‫الفهرس‬

‫الفصل األول‪: ‬أشباه الموصالت‬

‫‪-1‬المقدمة ……………………………………………‬

‫‪-2‬تعريف أشباه الموصالت ………………………………………………‪..‬‬

‫‪ -3‬أنواع أشباه الموصالت ………………………………………………‪..‬‬

‫‪ ...........................................‬أشباه الموصالت النقية‪1.3 -‬‬

‫أشباه الموصالت الغير نقية ‪- 2.3 ......................................‬‬

‫‪ .........................................‬الموصالت من النوع السالب‪1.2.3-‬‬

‫‪ .........................................‬الموصالت من النوع الموجب‪2.2.3-‬‬

‫‪ .........................................................................‬الوصالت‪4.‬‬

‫‪ -1.4‬ثنائي الوصلة الدايود(‪............................................... ) P-N‬‬

‫‪ -2.4‬ثنائي الوصلة ‪))P-N‬عند اإلستقرار ‪............................................‬‬

‫‪ -3.4‬ثنائي الوصلة (‪)P-N‬عند تطبيق جهد اإلنحياز ‪..............................‬‬

‫‪ -1.3.4‬اإلنحياز األمامي(‪.......................................  )Forward Bias‬‬

‫‪ - 2.3.4‬اإلنحياز العكسي ‪..............................................................‬‬

 ‫‪-‬المقدمة‪: ‬‬
‫من المعروف أن جميع المواد تتكون من ذرات(‪ )atoms‬مكونة من نواة (‪ )nuclcus‬تح وي ن وعين من‬
‫األجس ام‪, ‬أح دهما م وجب الش حنة ويطل ق عليه ا بروتون ات والث اني متع ادل الش حنة يطل ق عليه ا‬
‫نيوترونات ‪,‬ويدور حول النواة ‪,‬وفي مدارات ثابتة ‪,‬الكترونات سالبة الشحنة ‪ .‬وتعتمد مق درة م ادة معين ة‬
‫على ايصال التيار الكهربائي على مقدار ارتب اط الكترون ات الم دار الخ ارجي ‪,‬وال تي تس مى الكترون ات‬
‫التكافؤ (‪, )valence electrons‬مع نواة الذرة ‪,‬ويمكن تصنيف الم واد من حيث مق درتها على ايص ال‬
‫التيار الكهربائي الى ثالث ة أن واع هي الم واد الموص لة (‪)conductors‬والم واد العازل ة(‪)insulators‬‬
‫والمواد شبه الموصلة (‪)11(.)semiconductors‬‬

‫المواد الموصلة‪ : ‬في المواد الموصلة يكون ارتباط الكترونات التكافؤ مع الن واة ض عيفا ويمكن لتل ك‬ ‫‪.1‬‬
‫االلكترون ات ان تتح رر من ذراته ا وتتح رك حرك ة عش وائية بين ال ذرات ‪ ,‬وإذا تعرض ت ه ذه‬
‫االلكترونات لمجال كهربائي فإنها تكون تيارا كهربائيا ‪ .‬ومن أمثلة المواد الموص لة كهربائي ا الفض ة‬
‫والنحاس واأللمنيوم ومختلف المعادن األخرى‪)11(.‬‬
‫المواد العازلة‪ : ‬وفي المواد العازلة تكون قوة جذب النواة إللكترونات التكافؤ كبير وال تس تطيع ه ذه‬ ‫‪.2‬‬
‫اإللكترون ات اإلفالت من ال ذرة عن د تعرض ها لمج ال كهرب ائي ‪ .‬ومن أمثل ة الم واد العازل ة‬
‫الورق ‪,‬الزجاج ‪,‬المايكا ‪,‬البالستيك ‪ ,‬المطاط وغيرها ‪)11(.‬‬
‫المواد شبه موصلة ‪ :‬أما المواد شبه الموصلة فإن قابليتها إليصال التيار الكهرب ائي تك ون بين تل ك‬ ‫‪.3‬‬
‫التي للعوازل وتلك التي للموصالت ‪.‬ومن أمثلة المواد شبه الموصلة السيلكون والجرمانيوم ‪)11(.‬‬

‫‪ -2‬تعري‪88‬ف أش‪88‬باه الموص‪88‬الت‪ : ‬هي من أهم عناص ر االلكترون ات الحديث ة وي وحي اس م أش باه‬
‫الموصالت بأنها المواد أو العناص ر ال تي بمق درتها توص يل التي ار الكهرب ائي لكن ليس بوج ود توص يل‬
‫الموصالت الجيدة مثل (النحاس) ولكنها أفضل من العوازل الجيدة (مثل المايكا)إن أكثر المواد والعناصر‬
‫المس تخدمة في ص ناعة أش باه الموص الت هم ا عنص ري الس يلكون ‪Si‬والجرم انيوم ‪ Ge‬والجرم انيوم‬
‫والفرق بينهما ان ذرة السيلكون تحتوي على ‪ 14‬إلك ترون والجرم انيوم ‪ 32‬إلك ترون حيث تحت وي ك ل‬
‫منهما على أربعة الكترونات حرة في المدار االخير حتى يكتمل نقاط التكافؤ البد ان تشارك األربعة ال تي‬
‫حولها بالكتروناتها وتسمى هذه الرابطة بالرابطة التساهمية الكترونات حرة لعدم وج ود الكترون ات ح رة‬
‫تكون القابلية لتوصيل التيار الكهربائي ضعيفة اقرب إلى المواد العازلة في صورتها النقية ‪) (.‬‬
 ‫‪ -3‬أنواع أشباه الموصالت‪: ‬‬
‫‪- 1.3‬أشباه الموصالت النقية‪: ‬‬

‫الشكل ‪ 1‬ذرة السيلكون النقية‬

‫ومن أش هر الم واد الش به الموص لة (عناص ر المجموع ة الرابع ة) في الج دول ال دوري (الجرم انيوم‬
‫‪)32‬و(السيلكون ‪, )14‬حيث أن كل منهما رباعي التكافؤ فتتحد ك ل ذرة من ذرات الجرم انيوم م ع أرب ع‬
‫ذرات من ذرات جرمانيوم مجاورة بروابط تساهمية بحيث تصبح أي ذرة محاطة بثمانية إلكترونات كم ا‬
‫بالشكل التالي لتكوين بلورة جرمانيوم نقية‪( , ‬وبالمثل ذرات السيلكون)‪) 5(.‬‬

‫الشكل‪ 2‬يوضح بلورة جرمانيوم نقية (‪)3‬و(‪)7‬‬

‫الشكل ‪ 3‬أشكال توضح بلورة سيلكون نقية (‪)7‬و(‪)3‬‬

‫وتتميز أشباه الموصالت النقية بما يلي‪: ‬‬
‫‪ -1‬تك ون عازل ة تمام ا عن د درج ة ‪0‬كلفن لش دة ارتب اط اإللكترون ات ب ذراتها ‪.‬‬
‫‪ -2‬عند رفع درجة حرارتها تصبح الطاقة الحرارية كافية لكسر بعض الروابط بين الذرات فتحرر بعض‬
‫اإللكترونات تاركه مكانها فجوة (ثقب) وبذلك تصبح البلورة موصلة للكهربية عن طري ق الفج وات ال تي‬
‫تتح رك عكس اإللكترون ات‪ .‬وتكمن أهمي ة الفج وة في أن ه يمكن اعتباره ا ناقل ة للتي ار الكهرب ائي مث ل‬
‫اإللكترون وإليضاح ذلك فإننا نتخيل ما يحدث وه و أن إلكترون ا في ذرة مج اورة يمكن أن يتح رك ليمأل‬
‫تلك الفجوة ‪ ,‬وهكذا يمكننا أن نعتبر نظريا أن الفجوة تتحرك بعكس اتجاه حرك ة اإللك ترون ‪ ,‬وعلى ذل ك‬
‫يمكن إعتبار الفجوة تمثل شحنة موجبة مقدارها يساوي مقدار شحنة اإللكترون وتتحرك في اتجاه معاكس‬
‫لحركة اإللكترون ‪)7(.‬‬

‫‪ -2.3‬أشباه الموصالت الغير نقية‪ : ‬ه ذا الن وع من أش باه الموص الت يص نع عملي ا بعملي ه تس مى‬
‫الحقن التطعيم‪  ‬وهذه العملية عبارة عن إضافة‪  ‬كميه محدودة من الش وائب بغ رض زي ادة ع دد ح امالت‬
‫الشحن بصوره كبيره الشوائب المس تخدمة هي ذرات عناص ر خماس يه التك افؤ أو ثالثي ه التك افؤ بمع نى‬
‫وجود خمس أو ثالث الكترونات تكافؤ في مدارها االخير ان نسبه الشوائب المستخدمة تقع في المدى بين‬
‫واحد ذره تائب في كل‪106‬ذرة سيلكون‪  ‬نسبه الن الشوائب تشكل نسبه إلى جدا بالنسبة لعنصر الس يليكون‬
‫نجد ان الخصائص الفيزيائية والكيميائية ال تتغير ولكن الخصائص الكهربائي ة تتغ ير تغ يرا كب يرا وبن اء‬
‫على نوع الشوائب المضافة لش به الموص ل يمكن توص يف ش به الموص ل غ ير النقي إلى ن وعين س الب‬
‫‪N‬موجب ) ‪P. (1‬‬

‫‪-1.2.3‬الموصالت من النوع السالب‪N-TYPE: ‬‬

‫(‪)3‬و(‪)7‬‬ ‫الشكل ‪ 4‬أشكال توضح بلورة شبه الموصل غير النقي من النوع السالب‬
‫(‪)7‬و(‪)3‬‬

‫يصنع هذا النوع بإضافة ش وائب من العناص ر الخماس ية التك افؤ أي له ا خمس الكترون ات تك افؤ ومن‬
‫أمثلة‪  ‬هذه العناصر نجد الزرنيخ األنتيمون والفسفور الش كل {‪ }4‬يمث ل بل ورة من ه ذا الن وع الوحي د ان‬
‫االلكترونات الخامس للعنصر الشائب أصبح غير مرتب ط ب أي ذرة وبالت الي فه و إلك ترون ح ر إذن ه ذا‬
‫النوع موصل حتى عن د درج ة ح رارة الص فر المطل ق أم ا عن د درج ة ح رارة الغرف ة س نجد أن بعض‬
‫الكترونات التكافؤ قد تحررت من مداراتها وكونت أزواجا من حامالت الشحن (إلك ترون ‪ +‬فج وة) فمثال‬
‫إذا كان عدد االلكترونات‪ ‬مرتبط بأي ذرة وبالتالي فه و إلك ترون ح ر إذن ه ذا الن وع موص ل ح تى عن د‬
‫درجه حرارة الصفر المطلق أما عند درجة حرارة الغرفة سنجد ان بعض الكترونات التكافؤ قد تح ررت‬
‫من مداراتها وك ونت أزواج ا من ح امالت الش حن (إلك ترون ‪ +‬فج وة) فمثال إذا ك ان ع دد االلكترون ات‬
‫الحرة‪  ‬نتيجة إلدخال الشوائب هي ‪ 10‬فإن اإللكترون الحادي عش ر ه و نتيج ة إلرتف اع درج ة الح رارة‬
‫وهو يمثل زوجا مع الفجوة الظاهرة بشكل{ ‪ }5‬بما ان الذرات خماسية التك افؤ تض يف إلكترون ا ح ر إلى‬
‫البلورة فإنها تسمى ذرات مانحة‪  ‬يطلق على الش كل{‪ }4‬بح امالت األغلبي ة أم ا الفج وة تس مى بح امالت‬
‫األقلية ونجد أيضا ان عدد االلكترونات الحرة ال يساوي عدد الفجوات كما ك ان الح ال في ش به الموص ل‬
‫النقي‪)1(. ‬‬

‫‪-2.2.3‬الموصالت من النوع الموجب‪ P-TYPE: ‬عند إضافة شوائب تحتوي في م دارها األخ ير‬
‫على ثالثة الكترونات إلى مادة السيلكون أو الجرمانيوم فإن اإللكترونات الثالثة للمادة الشائبة ترتبط م ع‬
‫ذرات السيلكون أو الجرمانيوم بروابط تساهمية بينما تبقى الرابط ة الرابع ة غ ير مكتمل ة مم ا ي ؤدي إلى‬
‫تك ون فج وة ‪ Hole‬عن دما تكتس ب إلك ترون من ال ذرة الرابع ة للس يلكون أو الجرم انيوم ول ذلك تس مى‬
‫بالشوائب القابلة ‪ Acceptor‬وكما في الشكل أدناه ‪)5( .‬‬

‫الشكل‪ 5‬أشكال توضح بلورة شبه الموصل غير النقي من النوع الموجب (‪)3‬و(‪)7‬‬
‫) (‬
‫‪.4‬الوصالت‪: ‬‬
‫‪ -1.4‬ثنائي الوصلة الدايود (‪The P-N Junction Diode : ) P-N‬هي أداة مكونة من‬
‫بلورتين من شبه موصل إحداهما من النوع السالب واألخرى من النوع الموجب والغرض منها تقويم‬
‫التيار المتردد إلى تيار مستمر ‪.‬‬

‫(‪)6‬‬ ‫الشكل ‪ 6‬الوصلة الثنائية الدايود‬

‫وتستخدم الوصلة الثنائية في األجهزة اإللكترونية مثل (الراديو والتلفاز والكمبيوتر والتلفونات‪)6( )...‬‬
 ‫ويمز لها في الدوائر اإللكترونية بالرمز‪: ‬‬

‫الشكل ‪7‬رمز الدايود في الدوائر اإللكترونية (‪)6‬‬

‫)(‬

‫وتركب الوصلة الثنائية من نوعين من أشباه الموصالت وهما شبه موصل من النوع السالب (‪)N-Type‬‬
‫(‪ )N-Type‬مع البلورة‬ ‫وشبه موصل من النوع الموجب ((‪ P-Type‬فعند وصل البلورة السالبة‬
‫الموجبة ((‪ P-Type‬فإن بعض إلكترونات البلورة السالبة تنتقل عبر منطقة االتصال إلى البلورة الموجبة‬
‫لتمأل بعض الفجوات ومن المعلوم بأن البلورة السالبة والبلورة الموجبة قبل التصاقهما متعادلتان كهربائيا‬
‫ونتيجة لاللتصاق فإن فقد البلورة السالبة لإللكترونات يصبح جهدها موجب والبلورة الموجبة تكتسب‬
‫إلكترونات فيصبح جهدها سالب فينشا على جانبي الوصلة من جهة االتصال منطقة خالية من حامالت‬
‫الشحنة سمكها تقريبا (‪ 2‬ميكرون) تسمى بمنطقة الجهد الحاجز ‪)6( .‬‬

‫الجهد الحاجز‪ : ‬هو الجهد الذي يكفي لمنع عبور المزيد من اإللكترونات من البلورة السالبة إلى البلورة‬
‫الموجبة ‪.‬‬

‫العوامل‪ 8‬التي يتوقف عليها مقدار الجهد الحاجز للوصلة الثنائية‪: ‬‬

‫درجة الحرارة‪ : ‬يتناسب الجهد طردا مع درجة الحرارة (بزيادة درجة الحرارة يزداد الجهد الحاجز)‬ ‫‪.1‬‬
‫نسبة الشوائب المضافة‪: ‬التناسب طردي (بزيادة نسبة الشوائب يزداد الجهد الحاجز)‪.‬‬ ‫‪.2‬‬
‫نوع مادة شبه الموصل‪ ‬المستخدمة في تصنيع البلورتين السالبة والموجبة ‪)6( .‬‬ ‫‪.3‬‬

‫‪ -2.4‬ثنائي‪ 8‬الوصلة عند اإلستقرار‪ : ‬عند تشكيل الوصلة الثنائي ة (‪  )P-N Jnction‬يك ون ترك يز‬
‫كل من اإللكترون ات والفج وات على ج انبي الوص لة بين الم ادتين كم ا ه و موض ح بالش كل المج اور ‪.‬‬
‫ونتيجة لهذا االختالف في التركيز فإن بعض اإللكترونات تنتشر من الوصلة السالبة إلى الوصلة الموجبة‬
‫المج اورة له ا‪ ،‬كم ا تنتش ر بعض الفج وات من الوص لة الموجب ة إلى الوص لة الس البة‪ ،‬وله ذا ف إن كال‬
‫اإللكترونات والفجوات في المنطقة القريبة من الوصلة تختفي وتص بح ه ذه المنطق ة خالي ة من الش حنات‬
‫الحرة حيث يحل مكانها أيونات موجب ة في الوص لة الس البة وأيون ات س البة في الوص لة الموجب ة أي إن‬
‫االلكترونات والفجوات الموجودة في منطقة االتصال سوف تتعادل م ع بعض ها لتش كل منطق ة خالي ة من‬
‫الشحنات تسمى منطقة االستنزاف (‪  .)depletion region‬كما بالشكل ‪ ‬ويعتم د ع رض ه ذه المنطق ة‬
‫على نسبة تركيز الشوائب في مادة شبه الموصل‪ ،‬وبذلك ينشأ فرق جهد على جانبي الوص لة يطل ق علي ه‬
‫اسم الجهد الحاجز(‪ ، )Barrier Voltage‬يمنع مرور الشحنات بنوعيها من خالل منطقة الع زل ويص ل‬
‫الدايود إلى حالة االستقرار (‪.)10‬‬

‫نظراً لعدم إمكانية التنقي ة التام ة لم ادة الس ليكون (أو الجرم انيوم) وال تي تص نع منه ا البلورت ان الس البة‬
‫والموجبة للدايود فسوف يكون هناك بعض األيونات الموجبة في البل ورة الس البة وك ذلك بعض األيون ات‬
‫الس البة أو االلكترون ات الح رة في البل ورة الموجب ة‪.‬ومم ا يجب ذك ره ان ك ل من األيون ات الموجب ة في‬
‫البل ورة الس البة وااللكترون ات أو األيون ات الس البة في البل ورة الموجب ة تس مى ن اقالت التي ار األقلي ة (‬
‫‪ ،)minority carriers‬بينم ا تس مى االلكترون ات في البل ورة الس البة وااليون ات الموجب ة في البل ورة‬
‫الموجبة ناقالت التيار األغلبية ‪)10(. )majority carriers(.‬‬

‫(‪)13‬‬ ‫الشكل‪ 8‬وصلة الدايود عند اإلستقرار‬

‫‪ -3.4‬ثنائي الوصلة (‪)P-N‬عند تطبيق جهد اإلنحياز‪ : ‬يوجد نوعان من اإلنحياز هم ا اإلنحي از األم امي‬
‫‪ Forward Bias‬وال ذي يك ون عن ده جه د المنطق ة –‪ p‬موجب ا بالنس بة للمنطق ة ‪ .n‬اإلنحي از العكس ي‬
‫‪ Reverse Bias‬والذي يكون عنده جهد المنطقة ‪ -p‬موجبا بالنسبة للمنطقة )‪n- .(1‬‬

‫‪ -1.3.4‬اإلنحياز األمامي‪ :)  )Forward Bias‬ه و عب ارة عن توص يل ط رفي ال دايود بجه د‬
‫خ ارجي بطاري ة حيث يتم توص يل الط رف الم وجب لل دايود ‪ Anode‬ب الطرف الم وجب‬
‫للبطارية ‪.‬والطرف السالب للدايود ‪ Cathode‬بالطرف السالب للبطاري ة ‪ ,‬وفي ه ذه الحال ة يق ل ع رض‬
‫المنطقة الخالية من الشحنات غلى أن يصبح الجهد الخارجي المطبق على الموحد أكبر من الجهد الح اجز‬
‫وتكون المقاومة هنا صغيرة مما يسمح بمرور التيار الكهربائي في اتجاه واحد‪)12( .‬‬

‫الشكل ‪ 9‬ثنائي الوصلة في حالة اإلنحياز األمامي (‪)13‬‬

‫‪ -2.3.4‬اإلنحياز العكسي‪ : ‬في االنحي از العكس ي‪ ،‬يتم توص يل المنطق ة الس البة ب الطرف الم وجب‬
‫للبطارية ويتم توصيل المنطقة الموجبة بالطرف السالب‪ .‬يزيد الجهد العكسي من قوة حاجز الجهد‪ .‬يق اوم‬
‫حاجز الجهد تدفق حامل الشحنة عبر التقاطع‪ .‬إ ّنه يخلق مسارً ا عالي المقاومة ال يتدفق في ه أي تي ار ع بر‬
‫الدائرة‪)13(.‬‬

‫الشكل ‪ 9‬ثنائي الوصلة في حالة اإلنحياز العكسي (‪)13‬‬

 ‫‪ ‬مراجع الفصل األول‬

‫أشباه الموصالت‪ .‬م‪.‬مؤيد فايز القواسمية ‪.‬مكتبة المجتمع العربي طبعة ‪(1) 1426-2006‬‬

‫مبادئ اإللكترونيك )‪(2‬‬

‫اإللكترونات التماثلية المرحلة الثالثة أ‪.‬م إحسان ضياء البرماني جامعة بابل كلية التربية للعلوم )‪(3‬‬
‫الصرفية قسم الفيزياء‬

‫)‪(4‬‬

‫(‪www.researchgat.net )5‬‬

‫(‪ )6‬موقع تعليمي وثقافي الفريد ‪alfareed-ph.com‬‬

‫منتدى الدراسة والمناهج العلمية )‪(7‬‬

‫)‪(8‬‬

‫)‪(9‬‬

‫مجلة اإللكترونيات واإلتصال )‪(10‬‬

‫اإللكترونيات المعاصرة الجزء األول ‪.‬ياسين احمد الشبول )‪(11‬‬

‫(‪ )12‬إلكترونات الباشا ‪electronpashaa.com‬‬

‫(‪ )13‬الموسوعة التقنية ‪coreiten.com‬‬

‫)‪(14‬‬

‫)‪(15‬‬

‫)‪(16‬‬

‫)‪(17‬‬

‫))‪18‬‬

‫))‪19‬‬

‫))‪20‬‬
‫‪ ‬مراجع الفصل األول‬

‫)‪(1‬‬

‫)‪(2‬‬

‫)‪(3‬‬

‫)‪(4‬‬

‫)‪(5‬‬

‫)‪(6‬‬

‫)‪(7‬‬

‫)‪(8‬‬

‫)‪(9‬‬

‫)‪(10‬‬

‫)‪(11‬‬

‫)‪(12‬‬

‫)‪(13‬‬

‫)‪(14‬‬

‫)‪(15‬‬

‫)‪(16‬‬

‫)‪(17‬‬

‫))‪18‬‬

‫))‪19‬‬

‫))‪20‬‬