TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP.

HỒ CHÍ MINH

PHAN THANH VÂN

VÔ TUYẾN ĐIỆN TỬ 

TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘ - 2003

 MỤC LỤC
Mục lục ........................................................................................................................... 2
Lời nói đầu....................................................................................................................... 5
Nguyên tắc liên lạc bằng vô tuyến điện ................................................................................ 6
Chương I: LINH KIỆN ĐIỆN TỬ ....................................................................................... 7
Bài 1: Vật liệu linh kiện điện tử ................................................................................. 7
I. Cơ sở vật lý của vật liệu linh kiện ............................................................................ 7
1. Cấu trúc mạng thể ............................................................................................. 7
2. Các mức năng lượng của nguyên tử ...................................................................... 7
II. Thuyết vùng năng lượng ....................................................................................... 8
III. Phân biệt điện môi – chất bán dẫn – kim loại .......................................................... 9
IV. Chất bán dẫn ..................................................................................................... 9
Bài 2: Linh kiện điện tử thụ động.............................................................................. 13
1. Điện trở .............................................................................................................13
2. Tụ điện ..............................................................................................................14
3. Cuộn cảm ..........................................................................................................16
4. Biến áp ..............................................................................................................16
Bài 3: Linh kiện bán dẫn........................................................................................... 17
I- Các hiện tượng tiếp xúc ........................................................................................17
1. Tiếp xúc kim loại – bán dẫn................................................................................17
2. Tiếp xúc P-N ....................................................................................................18
3. Tiếp xúc kim loại – điện môi – chất bán dẫn .........................................................19
II- Điốt bán dẫn......................................................................................................20
III- Transistor.........................................................................................................27
1. Nguyên tắc hoạt động .......................................................................................28
2. Đo thử transistor ..............................................................................................29
3. Cách đặt tên cho transistor ................................................................................30
4. Các chế độ làm việc của transistor ......................................................................30
5. Phân cực .........................................................................................................33
6. Các cách mắc mạch khuếch đại cơ bản của transistor.............................................34
IV-Transistor trường ................................................................................................35
1. Transistor trường cổng tiếp giáp..........................................................................35
2. Transistor trường cổng cách điện ........................................................................37
3. Có bảo vệ ........................................................................................................38
4. Mosfet loại 2 cổng.............................................................................................39
5. Các loại mosfet khác .........................................................................................39
6. Cách đo...........................................................................................................40
7. Những điều cần chú ý khi sử dụng Mosfet.............................................................40
8. Transistor quang trường ....................................................................................40
9. Các sơ đồ mắc transistor trường..........................................................................41
V- Transistor đơn nối ...............................................................................................42
VI- Thyristor ..........................................................................................................44
1. Điốt Silic chỉnh lưu có điều khiển .........................................................................44
2. Triac, Diac .......................................................................................................46
VII- Linh kiện biến đổi quang điện .............................................................................51
1. Điốt phát quang................................................................................................51
2. LED hồng ngoại ................................................................................................56
3. Laser bán dẫn ..................................................................................................57
4. Photo – Điốt.....................................................................................................59
5. Mặt chỉ thị tinh thể lỏng .....................................................................................59
Chương II: MẠCH KHUẾCH ĐẠI..................................................................................... 61
I. Hệ số khuếch đại .................................................................................................61
II. Khuếch đại điện áp âm tần...................................................................................61
1. Tầng khuếch đại điện áp âm tần đơn ...................................................................62
2. Mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 tầng ghép RC............................................63
 3. Mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 tầng ghép trực tiếp ....................................65
4. Tần khuếch đại cảm kháng.................................................................................66
5. Tầng khuếch đại ghép biến áp ............................................................................67
III- Khuếch đại cao tần ............................................................................................67
1. Tầng khuếch đại cộng hưởng ..............................................................................67
2. Tầng khuếch đại giải tần ....................................................................................68
IV- Khuếch đại công suất .........................................................................................68
1. Tầng khuếch đại công suất đơn...........................................................................68
2. Tầng khuếch đại công suất đẩy kéo (Push-pull) .....................................................69
V- Mạch hồi tiếp .....................................................................................................71
VI- Máy tăng âm.....................................................................................................72
Chương III: MÁY PHÁT DAO ĐỘNG .............................................................................. 135
I- Máy phát dao động điều hòa ............................................................................... 135
1. Máy phát dao động điều hòa cao tần ................................................................. 135
2. Máy phát dao động điều hòa âm tần .................................................................. 137
3. Máy phát dao động .................................................................. 141
II- Máy phát dao động không điều hòa ..................................................................... 143
1. Mạch dao động đa hài...................................................................................... 143
2. Mạch dao động tạo điện áp răng cưa ................................................................. 146
Chương IV: BIẾN ĐIỆU VÀ TÁCH SÓNG ....................................................................... 148
Bài 1: Biến điệu sóng cao tần ................................................................................ 148
I- Biến điệu dao động ............................................................................................ 148
II- Biến điệu biên độ.............................................................................................. 149
1. Nguyên tắc .................................................................................................... 149
2. Hệ số biến điệu .............................................................................................. 151
3. Phổ của dao động biến điệu.............................................................................. 151
4. Công suất của dao động biến điệu ..................................................................... 152
5. Các sơ đồ thực hiện biến điệu biên độ ................................................................ 153
6. Ưu và khuyết điểm của điều chế biên độ ............................................................ 153
III- Biến điệu tần số .............................................................................................. 154
1. Nguyên tắc .................................................................................................... 154
2. Phổ của dao động biến điệu.............................................................................. 155
3. Ưu và khuyết điểm của điều chế tần số .............................................................. 157
Bài 2: Tách sóng.................................................................................................... 158
I- Tách sóng biên độ ............................................................................................. 158
1. Nguyên tắc .................................................................................................... 158
2. Mạch điện tách sóng biên độ ............................................................................ 160
II- Tách sóng tần số .............................................................................................. 162
Chương V: HỆ DAO ĐỘNG ............................................................................................ 166
I- Mạch dao động có thông số tập trung ................................................................... 166
1. Dao động riêng............................................................................................... 166
2. Dao động cưỡng bức – sự cộng hưởng ............................................................... 169
II- Hệ dao động có thông sô phân bố ....................................................................... 173
1. Mạch dao động có thông số phân bố .................................................................. 173
Chương VI: ĂNG-TEN VÀ SỰ TRUYỀN SÓNG VÔ TUYẾN ĐIỆN....................................... 178
I- Ăng-ten............................................................................................................ 178
1. Bức xạ năng lượng điện từ của ăng-ten .............................................................. 178
2. Bức xạ định hướng của ăng-ten ........................................................................ 179
3. Ăng-ten thu thông dụng................................................................................... 181
III- Sự truyền sóng vô tuyến điện ........................................................................... 183
Chương VII: MÁY THU ................................................................................................. 188
Bài 1: Máy thu thanh ............................................................................................. 188
I- Sơ đồ khối ........................................................................................................ 189
II- Sơ đồ mạch điện .............................................................................................. 190
Bài 2: Máy thu hình ............................................................................................... 192
I- Máy phát hình ................................................................................................... 192
1. Nguyên tắc .................................................................................................... 192
2. Cách phân ảnh ............................................................................................... 193
 3. Tần số tín hiệu thị tần ..................................................................................... 193
4. Tín hiệu thị tần hỗn hợp................................................................................... 194
II- Máy thu hình ................................................................................................... 196
1. Đèn hình ....................................................................................................... 196
2. Lái tia electron ............................................................................................... 197
3. Sơ đồ khối ..................................................................................................... 198
4. Mạch tích phân và vi phân................................................................................ 201
Chương VIII: MÁY ĐO ĐIỆN – DAO ĐỘNG KÝ ĐIỆN TỬ................................................. 205
I- Nguyên tắc hoạt động ........................................................................................ 206
1. Ống phóng điện tử .......................................................................................... 206
2. Thấu kính điện tử............................................................................................ 207
3. Bộ phận lái tia ................................................................................................ 210
II- Cấu tạo và cách sử dụng ................................................................................... 212
1. Cấu tạo ......................................................................................................... 212
2. Cách sử dụng ................................................................................................. 215
Tài liệu tham khảo .............................................................................. 219
 LỜI NÓI ĐẦU

Giáo trình Vô tuyến điện tử này được biên soạn để phục vụ giảng dạy cho sinh viên khoa
Vật Lý trường Đại học Sư phạm thành phố Hồ chí minh, dựa trên chương trình môn Vô tuyến
điện tử của bộ Giáo dục - Đào tạo soạn thảo và dựa trên kinh nghiệm giảng dạy của chúng tôi
trong nhiều năm qua.
Ngoài những phần trọng tâm của chương trình, chúng tôi có đưa ra những phần đọc thêm
có tính tham khảo để mở rộng kiến thức về ứng dụng trong thực tế cho sinh viên ĐHSP.
Chắc chắn giáo trình này còn nhiều thiếu sót, chúng tôi rất mong nhận được những ý kiến
đóng góp của bạn đọc gần xa.

PHAN THANH VÂN

 NGUYÊN TẮC LIÊN LẠC BẰNG VÔ TUYẾN ĐIỆN

Hình vẽ dưới đây minh họa cho thấy nguyên tắc liên lạc bằng vô tuyến điện:
* Máy phát: Gồm có mạch điện tạo dao động cao tần (1), nguồn tín hiệu cần truyền đi (tín
hiệu âm thanh hay tín hiệu hình ảnh ...) (2), mạch điện điều chế gửi tín hiệu vào dao động cao
tần (3), mạch khuếch đại cao tần (4) và ăng-ten bức xạ dao động điều chế ra không gian (5).
* Máy thu: Gồm có ăng-ten thu (6) nhận dao động cao tần đã điều chế vào máy thu, mạch
cộng hưởng (7) chọn đài muốn thu, là mạch tách sóng (8) tách tín hiệu ra khỏi dao động cao
tần, mạch khuếch đại công suất (9) và bộ phận lặp lại tín hiệu (10) là loa trong vô tuyến truyền
thanh hay đèn hình trong vô tuyến truyền hình.
Ngoài ra còn có các mạch điện khác như các tầng khuếch đại, nguồn nuôi cung cấp năng
lượng cho máy hoạt động ...

5 6

1 3 4 7 8 9

2
Hệ thống thu phát vô tuyến điện.
Chúng ta sẽ lần lượt đề cập đến các phần chính sau đây:
1.- Cách tạo ra dao động điện từ.
2.- Khuếch đại dao động điện từ.
3.- Ăng-ten phát và thu dao động điện từ.
4.- Sự lan truyền của sóng điện từ trong không gian.
5.- Mạch điều chế và tách sóng.
6.- Máy thu thanh, máy thu hình...
 Chương I

LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

BÀI 1: VẬT LIỆU LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

I.- CƠ SỞ VẬT LÝ CỦA VẬT LIỆU LINH KIỆN.

1.- Cấu trúc mạng thể.
Khi nghiên cứu tính dẫn điện của vật rắn, ta chỉ chọn để xem
xét vật rắn có các nguyên tử được sắp xếp tạo nên
một mạng tuần hoàn trong không gian 3 chiều. Ta
không xét đến các chất dẻo, thủy tinh, cao su... vì
chúng không có cấu trúc mạng như vậy.

Caáu truùc maïng tinh theå Silic

Ví dụ:
Carbon (dạng kim cương) hoặc Silic có cấu trúc tinh thể hoàn toàn giống nhau, trong đó các
nguyên tử nằm ở các đỉnh và tâm của khối lập phương (cấu trúc khối tâm). Mỗi nguyên tử
được liên kết với 4 nguyên tử kế cận. (Carbon dạng graphit có cấu trúc khác)

Các liên kết của mỗi nguyên tử Silic.

2.- Các mức năng lượng của nguyên tử.

Ta biết các electron trong nguyên tử, sẽ chiếm các tầng có các mức năng lượng khác nhau
theo nguyên lý loại trừ Pauli: Có tối đa 2n2 electron trên mỗi tầng và các electron đó phân bố
trên các vân đạo s, p, d, f....
Ví dụ: Tầng 1: n = 1, có số electron tối đa 2.
Tầng 2: n = 2, có số electron tối đa 8....
[Vân đạo s Ĩ = 0) : chứa tối đa 2 electron.
Vân đạo p Ĩ = 1) : chứa tối đa 6 electron.
Vân đạo d Ĩ = 2) : chứa tối đa 10 electron....]
Khi có đầy đủ số electron tối đa trên mỗi tầng, nguyên tử sẽ có cơ cấu bền.
Ví dụ:
2He, 10Ar có cơ cấu bền và 11Na có cơ cấu không bền.
 Ngoài ra các electron sẽ lần lượt chiếm các vân đạo theo nguyên tắc sau đây:
1s n = 1, l = 0

2s 2p n = 2, l = 0, 1

3s 3p 3d n = 3, l = 0, 1, 2

4s 4p 4d 4f n = 4, l = 0, 1, 2, 3

5s 5p 5d 5f ....... n = 5, l = 0, 1, 2, 3, 4
Ví dụ: 6C : 1s2 2s2 2p2
2 2 6 2 2
14Si : 1s 2s 2p 3s 3p
2 2 6 2 6 2 10
32Ge : 1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p2
2 2 2 1
11Na : 1s 2s 2p 3s
Các mức năng lượng chưa bị electron chiếm gọi là các mức năng lượng trống. Khi các
electron nhận được năng lượng (do va chạm với electron khác hoặc với photon ...) sẽ nhảy lên
mức năng lượng cao hơn.
II- THUYẾT VÙNG NĂNG LƯỢNG.
Ta thấy electron trong nguyên tử được sắp xếp trên các mức năng lượng cố định:
Ví dụ: 11Na : 1s2 2s2 2p2 3s1
2 2 6 2 6 2 9
29Cu : 1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d
Trong đó các electron nằm sâu bên trong nguyên tử, bị giữ chặt bởi hạt nhân hơn các
electron ở các tầng bên ngoài nên các electron tầng ngoài sẽ linh động hơn.
Khi các nguyên tử tiến gần lại với nhau cỡ hằng số mạng “a”, các mức năng lượng sẽ bị
tách ra và hợp thành các dải. Cuối cùng các mức năng lượng của các electron sâu bên trong
nguyên tử và các electron bên ngoài hợp thành Vùng Hóa Trị BV (Bande Valence), tập hợp
các mức năng lượng trống hợp thành Vùng Dẫn BC (Bande Conduction), khoảng cách năng
lượng giữa 2 dải trên gọi là Vùng Cấm hay Khe Năng Lượng Eg (gap).

Vuøng Daãn
EC

Vuøng Caám Eg = EC - EV
EV
Vuøng Hoaù Trò
Các vùng năng lượng trong nguyên tử

™ Nếu tất cả các electron đều nằm trong Vùng Hóa Trị: không có electron dẫn điện.
™ Khi các electron ở Vùng Hóa Trị nhận được năng lượng E > Eg, thì electron từ Vùng
Hóa Trị sẽ nhảy lên Vùng Dẫn để tham gia dẫn điện.
Ví dụ: Si có Eg = 1,1 eV.
C (Kim cương) có Eg = 5,4 eV.
SiO2 có Eg = 8eV.
 III- PHÂN BIỆT ĐIỆN MÔI-CHẤT BÁN DẪN-KIM LOẠI:
Về cấu trúc vùng năng lượng: Chất bán dẫn và điện môi có cấu trúc giống nhau, nhưng bản
chất lại khác nhau.
Hiện nay, Si ( Eg = 1,1 eV) và SiO2 (Eg = 8 eV) được dùng rất nhiều trong công nghệ bán
dẫn.

E E
Vuøng Daãn

EC Vuøng Daãn

Eg = 8 eV EC
Eg = 1,1 eV

EV
Vuøng Hoùa Trò EV Vuøng Hoùa Trò

Các vùng năng lượng trong SiO2 Các vùng năng lượng trong Si
a) Điện môi:
Điện môi là chất có Eg rất lớn, ở điều kiện bình thường electron trong Vùng Hóa Trị không
thể vượt qua rào năng lượng Eg, để lên Vùng Dẫn được. Ta phải cung cấp năng lượng lớn E
> Eg thì electron từ Vùng Hóa Trị nhận năng lượng mới nhảy lên Vùng Dẫn để tham gia dẫn
điện được.
b) Chất bán dẫn:
Chất bán dẫn có Vùng Cấm Eg tương đối thấp, electron có thể nhận năng lượng để từ
Vùng Hóa Trị lên Vùng Dẫn tham gia dẫn điện. Khi tăng nhiệt độ, số electron từ Vùng Hóa Trị
nhận đủ năng lượng nhảy lên Vùng Dẫn càng nhiều, điện trở của chất bán dẫn càng giảm.
c) Kim loại:
Kim loai có Vùng Dẫn và Vùng Hoá Trị sát nhau hoặc gối lên nhau, nên ở điều kiện thường
không cần cung cấp năng lượng cũng đã có sẵn các electron tự do trong Vùng Dẫn tham gia
dẫn điện. Vì vậy ta có Eg = 0.

Vuøng Daãn
EV
EC
Vuøng Hoùa Trò

Các vùng năng lượng trong kim loại.

Ví dụ: 13Al : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1

2
11Na: 1s 2s2 2p6 3s1 .
Khi tăng nhiệt độ, dao động mạng tinh thể tăng, cản trở sự di chuyển của electron nên điện
trở của kim loại tăng.
IV- CHẤT BÁN DẪN : (Semiconductor).
Các nguyên tử hóa trị 4 như Germani (Ge); Silic (Si) là chất bán dẫn.
2
14Ge: 1s 2s2 2p6 3s2 3p2
 : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2.
32Si
Ta thấy tầng ngoài cùng của các nguyên tử này đều có 4 electron, nên cần có thêm 4
electron nữa để đạt được cơ cấu bền, nghĩa là nó phải tạo thêm 4 liên kết cộng hóa trị với 4
nguyên tử lân cận (mỗi liên kết cộng hóa trị có 2 electron dùng chung cho cả 2 nguyên tử ).
Ví dụ: Mạng tinh thể của chất bán dẫn Germani có cấu hình như sau:

E Ge

Vuøng Daãn
EC

Eg = 0,72eV
EV
Vuøng Hoùa Trò

Các mức năng lượïng trong chất bán dẫn Ge Mạng tinh thể của chất bán dẫn Ge.

Tùy theo tạp chất được pha vào chất bán dẫn mà ta có các loại bán dẫn sau đây:
A- Chất bán dẫn thuần: (Intrinsic semiconductor).
Trong mạng tinh thể, chỉ có thuần các nguyên tử bán dẫn, ví dụ Germani (Ge), Silic (Si),
không có nguyên tử tạp chất lạ.
Ta xét sự dẫn điện của loại bán dẫn này theo nhiệt độ:
( Ở 00K: Không có dao động nhiệt trong mạng tinh thể, các nguyên tử nằm yên ở các nút
mạng nên các liên kết cộng hóa trị không thu được năng lượng để đứt ra. Chúng rất bền chắc:
không có electron tự do nên chất bán dẫn là điện môi.
( Ở nhiệt độ bình thường: Các nguyên tử bị dao động nhiệt quanh vị trí cân bằng, chúng
cung cấp năng lượng cho các liên kết cộng hóa trị. Khi thu đủ năng lượng E ( Eg các liên kết
cộng hoá trị đứt ra cho các electron tự do và chúng có thể tham gia dẫn điện.
( Ở nhiệt độ cao: Số liên kết cộng hóa trị bị đứt ra càng nhiều, nên số electron tự do được tạo
ra càng lớn, độ dẫn điện tăng.
Cơ chế của sự dẫn điện trong chất bán dẫn thuần:
Khi đặt chất bán dẫn vào một điện trường ngoài, các liên kết cộng hóa trị thu đủ năng lượng
sẽ bị đứt ra tạo các electron tự do, chúng di chuyển về phía cực dương của điện trường và để
lại một trạng thái năng lượng bị khuyết, ta gọi đó là lổ trống. Như vậy nguyên tử Ge có lổ trống
chỉ còn 7 electron tầng ngoài, nó rất muốn nhận thêm một electron để đạt cơ cấu bền. Các
electron lân cận rất dễ dàng di chuyển lại chiếm lổ trống này và lại để lổ trống khác... cứ như
thế, ta thấy rằng electron di chuyển ngược chiều điện trường, còn lổ trống di chuyển cùng
chiều điện trường. Cả hai đều tham gia dẫn điện vì electron nhận năng lượng từ Vùng Hóa Trị
nhảy lên Vùng Dẫn tham gia dẫn điện, còn lổ trống di chuyển ngay trong Vùng Hóa Trị do sự di
dời của các electron đến lấp các lổ trống.
Trong chất bán dẫn thuần, ta có: I = Ie + Ip và số electron bằng số lổ trống (ne = np).

BC

EC

Ge EV

BV
Mạng tinh thể của chất bán dẫn thuần Các mức năng lượng trong
Germani chất bán dẫn thuần.

Chú ý: Dòng điện trong chất bán dẫn thuần chỉ phụ thuộc vào nhiệt độ nên ta gọi là
dòng điện bảo hòa.

B- Chất bán dẫn pha tạp chất:

Khi chất bán dẫn được pha tạp chất có hóa trị 3 hoặc hóa trị 5 với nồng độ rất thấp vào
mạng tinh thể của nó (pha 1 nguyên tử tạp chất trong 1012 nguyên tử bán dẫn). Các nguyên
tử tạp chất sẽ chiếm một trong các nút mạng, độ dẫn điện của chất bán dẫn tăng lên đáng kể.
1. Chất bán dẫn loại n: (Negative).
Pha tạp chất hóa trị 5 như Arsenic (As), Phosphor (P) vào chất bán dẫn Germani (Ge) hoặc
Silic (Si) có hóa trị 4:
2
33As : 1s 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p3.
Tầng ngoài cùng của nguyên tử As có 5 electron, sẽ tạo liên kết cộng hóa trị với 4 nguyên
tử Ge lân cận. Do đó thừa ra 1 electron, electron này rất linh động, chỉ cần một năng lượng rất
thấp (khoảng 0.01eV) cũng đủ để nó thoát ra khỏi nguyên tử As và tham gia dẫn điện. Nên nhớ
rằng electron này khi di chuyển không để lại lổ trống !!
Ngoài ra các liên kết cộng hóa trị của nguyên tử Ge cũng có thể bứt ra khi chúng nhận
được năng lượng đủ lớn ((E ( Eg) và chúng tham gia dẫn điện như trong chất bán dẫn thuần
(gồm electron và lổ trống).
Vậy trong chất bán dẫn loại N, electron và lổ trống đều tham gia dẫn điện, nhưng số
electron nhiều hơn số lổ trống (do đó có tên chất bán dẫn N: negative). Ta gọi electron trong
chất bán dẫn loại N là hạt mang điện đa số, còn lổ trống trong chất bán dẫn loại N là hạt mang
điện thiểu số.
Nếu xét trên giản đồ năng lượng, electron của nguyên tử As sẽ nằm trên mức năng lượng
gần sát đáy dưới của Vùng Dẫn, gọi là mức ED (Donor).
∆E = EC - ED ( 0,01eV)
Chỉ cần một năng lượng rất nhỏ cỡ 0.01eV, electron từ mức ED nhảy lên Vùng Dẫn tham
gia dẫn điện. Ngoài ra các liên kết cộng hóa trị ở Vùng Hóa Trị khi nhận đủ năng lượng, bị bẻ
gãy tạo electron nhảy lên Vùng Dẫn tham gia dẫn điện, cũng như lổ trống dẫn điện ngay trong
Vùng Hóa Trị như trong chất bán dẫn thuần.

BC

EC
ED
Ge As

EV
BV

Mạng tinh thể của chất bán dẫn loại N. Các mức năng lượng trong
chất bán dẫn loại N.
2. Chất bán dẫn loại p: (Positive)
 Pha tạp chất hóa trị 3 như Gali (Ga), Indi (In) vào chất bán dẫn Germani (Ge) hoặc Silic (Si)
có hóa trị 4:
2
31Ga : 1s 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p1.
2
49In : 1s 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p6 5s2 4d10 5p1
Tầng ngoài cùng của nguyên tử Ga có 3 electron, mà phải liên kết cộng hóa trị với 4 nguyên
tử Ge lân cận, do đó thiếu 1 electron hay có thể xem như thừa một lổ trống. Chỉ cần một năng
lượng rất thấp (khoảng 0.01eV) cũng đủ cho các electron kế cận lại chiếm vị trí của lổ trống này
và để lại lổ trống khác...
Ngoài ra các liên kết cộng hóa trị của nguyên tử Ge cũng có thể bứt ra khi chúng nhận
được năng lượng đủ lớn và chúng tham gia dẫn điện như trong chất bán dẫn thuần (gồm
electron và lổ trống).
Vậy trong chất bán dẫn loại P, electron và lổ trống đều tham gia dẫn điện, nhưng số lổ trống
nhiều hơn số electron (do đó có tên chất bán dẫn loại P: Positive). Ta gọi lổ trống trong chất
bán dẫn P là hạt mang điện đa số, còn electron trong chất bán dẫn P là hạt mang điện thiểu số.
Nếu xét trên giản đồ năng lượng, lổ trống của nguyên tử Ga sẽ nằm ở mức năng lượng
gần phía trên của Vùng Hóa Trị, gọi là mức EA (mức Acceptor).
∆E = EA - EV ( 0.01eV )
Chỉ cần một năng lượng 0.01eV, electron từ Vùng Hóa Trị nhảy lên mức Acceptor lấp lổ
trống của nguyên tử Ga, để lại lổ trống mới trong Vùng Hóa Trị. Các electron trong Vùng Hóa
Trị lại chiếm vị trí của lổ trống đó, để lại lổ trống khác... Vậy lổ trống tham gia dẫn điện trong
Vùng Hóa Trị. Ngoài ra nếu các liên kết cộng hóa trị ở Vùng Hóa Trị nhận đủ năng lượng, bị bẻ
gãy tạo ra electron tự do, nhảy lên Vùng Dẫn tham gia dẫn điện, cũng như lổ trống dẫn điện
ngay trong Vùng Hóa Trị như trong chất bán dẫn thuần.

BC
EC
Ga
EA
EV
Ge BVnăng lượng
Mạng tinh thể của chất bán dẫn loại P. Các mức
trong chất bán dẫn loại P
Chất bán dẫn suy biến:
Nếu pha tạp chất với nồng độ lớn, trên 1020 nguyên tử /cm3 thì mức ED cũng như mức EA
sẽ tạo thành các dải. Dải ED sẽ chồng lên Dải Dẫn, cũng như dải EA chồng lên Dải Hóa Trị.
Chất bán dẫn trong trường hợp này gọi là chất bán dẫn suy biến, nó dẫn điện tốt như kim loại.
Người ta sử dụng tính chất này để tạo các dây nối trong các vi mạch.
 BÀI 2: LINH KIỆN ĐIỆN TỬ THỤ ĐỘNG

Các linh kiện điện tử thụ động dùng trong các mạch điện tử thường là: điện trở, tụ điện,
cuộn cảm (cuộn self), máy biến thế...
I- ĐIỆN TRỞ.
1. Định nghĩa: Là một loại linh kiện điện tử, dùng để giới hạn dòng điện trong mạch
điện.
2. Ký hiệu:

R R
hoaëc

Ký hiệu của điện trở

3. Đơn vị:
Đơn vị của điện trở là Ohm viết tắt là (.
Bội số của Ohm là Kilo Ohm bằng 103 (. (viết tắt là K().
Mega Ohm bằng 106 ( (viết tắt là M().
4. Cách ghi và đọc điện trở:
Qui ước màu : Thông thường, trị số của điện trở có công suất nhỏ, được ghi bằng ký
hiệu màu sắc trên thân của nó theo qui ước màu sau đây:

Số 0 : màu đen.
1 : màu nâu.
2 : màu đỏ.
3 : màu vàng cam.
4 : màu vàng tươi.
5 : màu xanh lá cây.
6 : màu xanh dương.
7 : màu tím.
8 : màu xám.
9 : màu trắng.

Cách đọc: Số thứ tự các vạch màu được tính từ vạch sát mút điện trở là vạch thứ nhất ...
(vạch màu vàng nhũ hoặc màu bạc luôn luôn là vạch thứ tư)

Điện trở 4 vạch màu Điện trở 5 vạch màu

(Điện trở chính xác)

Vạch thứ nhất: số đầu tiên. Vạch thứ nhất: số đầu tiên.
Vạch thứ hai : số thứ hai. Vạch thứ hai : số thứ hai.
Vạch thứ ba : số 0 thêm vào. Vạch thứ ba : số thứ ba.
Vạch thứ tư : sai số, có 3 trường Vạch thứ tư : số 0 thêm vào.
hợp: Vạch thứ năm: sai số, có các
* không có vạch thứ tư : ( 20% trường hợp:
* màu vàng nhủ : ( 5% * màu nâu : ( 1%
* màu bạc : ( 10% * màu đỏ : ( 2%
* màu vàng cam : ( 3% ...

5. Cách đo điện trở:

 Dùng Ohm-kế hoặc Megohm-kế.

6. Công suất : Tùy theo kích thước to, nhỏ của nó mà loại điện trở than có các loại
1
sau đây:ĠW, W, 1W, 2W,...........
2
Các loại điện trở công suất lớn khác có giá trị được ghi sẵn ngay trên thân điện trở.
7. Phân loại theo vật liệu:
Thông thường ta có các loại điện trở sau:
* Điện trở than nén: Sai số lớn, điện trở của nó thay đổi nhiều theo nhiệt độ, gây tạp âm
(parasite) lớn do các hạt than dao động khi có dòng điện thay đổi đi qua...
* Điện trở màng than: Sai số ít, điện trở của nó ít thay đổi theo nhiệt độ, gây tạp âm ít ...
* Điện trở màng kim loại: Loại điện trở tốt nhất, chính xác, ít thay đổi theo nhiệt độ và gây
tạp âm rất ít .
8. Các loại điện trở đặc biệt:
* Điện trở công suất: thường được làm bằng dây kim loại có điện trở lớn, quấn trên lỏi sứ (cách
điện, dẫn nhiệt).
* Điện trở nhiệt: còn gọi là thermistor (Th), có điện trở nghịch biến với nhiệt độ, được chế tạo
bằng chất bán dẫn.
* Biến trở: là loại điện trở thay đổi được trị số, thường làm bằng màng than trên bakelite hoặc
dây quấn trên một ống sứ hình trụ.
* VDR (Voltage Depend Resistor): điện trở có trị số thay đổi theo điện áp đặt vào.
* Quang điện trở (Photo-resistor): điện trở có trị số thay đổi tuỳ theo cường độ ánh sáng chiếu
vào.
II.- TỤ ĐIỆN.
1. Định nghĩa:
Là một loại linh kiện điện tử, gồm 2 bản cực là chất dẫn điện được ngăn cách với nhau
bằng một lớp điện môi ở giữa.
2. Ký hiệu:
hoặc
+ -
Ký hiệu của tụ điện thường Ký hiệu của tụ điện hoá học.
3. Đơn vị:
Một đại lượng đặc trưng cho tính nạp điện, phóng điện của tụ điện là điện dung.
Đơn vị của điện dung là Farad (F).
Nhưng trong thực tế, người ta thường dùng ước số của Farad là:
• Micro Farad (µF) = 10-6F.
• Nano Farad (nF) = 10-9F = 10-3 µF = 103 pF.
• Pico Farad (pF) = 10-12F = 10-6 µF = 10-3nF.
4. Các tham số : Tụ điện có 2 tham số chính:
a) Điện dung: Điện dung của tụ điện phẳng được tính theo công thức:
εε0S
C=
d
Trong hệ SI, C là điện dung của tụ điện (F), (0 là hằng số điện, (0 = Ĩ) F/m, ( là hằng số điện
môi, S (cm2) là phần diện tích đối diện nhau của 2 bản cực và d (m) là khoảng cách giữa 2
bản cực.
Điện dung được ghi ngay trên thân tụ điện bằng các ký hiệu sau: MF (
MFD ( µFD ≈ uF ≈ µF.
Các tụ điện sứ (ceramic), trị số của nó thường được ghi như sau:
104 (10.0000pF = 0,1µF)
103 (10.000pF = 0,01µF)
 102 (10.00pF = 0,001µF...).
b) Điện áp làm việc:
Là điện áp tối đa cho phép đặt vào 2 bản cực của tụ điện, nếu điện áp đặt vào 2 cực tụ điện
quá giá trị này, lớp điện mội sẽ bị đánh thủng.
Ta có: V = E.d
Trị số của điện áp làm việc thường được ghi ngay trên thân của nó, ký hiệu bằng V hoặc
bằng chữ WV (Working Voltage).
Ví dụ: 1000(F/25VDC hoặc 1000(F/25WV.
5. Các loại tụ điện:
Tùy theo vật liệu làm chất điện môi mà ta có các loại tụ điện tương ứng:
* Tụ điện giấy: Chất điện môi là giấy thường được tẩm dầu, 2 bản kim loại thường là nhôm, tất
cả được cuốn tròn và có 2 cực nối với 2 bản cực. Loại này thường có điện dung không cao,
độ rĩ lớn, nhưng điện áp làm việc lớn.
* Tụ mica: Chất điện môi là mica, 2 bản kim loại thường là nhôm, tất cả được cuốn tròn hoặc
cuốn dẹp lại và có 2 cực nối với 2 bản cực. Loại này thường có điện dung không cao, độ rĩ rất
nhỏ.
* Tụ gốm hay sứ (ceramic): Có dạng hình đĩa, chất cách điện là một miếng gốm và 2 bản cực là
2 miếng nhôm. Loại này thường có điện dung không cao, độ rĩ ít và điện dung thay đổi nhiều
theo nhiệt độ .
* Tụ không khí: Điện môi là không khí,1 bản cực có thể xoay quanh một trục để thay đổi được
điện dung do diện tích đối diện S của 2 bản cực thay đổi. Thường dùng để điều chỉnh tần số
trong các mạch cộng hưởng. Loại này có điện dung rất nhỏ.
* Tụ hoá học: Có điện dung lớn vì có bề dày d rất nhỏ. Một bản cực nhôm đặt sát một lớp giấy
tẩm dung dịch điện giải (dẫn điện), tất cả được cuốn tròn lại. Bản nhôm và lớp giấy tẩm dung
dịch điện giải đóng vai trò của 2 bản cực.
Khi đưa 2 bản cực vào một nguồn điện một chiều, hiện tượng điện giải tạo ra một lớp Oxit
nhôm (Al2O3) cách điện ở giữa 2 bản cực. Lớp này rất mỏng và cách điện tốt. Vậy ta có hai
bản cực dẫn điện nhôm-giấy tẩm dung dịch điện giải, cách nhau bởi lớp điện môi (Al2O3) nên
làm thành một tụ điện.
Chú ý:
Khi sử dụng loại tụ điện hoá học này, phải dùng đúng cực tính: Cực dương của tụ điện (bản
cực giấy) nối vào cực dương của nguồn, cực âm của tụ điện (bản nhôm) nối vào cực âm của
nguồn. Nếu ta mắc ngược lại hoặc dùng tụ điện hoá học nơi có dòng điện xoay chiều chạy qua,
tụ điện hoá học sẽ bị nổ vì hiện tượng điện giải ngược lại, lớp điện môi (Al2O3) tan vào dung
dịch điện giải và lớp điện môi này không còn nguyên vẹn nữa, chúng có điện trở làm nóng tụ
điện và nổ.
* Tụ Nonpolar hoặc Bipolar: Đây là các loại tụ điện hoá học đặc biệt, có thể sử dụng với dòng
điện xoay chiều, lớp điện môi được tạo ra không bị tan vào dung dịch điện giải. Tụ điện này
thường được dùng làm tụ điện liên lạc với các loa treble trong các thùng loa.
* Tụ trimer: Là loại tụ điện có kích thước rất nhỏ, thay đổi được điện dung nhỏ. Thường dùng
để tinh chỉnh trong các mạch cộng hưởng.
6. Cách đo thử tụ điện:
Tụ điện được đo thử bằng Ohm-kế (chỉ thị bằng kim) hoặc máy đo tụ điện. Thông thường ta
dùng Ohm-kế : Đưa 2 que đo của Ohm-kế vào 2 đầu tụ điện, nguồn pin trong Ohm-kế sẽ nạp
điện cho tụ điện, dòng nạp ban đầu lớn nhất sau đó giảm dần xuống không. Ta thấy kim Ohm-
kế lên cao, sau đó từ từ về ( là tụ điện tốt.
* Nếu Kim Ohm-kế lên cao, không xuống là tụ điện bị nối tắt.
* Nếu Kim Ohm-kế lên cao, xuống không hết, là tụ điện bị rĩ.
* Nếu Kim Ohm-kế không lên, tụ điện có điện dung quá nhỏ hoặc bị khô.
 Chú ý:
Để đo thử các loại tụ có điện dung nhỏ như tụ mica, tụ gốm, ta tìm cách tăng dòng nạp cho
tụ điện bằng cách tăng nguồn pin của Ohm-kế như sau:
Nguoàn ñieän theá moät chieàu +
(côõ 100 Volt)
mA
-
Cách đo thử tụ điện có điện dung nhỏ
Nếu kim mA-kế DC hoặc Volt-kế DC lên cao, xuống hết (R=() là tụ điện tốt ...
III- CUỘN CẢM : (Self).
1. Định nghĩa:
Cuộn cảm gồm nhiều vòng dây đồng, quấn trên lõi không khí, lõi ferit (ferric), hoặc lõi sắt
từ.
2. Cảm kháng:
Cảm kháng của cuộn cảm được tính theo công thức: ZL = L(.
3. Phân loại : Tùy theo tính chất từ của lõi, mà ta sẽ sử dụng cuộn cảm ở những nơi
có tần số khác nhau:
* Lõi sắt: Dùng cho tần số thấp.
* Lõi ferit: Dùng cho tần số cao, có thể điều chỉnh được hệ số tự cảm L bằng cách điều chỉnh
lõi ferit ra hoặc vào sâu bên trong lõi .
* Lõi không khí: Dùng nơi có tần số rất cao.
IV- BIẾN ÁP.
1. Nguyên tắc:
Công thức tính số vòng dây: V = 4,44. 10-8 .N.B.f.S
V : điện áp đặt vào cuộn biến áp (Volt).
N : số vòng cuộn dây của biến áp.
B : cảm ứng từ (Gauss).
f : tần số của dòng điện sử dụng (Hertz)
S : tiết diện lõi sắt từ (cm2 ).
Công thức tính công suất của biến thế cở nhỏ:
S = 1,2 P
S : là tiết diện lõi sắt (cm2 )
P : là công suất của máy biến áp (Watt).
2. Điện trở phản ảnh:
Biến thế có cuộn sơ cấp N1 vòng, được đặt vào điện áp U1 có dòng điện I1 chạy qua. Cuộn thứ cấp N2
vòng, có điện áp hai đầu U2, mắc tải Zo sẽ có dòng điện
I2 chạy qua. U1 N1 N2 U2 Zo
N U I
Tỉ số biến áp: n= 2 = 2 = 1
N1 U1 I 2
Để có các công thức trên ta phải có các điều kiện: thất thoát năng lượng từ ra ngoài không
đáng kể và điện trở thuần của 2 cuộn dây rất nhỏ.
I U2
n= 1 = ⇒ U 2 = nU1
I2 U1
U2 n n 2U1
I1 = nI 2 = n = nU1 =
Z0 Z0 Z0
Điện trở phản ảnh Rt được tính bởi công thức:
U Z
Rt = 1 = 20
I1 n
 BÀI 3: LINH KIỆN BÁN DẪN

I- CÁC HIỆN TƯỢNG TIẾP XÚC.

Các linh kiện bán dẫn thường được chế tạo dựa trên các hiện tượng tiếp xúc giữa các vật
liệu. Ta xét một số hiện tượng tiếp xúc thường gặp trong kỹ thuật vi điện tử: tiếp xúc kim loại -
bán dẫn, tiếp xúc bán dẫn – bán dẫn (tiếp xúac P-N), tiếp xúc kim loại - điện môi - bán dẫn
(MOS).
1. Tiếp xúc kim loại - bán dẫn:
Giả sử ta có một mẫu kim loại và một mẫu chất bán dẫn loại N (bán dẫn có electron là hạt
mang điện đa số) tiếp xúc nhau. Ta xét hiện tượng gì xảy ra tại lớp tiếp xúc trên:
Công thoát của electron trong chất bán dẫn nhỏ hơn công thoát của electron trong kim loại,
mức Fermi trong chất bán dẫn nằm cao hơn trong kim loại (mức Fermi là mức năng lượng cao
nhất của các electron dẫn ở 00K). Nên khi cho kim loại-bán dẫn tiếp xúc nhau thì electron trong
chất bán dẫn thoát ra khỏi chất bán dẫn dễ dàng hơn electron thoát ra khỏi kim loại. Dòng
electron từ chất bán dẫn chạy sang kim loại nhiều hơn dòng từ kim loại sang chất bán dẫn.
Nhưng quá trình này xảy ra trong thời gian rất ngắn vì đến một lúc nào đó, số electron bên
kim loại tăng lên, còn số electron bên chất bán dẫn giảm xuống. Theo thời gian, điện tích phía
chất bán dẫn càng dương và phía kim loại điện tích càng âm, chúng tạo thành một điện trường
Etx có chiều từ chất bán dẫn sang kim loại. Chính điện trường này ngăn cản không cho
electron trong chất bán dẫn tiếp tục chạy sang kim loại nữa. Sau một khoảng thời gian rất ngắn
đạt được trạng thái cân bằng, electron trong chất bán dẫn N không chạy sang kim loại nữa hình
thành một lớp nghèo hạt mang điện cơ bản tại vùng tiếp xúc (nằm phía chất bán dẫn) gọi là lớp
đảo hay lớp điện tích không gian.
Ta sẽ chứng minh lớp tiếp xúc này có tính chỉnh lưu:
Etx Etx Etx

KL BD N KL BD N KL BD N

d d d
Engoaøi Engoaøi

Hình 1 Hình 2 Hình 3

ƒ Hình 1: Điện trường Etx hình thành một lớp đảo, nghèo hạt mang điện cơ bản có bề dày d.
ƒ Hình 2: Điện trường ngoài Engoài có chiều ngược với chiều của Etx nên làm bề dày d của
nó co lại, vùng nghèo hạt mang điện cơ bản hẹp nên dẫn điện mạnh. Đây là chiều dẫn điện
thuận (nhánh thuận).
ƒ Hình 3: Điện trường ngoài Engoài cùng chiều với chiều của Etx nên làm bề dày d của nó
mở rộng ra, vùng nghèo hạt mang điện cơ bản rộng nên dẫn điện kém. Đây là chiều dẫn
điện ngược (nhánh nghịch).
I(mA)

Nhaùnh thuaän

Ñaëc tuyeán Volt-Ampe cuûa

0 U
lôùp tieáp xuùc kim loaïi -Chaát
Nhaùnh nghòch baùn daãn N .

Như vậy, lớp tiếp xúc kim loại - bán dẫn có tính chỉnh lưu, được ứng dụng để chế tạo các
điốt tiếp xúc điểm, có điện dung tiếp xúc nhỏ, dùng trong mạch điện tách sóng trong radio, TV
hoặc trong các mạch điện chuyển mạch điện tử tần số cao.
 Tuy nhiên, đôi khi người ta muốn tiếp xúc này thuần trở (Ohmic), không có tính chỉnh lưu
(để tạo các mối nối từ chất bán dẫn ra các chân). Muốn vậy, người ta phải chọn kim loại và
chất bán dẫn có (kl và (bd thích hợp.

Möùc 0 Möùc 0
ϕ bd EC
ϕkl EFbd
ED
EFkl
EV
Kim loại
Chất bán dẫn

2. Tiếp xúc p-n:

Nếu có 2 miếng bán dẫn loại N và loại P đặt tiếp xúc với nhau (ví dụ: Si-N và Si-P), ta xét
hiện tượng gì xảy ra tại vùng tiếp xúc đó.
Ta đã biết rằng trong chất bán dẫn loại N, electron là hạt dẫn điện đa số và lổ trống là hạt
dẫn điện thiểu số. Còn trong chất bán dẫn loại P, lổ trống là hạt dẫn điện đa số và electron là
hạt dẫn điện thiểu số. Nồng độ hạt dẫn điện cơ bản ở 2 bên chênh lệch nhau, sẽ có hiện tượng
khuếch tán: electron từ chất bán dẫn N sang chất bán dẫn P và lổ trống từ chất bán dẫn P sang
chất bán dẫn N.
Do vậy, phía N mật độ electron giảm dần (điện tích dương lên) và phía P, mật độ lổ trống
giảm dần (điện tích âm xuống), nên xuất hiện một điện trường Etx ở 2 bên mặt lớp tiếp xúc
hướng từ N sang P. Điện trường Etx này ngăn cản không cho electron từ N tiếp tục khuếch tán
sang P, cũng như không cho lổ trống từ P khuếch tán sang N.
Sau một thời gian ngắn, hiện tượng khuếch tán sẽ chấm dứt, có sự cân bằng về mật độ hạt
dẫn điện ở vùng tiếp xúc, lúc này mức Fermi ở 2 chất bán dẫn ngang bằng nhau. Ở vùng tiếp
xúc (về cả hai phía chất bán dẫn P và N) hình thành một lớp nghèo hạt dẫn điện cơ bản (có
điện trở lớn), còn gọi là lớp điện tích không gian.

Si P Si N

EC EC
ED EFN

EFP EA
EV EV
Các mức năng lượng trong 2 loại chất bán dẫn loại P và N.
d
P N

Caùc möùc
EC naêng löôïng
EC
EA ôû lôùp tieáp
EFP EFN xuùc P-N .
ED
EVTa sẽ chứng minh lớp tiếp xúc này có tính chất chỉnh lưu :
EV
 Etx Etx

P N P N

Engoaøi Engoaøi

Hình 1 Hình 2
Tiếp xúc P-N có nguồn cấp điện bên ngoài
ƒ Hình 1: Điện trường ngoài Engoài ngược chiều với Etx nên làm bề dày lớp điện tích
không gian thu hẹp lại (có điện trở nhỏ) nên có dòng điện lớn đi qua lớp tiếp xúc. Đây là
nhánh thuận của đặc tuyến V-A.
ƒ Hình 2: Điện trường ngoài Engoài cùng chiều với Etx , làm bề dày lớp điện tích không
gian mở rộng ra (điện trở lớn), nên có dòng điện nhỏ đi qua lớp tiếp xúc do các hạt dẫn
thiểu số gây ra. Đây là nhánh nghịch của đặc tuyến V-A.
I (mA)
nhaùnh
thuaän
(1)
Ungoaøi

Ungoaøi
nhaùnh
nghòch
(2) Đặc tuyến Volt-Ampe của.lớp tiếp xúc P-N
Vậy lớp tiếp xúc P-N có tính chất chỉnh lưu, chỉ cho dòng điện đi qua theo chiều thuận
(chiều từ lớp P sang lớp N).
3. Tiếp xúc kim loại - điện môi - chất bán dẫn:
Người ta dùng SiO2 làm điện môi, chất bán dẫn là Si, thì tiếp xúc kim loại-điện môi-bán dẫn
là tiếp xúc kim loại - oxit - bán dẫn, còn gọi là MOS (Metal – Oxide -Semiconductor).
Tiếp xúc này được dùng để tạo các MOSFET (transistor trường Cổng cách điện), tụ điện
MOS…...

A KL SiO2 Si-P B

Möùc 0
x
EC
ϕkl ϕbd
EFbdP
EFkl EV

Giản đồ năng lượng của tiếp xúc MOS.

ƒ Khi chưa đặt điện áp ngoài vào 2 cực AB thì không xuất hiện các điện tích ở 2 bề mặt
điện môi.
 ƒ Khi đặt điện áp âm vào A, dương vào B: electron trong lớp Si-P chạy về cực B, lổ trống
trong lớp Si -P chạy về phía vách chất điện môi. Sát lớp điện môi gần chất bán dẫn xuất hiện
điện tích dương và sát lớp điện môi gần kim loại có điện tích âm.

ƒ Khi đặt điện áp dương vào A, âm vào B: mật độ lổ trống phía Si-P ít dần hình thành lớp
nghèo hạt dẫn điện cơ bản. Tăng điện áp này lên, vùng nghèo hạt cơ bản này tăng lên. Ta thấy
2 bên lớp điện môi SiO2 hình thành các điện tích có dấu trái nhau như ở 2 bản cực của tụ điện,
chúng cho dòng xoay chiều đi qua.
II- ĐIỐT BÁN DẪN.
1. Cấu tạo, ký hiệu:
Điốt bán dẫn gồm hai chất bán dẫn loại P và N ghép với nhau tạo thành một lớp tiếp xúc P-
N (tiếp xúc mặt), có thể cho dòng điện có cường độ lớn qua được. Hoặc một thanh kim loại tiếp
xúc với chất bán dẫn loại N (tiếp xúc điểm), có điện dung tiếp xúc nhỏ, dùng ở tần số cao. Ở
đây ta xét điốt tạo thành từ một lớp tiếp xúc P-N:
Lớp P nối với với cực A, được gọi là Anốt.
Lớp N nối với cực K, được gọi là Catốt.

A K A K
P N
Cấu tạo của điốt Ký hiệu của điốt

2. Nguyên lý làm việc và đặc tuyến volt-ampe:

ƒ Khi đặt điện trường ngoài theo chiều thuận: Cực dương nguồn đặt vào A và cực
âm nguồn đặt vào K.
Có dòng điện mạnh chạy qua lớp tiếp xúc, vì lúc này vùng điện tích không gian bị thu hẹp
lại, làm dòng điện khuếch tán tăng lên.
Dòng điện qua mặt tiếp xúc P-N lúc này sẽ tăng theo điện áp ngoài UAK:
I = Ithuận - Ingược

11522U AK
I = I S [e − 1]
T

Trong đó, Is là dòng điện ngược bảo hoà (khoảng vài chục mA).
T là nhiệt độ tuyệt đối (T = 2730C + nhiệt độ đo bằng 0C)
UAK là điện áp đặt vào Anốt và Katốt của điốt (V).
I tăng theo UAK theo công thức trên được biểu diễn bằng đường cong bên phải trên đặc
tuyến Volt-Ampe.
mA
600

400

200
V 1000 600 200
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 U(V)

Đặc tuyến Volt-Ampe của một điốt Silic

Chú ý: Điện áp rơi trên điốt Si khoãng 0,6V và 0,2V ở điốt Ge.
 Sở dĩ theo chiều thuận, điốt xem như bắt đầu dẫn điện khi điện áp đặt vào 2 đầu điốt vượt
qua trị số ngưỡng (0,2V đối với Ge, hoặc 0,6V đối với Si) vì điện áp thuận đặt vào điốt phải đủ
lớn để lấn áp điện trường Etx bên trong tiếp xúc P-N.

( Khi đặt điện trường ngoài theo chiều nghịch: Cực dương vào K và âm vào A.
Khi UKA thấp, có dòng điện rất nhỏ chạy qua lớp tiếp xúc, vì lúc này vùng điện tích không
gian mở rộng ra và do các hạt dẫn thiểu số gây ra. Đoạn này được gọi là điốt phân cực nghịch
hay điốt khóa (đặc tuyến V-A bên trái). Nhưng khiĠ ( Ġ (VZ hay Vcắt) thì hạt mang điện thiểu
số được gia tốc đến mức có thể phá vỡ mối liên kết nguyên tử trong lớp tiếp xúc và tạo ra các
electron tự do mới, các electron mới này lại tham gia bắn phá lớp tiếp xúc và số electron này
được tạo ra dây chuyền làm dòng Ingược tăng lên một cách nhảy vọt. Tình trạng này gọi là điốt
bị đánh thủng.
3. Các thông số chủ yếu:
Mỗi điốt thường có các thông số chủ yếu sau đây:
( Dòng điện thuận định mức Ia : Là dòng điện cực đại cho phép, qua điốt trong một thời gian dài khi
điốt mở.
( Điện áp ngược định mức UKAmax : Là điện áp ngược cực đại cho phép, đặt vào điốt trong một thời
gian dài khi điốt khóa.
( Thời gian hồi phục khóa tk : Là thời gian cần thiết để chuyển trạng thái mở sang trạng thái khóa.
Điều này ảnh hưởng đến tần số của dòng điện sử dụng.
( Dòng điện ngắn hạn cực đại cho phép: Là dòng điện cực đại cho phép đi qua điốt ở trạng thái mở
trong một thời gian ngắn.
Ví dụ:
1N4004 : IA = 1A ; UKAmax = 400V .
1N4007 : IA = 1A ; UKAmax = 1000V.
4. Phân loại điốt:
Người ta có thể phân loại điốt tùy theo quan điểm khác nhau:
ƒ Theo đặc điểm cấu tạo: điốt tiếp điểm, điốt tiếp mặt.
ƒ Theo vật liệu sử dụng: điốt Ge hay điốt Si.
ƒ Theo tần số sử dụng: điốt cao tần, điốt tần số thấp.
ƒ Theo công suất: điốt công suất lớn, công suất trung bình, công suất nhỏ.
ƒ Theo nguyên lý hoạt động: điốt chỉnh lưu, điốt ổn áp (Zener), điốt biến dung (varicap),
điốt dùng hiệu ứng đường hầm (Tunel).
ƒ ....
a) Điốt ổn áp (điốt Zener):
Điốt Zener là điốt Si có cấu tạo đặc biệt, không bị phá hủy khi có điện áp ngược đặt vào lớn
hơn điện áp đánh thủng VZ và ứng với điện áp VZ cố định này, dòng ngược tăng đột ngột, do
đó đặc tuyến ngược Volt-Ampe của nó rất thẳng. Ở đây ta sử dụng nhánh ngược của đặc
tuyến Volt-Ampe để sử dụng điốt vào mạch điện ổn áp.

Ithuaän

VZ Uthuaän
Ungöôïc

I
ngöôïc
Đặc tuyến Volt-Ampe của điốt Zener.
Ký hiệu:
 hoặc

Ký hiệu của điốt Zener

Muốn biết điện áp và công suất của điốt Zener, ta phải tham khảo trong sách tra cứu điốt.
Ví dụ:
• Mạch ổn áp đơn giản:
+
+
Ñieän R Ura = VZ
aùp vaøo DZ khoâng ñoåi
thay ñoåi
-
Mạch -ổn áp đơn giản.
Trong thực tế, để mạch ổn áp có hiệu quả cao, người ta thường kết hợp điốt Zener với các
transistor (sẽ hiểu rõ sau bài Transistor). Các mạch ổn áp thực tế được mắc theo các sơ đồ
như sau :
• Mạch ổn áp dùng 1 transistor :

T
+ +
RB

Uvaøo Ura
DZ

- -
Mạch ổn áp dùng Transistor.
Điện trở RB dùng để phân cực cho transistor T và ấn định dòng điện ngược cho điốt DZ.
Thường ta chọn Ingược min để điốt Zener ít nóng, sử dụng lâu bền :
Ingược min =Ġ
U vao − V Z
RB =
I nguoc min
và công suất của transistor : Pmax = UI = (Uvào - Ura)Imax
Trong đó Imax là dòng điện tối đa qua mạch tiêu thụ.
Điện áp ổn áp : Ura = (VZ - 0,6) Volt.
Ví dụ : Tính các giá trị của các linh kiện trong mạch ổn áp một chiều 12 volt, dòng tiêu thụ
100mA, điện áp vào 15Volt .
Ta dùng điốt Zener loại nhỏ :12,6V / 800mW.
Ingược max = Ġ = 63,5mA
Ingược min = Ġ = 6,35mA.
Vậy RB = Ġ = 380(
• Mạch ổn áp dùng 3 transistor : Mạch ổn áp này khá tốt và có thể điều chỉnh được
hiệu điện thế ra.
 T3
+ +

RB R1
T2

Uvao R Ura
T1

DZ R2
- -

Mạch ổn áp dùng 3 transistor

Mạch ổn áp này gồm 3 phần chính:
* Điện áp chuẩn: Được tạo bởi điốt Zener (DZ) mắc theo chiều ngược để ta có điện áp VZ
không đổi đặt vào chân E của T1.
* Điện áp mẫu: Lấy ra từ cầu phân thế R1, R, R2 đưa vào chân B của T1.
* So sánh: T1 làm nhiệm vụ so sánh để tạo điện áp điều khiển tại chân C.
Nếu điện áp Ura tăng: Điện áp lấy mẫu ở cầu chia thế R1, R, R2 cao nênVB1 tăng, T1 được
phân cực cao, dẫn điện mạnh nên VC1 thấp => VB2 thấp, T2 được phân cực thấp dẫn điện
yếu nên VE2, VB3 thấp => T3 phân cực thấp, dẫn điện yếu làm Ura giảm xuống.
Nếu điện áp Ura giảm: Điện áp lấy mẫu ở cầu chia thế R1, R, R2 thấp nênVB1 thấp, T1
được phân cực yếu, dẫn điện yếu nên VC1 cao => VB2 cao, T2 được phân cực mạnh dẫn
điện mạnh nên VE2, VB3 cao => T3 phân cực mạnh, dẫn điện mạnh làm Ura tăng cao.
Ở đây T2 và T3 mắc theo kiểu Darlington để tăng hệ số khuếch đại (( = (2.(3).
b) Điốt biến dung (Varicap):
Là điốt Si được cấu tạo đặc biệt để dùng với đặc tuyến ngược của điốt. Ta đã thấy nếu
vùng điện tích không gian lớn, vùng này nghèo hạt dẫn điện đa số nên được coi như một chất
điện môi, 2 bên vùng này là các chất bán dẫn P và N có các điện tích dương và âm. Vậy có thể
xem lớp tiếp xúc này có tác dụng như một tụ điện, bề dày lớp điện môi thay đổi được theo điện
áp ngược đặt vào nên điện dung của tụ điện này thay đổi được theo điện áp.

Ký hiệu:
Ký hiệu của điốt Varicap
Điốt này được dùng trong các mạch cộng hưỡng, điều chỉnh tần số cộng hưỡng bằng điện
áp trong các máy thu. Thay đổi điện dung của mạch cộng hưỡng bằng cách thay đổi điện áp
ngược đặt vào điốt varicap.
5. Tên của điốt:
Theo cách đặt tên kiểu Mỹ có chữ 1N ở đầu và các con số phía sau.
Ví dụ: 1N4001, 1N4007....
6. Đo thử điốt:
ƒ PHÂN BIỆT ĐIỐT Ge HOẶC Si:
Ta đã biết Ge có Eg = 0.72eV và Si có Eg = 1.1eV nên theo chiều thuận điốt Ge dẫn với
điện áp thấp hơn điốt Si (Ge: 0.2V và Si 0.6V) và dòng điện ngược trong điốt Ge lớn hơn trong
điốt Si. Dùng Ohm-kế thang đo x1K, đo theo 2 chiều thuận (kim Ohm – kế lên nhiều), nghịch
(kim Ohm – kế không lên hay lên ít). Nếu điốt còn tốt ta có kết quả như sau:

+ Ω keá - + Ω keá - + Ω keá -

+ Ω keá -
 Kim lên cao Kim Kim lên cao hơn Kim
không nhúc hơi nhích lên
nhích trường hợp Si một
Điốt Si chút.
Điốt Ge

Chú ý: Các Ohm-kế chỉ thị bằng kim, do cấu tạo gồm một mA-kế nối tiếp với một
nguồn pin, nên cực dương của Volt-kế là cực âm của Ohm-kế.
ƒ ĐO THỬ XÁC ĐỊNH ĐIỐT TỐT, XẤU:
* ĐIỐT Si:
Dùng Ohm-kế (thang đo Rx1K) đo theo 2 chiều thuận, nghịch :
Nếu một chiều kim lên cao, một chiều kim không nhúc nhích : Tốt.
Nếu cả 2 chiều đo, kim ohm-kế đều lên cao : điốt bị nối tắt.
Nếu cả 2 chiều đo, kim ohm-kế đều lên lưng chừng : điốt bị rĩ..
Nếu cả 2 chiều đo, kim ohm-kế đều không lên : điốt bị đứt.
* ĐIỐT Ge:
Dùng Ohm-kế (thang đo Rx1K) đo theo 2 chiều thuận, nghịch :
Nếu một chiều kim lên cao, một chiều kim hơi nhích lên: Tốt.
Nếu cả 2 chiều đo, kim ohm-kế đều lên cao: điốt bị nối tắt.
Nếu cả 2 chiều đo, kim ohm-kế đều lên lưng chừng : điốt bị rĩ.
Nếu cả 2 chiều đo, kim ohm-kế đều không lên : điốt bị đứt.
7. Ứng dụng của điốt:
a) Chỉnh lưu dòng điện một chiều:
Mối tiếp xúc P-N có tính chỉnh lưu, nên có thể dùng điốt để chỉnh lưu dòng điện xoay chiều
thành dòng điện một chiều.
ƒ CHỈNH LƯU NỬA CHU KỲ:
Mạch điện rất đơn giản, chỉ gồm 1 điốt theo sơ đồ sau:

UM
U~ Rt Ura
0 t

Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ Đường biểu diễn của điện áp Uvào theo t
U
UM

0 t

Đường cong biểu diễn điện áp Ura theo t

Ta thấy điốt chỉ cho nửa chu kỳ dương của dòng điện xoay chiều chạy qua, nửa chu kỳ âm
bị chặn lại. Trên tải Rt ta thu được dòng điện Ura như hình vẽ.
 T T /2
1 1
Ura = ∫ U M sin ω t.dt = ∫U M sin ω t.dt
T 0 T 0

T /2
1
T ∫0
U ra = U M sin ω t.dt (1)

Để có được dòng điện một chiều không đổi, ta dùng một tụ điện C có điện dung lớn mắc
song song với Rt. Khi điện áp tăng, tụ điện C được nạp đầy đến điện áp đỉnh UM, khi điện áp
hai đầu C giảm, tụ điện sẽ phóng qua tải Rt. Thời gian phóng càng lâu nếu tụ điện C có điện
dung càng lớn, dòng điện Ura càng bằng phẳng, ít bị mấp mô. Tuy nhiên, nếu tụ điện C lớn,
dòng nạp ban đầu cho tụ điện lớn, có thể đánh thủng điốt.
+
U~ Ura
Rt C

-
Mạch điện chỉnh lưu nửa chu kỳ có mạch lọc.
U
UM

0 t

Điện áp một chiều sau mạch lọc dùng tụ điện

ƒ CHỈNH LƯU HAI NỬA CHU KỲ:

Theo mạch điện trên, ta thấy nửa chu kỳ còn lại dòng điện bị chặn lại, không qua tải tiêu thụ
được làm giảm công suất của mạch chỉnh lưu. Muốn sử dụng cả 2 nửa chu kỳ, ta có thể dùng
2 mạch điện sau đây:

D1 D4 D1
− Rt + +
Uvào Uvao
D2 D2 D3 Rt Ura
-

Mạch chỉnh lưu dùng 2 điốt Mạch cầu chỉnh lưu dùng 4 điốt

Ura
UM

0 t

Điện áp xoay chiều đưa vào mạch chỉnh lưu

 Ura
UM

0 t

Điện áp một chiều trên tải Rt

T /2
2
U ra =
T ∫U
0
M sin ω t.dt (2)

Chú ý: So sánh (1) và (2) ta thấy giá trị của (2) lớn hơn (1).

Mạch điện 1: Khi điốt D1 nhận nửa chu kỳ dương, thì điốt D2 nhận nửa chu kỳ âm,
D1 dẫn và D2 ngưng. Dòng điện qua tải Rt một chiều như hình vẽ. Qua nửa chu kỳ sau, điốt
D1 nhận nửa chu kỳ âm, thì điốt D2 nhận nửa chu kỳ dương, D2 dẫn và D1 ngưng. Dòng điện
qua tải Rt cũng cùng chiều như nửa chu kỳ đầu. Vậy cả 2 nửa chu kỳ ta đều thu được dòng
điện một chiều qua tải Rt.
Mạch điện 2: Nửa chu kỳ đầu của Uvào, giả sử phía trên dương hơn phía dưới, dòng
điện chạy qua D1, Rt, D2, rồi về nguồn. Nửa chu kỳ sau của Uvào, dưới dương hơn phía trên,
dòng điện chạy qua D3 , Rt, D4, rồi về nguồn. Cả 2 nửa chu kỳ ta đều có dòng điện một chiều
chạy qua tải Rt từ trên xuống dưới, nên phía trên dương, phía dưới âm.
Cả 2 mạch điện trên, dòng điện một chiều sau chỉnh lưu là dòng điện một chiều thay đổi. Muốn biến đổi
thành dòng một chiều bằng phẳng, ta dùng tụ điện lọc có điện dung lớn mắc song song với tải
Rt như đã nói ở trên (chọn thời hằng ( = RC lớn).
Ura
UM

0 t

Điện áp ra Ura sau tụ điện lọc

b) Chỉnh lưu dòng điện một chiều, nhân đôi điện áp :
Ta kết hợp các điốt và tụ điện để tạo ra các mạch điện có tác dụng vừa chỉnh lưu dòng điện
xoay chiều, vừa nhân đôi điện áp. Ta có 2 mạch điện như sau đây:
ƒ Mạch điện 1:
* Nửa chu kỳ đầu: Giả sử điện áp xoay chiều vào phía trên dương hơn phía dưới, D1 dẫn
điện, D2 ngưng dẫn. D1 dẫn nạp cho C1 một điện áp đỉnh bằng UM, có chiều dương ở trên,
âm ở phía dưới.
* Nửa chu kỳ sau: phía dưới dương hơn phía trên, D1 ngưng dẫn, D2 dẫn. D2 dẫn nạp cho
C2 một điện áp đỉnh bằng UM, có chiều dương ở trên âm ở phía dưới.
Vậy sau 2 nửa chu kỳ, trên 2 tụ điện C1 và C2 có cùng điện áp UM và có chiều nối tiếp
nhau, nên điện áp tổng cộng lại cùng nạp cho C3. Trên C3 có điện áp 2UM sẽ phóng qua tải
Rt.
Trong mạch điện này, nguồn xoay chiều và nguồn một chiều có masse khác nhau.
ƒ Mạch điện 2:
* Nửa chu kỳ đầu: giả sử điện áp vào trên âm, dưới dương: D2 ngưng và D1 dẫn, nạp cho
C1 một điện áp bằng điện áp đỉnh UM .
 * Nửa chu kỳ sau: điện áp Uvào trên dương, dưới âm: D1 ngưng và D2 dẫn. Lúc này ta thấy
điện áp có sẵn trên tụ điện C1 và điện áp Uvào nối tiếp nhau, cùng qua D2 nạp cho C2 một
điện áp bằng 2 lần điện áp đỉnh: 2UM.
Trong mạch điện này nguồn xoay chiều và nguồn một chiều có cùng chung masse với
nhau.
Nhận xét: Cả 2 mạch điện trên đều chỉnh lưu nửa chu kỳ và nhân đôi điện áp.

+
D1 C1
Uvaøo C
xoay D2 Rt Ura
chieàu
C2
Mạch
- điện 1
+
D2
C1
Uvaøo Ura
D1 C2 Rt
xoay
chieàu

-
Mạch điện 2
III- TRANSISTOR.
Năm 1947, John Bardeen và Walter Brattain tại phòng thí nghiệm của Bell Telephone
Company đã phát minh ra transistor tiếp xúc điểm, đến năm 1449 William Shockley cho ra đời
lý thuyết của transistor tiếp xúc mặt.
Sau đó vào năm 1951 Spart & Teal chế tạo thành công transistor tiếp xúc mặt.
Vào năm 1953, hãng RCA đã dùng phương pháp hợp kim để chế tạo ra transistor dùng
chất bán dẫn Germanium. Năm 1954 Texas Instruments Company đã đưa Silic vào công nghệ
chế tạo transistor.
Phương pháp khuếch tán để chế tạo transistor được Bell Telephone Company nghiên cứu
thành công năm 1955.
Đến năm 1958, hãng The Fairchild Semiconductor Devision sản xuất được transistor Silic
theo phương pháp Mesa.
Cùng trên một đế bán dẫn, lần lượt tạo ra 2 tiếp xúc công nghệ P-N gần nhau để được một
linh kiện bán dẫn 3 cực gọi là transistor lưỡng cực (bipolar):
Người ta phân biệt 2 loại transistor PNP và NPN có ký hiệu như sau:

C
N

B P B
N E

Transistor NPN

E
 C

C
P

B N B
P E

Transistor P-N-P

Mỗi transistor lưỡng cực có 2 tiếp xúc P-N và gồm 3 lớp :

• Lớp giữa được gọi là lớp gốc (Base) ký hiệu là B, có nồng độ tạp chất thấp nhất và có
bề dày rất mỏng, khoảng 10 (m.
• Lớp Phát (Emitter) ký hiệu là E, có nồng độ tạp chất lớn nhất.
• Lớp góp (Collector) ký hiệu là C, có nồng độ tạp chất trung bình.
1. Nguyên tắc hoạt động:
Ta xét hoạt động của một transistor NPN. Muốn một transistor hoạt động được, phải có đủ
2 điều kiện:
• Tiếp tế :
Phải cung cấp điện áp cho hai cực C, E đúng cực tính bằng nguồn điện ECC.
Nếu transistor NPN thì UCE > 0.
Nếu transistor PNP thì UCE < 0.
• Phân cực:
Phải cung cấp điện áp cho B, E đúng cực tính bằng nguồn điện EB.
Nếu transistor NPN thì UBE > 0.
Nếu transistor PNP thì UBE < 0.

IC C Rt

+
IB ECC
-
B
EB +
-

IE E
Sơ đồ nguyên lý của một transistor.
ƒ Xét trường hợp có nguồn ECC, không có nguồn EB: CE coi như gồm 2 điốt CB và BE
mắc nối tiếp, 2 điốt này mắc ngược chiều nhau nên không cho dòng điện qua CE.
ƒ Xét trường hợp có nguồn EB không có nguồn ECC: điốt BE được phân cực thuận,
electron (hạt dẫn đa số của lớp E) qua mối tiếp xúc PN vào lớp B để về nguồn EB. Chỉ có dòng
IB, không có dòng IC ở mạch nguồn ECC. Dòng IB càng lớn, khi nguồn EB lớn.
ƒ Xét trường hợp có cả 2 nguồn ECC và nguồn EB: điốt BE được phân cực thuận,
electron (hạt dẫn đa số của lớp E) qua mối tiếp xúc vào lớp B, ở lớp B này electron là hạt dẫn
điện thiểu số (không cơ bản), khuếch tán rất nhanh qua lớp B (rất mỏng cở vài (m) để vào lớp
C. Ở đây electron lại là hạt dẫn đa số, nên bị nguồn ECC hút mạnh tạo nên dòng IC .
ƒ Ta thấy, dòng IC càng mạnh khi dòng IB càng lớn và bề dày lớp B càng nhỏ.

Vậy:
 o Khi IB = 0 : không có dòng IC.
o Khi IB càng lớn: dòng IC càng lớn .
o Ta nói chính dòng qua cực B (cỡ nA) đã điều khiển dòng điện qua EC ( cỡ mA) của
transistor. Vì vậy, cực B còn gọi là cực khiển.
Nếu coi cực E là nguồn phát ra hạt dẫn đa số, hạt này một phần nhỏ chạy qua cực Gốc B
tạo ra dòng IB, phần lớn còn lại chạy đến cực Góp C để tạo nên dòng IC. Vậy ta luôn luôn có:
IE = IB + IC
Trong đó IB cỡ nA và IC cỡ mA (IB << IC) , nên ta cũng có thể xem :
IE ≈ IC.
Ta gọi ( là hệ số khuếch đại dòng điện của transistor :

IC
β =
IB
Ngoài sự chuyển dịch của các hạt dẫn đa số (electron theo hình vẽ trên đây), còn tồn tại
dòng dịch chuyển của các hạt dẫn thiểu số (lổ trống) từ lớp C qua B đến E. Dòng dịch chuyển
này tạo nên dòng ngược ICEO. Vậy ta có:
IC = β IB + ICEO
Hoạt động của transistor PNP cũng giống như trên nhưng phải thay đổi như sau:
Tiếp tế vào 2 cực C và E bằng nguồn ECC để UCE < 0. Phân cực cho BE bằng nguồn EB
sao cho UBE < 0. Hạt dẫn đa số là lổ trống phát ra từ E để đến C.

2. Đo thử transistor:
Một transistor lưỡng cực Ccó 2 tiếp xúc PN:C N-P
và P-N mắc ngược chiều nhau, nên có thể xem như
2 điốt mắc đối đầu nhau theo hình vẽ dưới đây và ta
dùng Ohm-kế thang đo Rx1K để đo thử.
Chú ý: B B
Nên nhớ rằng que - của Volt-kế là que dương của Ohm-kế và que + của Volt-kế là que
âm của Ohm-kế vì Ohm-kế gồm một mA-kế mắc nối tiếp với một nguồn một chiều (pin) .
* KIỂM TRA TRANSISTOR TỐT, XẤU:
E E
Lấy ví dụ một transistorNPN
NPN Silic, nếu ta đã
PNPbiết 3 chân của transistor : E, B, C.
(Khi đo để kim ohm-kế lên cao gọi là đo theo chiều thuận, đo để kim ohm-kế không lên hoặc
lên ít gọi là đo theo chiều nghịch).
- Đo E, B theo 2 chiều khác nhau: Chiều thuận kim lên nhiều, chiều nghịch kim không nhúc
nhích (hở mạch) : tốt.
- Đo B, C theo 2 chiều khác nhau: Chiều thuận kim lên nhiều, chiều nghịch kim không nhúc
nhích (hở mạch): tốt.
- Đo C, E theo 2 chiều khác nhau, kim không nhúc nhích (hở mạch): tốt.
Transistor hư khi xảy ra một trong các trường hợp sau đây:

Nếu đo E, B cả 2 chiều kim đều lên cao: nối tắt EB. Đo E, B theo chiều nghịch kim lên hơi
cao: EB của transistor bị rĩ. Cả 2 chiều kim đều không lên: đứt EB.
Nếu đo B, C cả 2 chiều kim đều lên cao: nối tắt BC. Đo B, C theo chiều nghịch kim lên hơi
cao: BC của transistor bị rĩ. Cả 2 chiều kim đều không lên: đứt BC.
Nếu đo C, E cả 2 chiều kim đều lên cao: nối tắt CE. Đo C, E kim hơi nhích lên: EC của
transistor bị rĩ nhẹ, nhưng nhiều trường hợp vẫn còn sử dụng được. Đo C, E kim nhích lên
nhiều: CE của transistor bị rĩ nặng .
* CÁC KIỂU CHÂN CỦA TRANSISTOR:
 Có nhiều kiểu ra chân của transistor, sau đây là vài dạng thông dụng:

B C C C C

E C E B E B E B
B C E
Các dạng chân của transistor thường gặp

* KIỂM TRA TRANSISTOR KHI CHƯA BIẾT CHÂN VÀ LOẠI:

- Xác định chân B: đo lần lượt 3 cặp chân theo cả 2 chiều thuận, nghịch. Ta thấy có
một cặp chân, cả 2 chiều đo kim không lên (Si) hoặc lên rất ít (Ge): Chân còn lại là B.
- Xác định NPN, PNP: đo B với một chân còn lại cả 2 chiều thuận, nghịch. Quan sát
lúc đo chiều thuận, kim lên cao: que dương Ohm-kế đang ở chân B là transistor NPN. Còn que
âm Ohm-kế đang ở chân B là transistor PNP.
- Xác định transistor Si hoặc Ge: đo B với một chân còn lại. Chiều thuận kim lên rất
cao và chiều nghịch kim hơi lên là transistor Ge. Chiều thuận kim lên vừa, chiều nghịch kim
không lên là transistor Si.
- Xác định 2 chân C, E còn lại: nếu transistor NPN, Si ta chọn ngẫu nhiên chân C,
đưa que dương Ohm-kế vào đó và que âm Ohm-kế vào chân còn lại (ta cho là E) nếu kim
không lên, lấy ngón tay ướt chạm vào chân B và C, kim lên cao là ta chọn đúng C, E. Trường
hợp kim vẫn không lên hoặc lên rất ít, ta chọn E, C ngược lại.
Nếu transistor PNP, Si ta chọn ngẫu nhiên chân C, đưa que đo âm Ohm-kế vào đó và que
dương Ohm-kế vào chân còn lại (ta chọn là E), kim sẽ không lên, lấy ngón tay ướt chạm giữa
chân B và C, nếu kim lên cao là ta chọn đúng C, E. Trường hợp kim không lên hoặc lên rất ít,
ta chọn E, C ngược lại.
Chú ý: Transistor công suất loại PNP, Ge thường C, E có độ rĩ rất lớn, khi đo thử E, C
cả 2 chiều kim đều lên cao, nhưng chênh lệch nhau, phải để thang đo Rx10 hoặc Rx1 mới
thấy rõ độ chênh lệch.
3. Cách đặt tên cho transistor:
a) Transistor ký hiệu kiểu Nhật: Trên thị trường, các transistor do Nhật sản xuất được
đặt tên như sau: 2S+ chữ cái + vài con số, hoặc ngắn gọn hơn là chữ cái + vài con số (số 2
chỉ 2 lớp tiếp xúc P-N và S là Semiconductor).
Ví dụ 2SB77, 2SA101, C828 …
• 2SA........: Nếu Ge : PNP, cao tần (loại cũ, thường vỏ bằng kim loại).
A........: Nếu Si : PNP
• 2SB........: Nếu Ge : PNP, âm tần (loại cũ, thường vỏ bằng kim loại).
B........: Nếu Si : PNP (vỏ bằng nhựa, mũ màu đen).
• 2SC.........: NPN, Si.
C........: NPN, Si.
• 2SD.........: NPN, Si : Thường là transistor công suất.
D.........: NPN, Si.
b) Transistor ký hiệu kiểu Mỹ:
Bắt đầu là 2N và vài con số phía sau. Ví dụ 2N3055, 2N697…
4. Các chế độ làm việc của transistor:
Transistor có 3 chế độ làm việc: chế độ khóa, dẫn bảo hoà và chế độ khuếch đại.
Khi xét đặc tính của transistor người ta thường quan tâm đến quan hệ giữa dòng điện IC và
điện áp UCE khi IB không đổi, ta có họ đặc tuyến IC = f(UCE) , IB = Const có dạng như sau:
 IC
IC max IB = IBbh
M 3
IC bh

2 IB = IBO

∆C
K IB = 0
1

0 UCE bh UCEO ECC UCE

Đặc tuyến IC = f (UCE)
UCE còn liên hệ với IC theo phương trình:
UCE = ECC - ICRC
(gọi là phương trình đường thẳng thẳng tải biểu thị bằng đường thẳng (C trên hình).
Điểm cắt của (C với các đường 1, 2, 3 chính là điểm làm việc của transistor, nó xác định
dòng điện IC và điện áp UCE của transistor ứng với mỗi giá trị của IB.
Khi IB càng tăng thì điểm làm việc càng gần đến điểm uốn của các đường cong 1, 2, 3... Khi
IB tăng đến một trị số nào đó thì IC không tăng lên nữa, ta nói IC đạt giá trị bảo hòa ICbh .
Dòng này tương đương với dòng gốc bảo hòa IBbh .
IBbh = ICbh
β
Điểm cắt K của đường (C với đường cong (1) tương ứng với IB = 0 được gọi là điểm
khóa.
Điểm cắt M của đường (C với đường cong (3) tương ứng với IB = IBbh được gọi là điểm
mở bảo hòa.
Khi transistor làm việc ở điểm khoá K: IB = 0 và IC ( 0, ta nói transistor khóa.
Khi transistor làm việc ở điểm mở bảo hòa M: IB = IBbh và IC = ICbh ( ICmax (UCE ~ 0),
ta nói transistor mở bảo hòa.
ICbh = ICmax = ECC
RC
a.- Transistor làm việc với chế độ khóa và dẫn bảo hoà:
Sơ đồ mạch điện căn bản ở chế độ khóa điện tử của một transistor trong đó K là một con tắt
đóng mở bằng tay hay tự động.
* Khi khóa K mở: UEB = -EB < 0, tiếp xúc BE bị phân cực ngược, electron từ E không qua
vùng B được nên IB = 0 và transistor khóa, không có dòng qua điện trở tải Rt.
* Khi khóa K đóng: IB = I1 -I2 = - .
Với UBE ( 0.6V (Si), nếu ta chọn R1, R2, ECC, và EB sao cho:
IB = IBbh = ICbh = ECC
β βRC
thì transistor sẽ mở bảo hòa .
Lúc đó ta có
UCE ( 0V và IC = .

K Rt

R1 I1
IC ECC +
IB UCE
UBE
R2 I2 -
-
EB

+
 Nếu công tắc K đóng, mở có chu kỳ với thời gian đóng tđ=(T (T là thời gian đóng cắt của
công tắc). ( = tđ/T gọi là tỉ số đóng, thì dòng điện qua điện trở tải Rt sẽ có dạng như hình vẽ
dưới đây và trị số trung bình của dòng điện này sẽ là :

IC

IC
ICbh

ICbh

0 T t
ton toff
0 tñ αT T t

T αT
1 1 E CC E
I0 =
T0∫ IC dt =
T ∫
0
Rt
dt = α CC
Rt

Từ đây ta có thể dễ dàng thay đổi trị số Io bằng cách thay đổi trị số đóng (.
Qua các hình vẽ trên, ta thấy trong thực tế khi đóng điện, dòng IC không tăng ngay đến trị
số ICbh mà chỉ đạt đến ICbh sau một khoảng thời gian ton, ton là thời gian cần thiết để các
hạt mang điện trong transistor tích lũy và dịch chuyển.
Cũng như lúc tắt, dòng điện không giảm ngay từ ICbh về không mà phải có thời gian toff ,
đây là thời gian cần thiết để các hạt dẫn phân tán trở lại và phục hồi trạng thái khóa.
Vậy để transistor đóng mở một cách tin cậy, chu kỳ đóng, cắt T phải lớn hơn ton+toff. Do đó
tần số đóng, cắt lớn nhất cho phép của khóa K là:
fmax = 1 = 1
Tmin ton+toff
b- Transistor làm việc với chế độ khuyếch đại:
Sơ đồ mạch điện căn bản ở chế độ khuếch đại của một transistor như hình dưới đây: Lúc
này nguồn nphân cực EB phải có chiều như hình vẽ để cho tiếp xúc BE được phân cực thuận.
Dòng IB sẽ điều khiển dòng IC.
Trên tải Rt ta có một độ sụt áp
UR = Rt.IC.
K Rt
Ta có:
ECC = RtIC. + UCE R1 I1
IC ECC +
UCE = ECC - RtIC
IB UCE
UBE
R2 I2 -
Mạch điện khuếch đại
điện áp dùng transistor +
EB
-
Vậy khi IB tăng , dòng IC tăng theo và UCE giảm. Khi IB giảm, dòng IC giảm theo và UCE
tăng. Hay ta có thể nói: Điện áp tín hiệu lấy ra ở chân C ngược pha với điện áp tín hiệu đưa
vào khuếch đại ở chân B.
Dưới đây là các đường biểu diễn của điện áp vào (Uvào) 2 cực BE theo thời gian t, điện áp
này cộng với điện áp phân cực thuận UBE có được nhờ nguồn EB, tạo nên dòng IB cũng thay
đổi theo thời gian. Dòng IB thay đổi ở mạch vào sẽ tạo ra dòng IC thay đổi đồng pha tương
ứng ở mạch ra ở cực C. Dòng IC qua tải Rt gây sụt áp UR, nên ta có điện áp UCE (ở đây
chính là VC) được tính theo công thức: VC = ECC - RtIC
IC tăng làm VC giảm và ngược lại, ta nói điện áp ra VC ngược pha với điện áp vào Uvào.
(Chú ý trên đây là cách mắc transistor theo kiểu Phát chung, nên Ura ngược pha với
Uvào).
Chưa có tín hiệu đến Có tín hiệu đến để khuếch đại

Các dạng sóng trong mạch khuếch đại dùng transistor

5- Phân cực:
Muốn cho transistor hoạt động với chế độ khuếch đại, ta phải tạo một điện áp ban đầu cho
tiếp xúc BE (UBE) để tiếp xúc BE phân cực thuận (có dòng IB ban đầu), mà ta gọi là điện áp
phân cực. Có nhiều cách tạo ra điện áp phân cực UBE này:
a) Phân cực cho transistor dùng dòng cố định:
Chỉ cần dùng một điện trở RB có trị số lớn (cỡ 470K() mắc từ nguồn ECC xuống chân
B. Điện trở RB này được tính như sau:
ECC = UBE + RBIB
Hay ta có: Ġ
UBE được chọn trong khoảng [0,6V –-> 0,7V] và IB được chọn tùy loại transistor .

RB RC ECC
+
B C -

IB E

Phân cực bằng dòng cố định

b) Phân cực cho transistor bằng điện áp phản hồi:

Dùng một điện trở RB khoảng 200 K( mắc từ chân C về chân B của transistor.
U − U BE
RB = CE
IB
Trong đó: UCE = ECC - RCIC
Và IC = (IB.

Trường hợp này, có sự bổ chính nhiệt vì khi có sự gia tăng nhiệt, dòng IB tăng, đưa
đến dòng IC tăng, RCIC tăng làm UCE giảm, điện áp này qua RB được đưa về chân B,
nên VBE giảm theo: Phân cực giảm, dòng IB, IC giảm theo nên transistor bớt nóng.

RC ECC
RB +
C -
B Phân cực bằng điện áp phản hồi
c) Phân cực cho transistor
IB dùng
E cầu chia thế (dùng dòng Emitter):
Ở đây cầu chia thế gồm R1 và R2 sẽ xác định điện
thế VB (các điện thế được đo so với masse là nguồn
âm). RC ECC
UBE = VB = R2.I R1 +
(với I’ là dòng qua R1, R2) C -
B
R2 E
 = R2. ECC
R1+R2
Nếu đặt tỉ số: = k
thì: E
UBE = CC
1+k
d) Dùng cầu chia thế có bổ chính nhiệt:
Cũng dùng cầu chia thế gồm R1, R2 như trên, nhưng chân E được mắc
xuống masse qua một điện trơ û RE có tác dụng bổ chính nhiệt:
Khi transistor nóng lên, dòng IB RC ECC tăng, dòng IC tăng ( dòng IE
tăng (vì IE = IC + IB) ( VE tăng và R1 +
làm cho UBE = VB - VE giảm,
phân cực giảm hoạt động yếu lại, C - bớt nóng. Người ta còn mắc
song song với RE một tụ CE để B
nối tắt dòng tín hiệu từ E
xuống masse, thường chọn CE R2 E có dung kháng
1 RE
ZC = << RE.
Cω
Một mạch khuếch đại điện áp thông dụng có dạng như sơ đồ
dưới đây: Phaân cöïc baèng caàu chia theá
coù boå chính nhieät

RC + ECC
R1 -
Ura
Uvaøo C2
C1 R2
CE RE

Mạch khuếch đại điện áp

Transistor được phân cực bằng cầu chia thế R1, R2, được bổ chính nhiệt bằng RE. Tín
hiệu đưa vào khuếch đại qua tụ điện C1 (để chặn dòng một chiều ở ngõ vào) đặt vào chân B và
masse. Tín hiệu khuếch đại được lấy ra ở tải Rc đặt ở cực Góp. Tụ liên lạc C2 dùng để chặn
dòng một chiều ở ngã ra. Tụ phân dòng CE đặt ở chân E để nối tắt thành phần xoay chiều (tín
hiệu), như vậy điện áp đưa vào khuếch đại được đặt thẳng vào BE của transistor.

6. Các cách mắc mạch khuếch đại cơ bản của transistor lưỡng cực:
Có 3 cách mắc transistor để khuếch đại trong thực tế, nhưng cách mắc nào cũng phải thỏa
các điều kiện sau :
Transistor NPN : VE < VB < VC.
Transistor PNP : VC < VB < VE hay VE < VB < VC .
a- Phát chung : (Emitter Common hay EC).
Theo cách mắc này, điện áp vào được đặt giữa B và E. Điện áp ra lấy từ cực C và E theo
sơ đồ sau :
* Cực E chung cho cả 2 mạch vào và mạch ra.
* Uvào tăng thì IB tăng làm IC tăng theo, nhưng VC giảm. Vậy Ura giảm, ta nói tín hiệu
ra ngược pha với tín hiệu vào.
* Hệ số khuếch đại lớn.
* Tổng trở vào trung bình (1ū), tổng trở ra trung bình (50ū).
* Tần số giới hạn: thấp.
* Transistor NPN :
UBE = VB - VE > 0 hay IB > 0.
UCE = VC - VE > 0 hay IC > 0.

Ic +
IB Ura

Uvaøo IE -
 Mạch khuếch đại Phát chung

b - Gốc chung : (Base common hay BC).

Theo cách mắc này, điện áp vào được đặt giữa E và B. Điện áp ra lấy từ cực C và B theo
sơ đồ sau :
* Cực B chung cho cả 2 mạch vào và mạch ra.
* Uvào tăng thì IB tăng làm Ic tăng theo, Ura vàø Uvào đồng pha.
* Tổng trở vào nhỏ (10İ), tổng trở ra lớn (500ū).
* Hệ số khuếch đại công suất : trung bình .
* Tần số giới hạn: cao.
IE Ic +
+

Uvaøo IB Ura -
Mạch khuếch đại Gốc chung
* Transistor NPN :
UEB = VE - VB < 0 hay IE < 0.
UCB = VC - VB > 0 hay IC > 0.
c- Góp chung : (Collector Common hay CC).
Theo cách mắc này, điện áp vào được đặt giữa E và C. Điện áp ra lấy từ cực E và C theo
sơ đồ sau :
* Cực C chung cho cả 2 mạch vào và ra.
* Điện áp vào và điện áp ra đồng pha.
* Tổng trở vào lớn (500ū), tổng trở ra nhỏ (10İ).
* Hệ số khuếch đại điện áp nhỏ Ĩ1).
* Tần số giới hạn: tùy thuộc nguồn.
* Transistor NPN :
UBC = VB - VC < 0 hay IB > 0.
UEC = VE - VC > 0 hay IE > 0.

IE +
IB
+
Uvaøo IC Ura
- -

Mạch khuếch đại Góp chung

IV- TRANSISTOR TRƯỜNG: FET (Field Effect Transistor ).

Một loại transistor khác mà nguyên tắc làm việc tùy thuộc vào điện trường, loại transistor
này có trở kháng đầu vào cao (1M( (100M(), gây tạp âm nhỏ ta gọi là FET.
Xét về cấu trúc, transistor trường được chia làm 3 loại:
• Transistor trường cổng tiếp giáp: JFET (Junction Field Effect Transistor).
• Transistor trường cổng cách điện (kênh cảm ứng): MOSFET.
• Transistor quang trường.
1. Transistor trường cổng tiếp giáp : (JFET).
Transistor trường cổng tiếp giáp thường được gọi tắt là JFET hay FET hoặc UNIFET. Có 2
kiểu FET kênh N và kênh P.
a) Cấu tạo:
 Hình dưới đây là sơ đồ cấu tạo của FET kênh N. Nguyên lý chung như sau: có một thỏi bán
dẫn loại N hay P là kênh dẫn điện của transistor, 2 đầu được nối với cực Nguồn S (Source) và
cực Máng D (Drain).
Một chất bán dẫn khác loại P hay N được ghép vòng quanh một phần thỏi bán dẫn trên,
được nối với một cực khác gọi là cực Cổng G (Gate). Hai chất bán dẫn này tạo thành một lớp
tiếp xúc P-N.

D keânh N

Baùn daãn P D
Vuøng hieám
G Keânh
N
G

JFET kênh N S
Kyù hieäu: JFET keânh N

D keâSnh P

Baùn daãn N D

Vuøng hieám G Keânh

P
G S

Kyù hieäu: JFET keânh P

JFET kênh P
S
b) Vận hành:
Ta xét loại FET kênh N:
Khi đặt một điện áp UDS vào hai cực Nguồn S và Máng D, điện tử chạy trong kênh bán dẫn
tạo nên dòng điện IDS hay ID chạy qua, kênh bán dẫn coi như một điện trở có trị số thay đổi
tùy theo điện thế ở đầu vào cực Cổng G.
Khi có một điện áp phân cực ngược ở 2 mặt tiếp xúc Cổng G và kênh, sẽ tạo thành một
vùng hiếm electron ở kênh (vùng nghèo hạt mang đa số). Dòng ID thay đổi nhiều hay ít phụ
thuộc vào vùng hiếm electron hẹp hay rộng (vùng hiếm electron mở rộng về phía cực máng D,
vì ở đấy có hiệu điện thế cao).
Khi điện áp phân cực ngược đặt vào GS lớn đến một mức nào đó, dòng ID bị nghẽn ứng
với mức điện áp thắt.
Vậy dòng điện ID qua nhiều khi điện áp phân cực ở Cổng G bằng không và giảm khi có
điện áp phân cực ngược.
d) Cách đo:
Tốt nhất ta dùng máy đo FET, tuy nhiên ta có thể dùng Ohm-kế có nội trở thật cao để đo
JFET hay UNIFET:

DS, SD : Cả 2 lần đo được điện trở từ 100( ( 10K( .

GD, DG : Một chiều khoảng 1 K(, một chiều hở mạch.
GS, SG : Một chiều khoảng 1 K(, một chiều hở mạch.

G Keânh
N
S
 • Bố trí chân:
D G G S
S G S D S D D G

Haõng Fairchild Haõng Texas Instruments Haõng Motorola

Caùc daïng chaân cuûa FET

2. Transistor trường cổng cách điện : (Mosfet)

Transistor trường có cổng cách điện gọi là IGFET (Isolated gate) hay MOSFET. Cũng như
FET, có hai kiểu IGFET kênh N và kênh P. Nhưng dựa vào kết cấu, nó có nhiều loại MOSFET
loại hiếm, loại thừa, loại có cổng bảo vệ, loại có 2 cổng, loại đối xứng.
a- Mosfet loại hiếm (kênh sẵn):
( Cấu tạo:

Một thanh bán dẫn loại N hay P dùng làm nền, được nối ra ngoài bằng cực B hay SS. Phía
trên thanh nền có một kênh bán dẫn loại P hay N mỏng hai đầu kênh dẫn được nối ra 2 cực
Nguồn S và cực Máng D. Phía trên kênh bán dẫn là một lớp cách điện bằng SiO2, được nối ra
ngoài bằng cực Cổng G, cách điện với các cực kia.

Cöïc D Keânh N
D
Lôùp neàn
P
G B
Cöïc G Cöïc neàn hay SS
SS
Lôùp SiO2
hay B S
MOSFET keânh N

Cöïc S Cấu tạo MOSFET kênh N

( Vận hành:
Lấy transistor kênh N làm ví dụ, khi đặt điện áp dương (+) vào cực Máng D, âm vào cực
Nguồn S, trong kênh dẫn sẽ xuất hiện dòng điện ID. Đặt điện áp âm phân cực ở Cổng
G, các electron bị đẩy ra khỏi kênh tạo một vùng hiếm electron lớn ngay dưới lớp SiO2 làm
dòng ID giảm đi. Trường hợp này MOSFET tác động theo kiểu hiếm.

G B
hay SS
S

MOSFET keânh P

b- Mosfet loại thừa (kênh cảm ứng):

 • Cấu tạo:
Cũng như loại trên, MOSFET loại thừa có một nềàn P hay N trên đó có 2 cực Nguồn S và
Máng D bằng chất bán dẫn N hay P. Nhưng 2 cực này tách biệt nhau không nối với nhau như
MOSFET loại hiếm.
D

G1 B
hay SS
hay G2
S
MOSFET loaïi thöøa keânh N
( Vận hành:
Ta lấy MOSFET kênh N làm ví dụï: ngược với loại MOSFET loại hiếm, khi có điện áp
dương phân cực ở cực G, làm cho các điện tích dương thu nhận các electron tự do
từ cực Nguồn S của chất bán dẫn N, tạo thành một kênh bán dẫn N ngay dưới lớp
SiO2 làm cho dòng Máng-Nguồn ID tăng thêm. Trong trường hợp này, MOSFET tác động theo
kiểu thừa.

Cöïc D N
D

P
B
G1 hay SS
G B hay SS hay G2
S
Lôùp SiO2 N
MOSFET loaïi thöøa keânh P
S

MOSFET loaïi thöøa keânh N

Hình dưới đây biểu diễn sựï phụ thuộc của dòng điện vào điện áp UGS của 2 kiểu MOSFET hiếm và thừa
cùng có điện áp VDS = 10 Volt.

ID (mA)

Ñieän aùp
25
UDS = 10 V.
20 Kieåu

15 MOSFET thöøa

10
Kieåu MOSFET hieám
5

Đặc tuyến ID = f(UGS) của 2 loại MOSFET

-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 UGS (V)

3. Mosfet loại cổng có bảo vệ:

a) Cấu tạo:
 Các thành phần giống như MOSFET vừa nêu trên, nhưng có thêm 4 mảnh bán dẫn
P, N ghép thành 2 điốt mắc ở Cổng G và cực Nguồn S.
b) Vận hành: D
Hai điốt mắc thêm ở bên
trong MOSFET dùng làm
một mạch cắt ngọn, bảo vệ
MOSFET khi có các điện áp G
tĩnh điện có thể làm hư
hỏng lớp SiO2 rất mỏng.

S
4. Mosfet loại 2 cổng: SS
a) Cấu tạo: MOSFET coång coù baûo veä.
Loại này tương đương với 2 MOSFET một cổng ghép lại, độ truyền dẫn của mỗi phần tử
transistor khác nhau. Hình dưới đây là cấu trúc của một transistor 2 cổng kênh N: trên một nền
bán dẫn loại P, có 3 thỏi bán dẫn loại N. Ba thỏi bán dẫn này dẫn điện nhờ 2 kênh N. Hai cực
Cổng G1 và G2 cách điện với các cực khác nhờ lớp SiO2.
c) Vận hành:
Một trong 2 phần tử transistor có thể làm việc khi được phân cực đúng. Lúc đó phần tử này
tương tự một biến trở mắc nối tiếp với phần tử transistor kia.
D N
Keânh N D D
N
Neàn P G1 G1
G1
hoaëc
Lôùp SiO2
G2 G2
B hay SS
S SS S SS
Keânh N
G2 N

Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET loại 2 cổng kênh N

S
s D VD VD
phaàn töû 1 ID ID
G1
phaàn töû 1 R1
phaàn töû 2 phaàn töû 2
G2
R1
S SS
Sơ đồ tương đương của MOSFET loại 2 cổng

5. Các loại mosfet khác:

a) MOSFET có 2 cổng bảo vệ:

Cũng như loại D

MOSFET một cổng có G1
mạch bảo vệ, loại này có G2
4 điốt chia thành 2 chuỗi,
mỗi chuỗi gồm 2 điốt mắc
đối đầu nhau và nối từ D
Cổng G xuống cực
Nguồn S. S
G B
SS
hay SS
hay G2

MOSFET ñoái xöùng

 b) MOSFET đối xứng:
Một số hãng sản xuất ra loại MOSFET có tính đối
xứng trong đó hai cực Máng và cực Nguồn có cùng tính
chất.

6. Cách đo:
Tốt nhất là dùng máy đo FET, ta cũng có thể dùng Ohm-kế có nội trở cao để đo thử
MOSFET.
G G2 S S SS

D SS D G1 D G G D

S S SS B SS
Haõng Fairchild Haõng General Electric Haõng RCA Haõng Motorola
Caùc daïng chaân cuûa MOSFET

D
D

G B
S
GD, DG: 2 lần đo hở mạch.
GS, SG : 2 lần đo hở mạch.
DS, SD : Cả 2 lần đo: từ 100( (10K(
DB. BD: 1K( / hở mạch.
BS, SB : 1K( / hở mạch.
Cách đo thử MOSFET loại hiếm
G B
hay SS
S
GD, DG: 2 lần đo hở mạch.
GS, SG : 2 lần đo hở mạch.
DS, SD : Cả 2 lần đo hở mạch.
DB. BD: 1K( / hở mạch.
BS. SB : 1K( / hở mạch.
Cách đo thử MOSFET loại thừa.

7. Những điều cần chú ý khi sử dụng MOSFET:

( MOSFET: có trở kháng đầu vào rất cao, độ nhạy rất lớn đối với các loại tĩnh điện. Màng
cách điện SiO2 có thể bị đánh thủng do tĩnh điện, có thể bị hư hỏng do tay người chạm vào (vì
thân thể người có thể tạo ra tĩnh điện tới 1000V). Trở kháng hay độ nhạy của MOSFET có thể
bị suy giảm khi màng SiO2 bị dò hay thủng. Để bảo vệ người ta chế tạo ra MOSFET có cổng
bảo vệ.
( Khi lưu trữ, vận chuyển, các chân transistor phải có vòng ngắn mạch, không được làm hở
chân transistor cho đến khi được hàn vào mạch điện.
( Phải tắt nguồn điện trước khi tháo lắp MOSFET.
( Đầu mỏ hàn phải được nối masse với mạch điện có MOSFET, phải có kìm kẹp chân
transistor để tỏa nhiệt khi hàn, vì JFET hay MOSFET cảm nhiệt rất mạnh.

8. Transistor quang trường :

a) Tính năng và công dụng:
Ta còn gọi là PHOTOFET hay FOTOFET. Loại linh kiện mới này có nhiều ưu điểm so với
các loại có tính cảm quang cũ: độ nhạy tăng gấp 10 lần, điện trở đầu vào rất cao lên tới 1015 (.
Điện dung giữa đầu vào và đầu ra rất nhỏ, khoảng 0,01 pF.
Công dụng của FOTOFET rất rộng, có thể dùng ở các tầng chuyển mạch tốc độ cao, mạch
đọc mẫu xuyên phiếu, hệ thống phát hiện khói, lửa, mạch hướng dẫn relay…
b) Vận hành:
Khi có năng lượng bức xạ ánh sáng chiếu vào vùng cực Cổng G, các electron lớp
ngoài cùng bị kích thích tạo thành dòng IG phụ thuộc vào cường độ chùm ánh sáng chiếu
vào cực Cổng G, làm điện trở giữa 2 cực Nguồn S và cự Máng D tăng hay giảm, dòng ID
tăng hay giảm theo. Độ nhạy của FOTOFET tùy thuộc vào điện trở phân cực Rg mắc ở cực
Cổng G.

Transistor quang trường

9. Các sơ đồ mắc transistor trường.
Tương tự như transistor lưỡng cực, có 3 kiểu mắc FET trong các mạch khuếch đại là: Máng
chung (DC), Nguồn chung (SC) và Cổng chung (GC). Tuy nhiên mạch Cổng chung rất ít gặp
trong thực tế.
+E +E

RD RD
C2 C1
C1 C2
Ura
Uvaøo Uvaøo RG RS Ura
RG RS C3
Sơ đồ nguyên lý mạch SC Sơ đồ nguyên lý mạch DC

Mạch khuếch đại Nguồn chung Mạch khuếch đại Máng chung (DC)
(SC)
* Hệ số khuếch đại điện áp :
* Hệ số khuếch đại điện áp : 1
KV = 1+S(R //r ) =1
KV = -S(RD//rDS) ≈ SRD S DS
* Tổng trở vào : Rvào = rGS ( ( * Tổng trở vào : Rvào = rGS ( (
* Tổng trở ra : Rra = RD//rDS * Tổng trở ra : Rra = RS//(1/S)

Chú ý : Khi thay thế FET kênh N bằng FET kênh P, phải thay đổi cực tính của nguồn
điện cung cấp, chiều tụ điện hóa học và chiều điốt...
MỘT SỐ SƠ ĐỒ ỨNG DỤNG CỦA FET:
• Tầng tiền khuếch đại cho máy hát đĩa (loại dùng gốm áp điện):

220K 10K -22V

0.1

0.1 5.1M 10 µ F ra

ñeán ñaàu Kπ101E KT801b

kim 0.1
5.1M 3.9K 3.3K 3.3K

Maïch tieàn khueách ñaïi duøng MOSFET

 • Mạch dao động Hartley dùng MOSFET 3N138 :
VD

1000p 3N138
0.1

1N914 22K

Mạch dao động Hartley dùng MOSFET

VI- TRANSISTOR ĐƠN NỐI (UJT) : Uni-Junction Transistor.

a) Cấu tạo, ký hiệu:
UJT gồm một thanh bán dẫn loại N có mật độ tạp chất rất nhỏ, điện trở suất lớn. Hai đầu
của thanh này nối với 2 điện cực Gốc B1 và B2. Trên thanh bán dẫn loại N, gần đầu B2 có một
vùng bán dẫn loại P, được nối với cực Phát E.
B2
IE B2
RAB2
+ P D
E VB E E A VB
VE
VE
N B1 RAB1
B1
-
Cấu tạo của UJT Ký hiệu của UJT Sơ đồ tương đương

IE

0 VM VE
Đặc tuyến V-A : IE = f(VE).
Ta có thể xem thanh chất bán dẫn N như 2 điện trở mắc nối tiếp RAB2 và RAB1, trong đó
RAB2 hầu như không phụ thuộc vào dòng điện đi vào thanh từ cực Phát IE. Ngược lại, RAB1
phụ thuộc rất nhiều vào IE, bởi vì IE càng lớn thì các điện tích được tiêm vào phần AB1 của
thanh N càng nhiều và RAB1 càng giảm. Còn lớp tiếp giáp P-N giữa cực E và thanh N giống
như một điốt D.
* Khi đặt vào cực B2 một điện thế VB, còn cực E để trống, thì sẽ có dòng điện qua thanh N:
VB
IB =
RAB1 + RAB 2
 Trường hợp này, cả 2 điện trở RB2A và RAB1 đều rất lớn, nên dòng IB nhỏ, dòng này qua
RAB1 gây ra một điện thế tại A :
RAB1
VA = IB.RAB1 = .VB = ηVB.
RAB1 + RAB 2
Trong đó thực tế ( =Ġ = 0,5 ( 0,85 tùy thuộc vào loại UJT.

* Khi đặt vào cực E một điện thế VE , transistor có thể ở một trong hai trạng thái :
- Nếu VE < (.VB thì điện thế VE < VA : điốt khóa, IE = 0 và IB rất nhỏ. Ta nói transistor
khóa.
- Nếu VE ( (.VB + 0,6V : trong đó 0,6V là điện áp tiếp xúc PN , thì VE > VA : điốt mở và
IE dễ dàng đi qua tiếp xúc PN làm RAB1 giảm xuống, IE tăng lên. Do tốc độ giảm của RAB1
lớn hơn tốc độ tăng IE, nên xuất hiện một vùng ME trên đặc tuyến, trên đó dòng điện tăng
nhưng điện thế lại giảm. Vùng này có điện trở âm.
Giá trị VM = (.VB + 0,6V được gọi là điện thế đỉnh của UJT.

RAB1
VM ≅ ηVB = VB
RAB1 + RAB 2

b) Ứng dụng :
UJT thường được làm phần tử chính của máy phát xung để điều khiển SCR. Sơ đồ nguyên
lý của máy phát xung như sau:

VC
+ VM
R R2

Mạch phát xung dùng UJT Dạng sóng của xung tạo ra bởi UJT
B2
V0 0 tn tp tn tp tn t
E B
Ta dùng UJT và1 các điện trở R, R1, R2, tụ điện C để tạo ra một mạch phát xung. Giả sữ
thời điểm C (t =V0),
C điện áp trênVB1 hai Tđầu tụ tC t2 = 0 và transistor khóa. Tụ điện C được nạp từ
1 là Vc

R
nguồn V0 qua điện1 trở V B1 R, nên Uc tăng theo hàm số mũ. Đến thời điểm t1, điện thế Vc đạt đến
-trị số điện thế đỉnh VM của0transistor UJT, transistor mở, tụt điện C phóng nhanh qua transistor
và R1, tạo ra một xung điện thế VB1 ở đầu ra B1 của transistor. Xung này thường được truyền
đến Cổng G để mở SCR.
Tụ điện C phóng nhanh qua transistor nên hết điện tích nhanh chóng, đến thời điểm t2
transistor khoá lại và quá trình lại tiếp diễn...
Chu kỳ của xung phát ra là T = tn + tp.
Trong đó : tn = t1 : Thời gian nạp của tụ điện C.
tp = t2 - t1 : Thời gian phóng của tụ C.
Thông thường tp << tn nên có thể coi T ( tn
Quá trình nạp của tụ điện :
dVc
RC. dt + Vc = Vo
dV dt
∫ VO −CVC = ∫ RC
- ln (V0 – Vc) = t + K
RC
Với điều kiện biên t = 0 thì Vc = 0 ta có :
K = - ln V0
và khi t = t1 , Vc (t1) = VM ta nhận được :
Vo
T = t1 = RC ln V -V
o M
 Khi xem gần đúng VM = (Vo , trong đó ( là hệ số cấu trúc của UJT.

Ta có:
1
T = RC ln
1 −η

Ta thấy chu kỳ T này thay đổi dễ dàng bằng cách thay đổi điện trởû R.
VI- THYRISTOR.
1. Điốt Silic chỉnh lưu có điều khiển: (SCR)
a- Cấu tạo và ký hiệu:
Điốt Silic chỉnh lưu có điều khiển còn gọi là SCR (Semiconductor Controled Rectifier), là một
linh kiện bán dẫn gồm 4 lớp bán dẫn loại P và xen kẻ nhau như hình vẽ dưới đây.

K
G K
N2 G

JK P2
JC
N1
JA
P1
A
Cấu tạo và ký hiệu của SCR.
A
Lớp P1 được gọi là lớp Anot, có bề dày và nồng độ tạp chất trung bình.
Lớp N1 được gọi là lớp khóa, có bề dày lớn hơn và nồng độ tạp chất bé nhất.
Lớp P2 được gọi là lớp điều khiển, có bề dày bé và nồng độ tạp chất trung bình.
Lớp N2 được gọi là lớp Catot, rất mỏng (vài (m) và nồng độ tạp chất lớn nhất.
Điều này cho phép các mối tiếp xúc P1N1 và P2N2 chịu được điện áp ngược lớn.
b- Nguyên lý hoạt động và đặc tuyến Volt-ampe:
Ta xét sự hoạt động của SCR trong 2 trường hợp sau đây:
( Khi chưa có điện áp điều khiển UGK hoặc dòng điện điều khiển IG:
Nếu giữa các cực A và K của SCR được đặt một điện áp Anot Ua > 0 (điện áp thuận), thì 2
mặt tiếp xúc P1N1 (lớp JA) và P2N2 (lớp JK) được phân cực thuận, còn mặt tiếp xúc N1P2
(lớp Jc) được phân cực ngược và hầu như chịu toàn bộ điện áp Ua. Trên mặt tiếp xúc Jc này
xuất hiện một điện trường ngược Ec hoặc hàng rào thế năng Jc tăng theo Ua. Điện trường này
ngăn cản sự chuyển dịch qua Jc của các hạt mang điện đa số (lổ trống ở P2), vì thế dòng điện
Anot Ia đi qua SCR rất bé.
Tuy nhiên Ec này lại gia tốc cho hạt mang điện thiểu số (electron ở P2) đi qua Jc. Do đó khi
Ua tăng đến một trị số Ucđ (U chuyển đổi) nào đó (khoảng hàng ngàn Volt), thì các hạt mang
điện thiểu số (electron) này có tốc độ đủ lớn để phá vỡ liên kết nguyên tử trong lớp tiếp xúc Jc.
Làm xuất hiện các electron tự do mới. Chúng lại tham gia bắn phá các nguyên tử trong lớp tiếp
xúc Jc và tạo ra các electron mới một cách dây chuyền, chúng dẫn điện ào ạt bắt đầu từ một
điểm nào đó trên mặt Jc, sau đó lan ra trên toàn mặt tiếp xúc. Kết quả hàng rào thế năng Jc bị
phá vỡ và dòng Anot Ia dễ dàng đi qua SCR .
Ta gọi đây là trường hợp SCR được mở bằng điện áp chuyển đổi Anot. Nếu ta đổi chiều
của điện áp Anot thì UAK trở nên âm, mặt tiếp xúc Jc được phân cực thuận, còn JA và JK bị
phân cực ngược. Lúc này chỉ có dòng điện ngược rất nhỏ đi qua SCR, ta nói rằng SCR bị
khóa.
 Khi điện áp ngược UKA lớn hơn điện áp chọc thủng của SCR Uct thì lớp tiếp xúc JK và JA
sẽ bị chọc thủng và dòng điện ngược tăng lên một cách nhảy vọt, làm hỏng SCR .
Đặc tuyến Volt-Ampe Ia = f (UAK) khi chưa có IG: Có dạng đường cong CBAODE.

Ia C

IG = 0

IG>0 B

Uct 0 A
Ucd
UAK
D

Đặc tuyến Ia = f(UAK) của SCR

E
• Khi có điện áp điều khiển UGK > 0 và Ua > 0:
Dưới tác dụng của Ua, 2 tiếp xúc JK và JA được phân cực thuận, còn JC bị phân cực
ngược. Khi chưa có UGK thì nồng độ các electron tự do trong lớp P2 rất bé (hạt dẫn điện thiểu
số của P2), nhưng khi có UGK > 0 , tiếp xúc JK được phân cực thuận, số electron từ vùng có
nồng độ cao N2 (cực K ) dịch chuyển sang P2.
Vì khoảng cách giữa 2 lớp JK và Jc rất bé, nên hầu hết số electron tự do từ N2 sang P2 đi
đến Jc (chỉ có một số nhỏ electron đi đến cực G tạo nên dòng IG). Khi đến Jc, các electron
được Ec gia tốc và tham gia bắn phá các nguyên tử trên bề mặt tiếp xúc Jc gây ra hiện tượng
dẫn điện ào ạt.
UGK và IG càng lớn, thì số electron qua Jc càng nhiều, hàng rào điện áp trên Jc càng giảm
và điện thế Ua cần thiết để gây ra hiện tượng dẫn điện ào ạt ở mặt tiếp xúc Jc càng bé.
Cần chú ý rằng, sau khi SCR đã được mở thì hàng rào điện thế ở JC bị phá vỡ, lúc đó số
electron tự do đi qua Jc phụ thuộc chủ yếu vào dòng điện Anot Ia (vì Ia >> IG). Khi Ia lớn hơn
một trị số IL nào đó (tương ứng với số electron tự do đủ để hiện tượng dẫn điện ào ạt lan rộng
khắp mặt Ic) thì nếu tắt dòng điện điều khiển IG hoặc điện áp UGK, SCR vẫn tiếp tục được mở.
Trị số IL gọi là dòng Anot khởi động.
Thông thường IL = 10-3 Iđm, trong đó Iđm là dòng định mức của SCR. SCR chỉ khóa lại khi
Ia nhỏ hơn một trị số duy trì IH nào đó, hoặc UAK trở nên âm.
Vậy, ta thấy SCR chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái mở bằng 2 cách:
- Mở bằng điện áp thuận UAK = Ucd khi IG = 0.
- Mở bằng dòng điều khiển IG khi 0 < UAK < Ucd.
Ta cũng có thể dùng một trong 2 cách sau để SCR chuyển từ trạng thái mở sang trạng thái
khóa:
- Khóa SCR bằng điện áp ngược UAK < 0.
- Khóa SCR bằng cách làm cho dòng Anot Ia trở nên bằng không (Ia = 0).
c.- Các thông số kỹ thuật của SCR:
Mỗi SCR thường có các thông số kỹ thuật sau đây:
- Trị số định mức của dòng điện Anot Iađm: trị số dòng điện cho phép đi qua SCR trong
một thời gian dài.
- Dòng điện điều khiển kích mở IGT: dòng điện điều khiển gây mở SCR.
- Điện áp ngược cực đại Ungmax : điện áp ngược cực đại cho phép đặt vào Anốt và
Catốt của SCR.
- Thời gian hồi phục khóa tk: thời gian cần thiết để SCR phục hồi tính khóa.
d- Cách đo thử SCR:
• Dùng Ohm kế:
 Để đo thử các SCR có công suất nhỏ, ta đo sơ bộ như sau: GK như một điốt Silic, còn các
cặp khác: GA, AK đều hở mạch. Sau đó ta “đo nóng” như sau: Que dương Ohm-kế (thang đo
Rx1) cặp vào A, que âm Ohm-kế cặp vào K: Kim Ohm-kế không lên, quẹt nhanh G vào A, kim
Ohm-kế lên cao và giữ nguyên trị số khi G đã rời khỏi A: SCR tốt.
• Dùng nguồn một chiều:
Mạch điện này để đo thử các SCR có công suất lớn: mạch điện mắc như hình vẽ:
- G

+12V
Mạch đo thử SCR
Lúc G hở mạch, bóng đèn Đ không sáng hoặc kim mA không lên. Kích nhanh cực G vào
nguồn dương, bóng đèn sẽ sáng hoặc kim mA-kế lên cao, tình trạng này giữ nguyên khi G đã
hở mạch là SCR tốt.
2. Triac, Diac:
a) TRIAC:
* Cấu tạo, ký hiệu và đặc tính của TRIAC:

T2
T2
IA1

J1 N4 P1 N4
J2
N1 P1 P1
Th2 N1 N1
J3
IA2 P2 N3 P2 Th1
J5 P2 J4
N3 N2
N2
G T1
G

T1
Cấu tạo của triac Sơ đồ tương đương của triac

T2
T2

G
G T1
T1 tế
Hình dáng thực Ký hiệu
Triac là một linh kiện bán dẫn gồm 6 lớp bán dẫn loại P và N xen kẽ nhau, nên triac có 5
lớp tiếp xúc PN: J1, J2, J3, J4, J5 và 3 điện cực T2, T1 và G. Với cấu tạo như trên, một triac
tương đương với 2 SCR: Th1 và Th2 mắc song song và ngược chiều nhau. Cả 2 SCR này
được điều khiển bằng một điện cực G chung.
Đối với SCR Th1, cực G tiếp xúc với lớp P2, do đó Th1 giống như một SCR bình thường.
Còn SCR Th2, cực G được gắn với P2 qua một lớp N3.
Triac có thể mở theo 4 kiểu:
- Mở bằng xung điều khiển UGT1 > 0 khi UT2T1 > 0.
- Mở bằng xung điều khiển UGT1 < 0 khi UT2T1 > 0.
- Mở bằng xung điều khiển UGT1 < 0 khi UT1T2 > 0.
- Mở bằng xung điều khiển UGT1 > 0 khi UT1T2 > 0.
Tuy nhiên, người ta hay mở bằng kiểu thứ nhất và kiểu thứ 3.
Đặc tuyến Volt-Ampe của TRIAC được biễu diễn như giản đồ sau đây:

IA1

IG = 0

IG ≠ 0
Ucñ 0
UT1T2 UT2T1
Ucñ

* Kiểu mở thứ nhất: Ñaëc tuyeán IA = f(U) cuûa triac

Khi UT2T1 > 0, tiếp xúc J3 được phân cực ngược, nếu tác dụng vào G một xung điện áp
dương UGT1 > 0, thì các electron tự do (hạt mang điện điện áp số của N2) dễ dàng chuyển
dịch từ N2 qua P2 và tham gia bắn phá tiếp xúc J3. Với UT2T1 và UGT1 đủ lớn, tiếp xúc J3
sẽ mở (dẫn điện ào ạt) và dòng điện dễ dàng đi qua triac theo chiều từ T2 đến T1. Điều này
tương đương với nhánh bên phải của đặc tuyến Volt-Ampe.
* Kiểu mở thứ ba:
Khi đặt một điện áp ngược UT1T2 > 0, tiếp xúc J2 được phân cực ngược. Ta có thể xem
N1, P2, N3 làm thành một transistor với cực Góp N1, Gốc P2 và Phát N3. Nếu tác dụng vào G
một xung điện áp âm UGT1 < 0, thì xung này sẽ mở transistor N1,P2,N3. Khi transistor này
mở, điện thế của N1 (cực Góp) trở nên gần bằng điện thế cực G (cực Phát) và do đó nhỏ hơn
điện thế cực T1, nên tạo một điện áp dương giữa P2 và N1. Hiệu thế này hút các lổ trống (hạt
mang điện đa số của P2) từ P2 qua N1 và tham gia bắn phá tiếp xúc J2. Với UGT1 và UT1T2
đủ lớn, tiếp xúc J2 sẽ mở (dẫn điện ào ạt) và dòng điện dễ dàng qua TRIAC từ T1 đến T2. Điều
này tương ứng với nhánh bên trái của đặc tuyến Volt-Ampe.
Như vậy TRIAC có thể mở theo 2 chiều:
- Chiều thuận từ T2 đến T1 khi UT2T1 > 0 và tác dụng vào G một xung điện áp dương
UGT1 > 0.
- Chiều ngược từ T1 đến T2 khi UT2T1 < 0 và tác dụng vào G một xung điện áp âm
UGT1 < 0.
Cũng như SCR, sau khi được mở TRIAC sẽ tiếp tục mở. TRIAC chỉ đóng lại khi dòng điện
qua nó giảm xuống bằng không .
b) Diac và mạch điều khiển triac :
* Diac:
 Là một linh kiện bán dẫn gồm 5 lớp bán dẫn loại N và P xen kẽ nhau.
A2
A2

N1 N1
P1 A2
J2 P1 P1
N2 J2 J2
D2 N2 N2
J3
J3 J3
P2 P2 P2 D1
N3 A1
N3

A1
A1

Cấu tạo của Diac Sơ đồ tương đương Ký hiệu

Mỗi diac có 2 điện cực A2 và A1. Điện cực A2 tiếp xúc với các lớp P1, N1, còn điện cực A1
tiếp xúc với các lớp P2, N3. Như vậy, mỗi diac tương đương với 2 điốt đặc biệt D1, D2 mắc
song song nhưng ngược chiều nhau. Điốt D1 gồm các lớp P1, N2, P2, N3 còn điốt D2 gồm các
lớp P2, N2, P1, N1.
Khi đặt vào diac một điện áp UA2A1 > 0 thì trong điốt D1 chỉ có tiếp xúc J3 bị phân cực
ngược. Mặt tiếp xúc này sẽ mở (dẫn điện ào ạt) khi UA2A1 bằng điện áp chuyển đổi Ucđ. Do
đó khi UA2A1 > 0 và bằng Ucđ, điốt D1 sẽ mở và diac dẫn điện theo chiều thuận từ A2 đến
A1.
Khi đặt vào diac một điện áp UA1A2 > 0 thì trong điốt D2 chỉ có tiếp xúc J2 bị phân cực
ngược. Mặt tiếp xúc này sẽ mở (dẫn điện ào ạt) khi UA1A2 bằng điện áp chuyển đổi Ucđ. Do
đó khi UA1A2 > 0 và bằng Ucđ, điốt D2 sẽ mở và diac dẫn điện theo chiều ngược từ A1 đến
A2.

IG1

UA1A2 Ucñ 0

Ucñ UA2A1

IG2
Đặc tuyến IG = f(UA1A2) của diac.
* Mạch điều khiển TRIAC:
Để điều khiển TRIAC ta có thể dùng nhiều loại mạch điện khác nhau, một trong những
mạch đó là mạch “dimmer” có sơ đồ như sau:
Mạch dimmer gồm có: Biến trở R, tụ điện C, diac D và điện trở phụ Rp để hạn chế dòng
điện điều khiển IG.
Điện áp cung cấp cho mạch là một điện áp xoay chiều hình sin: ua =
UM sin ωt
Giả sử ở thời điểm ban đầu (t = 0), tụ điện C đã phóng hết điện, điện áp uc = 0 trên C. Khi
ua tăng theo chiều dương (ua > 0), tụ điện C được nạp điện theo chiều dương qua điện trở R
và uc tăng theo chiều từ a đến b.
 Điện áp uc tăng theo hàm số mũ và có tốc độ tăng phụ thuộc vào R. Điện trở R càng nhỏ thì
dòng nạp cho tụ điện C càng lớn và tốc độ tăng của uc càng nhanh.
Độ biến thiến của ua theo (t được biễu diễn theo đường cong (1).
Đường cong (2) cho biết sự biến thiên của uc theo (t tương ứng với một giá trị nhất định
của R. Tại góc pha (o , uc bằng điện áp chuyển đổi Ucđ của diac D. Diac D mở, tụ C phóng qua
Rp , diac D và phần giữa G và A1 của triac theo chiều từ a qua G đến A1. Điều đó tạo ra một
xung dòng điện dương IG (đường cong 3) và mở triac T. Triac tiếp tục mở cho đến hết nửa chu
kỳ dương của điện áp ua. Tại góc pha (t = ( , điện áp ua giảm đến không, dòng điện qua TRIAC
cũng giảm đến không. Do đó TRIAC khóa lại. Sang nửa chu kỳ âm của ua, tụ điện C được nạp
theo chiều âm và uc tăng từ b đến a.
UR

A2
Rt
R T
Rp D
Ua G
∼ a
IG
UC C
b 1 A
Mạch điều khiển TRIAC bằng DIAC.
Tại góc pha (1 = (o + ( , điện áp uC = - Ucđ , diac D mở, tụ điện C phóng qua Rp , diac D và
phần A1, G của TRIAC T theo chiều từ b, A1, G, diac D, Rp về a, nên tạo ra xung dòng điện
âm IG (đường cong 4) và mở triac theo chiều ngược từ A1 đến A2. TRIAC tiếp tục mở cho
đến hết nửa chu kỳ âm. Trong suốt thời gian mở của triac điện áp trên điện trở tải Rt bằng điện
áp ua (TRIAC mở nên điện áp rới trên nó rất nhỏ). Do đó điện áp uR trên Rt biến thiên theo (t
như đường cong (5). Từ đường cong này ta rút ra trị số hiệu dụng của điện áp ra trên tải Rt.
2π
1
UR = .⌡⌠uR2dωt
2π
0
2π π

∫θ U M sin ωt dωt
2
Khi thay: ⌠ u
⌡ R d ωt = 2 2 2

0 0

= U2M (π -θo + sin2θo)

2
Ta có:
1 θ0 1
UR = U M − + sin 2θ 0
2 2π 4π
 Ua

0 π 2π 3π ωt

UC
Ucñ
θo θ1
2
ωt

IG

3
0 π 2π ωt
4

UR 5

θo
0 ωt
θo

Các dạng sóng trong mạch điều khiển TRIAC.

* Các thông số của Triac :
Mỗi TRIAC có các thông số chủ yếu sau:
- Điện áp định mức Uađm: điện áp cực đại cho phép đặt vài triac trong một thời gian dài.
- Dòng điện hiệu dụng định mức Iađm: trị số hiệu dụng cực đại cho phép của dòng điện đi
qua triac trong một thời gian dài.
- Dòng điện điều khiển mở triac IGT: dòng điện điều khiển IG mở triac .
- Dòng điện duy trì IH: dòng tối thiểu của Ia để duy trì triac mở.
c) Mạch điện đo thử SCR, TRIAC:

D1
2,7K

A A2
D2 D 1N4001
SCR hoaëc Triac
G 560 Ω
Mạch điện đo thử SCR, TRIAC.
∼ 12V
K A1 D3 S1
Cách dùng:
470/25
Mắc SCR hoặc TRIAC vào mạch.
10K
Cấp điện 12V xoay chiều. Các LED D1, D2 không được
sáng (nếu sáng là SCR hoặc TRIAC bị nối tắt).
Nhấn S1, D3 sáng: chứng tỏ có điện vào mạch kích. Nếu D2 sáng : SCR tốt.
 Nhả S1, D2 tắt (vì nguồn cấp là điện xoay chiều, khi điện áp qua 0 làm tắt SCR).
• Nếu D1 và D2 cùng sáng là TRIAC, nhả S1 D1 và D2 tắt (vì nguồn cấp là điện xoay
chiều, khi điện áp qua 0 làm tắt TRIAC).
• Nếu D1 và D2 không sáng khi nhấn S1: xem lại các chân A, K của SCR hoặc A2, A1
của TRIAC có đúng chưa, nếu đúng là SCR hoặc TRIAC bị hư .
VII- LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG ĐIỆN.
Các linh kiện biến đổi quang điện được đặt ở 2 đầu sợi quang:
- Linh kiện biến đổi tín hiệu điện sang tín hiệu quang, gọi là nguồn quang. Linh kiện này
phát ra ánh sáng có công suất tỉ lệ với dòng điện chạy qua nó.
- Linh kiện biến đổi tín hiệu quang sang tín hiệu điện, gọi là linh kiện tách sóng quang (hay
thu quang). Linh kiện này tạo ra dòng điện có cường độ tỉ lệ với công suất ánh sáng chiếu vào
nó.
Chú ý rằng sợi quang có độ suy hao nhỏ nhất ở các bước sóng ( = 850nm, 1300nm và
1550nm, nên các linh kiện quang phải hoạt động có hiệu suất lớn nhất ở các bước sóng trên.
Các linh kiện biến đổi quang điện hoạt động dựa trên 3 hiện tượng sau đây:
( Khi có một photon bức xạ vào một chất bán dẫn, cung cấp năng lượng E = h( cho một
electron ở vùng hóa trị, thì electron sẽ chuyển lên Vùng Dẫn, để lại một lổ trống ở vùng hóa trị
và photon biến mất. Như vậy, một photon có năng lượng thích hợp chiếu vào chất bán dẫn sẽ
tạo ra một electron và một lổ trống và photon biến mất. Hiện tượng này được gọi là sự hấp thụ,
được ứng dụng trong photo điốt để làm linh kiện tách sóng quang.
( Nếu trong Vùng Dẫn có số electron nhiều hơn mức cân bằng, thì electron thừa sẽ rơi
xuống vùng hóa trị một cách tự phát để kết hợp với lổ trống. Năng lượng phát ra dưới dạng
photon. Như vậy khi hiện tượng kết hợp electron với lổ trống có thể bức xạ cho ra 1 photon.
Hiện tượng này gọi là sự phát quang, dùng trong các điốt quang.
( Khi các electron phát ra photon khi kết hợp với lổ trống lại kích thích các electron đang có
năng lượng cao chuyển xuống mức năng lượng thấp và phát ra photon mới, quá trình cứ tiếp
diễn và số lượng photon phát ra rất lớn. Aùnh sáng phát ra trong quá trình phát xạ kích thích có
cùng bước sóng và cùng pha. Hiện tượng này gọi là phát xạ kích thích, được ứng dụng trong
các điốt phát Laser.

Vuøng Daãn Vuøng Daãn Vuøng Daãn

hν hν
hν
hν hν

Vuøng Hoùa Trò Vuøng Hoùa Trò Vuøng Hoùa Trò

Hấp thụ Phát xạ tự phát Phát xạ kích thích.

1. Điốt phát quang: (LED) Light Emitting Diode.

Round H. J. đã tìm thấy sự phát sáng của SiC (Silicon Carbide) dưới tác dụng của điện
trường, vào năm 1907. Ngày nay, người ta sản xuất khoảng 20.109 LED mỗi năm.

a- Cấu tạo:
LED có cấu trúc với một lớp tiếp xúc P-N và cũng có đặc trưng kỹ thuật như các điốt thông
thường: Chiều dẫn điện và chiều không dẫn điện. Tuy nhiên LED có mức ngưỡng điện áp
thuận cao (1,6(3V) và điện áp nghịch tương đối thấp (3(5V).
Ith (mA)

3 → 5V
Uth
Ung 0 1,6 → 3V
 Ký hiệu LED Đặc tuyến V-A của LED.
Bảng sau đây, cho ta thấy các số liệu kỹ thuật của vài chất bán dẫn thông dụng:
Vật liệu Eg (eV) ( sóng Vùng bức Loại tái hợp
bức xạ xạ
(nm)
- Gerrnanium. 0.66 - - Gián tiếp.
- Silicium. 1.09 - - Gián tiếp.
- Gallium-Arsenic. 1.43 890 Hồng ngoại. Trực tiếp.
- Gallium-Arsenic- 1.91 650 Đỏ. Trực tiếp.
Phosphide 2.24 560 Xanh lá Gián tiếp.
- Gallium-Phosphide. 2.5 490 cây. Gián tiếp.
- Silicium-Carbide. 3.1 400 Xanh da Gián tiếp.
- Gallium-Nitride. trời.
Tím.

Ví dụ :
Với chất bán dẫn GaAs : ( = = 900 nm.

Với: h (hằng số Planck) = 6,625.10-34 J.s = 4,16.10-15 eV.s

C = 3,108 m/s.
∆E = Eg = 1,38 eV
b- Hoạt động:
Khi một electron ở đáy Vùng Dẫn của chất bán dẫn rơi vào một lổ trống ở đỉnh Vùng Hóa
Trị, thì năng lượng Eg sẽ được giải phóng (Eg là bề rộng Vùng Cấm). Năng lượng này có thể
biến thành năng lượng nhiệt dao động cho mạng tinh thể (như chất bán dẫn là Silic), hoặc
trong một số vật liệu bán dẫn dưới một điều kiện nào đó, năng lượng này xuất hiện ra dưới
dạng một bức xạ điện từ có bước sóng cho bởi:
c c hc
λ = = E /h = E
ν g g
Các LED bán trên thị trường được chế tạo để ánh sáng phát ra trong vùng thấy được
thường dựa trên vật liệu bán dẫn là hợp chất Ga-As-P (Gali-Arsen-Phospho) được lựa chọn
với một tỉ lệ thích hợp, như vậy ánh sáng phát ra sẽ có bước sóng như yêu cầu.
Như vậy khi electron rơi từ Vùng Dẫn xuống Vùng Hóa Trị sẽ phát ra ánh sáng có bước
sóng ( (và electron từ mức Donor rơi xuống mức Acceptor để kết hợp với lổ trống cũng phát ra
ánh sáng có bước sóng (’), ánh sáng này có kích thích cho các electron từ vùng hóa trị nhảy
lên Vùng Dẫn không? Thực tế là có, như vậy để tránh cho tất cả các photon phát ra không bị
hấp thụ, cần phải có một lượng dư thừa các electron và lổ trống lớn hơn nhiều so với lượng
electron và lổ trống được tạo ra do chuyển động nhiệt trong vật liệu bán dẫn thuần. Đó là các
điều kiện mà ta có được khi các phần tử mang điện đa số (electron hoặc lổ trống) được phun
qua tiếp xúc P-N bằng một điện áp bên ngoài. Do đó muốn có được một LED, phải có một tiếp
xúc P-N của một chất bán dẫn được chế tạo giàu tạp chất và một điện áp bên ngoài đưa vào
tiếp xúc P-N theo chiều thuận.
c- Các tham số cơ bản:
Một LED có các tham số cơ bản sau đây:
- Dòng điện thuận định mức: IF (forward) (từ 50 mA ( 300mA).
- Điện áp sụt trên LED : VL (từ 1,5 ( 2,5V).
- Dòng điện thuận tối đa : Ip (peak) (( 200mA).
- Công suất tiêu thụ :P (103 mW).
- Công suất phát quang : Po (1 ( 10mW)
- Điện áp ngược : VR (reverse) (( 5V).
- Bước sóng ánh sáng phát ra.
d- Một số loại LED:
Hầu hết những nguyên tố dùng để chế tạo LED đều là những nguyên tồ ở nhóm III và V của
bảng phân loại tuần hoàn như: GaAs, GaP và loại hỗn hợp “Ternarius” với Ga, As, P.
- LED GaAs:
Tùy theo tỉ lệ pha tạp mà bước sóng ánh sáng do sự tái hợp trong GaAs có cực đại giữa
880 nm và 940 nm (hồng ngoại): Mắt không nhìn thấy được .
Vật liệu ban đầu cho điốt GaAs là chất nền loại N+ : Người ta kéo đơn tinh thể GaAs siêu
sạch, sau đó được cưa thành từng phiến mỏng khoảng 0.3mm và đánh bóng, pha tạp bằng
Tellurium (Te) hay Sulfur (S) để có một độ tạp chất cho (donor) từ 1017 đến 1018 nguyên
tử/cm3.
Lớp tiếp xúc P-N được hình thành bằng 2 cách:
• Trên đế nền N+ trên, trong giai đoạn Epitaxi khí một lớp N được hình thành, sau đó
khuếch tán một lớp P bằng AsZn2, ta được một tiếp xúc P-N.
• Lớp tiếp xúc P-N cũng có thể được tạo ra trong khi một lớp Epitaxi hình thành từ một
dung dịch .
Lớp P (dày khoảng 200(m), có mật độ tạp chất nhận (acceptor) là 1019 nguyên tử/cm3 và
mật độ electron trong lớp Epitaxi (lớp N) là 1017 đến 1018 nguyên tử/cm3. Với mật độ tạp chất
như thế sẽ cho hiệu suất lượng tử bên trong cao nhất.
Bức xạ phát sinh do sự tái hợp, năng lượng photon khỏang 1,4eV. Người ta mở Cổng sổ để
ánh sáng phát ra ở lớp P hay N đều được, nhưng lớp P có hằng số hấp thụ bức xạ cao, nên
lớp bên trên thường là lớp N (nếu vì lý do kỹ thuật, lớp P phải đặt bên trên thì phải thật mỏng).
Bên ngoài được phủ một lớp chống phản xạ để ghép ánh sáng vào sợi quang.
- LED GaAsP:
Điốt GaAsP với sự tái hợp trực tiếp và năng lượng lớn hơn 1,7eV cho ta ánh sáng nhìn thấy
được. Điốt đỏ và vàng được chế tạo. Hàm lượng Phosphor trong tinh thể lên đến 85% thì ánh
sáng phát ra màu vàng.

hν

Cấu tạo của LED

+
N
N+
N
- LED GaP:
GaP là loại bán dẫn gián tiếp, không phát sáng. TuyP nhiên người ta có thể chế tạo LED từ
GaP với sự pha tạp các chất cách điện (isoelectric), đó là Nitơ và ZnO.
Tùy theo tạp chất cách điện mà ta có thể dịch chuyển mức năng lượng EExc của các
exciton (cặp electron-lổ trống) để làm thay đổi màu sắc của LED. Sau lớp nền GaP loại N dẫn
điện là một cấu trúc GaP - P (ZnO) Epitaxi được hình thành: Có LED đỏ.
Trong khi đó, một cấu trúc GaP - P (N) Epitaxi: Có LED xanh lá cây.
Với cách này, ta có một điốt đôi. Với 2 điện áp, các dòng điện qua điốt được thay thế độc
lập, ta có ánh sáng phát ra chuyển từ đỏ, vàng cam đến xanh lá cây.

+
P-GaP (N): epitaxi -
N-GaP : neàn

LED đôi đỏ và xanh lá cây. P-GaP (ZnO): epitaxi

-
+
- LED phát xạ rìa: (ELED: Edge Light Emitting Diode).
LED phát xạ rìa khác với các LED thông thường, các điện cực kim loại phủ kín mặt trên và
mặt đáy của ELED. Do đó, ánh sáng không thể phát ra phía 2 mặt được mà bị giữ trong vùng
rất hẹp. Vùng này rất mỏng bằng vật liệu có chiết suất lớn kẹp giữa 2 lớp P và N có chiết suất
nhỏ hơn. Cấu trúc như vậy tương tự như cấu trúc của sợi quang (ống dẫn sóng), ánh sáng
được phát ra ở cả 2 đầu ống dẫn sóng này, một đầu được nối với sợi quang.
Cấu trúc này có ưu điểm là vùng phát sáng hẹp và góc phát sáng nhỏ, nên hiệu suất ghép
quang cao, tuy nhiên khi hoạt động, nhiệt độ của LED khá cao cần phải được giải nhiệt.
e- Mạch phát quang dùng LED:
Mạch điện của máy phát quang đơn giản như sau:
+V

Tín hieäu Q
Mạch phát quang đơn giản
ñieàu cheá
LED

R ứng nhanh và công suất lớn. trong đó Q1 làm nhiệm vụ

Dưới đây là một mạch phát quang dùng LED có đáp
khuếch đại và phối hợp trở kháng, Q2, Q3 mắc song song để tăng dòng kích thích cho LED.

+V

C1 C2 LED

Vin Q1 Q2
R3
C3
R1 R2 R4 Q3
C4 Mạch phát quang dùng LED tiêu
D biểu.
f- Một số tính chất kỹ thuật và vài ứng dụng của LED:
™ TÍNH CHẤT KỸ THUẬT:
Với thể tích nhỏ, công suất tiêu tán thấp, LED được sử dụng trong mọi lãnh vực quang
báo. Tuổi thọ của LED cao hơn bóng đèn thông thường, khoảng 105 giờ (có thể sáng liên tục
trong 10 năm). Trái với bóng đèn thường, LED không hư ngay, mà sau khoảng thời gian
khoảng 105 giờ, công suất phát quang của LED giảm đi một nửa.
• Cường độ sáng của LED giảm đi khi nhiệt độ tăng. Khi nhiệt độ tăng 10C (đo ở 25 0C ),
LED đỏ giảm độ sáng 1,5% ; vàng 0,7% ; xanh lá cây 0,5%. Với độ giảm như vậy mắt thường
không phân biệt được, nhưng trong việc truyền tin, tự động hóa cần có một mạch điện làm gia
tăng dòng điện điốt để trung hòa hiệu ứng nhiệt.
• Khi nhiệt độ tăng, phổ bức xạ của LED cũng dịch chuyển về phía sóng có độ dài lớn hơn.
Độ dịch chuyển này từ +0,1 đến 0,3 nm/ 0C.
( Khi sử dụng LED luôn luôn được mắc nối tiếp với một điện trở RT: RT
=Ġ
Với: VB = Điện áp nguồn.
VD = Điện áp ngưỡng của LED.
IF = Dòng điện qua LED.
( Điện áp ngưỡng của LED có các trị số sau:
Đỏ : 1,6...2V
Cam : 2,2...3V
 Xanh lá cây : 2,7...3,2V
Vàng : 2,4...3,2V
Xanh da trời : 3,0...5V
( Catot của LED:
- Nằm ở chân ngắn.
- Phía vỏ bị cắt xén.
- Nhìn vào bên trong, điện cực catot lớn hơn.

Hình dáng của LED K

A
™ VÀI MẠCH ĐIỆN ỨNG DỤNG:
• LED làm đèn báo với điện áp 220V:
R1 = 2,2 KΩ ;
R1 C1 R2 R2 = 220Ω;
D1 : 1N4097;
220V ∼ D
LED
C1 = 0,22 µF/250V.

Đèn báo dùng điện xoay chiều 220V

Dòng qua LED khoảng 15 mA. điốt D1 bảo vệ LED ở nửa chu kỳ âm của điện áp 220V, vì
LED chỉ chịu điện áp ngược trong khoảng 3... 5V.
• LED nhấp nháy với điện áp 220V:

R1 Dc R2

220V ∼ C
LED
D

Đèn báo nhấp nháy dùng điện áp 220V

R1 = 470KΩ; R2 = 680Ω; C1 = 22 µF/35V

Diac Dc : ER900; D: 1N4007.
Tụ điện C nạp điện qua điện trở R1, khi điện áp 2 đầu tụ điện vượt quá điện áp ngưỡng
của diac, diac dẫn điện làm LED sáng.
Khi điện áp 2 đầu tụ điện C giảm xuống dưới điện áp ngưỡng của diac, diac ngưng dẫn làm
LED tắt.......
• Mạch đèn báo đặc biệt:
Lợi dụng sự khác biệt về điện áp ngưỡng của LED đỏ (1,6V) và LED xanh lá cây (2,5V), ta
có ứng dụng sau đây:
Hai LED mắc song song, nối tiếp với một điện trở. Bình thường chỉ có LED đỏ sáng, chỉ khi
nào công tắc S hở, LED xanh mới sáng. Công tắc S có thể là tiếp điểm của một relay hoặc
các chân C, E của một transistor được điều khiển bởi một mạch điện nào đó.

S
LED LED
xanh laù caây ñoû
 Mạch đèn báo dùng 2 LED
• LED đôi:
Ta còn gọi LED đôi là DUO-LED. Có 2 loại sau đây:

1 2
LED2
R G
LED1

3
Chân số 1 cho LED màu đỏ, chân số 2 Hai LED mắc song song
cho LED màu vàng / xanh lá cây, chân và đối cực.
số 3 nối với Catot.

+ S

1 S 2
LED LED2
LED-R G LED1

3 R1 R2
R
E
Tùy theo vị trí khóa S mà LED đỏ hay LED xanh sẽ sáng

LED2

LED1

R1 R2
E
Tùy theo vị trí biến trở P mà LED thay đổi màu sắc và độ sáng

2. LED hồng ngoại: (IR LED) Infrage Rouge.

Điốt GaAs phát ra tia hồng ngoại, có hiệu suất bức xạ cao hơn LED phát ra ánh sáng thấy
được, được ứng dụng nhiều trong kỹ thuật. Vùng Cấm của GaAs có độ rộng khoảng 1,43eV
tương ứng với bức xạ khoảng 900 nm.
Từ lớp nền N-GaAs, người ta tạo một lớp tinh thể epitaxi mỏng bằng tạp chất Silic, lớp tiếp
xúc được hình thành. Mặt dưới có cấu tạo như một tấm gương phản chiếu ánh sáng hồng
ngoại từ tiếp xúc P-N lên trên. Như vậy ta có được LED phát tia hồng ngoại ở 950nm.
Cũng như trên, từ lớp nền (GaAl)As, người ta tạo một lớp tinh thể epitaxi mỏng bằng Si và
với sự điều chỉnh nồng độ Al, ta có LED phát tia hồng ngoại trong khoảng 850 ( 900 nm.
Mạch điện phát và thu âm nhạc bằng sóng hồng ngoại:
( Máy phát:
Ba LED hồng ngoại được cấp điện từ MOSFET T1, dòng điện này điều chỉnh được bằng
biến trở P1. Tín hiệu âm thanh qua C1 vào Cổng (Gate) của T1 để làm biến điệu dòng điện
(AM) qua các LED hồng ngoại. T2 và R3 dùng để hạn chế dòng điện qua MOSFET, bảo vệ
LED không bị hư khi Cổng có điện áp quá lớn (dòng bị hạn chế < 100mA.). MOSFET ở đây là
BS170 làm việc với dòng qua cực máng (Drain) đến 500mA và có công suất tiêu tán 730mW.
T2 là BC547B.
( Máy thu:
Phần thu ta dùng điốt BPW41W hay BP104. Các điốt thu này đều được che chắn bởi một
màng lọc ánh sáng (màng lọc màu đỏ). Biến trở P được chỉnh để cho độ méo âm thanh bé
nhất.
MOSFET T1 dùng loại BS170, tai nghe có tổng trở 300 (.
Với phần phát và thu như trên có thể hoạt động tốt ở cự ly 3(4m.
10 mA
+9V 220/16 +9V 47/16

C1 100nF R3 560Ω
Vaøo BPW41N C2 10nF
R2 82K T1 BP104 22/16

R2 820K T1
R1 P1 300Ω
R1 P1 T2
470K 100K
100K 100K R3 6,8Ω

Phát tia hồng ngoại Thu tia hồng ngoại.

3. Laser bán dẫn:
™ LASER:
LASER là các ký tự đầu của “Light Amplification by Stimulated Emission of a Radiation”.
• Các electron của nguyên tử có các mức năng lượng không liên tục riêng biệt. Khi
electron nhận được năng lượng đúng bằng: (E = Em - En
Electron sẽ chuyển từ mức năng lượng thứ « n » lên mức năng lượng thứ « m », ta nói rằng electron đã
hấp thụ năng lượng.

E
Em

En
Các mức năng lượng Em và En trong nguyên tử
0
( Khi electron đang ở mức năng lượng thứ « m », chuyển xuống mức năng lượng thứ
« n », thì nó trả lại một năng lượng đúng bằng :
∆E = Em - En
Ta nói rằng electron đã bức xạï năng lượng tự phát. Nếu năng lượng này được trả lại dưới
dạng quang năng, thì đây là sự phát quang. Các ánh sáng phát ra không có sự liên hệ về pha.
Tần số ánh sáng fmn phát ra khi dịch chuyển từ mức năng lượng « m » xuống « n », liên hệ
với biểu thức :
hfmn = Em - En
Sóng ánh sáng này có độ dài sóng :
C C 1,2398
λ= = =
f E2 − E1 E2 − E1
h
Trong đó C là vận tốc ánh sáng.
h là hằng số Planck (6,625.10-34 J.s).
f là tần số ánh sáng (Hertz).
( Khi một photon có năng lượng hfmn gặp phải một nguyên tử đang ở trạng thái kích
thích, các electron bị cưỡng bức dịch chuyển từ trạng thái năng lượng “m” xuống trạng thái
năng lượng “n” và phát ra 1 photon có tần số đúng bằng fmn. Cả 2 photon tới và photon phát
xạ có cùng pha. Đây là sự phát xạ kích thích (stimulated emission).
Các photon do phát xạ kích thích có liên hệ về pha và đơn sắc. Đây là quá trình cơ bản
trong một LASER. Tuy nhiên muốn có được một chùm tia LASER, thì mật độ electron có năng
lượng ở mức kích thích “m” phải lớn hơn nhiều lần các electron có năng lượng cơ bản “n”. Do
vậy, LASER gồm 3 bộ phận chính: Phần tử khuếch đại, các phần tử lọc sóng và bộ phận phản
hồi. Hai bộ phận sau cùng được hình thành bởi một buồng cộng hưởng Perot-Fabry.
™ CẤU TRÚC CỦA LASER BÁN DẪN:
Điều kiện để có LASER là bức xạ kích thích phát ra là trong một thể tích bán dẫn có sự
phun mạnh. Các tia LASER phát ra qua sự tái hợp khi lớp P-N được phân cực thuận. Để đạt
được đến sự kích thích của bức xạ, công suất ánh sáng cần phải được phản hồi lại trong một
buồng cộng hưởng Pérot-Fabry.
Buồng cộng hưởng của LASER bán dẫn GaAs được cấu tạo bởi 2 mặt tinh thể như mặt
phẳng giới hạn để tạo sự phản hồi quang học và định hướng dòng photon.
Với sự phân cực thuận, ta có bức xạ tự phát do dòng điện thuận. Đến một ngưỡng mật độ dòng điện nhất
định - tùy theo cấu trúc và vật liệu của điốt LASER, ta có bức xạ kích thích. Công suất phát
sáng của tia LASER tăng đột ngột theo dòng điện..

3...7µm

Contact
SiO2
P-GaAs
P-GaAlAs
1,5µm
P-GaAs
0,1µm N-GaAlAs
N+-GaAs
Contact

Soùng LASER
phaùt ra.
Cấu trúc của một LASER (GaAl)As/GaAs.
Trong điốt LASER, tinh thể bán dẫn phải tải một mật độ dòng điện quá lớn (đến 10kA/cm2)
và công suất phát sáng cũng rất lớn (1MW/cm2), phần lớn công suất điện đưa vào được biến
thành nhiệt năng nên điốt LASER cần phải được giải nhiệt. Hiện nay người ta đã chế tạo được
LASER có ngưỡng mật độ dòng điện thấp hơn 103A/cm2.
Để có được các yêu cầu nói trên, LASER bán dẫn có cấu trúc nhiều lớp rất phức tạp. Cấu
trúc này thường là những tiếp xúc khác nhau (heterojunction) của 3 thành phần GaxAl1-xAs.
Ngày nay LASER bán dẫn được chế tạo phát ra ánh sáng có bước sóng từ 630nm đến hơn
1600nm. LASER bán dẫn phát ra ánh sáng có bước sóng 850nm được coi là tối ưu cho việc
truyền tin ở những khoảng cách ngắn và trung bình. Kích thước tiêu biểu: dài 1 ----> 2mm, rộng
khoảng 0,1mm và dày vài (m. Hiệu suất có thể đạt được trên 50%, cao hơn tất cả các nguồn
sáng khác. Để tăng công suất phát của LASER bán dẫn, người ta tổ hợp nhiều LASER trên
cùng một phiến bán dẫn.
Ví dụ: khối LASER kích thước khoảng 0,6 x 10 x 0,1 mm3 gồm có từ 10 đến 20 vùng , mỗi
vùng có từ 10 đến 20 LASER. Công suất có thể đạt từ 20 đến 100W.

™ CHÚ Ý KHI DÙNG LASER BÁN DẪN:

LASER bán dẫn có thể làm việc tốt từ 100.000 đến 1.000.000 giờ ở nhiệt độ 250C. Tuy
nhiên LASER rất dể bị hư với những xung điện áp cao phát sinh từ những nguồn điện (do
đóng mở mạch điện), dù các xung này chỉ kéo dài vài nano-sec (10-9 s). Do đó nguồn cung cấp
điện cho LASER bán dẫn phải có mạch bảo vệ và nên nối nguồn với đất qua một điện trở
500K( đến 1M(.
 Ngoài ra chỉ nên vận hành điốt LASER dưới 2/3 công suất phát sáng tối đa.

4. Photo – Điốt:
Các photo-điốt dùng làm detector, phát hiện sự hiện diện của ánh sáng. Nếu ta mắc một
điện áp ngược vào 2 đầu một điốt Silic, dòng điện rĩ rất bé chạy qua. Nhưng nếu ta bóc trần vỏ
điốt ra và chiếu ánh sáng vào, dòng rò tăng lên mạnh (có thể đến 1mA). Tất cả các lớp tiếp xúc
P-N đều nhạy sáng như vậy, nên được dùng làm photo-điốt.
5. Mặt chỉ thị tinh thể lỏng: (LCD) Liquid Crystal Display.
™ ĐẠI CƯƠNG:
Bà Patricia E. Claudis người Trung Quốc, sinh sống ở Vancouver Canada, làm việc trong
phòng thí nghiệm AT&T Bell là người đầu tiên tìm thấy tính chất độc đáo của tinh thể lỏng. Mặt
chỉ thị tinh thể lỏng còn gọi là LCD, có đời sống từ 10.000..... 100.000 giờ, có thể dùng để thay
thế các mặt chỉ thị loại LED hay huỳnh quang. LCD có các lợi điểm sau đây:
- Rất ít tốn điện: 10(A.
- Chữ số rõ ràng dễ đọc ở nơi có nhiều ánh sáng .
- Cấu trúc phẳng, dẹp có độ bền cơ học cao.
- Có thể điều khiển trực tiếp bằng các linh kiện TTL hay CMOS.
- Có thể chỉ thị những ký hiệu phức tạp.
Tuy nhiên cũng có những bất lợi:
- Đời sống tương đối ngắn so với LED.
- Khi trời tối, chỉ có thể đọc với ánh sáng đèn từ bên ngoài.
- Thời gian tắt, mở tương đối chậm.
- Khoảng nhiệt độ làm việc tương đối hẹp: Dưới O0C, tinh thể lỏng bị đóng băng và trên
600C, LCD không làm việc.
™ CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG:
Tinh thể lỏng trong mặt chỉ thị LCD là những hợp chất hữu cơ có phân tử khá dài, có đặc
tính nematic. Có nghĩa là trục dọc của các phân tử nằm song song với nhau.
Tùy theo nhiệt độ mà tinh thể lỏng có những trạng thái khác nhau. Ở nhiệt độ thấp, nó có
trạng thái rắn; từ nhiệt độ nóng chảy Tnc nó đổi sang trạng thái không đẳng hướng
(mesophase). Tăng nhiệt độ đến Ttr gọi là nhiệt độ trong suốt, tinh thể lỏng có trạng thái đẳng
hướng. Hiệu ứng quang học dùng cho LCD được hạn chế trong khoảng mesophase mà thôi
(giới hạn trong khoảng nhiệt độ Tnc và Ttr).
™ CẤU TRÚC:
Mặt chỉ thị tinh thể lỏng được cấu tạo bởi 2 tấm kính cách nhau khoảng 10 (m. Ở phía
trong mặt kính trên, có tráng một điện cực trong suốt bằng ZnO2, gồm những hình ảnh, dấu
hiệu cần được thể hiện. Ở trên mặt kính phía dưới có tráng một lớp điện cực trong suốt ZnO2.
Giữa 2 lớp kính là một lớp tinh thể lỏng và chung quanh được hàn kín. Tấm nhựa lọc có tính
phân cực ánh sáng được dán bên ngoài 2 tấm kính sao cho hình ảnh phản chiếu của mặt chỉ
thị được nhìn rõ từ một phía.
Höôùng nhìn

Taám nhöïa phaân cöïc.

Taám kính.
Ñieän Ñieän cöïc trong suoát.
cöïc Tinh theå loûng .
Ñieän cöïc trong suoát.
Taám kính.
Taám nhöïa phaân cöïc.
Göông
Cấu trúc củaphaû
LCDn chieáu
™ HOẠT ĐỘNG:
 Trên mặt trong của 2 tấm kính người ta mài thành những rãnh thật bé song song nhau, các
rãnh ở tấm kính trên thẳng góc với các rãnh ở tấm kính dưới. Các tinh thể lỏng sắp xếp theo
hướng các rãnh này. Vì có lực tác dụng giữa các phân tử, nên các phân tử sắp xếp có hướng
như phân tử kế bên, nên hướng của các phân tử xoắn một góc 900 từ tấm kính trên xuống tấm
kính dưới. Bên ngoài 2 tấm kính được dán 2 tấm lọc phân cực ánh sáng chỉ cho ánh sáng
xuyên qua theo một hướng, hướng đó là hướng các rãnh trên các tấm kính. Vì mặt phẳng của
ánh sáng xuyên qua một kính lọc phân cực sẽ xoay theo hướng trục của các phân tử tinh thể
lỏng, cho nên mặt phẳng dao động của ánh sáng cũng xoay một góc 900 nên xuyên qua được
tấm kính lọc phân cực thứ hai. Ở trạng thái không có điện áp đặt vào, màn ảnh trong suốt và
cho ánh sáng đi qua (hoặc phản xạ về hướng cũ nhờ tấm gương phản chiếu.
Dưới tác dụng của điện trường, các phân tử tinh thể lỏng định hướng theo chiều điện
trường (thẳng góc với mặt phẳng tấm kính), như thế mặt phẳng ánh sáng không bị xoay nên
không cho ánh sáng xuyên qua tấm lọc phân cực thứ hai, không có ánh sáng ló ra ngoài. Ta
thấy màu đen ngay chổ điện cực trong suốt có hình dạng cần thể hiện.
Trong các màn ảnh LCD màu, trước mỗi điểm ảnh (pixel picture element) là một kính lọc
màu. Ba điểm màu đỏ, xanh lá cây và xanh dương tạo nên một điểm ảnh màu. Như thế, muốn
màn ảnh LCD màu có cùng độ phân giải như LCD đen trắng phải có số điểm pixel gấp 3 lần.
Các LCD được dùng nhiều trong các đồng hồ điện tử, mặt chỉ thị của các đồng hồ đo, máy
tính cầm tay, màn hình máy vi tính xách tay.... chúng tiêu thụ năng lượng rất ít.
 Chương II

MẠCH KHUẾCH ĐẠI

Một mạch khuếch đại thường gồm nhiều tầng, mỗi tầng gồm một số linh kiện, ta có thể
phân loại theo nhiệm vụ của nó:
- Khuếch đại điện áp.
- Khuếch đại công suất ...
Hoặc phân loại theo dải tần hoạt động:
- Khuếch đại dòng một chiều (các tín hiệu một chiều hay biến thiên chậm theo thời gian.
- Khuếch đại tần số thấp (có tần số từ vài Hz đến vài chục KHz).
- Khuếch đại tần số cao (có tần số từ vài chục KHz đến vài ngàn MHz) ...
Hoặc phân loại theo chế độ hoạt động:
- Khuếch đại hạng A: điểm làm việc nằm trên phần thẳng của đặc tuyến, khuếch đại rất
trung thực, thường dùng trong những mạch khuếch đại điện áp, tuy nhiên hiệu suất thấp vì
dòng tiêu thụ có giá trị đáng kể.
- Khuếch đại hạng B: điểm làm việc nằm ở gốc của đặc tuyến, nên có một phần nhỏ đặc
tuyến nằm trên đoạn cong ở gốc. Thường dùng trong các mạch khuếch đại công suất vì hiệu
suất của nó lớn nhiều so với chế độ A, khi có tín hiệu đến mạch mới có dòng điện đáng kể.
- Khuếch đại hạng C: điểm hoạt động nằm xa gốc của đặc tuyến, biên độ tín hiệu phải
lớn mạch mới khuếch đại được, hiệu suất của tầng khuếch đại lớn hơn khuếch đại ở chế độ B,
tuy nhiên độ méo dạng đáng kể.
I- HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI.
Hệ số khuếch đại cho ta biết tỉ số biên độ tín hiệu đầu ra so với đầu vào.
Hệ số khuếch đại điện áp: Ġ
Hệ số khuếch đại dòng điện: Ġ
Hệ số khuếch đại công suất là tỉ số công suất giữa công suất Pra lấy ra ở tải và công suất
Pvào đưa vào tầng khuếch đại.
P
K p = ra
Pvao
Trong trường hợp mạch khuếch đại có nhiều tầng, hệ số khuếch đại K của mạch là:
K = K1 . K2 . K3 . ..
với Ki là hệ số khuếch đại của tầng thứ i.
Trong thực tế, độ lớn của hệ số khuếch đại thường dùng đơn vị décibel (dB):
Ku,i (dB) = 20 logKu,i
Kp (dB) = 100 log Kp
Bảng dưới đây cho ta một vài giá trị về quan hệ trên:
Ku,i 2 3,16 10 31,6 100 1000 10.00
0
Ku,i 6 10 20 30 40 60 100
(dB)
Trong trường hợp mạch khuếch đại có nhiều tầng, hệ số khuếch đại K (dB) của
mạch là:
K (dB0 = K1 (dB) + K2 (dB) + K3(dB) . ..
với Ki (dB) là hệ số khuếch đại của tầng thứ i.
II- KHUẾCH ĐẠI ĐIỆN ÁP ÂM TẦN.
Tầng khuếch đại điện áp sẽ nâng cao điện áp của tín hiệu. Tùy theo dải tần hoạt động, tầng
khuếch đại điện áp có thể chia thành nhiều loại: khuếch đại điện áp âm tần, cao tần, một chiều
... Tuỳ theo tải lấy tín hiệu ra và tuỳ theo cách nối tầng, ta có tầng khuếch đại ghép RC, tầng
khuếch đại ghép biến áp, tầng khuếch đại tải cảm kháng, tầng khuếch đại ghép trực tiếp ...
trong đó tầng khuếch đại ghép RC phổ biến nhất.
1. Tầng khuếch đại điện áp âm tần đơn.
Tầng khuếch đại điện áp âm tần đơn dùng một transistor thường mắc theo kiểu E chung
hoặc B chung vì các kiểu này mới được hệ số khuếch đại điện áp lớn.
Sơ đồ dưới đây là một mạch khuếch đại gồm 2 tầng, ta chỉ xét một tầng trong vùng khoanh
bằng các đường đứt nét.
Mạch điện gồm:

+ 12V

R1 RC

T1
C1 C2
Uvaøo
R2 RE CE
-
Tầng khuếch đại ghép RC
• Transistor PNP.
• R1và R2: phân cực cho T.
• RE bổ chính nhiệt cho T.
• CE nâng hệ số khuếch đại.
• C2: tụ điện liên lạc .
• RC: điện trở tải.
Cần chú ý rằng, đối với thành phần tín hiệu, tải ở cực C của transistor T gồm điện trở RC
mắc song song với trở kháng vào (ZC) của tầng sau. Để cho tín hiệu ít bị tiêu hao trên RC,
người ta chọn RC lớn hơn ZC nhiều.
a- Tính trị số các linh kiện:
Cho VCC =12V, tính R1, R2, RC, RE, CE để mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ,khuếch đại hạng
A (trung thực) tiếp xúc BE phải được phân cực thuận:
VB > VE và VB – VE = 0,6V (transistor Si)
và tiếp xúc BC phân cực nghịch VB < VC.
* Khuếch đại tín hiệu nhỏ, chọn dòng IC nhỏ để ít tạp âm : chọn IC từ 1 ( 2mA.
* Chọn VCĠĠ
* Chọn VB = 2V < VC Ġ VE = VB – 0,6V = 1,4VĠ Ġ
V R1 VCC 12
* Tính R1, R2: VB = CC ⇒ = −1 = −1 = 5
R1 R2 VB 2
+1
R2
Nếu chọn R1 = 5ŋ thì R2 = 1ŋ. Trong thực tế, ta chọn: RC = 5,6 ŋ; R1 = 5,1 ŋ; R2 = 1K Ω ;
RE = 1,5 K Ω .
b- Mạch điện tương đương:
Chú ý:
* Đối với tín hiệu xoay chiều: tụ điện C và nguồn một chiều coi như bị nối tắt.
* Đối với nguồn một chiều: tụ điện C được xem hở mạch.
Mạch điện tương đương của một transistor:

iC B C
≈ iB iC
iB rbe β ib

rbe ≅ β
26(mV ) E
I E (mA)
 Từ mạch điện tương đương của một transistor trên, ta vẽ lại mạch điện tương đương của
mạch khuếch đại điện áp dùng một transistor:
VCC = + 12V

R1 RC

T1
C1 C2
Uvaøo RL
R2 RE CE
-

ib ic

R2 R1 rbe RC RL
~ β ib
Uvaøo

Ta chọn R1 > R2 >> rbe và RC > RL.

Trong thực tế, rbeĠ 1,5ŋ, RC khoảng vài chục ŋ.
Suy ra : R1 // R2 // Rbe Ġ rbe và RC // R L ĠRL. :
Uvào = ib.rbe
Ura = iCRL

ib ic

rbe RL
~ β ib
Uvaøo

Suy ra hệ số khuếch đại điện áp : K = β RL

rbe
Kết luận: Muốn hệ số khuếch đại điện áp lớn, ta chọn transistor cóĠ lớn và điện trở
tải của mạch phía sau phải lớn.
RL R .I (mA)
K =β = L E
26 26
β (mA)
IE
2. Mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 tầng ghép rc:
Như phần trên đã trình bày, mạch khuếch đại gồm 2 tầng ghép với nhau bằng R và C, được
vẽ lại bằng sơ đồ như sau:
 + 12V

R1 RC1 RB RC2

T1
C1 C2
Uvaøo RL
R2 RE CE
-

Sơ đồ mạch khuếch đại

ib1 ic1 ib2 ic2

rbe1 RB rbe2 RC2 RL

~ β1 ib1 β 2 ib2
Uvaøo

Mạch điện tương đương

Nếu chọn RB >> rbe2 và RC2 >> RL, ta có mạch điện tương đương sau:

ib1 ic1 ic2

rbe1 rbe2 RL
~ β1 ib1 β 2 ib2
Uvaøo

Gọi K1 là hệ số khuếch đại của T1 và K2 là hệ số khuếch đại của T2:

i .r r
K1 = C1 be 2 = β1 be 2
ib1.rbe1 rbe1
i .R R
K2 = C 2 L = β2 L
ib 2 .rbe 2 rbe 2
vậy: Ġ
R
K = β1.β 2 L
rbe1

Với : Ġ ta có: Ġ
* ĐẶC TUYẾN TẦN SỐ CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI :
Hình vẽ dưới đây là đặc tuyến tần số của một mạch khuếch đại âm tần ghép RC. Chúng ta
thấy, đối với miền tần số trung bình đặc tuyến nằm ngang, nghĩa là hệ số khuếch đại không
phụ thuộc vào tần số. Còn đối với các miền tần số thấp và cao, ta thấy hệ số khuếch đại giảm
rõ rệt, điều này do ảnh hưởng của dung kháng của các tụ điện liên lạc, chúng phụ thuộc vào
1
tần số Z C = .
Cω
Định nghĩa giải thông :
Giải thông của mạch khuếch đại : Là giải tần số mạch khuếch đại được [f1, f2], xác định bởi
các tần số f1, f2 có hệ số khuếch đại bằngĠ.
K
KM

KM
2

f1 f2 f
Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại K = g(f) hay K = g(logf).
3. Mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 tầng ghép trực tiếp.
Ta có thể ghép trực tiếp các tầng khuếch đại với nhau mà không dùng các tụ điện liên lạc.
Mạch điện như vậy, đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại rất bằng phẳng về phía tần số thấp
vì không có tụ điện liên lạc, đơn giản ít tốn kém. Tuy nhiên khi thiết kế, phải chú ý điện áp ra
của tầng trước là điện áp vào tầng sau để thoả mãn các điện áp tiếp tế, phân cực... cho các
transistor nên cân chỉnh khá phức tạp.
Sau đây là một mạch khuếch đại gồm 2 transistor ghép trực tiếp, cho giải thông rộng,
thường dùng để khuyếch đại các tín hiệu nhỏ:
+VCC
RC1 RC2
C2
C1
R
RL
Uvaøo RE2
RE1 CE1 CE2
-
Mạch khuếch đại liên lạc trực tiếp.
Trong sơ đồ trên, RC1 là tải, RE1 là điện trở bổ chính nhiệt cho transistor T1; RC2 là tải,
RE2 là điện trở bổ chính nhiệt cho transistor T2. Các tụ điện liên lạc C1, C2 và các tụ điện phân
dòng CE1, CE2. tải của mạch khuếch đại là RL. R là điện trở hồi tiếp âm, dùng để phân cực
cho transistor 1.
Các điện trở phân cực trong mạch phải tạo ra các điện áp như sau:
VB1 > VE1 ; VC1 > VB1 ; VC1 = VB2 ; VB2 > VE2 ; VC2 > VB2.
a- Tính trị số các linh kiện:
Chọn VCC = 9V.
V
VC1 = CC = khoaûng 2V
5 8
VB1 khoảng 0,9V.
Dòng qua transistor T1 : IC1 = 0,5mA (chọn dòng nhỏ để ít tạp âm).
Dòng qua transistor T2 : IC2 = 1mA (tín hiệu qua transistor T2 lớn hơn T1).
V −V 9−2 7
RC1 = CC C1 = = = 14 K Ω
I C1 0,5 0,5
VE1 = VB1 – 0,6 = 0,9 – 0,6 = 0,3V.
V V 0,3
RE1 = E1 = E1 = = 600Ω
I E1 I C1 0,5
 VCC − VC 2 9 − 4,5
RC 2 = = = 4,5 K Ω
IC 2 1
VE2 = VB2 – 0,6 = VC1 – 0,6 = 2 - 0,6 = 1,4V
V V 1, 4
RE 2 = E 2 = E 2 = = 1, 4 K Ω
IE2 IC 2 1
Còn điện trở R được tìm từ thực nghiệm : lấy một biến trở khoảng 100ŋ mắc vào vị trí của
R, điều chỉnh biến trở để có được các điện áp như thiết kế. Lấy biến trở R ra ngoài, đo bằng
Ohm-kế sau đó thay bằng một điện trở có trị số tương tự.
b- Tính hệ số khuếch đại:
Đối với tín hiệu, các tụ điện C1, C2, CE1 và CE2 coi như bị nối tắt (doĠ nhỏ).
Ta có mạch điện tương đương như sau :
ib1 ic1 ib2 ic2

R rbe1 RC1 rbe2 RC2 RL

~ β1 ib1 β 2 ib2
Uvaøo

Chọn R >> rbe1 nên R // rbe1 gần bằng rbe1.

RC1 >> rbe2 nên R // rbe2 gần bằng rbe2.

RC2 > RL nên RC2 // RL gần bằng RL.
Ta có hệ số khuếch đại K = K1.K2
i .r r
K1 = C1 be 2 = β1 be 2
ib1.rbe1 rbe1
i .R R
K2 = C 2 L = β2 L
ib 2 .rbe 2 rbe 2
vậy: Ġ
RL
K = β1.β 2
rbe1

4. Tầng khuếch đại cảm kháng.

Tầng khuếch đại điện áp âm tần ghép RC có ưu điểm gọn, nhẹ, đặc tuyến tần số tốt. Nhược
điểm của loại mạch này là khó phối hợp trở kháng và hiệu suất thấp vì luôn luôn có độ sụt áp
một chiều qua tải. Để tăng hiệu suất cho tầng khuếch đại ta có thể dùng mạch khuếch đaị với
taỉ cảm kháng.
Cuộn cảm có điện trở thuần nhỏ nên sụt áp một chiều qua nó nhỏ, nhưng đối với dòng
biến thiên cảm kháng cuả nó khá lớn nên ta thu một điện áp đủ lớn bảo đảm cho tầng khuếch
đại có hệ số khuếch đại cao. Tuy nhiên cảm kháng của cuộn dây phụ thuộc vào tần số, nên hệ
số khuếch đại cuả mạch cũng phụ thuộc vào tần số (tăng theo tần số).
Ngoài ra trong cuộn cảm còn có điện dung ký sinh, LC trở thành khung dao động đưa đến
hiện tượng cộng hưởng làm cho sự khuếch đại có tính lọc lựa. Vì vập tầng khuếch đại cảm
kháng ít được dùng trong thực tế.
+VCC
RB1 LC RB2

C1
CB

Uvaøo

-
 5. Tầng khuếch đại ghép biến áp.
Hệ số k cuả biến áp được chọn để làm phù hợp trở kháng gữa tầng khuếch đại và mạch ra
phía sau nó.
Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại ghép biến áp được vẽ từ thực nghiệm có dạng như
hình vẽ dưới đây. Vùng tần số thấp hệ số khuếch đại bị giảm và vùng tần số cao hệ số khuếch
đại được nâng cao do đặc tính cuả cảm ứng điện từ trong biến áp. Nên tầng khuếch đại này
còn được dùng trong mạch khuếch đại cao tần.
Mạch khuếch đại ghép biến áp có những ưu điểm sau:
* Dễ dàng thực hiện việc phối hợp trở kháng giữa tầng khuếch đại trước và sau.
* Dễ dàng thực hiện mạch ra đối xứng (như tầng đảo pha trong mạch khuếch đại công suất
Push-pull).
* Sụt áp một chiều trên cuộn sơ cấp cuả máy biến áp nhỏ, nên hiệu suất cuả mạch khuếch
đại tăng (nhất là khi khuếch đại với biên độ tín hiệu lớn).
Tuy nhiên mạch khuếch đại ghép biến áp này có những nhược điểm:
- Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại xấu hơn so với tầng ghép RC.
- Kích thước, trọng lượng lớn, kết cấu phức tạp và giá thành cao.

+VCC
RB1 T
C2
C1
C
RL
Uvaøo
RE CE

Mạch khuếch đại ghép biến áp

III- KHUẾCH ĐẠI CAO TẦN.
Nếu như trong các tầng khuếch đại âm tần ta cần những mạch khuếch đại có hệ số khuếch
đại đều đặn trong một giải tần rộng, thì trong tầng khuếch đại cao tần ta lại yêu cầu có hệ số
khuếch đại lớn trong một gải tần tương đối hẹp. Vì thế ta goị tầng khuếch đại này là tầng
khuếch đại giải hẹp, nó có tính chọn lọc.
Tầng khuếch đại cao tần thường sử dụng rộng rãi trong các máy thu, máy phát vô tuyến
điện... dùng để khuếch đại những dao động điện có tần số của đài muốn thu hoặc muốn phát
và triệt đi những dao động điện có tần số khác.
Tầng khuếch đại này thường là khuếch đại cộng hưởng cuả khung dao động, tải cuả tầng
khuếch đại là một khung dao động. Nếu chỉ có một khung dao động, ta có mạch khuếch đại
cộng hưởng đơn hoặc có khung dao động kép, ta có mạch khuếch đại cộng hưởng kép.
1. Tầng khuếch đại cộng hưởng.
Dưới đây là một tầng khuếch đại cộng hưởng dùng transistor mắc theo kiểu phát chung
(có thể mắc theo kiểu gốc chung).
+VCC
RB1 L C

C1 C2
N1
Uvaøo N NC
RE CE
N2
-
 Ta chú ý đến việc giữa ghép tầng giữa 2 tầng khuếch đại: transistor mắc theo kiểu Phát chung nên tổng
trở ra không lớn (cỡ vài chục ŋ), tổng trở vào tầng sau lại nhỏ (cỡ 1ŋ) cho nên để đỡ làm nhụt
mạch cộng hưởng và cũng để phối hợp trở kháng ta không thể nối thẳng đầu mạch dao động
vào cực Góp của transistor, cũng như không thể nối tầng (qua tụ điện C2) từ đầu mạch dao
động đến cực Gốc tầng sau, đầu ra (cực Góp) chỉ đấu vào một phần số vòng của cuộn dây
trong mạch cộng hưởng.
Tỉ số Ġ chỉ cỡ từ 0,2 ( 0,8 tùy loại transistor.
Do tổng trở vào của tầng sau nhỏ, nên tỉ số ghép Ġ chỉ
vào khoảng 0,05 ( 0,1. K
Nếu lấy p và n lớn hơn thì giải thông của đặc tuyến tần số
sẽ rộng ra, đồng thời hệ số K khuếch đại giảm (vì đường
M
cong cộng hưởng bè ra).
Ngoài ra để tăng hệ số khuếch đại của tầng và giữ giải
thông cần thiết, ta dùng các transistor coá hệ số khuếch đại
lớn, mạch cộng hưởng có hệ số phẩm chất cao (dùng cuộn
cảm có lỏi ferit, lỏi ferit làm tăng hệ số phẩm chất của
mạch dao động). f0 f
2. Tầng khuếch đại giải tần:
Tầng khuếch đại cao tần chỉ khuếch đại một giải tần hẹp, hệ số khuếch đại lớn nhất ứng
với tần số cộng hưởng của khung dao động, nghĩa là hệ số khuếch đại không đồng đều trong
giải tần mà nó khuếch đại. Tầng khuếch đại giải tần cho phép ta khuếch đại tương đối đồng
đều cả giải tần số hẹp. Tầng khuếch đại trung tần trong các máy thu thường dùng mạch
khuếch đại kiểu này.
Mạch khuếch đại giải tần dùng transistor mắc theo cực phát chung cũng phải lưu ý đến chổ
ghép tầng, phải phối hợp trở kháng giữa tầng trước và tầng sau. Để phối hợp trở kháng, khỏi
làm nhụt hệ số khuếch đại, đầu ra (cực Góp) của transistor T1 chỉ đấu vào một phần số vòng
của cuộn dây trong khung dao động sơ cấp (theo tỉ số p) và chỉ lấy một số vòng của cuộn dây
trong khung dao động thứ cấp (theo tỉ số n) đưa vào cực Gốc của transistor T2.

Tr2 K
Tr1
Uvaøo KM

R1 R2

-
+Vcc
f0 f

Mạch khuếch đại giải tần Đặc tuyến tần số

IV- KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT.

Tầng khuếch đại công suất là tầng cuối cùng của một mạch khuếch đại, nó cung cấp cho tải
một công suất lớn nhất. Khác với tầng khuếch đại điện áp, ở tầng khuếch đại điện áp tín hiệu
cần khuếch đại còn nhỏ, nhưng ở tầng khuếch đại công suất tín hiệu đã lớn nó trãi dài trên
đường thẳng tải (trong đặc tuyến của transistor) để khai thác hết công suất ra nhưng đồng thời
phải giảm thiểu méo do tầng khuếch đại gây ra (không vượt quá các giới hạn về điện áp, dòng
điện, công suất của transistor).
1. Tầng khuếch đại công suất đơn.
Trong tầng khuếch đại này, mạch khuếch đại ở chế độ A. Mạch khuếch đại dùng transistor
phải dùng kiểu Phát chung, vì kiểu này cho ta hệ số công suất ra lớn nhất. Vì mạch khuếch đại
ở chế độ A nên khi chưa có tín hiệu đến đã có dòng một chiều IC làm nóng transistor nên hiệu
suất kém.
Trường hợp tải của mạch khuếch đại gần bằng tổng trở ra của transistor, ta có thể mắc trực
tiếp tải vào mạch ra của transistor (ví dụ loa kim hay ống nghe điện thoại có thể mắc trực tiếp
vào mạch ra của tầng khuếch đại công suất âm tần).
Thông thường, trở kháng của tải khác xa tổng trở ra của transistor. Ví dụ tải là loa điện
động có trở kháng nhỏ mà mạch ra của transistor có trở kháng lớn nên phải dùng một biến áp
giảm áp (hệ số biến áp k > 1) để phối hợp trở kháng. Nếu trở kháng loa là Zt thì trở kháng của
sơ cấp là:
Z t' = k 2 Z t
Vì k > 1 nênĠ và điều kiện phối hợp trở kháng thực hiện được bằng cách chọn hệ số biến
áp thích hợp:
Z t'
k=
Zt

+VCC
R1

C1

Uvaøo
R2 RE1 CE1

-
Mạch khuếch đại công suất đơn

IC(m
ICmax
ICbh

IB=0
0 UCEbh UCE ECC UCE(V)

Khuếch đại hạng A

2. Tầng khuếch đại công suất đẩy kéo (push-pull).

Trong tần khuếch đại công suất đẩy kéo, người ta dùng 2 transistor giống nhau hoàn toàn,
có thể hoạt động ở chế độ A, B hay AB.
Ta thường gặp mạch khuếch đại công suất đẩy kéo hoạt động ở chế độ B dùng 2
transistor giống nhau, mỗi transistor hoạt động trong một nửa chu kỳ, muốn vậy phải có thêm
một mạch đảo pha phía trước làm nhiệm vụ tạo ra 2 tín hiệu có biên độ bằng nhau nhưng
ngược pha để cung cấp cho 2 transistor công suất.
Mạch khuếch đại theo chế độ B nên khi chưa có tín hiệu tới, 2 transistor công suất hoàn
toàn không hoạt động, chúng chỉ dẫn điện trong thời gian có tín hiệu tới. Vì vậy 2 transistor
công suất ít nóng, hiệu suất của mạch cao.

IC(mA)
IC max

IC bh

IB = 0

0 UCE bh UCEO ECC UCE (V)

Khueách ñaïi haïng B

Có nhiều loại mạch đảo pha, có thể dùng thêm một transistor mắc theo phát chung, trong
đó 2 tín hiệu lấy ra tại C và E ngược pha nhau.
Nhưng thường thấy nhất là dùng một biến thế đảo pha, sơ cấp có một cuôn dây và thứ cấp
gồm 2 cuộn dây có số vòng như nhau, chiều quấn dây thích hợp ta có 2 tín hiệu ra ngược pha
nhau để cấp cho 2 chân B của 2 transistor công suất.
R1 và R2 làm nhiệm vụ phân cực cho 2 transistor Tr1 và Tr2, RE là điện trở bổ chính nhiệt.
Hai transistor khuếch đại công suất lớn nên rất nóng, để ổn định công suất cho 2 transistor này,
người ta còn mắc song song với R2 một điện trở nhiệt Th (thermistor), điện trở của nó nghịch
biến với nhiệt độ. Th này được đặt gần 2 transistor để lấy nhiệt của nó. Khi nhiệt độ các
transistor tăng, Th nóng và điện trở giảm nên điện áp phân cực cho transistor giảm, transistor
bớt nóng...

R1 +VCC
T1 T2

R2 RE

Tầng khuếch đại công suất Push-pull

T1 là biến thế đảo pha, từ một nguồn tín hiệu vào nó tạo ra 2 nguồn tín hiệu ngược pha
nhau để cấp vào chân B của 2 transistor công suất.
 T2 là biến thế xuất âm, sơ cấp gồm 2 cuộn dây có số vòng bằng nhau, thứ cấp ít vòng để
phối hợp trở kháng với loa.
Giả sử nửa chu kỳ đầu, transistor trên nhận tín hiệu dương, dẫn điện thì transistor phía
dưới nhận tín hiệu âm, ngưng dẫn. Dòng điện từ nguồn VCC qua nửa trên của biến thế xuất
âm, CE của transistor trên và qua RE để về nguồn âm. Dòng điện qua biến thế xuất âm thay
đổi theo qui luật của tín hiệu vào nên cảm ứng qua cuộn thứ cấp để ra loa.
Nửa chu kỳ sau, transistor trên nhận tín hiệu âm, ngưng dẫn thì transistor phía dưới nhận
tín hiệu dương, dẫn điện. Dòng điện từ nguồn VCC qua nửa dưới của biến thế xuất âm, CE
của transistor dưới và qua RE để về nguồn âm. Dòng điện qua biến thế xuất âm này cũng
thay đổi theo qui luật của tín hiệu vào nên cảm ứng qua cuộn thứ cấp để ra loa.
Vậy trong một chu kỳ, 2 transistor công suất thay phiên nhau làm việc và nghỉ nên bớt
nóng, hiệu suất cao. Trên tải có dòng điện mạnh thay đổi theo qui luật của tín hiệu vào.
Ưu điểm của mạch khuếch đại push-pull là khuếch đại được tín hiệu rất mạnh, trên sơ
cấp của cuộn biến thế xuất âm không có dòng điện một chiều chạy qua nên nâng cao được
hiệu suất của mạch khuếch đại.
Nhược điểm chính của mạch này là 2 transistor công suất phải hoàn toàn giống nhau, nếu
không tín hiệu khuếch đại sẽ bị méo.
Trong mạch khuếch đại có biến thế làm giảm hệ số khuếch đại ở tần số thấp. Người ta
có thể dùng các mạch khuếch đại công suất theo kiểu OTL (Output transformerless) để bớt một
biến thế xuất âm (H. 1). Hoặc có thể dùng 2 transistor công suất bù (một transistor NPN và một
transistor PNP) để bỏ đi cả 2 biến thế (H. 2).

R1 +VCC
T Tr1 +VCC
Tr1
R2

Tr2
Tr2

Hình 1 Hình 2

V- MẠCH HỒI TIẾP.

Hồi tiếp (Feedback) là lấy một phần năng lượng đầu ra của mộ mạch khuếch đại đưa
ngược về ngã vào của nó. Có thể hồi tiếp trong một tầng hay nhiều tầng của mạch khuếch đại.
Phần năng lượng từ ngõ ra đưa lại ngõ vào có thể là điện áp hoặc dòng điện, vì vậy ta có hồi
tiếp điện áp, hồi tiếp dòng điện.
Ž
Uvaøo U’vaøo Ura

β
Lấy một phần điện áp ngõ ra đưa ngược ngõ vào với hệ số hồi tiếpĠ :
Gọi K’ là hệ số khuếch đại khi chưa có hồi tiếp:Ġ
Gọi K là hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp: Ġ
Ta có: U’vào = Uvào +ĠUra
1 1
Suy ra : = +β
K' K

K'
K =
1− β K '
 • NếuĠ < 0 : K < K’ : điện áp ra đưa ngược về ngõ vào ngược pha, ta có hồi tiếp âm.
Ưùng dụng làm mở rộng giải thông trong các mạch khuếch đại, tuy nhiên hệ số khuếch
đại của mạch bị giảm.
• NếuĠ > 0 : K > K’ : điện áp ra đưa ngược về ngõ vào đồng pha, ta có hồi tiếp dương.
Ứng dụng để làm tăng hệ số khuếch đại của mạch khuếch đại nhưng đồng thời làm
mạch khuếch đại kém ổn định.
• NếuĠK’ = 1 : K trở nên lớn vô cùng. Mạch khuếch đại trở thành mạch dao động.
Trong thực tế khi dùng hệ thống khuếch âm, nếu để micro và loa đối đầu nhau, tín hiễu ngã
ra ở loa trở về ngõ vào ở micro cùng pha, hiện tượng hồi tiếp dương xảy ra. Nếu hồi tiếp
dương quá lớn sẽ dẫn đến dao động tự kích và có tiếng hú lớn ở loa (hiệu ứng Larzen).
VI- MÁY TĂNG ÂM.
Máy tăng âm còn gọi là ampli (amplifier), dùng để khuếch đại âm thanh từ nguồn là một
micro hay đầu đọc máy ghi âm (cassette)... để phát ra loa.
Một máy tăng âm gồm một hay nhiều tầng khuếch đại điện áp và một tầng khuếch đại công
suất. Ngoài ra còn có các mạch hồi tiếp âm, mạch tăng giảm âm sắc (tone), mạch tăng giảm
âm lượng, tăng giảm tiếng trầm (bass), bổng (treble)...
Một mạch điện của máy tăng âm đơn giản như sau:

+12V

Micro

AUX IN

Mạch điện máy tăng âm

Tầng đầu tiên là mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 transistor ghép trực tiếp để đặc
tuyến tần số hệ số khuếch đại của mạch được bằng phẳng (hệ số khuếch đại đồng đều trong
giải tần).
Tầng kế đến có tải là biến thế đảo pha là một tầng khuếch đại công suất nhỏ kết hợp với tải
làm nhiệm vụ đảo pha, tạo ra 2 tín hiệu cùng biên độ nhưng ngược pha nhau để cấp cho tầng
khuếch đại công suất push-pull.
Tầng cuối cùng là mạch khuếch đại công suất push-pull.
Ta thấy điện áp nguồn cung cấp cho các tầng khuếch đại đầu được lọc rất kỹ qua các
mạch lọc RC để tránh hiện tượng hồi tiếp dương giữa các tầng với nhau gây dao động tự kích.
Micro: biến đổi dao động cơ thành dao động điện, tín hiệu âm thanh được tạo ra rất nhỏ
được đưa vào khuếch đại ngay tầng đầu tiên.
AUX IN là ngõ vào của những tín hiệu có biên độ khá lớn nên chỉ cần khuếch đại công suất.
Muốn tăng công suất cho máy tăng âm ta có thể mắc nối tiếp thêm một tầng khuếch đại
công suất nữa hoặc thay transistor công suất bằng 2 transistor khác được mắc theo kiểu
Darlington như sau:

≈ β = β1.β 2
β1
β2
Ta thấy: Ġ và Ġ
Mà IC1 = IB2, nên Ġ