19/07/63

สารกึงตัวนํ าและไดโอด
!ง ค%ง )ว +
SEMICONDUCTOR AND DIODE
ๆ 1 กลาง ๆ

โดย
รองศาสตราจารย์ ดร. สาโรช พูลเทพ

Semiconductor 1

1
 19/07/63

สารกึงตัวนํ าและไดโอด
!ง ค%ง )ว +
SEMICONDUCTOR AND DIODE
ๆ 1 กลาง ๆ

โดย
รองศาสตราจารย์ ดร. สาโรช พูลเทพ

Semiconductor 1

1
 19/07/63

สารกึงตัวนํ าและไดโอด
!ง ค%ง )ว +
SEMICONDUCTOR AND DIODE
ๆ 1 กลาง ๆ

โดย
รองศาสตราจารย์ ดร. สาโรช พูลเทพ

Semiconductor 1

1
 19/07/63

เนือหาทีจะเรี ยน
1. นิยามและชนิดของสารกึงตัวนํา
2. ระดับพลังงาน (Energy Levels)
3. สารกึงตัวนําชนิดเอ็นและชนิ ดพี
4. การไบอัสตรงและไบอัสกลับ
5. ไดโอด (Diode)
6. ทรานซิสเตอร์ (Transistor)

Semiconductor 2

2
 19/07/63

นิยาม (Definitions)
Conductinity 50-100 %

ตัวนํา (Conductor) Ex โลหะ /เ1น ทองแดง ฯลฯ

คือ วัสดุใด ๆ ทียอมให้ประจุไฟฟ้ าไหลผ่านได้

Conductinity อ เอ %
ฉนวน (Insulator) Ex
.

ยาง แ9ว ไ; พลาส>ก ฯลฯ

คือ วัสดุใด ๆ ทีไม่ยอมให้ประจุไฟฟ้ าไหลผ่าน

"
Conductinity " "" "

สารกึงตัวนํา (Semiconductor) เออ % ม@ษB สIางJน มา

Insluator
| ม@ษB Cหนด Dา ใFGงานน สถานะใด
อยาก

คือ วัสดุหรื อสารทีนําไฟฟ้าได้ดีกว่าฉนวนแต่ดีสู้ตวั นําไม่ได้ สาร

กึ งตัว นํ า สํา คัญ ๆ ที ใช้ กั น อยู่ ม ากในปั จ จุ บ ั น ได้ แ ก่ ซิ ลิ ค อน (Si),
เจอร์เมเนี ยม (Ge) และแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) เป็ นต้น

Semiconductor 3

3
 19/07/63

ทําไมต้องเป็ นสารกึงตัวนํา? Conductiuity

การนําเอาสาร Si, Ge หรื อ GaAs มาทําเป็ นสารกึงตัวนํา หรื อนํามาสร้าง
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์มีเหตุผลสําคัญ 2 ประการ: ประMทNภาพ Pง
"

Purityf เปรม Q
-

ภาพ

1. เมือนําไปผ่านกระบวนการผลิตด้านอุตสาหกรรมแล้วได้ระดับความ
บริ สุทธิ สู ง จึงเหมาะสําหรับสร้างอุปกรณ์เล็กทรอนิกส์ทีมีประสิ ทธิภาพสูง

2. สามารถเปลี ยนแปลงคุ ณสมบัติได้โดยใช้ค วามร้ อนหรื อแสงสว่า ง

เหมาะสําหรับสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิ กส์ทีไวต่อความร้อนและไวต่อแสงสว่าง
sensitivitylsl

|
° "" "t
% g-
_

| Input
× เออ

Inputt Outputt % Pง

Outputt % R
Inputt Semiconductor 4

4
 19/07/63

3 Conduction Band

2 Cap Band

| Valence Band

TTTTTTTTTT
Excitatir 1 การ กระSน 1

ระดับพลังงาน (Energy Levels)

 พลัง งานของวาเลนซ์ อิ เ ล็ก ตรอนที ใช้ใ นการยึ ดติ ด กัน ได้ร ะหว่า งอะตอม
เรี ยกว่า พลังงานวาเลนซ์ (Valence Energy)
 ส่วนพลังงานทีจะทําให้อิเล็กตรอนเคลือนทีหลุดออกนอกวงโคจรได้ เรี ยกว่า
พลังงานนํากระแส (Conduction Energy)
 การพิจารณาระดับ พลังงานของอิ เล็กตรอนขณะเคลือนตัวอยู่ภายในอะตอม
และการหลุดวงโคจรจากอะตอมจะง่ายมากขึน ถ้าเราพิจารณาในรู ปของแถบพลังงาน
(Energy Band)
Semiconductor 5

5
 19/07/63

ในสภาพปกติ การทีอิ เล็กตรอน

ยัง หมุ น รอบอะตอมได้ นั น จะต้ อ งมี
ร ะ ดั บ พ ลั ง ง า น ว า เ ล น ซ์ อ ยู่ ใ น
แถบพลัง งานที เรี ย กว่า “แถบวาเลนซ์
(Valance Band)”

Semiconductor 6

6
 19/07/63

พลัง งานที แตกต่ า งกันระหว่ า งพลังงานในแถบวาเลนซ์ กับ แถบนํา กระแส เรา

เรี ยกว่า พลังงานช่ องว่ าง (Energy Gap : Eg)
• วัสดุทีเป็ นฉนวน (Insulator) มีค่า Eg มากทีสุด
• วัสดุสารกึงตัวนํา (Semi-conductor) มีค่า Eg รองลงมา
• วัสดุตวั นํา (Conductor) มีแถบวาเลนซ์และแถบนํากระแสเหลือมซ้อนกัน (The
Bands Overlap) ดังนันเมือจ่ายพลังงานจากภายนอกเพียงเล็กน้อยให้แก่วสั ดุตวั นําก็
จะทําให้ไฟฟ้ าไหลในวัสดุดงั กล่าวได้

Semiconductor 7

7
 19/07/63

สารกึงตัวนําชนิดเอ็นและชนิดพี
(N-type and P-type Semiconductor)

โดยปกติในการนําเอาสารกึ งตัวนําอย่างเช่ น Si , Ge หรื อ GaAs มาทํา

สิ งประดิษฐ์นนั เรามักจะเติมอะตอมของสารเจือปน (Impurity Atoms) เข้าไปในสารกึง
ตัวนํา ซึ งเราเรี ยกว่ากระบวนการโดป (Doping Process) ซึ งเป็ นสารนอกเหนื อจาก Si,
Ge หรื อ GaAs ลงในสารนันๆ การเติ มสารเจื อ ปนลงไป จะช่ วยทํา ให้สาร
กึงตัวนําทีมีอิเล็กตรอนหรื อโฮล (พาหะประจุมปี ระจุเป็ นบวก) มากขึน ซึงจะช่วยให้การ
นําไฟฟ้าดีขึน

Semiconductor 8

8
 19/07/63

สารกึงตัวนําชนิดเอ็น (N-type Semiconductor)

คือสารกึงตัวนําทีเติมสารเจือปน
ที มี ว า เ ล น ซ์ อิ เ ล็ ก ต ร อ น
5 ตัวต่ออะตอม เช่ น ฟอสฟอรัส (P)
อาร์เซนิก หรื อสารหนู (As) ฯลฯ ลงไป
ในสารกึ งตัวนําบริ สุทธิ ทีมีอิเล็กตรอน
เป็ นพาหะประจุ บางครังเราเรี ยกพาหะ
ที มี จํ า น ว น ม า ก ซึ ง ใ น ก ร ณี นี คื อ
อิเล็กตรอนว่า พาหะข้างมาก (Majority
Carriers) และเรี ยกพาหะที มีจาํ นวน
น้อย ซึ งในกรณี นีคือโฮลว่า พาหะส่ วน
ข้างน้อย (Minority Carriers)
Semiconductor 9

9
 19/07/63

สารกึงตัวนําชนิดพี (P-type Semiconductor)

คือ สารกึงตัวนําทีเติมสารเจือปน
ที มี ว า เ ล น ซ์ อิ เ ล็ ก ต ร อ น
3 ตัวต่ออะตอม เช่ น อิ นเดี ยม (In) ,
อะลูมิเนียม (Al) ฯลฯ ลงในสารกึงตัวนํา
บริ สุทธิ ทํา ให้ ได้ส ารกึ งตัว นํา ที มี โฮล
(ตัวนําไฟฟ้ามีประจุเป็ นบวก) เป็ นพาหะ
ประจุ (ในกรณี นีโฮล คือ พาหะส่ วนข้ าง
มาก และอิ เล็กตรอนเป็ นพาหะส่ วนข้ าง
น้ อย)

Semiconductor 10

10
 19/07/63

รอยต่ อพีเอ็น (P-N Junction)

ทีอุณหภูมิห้อง สาร P มี
โฮล จํ า น วน ม าก ซึ งเ กิ ดจา ก
การโดป (Doping) และมี
อิเล็กตรอนอิสระเพียงเล็กน้อยอัน
เกิดจากพลังงานความร้อน
ในทางกลับ กัน สาร N
ประกอบด้ว ยอิ เ ล็ ก ตรอนอิ ส ระ
เป็ นส่ ว นใหญ่ และมี โ ฮลเพี ย ง
เล็กน้อยที เกิ ดจากพลัง งานความ
ร้อนเช่นเดียวกัน

Semiconductor 11

11
 19/07/63

เขตปลอดพาหะ (Depletion Layer)

เราสามารถสร้ า งผลึก ซึ งประกอบด้วยสาร P และสาร N ต่ อกันได้ โดย
ช่วงเวลาชัวขณะหนึ งทีเรากําลังต่อสารทัง 2 เข้าด้วยกันนัน โฮลทังหมดยังคงอยู่ใน
สาร P และอิ เล็กตรอนอิ สระทุ กตัวก็ยงั อยู่ในสาร N ทังโฮลและอิเ ล็กตรอนอิ สระ
สามารถเคลือนทีได้อย่างอิสระทุ กทิ ศทาง แต่จะมี โฮลและอิ เล็กตรอนอิ สระบางตัว
เคลือนทีข้ามรอยต่อแล้วรวมตัวกัน
การรวมตัว กัน นี ทําให้เ กิ ดบริ เวณแคบ ๆ ที รอยต่ อ ซึ งเรี ยกว่า “เขตปลอด
พาหะ ” เพ ราะ การรวมตั ว นี เองทํ า ให้ เ ขตปลอด พาหะ ไม่ มี ทั งโฮลแ ละ
อิเล็กตรอนอิสระ มีแต่ประจุบวกและประจุลบเท่านัน

Semiconductor 12

12
 19/07/63

ศักย์ ไฟฟ้าขวางกัน (Barrier Potential)

ในขณะที เกิ ด เขตปลอดพาหะนี ก็จ ะเกิ ด ความต่ า งศัก ย์ร ะหว่ า งรอยต่ อ
เนื องจากประจุลบทางซ้าย และประจุบวกทางขวา ตามปกติความต่างศักย์นีจะมีค่า
มากพอทีจะทําให้ทงโฮลและอิ
ั เล็กตรอนอิสระไม่สามารถเคลือนข้ามรอยต่อได้อีก
ความต่ า งศั ก ย์ ที รอยต่ อ นี มี ชื อเรี ยกว่ า “ศัก ย์ ไ ฟฟ้ า ขวางกั น” โดยที
อุณหภูมิหอ้ งค่าศักย์ ไฟฟ้าขวางกันจะมีค่าประมาณ 0.3 V สํ าหรับเยอรมันเนียม และ
0.7 V สําหรับซิลกิ อน

Semiconductor 13

13
 19/07/63

ค่าศักย์ไฟฟ้ าขวางกันนี จะเปลียนตามอุณหภูมิ ทังเยอรมันเนี ยม

และซิ ลิกอน ล้วนแต่มีค่า ศักย์ไฟฟ้ าขวางกันลดลงประมาณ 2.5 mV ต่อ
อุ ณหภู มิทีเพิ มขึ น 1oC การเปลี ยนแปลงของศักย์ไฟฟ้ า ขวางกันจะ
เป็ นไปตามสมการ
V = -0.0025 T

ตัวอย่างเช่ น ถ้าอุณหภูมิเพิมขึน 40 oC สารกึงตัวนําทีทําจาก Ge

จะมีศกั ย์ไฟฟ้าขวางกันเท่าไร

V = -0.0025 x 40 = -0.1 V

สารกึงตัวนําทีทําจาก Ge จะมีศกั ย์ไฟฟ้าขวางกัน = 0.3-0.1 = 0.2 V

Semiconductor 14

14
 19/07/63

การไบอัสตรงและไบอัสกลับ
ผลึกทีสร้างจากสาร P-N จะยอมให้พาหะไหลได้ทิศทางเดียว จากรู ปศักย์ไฟฟ้ า
ขวางกัน จะพยายามกันไม่ให้โฮลและอิเล็กตรอนเคลือนทีข้ามรอยต่อมาได้ อย่างไรก็
ตามแบตเตอรี จะผลักโฮลและอิเล็กตรอนไปทีรอยต่อ เมือศักย์ไฟฟ้าของแบตเตอรี มีค่า
สู งเพียงพอทีจะเอาชนะศักย์ไฟฟ้ าขวางกันได้ ก็จะเกิ ดกระแสไหลอย่างต่อเนื อง ทังนี
เพราะโฮลและอิเล็กตรอนสามารถเคลือนทีข้ามรอยต่อได้เป็ นจํานวนมาก

การไบอัสตรง (Forward Bias)

Semiconductor 15

15
 19/07/63

การกลับขัวแบตเตอรี
Breakdom

การไบอัสกลับ (Reverse Bias)

Semiconductor 16

16
 19/07/63

เราลองพิจารณาดูจะเห็นว่าค่าศักย์ไฟฟ้าของแบตเตอรี จะช่วยไป
เสริ มกับศักย์ไฟฟ้าขวางกัน ในการกันไม่ให้กระแสพาหะไหลข้ามได้ ที
เราเรี ยกว่า “กระแสไหลย้อน”
กระแสไหลย้อนเกิ ดจากพลังงานความร้ อน ในสาร N มีจาํ นวน
โฮลอยู่เล็กน้อย ขณะที สาร P ก็มีอิเล็กตรอนอิ สระอยู่เล็กน้อยเช่นกัน
แบตเตอรี จะดันพาหะข้างน้อยนี ไปทีรอยต่อ พลังงานความร้อนจะทําให้
เกิ ดกระแสพาหะข้างน้อยนี ไหลอยู่ตลอดเวลาในตัวไดโอด นอกจาก
กระแสไหลย้อนอันเกิ ดจากพาหะข้างน้อยนี แล้ว ก็ยงั มี พาหะบางส่ วน
ไหลไปตามพื นผิ ว ของผลึ ก กระแสนี มี ชื อเรี ย กว่ า “กระแสรั วไหล
พืนผิว” ซึงค่าของมันจะแปรตามแรงดันโดยทัวไป

Semiconductor 17

17
 19/07/63

ไดโอด (Diode)
ไดโอดเป็ นอุปกรณ์ทีทําจากสารกึงตัวนําพีเอ็น สามารถควบคุมการไหล
ของกระแสไฟฟ้าจากภายนอกไหลผ่านตัวมันได้ทิศทางเดียว
ไดโอดประกอบด้วยขัว 2 ขัว คือ แอโนด (Anode : A) ซึ งต่อกับสารพี
และแคโธด (Cathode : K) ซึงต่อกับสารเอ็น

โครงสร้ างและสั ญญลักษณ์ ของไดโอด

Semiconductor 18

18
 19/07/63

ไดโอดในอุดมคติ (Ideal Diode)

ไดโอดในอุดมคติมีคุณสมบัติเหมือนสวิตช์ทีนํากระแสได้ทิศทางเดียว

ถ้าต่อแบตเตอรี ให้เป็ นแบบไบอัสตรงไดโอดจะเปรี ยบ เสมือนเป็ นสวิตช์

ปิ ด ในทางตรงข้ามถ้าต่อแบตเตอรี ให้เป็ นแบบไบอัสกลับไดโอดจะเปรี ยบเสมือน
เป็ นสวิตช์เปิ ด
Semiconductor 19

19
 19/07/63

VT จะมีค่าประมาณเท่ากับ 0.3 V สําหรับไดโอดชนิ ดเยอรมันเนี ยม และ

0.7 V สําหรับไดโอดชนิ ดซิ ลิกอน
Semiconductor 20

20
 19/07/63

ค่ากระแสสู งสุ ดขณะไบอัสตรง

(Maximum Forward Current)
ไดโอดสามารถทนกระแสได้จาํ กัด ถ้าเราป้อนแรงดันสู งเกินค่าแรงดันหัก
มุ มไปเรื อยๆ จนถึ ง จุ ด หนึ ง ซึ งกระแสไหลผ่ า นไดโอดมากจนมัน ทนไม่ ไ ด้
ไดโอดจะพัง ซึ งค่ากระแสค่านี ในไดโอดแต่ละตัวจะมีค่าไม่เท่ากัน เช่ น ไดโอด
เบอร์ 1N4001 มีค่ากระแสสู งสุ ด 1 A หมายความว่า ไดโอดสามารถทนกระแส
อย่างต่อเนืองในทิศทางไบอัสตรงได้ 1 A โดยไม่เสี ยหาย

Semiconductor 21

21
 19/07/63

วงจร ขยาย Vญญาณ

ทรานซิสเตอร์ (Transistor)
เป็ นอุ ปกรณ์ ส ารกึ งตัว นํา ในลัก ณะเดี ย วกับ ไดโอดคื อ นิ ย มสร้ า งจากสาร
ซิลิกอน หรื อเยอรมันเนี ยม ซึ งทรานซิ สเตอร์จะมีรอยต่อของสาร พี-เอ็น 2 ตําแหน่ ง
จึ งมี ชื อเรี ยกอี กอย่างหนึ งว่า ทรานซิ สเตอร์ รอยต่ อ ไบโพลาร์ (Bipolar Junction
Transistor : BJT)

คุณสมบัติทีดี ของทรานซิ สเตอร์ คือ ขนาดเล็กและเบาไม่ตอ้ งจํากัดอุณหภูมิใช้

งาน โครงสร้างแข็งแรง เป็ นอุปกรณ์ทีมีการสู ญเสี ยกําลังไฟฟ้ าตํา ใช้งานได้ทนั ทีและใช้
แรงดันตํา

Semiconductor 22

22
 19/07/63

กระแสและแรงดันทรานซิ สเตอร์
เนื องจากทรานซิ สเตอร์ เป็ นอุปกรณ์ทีมี 3 ขัว จึงมีกระแส และแรงดัน
หลายค่า

กระแสไฟฟ้ าทรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์เป็ นอุปกรณ์ทีถูกควบคุมด้วยกระแสเบส (Base Current : IB)
คือ เมือ IB เปลียนแปลงเพียงเล็กน้อยจะทําให้กระแสอิมิตเตอร์ (Emitter Current :
IE) และกระแสคอลเลคเตอร์ (Collector Current : IC) เปลียนแปลงไปด้วย

ถ้าเราทําการไบอัสทรานซิ สเตอร์ ในตําแหน่ งทีเหมาะสมก็จะได้ IE และ IC

มีขนาดเพิมขึน

Semiconductor 23

23
 19/07/63

โครงสร้ างของทรานซิสเตอร์ (Transistor Construction)

ทรานซิ สเตอร์ เป็ นอุปกรณ์สารกึ งตัวนํา ทีประกอบด้วยสาร พี-เอ็น 3 ชิ น

อาจประกอบด้วยสารพี 1 ชิน สารเอ็น 2 ชิ น หรื อสาร พี 2 ชิ น สารเอ็น 1 ชิ น ก็ได้
แต่ละชินของสารจะต่อขาออกมาภายนอก ซึงประกอบด้วยขาอิมิตเตอร์ (Emitter)
เบส (Base) และขาคอลเลคเตอร์ (Collector) ซึ งจากโครงสร้างนี เองจึงถูกเรี ยกว่า
ทรานซิ สเตอร์ชนิ ดเอ็นพีเอ็น (N-P-N) และพีเอ็นพี (P-N-P) ตามลําดับ

PWP
NPN Semiconductor 24

24
 19/07/63

ชนิดของทรานซิสเตอร์ (a) P-N-P (b) N-P-N

Semiconductor 25

25
 19/07/63

การจัดโครงสร้ างของทรานซิ สเตอร์ พืนฐาน

สามารถจัดให้อยูใ่ นรู ปวงจรได้ 3 แบบ คือ

1. เบสร่ วม (Common-Base)
2. อิมิตเตอร์ร่วม (Common-Emitter)
3. คอลเลคเตอร์ร่วม (Common-Collector)

Semiconductor 26

26
 19/07/63

เบสร่ วม (Common Base)

เป็ นการต่อวงจรที มี การจ่ายอินพุตให้ขวอิ
ั มิตเตอร์ และเอาต์พุต
ออกจากขัวคอลเลคเตอร์

วงจรเบสร่ วม (a) P-N-P Transistor (b) N-P-N Transistor

Semiconductor 27

27
 19/07/63

วงจรเบสร่ วมใช้ม ากในงานที ต้องการความถี สู ง มี อ ัตราการ

ขยายกระแสไฟฟ้าตํา อัตราการขยายแรงดันไฟฟ้ าสู งและแรงดันไฟฟ้ า
กระแสสลับอินพุตกับแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับเอาต์พุตจะ In phase กัน

เคอร์ ฟอินพุตหรื อเคอร์ ฟคุณลักษณะเบสของวงจรเบสร่ วมทีใช้ ซิลิกอนทรานซิสเตอร์

Semiconductor 28

28
 19/07/63

อิมิตเตอร์ ร่วม (Common Emitter)

เป็ นวงจรที มี การจ่ ายอิ นพุ ตให้กบั ขัวเบสและมี เอาต์พุตออกมา
จากขัวคอลเลคเตอร์

วงจรอิมิตเตอร์ ร่วม (a) N-P-N Transistor (b) P-N-P Transistor

Semiconductor 29

29
 19/07/63

วงจรอิมิตเตอร์ ร่วมมีอตั ราการขยายกระแสและอัตราการ ขยาย

แรงดันไฟฟ้าสู ง โดยมีการเลือนเฟสแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับอินพุตไป
ยังเอาต์พุต เป็ นมุม 180 องศา

วงจรอิมิตเตอร์ ร่วมทีใช้ ซิลิกอนทรานซิสเตอร์ (a) เคอร์ ฟคอลเลคเตอร์ (b) เคอร์ ฟเบส

Semiconductor 30

30
 19/07/63

คอลเลคเตอร์ ร่วมหรื อวงจรตามสั ญญาณอิมิตเตอร์

(Common Collector or Emitter Follower)
เป็ นวงจรทีมีการจ่ายอินพุตให้ขวเบส
ั และเอาต์พุตออกจากขัวอิมิตเตอร์

วงจรคอลเลคเตอร์ ร่วม
Semiconductor 31

31
 19/07/63

วงจรคอลเลคเตอร์ ร่วมมี อตั ราการขยายกระแสไฟฟ้ าสู ง แต่อตั ราการขยาย

แรงดันไฟฟ้ าตํา แรงดันไฟฟ้ า กระแสสลับอิ นพุตกับ แรงดันไฟฟ้ ากระแสสลับ
เอาต์พุตจะ In phase กัน

วงจรคอลเลคเตอร์ ร่วมทีมีอมิ พีแดนซ์

Semiconductor 32

32
 19/07/63

บริเวณจํากัดในการทํางานของทรานซิสเตอร์
ภายในทรานซิ สเตอร์ จะมีรอยต่อ พี-เอ็น เกิดขึน 2 ที คือ รอยต่ออิมิตเตอร์-
เบส (Emitter-Base Junction) และรอยต่อ คอลเลคเตอร์ -เบส (Collector-Base
Junction) แบ่งบริ เวณพิจารณาการทํางานของทรานได้ 3 บริ เวณด้วยกัน คือ

1. บริ เวณคัตออฟ (Cut-Off Region)

2. บริ เวณอิมตัว (Saturation Region)
3. บริ เวณแอกตีฟ (Active Region)

Semiconductor 33

33
 19/07/63

เคอร์ ฟคุณลักษณะการทํางานของทรานซิสเตอร์

Semiconductor 34

34
 19/07/63

Thank you for your attention!

Semiconductor 35

35