สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด

ไโ
SEMICONDUCTOR AND DIODE

โดย
ดร. สาโรช
โ พูลเทพ

Semiconductor 1
 เนื้ อหาที่จะเรี ยน
1. นิยามและชนิดของสารกึ่งตัวนํา
2. ระดับพลังงาน (Energy Levels)
3. สารกึ่งตัวนําชนิดเอ็นและชนิดพี
4. การไบอัสตรงและไบอัสกลับ
5. ไดโอด (Diode)
6. ทรานซิ สเตอร์ (Transistor)

Semiconductor 2
 นิยาม (Definitions)
ตัวนํา (Conductor)
คือ วัสดุใดๆ ที่ยอมให้ประจุไฟฟ้ าไหลผ่านได้

ฉนวน (Insulator)
คือ วสดุ
คอ วัสดใดๆ
ใดๆ ทไมยอมใหประจุ
ที่ไม่ยอมให้ประจไฟฟ้
ไฟฟาไหลผาน
าไหลผ่าน

สารกึง่ ตัวนํา (Semiconductor)

สารกงตวนา
คือ วัสดุหรื อสารที่นาํ ไฟฟ้ าได้ดีกว่าฉนวนแต่ดีสู้ตวั นําไม่ได้ สาร
กึ่ งตัวนําสําคัญ ๆ ที่ใช้กนั อยู่มากในปั จจุบนั ได้แก่ ซิ ลิคอน (Si) ,
เจอร์เมเนียม (Ge) และแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs)

Semiconductor 3
 ทําไมต้ องเป็ นสารกึง่ ตัวนํา?
การนาเอาสาร
การนํ าเอาสาร Si,
Si Ge หรอ มาทําเป็ นสารกึ่งตัวนํา หรอนามาสราง
หรื อ GaAs มาทาเปนสารกงตวนา หรื อนํามาสร้าง
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์มีเหตุผลสําคัญ 2 ประการ:

1. เมื่อนําไปผ่านกระบวนการผลิตด้านอุตสาหกรรมแล้วได้ระดับความ
์ ิ ง จึึงเหมาะสําํ หรบสร้
บรสุิ ทธสู ั ้างอุปกรณเล็
์ ก็ ทรอนกสที
ิ ์ ี่มีประสทธภาพสู
ิ ิ ง

22. สามารถเปลยนแปลงคุ
สามารถเปลี่ ยนแปลงคณสมบั
ณสมบตไดโดยใชความรอนหรอแสงสวาง
ติได้โดยใช้ความร้ อนหรื อแสงสว่าง
เหมาะสําหรับสร้างอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ไวต่อความร้อนและไวต่อแสงสว่าง

Semiconductor 4
 ระดับพลังงาน (Energy Levels)

‰ พลัง งานของวาเลนซ์ อิ เ ล็ก ตรอนที่ ใ ช้ใ นการยึ ด ติ ด กัน ได้ร ะหว่ า งอะตอม
เรี ยกว่า พลงงานวาเลนซ
เรยกวา พลังงานวาเลนซ์ (Valence Energy)
‰ ส่ วนพลังงานที่จะทําให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่หลุดออกนอกวงโคจรได้ เรี ยกว่า
พลังงานนํากระแส (Conduction Energy)
‰ การพจารณาระดบพลงงานของอเลกตรอนขณะเคลอนตวอยู
การพิ จารณาระดับพลังงานของอิเล็กตรอนขณะเคลื่อนตัวอย่ภายในอะตอม
และการหลุดวงโคจรจากอะตอมจะง่ายมากขึ้น ถ้าเราพิจารณาในรู ปของแถบพลังงาน
(Energy Band)
Semiconductor 5
 ใในสภาพปกติ ป ิ การที่ี อิเล็็กตรอน
ยัง หมุ น รอบอะตอมได้น้ ั น จะต้อ งมี
ร ะ ดัั บ พ ลัั ง ง า น ว า เ ล น ซ์์ อ ยู่ ใ น
แถบพลัง งานที่ เ รี ย กว่า “แถบวาเลนซ์
(Valance Band)”

Semiconductor 6
 ง งานที่ แ ตกต่ า งกัน ระหว่า งพลัง งานในแถบวาเลนซ์ ก ับ แถบนํา กระแส เรา
พลงงานทแตกตางกนระหวางพลงงานในแถบวาเลนซกบแถบนากระแส
พลั
เรี ยกว่า พลังงานช่ องว่ าง (Energy Gap : Eg)
• วัสดุท่ีเป็็ นฉนวน (Insulator) มีค่า Eg มากที่สุด
• วัสดุสารกึ่งตัวนํา (Semi-conductor) มีค่า Eg รองลงมา
• วัสดุตวั นํา (Conductor) มีแถบวาเลนซ์และแถบนํากระแสเหลื่อมซ้อนกัน (The
Bands Overlap) ดงนนเมอจายพลงงานจากภายนอกเพยงเลกนอยใหแกวสดุ
ดังนั้นเมื่อจ่ายพลังงานจากภายนอกเพียงเล็กน้อยให้แก่วสั ดตัตววนาก
นําก็
จะทําให้ไฟฟ้ าไหลในวัสดุดงั กล่าวได้

Semiconductor 7
 สารกึง่ ตัวนําชนิดเอ็นและชนิดพี
(N
(N-type andd PP-type Semiconductor)
S i d )

โดยปกติในการนําเอาสารกึ่งตัวนําอย่างเช่น Si , Ge หรื อ GaAs มาทํา

สิ่ งประดิษฐ์น้ นั เรามกจะเตมอะตอมของสารเจอปน
สงประดษฐนน เข้าไปในสารกึ่ง
เรามักจะเติมอะตอมของสารเจือปน (Impurity Atoms) เขาไปในสารกง
ตัวนํา ซึ่ งเราเรี ยกว่ากระบวนการโดป (Doping Process) ซึ่ งเป็ นสารนอกเหนือจาก Si,
Ge หรืื อ GaAs ลงในสารนั ใ ป ไป จะช่่วยทําํ ใให้้สาร
้ นั ๆ การเติิมสารเจืือปนลงไป
กึ่งตัวนําที่มีอิเล็กตรอนหรื อโฮล (พาหะประจุมีประจุเป็ นบวก) มากขึ้น ซึ่ งจะช่วยให้การ
นําไฟฟ้ าดีข้ ึน

Semiconductor 8
 สารกึง่ ตัวนําชนิดเอ็น (N-type Semiconductor)
คือสารกึ่งตัวนําที่เติมสารเจือปน
ที่ มี ว า เ ล น ซ์ อิ เ ล็ ก ต ร อ น
5 ตัวต่ออะตอม เช่น ฟอสฟอรัส (P)
อาร์เซนิก หรื อสารหนู (As) ฯลฯ ลงไป
ในสารกึ่ งตัวนําบริ สุ ทธิ์ ที่มีอิเล็กตรอน
เป็ นพาหะประจุ บางครั้งเราเรี ยกพาหะ
ทที่ มีม จจํ า น ว น ม า ก ซึซ่ ง ใ น ก ร ณีณ นีน้ คืค อ
อิเล็กตรอนว่า พาหะข้างมาก (Majority
Carriers) และเรยกพาหะทมจานวน
และเรี ยกพาหะที่มีจาํ นวน
น้อย ซึ่ งในกรณี น้ ี คือโฮลว่า พาหะส่ วน
ข้างน้อย (Minority
ขางนอย (Mi i Carriers)
C i )
Semiconductor 9
 สารกึง่ ตัวนําชนิดพี (P-type Semiconductor)
คือ สารกึ่งตัวนําที่เติมสารเจือปน
ที่ มี ว า เ ล น ซ์ อิ เ ล็ ก ต ร อ น
3 ตัวต่ออะตอม เช่น อินเดียม (In) ,
อะลูมิเนียม (Al) ฯลฯ ลงในสารกึ่งตัวนํา
บริ สุ ท ธิ์ ทํา ให้ไ ด้ส ารกึ่ ง ตัว นํา ที่ มี โ ฮล
(ตัวนําไฟฟ้ ามีประจุเป็ นบวก) เป็ นพาหะ
ประจ (ในกรณนโฮล
ประจุ (ในกรณี นีโ้ ฮล คอ คื อ พาหะส่
พาหะสวนขางวนข้ าง
มาก และอิ เล็กตรอนเป็ นพาหะส่ วนข้ าง
น้ อย)
นอย)

Semiconductor 10
 รอยต่ อพีเอ็น (P-N Junction)

ทีทอุ่อณ
ณหภมิ
หภูมหหอง อ้ ง สาร P มมี
โฮลจํ า นวนมาก ซึ่ งเกิ ดจาก
การโดป (Doping) และม และมี
อิเล็กตรอนอิสระเพียงเล็กน้อยอัน
เกิดจากพลังงานความร้อน
เกดจากพลงงานความรอน
ในทางกลับกัน สาร N
ป
ประกอบด้ ้ว ยอิิ เ ล็็ ก ตรอนอิิ ส ระ
เป็ นส่ ว นใหญ่ และมี โ ฮลเพี ย ง
เล็็กน้้อยที่ี เกิิ ดจากพลังงานความ
ร้อนเช่นเดียวกัน

Semiconductor 11
 เขตปลอดพาหะ (Depletion Layer)
เราสามารถสร้ างผลึ ก ซึ่ งประกอบด้วยสาร P และสาร N ต่ อกันได้ โดย
ช่วงเวลาชัว่ ขณะหนึ่ งที่เรากําลังต่อสารทั้ง 2 เข้าด้วยกันนั้น โฮลทั้งหมดยังคงอยู่ใน
สาร P และอิ เล็กตรอนอิ สระทุกตัวก็ยงั อยู่ในสาร N ทั้งโฮลและอิ เล็กตรอนอิ สระ
สามารถเคลื่อนที่ได้อย่างอิสระทุุกทิศทาง แต่จะมีโฮลและอิเล็กตรอนอิสระบางตัว
เคลื่อนที่ขา้ มรอยต่อแล้วรวมตัวกัน
การรวมตัวกันนี้ ทาํ ให้เกิ ดบริ เวณแคบ ๆ ทรอยตอซงเรยกวา
การรวมตวกนนทาใหเกดบรเวณแคบ ที่ รอยต่ อซึ่ งเรี ยกว่า “เขตปลอด
เขตปลอด
พาหะ” เพราะการรวมตั ว นี้ เองทํ า ให้ เ ขตปลอดพาหะไม่ มี ทั้ งโฮลและ
อิเล็กตรอนอิสระ มีมแตประจุ
อเลกตรอนอสระ แต่ประจบวกและประจลบเท่
บวกและประจุลบเทานน านั้น

Semiconductor 12
 ศักย์ ไฟฟ้าขวางกั้น ((Barrier Potential))
ในขณะที่ เ กิ ด เขตปลอดพาหะนี้ ก็ จ ะเกิ ด ความต่ า งศัก ย์ร ะหว่ า งรอยต่ อ
เนื่ องจากประจุลบทางซ้าย และประจุบวกทางขวา ตามปกติความต่างศักย์น้ ี จะมีค่า
มากพอทีี่จะทําํ ใให้ท้ ้ งั โฮลและอิ
โ ิเล็ก็ ตรอนอิิสระไม่ ไ ่สามารถเคลืื่อนข้า้ มรอยต่่อได้
ไ อ้ ีก
ความต่ า งศั ก ย์ ที่ ร อยต่ อ นี้ มี ชื่ อ เรี ยกว่ า “ศั ก ย์ ไ ฟฟ้ าขวางกั้ น” โดยที่
อุณหภูมิหอ้ งค่ าศักย์ ไฟฟ้าขวางกั้นจะมีค่าประมาณ 0.3 V สํ าหรับเยอรมันเนียม และ
0 7 V สาหรบซลกอน
0.7 สํ าหรับซิลกิ อน

Semiconductor 13
 ค่าศักย์ไฟฟ้ าขวางกั้นนี้ จะเปลี่ยนตามอุณหภูมิ ทั้งเยอรมันเนี ยม
และซิ ลิกอน ล้วนแต่มีค่า ศักย์ไฟฟ้ าขวางกั้นลดลงประมาณ 2.5 mV ต่อ
อุุณหภููมิที่เพิ่มขึ้น 1oC การเปลี่ยนแปลงของศักย์ไฟฟ้ าขวางกั้นจะ
เป็ นไปตามสมการ
ΔV = -0.0025
0 0025 ΔT

ตัวอย่างเช่น ถ้าอุณหภูมิเพิ่มขึ้น 40 oC สารกึ่งตัวนําที่ทาํ จาก Ge

จะมีศกั ย์ไฟฟ้ าขวางกั้นเท่าไร

ΔV = -00.0025
0025 x 40 = -00.11 V

่ งตัวนําที่ทาํ จาก Ge จะมศกยไฟฟาขวางกน

สารกงตวนาททาจาก
สารกึ จะมีศกั ย์ไฟฟ้ าขวางกั้น = 0.3-0.1
0 3 0 1 = 0.2
02V
Semiconductor 14
 การไบอัสตรงและไบอัสกลับ
ผลึกที่สร้างจากสาร P-N จะยอมให้พาหะไหลได้ทิศทางเดียว จากรู ปศักย์ไฟฟ้ า
ไ ่ให้้โฮลและอิิเล็็กตรอนเคลื่ือนทีี่ขา้ มรอยต่่อมาได้
ขวางกั้ นั จะพยายามกั้ นั ไม่ ไ ้ อย่า่ งไรก็
ไ ็
ตามแบตเตอรี่ จะผลักโฮลและอิเล็กตรอนไปที่รอยต่อ เมื่อศักย์ไฟฟ้ าของแบตเตอรี่ มีค่า
สู งเพียงพอที่จะเอาชนะศักย์ไฟฟ้ าขวางกั้นได้ ก็จะเกิดกระแสไหลอย่างต่อเนื่ อง ทั้งนี้
เพราะโฮลและอิเล็กตรอนสามารถเคลื่อนที่ขา้ มรอยต่อได้เป็ นจํานวนมาก

การไบอัสตรง (Forward Bias)

Semiconductor 15
การกลับขั้วแบตเตอรี่
การกลบขวแบตเตอร

การไบอัสกลับ (Reverse Bias)

Semiconductor 16
 เราลองพิจารณาดูจะเห็นว่าค่าศักย์ไฟฟ้ าของแบตเตอรี่ จะช่วยไป
เสริ มกับศักย์ไฟฟ้ าขวางกั้น ในการกันไม่ให้กระแสพาหะไหลข้ามได้ ที่
เราเรี ยกว่า “กระแสไหลย้อน”
กระแสไหลย้อนเกิดจากพลังงานความร้อน ในสาร N มจานวน
กระแสไหลยอนเกดจากพลงงานความรอน มีจาํ นวน
โฮลอยู่เล็กน้อย ขณะที่ สาร P ก็มีอิเล็กตรอนอิสระอยู่เล็กน้อยเช่ นกัน
ป ี่รอยต่่อ พลังั งานความร้้อนจะทําํ ใให้้
แบตเตอรีี่ จะดันั พาหะข้า้ งน้อ้ ยนี้ ีไปที
เกิ ดกระแสพาหะข้างน้อยนี้ ไหลอยู่ตลอดเวลาในตัวไดโอด นอกจาก
กระแสไหลย้ไ อ้ นอันเกิ ดจากพาหะข้า้ งน้้อยนี้ แล้ว้ ก็็ยงั มีพาหะบางส่ วน
ไหลไปตามพื้ น ผิ ว ของผลึ ก กระแสนี้ มี ชื่ อ เรี ย กว่ า “กระแสรั่ ว ไหล
พื้นผิว” ซึ่งค่าของมันจะแปรตามแรงดันโดยทัว่ ไป

Semiconductor 17
 ไดโอด (Diode)
(Di d )
ไดโอดเปนอุ
ไดโอดเป็ นอปกรณ์ ที่ทาํ จากสารกึ่งตัวนําพีเอ็น สามารถควบคุ
ปกรณททาจากสารกงตวนาพเอน สามารถควบคมการไหล
มการไหล
ของกระแสไฟฟ้ าจากภายนอกไหลผ่านตัวมันได้ทิศทางเดียว
ไดโอดประกอบด้วยขั้ว 2 ขว
ไดโอดประกอบดวยขว ขั้ว คืคออ แอโนด (Anode : A) ซงตอกบสารพ
ซึ่ งต่อกับสารพี
และแคโธด (Cathode : K) ซึ่ งต่อกับสารเอ็น

โครงสร้ างและสั ญญลักษณ์ ของไดโอด

Semiconductor 18
 ไดโอดในอดมคติ
ไดโอดในอุ ดมคต (Ideal Diode)
ไดโอดในอดมคติ
ไดโอดในอุ ดมคตมคุ
มีคณณสมบั
สมบตเหมอนสวตชทนากระแสไดทศทางเดยว
ติเหมือนสวิตช์ที่นาํ กระแสได้ทิศทางเดียว

ถ้าต่อแบตเตอรี่ ให้เป็ นแบบไบอัสตรงไดโอดจะเปรี ยบ เสมือนเป็ นสวิตช์

ปิ ด ในทางตรงข้ามถ้าต่อแบตเตอรี่ ให้เป็ นแบบไบอัสกลับไดโอดจะเปรี ยบเสมือน
เป็ นสวิตช์เปิ ด
Semiconductor 19
 VT จะมีค่าประมาณเท่ากับ 0.3 V สําหรับไดโอดชนิดเยอรมันเนียม และ
0 7 V สาหรบไดโอดชนดซลกอน
0.7 สําหรับไดโอดชนิดซิ ลิกอน
Semiconductor 20
 ค่คากระแสสู
ากระแสสงสดขณะไบอั
งสุ ดขณะไบอสตรง
สตรง
(Maximum Forward Current)
ไดโอดสามารถทนกระแสได้จาํ กัด ถ้าเราป้ อนแรงดันสู งเกินค่าแรงดันหัก
มุ ม ไปเรื
ไ ่ื อ ยๆ จนถึึ ง จุ ด หนึ่ ึ ง ซึ่ ึ ง กระแสไหลผ่
ไ า นไดโอดมากจนมั
ไ น ทนไม่
ไ ไ ด้้
ไดโอดจะพัง ซึ่ งค่ากระแสค่านี้ ในไดโอดแต่ละตัวจะมีค่าไม่เท่ากัน เช่น ไดโอด
เบอร์ 1N4001 มีค่ากระแสสู งสุ ด 1 A หมายความว่า ไดโอดสามารถทนกระแส
อย่างต่อเนื่องในทิศทางไบอัสตรงได้ 1 A โดยไมเสยหาย
อยางตอเนองในทศทางไบอสตรงได โดยไม่เสี ยหาย

Semiconductor 21
 ทรานซิสเตอร์ (Transistor)
เป็ นอุุ ป กรณ์ ส ารกึ่ ง ตัว นํา ในลัก ณะเดี ย วกับ ไดโอดคื อ นิ ย มสร้ า งจากสาร
ซิ ลิกอน หรื อเยอรมันเนี ยม ซึ่ งทรานซิ สเตอร์ จะมีรอยต่อของสาร พี-เอ็น 2 ตําแหน่ ง
จึงมีชื่อเรี ยกอีกอย่างหนึ่ งว่า ทรานซิ
จงมชอเรยกอกอยางหนงวา ทรานซสเตอรรอยตอไบโพลาร
สเตอร์ รอยต่อไบโพลาร์ (Bipolar Junction
Transistor : BJT)

คุณสมบัติที่ดีของทรานซิ สเตอร์ คือ ขนาดเล็กและเบาไม่ตอ้ งจํากัดอุณหภูมิใช้

งาน โครงสรางแขงแรง
โครงสร้างแข็งแรง เป็
เปนอุ
นอปกรณ์
ปกรณทมการสู
ที่มีการสญเสี
ญเสยกาลงไฟฟาตา
ยกําลังไฟฟ้ าตํ่า ใช้
ใชงานไดทนทและใช
งานได้ทนั ทีและใช้
แรงดันตํ่า

Semiconductor 22
 กระแสและแรงดันทรานซิสเตอร์
เนื่ องจากทรานซิ สเตอร์ เป็ นอปกรณ์
ุ ที่มี 3 ขั้ว จึงมีกระแส และแรงดัน
หลายค่า

กระแสไฟฟ้าทรานซิสเตอร์
ทรานซสเตอรเปนอุ
ิ ์ ป็ ปกรณทถู์ ี่ กควบคุมดวยกระแสเบส
้ (B Current
(Base C : IB )
คือ เมื่อ IB เปลี่ยนแปลงเพียงเล็กน้อยจะทําให้กระแสอิมิตเตอร์ (Emitter Current :
IE) และกระแสคอลเลคเตอร
และกระแสคอลเลคเตอร์ (Collector
(C ll t CCurrentt : IC) เปลยนแปลงไปดวย
เปลี่ยนแปลงไปด้วย

ถ้ถาเราทาการไบอสทรานซสเตอรในตาแหนงทเหมาะสมกจะได
าเราทําการไบอัสทรานซิ สเตอร์ ในตําแหน่งที่เหมาะสมก็จะได้ IE และ IC
มีขนาดเพิ่มขึ้น

Semiconductor 23
 โครงสร้ างของทรานซิสเตอร์ (Transistor Construction)

ทรานซิ สเตอร์ เป็ นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนํา ที่ประกอบด้วยสาร พี-เอ็น 3 ชิ้น

อาจประกอบด้วยสารพี 1 ชิ้น สารเอ็น 2 ชิ้น หรื อสาร พี 2 ชิ้น สารเอ็น 1 ชิ้น ก็ได้
แต่ละชิ้นของสารจะต่อขาออกมาภายนอก ซึ่ งประกอบด้วยขาอิมิตเตอร์ (Emitter)
เบส (Base) และขาคอลเลคเตอร
และขาคอลเลคเตอร์ (Collector) ซงจากโครงสรางนเองจงถู
ซึ่ งจากโครงสร้างนี้เองจึงถกเรี
กเรยกวา
ยกว่า
ทรานซิ สเตอร์ชนิดเอ็นพีเอ็น (N-P-N) และพีเอ็นพี (P-N-P) ตามลําดับ

Semiconductor 24
ชนิดของทรานซิสเตอร์ (a) P-N-P (b) N-P-N

Semiconductor 25
การจัดโครงสร้ างของทรานซิสเตอร์ พนื้ ฐาน

สามารถจัดให้อยูใ่ นรู ปวงจรได้ 3 แบบ คือ

1. เบสร่ วม (Common-Base)
( )
2. อิมิตเตอร์ร่วม (Common-Emitter)
3. คอลเลคเตอร์์ร่วม (Common-Collector)

Semiconductor 26
 เบสร่ วม (Common Base)
เป็ นการต่อวงจรที่มีการจ่ายอินพุตให้ข้ วั อิมิตเตอร์ และเอาต์พุต
ออกจากขั้ วั คอลเลคเตอร์์

วงจรเบสรวม
่ ( ) P-N-P Transistor
(a) i ((b)) N-P-N Transistor
i
Semiconductor 27
 วงจรเบสร่ ว มใช้ม ากในงานที่ ต้อ งการความถี่ สู ง มี อตั ราการ
ขยายกระแสไฟฟ้ าตํ่า อัตราการขยายแรงดันไฟฟ้ าสู งและแรงดันไฟฟ้ า
กระแสสลับอินพุตกับแรงดันไฟฟ้ ากระแสสลับเอาต์พตุ จะ In phase กัน

เคอร์ ฟอินพุตหรือเคอร์ ฟคุณลักษณะเบสของวงจรเบสร่ วมที่ใช้ ซิลกิ อนทรานซิสเตอร์

Semiconductor 28
อิมติ เตอร์ ร่วม (Common Emitter)
เป็ นวงจรที่มีการจ่ายอินพุตให้กบั ขั้วเบสและมี เอาต์พุตออกมา
จากขั้ วั คอลเลคเตอร์

วงจรอิมติ เตอร์ ร่วม (a) N-P-N

วงจรอมตเตอรรวม N P N Transistor (b) P-N-P
P N P Transistor
Semiconductor 29
 มิตเตอร์ ร่วมมีอตั ราการขยายกระแสและอัตราการ ขยาย
วงจรอมตเตอรรวมมอตราการขยายกระแสและอตราการ
วงจรอิ
แรงดันไฟฟ้ าสู ง โดยมีการเลื่อนเฟสแรงดันไฟฟ้ ากระแสสลับอินพุตไป
ยังเอาต์พต เปนมุ
ยงเอาตพุ เป็ นมมม 180 องศา

วงจรอิมติ เตอร์์ ร่วมทีใ่ ช้้ ซิลกิ อนทรานซิสเตอร์์ (a) เคอร์์ ฟคอลเลคเตอร์์ (b) เคอร์์ ฟเบส
Semiconductor 30
 คอลเลคเตอร์ ร่วมหรือวงจรตามสั ญญาณอิมติ เตอร์
(C
(Common Collector
C ll t or EEmitter
itt Follower)
F ll )
เป็ นวงจรที่มีการจ่ายอินพตให้
เปนวงจรทมการจายอนพุ ตใหขวเบส
ข้ วั เบส และเอาตพุ
แล เอาต์พตตออกจากขั
ออกจากขวอมตเตอร
้ วอิมิตเตอร์

วงจรคอลเลคเตอร์ ร่วม
Semiconductor 31
 วงจรคอลเลคเตอร์ ร่วมมีอตั ราการขยายกระแสไฟฟ้ าสงง แต่
วงจรคอลเลคเตอรรวมมอตราการขยายกระแสไฟฟาสู แตอตราการขยาย
อตั ราการขยาย
แรงดันไฟฟ้ าตํ่า แรงดันไฟฟ้ ากระแสสลับอิ นพุตกับแรงดันไฟฟ้ ากระแสสลับ
เอาต์พตจะ
เอาตพุตจะ In
I phase
h กน กัน

วงจรคอลเลคเตอร์ ร่วมทีม่ ีอมิ พีแดนซ์

Semiconductor 32
เคอร์ ฟเอาต์ พตุ หรือเคอร์ ฟคุณลักษณะคอลเลคเตอร์

Semiconductor 33
 บริเวณจํากัดในการทํางานของทรานซิสเตอร์
บรเวณจากดในการทางานของทรานซสเตอร
ภายในทรานซสเตอรจะมรอยตอ
ภายในทรานซิ สเตอร์ จะมีรอยต่อ พ-เอน
พี เอ็น เกิ
เกดขน
ดขึ้น 2 ทที่ คอ
คือ รอยตออมตเตอร-
รอยต่ออิมิตเตอร์
เบส (Emitter-Base Junction) และรอยต่อ คอลเลคเตอร์ -เบส (Collector-Base
Junction) แบ่่งบริิ เวณพิจิ ารณาการทําํ งานของทรานได้ ไ ้ 3 บริิ เวณด้ว้ ยกันั คืือ

1. บริิ เวณคัตั ออฟฟ (Cut-Off Region)

2. บริ เวณอิ่มตัว (Saturation Region)
3. บริ เวณแอกตีฟ (Active Region)

Semiconductor 34
เคอร์ ฟคุณลักษณะการทํางานของทรานซิสเตอร์

Semiconductor 35
Thank you for your attention!

Semiconductor 36