‫مقدمة ألشباة الموصالت‬

‫‪Introduction to semiconductor materials‬‬

‫تنقسم المواد من حيث قدرتها على توصيل الكهرباء إلى ثالث أنواع وهي كالتالي‪:‬‬
‫مواد موصلة ‪conductors‬‬ ‫‪-1‬‬
‫ومن أمثلتها المعادن كالنحاس وهذه المواد تتميز بصغر‪ .‬مقاومتها‪ .‬النوعية و التي تصل إلى ‪ 810‬أوم‪/‬متر ‪.‬‬
‫‪insulators‬‬ ‫‪ -2‬مواد عازلة‬
‫مثل المواد البالستيكية و تتميز بكبر مقاومتها النوعية والتي تصل إلى ‪ 1210‬أوم‪/‬متر‪. .‬‬
‫‪ -3‬مواد شبة موصلة ‪semiconductors‬‬
‫وهذه المواد تكون مقاومتها‪ .‬النوعية أقل بكثير من المواد العازلة ولكنها أكبر بكثير من المواد الموصلة‪.‬‬

‫تنفرد أشباة الموصالت بأن مقاومتها النوعية تتناقص بزيادة درجة الحرارة عكس المواد الموصلة التي‬
‫تزداد مقاومتها مع ازدياد‪ .‬درجة الحرارة‪ .‬ومن أمثلة المواد شبة الموصلة السيليكون والجرمانيوم‪. .‬‬
‫تنقسم المواد شبة الموصلة إلى نوعين‪ :‬مواد شبة موصلة نقية‪ ,‬ومواد شبة موصلة شائبة‪ .‬وتنقسم المواد‬
‫شبة الموصلة الشائبة إلى نوعين أيضا أحداهما تسمى ‪ P‬واألخرى تسمى ‪ N‬وسوف نتناول هذه األنواع‬
‫بالتفاصيل‪.‬‬
‫أوال‪ :‬أشباة الموصالت النقية ‪Intrinsic S.C‬‬
‫أشباه الموصالت النقية هي عبارة عن مادة شبة موصلة كالسيليكون مثال بدون إدخال أي ش‪..‬وائب‬
‫على البلورة ولكي نتعرف‪ .‬على كيفية مرور‪ .‬التي‪..‬ار داخ‪..‬ل ه‪..‬ذا الن‪..‬وع من ش‪..‬بة الموص‪..‬ل ن‪..‬درس ال‪..‬تركيب‬
‫الداخلي لهذه المواد بشئ من التفصيل‪.‬‬
‫تنتمي كال من م‪..‬ادتي الس‪..‬يليكون و الجرم‪..‬انيوم‪ .‬إلى عنص‪..‬ر المجموع‪..‬ة الرابع‪..‬ة و بالت‪..‬الي يحت‪..‬وى‪.‬‬
‫المدار الخارجي لذرات هذه المواد على أربعة الكترونات‪ .‬تكافؤ شكل (‪ )1‬وتترتب هذه ال‪.‬ذرات فيم‪.‬ا بينه‪..‬ا‬
‫بروابط تساهمية و تتكون نتيجة لذلك بلورات ذات شكل مكعبى‪ .‬ترتبط داخلة كل ذرة بأربعة ذرات أخرى‬
‫بأربعة روابط‪ .‬تساهمية تحتوى‪ .‬كل رابطة على إلكترونين ويوضح شكل (‪ )2‬طريقة االرتب‪..‬اط الجرم‪..‬انيوم‬
‫(‪.)Ge‬‬

‫شكل (‪)1‬‬
‫ومما تقدم نجد أن بلورة الجرمانيوم عند درجة الصفر المطلق ال تحتوى‪ .‬على الكترونات ح‪..‬رة يمكنه‪..‬ا أن‬
‫تساهم فى عملية التوصيل الكهربى‪ .‬ولكن عند درجات الحرارة األعلى من الصفر كدرج‪..‬ة ح‪..‬رارة الغرف‪..‬ة‬
‫مثال فأن بعض اإللكترونات تكتس‪..‬ب كمي‪..‬ة من الطاق‪..‬ة و تتح‪..‬رر من الرابط‪..‬ة وتتح‪..‬رك‪ .‬بطريق‪..‬ة عش‪..‬وائية‬
‫داخل البلورة‪ .‬وبالتالي عند تطبيق‪ .‬فرق جهد على العينة تكتسب هذه اإللكترونات طاقة حركة وتساهم‪ .‬في‬
‫التوصيل الكهربي‪.‬‬
‫ومع زيادة درجة الحرارة ينكسر عدد أكبر من الروابط التساهمية ويزداد عدد اإللكترونات الحرة‬
‫وبالتالي يزداد التوصيل‪ .‬وهذا يعني أن مقاومة الموصل تتناسب عكسيا مع درجة الحرارة ‪.‬‬
‫مع خروج الكترونين من الرابطة التساهمية تفقد الرابطة شحنة سالبة وتصبح شحنتها‪ .‬موجبة وتس‪.‬مي‪ .‬ه‪.‬ذه‬
‫المنطقة بالفجوة (‪ )Hole‬ويمكن لهذه الفجوة أن تكتسب إلكترون من اإللكترونات المتحررة من الروابط‪.‬‬
‫التس‪..‬اهمية ويع‪..‬رف‪ .‬ه‪..‬ذا الن‪..‬اتج باالتح‪..‬اد ( ‪ ) recombination‬ويش‪..‬مل على نقص ع‪..‬دد اإللكترون‪..‬ات‬
‫والفجوات‪ .‬وعند درجة حرارة معينة يكون معدل إنتاج اإللكترونات وفجوات متساوي مع مع‪..‬دل االتح‪..‬اد‬
‫وبذلك يبقى العدد الكلى للفجوات واإللكترونات‪ .‬الح‪.‬رة ث‪..‬ابت‪ .‬وتعت‪..‬بر ك‪..‬ل من اإللكترون‪.‬ات‪ .‬والفج‪.‬وات في‬
‫شبة الموصل حوامل الشحنة ( ‪ )charge carrier‬المس‪..‬ئولة عن التوص‪..‬يل داخ‪..‬ل بل‪..‬ورة ش‪..‬بة الموص‪..‬ل‬
‫حيث تعتبر الفجوة لها حركة عكس حركة اإللكترونات‪.‬‬
‫أشباه الموصالت الشائبة (‪) .Extrinsic S.C‬‬
‫إذا طعمنا بلورة السيليكون بكمية صغيرة جدا من مادة أخري ‪ ،‬فان ك‪.‬ل ذرة من ذرات ه‪.‬ذه الم‪.‬ادة س‪.‬وف‬
‫يأخذ مكان ذرة من ذرات السيليكون داخل الشبكة البلورية‪ .‬وحيث أن عدد الذرات الش‪..‬ائبة أص‪..‬غر بكث‪..‬ير‬
‫من عد ذرات السيليكون له‪..‬ذا يمكن أن نف‪..‬ترض أن‪..‬ة لن يح‪..‬دث اض‪..‬طراب في الش‪..‬بكية البلوري‪..‬ة‪ .‬وبالت‪..‬الي‬
‫تكون كل ذرة من ذرات المادة الشائبة محاطة بأربعة ذرات من مادة السيليكون ‪.‬‬
‫وتنقسم أشباه الموص‪.‬الت الش‪.‬ائبة إلى ن‪.‬وعين حس‪.‬ب الم‪.‬ادة ال‪.‬تي يتم به‪.‬ا التطعيم الن‪.‬وع األول يس‪.‬مى ‪N‬‬
‫والنوع الثاني يسمي ‪ P‬وسوف‪ .‬نتناولهم بالتفصيل‬

‫شكل(‪)2‬‬
 ‫النوع )‪N ( N -type S.C‬‬
‫إذا كانت المادة التي يتم بها التطعيم مادة خماسية التك‪.‬افؤ‪ .‬مث‪.‬ل‬
‫الزرنيخ فإن كل ذرة من ذرات هذه المادة س‪..‬وف ترتب‪.‬ط‪ .‬م‪..‬ع‬
‫أربعة ذرات من مادة الجيرمانيوم‪.‬‬
‫برواب‪..‬ط تس‪..‬اهميه داخ‪..‬ل الش‪..‬بكة البلوري‪..‬ة ‪ ،‬وبالت‪..‬الي يتبقى‬
‫إلكترون من المادة الخماسية غير مرتب‪..‬ط ب‪.‬أي رابط‪..‬ة فيك‪..‬ون‬
‫له القدرة علي الحركة بحرية داخل الشبكة البلورية ( شكل‪ . ) 3‬ولهذا نجد أن إضافة هذه المادة الخماس‪..‬ية‬
‫التكافؤ يعمل على زيادة نسبة اإللكترونات الحرة داخل البلورة م‪..‬ع بق‪..‬اء ع‪..‬دد الفج‪..‬وات كم‪..‬ا ه‪..‬و‪ .‬وتس‪..‬مى‪.‬‬
‫الح‪.‬امالت ‪ N‬في ه‪.‬ذه الحال‪.‬ة بالح‪.‬امالت األغلبي‪.‬ة و ‪ P‬بالح‪.‬امالت األقلي‪.‬ة‪ .‬وت‪.‬دعي البل‪.‬ورة من الن‪.‬وع ‪N‬‬
‫وهذه الزيادة في عدد اإللكترونات الحرة تعمل علي زيادة التوصيل لبل‪..‬ورة ش‪..‬بة الموص‪..‬ل ‪ N‬عن البل‪..‬ورة‬
‫النقية‬

‫شكل (‪)3‬‬
‫النوع ( ‪P ) P- type S. C‬‬
‫إذا تم تطعيم البل‪..‬ورة بم‪..‬ادة ثالثي‪..‬ة التك‪..‬افؤ ب‪..‬دال من الم‪..‬ادة خماس‪..‬ية التك‪..‬افؤ‪ . .‬ف‪..‬إن ثالث‪..‬ة فق‪..‬ط من ذرات‬
‫الجيرمانيوم‪ .‬رباعية التك‪..‬افؤ ترتب‪..‬ط م‪..‬ع ذرات الم‪..‬ادة الش‪..‬ائبة‬
‫وتتبقي ذرة من ذرات الجيرم‪...‬انيوم‪ .‬غ‪...‬ير مرتبط‪...‬ة ينقص‪...‬ها‬
‫إلك‪..‬ترون فيك‪..‬ون م‪..‬ا يس‪..‬مي ب‪..‬الفجوة ( ‪ )Hole‬في الرابط‪..‬ة‬
‫الرابع‪..‬ة ش‪..‬كل ( ‪ . ) 4‬وبالت‪..‬الي ي‪..‬زداد ع‪..‬دد الفج‪..‬وات داخ‪..‬ل‬
‫البل‪....‬ورة وتك‪....‬ون الح‪....‬امالت ‪ P‬هي الحوام‪....‬ل األغلبي‪....‬ة ‪.‬‬
‫والحامالت ‪ N‬هي الحوامل األقلية وتدعي البل‪..‬ورة بل‪..‬ورة من‬
‫النوع ‪ P‬وتعمل هذه الزيادة في الحامالت ‪ P‬أيضا علي زيادة‬
‫الموصلية للبلورة ‪.‬‬

‫شكل (‪)4‬‬
‫شبة الموصل الثنائي ( الوصلة الثنائية )‬
‫‪Semiconductor Diode or P-N Junction‬‬
‫عندما تتصل بلورتان ‪ N,P‬كما في شكل (‪ )5‬يطلق عليها اسم الوصلة الثنائي‪..‬ة أو ش‪..‬به الموص‪..‬ل الثن‪..‬ائي‬
‫وهو عبارة عن قطعة لها مقاومة منخفضة وسيأتي‪ .‬دراستها بالتفصيل‪.‬‬
‫شكل ( ‪)5‬‬