Bai Giang KT SCT - 2021 - NVHung - Final

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG
KHOA VIỄN THÔNG I
BÀI GIẢNG
KỸ THUẬT SIÊU CAO TẦN

TEL 1345
(Phương pháp đào tạo theo tín chỉ)
Biên soạn
TS. Nguyễn Việt Hưng
Hà Nội, 12/2021
Mục lục – Danh mục
MỤC LỤC
MỤC LỤC ....................................................................................................................... i
DANH MỤC HÌNH ẢNH ............................................................................................. vi
DANH MỤC BẢNG ..................................................................................................... xi
KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT .................................................................................. xii
LỜI NÓI ĐẦU ................................................................................................................ 1
CHƯƠNG 1: LÝ THUYẾT CHUNG VỀ TRƯỜNG ĐIỆN TỪ VÀ MẠCH SIÊU
CAO TẦN....................................................................................................................... 3
1.1. GIỚI THIỆU CHƯƠNG ...................................................................................... 3
1.1.1. Mục đích ........................................................................................................ 3
1.1.2. Các chủ đề được trình bày ............................................................................. 3
1.2. CÁC ĐẠI LƯỢNG, THAM SỐ CƠ BẢN .......................................................... 3
1.2.1. Vectơ cường độ điện trường 𝑬 ...................................................................... 3
1.2.2. Vectơ điện cảm 𝑫 .......................................................................................... 3
1.2.3. Vectơ cường độ từ cảm 𝑩 .............................................................................. 4
1.2.4. Vectơ cường độ từ trường 𝑯 ......................................................................... 4
1.2.2. Các tham số đặc trưng cơ bản của môi trường .............................................. 5
1.3. PHƯƠNG TRÌNH MAXWELL .......................................................................... 6
1.3.1. Một số khái niệm ........................................................................................... 6
1.3.2. Hệ phương trình Maxwell .............................................................................. 7
1.4. NĂNG LƯỢNG TRƯỜNG ĐIỆN TỪ – ĐỊNH LÝ POYNTING ...................... 9
1.5. PHƯƠNG TRÌNH SÓNG PHẲNG ................................................................... 10
1.5.1. Phân loại kiểu sóng ...................................................................................... 10
1.5.2. Nghiệm phương trình sóng phẳng ............................................................... 11
1.6. ĐẶC ĐIỂM MẠCH SIÊU CAO TẦN .............................................................. 13
1.6.1. Đặc tính của các linh kiện thụ động trong điều kiện cao tần ....................... 19
1.6.2. Điện trở cao tần ............................................................................................ 20
1.6.3. Tụ điện cao tần ............................................................................................. 20
1.6.4. Cuộn cảm cao tần......................................................................................... 21
1.7. TỔNG KẾT CHƯƠNG...................................................................................... 22
1.8. CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................... 23
1.8.1. Câu hỏi lý thuyết .......................................................................................... 23
i
Lời nói đầu
1.8.2. Bài tập .......................................................................................................... 23

CHƯƠNG 2: MẠCH DẪN SÓNG SIÊU CAO TẦN ................................................. 25
2.1. GIỚI THIỆU CHƯƠNG .................................................................................... 25
2.1.1. Mục đích ...................................................................................................... 25
2.1.2. Các chủ đề được trình bày ........................................................................... 25
2.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG ................................................................................. 25
2.3. CÁC ĐỊNH LUẬT CƠ BẢN ............................................................................. 27
2.4. CÁC THAM SỐ CƠ BẢN ................................................................................. 29
2.4.1. Hệ số phản xạ điện áp .................................................................................. 29
2.4.2. Hằng số truyền lan và vận tốc pha ............................................................... 30
2.4.3. Tỷ số sóng đứng ........................................................................................... 31
2.5. TRỞ KHÁNG TRONG CÁC TRƯỜNG HỢP TẢI ĐẶC BIỆT ...................... 33
2.5.1. Trở kháng đầu vào của truyền dẫn không tổn hao....................................... 33
2.5.2. Truyền dẫn ngắn mạch................................................................................. 34
2.5.3. Đường truyền dẫn mạch hở ......................................................................... 35
2.5.4. Đường truyền phần tư sóng ......................................................................... 36
2.6. CÁC LOẠI MẠCH DẪN SÓNG ĐIỂN HÌNH ................................................. 37
2.6.1. Bản dẫn phẳng song song ............................................................................ 37
2.6.2. Dây dẫn sóng vi dải ..................................................................................... 38
2.6.3. Đường dẫn đồng trục ................................................................................... 41
2.6.4. Dây song hành ............................................................................................. 44
2.6.5. Ống dẫn sóng hình hộp chữ nhật ................................................................. 46
2.6.6. Ống dẫn sóng tròn ........................................................................................ 51
2.7. TỔNG KẾT CHƯƠNG...................................................................................... 56
2.8. CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................... 57
2.8.1. Câu hỏi ......................................................................................................... 57
2.8.2. Bài tập .......................................................................................................... 57
CHƯƠNG 3: ĐỒ THỊ SMITH VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG
...................................................................................................................................... 60
3.1.1. Mục đích ...................................................................................................... 60
ii
Lời nói đầu
3.2. XÂY DỰNG ĐỒ THỊ SMITH ......................................................................... 60

3.2.1. Hệ số phản xạ ở dạng Phasor ....................................................................... 60
3.2.2. Phương trình trở kháng chuẩn hóa............................................................... 61
3.2.3. Phương tình tham số hệ số phản xạ ............................................................. 61
3.2.4. Biểu diễn đồ thị ............................................................................................ 63
3.3. TÍNH TOÁN CÁC THAM SỐ DỰA TRÊN ĐỒ THỊ SMITH........................ 64
3.4. MẠCH CHUYỂN HOÁ TRỞ KHÁNG ........................................................... 65
3.4.1. Chuyển hóa mạch hở ................................................................................... 65
3.4.2. Chuyển hóa ngắn mạch ................................................................................ 65
3.5. ĐỘ DẪN NẠP Y VÀ ĐỒ THỊ Y-SMITH CHART ......................................... 67
3.5.1. Phương trình tham số dẫn nạp ..................................................................... 67
3.5.2. Biểu diễn đồ thị chuyển đổi ZY ................................................................... 68
3.6. CÁC LOẠI KẾT NỐI ....................................................................................... 69
3.6.1. Kết nối song song giữa thành phần R và L .................................................. 69
3.6.2. Mắc song song giữa thành phần R và C ...................................................... 69
3.6.3. Mắc nối tiếp thành phần R và L................................................................... 70
3.6.4. Mắc nối tiếp thành phần R và C .................................................................. 71
3.7. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG SỬ DỤNG CÁC PHẦN TỬ TẬP TRUNG, MẠNG
CHỮ L ....................................................................................................................... 71
3.8. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG SỬ DỤNG DÂY DẪN SÓNG RẼ NHÁNH ......... 74
3.8.1. Từ phần tử tập trung đến đường dẫn sóng ................................................... 74
3.8.2. Mạng phối hợp trở kháng một nhánh cụt..................................................... 75
3.9. TỔNG KẾT CHƯƠNG...................................................................................... 75
3.10. CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................. 76
3.10.1. Câu hỏi ....................................................................................................... 76
3.10.2. Bài tập ........................................................................................................ 76
CHƯƠNG 4: MẠNG NHIỀU CỬA SIÊU CAO TẦN ................................................ 80
4.1.1. Mục đích ...................................................................................................... 80
4.2. MA TRẬN Z, MA TRẬN Y, MA TRẬN ABCD VÀ MA TRẬN H ............... 80
4.3. MA TRẬN S ...................................................................................................... 82
iii
Lời nói đầu
4.3.1. Các định nghĩa tham số................................................................................ 82

4.3.2. Ý nghĩa của tham số S ................................................................................. 84
4.4. GHÉP NỐI CÁC MẠNG NHIỀU CỬA............................................................ 85
4.4.1. Mạng kết nối nối tiếp ................................................................................... 85
4.4.2. Mạng kết nối song song ............................................................................... 87
4.4.3. Mạng xếp tầng ............................................................................................. 88
4.5. TỔNG KẾT CHƯƠNG...................................................................................... 89
4.6. CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................... 89
CHƯƠNG 5: CÁC MẠCH SIÊU CAO TẦN THỤ ĐỘNG ........................................ 90
5.1.1. Mục đích ...................................................................................................... 90
5.2. MẠCH DAO DỘNG.......................................................................................... 90
5.2.1. Mạch dao động RLC nối tiếp và song song ................................................. 90
5.2.2 Mạch dao động dây dẫn sóng ....................................................................... 95
5.3. MẠCH LỌC SIÊU CAO TẦN .......................................................................... 98
5.3.1. Các mạch lọc cơ bản .................................................................................... 98
5.3.2. Thiết kế mạch lọc siêu cao tần ................................................................... 112
5.3.3. Mạch lọc siêu cao tần sử dụng mạch vi dải ............................................... 122
5.4. MẠCH CHIA CÔNG SUẤT ........................................................................... 124
5.4.1. Mạch chữ T ................................................................................................ 124
5.4.2. Mạch Wilkinson ......................................................................................... 127
5.4.3. Mạch vòng cầu phương 90o ....................................................................... 131
5.4.4. Mạch vòng 180o ......................................................................................... 134
5.5. MẠCH GHÉP ĐỊNH HƯỚNG VÀ CÁCH LY .............................................. 141
5.5.1. Giới thiệu ................................................................................................... 141
5.5.2. Định nghĩa.................................................................................................. 141
5.5.3. Phản ứng của vật liệu sắt sắt từ.................................................................. 142
5.5.4. Tương quan của các tham số đối với mạch định hướng 3 cổng ................ 145
5.5.5. Định hướng ba cổng có suy hao ................................................................ 147
5.6. TỔNG KẾT CHƯƠNG.................................................................................... 148
5.7. CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................. 149
iv
Lời nói đầu
5.7.1. Câu hỏi ....................................................................................................... 149

5.7.2. Bài tập ........................................................................................................ 149
CHƯƠNG 6: CÁC MẠCH SIÊU CAO TẦN TÍCH CỰC ........................................ 151
6.1. GIỚI THIỆU CHƯƠNG .................................................................................. 151
6.1.1. Mục đích .................................................................................................... 151
6.1.2. Các chủ đề được trình bày ......................................................................... 151
6.2. MẠCH KHUẾCH ĐẠI SIÊU CAO TẦN ....................................................... 151
6.2.1. Bộ khuếch đại ............................................................................................ 151
6.2.2. Công suất của bộ khuếch đại ..................................................................... 153
6.2.3. Độ ổn định của bộ khuếch đại ................................................................... 155
6.3. MẠCH TẠO DAO ĐỘNG SIÊU CAO TẦN .................................................. 159
6.3.1. Bộ tạo dao động nội ................................................................................... 159
6.3.2. Mô hình bộ dao động hồi tiếp và nguồn của tín hiệu ................................ 160
6.3.3. Bộ dao động tần số cao .............................................................................. 162
6.4. MẠCH TRỘN SIÊU CAO TẦN ..................................................................... 163
6.4.1. Nguồn gốc của bộ trộn và đầu thu Heterodyne ......................................... 163
6.4.2. Các tham số quan trọng của bộ trộn RF .................................................... 165
6.4.3. Mạch trộn đơn giản .................................................................................... 165
6.4.4. Bộ trộn cân bằng đơn ................................................................................. 166
6.4.5. Mạch trộn cân bằng kép ............................................................................. 167
6.5. TỔNG KẾT CHƯƠNG.................................................................................... 167
DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO ................................................................... 169
v
Lời nói đầu
DANH MỤC HÌNH ẢNH

Hình 1.1: Lực từ trường tác động lên điện tích chuyển động. ....................................... 4
Hình 1.2: Thông lượng của Π qua mặt kín S ................................................................ 10
Hình 1.3: Dạng sóng điện từ phẳng trong điện môi lý tưởng ....................................... 13
Hình 1.4: Sơ đồ khối của hệ thống RF ......................................................................... 13
Hình 1.5: Sơ đồ khối đơn giản của bộ khuếch đại công suất tầng đầu 2 GHz cho điện
thoại di động ................................................................................................................. 14
Hình 1.6: Mạch in khuếch đại công suất siêu cao tần .................................................. 15
Hình 1.7: Điện thế biểu diễn theo thời gian và không gian .......................................... 16
Hình 1.8: Phép đo biên độ của tín hiệu điện áp 10 GHz ở đầu (vị trí A) và điểm bất kì
giữa dây nối tải với nguồn ............................................................................................ 17
Hình 1.9: Phân chia đường dây thành các đoạn nhỏ có độ dài Az nhằm áp dụng định
luật Kirchoff ................................................................................................................. 18
Hình 1.10: Biến thiên của hiệu ứng bề mặt với các vật liệu đồng (Cu = 64,516.106),
nhôm (Al = 40.106) và vàng (Au = 48,544.106) ......................................................... 20
Hình 1.11: Điện trở với chân cắm và mạch tương đương tại tần số cao. ..................... 20
Hình 1.12: Mạch tương đương của tụ điện cao tần. ..................................................... 21
Hình 1.13: Điện dung phân tán và điện trở nối tiếp trong cuộn cảm. .......................... 22
Hình 1.14: Mạch tương đương của cuộn cảm cao tần. ................................................. 22
Hình 2.1: Phân mảnh các đoạn đường truyền thành các đoạn nhỏ có độ dài bằng nhau
nhẳm thuận tiện cho việc phân tích tham số................................................................ 26
Hình 2.2: Phân mảnh cáp đồng trục thành các đoạn nhỏ có độ dài bằng nhau để thuận
tiện trong việc phân tích tham số .................................................................................. 26
Hình 2.3: Mô hình mạch tương đương ......................................................................... 27
Hình 2.4: Định luật Ampe liên kết dòng điện với từ trường ........................................ 29
Hình 2.5: Đường truyền dẫn đầu cuối tại vị trí z = 0 ................................................... 29
Hình 2.6: Đường truyền ngắn mạch và tọa độ mới ...................................................... 31
Hình 2.7: Sóng đứng tại các khoảng thời gian khác nhau ............................................ 32
Hình 2.8: SWR là một hàm của hệ số phản xạ ............................................................. 33
Hình 2.9: Điện thế, dòng điện và điện kháng là một hàm của chiều dai đối với đầu
cuối ngắn mạch ............................................................................................................. 35
Hình 2.10: Điện thế, dòng điện và trở kháng là hàm của chiều dài đối với mạch hở . 36
Hình 2.11: Trở kháng đầu vào khớp với trở kháng tải ................................................. 37
Hình 2.12: Đường dẫn sóng tấm phẳng song song....................................................... 37
Hình 2.13: Đường truyền microstrip ............................................................................ 38
Hình 2.14: Trở kháng đặc tính và hiệu năng của đường microstrip ............................. 40
Hình 2.15: Đường truyền cáp đồng trục ....................................................................... 42
Hình 2.16: Hệ số suy giảm với tần số........................................................................... 44
Hình 2.17: Dây song hành ............................................................................................ 44
vi
Lời nói đầu
Hình 2.18: Tham số kích thước của ống dẫn sóng hình hộp chữ nhật ......................... 46
Hình 2.19: Tham số kích thước của ống dẫn sóng hình tròn ....................................... 51
Hình 2.20: Hàm Bessel loại 1 ....................................................................................... 56
Hình 2.21: Hàm Bessel loại 2 ....................................................................................... 56
Hình 3.1: Biểu diễn tham số của điện trở chuẩn hóa r trong mặt phẳng phức (r là
hằng số)mặt phẳng 𝛤𝑖 𝛤 ............................................................................................. 62
Hình 3.2: Tham số đại diện của điện trở chuẩn hóa trong mặt phẳng phức (với x là
hằng số)......................................................................................................................... 63
Hình 3.3: Đồ thị Smith được biểu diễn bởi các vòng tròn kết hợp r và x cho |𝛤|≤1 ... 64
Hình 3.4: Tạo trở kháng và điện dung cảm ứng thông qua đường truyền ngắn mạch . 66
Hình 3.5: Biễu diễn lại đồ thị Z-Smith như đồ thị Y-Smith ......................................... 68
Hình 3.6: Đồ thị ZY-Smith ........................................................................................... 68
Hình 3.7: Đáp ứng dẫn nạp của mạch song song 𝑅𝐿cho 𝜔𝐿 ≤ 𝜔 ≤ 𝜔𝑈 tại các điểm g
= 0,3 g = 0,5 g = 0.7 và g = 1 ....................................................................................... 69
Hình 3.8: Đáp ứng dẫn nạp của mạch song song RC cho ωL≤ ω ≤ ωU tại các điểm g
= 0,3 g = 0,5 g = 0.7 và g = 1 ....................................................................................... 70
Hình 3.9: Đáp ứng dẫn nạp của mạch nối tiếp RL cho ωL≤ω≤ωU tại các điểm g = 0,3
g = 0,5 g = 0.7 và g = 1 ................................................................................................. 70
Hình 3.10: Đáp ứng dẫn nạp của mạch nối tiếp RC cho ωL≤ω≤ωU tại các điểm g = 0,3
g = 0,5 g = 0.7 và g = 1 ................................................................................................. 71
Hình 4.1: Điện thế và dòng điện cho một và mạng nhiều cổng ................................... 80
Hình 4.2: Quy ước sử dụng để định nghĩa tham số S cho mạng hai cổng ................... 83
Hình 4.3: Đo lường S11 và S21 tại cổng 2 thông qua ZL=Z0 ....................................... 84
Hình 4.4: Đo lường S22 và S12 tại cổng 1 thông qua trở kháng đầu vào ZG= Z0 .......... 85
Hình 4.5: Kết nối nối tiếp của mạng hai cổng .............................................................. 86
Hình 4.6: a) Ngắn mạch trong mạng kết nối nối tiếp b) Dạng chuyển đổi để tránh
ngắn mạch ..................................................................................................................... 86
Hình 4.7: Kết nối mạng hai cổng phù hợp ................................................................... 87
Hình 4.8: Kết nối nối tiếp của mạng two hybrid .......................................................... 87
Hình 4. 9: Kết nối song song của mạng hai cổng ......................................................... 88
Hình 4.10: Mạng xếp tầng ............................................................................................ 88
Hình 5.1:Mạch RLC nối tiếp và đầu vào trở kháng với tần số..................................... 90
Hình 5.2: a) Mạch RLC song song và b) Đầu vào trở kháng với tần số ...................... 93
Hình 5.3: Mạch RLC kết nối với tải bên ngoài ............................................................ 95
Hình 5.4: Chiều dài ngắn mạch của đường truyền bị suy hao và sự phân bổ điện áp
với n = 1 và n = 2 .......................................................................................................... 96
Hình 5.5: Các dạng mạch lọc cơ bản ............................................................................ 99
vii
Lời nói đầu
Hình 5.6: Suy giảm thực tế cho ba loại bộ lọc thông thấp ........................................... 99
Hình 5.7: Hệ số suy hao của bộ lọc băng dải ............................................................. 100
Hình 5.8: Bộ lọc như mạng hai cổng kết nối với nguồn RF và tải ............................. 101
Hình 5.9: Bộ lọc thông thấp kết nối giữa tải và nguồn............................................... 102
Hình 5.10: Mạng ABCD xếp tầng .............................................................................. 102
Hình 5.11: Hệ số suy hao của bộ lọc thông thấp với các giá trị điện trở tải khác nhau
.................................................................................................................................... 104
Hình 5.12: Đáp ứng pha của bộ lọc thông thấp với các giá trị điện trở tải khác nhau
.................................................................................................................................... 104
Hình 5.13: Hình a) Bộ lọc thông thấp với trở kháng tải và hình b) mạng và điện thế
đầu vào/đầu ra ............................................................................................................. 105
Hình 5.14: Hệ số suy hao của bộ lọc với các trở kháng tải khác nhau ....................... 106
Hình 5.15: Đáp ứng pha của bộ lọc với các giá trị trở kháng tải khác nhau .............. 106
Hình 5.16: Bộ lọc thông dải với cấu hình mắc nối tiếp .............................................. 107
Hình 5.17: Hàm truyền ............................................................................................... 108
Hình 5.18: Pha của hàm truyền .................................................................................. 108
Hình 5.19: Mạch sử dụng cho việc định nghĩa hệ số phẩm chất có tải và không tải . 109
Hình 5.20: Nhiễu đan xen ........................................................................................... 111
Hình 5.21: Bộ lọc Butterworth ................................................................................... 112
Hình 5.22: Hai dạng tương đương của bộ lọc với thành phần được chuẩn hóa ......... 113
Hình 5.23: Sự suy hao của bộ lọc thông thấp với tần số chuẩn hóa ........................... 114
Hình 5.24: Tần số phụ thuộc vào hệ số suy hao và nhiễu đan xen của bộ lọc thông
thấp Chebyshev........................................................................................................... 115
Hình 5.25: Đáp ứng suy hao cho bộ lọc Chebyshev 3dB ........................................... 116
Hình 5.26: Đáp ứng suy hao cho bộ lọc Chebyshev 0,5 dB ....................................... 116
Hình 5.27: Bộ lọc thông thấp bậc 4 với 3 dB ripple trong dải băng thông ................ 117
Hình 5.28: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn vào bộ lọc thông thấp thực tế, với
tần số cắt là 1Ghz........................................................................................................ 117
Hình 5.29: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn vào bộ lọc thông cao với tần số
cắt là 1GHz ................................................................................................................. 118
Hình 5.30: Ánh xạ tần số tiêu chuẩn vào tần số thực với tần số cắt thấp là 1 và tần số
cắt cao là 3 .................................................................................................................. 119
Hình 5.31: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn thành thông dải với tới tần số thấp
cắt bằng 0,7 và tần số cắt cao bằng 1,3 và tần số trung tâm là 1 GHz ....................... 120
Hình 5.32: Sự chuyển đổi của bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn vào băng dừng với tần số
trung tâm là 1 GHz. Tần số cắt thấp là 0,7 GHz và tần số cắt cao là 1,3 GHz .......... 121
Hình 5.33: Các loại bộ chia chữ T khác nhau: a) Ống dẫn sóng chữ T E-plane b) Ống
dẫn song chữ T H-plane c) Bộ chia chữ T đường vi dải ............................................ 124
Hình 5.34: Bộ chia chữ T không suy hao của đường truyền lý tưởng ....................... 125
Hình 5.35: Bộ chia đều điện trở ba cổng cổng 1 ........................................................ 126
Hình 5.36: mạch chia công suất Wilkson a) mạch chia công suất dạng microtrip line b)
mạch chia công suất dạng tương đương ..................................................................... 127
viii
Lời nói đầu
Hình 5.37: Mạch chia công suất Wilkinson dạng đối xứng và dạng chuẩn hóa ........ 128
Hình 5.38: Sự phân chia của hình 7.5 a) Chế độ chẵn b) Chế độ lẻ........................... 128
Hình 5.39: Phân tích mạch chia Wilkinson để tìm S11 a) Bộ chia Wilkinson b) Sự
phân tách mạch của hình a) ........................................................................................ 130
Hình 5.40: Mạch chia công suất Wilkinson dạng microstrip có công suất chia không
đều............................................................................................................................... 131
Hình 5.41: Mạch chia đều công suất Wilkinson, có N đường ................................... 131
Hình 5.42: Dạng hình học của bộ ghép ...................................................................... 132
Hình 5.43: a) Chế độ chẵn b) Chế độ lẻ ........................................................... 133
Hình 5.44: Mô hình cho mạch vòng 180 .................................................................... 134
Hình 5.45: Ba dạng khác nhau của mạch vòng .......................................................... 135
Hình 5.46: Chế độ chẵn lẻ của mạch vòng khi cổng 1 được kích thích bởi một sóng
tới, hình a) chế độ chẵn hình b) chế độ lẻ................................................................... 135
Hình 5 .47: Khi có sóng tới cổng 4 và mạch ở chế độ a) Chế độ chẵn b) Chế độ lẻ . 137
Hình 5.48: hình a) Sơ đồ của mạch Tapered Counpled Line Hybrid và hình b) Sự biến
đổi của trở kháng đặc trưng ........................................................................................ 137
Hình 5.49: Tapered coupled line hybrid, hình a) Chế độ chẵn, hình b) Chế độ lẻ..... 138
Hình 5.50: Mạch tương đương hình a) chế độ chẵn, hình b) Chế độ lẻ ..................... 139
Hình 5.51: Đường điện trường tại điểm giao cắt a) Sóng đi vào từ cổng 1 và b) Sóng
đi vào từ công 4 .......................................................................................................... 141
Hình 5.52: Năng lượng trong định hướng ba cổng (a) và năng lượng trong định hướng
bốn cổng (b) ................................................................................................................ 142
Hình 5.53: Luồng năng lượng trong mạch cách ly ..................................................... 142
Hình 5.54: Kí hiệu cho mạch định hướng 3 công(hình a), 4 cổng (hình b), mạch cách
ly (hình c) .................................................................................................................... 142
Hình 5.55: Miền Weiss ............................................................................................... 143
Hình 5.56: Sự chuyển động quay của electron : ........................................................ 143
Hình 5.57: Trường từ tĩnh........................................................................................... 144
Hình 5.58: Trường từ tĩnh của H ................................................................................ 145
Hình 5.59: Phân loại mạch cách ly và mạch định hướng ........................................... 145
Hình 5.60: Sóng đầu ra và đầu vào............................................................................. 146
Hình 5.61: Vùng cho phép .......................................................................................... 147
Hình 5.62: Các kết hợp cho phép đối với bộ ghép định hướng ba cổng đối xứng có suy
hao với VSWR thấp và cách ly cao ............................................................................ 148
Hình 5.63: Mạch trộn cân bằng kép ........................................................................... 167
Hình 6.1: a) Bộ khuếch đại một tầng đơn giản với đầu vào và đầu ra của mạng kết
hợp, đầu vào và đầu ra tín hiệu của mỗi khối trong quá trình phản xạ. b) Chi tiết bộ
khuếch đại một tầng. c) Khối luồng tín hiệu .............................................................. 152
Hình 6.2: Vòng tròn đầu ra ổn đinh với miền ổn định và miền bất ổn định .............. 157
Hình 6.3: Vòng tròn đầu ra ổn định với miền ổn định và miền bất ổn định .............. 157
ix
Lời nói đầu
Hình 6.4: Ổn định vô điều kiện trong mặt phẳng TS và 𝛤out .................................... 158
Hình6.5: Ổn định cổng đầu vào bằng cách lắp thêm tải a) tải mắc nối tiếp b) Shunt 159
Hình 6.6: Ổn định cổng đầu ra bằng cách lắp thêm tải a) tải mắc nối tiếp b) Shunt.. 159
Hình 6.7: Hệ thống dao động nội hồi tiếp đơn giản của bộ khuếch đại ..................... 161
Hình 6.8: Loại Pye, T-type và độ cảm ứng của hồi tiếp ............................................. 161
Hình 6.9: Độ lợi và điện thế thay đổi theo thời gian, vòng lặp độ lợi với tần số ....... 162
Hình 6.10: Bộ dao động trở kháng âm với bộ cộng hưởng hoạt động như nguồn ..... 162
Hình 6.11: Bộ dao động BJT thông thường ............................................................... 163
Hình 6.12: Bộ dò Heterodyne tại tần số RF ............................................................... 164
Hình 6.13: Mạch trộn cân bằng kép sử dụng 4 diode vòng và bộ chuyển đổi ........... 165
Hình 6.14: Mạch trộn single end ................................................................................ 166
Hình 6.15: Mạch trộn BJT .......................................................................................... 166
Hình 6.16: Bộ trộn cân bằng đơn sử dụng bộ ghép lai ghép ...................................... 167
x
Lời nói đầu
DANH MỤC BẢNG

Bảng 2.1: Bảng số hạng của 𝐽𝑣′𝑥 ................................................................................. 54
Bảng 2.2: Bảng số hạng của 𝐽𝑣(𝑥) ............................................................................... 55
Bảng 5.1: Bảng các tham số trong mạch .................................................................... 108

Bảng 5.2: Bảng các giá trị của g ................................................................................. 113
Bảng 5.3: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp với các bộ lọc khác .................................... 121
Bảng 5.4: Bảng biểu diễn tương đương ...................................................................... 123
xi
Lời nói đầu
KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
 Antenuation constant Hằng số suy hao
 Phase constant Hằng số pha
 Propagation coefficient Hằng số truyền sóng
ε Permittivity Hệ số điện môi
 Permeability Hệ số từ thẩm
λ Wave length Bước sóng
 Conductivity Độ dẫn điện
k Wave number Hằng số sóng
c Light velocity Vận tốc ánh sáng
 Skin depth Độ sâu dưới bề mặt
ρ Charge density Mật độ điện tích
vp Phase velocity Vận tốc góc
 Angular velocity Vận tốc góc
AC Alternating current Dòng xoay chiều
ADC Analog Digital converter Bộ chuyển đổi tương tự - số
AM Amplitude Modulation Điều biên
BW Band width Băng tần
DAC Digital Analog converter Bộ chuyển đổi số - tương tự
DC Direct current Dòng một chiều
xii
Lời nói đầu
FM Frequency Modulation Điều tần
G Gain Độ lợi công suất
IC Intergrated circuit Mạch tích hợp
IF Intermediate Frequency Trung tần
LNA Low Noise Amplifier Khuếch đại tạp âm thấp
LO Local Oscilator Bộ dao động nội
MW Microwave Vi sóng
PA Power amplifier Khuếch đại công suất
PCB Printed Circuit Board Mạch in
Q Quality factor Hệ số phẩm chất
RF Radio frequency Tần số cao
TE Transverse Electric mode Chế độ điện ngang
Transverse Electromagnetic
TEM Chế độ điện từ ngang
mode
TM Transverse Magnetic mod Chế độ từ ngang
xiii
Lời nói đầu
LỜI NÓI ĐẦU

Khởi nguồn của thiết kế mạch điện có thể được bắt đầu từ cuối thế kỷ 18 và đầu thế
kỷ 19 khi những nguồn pin trở nên phổ biến hơn. Được đặt dựa theo tên của người phát
mình A. Volta (1745-1827), các Voltatic cell cho phép cung cấp nguồn năng lượng một
chiều (DC) tới các hệ thống mạch điện đầu tiên. Tuy nhiên, các nguồn điện xoay chiều
với tần số thấp (AC) đã cho thấy một điều rõ ràng là khả năng vận chuyển điện năng
của chúng hiệu quả hơn đồng thời tổn hao khi được truyền qua một khoảng cách nhất
định cũng giảm xuống. Bên cạnh đó nó còn có thể định tuyến (rerouting) lại nguồn năng
lượng điện năng có thể được thực hiện thông qua các máy biến áp dựa theo định luật
cảm ứng điện từ Faraday. Nhờ có các công trình tiên phong của những kĩ sư như Charles
Steinmetz, Thomas Edition, Werner Siemens và Nikolas Tesla mà ngành công nghiệp
sản xuất và phân phối điện đã nhanh chóng đi sâu vào cuộc sống hàng ngày. James
Maxwell (1831-1879), trong một bài báo lần đầu tiên được đọc tại Hiệp hội Hoàng Gia
Anh ở London vào năm 1864 đã công nhận khả năng kết hợp giữa điện trường và từ
trường sẽ hình thành sự truyền sóng. Vào năm 1887, Heinric Hert đã chứng minh bằng
thực nghiệm sự bức xạ và khả năng tiếp nhận năng lượng điện từ thông qua không khí.
Phát hiện này là dự đoán trước về sự mở rộng của lĩnh vực truyền thông không dây, từ
thu phát vô tuyến và truyền hình vào những năm 1920 đến 1930 cho đến điện thọai di
động và và hệ thống định vị toàn cầu (GPS) trong những năm 1980 đến 1990. Tuy
nhiên, việc phát triển cũng như thiết kế các hệ thống mạch tần số cao phù hợp với các
ứng dụng truyền thông không dây ngày nay lại không đơn giản như vậy. Các quy luật
cổ điển Kirchhhoff về dòng và điện áp chỉ được áp dụng cho các hệ thống DC và tần số
thấp như mạch bao gồm điện trở, cuộc cảm và tụ điện. Điều này sẽ không còn chính xác
đối với các mạch truyền sóng siêu cao tần.
Mục đích chính của bài giảng này là cung cấp cho người đọc các khía cạnh lý thuyết
và thực tế của thiết kế mạch tương tự khi tần số hoat động mở rộng lên đến dải tần vô
tuyến và viba. Ở dải tần này các nguyên tắc phân tích mạch thông thường sẽ không còn
chính xác. Các câu hỏi phát sinh:
 Tần số cao đến giá trị bằng bao nhiêu để các quy luật phân tích không còn
đúng nữa?
 Các đặc tính nào ở tần số cao của thành phần dòng điện làm chúng khác với
các thành phần tần số thấp?
 Các lý thuyết và quy luật mới nào có thể được áp dụng?
 Bằng cách nào có thể áp dụng lý thuyết này vào việc thiết kế mạch tương tự
tại tần số cao?
1
Lời nói đầu
Bài giảng này sẽ cung cấp câu trả lời một cách toàn diện cho những câu hỏi đã nêu
bằng cách triển khai lý thuyết đồng thời đưa ra các ví dụ và các thiết kế thực tế của các
phần tử mạch siêu cao tần.
Nội dung môn học được thiết kế nhằm trang bị cho sinh viên ngành điện tử truyền
thông:
- Về kiến thức: Trang bị cho sinh viên các kiến thức cơ bản về trường điện từ và
các phần tử cơ bản của mạch siêu cao tần, làm cơ sở cho các môn học chuyên ngành
như truyền sóng anten, kỹ thuật thông tin vô tuyến, thông tin di động, các mạng thông
tin vô tuyến, thu phát vô tuyến.
- Kỹ năng: Sinh viên khi hoàn thành môn học sẽ có kỹ năng: Phân tích, tính toán
các biểu thức truyền sóng; tính toán tham số các phần tử cơ bản của mạch siêu cao tần,
tính toán phối hợp trở kháng khi ghép nối giữa các phần tử trong mạch siêu cao tần. Sử
dụng phần mềm mô phỏng để thiết kế và tính toán đáp ứng tần số của các phần tử cơ
bản của mạch siêu cao tần.
Với cấu trúc gồm 7 chương, nội dung môn học được thiết kế để cung cấp các kiến
thức, khái niệm cơ bản về trường điện từ, mạch siêu cao tần và các công cụ phục vụ
tính toán, thiết kế các phần tử mạch siêu cao tần. Trên cơ sở đó, sinh viên áp dụng các
kiến thức này để tìm hiểu, phân tích nguyên lý hoạt động của các phần tử điển hình của
mạch siêu cao tần như mạch phối hợp trở kháng, mạch lọc, mạch ghép định hướng,
mạch trộn, mạch khuếch đại công suất…
Để học tốt học phần này, sinh viên phải có kiến thức cơ bản về vật lý trường điện từ
và kỹ năng tính toán các phương trình vi phân. Sinh viên cần nghiên cứu các vấn đề lý
thuyết được trình bày trong từng chương, trả lời các câu hỏi và làm các bài tập ở cuối
mỗi chương. Sau đó áp dụng lý thuyết để thực hiện các bài thực hành bằng phần mềm
mô phỏng mạch siêu cao tần.
Do hạn chế của thời lượng nên bài giảng này chỉ bao gồm các phần căn bản liên
quan đến các kiến thức cơ sở về mạch siêu cao tần. Tuy nhiên học kỹ tài liệu này sinh
viên có thể hoàn chỉnh thêm kiến thức của môn học bằng cách đọc các tài liệu tham
khảo dẫn ra ở cuối tài liệu.
Người biên soạn: TS. Nguyễn Việt Hưng
2
Bài giảng Kỹ thuật siêu cao tần Chương 1: Lý thuyết chung về trường điện từ
và mạch siêu cao tần
CHƯƠNG 1: LÝ THUYẾT CHUNG VỀ TRƯỜNG ĐIỆN TỪ VÀ MẠCH

SIÊU CAO TẦN
1.1. GIỚI THIỆU CHƯƠNG
1.1.1. Mục đích
Đây là chương nhập môn của Kỹ thuật siêu cao tần, chương này trình bày các khái
niệm cơ bản về trường điện từ và mạch siêu cao tần, là cơ sở cho việc tìm hiểu lý thuyết
trình bày trong các chương tiếp theo.
Sinh viên cần đọc kỹ các nội dung trình bày trong chương, tham khảo thêm các tài
liệu [1, 2].
1.1.2. Các chủ đề được trình bày
- Các đại lượng, tham số cơ bản trong mạch siêu cao tần
- Lý thuyết cơ bản của trường điện từ : phương trình Maxwell, định lý Poynting,
phương trình sóng phẳng.
- Đặc điểm chung của mạch siêu cao tần.
1.2. CÁC ĐẠI LƯỢNG, THAM SỐ CƠ BẢN
1.2.1. Vectơ cường độ điện trường ⃗𝑬

⃗
Khi đặt một lực tác dụng ⃗⃗⃗⃗

𝐹𝐸 lên một điện tích thử q đặt cố định tại điểm M trong
một hệ quy chiếu quán tính, người ta nói rằng tại lân cận điểm M có một điện trường.
Để đo lực tác động về điện tại M người ta dùng véc tơ trạng thái gọi là cường độ điện
trường, ký hiệu 𝐸⃗
FE V 
E   (1.1)
q m
1.2.2. Vectơ điện cảm ⃗𝑫

⃗
Khi đặt chất điện môi vào trong một điện trường 𝐸⃗ , các điện tích trong chất điện
môi dịch chuyển ra khỏi vị trí cân bằng và hình thành các lưỡng cực điện tạo nên hiện
tượng phân cực điện của điện môi. Điện trường trong điện môi được đặc trưng bởi vectơ
⃗ có dạng sau:
𝐷
D   0 E  P  (1  k p ) 0 E   r  0 E   E (1.2)
3
Bài giảng Kỹ thuật siêu cao tần Chương 1: Lý thuyết chung về trường điện từ và
mạch siêu cao tần
Trong đó:
𝑃⃗: vectơ phân cực điện
kp: hệ số phân cực điện
1
0  109 ( F / m) : hằng số điện môi trong chân không
36
 r  1  k p : hằng số điện môi tương đối
   r  0 : hằng số điện môi tuyệt đối
C
Đơn vị của  D  
m2
1.2.3. Vectơ cường độ từ cảm ⃗𝑩

⃗
Một điện tích thử q chuyển động với vận tốc 𝑣 trong một hệ quy chiếu quán tính
nếu chịu một lực tác động ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐹𝑀 (phân biệt với lực điện ⃗⃗⃗⃗⃗
𝐹𝐸 ), thì người ta nói tại lân cận q
tồn tại một từ trường. Vectơ cường độ từ cảm 𝐵⃗ đặc trưng cho lực tác dụng của từ trường
lên điện tích chuyển động hay dòng điện theo đinh luật Lorentz sau:
FM  q[v  B] (1.3)
Hình 1.1: Lực từ trường tác động lên điện tích chuyển động.
1.2.4. Vectơ cường độ từ trường ⃗𝑯

⃗⃗
⃗ , các dòng phân tử và các

Một chất từ môi dưới tác dụng của từ trường với từ cảm 𝐵
spin giống các nam châm siêu nhỏ sẽ bị xoay trục theo chiều của 𝐵 ⃗ hình thành các cực
từ nhỏ và tạo nên hiện tượng phân cực từ.
4
⃗:
Cường độ từ trường trong từ môi được đặc trưng bởi vectơ 𝐻
B  0 H  M  (1  km )o H  r 0 H   (1.4)
Trong đó:
⃗⃗ : Mômen phân cực từ
𝑀
kp: hệ số phân cực từ
0  4 7 ( H / m) : độ từ thẩm trong chân không
r  1  km : độ từ thẩm tương đối
  r 0 : độ từ thẩm tuyệt đối.
A
Đơn vị của [H]=
m
Các vật liệu thông thường có r  1
Một số chất như sắt hay vật liệu sắt từ thì r  103 104
1.2.2. Các tham số đặc trưng cơ bản của môi trường

Đặc tính của môi trường vật chất được thể hiện qua các tham số điện và từ của nó
bao gồm:
- Hệ số điện môi tuyệt đối  (F/m).
- Hệ số điện môi tương đối r (không thứ nguyên)
- Độ từ thẩm tuyệt đối  (H/m)
- Độ từ thẩm tương đối r (không thứ nguyên)
- Độ dẫn điện  (S/m)
Dựa trên các tham số điện và từ, người ta chia vật chất (môi trường điện từ) ra
thành các loại sau:
- Môi trường tuyến tính: các tham số , , và  không phụ thuộc cường độ
trường. Khi đó, các phương trình liên hệ là tuyến tính.
- Môi trường đồng nhất và đẳng hướng: các tham số điện và từ là hằng số.
Trong môi trường này, các vectơ của cùng một phương trình liên hệ song
song với nhau.
- Nếu các tham số điện từ theo các hướng khác nhau có các giá trị không đổi
khác nhau thì được gọi là không đẳng hướng.
- Môi trường có các đại lượng điện từ là các hàm của tọa độ được gọi là môi
trường không đồng nhất.
5
Trong tự nhiên, hầu hết các chất có hệ số điện môi tương đối r  1 và là môi trường
tuyến tính. Môi trường có độ từ thẩm tương đối r  1 gọi là chất thuận từ, còn r  1
gọi là chất nghịch từ.
Chất dẫn điện là chất có  104 (S/m).
Chất bán dẫn là chất có 104 >  >10-10 (S/m).
Chất cách điện là chất có  < 10-10 (S/m).
Điện môi lý tưởng có   0, còn vật dẫn lý tưởng là môi trường có   
1.3. PHƯƠNG TRÌNH MAXWELL
1.3.1. Một số khái niệm
1.3.1.1. Định nghĩa dòng điện
Xét một thể tích V được giới hạn bởi một mặt kín S. Giả sử lượng điện tích q nằm
trong thể tính này giảm theo thời gian, nếu thừa nhận điện tích không tự biến mất thì
điện tích đã chảy ra khỏi thể tích đó (qua mặt S). Ngược lại, sự tăng điện tích trong thể
tích đang xét theo thời gian chỉ có thể xảy ra do điện tích chảy từ ngoài vào, qua mặt S.
Sự chuyển dịch của điện tích qua S đã tạo ra dòng điện được xác dòng điện được xác
định bằng tốc độ biến thiên của điện tích q trong thể tích giới hạn bởi mặt S, lấy với dấu
âm.
dq
I  (1.5)
dt
Như vậy dòng điện sẽ dương trong trường hợp điện tích q trong thể tích V giảm
theo thời gian, do các điện tích chảy ra ngoài và ngược lại. Căn cứ (1.5) có thể định
nghĩa dòng điện theo cách đơn giản: Dòng điện có giá trị bằng lượng điện tích chảy qua
mặt S trong một đơn vị thời gian.
Để mô tả đầy đủ hơn sự chuyển động có hướng của các hạt mang điện, người ta đưa
ra khái niệm mật độ dòng điện 𝐽 với định nghĩa: Mật độ dòng điện dẫn là một đại lượng
vectơ, có hướng trùng với hướng chuyển động của điện tích tại điểm đang xét, còn độ
lớn bằng lượng điện tích chảy qua một đơn vị bề mặt đặt vuông góc với hướng chuyển
động, trong một đơn vị thời gian. Quan hệ giữa I và 𝐽 như sau:
I   JdS (1.6)
S
1.3.1.2. Khái niệm về dòng điện dịch

Khi nghiên cứu định luật cảm ứng điện từ của Faraday và định luật dòng điện toàn
phần của Ampere, nhà vật lý người Anh Maxwell bằng lý thuyết đã chỉ ra sự tác dụng
6
tương hỗ giữa điện trường và từ trường với việc dẫn ra khái niệm mới về dòng điện là
dòng điện dịch. Theo Maxwell dòng điện dịch có mật độ được xác định bằng biểu thức:
D E (1.7)
Jd  
t t
Theo Maxwell mật độ dòng điện toàn phần gồm hai số hạng: mật độ dòng điện dẫn
𝐽 ,tỷ lệ với cường độ điện trường, và mật độ dòng chuyển dịch ⃗⃗⃗
𝐽𝑑 tỷ lệ với biến thiên
của cường độ điện trường theo thời gian.
J  J  Jd (1.8)
1.3.2. Hệ phương trình Maxwell

- Dạng vi phân:
D 
rotH  J  
t 
B  
rotE  
t   (1.9a)
divD  V 

divB  0 

Hoặc theo cách ký hiệu khác:
D 
 H  J  
t 
B  
 E  
t   (1.9b)
  D  V 

B  0 

Trong đó 𝜌𝑉 là mật độ điện tích trong thể tích V

- Dạng tích phân:
7
D 
 Hdl   JdS + t dS 
L S S 
B 
L Edl   S t dS 


S DdS  V V dV  q  (1.10)

S BdS  0 

Trong đó 𝑞 là tổng điện tích trong thể tích V

- Dạng phức:
Nếu các đại lượng điện trường và từ trường biến thiên tuần hoàn theo thời gian với
tần số , tức là có thể mô tả chúng như sau: E  Ee jt , H  He jt thì phương trình
Maxwell 1 và 2 dạng phức có dạng như sau:
rotH  (  j ) E 


rotE   j 
 (1.11)
1.3.3. Ý nghĩa của hệ phương trình Maxwell

1.3.3.1. Mô tả mối quan hệ giữa hai mặt điện trường và từ trường của trường điện
từ biến thiên:
Theo phương trình Maxwell 1: ở những vùng có điện trường biến thiên, tức là mật
độ dòng điện J  D t  0 biến thiên thì ở đó có từ trường biến thiên và từ trường đó
⃗  0). Ngược lại theo phương trình Maxwell 2 nêu rõ ở những
có tính chất xoáy (vì rot𝐻
vùng có từ trường biến thiên 𝐵⃗ /t  0 thì ở đó có điện trường biến thiên và điện trường
đó cũng có tính chất xoáy (rot𝐸⃗  0). Vậy hai phương trình Maxwell 1 và 2 cho thấy từ
trường và điện trường biến thiên luôn gắn bó với nhau và luôn có tính chất xoáy.
1.3.3.2. Mô tả hình học của hai mặt thể hiện điện trường và từ trường
⃗  0 hoặc
Theo phương trình Maxwell 4: div𝐵  BdS  0 ta nhận thấy 𝐵⃗ luôn chảy
S
liên tục. Với mọi mặt kín S thông lượng của 𝐵⃗ chảy vào và ra luôn bằng nhau, không
có vùng nào là vùng xuất phát hoặc tận cùng của 𝐵⃗ , đó là hình học của véctơ từ cảm 𝐵
⃗.
Theo phương trình Maxwell 3: div𝐷 ⃗  V hoặc
 DdS  q nêu lên một hình học khác.
S
8
Thông lượng của véctơ 𝐷⃗ chảy ra khỏi một mặt kín S bằng lượng điện tích tự do bao
quanh mặt ấy. Vậy đối với véctơ 𝐷 ⃗ có thể có những vùng xuất phát là vùng có V  0
và những vùng tận cùng là những nơi có phân bố 0  0. Nó có thể chảy không liên tục,
⃗ . Đó là hình học của véctơ 𝐷
khép kín khắp nơi như 𝐵 ⃗.
1.4. NĂNG LƯỢNG TRƯỜNG ĐIỆN TỪ – ĐỊNH LÝ POYNTING

Định lý Poynting thiết lập mối liên hệ giữa sự thay đổi năng lượng điện từ trong
một thể tích V với dòng năng lượng điện từ chảy qua mặt kín S bao quanh thể tích này.
Trong một thể tích V tùy ý, trường điện từ sẽ có năng lượng tích tụ bằng:
  E2  H 2 
W     dV    wE  wH  dV (1.12)
V
2 2  V
 E2
Trong đó : wE  là mật độ năng lượng điện trường
2
H2
wH  là mật độ năng lượng từ trường
2
Gọi   E  H là vectơ Poynting (vectơ mật độ công suất của trường điện từ). Theo
đó, năng lượng của trường điện từ ở mỗi điểm sẽ dịch chuyển theo phương pháp tuyến
với mặt phẳng tạo bởi 𝐸⃗ và 𝐻
⃗
Định lý Poynting được trình bày dưới dạng toán học như trong biểu thức 1.13 và
1.14 dưới đây:
   E2  H 2 
    dV   dS   JEdV (1.13)
t V  2 2  S V
Hay:
W

t
  dS Q
S
(1.14)
Trong đó: Q   JEdV là công suất tổn hao dưới dạng nhiệt của dòng điện trong thể
V
tích V.
Định lý Poynting do hai nhà bác học Poynting (người Anh) và Umov (người Nga)
đưa ra nên còn gọi là định lý Umov-Poynting. Dấu (-) ở vế trái của phương trình (1.14)
thể hiện sử bảo toàn năng lượng. Ví dụ trong trường hợp môi trường điện môi lý tưởng
(𝐽 = 0 và do đó Q = 0). Xét hai trường hợp biến thiên của năng lượng trường điện từ
trong một thể tích V bao bởi mặt kín S:
9
a) b)
⃗ qua mặt kín S

Hình 1.2: Thông lượng của 𝛱
W
⃗⃗ toả ra ngoài S nên
Trong trường hợp Hình 1.2a vectơ Π  dS  0 và do đó
S t
0
từ là năng lượng trong thể tích V bao bởi mặt kín S giảm dần theo thời gian. Và ngược
W
⃗⃗ đi vào trong S nên
lại trong hình 1.2b vectơ Π  dS  0 và do đó
S t
 0 từ là năng lượng
trong thể tích V bao bởi mặt kín S tăng dần theo thời gian.
Đối với trường điện từ điều hòa, vectơ Poynting có thể biểu diễn qua đại lượng phức
như sau :

1
 4   
  E  H  reE  reH    E  E *  H  H * 
  (1.15)
Ở đây dấu (*) là đại lượng lấy liên hợp phức.

Biến đổi phương trình (1.15) và lấy tích phân trong 1 chu kỳ ta có vectơ Poynting
trung bình tính như sau :
1 
tb  re  E  H *   re (1.16)
2  
1.5. PHƯƠNG TRÌNH SÓNG PHẲNG

1.5.1. Phân loại kiểu sóng
Trong phần này ta sẽ xét sóng phẳng trong hệ tọa độ Descartes xyz và chọn trục z
làm phương truyền sóng, trên cơ sở đó ta có các kiểu sóng như sau:
- Sóng điện từ ngang (TEM): Sóng điện từ ngang là sóng có véctơ 𝐸⃗ và 𝐻 ⃗ luôn
vuông góc với phương truyền sóng (phương z). Tức là các thành phần Ez  0 và H z  0
10
Đây là loại sóng thường được nghiên cứu trong các tài liệu lý thuyết để khảo sát ở
trường hợp đơn giản nhất.
- Sóng điện ngang (TE): Sóng điện ngang là sóng có véctơ 𝐸⃗ luôn vuông góc với
phương truyền sóng (phương z). Tức là các thành phần Ez  0 . Loại sóng này còn được
gọi là sóng từ dọc (sóng H) vì có thành phần từ trường dọc theo phương truyền sóng
Hz  0
- Sóng từ ngang (TE): Sóng từ ngang là sóng có véctơ 𝐻 ⃗ luôn vuông góc với
phương truyền sóng (phương z). Tức là các thành phần H z  0 . Loại sóng này còn được
gọi là sóng điện dọc (sóng E) vì có thành phần điện trường dọc theo phương truyền sóng
Ez  0
Các loại sóng phẳng thường xuất hiện trong các mạch dẫn sóng sẽ được trình bày
trong chương 2.
1.5.2. Nghiệm phương trình sóng phẳng
Ta chọn hệ tọa độ Descartes, sóng điện từ phẳng là đơn sắc và chỉ truyền theo
 
phương z. Mặt sóng vuông góc với phương z hay   0 . Áp dụng hệ phương trình
x y
Maxwell phức:
rotH  (  j ) E 


rotE   j 

Xét sóng TEM phân cực đứng:
E y  Ez  0 


H x  H z  0

Sử dụng các biến đổi phức và rot, ta đưa đưa hệ phương trình Maxwell về dạng:
 2 Ex
 j (  j ) Ex  0 (1.17)
z 2
Đặt
   (  j )    j  (1.18)
Gọi  là hệ số truyền sóng, trong đó :
11
- Phần thực  : hệ số suy sao, đơn vị [1/m]

- Phần ảo  : hệ số pha (đặc trưng cho sự lan truyền sóng) đơn vị [rad/m]
Ta có phương trình sóng phẳng như sau :
 2 Ex
  2 Ex  0 (1.19)
z 2
Nghiệm của phương trình có dạng:
Ex  Et ez  E px ez
(1.20)
Trong biểu thức (1.20) điện trường gồm 2 thành phần, thành phần sóng thuận
(sóng tới) Et ez và thành phần sóng ngược (sóng phản xạ) E px e z xét theo phương
truyền sóng cùng chiều với trục z.
Xét trong môi trường điện môi lý tưởng đồng nhất và đẳng hướng vô hạn. Trong
môi trường này, độ dẫn điện  = 0 và không có suy hao  = 0. Ta có nghiệm của
phương trình sóng phẳng:
j    z 1  j   z 2 
Ex  Et e   z  E px e  z  Et e  E px e
(1.21)
Et z E px z Et j    z 1  E px j   z 2 
Hy  e  e  e  e
Zs Zs Zs Zs
Với Z s là trở kháng sóng:
 r
Zs   Z0 (1.22)
 r
Z0 = 120 là trở kháng sóng trong chân không.

Dạng tức thời của cường độ trường được biểu diễn như sau:
E ( x, y, z , t )  [ 2 Et cos t   z  1  + 2 E px cos t   z  2  ]ix

2 Et 2 E px (1.23)
H ( x, y , z , t )  [ cos t   z  1   cos t   z   2  ]iy
Zs Zs
12
Hình 1.3: Dạng sóng điện từ phẳng trong điện môi lý tưởng
Hình 1.3 là dạng sóng thuận của điện trường và từ trường trong điện môi lý tưởng,
biên độ của sóng giữ cố định theo phương truyền sóng, pha của cường độ điện trường
và cường độ từ trường trùng nhau. Ta nhận xét tính chất của sóng phẳng trong điện môi
lý tưởng như sau:
 Các vectơ E và H luôn vuông góc với nhau và vuông góc với phương truyền sóng.
Từ trường và điện trường luôn đồng pha và có biên độ không đổi dọc theo phương
truyền sóng.
 Vận tốc pha của sóng phẳng bằng vận tốc truyền sóng trong cùng môi trường. Và
điện môi lý tưởng là môi trường không tán sắc.
 Năng lượng sóng không tổn hao và trở kháng sóng là một số thực.
1.6. ĐẶC ĐIỂM MẠCH SIÊU CAO TẦN
Để định nghĩa rõ hơn các vấn đề mà chúng ta sẽ giải quyết, hay xem xét hệ thống
tổng quan RF được mô tả trong Hình 1.4.
Hình 1.4: Sơ đồ khối của hệ thống RF
13
Các ứng dụng điển hình của cấu hình này là điện thoại di động và mạng không dây
cục bộ (WLAN). Toàn bộ sơ đồ khối trong hình 1.4 có thể được gọi là bộ thu phát, vì
có sự kết hợp cả bộ thu và phát đòng thời chỉ sử dụng một anten duy nhất. Khi nhận
được tín hiệu đầu vào (có thể là giọng nói hoặc tín hiệu số từ máy tính), trước tiên khối
trên sẽ thực hiện quá trình xử lý số. Nếu tín hiệu đầu vào là thoại, như trường hợp của
điện thoại di động, chúng sẽ được chuyển đổi thành dạng số, sau đó sẽ thực hiện nén để
giảm thời gian truyền dẫn và cuối cùng là sử dụng mã hóa thích hợp để loại bỏ nhiễu và
các lỗi trong khi truyền.
Sau khi tín hiệu đầu vào được xử lý bằng quá trình số, nó sẽ được chuyển đổi trở
lại dạng tương tự thông qua bộ DAC. Tại bộ dao động nội, các tín hiệu tần số thấp và
tín hiệu sóng mang tần số cao sẽ được trộn với nhau. Sau đó tín hiệu này được khuếch
đại thông qua bộ khuếch đại công suất (PA) và được đưa đến anten, tại đây thông tin đã
mã hóa được bức xạ dưới dạng sóng điện từ để đưa vào không gian tự do.
Trong sơ đồ khối của hình 1.5, bộ khuếch đại công suất có thể là bộ khuếch đại 2
GHz cho điện thoại di động và được triển khai như bộ khuếch đại kép. Chi tiết sơ đồ
khối trong bộ khuếch đại tầng đầu được mô tả như hình 1.5
Hình 1.5: Sơ đồ khối đơn giản của bộ khuếch đại công suất tầng đầu 2 GHz
cho điện thoại di động
Khi tín hiệu đầu vào được đưa qua tụ điện chặn dòng một chiều để đi tới mạng phối
kháng đầu vào, cần phối hợp với trở kháng của transitor (loại BFG425W của Philips
Semiconductors), hoạt động trong cấu hình bộ phát chung, với trở kháng đầu ra của bộ
trộn được đặt trước bộ khuếch đại công suất. Phối hợp trở kháng nhằm loại bỏ các yếu
tố phản xạ có thể gây ra sự giảm hiệu năng cũng như tối ưu quá trình truyền. Mạng phối
kháng nhiều giai đoạn cần khớp đầu ra tại trở kháng của transitor với trở kháng đầu vào
tại tầng hai của bộ khuếch đại công suất. Thành phần chính của mạng phối kháng là các
14
đường vi dải được biểu diễn bằng các hình chữ nhật trong hình 1.5. Tại tần số cao, các
thành phần tử này biểu diễn các đặc tính khác biệt so với các phần tử linh kiện tập trung
tần số thấp. Chúng ta cũng thấy các mạng bổ sung để điều khiển dòng đầu vào và đầu
ra tại các cổng của transitor. Việc tách riêng tín hiệu tần số cao ra khỏi các mạch điều
khiển phân cực DC được thực hiện thông qua hai khối mạng chặn tần số RF sử dụng
các cuộn cao tần (radio frequency coils).
Các mạch hai tầng trong thực tế được triển khai như Hình 1.6 và được biểu diễn bởi
các đường microtrip có cùng chiều dài và chiều rộng. Đi kèm với đường microtrip là
các tụ, cuộn cảm, điện trở.
Hình 1.6: Mạch in khuếch đại công suất siêu cao tần
Để giải thích vì sao cần có lý thuyết riêng cho mạch siêu cao tần, ta xét phương
trình biểu diễn điện trường truyền lan như sau:
𝐸𝑥 = 𝐸0𝑥 cos(𝜔𝑡 − 𝛽𝑧) (1.24)
Trong đó điện trường hướng x được truyền theo chiều dương z. Khi lan truyền trong
không gian tự do, điện trường và hướng truyền luôn luôn trực giao. Mặc khác, ta giả sử
sóng bị giới hạn bởi môi trường dẫn nằm dọc theo trục z, thì ta sẽ thấy điện áp bị giảm
đi một lượng 𝑉 = − ∫ 𝐸𝑧 𝑑𝑙𝑧 trong đó 𝑑𝑙𝑧 thành phần dòng trong hướng z. Xem xét kĩ
hơn đối số cos trong phương trình 1.17 ta thấy có sự biến đổi về không gian và thời
gian, trong đó sự biến đổi về không gian được đặc trưng bới bước sóng λ dọc theo hướng
z, còn về mặt thời gian được đặc trưng bằng chu kì T = 1/ ƒ. Nhận xét trên cho thấy sự
biến đổi của trường điện từ theo tương quan không gian và thời gian, ở trường hợp đang
xét vấn tốc pha là không thay đổi, vận tốc pha kí hiệu 𝑣𝑝
15
𝜔 1 𝑐
𝑣𝑝 = = λƒ = = (1.25)
𝛽 √ԑ𝜇 √ԑ𝑟 𝜇𝑟
Giả sử ta có ƒ =1 Mhz và môi trường dẫn kí hiệu là ԑ𝑟 = 10, 𝜇𝑟 = 1 khi ấy ta sẽ

thu được bước sóng bằng 94.86m với vận tốc pha bằng 𝑣𝑝 = 9,49. 107 𝑚/𝑠, trường hợp
này được mô tả như hình 2.1 phía dưới:
Hình 1.7: Điện thế biểu diễn theo thời gian và không gian
Xét mạch điện đơn giản gồm điện trở , 𝑅𝐿 và nguồn điện áp hình sin , 𝑉𝐺 có điện
trở trong 𝑅𝐺 được nối với tải bằng đoạn dây đồng dài 1.5 cm, giả thiết thêm rằng đoạn
dây này được đều chỉnh theo hướng trục z và điện trở của chúng là không đáng kể. Giả
sử phía nguồn hoat động ở tần số 1 MHz và theo như phép tính ở trên thì bước sóng sẽ
có độ lớn là 94,86 m.Như vây đoạn dây có độ dài như trên khi nối nguồn với tải sẽ chịu
sự biến thiên điện áp trong một phút là không đáng kể.
Tuy nhiên khi tần số tăng lên 10 Ghz, thì tình huống sẽ có sự thay đổi lớn. Ở trường
hợp này bước sóng sẽ bằng λ = 𝑣𝑝 /1010 m và vì vậy nó xấp xỉ bằng hai phần ba chiều
dài của sợi dây. Do đó vị trí đo điện áp sẽ quan trọng hơn so với trường hợp trước, điều
này có thể thấy rõ qua hai vị trí đặt đầu đo điện áp A và B. Với A và B lần lượt là điểm
đầu và điểm cuối của sợi dây đồng
16
Hình 1.8: Phép đo biên độ của tín hiệu điện áp 10 GHz ở đầu (vị trí A) và
điểm bất kì giữa dây nối tải với nguồn
Đối với hệ thống mạch đơn giản như hình 1.8 với nguồn điên và điện trở nguồn
được đầu và điện trở tải thông qua dây hai đầu có chiều dài l, có điện trở không đáng
kể, khi đó ta có phân tích thông qua định luật bảo toàn điện áp hay còn gọi là định luật
Kirchoff
∑𝑁 (1.26)
𝑖=1 𝑉𝑖 = 0
Khi đoạn dây kết nối với tải không có sự biến thiên về mặt điện ap như trong trường
hợp tần số thấp. thì V sẽ đại diện cho sự giảm điện áp trên các thành phần N rời rạc với
nhau. Tuy nhiên khi tần số cao lên và kết quả là tồn tại sự giao động về mặt điện thế và
vì vậy định luật bảo toàn điệp áp không thế áp dụng trực tiếp trong trường hợp này. Tuy
nhiên ta có thể giải quyết vấn đề này bằng việc chia cực nhỏ đoạn dây trên (nhỏ về mặt
toán học) khi có độ dà đủ nhỏ ta sẽ coi như không có sự dao động về mặt điện áp và có
thể áp dụng định luật Kirchoff như được biểu diễn trong hình 1.9
17
Hình 1.9: Phân chia đường dây thành các đoạn nhỏ có độ dài Az
nhằm áp dụng định luật Kirchoff
Với mỗi đoạn sau khi chia nhỏ kí hiệu 𝛥z, chúng ta có thể áp dụng và đưa ra sự biểu
diễn mạch tương đương. Ta cũng coi như tại mỗi đoạn nhỏ sẽ có tương ứng điện trở và
điện cảm. Do các đoạn dây chia ra là gần nhau vì vậy các hiệu ứng liên quan đến điện
dung là có thể quan sát được. Trên thực tế sẽ không tồn tại chất cách điện hoàn tồn do
vậy dòng điện môi vấn sẽ tồn tại dòng điên nhỏ chạy qua. Các phần từ được nhắc đến
trong trường hợp tần só o cao mà ta đang xét chỉ đúng và tương đương vơi những đoạn
nhỏ, vì thế nếu muốn xây dựng một mô hình hoàn chỉnh ta cần thực hiện tính toán rất
nhiều lần cho các đoạn đó. Hay nói các khác đoạn dây dùng để truyền tải không thể biểu
diễn dưới dạng các tham số được gộp lại mà cần được xem xét như các tham số R, L,
C. Sự chuyển đổi từ phân tích mạch tổng hợp tuân theo định luật Kirchoff đến mạch
phân tán liên quan đến điện áp và dạng sóng hiện tại phục thuộc vào độ lớn bước sóng
khi so với tổng kích cỡ trung bình của thành phần. Quá trình này diễn ra khi kích thước
bước sóng tăng dần từ từ cho đến khi có kích cỡ tương đương với các thành phần trong
mạch. Do đó để có thế áp dụng lý thuyết đường truyền, thành phần mạch cần thỏa mãn
điều kiện sau:
𝑙𝐴 ≥ λ/10 (1.27)
Trong đó:
𝑙𝐴 : Là kích thước trung bình của thành phần rời rạc trong mạch
λ: Là độ lớn của bước sóng
18
1.6.1. Đặc tính của các linh kiện thụ động trong điều kiện cao tần
Trong lý thuyết mạch xoay chiều thông thường ta thấy điện trở R độc lập với tần
số, còn tụ điện C và cuộn cảm L có thể được đặc tả đơn giản bởi các giá trị điện kháng
của chúng XC và XL:
1
XC 
C (1.28)
X L  L
Một điều cần chú ý là trở kháng, điện cảm và dung kháng không chỉ được tạo ra
trong các sợi dây, cuộn dây hay bản tụ như thường gặp trong các mạch thấp tần. Đối
với mạch siêu cao tần, chỉ cần một đoạn dây ngắn hoặc một mẩu đồng của mạch in cũng
có thể tạo ra các trở kháng và cảm kháng phụ thuộc tần số. Ví dụ, một sợi dây đồng
hình trụ có bán kính a (tiết diện S), độ dài l và độ dẫn điện cond có trở kháng DC tính
bởi:
1 l l
RDC  .  2 (1.29)
 cond S  a  cond
Đối với tín hiệu DC, toàn bộ tiết diện sẽ được tính cho thông lượng dòng. Tại tần
số xoay chiều, dòng điện tích biến đổi sẽ tạo ra trường từ và hệ quả là tạo ra một điện
trường nghịch có xu hướng chống lạ dòng ban đầu. Hiệu ứng trở nên mạnh nhất tại tâm
r = 0, vì thế làm tăng đáng kể điện trở tại tâm của sợi dây dẫn. Kết quả là dòng điện có
xu hướng dồn về phía ngoài chu vi của tiết diện. Hiệu ứng này càng tăng khi tần số càng
cao. Các tính toán lý thuyết cho thấy trở kháng và cảm kháng chuẩn hoá trong điều
kiện siêu cao tần (f ≥ 500 MHz) có thể được tính bởi:
R a
 (1.30)
RDC 2
Và
L a
 (1.31)
RDC 2
Trong đó,  được gọi là độ sâu dưới bề mặt của dây dẫn (skin depth)
1
 (1.32)
 f  cond
Nó mô tả sự suy giảm về mặt không gian của trở kháng và cảm kháng phụ thuộc
theo tấn số f, độ từ thẩm  và độ dẫn điện cond . Độ sâu bề mặt có giá trị lớn tại tần số
thấp và giảm rất nhanh khi tần số tăng lên.
19
Hình 1.10: Biến thiên của hiệu ứng bề mặt với các vật liệu đồng (Cu = 64,516.106), nhôm
(Al = 40.106) và vàng (Au = 48,544.106)
1.6.2. Điện trở cao tần

Linh kiện mạch điện phổ biến nhất trong là các con trở với vai trò gây ra một sự
giảm thế khi chuyển năng lượng điện thành nhiệt. Trong các mạch RF, điện trở thường
có dạng chip dán (SMD) vì có kích thước rất nhỏ và có thể gắn lên mạch mà không cần
các chân kim loại. Điều này hết sức có ý nghĩa đối với mạch cao tần, do như đã nói
trong mục trước, chỉ cần một đoạn dây ngắn cũng có thể tạo ra cảm kháng. Do vậy một
điện trở thông thường với chân cắm sẽ có đáp ứng phức tạp trong mạch cao tần và có
thể được mô tả bởi mạch tương đương như trong hình:
a) b)
Hình 1.11: Điện trở với chân cắm và mạch tương đương tại tần số cao.
Trong hình 1.11b, hai điện cảm L mô tả tác động của các chân cắm, còn các giá trị điện
dung đại diện cho điện dung nội Ca và điện dung giữa hai chân cắm Cb (Thường có giá trị nhỏ
và có thể bỏ qua).
1.6.3. Tụ điện cao tần

Trong các mạch điện siêu cao tần, tụ điện thường được ứng dụng để hiệu chỉnh các
mạch lọc, mạch phối kháng cũng như để điều khiển dòng bias cho các linh kiện chủ
động như transitor. Do vậy, hiểu được các đáp ứng của chúng trong mạch cao tần là
điều cần thiết. Điện dung của một tụ điện với các bản tụ song song thường được định
nghĩa như dưới đây:
20
A
C   0 r (1.33)
D
Trong đó A là diện tích bản tụ và d là khoảng cách giữa chúng. Trong trường hợp
lý tưởng không có dòng điện tích chảy qua giữa các bản tụ. Tuy nhiên, tại tần số cao,
các chất điện môi trở nên có suy hao lớn (có dòng chạy qua). Trở kháng của tụ điện vì
vậy cần được viết lại dưới dạng tổng hợp song song của một điện dẫn Ge và điện nạp
C
1
Z (1.34)
Ge  jC
Trong đó, điện dẫn Ge   diel A d , với  diel là độ dẫn điện của chất điện môi. Nếu đặt
tan  S     diel (suy hao nối tiếp – series loss tangent), ta có
 diel A  C
Ge    (1.35)
d d tan  S tan  S
Mạch tương đương của tụ điện trong mạch cao tần với điện cảm ký sinh L của
chân cắm, điện trở nối tiếp RS đặc trưng cho suy hao dẫn điện của chân cắm và điện
trở suy hao của điện môi Re = 1/Ge được mô tả trong hình 1.12.
Hình 1.12: Mạch tương đương của tụ điện cao tần.
1.6.4. Cuộn cảm cao tần

Mặc dù ít được dùng hơn điện trở và tụ điện, cuộn cảm cũng có thể được dùng trong
các mạch điều khiển dòng bias của transitor. Do các cuộn cảm thường được chế tạo
bằng cách cuộn 1 sợi dây dẫn theo hình trụ, do đó nó tạo ra một điện cảm kết hợp với
điện trở phụ thuộc tần số.
Giá trị điện cảm L của cuộn dây thường được tính theo công thức:
 r 2 0 N 2 (1.36)
L
l
Trong đó: N là số vòng dây, r và l lần lượt là bán kính 1 vòng dây và độ dài trục của
cuộn dây.
21
Ngoài ra, các vòng dây kế nhau cũng tạo ra các điện dung kí sinh như mô tả trong
hình 1.13.
Hình 1.13: Điện dung phân tán và điện trở nối tiếp trong cuộn cảm.
Mạch tương đương của cuộn cảm được mô tả trong hình 1.14. Trong đó, điện dung sóng
song Cs và điện trở nối tiếp RS đặc trưng cho tác động tổng hợp của điện dung kí sinh và
điện trở của sợi dây.
Hình 1.14: Mạch tương đương của cuộn cảm cao tần.
1.7. TỔNG KẾT CHƯƠNG

Trong chương 1, các khái niệm và lý thuyết cơ bản về mạch siêu cao tần đã được
giới thiệu một cách sơ lược. Từ đó sinh viên có các kiến thức cơ bản đến hiểu được các
phần lý thuyết về mạch điện siêu cao tần được giới thiệu trong các chương sau.
Bên cạnh đó, sự khác biệt của hệ thống mạch tần số thấp với tần số cao đã được
thảo luận. Bản chất sự khác biệt của hai hệ thống chính là sóng điện từ sẽ ảnh hưởng
đến các định luật dòng điện. Bên cạnh đó các vấn đề đã được đề cập đến như vận tốc
pha, hiệu ứng bề mặt, cũng được đề cập.
Các dây dẫn sóng kết hợp với các phần tử R, L, C hình thành nên các mạch điện
tương đương, nhưng lại làm hiệu suất lại giảm đáng kể so với các thành phần lý tưởng.
Điện trở là hằng số tại tần số thấp tuy nhiên tại tần số cao thì điều đó không còn đúng.
Cuối cùng như đã thảo luận trong chương này, khi bước sóng có kích cỡ xấp xỉ kích cỡ
của thành phần rời rạc, các phân tích mạch cơ bản sẽ không áp dụng được nữa.
22
1.8. CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP

1.8.1. Câu hỏi lý thuyết
1. Trình bày biểu thức của hệ phương trình Maxwell, giải thích ý nghĩa của các đại
lượng trong biểu thức.
2. Giải thích ý nghĩa của các phương trình trong hệ phương trình Maxwell
3. Giải thích ý nghĩa của định lý Poynting
4. Trình bày và giải thích biểu thức nghiệm của phương trình sóng phẳng
5. Trình bày đặc tính của các linh kiện R, L, C trong mạch siêu cao tần
1.8.2. Bài tập

1. Tính toán vận tốc pha và độ dài bước sóng trong mạch sử dụng chất nền FR4 với hằng
số điện môi 4,6 và tần số hoạt động 1,92 GHz
2. Sóng phẳng truyền dọc theo trục x trong môi trường điện môi r = 2,54 với điện
trường cho bởi công thức E y  E0 cos(t  kx) . Tần số hoạt động 2,4 GHz và E0 =
5,0 V/m. Tính các đại lượng sau:
a. Cường độ và phương của từ trường
b. Vận tốc pha
c. Độ dài bước sóng
d. Độ dịch pha giữa 2 vị trí x1 = 0,1 m và x2 = 0,15 m
3. Dòng chạy trên một dây dẫn sóng vi dải (dài vô tận và không có suy hao) là

i  t   0.6cos 9 109 t  500 z  ( A) . Tính:
a. Vận tốc pha
b. Tần số hoạt động
c. Độ dài bước sóng
d. Biểu diễn dạng phức (Biên độ và pha) của dòng điện
4. Một dây cáp đồng trục không có suy hao, có bước sóng  = 20 cm tại 960 MHz. Tính
hằng số điện môi tương đối của chất cách điện của dây cáp.
5. Điện trường của sóng truyền theo phương z trong một môi trường có hằng số điện
môi r = 4 và tần số 5 GHz được cho bởi công thức
Ex  E0 x cos t  kz  (V / m)
a. Tính biểu thức từ trường nếu E0x = 106 V/m
b. Tính vận tốc pha và độ dài bước sóng
c. Tính quãng đường sóng truyền được giữa hai thời điểm t1 = 3µs và t2 = 7 µs
23
6.Tìm đáp ứng tần số của biên độ của trở kháng của 2 mạch LC sau:
d. Tính biểu thức trở kháng

e. Sử dụng phần mềm Matlab vẽ sự phụ thuộc của trở kháng của 2 mạch theo tần
số trong dải tần từ 30 – 3000 MHz
f. Thay cuộn cảm lý tưởng ở hai mạch trên bằng cuộn cảm với giá trị tương tự
nhưng có thêm một điện trở 5 mắc nối tiếp. Tính lại biểu thức của trở kháng
của 2 mạch mới.
g. Sử dụng phần mềm Matlab vẽ sự phụ thuộc của trở kháng của 2 mạch theo tần
số trong dải tần từ 30 – 3000 MHz
6. Tính biểu thức tần số cộng hưởng và vẽ sự phụ thuộc của tần số cộng hưởng theo giá
trị điện trở R cho mạch dưới đây:
7. Yêu cầu tương tự như bài 7 cho mạch dưới:
8. Chân của một điện trở trong mạch RF được coi như một dây nhôm thẳng (Al = 40 x
106 S/m) với đường kính 1,628 mm và độ dài 5cm.
a. Tính điện trở DC
b. Tính điện trở AC và cảm kháng tại các tần số 100 MHz, 1GHz và 10 GHz
9. Tính độ dày hiệu ứng bề mặt cho các chất đồng (Cu = 64,516 x 106), nhôm (Al = 40 x
106 S/m) và vàng (Au = 48,544 x 106 S/m) tại 1 GHz và 10 GHz. Tính điện trở của một
đoạn dây 10cm, đường kính 1mm cho mỗi trường hợp.
10. Cho mạch RLC nối tiếp với R = 1 , L = 1 nH, C = 1 pF. Tính tần số cộng hưởng và
hệ số phẩm chất tại ±10% của tần số cộng hưởng. Ảnh hưởng của giá trị điện trở lên
tần số cộng hưởng thể hiện như thế nào?
24
Bài giảng Kỹ thuật siêu cao tần Chương 2: Mạch dẫn sóng
CHƯƠNG 2: MẠCH DẪN SÓNG SIÊU CAO TẦN

2.1.1. Mục đích
Chương 1 đã giới thiệu các tại tần số cao bước sóng có kích thước nhỏ đi. Điều này
dẫn dến một vấn đề đối với mạch RF, điện áp cũng như dòng điện không còn sự đồng
nhất về mặt không gian. Và vì vậy chúng được coi như sự lan truyền sóng, khi ấy các
định luật về điện áp, định luật Kirchoff không còn đúng nữa, và ta cần thay đổi khá lớn
trong cách phân tích mach.
Mục đích của chương này là đưa ra các lý do về mặt vật lý cho sự chuyển đổi từ
mạch kết hợp sang mạch phân tán, đồng thời phát triển phương trình biểu diễn trở kháng
phụ thuộc không gian trong đường truyền cao tần. Ứng dụng của phương trình này trong
việc phân tích cũng như thiết kế mạch tần số cao sẽ được nêu ra trong các chương tiếp
theo.
liệu [2, 3, 4].
- Các định luật cơ bản
- Các tham số cơ bản của mạch dẫn sóng
- Trở kháng trong các trường hợp tải đặc biệt
- Các loại mạch/dây dẫn sóng điển hình
2.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG
Như đã đề cập ở trên, điện áp và dòng không còn là hằng số về mặt không gian
trong thiết kế các mạch tần số cao. Do vậy các định luật về mạch cũng như định luật
Kirchoff sẽ không thể áp dụng được. Tuy nhiên bằng cách chia nhỏ đường truyền đã đề
cập trong chương 1 vấn đề này có thể được giải quyết, với điều kiện các đoạn đường
truyền sau khi chia vẫn mang đầy đủ các đặc tính cơ bản như suy hao, các hiệu ứng
dòng điện, điện cảm, điện dung. Ưu điểm của phương pháp này là các đoạn nhỏ sẽ tuân
theo định luật Kirchoff. Bên cạnh đó phương này còn dựa vào việc phân tích mạng hai
cổng.
Để phát triển mô hình, ta cùng xem xét hai đường dây tải điện như hình 2.1, đường
truyền được căn theo trục z và được chia nhỏ thành các đoạn có độ dài là 𝛥z
25
Hình 2.1: Phân mảnh các đoạn đường truyền thành các đoạn nhỏ có độ dài bằng nhau nhẳm
thuận tiện cho việc phân tích tham số
Nếu nhìn vào phần ở giữa z và 𝛥z + z, ta sẽ thấy dây dẫn 1 và 2 tạo thành một đoạn
mạch nhỏ nối tiếp các phần tử điện trở và cuộn cảm. Đồng thời sự phân chia về nguồn
được hình thành bởi các chất dẫn sẽ tạo ra hiệu ứng điện dung được ký hiệu là C. Các
loại chất ddienj môi đều có sự suy giảm và ta cần loại bỏ tính dẫn điện được kí hiệu là
G. Tất cả thành phần trong mạch như R, L, C, G đều được đưa dưới dạng giá trị trên
mỗi đơn vị chiều dài.
Tương tự như trên, cáp đồng trục trong hình 2.2 cũng có thể được phân tích theo
cách tương tự
Hình 2.2: Phân mảnh cáp đồng trục thành các đoạn nhỏ có độ dài bằng nhau để thuận tiện
trong việc phân tích tham số
Mỗi đoạn nhỏ sau khi được chia ra được biểu diễn dưới dạng tương đương như hình
2.3 Trong mô hình này, điện trở và điện cảm của hai dây dẫn thường chỉ kết hợp với
một phần tử duy nhất. Cách biểu diễn này không phù hợp với tất cả các loại mạch, về
26
cơ bản thì các ván đề truyền sóng cũng như tính vẹn toàn của các tín hiệu nhiễu xuyên
âm sẽ cụ thể và rõ ràng hơn khi thể hiện trong 2.2. Tuy nhiên để đơn giản cho viêc phân
tích dòng truyền, tại chương này sẽ sử dụng mô hình như 2.3
.
Hình 2.3: Mô hình mạch tương đương
Các tham số như L, C và G là các tham số phụ thuộc vào tần số hoạt động và bị ảnh
hưởng lớn bởi việc thiết kế xây dựng loại đường truyền. Mặt khác, khi tính toán cần
chú ý đến độ tự cảm. Tự cảm của dây dẫn và tự cảm hình thành lẫn nhau giữa các dây
dẫn. Trong đó, độ tự cảm của cuộn cảm có thể nói là rất nhỏ so với độ tự cảm lẫn nhau.
Việc biểu diễn mô hình 2.2 thành mô hình đơn giản hơn 2.3 có một số các ưu điểm như
sau:
 Cung cấp cái nhìn trực quan về các thành phần tồn tại trong mạch
 Cho phép biểu diễn mạng hai cổng tiêu chuẩn
 Cho phép phân tích và áp dụng các định luật về dòng điện và định luật Kỉchoff
 Cung cấp các khối có khả năng mở rộng
Bên cạnh đó cũng có hai nhược điểm được đề cập như sau:
 Mô hình trên không tính đến điện trường trong mặt phẳng trực giao với hướng
truyền mà đơn giản là phân tích một chiều vì vậy như đã đề cập ở trên, ta khó
có thể dự đoán cũng như xem xét các ảnh hưởng của các thành phần khác
 Hiệu ứng trễ gây ra sự phi tuyến liên quan đến vật liệu được sử dụng sẽ không
được xét tới.
Mặc dù có những nhược điểm trên, nhưng biểu diễn mạch tương đương là một
phương pháp tốt để mô tả các đặc tính của đường truyền và từ đây có thể xây dựng mô
hình tổng quát.
2.3. CÁC ĐỊNH LUẬT CƠ BẢN
Bằng cách áp dụng định luật Farraday và định luật Ampere ta có thể xác định các
tham số của mạch phân phối thông qua kích thước và đặc tính điện của dây tải điện.
27
Dựa trên các quan sát thực nghiệm, hai định luật trên đã thiết lập được một quan hệ
nền tảng giữa điện trường và từ trường. Cả Faraday và Ampere đều cung cấp nền tảng
cơ bản của lý thuyết Maxwell. Hay nói cách khác, điện trường biến thiên theo thời gian
sẽ sinh ra từ trường quay, từ trường biến thiên theo thời gian sẽ hình thành điện trường
biến thiên theo thời gian tỷ lệ với tốc độ thay đổi của từ trường. Mối quan hệ và tương
tác lẫn nhau giữa điện trường và từ trường sẽ hình thành sự lan truyền sóng, điện áp và
dòng điện trong mạch tần số vô tuyến.
Bằng cách biểu diễn hai định luật ở dưới dạng vi phân và tích phân, ta có thể thấy
rõ các công cụ cần thiết để tính toán, các tham số R, L, C và G cần thiết để mô tả các
hệ thống điện khác nhau. và dựa vào các bước tính toán tiếp theo, ta hoàn toàn quan sát
được các định luật lý thuyết trừu tượng có thể được sử dụng làm điểm bắt đầu để tính
toán các tham số cho hệ thống mạch thực tế của một loại đường truyền cụ thể.
Định luật cơ bản này phát biểu như sau, sự chuyển động của điện tích được đặc
trưng bởi mật độ dòng J, sẽ hình thành từ trường quay H bao quanh dòng điện tích và
được biểu thị bằng phương trình tích phân sau:
∮ 𝐻. 𝑑𝑙 = ∬ 𝐽. 𝑑𝑆 (2.1)
Trong đó:
𝑆 là thành phần bề mặt (surface element)
𝐽 là mật độ dòng điện tổng. ta có thể biễu diễn thành phần 𝐽 dưới dạng phương trình sau
đây. Phương trình 𝐽 = 𝐽0 + 𝜎𝐸 + 𝜕(ԑ𝐸)/ 𝜕𝑡. tham số 𝐽0 là mật độ dòng dẫn nguồn,
mật độ dòng điện dẫn và mật độ dòng dịch chuyển là tác nhân chính gây ra suy hao bức
xạ. Các đại lượng biểu thị các đại lượng vecto thỏa mãn điều sau:
𝐸(𝑟, 𝑡) = 𝐸𝑥 (𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡)𝑥̂ + 𝐸𝑦 (𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡)𝑦̂ + 𝐸𝑧 (𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡)𝑧̂
Trong đó 𝐸𝑥 , 𝐸𝑦 , 𝐸𝑧 là các vecto thành phần và các 𝑥̂, 𝑦̂, 𝑦̂ là các vecto đơn vị
Ta có thể biểu diễn định luật Ampere dưới dạng vi phân hoặc dạng điểm
1 1
̅ x H). n = lim
(V ∮ 𝐻. 𝑑𝑙 = lim ∬𝛥𝑠 𝐽. 𝑑𝑆 = 𝐽 . 𝑛 (2.2)
𝛥𝑆→0 𝛥𝑆 𝛥𝑆→0 𝛥𝑆
̅ x là toán tử curl mà n là vecto đơn vị vuông góc với mặt phẳng 𝛥S. Khi sử
Trong đó V
dụng các vector đơn vị này trong hệ tọa độ hình chữ nhật các toán tử vi phân này có thể
được biểu điễn dưới dạng ma trận.
28
Hình 2.4: Định luật Ampe liên kết dòng điện với từ trường
Bằng việc áp dụng curl vào vecto H ta có
𝜕 𝜕
0 ̅̅̅̅ ̅̅̅̅
𝜕𝑧 𝜕𝑦 𝐻𝑥 𝐽𝑥
𝜕 𝜕
̅xH=
V 0 {𝐻𝑦 } = {𝐽𝑦 } (2.3)
̅̅̅̅
𝜕𝑧 ̅̅̅̅
𝜕𝑥
𝜕 𝜕 𝐻𝑧 𝐽𝑧
[𝜕𝑦
̅̅̅̅ ̅̅̅̅ 0]
𝜕𝑥
2.4. CÁC THAM SỐ CƠ BẢN

2.4.1. Hệ số phản xạ điện áp
Các mạch điện tần số cao có thể được xem như một tập hữu hạn các đường truyền
được kết nối với nhau bằng các phần tử thụ động và tích cực. Xét mô hình 2.23, có trở
kháng tải kết nối với đoạn đường truyền hữu hạn có chiều dài l. Tại mô hình này sẽ
đánh giá sóng điện áp khi lan truyền dọc theo hướng trục z sẽ hành xử như nào với trở
kháng tải.
Hình 2.5: Đường truyền dẫn đầu cuối tại vị trí z = 0
Để không làm mất tính tổng quát, ta giả sử trở kháng được đặt tại z = 0 và sóng điện
áp được ghép vào mô hình tại điểm z = -l. Điện áp tại mọi điểm dọc theo đường dây nói
29
chung đều được đặc trưng bởi phương trình 𝑉 (𝑧) = 𝑉 + 𝑒 −𝑘𝑧 + 𝑉 − 𝑒 +𝑘𝑧 .. Hệ số phản
xạ ký hiệu là Γ0 tại vị trí tải z = 0.
𝑉−
Γ0 = (2.4)
𝑉+
Từ phương trình trên ta suy ra các phương trình hệ quả sau
𝑉 (𝑧) = 𝑉 + (𝑒 −𝑗𝑧 + Γ0 𝑒 +𝑘𝑧 ) (2.5)
𝑉+
𝐼 (𝑧 ) = (𝑒 −𝑘𝑧 − Γ0 𝑒 +𝑘𝑧 ) (2.6)
Z0
Chia hai phương trình 2.5 và 2.6, chúng ta sẽ thấy là trở kháng là một hàm của
không gian Z(z)
1+Γ0
𝑍(0) = Z𝐿 = Z0 (2.7)
1− Γ0
Khi đó hệ số phản xạ được biểu diễn thành
Z𝐿 −Z0
Γ0 = (2.8)
Z𝐿 + Z0
Đây là một dạng khác của phương trình 2.4, khi một dây dẫn là một đường hở hay
có thể nói trở kháng tiến tới vô cùng thì hệ số phản xạ bằng 1, nghĩa là sóng phản xạ sẽ
quay lại cùng cực với điện áp tới.. Ngược lại, đối với ngắn mạch, khi trở kháng bằng 0
thì hệ số phản xạ có giá trị bằng -1. Đối với trường hợp trở kháng tải phù hợp với trở
kháng đường hay Z0 = Z𝐿 , thì không có hiện tượng phản xạ xảy ra hay hệ số phản xạ
bằng 0. Ở trường hợp này ta có thể hiểu sóng điện áp tởi bị tải hấp thụ hoàn toàn. Ta
cũng có thể coi như một đường dây tải điện thứ hai có cùng các đặc tính trở kháng
nhưng chiều dài đạt vô hạn
2.4.2. Hằng số truyền lan và vận tốc pha
Định nghĩa hằng số truyền được giả sử ở dạng đơn giản khi không có tổn hao đường
truyền hay nói cách khác là R = G = 0
𝑘 = k 𝑟 + 𝑗Zk 𝑖 = 𝑗𝜔√𝐿𝐶 (2.9)
Ngoài ra hệ số k 𝑟 được dùng ở trên còn có kí hiệu khác là α hay ta có
k𝑟 ≡ α = 0 (2.10)
30
Và
k 𝑖 ≡ β = 𝑗𝜔√𝐿𝐶 (2.11)
Trong đó:
α đại diện cho hệ số suy hao
β đại diện cho hằng số lan truyền đối với các đường truyền không suy hao
Như đã biết các bước sóng liên quan đến tần số thông qua vận tốc pha và vận tốc
pha có thể biểu diễn qua tham số L và C do đó ta có vận tốc pha còn được biểu diễn như
phương trình dưới đây
𝜔
β= (2.12)
v𝑝
Ta thấy rằng ở các loại đường truyền được đề cập vận tốc pha đều không phụ thuộc
vào tần số. Có thể tóm tắt hiện tượng này như sau, nếu xung điện áp lan truyền trong
đường truyền, thì ta có thể phân tách xung đó thành các tần số thành phần, mỗi tần số
sẽ có vận tốc pha là cố định. Do vậy xung có thể xuất hiện tại các vị trí khác nhưng hình
dạng xung không thay đổi. Hiện tượng vừa nêu trên được gọi là lan truyền không tán
sắc. Tuy nhiên trong thực tế, ta luôn xét tới sự phụ thuộc tần số và sự phân tán của vận
tốc pha là hai nguyên nhân gây méo tín hiệu.
2.4.3. Tỷ số sóng đứng
Nếu thay hệ số phản xạ bằng -1 (ngắn mạch) vào phương trình sau
𝑉 (𝑧) = 𝑉 + (𝑒 −𝑗𝛽𝑧 + Γ0 𝑒 +𝑗𝛽𝑧 )
Thì ta sẽ thấy tọa độ mới z = 0 vẫn trùng với hệ thống cũ nhưng hướng sẽ ngược lại
đối với mô hình trong phần trước
Hình 2.6: Đường truyền ngắn mạch và tọa độ mới
31
Khi chuyển đổi biểu thức pha quay trở lại trong miền thời gian ta có phương trình
sau
𝑣 (𝑑, 𝑡 ) = Re{𝑉𝑒 𝑗𝜔𝑡 } = Re{2𝑗𝑉 4 sin(𝛽𝑑)𝑒 𝑗𝜔𝑡 }

(2.13)
+
𝝅
= 2𝑉 sin(𝛽𝑑)cos(𝜔𝑡 + )
𝟐
Sóng dạng sin đảm bảo điện áp duy trì sự ngắn mạch cho d = 0 tại tất cả các điểm
thời gian t. Trong trường hợp này thời gian và không gian được tách rời, và tại đây cũng
không tồn tại sự truyền sóng như đã đề cập trong chương 1, hiện tượng này được giải
thích là bởi sóng tới và sóng phản xạ lệch pha nhau một góc 1800, và tạo thành sự giao
cắt bằng 0 tại các vị tri 0, 𝝅 /2,….
Hình 2.7: Sóng đứng tại các khoảng thời gian khác nhau
Đưa hệ họa độ mới vào ta có hệ số phản xạ được viết lại như sau:
Γ(𝑑 ) = Γ0 𝑒 −𝑗2𝛽𝑑 ) (2.14)
Tương tự như trên, dòng điện trong không gian mới cũng được định nghĩa lại bằng
phương trình dưới đây
𝑉+ 𝐴(𝑑)
𝐼(𝑑) = 𝑒 −𝑗𝛽𝑑 (1 + Γ0 𝑒 −𝑗2𝛽𝑑 ) = [1 − Γ(d)] (2.15)
Z0 Z0
Trong điều kiện hệ số phản xạ bằng 0, sóng duy trì hướng truyền là bên phải, do đó
để xác định sự sai lệch ta sử dụng tỷ lệ sóng dừng là tỷ lệ giữa điện áp tối đa trên điện
áp tối thiểu, tỷ lệ này cũng đúng khi áp dụng với dòng thay vì điện áp:
32
|V𝑚𝑎𝑥 | |I𝑚𝑎𝑥 |
SWR =
|V𝑚𝑖𝑛 |
= |I𝑚𝑖𝑛 |
(2.16)
Phương trình trên có thể được biểu diễn ở dạng như sau:
1+|Γ0 |
SWR = (2.17)
1− |Γ0 |
Giá trị của SWR có thể là từ 1 đến vô cùng như được thể hiện trong hình 2.8
Hình 2.8: SWR là một hàm của hệ số phản xạ
Thực tế có thể định nghĩa SWR là tỷ số giữa giá trị điện áp tuyệt đối lớn nhất và
nhỏ nhất. Giá trị lý tưởng nhất của SWR là bằng 1, còn trong trường hợp ngắn mạch
hoặc mạch hở nó tiến tới giá trị vô cùng. Trên thực tế SWR chỉ áp dụng cho các đường
truyền có suy hao nhỏ hoặc gần như bằng 0, ta không áp dụng SWR cho trường hợp có
sự suy hao xảy ra trên đường truyền. Đa số các đường truyền vô tuyến có sự suy hao
nhỏ do vậy hệ số suy hao trong phương trình 2.17 là có thể áp dụng được. Bên cạnh đó
khi xem xét phương trình 2.14 ta thấy rằng khoảng cách cực đại và cực tiểu của hệ số
phản xạ là 𝑑 = 𝜆/4 và khoảng cách giữa hai cực đại là 𝑑 = 𝜆/2
2.5. TRỞ KHÁNG TRONG CÁC TRƯỜNG HỢP TẢI ĐẶC BIỆT
2.5.1. Trở kháng đầu vào của truyền dẫn không tổn hao
Tại khoảng cách d trở kháng đầu vào được cho bởi công thức
𝑉(𝑑) 𝑉 + 𝑒 𝑗𝛽𝑑 (1+Γ0 𝑒 −𝑗2𝛽𝑑)

Z𝑖𝑛 (𝑑 ) = = Z0 (2.18)
𝐼(𝑑) 𝑉 + 𝑒 𝑗𝛽𝑑 (1−Γ0 𝑒 −𝑗2𝛽𝑑)
Phương trình trên có thể được viết lại thành
33
(1+Γ0 (𝑑))
Z𝑖𝑛 (𝑑 ) = Z0 (2.19)
(1−Γ0 (𝑑))
Nếu thay thế Γ0 ta được phương trình sau:
(Z𝐿 cos(𝛽𝑑)+𝑗Z0 sin(𝛽𝑑)

Z𝑖𝑛 (𝑑 ) = Z0 (2.20)
Z0 cos(𝛽𝑑)+ 𝑗Z𝐿 sin(𝛽𝑑)
Biến đổi 2.20 ta được
(Z𝐿 +𝑗Z0 tan(𝛽𝑑)

Z𝑖𝑛 (𝑑 ) = Z0 (2.21)
Z0 +𝑗Z𝐿 tan(𝛽𝑑)
Kết quả trong phương trình 2.21 cho ta dự đoán trở kháng tải Z được hình thành
như thế nào dọc theo đường truyền có trở kháng với đặc tính là Z0 và chiều dài d. Tại
đây có tính đến tần số hoặt đọng thông qua hệ số β. Hệ só này được biểu diễn dưới dạng
tần số và vận tóc pha như sau:
Β = (2πƒ)/ v𝑝
2.5.2. Truyền dẫn ngắn mạch
Nếu Z𝐿 = 0 thì phương trình 2.21 được viết dưới dạng như sau:
Z𝑖𝑛 (𝑑 ) = 𝑗Z0 tan(𝛽𝑑) (2.22)
Hình 2.9 biểu diễn biểu đồ điện áp, dòng điện và trở kháng là hàm của chiều dài
đường dây dẫn. Quan sát ta thấy được,các chuyển tiếp định kì của trở kháng tăng lên
khi tải tăng. Nếu d = 0 trở kháng bằng trở kháng tải và giá trị này bằng 0. Nếu chiều dài
tăng thì trở kháng của đường dây cũng có xu hướng tăng độ lớn. Điều này cho thấy tại
vị trí này, đường dây thể hiện sự cảm ứng. Khi chiều dài bằng một phần tư của bước
sóng, trở kháng có giá trị bằng vô cùng, khi ấy mạch hở. Khi chiều dài bằng một phần
hai bước sóng trở kháng bằng 0 và quá trình chu kí được lặp lại khi chiều dài lớn hơn
bước song chia hai.
34
Hình 2.9: Điện thế, dòng điện và điện kháng là một hàm của chiều dai đối với đầu cuối ngắn
mạch
Tuy nhiên trên thực tế ta rất khó có thể thực hiện phép đo tại các vị trí khác nhau
hoặc đo lường, đánh giá các dây dẫn có độ dài khác nhau. Có một cách đơn giản dựa
vào sự phân tích mạng lưới, coi trở kháng như một hàm của tần số với chiều dài trong
trường hợp này được coi là cố định, tần số lúc này sẽ được quét qua một dải đã xác định
2.5.3. Đường truyền dẫn mạch hở
Khi Z𝐿 tiến đến vô cùng, thì trở kháng đầu vào được viết lại như sau
1
Z𝑖𝑛 (𝑑 ) = −𝑗Z0 ( ) (2.23)
tan(𝛽𝑑)
Với mạch hở ta có 𝑉(𝑑) và 𝐼(𝑑) được viết lại như sau:
𝑉 (𝑑 ) = 𝑉 + [𝑒 +𝑗𝛽𝑑 + 𝑒 −𝑗2𝛽𝑑 ] = 2V+cos(𝛽𝑑) (2.24)
2𝑗𝑉 + (2.25)
𝐼 (𝑑 ) = sin(𝛽𝑑 )
Z0
𝑉
Khi đó Z𝑖𝑛 (𝑑 ) = = −𝑗Z0 𝑐𝑜𝑡(𝛽𝑑 ). Hình 2-10 thể hiện điện thế, dòng điện và trở
𝐼
kháng như một hàm của chiều dài.
35
Hình 2.10: Điện thế, dòng điện và trở kháng là hàm của chiều dài
đối với mạch hở
Tương tự như trên với chiều dài là tham số được cố định, và quét tần số qua một
dải đã được định trước.
2.5.4. Đường truyền phần tư sóng
Xuất phát từ phương trình 2.20. Nếu Z0 = Z𝐿 ta có thể thất trở kháng đầu vào bằng
Z0 sẽ liên quan đến chiều dài đường dây dẫn. Do đó để có đước giả định Z0 =~Z𝐿 như
trên ta cần đặt chiều dài bằng một phần hai bước sóng hoặc một các tổng quát ta có 𝑑 =
𝜆 𝜆
+ 𝑚( ) với m = 1,2…….
2 2
2𝜋 𝜆
𝜆 Z𝐿 +𝑗Z0 tan( . )
Z𝑖𝑛 (𝑑 = ) = Z0 ( 𝜆 2
2𝜋 𝜆 ) (2.26)
2 Z0 +jZ𝐿 tan( . )
𝜆 2
Nói cách khác nếu đường dây dẫn có chiều dài bằng nửa độ lớn bước sóng, trở
kháng vào sẽ bằng với trở kháng tải và phụ thuộc và đặc tính của trở kháng đường dây
dẫn Z0
Nếu giảm chiều dài bằng phân tư độ lớn bước sóng ta có trở kháng vào được viết
như sau:
2𝜋 𝜆
𝜆 Z𝐿 +𝑗Z0 tan( . )
𝜆 4 𝑍02 (2.27)
Z𝑖𝑛 (𝑑 = ) = Z0 ( 2𝜋 𝜆 )=
4 Z0 +jZ𝐿 tan( . ) Z𝐿
𝜆 4
36
𝜆
Từ phương trình trên ta thấy được máy biến áp sẽ cho phép phần thực trở kháng
4
tải được kết hợp với phần thực trở kháng tải đầu vào mong muốn bằng cách lựa chọn
đoạn đường truyền có đặc tính được tính như sau
Z0 = √Z𝐿 Z𝑖𝑛 (2.28)
Hình 2.11 biểu diễn công thức trên
Hình 2.11: Trở kháng đầu vào khớp với trở kháng tải
2.6. CÁC LOẠI MẠCH DẪN SÓNG ĐIỂN HÌNH
2.6.1. Bản dẫn phẳng song song

Bản dẫn song song được thể hiện như hình dưới, bao gồm hai tấm dẫn với độ rộng
w đặt cách nhau một khoảng h giữa chúng có chất điện môi. Các giá trị w và h là tùy ý,
các phản ứng được hình thành tại phần viền của bản dẫn không được bỏ qua và vì vậy
chế độ TEM không được hỗ trợ.
Hình 2.12: Đường dẫn sóng tấm phẳng song song
Tuy nhiên, giản sử w > h chúng ta có thể bỏ qua các tác động ở phần cạnh và giả
định rằng chúng không phụ thuộc vào hướng x. Tuy nhiên cần xét dến vấn đề tĩnh điện
tương đưong với trường hợp của bản dẫn đặt song song. Vì vậy, ta chỉ xét điện trường
chứa một thành phần và không đổi giữa các tấm dẫn. Tương tự từ trường cũng chỉ có
trong thành phần x. Do vậy đặc tính trở kháng của dây dẫn sẽ được đựa ra bởi công thức
37
𝑉 −hE𝑦 ℎ
𝑍= = 𝑑= =η (2.29)
𝐼 𝑤 H𝑥 𝑤
1 2 1 𝑉2 1 𝑤 1 1
P𝑇 = = |E𝑦 | (𝑤ℎ) = 𝑤ℎ = ( ) 𝑉2 = 𝑉2 = 𝑉𝐼2 (2.30)
2η 2η ℎ 2 2η ℎ 𝑍.2 2
Điện cảm và điện dung cho mỗi đơn vị chiều dài là:
1 𝑤
𝑉′ = 𝜇 𝐶′ = 𝜀 (2.31)
2 ℎ
Công suất tổn hao cho mỗi đơn vị chiều dài là:
′
1 (2.32)
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 = 2 R 𝑠 |H𝑥 |2 𝑤 = (R 𝑠 𝐼2 )/𝑤
2
Hằng số suy hao được đưa bởi công thức sau:
′
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 𝑅′ R𝑠 R𝑠 (2.33)
α𝑐 = = = =
2P𝑇 2𝑍 𝑤𝑍 ℎη
2.6.2. Dây dẫn sóng vi dải

Hình phía dưới minh họa đường dẫn sóng vi dải (microtrip), có tỷ lệ về chiều rộng
và chiều cao được kí hiệu w/h, tỷ lệ này có thể dao động trong khoảng từ 0,1 đến 10.
Thông thường đơn vị của h là milimet
Hình 2.13: Đường truyền microstrip
Các hiệu ứng phần biên là không thể loại bỏ hoàn toàn và khi đỏ các giả định về
bản dẫn đặt song song là không còn phù hợp. Giả sử có một sóng lan truyền hướng z
với z và t phụ thuộc vào 𝑉𝑗𝜔𝑡−𝑗𝛽𝑧 , với tham số 𝛽 đang được xét đến trong cả chất điện
môi và môi trường thông thường
∇T 𝐸𝑧 x 𝑧̂ − 𝑗𝛽𝑧̂ x 𝐸𝑡 = −𝑗 𝜔𝜇𝐻𝑡
 𝑧̂ x (∇T𝐸𝑧 + 𝑗𝛽 𝐸𝑡 ) = 𝑗𝜔𝜇𝐻𝑡
38
Trong thực tế ta có thành phần x
ꝺ𝑦 𝐸𝑧 + 𝑗𝛽𝐸𝑦 = −𝑗 𝜔𝜇𝐻𝑥
Các yêu cầu biên của thành phần 𝐻𝑥 và 𝐷𝑦 = €𝐸𝑦 phải liên tục trên mặt phân cách
điện môi, trong trường hợp này là môi trường thông thường (tại 𝑦 = ℎ)
ꝺ𝑦 𝐸𝑧𝑎𝑖𝑟 + 𝑗𝛽𝐸𝑦𝑎𝑖𝑟 = ꝺ𝑦 𝐸𝑧𝑑𝑖𝑒𝑙 + 𝑗𝛽𝐸𝑦𝑑𝑖𝑒𝑙
𝜀0𝐸𝑧𝑎𝑖𝑟 = 𝜀𝐸𝑦𝑑𝑖𝑒𝑙
Gộp hai điều kiện ta có
𝜀−𝜀 𝜀−𝜀0
ꝺ𝑦 (𝐸𝑧𝑎𝑖𝑟 − 𝐸𝑧𝑎𝑖𝑟 ) = 𝑗𝛽𝐸𝑦𝑎𝑖𝑟 = 𝑗𝛽 𝐸𝑦𝑑𝑖𝑒𝑙 (2.34)
𝜀0 𝜀0
Vì 𝐸𝑦 khác 0 ở phần biên, mặt khác vế trái của phương trình trên không thể bằng
0. Do vậy không thể được coi là TEM. Tuy nhiên, Ey rất nhỏ ở phần biên ngay cả khi
ở trong điện môi và môi trường thông thường. Do vậy có thể coi xấp xỉ bằng TEM, độ
chênh lệch so với TEM được xét tới bằng các công thức thực nghiệm cho trở kháng và
vecto vận tốc
Trong thực tế ta có thể thay không khí bằng chất điện môi hiệu quả và vì vậy ta có
bước song và hệ số vận tốc được tính theo điện môi được cho bởi công thức sau:
λ0 c0
λ= c= (2.35)
√𝜀𝑒𝑓𝑓 √𝜀𝑒𝑓𝑓
Tồn tại nhiều công thức liên quan đến đặc tính trở kháng của đường truyền và hằng
số điện môi hiệu dụng. Nhưng Hammerstad và Jensen là một những công thức chính
xác nhất
𝜀𝑟 +1 𝜀𝑟 −1
𝜀𝑒𝑓𝑓 = + (1 + 10/𝑢)−𝑎𝑏 , 𝑢 = 𝑤/ℎ (2.36)
2 2
Trong đó là khả năng cho phép tương đối của chất điện môi với a và b được cho bới
công thức
𝑢 2
1 𝑢4 +( ) 1 (2.37)
𝑎 =1+ ln[ 52
]+ ln[1 + (𝑢/18,1)3 ]
49 𝑢4 +0,432 18,7
39
𝜀𝑟 − 0,9 0.053
𝑏 = 0,564 ) (2.38)
𝜀𝑟 + 3
Trở kháng đặc tính của phương trình được cho bởi công thức sau
𝜂0 𝑓 (𝑢 ) 4 (2.39)
𝑍= ln[ + √1 + 2 ]
2𝜋√𝜀𝑒𝑓𝑓 𝑢 𝑢
𝜇0
Với 𝜂0 = √ và khi đó hàm 𝑓(𝑢) được định nghĩa bởi:
𝜀0
30,666 0,7528 (2.40)

𝑓(𝑢 ) = 6 + (2𝜋 − 6) exp[−( ) ]
𝑢
Khi w/h đạt đến giới hạn hay có thể nói u tiến đến vô cùng thì ta có:
𝜂0 ℎ ℎ
𝜀𝑒𝑓𝑓 → 𝜀𝑟 , 𝑍 → =𝜂 (2.41)
√𝜀𝑟 𝑤 𝑤
Một số vật liệu được sử dụng như alumina, ceramic với 𝑒𝑟 = 9.8 và RT-Durold, các
giá trị thực tế về tỷ lệ chiều rộng trên chiều dài đều nằm trong đoạn 0,1 đến 10. Và các
giá trị của trở kháng đặc tính khi tồn tại trong hệ thống là khoảng 10 đến 200 Ohm Hình
phía dưới chỉ ra sự phụ thuộc của Z và 𝜀𝑒𝑓𝑓 vào u khi xét hai trường hợp với 𝜀𝑟 lần lượt
bằng 9,2 và 9,8
Hình 2.14: Trở kháng đặc tính và hiệu năng của đường microstrip
Sự tích hợp đường microstriop vần yêu cầu xác định giá trị rộng trên dài khi đưa
trước đặc tinh của trở kháng z. Với một Z cho trước tỷ lệ rộng chia dài được tính như
sau
40
Nếu 𝑢 ≤ 2 thì
8 (2.42)
𝑢=
𝑒 𝐴 − 2𝑒 −𝐴
Nếu u > 2
𝜀𝑟 −1 2
𝑢= [ln(𝐵 − 1) + 0,39 − 0,61
𝜀
] + [𝐵 − 1 − ln[2𝐵 − 1)] (2.43)
𝜀𝑟 𝜋 𝑟 𝜋
Trong đó A và B được cho bởi :
𝑍 𝜀𝑟 − 1 0,11
𝐴 = 𝜋√2(𝜀𝑟 + 1) + (0,23 + ) (2.44)
𝜂0 𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟
𝜋 𝜂0
𝐵= (2.45)
2√2𝜀𝑟 𝑍
Độ chính xác của phương trình trên là khoảng 1%, quá trình tinh chỉnh có thể được
thực hiện nhiều lần cho đến khi đạt được độ chính xác như phương trình 2.39. Khởi đầu
giá trị u được tính dựa trên phương trình 2.42 và 2.45, sau đó giá trị Z được tính qua
phương trình 2.39. Nếu Z lớn hơn ta có thể điều chỉnh giảm khoảng 0,2% so với giá trị
mong muốn, sau đó đến u được thay đổi và cứ tiếp túc cho đến khi đạt được dộ chính
xác mong muốn. Ta có thể thấy Z và u cùng giảm đi, do vậy nếu Z nhỏ hơn gí trị ta
mong muốn ta có thể giảm đi u một phần trăm nhỉ hoặc điều ngược lại xảy ra
Một số các hiệu ứng khác xảy ra khi sự dụng dòng microstrip cần được cân nhắc
như phân tán tần số, tổn thất điện môi, bức xạ bề mặt.
2.6.3. Đường dẫn đồng trục
Các giá trị thông thường của tiếp tuyến suy hao là khoảng 0,001 đối với alumia và
durodid. Tổn hao trong dây dẫn được tính gần đúng bằng phương trình sau:
𝑅𝑠 (2.46)
𝛼𝑐 =
𝑍𝑤
Đường đồng trục được mô tả như hình phía dưới, là đường truyền TEM được sử
dụng phổ biến nhất. Nó bao gồm hai dẫn dẫn đồng tâm có bán kinh trong và ngoài lần
lượt là a và b, không gian giữa chúng chứa chất điện môi. Các vấn đề liên quan đến sự
tĩnh điện có thể dễ dàng được giải quyết bằng trục tọa độ ρ,ϕ. Trong đó φ(ρ,ϕ) thỏa mãn
phương trình Laplace
41
1 𝜕 𝜕φ 1 𝜕2 φ
𝛻𝑇2 φ = (ρ )+ =0
ρ 𝜕ρ 𝜕ρ ρ2 𝜕2ϕ
Do tính đối xứng trục nên điện thế không phụ thuộc vào phương vị ϕ, do đó ta có:
1 𝜕 𝜕φ 𝜕φ
(ρ )=0→ρ = 𝐵 → φ(ρ) = A + B ln ρ
ρ 𝜕ρ 𝜕ρ 𝜕ρ
𝑏
Trong đó 𝐴 = −𝐵𝑙𝑛𝑏 và 𝐵 = −𝑉 ln ( )
𝑎
Nên phương trình trên trở thành:
𝑏 𝑏 (2.47)
φ(ρ) = [𝑉/ ln ( )] ln( )
𝑎 ρ
Ta giả sử dây dẫn bên ngoài được nối với đất, còn dây dẫn bên trong được giữ ở
điện áp V. Do vậy điện trường chỉ có thành phần hướng tâm và từ trường chỉ có thành
phần phương vị.
𝑉 1 𝑉 1
𝐸ρ = ( ) 𝐻𝜙 = (2.48)
𝑏 𝑏
ln ( ) ρ 𝜂ln( ) 𝜌
𝑎 𝑎
Khi đó ta thu được dòng điện:
Hình 2.15: Đường truyền cáp đồng trục
Phương trình dòng điện:
2𝜋 2𝜋
𝑉 1 2𝜋𝑉
𝐼= ∫ 𝐻𝜙 ρdϕ = ∫ 𝜌𝑑𝜙 = (2.49)
𝑏 𝑏
0 0 ηln( ) 𝜌 ηln( )
𝑎 𝑎
42
Từ đó ta cũng có trở kháng đặc tính và dòng, điện cảm, điện dung trên một đơn vị
chiều dài sẽ bằng:
𝜂 𝑏 𝜇 𝑏 2𝜋€
𝑍= ln ( ), 𝐿′ = ln ( ), 𝐶′ = 𝑏 (2.50)
2𝜋 𝑎 2𝜋 𝑎 ln ( )
𝑎
Biến đổi từ phương trình 2.49 ta biểu diễn từ trường ở dạng:
1
𝐻𝜙 = (2.51)
2𝜋𝜌
Công suất truyền cũng có thể được biểu thị bằng điện áp V hoặc bằng giá trị lớn
𝑏
nhất của điện trường bên trong sợi dây đó 𝐸𝑎 = V / (a ln ( ))
𝑎
Ngoài các tham số trên, tại phần lý thuyết này còn đưa ra hệ số tổn hao do suy giảm
khi truyền dẫn. Bởi sự độc lập với góc phương vị, do đó công suất suy hao sẽ là
1 𝜋|𝑉|2 1 𝑏
𝑃𝑇 = |𝑉 |2 = 𝑏 = |𝐸𝑎 |2 ln( )(𝜋𝑎2 ) (2.52)
2𝑍 𝜂ln( ) 𝜂 𝑎
𝑎
Sau khi thực hiện biến đổi ta cũng có phương trình:
1 1
𝑅𝑠 𝑎+𝑏
𝛼𝑐 = (2.53)
2𝜂 ln(𝑏)
𝑎
Mặt khác tổng suy hao sẽ được tính bằng suy hao của dây dẫn và suy hao của chất
điện môi
1 1
𝑅𝑠 𝑎+𝑏 𝜔
𝛼 = 𝛼𝑐 + 𝛼𝑑 = + 𝑡𝑎𝑛𝛿 (2.54)
2𝜂 ln(𝑏) 2𝑥
𝑎
Sự suy hao tính theo dB trên mỗi mét sẽ là alpha dB = 8.686α. Giá trị a và b càng
nhỏ thì suy hao càng lớn. Suy hao ohmic sẽ dẫn đến sự gia tăng nhiệt của chất điện môi
và chất bán dẫn cũng giới hạn định mức công suất của đường dây truyền tải.
43
Hình 2.16: Hệ số suy giảm với tần số
Mode truyền TEM là chế độ chiếm ưu thế và không có tần số cắt. Tuy nhiên tại TE
và TM với tần số cắt cao hơn cũng tồn tại trong các đường đồng trục, tuy nhiên tại TE11
với bước sóng và tần số cắt là
𝜋 𝑐 𝑐0
𝜆𝑐 = 1,873 (𝑎 + 𝑏), 𝑓𝑐 = = (2.55)
2 𝜆𝑐 𝜆𝑐 𝑛
2.6.4. Dây song hành
Hình 2.17: Dây song hành
Gồm hai dây dẫn có hình trụ song song với bán kính alpha và cách nhau một khoảng
bằng d. Đường dây song hành có thể gồm 4 dây hoặc 2 dây có màn chắn kim loại. Giả
sử các dây dẫn được đặt tại điện thế +- V/2 và điện tích trên mỗi đơn vị chiều dài là +-
Q. Vấn đề tính điện của dây song hành có thẻ được giải quyết bằng cách cộng điện thế
do hai đường thẳng tạo ra, sao cho điện trường tại điểm p sẽ là
𝑄′ 𝑄′ 𝑄′ (2.57)
φ(𝜌, 𝜙) = − 2𝜀𝜋 ln 𝜌1 = ln 𝜌2 = ln( 𝜌2 /𝜌1 )
2𝜀𝜋 2𝜀𝜋
44
Trong đó 𝜌1 và 𝜌2 là:
𝜌1 = √𝜌2 − 2𝜌𝑏1 𝑐𝑜𝑠𝜙 + 𝑏1 2 𝜌2 = √𝜌2 − 2𝜌𝑏2 𝑐𝑜𝑠𝜙 + 𝑏2 2 (2.58)
Vì vậy ta có
√𝜌2 −2𝜌𝑏2 𝑐𝑜𝑠𝜙+𝑏2 2

𝑄′ 𝑄′ (2.59)
φ(𝜌, 𝜙) = ln( 𝜌2 /𝜌1 ) = 2𝜀𝜋 ln( )
2𝜀𝜋
√𝜌2 −2𝜌𝑏1 𝑐𝑜𝑠𝜙+𝑏1 2
Nếu muốn bề mặt bên trái của vật dẫn là đẳng thế tại vị trí p =a thì hằng số𝜌2 /𝜌1
cần độc lập với 𝜙
𝑎
𝑏2 = 𝑘𝑎, 𝑏1 = (2.60)
𝑘
Đại lượng k có thể được biểu thị dưới dạng a và d, tuy nhiên do tính đối xứng điện
tích - Q cũng nằm cách tâm của dây dẫn bên phải một khoảng có giá trị 𝑏1
Do đó sẽ có điều kiện như sau:
𝑑 (2.61)
𝑏1 + 𝑏2 = 𝑑 → 𝑎(𝑘 + 𝑎−1 ) = 𝑑 → 𝑘 + 𝑘 −1 =
𝑎
Nên ta có
𝑑 (2.62)
𝑘 = 2𝑎 + √(𝑑/2𝑎)2 − 1
Từ đó ta suy ra được tham số như sau
𝑄 ′ 𝜀𝜋
′
𝜀𝜋
𝐶 = = = (2.63)
𝑉 𝑋 𝑑
acosh(2𝑎 )
Trở kháng đường truyền và độ tự cảm có được từ 𝐶 ′ = 𝜀𝜂/𝑍 và 𝐿′ = 𝜇𝑍/𝜂. Do vậy

ta có
𝜂ᵪ 𝜂 𝑑 𝜇ᵪ 𝜇 𝑑 (2.64)
Z= = 𝜋 acosh(2𝑎) 𝐿′ = = 𝜋 acosh(2𝑎)
𝜋 𝜋
45
Nếu d lớn hơn rất nhiều so với a khi đó ta có k xấp xỉ bằng thương số d trên a và vì
vậy 𝑋 = 𝑙𝑛(𝑘). Từ đó suy ra trở kháng bằng
𝜂 𝑑 (2.65)
𝑍= ln(𝑎)
𝜋
Thay thế 𝑏2 = 𝑎𝑘 và 𝑏1 = 𝑎/𝑘
𝑄′ 𝜌2 −2𝜌𝑎𝑘𝑐𝑜𝑠𝜙+𝑎 2 𝑘 2
1 (2.66)
φ(𝜌, 𝜙) = ln( 𝑘√ 𝜌2 𝑘 2 −2𝜌𝑎𝑘𝑐𝑜𝑠𝜙+𝑎 2
)
2𝜀𝜋
Thành phần điện trường và từ trường
ꝺ𝜑 ꝺ𝜑
𝐸𝑝 = 𝜂𝐻𝜙 = − ꝺ𝜌 𝐸𝜙 = −𝞰𝐻𝑝 = − ꝺ𝜌𝜙 (2.67)
Bên cạnh đó giá trị điện trở trên mỗi đơn vị chiều dài tương đương với hằng số suy
hao do tổn thất dây dẫn là:
𝑅𝑆 𝑑 𝑅′ 𝑅 𝑑
𝑅′ = √𝑑2 −4𝑎2
; 𝑆
𝛼𝑐 = 2𝑍 2𝜂𝑎 𝑑
(2.68)
𝜋𝑎 acosh( )√𝑑2 −4𝑎2
2𝑎
2.6.5. Ống dẫn sóng hình hộp chữ nhật

Ống dẫn sóng hình chữ nhật có hình dạng trụ với tiết diện hình chữ nhật được dùng
để truyền sóng. Thông thường loại ống dẫn sóng này được sử dụng cho tần số vô tuyến
với các tần số trong dải tần SHF (3-30 GHz) và cao hơn. Điện trường trong ống dẫn
sóng hình chữ nhật thường bao gốm một số chế độ truyền phục thuộc vào cường độ
điện trường của ống dẫn sóng. Các chế độ này thường là điện trường ngang và từ trường
ngang. Tuy nhiên trong phần này ta sẽ xem xét chế độ điện trường ngang.
Hình 2.18 phía dưới mô tả dạng hình học của ống dẫn sóng, tại đây các mặt 𝑥 =
0, 𝑥 = 𝑎, 𝑦 = 0, 𝑦 = 𝑏, do đó chiều rộng và dài lần lượt là 𝑎 và 𝑏. Mặt bên trong của
ống dẫn sóng gồm các vật liệu có suy hao thấp và được biểu diễn μ với các giá trị thực
€, các mặt của ống dẫn sóng được đảm bảo có độ dẫn điện tốt
Hình 2.18: Tham số kích thước của ống dẫn sóng hình hộp chữ nhật
46
Điện trường trong ống dẫn sóng được hiệu chính bằng phương trình sóng.
𝛻 2 𝐸̃ + 𝛽2 𝐸̃ = 0 (2.69)
Trong đó
𝛽 = 𝜔√μ𝜀 (2.70)
Kết hợp với các điều kiện biên ta được một giải pháp. Giải pháp dễ dàng được xác
định trong tọa độ Cartesian. Đầu tiên ta biểu diễn 𝐸̃ trong tọa độ Cartesian.
𝐸̃ = 𝑥̂𝐸̃𝑥 + 𝑦̂𝐸̃𝑦 + 𝑧̂ 𝐸̃𝑧 (2.71)
Phân tách các thành phần trên ta có ba phương trình biểu diễn các thành phần đó
như sau:
𝛻 2 𝐸̃𝑥 + 𝛽2 𝐸̃𝑥 = 0 (2.72)
𝛻 2 𝐸̃𝑦 + 𝛽2 𝐸̃𝑦 = 0 (2.73)
𝛻 2 𝐸̃𝑧 + 𝛽2 𝐸̃𝑧 = 0 (2.74)
Biểu diễn tham số trong tọa độ Cartesian
2
𝜕2 𝜕2 𝜕2 (2.75)
𝛻 = 2+ 2+ 2
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
Từ đó ta có các phương trình như phía dưới
𝜕2 𝜕2 𝜕2 (2.76)
̃
𝐸 + ̃
𝐸 + 𝐸̃ + 𝛽2 𝐸̃𝑥 = 0
𝜕𝑥 2 𝑥 𝜕𝑦 2 𝑥 𝜕𝑧 2 𝑥
𝜕2 𝜕2 𝜕2 (2.77)
2
𝐸𝑦 + 2 𝐸𝑦 + 2 𝐸̃𝑦 + 𝛽2 𝐸̃𝑦 = 0
̃ ̃
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
𝜕2 𝜕2 𝜕2 (2.78)
̃𝑧 +
𝐸 ̃𝑧 +
𝐸 𝐸̃𝑧 + 𝛽2 𝐸̃𝑧 = 0
𝜕𝑥 2 𝜕𝑦 2 𝜕𝑧 2
Thông thường ta mong đợi tổng điện trường sẽ bao gồm cả điện trường có hướng
và vô hướng. Khi ấy nếu ta phân tích một dạng thì sẽ thu được dạng còn lại theo tính
chất đối xứng.Và tổng điện trường lúc này sẽ là phép cộng tuyến tính. Với ý tưởng nêu
ở trên ta giới hạn sự phân tích theo dạng sóng có hướng
Tất cả các thành phần điện trường và từ trường có thể dễ dàng được tính toán lại 𝐸̃𝑧
̃𝑧 . Vấn đề có thể đơn giản hơn khi ta phân tách các thành phần của dạng sóng vô
và 𝐻
47
hướng vào thành phần TM và TE. Thành phần TM được xác định bởi thuộc tính nghĩa
là vuông góc với dạng sóng. Do đó, thành phần TM được xác định bởi. Khi ấy ta ó các
phương trình như phía dưới.
𝑘𝑧 𝜕𝐸̃𝑥
𝐸̃𝑥 = −𝑗 (2.79)
𝑘𝜌2 𝜕𝑥
𝑘𝑧 𝜕𝐸̃𝑥
𝐸̃𝑦 = −𝑗 (2.80)
𝑘𝜌2 𝜕𝑦
𝜔𝜇 𝜕𝐸̃𝑥
̃𝑥 = +𝑗
𝐻 (2.81)
𝑘𝜌2 𝜕𝑦
𝜔𝜇 𝜕𝐸̃𝑧
̃𝑦 = −𝑗
𝐻 (2.82)
𝑘𝜌2 𝜕𝑥
Trong đó:
𝑘𝜌2 ≙ 𝛽2 − 𝑘𝑧2 (2.83)
Và hằng số 𝑘𝑧 pha tức là sóng được giả định sẽ lan truyền theo 𝑒 −𝑗𝑧𝑘𝑧
Để xác định được trường TM trước tiên cần xác định trường 𝐸̃𝑧 . Ta thấy rằng hoàn
toàn có thể biểu diễn dưới dạng hệ số lan truyền nhân với các hệ số mô tả sự biến đổi
về mặt không gian 𝑥 và 𝑦
𝐸̃𝑧 = 𝑒̃𝑥 (𝑥, 𝑦) 𝑒 −𝑗𝑧𝑘𝑧 (2.84)
Thay phương trình trên vào phương trình 2.78 và lấy nhân tử chung ta có:
𝜕2 𝜕2 (2.85)
𝑒̃ + 𝑒̃ − 𝑘𝑧2 𝑒̃𝑧 + 𝛽2 𝑒̃𝑧 = 0
𝜕𝑥 2 𝑧 𝜕𝑦 2 𝑧
Khi đó ta có
𝜕2 𝜕2 (2.85)
𝑒̃ + 𝑒̃ − 𝑘𝑧2 𝑒̃𝑧 + 𝛽2 𝑒̃𝑧 = 0
𝜕𝑥 2 𝑧 𝜕𝑦 2 𝑧
Đây là phương trình vi phân riêng cho với các biến là x và y. Phương trình này có
thể được giải bằng các phân tách các biến thành riêng biệt, ta thấy rằng 𝑒̃𝑧 (𝑥, 𝑦) có thể
được phân tách thành 𝑋(𝑥) chỉ phụ thuộc 𝑥 và 𝑌(𝑦) chỉ phụ thuộc vào biến 𝑦
𝑒̃𝑧 (𝑥, 𝑦) = 𝑋 (𝑥)𝑌(𝑦) (2.86)
48
Thay phương trình trên vào phương trình 2.85 ta có
𝜕2 𝜕2 (2.87)
𝑌 2
𝑋+𝑋 𝑌 + 𝑘𝜌2 𝑋𝑌 = 0
𝜕𝑥 𝜕𝑦 2
Sau đó chia cho 𝑋𝑌 ta được
𝜕2 1 𝜕2 1 (2.88)
𝑋 +𝑌 + 𝑘𝜌2 = 0
𝜕𝑥 2 𝑋 𝜕𝑦 2 𝑌
Lưu ý rằng thành phần đầu tiên chỉ phụ thuộc x, thành phần thứ hai chỉ phụ thuộc
vào 𝑦 và các thành phần còn lại là hằng số. Tổng của thành phần thứ nhất và thứ hai là
hằng số và cụ thể là −𝑘𝜌2 . Do đó nó phụ thuộc vào thành phần thứ nhất hoặc thứ hai,
nhưng không phụ thuộc vào cả hai. Thành phần thứ nhất và thứ hai phải bằng một vài
hằng số và tổng vủa chúng phải bằng −𝑘𝜌2 . Như vậy ta hoàn toàn có thể tách phương
trình này ra thành các phương trình thành phần như sau:
𝜕2 1 (2.89)
𝑋 2 + 𝑘𝑥2 = 0
𝜕𝑥 𝑋
𝜕2 1 (2.90)
𝑌 2 + 𝑘𝑦2 = 0
𝜕𝑥 𝑌
Ở đó các hằng số 𝑘𝑥2 và 𝑘𝑦2 phải được xác định:
𝑘𝑥2 + 𝑘𝑦2 = 𝑘𝜌2 (2.91)
Nhân hai phương trình 2.89 và 2.90 với lần lượt 𝑋 và 𝑌 ta tương ứng tìm được:
𝜕2 (2.92)
𝑋 + 𝑋𝑘𝑥2 = 0
𝜕𝑥 2
(2.93)
𝜕2
𝑌 2 + 𝑌𝑘𝑦2 = 0
𝜕𝑥
Trong đó 𝐴, 𝐵, 𝐶 và 𝐷 tương tự như là các hằng số cần được xác định. Tại thời điểm
này ta quan sát thấy dạng sóng có thể được biểu diễn như sau:
𝐸̃𝑧 = 𝑒̃𝑧 (𝑥, 𝑦)𝑒 −𝑗𝑧𝑘𝑧 = 𝑋 (𝑥)𝑌(𝑦)𝑒 −𝑗𝑧𝑘𝑧 (2.94)
Giải pháp căn bản được hoàn thành ngoại trừ các giá trị 𝐴, 𝐵, 𝐶, 𝐷, 𝑘𝑥 , 𝑘𝑦 . Các giá
trị của các hằng số được xác định bằng việc áp dụng các điều kiện điện từ biên liên
quan. Và vì thế trong trường hợp này, thành phần tiếp tuyến của các mặt dẫn điện đã
được đề cập ở trên cần phải bằng 0. Tuy nhiên vì thành phần này tiếp tuyền với tất cả
bốn mặt nên ta có
49
𝐸̃𝑥 (𝑥 = 0) = 0 (2.95)
𝐸̃𝑥 (𝑥 = 𝑎) = 0 (2.96)
𝐸̃𝑧 (𝑦 = 0) = 0 (2.97)
𝐸̃𝑧 (𝑥 = 𝑏) = 0 (2.98)
Đối chiếu với phương trình 6.8.29, các điều kiện biên lúc này trở thành
𝑋 (𝑥 = 0) = 0 (2.99)
(2.100)
𝑋 (𝑥 = 𝑎 ) = 0
(2.101)
𝑌 (𝑦 = 0) = 0
(2.102)
𝑌 (𝑦 = 𝑏 ) = 0
Sử dụng các phương trình ở trên ta có được
𝐴. 1 + 𝐵. 0 = 0 (2.103)
𝐴𝑐𝑜𝑠(𝑘𝑥 𝑎) + 𝐵𝑠𝑖𝑛(𝑘𝑥 𝑎) = 0 (2.104)
(2.105)
𝐶. 1 + 𝐷. 0 = 0
(2.106)
𝐶𝑐𝑜𝑠(𝑘𝑦 𝑏) + 𝐷𝑠𝑖𝑛(𝑘𝑦 𝑏) = 0
Phương trình 2.103 và 2.105 có thể được xác định nếu 𝐴 = 0 và 𝐶 = 0, khi đó
phương trình 2.104 và 2.106 được đơn giản hóa thành như sau:
𝑠𝑖 𝑛(𝑘𝑥 𝑎) = 0 (2.107)
(2.108)
𝑠𝑖 𝑛(𝑘𝑦 𝑏) = 0
Khi ấy:
𝑚𝜋
𝑘𝑥 = , 𝑚 = 0,1,2 …. (2.109)
𝑎
𝑚𝜋 (2.110)
𝑘𝑦 = , 𝑛 = 0,1,2 ….
𝑏
Mỗi giá trị nguyên dương của dẫn đến một biểu thức hợp lệ được gọi là một chế độ.
Các trường có giá trị là 0 và do đó không được xét đến. Tổng quát ta có:
50
𝐸̃𝑧 = ∑∞ ∞ ̃ (𝑚,𝑛)
𝑚=1 ∑𝑛=1 𝐸𝑧
(2.111)
Trong đó:
(𝑚,𝑛) (𝑚,𝑛) 𝑚𝜋 𝑛𝜋 (𝑚,𝑛)

𝐸̃𝑧 ≙ 𝐸0 sin (𝑥 ) sin(𝑦 )𝑒 −𝑗𝑘𝑧 𝑧 (2.112)
𝑎 𝑏
(𝑚,𝑛)
Trong đó 𝐸0 là một hằng số tùy ý (hợp nhất các hằng số 𝐵 và 𝐷) do vậy:
𝑘𝑥2 + 𝑘𝑦2 = 𝑘𝜌2 ≙ 𝛽2 − 𝑘𝑧2 :
(𝑚,𝑛) 𝑚𝜋 2 𝑛𝜋 2 (2.113)
𝑘𝑧 = √𝜔 2 𝜇€ − ( ) −( )
𝑎 𝑏
Tổng quát
Thành phần TM của sóng có định hướng trong ống dẫn sóng hình chữ nhật được
xác định bởi phương trình 2.112, 2.113, 2.109 và 2.110. Các trường khác không có thể
được xác định 2.78 đến 2.81
Để thuận tiện ta nói rằng các chế độ trong ống dẫn sóng hình chữ nhật thườngđược
kí hiệu là TM. Vì hế độ này được đưa ra bởi phương trình 2.112 khi 𝑚 = 1 và 𝑛 = 2
(𝑚,𝑛)
Cuối cùng, giá trị 𝑘𝑧 có được từ phương trình 48 không nhất thiết phải là giá trị
(𝑚,𝑛)
thực. Đối với bất kỳ giá trị đã cho của m 𝑘𝑧 sẽ có các giá trị ảo lớn hơn một vài giá
(𝑚,𝑛)
trị tương ứng. và điều tương tự cũng xảy ra với giá trị n, 𝑘𝑧 . Hiện tượng này xảy ra
ở cả hai chế độ là TM và TE.
2.6.6. Ống dẫn sóng tròn
Ống dẫn sóng hình tròn có bán kính là 𝑎, có thể các bước lần lượt như đối với ống
dẫn sóng hình chữ nhật để tìm các thành phần 𝐸𝑧 và 𝐻𝑧 . φ
Hình 2.19: Tham số kích thước của ống dẫn sóng hình tròn
Trong hệ tọa độ trụ trường ngang là
51
𝐸𝑇 = 𝑝̂ 𝐸𝜌 + 𝜙̂
̅̅̅ ̅̅̅̅𝑇 = 𝑝̂ 𝐻𝜌 + 𝜙̂𝐻𝜙
𝐻 (2.114)
Sử dụng phương trình Maxwell ta có
𝑗 𝜔€ 𝜕𝐸𝑧 𝜕𝐻𝑧 (2.115)

𝐻𝜌 = ( − 𝛽 )
𝑘𝑐2 𝜌 𝜕𝜙 𝜕𝜌
−𝑗 𝜕𝐸𝑧 𝛽 𝜕𝐻𝑧
𝐻𝜙 = (𝜔€ − ) (2.116)
𝑘𝑐2 𝜕𝜌 𝜌 𝜕𝜙
−𝑗 𝜕𝐸𝑧 𝜔𝜇 𝜕𝐻𝑧
𝐸𝜌 = (𝛽 − ) (2.117)
𝑘𝑐2 𝜕𝜌 𝜌 𝜕𝜙
−𝑗 𝛽 𝜕𝐸𝑧 𝜕𝐻𝑧
𝐸𝜙 = ( − 𝜔𝜇 ) (2.118)
𝑘𝑐2 𝜌 𝜕ɸ 𝜕𝜌
Trong đó 𝑘𝑐2 = 𝑘 2 − 𝛽2 được cho trước. Chú ý rằng ở đây chúng ta cũng giả sử có
tồn tại sự lan truyền 𝑒 −𝑗𝑧𝛽 . Với 𝑒 +𝑗𝑧𝛽 sự lan truyền ta thay thế 𝛽 bằng −𝛽
2.6.6.1. Mode TE
Phương trình sóng Hz là:
(𝛻 2 + 𝑘 2 )𝐻𝑧 = 0 (2.119)
𝜕2 1 𝜕 1 𝜕2 𝜕2 (2.120)
( 2
+ + + + 𝑘 2 ) 𝐻𝑧 (𝜌, ɸ, 𝑧) = 0
𝜕𝜌 𝜌 𝜕𝜌 𝜌2 𝜕ɸ 2 𝜕𝑧 2
Sử dụng các phương pháp tách các biến khi đó ta đặt 𝐻𝑧 (𝜌, ɸ, 𝑧)và
𝑅(𝜌)𝑃(ɸ)𝑒 −𝑗𝑧𝛽 có được:
1 1
[𝑅′′ 𝑃 + 𝑅′ 𝑃 + 2 𝑅𝑃′′ + (𝑘
⏟ 2 − 𝛽2 ) 𝑅𝑃] 𝑒 −𝑗𝑧𝛽 = 0 (2.121)
𝜌 𝜌 2 𝑘𝑐
Nhân với hệ số chung ta có
2 𝑅′′ 𝑅′ 𝑃′′
𝜌
⏟ +𝜌 + 𝜌2 𝑘𝑐2 + ⏟ (2.122)
𝑅 𝑅 𝑃
ℎà𝑚 𝑐ủ𝑎 𝜌 ℎà𝑚 𝑐ủ𝑎 𝜌
Bởi vì các thành phần trong phương trình tổng lại là hằng số nhưng mỗi số đó lại phụ
thuộc vào một hệ tọa độ riêng
52
𝑃′′ (2.123)
= 𝑘ɸ2 => 𝑃′′ + 𝑘ɸ2 𝑃 = 0
𝑃
Và vì vậy
𝑃(ɸ) = 𝐴0 sin(𝑘𝜙 ɸ) + 𝐵0 cos(𝑘𝜙 ɸ) (2.124)
Sử dụng kết quả trong phương trình 2.122 dẫn đến
𝑅′′ 𝑅′ (2.125)
𝜌2 + 𝜌 + (𝜌2 𝑘𝑐2 − 𝑘ɸ2 ) = 0
𝑅 𝑅
Hoặc 2.126
𝜌2 𝑅′′ + 𝜌𝑅′ + (𝜌2 𝑘𝑐2 − 𝑘ɸ2 )𝑅 = 0 (2.126)
Đây được gọi là phương trình vi phân Bessel. Bây giờ, chúng ta có thể phương pháp
Frobenius để giải phương trình này. Nhưng điều này sẽ dẫn đến các hướng giải pháp
mà ta đã biết. Các chuỗi này sẽ có một đặc tính đặc biệt (giống như sin và cosin)
𝑅( 𝜌) = 𝐶0 𝐽𝑘𝜙 (𝑘𝑐 𝜌) + 𝐷0 𝑁𝑘𝜙 (𝑘𝑐 𝜌) (2.127)
Trong đó hàm 𝐽𝑣 (𝑥)Bessel loại 1 và 𝑁𝑣 (𝑥) là hàm Bessel loại 2

1. Đầu tiên, ta kiểm tra lại 𝑘ɸ
𝐻𝑧 (𝜌, 𝜙, 𝑧) = [𝐶0 𝐽𝑘𝜙 (𝑘𝑐 𝜌) + 𝐷0 𝑁𝑘𝜙 (𝑘𝑐 𝜌)][𝐴0 sin(𝑘𝜙 ɸ)

(2.128)
+𝐵0 cos(𝑘𝜙 ɸ) ] 𝑒 −𝑗𝑧𝛽
Rõ ràng rằng 𝐻𝑧 (𝜌, 𝜙, 𝑧) = 𝐻𝑧 (𝜌, 𝜙 + 2𝑙𝜋, 𝑧) với một là số nguyên. Điều này chỉ
đúng khi với 𝑘𝜙 = 𝑣 là số nguyên
𝐻𝑧 (𝜌, 𝜙, 𝑧) = [𝐶0 𝐽𝑣 (𝑘𝑐 𝜌) + 𝐷0 𝑁𝑣 (𝑘𝑐 𝜌)][𝐴0 sin(𝑣ɸ)
(2.129)
+𝐵0 cos(𝑣ɸ) ] 𝑒 −𝑗𝑧𝛽
2. Ta thấy rằng khi thì. Rõ ràng nếu là miền của ống dẫn sóng.Tuy nhiên về mặt
vật lý chúng ta không thể có cường độ trường vô hạn vào thời điểm này. Điều
này dẫn chúng ta đến kết luận 𝐷0 = 0
𝐻𝑧 (𝜌, 𝜙, 𝑧) = [𝐴0 sin(𝑣ɸ) + 𝐵0 cos(𝑣ɸ) ]𝐽𝑣 (𝑘𝑐 𝜌)𝑒 −𝑗𝑧𝛽 (2.130)
53
3. Các giá trị tương đối của A và B liên quan đến hệ tọa độ tuyệt đối mà chung ta
sử dụng để xác định ống dẫn sóng. Ví dụ A = và B ta có thể tìm giá trị của F
và để thực hiện bước này. Và sau đó ta có:
𝐴0 sin(𝑣ɸ) + 𝐵0 cos(𝑣ɸ) = 𝐹𝑠𝑖𝑛[𝑣(𝜙 − 𝜙0 )] (2.131)
Giá trị của 𝜙0 có thể được coi là tham số để tham chiều tọa độ để đo 𝜙
4. Cần xác định 𝑘𝑐 . Các điều kiện biên cần được áp dụng là 𝐸𝜙 (𝜌, 𝜙, 𝑧) với đại
diện 𝜌 = 𝑎 cho ống dẫn sóng biên.
𝑗𝜔𝜇 𝜕𝐻𝑧
𝐸𝜙 (𝜌, 𝜙, 𝑧) = (2.132)
𝑘𝑐2 𝜕𝜌
𝑗𝜔𝜇
𝐸𝜙 (𝜌, 𝜙, 𝑧) = 2
[𝐴0 sin(𝑣ɸ) + 𝐵0 cos(𝑣ɸ) ]𝑘𝑐 𝐽𝑣′ (𝑘𝑐 𝜌)𝑒 −𝑗𝑧𝛽 (2.133)
𝑘𝑐
Trong đó
𝑑
𝐽𝑣′ (𝑥) = 𝐽 (𝑥) (2.134)
𝑑 (𝑥 ) 𝑣
Các điều kiện biên được áp dụng 𝐽𝑣′ (𝑘𝑐 𝑎) = 0 vì vậy
′
𝜌𝑣𝑛
′
𝑘𝑐 𝑎 = 𝜌𝑣𝑛 -> 𝑘𝑐 = (2.135)
𝑎
′
Trong đó 𝜌𝑣𝑛 là số hạng 0 thứ n của 𝐽𝑣′ (𝑥). Bảng phía dưới mô tả một vài số hạng
bằng 0 của 𝐽𝑣′ (𝑥)
Bảng 2.1: Bảng số hạng của 𝐽𝑣′ (𝑥)
𝐽𝑣′ (𝑘𝑐 𝑎) = 0 𝑛=1 𝑛=2 𝑛=3

𝑣=0 0.0000 3.8317 7.0156
𝑣=1 1.8412 5.3314 8.5363
𝑣=2 3.0542 6.7061 9.9695
5. Khi đó ta có 𝑘𝑐2 = 𝑘 2 − 𝛽2
′ 2
𝜌𝑣𝑛
2 2
𝛽 =𝑘 −( ) (2.136)
𝑎
Ta lưu ý rằng sẽ không có ɸ tại đây. Tuy nhiên, biến ɸ của trường trong ống dẫn
sóng được biểu thị bằng 𝛽
6. Tần số cắt 𝛽 = 0 vì tại tần số cắt 𝑘 = 𝑘𝑐 = 2𝜋𝑓𝑐,𝑣𝑛 /𝑐
′
𝜌𝑣𝑛 𝑐
𝑓𝑐,𝑣𝑛 = (2.137)
𝑎 2𝜋
54
7. Dominat Mode, ta không tính đến mode TE01 khi dẫn đến kết quả trường bằng
′ ′
𝜌01 = 0. Mode TE chiếm ưu thế hơn khi là mode có giá trị 𝜌𝑣𝑛 khác 0 nhỏ nhất
8. Các biểu thức cho bước sóng và vận tốc pha suy ra cho ống dẫn sóng hình chữ
nhật áp dụng ở đây. Tuy nhiên ta cần sử dụng tần số cắt thích ợp ch biểu thức
này
2.6.6.2. Mode TM
Ta có thể làm tương tự, nhìn chung các bước dẫn giải đều giống nhau ngoại trừ việc
chúng ta đang giải cho Ez. Khi ấy ta có thể viết:
𝐸𝜙 (𝜌, 𝜙, 𝑧) = [𝐴0 sin(𝑣ɸ) + 𝐵0 cos(𝑣ɸ) ]𝐽𝑣 (𝑘𝑐 𝜌)𝑒 −𝑗𝑧𝛽 (2.138)
Các điều kiện biên trong trường hợp này 𝐸𝑧 (𝑎, 𝜙, 𝑧) = 0 hoặc 𝐽𝑣 (𝑘𝑐 𝑎) = 0 dẫn đến:
𝜌𝑣𝑛
𝑘𝑐 𝑎 = 𝜌𝑣𝑛 -> 𝑘𝑐 = (2.139)
𝑎
Trong đó 𝜌𝑣𝑛 là số hạng 0 thứ n của 𝐽𝑣 (𝑥)

Bảng 2.2: Bảng số hạng của 𝐽𝑣 (𝑥)
𝐽𝑣 (𝑘𝑐 𝑎) = 0 𝑛=1 𝑛=2 𝑛=3

𝑣=0 2.4048 5.5201 8.6537
𝑣=1 3.8317 7.0156 10.1735
𝑣=2 5.1356 8.4172 11.6198
Trong trường hợp này ta có
𝜌𝑣𝑛 2
𝛽2 = 𝑘 2 − ( ) (2.140)
𝑎
𝜌𝑣𝑛 𝑐
𝑓𝑐,𝑣𝑛 = (2.141)
𝑎 2𝜋
Rõ ràng ở đây TE11 là mode tổng của ống dẫn sóng
2.6.6.3. Hàm Bessel
Có một số các đặc tính của hàm trên được thể hiện lại bằng các phương trình dưới
đây:
∞ 𝑥
(−1)𝑛 ( )2𝑛+𝑣
𝐽𝑣 (𝑥) = ∑ 2 (2.142)
𝑛! 𝑛 + 𝑣 )!
(
𝑛=0
𝐽𝑝 (𝑥) cos(𝑝𝜋) − 𝐽−𝑝 (𝑥)

𝑁𝑣 (𝑥) = lim (2.143)
𝜌→𝑣 sin(𝑝𝜋)
𝐽𝑣 (−𝑥) = (−1)𝑣 𝐽𝑣 (𝑥) x là số nguyên (2.144)
55
2 𝜋 𝜋
𝐽𝑣 (𝑥) ≃ √ cos (𝑥 − − 𝑣 ) 𝑥→∞ (2.145)
𝜋𝑥 4 2
2 𝜋 𝜋
𝑁𝑣 (𝑥) ≃ √ sin (𝑥 − − 𝑣 ) 𝑥→∞ (2.146)
𝜋𝑥 4 2
𝑑
𝑍 (𝑥) = 𝑍𝑣−1 (𝑥) − 𝑣𝑍𝑣 (𝑥)/𝑥 (2.147)
𝑑 (𝑥 ) 𝑣
Trong đó Z là bất kì hàm Bessel nào. Hình dưới dây thể hiện chức năng
Hình 2.20: Hàm Bessel loại 1
Hình 2.21: Hàm Bessel loại 2

Chương 2 đã trình bày các lý thuyết cơ bản về mạch dẫn sóng. Trong thiết kế mạch
siêu cao tần, mạch dẫn sóng là phần tử không thể thiếu và đóng vai trò vô cùng quan
56
trọng trong việc kết nối các khối mạch cao tần. Đầu tiên các lý thuyết về mạch tương
đương, các định luật và các tham số cơ bản đã được giới thiệu, trong đó tham số quan
trọng nhất cần nắm được là hệ số phản xạ , trở kháng Z và hệ số sóng dừng điện áp
VSWR. Từ các lý thuyết cơ bản này, sinh viên áp dụng để hiểu được đáp ứng của mạch
dẫn sóng trong các trường hợp tải đặc biệt cũng như phân tích hoạt động của một số
mạch dẫn sóng cơ bản thường được sử dụng trong các thiết kế mạch siêu cao tần.
Các lý thuyết về việc thiết kế các loại mạch dẫn sóng cơ bản thường được sử dụng
cũng đã được trình bày. Các lý thuyết này có thể được sử dụng làm tài liệu tham khảo,
tra cứu phục vụ cho việc thiết kế tuỳ theo các yêu cầu mạch cụ thể.
Ngoài ra mạch dẫn sóng cũng có thể được áp dụng trong mạch phối hợp trở kháng.
Phần này sẽ được trình bày trong chương 3.

2.8.1. Câu hỏi
1. Trình bày các định luật cơ bản áp dụng trong lý thuyết mạch dẫn sóng
2. Trình bày khái niệm hệ số phản xạ điện áp
3. Trình bày khái niệm hằng số truyền lan
4. Trình bày khái niệm tỷ số sóng đứng điện áp
5. Trình bày khái niệm trở kháng đầu vào của mạch cao tần
6. Trình bày biểu thức trở kháng sóng trong các trường hợp tải đặc biệt
7. Trình bày khái niệm dây dẫn sóng dựa trên bản dẫn phẳng song song
8. Trình bày khái niệm dây dẫn sóng vi dải
9. Trình bày khái niệm dây dẫn sóng đồng trục
10. Trình bày khái niệm dây dẫn sóng sử dụng dây song hành
11. Trình bày khái niệm ống dẫn sóng hình hộp chữ nhật
12. Trình bày khái niệm ống dẫn sóng hình tròn
2.8.2. Bài tập
1. Một phép đo điện áp dọc theo một một dây dẫn sóng tại 1GHz cho thấy bước
sóng trong dây là 10 cm. Tính hằng số điện môi tương đối hiệu dụng của dây.
2. Tính từ trường tạo ra bởi hai dây dẫn thẳng dài vô hạn chạy song song đặt cách
nhau một khoảng cách D = 5cm. Hai dây có kích thước giống nhau, có bán kính a =
57
5mm chạy dọc theo trục z và mang dòng DC 5A. Biết rằng trường tổng cộng bằng tổng
trường gây ra bởi từng dây.
3. Một dây cáp lí tưởng (lossless) có trở kháng 75. Đo một đoạn cáp dài 0,5m tính
được điện dung C = 33,6 pF. Tính điện dung và điện cảm trên 1m dài của dây.
4. Tính các tham số R, L, G, C tương đương của dây cáp đồng trục với các đặc điểm
sau: lõi dẫn điện kim loại bằng đồng, bán kính a = 0,5mm, vỏ dẫn điện bên ngoài bằng
đồng, bán kính b = 1,5mm, Cu = 64,516 x 106 S/m, lớp điện môi ở giữa bằng
Polyethylene có độ dẫn điện Poly = 10-14 S/m.
5. Thiết kế dường dẫn vi dải 50  tại tần số 1 GHz, biết hằng số điện môi của lớp
chất nền là 2,23, độ dày bảng mạch 0,787 và bỏ qua độ dày của lớp đồng. (Gợi ý: Chọn
trường hợp w/h > 2). Tính Vận tốc truyền sóng trên dây.
6. Một máy phát FM hoạt động tại tần số 100 MHz, trở kháng ra của bộ khuếch đại
là 250.
Tính độ dài và trở kháng đặc trưng của dây dẫn sóng ¼ bước sóng để phối hợp trở
kháng giữa bộ khuếch đại với anten phát là một anten dipole có trở kháng vào 75. Biết
vận tốc truyền pha trên dây dẫn sóng bằng 0,7 vận tốc ánh sáng.
Thiết kế kích thước cáp đồng trục thoả mãn các tham số tính được từ câu a. Với lớp
điện môi Teflon εr = 2.1, bán kính vỏ ngoài 1 cm.
7. Thiết kế đoạn dây dẫn sóng vi dải ¼ bước sóng để phối hợp trở kháng giữa một
transitor có trở kháng vào ZL = 25 với một dây dẫn sóng 50 tại tần số 500 MHz. Biết
vật liệu làm mạch có hằng số điện môi εr = 4,3 với độ dày h = 1,6mm
8. Một dây cáp đồng trục lý tưởng có trở kháng 50 . Dây được nối ngắn mạch ở
đầu ra. Tính trở kháng đầu vào trong các trường hợp dây dài 2 bước sóng, 0,75 bước
sóng và 0,5 bước sóng.
9. Trong trường hợp dây dẫn sóng không lý tưởng, có suy hao. Trở kháng vào tại
đầu dây được tính theo công thức:
Z L  jZ0 tanh  l
Zin  l   Z0
Z0  jZ L tanh  l
Trong đó: Hằng số truyền lan phức     j  được tính theo các tham số mạch
tương đương:
  ( R  j L)(G  jC)
Và:
58
V V R  j L
Z0     ( )
I 
I 
G  jC
Sử dụng phần mềm Matlab để tính hàm tanh(z) cho một số phức, tính trở kháng vào
trong trường hợp dây dài 10 cm kết nối với tải ZL = (45 + j5) . Tần số hoạt động 1
GHz, và cáp có các tham số tương đương sau: R = 123 (μ/m), L = 123(nH/m), G =
123 (μS/m) và C = 123 (pF/m).
10. Để tạo một mạch hở tại tần số 1,96 GHz, người ta sử dụng một dây vi dải 75
trên một tấm nền có hằng số điện môi bằng 10 và nối ngắn mạch tại đầu ra. Tính độ dài
của dây vi dải để điện trở vào của nó tương đương với 1 mạch hở (Zin = )
11. Một dây dẫn vi dải dài ¾ bước sóng với trở kháng Z0 = 85  được nối ngắn
mạch ở đầu ra. Tính trở kháng đầu vào của dây.
12. Một dây dẫn sóng vi dải 100 được đấu với tải 75. Tính các hệ số , SWR,
tỉ lệ % công suất bị phản xạ lại, suy hao đầu vào và suy hao phản hồi.
59
Bài giảng kỹ thuật siêu cao tần Chương 3: Đồ thị Smith
và các phương pháp phối hợp trở kháng
CHƯƠNG 3: ĐỒ THỊ SMITH VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP PHỐI HỢP

TRỞ KHÁNG
3.1.1. Mục đích
Mục đích của chương này là giới thiệu các khái niệm cơ bản và các ứng dụng của
đồ thị Smith trong phân tích và thiết kế mạch siêu cao tần
Nội dung của chương được chia thành 2 phần chính. Phần 1 trình bày quá trình xây
dựng đồ thị Smith, các biểu diễn các đại lượng, tham số của mạch siêu cao tần trên đồ
thị. Phần 2 sẽ giới thiệu một số phương pháp phối hợp trở kháng sử dụng đồ thị Smith.
liệu [2, 3, 4].
- Các đại lượng có thể được biểu diễn trên đồ thị Smith
- Tính toán giá trị các đại lượng trên biểu đồ Smith
- Sự di chuyển của các đại lượng như trở kháng, hệ số phản xạ… trên biểu đồ
Smith đối với các mạch điển hình.
- Phối hợp trở kháng sử dụng các phần tử tập trung
- Phối hợp trở kháng sử dụng dây dẫn sóng rẽ nhánh
3.2. XÂY DỰNG ĐỒ THỊ SMITH
Hệ số phản xạ được định nghĩa là tỷ số giữa điện áp sóng phản xạ và điện áp sóng
tới, và đặc biệt ta cần quan tâm hệ sô này tại vị trí d = 0, hệ số này miêu tả sự không
trùng khớp giữa đặc tính trở kháng đường và trở kháng tari. Khi di chuyển theo chiều
dương của đường truyền, ta phải nhân hệ số này với 𝑒 (−𝑗2𝐵𝑑) để được Γ(d). Quá trình
chuyển đổi từ t(0) đến t(d) tạo thành một trong những thành phần quan trọng của đồ thị
Smith.
3.2.1. Hệ số phản xạ ở dạng Phasor
Ta có hệ số phản xạ được biểu diễn như phương tình dưới đây:
𝑍𝐿 −𝑍0
𝛤0 = = 𝛤0𝑟 + 𝑗𝛤0𝑖 = 𝑒 −𝑗 𝜃𝐿 |𝛤0 | (3.1)
𝑍0 +𝑍0
Trong đó 𝜃𝐿 = 𝑡𝑎𝑛−1 (𝛤0𝑖 /𝛤0𝑟 ) với các điều kiện ngắn mạch và hở mạch tương
đương với giá trị này bằng 1 hoặc -1, nằm trên trục thực của mặt phẳng phức
60
3.2.2. Phương trình trở kháng chuẩn hóa

Ta thay hệ số trên vào biểu thức trở kháng đầu vào và chuẩn hóa biểu thức này ta
được:
1 + 𝛤𝑟 + 𝑗𝛤𝑖
𝑍𝑖𝑛 (𝑑) = 𝑍0 (3.2)
1 − 𝛤𝑟 − 𝑗𝛤𝑖
𝑍𝑖𝑛 (𝑑) 1+𝛤(𝑑) 1+𝛤 +𝑗𝛤
 = 𝑧𝑖𝑛 = 𝑧 + 𝑗𝑥 = 1−𝛤(𝑑) = 1−𝛤𝑟 −𝑗𝛤𝑖 (3.3)
𝑍0 𝑟 𝑖
Phương trình trước biểu diễn một ánh xạ từ mặt phẳng phức 𝑧𝑖𝑛 đến mặt phẳng
phức thứ hai 𝛤. Nhân tử số và mẫu số của phương trình trên với liên hợp phức của mẫu
số cho chúng ta phần thực và ảo của 𝑧𝑖𝑛
1 − 𝛤𝑟2 − 𝛤𝑖2 + 2𝑗𝛤𝑖
𝑧𝑖𝑛 = 𝑟 + 𝑗𝑥 = (3.4)
(1 − 𝛤𝑟 )2 + 𝛤𝑖2
Khi đó nếu tách riêng ra ta có thành phần ảo và thực như sau:

1 − 𝛤𝑟2 − 𝛤𝑖2
𝑟= (3.5)
(1 − 𝛤𝑟2 )2 + 𝛤𝑖2
2𝛤𝑖
𝑥= (3.6)
(1 − 𝛤𝑟2 )2 + 𝛤𝑖2
3.2.3. Phương tình tham số hệ số phản xạ

Tại phần này chúng ta sẽ phân tích bằng cách nào phần ảo và phần thực trong miền
𝑍𝑖𝑛 có thể được biểu diễn thành phần ảo và thực trong miền phức 𝛤. Vì 𝛤 xuất hiện ở
tử và mẫu do đó chúng ta có thể nói rằng, các đường thằng trong mặt phẳng 𝑍𝑖𝑛 có thể
không được ánh xạ tới mặt phẳng 𝛤. Chuyển đổi phương trình 3.5 ở trên ta có các dạng
đại số như sau:
𝑟[(1 − 𝛤𝑟 )2 + 𝛤𝑖2 ] = 1 − 𝛤𝑟2 − 𝛤𝑖2 (3.7a)
𝛤𝑟2 (𝑟 + 1) − 2𝑟𝛤𝑟 + 𝛤𝑖2 (𝑟 + 1) = 1 − 𝑟 (3.7b)
2𝑟 1−𝑟
𝛤𝑟2 − 𝛤𝑟 + 𝛤𝑖2 = (3.7c)
𝑟+1 1+𝑟
Ta có thể biển đổi chúng thành dạng nhị thức như phía dưới đây:
𝑟 𝑟2 1−𝑟
(𝛤𝑟 − 1+𝑟)2 + (𝑟+1)2 + 𝛤𝑖2 = 1+𝑟 (3.8)
61
Dạng cuối cùng sau khi thực hiện biến đổi là:
𝑟 1
(𝛤𝑟 − 1+𝑟)2 + 𝛤𝑖2 = (1+𝑟)2 (3.9)
Và kết quả sau khi chuẩn hóa ta có được là:

1 1
(𝛤𝑟 − 1)2 + (𝛤𝑖 − )2 = ( )2 (3.10)
𝑥 𝑥
Ta nhận thấy rằng cả hai phương trình trên đều là phương trình tham số của đường
tròn trong mặt phẳng phức và chúng có dạng (𝛤𝑟 − 𝑎)2 + (𝛤𝑖 − 𝑏)2 = (𝑐)2 . Trong đó
a, b biểu thị sự dịch chuyển trong phần thực, còn 𝛤 là phần ảo và c là bán kính của
đường tròn đó.
Hình 3.1 mô tả phương trình 3.9. ta thấy rằng khi r tăng thì bán kính của các vòng
tròn giảm và di chuyển xa hơn về phía bên phải điểm 1 trên trục thực. Nếu r tiến vô
𝑟 1
cùng ta có tiến đến 1 và tiến đến 0
(𝑟+1) (𝑟+1)2
Ánh xạ này chỉ biến đổi các giá trị cố định của r và không liên quan đến x. Do vậy
khi r cố định, một dải vô hạn các giá trị điện trở x sẽ được biểu diễn bằng các giá trị
điện trở trong mặt phẳng z. Nên ta kết luận ánh xạ chỉ liên quan đến r không phải sự
ánh xạ điểm điểm duy nhất
Hình 3.1: Biểu diễn tham số của điện trở chuẩn hóa r trong mặt phẳng phức
(r là hằng số)mặt phẳng 𝛤𝑖 𝛤
Hình ảnh phía dưới biểu thị phương trình 3.10. Khác với hình biểu diễn cho phương
trình 3.9 tại hình này ta thấy rằng với các giá trị x cố định sẽ được ánh xạ vào mặt phẳng
𝛤 cho các giá trị điện trở ngẫu nhiên trong khoảng 0 ≤ r < ∞
62
Hình 3.2: Tham số đại diện của điện trở chuẩn hóa trong mặt phẳng phức (với x là hằng số)
Các điểm trở kháng được ánh xạ vào mặt phẳng 𝛤 là ánh xạ duy nhất và không thể
đảo ngược lại các điểm trở kháng ban đầu. 𝛤𝑖 𝛤𝑟 mặt phẳng z (r>0)
3.2.4. Biểu diễn đồ thị
Kết hợp các biểu diễn tham số cho các vòng tròn điện trở và điện trở chuẩn hóa cho
kết quả là đồ thị Smith được minh họa như hình phía dưới. Đồ thị này biểu diễn quan
hệ 1-1 giữa mặt phẳng trở kháng chuẩn hóa và mặt phẳng hệ số chuẩn hóa.
Bên cạnh đó các vòng tròn điện trở chuẩn hóa có dải từ 0 đến ∞ và các vòng tròn
trở kháng chuẩn hóa x có thể đại diện cho các giá trị âm và dương.
Quan sát biểu đồ khi các hệ số phản xạ lớn hơn 1 ta gọi là đồ thì Simth nén.Tuy
nhiên đồ thị này lại hạn chế các thiết kế RF/MW và hạn chế được đề cập đến trong phần
tài liệu này
63
Hình 3.3: Đồ thị Smith được biểu diễn bởi các vòng tròn kết hợp r và x cho |𝛤|≤1
Ta cần chú ý về góc quay 2βd bởi chiều dài của đường truyền được đo từ vị trí
phasor. Để tính toán trở kháng đầu vào của đường truyền đầu cuối, hướng chuyền động
luôn di chuyển ra khỏi trở kháng tải hoặc về máy phát. Một vòng quay hoàn toàn bao
xung quanh vòng tròn đơn vị cần:
2𝜋
2βd = 2 𝜆 𝑑 = 2𝜋
Với d = λ/2 hoặc bằng 180o

3.3. TÍNH TOÁN CÁC THAM SỐ DỰA TRÊN ĐỒ THỊ SMITH
Xác định đáp ứng trở kháng của các mạch sử dụng tần số cao là vấn đề quan trọng,
thông qua đó có thể xác định hiệu suất của mạch RF/MW. Do đó tại phần này sẽ giới
thiệu cách thức xác định trở kháng thông qua sự hỗ trợ của đồ thị Smith được đề cập
đến trong phần trước.
Các bước xác định trở kháng tái 𝑍𝐿 được kết nối với đường truyền có đặc tính trở
kháng là 𝑍0 và chiều dài là 𝑑 được thực hiện qua sáu bước sáu bước sau đây:
- Bước 1: Chuẩn hóa trở kháng tải 𝑍𝐿 đối với trở kháng 𝑍0 để xác định 𝑍𝐿
- Bước 2: Xác định vị trí của 𝑍𝐿 trong đồ thị Smith
- Bước 3: Xác định hệ số phản xạ tải tương ứng 𝛤0 trong đồ thị Smith về độ lớn và
pha
- Bước 4: Xoay 𝛤0 bằng việc gấp đôi chiều dài βd để đạt được 𝛤𝑖𝑛 (𝑑)
- Bước 5: Ghi lại trở kháng đầu vào 𝑧𝑖𝑛 tại vị trí d
- Bước 6: Chuyển đổi 𝑧𝑖𝑛 thành 𝑍𝑖𝑛
64
3.4. MẠCH CHUYỂN HOÁ TRỞ KHÁNG

Trở kháng cảm ứng (mặt trên) và điện dung (mặt dưới) co thể tạo ra dựa vào độ dài
và điều kiện kết thúc của tần số. Các phép đo lại thông số mạch gộp được thực hiện qua
việc phân tích mạch phân tán và có tầm quan trọng đáng kể trong thực tế
3.4.1. Chuyển hóa mạch hở
Để có được trở kháng thuân hoặc điện dung ta cần thực hiện dọc theo đường tròn
𝑟 = 0. Điểm bắt đầu là ở phía bên phải (𝛤0 = 1) với hướng quay về phía máy phát theo
chiều kim đồng hồ. Khi ấy thành phần -𝑗𝑋𝑐 nhận dược thông qua điều kiện.
1 1
≡ 𝑧𝑖𝑛 = −𝑗𝑐𝑜𝑡(𝛽𝑑1 ) (3.11)
𝑗𝜔𝐶 𝑍0
Và độ dài 𝑑1 được tính như sau:

1 1
𝑑1 = [𝑐𝑜𝑡 −1 ( ) + 𝑛𝜋] (3.12)
𝛽 𝜔𝐶𝑍0
Với nπ là thành phần bắt buộc do tính tuần hoàn. Bên cạnh đó thành phàn 𝑗𝑋𝐿 cũng
được tính toán qua điều kiện
1
𝑗𝜔𝐿 ≡ 𝑧𝑖𝑛 = 𝑗𝑐𝑜𝑡(𝛽𝑑2 ) (3.13)
𝑍0
Và độ dài 𝑑2 được tính như sau:

1 𝜔𝐿
𝑑2 = [𝜋 − 𝑐𝑜𝑡 −1 ( ) + 𝑛𝜋] (3.14)
𝛽 𝑍0
3.4.2. Chuyển hóa ngắn mạch

Tương tự như phần trước nhưng điểm 𝛤0 = -1 tại trục thực và được biểu diễn tại
hình 3.4.
65
Hình 3.4: Tạo trở kháng và điện dung cảm ứng thông qua đường truyền ngắn mạch
Thành phần -𝑗𝑋𝑐 được thực hiện dựa theo điều kiện
1 1
≡ 𝑧𝑖𝑛 = −𝑗tan(𝛽𝑑1 ) (3.15)
𝑗𝜔𝐶 𝑍0
Chiều dài 𝑑1 được tính toán theo

1 1
𝑑1 = 𝛽 [ 𝜋 + 𝑡𝑎𝑛−1 (𝜔𝐶𝑍 ) + 𝑛𝜋] (3.16)
0
Thành phần -𝑗𝑋𝐿 được thực hiện thông qua điều kiện
1
𝑗𝜔𝐿 ≡ 𝑧𝑖𝑛 = 𝑗tan(𝛽𝑑2 ) (3.17)
𝑍0
Thành phần 𝑑2 được tìm bằng cách

1 𝜔𝐿
𝑑2 = [𝑡𝑎𝑛−1 ( ) + 𝑛𝜋] (3.18)
𝛽 𝑍0
Ở mạch tần số cao khó để duy trì điều kiện mạch hở do tác động về sự thay đổi
nhiệt độ và các tham số khác . Vì lí do này mà điều kiện ngắn mạch sẽ phù hợp hơn
trong thực tế sử dụng. Tuy nhiên ngắn mạch khi sử dụng ở tần số rất cao lại gặp các vấn
đề khác
66
3.5. ĐỘ DẪN NẠP Y VÀ ĐỒ THỊ Y-SMITH CHART

3.5.1. Phương trình tham số dẫn nạp
Ta có phương trình dẫn nạp chuẩn hóa bằng cách đảo ngược
𝑌𝑖𝑛 1 1 − 𝛤(𝑑)
𝑦𝑖𝑛 = = = (3.19)
𝑌0 𝑧𝑖𝑛 1 + 𝛤(𝑑)
Trong đó 𝑌0 = 1/𝑍0 , để biểu diễn phương trình trên trong đố thì Smith, ta có thể biểu
diễn dẫn nạp trong đồ thị Smith thông thường hoặc Z-Smith Chart
1 − 𝛤(𝑑) 1 − 𝑒 −𝑗𝜋 𝛤(𝑑)
= (3.20)
1 + 𝛤(𝑑) 1 + 𝑒 −𝑗𝜋 𝛤(𝑑)
Nói cách khác, ta biểu diễn sự chuẩn hoa trở kháng đầu vào và đưa hệ số phản xạ
−1 = 𝑒 −𝑗𝜋 Ngoài việc xoay hệ số phản xạ ta có thể xoay chính đồ thị Smith. Dạng thay
đổi này có thể gọi là dẫn nạp đồ thị Smith hoặc y- Smith chart. Như vậy ta có
𝑅 𝐺
𝑟= → 𝘨 = = 𝐺𝑍0
𝑍0 𝑌0
𝑋 𝐵
𝑥= → 𝑏 = = 𝐵𝑍0
𝑍0 𝑌0
Biểu diễn điều trên trong hình 3.5 tại phương trình cụ thể 𝑧 = 0,6 + 𝑗1,2
Nhìn hình dưới ta thấy phép biến đổi bao toàn (a) hướng góc của hệ số phản xạ
được đó và (b) hướng quay hướng về hoặc ra xa máy phát. Ở đây cần phải xác định
đúng các điểm cực trị như điều kiện ngắn, hở mạch. Bên cạnh đó các giá trị âm ở mức
độ có thể chấp nhận được biểu diễn ở phía nửa trên, các giá trị dương sẽ nằm ở nửa
dưới.Một định nghĩa bổ sung là sự dẫn nạp, được biểu thị như đồ thị trở kháng nhưng
không xoay 1800. Trong trường hợp này, góc pha hệ số phản xạ được đo từ đầu đối diện
của biểu đồ.
67
Hình 3.5: Biễu diễn lại đồ thị Z-Smith như đồ thị Y-Smith
3.5.2. Biểu diễn đồ thị chuyển đổi ZY

Trong thực tế, cần phải thường xuyên chuyển đổi tử biểu diễn trở kháng sang dẫn
nạp hoặc ngược lại. Để xử lý các tình huống như vậy ta có đồ thi ZY-Smith
Hình 3.6: Đồ thị ZY-Smith
Sự kết hợp của ZY-Smith cho phép chuyển đổi qua lại giữa hai loại biểu diễn. Hay
nói cách khác, điểm trong đồ thị gộp sẽ có hai dạng biểu diễn phụ thuộc và đồ thị Z
hoặc Y được lựa chọn
68
3.6. CÁC LOẠI KẾT NỐI

3.6.1. Kết nối song song giữa thành phần R và L
𝑍0
Ta có g = và b𝐿 = +𝑍0 /(ωL) xác định giá trị dẫn độ chuẩn trong phần trên của đồ
𝑅
thị Y-Smith. Cố định g ở một tần số góc ωL ta có
𝑍0
𝑦𝑖𝑛 (𝜔𝐿 ) = g − j (3.21)
𝐿𝜔𝐿
Tần số góc sẽ tăng đến cực hạn, vạch ra đường cong dọc theo đường tròn dẫn nạp
không đổi g, Hình phía dưới biểu diễn dẫn nạp phụ thuộc tần số với các giá trị g khác
nhau và dải tần số từ 500 MHz đến 4HGz. Bằng việc cố định giá trị L = 10nH và giá trị
𝑍0 = 50 Ohm. Điện cảm bắt đầu tại -1.59 (500MHz) và kết thúc tại -0.2 (4 GHz)
Hình 3.7: Đáp ứng dẫn nạp của mạch song song 𝑅𝐿 cho 𝜔𝐿 ≤ 𝜔 ≤ 𝜔𝑈
tại các điểm g =0,3 g=0,5 g=0.7 và g=1
Tại hình 3.7 và ba trường hợp bổ sung, trở kháng đặc tính đường truyền được biểu
diễn dưới dạng trở kháng gộp Z0 = 50 ohm. Đối với trường hợp này thì đặc tính trở
kháng đường truyền chỉ mang vai trò của hệ số chuẩn hóa
3.6.2. Mắc song song giữa thành phần R và C
Ở dạng này, ta thực hiện ở phía dưới đồ thị Y vì bC = Z0 𝜔𝐶 dương. Để xác định giá
trị điện dung chuẩn hóa trong một giá trị dẫn nạp cụ thể, cố định giá trị g và tần số góc,
ta có:
𝑦𝑖𝑛 (𝜔𝐿 ) = g + jZ0 𝜔𝐿 𝐶 (3.22)
69
Hình trên mô tả dẫn suất phụ thuộc tần số với các giá trị g cụ thể, với C = 1 pF và
trở kháng đặc tính đường truyền Z0 = 50 Ohm luôn luôn bắt dadaauf tại 0.16 (500 MHz)
và kết thúc 1,26 (4GHz)
Hình 3.8: Đáp ứng dẫn nạp của mạch song song RC cho ω_L≤ ω ≤ ω_U
3.6.3. Mắc nối tiếp thành phần R và L

Khi xử lý các cách mắc nối tiếp ta chọn đồ thị Z-Smith. Thành phần phản kháng xL
= 𝜔L/Z0 , khi đó ta có thể xác định giá trị trở kháng chuẩn hóa cho điện trở chuẩn hóa
cố định với r ở một tần số góc cụ thể
𝑦𝑖𝑛 (ωL ) = 𝑟 − 𝑗ωL 𝐿/Z0 (3.23)
Hình phía dưới mô tả trở kháng phụ thuộc tần số được thể hiện dưới dạng hàm của
các giá trị r lần lượt 0.3, 0.5, 0.7 và 1, đối với độ tự cảm là 10 nH và đặc tính trở kháng
đường truyền là 50 Ohm
Hình 3.9: Đáp ứng dẫn nạp của mạch nối tiếp RL cho ωL≤ω≤ωU
70
3.6.4. Mắc nối tiếp thành phần R và C

Ở phần này ta cũng chọn đồ thị Z-Smith để biểu diễn trở kháng thành phần xC = +
1/(𝜔CZ0 ) chỉ ra tất cả các đường cong sẽ nằm phía dưới đồ thị Smith.
Hình 3.10: Đáp ứng dẫn nạp của mạch nối tiếp RC cho ωL≤ω≤ωU
Hình trên biểu diễn trở kháng phụ thuộc tần số như một hàm của các giá trị r lần
lượt là 0.3, 0.5, 0.7 và 1. Điện dung có giá trị 1 pF mắc nối tiếp với điện trở thay đổi
được nối với trở kháng đường đặc tính có giá trị là 50 Ohm và tạo ra các trường hình
tròn kết hợp với các điện trở -6,03 (500 MHz) và -0.8 (4 GHz), giao nhau với bốn vòng
tròn điện trở, xác định duy nhất các giá trị trở kháng trên và dưới
Bên cạnh đó ta cũng có:
1
𝑧𝑖𝑛 (ωL ) = 𝑟 − 𝑗 (3.24)
ωL 𝐶Z0
3.7. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG SỬ DỤNG CÁC PHẦN TỬ TẬP TRUNG, MẠNG
CHỮ L
Để thiết kế mạch thông thường sẽ có hai tiêu chí, đầu tiên là đáp ứng được các mục
tiêu kỹ thuật, thứ hai là tìm ra cách thức đơn giản và đáng tin cây nhất để hoàn thành
mục tiêu một. Để thực hiện chúng ta thông thường sẽ áp dụn các mạch có ít thành phần
nhất
Trong chương này chúng ta sẽ phân tích và thiết kế các mạch một cách đơn giản
nhất có thể, hay còn gọi là mạng hai thành phần hay còn gọi là L -section do sự sắp xếp
các phần tử của chúng. Trong loại mạng này chúng ta sẽ sử dụng hai thành phần để
chuyển đổi trở kháng tải thành trở kháng đầu vào phù hợp. Với sự kết hợp này chúng ta
có thể có các cách sắp xếp thành phần được thể hiện như hình dưới đây.
71
Hình 3.11: Tám cấu hình có thể của của mạng kết hợp hai thành phần
Để thiết kế mạng phối hợp thông thường sẽ có hai cách tiếp cận:
- Lấy giá trị của một phần tử để phân tích
- Dựa vào đồ thị Smith như một công cụ phân tích
Cách đầu tiên mang lại kết quả chính xác và phù hợp, tuy nhiên cách tiếp cận thứ
hai lại trực quan dể xác minh hơn so với cách đầu bên cạnh đó cũng đơn giản hơn vì
không yêu cầu tính toán phức tạp. Điểm chú ý của phương pháp này gần như không
thay đổi và cũng không phụ thuộc vào số lượng các thành phần trong mạng, mặt khác
khi nhìn vào đồ thị Smith ta sẽ có được cảm nhận về cách một phần tử riêng lẻ góp phần
tạo nên một điều kiện riêng lẻ phù hợp.
Các sự lựa chọn cũng như can thiệp sai sẽ dễ dàng được nhận ra và được can thiệp
trực tiếp và đặc biệt với sự hỗ trợ của máy tính các phương pháp này được thực hiện
trên thời gian thực.
Sự ảnh hưởng của trở kháng khi kết hợp với thành phần R và L đối với tải kết hợp
sẽ được mô tả sau, tại đây đề cập đến một số điểm chính:
- Sự kết hợp giữa thành phần C và L sẽ tạo ra các vòng tròn được mô tả như hình
dưới
- Sự kết hợp giữa Shunt C và Shunt L được mô tả như hình dưới đây
Quan sát đồ thị ZY Smith ta thấy được là bất khi nào có cuộn cảm, ta sẽ xoay hướng
trở kháng lên phần trên. Ngược lại phần điện dung sẽ dẫn đến sự di chuyển ở nửa dưới
72
Hình 3.12: Tác động của trở kháng tới tải kết hợp trong đồ thị Smith
Sau khi thiết lập được kết nối giữa các thành phần đơn lẻ ta tiến hành phát triển
nhằm mục đích biển đổi bất kì trở kháng tải cụ thể nào đó thành trở kháng đầu vào cụ
thể. Thông thường, để thiết kế mạng kết hợp loại L hoặc bất kì mạng thụ động nào,
trong đồ thị Smith ZY kết hợp bao gồm việc di chuyển dọc theo các vòng tròn điện trở
không đổi
Thông thường để tối ưu công suất truyền cho mạng phối hợp chữ L gồm có sáu
bước được mô tả dưới đây.
- Bước 1: Tìm nguồn chuẩn hóa và trở kháng tải
- Bước 2: Trong biểu đồ Smith thực hiện vẽ các vòng tròn có điện trở và độ dẫn
không đổi đi qua điểm biểu thị trở kháng nguồn
- Bước 3: Vẽ các vòng tròn có điện trở và trở kháng không đổi đi qua các điểm
liên hợp phức của trở kháng tải
- Bước 4: Thực hiện xác định các giao điểm giữa bước 2 và 3. Số Lượng các điểm
cắt nhau chính là số lượng mạng phối hợp chữ L có thể có
- Bước 5: Tìm các giá trị chuẩn hóa và cuộn cảm và tụ điện bằng cách vẽ một
đường từ trở kháng nguồn đến điểm giao cắt tìm được rồi đến điểm liên hợp phức
của trở kháng tải.
- Bước 6: Thực hiện xác định các giá trị thực của tụ điện và cuộn cảm đối với một
tần số cho trước
73
Trong thực tế, ta không nhất thiết phải chuyển từ nguồn sang trở kháng tải liên hợp
phức. Trên thực tế ta có thể chuyển từ tải sang nguồn liên hợp phức.
Biểu đồ Smith cho phép chúng ta quan sát tức thời xem một phép biến đổi trở kháng
có khả năng đạt được sự phối hợp mà ta mong muốn hay không. Thêm nữa, chúng ta
cũng có thể nhìn thấy tổng số kết nối mạng có thể có.
3.8. PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG SỬ DỤNG DÂY DẪN SÓNG RẼ NHÁNH
3.8.1. Từ phần tử tập trung đến đường dẫn sóng
Tại dải tần giữa, khi thiết kế ta có thể thực hiện kết hợp các thành phần gộp hoặc
các phần tử phân tán. Loại mạng phối hợp này sẽ có một số các đường nối tiếp và các
tụ điện được đặt song song, được minh họa như hình dưới
Hình 3.13: Mạch trộn của mạng kết hợp liên quan đến đường truyền và thành phần điện
dung
Cuộn cảm thông thường sẽ không được sử dụng trong các thiết kế như vậy, vì chúng
có xu hướng gây tổn hao cao hơn khi sử dụng tụ điện. Nói chung với một tụ điện Shunt
và hai đường kết nối nối tiếp ở hai phía là có thể biển đổi trở kháng tải thành trở kháng
đầu vào. Tương tự như mạch phối hợp loại L, các cấu hình như vậy có thể liên quan đến
một hệ số cố định ta kí hiệu là Qn, nhằm bổ sung thêm các thành phần bổ sung để kiểm
soát tốt hơn chất lượng của mạch.
Sự sắp xếp các phần tử trong mạch như hình trên có tính ứng dụng cao trong thực
tế, bởi nó cho phép thay đổi vị trí của các phần tử. Trên thực tế ta còn có thể thay đổi
cả giá trị điện dung của tụ điện. Thông thường các tất cả các đường dẫn sẽ có cùng độ
rộng hay nói cách khác là cùng trở kháng đặc tính để dễ dàng cho việc điều chỉnh thực
tế.
Các loại mạch mà phía trên vừa nhắc tới cho thây sự linh hoạt trong việc điều chỉnh,
tuy nhiên nó cũng nhạy cảm với chính điều này, chỉ cần một sự thay đổi nhỏ trong vị trí
đặt tụ điện cũng gây ra sự khác biệt rất lớn trong mạch
74
3.8.2. Mạng phối hợp trở kháng một nhánh cụt

Khi chuyển từ mạng phần tử tập trung sang mang phần tử phân tán là thực hiện loại
bỏ hoàn toàn các phần tử tập trung. Điều này được thực hiện bằng cách ngắn hoặc hở
mạch các dây cụt (stub). Trong phần này ta sẽ xét tới mạng kết hợp bao gồm các được
truyền nối tiếp kết hợp với mạng cụt ngắn mạch, hở mạch song song. Xem xét hai cấu
trúc dưới đây
Hình 3.14: Hai topo của mạng phối hợp biến áp một nhánh cụt
Các mạng phối hợp như hình trên có các tham số có thể thay đổi: chiều dài ls , trở
kháng đặc trưng của mạng cụt Z0s, chiều dài lL, và trở kháng đặc tính Z0L
Chương 3 đã trình bày lý thuyết về cách xây dựng đồ thị Smith và cách biểu diễn,
tính toán các tham số cơ bản sử dụng trong phân tích hoạt động của mạch siêu cao tần
trên đồ thị Smith. Đây là lý thuyết nền giúp sinh viên có thể phân tích sự thay đổi của
các tham số này khi các phần tử trong mạch thay đổi, áp dụng trước tiên đối với các
trường hợp mạch đặc biệt như tải ngắn mạch, hở mạch và các loại kết nối sử dụng các
linh kiện tập trung mắc nối tiếp hoặc song song.
Phần tiếp theo của chương trình bày lý thuyết về việc sử dụng đồ thị Smith để thực
hiện thiết kế mạch phối hợp trở kháng. Sinh viên cần nắm được các thiết kế các mạch
cơ bản như sử dụng các phần tử tập trung, sử dụng phối hợp phần tử tập trung và mạch
dẫn sóng cũng như thiết kế mạch phối hợp trở kháng chỉ sử dụng các phần tử là dây dẫn
sóng.
Cuối chương, các bài tập ví dụ về thiết kế mạch phối hợp trở kháng sau khi được
tính toán nên được đưa vào phần mềm mô phỏng để phân tích hoạt động của mạch. Từ
đó giúp sinh viên hiểu được tốt hơn các kiến thức được trình bày trong chương.
75

3.10.1. Câu hỏi
1. Trình bày cách xây dựng đồ thị Smith
2. Trình bày cách tính toán các tham số dựa trên đồ thị Smith
3. Trình bày các cách chuyển hoá trở kháng trên đồ thị Smith
4. Trình bày đáp ứng của trở kháng và dẫn nạp trên đồ thị Smith với các loại kết
nối cơ bản
5. Trình bày cách phối hợp trở kháng sử dụng các phần tử tập trung mạng chữ L
6. Trình bày cách phối hợp sử dụng dây dẫn sóng kết hợp phần tử tập trung
7. Trình bày cách phối hợp trở kháng sử dụng dây dẫn sóng kết hợp 1 nhánh cụt
3.10.2. Bài tập
1. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng 2 phần tử (Nguồn - L nối tiếp - C// - Tải) để
nối giữa tải ZL = (100 + j20)  tới nguồn ZS = (10 + j25)  tại tần số 960 MHz
2. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng 2 phần tử để nối giữa tải Thiết kế mạch phối
hợp trở kháng 2 phần tử để nối giữa tải ZL = (30 – j40)  tới nguồn ZS = 50 tại tần số
450 MHz. Có bao nhiêu lời giải? Tìm đáp án của 2 trong số các lời giải
3. Yêu cầu tương tự bài tập 2, nhưng với ZL = (40 + j10)  và tần số 1,2 GHz
4. Yêu cầu tương tự như bài tập 2, nhưng lúc này nguồn có thêm phần tử tụ cảm kí
sinh mắc nối tiếp LS = 2nH. Tính lại đáp án trong trường hợp này.
5. Tải gồm R,L mắc nối tiếp, trong đó R = 20 , L = 2nH cần nối với một dây dẫn
sóng có trở kháng đặc trưng 50  tại f = 800 MHz. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng
2 phần tử cho trường hợp này.
6. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng gồm 2 dây dẫn sóng 50 và 1 cuộn cảm song
song cho tải ZL = (30 + j10)  và trở kháng vào Zin = (60 + j80)  tại 1,5 GHz.
7. Yêu cầu tương tự bài tập 6 nhưng sử dụng 1 cuộn cảm nối tiếp.
8. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng sử dụng 1 đoạn dây dẫn sóng đơn (single stub)
như hình dưới, để kết nối giữa tải ZL = (80 + j20)  và trở kháng vào Zin = (30 – j10)
, tại tần số f = 1GHz. Dây dẫn sóng và stub đều có trở kháng đặc trưng Z0 = 50. So
sánh đáp án cho cả hai trường hợp stub ngắn mạch và hở mạch để tìm thiết kế có kích
thước nhỏ nhất.
76
9. Sử dụng mạch như hình dưới để thiết kế mạch phối hợp trở kháng giữa tải ZL =
(80 – j40) với nguồn 50 . Dây dẫn sóng và stub đều có trở kháng đặc trưng Z0 =
50. So sánh đáp án cho cả hai trường hợp stub ngắn mạch và hở mạch để tìm thiết kế
có kích thước nhỏ nhất.
10. Dây dẫn sóng 50 được nối với tải ZL. Tính các hệ số , SWR, suy hao phản
hồi trong các trường hợp:
a) ZL = 50
b) ZL = 48,5
c) ZL = (75 + j25) 
d) ZL = (10 – j5) 
11. Một tải ZL = (80 + j40)  được nối với một đường dẫn sóng với trở kháng đặc
trưng
0.1  j 200
Z0 
0.05  j 0.03
Tính giá trị hệ số phản xạ và chỉ số sóng dừng tại tải.

12. Một dây cáp đồng trục có trở kháng đặc trưng Z0 = 75 được nối với tải ZL =
(40 + j35) . Tính trở kháng vào trong các trường hợp sau, biết vận tốc truyền pha bằng
77% vận tốc ánh sáng:
a) f = 1 GHz và d = 50 cm
77
b) f = 5 GHz và d = 25 cm
c) f = 9 GHz và d = 5 cm
13. Tải ZL = (150-j50)  nối với dây dẫn sóng dài 5 cm có trở kháng đặc trưng Z0
= 75. Biết bước sóng hoạt động trong dây dẫn sóng  = 6cm và vận tốc truyền pha
bằng bằng 77% vận tốc ánh sáng. Tính:
a) Trở kháng vào Zin tại đầu dây
b) Tần số hoạt động
Chỉ số sóng dừng SWR
14. Xác định vị trí của trở kháng và dẫn nạp của tải tải chuẩn hoá trên biểu đồ Smith,
tính giá trị hệ số phản xạ và SWR trong các trường hợp:
a) z = 0,1 +j0,7
b) y = 0,3 + j0,5
c) z = 0,2 + j0,1
d) y = 0,1 + j0,2
15. Một tải ZL được nối vào một dây dẫn sóng không suy hao, có trở kháng đặc
trưng 50, dài 0,3. Tại đầu vào của dây đo SWR được giá trị bằng 2, và góc pha của
hệ số phản xạ = -20o. Sử dụng biểu đồ Smith tính trở kháng vào và trở kháng của tải.
16. Dây dẫn sóng (Z0 = 50) dài 10 cm. f = 800 MHz, vp = 0.77c. Sử dụng biểu đồ
Smith tính trở kháng của tải ZL khi biết trở kháng đầu vào Zin = j60.
17. Dây dẫn sóng (Z0 = 50), chiều dài d = 0,15  được nối với tải ZL = (25 –j30)
. Tìm 0, Zin(d) và SWR
18. Một dây dẫn sóng 50 ngắn mạch hoạt động ở 1GHz và có vận tốc pha bằng
75% vận tốc ánh sáng. Bằng 2 phương pháp, sử dụng công thức tính độ dài tương đương
cho dây ngắn mạch và biểu đồ Smith, tính toán độ dài tối thiểu để dây tương đương:
a) Tụ 5,6 pF
b) Cuộn cảm 4,7 nH
19. Tính độ dài tối thiểu để dây dẫn sóng hở mạch hoạt động tương đương như một
tụ 4,7 pF tại tần số 3GHz. Biết trở kháng đặc trưng của dây là 75 và vận tốc pha trong
dây bằng 66% vận tốc ánh sáng.
20. Một mạch hoạt động ở tần số 1,9 GHz với một dây dẫn sóng 50 ngắn mạch
hoạt động như một cuộn cảm thuần với cảm kháng 25. Tính chiều dài tối thiểu của
dây biết vận tốc pha bằng ¾ vận tốc ánh sáng.
78
21. Tương tự như bài 11 nhưng trong trường hợp là tụ điện với điện kháng 25.
22. Một dây dẫn sóng 50 nối với tải gồm 1 điện trở 200 mắc nối tiếp với 1 tụ
5pF. Dây dẫn sóng dài 10 cm với vận tốc pha 50% vận tốc ánh sáng. Tính giá trị trở
kháng vào ở đầu dây dẫn sóng và xác định nó trên đồ thị Smith tại các tần số:
a) 500 MHz
b) 1 GHz
c) 2 GHz
23. Sử dụng biểu đồ ZY-Smith tìm trở kháng đầu vào của mạch sau tại tần số 2GHz.
24. Tương tự như bài 14 với tần số 1 GHz.
79
Bài giảng Kỹ thuật siêu cao tần Chương 4: Mạng nhiều cửa và phối hợp trở kháng
CHƯƠNG 4: MẠNG NHIỀU CỬA SIÊU CAO TẦN

4.1.1. Mục đích
Kể từ khi mạng một và nhiều cửa xuất hiện trong ngành kĩ thuật, chúng đã nhanh
chóng trở thành công cụ không thể thiếu trong việc tái cấu trúc nhằm đơn giản hóa các
thiết bị cơ bản cũng như đưa ra cái nhìn cơ bản về hiệu suất của các thiết bị điện tử thụ
động. Khả năng giảm thiểu đa số các thiết bị mạch thụ động và tích cực không xét đến
quá trình phức tap bên trong ta có định nghĩa hộp đen. Đây là phương pháp đánh giá
cao sự yêu cầu về mặt tổng quát thay vì đề cập đến từng phần tử nhỏ bên trong. Cách
làm này quan trọng đối với các mạch RF và MW, nơi mà các lý thuyết về maxwell quá
khó để suy luận hoặc ta cần nhiều dữ liệu hơn để phát triển cũng như thiết kế các tính
năng
Mục đích của chương này là thiết lập các quan hệ thông số đầu vào ra cơ bản của
mạng như trở kháng và các loại ma trận phân tích mạng. Sau đó thiết lập được mối quan
hệ giữa các đại lượng này
liệu [2, 3, 4].
- Khái niệm các loại ma trận phân tích mạng như ma trận Z, ma trận Y, ma trận
ABCD và ma trận tán xạ S
- Ghép nối các mạng nhiều cửa
4.2. MA TRẬN Z, MA TRẬN Y, MA TRẬN ABCD VÀ MA TRẬN H
Để hiểu rõ hơn về loại mạng này, ta xét hình được mô tả phía dưới
Hình 4.1: Điện thế và dòng điện cho một và mạng nhiều cổng
80
Để thiết lập các tham số khác nhau chúng ta bắt đầu với mối quan hệ dòng và điện
áp thông qua hệ số trở kháng kép 𝑍𝑛𝑚 với n và m nằm trong khoảng từ 1 đến N. Từ đó
ta có phương trình tổng quát
Cho cổng 1:
𝑣1 = 𝑍11 𝑖1 + 𝑍12 𝑖2 + ⋯ + 𝑍1𝑁 𝑖𝑁 (4.1a)
𝑣2 = 𝑍21 𝑖1 + 𝑍22 𝑖2 + ⋯ + 𝑍2𝑁 𝑖𝑁 (4.1b)
𝑣𝑁 = 𝑍𝑁1 𝑖1 + 𝑍𝑁2 𝑖2 + ⋯ + 𝑍𝑁𝑁 𝑖𝑁 (4.1c)
Cho cổng thứ N. Mối cổng n sẽ bị ảnh hưởng bới trở kháng của chính nó, cũng như
bởi sự chồng chất tuyến tính từ các cổng khác. Ta có thể chuyển phương trình trên
thành dạng ma trận
𝑣1 𝑖1
𝑣2 𝑍11 𝑍12 𝑍1𝑁 𝑖
2
𝑣3 = [ 𝑍…
21 𝑍22
…
𝑍2𝑁 ] 𝑖
… 3 (4.2)
… …
𝑍𝑁1 … 𝑍𝑁𝑁
𝑣
{ 𝑁} { 𝑖𝑁 }
Dạng ký hiệu ma trận:

{V}= [Z]{I} (4.3)
Trong đó {V} và {I} lần lượt là các vecto điện áp và dòng điện. Ngoài dạng phương
trình được đưa ra trong phương trình trên ta có thể biểu diễn như sau. Mỗi thành phần
trở kháng được xác định thông qua giao thức sau:
𝑣𝑛
𝑍𝑛𝑚 = | 𝑖𝑘 = 0 với k khác m (4.4)
𝑖𝑚
Thay dạng điện thế như phụ thuộc biên, chúng ta có thể xác định dòng cụ thể
𝑖1 𝑣1
𝑖2 𝑌11 𝑌12 𝑌1𝑁 𝑣
2
𝑖3 = [ 𝑌…
21 𝑌22
…
𝑌2𝑁 ] 𝑣3
… (4.5)
… …
𝑌𝑁1 … 𝑌𝑁𝑁
{𝑖𝑁 } {𝑣𝑁 }
{I}= [Y]{V} (4.6)
Trong đó:
𝑖𝑛
𝑌𝑛𝑚 = |𝑣 = 0 (4.7)
𝑣𝑚 𝑘
81
So sánh dạng ma trận (5.2) và (5.5) ta có dạng nghịch đảo:

[𝑍] = [𝑌]−1 (4.8)
Ta thấy rằng cả ma trận trở kháng và ma trận dẫn nạp đều đối xứng. Điều này là
đúng đối với các mạng tuyến tính thụ động. Do đó ta có
𝑍𝑛𝑚 = 𝑍𝑚𝑛 (4.9)
Trên thực tế ta có thể chứng minh rằng bất kì mạng cổng N tương hỗ nào cũng là
mạng đối xứng. Bên cạnh bàn luận về mạng trở kháng và mạng dẫn nạp, còn có nhiều
bộ tham số sẽ phụ thuộc vào việc dòng và điện áp thuộc dải như thế nào. Ta thấy chuỗi
và ma trận ABCD
𝑣1 𝐴 𝐵 𝑣2
{𝑖 } = [ ]{ } (4.10)
1 𝐶 𝐷 −𝑖2
Và ma trận h
𝑣1 ℎ ℎ12 𝑖2
{ 𝑖 } = [ 11 ]{ } (4.11)
1 ℎ21 ℎ22 𝑣2
Việc xác định các hệ số ma trận riêng lẻ giống với phương pháp được đưa ra tại ma
trận trở kháng và ma trận dẫn nạp. Từ cách biểu diễn tham số lai h21 và h12 ta có thể
xác định độ lợi của dòng điện và điện áp nghịch đảo tương ứng. Các tham số còn lại
được xác định dựa vào đầu vào của h11 và h22 trong mạng. Các đặc tính này giải thích
tại sao nó được sử dụng cho mô hình bán dẫn tần số thấp. Trong các trường hợp cần sử
dụng mạch tương đương sẽ cho phép người thiết kế dự đoán các phản ứng của các thiết
bị đồng hời khi có sự thay đổi cũng dễ dàng suy ra các giá trị nội trở của các tham số
ma trận h đã biết.
4.3. MA TRẬN S
4.3.1. Các định nghĩa tham số
Nói một cách đơn giản tham số S là một tập mô tả các về sóng công suất dựa vào
đó cho phép chúng ta định nghĩa mối quan hệ đầu vào và ra của mạng dưới dạng công
suất sóng tới và công suất sóng phản xạ.
1
𝑎𝑛 = (𝑉𝑛 + 𝑍0 𝐼𝑛 ) (4.12a)
2√𝑍0
1
𝑏𝑛 = (𝑉𝑛 − 𝑍0 𝐼𝑛 ) (4.12b)
2√𝑍0
82
Trong đó tham số 𝑛 là tham số mô tả số cổng có thể là 1 hoặc 2. Trở kháng 𝑍0 là

trở kháng đặc tính của kết nối các dường đầu vào và đầu ra. Tại đây để đơn giản ta giả
định trở kháng của cả hai là như nhau.
Hình 4.2: Quy ước sử dụng để định nghĩa tham số S cho mạng hai cổng
Đồng thời dựa trên các quy ước hiển thị hướng ta có định nghĩa về các tham số 𝑆
𝑏 𝑆 𝑆12 𝑎2
{ 1 } = [ 11 ]{ } (4.13)
𝑏1 𝑆21 𝑆22 𝑎2
Trong đó:
𝑏1
𝑆11 = | (4.14)
𝑎1 𝑎2=0
𝑏1
𝑆12 = | (4.15)
𝑎2 𝑎1=0
𝑏2
𝑆21 = | (4.16)
𝑎1 𝑎2=0
𝑏2
𝑆22 = | (4.17)
𝑎2 𝑎1=0
Quan sát ta thấy rằng các điều kiện a2 = 0 và a1 = 0 được hiểu là sẽ không có sóng
công suất nào được trả lại cho cổng 2 hoặc 1. Tuy nhiên, điều kiện này chỉ được đảm
bảo khi các đường nối tiếp được kết thúc tại trở kháng đặc trưng của chúng. Vì có mối
quan hệ với công suất nên ta có thể biểu diễn các song đầu vào đầu ra theo công suất
trung bình theo thời gian.
2 2
1 |𝑉1 + | 2
1 |𝑉1 + |
𝑃1 = (1 − |𝛤𝑖𝑛 | ) = (1 − |𝑆𝑖𝑛 |2 ) (4.18)
2 𝑍0 2 𝑍0
Trong đó:
𝑉1 − 𝑏1
𝛤𝑖𝑛 = + = | = 𝑆11 (4.19)
𝑉1 𝑎1 𝑎2=0
Vì vậy ta định nghĩa lại

83
1+|𝑆11 |
VSWR = (4.20)
1−|𝑆11 |
Mặt khác ta cũng có thể xác định công suất Pinc

2
1 |𝑉1 + | |𝑎1 |2
= 𝑃𝑖𝑛 = (4.21)
2 𝑍0 2
Khi đó ta có công suất tại cổng 1 được biểu diễn như sau:
|𝑎1 |2 |𝑏1 |2 |𝑎1 |2
𝑃1 = 𝑃𝑟𝑒𝑓 + 𝑃𝑖𝑛𝑐 = ( − )= (1 − |𝛤𝑖𝑛 |2 ) (4.22)
2 2 2
Tương tự ta cũng có
|𝑎1 |2
𝑃2 = (|𝑎1 |2 − |𝑏1 |2 ) = (1 − |𝛤𝑜𝑢𝑡 |2 ) (4.23)
2
4.3.2. Ý nghĩa của tham số S

Như đã đề cập, các tham số S chỉ được xác định trong các điều kiện khớp từ phía
đầu vào và đầu ra
Hình 4.3: Đo lường S11 và S21 tại cổng 2 thông qua ZL=Z0
Từ trên ta thấy được, ta có thể tính toán S11 bằng việc tìm đầu vào hệ số phản xạ
𝑍𝑖𝑛 − 𝑍0
𝑆11 = 𝛤𝑖𝑛 = (4.24)
𝑍𝑖𝑛 + 𝑍0
Hệ số suy hao trả về bằng phương trình 4.25

𝑅𝐿 = −20𝑙𝑜𝑔|𝑆11 | (4.25)
Thêm vào đó, với cổng 2, ta tìm được:
𝑏2 𝑉2− /√𝑍0
𝑆21 = | = | (4.26)
𝑎1 𝑎2=0 (𝑉1 + 𝑍0 𝐼1 )/(2√𝑍0 ) + +
𝐼 =𝑉 =0
2 2
84
Vì a2 = 0, chúng ta đặt điện áp dương bằng 0 và sóng hiện tại ở cổng 2. Thay V1
bằng điện áp máy phát VG1 trừ đi điện áp rơi trên Z0
2𝑉2− 2𝑉2
𝑆21 = = (4.27)
𝑉𝐺1 𝑉𝐺1
Quan sát ta thể thấy được điện thế ghi nhận trên cổng hai liên quan trực tiếp tới điện
áp tạo ra và vì vậy ta có
𝑉2 2
𝐺0 = |𝑆21 |2 = | | (4.28)
𝑉𝐺1 /2
Nếu chúng ta đảo ngược quy trình đo và gắn điện áp tại cổng hai và gắn thêm VG2
vào cổng 2 và kết thức tại cổng 1. Thì ta có thể xác định hai tham số là S22 và S12
Hình 4.4: Đo lường S22 và S12 tại cổng 1 thông qua trở kháng đầu vào ZG= Z0
Để tính toán được 𝑆22 ta có thể tính toán hệ số phản xạ đầu ra và lúc đó ta có
𝑍𝑜𝑢𝑡 − 𝑍𝑜
𝑆22 = 𝛤𝑜𝑢𝑡 = (4.29)
𝑍𝑜𝑢𝑡 + 𝑍𝑜
Về phần tham số S12 ta có thể tính toán thông qua phương trình sau:
𝑏1 𝑉1− /√𝑍𝑜
𝑆12 = | = | (4.30)
𝑎2 𝑎1 (𝑉2 + 𝑍𝑜 𝐼2 )/(2√𝑍𝑜 ) + +
𝐼 =𝑉 =0 1 1
Được gọi là độ lợi điện áp ngược và bình phương độ lớn được gọi độ lợi công suất
ngược. Trong khi việc xác định hai tham số S11 và S22 có thể được tính toán trực tiếp,
thì hai tham số S12 và S21 được tính toàn và sẽ được thay thé bằng các thông số của mạng
phù hợp
4.4. GHÉP NỐI CÁC MẠNG NHIỀU CỬA
4.4.1. Mạng kết nối nối tiếp
Kết nối nối tiếp bao gồm hai mạng hai cổng được thể hiện như hình dưới
85
Hình 4.5: Kết nối nối tiếp của mạng hai cổng
Trong trường hợp này điện áp có tính chất cộng hưởng còn dòng điện thi giữ nguyên
𝑣1 𝑣′ 𝑣1′′ 𝑖2
{𝑣 } = { 1′ ′′ } = [𝑍 ] {𝑖 } (4.31)
2 𝑣2 𝑣2 2
Do vậy dẫn đến mạng tổng hợp mới Z có dạng:

′ ′′ ′ ′′
𝑍11 + 𝑍11 𝑍12 + 𝑍12
[𝑍 ] = [𝑍 ′ ] + [𝑍 ′′ ] = [ ′ ′′ ′ ′′ ] (4.32)
𝑍21 + 𝑍21 𝑍22 + 𝑍22
Nếu kết nối không cẩn thận sẽ gây ra sự đoản mạch như hình 5.6a tuy nhiên ta có
thể tránh cho trường hợp này không xảy ra bằng cách thêm vào một máy biến áo như
hình bên cạnh. Tuy nhiên việc bố trí các phần tử như vậy chỉ phù hợp với các mạng sử
dụng AC, bởi máy biến áp sẽ hoạt động như một bộ lọc thông cao và loại bỏ đi các tín
hiệu DC thông thường.
Hình 4.6: a) Ngắn mạch trong mạng kết nối nối tiếp b) Dạng chuyển đổi để tránh ngắn mạch
86
Đối với hai mạng kết nối mà đầu ra của chúng có thể hoán đổi cho nhau, cách biểu
diễn phù hợp nhất được thể hiện như hình phía dưới. Lúc này điện thế đầu vào và dòng
tại đầu ra sẽ được cộng thêm
Hình 4.7: Kết nối mạng hai cổng phù hợp
Dựa vào kết luận trên và hình ảnh được minh họa ta thấy rằng ma trận h tổng hợp
sẽ là tổng của các ma trận h đơn lẻ thành phần và được biểu diễn như phía dưới:
𝑣1 𝑣 ′ + 𝑣1′′ ′
ℎ11 ′′
+ ℎ11 ′
ℎ12 ′′
+ ℎ12 𝑖1
{ 𝑖 } = { 1′ } = [ ′′ ] {𝑣 } (4.33)
2 𝑖2 + 𝑖2′′ ′
ℎ21 ′′
+ ℎ21 ′
ℎ22 + ℎ22 2
4.4.2. Mạng kết nối song song

Kết nối song song của hai mạng cổng kép được thể hiện trong hình dưới:
Hình 4.8: Kết nối nối tiếp của mạng hai cổng lai
Không giống như trước lúc này các dòng có tính chất cộng
𝑖 𝑖 ′ + 𝑖1′′ 𝑣1
{ 1 } = { 1′ ′′ } = [𝑌] {𝑣 } (4.34)
𝑖2 𝑖2 + 𝑖2 2
87
Và ma trận dẫn nạp mới được định nghĩa bằng tổng các ma trận dẫn nạp thành phần
′ ′′ ′ ′′
′] ′′ ] 𝑌11 + 𝑌11 𝑌12 + 𝑌12
[𝑌 ] = [𝑌 + [𝑌 =[ ′ ′′ ′ ′′ ] (4.35)
𝑌21 + 𝑌21 𝑌22 + 𝑌22
Hình 4. 9: Kết nối song song của mạng hai cổng
4.4.3. Mạng xếp tầng

Tham số ABCD là phú hợp nhất đề miểu tả về loại mạng này.
Hình 4.10: Mạng xếp tầng
Trong trừơng hợp này, dòng tại đầu ra của mạng thứ nhất sẽ bằng nhưng ngược dấu
với dòng tại đầu vào của mạng thứ hai. Điện áp rơi trên đầu ra của mạng thứ nhất sẽ
bằng điện áp rơi trên đầu vào của mạng thứ hai. Vì vậy ta có mối quan hệ như phương
trình dưới
𝑣1 𝑣′ ′ ′
𝐶 ′ ] { 𝑣2 } [ 𝐴′
′′
𝐶 ′ ] {𝑣1 }
{𝑣 } = { ′1 } = [ 𝐴′ = ′ (4.36)
2 𝑖1 𝐵 𝐷 ′ −𝑖2′ 𝐵 𝐷 ′ 𝑖1′′
Do vậy ma trận ABCD tổng quát sẽ bằng các ma trận ABCD thành phần
88

Chương 4 trình bày một cách sơ lược các khái niệm về các lý thuyết cơ bản trong
việc phân tích mạng nhiều cửa siêu cao tần. Xây dựng các kịch bản về mạng các mạch
điện tử là một phần trong quá trình phân tích các mạch tần số thấp cơ bản cũng như các
mạch RF/MW. Đối với các ma trận dẫn nạp Y cho mạng N cổng ta thấy dòng và điện
áp trở thành các điều kiện xác định bên ngoài. Và khi ấy giá trị của ma trận hệ số được
xác định như sau
𝑖𝑛
𝑌𝑛𝑚 = |
𝑣𝑚 𝑣
𝑘 =0
Các định nghĩa ma trận Z-, Y-, h- hay ma trận ABCD đại diện cho mạng có thể trực
tiếp mở rộng tại tần số cao, tuy nhiên khi triển khai với các điều kiện thực tế sẽ gặp phải
các khó khăn khi áp dụng vào các điều kiện mạng hở và ngắn mạch. Do vậy mà tham
số tán xạ dưới dạng sóng công suất truyền tới và truyền ngược chuẩn hóa được đưa ra.
Không giống như ngắn mạch hoặc hở mạch, quá trình kết hợp đường trở kháng tại
cổng tương ứng được yêu cầu để thiết lập ma trận S. Tham số của ma trận S liên quan
trực tiếp tới hệ số phản xạ tại đầu vào và ra của mạng hai cổng. Hơn nữa, mức tăng công
suất thuận và nghịch được xác định một cách dễ dàng.
Với sơ đồ luồng tín hiệu, ngay cả những hệ thống phức tạp cũng có thể được kiểm
tra dựa theo các mối quan hệ đầu ra đầu vào tương tự như trong lý thuyết điều khiển hệ
thống.
1. Trình bày khái niệm ma trận Z, ma trận Y
2. Trình bày khái niệm và ý nghĩa ma trận ABCD, ma trận H
3. Trình bày khái niệm và ý nghĩa ma trận S
4. Trình bày việc ghép nối các mạng nhiều cửa
89
Bài giảng Kỹ thuật siêu cao tần Chương 5: Các phần tử siêu cao tần thụ động
CHƯƠNG 5: CÁC MẠCH SIÊU CAO TẦN THỤ ĐỘNG

5.1.1. Mục đích
Tại chương này chúng ta đề cập đến việc áp dụng các cơ sở lý thuyết nhằm mục
đích mở rộng từ mạng một hai cổng sang mạng RF. Chương này sẽ nghiên cứu các phần
tử siêu cao tần thụ động như bộ trộn công suất, mạch lọc tần số và các mạch chia công
suất. Đặc biệt trọng tâm của chương này sẽ xem xét việc lọc các tín hiệu tương tự, về
cơ bản như đã biết có bốn loại mạch lọc cơ bản như mạch lọc thông thấp, thông cao,
thông dải và chặn dải. Bộ lọc thông thấp cho phép các tín hiệu tần số thấp được truyền
qua và ngược lại với băng tần cao. Đối với bộ lọc thông dải ta sẽ thấy nó cho phép tần
số trong dải nào đó được phép đi qua, dải tần số đó được giới hạn tại một điểm thấp và
điểm cao nhất.
liệu [2, 3, 4].
- Mạch dao động
- Các loại mạch lọc siêu cao tần
- Các loại mạch chia công suất
5.2. MẠCH DAO DỘNG
5.2.1. Mạch dao động RLC nối tiếp và song song
5.2.1.1. Mạch RLC nối tiếp
Hình 5.1:Mạch RLC nối tiếp và đầu vào trở kháng với tần số
90
Bài giảng kỹ thuật siêu cao tần Chương 5: Các phần tử siêu cao tần thụ động
Ở tần số gần cộng hưởng, một bộ cộng hường có thể được mô hình và biễu diễn
tương đương bởi mạch RLC nối tiếp hoặc song song. Do vậy ở hình dưới ta xét một
mạch cộng hưởng nối tiếp với trở kháng đầu vào.
1
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅 + 𝑗𝜔𝐿 − 𝑗 (5.1)
𝜔𝐶
Và công suất đầu vào là:
1 1 1 𝑉 2
𝑃𝑖𝑛 = 𝑉𝐼 ∗ = 𝑍𝑖𝑛 |𝐼|2 = 𝑍𝑖𝑛 | |
2 2 2 𝑍𝑖𝑛
(5.2)
1 1
= |𝐼|2 (𝑅 + 𝑗𝜔𝐿 − 𝑗 )
2 𝜔𝐶
Ta có công suất suy hao do phần tử R là là phương trình (5.3a)

1 2
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 = |𝐼| 𝑅 (5.3a)
2
Năng lượng từ trường được lưu trữ trong cuộn cảm L là phương trình 5.3b
1 2
𝑊𝑖𝑛 = |𝐼 | 𝑅 (5.3b)
4
Điện nặng trung bình tích tụ trong điện dung C phương trình 5.3c
1 1 1
𝑊𝑒 = |𝑉𝑐 |2 𝑅 = |𝐼|2 2 (5.3c)
4 4 𝜔 𝐶
Lúc này hiện tượng cộng hưởng xảy ra khi năng lượn điện trường lưu giữ và từ
trường trung bình lưu trữ là bằng nhau hay
2𝑃𝑖𝑛 𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 + 2𝑗𝜔(𝑊𝑚 − 𝑊𝑒 )
𝑍𝑖𝑛 = = (5.4)
|𝐼|2 1 2
|𝐼|
2
Ta có tần số để xảy ra hiện tượng cộng hưởng là

1
𝜔0 = (5.5)
√𝐿𝐶
Một trong những thông số quan trọng của mạch cộng hưởng là Q hay còn gọi là hệ
số phẩm chất được định nghĩa như sau:
91
𝑡𝑟𝑢𝑛𝑔 𝑏ì𝑛ℎ 𝑛ă𝑛𝑔 𝑙ượ𝑛𝑔 𝑙ư𝑢 𝑡𝑟ữ 𝑊𝑒 + 𝑊𝑚

𝑄=𝜔 =𝜔 (5.6)
𝑛ă𝑛𝑔 𝑙ượ𝑛𝑔 𝑠𝑢𝑦 ℎ𝑎𝑜 𝑡𝑟ê𝑛 𝑚ộ𝑡 𝑔𝑖â𝑦 𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠
Tổn thất của bộ cộng hưởng có thế do mất điện môi, suy hao dây dẫn và một số các
lý do khác và chúng được đại diện bằng tham số R của mạch tương đương. Các kết nối
cơ bản có thể gây suy hao và điều này sẽ làm giảm tham số Q, bản thân tham số Q của
bản mạch tức không tính đến các hiệu ứng tải ở bên ngoài được gọi là Q không tải và
được kí hiệu là Q0.
Đối với mạch không tải, Q có thể được tính toán như sau:
𝑊𝑚 𝜔0 𝐿 1
𝑄0 = 𝜔0 = = (5.7)
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 𝑅 𝜔0 𝑅𝐶
1
Nếu xét trở kháng đầu vào của bộ cộng hưởng tại tần số cộng hưởng và 𝜔0 2 =
𝐿𝐶
2 2
thì lúc đó ta có 𝜔 − 𝜔0 = (𝜔 − 𝜔0 )(𝜔 + 𝜔0 ) = 𝛥𝜔(2𝜔 − 𝛥𝜔) ~ 2𝜔𝛥𝜔 với 𝛥𝜔
2𝑅𝑄0 𝛥𝜔
𝑍𝑖𝑛 ~𝑅 + 𝑗2𝐿𝛥𝜔 ~R+ 𝑗 (5.8)
𝜔0
Một bộ cộng hưởng tồn tại suy hao có thể được mô hình hóa thành một bộ cộng
hưởng không suy hao tần số và khi đó tần số góc 𝜔0 sẽ được biểu diễn dưới dạng
𝑗
𝜔0 < − 𝜔0 (1 + ) (5.9)
2𝑄0
Khi đó trở kháng đầu vào sẽ có dạng
𝜔
𝑍𝑖𝑛 = 𝑗2𝐿(𝜔 − 𝜔0 − 𝑗 )
2𝑄0 (5.10)
𝜔0 𝐿
= + 𝑗2𝐿(𝜔 − 𝜔0 ) = 𝑅 + 𝑗2𝐿𝛥𝜔
𝑄0
Ở phần cuối của mục này sẽ xem xét khái niệm băng thông phân đoạn nửa công
suất của bộ cộng hưởng. Khi |Zin|2 = 2R2 thì công suất thực trung bình được cung cấp
cho đoạn mạch bằng một nửa công suất trong bộ cộng hưởng. Nếu băng thông là băng
thông phân đoạn nửa công suất thì
1
𝐵𝑊 = (5.11)
𝑄0
5.2.1.2. Mạch RLC song song

92
Hình 5.2: a) Mạch RLC song song và b) Đầu vào trở kháng với tần số
Trở kháng đầu vào của mạch RLC song song được cho bởi công thức
1 1
𝑍𝑖𝑛 = ( + |𝑉 |2 + 𝑗𝐶𝜔)−1 (5.12)
𝑅 2
Công suất phức được chuyển đến bộ cộng hưởng được cho bởi công thức:
1 ∗ 1 1 1
𝑃𝑖𝑛 = 𝑉𝐼 = 𝑍𝑖𝑛 |𝐼|2 = |𝑉 |2 ∗
2 2 2 𝑍𝑖𝑛 (5.13)
1 1 1
= |𝑉 |2 ( − 𝑗𝜔𝐶 + 𝑗 )
2 𝑅 𝜔𝐿
Công suất tiêu hao bởi điện trở R là

1 |𝑉 |2
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 = (5.14a)
2 𝑅
Công suất tích trữ trung bình tại tụ điện C là

1 2
𝑊𝑒 = |𝑉 | 𝐶 (5.14b)
4
Năng lượng từ trường trung bình được lưu trữ trong cuộn cảm
1 1 1
𝑊𝑚 = |𝐼𝐿 |2 𝐿 = |𝑉 |2 2 (5.14c)
4 4 𝐿𝜔
Với là dòng đi qua cuộn cảm. Khi đó công suất đi đến bộ cộng hương được cho bởi
công thức:
𝑃𝑖𝑛 = 𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 + 2𝑗𝜔(𝑊𝑚 − 𝑊𝑒 ) (5.14d)
Trở kháng đầu vào được cho bởi công thức

93
2𝑃𝑖𝑛 𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 + 2𝑗𝜔(𝑊𝑚 − 𝑊𝑒 )

𝑍𝑖𝑛 = = (5.14e)
|𝐼|2 1 2
|𝐼|
2
Hiện tượng cộng hưởng diễn ra khi 𝑊𝑚 = 𝑊𝑒 và khi đó trở kháng đầu vào là
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠
𝑍𝑖𝑛 = =𝑅 (5.14f)
1 2
|𝐼|
2
Và tần số cộng hưởng

1
𝜔0 = (5.14g)
√𝐿𝐶
Hệ số phẩn chất Q trường hợp không tải được tính bằng

2𝑊𝑚 𝑅
𝑄0 = 𝜔0 = = 𝜔0 𝑅𝐶 (5.14h)
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 𝜔0 𝐿
Nhìn vào phương trình trên ta thấy rằng hệ số phẩm chất tăng khi R tăng gần kháng
đầu vào có thể được thay thế bằng
1
~1 − 𝑥 + ⋯ (5.14i)
(1 + 𝑥)
Khi đó trở kháng đầu vào được viết lại
1 1−𝛥𝜔/𝜔0
𝑍𝑖𝑛 ~( + + 𝑗𝜔0 𝐶 + 𝑗𝛥𝜔𝐿)−1
𝑅 𝑗𝜔0 𝐿
1 (5.15)
𝑍𝑖𝑛 ~( + 2𝑗𝛥𝜔𝐶)−1
𝑅
𝑅 𝑅
𝑍𝑖𝑛 ~ =
1+2𝑗𝛥𝜔𝑅𝐶 1+2𝑗𝑄0 𝛥𝜔/𝜔0
Và khi R tiến tới giá trị vô cùng ta có:
1
𝑍𝑖𝑛 =
𝑗2𝐶(𝜔 − 𝜔0 )
Tương tự như mạch nối tiếp tần số góc 𝜔0 cũng được thay thế bằng 1 dạng khác
𝑗
𝜔0 < −𝜔0 (1 + ) (5.16)
2𝑄0
Tại tần số trên ta sẽ có trở kháng đầu vào

94
1
𝐵𝑊 = (5.17)
𝑄0
5.2.1.3. Hệ số phẩm chất tải và không tải Q
Hình 5.3: Mạch RLC kết nối với tải bên ngoài
Ở các phần lý thuyết trên hệ số phẩm chất là một phần trong các tham số chính với
trường hợp hệ thống không mắc thêm các tải khác, tuy nhiên trên thực tế ta thấy rằng
hệ thống sẽ bị ảnh hưởng bởi các tải khác. Mạch RLC nối tiếp thì tải RL sẽ được mắc
nối tiếp R khi đó trở kháng hiệu dụng được tính bằng R + RL. Nếu được mắc song song
thì trở kháng hiệu dụng được tính bằng RRL/(R+RL). Khi đó hệ số phẩm chất Q được
tính bằng công thức sau:
𝜔0 𝐿
𝑣ớ𝑖 𝑚ạ𝑐ℎ 𝑛ố𝑖 𝑡𝑖ế𝑝
𝑅𝐿
𝑄𝑒 = (5.18)
𝑅𝐿
𝑣ớ𝑖 𝑚ạ𝑐ℎ 𝑠𝑜𝑛𝑔 𝑠𝑜𝑛𝑔
{ 𝜔0 𝐿
Sau đó hệ số phẩm chất của tải được tính bằng:

1 1 1
= + (5.19)
𝑄𝐿 𝑄𝑒 𝑄0
5.2.2 Mạch dao động dây dẫn sóng

5.2.2.1. Đường truyền nửa bước sóng ngắn mạch
Chiều dài của đường truyền bị tổn hao ngắn mạch ở một đầu được thể hiện như hình
dưới và có trở kháng đặc trưng là Z0 có hằng số truyền là beta và hệ số suy giảm là
alpha
95
Hình 5.4: Chiều dài ngắn mạch của đường truyền bị suy hao
và sự phân bổ điện áp với n = 1 và n = 2
Tại tần số góc cộng hưởng và chiều dài bằng một phần hai bước sóng trở kháng đầu
vào được tính như sau
tanh 𝛼ℓ + 𝑗tan 𝛽ℓ
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍0 (5.20)
1 + 𝑗tan 𝛽ℓ tanh 𝛼ℓ
Ta thấy rằng nếu suy hao bằng 0 thì 𝑍𝑖𝑛 = j𝑍0

Trong thực tế thường sẽ sử dụng các đường truyền suy hao thấp đồng thời với điều
kiện chiều dài bằng nửa bước sóng ta có
𝛼ℓ + 𝑗(𝛥𝜔𝜋/𝜔0 ) 𝛥𝜔𝜋
𝑍𝑖𝑛 ~ 𝑍0 ~𝑍0 (𝛼ℓ + 𝑗 ) (5.21)
1 + 𝑗(𝛥𝜔𝜋/𝜔0 )𝛼ℓ 𝜔0
Điện trở của mạch tương đương là:

𝑅 = 𝑍0 𝛼ℓ (5.22a)
Điện dung tương đương của mach được biểu diễn qua phương trình sau
1
𝐶= (5.22b)
𝜔02 𝐿
Trở kháng tương đương của mạch được biểu diễn qua phương trình sau
𝑍0 𝜋
𝐿= (5.22c)
2𝜔0
Hệ số phẩm chất được cho bởi công thức sau

𝜔0 𝐿 𝜋 𝛽
𝑄0 = = = (5.22d)
𝑅 2𝛼ℓ 2𝛼
96
Do βl = π tại lần cộng hưởng đầu tiên nên Q sẽ giảm khi sự suy hao được biểu thị
bằng hệ số suy hao tăng lên
5.2.2.2. Đường truyền một phần tư bước sóng ngắn mạch
Để đạt được cộng hưởng song song có thể sử dụng loại đường truyền có chiều dài
bằng một phần tư bước sóng. Khi đó trở kháng đầu vào của đường truyền có chiều dài
là l được đưa bởi công thức sau:
𝑍𝑖𝑛 − 𝑍0 tanh(α + j 𝛽) ℓ
tanh 𝛼ℓ+𝑗tan 𝛽ℓ
= 𝑍0 (5.23)
1+ 𝑗tan 𝛽ℓ tanh 𝛼ℓ
1−𝑗 tanh 𝛼ℓ cot 𝛽ℓ

= 𝑍0
tanh 𝛼ℓ−𝑗 cot 𝛽ℓ
Nhân cả tử số và mẫu số với −𝑗𝑐𝑜𝑡𝛽ℓ và giả sử chiều daì bằng bước sóng chia bốn
tại tần số góc bằng tần số góc cộng hưởng và giả sử ω = 𝜔0 + ω
1+𝑗𝛼ℓ𝜋𝛥𝜔/2𝜔0 0𝑍
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍0 ~𝛼ℓ+𝑗𝜋𝛥𝜔/2𝜔 (5.24)
𝛼ℓ+𝑗𝜋𝛥𝜔/2𝜔0 0
Điện trở của mạch tương đuơng là

𝑍0
𝑅= (5.25a)
𝛼ℓ
Điện dung của mạch tuơng đuơng là

𝜋
𝐶= (5.25b)
4𝑍0 𝜔0
Và độ tự cảm của mạch tương đương là:

1
𝐿= (5.25c)
𝐶𝜔02
Do bộ cộng huởng ở phần này là cộng huởng kiểu song song với chiều dài bằng
một phần tư buớc sóng với trở kháng đầu vào là Zin = R và hệ số phẩm chất đuợc cho
bởi phưong trình 6.26
𝛽
𝑄0 = 𝜔0 𝑅𝐶 = (5.26)
2𝛼
5.2.2.3. Đừờng truyền hở mạch nửa buớc sóng
97
Một bộ cộng hưởng thực tế thường đc sử dụng trong các mạch Microstrip. Bộ cộng
hưởng này sẽ hoạt động như một mạch cộng hưởng song song khi chiều dài bằng buớc
sóng chia hai hoặc bội số của nửa bước sóng.
Khi đó trở kháng đầu vào của một đuờng truyền bị tổn hao do hở mạch có chiều dài
là l sẽ có dạng
1+𝑗 tan 𝛽ℓ tanh 𝛼ℓ
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍0 coth(α + 𝑗𝛽)ℓ = 𝑍0 (5.27)
tanh 𝛼ℓ+𝑗 tan 𝛽ℓ
Giả sử l bằng bước sóng chia hai tại tần số góc bằng tần số góc cộng hưởng và cho
ω=𝜔0 +∆ω thì 𝑍𝑖𝑛 sẽ có dạng
𝑍0
𝑍𝑖𝑛 = (5.28)
𝛼ℓ + 𝑗(∆𝜔𝜋/𝜔0 )
Điện trở của mạch là

𝑍0
𝑅= (5.29)
𝛼ℓ
Điện dung của mạch tương đương là

𝜋
𝐶= (5.30)
4𝑍0 𝜔0
Hệ số phẩm chất Q không tải

𝛽
𝑄0 = 𝜔0 𝑅𝐶 = (5.31)
2𝛼
5.3. MẠCH LỌC SIÊU CAO TẦN

5.3.1. Các mạch lọc cơ bản
5.3.1.1. Các loại bộ lọc và tham số
Có bốn loại bộ lọc cơ bản bao gồm bộ lọc thông thấp, bộ lọc thông cao, bộ lọc băng
dải và bộ lọc chặn dải, hình phía dưới cũng mô tả đồ thị mối quan hệ giữa hệ số suy hao
và tần số góc
98
Hình 5.5: Các dạng mạch lọc cơ bản
Ta chọn tham số Ώ = ω + 𝜔𝑐 như là tần số chuẩn hóa đối với tần số góc 𝜔𝑐 , biểu thị
cho tần cắt cho các bộ lọc thông thấp và thông cao, đồng thời là tần số trung tâm cho
bộ lọc thông dải và chặn dải. Quá trình chuẩn hóa này giúp đơn giản hóa trong việc phát
triển các phương thức nhẳm phát triển công cụ để đánh giá phân tích bộ lọc
Hình ảnh phía dưới mô tả các cấu hình suy giảm thực tế cho bộ lọc thông thấp
Hình 5.6: Suy giảm thực tế cho ba loại bộ lọc thông thấp
Bộ lọc dạng nhị thức thể hiện đặc tính suy giảm là một hình cong đơn giản và có
thể dễ dàng thực hiện. Tuy nhiên để đạt được sự suy giảm mạnh từ thông dải sang chặn
dải cần một số lượng lớn các thành phần quan trọng khác. Một độ dốc lớn hơn nếu có
thể thưc hiện một số sự thay đổi nhất định trong cấu hình thông dải. Nếu các đường
sóng được duy trì với biên độ bằng nhau trong thông dải hoặc chặn dải thì bộ lọc được
tạo ra sẽ là Chebyshev vì được thiết kế dựa trên đa thức cùng tên. Cả bộ lọc Binomial
và Chebyshev ta quan sát thấy rằng độ suy hao đạt lớn nhất khi Ώ đạt vô cùng. Điều
này trái ngược đối với bộ loc Eliptic, nó cho phép chuyển độ dốc từ băng dải sang chặn
dải. Do sự phức tạp của thuật toán mà ta sẽ không đi sâu tìm hiểu thêm
99
Để phân tích các ưu nhược điểm khác nhai khi xử lý các bộ lọc thi các thông số sau
sẽ đóng vai trò chính
- Insertion loss: Lý tưởng nhất đối với một bộ lọc khi thêm vào mạch RF là sẽ
không có sự suy giảm công suất trong băng dải. Nói cách khác, nó sẽ không có
sự suy hao khi được thêm vào. Tuy nhiên trong thực tế vẫn có sự suy giảm nhất
định liên quan đến bộ lọc. Tham số này được đưa bởi công thức
𝑃𝑖𝑛
𝐼𝐿 = 10 log = −10 log(1 − |𝛤𝑖𝑛 |2) (5.32)
𝑃𝐿
- Ripple: độ phẳng của tín hiệu có thể được đánh giá bằng sự chênh lệch lớn nhất
và nhỏ nhất theo đơn vị dB hoặc Nepers. Như đã đề cập đến ở trên , bộ lọc
Chebyshev được thiết kế để cho phép chúng ta điều chỉnh độ lớn của tham số
này
- Băng thông: đối với băng dải, băng thông được định nghĩa là sự chênh lệch giữa
tần số trên và dưới tại điểm suy giảm 3dB
𝐵𝑊 3𝑑𝐵 = 𝑓𝑢3𝑑𝐵 − 𝑓𝐿3𝑑𝐵 (5.33)
- Shape factor: hệ số này để mô tả về sự phản hồi của bộ lọc bằng tỷ số giữa băng thông
60dB và 3dB
𝐵𝑊60𝑑𝐵 𝑓60𝑑𝐵
𝑢
− 𝑓60𝑑𝐵
𝐿
𝑆𝐹 = = (5.34)
𝐵𝑊3𝑑𝐵 𝑓3𝑑𝐵
𝑢
− 𝑓3𝑑𝐵
𝐿
- Rejection: Đối với mộ bộ lọc lý tưởng, chúng ta sẽ thu được đọ suy hao vô hạn
đối với các tín hiệu không mong muốn. Tuy nhiên trong thực tế ta mong muốn
giới hạn trên bởi việc triển khai một số lượng hữu hạn các phần tử trong bộ lọc.
Ta quan sát được, ngoài điểm suy giảm 3dB, sự đáp ứng suy giảm nhanh chóng tăng
lên và đạt tại điểm rejection 60dB 𝑓𝐿3𝑑𝐵 /𝑓𝑐
Hình 5.7: Hệ số suy hao của bộ lọc băng dải
100
Một tham số khác của bộ lọc chính là hệ số phẩm chất Q, thường được định nghĩa
là tỷ lệ giữa năng lượng tích lũy trung bình và năng lượng tổn thất trên mỗi chu kì tại
tần số cộng hưởng
𝑊𝑠𝑡𝑜𝑟𝑒𝑑
𝑄=𝜔 | (5.35)
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 𝜔=𝜔
0
Trong đó Ploss bằng năng lượng suy hao trên một đơn vị thời gian. Khi áp dụng định
nghĩa ta cần phân biệt bộ lọc có tải và bộ lọc không tải. Tại đây ta có thể xem bộ lọc
như một mạng hai cổng được kết nối với nguồn ở đầu vào và tải ở phía đầu ra như được
minh họa tại hình phía dưới.
Hình 5.8: Bộ lọc như mạng hai cổng kết nối với nguồn RF và tải
Thông thường ta coi sự tổn thất là tổn thất từ tải và bản thân bộ lọc cũng xảy ra tổn
thất. Hệ số phẩm chất kết quả được gọi là Q tải hay còn được kí hiệu là QLD. Ta dễ thấy
nghịch đảo Q ta được tải như mô tả phía dưới
1 1 𝑐ô𝑛𝑔 𝑠𝑢ấ𝑡 𝑠𝑢𝑦 ℎ𝑎𝑜 𝑡𝑟𝑜𝑛𝑔 𝑏ộ 𝑙ọ𝑐
= |
𝑄𝐿𝐷 𝜔 𝑁ă𝑛𝑔 𝑙ượ𝑛𝑔 𝑙ư𝑢 𝑡𝑟ữ 𝑡𝑟𝑢𝑛𝑔 𝑏ì𝑛ℎ 𝜔=𝜔
𝑟
(5.36)
1 𝑐ô𝑛𝑔 𝑠𝑢ấ𝑡 𝑠𝑢𝑦 ℎ𝑎𝑜 𝑡𝑟𝑜𝑛𝑔 𝑡ả𝑖
+ |
𝜔 𝑁ă𝑛𝑔 𝑙ượ𝑛𝑔 𝑙ư𝑢 𝑡𝑟ữ 𝑡𝑟𝑢𝑛𝑔 𝑏ì𝑛ℎ 𝜔=𝜔
𝑟
Như ở trên đã đề cập bản thân tổng công suất suy hao là do có sự xuất hiện của tải
và bộ lọc do đó ta có thể viết
1 1 1
= + (5.37)
𝑄𝐿𝐷 𝑄𝐹 𝑄𝐸
Trong đó 𝑄𝐹 và 𝑄𝐸 là hệ số phẩm chất của bộ lọc và từ bên ngoài. Và ta có thể viết

phương trình trên ở một dạng khác như dưới đây
𝑓𝑐 𝑓𝑐
𝑄𝐿𝐷 = ≡ (5.38)
𝑓3𝑑𝐵
𝑢
− 𝑓3𝑑𝐵
𝐿
𝐵𝑊3𝑑𝐵
Trong đó 𝑓𝑐 là tần số trung tâm hay còn gọi là tần số cộng hưởng của bộ lọc
101
5.3.1.2. Bộ lọc thông thấp

Mạch lọc thông thấp là một trong những ví dụ đơn giản nhất, như miêu tả ở hình
dưới là hình ảnh bộ lọc được nối với tải.
Hình 5.9: Bộ lọc thông thấp kết nối giữa tải và nguồn
Trọng tâm của quá trình thiết kế tải là tím được điện áp đầu ra kí hiệu là V2 khi mà
điện áp đầu vào là V1 hoặc điện áp máy phát kí hiệu là VG
Để đơn giản ta xếp tầng bốn mạng ABCD lại với nhau như được gợi ý trong hình
dưới
Hình 5.10: Mạng ABCD xếp tầng
Một cách tổng quát ta có mạng ABCD như dưới

𝐴 𝐵 1 𝑅𝐺 1 𝑅 1 0
[ ]=[ ][ ][ ]
𝐶 𝐷 0 1 0 1 𝑗𝜔𝐶 1
1
1 + (𝑅 + 𝑅𝐺 )(𝑗𝜔𝐶 + )𝑅𝐺 𝑅𝐺 + 𝑅𝐿 (5.39)
𝑅𝐿
=
1
𝑗𝜔𝐶 + 1
[ 𝑅𝐿 ]
102
Trên thực tế cả trở kháng tải và trở kháng nguồn đều được coi là điện trở. Vì A được
định nghĩa bằng VG/V2 nên ta cần nghịch đảo hệ số này:
𝑉2 1 1
= =
𝑉𝐺 𝐴 1 + (𝑅 + 𝑅 )(𝑗𝜔𝐶 + 1 ) (5.40)
𝐺 𝑅𝐿
Phương trình trên có thể được dùng để kiểm tra các trường hợp giới hạn khi tần số
bằng 0 hoặc đạt đến giá trị vô cùng
Đối với tần số góc tiến đến vô cùng
𝑉2
=0 (5.41a)
𝑉𝐺
Đối với tần số góc tiến đến 0

𝑉2 1 𝑅𝐿
= = (5.41b)
𝑉𝐺 1 + (𝑅 + 𝑅𝐺 )/𝑅𝐿 𝑅 + 𝑅𝐺 + 𝑅𝐿
Đối với tần số góc tiến đến vô cùng ta thấy rằng sự phân chia điện áp được áp dụng
cho điều kiện một chiều. Trong khi đó tại trườn hợp thứ hai bộ lọc cho thấy đặc tính
của bộ lọc thông thấp khi các đầu ra tại tần số cao đều bằng 0. Hơn nữa, nếu điện trở
của tải có giá trị tiến đến vô cùng thì bộ lọc sẽ thành bộ lọc không tải và do đó ta có
𝑉2 1
= 𝐻 (𝜔 ) = (5.42)
𝑉𝐺 1+𝑗𝜔(𝑅𝐺 +𝑅)𝐶
Trong đó hàm H được biết được đến là hàm truyền. Bên cạnh hàm truyền ta cần
tính toán hệ số suy giảm tại đơn vị Neper (Np)
1
α(ω) = -ln |𝐻(𝜔)| = − ln |𝐻(𝜔)|2 (5.43)
2
Hoặc theo đơn vị dB

α(ω) = −10 log |𝐻(𝜔)|2 (5.44)
Ta cũng có tương ứng hàm của pha

𝐼𝑚{𝐻(𝜔)}
ɸ(ω) = 𝑡𝑎𝑛−1 ( ) (5.45)
𝑅𝑒{𝐻(𝜔)}
Liên quan trực tiếp đến pha hay còn gọi là nhóm trễ được định nghĩa như đạo hàm
của pha
103
𝑑ɸ(𝜔)
𝑡𝘨 = (5.46)
𝑑𝜔
Thông thường để thiết kế bộ lọc gần với lí tưởng. Nhóm trễ cần được đơn giản thành
hằng số
Đáp ứng thông thường của một bộ lọc có thông số là C = 10 pF, R = 10 ohm và RG
= 50ohm và các tham số khác được biểu diễn như dưới
Hình 5.11: Hệ số suy hao của bộ lọc thông thấp với các giá trị điện trở tải khác nhau
Hình 5.12: Đáp ứng pha của bộ lọc thông thấp với các giá trị điện trở tải khác nhau
5.3.1.3. Bộ lọc thông cao
104
Thay thế cho cuộn cảm là tụ điện sẽ cho phép cấu hình thành bộ lọc thông cao
nhưng bậc 1. Các bước phân tích thực hiện như d làm trước đây tuy nhiện điện trở điện
dung sẽ được thay thế bằng điện kháng cảm ứng. Khi đó ta có kết quả là:
1 0
𝐴 𝐵 1 𝑅𝐺 1 𝑅
[ ]=[ ][ ][ 1 ]
𝐶 𝐷 0 1 0 1 1
𝑗𝜔𝐿
1 1 (5.47)
1 + (𝑅 + 𝑅𝐺 )( + )𝑅𝐺 𝑅𝐺 + 𝑅𝐿
𝑗𝜔𝐿 𝑅𝐿
=
1
𝑗𝜔𝐶 + 1
[ 𝑅𝐿 ]
Hình 5.13: Hình a) Bộ lọc thông thấp với trở kháng tải và hình
b) mạng và điện thế đầu vào/đầu ra
Khi đó ta có kết quả:

𝑉2 1 1
= =
𝑉𝐺 𝐴 1 + (𝑅 + 𝑅 )( 1 + 1 ) (5.48)
𝐺 𝑗𝜔𝐿 𝑅𝐿
Khi tần số góc tiến đến 0

𝑉2
=0 (5.49)
𝑉𝐺
Khi tần số góc tiến đến vô cùng

𝑉2 1 𝑅𝐿
= = (5.50)
𝑉𝐺 1 + (𝑅𝐺 + 𝑅)/𝑅𝐿 𝑅𝐺 + 𝑅 + 𝑅𝐿
5.3.1.4. Bộ lọc thông dải và chặn dải

Mạng được biểu diễn bởi ABCD có dạng như dưới đây
𝑍
1 0 1 + 𝐺 𝑅𝐺 𝑍𝐺 + 𝑍
𝐴 𝐵 1 𝑍𝐺 1 𝑍 1 𝑍𝐿
[ ]=[ ][ ][ 1] = [ 1 ] (5.51)
𝐶 𝐷 0 1 0 1 𝑍𝐿 1
𝑍𝐿
105
Trong đó:
1
𝑍 = 𝑅 + 𝑗(𝜔𝐿 − ) (5.52)
𝜔𝐶
1
Hàm truyền H(ω) = được định nghĩa bằng:
𝐴
𝑉2 𝑍𝐿
= H(ω) = (5.53)
𝑉𝐺 (𝑍𝐿 + 𝑍𝐺 ) + 𝑅 + 𝑗[𝜔𝐿 − 1/(𝜔𝐶)]
Bộ lọc thông dải có thể được hình thành thông qua mạch RLC nối tiếp hoặc mạch
RLC shunt song song
Hình 5.14: Hệ số suy hao của bộ lọc với các trở kháng tải khác nhau
Hình 5.15: Đáp ứng pha của bộ lọc với các giá trị trở kháng tải khác nhau
106
Hình 5.16: Bộ lọc thông dải với cấu hình mắc nối tiếp
Nếu các đoạn mạch nối tiếp được thay bằng mạch Shunt thì ta sẽ thay Z bằng 1/Y
điều đó dẫn đến
𝑉2 𝑍𝐿
= (5.54)
𝑉𝐺 𝑍𝐿 + 𝑍𝐺 + 1/𝑌
Và hệ số dẫn nạp được cho bởi công thức

1
𝑌 = 𝐺 + 𝑗(𝜔𝐶 − ) (5.55)
𝜔𝐿
Khi đó ta có
1
𝑉2 𝑍𝐿 [𝐺 + 𝑗(𝜔𝐶 − )]
= 𝐻 (𝜔 ) = 𝜔𝐿 (5.56)
𝑉𝐺 1
(𝑍𝐿 + 𝑍𝐺 ) + [𝐺 + 𝑗 (𝜔𝐶 − )] + 1
𝜔𝐿
Khi làm việc với các hệ thống lưu trữ hoặc các mạng dựa trên thành phần LC ta có
thể sử dụng tham số hệ số phẩm chất để chỉ ra băng thông và băng dừng của bộ lọc đó
𝑓0
𝐵𝑊 = (5.57)
𝑄
Trong đó f0 là tần số cộng hưởng. Hệ số phẩm chất là nghịch đảo của hệ số phân tán
kí hiệu là d, tuy nhiên điều này phụ thuộc vào việc ta đang cần xử lý mạch nối tiếp RLC
hay mạch mắc song song GLC.
Hệ số phẩm chất cung cấp cho ta các thông tin về sự suy hao được tạo ra do bản
thân cấu hình của mạch cộng hưởng.
107
Bảng 5.1: Bảng các tham số trong mạch
Hình 5.17: Hàm truyền
Hình 5.18: Pha của hàm truyền
Khi xử lý các tình huống có tải, mạch sẽ tăng thêm sự phức tạp do có thêm máy
phát cùng trở kháng tải được gắn vào bộ cộng hưởng. Mục đích chính là cần phân tích
108
bộ cộng hưởng nối tiếp và bộ lọc thông dải được kết nối với điện trở của máy phát RG
và tải là RL. Để không làm mất tính tổng quát ta có thể gộp cả hai loại này thành một
như hình dưới đây
Hình 5.19: Mạch sử dụng cho việc định nghĩa hệ số phẩm chất có tải và không tải
Trong đó RE = RG + RL và VG được hiểu như là tương đương Thévenin, như vậy

nhìn chung sự suy hao có thể bắt nguồn từ ba thành phần chính là RE hoặc R hoặc cả
hai. Vì vậy chúng ta có ba trường hợp chính như sau:
Hệ số phẩm chất ngoại (RE khác 0 và R = 0)
𝜔0 𝐿 1
𝑄𝐸 = = (5.55)
𝑅𝐸 𝜔0 𝐶𝑅𝐸
Hệ số phẩm chất do bộ lọc (RE = 0, và R khác 0)
𝜔0 𝐿 1
𝑄𝐹 = = (5.56)
𝑅 𝜔0 𝐶𝑅
Hệ số phẩm chất của tải (RE và R khác 0)
𝜔0 𝐿 1
𝑄𝐿𝐷 = = (5.57)
𝑅 + 𝑅𝐸 (𝑅 + 𝑅𝐸 )𝜔0 𝐶
Ta có độ lệch tần số chuẩn hóa tính từ điểm cộng hưởng

𝜔 𝜔0
ε= − (5.58)
𝜔0 𝜔
Nếu mở rộng ta sẽ có
𝑓0 +𝑓−𝑓0 𝑓0 ∆𝑓
ε= − ~2 (5.59)
𝑓0 𝑓0 +𝑓−𝑓0 𝑓0
Phương trình trên dẫn đến sự thay đổi vi phân trong hệ số chất lượng
∆𝑓
𝑄𝐿𝐷 = ε𝑄𝐿𝐷 ~ 2 𝑄𝐿𝐷 (5.60)
𝑓0
109
Nếu sử dụng 𝑋 = 𝜔 𝐿 trong mạch được mắc nối tiếp

∆𝑄𝐿𝐷 𝑓0 𝑑𝑋
𝑄𝐿𝐷 = = | (5.61a)
ε 2(𝑅𝐸 + 𝑅) 𝑑𝑓 𝑓=𝑓
0
Nếu 𝐵 = 1/(𝜔𝐿) trong mạch được mắc song song ta sẽ có:

∆𝑄𝐿𝐷 𝑓0 𝑑𝐵
𝑄𝐿𝐷 = = | (5.61b)
ε 2(𝐺𝐸 + 𝐺) 𝑑𝑓 𝑓=𝑓
0
Viết lại hai phương trình trên ta có

∆𝑄𝐿𝐷 𝑓0 𝑑𝐼𝑚{𝑍}
𝑄𝐿𝐷 = = | (5.62a)
ε 2𝑅𝑒{𝑍} 𝑑𝑓 𝑓=𝑓
0
∆𝑄𝐿𝐷 𝑓0 𝑑𝐼𝑚{𝑌}
𝑄𝐿𝐷 = = | (5.62b)
ε 2𝑅𝑒{𝑍} 𝑑𝑓 𝑓=𝑓
0
Trong đó Re{Z}, Im{Z}, Re{Y} và Im {Y} là thực và ảo của tổng trở kháng và dẫn
nạp trong mạch cộng hưởng
5.3.1.5. Suy hao đan xen
Các biểu thức về hệ số phẩm chất trước đây rất hữu ích trong việc thiết kế cũng như
xây dựng mạch RF, bởi lẽ hệ số phẩm chất Q dễ dàng được đo lường hơn so với trở
kháng thực tế và dẫn nạp. Vì vậy sẽ rất dễ dàng khi biểu diễn lại các giá trị điện trở và
dẫn nạp của bộ lọc thông dải và chặn dải thông qua các hệ số Q khác nhau. Ví dụ ta có
thể viết lại trở kháng của mạch nối tiếp thành dạng
𝑄𝐿𝐷
𝑍 = (𝑅 + 𝑅𝐸 ) [ + 𝑗𝑄𝐿𝐷 ε] (5.63)
𝑄𝐹
Thực hiện các bước tiếp theo như được mô tả trong bộ cộng hưởng nối tiếp, và từ
đó có thể suy ra giá trị dẫn nạp Y của bộ cộng hưởng song song
𝑄𝐿𝐷
𝑌 = (𝑅 + 𝐺𝐸 ) [ + 𝑗𝑄𝐿𝐷 ε] (5.64)
𝑄𝐹
Xét mạch có đặc tính trở kháng khớp ở phía tải và nguồn hay ZL = ZG = Z0 như hình
dưới
110
Hình 5.20: Nhiễu đan xen
Công suất được đưa đến tải bằng tổng công suất đến nguồn, hay ta có
𝑃𝐿 = 𝑃𝑖𝑛 = |𝑉𝐺 |2 /(8𝑍0 ) (5.65)
Nếu bộ lọc được thêm như hình b thì công suất khi đến tải sẽ là
2
1 𝑉𝐺 |𝑉𝐺 |2 /(8𝑍0 )
𝑃𝐿 = | | 𝑍0 = 2
2 2𝑍0 + 𝑍 1 𝑄𝐿𝐷 (5.66)
|2𝑍0 + (2𝑍0 + 𝑅) [ + 𝑗𝜀𝑄𝐿𝐷 ]|
4𝑍02 𝑄𝐹
Thực hiện biến đổi ta có

1
𝑃𝐿 = 𝑃𝑖𝑛 (5.67)
(1 + 𝜀 2 𝑄𝐿𝐷 2 )𝑄𝐸 2 /𝑄𝐿𝐷 2
Nhiễu đan xen tính theo dB do sự xuất hiện của bộ lọc được tính bằng
(1+𝜀2 𝑄𝐿𝐷 2 )
𝐼𝐿 = 10 log = 10 log(1 + 𝜀 2 𝑄𝐿𝐷 2 ) − 10 log (1 − 𝑄𝐿𝐷 /𝑄𝐹 )2 (5.68)
𝑄𝐿𝐷 2 /𝑄𝐸 2
Tại điểm cộng hưởng, ε = 0 số hạng đầu bị loại bỏ và số hạng thứ hai chỉ ra sự tổn
hao của bộ cộng hưởng. Tuy nhiên nếu bộ lọc không đạt được sự cộng hưởng thì số
hạng đầu tiên sẽ biểu diễn độ nhạy. Nếu xem xét tần số tại điểm mà công suất đến tải
chỉ bằng một nửa hay 3dB chúng ta sẽ có 1 + …. = 2
𝑍𝑖𝑛 − 𝑍𝐺 2 𝑄𝐿𝐷 2 /𝑄𝐸 2

1 − |𝛤𝑖𝑛 |2 =1−| | = (5.69)
𝑍𝑖𝑛 +𝑍𝐺 1 + 𝜀 2 𝑄𝐿𝐷 2
111
Khi đó LF được gọi là hệ số suy hao và đóng vai trò quan trọng trọng việc thiết kế
bộ lọc có độ suy giảm mong muốn.
5.3.2. Thiết kế mạch lọc siêu cao tần
5.3.2.1. Bộ lọc loại Butterworth
Đây được coi là loại bộ lọc phẳng vì trong cấu hình suy giảm của loại này không
có các phần không bằng phẳng xuất hiện. Đối với các bộ lọc thông thaaos, nhiễu đan
xen được xác định thông qua hệ số suy hao
𝐼𝐿 = −10log (1 − |𝛤𝑖𝑛 |2 ) = 10 log{𝐿𝐹 } = 10 log{1 + 𝛼 2 Ώ2𝑁 } (5.70)
Trong đó Ώ là tần số chuẩn hóa và N được biểu thị cho thứ tự của bộ lọc. Thông
thường nếu chọn hệ số alpha bằng 1 thì tần số chuẩn hóa có giá trị bằng 1 so vậy IL có
giá trị 2, tại điểm 3dB tần số cắt. Như hình phía dưới mô tả IL với một vài giá trị N
Hình 5.21: Bộ lọc Butterworth
Các giá trị của thành phần tại mạch như hình phía dưới đây được đánh số từ g0 đến
gN+1. Các thành phần trong mạch được biến đổi giữa cảm kháng nối tiếp và điện dung
shunt. Các thành phần tương ứng g được định nghĩa như phía dưới
112
Hình 5.22: Hai dạng tương đương của bộ lọc với thành phần được chuẩn hóa
Các giá trị của g được lập thành bảng. Đối với các giá trị N lớn hơn 10, bảng dưới
đây tóm tắt các giá trị g tương ứng cho bộ lọc thông thấp cực đại dựa trên giá trị g0 = 1
và tần số cắt bằng 1
Bảng 5.2: Bảng các giá trị của g
N g1 g2 g3 g4 g5 g6 g7 g8 g9 g10 g11
1 2,0000 1,0000
2 1,4142 1,4142 1,0000
3 1,0000 2,0000 1,0000 1,0000
4 0,7654 1,8478 1,8478 0,7654 1,0000
5 0,6180 1,6180 2,0000 1,6180 0,6180 1,0000
6 0,5176 1,4142 1,9318 1,9318 1,4142 0,5176 1,0000
7 0,4450 1,2470 1,8019 2,0000 1,8019 1,2470 0,4450 1,0000
8 0,3902 1,1111 1,6629 1,9615 1,9615 1,6629 1,1111 0,3902 1,0000
9 0,3473 1,0000 1,5321 1,8794 2,0000 1,8794 1,5321 1,0000 0,3473 1,0000
10 0,3129 0,9080 1,4142 1,7820 1,9754 1,9754 1,7820 1,4142 0,9080 0,3129 1,0000
113
Sự suy giảm tương ứng so với tần số hoạt động cho các thứ tự bộ lọc khác nhay
được mô t như dưới đây. Các đường cong suy giảm được mô ta rất hữu ích cho việc xác
định yêu cầu của bộ lọc, chẳng hạn neeys nếu một bộ lọc thông thấp phẳng đuợc thiết
kế với sự suy hao ít nhất bằng 60 dB và tại tần số chuẩn hóa là 2 thì ta có thể thấy được
N bằng 10.
Hình 5.23: Sự suy hao của bộ lọc thông thấp với tần số chuẩn hóa
Đồng thời hình cũng cho chúng ta biết được sự suy giảm tăng mạnh hơn sau tần số
cắt. và dễ thấy tại tần số chuẩn hóa lớn hơn 1 thì hệ số suy hao tăng Ώ2𝑁 . Tuy nhiên ta
cũng thấy đáp ứng pha không được nhắc đến. Trong nhiều ứng dụng của tuyền thông
không dây, vấn đề pha tuyến tính là một trong những vấn đề quan trọng. Tuy nhiên hai
vấn đề nêu trên là các yêu cầu độc lập. Nghĩa là nếu muốn pha tuyến tính ta cần một
yêu cầu như sau
ɸ(Ώ) = 𝐴1 Ώ(1 + 𝐴1 Ώ2𝑁 ) (5.71)
Với A1 và A2 là hằng số tùy và độ trễ trong nhóm tg là

𝑑ɸ(Ώ)
tg = = 𝐴1 [1 + 𝐴2 (2𝑁 + 1)Ώ2𝑁 ] (5.72)
𝑑Ώ
5.3.2.2. Bộ lọc Chebyshev

Thiết kế các bộ lọc tương đương dựa trên tổn hao xen kẽ có cơ chế được mô tả bới
đa thức Chebyshev
IL = 10log {LF} = 10log{1+𝛼 2 𝑇𝑁 2 (Ώ)} (5.73)
Để đánh giá được cách thức hoạt động của đa thức Chebyshev trong dải tần số
chuẩn hóa từ -1 đến 1 ta liệt kệ 5 số hạng đầu
114
Quan sát ta thấy rằng số hạng đầu là một hằng số, số hạng 2 là một hàm tuyến tính,
ba số hạng còn lại lần lượt là hàm bậc 2, 3 và 4. Điều này được thể hiện như hình dưới
Quan sát sẽ thấy các đa thức đều dao động trong khoảng cộng trừ 1. Độ lớn của
hàm truyền có được từ đa thức Chebyshev có dạng
1
|𝐻(Ώ)| = √𝐻(Ώ)𝐻(Ώ)∗ =
√1+𝛼2 𝑇𝑁 2 (Ώ)
(5.74)
Trong đó là đa thức Chebyshev bậc N và alpha là hệ số không đổi cho phép điều
kiểu độ cao của các phần nhô lên trong băng dải.
Trong hình dưới đây, hệ số suy hao và suy hao đan xen được vẽ với bộ lọc
Chebyshev có hệ số alpha là 1 điều này dẫn đến đáp ứng suy giảm 3 dB ở tần số cộng
hưởng
Hình 5.24: Tần số phụ thuộc vào hệ số suy hao và nhiễu đan xen
của bộ lọc thông thấp Chebyshev
Như đã đề cập độ lớn của các phần không bằng phẳng được điều khiển bẳng cách
lựa chọn hệ số alpha phù hợp. Vì đa thức này dao động từ -1 đến 1 cho tần số chuẩn
hóa trong đoạn từ -1 đến 1, các giá trị bình phương vì vậy sẽ dao động trong khoảng từ
0 đến 1 trong dải tần tương ứng. Do đó nếu tần số nằm chuẩn hóa nằm trong đoạn từ -
1 đến 1 thì hệ số suy giảm nhỏ nhất bằng 0 và mức suy giảm lớn nhất là IL = 10log (1
+ α2). Vì vậy nếu muốn có được độ lớn mong muốn của các phần không bằng phẳng kí
hiệu là RPLdB thì α phải chọn
115
α = √10𝑅𝑃𝐿𝑑𝐵 /10 − 1
Ví dụ nếu muốn phần không phẳng có giá trị là 0.5 dB thì cần chọn hệ số α là 0.3493
Hai hình phía dưới mô tả hệ số alpha với giá trị khác nhau đạt được
Hình 5.25: Đáp ứng suy hao cho bộ lọc Chebyshev 3dB
Hình 5.26: Đáp ứng suy hao cho bộ lọc Chebyshev 0,5 dB
5.3.2.3. Sự không chuẩn hóa của thiết kế bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn
Các bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn cần có sự chuyển đổi giữa các bộ lọc còn lại tùy
thuộc vào yêu cầu sử dụng thực tế, các mục tiêu đó có thể được thực hiện nhờ vào việc
xem xét hai bước riêng biệt:
- Biến đổi tần số: để chuyển dổi tần số chuẩn hóa thành tần số thực, bước này được
có thể hiểu thành tỷ lệ của điện cảm và điện dung
- Biến đổi trở kháng: để chuyển dổi nguồn tiêu chuẩn và điện trở tải g0 thành g(N+1)
thành điện trở thực RL và RG.
116
Đầu tiên ta bắt đầu bằng cách kiểm tra sự chuyển đổi tần số và ý nghĩa của nó về
các bộ lọc khác nhau. Để loại bỏ các kí hiệu dễ gây nhầm lẫn, phần này các kí hiệu như
Ln (n = 1, 2, .., N) thành L
a) Chuyển đổi tần số
Các bộ lọc thông thấp bậc 4 tiêu chuẩn với độ không bằng phẳng là 3dB trong băng
dải đáp ứng được biểu diễn như hình phía dưới đây, tại đây có thêm cả phần biểu thị tần
số âm làm thể hiển rõ ràng hơn tính đối xứng của ciệc suy giảm trong miền tần số.
Hình 5.27: Bộ lọc thông thấp bậc 4 với 3 dB ripple trong dải băng thông
Hơn nữa bằng cách chia và dịch tần, các bộ lọc như 4 hình phía dưới cũng được tạo
ra. Đối với bộ lọc thông thấp ta có thể sử dụng phép nhân đơn giản đối với tần số cắt để
có được tỉ lệ mong muốn:
ω = Ω𝜔𝑐 (5.75)
Hình 5.28: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn vào bộ lọc thông thấp thực tế, với tần số
cắt là 1Ghz
117
Để chia được tỷ lệ ta chọn tần số cắt bất kì tại đây giả sử ta chọn 1 GHz. Trong biểu
thực hệ số suy hao đan xen và hệ số suy hao tương ứng omega được thay thế bằng
omegac. Đối với các phần tử cảm ứng và điện dung chúng ta có thể so sánh giá trị chuẩn
hóa với giá trị thực t
𝑗𝑋𝐿 = 𝑗𝛺𝐿 = 𝑗(𝜔 − 𝜔0 )𝐿 = 𝑗𝜔𝐿̃ (5.76a)

1 1 1
𝑗𝑋𝐶 = = = (5.76b)
𝑗𝛺𝐶 𝑗(𝜔 − 𝜔0 )𝐶 𝑗𝜔𝐶̃
Điều này cho thấy rằng điện cảm à điện dung thực tế được tính từ các giá trị chuẩn
hóa
𝐿̃ = 𝐿/𝜔𝑐 (5.77a)
𝐶̃ = 𝐶/𝜔𝑐 (5.77b)
Đối với bộ lọc thông cao, đáp ứng tần số cần được ánh xạ vào trong miền tần số
hyperbol. Điều này có thể được thực hiện qua phép biến đổi sau:
−𝜔𝑐
𝜔= (5.78)
𝛺
Tính đúng đắn của phép tính trên được thể hiện khi tần số cắt chuẩn hóa bằng cộng
trừ 1. Việc này được chỉ định cho tần số cắt thực tế đối với bộ lọc thông cao, và được
thế hiện như hình dưới
Hình 5.29: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn vào bộ lọc thông cao
với tần số cắt là 1GHz
Cuối cùng ta có:

1
𝐶̃ = (5.79a)
𝜔𝑐 𝐿
118
1
𝐿̃ = (5.79b)
𝜔𝑐 𝐶
Điều này có ý nghĩa trực quan vì ta đã biết được từ lý thuyết mạch cơ bản rằng bộ
lọc thông cao bậc 1 có được từ bộ lọc thông thấp bằng cách thay thế tụ điện bằng cuộn
cảm hoặc ngược lại.
Bộ lọc thông dải đòi hỏi sự biến đổi phức tạp hơn. Ngoài các việc trên cần có thêm
phép dịch đáp ứng bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn. Việc ánh xạ này được thể hiện như
hình dưới
Hình 5.30: Ánh xạ tần số tiêu chuẩn vào tần số thực

với tần số cắt thấp là 1 và tần số cắt cao là 3
Biểu thức sau thể hiện điều trên
1 𝜔 1 𝜔𝐶 𝜔 𝜔
Ω = 𝜔𝑈 𝜔 ( − 𝜔 )= ( − ) (5.80)
− 𝐿 𝜔𝐶 𝜔𝐶
𝜔𝑈 −𝜔𝐿 𝜔𝐶 𝜔𝐶
𝜔𝐶 𝜔𝐶
Tại đây tần số thấp và cao được định nghĩa băng thông của băng tần tại vị trí . Như
đã đề cập trước đó tần số cắt định nghĩa tần số trung tâm khi ấu phương trình trên được
viết lại thành
ω0
Ω= 𝛆 (5.81)
ωU −ωL
Thực tế là chúng ta có thể xác định giá trị của tần số trung tâm bằng các lấy căn bậc
hai tích của tần số trên và dưới. Ánh xạ này có thể được xác minh nếu ta đặt tán số
chuản hóa bằng 1. Các phép biến đổi tần số này được thể hiện như sau:
0 ≤ Ω ≤ 1 => ω0 ≤ 𝜔 ≤ 𝜔𝑈
119
-1 ≤ Ω ≤ 0 => ωL ≤ 𝜔 ≤ −𝜔0
Kết quả của phép biến đổi này được thể hiện như hình dưới
Hình 5.31: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn thành thông dải với tới tần số thấp cắt
bằng 0,7 và tần số cắt cao bằng 1,3 và tần số trung tâm là 1 GHz
Ngoài ra các thông số cũng được biến đổi trở thành

1
𝑗𝑋𝐿 = 𝑗𝛺𝐿 = 𝑗(𝜔 − 𝜔0 )𝐿 = 𝑗𝜔𝐿̃ + (6.82)
𝑗𝜔𝐶̃
𝐶
𝐶̃ = (6.83a)
𝜔𝑈 − 𝜔𝐿
𝜔𝑈 − 𝜔𝐿
𝐿̃ = (6.83b)
𝐶𝜔0 2
Bộ lọc chặn dải không có các quy định nguồn gốc do vậy chúng được phát triền dựa
trên một phép biến đổi nghịch đảo của phương trình 6.81 hoặc bằng cách biến đổi bộ
lọc thông cao sau đó áp dụng phương trình 6.82. Khi đó các thông số của bộ lọc trở
thành
𝐿̃ = (𝜔𝑈 − 𝜔𝐿 )𝐿/𝜔0 2 (6.84a)

1
𝐶̃ = (6.84b)
(𝜔𝑈 − 𝜔𝐿 )𝐿
Và đối với tụ điện shunt

1
𝐿̃ = (6.85a)
(𝜔𝑈 − 𝜔𝐿 )𝐶
𝐶̃ = (𝜔𝑈 − 𝜔𝐿 )𝐶/𝜔0 2 (6.85b)
Kết quả của tần số đáp ứng đối với bộ lọc này được thể hiện như hình dưới
120
Hình 5.32: Sự chuyển đổi của bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn vào băng dừng với tần số trung
tâm là 1 GHz. Tần số cắt thấp là 0,7 GHz và tần số cắt cao là 1,3 GHz
Bảng phía dưới mô tả quá trình chuyển đổi giữa bộ lọc thông thấp và các loại bộ
lọc khác
Bảng 5.3: Chuyển đổi bộ lọc thông thấp với các bộ lọc khác
b) Chuyển đổi trở kháng

Nếu điện trở của máy phát và điện trở của tải không bằng nhau thì ta cần chia tỷ lệ
với toàn bộ biểu thức cho điện trở thực RG nghĩa là
̃𝐺 = 1𝑅𝐺
𝑅 (5.86a)
𝐿̃ = 𝐿𝑅𝐺 (5.86b)
𝐶
𝐶̃ = (5.86c)
𝑅𝐺
̃𝐿 = 𝑅𝐺 𝑅𝐿
𝑅 (5.86d)
121
Các dấu “~” ở đây ám chỉ các giá trị thực tế thu được còn lại là các giá trị nguyên
mẫu thu được
5.3.3. Mạch lọc siêu cao tần sử dụng mạch vi dải
Các bộ lọc nếu băng tần vượt quá 500 MHz thường sẽ rất khó hoạt động với các
thành phần rời rạc bởi chiều dài bước sóng sẽ tương đương với các thành phần trong bộ
lọc và kết quả là gây ra sự suy hao làm giảm nghiêm trọng hiệu suất của bộ lọc đó
Vi vậy trong thực tế các bộ lọc với thành phần kết hợp phải được chuyển đổi thành
các thành các phần tử phân tán. Ở phần lý thuyết này một số các công cụ biến đổi sẽ
được đề cập đến như phép biến đổi Richard, khái niệm về đơn vị và định danh Kuroda
Để đề xuất về sự chuyển đổi này, Richard đã đề cập đến phéo biến đổi cho phepsp
các đường dây tải ngắn hoặc hở mạch có khả năng mô phỏng lại các đặc tính của điện
dung trên các thành phần rời rạc. Khi ấy ta sẽ có trở kháng đầu vào được biểu diễn dưới
dạng sau
𝑍𝑖𝑛 = 𝑗𝑍0 tan(𝛽𝑙) = 𝑗𝑍0 𝑡𝑎𝑛𝜃 (5.87)
Tại đây chiều dài có thể được viết lại, nếu chọn chiều dài đường dây là 𝜆0 /8 thì rõ
ràng là khi ấy
𝜆0 2𝜋𝑓 𝑣𝑝 𝜋𝑓 𝜋
𝜃=𝛽 = = = 𝛺 (5.88)
8 𝑣𝑝 8𝑓0 4𝑓0 4
Bằng cách thay 5.87 vào 5.86 ta có mối quan hệ như sau
𝜋
𝑗𝑋𝐿 = 𝑗𝜔𝐶 = 𝑗𝑌0 tan( 𝛺) = 𝑆𝑌0 (5.89)
4
Do đó phép biến đổi naỳ cho phép ta thay thế các cuộn cảm gộp bằng các đoạn ngắn
mạch của trở kháng đặc tính Z0 = L và các mạch hở có Z0 = 1/C
Phép biến đổi Richard ánh xạ các thành phần tần số đáp ứng trong dải thành do tính
chu kì của hàm tangent và thực tế là tất cả đoạn dài đều có chiều dài, đây gọi là tính
tương xứng của chiều dài. Để nhận được các đáp ứng quy nạp, ta cần giới hạn băng tần
trong khoảng. Vì tính chất tuần hoàn, đáp ứng tần số của bộ lcj như vậy không thể được
coi là băng thông rông
5.3.3.1. Các thành phần đơn vị
Để chuyển đổi các phần tử tập trung vào trong các đoạn đường truyền, cần phải
phân tách riêng biệt các thành phân đoạn đường truyền theo không gian để đạt được cấu
hình thực tế. Điều này được thực hiện bằng cách chèn các phần tử đơn vị. Các phần tử
122
này có độ dài là và có trở kháng đặc tính là ZUE. Biểu thức mạng hai cổng biểu diễn
chuỗi tham số và ta có
𝐴𝑈𝐸 𝐵𝑈𝐸 cos 𝜃 𝑗𝑍𝑈𝐸 sin 𝜃 1

1 𝑍𝑈𝐸 𝑆
[𝑈𝐸 ] = [ ] = [ 𝑗 sin 𝜃 ]= [ 𝑆 ] (5.90)
𝐶𝑈𝐸 𝐷𝑈𝐸 cos 𝜃 √1−𝑆 2 1
𝑍𝑈𝐸 𝑍𝑈𝐸
5.3.3.2. Định danh Kuroda

Ngoài phương pháp kể trên, điều quan trọng là có thể chuyển đổi một thực tế khó
triển khai thành một bộ lọc phù hợp. Để tạo điều kiện thuận lợi cho việc chuyển đổi,
Kuroda đã phát triển bốn định nghĩa được tổng kết dưới bảng sau
Lưu ý rằng các phép biến đổi được nêu trong bảng trên, điện cảm và điện dung đều
được biểu diễn bằng các phép biến đổi Richard tương đương của chúng.
Bảng 5.4: Bảng biểu diễn tương đương
5.3.3.3. Thiết kế mạch lọc vi dải

Trong ví dụ dưới đây, chúng ta tập trung vào việc thiết kế bộ lọc thông thấp, việc
thiết kế bộ lọc chặn dải sẽ có một số chú ý hơn. Quá trình thực hiện bộ lọc thực tế tiến
hành theo bốn bước sau:
- Bước 1: lựa chọn tham số bộ lọc chuẩn hóa để đáp úng các tiêu chí thiết kế
- Bước 2: thay đổi điện dung và độ tự cảm bằng các đoạn đường truyền có chiều
dài bằng
123
- Bước 3: chuyển dổi các stub line thành shunt stub thông qua các định danh
Kudora
- Bước 4: loại bỏ chuẩn hóa và lựa chọn các đường vi dải có chiều dài, chiều rộng
và hằng số điện môi.
Đặc biệt tại bước 4, yêu cầu các kiến thức hình học phù hợp
5.4. MẠCH CHIA CÔNG SUẤT
5.4.1. Mạch chữ T
Bộ chia ba nhánh chữ T đơn giản là một mạng ba cổng được sử dụng trong việc
chia công suất hoặc gộp công suất. thêm vào đó nó có thể được sử dụng trong bất kí loại
đường truyền nào. Hình ảnh phía dưới mô tả một số các điểm nối chữ T được sử dụng
trong đường microstrip và đường vi dải. Bộ chia công suất không thể phối hợp trở kháng
đồng thời với tất cả các cổng. Do vậy ở phần phân tích tiếp theo sẽ tập trung phân tích
bộ chia chữ T và sau đó thảo luận thêm vấn đề bộ chia công suất điện trở có khả năng
khớp với các cổng và không suy hao.
5.4.1.1. Bộ chia không suy hao
Các bộ chia như hình 7.1 đều là mô hình hóa cho bộ chia ba nhánh, như được minh
họa trong hình dưới
Hình 5.33: Các loại bộ chia chữ T khác nhau: a) Ống dẫn sóng chữ T E-plane b) Ống dẫn
song chữ T H-plane c) Bộ chia chữ T đường vi dải
Để bộ chia khớp với đặc tính trở kháng đầu vào 𝑍0 thì ta cần có:
1 1 1
𝑌𝑖𝑛 = 𝑗𝐵 + + = (5.91)
𝑍1 𝑍2 𝑍0
124
Nếu đường truyền giả sử là không suy hao hoặc suy hao thấp thì trở kháng đặc tính
là phần thực hay nói cách khác thành phần B = 0 do đó phương trình trên trở thành
1 1 1
+ = (5.92)
𝑍1 𝑍2 𝑍0
Trong trường hợp nếu B là không đáng kể một số các cách thức bù và các phương
thức điều chỉnh phản ứng thường được sử dụng nhằm loại bỏ tham số này trong phạm
vi một tần số hẹp cụ thể
Hình 5.34: Bộ chia chữ T không suy hao của đường truyền lý tưởng
Đầu ra của trở kháng được biểu diễn bằng tham số 𝑍1 và 𝑍2 như trong ảnh, có thể
được lựa chọn bằng việc ta cung cấp các tỷ lệ công suất khác nhau. Với trở kháng đầu
vào là 50 ohm, với bộ chia công suất 3dB ta có thể có hai đầu ra 100 Ohm. Nếu cần
thiết, ta có thể bộ biến đổi một phần tư bước song để đưa trở kháng lại mức mà ta mong
muốn. Nếu đầu ra khớp thì đầu vào cũng sẽ khớp. Như vậy ở mức lý tưởng sẽ không có
sự không khớp nào xảy ra tuy nhiên trên thực tế nó vẫn sẽ xảy ra.
5.4.1.2. Bộ chia điện trở
Nếu bộ chia ba cổng chứa các thành phần không suy hao thì nó có thể khớp tại tất
cả các cổng ngay cả khi hai cổng đầu ra có thể không được cô lập. Và mạch cho bộ chia
như vậy được minh họa như hình dưới sử dụng điện trở thành phần gộp. Bộ chia công
suất (-3dB) được biễu diễn trong hình dưới nhưng tỷ lệ chia công suất không bằng nhau
giữa các cổng có thể xảy ra
125
Hình 5.35: Bộ chia đều điện trở ba cổng cổng 1
Ta thấy rằng mạch trên có thể phân tích bằng lý thuyết mạch. Giả sử tất cả các cổng
đều có trở kháng đặc tính là 𝑍0 và trở kháng là Z, nhìn vào hình ta thấy 𝑍0 /3 được gắn
thêm vào các đầu ra khi đó Z tại các đầu ra là
Z = 𝑍0 /3 +𝑍0 = 4𝑍0 /3 (5.93)
Và trở kháng đầu vào của bộ chia là

𝑍𝑖𝑛 = 𝑍0 /3 + 2𝑍0 /3 = 𝑍0 (5.94)
Phương trình trên thể hiện đầu vào khớp với nguồn cấp dữ liệu. Vì mạng đã cho và
được xét là loại đối xứng nên S11 = S22 = S33 = 0
Nếu điện áp của cổng 1 là 𝑉1 bằng việc phân chia điện áp ta có điện áp V tại trung
tâm của bộ chia là
2𝑍0 /3
𝑉 = 𝑉1 = 2𝑉1 /3 (5.95)
𝑍0 /3 + 2𝑍0 /3
Và điện áp đầu ra là 𝑉2 và 𝑉3 được tính như sau:

𝑍0 𝑉1 3𝑉
𝑉2 = 𝑉3 = 𝑉 = = (5.96)
𝑍0 /3 + 2𝑍0 /3 2 4
Vì S21 = S31 = S23 =1/2 do vậy điện áp ra sẽ thấp hơn giá trị so với đầu vào là 6dB,
mạng là tương hỗ, ma trận tán xạ là ma trận đối xứng và được viết đưới dạng:
0 1 1
1
[S] = [1 0 1] (5.97)
2
1 1 0
Công suất đầu vào của bộ chia được cho bởi công thức
126
𝑉1 2
𝑃𝑖𝑛 = (5.98)
2𝑍0
Công suất đầu ra của bộ chia được cho bởi công thức
(1/2𝑉1 )2 𝑉1 2
𝑃2 = 𝑃3 = = = 𝑃𝑖𝑛 /4 (5.99)
2𝑍0 8𝑍0
5.4.2. Mạch Wilkinson

Mạch chia công suất không tổn hao hình chữ T có một nhược điểm là không thể
phối hợp trở kháng với tất cả các cổng và không có sự cách ly giữa các cổng đầu ra. Bộ
phân chia điện trở có thể phối hợp với tất cả các cổng tuy nhiên vẫn không đạt được sự
cách ly đã nói ở trên. Tuy nhiên ta biết rằng một mạng ba cổng có thể phối hợp trở
kháng với tất cả các cổng bằng việc cách ly đầu ra ở các cổng. Mạch Wikinson là một
mạch như vậy, đáp ứng được hai tiêu chí là sự phối hợp trở kháng cổng và không xuất
hiện tổn hao. Nghĩa là chỉ có công suất phản xạ tại các cổng đầu ra là bị triệt tiêu.
Ta có thể phân chia công suất tùy ý khi sử dụng loại mạch này tuy nhiên để đơn
giản ta xét trường hợp chia đều công suất. Bộ chia công suất được làm từ dây vi dải
được minh họa trong phần này. Phần lý thuyết sẽ phân tích mạch bằng cách chia nó
thành hai mạch đơn giản được điều khiển bằng nguồn đối xứng và bất đối xứng tại cổng
đầu ra.
5.4.2.1. Chế độ chẵn lẻ
Để đơn giản ta chuẩn hóa toàn bộ trở kháng thành trở kháng đặc tính 𝑍0 , và vẽ lại
mạch như hình b bên dưới. Mạng này được mạng được vẽ lại theo dạng đối xứng thông
qua mặt phẳng trung gian, hai nguồn điện trở chuẩn hóa có giá trị là 2 được gộp theo
phương thức song song cho một điện trở chuẩn hóa có giá trị là 1. Đường bước sóng
một phần tư được chuẩn hóa có trở kháng đặc tính là Z và điện trở Shunt được chuẩn
hóa có giá trị là r
Hình 5.36: mạch chia công suất Wilkson a) mạch chia công suất dạng microtrip line b) mạch
chia công suất dạng tương đương
127
Có hai chế độ riêng biệt đối với mạch được mô tả như hình trên. Chố độ chẵn 𝑉𝑔2
= 𝑉𝑔3 = 2𝑉0 và chế độ lẻ 𝑉𝑔2 = −𝑉𝑔3 = 2𝑉0 . Sự chồng chất của hai chế độ này hình
thành một kích thích 𝑉𝑔3 = 4𝑉0 và 𝑉𝑔3 = 0 từ đó ta có thể tìm được các tham số của hệ
thống.
Hình 5.37: Mạch chia công suất Wilkinson dạng đối xứng và dạng chuẩn hóa
5.4.2.2. Chế độ chẵn: không có dòng điện chạy qua điện trở r/2 hoặc ngắn mạch
giữa đầu và của hai đường truyền tại cổng 1. Chúng ta có thể chia mạch trên tại các
điểm mạch hở để có được mô hình mạng như hình a) phía dưới, khi đó tại cổng 2 ta có
trở kháng:
Zine = Z2/2
Hình 5.38: Sự phân chia của hình 7.5 a) Chế độ chẵn b) Chế độ lẻ
128
Vì đường truyền có dạng giống đường truyền phần tư bước song. Vì vậy Z có giá
trị bằng căn bậc hai của 2, thì cổng hai sẽ được khớp với chế độ chẵn, Khi đó 𝑉2𝑒 = V0
𝑒
do 𝑍𝑖𝑛 = 1, thành phần 𝑟/2 là không cần thiết trong trường hợp này do một đầu đã hở
mạch. Sau đó 𝑉1𝑒 được tìm ra từ phương trình đường truyền. Nếu 𝑥 = 0 tại cổng 1 và
𝑥 = −λ/4 tại cổng 2 và điện thế tại được truyền được biết dưới dạng
λ
𝑉2𝑒 = 𝑉 (− ) = 𝑗𝑉 + (1 − Γ) =V0 (5.101)
4
1+Γ
+𝑉1𝑒 = 𝑉 (0) = 𝑉 + (1 + Γ) = jV0 (5.102)
Γ−1
Hệ số phản xạ tại cổng 1 nếu nhìn ở góc độ điện trở chuẩn hóa bằng 2 sẽ được đưa
bởi công thức sau:
2 − √2
Γ=
2 + √2
5.4.2.3. Chế độ lẻ: Vg2 = -Vg3 = 2V0 và vì vậy có V2e = - V3e, có một điện thế chạy
𝑉1𝑒 = −𝑗√2V0 (5.102b)
dọc giữa mạch. Chúng ta tương tự có thể chia mạch bằng cách nối đất hai điểm để được
mạch mới. Tại cổng 2, chúng ta thấy trở kháng là r/2 do đường truyền kết nối song song
có chiều dài là λ/4 và ngắn mạch tại cổng 1 và có dạng tương tự như hở mạch tại cổng
số 2. Vì vậy cổng số hai sẽ ở chế độ lẻ nếu ta chọn r = 2. Khi đó. V20 = V0 và V10 = 0
toàn bộ công suất được chuyển đến điện trở r /2 và không có công suất đi đến cổng 1
Bước cuối cùng, là tìm được trở kháng đầu vào tại cổng 1 của mạch Wilkinson.
Mạch được mô tả như hình a bên dưới, tại đây quan sát được mạch trông tương tự như
chế độ chẵn vì V2 = V3. Không có dòng điện chạy qua điện trở với giá trị chuẩn hóa là
2 vì vậy nó được loại bỏ. Xét tiếp hình b, kết nối song song hai sóng phần tư, khi đó trở
kháng đầu vào có dạng
2
(√2) (5.103)
𝑍𝑖𝑛 = =1
2
129
Hình 5.39: Phân tích mạch chia Wilkinson để tìm S11 a) Bộ chia Wilkinson b) Sự phân tách
mạch của hình a)
Tổng kết lại ta có các tham số cho mạch Wilkinson
𝑆11 = 0
𝑆22 = 𝑆33 = 0
(𝑉1𝑒 +𝑉10 )
𝑆12 = 𝑆21 = = −𝑗/√2
( 𝑉2𝑒 +𝑉20
𝑆13 = 𝑆31 = −𝑗/√2
𝑆23 = 𝑆31 = 0
5.4.2.4. Bộ chia công suất không bằng nhau và mạch Wilkinson N đường
Sự phân chia về mặt công suất không đồng đều có thể xảy ra trong mạch Wilkinson
và nếu tý lệ về mặt công suất giữa cổng hai và 3 là K 2= 𝑃3 / 𝑃2 , ta sẽ có các tham số
như sau:
𝐾2 + 1
𝑍03 = 𝑍0 √ (5.104a)
𝐾3
𝑍02 = 𝐾 2 𝑍03 = 𝑍0 √(𝐾 2 + 1)𝐾 (5.104b)
130
1
𝑅 = 𝑍0 √ + 𝐾 (5.104c)
𝐾
Các kết quả sẽ giảm xuống nếu 𝐾 = 1 và cũng có thể thấy rằng đầu ra có thể được
kết hợp với trở kháng 𝑅2 = 𝑍0 𝐾 và 𝑅3 = 𝑍0 /𝐾
Mạch Wilkinson có thể hình thành bộ chia cũng như bộ kết hợp như được mô tả
giống hình dưới. mạch này có thể khớp vớ tất cả các cổng cũng như độc lập giữa các
cổng với nhau. Tuy nhiên nhược điểm của mạch này là giao nhau cho các điện trở là
lớn hơn hoặc bằng 3.
Hình 5.40: Mạch chia công suất Wilkinson dạng microstrip có công suất chia không đều
Hình 5.41: Mạch chia đều công suất Wilkinson, có N đường
5.4.3. Mạch vòng cầu phương 90o

Loại mạch này thực chất là là bộ ghép định hướng 3dB nhưng lệch nhau một góc
90 giữa các đầu ra. Loại mạch này thường đường làm từ đường microtrip và đường
0
strip như được biểu diễn tại hình dưới. Bộ ghép 3dB như bộ ghép Lange hoặc các bộ
ghép kết nối cũng được sử dụng như bộ ghép cầu phương. Tuy nhiên chúng sẽ được
phân tích tại các phần sau, ở phần này sẽ tập trùng phân tích mạch vòng cầu phương sử
dụng chế độ phân tách chẵn lẻ như đã sử dụng trong mạch Wilkinson.
131
Loại mạch cầu phương với công suất đi vào cổng 1 sẽ được phân chia tại cổng 2 và
3, với góc lệch pha là 900 giữa các cổng đầu ra. Không có công suất được đưa vào cổng
4 khi đó ma trận tán xạ sẽ có dạng
0 j 1 0
−1 j 0 0 1
[S ] = [ ] (5.105)
√2 1 0 0 j
0 1 j 0
Ta thấy rằng các ma trận như vậy có độ đối xứng cao, bất kì cổng nào cũng có thể
được sử dụng làm cổng đầu vào, cổng độc lập sẽ ở ngay cạnh và cùng phía với cổng
đầu vào, các cổng phía đầu ra luôn nằm đối diện. Tính đối xứng này được thể hiện qua
ma trận trên do các dòng dưới là chuyển vị của dòng đầu tiện
5.4.3.1. Chế độ chẵn lẻ
Ta vẽ lại sơ đồ mạch theo dạng chuẩn hóa sẽ được mô hình mạch như phía dưới,
trong đó mỗi đường sẽ đại diện cho một đường truyền với trở kháng đặc tính là Z0 và
giả sử sóng đơn vị có độ lớn A1 = 1 đi vào tại cổng 1.
Hình 5.42: Dạng hình học của bộ ghép
Do tính đối xứng hoặc bất đối xứng, mà mạng bốn cổng có thể được phân tách thành
một tập hợp mạng hai cổng như được biểu diễn tại hình dưới.
132
Hình 5.43: a) Chế độ chẵn b) Chế độ lẻ
Do biên độ của sóng tới đối với hai cổng này là ±1/2, khi ấy biên độ của sóng tại
mỗi cổng trong mạch sẽ là
Γe Γ0
𝐵1 = + (5.106a)
2 2
Te T0
𝐵2 = + (5.106b)
2 2
Te T0
𝐵3 = − (5.107c)
2 2
Γe Γ0
𝐵4 = − (5.107d)
2 2
Trong đó Te,0 và Γe,0 hệ số phản xạ cho chế độ chẵn lẻ và hệ số truyền cho mạng hai
cổng. Trước tiên ta tính toán các tham số cho chế độ chẵn và lẻ ta nhân ma trận ABCD
với từng thành phần trong mạch. Khi ấy lần lượt ta có
𝐴+𝐵−𝐶−𝐷
Γe = =0 (5.108a)
𝐴+𝐵+𝐶+𝐷
2 −1
Te = = (1 + 𝑗) (5.108b)
𝐴 + 𝐵 + 𝐶 + 𝐷 √2
Làm tương tự như trên ta cũng có

Γo = 0 (5.109a)
−1
Te = (−𝑗) (5.109b)
√2
Dựa vào các phương trình trên ta có
133
𝐵1 = 0 (5.110a)
−𝑗
𝐵2 = (5.110b)
√2
−1
𝐵3 = (5.110c)
√2
𝐵4 = 0 (5.110d)
Trên thực tế, do yêu cầu bước sóng một phần tư nên băng thông của mạch này có
thể bị hạn chế từ 10 đến 20 %. Tuy nhiên băng thông vẫn có thể được cải thiện bằng
cách sử dụng nhiều phần trong tầng. Thêm vào đó do thiết kế đơn giản nên có thể hiệu
chỉnh việc phân chia công suất không bằng nhau hoặc các đặc tính khác nhau của trở
kháng tại đầu ra
5.4.4. Mạch vòng 180o
Đây là loại mạch bốn cổng với hai hai cổng đầu ra lệch pha nhau 1800. Nó cũng thể
hoạt động với đầu ra cùng pha. Hình ảnh phía dưới mô tả cho loại mạch này.
Hình 5.44: Mô hình cho mạch vòng 180
Nếu tín hiệu đi vào từ cồng 1 sẽ được chia đều cho hai cổng dầu ra thành phần là 2
và 3, trong khi đó cổng 4 sẽ bị ngăn cách hay có thể hiểu cổng 4 là cổng độc lập. Nếu
đầu vào là cổng 4 thì đầu ra là cổng 2 và cổng 3 với độ lệch pha giữa hai cổng là 1800
và tương tự cổng 1 cũng độc lập. Nhờ đó cổng 1 và 4 có thể được gọi là cổng tổng và
cổng khác biệt. Ma trận tán xạ sẽ có dạng
0 1 1 0
−1 1 0 0 −1 ]
[𝑆 ] = [ (5.111)
√2 1 0 0 1
0 −1 1 0
Mạch vòng 1800 có thể chế tạo ở nhiều dạng như hình a) nhưng nó cũng có thể ở
nhiều dạng khác như được mô tả trong dạng b) và c). Tuy nhiên trước tiên ta sẽ tiến
hành phân tích mạch vòng 1800- sử dụng chế độ chẵn lẻ
134
Hình 5.45: Ba dạng khác nhau của mạch vòng
5.4.4.1. Chế độ chẵn lẻ trong mạch vòng
Hình 5.46: Chế độ chẵn lẻ của mạch vòng khi cổng 1 được kích thích bởi một sóng tới, hình
a) chế độ chẵn hình b) chế độ lẻ
Xét biên độ sóng đơn vị tại cổng 1 của mach vòng trong hình a). Tại điểm phần
giao cắt ta thấy sóng được chia làm hai thành phần, chũng cùng pha tại cổng 2 và 3,
ngược pha tại cổng 4. Sử dụng kĩ thuật phân tích ta có thể chia mạch trên thành hai
mạch thành phần đơn giản hơn
Khi đó biên độ của các sóng sẽ có dạng
Γe Γ0
𝐵1 = + (5.112a)
2 2
Te T0
𝐵2 = + (5.112b)
2 2
Γe Γ0
𝐵3 = − (5.112c)
2 2
135
Te T0
𝐵4 = − (5.112d)
2 2
Đánh giá hệ số phản xạ và hệ số truyền bằng cách sử dụng ma trận ABCD cho chế
độ chẵn và lẻ
𝐴 𝐵 1 𝐽√2
[ ] = [ ] (5.113a)
𝐶 𝐷𝑒 𝐽√2 −1
𝐴 𝐵 −1 𝐽√2
[ ] = [ ] (5.113b)
𝐶 𝐷 𝑜 𝐽√2 1
Khi đó ta được kết quả:

1
Γe = (−𝑗) (5.114a)
√2
1
Te = (−𝑗) (5.114b)
√2
1
Γ0 = 𝑗 (5.114c)
√2
1
To = (−𝑗) (5.114d)
√2
Sử dụng kết quả của phương trình 7.22, ta có:

𝐵1 = 0 (5.115a)
−𝑗
𝐵2 = (5.115b)
√2
−𝑗
𝐵3 = (5.115c)
√2
𝐵4 = 0 (5.115d)
Ta thấy cổng đầu vào được khớp còn cổng 4 là độc lập và công suất vào được chia
cho cổng 2 và 3 và chúng độc lập. Đây chính là kết quả dòng đầu và cột trong ma trận.
Tiếp đó ta xét biên độ sóng tại cổng 4 của mạch vòng, thành phần đầu ra tại cổng 2 và
3 sẽ lệch nhau 1800 và chúng cũng sẽ lệch pha so với cổng số 1. Loại mạch này cũng
có thể được phân tách thành hai mạch đơn giản hơn
Xét tiếp trường hợp sóng sẽ đi tới cổng số 4 của mạch vòng, hai sóng thành phần
sẽ đi tới cổng 2 và 3 với độ lệch pha 1800, hai sóng thành phần này cũng sẽ chênh nhau
136
1800 so với cổng 1. Loại mạch này có thể được phân tách thành hai mạch nhỏ đơn giản
hơn như được thể hiện tại hình dưới:
Hình 5.47: Khi có sóng tới cổng 4 và mạch ở chế độ a) Chế độ chẵn b) Chế độ lẻ
Khi đó tương tự như sóng đi tới cổng 1, ta cũng có các phương trình biểu diễn một
số tham số như sau
𝐵1 = 0 (5.116a)
𝑗
𝐵2 = (5.116b)
√2
−𝑗
𝐵3 = (5.116c)
√2
𝐵4 = 0 (5.116d)
Phân tích chế độ chẵn lẻ của the Tapered Coupled Line Hybrid
Hình 5.48: hình a) Sơ đồ của mạch Tapered Counpled Line Hybrid và hình b) Sự biến đổi
của trở kháng đặc trưng
137
Bộ ghép bao gồm hai đường ghép nối với trở kháng đặc tính giảm dần trên chiều
dài 0 < 𝑧 < L. Tại 𝑧 = 0 đường ghép nối rất yếu vì vậy Z0e(e) = Z0o (0) = Z0 trong
khi đó tại 𝑍 = 𝐿 ta sẽ có Z0e (L) = Z0/k và Z0o(L) = kZ0 với k chạy trong đoạn từ 0 đến
1 là hệ số ghép nối và liên quan đến hệ số ghép nối điện áp. Do đó, tại tại chế độ chẵn
các đường ghép nối sẽ khớp với trở kháng tải Z0/k (tại z = L) tới Z0, trong khi đó lẻ lại
phù hợp với tải từ kZ0 đến Z0, cần lưu ý rằng Z0e(z)Z0o(z) = Z02 với tất cả các z.
Klofenstein taper được sử dụng cho đường nối tapered. Với 𝐿 < 𝑧 < 2𝐿, các đường này
không được ghép lại, cả hai đều có trở kháng đặc tính Z0, và chúng được yêu cầu để bù
pha cho đường ghép nối, chiều dài của mỗi phân đoạn phải giống nhau để cung cấp một
trở kháng tốt trên phần băng thông mong muốn.
Trước tiên xem xét sóng tới với biên độ là V0 được đưa vào cổng 4, ta có thể phân
tách thành chế độ chẵn lẻ như được hiển thị trong hình dưới.
Hình 5.49: Tapered coupled line hybrid, hình a) Chế độ chẵn, hình b) Chế độ lẻ
Tại các điểm giao nhau của bộ ghép và tại điểm z = L hệ số phản xạ tại chế độ chẵn
và lẻ tương ứng là
𝑍0 − 𝑍0 /𝑘 k − 1
Γe′ = = (5.117a)
𝑍0 + 𝑍0 /𝑘 k + 1
𝑍0 − 𝑍0 𝑘 1 − k
Γo′ = = (5.117b)
𝑍0 + 𝑍0 𝑘 1 + k
Tại z = 0 hệ số này trở thành

k − 1 −j2𝜃
Γe = e (5.118a)
k+1
1 − k −j2𝜃
Γo = e (5.118b)
1+k
138
` Bằng phép chồng chất ta có hệ số tán xạ tại cổng 2 và 4 là

S44 = (Γe + Γo )/2 = 0 (5.119a)
k − 1 −j2𝜃
S24 = (Γe − Γo )/2 = e (5.119b)
k+1
Và bằng phép đối xứng ta có S22 = 0 và S42 = S24

Để đánh giá hệ số truyền tại cổng 1 và 3 ta sử dụng ma trận ABCD cho mạch tương
đương như hình dưới tại đó các đoạn khớp tapered được giả sử là lý tưởng và được thay
thế bằng các biến áp
Hình 5.50: Mạch tương đương hình a) chế độ chẵn, hình b) Chế độ lẻ
Ma trận ABCD của biến áp đối với chế độ chẵn là
√𝑘 0
[ ]
0 1/√𝑘
Và đối với chế độ lẻ
1/√𝑘 0
[ ]
0 √𝑘
Hệ số truyền tại chế độ chẵn và lẻ là
𝑒 −2𝑗𝜃 2√𝑘
𝑇𝑒 = 𝑇𝑜 = (5.120)
𝑘+1
Vì T = 2/(A + B/𝑍𝑜 + C 𝑍𝑜 + D) = 2√𝑘/(k+1) đối với cả hai chế độ do đó thành

phần 𝑒 −2𝑗𝜃 là thành phần gây ra trễ pha đối với hai đoạn đường truyền. Ta có hệ số tán
xạ
139
2√𝑘 −2𝑗𝜃
S34 = (Te + To )/2 = 𝑒 (5.121a)
(𝑘 + 1)
S14 = (Te − To )/2 = 0 (5.121b)
Và hệ số kết hợp điện áp cổng 4 tới cồng 3 là

2√𝑘
β = |S34 | = ,0<β<1 (5.122)
(𝑘+1)
Trong khi đó hệ số kết hợp điện áp từ cổng 4 đến cổng 2 là:

k−1
α = |S24 | = - 0<α<1 (5.123)
(𝑘+1)
Và ta thấy sự bảo toàn năng lượng được xác minh bằng:
|S24 | 2 + |S34 | 2
Khi đó ta có hệ số tán xạ:

1 − 𝑘 −2𝑗𝜃
Γe = 𝑒 (5.124a)
1+𝑘
𝑘 − 1 −2𝑗𝜃
Γe = 𝑒 (5.124b)
1+𝑘
Và các tham số:

S11 = (Γe + Γo )/2 = 0 (5.125a)
1 − 𝑘 −2𝑗𝜃
S31 = (Γe − Γo )/2 = 𝑒 = 𝛼𝑒 −2𝑗𝜃 (5.125b)
1+𝑘
Bằng tính đối xứng ta có S33 = 0, S13 = S31 và S14 = S32, S12=S34. Khi đó ma trận
tán xạ có dạng
0 β α 0
[S ] = [ β 0 0 −α −2jθ
]
β e
(5.126)
α 0 0
0 −α β 0
5.4.4.2. Ống dẫn sóng chữ T

Nếu sóng đi vào từ cổng 1 ta sẽ nhìn thấy đường biểu diễn như hình a) phía dưới.
Tại cổng 2 và 3 các đường sẽ cùng hướng biểu diễn sự cùng pha và sự phân chia công
suất đồng đều
140
Tuy nhiên nếu sóng đi vào từ cồng 4, các đường biểu diễn sẽ được mô tả giống như
hình b), tại cổng 2 và 3 sẽ có độ lớn giống nhau nhưng ngược pha
Hình 5.51: Đường điện trường tại điểm giao cắt a) Sóng đi vào từ cổng 1 và b) Sóng đi vào
từ công 4
5.5. MẠCH GHÉP ĐỊNH HƯỚNG VÀ CÁCH LY

5.5.1. Giới thiệu
Mạch ghép định hướng và cách ly là các thiết biệt thụ động được sử dụng trong
mordern RF và các thiết bị microwave từ vài thế kỉ trước, bằng việc sử dụng chúng các
thiết bị ổn dịnh à hiệu suất cũng như gia tăng độ tin cậy của hệ thống. Và thông thường
sẽ có các giải pháp tốt và rẻ hơn. Ngoài ra, với các ứng dụng hiện tại ví dụ bộ khuyếch
đại một cổng, việc sử dụng mạch ghép định hướng là bắt buộc. Ở phần này sẽ giúp ta
hiểu được tầm quan trọng của các thiết bị này
5.5.2. Định nghĩa
Mạch ghép định hướng được định nghĩa như các thiết bị với ba cổng hoặc nhiều
hơn. Tại đó công suất được chuyển từ cổng này sang cổng kế tiếp theo một quy định
nhất định nghĩa là nếu quan sát hình 6.52 ta sẽ thấy công suất đi vào công 1 đi ra cổng
2 và được tách ra ở cổng 3, công suất vào cổng 2 sẽ đi ra cổng 3 và cổng 1 được tách
ra, công suất đi vào cổng 3 đi ra cổng 2 và tách ra ở cổng 2.
141
Hình 5.52: Năng lượng trong định hướng ba cổng (a) và năng lượng trong định hướng bốn
cổng (b)
Trong khi đó bộ cách ly được định nghĩa là một cổng thụ động hai cổng, nơi công
suất được truyền theo một hướng và được nhận lấy (hấp thụ) theo hương khác. Điều đó
có nghĩa là nguồn điện nếu nguồn điện được đưa vào cổng 1 thì sẽ rời khỏi ở cổng số
2, nhưng công suất khi ở cổng 2 lại bị hấp thụ (hay tiêu biến).
Hình 5.53: Luồng năng lượng trong mạch cách ly
Ta cũng có thể nhận được một bộ cách ly nếu kết nối tải phù hợp vào cổng số 3 của
bộ định hướng đã nhắc đến phía trên.
Hình 6.54 phía dưới mô tả các kí hiệu hình vẽ được sử dụng để mô tả bộ ghép định
hướng và bộ cách ly. Theo định nghĩa đã nhắc đến thì cả hai thiết bị này đều là các thiết
bị không tương hỗ, nghĩa là hành vi theo một hướng sẽ khác với hành vi theo một hướng
khác
Hình 5.54: Kí hiệu cho mạch định hướng 3 công(hình a),

4 cổng (hình b), mạch cách ly (hình c)
5.5.3. Phản ứng của vật liệu sắt sắt từ

Cách thức hoạt động của mạch cách ly và mạch ghép định hướng đều dựa trên các
đặc tính duy nhất của vật liệu sắt từ (microwave ferrites). Và vì vậy chúng ta sẽ quan
sát các hành vi trạng thái của sắt từ trong điều kiện tĩnh và các điều kiện xoay chiều. Sắt
142
từ là các vật liệu từ tính với điện trở kháng rất cao. Và vì thế nó phù hợp khi hoạt động
tại các tần số RF.
Gọi chung các miền từ tính là Weiss, vì Piere Weiss đã phát hiện ra chúng vào năm
1908.
Hình 5.55: Miền Weiss
Các miền riêng lẻ có kích thước từ từ 1 đến 10 vốn đã được từ hóa với tác động ảnh
hưởng lẫn nhau giữa các electron liền kề. Họ tách và phân biệt chúng bởi các Bloch
wall, thiết bị cũng được đặt tên theo người phát minh ra nó do đó từ tính có thể coi bằng
0. Nếu chúng ta áp dụng một từ trường bên ngài có cường độ vừa đủ thì các momen từ
trong miền Weiss sẽ được phân chia theo hướng dịch chuyển của từ trường ngoài. Nếu
quá trình dịch chuyển kết thúc tất cả các moment từ sẽ theo hướng của tư trường ngoài
Nếu đặt trong một trường tần số nhỏ và được xen kẽ với tần số tự do thích hợp
vuông góc với phương z của từ trường tĩnh mạnh H. Như vậy với ví dụ trong hình phía
dưới moment M sẽ bao quanh hướng H, như thế sẽ có cả moment từ trường trong hướng
x và y.
Hình 5.56: Sự chuyển động quay của electron
Và vì vậy mối quan hệ giữa H và B không còn là mối quan hệ vô hướng mà gọi là
tensor. Khi đó ta có thể viết lại mối quan hệ của H và B được viết lại như sau:
𝐵𝑥 = 𝑚𝑦𝐻𝑥 − 𝑗𝑘𝐻𝑦 (5.128a)
143
𝐵𝑦 = 𝑚𝑦𝐻𝑦 + 𝑗𝑘𝐻𝑥 (5.128b)

𝐵𝑧 = 𝑚𝑦0 𝐻𝑧 (5.128c)
Hoặc được biểu thị dưới dạng tensor
𝐵𝑥 𝑚𝑦 −𝑗𝑘 0 𝐻𝑥
(𝐵𝑦 ) = ( 𝑗𝑘 𝑚𝑦 0 ) (𝐻𝑦 ) (5.129)
𝐵𝑧 0 0 𝑚𝑦0 𝐻𝑧
Giá trị của thành phần cảm ứng vuông góc với từ trường RF được xác định bằng
giá trị k. Trong đó các giá trị μ = 𝜇′ − 𝑗𝜇′′ và k = 𝑘 ′ − 𝑗𝑘 ′′ là các số phức và phụ thuộc
vào trường từ tĩnh và đặc tính vật liêu và tần số.
Nếu mặt phẳng từ của điện từ song song với H thì hệ số 𝜇𝑒𝑓𝑓|| = 𝜇0 tương đối. Khi
ấy tốc độ lan truyền được tính bởi công thức sau:
Ɣ|| = 𝑗𝜔√€𝑚𝑦0 (5.130)
Nếu mặt phằng từ của sóng điện từ vuông góc với H thì ta có
𝑚𝑦 2 − 𝑘 2
𝑚𝑦𝑒𝑓𝑓⊥ = (5.131)
𝑚𝑦
Và hằng số lan truyền được tính bởi
Ɣ⊥ = 𝑗𝜔√𝑚𝑦𝑒𝑓𝑓⊥ (5.132)
Hình 6.57 biểu diễn phần thực và ảo của như hàm của H
Hình 5.57: Trường từ tĩnh
Nếu một sóng phân cực tròn với mặt phẳng vuông góc với phương của từ trường
trường phân cực theo chiều kim đồng hồ, sự tương tác với các spin của điện tử dẫn đến
một độ từ thẩm 𝜇+ = 𝜇 − 𝑘 . Tốc độ lan truyền song tương ứng là
Ɣ+ = 𝑗𝜔√€𝑚𝑦+ (5.133a)
144
Hình 5.58: Trường từ tĩnh của H
Nếu sự phân cực của sóng là ngược chiều kim đồng hồ thì sự tương tác với các
electron sẽ cho độ từ thẩm 𝜇− = 𝜇 + 𝑘 là và khi đó tốc độ lan truyền sóng sẽ là:
Ɣ− = 𝑗𝜔√€𝑚𝑦− (5.133b)
Hình 6.58 cho thấy chúng là hàm của từ trường xoay cùng hướng với các electron
cho thấy hình thành sự cổng hưởng.
Hình 5.59: Phân loại mạch cách ly và mạch định hướng
5.5.4. Tương quan của các tham số đối với mạch định hướng 3 cổng
Mối quan hệ giữa sóng đầu và sóng đầu ra cđịnh hướng ba cổng có thể được viết
lại như sau:
145
𝑏1 𝑆11 𝑆12 𝑆13 𝑎1

(𝑏2 ) = (𝑆21 𝑆22 𝑆23 ) (𝑎2 ) (5.134)
𝑏3 𝑆31 𝑆32 𝑆33 𝑎3
Hoặc
𝑏 = 𝑆. 𝑎 (5.134a)
Hình 6.59 mô ta mối quan hệ trên
Hình 5.60: Sóng đầu ra và đầu vào
Với 𝑆𝑛𝑚 là các tham số tán xạ và S là ma trận tán xa. Sự không tương hỗ của hành
vi đối với các bộ định hướng được ánh xạ vào trong ma trận tán xạ:
𝑆11 𝑆12 𝑆13 𝑆11 𝑆21 𝑆31
(𝑆21 𝑆22 𝑆23 ) ≠ (𝑆12 𝑆22 𝑆32 ) (5.135)
𝑆31 𝑆32 𝑆33 𝑆13 𝑆23 𝑆33
Nếu ta giả sử bộ định hướng không suy hao thì công suất đầu và đầu ra là bằng nhau
hoặc nếu biểu thị dưới dạng ma trận ta sẽ có
∗ ∗ ∗
𝑆11 𝑆12 𝑆13 𝑆11 𝑆21 𝑆31 1 0 0
∗ ∗ ∗
(𝑆21 𝑆22 𝑆23 ) . (𝑆12 𝑆22 𝑆23 ) = (0 1 0) (5.136)
𝑆31 𝑆32 𝑆33 ∗ ∗ ∗
𝑆31 𝑆23 𝑆33 0 0 1
Hoặc
𝑆. 𝑆 |∗ = 𝐸 (5.136a)
Nếu ta giả sử bộ ghép định hướng có sự đối xứng theo chu kì thì khi đó ta có:
𝑆11 = 𝑆22 = 𝑆33 = 𝑆1 hệ số phản xạ đầu vào của các cổng
𝑆12 = 𝑆23 = 𝑆31 = 𝑆2 hệ số cách ly của bộ ghép định hướng
𝑆21 = 𝑆13 = 𝑆32 = 𝑆3 hệ số suy hao chèn của bộ ghép định hướng
Nhưng ta lại có khi ấy ra có thể viết lại ma trận tán xạ bằng cách đơn giản hơn đó
là:
146
𝑆1 𝑆2 𝑆3
𝑆 = (𝑆3 𝑆1 𝑆2 ) (5.137)
𝑆2 𝑆3 𝑆1
Gộp ma trận trong 6.137 và 6.136a thì ta có
𝑆1∗ 𝑆1 + 𝑆2∗ 𝑆2 + 𝑆3∗ 𝑆3 = |𝑆1 |2 + |𝑆2 |2 + |𝑆3 |2 =1
𝑆2 + 𝑆3∗ 𝑆1 + 𝑆2∗ 𝑆3 = 0 (5.138)
𝑆1∗ 𝑆3 + 𝑆3∗ 𝑆2 + 𝑆2∗ 𝑆1 = 0
Điều trên chứng minh rằng không phải tất cả các sự kết hợp đều cho mạch định
hướng đối xứng theo chu kì và suy hao thấp. Các sự kết hợp được cho là khả quan được
biểu thị với dạng tam giác cong như hình 6.60
Hình 5.61: Vùng cho phép
Trong hình trên ta có thể tìm thấy sự định hướng cao điều
5.5.5. Định hướng ba cổng có suy hao
Đối với bộ định hướng này phương trình 6.136 ở trên là không hợp lệ và vì thế được
thay thế bới
𝐸 − 𝑆. 𝑆 |∗ (5.139)
Điều đó có nghĩa là các kết hợp được phép có thể nằm ngoaì tam giác một chút tùy
thuộc vào giá trị suy hao.
Hình 6.61 cho ta thất rằng các vùng được phép của VSWR và cách ly đã không còn
bị giới hạn như trong hình 6.60. đồng thời tại hình này ta cũng có thể đưa ra các giới
147
hạn lý thuyết về mối quan hệ giữa VSWR và cách li trong thực tế các giá trị đo được
gần với giá trị trong trường hợp có suy hao
Hình 5.62: Các kết hợp cho phép đối với bộ ghép định hướng ba cổng đối xứng có suy hao
với VSWR thấp và cách ly cao

Chương 5 trình bày sơ lược lý thuyết về các mạch phần tử thụ động thường được
sử dụng trong thiết kế mạch siêu cao tần. Thay vì đi sâu vào chi tiết, ở phần này chúng
ta tập trung vào các vấn đề mà các kĩ sư sẽ phải đối mặt khi thiết kế mạch RF.
Bắt đầu với các khái niêm về bộc lọc thông thấp, thông cao, thông dải và chặn dải
chúng tội đưa ra một số các thuật ngữ phỏ biến cần thiết để có thẻ hiểu được mô hình
chung khi thiết kế cũng như pháy triển bộ lọc. Các thuật ngữ được sử dụng như tần số
cắt, băng thông, nhiễu đan xen …được đặt vào các ngữ cảnh phù hợp để đưa ra các khái
niệm đơn giản. Vì các thiết kế của bộ lọc thông dải và chặn dải được thực hiện ở ở một
băng thông hoặc chặn dải do đó hình thành khái niệm hệ số phẩm chất. Để đó lường
chuẩn xác hơn ta phân hệ số Q trên thành các khái niệm khác như QF và QE. Và đặc biệt
148
là nhiễu đan xen. Được định nghĩa là lượng công suất suy hao đi khi chèn bộ lọc giữa
nguồn và tải. Phụ thuộc vào lượng suy hao cần thiết, ta có định danh hệ số suy hao như
sau. Để có một cách tiếp cận dễ dàng hơn, bộ lọc thông thấp dựa trên thang tần số chuẩn
hóa được lựa chọn làm mô hình tham chiếu. Thông qua việc phân chia tần số và dịch
tần, tất cả các bộc lọc có thể đều được suy ra. Lợi ích của cách tiếp cận này là chỉ có
một số các bộ lọc thông thấp tiêu chuẩn có thể được thực hiện như bộ lọc Butterworth,
Chebyshev
Việc triển khai thực tế đạt được thông qua phép biến đổi Richard. Việc biến đổi này
là trọng tâm của việc hình thành mối liên kết. Bên cạnh đó thông qua việc triển khai chế
độ chẵn lẻ chúng ta có thể tìm ra trở kháng ảo. Phần tử đơn này có thể được xếp chồng
nhằm đáp ứng các yêu cầu thiết kế khác nhau. Mặc dù việc thiết kế bộ lọc chỉ được
minh họa qua các bước cơ bản, nhưng chương 5 cũng đã truyền tải các kỹ thuật quan
trọng và cần thiết để xây dựng và thiết kế một bộ lọc.
Bên cạnh đó, lý thuyết về các phần tử thụ động khác trong mạch siêu cao tần như
mạch dao động, mạch chia công suất và mạch ghép định hướng cũng được giới thiệu.
Trong đó, mạch chia công suất thường được sử dụng trong các thiết kế cấp điện cho
mảng anten còn mạch ghép định hướng được sử dụng tại điểm cuối của các mạch thu
phát vô tuyến nhằm dẫn hướng và cách ly tín hiệu giữa mạch phát và mạch thu khi cùng
kết nối tới anten.
5.7.1. Câu hỏi
1. Trình bày khái niệm và hoạt động của mạch dao động RLC nối tiếp và song song
2. Trình bày khái niệm và hoạt động của mạch dao động dây dẫn sóng
3. Trình bày khái niệm các loại mạch lọc cơ bản
4. Trình bài việc thiết kế mạch lọc siêu cao tần loại Butterworth
5. Trình bài việc thiết kế mạch lọc siêu cao tần loại Chebyshev
5.7.2. Bài tập

1. Mạch lọc thông thấp Butterworth được yêu cầu có suy hao tối thiểu 50dB tại tần số f =
1.5f3dB. Xác định bậc của mạch lọc? Cần bao nhiêu phần tử L, C để thực hiện mạch lọc.
Vẽ hình minh hoạ.
2. Thiết kế mạch lọc thông thấp Butterworth có suy hao tối thiểu 20dB tại tần số f = 2f3dB.
3. Sử dụng thiết kế tính được từ bài tập 2, chuyển thành thiết kế mạch lọc thông cao với
tần số cắt 1GHz.
149
4. Tính suy hao đầu vào của mạch lọc thông thấp Chebyshev có gợn 6dB tại băng thông
và suy hao tối thiểu 50 dB tại f = 2fcut-off.
5. Để giảm nhiễu trong hệ thống truyền thông số, cần thiết kế một mạch lọc RF thông băng
với dải thông từ 1.9GHz đến 2GHz. Suy hao tối thiểu tại 2.1GHz và 1.8GHz là 30dB. Thiết
kế mạch lọc với số phần tử tối thiểu thoả mãn gợn trong băng thông 0.5 dB
6. Mạch khuếch đại của điện thoại di động gây ra nhiễu lớn ở tần số 3GHz. Thiết kế một
mạch lọc chặn dải với tần số trung tâm fc = 3GHz và độ rộng băng chặn 10% tại fc với suy
hao tổi thiểu 30dB trong băng bị chặn.
150
Bài giảng Kỹ thuật siêu cao tần Chương 6: Các phần tử siêu cao tần tích cực
CHƯƠNG 6: CÁC MẠCH SIÊU CAO TẦN TÍCH CỰC

6.1.1. Mục đích
Mục đích của chương này nhắm giới thiệu khái quát các phần tử tích cực trong
mạch siêu cao tần, kết hợp với các kiến thức chương trước giúp sinh viên có được cái
nhìn tổng quát và hoàn chỉnh về mạch siêu cao tần. Nội dung của chương chủ yếu mang
tính chất tham khảo và đọc thêm, nó có thể được lựa chọn thành các chủ đề thảo luận.
Do vậy, nội dung chương không đi sâu vào chi tiết lý thuyết mà chủ yếu dừng ở mức
giới thiệu chung.
- Mạch khuếch đại siêu cao tần
- Mạch tạo dao động siêu cao tần
- Mạch trộn công suất siêu cao tần
6.2. MẠCH KHUẾCH ĐẠI SIÊU CAO TẦN
6.2.1. Bộ khuếch đại
Một số các tham số cơ bản của bộ khuếch đại bao gồm:
- Độ lợi
- Băng tần và tần số hoạt động
- Công suất đầu ra
- Yêu cầu về điện áp và dòng điện
- Chỉ số nhiều (dB)
Bộ khuếch đại đơn giản một tầng được đặt giữa đầu ra và đầu vào của mạng kết
hợp và được minh họa như hình dưới
151
d)
Hình 6.1: a) Bộ khuếch đại một tầng đơn giản với đầu vào và đầu ra của mạng kết hợp, đầu
vào và đầu ra tín hiệu của mỗi khối trong quá trình phản xạ. b) Chi tiết bộ khuếch đại một
tầng. c) Khối luồng tín hiệu. d) Sơ đồ khối đơn giản của bộ khuếch đại công suất tầng đầu
2GHz cho điện thoại di động
Bộ khuếch đại chính có tham số S được định nghĩa bởi điện áp b1, b2, a1, a2
b s11 s12 a1
[ 1 ] = [s s22 ] [a1 ] (6.1)
b2 21
Ma trận S là các đặc tính thông thường như (ma trận vuông, đối xứng, liên hợp phức,….)
với mỗi tham số của ma trận S được định nghĩa như sau :
152
a) Hai hệ số phản xạ
b1 b2
s11 = Γ 𝑖𝑛 = | s22 = Γ 𝑜𝑢𝑡 = | (6.2)
a1 𝑎 =0 a2 𝑎 =0
2 1
b) Hai hệ số suy hao

b1 b2
s12 = | s21 = | (6.3)
a2 𝑎 =0 a1 𝑎 =0
1 2
Hệ số suy hao của tín hiệu phản xạ do nguồn và tải là

Zs −Z0 ZL −Z0
Γ𝑠 = ; Γ𝐿 =
Zs +Z0 ZL +Z0 (6.4)
VSWR tại đầu vào và đầu ra của bộ khuếch đại là

1+|S11 |
VSWR in = (6.5)
1−|S11 |
Điều này cũng chứng minh rằngΓ 𝑖𝑛 , Γ 𝑜𝑢𝑡 , Γ 𝐿 liên quan đến tham số S và công suất
s12 s21 . Γ 𝐿 b1
Γ 𝑖𝑛 = (s11 + )= | (6.6)
1 − s22 . Γ 𝐿 a1 𝑎2=0
s12 s21 . Γ 𝐿 b3
Γ 𝑜𝑢𝑡 = (s22 + )= | (6.7)
1 − s11 . Γ 𝐿 a2 𝑎1=0
1
P𝐿 = |b |2 (1 − |Γ 𝐿 |2 (6.8)
2 2
s21 . a1
b2 = (6.9)
1 − s22 . Γ 𝐿
s21 s12 Γ 𝐿
bs = [1 − (s11 + )] . a1 (6.10)
1 − s22 . Γ 𝐿
Trong đó bs là tín hiệu đi vào bộ khuếch đại

6.2.2. Công suất của bộ khuếch đại
a) Nguồn RF: ta thấy rằng nguồn RF thông thường kết nối với đầu vào của mạng
phối hợp và sau đó đi tới bộ khuếch đại, điều này làm giảm sự phản xạ. đầu ra của bộ
khuếch đại đi đến tải thông qua đầu ra của mạng phối hợp, với cùng lí do nhằm giảm
sự phản xạ như trên. Tuy nhiên dù vậy sự phản xạ vẫn tồn tại trong mạng phối hợp
Tín hiệu điện thế đi vào bộ khuếch đại được viết lại như sau
153
bs = (a 1 − b1 Γ 𝑖𝑛 ) (6.11)
b) Công suất ngắt (Incident power Pinc) và công suất đầu vào (Pin) tới bộ khuếch đại.
Xét về mặt công suất, ta thấy rằng công suất có liên quan đến b1’ do vậy ta có
|𝑏1′ |2
Pinc = (6.12)
2
(Với điều kiện công suất đạt cực đại khi truyền ZS = Z0)
Bằng cách sử dụng phương trình 7.6 ở trên ta có
|bs |2
Pinc = (6.13)
2|1 − Γ 𝑖𝑛 . Γ 𝑠 |2
Công suất thực tế tới bộ khuếch đại là

Pin = Pinc (1 − |Γ 𝑖𝑛 |2 ) (6.14)
Sử dụng phương trình 7.8 ta có

|bs |2
Pin = (1 − |Γ 𝑖𝑛 |2 ) (6.15)
2|1 − Γ 𝑖𝑛 . Γ 𝑠 |2
c) Công suất khả dụng (PA): với điều kiện công suất truyền cực đại, điều kiện Zin =
Zs* thỏa mãn tương đương với điều kiện Γ 𝑖𝑛 = Γ s* xét về khía cạnh hệ số phản xạ. VÌ
vậy ta định nghĩa công suất khả dụng là
PA = Pin |Γ𝑖𝑛 =Γ𝑠∗
|bs |2
PA = | . ( 1 − |Γ 𝑖𝑛 |2 )
2|1 − Γ 𝑖𝑛 . Γ 𝑠 |2 Γ
𝑖𝑛 =Γ𝑠 ∗
1 |b |2
PA = . |1−|Γs 2
(6.16)
2 𝑠|
d) Độ lợi công suất đầu dò (GT)

Công suất được vận chuyển đến tải (PL )
GT = (6.17)
Công suất vận chuyển đến nguồn (PA )
ta có thể viết phương trình trên dưới dạng khác như sau:
(1 − |Γ 𝐿 |2 ). |S21 |2 . (1 − |Γ 𝑠 |2 )
GT = (6.18)
|1 − Γ 𝑜𝑢𝑡 . Γ 𝐿 |2 . |1 − 𝑆11 . Γ 𝑠 |2
154
e) Độ lợi công suất đơn hướng (GTU)

Độ lợi công suất khi tín hiệu quay trở lại bộ khuếch đại thường bị bỏ qua do đó ta có:
(1 − |Γ 𝐿 |2 ). |S21 |2 . (1 − |Γ 𝑠 |2 )
GTU = (6.19)
|1 − 𝑆22 . Γ 𝐿 |2 . |1 − 𝑆11 . Γ 𝑠 |2
f) Độ lợi công suất khả dụng (GA)
Công suất khả dụng từ bộ khuếch đại (6.20)

GA = = GT |ΓL=Γout
Công suất khả dụng từ nguồn
g) Độ lợi công suất hoạt động (G) độ lợi công suất đạt được hay đơ n giản là độ lơi
công suất được định nghĩa là tỉ số giữa công suất đi đến tải và công suất được cung cấp
cho bộ khuếch đại:
Công suất chuyển đến tải PL PL PA

𝐺= , 𝐺= = . (6.21)
Công suất được cung cấp từ nguồn Pin PA Pin
(1 − |Γ 𝐿 |2 ). |S21 |2
𝐺= (6.22)
(1 − |Γ 𝑖𝑛 |2 )|1 − S21 Γ 𝐿 |2
6.2.3. Độ ổn định của bộ khuếch đại

Một trong những yếu tố quan trọng để đánh giá độ ổn định của một bộ khuếch đại
là khả năng ổn định về mặt hiệu suất khi xét trên toàn bộ băng tần. Đây là lí do mà các
mạch khuếch đại RF phụ thuộc vào tần số hoạt động và đầu cuối. Nếu |𝛤 | > 1 thì điện
áp trở lại trong mỗi chu kì tăng lên về độ lớn (hay còn gọi là hồi tiếp dương) gây ra sự
mất ổn định. Phản hồi luôn tồn tại do phản xạ từ tải (vòng lặp tự phản hồi). Nếu ngược
lại với điều trên điện áp bị và độ lợi bị giảm (hay còn gọi là hồi tiếp âm).
Bộ khuếch đại có thể được coi như một mạng hai cổng và được đặc trưng bởi tham số
S với các đầu cuối bên ngoài như nguồn hoặc tải. Sử dụng phương trình 7.6 và 7.7 ta có
𝑆11 −𝛤𝐿 .𝛥
|𝛤𝑖𝑛 | = | |≤1 (6.23)
1−𝑆11 .𝛤𝐿
𝑆22 −𝛤𝑆 .𝛥
|𝛤𝑜𝑢𝑡 | = | |≤1 (6.24)
1−𝑆11 .𝛤𝑆
Trong đó
𝛥 = 𝑆11 𝑆22 − 𝑆12 𝑆21 (6.25)
155
Như đã biết tham số S là cố định tại tần số đã cho do vậy hai hệ spps trên sẽ quyết
định độ ổn định của bộ khuếch đại
6.2.3.1. Vòng tròn ổn định
Ta thay thế các thành phần trong 7.25 và 7.24 bằng các thành phần như sau
a) Đầu ra của vòng tròn ổn định:
(𝛤𝐿𝑅 − 𝐶𝑜𝑢𝑡
𝑅
)2 + (𝛤𝐿′ − 𝐶𝑜𝑢𝑡
′ 2
)2 = 𝑟𝐿𝑜𝑢𝑡 (6.26a)
Trong đó bán kính đường tròn là:
𝑆12 𝑆21
𝑟𝑜𝑢𝑡 = (6.26b)
|𝑆22 |2 − |Δ|2
Trung tâm của đường tròn:
∗
𝑅 𝑗 (𝑆22 − 𝑆11 𝛥)∗ (6.26c)
𝐶𝑜𝑢𝑡 = 𝐶𝑜𝑢𝑡 + 𝑗𝐶𝑜𝑢𝑡 =
|𝑆22 |2 − |Δ|2
b) Đầu vào của đường tròn ổn đinh
𝑅 2
(𝛤𝑆𝑅 − 𝐶𝑖𝑛 ′ 2
) + (𝛤𝑆′ − 𝐶𝑖𝑛 2
) = 𝑟𝑖𝑛 (6.27a)
Bán kính đường tròn là:
𝑆12 𝑆21
𝑟𝑖𝑛 = (6.27b)
|𝑆11 |2 + |Δ|2
Tâm đường tròn là:
∗
𝑅 𝐼
𝑆11 − 𝑆22 𝛥 (6.27c)
𝐶𝑖𝑛 = 𝐶𝑖𝑛 + 𝑗𝐶𝑖𝑛 =
|𝑆11 | − |Δ|2
2
c) Ổn định đầu ra: Nếu 𝛤𝐿 = 0 thì ta có, khi ấy hai trường hợp nảy sinh sẽ phụ thuộc
vào liệu |S11| <1 hay |S11|>1 với trường hợp nhỏ hơn 1, điểm = 0, không có sự phản xạ
tại mặt bên và là một phần của miền ổn định trong khi đó tại trường hợp lớn hơn 1 nghĩa
là nó thuộc về miền bất ổn định. Trong trường hợp thứ 2 miền ổn định là một phần của
|𝛤in|=1 và |𝛤L|= 1
156
Hình 6.2: Vòng tròn đầu ra ổn đinh với miền ổn định và miền bất ổn định
d) Ổn định đầu vào: Giả sử = 0 do vậy ta có = S22. Khi ấy hai trường hợp phát sinh
là |S22 <1 hoặc |S22|>1 trong trường hợp nhỏ hơn 1 ta có = 0 là trung tâm của vùng ổn
định vì vậy các vùng có #0 là vùng ổn định. Trong trường hợp |S22| > 1 trung tâm là
vùng không ổn định còn vùng ổn định là |𝛤s|= 1 và |𝛤out| = 1
Hình 6.3: Vòng tròn đầu ra ổn định với miền ổn định và miền bất ổn định
e) Ổn định vô điều kiện

Nếu bộ khuếch đại duy trì trạng thái ổn định với bất kì nguồn hoặc tải nào tại một
tần số hoặc tải cho trước hoặc với điều kiện cụ thể thì có thể nói dây là trạng thái ổn
định không điều kiện. trong trường hợp này, bộ khuếch đại được ổn định thông qua
miền của đồ thị Smith. Điều này được áp dụng cho |S11| < 1 và |S22| <1
|S11| < 1: ||Cin| - Rin| > 1 (6.28)
|S22| < 1: ||Cout| - Rout| > 1 (6.29)
157
Vì vậy, vòng tròn ổn định phải nằm hoàn toàn bên ngoài so với đường tròn |𝛤s| = 1
và |𝛤L| = 1. Với |𝛤s|= 1 đường tròn được biểu diễn như hình phía dưới.
Hình 6.4: Ổn định vô điều kiện trong mặt phẳng TS và 𝛤out
Với điều kiện này, phương trình 6.30 sử dụng để chứng minh sự ổn định hoặc hệ số
Rollet
1 − |𝑆11 |2 − |𝑆22 |2 + |𝛥|2 (6.30)

𝑘= >1
2|𝑆12 ||𝑆21 |
|𝛥| = (𝑆11 𝑆22 − 𝑆12 𝑆21 )
Hệ số Rollet ở trên được áp dụng cho cả cổng đầu vào và đầu ra. Nói cách khác sự
ổn định vô điều kiện cũng được thể hiện ở khía cạnh trong mặt phẳng phức và tại đâu
phải nằm hoàn toàn trong |𝛤out| = 1. Nếu vẽ = 0 trong mặt phẳng ta sẽ được đường tròn
với tâm đường tròn nằm tại
∗
𝑆21 . 𝑆12 . 𝑆11
𝐶𝑆 = 𝑆22 + (6.31)
1 − |𝑆11 |2
Bán kính đường tròn được tính trong phương trình 6.32
|𝑆21 . 𝑆12 |
𝑟𝑆 = (6.32)
1 − |𝑆11 |2
Đặt
|𝛥| = 𝑆11 𝑆22 − 𝑆12 . 𝑆21 ≤ |𝑆21 . 𝑆12 | + |𝑆11 . 𝑆22 |
158
Do đó để ổn định ta phải có |S11| và |S22| đều cùng phải nhỏ hơn 1. Tại một tần số
bất ổn định thì có thể tại một tần số khác nó sẽ ổn định
6.2.3.2. Ổn định bằng tải
Đôi khi quá trình khuếch đại xảy ra sự mất ổn định khi đó dẫn đến điều kiện
′
Re(𝑍𝑖𝑛 + 𝑅𝑖𝑛 ′
+ 𝑍𝑠 ) > 0 ℎ𝑜ặ𝑐 Re(𝑌𝑖𝑛 + 𝐺𝑖𝑛 + 𝑌𝑠 ) > 0 (6.33)
′
Re(𝑍𝑜𝑢𝑡 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 ′
+ 𝑍𝐿 ) > 0 ℎ𝑜ặ𝑐 Re(𝑌𝑜𝑢𝑡 + 𝐺𝑜𝑢𝑡 + 𝑌𝐿 ) > 0 (6.34)
Do đó đển ổn định đầu ra và đầu vào chúng ta cần mắc thêm nối tiếp các điện trở
như hai hình dưới
Hình 6.5: Ổn định cổng đầu vào bằng cách lắp thêm tải a) tải mắc nối tiếp b) Shunt
Hình 6.6: Ổn định cổng đầu ra bằng cách lắp thêm tải a) tải mắc nối tiếp b) Shunt
Trong đó Zs, Ys là trở kháng và dẫn nạp của nguồn trong khi đó ZL và YL là của tải
6.3. MẠCH TẠO DAO ĐỘNG SIÊU CAO TẦN
6.3.1. Bộ tạo dao động nội
Bộ tạo dao động nội điều hòa ổn định là yế tố chính trong nguồn vô tuyến, bộ trộn,
truyền và nhận, radar. Đối với tần số thấp, các thiết bị không tuyến tính (phi tuyến) hoạt
động như diode và bán dẫn cùng với các thành phần thụ động bắt buộc sẽ đầy đủ. Nếu
muốn ổn định tần só có thể sử dụng bộ cộng hưởng tinh thể (crystal resonator). Đối với
tần số vi sóng, diode và bán dẫn có thể được sử dụng với đường truyền đục lỗ (cavity
159
transmission line). Các bộ nhân tần số cũng có thể được sử dụng ở các thiết bị phi tuyến
như varactor diode, để tạo ra công suất ở tần số milimet. Phân tích và thiết kế các bộ
tọa dao động là một vấn đề khó và nó thường được thực hiện dưới sự hỗ trợ của các
công cụ CAD tiên tiến sẵn có trên thị trường.
Đầu tiên ta thảo luận về tần số thấp Hartley và bộ dao động điều khiển bởi tinh thể
để phát triển các khái niệm về bộ dao động hồi tiếp dương và khả năng sử dụng thực tế
của các thiết bị trở kháng âm. Các vấn đề cần cân nhắc của bộ dao động nội khi hoạt
động tại RF và MW:
- Nghiên cứu về trở kháng âm và cơ chế hồi tiếp dương
- Tải bởi các thành phần parasitic
- Tải bởi các mạch theo sau
- Tính ổn định tần số của các thiết bị đối với nhiệt dộ
- Dải chuyển tần
- Cách tạo các hài (hài bậc thấp và hài bậc cao)
- Tạp âm
6.3.2. Mô hình bộ dao động hồi tiếp và nguồn của tín hiệu
Bộ dao động chuyển đổi các nguồn DC thành nguồn AC do cơ chế hồi tiếp dương
của nó. Mỗi hoặc tất cả các thiết bị bao gồm cả thụ động và tích cực) trong khi đi qua
nguồn DC đều tạo ra nhiễu nhiệt do lực cản được tạo ra bởi các chuyển động ngẫu nhiên
của các electron và sự va chạm với các nguyên tử trong vật chất của nó. Đây là hiện
tượng nhấp nháy (flicker) trong dòng. Ví dụ tạp âm với số lượng lớn các thành phần ac
có tần số nằm trong dải từ 0 đến vô cùng. Nếu bộ khuếch đại một tầng, tín hiệu đầu vào
được đưa vào và đầu ra tín hiệu được khuếch đại sau đó dịch đi một góc là 1800. Sau đó
tín hiệu được phản hồi và có thể được dịch tần một góc 1800 tại chính tần số đó. Sau đó
bộ khuếch đại này trở thành bộ dao động do tính tái tạo tín hiệu. Có thể thực hiện dịch
pha bằng mạch đáp ứng phụ thuộc giá trị của R, L, C (ví dụ: tần số cộng hưởng) và dịch
đáp ứng pha. Nếu không có tín hiệu đầu vào thì bộ khuếch đại sẽ lấy tạp âm phù hợp tại
tần số này để phản hồi lại.
Tín hiệu tạp âm của các tần số khác sẽ được duy trì và được hiển thị dưới dạng tín
hiệu tạp âm của bộ dao động này. Vì vậy tại phần lõi của bất kì một bộ dao động nào
đều là vòng lặp, nguyên nhân gây ra hồi tiếp dương. Như vậy tại đây sẽ dịch chuyển
360o trong mạch tổng. Nếu giá trị L và C được thay đổi tần số của bộ dao động cũng
thay đổi và ta gọi đó là hiệu chỉnh
Tại hình 6.7a hiển thị dạng thông thường của hệ thống vòng lặp kín của bộ khuếch
đại có hồi tiếp trong khi đó hình 6.7b hiển thị hai cổng thông thường của mạch với Vin
là điện thể hồi tiếp nội.
160
Hình 6.7: Hệ thống dao động nội hồi tiếp đơn giản của bộ khuếch đại
A(ω) và B(ω) là các hàm truyền của bộ khuếch đại và mạng hồi tiếp, với mỗi phần
sẽ gây sự dịch pha 1800.
𝑉0 𝐴(ω)
= = 𝐴𝑐𝑙 (ω) (6.35)
𝑉𝑖𝑛 1 − 𝐴(ω). 𝛽(ω)
Nếu không có tín hiệu đầu vào thì bộ khuếch đại sẽ hoạt động như bộ dao động
𝐴(ω). 𝛽 (ω) = 1 (6.36)
Điều kiện này được gọi là phương trình độ lợi vòng lặp và còn được gọi là tiêu chí
Nyquist hoặc Barkhausen cho dao động. Độ lợi của một bộ khuếc đại thực tế là A = Ar.
B(w) thông thường được biết dưới dạng hàm truyền cho mạng hồi tiếp và là nguyên
nhân gây dịch pha khác 1800, bao gồm cả điện cảm và điện dung. Vì vậy đây là thành
phần phức
Vòng lặp này có thể là vòng lặp loại pi hoặc chữ T như hình 6.8
Hình 6.8: Loại Pye, T-type và độ cảm ứng của hồi tiếp
Khi kích hoạt bộ dao động nôi, do cơ chế hồi tiếp hình thành lại điện thế V0 sẽ tăng
lên theo thời gian, nhưng sau đó nó ổn định về con số bão hòa tại VQ với sự sụt giảm
của Ar như được thể hiện trong hình 6.9a. Tại hình 6.9b biểu diễn tín hiệu tạp âm tần số
cũng ổn định ở tần số cộng hưởng 𝛚Q, như với các tín hiệu nhiễu khác tần số cũng dịch
pha một góc 1800
161
Hình 6.9: Độ lợi và điện thế thay đổi theo thời gian, vòng lặp độ lợi với tần số
6.3.3. Bộ dao động tần số cao

Khi tần số gần đên phạm vi GHz bản chất sóng của điện và dòng điện khi đó yêu
cầu thêm về hệ số phản xạ cùng các tham số khác để nghiên cứ các chức năng của mạch.
Khi dó các tình huống Barkhausen cần được xây dựng lại trên các điều kiện trên.
Bắt đầu từ một mạch khuếch đại khi không có tín hiệu và hai mạng kết hợp, sau đó
thay bộ khuếch đại bằng bộ dao động hồi tiếp âm ta được mạch mới như hình 6.10
Hình 6.10: Bộ dao động trở kháng âm với bộ cộng hưởng hoạt động như nguồn
Với nguồn được thay thế bằng tải và bộ cộng hưởng, ta có:
S21 . S12 Γ𝐿 S11 − 𝛥Γ𝑇

Γ𝑖𝑛 = S11 + = (6.37)
1 − S22 Γ𝐿 1 − S22 Γ𝑇
S21 S12 . Γ𝑆 S22 − 𝛥Γ𝑟

Γ𝑜𝑢𝑡 = S22 + = (6.38)
1 − S11 Γ𝐿 1 − S11 Γ𝑟
Ta biết rằng Γ𝑖𝑛 . Γ𝑜𝑢𝑡 = 1 do đó phương trình 6.37 trở thành
1 S11 − 𝛥Γ𝑇
= (6.39)
Γ𝑟 1 − S22 Γ𝑇
Trong đó:
162
𝛥 = S11 . S22 − S21 . S12 (6.40)
Từ trên ta suy ra
1−S11 Γ𝑟
Γ𝑇 = (6.41)
S22 −𝛥Γ𝑟
Sau cùng ta tìm được
Γ𝑜𝑢𝑡 . Γ𝑇 = 1 và vì vậy ta có Z 𝑇 = −Z𝑜𝑢𝑡 (6.42)
Có nhiều cơ chế hồi tiếp dương đã được đưa ra. ví dụ BJT, dựa vào đó ta có mạch
như hình dưới với đầu vào được xem như đầu ra
Hình 6.11: Bộ dao động BJT thông thường
6.4. MẠCH TRỘN SIÊU CAO TẦN

Mạch trộn là thiết bị ba cổng với phần tử phi tuyến được sử dụng ở hai tần số khác
nhau. Đầu vào ở hai cổng và đầu ra ở cổng thứ ba bao gồm tổng hoặc hiệu của hai tần
số đó
6.4.1. Nguồn gốc của bộ trộn và đầu thu Heterodyne
Bắt đầu từ năm 1930 khi các máy thu vô tuyến khuếch đại tín hiệu AM khác nhau
vào trong tần số FM, từ các sóng trung bình (MW = 540-1640 kc/s), song ngắn (SW =
3-18 mc/s). Sẽ không có bộ khuếch đại tín hiệu nào có thể thực hiện điều đó, tuy nhiên
bộ dao động có thể làm được điều đó, chúng có thể điều chỉnh và hoàn toàn tạo ra được
các tín hiệu như trên. Cách thức mà bộ dao động sử dụng là kết hợp tín hiệu sóng mang
và tần số bộ dao động nội. Theo cách này hai tín hiệu được hiệu chỉnh đồng thời bằng
một bộ điện dung gọi là gang condenser. Với cách làm này sự chênh lệch tần số sau khi
trộn là không đổi, tần số khoảng 455kc/s nhỏ hơn nhiều so với sóng mang RF chính và
vì vậy các kết hợp này đã chuyển đổi tần số tần số sóng mang RF thành tần số đơn.
Cách kết hợp như vậy được gọi là máy thu superheterodyne
163
Tại RF, máy thu heterodyne cũng có chung ý tưởng. Tín hiệu song mang nhận được
từ anten sẽ được khuếch đại trước bằng LNA và gửi tới bộ trộn cùng với tần số bộ dao
động nội. Đầu ra của bộ trộn sẽ là và được gửi đến bộ lọc chỉ tín hiệu là được phép đi
qua.
Hình 6.12: Bộ dò Heterodyne tại tần số RF
Tần số trung tâm không bằng 455 kc/s nhưng nằm trong dải MHz. Đầu ra của bộ
trộn có hai cổng và bộ dò.
Bộ kết hợp thường là bộ ghép định hướng 900 hoặc 1800 trong khi bộ phát hiện
thường là phi tuyến. Khác với diode, BJT và MESFET được kết hợp với chỉ số nhiễu
thấp và độ lợi chuyển đổi cao có thể được sử dụng. Do đó MESFET có tính chất phi
tuyến
𝐼(𝑉 ) = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉/𝑉𝑇𝑂 )2 (6.43)
Đầu ra từ bộ trộn lý tưởng được cung cấp với tín hiệu sóng mang vô tuyến và tín
hiệu bộ dao động nội.
Nếu
𝑣𝑐 = 𝑣1 cos(𝜔𝑐 𝑡)
Thì ta có:
𝑣𝐿𝑂 = 𝑣2 cos(𝜔𝐿𝑂 𝑡)
Đầu ra của bộ trộn tại hình dưới đâu sẽ có bốn tần số là tần số sóng mang gốc và
𝜔𝑐 + 𝜔𝐿𝑂 , 𝜔𝑐 − 𝜔𝐿𝑂 . IF được cố định bằng cách hiệu chỉnh đồng thời bộ dao động tải
và sóng mang đầu vào antenna bời gang condenser. Vì vây, sự trộn lẫn đã gây ra việc
giảm từ GHz (tín hiệu RF) xuống MHz (tín hiệu trung tân) với cùng phương thức điều
chế. Nếu sử dụng những mạch như vậy được gọi là mạch trộn đầu cuối đơn.
164
6.4.2. Các tham số quan trọng của bộ trộn RF

Một số tham số quan trọng của bộ trộn bao gồm:
- Cổng độc lập (LO tới RF, LO tới IF và RF tới IF). Tất cả các thiết bị cô lập này
sẽ quyết định đâu là loại bộ trộn mà ra sẽ sử dụng. Các bộ trộn cân bằng kép là
sự lựa chọn phù hợp nhất. Trên thwujc tế các sóng mang đầu vào LO và RF có
thể đi qua bộ phát hiện, kết quả là DC và thành phần 2𝑓0 có trong đầu ra IF. Ngoài
ra các thành phần hài bậc cao trong LO cũng làm giảm đầu ra của ÌF và vì vậy
cần được giảm thiểu.
- Dải tần hoạt động: điều này là phụ thuộc vào yêu cầu của chúng ta đối với tín
hiệu sóng mang RF
- Chuyển đổi độ lợi: các thiệt bị hoạt động giống như transitor sẽ đưa độ lợi (đầu
ra IF tời đầu vào RF) trong khoảng + 10dB trong khi đó các thiết bị thụ động như
diode sẽ khiến gain giảm đi
- Tín hiệu tạp âm: bộ trộn cũng có thể thêm vào tạp âm của chính nó đến đầu ra
IF. Sự xuất hiện của sóng hài RF và LO do sự sự cô lập bị kém đi. Điều này cũng
trở thành nguồn tạp âm bổ sung. Vì vậy để tính độc lập tốt hơn ta cần giảm tạp
âm
Vì vậy nếu chính ta sử dụng bộ trộn cân bằng với bốn FET thay vì bốn diode thì nó
sẽ trở thành bộ trộn tốt nhất. Điều này được mô tả trong hình dưới đây
Hình 6.13: Mạch trộn cân bằng kép sử dụng 4 diode vòng và bộ chuyển đổi
6.4.3. Mạch trộn đơn giản

Thông thường tất cả các mạch trộn đều có IF = 𝑓𝑐 − 𝑓𝐿𝑂 với sự chuyển đổi xuống
tần số thấp hơn (từ RF xuống IF). Hình ảnh minh họa đơn giản nhất là mạch kết hợp
diode và transitor được đưa ra như hình dưới
165
Hình 6.14: Mạch trộn single end
Trong cả hai trường hợp, sự kết hợp RF và LO, tín hiệu được đưa vào thiết bị vô
tuyến (Schottky diode và FET) theo sau bởi bangw dải LC để chỉ nhận tín hiệu IF. Như
vậy hai tín hiệu này không hoàn toàn độc lập và vì vậy LO có thể cản trở tín hiệu RF
thu sóng từ anten. Không giống như bộ trộn IF, mạch trộn FET cung cấp độ lợi trong
tín hiệu IF.
Hình ảnh dưới đây đưa ra một mạch thông thường vói mạch trộn BJT có 𝑓𝑐 = 1.9
GHz 𝑓𝐿𝑂 = 1.7 GHz và 𝑓𝐼𝐹 = 0.2 GHz
Hình 6.15: Mạch trộn BJT
Tại đây 𝐶𝐿𝑂 đủ thấp để sóng mang RF không ghép vào nguồn LO, CB1 và RFC1
cùng tạo nên mạch cộng hưởng nối tiếp cho IF. Mạch này có nhiều thành phần và rõ
ràng là khó thực hiện và cũng không khả quan trọng việc duy trì độc lập. Đây là vấn đề
chung của một trộn cân bằng.
6.4.4. Bộ trộn cân bằng đơn
Bộ trộn cân bằng có coupler lai ghép để được cung cấp, chúng kết hợp với diode
kép và transitor kép để tạo ra RF như hình dưới. Trong couplr lai ghép đầu vào ở cổng
A được đua ra tại cổng C và D với sự sai khác pha là 900. Đầu vào ở cổng C sẽ cho đầu
ra tại cổng D và C với sự sai khác oha là 900
166
Hình 6.16: Bộ trộn cân bằng đơn sử dụng bộ ghép lai ghép
Nhìn vào vấn đề ta thấy một số ưu điểm của mạch trộn cân bằng:
- Dễ dàng thực hiện
- Duy trì sự độc lập giựa các tần số dao động nội fOC, sóng mang fC, và tần số trung
tần fIF
- Có thể hoạt động tại băng tần rộng
- Cung cấp khả năng triệt tiêu tạp âm vì các diode đối nghịch được xếp cạnh nhau
với sự dịch pha là 900
- Ngăn chặn sự phát sinh các đầu ra ảo được tạo ra từ các hài bậc cao
- Có độ tuyến tính tốt nhất
- Giá trị VSWR thấp
6.4.5. Mạch trộn cân bằng kép
Để vẫn cách ly tốt sang mang RF, LO và IF. Các tín hiệu có khả năng triệt tiêu tốt
hơn các hài bậc cao thì cần có mạch trộn cân bằng kép. Được hình thành từ 4 diode
trong một chu kì, và được minh họa như hình 6.17
Hình 6.17: Mạch trộn cân bằng kép
Điểm bất lợi của mạch trộn này là yêu cầu công suất LO cao hơn và các thông tin
tín hiệu điều biến của fc được chuyển từ GHz sang MHz
Với mục đích giới thiệu khái quát về các phần tử tích cực trong mạch siêu cao tần,
kết hợp với các kiến thức chương trước giúp sinh viên có được cái nhìn tổng quát và
167
hoàn chỉnh về mạch siêu cao tần. Nội dung của chương chủ yếu mang tính chất tham
khảo và đọc thêm, nó có thể được lựa chọn thành các chủ đề thảo luận. Sinh viên cần
nắm được cái khái niệm và tham số cơ bản sử dụng trong việc phân tích và thiết kế các
phần tử tích cực của mạch siêu cao tần như: ma trận hệ số tán xạ, độ lợi (hệ số khuếch
đại), hệ số ổn định, sóng hài... Từ đó thể tìm hiểu sâu hơn về kiến thức của từng phần
tử này trong các sách tham khảo phục vụ cho nhu cầu thiết kế thực tế
168
DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Bài giảng LT Trường điện từ và Siêu cao tần, Khoa ĐT1, HV CNBCVT
2. D. Pozar, Microwave engineering, 3rd ed. Hoboken NJ: J. Wiley, 2005.
3. R. Ludwig, RF circuit design : theory and applications, 2nd ed. Harlow: Prentice Hall,
2007.
4. K.-W. Yeom, Microwave circuit design: a practical approach using ADS. New York:
Prentice Hall, 2015.
5. R. Bansal, Fundamentals of Engineering Electromagnetics. CRC Press, 2006.
6. E. DaSilva, High frequency and microwave engineering. Oxford: Butterworth-
Heinemann, 2001.
7. J.-S. Hong, Microstrip filters for RF microwave applications. New York: Wiley, 2001.
8. W. F. Egan, Practical RF System Design. Hoboken, NJ, USA: John Wiley & Sons,
Inc., 2003.
9. D. Misra, Radio-frequency and microwave communication circuits: analysis and
design. John Wiley & Sons, 2004.
10. P. Vizmuller, RF design guide : systems, circuits, and equations. Boston: Artech
House, 1995.
11. RF System Design of Transceivers for Wireless Communications. New York: Springer-
Verlag, 2005.
12. P. K. Chaturvedi, Microwave, Radar & RF Engineering. Springer Singapore, 2018
169

Bai Giang KT SCT - 2021 - NVHung - Final

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bai Giang KT SCT - 2021 - NVHung - Final

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG

KHOA VIỄN THÔNG I

KỸ THUẬT SIÊU CAO TẦN

1.8.2. Bài tập .......................................................................................................... 23

3.2. XÂY DỰNG ĐỒ THỊ SMITH ......................................................................... 60

4.3.1. Các định nghĩa tham số................................................................................ 82

5.7.1. Câu hỏi ....................................................................................................... 149

DANH MỤC HÌNH ẢNH

DANH MỤC BẢNG

Bảng 5.1: Bảng các tham số trong mạch .................................................................... 108

KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT

 Antenuation constant Hằng số suy hao

 Phase constant Hằng số pha

 Propagation coefficient Hằng số truyền sóng

ε Permittivity Hệ số điện môi

λ Wave length Bước sóng

 Conductivity Độ dẫn điện

k Wave number Hằng số sóng

c Light velocity Vận tốc ánh sáng

 Skin depth Độ sâu dưới bề mặt

ρ Charge density Mật độ điện tích

vp Phase velocity Vận tốc góc

 Angular velocity Vận tốc góc

AC Alternating current Dòng xoay chiều

ADC Analog Digital converter Bộ chuyển đổi tương tự - số

AM Amplitude Modulation Điều biên

BW Band width Băng tần

DAC Digital Analog converter Bộ chuyển đổi số - tương tự

DC Direct current Dòng một chiều

FM Frequency Modulation Điều tần

G Gain Độ lợi công suất

IC Intergrated circuit Mạch tích hợp

IF Intermediate Frequency Trung tần

LNA Low Noise Amplifier Khuếch đại tạp âm thấp

LO Local Oscilator Bộ dao động nội

PA Power amplifier Khuếch đại công suất

PCB Printed Circuit Board Mạch in

Q Quality factor Hệ số phẩm chất

RF Radio frequency Tần số cao

TE Transverse Electric mode Chế độ điện ngang

TM Transverse Magnetic mod Chế độ từ ngang

LỜI NÓI ĐẦU

CHƯƠNG 1: LÝ THUYẾT CHUNG VỀ TRƯỜNG ĐIỆN TỪ VÀ MẠCH

1.2.1. Vectơ cường độ điện trường ⃗𝑬

Khi đặt một lực tác dụng ⃗⃗⃗⃗

1.2.2. Vectơ điện cảm ⃗𝑫

𝑃⃗: vectơ phân cực điện

kp: hệ số phân cực điện

 r  1  k p : hằng số điện môi tương đối

   r  0 : hằng số điện môi tuyệt đối

1.2.3. Vectơ cường độ từ cảm ⃗𝑩

1.2.4. Vectơ cường độ từ trường ⃗𝑯

⃗ , các dòng phân tử và các

r  1  km : độ từ thẩm tương đối

  r 0 : độ từ thẩm tuyệt đối.

Các vật liệu thông thường có r  1

1.2.2. Các tham số đặc trưng cơ bản của môi trường

1.3.1.2. Khái niệm về dòng điện dịch

1.3.2. Hệ phương trình Maxwell

Hoặc theo cách ký hiệu khác:

Trong đó 𝜌𝑉 là mật độ điện tích trong thể tích V

Trong đó 𝑞 là tổng điện tích trong thể tích V

1.3.3. Ý nghĩa của hệ phương trình Maxwell