-to220-id248.html
Diode https://www.tme.com/au/en/details/fe6a-dio/tht-universal-diodes/diotec-
semiconductor/fe6a/

Aptomat https://www.tme.com/vn/en/details/cls6-b2/circuit-breakers/eaton-
electric/

40