Professional Documents
Culture Documents
דף נוסחאות
דף נוסחאות
) 𝑟𝐸 1 𝜕(𝑟 2 )𝜃 1 𝜕(𝐸𝜃 sin ∅𝐸𝜕 1 𝜕(𝜌𝐸𝜌 ) 1 𝑧𝐸𝜕 𝑦𝐸𝜕 𝑥𝐸𝜕 דיברגנץ
+ + + + ⃑
𝑟 2 𝑟𝜕 𝜃 𝑟 sin 𝜃𝜕 𝜌𝜕 𝜌 ∅𝜕 𝜌 𝑥𝜕 𝑦𝜕 𝑧𝜕 𝑬∙𝛁
∅𝐸𝜕 1 𝑧𝐸𝜕
+ +
∅𝜕 𝜃 𝑟 sin 𝑧𝜕
𝐄 →→ 𝟎 ≡ ) ⃑⃑⃑
⃑ = −𝛁𝝍 = −
𝝍𝝏 משפט סטוקס
𝝍𝛁(𝐱𝛁 ̂𝒓 𝑨 ∮ = ⃑⃑⃑⃑⃑ ⃑⃑⃑⃑
𝒕𝝏 𝒂𝒅 ) ⃑
𝑨𝒙𝛁(∬ 𝒍𝒅 ⃑
∇ ∙ (∇𝑥𝐸⃑ ) ≡ 0 𝑺 𝑪
𝐻𝑥 ⃑𝐸( ∙ ∇
𝐻=)⃑
𝐻𝑥∇( ∙ ⃑𝐸 ⃑ ∙ (∇𝑥𝐸⃑ ) −
)⃑ משפט
⃑⃑⃑⃑
𝑎𝑑 𝐴 ∯ = 𝑣𝑑 )𝐴𝑥∇(∭ הדיוורגנט
⃑ ) ∙ 𝐶 = 𝐴 ∙ (B
𝐵𝑥𝐴( 𝐵 ∙ )𝐴𝑥 ⃑
⃑ 𝑥𝐶 ) = (C ⃑
𝑆
2 𝑄 ⃑
𝐴 ∙ ∇ ∇𝑥(∇𝑥𝐴) = ∇ ∙ (∇ ∙ 𝐴) − 𝑉∆ = C קיבול 𝐄𝛔 = 𝐉 חוק אוהם
𝑎 𝑙 1 התנגדות
⃑⃑⃑ ∙ ⃑𝐸 ∫ ∆V = 𝜓(𝑎) − 𝜓(𝑏) = −
𝑙𝑑 ∙ =𝑅 ( Aשטח חתך l ,אורך מסלול)
𝑏 𝐴 𝜎
ɸ חישוב השראות :תחילה נבצע ⋯ = ⃑⃑⃑⃑⃑
=𝑳 𝒂𝒅 ∙ ⃑⃑
𝑩 𝑺∬ = ɸואז באמצעות התוצאה נמצא השראות:
𝑰
משוואות מקסוול:
חוק גאוס -המשוואה מבטאת קשר בין השטף של השדה החשמלי דרך משטח סגור (גאוסיאני) לכמות המטען שנמצאת •
בתוך הנפח התחום על ידי המשטח הסגור הזה .לפי חוק גאוס השטף החשמלי דרך משטח גאוסיאני אינו קשור לצורתו או
לגודלו של המשטח ,אלא רק לכמות המטען הכלואה בתוכו( .מטען חיצוני למערכת לא משפיע על סך השטף שלה)
חוק פאראדיי -מתאר כיצד שינוי בשדה מגנטי גורם ליצירת שדה חשמלי( .כא"מ) •
חוק אמפר -מתאר כי ניתן ליצור שדות מגנטיים בשתי דרכים :באמצעות זרם חשמלי (חוק אמפר המקורי) ובאמצעות •
שדות חשמליים משתנים (תיקון מקסוול) .החוק קובע כי קיים יחס ישר בין הזרם החשמלי Iהעובר דרך עקומה סגורה לבין
השדה המגנטי המשיק לעקומה הנוצר כתוצאה מזרם זה.
ניתן לראות כי שינוי בשדה מגנטי יוצר שדה חשמלי ,ושינוי בשדה חשמלי יוצר ,בתורו ,שדה מגנטי -זהו הבסיס לגל
האלקטרומגנטי.
תנאי שפה צורה דיפרנציאלית צורה אינטגרלית המשוואה
⃑ ⃑
𝑛̂𝑥(𝐸1 − 𝐸2 ) = 0 𝐵𝜕⃑ Faraday
𝑑 ⃑
𝐸𝑥∇ = −
𝐵 ∬ ⃑⃑⃑ = −
𝑙𝑑 ∙ ⃑𝐸 ∮ ⃑⃑⃑⃑
𝑎𝑑 ∙ ⃑ 𝑡𝜕
𝑡𝑑
𝐶 𝑆 𝐵𝜔𝑗= − ⃑
𝑛𝑖𝑄𝑑
⃑⃑⃑⃑ ∙ 𝐽 ∯ =
𝑑𝑎 + =0
𝑡𝑑
𝑆
נרשום את הלפלסיאן במערכות הקואורדינטות השונות:
𝝍 𝟐𝝏 𝝍 𝟐𝝏 𝝍 𝟐𝝏 קרטזי
𝟐
= 𝝍𝟐𝛁
+ 𝟐
𝟐 +
𝒙𝝏 𝒚𝝏 𝒛𝝏
2
1 𝜕 𝜓𝜕 1 𝜕 𝜓𝜓 𝜕2 גלילי
= 𝜓 ∇2 (𝜌 ) + 2 2 + 2
𝜌𝜕 𝜌𝜕 𝜌 ∅𝜕 𝜌 𝑧𝜕
𝜕 1 𝜓𝜕 1 𝜕 𝜓𝜕 1 𝜓𝜕2 כדורי
∇2 𝜓 = 2 (𝑟 2 ) + 2 𝜃 (sin )+ 2 2 2
𝑟𝜕 𝑟 𝑟𝜕 𝜃𝜕 𝜃 𝑟 sin 𝜃𝜕 ∅𝜕 𝜃 𝑟 sin
הביטויים מתקבלים מתוך ההגדרה∇2 𝜓 ≜ ∇ ∙ (∇𝜓) :
הפרדת משתנים:
נציב במשוואת לפלס המתאימה (קרטזי /גלילי /כדורי) את הפוטנציאל החשמלי הסקלרי תוך הנחת קיום הפרדת משתנים.
שיקופים:
בשיטה זו מציבים מטעני דמות מחוץ לתחום שבו אנחנו מעוניינים לחשב את הפוטנציאל או השדה ,כך שאותם מטעני דמות
ביחד עם המטענים האמיתיים הנתונים בבעיה ,יקיימו את תנאי השפה של הבעיה.
אם נתעניין בחצי המרחב בו נמצא המטען המקורי ,ניתן יהיה למצוא את הפוטנציאל בעזרת סופרפוזיציה של שני המטענים
הנקודתיים המדוברים.
נזכור x2+y2+z2=R2
אלגוריתם לפתרון לפלס גלילי /כדורי:
מזהים האם כדורי או גלילי •
בודקים איזה איברים נצפה לקבל ,לדוגמא: •
𝜂 = 𝜂1 cos(∅) + 𝜂2 sin(2∅) →→ 𝑛 = 1,2 , 𝜂 = 𝜂0 ∙ 1 ∙ cos(2∅) →→ 𝑛 = 0,2
מציבים בפוטנציאל החשמלי הסקלרי: •
אם יש גם sinוגם :cos עבור לג'נדר (רק )cos
𝐴 𝐵 𝐴 𝐵
𝑠𝑜𝑐\𝑛𝑖𝑠 ∙ 𝜓(𝑟 > 𝑅) = 𝑛 +1 ∙ 𝑠𝑖𝑛\𝑐𝑜𝑠 + 𝑛 +1 𝜓(𝑟 > 𝑅) = 𝑛 +1 ∙ 𝑃𝑛1 + 𝑛 +1 ∙ 𝑝𝑛2
𝑟 1 𝑟 2 𝑟 1 𝑟 2
𝑠𝑜𝑐\𝑛𝑖𝑠 ∙ 𝜓(𝑟 < 𝑅) = 𝐶𝑟 𝑛1 ∙ 𝑠𝑖𝑛\𝑐𝑜𝑠 + 𝐷𝑟 𝑛2 𝜓(𝑟 < 𝑅) = 𝐶 ∙ 𝑃𝑛1 ∙ 𝑟 𝑛1 + 𝐷 ∙ 𝑃𝑛2 ∙ 𝑟 𝑛2
פולינומי לג'נדר:
𝑙𝑑 1
= )𝑥( 𝑙𝑃 ∙ ] 𝑙)[(𝑥 2 − 1
𝑙 𝑥𝑑 !𝑙 𝑙2
𝑝0 (𝑥) = 1 𝑝0 (cos(𝜃)) = 1
𝑥 = )𝑥( 𝑝1 𝜃 𝑝1 (cos(𝜃)) = cos
1 1
)𝑝2 (𝑥) = (3𝑥 2 − 1 ))𝜃𝑝2 (cos(𝜃)) = (1 + 3cos(2
2 4
1 1
)𝑥𝑝3 (𝑥) = (5𝑥 3 − 3 ))𝜃𝑝3 (cos(𝜃)) = (3 cos(𝜃) + 5cos(3
2 8
אלקטרו-קווזיסטטי מגנטו-קווזיסטטי
מקור מתח בקצה אחד ונתק בשני = מקור זרם בקצה אחד וקצר בשני = מיהו השדה הדומיננטי בבעיה?
שדה חשמלי E שדה מגנטי H
מקור זרם בקצה אחד ונתק בשני = מקור מתח בקצה אחד וקצר בשני =
שדה חשמלי E שדה מגנטי H
חוק גאוס בצורתו האינטגרלית: חוק אמפר בצורתו האינטגרלית: חישוב השדה הדומיננטי מסדר 0בתוך
ההתקן
⃑⃑⃑⃑ ∙ ⃑
𝐷∯ 𝑙𝜆 = 𝑛𝑖𝑄 = 𝑎𝑑 ⃑⃑⃑ ∙ ⃑ 0
𝐻∮ ⃑⃑⃑⃑ ∙ 𝐽 ∬ = 𝑙𝑑
𝐼 = 𝑎𝑑
𝑆 𝐶 𝑆
⃑⃑⃑⃑ בהתאם לסימטריה של הבעיה ⃑⃑⃑ בהתאם לסימטריה של הבעיה נציב 𝑎𝑑 נציב 𝑙𝑑
ונקבל ביטוי ל ,D-נחלק ב 𝜺𝟎 -ונקבל .E
0
ונקבל ביטוי ל.H-
- - -
היה ואילצנו את מקור הזרם ע"י Vin
0 𝑉
נקבל שדה של קבל לוחות 𝑛𝑖𝑏 𝐸 = −
נשתמש בחוק :Ampere נשתמש בחוק :Faraday חישוב השדה המהווה תיקון מסדר 1
⃑ 1 ⃑
𝐸 ∇𝑥𝐻 = 𝑗𝜔𝐷 = 𝑗𝜔𝜀0 ⃑ 0 ⃑ 1
𝐵𝜔𝑗∇𝑥𝐸 = − 𝐻 ⃑ = −𝑗𝜔𝜇0 ⃑ לשדה הדומיננטי
נפתור את הרוטור בהתאם לסימטריה נפתור את הרוטור בהתאם לסימטריה
של הבעיה ,ונפעיל אינטגרל על של הבעיה ,ונפעיל אינטגרל על
התוצאה בכדי לקבל ביטוי ל.H1- התוצאה בכדי לקבל ביטוי ל.E1-
מתוך תנאי השפה לחוק אמפר: כיסוי הזרם המשטחי Kהזורם
𝐻⃑1−
𝐻(𝑥̂𝑛 ⃑𝑘 = ) ⃑ 2 במעטפת החיצונית
מתוך תנאי השפה לחוק גאוס: כיסוי המטען המשטחי 𝜼 המרוח על פני
𝐷⃑1−
𝐷( ∙ ̂𝑛 𝜂 = )⃑ 2 המעטפת החיצונית
נבדוק האם ⃑ + 𝑗𝜔𝜂 = 0
𝐾 ∙ ∇. האם מתקיים שימור מטען?
1 חישוב וקטור פוינטינג הקומפלקסי
⃑⃑⃑⃑ × ⃑𝐸 = 𝑆∗𝐻 בתוך ההתקן
2
1 1
| ⃑𝐸| ⃑ ∙ 𝐸⃑ = 𝜀0
2 חישוב הממוצע בזמן של האנרגיה
𝐷 = 𝑡> 𝑒𝑤 < החשמלית
4 4
𝑣𝑑 𝑡> 𝑒𝑤 < ∭ = 𝑡> 𝑒𝑊 < האנרגיה החשמלית הכוללת
𝑉
1
𝐻∙ ⃑
1
𝐻| ⃑ = 𝜇0
|⃑
2 חישוב הממוצע בזמן של האנרגיה
𝐵 = 𝑡> 𝑚𝑤 <
4 4 המגנטית
𝑑 𝑉
מקור מתח𝑉0 = − ∫0 𝐸 ∙ 𝑑𝑙 = ⋯ = − 𝑑0 :
גלים מישוריים:
אורך הגל
𝝅𝟐 𝝎 𝝎 𝟏 𝟎𝒌 𝝎
=𝝀 √ = 𝒄 ; 𝒏 = 𝒓𝜺√ = 𝒌 , ; = 𝟎𝒌 ; 𝟎𝜺𝝎 = ⃑
𝒌|=מספר הגל=𝒌 ,וקטור הגל=λ .אורך הגל|⃑
⃑
|𝒌| 𝒄 𝒄 𝟎𝝁 𝟎𝜺 𝟎𝜼 𝒄
⃑𝑘 ⊥ 𝐸0
⃑⃑⃑⃑ השדה החשמלי בגל מישורי ניצב לכיוון
התקדמות הגל.
𝑟𝑘𝑗𝑒 −
⃑ הפאזה של השדה החשמלי והשדה המגנטי
̂𝑧)𝜃 𝑘⃑𝑖 = (𝑘0 ∙ sin 𝜃)𝑥̂ + (𝑘0 ∙ cos וקטור הגל של הגל הפוגע (עבור מישור פגיעה
̂𝑧)𝜃 𝑘⃑𝑟 = (𝑘0 ∙ sin 𝜃)𝑥̂ + (−𝑘0 ∙ cos ,)x-zושל הגל החוזר
⃑
𝐸| | 𝑟𝑘𝑗|𝐸⃑ | |𝐸0 ∙ 𝑒 − | ⃑⃑⃑⃑0 𝜇0 אימפדנס הגלים בריק (יחס האמפליטודות
= 𝜂0 = = = √ ≈ 377Ω חשמלי-מגנטי)
𝐻|𝐻| | 𝑟⃑𝑘𝑗⃑ | |𝐻0 ∙ 𝑒 − |⃑ 0 𝜀0
𝐻 × 𝐸̂0̂𝑘 = ̂0 וקטור השדה החשמלי ,המגנטי וכיוון
התקדמות הגל ניצבים
⃑⃑⃑⃑⃑⃑ ⃑
̂𝑛 ) 𝑟𝑖𝑘𝑗𝐸𝑖 ⊥ = (𝐸𝑖0 ∙ 𝑒 − , ⃑⃑⃑⃑⃑⃑ ⃑
̂𝑛 ) 𝑟𝑖𝑘𝑗𝐸𝑖 || = (𝐸𝑖0 ∙ 𝑒 − השדה החשמלי וכיווניו
⃑ ⃑
nכיוון השדה החשמלי
⃑⃑⃑⃑⃑⃑⃑
̂𝑛 ) 𝑟𝑟𝑘𝑗𝐸𝑟 ⊥ = (𝐸𝑟0 ∙ 𝑒 − , ⃑⃑⃑⃑⃑⃑
̂𝑛 ) 𝑟𝑟𝑘𝑗𝐸𝑟 || = (𝐸𝑟0 ∙ 𝑒 − rכיוון וקטור הגל
̂𝑦] )𝑧∙)𝜃 𝐸⃑𝑖 = [𝐸𝑖𝑦 ∙ 𝑒 −𝑗((𝑘0 ∙sin 𝜃)∙𝑥+(𝑘0 ∙cos השדה החשמלי של גל פוגע בקיטוב ניצב
(עבור מישור פגיעה )x-z
̂𝑦] )𝑧∙)𝜃 𝐸⃑𝑟 = [−𝐸𝑖𝑦 ∙ 𝑒 −𝑗((𝑘0 ∙sin 𝜃)∙𝑥−(𝑘0 ∙cos השדה החשמלי של גל חוזר בקיטוב ניצב
(עבור מישור פגיעה )x-z
)𝑧∙)𝜃 𝐸⃑𝑖 = [(𝐸0 ∙ cos 𝜃)𝑥̂ + (−𝐸0 ∙ sin 𝜃)𝑧̂ ] ∙ 𝑒 −𝑗((𝑘0 ∙sin 𝜃)∙𝑥+(𝑘0 ∙cos השדה החשמלי של גל פוגע בקיטוב מקביל
(עבור מישור פגיעה )x-z
)𝑧∙)𝜃 𝐸⃑𝑟 = [(−𝐸0 ∙ cos 𝜃)𝑥̂ + (−𝐸0 ∙ sin 𝜃)𝑧̂ ] ∙ 𝑒 −𝑗((𝑘0 ∙sin 𝜃)∙𝑥−(𝑘0 ∙cos השדה החשמלי של גל חוזר בקיטוב מקביל
(עבור מישור פגיעה )x-z
1 1 השדה המגנטי של הגל החוזר /הפוגע
= 𝑖⃑
𝐻 𝐻 𝑘̂𝑖 × 𝐸⃑𝑖 , 𝑟⃑𝐸 × 𝑟̂𝑘 = 𝑟 ⃑
𝜂0 𝜂0
⃑ ⃑
) 𝜂 = 𝑛̂ ⋅ (𝐷1 − 𝐷2 כיסוי מטען משטחי הזורם על פני המישור
𝐻( × ̂𝑛 = 𝑘⃑𝐻⃑1− )⃑ 2 כיסוי זרם משטחי הזורם על פני המישור
𝑧𝑘𝜕 𝑦𝑘𝜕 𝑥𝑘𝜕 שימור מטען משטחי
= 𝜂𝑤𝑗 ∇ ∙ 𝑘 + + + + 𝑗𝑤𝜂 ≟ 0
𝑥𝜕 𝑦𝜕 𝑧𝜕
⃑ 𝑟 ⃑𝑘𝑗𝑛−𝑛𝐸𝑖𝑜 − עבור חומר דיאלקטרי
⃑⃑⃑
𝐻 →→ ̂𝑛 ) 𝑟 𝐸𝑖 = (𝐸𝑖0 ∙ 𝑒 −𝒏𝑗𝑘0 [= 𝑖⃑ 𝑒∙ 𝑛] 0
̂
𝜇0 𝟏𝜺√ = 𝟏𝒏
𝑛1 sin 𝜃1 = 𝑛2 sin 𝜃2 חוק סנל
2 𝑗1+ עומק החדירה ואפקט הקרום
𝜇𝜔√ = 𝛿 = 𝛾; 𝜎 = √𝑗𝜔𝜇0
𝜎0 𝛿
לדוגמא :אם משטח ההפרדה הוא x-yאזי מישור הפגיעה הוא .x-z
קיטוב ניצב=השדה החשמלי ניצב למישור הפגיעה ,קיטוב מקביל=השדה החשמלי מקביל למישור הפגיעה