BỘ MỘN VẬT LÍ CHẬT RẬN – ĐÍỆN TỬ

KHỘẬ VẬT LÍ

HƯỚNG DẪN THỰC HÀNH VẬT LÍ CHẤT RẮN

(Tài liệu lưu hành nội bộ)

Hà Nội, 2018
 MỤC LỤC

Bài 1. ĐO ĐIỆN TRỞ SUẤT VÀ HỆ SỐ HALL CỦA BẢN MỎNG BÁN DẪN .................. 5
1.1. MỤC ĐÍCH ...........................................................................................................5
1.2. CƠ SỞ LÍ THUYẾT .................................................................................................5
1.2.1. Chuyển động của hạt mang điện trong từ trường ..............................................5
1.2.2. Hiệu ứng Hall trong bán dẫn ...............................................................................6
1.2.3. Phương pháp đo van der Pauw ...........................................................................7
1.3. THỰC HÀNH ........................................................................................................9
1.3.1. Thiết bị và sơ đồ thực nghiệm.............................................................................9
1.3.2. Nhiệm vụ thực hành ......................................................................................... 10

Bài 2. KHẢO SÁT ĐƯỜNG ĐẶC TRƯNG VÔN-AMPE CỦA DIODE BÁN DẪN .......... 13
2.1. MỤC ĐÍCH ......................................................................................................... 13
2.2. CƠ SỞ LÍ THUYẾT ............................................................................................... 13
2.2.1. Lớp chuyển tiếp p-n.......................................................................................... 13
2.2.2. Đặc trưng Von - Ampe của diode ..................................................................... 16
2.2.3. Các loại diode chính và ứng dụng..................................................................... 17
2.3. THỰC HÀNH ...................................................................................................... 18
2.3.1. Thiết bị và sơ đồ thực nghiệm.......................................................................... 18
2.3.2. Nhiệm vụ thực hành ......................................................................................... 19
2.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG............................................................................................ 21

Bài 3. ĐƯỜNG CONG TỪ TRỄ CỦA SẮT TỪ ......................................................... 22

3.1. MỤC ĐÍCH ......................................................................................................... 22
3.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT .............................................................................................. 22
3.2.1. Vật liệu sắt từ ................................................................................................... 22
3.2.2. Các thông số từ được xác định từ đường cong từ trễ ..................................... 24
3.3. THỰC HÀNH ...................................................................................................... 26
3.3.1. Thiết bị thí nghiệm ........................................................................................... 26
3.3.2. Nhiệm vụ thực hành ......................................................................................... 26
Thực nghiệm: Ghi lại các đường cong từ trễ cho một lõi sắt đặc ...................................... 26
3.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG............................................................................................ 32

Bài 4. XÁC ĐỊNH NHIỆT ĐỘ CURIE CỦA FERIT TỪ ................................................ 33

4.1. MỤC ĐÍCH ......................................................................................................... 33
4.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT .............................................................................................. 33

2
 4.2.1. Vật liệu sắt từ và nhiệt độ Curie ....................................................................... 33
4.2.2. Mạch từ và từ trở ............................................................................................. 34
4.3. THỰC HÀNH ...................................................................................................... 35
4.3.1. Thiết bị thí nghiệm ........................................................................................... 35
4.3.2. Nhiệm vụ thực hành ......................................................................................... 38
4.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG............................................................................................ 39

Bài 5. KHẢO SÁT HỆ QUANG HỌC VÀ LẬP ĐƯỜNG CONG CHUẨN CỦA MÁY ĐƠN
SẮC 41
5.1. MỤC ĐÍCH ......................................................................................................... 41
5.2. CƠ SỞ LÍ THUYẾT ............................................................................................... 41
5.3. THỰC HÀNH ...................................................................................................... 43
Nội dung báo cáo................................................................................................................ 44
5.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG............................................................................................ 44

Bài 6. Khảo sát transistor và tạo thiên áp cho transistor ..................................... 45

6.1. MỤC ĐÍCH ......................................................................................................... 45
6.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT .............................................................................................. 45
6.3. THỰC HÀNH ...................................................................................................... 45
6.3.1. Thiết bị và sơ đồ thực nghiệm.......................................................................... 45
6.3.2. Nhiệm vụ thực hành ......................................................................................... 46
6.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG............................................................................................ 49

Bài 7. MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR MẮC EC ...................................... 50

7.1. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM...................................................................................... 50
7.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT .............................................................................................. 50
7.3. THỰC HÀNH ...................................................................................................... 53
7.3.1. Dụng cụ và sơ đồ thí nghiệm ............................................................................ 53
7.3.2. Nhiệm vụ thực hành ......................................................................................... 54
7.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG............................................................................................ 56

Bài 8. THIẾT KẾ MẠCH TẠO DAO ĐỘNG ĐA HÀI DÙNG TRANSISTOR ................... 57
8.1. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM...................................................................................... 57
8.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT .............................................................................................. 57
8.3. THỰC HÀNH ...................................................................................................... 59
8.3.1. Thiết bị thí nghiệm ........................................................................................... 59
8.3.2. Nhiệm vụ thực hành ......................................................................................... 60
8.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG............................................................................................ 61

PHỤ LỤC I: HƯỚNG DẪN VIẾT BÁO CÁO ................................................................... 62

3
PHỤ LỤC II: HƯỚNG DẪN SỬ DỤNG CHƯƠNG TRÌNH VẼ ĐỒ THỊ ORIGIN ........ 64

PHỤ LỤC III: NỘI QUY PHÒNG THÍ NGHIỆM THỰC HÀNH .......................................... 69

4
 Bài 1. ĐỘ ĐÍỆN TRỞ SUẤT VÀ HỆ SỐ HALL CỦA
BẢN MỎNG BÁN DẪN

1.1. MỤC ĐÍCH

 Nắm được lý thuyết hiệu ứng Hall.

 Nắm được phương pháp đo hệ số Hall và phương pháp Van Der Pauw đo điện
trở suất của bản mỏng.
 Thực hành đo hệ số Hall, điện trở suât của một mẫu bán dẫn.
 Xử lí và nhận xét kết quả thu được.

1.2. CƠ SỞ LÍ THUYẾT

1.2.1. Chuyển động của hạt mang điện trong từ trường

Một hạt có điện tích q chuyển động với vận tốc v trong một từ trường B sẽ chịu
tác dụng của lực Lorentz F  q v .B  . Hướng của lực này phụ thuộc vào dấu của hạt

mang điện và hướng của tích v .B  . Nếu hướng của v vuông góc với B thì dưới tác

dụng của lực Lorentz sẽ xảy ra sự lệch của các hạt mang theo phương vuông góc với v
và B , do đó sẽ xuất hiện sự phân bố điện tích không gian và xuất hiện điện trường E y .

Trong trạng thái dừng, lực điện trường qE y tác dụng lên hạt mang điện bằng lực

Lorentz:

F = qEy = qvB (1)

ở đó B là cảm ứng từ, B = 0H. Nếu nồng độ của hạt mang điện chuyển động là
n và là hạt mang điện âm thì điện trường do chúng tạo ra sẽ được biểu diễn qua mật độ
dòng j:

jB
Ey   RjB (2)
ne

5
 Hiện tượng tạo nên điện trường Ey và làm xuất hiện một điện thế U khi vật dẫn có
dòng điện chạy qua, được đặt trong từ trường gọi là hiệu ứng Hall.

1.2.2. Hiệu ứng Hall trong bán dẫn

Xét một dòng điện có mật độ dòng điện j chạy qua một mẫu bán dẫn hình hộp

chữ nhật có chiều dày d. Một từ trường cảm ứng từ B đặt vuông góc với j và vuông
góc với bản (Hình 1).

Trong bán dẫn luôn tồn tại hai loại hạt mang điện electron và lỗ trống. Mật độ
dòng electron và lỗ trống được xác định:

Je = - neve, Jh = pevp (3)

Hình 1: Sơ đồ giải thích hiệu ứng Hall

Như trên đã trình bày, sự chuyển động của các hạt mang điện trong tử trường sẽ
dẫn đến sự xuất hiện một điện trường E bên trong mẫu.

Trong trường hợp của electron ta có:

ve = -e( E + veB) (4)

Khi B = Bz như hình vẽ, mật độ dòng electron theo các hướng x và y được xác
định:

jex = nee ( Ex –  e EyB) (5)

jey = ne e ( Ey + eExB) (6)

6
 Xét trường hợp khi cả electron và lỗ trống tham gia đồng thời vào sự dẫn điện
trong bán dẫn ta có:
j = je + jh (7)

jx = (nee + peh)Ex + (-nee2 + peh2) EyB (8)

Jy = (nee + peh)Ey + (nee2 - peh2) ExB (9)

Do dòng điện chỉ chạy theo hướng x vậy Jy = 0

Ta có: Ey = (-nee2 + peh2) ExB/(nee + peh) (10)

Thay (10) vào (8) ta được:

Jx
Ex  (11)
nee  peh 

Ey 
 ne 2
e peh2 J x B  (12)
nee  peh 2
Mà ta lại có, E = RhJB

Nên Rh 
 n 2
n  p p2 
(13)
( n n  p p ) 2

Trong trường hợp chỉ có một loại hạt tải

1
R (đối với điện tử) (14a)
ne

1
và R (đối với lỗ trống) (14b)
pe

Từ (14) ta có nhận xét là dấu của hệ số Hall phụ thuộc vào:

-n n2 + pp2 (15)

1.2.3. Phương pháp đo van der Pauw

Giả sử có một mẫu phẳng có chiều dày d có 4 tiếp điểm (A, B, C, D) như Hình

7
 Hình 2: Sơ đồ phép đo theo phương pháp Van der Pauw

Cho dòng IAB chạy qua AB, lúc đó sẽ có sụt thế VDC giữa D và C. Điện trở của
mẫu được định nghĩa theo công thức:

RAB,CD = VDC/IAB (16)

Tương tự, nếu cấp dòng IBC thì ta có sụt thế VAD, lúc này điện trở của mẫu sẽ
được xác định:

RBC,DA = VAD/IBC (17)

van der Pauw đã chứng minh rằng điện trở suất của mẫu tuân theo phương trình:

𝜋𝑑 (𝑅𝐴𝐵,𝐶𝐷 +𝑅𝐵𝐶,𝐷𝐴 )
𝜌= 𝑓 (18)
𝑙𝑛2 2

f là một hàm cho trước của RAB,CD/ RBC,DA

R AB ,CD  RBC , DA ln 2 R AB ,CD  RBC ,DA 4 (ln 2) 2 (ln 2) 3

f 1 ( )2
( ){  }
R AB ,CD  RBC ,DA 2 R AB ,CD  RBC , DA 4 12

Một số giá trị của f tương ứng với RAB,CD/ RBC,DA được ghi trong Bảng 1.

8
 Bảng 1: Một số giá trị của hàm f.

f 1 0.95 0.81 0.69 0.59 0.46

RAC , BD
1 2 5 10 20 50
RBD , AC

Khi đo được điện trở của mẫu, từ (18), tính điện trở suất của nó.

d
Để xác định hệ số Hall, ta sử dụng công thức: RH  RAC , BD (cấp dòng qua AC,
B
đo thế BD để tính điện trở). Tuy nhiên do có sự chênh lệch điện áp giữa B và D ngay
cả khi từ trường B = 0. Ta ký hiệu UBD (B = 0), ký hiệu thế giữa hai điểm B và D khi có
điện trường tác dụng là UBD (B  0). Như vậy RAC,,BD được xác định như sau:

U BD  B  0   U BD  B  0  
RAC , BD   (19)
I AC

Cuối cùng ta có

d d
RH  RAC , BD  U BD  B  0   U BD  B  0   (20)
B BI AC 

1
Từ (20) có thể tính được nồng độ hạt mang điện n  , độ linh động của hạt
RH .e

1 𝑚
tải   và thời gian hồi phục của hạt tải 𝜏 = 𝑒 𝑅𝐻 .
RH . 𝜌𝑒

1.3. THỰC HÀNH

1.3.1. Thiết bị và sơ đồ thực nghiệm

Dựa trên nguyên lí van Der Pauw

Cấu tạo

9
 1. Nguồn nam châm điện

2. Nam châm điện

3. Mẫu bán dẫn

4. Nguồn nuôi và biến trở

5. Vôn kế và ampe kế

6. Dây nối

Hình 3: Hệ đo Hall được sử dụng trong bài thí nghiệm

Hình 3 trình bày hệ đo Hall thực nghiệm. Hệ đo gồm một nam châm điện (2)
được nuôi bằng nguồn (1). Từ trường cực đại đạt được là 0,6 T. Nguồn nuôi này cấp
dòng cao nhất là 8 A. Mẫu (3) có thể di chuyển theo phương nằm ngang (Chú ý:
Không dịch chuyển mẫu). Các tiếp điểm trên mẫu được nối ra ngoài qua các dây dẫn
(6) và nguồn hiệu điện thế (4) cấp hiệu điện thế tối đa 24V, và có thể điều chỉnh bằng
biến trở tích hợp trên nguồn. Các ampe kế và vôn kế (5) để xác định hiệu điện thế Hall.

1.3.2. Nhiệm vụ thực hành

Nhiệm vụ 1:
1. Tìm hiểu sơ đồ khối của hệ đo, các thông số kỹ thuật quan trọng.
2. Xác định hướng từ trường do nam châm điện tạo ra.
3. Mắc sơ đồ đo theo phương pháp van der Pauw (Hình 5).

Chú ý: Màu sắc của dây nối tương ứng với các tiếp điểm như sau:

+ A: Dây đen

+ B: Dây trắng

+ C: Dây vàng

+ D: Dây xanh

10
 Nguồn điện E (Hình 4) là một nguồn điện có thể thay đổi được điện áp bằng
núm xoay từ 1.2V đến 24.0V; Chốt mầu đỏ là cực dương và mầu đen là cực âm; vặn
núm xoay theo chiều kim đồng hồ là tăng điện áp.

Hình 4: Nguồn điện E

4. Thay đổi giá trị của điện áp, đo các giá trị tương ứng của 𝑉𝐷𝐶 và 𝐼𝐴𝐵 từ đó tính giá trị
của điện trở 𝑅𝐴𝐵,𝐶𝐷 bằng phương pháp fit hàm tuyến tính (Hình 5 trái).
5. Lắp lại mạch theo sơ đồ bên phải của Hình 5, đo các giá trị tương ứng của 𝑉𝐴𝐷 và 𝐼𝐵𝐶
từ đó tính giá trị của điện trở 𝑅𝐵𝐶,𝐷𝐴 bằng phương pháp fit hàm tuyến tính.
6. Tính điện trở suất của mẫu theo phương trình (18) biết độ dầy của mẫu d=0.32mm.

Hình 5: Sơ đồ mạch đo điện trở suât mắc theo phương pháp van Der Pauw. Mạch bên trái đo
RAB,CD; bên phải đo RBC,DA

Nhiệm vụ 2:

Trong phần này sinh viên, học viên có thể sử dụng sơ đồ bên trái hoặc bên phải
Hình 6 để làm các ý sau đây:

11
 Hình 6: Sơ đồ mạch đo hệ số Hall

Thay đổi các nút (chỉnh thô và chỉnh tinh) để thay đổi dòng điện chạy qua nam
châm điện, từ đó thay đổi giá trị của từ trường đặt vào mẫu. Giá trị tương ứng giữa hai
đại lượng này được cho trong bảng dưới đây: (chú ý không đặt dòng qua nam châm
điện quá 6 A)

I (A) 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5

B (T) 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 6.0

Chọn một giá trị cố định của dòng qua ampe kế (chú ý: không phải dòng qua nam
châm điện). Thay đổi từ trường trong khoảng cho phép. Đo sự thay đổi của hiệu điện
thế qua vôn kế theo từ trường. Tuyến tính hóa công thức (20) để tính hệ số Hall từ đồ
thị. Từ đó dự đoán loại bán dẫn được sử dụng là n hay p. Tính nồng độ của hạt tải, độ
linh động và thời gian hồi phục của chúng.

12
 Bài 2. KHẢỘ SÁT ĐỬỜNG ĐẶC TRỬNG VÔN-AMPE
CỦA DIODE BÁN DẪN

2.1. MỤC ĐÍCH

 Cung cấp kiến thức về cơ chế hoạt động lớp tiếp xúc p-n của diode bán dẫn và
một số loại diode bán dẫn cơ bản.
 Tìm hiểu đường đặc trưng Vôn-Ampe của diode bán dẫn ở các nhiệt độ khác
nhau.

2.2. CƠ SỞ LÍ THUYẾT

2.2.1. Lớp chuyển tiếp p-n

a. Điện trường ngoài bằng không
Sự hình thành lớp chuyển tiếp p-n trong trường hợp điện trường ngoài bằng
không được trình bày trên Hình 1

Hình 1: Lớp tiếp xúc p-n trong trường hợp không có điện trường ngoài.

𝑛𝑛 : nồng độ điện tử của mẫu n 𝑝𝑛 : nồng độ điện tử của mẫu p

𝑛𝑝 : nồng độ lỗ trống của mẫu n 𝑝𝑝 : nồng độ lỗ trống của mẫu p

13
 Khi cho hai chất bán dẫn loại p và n tiếp xúc với nhau, do có sự chênh lệch nồng
độ hạt tải mà có sự khuếch tán qua lại sang nhau của các điện tử và lỗ trống giữa hai
chất bán dẫn. Cụ thể, do 𝑛𝑛 > 𝑛𝑝 nên các electron từ n khuếch tán sang p và 𝑝𝑝 > 𝑛𝑝
và các lỗ trống khuếch tán từ p sang n. Do đó, có sự xuất hiện của một vùng ở hai bên
lớp chuyển tiếp trong đó chỉ có những ion âm của những nguyên tử nhận trong vùng p
và những ion dương của nguyên tử cho trong vùng n. Các ion dương và âm này tạo ra
một điện trường 𝐸𝑖 chống lại sự khuếch tán của các hạt điện, nghĩa là điện trường 𝐸𝑖 sẽ
tạo ra một dòng điện ngược chiều với dòng điện khuếch tán sao cho dòng điện trung
bình tổng hợp triệt tiêu. Lúc đó, ta có trạng thái cân bằng động: vùng điện tích không
gian không mở rộng thêm nữa. Tương ứng với điện trường 𝐸𝑖 , ta có một điện thế 𝑉𝑜 ở
hai bên mặt lớp chuyển tiếp, 𝑉𝑜 được gọi là rào điện thế.

Thông thường giá trị của rào thế: 𝑉𝑜 ≈ 0.7 𝑉 đối với lớp tiếp xúc p-n của Si và
𝑉𝑜 ≈ 0.3 𝑉 đối với lớp tiếp xúc p-n của bán dẫn nền Ge. Với các bán dẫn hai thành
phần từ Gallium như GaAs, GaP, GaAsP, rào thế 𝑉𝑜 thay đổi từ 1,2 V đến 1,8 V.

b. Điện trường ngoài khác không

Trường hợp 1: Phân cực ngược

Hình 2: Sơ đồ đặt điện trường ngoài để phân cực ngược cho lớp tiếp xúc p-n

14
 Điện áp ngoài được đưa vào sao cho cực âm của nguồn nối với phía bán dẫn p,
cực dương nối với phía bán dẫn n (Hình 2). Khi đó điện trường ngoài cùng chiều điện
trường trong của lớp chuyển tiếp, làm tăng hiệu điện thế của lớp chuyển tiếp, cản trở
chuyển động của các hạt mang điện cơ bản và tăng cường chuyển động của hạt mang
điện thiểu số. Tuy nhiên, dưới tác dụng của nhiệt, một số ít điện tử và lỗ trống được
sinh ra trong vùng hiếm tạo ra một dòng điện có chiều từ vùng n sang vùng p. Vì điện
tử và lỗ trống sinh ra ít nên dòng điện ngược rất nhỏ, thường chừng vài chục 𝜇𝐴 hay
nhỏ hơn. Để ý là dòng điện ngược này là một hàm số của nhiệt độ. Dòng toàn phần qua
lớp chuyển tiếp p-n được xác định:

𝐼𝑛𝑔 = 𝐼𝑜 (𝑒 −𝑉/𝑘𝑇 − 1) (1)

𝐼𝑜 : dòng bão hòa, 𝑉: điện thế ngoài đặt vào. Ở nhiệt độ phòng khi hiệu điện thế
ngoài khoảng vài phần mười vôn thì 𝑉 đã lớn hơn kT rất nhiều nên có thể coi 𝐼𝑛𝑔 ≈ 𝐼𝑜 .
Trong trường hợp này 𝑉 được gọi là thế phân cực ngược và 𝐼𝑛𝑔 được gọi là dòng
ngược.

Trường hợp 2: Phân cực thuận.

Hình 3: Sơ đồ đặt điện trường ngoài để phân cực thuận cho lớp tiếp xúc p-n

Điện thế ngoài được mắc sao cho cực âm nối với phía bán dẫn n, cực dương với
bán dẫn p (Hình 3). Điện trường do nguồn điện ngoài gây ra ngược chiều với điện

15
trường trong, làm giảm hiệu điện thế của lớp chuyển tiếp. Do đó, chuyển động của các
hạt mang điện đa số được tăng cường và chuyển động của các hạt mạng điện thiểu số
bị ngăn cản.

Dòng toàn phần qua lớp chuyển tiếp được xác định:
eV
I th  I 0 (e KT  1) (2)

Từ (1) và (2) ta có thể viết một cách tổng quát

I = Io (eV/kT -1) (3)

Trong trường hợp phân cực thuận, 𝑉 > 0 và trong trường hợp phân cực ngược
𝑉 < 0. Do mật độ hạt tải không cơ bản rất nhỏ so với hạt tải cơ bản nên 𝐼𝑛𝑔 < 𝐼𝑡ℎ , và
trong một số trường hợp có thể coi 𝐼𝑛𝑔 ≈ 0. Đó chính là đặc tính chỉnh lưu của lớp
chuyển tiếp p-n.
2.2.2. Đặc trưng Von - Ampe của diode
Đường đặc trưng von-ampe của diode bán dẫn là một đường cong biểu thị mối
quan hệ giữa cường độ dòng điện và hiệu điện thế đặt vào diode. Diode hoạt động dựa
vào lớp chuyển tiếp p-n nên khi đặt một điện áp ngoài U vào hai đầu của diode thì
dòng điện qua diode là:
𝑞.𝑈
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑘𝑇 − 1) (1)
Trong đó:
 ID là dòng điện qua điôt.
 IS là dòng nhiệt điện nó phụ thuộc rất lớn vào nhiệt độ.
 n là hệ số phẩm chất của điốt
 U là hđt đặt vào điốt theo chiều thuận.
 q là điện tích electron
Dòng nhiệt điện là dòng điện gây ra bởi chuyển động nhiệt của electron ở lớp
tiếp xúc PN. Nó tuân theo phương trình:

16
 𝐸𝑔
𝐼𝑆 = 𝐴𝑇 2 𝑒 𝐾𝑇
A là một hằng số nó phụ thuộc vào mặt tiếp xúc và tính chất của vật liệu cấu tạo
lớp tiếp xúc.
Eg là độ rộng năng lượng vùng cấm của lớp tiếp xúc PN.
T là nhiệt độ lớp tiếp xúc PN.
Hình 4 là đường đặc trưng I - V của diode bán dẫn.

Hình 4: Đường đặc trưng I-V của diode bán dẫn

2.2.3. Các loại diode chính và ứng dụng.

* Diode mặt và diode điểm

- Trong diode mặt lớp chuyển tiếp p-n có một diện tích tương đối lớn, do đó
chúng hoạt động với dòng điện lớn thường được dùng để chỉnh lưu dòng điện.

- Đối với diode điểm lớp chuyển tiếp p-n có một diện tích rất bé mà ta có thể
xem như một điểm. Hoạt động của diode điểm là do hiện tượng tiếp xúc giữa kim loại

17
và bán dẫn. Chúng chỉ hoạt động được với dòng điện bé, thường được dùng để tách
sóng

* Diode ổn áp: là diode dùng để ổn định điện áp dựa vào nguyên lý đánh thủng
đối xứng của diot.

2.3. THỰC HÀNH

2.3.1. Thiết bị và sơ đồ thực nghiệm

Thiết bị của thí nghiệm được chỉ ra trên Hình 5.

Hình 5: Các thiết bị chính của bộ thí nghiệm: Nguồn một chiều ổn định, bộ chiết áp, Ampe
kế,, Vôn kế, Diode, dây nối , Bể ổn nhiệt

Để thay đổi nhiệt độ của bể ổn nhiệt, ta thực hiện theo các bước sau:

18
 Hình 6: Mặt điều khiển bể nhiệt

1. Bật nguồn, đèn nguồn sẽ sáng.

2. Bấm nút có biểu tượng để chọn chức năng đặt nhiệt độ. Khi đó đèn
trên biểu tượng: sẽ phát sang mầu xanh

3. Bấm nút có biểu tượng hoặc để tăng hoặc giảm nhiệt độ cần đặt.

4. Bấm lại nút có biểu tượng một lần nữa để khởi động thiết bị. Lúc này,
đèn cạnh biểu tượng: sẽ sáng mầu xanh. Chờ đến khi nào nhiệt độ
đạt giá trị mong muốn rồi tiến hành đo.
2.3.2. Nhiệm vụ thực hành
Mắc sơ đồ mạch điện để khảo sát dòng thuận của diode được thể hiện trên Hình
7. Tìm hiểu, xác định các thông số của nguồn, dụng cụ đo điện, kiểm tra lượng nước
trong bể nhiệt. Đặc biệt chú ý cách nối cặp nhiệt tới đồng hồ đo, thang đo của ampe kế
với mỗi mạch đo, chú ý các giới hạn an toàn…

a. Xác định hệ số phẩm chất của điốt (n)

Muốn xác định được n em cần cố định nhiệt độ của bình điều nhiệt và điôt bằng cách
đổ nước ở nhiệt độ phòng vào bình điều nhiệt và nhúng điôt ngập trong nước.
Xử dụng hai đồng hồ để khảo sát đặc tuyến V-A của điốt. Để dễ điều chỉnh em
nên dùng nguồn ổn dòng.

19
 A

Hình 7: Sơ đồ mạch điện khảo sát dòng thuận của diode

Để ảnh hưởng của các hiệu ứng nhiệt bên trong điốt có thể bỏ qua và coi nhiệt độ
của lớp tiếp xúc bằng nhiệt độ bình điều nhiệt nên làm thí nghiệm với dòng điện nhỏ từ
400uA đến 1500uA.

 Lập bảng giá trị của đặc tuyến V_A mà em thu được?
 Lập biểu thức tuyến tính hóa để tìm giá trị của n
 Vẽ đặc tuyến theo biểu thức em đã lập?
 Tính giá trị của n và sai số mắc phải? Cho rằng sai số của bình điều nhiệt
là 10C và sai số của đồng hồ đo điện (V-A) là 2 lần độ chia nhỏ nhất của
thang đo đó.

b. Xác định đặc tuyến I-V theo nhiệt độ

Lặp lại thí nghiệm ở 3 nhiệt độ khác nhau, chú ý nên làm từ nhiệt độ thấp lên
nhiệt độ cao. Từ đường đặc trưng I-V, sử dụng phần mềm Origin để xác định Is ở các
nhiệt độ khác nhau từ đó vẽ đường cong sự phụ thuộc của Is vào nhiệt độ.

c. Xác định bề rộng vùng cấm (Eg) của diode

Điều chỉnh nguồn điện để thu được dòng điện qua điốt cỡ khoảng 1mA.
Đọc và ghi lại số chỉ của vôn kế.
Thực hiện việc gia nhiệt cho bình điều nhiệt mỗi lần 50C và để ổn định
nhiệt độ 3 phút thì ghi lại dòng điện qua qua điôt và giá trị nhiệt độ tương ứng.

 Lập bảng giá trị sự thay của dòng điện qua điot và giá trị nhiệt độ
 Lập biểu thức tuyến tính của sự phụ thuộc dòng điện vào nhiệt độ.
 Vẽ đường đặc tuyến đó.
 Tính giá trị Eg mà không cần tính sai số.

20
2.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG

1. Định nghĩa bán dẫn tinh khiết, bán dẫn loại p, loại n.

2. Giải thích sự hình thành điện trường tiếp xúc.

3. Xây dựng và giải thích công thức, đường đặc trưng I -V của lớp chuyển tiếp p-n.

4. Giải thích sự khác nhau trong hai sơ đồ đo đặc trưng I – V.

5. Giải thích ảnh hưởng của nhiệt độ đến tính chất dẫn điện của bán dẫn.

6. Các cơ chế đánh thủng lớp chuyển tiếp p-n.

21
 Bài 3. ĐỬỜNG CONG TỪ TRỄ CỦA SẮT TỪ

3.1. MỤC ĐÍCH

Nội dung bài thí nghiệm tìm hiểu về:

 Cảm ứng từ
 Từ dư
 Lực kháng từ
3.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

3.2.1. Vật liệu sắt từ

Vật liệu sắt từ là các vật liệu trong đó có các mô men từ sắp xếp song song với
nhau (hình 1). Vì vậy trạng thái sắt từ cũng là trạng thái từ hoá tự phát. Theo lý thuyết
Weiss thì ngay cả khi không có từ trường ngoài trong vật liệu sắt từ đã có sự từ hoá tự
phát đến bão hoà. Nguyên nhân của sự từ hoá tự phát đó là do các mô men từ tương tác
với nhau rất mạnh mẽ. Tương tác này tương đương với tác dụng của từ trường ngoài
lớn cỡ 107 Oe làm cho các mô men từ có xu hướng sắp xếp song song với nhau ngay
cả khi có tác dụng của khích thích nhiệt tại nhiệt độ phòng.

Hình 1: Phân bố mô men từ trong vật liệu sắt từ (trái); Hình ảnh cấu trúc domain chụp bởi
kính hiển vi lực từ (phải)

Để giải thích sự khử từ của vật liệu sắt từ ở từ trường bằng không, Weiss cho rằng
sự từ hoá tự phát đến bão hoà trong loại vật liệu này chỉ xảy ra trong từng domain (mỗi

22
domain la một vùng từ hoá vĩ mô) còn giữa các domain với nhau thì các mô men từ lại
sắp xếp một cách hỗn loạn làm cho từ độ tổng cộng của vật bằng không khi không có
từ trường ngoài. Hình 1 là hình ảnh cấu trúc domain của vật liệu sắt từ chụp với kính
hiển vi lực từ, các vùng có màu sắc khác nhau có định hướng momen từ khác nhau.

Với các vật liệu sắt từ tồn tại nhiệt độ tại đó xảy ra sự chuyển pha sắt từ - thuận từ
nhiệt độ này gọi là nhiệt độ Curie sắt từ (Tc). Dưới nhiệt độ Tc tương tác giữa các mô
men từ thắng được kích thích nhiệt do đó vật liệu thể hiện tính sắt từ. Trên nhiệt độ Tc
năng lượng kích thích nhiệt đủ lớn để phá vỡ trạng thái liên kết sắt từ giữa các mômen
từ làm cho phân bố các mô men từ trở lên hỗn loạn và vật liệu thể hiện tính chất thuận
từ. Sự chuyển pha này được trình bày trên Hình 2a.

Đường cong từ hoá với hiệu ứng từ trễ là một đặc trưng của các vật liệu sắt từ.
Trên Hình 2b đường ABC là quá trình từ hoá vật liệu bắt đầu từ trạng thái khử từ được
gọi là đường cong từ hoá cơ bản. Trong quà trình này từ độ tăng khi từ trường tăng và
tiến đến giá trị bão hoà Is. Xuất phát từ điểm C nếu giảm cường độ từ trường ngoài về
không và tăng theo chiều ngược lại cho đến cho đến điểm F có giá trị bằng giá trị ở
điểm C (về độ lớn) rồi lại giảm về không và tăng đến điểm xuất phát thì ta nhận được 1
đường cong khép kín CDEFGC gọi là đường cong từ trễ. Tại điểm D từ trường bằng
không nhưng từ độ khác không và có giá trị bằng Ir gọi là từ độ dư (hay từ dư). Điểm E
ứng với từ độ bằng không và từ trường tại đó có độ lớn là Hc, giá trị này được gọi là
lực kháng từ.

(a) (b)

Hình 2: Từ độ bão hòa và nghịch đảo độ cảm từ của vật sắt từ phụ thuộc vào nhiệt độ (a);
Đường cong từ hóa cơ bản và từ trễ (b).

23
 Ngày nay rất nhiều loại vật liệu có tính sắt từ đã được tìm ra và ứng dụng rộng rãi
trong kỹ thuật và đời sống như: các kim loại (các kim loại chuyển tiếp và kim loại đất
hiếm), các hợp kim (hợp kim Fe-Si, Fe-Ni hay còn gọi là hợp kim permalloy, v.v.), các
oxít. Vật liệu sắt từ với từ tính mạnh và khả năng ứng dụng lớn là đối tượng nghiên cứu
được quan tâm hàng đầu trong lĩnh vực từ học.

3.2.2. Các thông số từ được xác định từ đường cong từ trễ

Đường cong từ trễ của vật liệu cho ta biết các thông số cơ bản về mẫu như: Từ độ
bão hòa của mẫu, từ dư, lực kháng từ, tích năng lượng cực đại. Phép đo đường cong từ
trễ được thực hiện bằng cách thay thay đổi từ trường ngoài đặt vào mẫu và thu tín hiệu
từ độ của mẫu. Phép đo này có thể thực hiện ở nhiệt độ phòng hoặc thực hiện tại một
nhiệt độ bất kì trong khoảng cho phép của mẫu.

Một ví dụ về đường cong từ trễ được cho trong Hình 3.

Hình 3: Đường cong từ trễ của mẫu Fe60Pd40 tại nhiệt độ phòng

Từ độ bão hòa

Là giá trị từ độ đạt được khi được từ hóa đến từ trường đủ lớn (vượt qua giá trị
trường dị hướng) sao cho vật ở trạng thái bão hòa từ, có nghĩa là các mômen từ hoàn
toàn song song với nhau. Khi đó đường cong từ trễ Từ độ-Từ trường, M(H) có dạng
nằm ngang. Từ độ bão hòa là tham số đặc trưng của vật liệu sắt từ. Nếu ở không độ

24
tuyệt đối (0 K) thì nó là giá trị từ độ tự phát của chất sắt từ. Từ độ bão hòa thường được
ký hiệu là Ms hoặc Is (chữ "s" có nghĩa là saturation - bão hòa).

Từ dư

Là giá trị từ độ còn giữ được khi ngắt từ trường (H = 0), thường được ký hiệu là
Mr hoặc Ir (chữ "r" có nghĩa là remanent - dư). Từ dư không phải là thông số mang tính
chất nội tại của vật liệu mà chỉ là thông số dẫn xuất, phụ thuộc vào các cơ chế từ trễ,
các phương từ hoá, hình dạng vật từ...

Tỉ số giữa từ dư và từ độ bão hòa Mr/Ms được gọi là từ độ rút gọn hoặc hệ số chữ
nhật của đường cong từ trễ (giá trị Mr/Ms càng gần 1 thì đường cong từ trễ càng tiến tới
dạng hình chữ nhật).

Lực kháng từ

Là giá trị từ trường ngược cần đặt vào để triệt tiêu độ từ hóa (M = 0). Lực kháng
từ thường được ký hiệu là Hc (Coercivity), đôi khi được gọi là trường đảo từ (nhưng
không hoàn toàn chính xác). Lực kháng từ cũng không phải là tham số nội tại của vật
liệu mà là tham số ngoại giống như từ dư.

Tổn hao năng lượng trễ

Là diện tích đường cong từ trễ, là năng lượng tiêu tốn cần thiết cho một chu trình
từ trễ, có đơn vị của mật độ năng lượng.

Tích năng lượng từ cực đại

Là năng lượng từ lớn nhất có thể tồn trữ trong một đơn vị thể tích vật từ, liên
quan đến khả năng sản sinh từ trường của vật từ, thường là tham số kỹ thuật của
các nam châm vĩnh cửu và vật liệu từ cứng. Tích năng lượng từ cực đại được xác định
trên đường cong khử từ B(H) trong góc 1/4 thứ 2, là điểm có giá trị tích B.H lớn nhất.
Tích năng lượng từ là tham số dẫn suất, phụ thuộc vào các tính chất từ nội tại của vật
liệu và hình dạng của vật liệu, thường mang ý nghĩa ứng dụng trong các nam châm
vĩnh cửu và vật liệu từ cứng.

25
 Tỉ số tích năng lượng từ cực đại chia cho tích lực kháng từ và từ dư được gọi là
hệ số lồi của đường cong từ trễ, hay hệ số lồi của vật từ.

3.3. THỰC HÀNH

3.3.1. Thiết bị thí nghiệm

Thiết bị của bài thí nghiệm bao gồm (Hình 5):
1. Cuộn dây, 600 vòng
2. Lõi sắt, hình chữ U, đặc
3. Lõi sắt, hình thanh, đặc
4. Chuyển mạch để đổi chiều dòng điện
5. Biến trở 10 Ω; 5,7 A
6. Đầu dò Hall, thanh kẹp, cáp bảo vệ
7. Cáp kết nối, đầu cắm 4 mm, 32 A, màu đỏ, l = 75 cm
8. Cáp kết nối, đầu cắm 4 mm, 32 A, màu xanh, l = 75 cm
9. Cobra3 cơ bản-Unit, USB
10. Nguồn cung cấp 12V/2A
11. Cobra3 đo mô-đun Tesla
12. Phần mềm Cobra3 Force / Tesla
13. PC, Windows ® XP hoặc cao hơn
3.3.2. Nhiệm vụ thực hành
Thực nghiệm: Ghi lại các đường cong từ trễ cho một lõi sắt đặc
Nguyên tắc:
Một từ trường được tạo ra trong một lõi sắt hình vòng bởi một dòng điện liên tục
đổi hướng đặt trên hai cuộn dây. Cường độ từ trường H và mật độ thông lượng B được
đo và ghi lại bằng phần mềm tạo thành đường cong từ trễ (Hình 4). Từ dư và lực kháng
từ của lõi sắt được tính từ đồ thị.

26
 Hình 4: Đường cong từ trễ được ghi lại trên chương trình đo

Các bước tiến hành:

Hình 5: Sơ đồ lắp đặt bộ thí nghiệm đường cong từ trễ

Bước 1: Lắp ráp bộ thí nghiệm theo Hình 5 (đã mắc sẵn).
Bước 2: Kết nối transformator (biến thế) tới một ổ cắm điện đặt càng xa bộ thí nghiệm
càng tốt và ổ cắm có thể sử dụng pha điện khác. Ngoài ra, các cuộn dây đặt xa vị trí
máy tính và các thiết bị Cobra để tránh những sai sót trong quá trình chuyển dữ liệu do
sự can thiệp của các từ trường mạnh. Đặt các mô-đun Force / Tesla trên cổng mô-đun

27
của BASIC-UNIT và kết nối điện thế U được đo thông qua điện trở tới đầu vào tương
tự BASIC-UNIT.
Bước 3: Kết nối cáp của đầu dò Hall với mô-đun Force / Tesla và gắn đầu dò Hall dưới
lõi sắt ngắn theo cách như vậy cảm biến được đặt nằm tiếp giáp trực tiếp với lỗ khoan
cho vị trí được định vị. Từ trường của các cuộn dây cần được đảo ngược bằng chuyển
mạch, chuyển đổi để điện thế chỉ ở 0 V. Nếu không một điện thế kí sinh được tạo ra mà
có thể ảnh hưởng đến truyền dữ liệu. Mật độ thông lượng Bo đo bởi đầu dò Hall và
dòng I đi qua cuộn dây được ghi.

Bước 4: Mở máy tính, vào biểu tượng measure, Chọn File  New measurement 
OK. Thiết lập các thông số đo trong phần mềm theo Hình 6a, “Option” vào Hình 6b.

Hình 6: Thông số đo cần thiết lập trong phần mềm để đo đường cong từ trễ

Lựa chọn biểu tượng "Continue" để vào hình theo dõi quá trình đo. Ở đây, giá trị thực
tế của mật độ thông lượng và dòng điện được hiển thị (Hình 7). Lưu ý: biến thế được
đặt tối đa 10 V.

28
 Hình 7: Giá trị của mật độ thông lượng và dòng điện được hiển thị trên chương trình đo

Để đo được đường cong từ hoá ban đầu, cần khử từ dư trong lõi thép. Các bước tiến
hành như sau:
Chú ý: Chỉ được phép đảo công tắc chuyển mạch để tạo ra một từ trường ngược lại khi
trong mạch không có dòng (vặn núm quay cho điện thế về 0).
a. Nhớ vị trí công tắc chuyển mạch:
Vị trí 1 là dòng dương (+) (đặt công tắc chuyển mạnh ở vị trí 1, bên trái)
Vị trí 2 là dòng âm (-) (bên phải)
b. Xoay núm vặn điện thế, theo dõi màn hình nếu I và B cùng tăng làm tiếp bước
sau.
c. Đảo công tắc sang vị trí 2 để tạo ra từ trường ngược khử từ trường dư B. Xoay
núm vặn điện thế từ từ để từ trường ngược đạt tới giá trị - 0,05 B xấp xỉ lực kháng từ,
sau đó xoay núm điện thế về 0. Nếu B vẫn chưa đạt giá trị 0 thì phải lặp lại thao tác đặt
từ trường ngược - 0,05 B một số lần cho đến khi giá trị đó xấp xỉ bằng 0.
Đảo công tắc về vị trị dương (1) để bắt đầu quá trình từ hóa lõi sắt.
Bước 5: Đặt dòng điện giới hạn trên bộ nguồn về 5 A và nhấn vào biểu tượng "Start
measurement" để bắt đầu quá trình đo. Thay đổi điện thế từ giá trị 0 đến cực đại để đạt
tới từ trường bão hòa (B khoảng 0,5 T và I khoảng 1,2 A). Sau đó, giảm điện thế từ từ
cho đến khi I=0 A; độ từ dư khoảng 0,1 T. Quá trình đo ghi lại mọi giá trị trên nút
nhấn, tức là nhấn "enter" hoặc "space" sau mỗi thay đổi của điện thế (hoặc nhớ tự
động). Khi I=0 A sử dụng công tắc chuyển mạch đảo ngược cực của điện thế. Tiếp tục,
tăng điện thế để từ trường tới bão hòa theo chiều ngược (B khoảng - 0,5 T và I khoảng

29
-1,2 A) và sau đó giảm điện thế từ từ. Khi I giảm tới 0 A, một lần nữa đảo ngược phân
cực của dòng điện với công tắc chuyển mạch và tăng điện thế để I tăng theo chiều
dương cho đến khi nhận được đường B phụ thuộc I khép kín (B khoảng 0,5 T và I
khoảng 1,2 A).
Bước 6: Để dừng đo, nhấn nút "stop measurement". Xoay núm điện thế về 0 V. Tắt
nguồn điện cung cấp cho biến thế. Các giá trị đo được ghi lại và trình bày dạng đồ thị
mật độ thông lượng là hàm số của dòng điện.
Chú ý
Độ phân giải tốt của đường từ trễ nhận được với dòng điện tăng ở khoảng 20 mA.
Mật độ thông lượng không được vượt quá 1000 mT vì giới hạn của cảm biến.
Trong quá trình đo, các giá trị điện thế được tăng từ từ để số liệu được ghi theo thứ tự
tăng theo giá trị trục x, để nhận được đường từ trễ.
Bước 7: Chuyển đổi sang đồ thị đường từ trễ và xác định Hc, Mr Để có được một minh
họa đồ thị rõ ràng, vào “measurement” thay đổi “display options" theo Hình 8 vào
“symbol” chọn kí hiệu đánh dấu điểm đo. Ghi lại vào File số liệu của đồ thị B(I).

Hình 8: Cách thiết lập “Display options” để chú thích đồ thị

Bước 8: Sau đó dùng chương trình Origin để chuyển đổi từ đồ thị B(I) sang đường
cong từ trễ: đồ thị B(H). Chuyển đổi theo công thức H = I · n / L (n/L = 2586 trong
đơn vị 1/m). Trục tung đổi sang đơn vị mT để xác định lực kháng từ và độ từ dư của
lõi sắt từ đường cong từ trễ.

30
Các lưu ý trong quá trình thí nghiệm:

a. Chỉ có một đầu dò Hall duy nhất cho nên phải bảo quản cẩn thận, tránh va đập
làm gẫy.
b. Vị trí đầu dò Hall hết sức quan trọng nó làm các thông số thay đổi rất nhiều.
c. Dòng đạt bão hòa khoảng 1,2 A, mật độ từ thông bão hòa với lõi sắt đặc khoảng
0,5 T.
Các giá trị khác được tính cho bộ thí nghiệm này là:
Lõi sắt: Đặc Lá thép
Lực kháng từ: 436 A / m 80 A / m
Độ từ dư: 143 mT 41 mT

Hình 9: Đường cong từ trễ của vật liệu từ cứng (trái) và vật liệu từ mềm (phải) được đo bằng
chương trình Cobra3.

Từ kết quả đo của chương trình Cobra3, các giá trị điện áp và dòng điện được chuyển
đổi bằng công thức sau: I = U/10 Ω
Cường độ từ trường được tính theo công thức: H = I · n/L, trong đó:

 H = cường độ từ trường
 n = số vòng trong cuộn dây (600 vòng)
 L = Chiều dài trung bình trong lõi (lõi đặc: L = 232 mm, Lá thép: L = 244 mm)
Hệ số n/L thay đổi do 2 lõi sắt có kích thước khác nhau tính như sau:

 Lõi sắt đặc: n/L = 2586 m-1

 L thép: n/L = 2459 m-1

31
3.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG

1. Vẽ sơ đồ mạch và tìm hiểu nguyên lí đo đường cong từ trễ

2. Sự phân loại các vật liệu từ, các đặc tính của vật liệu sắt từ. Thuyết miền từ
hoá tự nhiên trong việc giải thích các đặc tính của vật liệu sắt từ.
3. Giải thích sự hình thành đường từ trễ, nguyên nhân gây ra hiện tượng trễ từ.
4. Phân loại vật liệu từ trên cơ sở đường từ trễ.

32
 Bài 4. XÁC ĐỊNH NHIỆT ĐỘ CURIE CỦA FERIT TỪ

4.1. MỤC ĐÍCH

 Tìm hiểu về sự chuyển pha sắt từ thuận từ, khái niệm nhiệt độ Curie.
 Xác định nhiệt độ Curie của một mẫu Ferit từ.
4.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

4.2.1. Vật liệu sắt từ và nhiệt độ Curie

Các vật liệu sắt từ (Fe, Ni, Co,...) nếu được đặt vào từ trường H sẽ bị từ hoá
(nhiễm từ tính) rất mạnh. Nguyên nhân là do bên trong khối sắt từ khi đó xuất hiện một
từ trường phụ B’ cùng hướng và rất lớn so với H. Vì vậy, từ trường tổng hợp trong
khối sắt từ có giá trị bằng:

B = oH + B’ = oH

Hệ số  gọi là độ từ thẩm của sắt từ. Trị số của  phụ thuộc phức tạp vào độ lớn
của H và có thể đạt tới khoảng 104, nghĩa là từ trường tổng hợp trong khối sắt từ có thể
lớn gấp hàng vạn lần so với từ trường ngoài. Do đặc tính này, các vật liệu sắt từ được
dùng rộng rãi trong kỹ thuật điện để làm lõi từ của biến thế điện, động cơ điện, nam
châm điện, rơ le điện từ...Các chất sắt từ, bên cạnh khả năng được từ hoá mạnh còn có
hàng loạt tính chất cơ bản khác với các tính chất của thuận từ và nghịch từ, như sự phụ
thuộc không tuyến tính vào H của cảm ứng từ B, hiện tượng từ trễ, hiện tượng từ giảo.
Tuy nhiên, tính chất sắt từ chỉ xuất hiện trong một khoảng nhiệt độ xác định. Nếu khối
sắt từ bị nung nóng đến nhiệt độ T  TC thì tính chất sắt từ biến mất và nó trở thành
chất thuận từ. Nhiệt độ TC được gọi là nhiệt độ Curie, giá trị của nó phụ thuộc vào bản
chất của chất sắt từ. Bên cạnh đó, chất sắt từ ở nhiệt độ Curie còn có hàng loạt dị
thường về nhiệt dung, điện trở suất, từ giảo. Ở gần nhiệt độ Curie, hệ số từ hoá ban đầu
của chất sắt từ đạt đến cực đại. Các đặc tính của chất sắt từ có thể giải thích bằng
thuyết miền từ hoá tự nhiên.

33
4.2.2. Mạch từ và từ trở
Trong điện kỹ thuật ta thường phải sử dụng các mẫu sắt từ có dạng các khung kín
(như lõi sắt từ của nam châm điện, của biến thế điện…). Các khung sắt từ kín có hình
dạng khác nhau như vậy được gọi là các mạch từ kín. Đối với một mạch từ kín thì
đường sức từ chỉ chạy trong mạch từ và không thoát ra ngoài. Một mạch từ không được
tạo bởi một khung kín được gọi là mạch từ hở. Đối với mạch từ hở, một phần đường
sức từ sẽ nằm ở ngoài mạch từ.

Xét một mạch từ đơn giản (Hình 1) gồm hai đoạn: đoạn mạch trong khung sắt từ
có tiết diện ngang S, có độ từ thẩm  và đoạn mạch là khe hở nhỏ có cùng tiết diện và
có độ từ thẩm k.

Hình 1: Mạch từ không phân nhánh đơn giản

Đại lượng m = NI (N là số vòng dây điện cuốn trên khung; I là cường độ dòng
điện qua cuộn dây) được gọi là suất từ động.

Từ thông  là giá trị không thay đổi trong suốt chiều dài khung dây (tương tự
cường độ dòng điện trong mạch điện) liên hệ với suất từ động m theo biểu thức:

m

Rm

Đại lượng Rm được gọi là từ trở toàn phần của mạch, với mạch đang xét thì:

l lk
Rm  
 0 S 0k S

trong đó: l là chiều dài trung bình của khung; lk là khoảng cách khe hở.

34
 Đặt:

l lk
rm  rmk 
 0 S ; 0 k S

là từ trở của các đoạn mạch từ tương ứng. Ta nhận thấy từ trở tỉ lệ nghịch với độ
từ thẩm của vật liệu. Như vậy Rm = rm + rmk, tức là từ trở toàn phần của mạch từ không
phân nhánh bằng tổng các từ trở của các đoạn mạch từ hợp thành. Kết quả này cũng
đúng với mạch từ không phân nhánh gồm nhiều đoạn mạch từ hợp thành:

Rm = rm1 + rm2 + ... + rmn

4.3. THỰC HÀNH

4.3.1. Thiết bị thí nghiệm

Thí nghiệm bao gồm một khung sắt hình chữ U trên đó có đặt cuộn dây sơ cấp
(n1) và thứ cấp (n2). Một thanh ferit được gắn trên hai đầu của thanh chữ U. Trên thanh
ferit có đặt một lò và một cặt nhiệt điện để xác định nhiệt độ của thanh ferit (Hình 2).
Để thay đổi nhiệt độ của thanh ferit các em cần cung cấp một điện thế một chiều hoặc
xoay chiều cho lò nung. Để cấp điện thế xoay chiều cho cuộn dây sơ cấp ta sử dụng
một bộ nguồn E (Hình 3). Trên bộ nguồn E có 2 đầu ra; một là lối ra điên thế xoay
chiều đầu còn lại là lối ra điện thế 1 chiều. Để đo nhiệt độ của thanh ferit và điện thế
trên cuộn thứ cấp ta sử dụng bộ biến đổi số tương tự (ADC). Thiết bị này này được
ghép nối với máy tính để thu thập dữ liệu. Trên bộ ADC có 1 kênh. Một kênh để đo
nhiệt độ (có đánh dấu chữ “TEM”) kênh còn lại để đo điện áp xoay chiều trên cuộn thứ
cấp (đánh dấu chữ “AC”). Đầu dương và âm của kênh “TEM” được nối với cực tương
ứng của cặp nhiệt.

Nguyên tắc phép đo: Đặt vào cuộn sơ cấp một hiệu điện thế xoay chiều U1, do
hiện tượng cảm ứng điện từ trên cuộn thứ cấp xuất hiện một hiệu điện thế xoay chiều
U2. Nếu ta tăng nhiệt độ của thanh ferit F tới nhiệt độ Tc thì độ từ thẩm  của thanh
ferit giảm nhanh xuống giá trị   1. Khi đó từ trở của toàn mạch tăng nhanh, từ thông

35
(độ biến thiên từ thông) qua cuộn thứ cấp giảm, suất điện động U2 giảm nhanh xuống
giá trị U0. Nhiệt độ Tc chính là nhiệt độ Curie cần tìm.

Lò, ferit và cặp nhiệt

Cuộn thứ
Cuộn sơ cấp
cấp
Hình 2: Sơ đồ thiết bị đo nhiệt độ Curie

1) 01 Bộ nguồn Ệ có 2 đầu ra. Một là lối ra điện thế xoay chiều đầu còn lại là lối
ra điện thế 1 chiều.
2) 02 đồng hồ vạn năng cầm tay có thể đo được cường độ dòng điện, hiệu điện
thế và nhiệt độ.
3) Máy tính đã cài sẵn chương trình đo

Đặt < 10V

Đặt < 14V Đặt > 2A

Lối ra điện áp
AC nối với
Lối ra điện áp
cuộn sơ cấp
DC nối với lò

Hình 3: Bộ nguồn E

36
 Cổng “ẬC” nối với cuộn
Cổng “TỆM” nối với thứ cấp
cặp nhiệt

Hình 4: Mặt sau của bộ biến đối ADC

Bước đo

Chạy chương
trình

Dừng chương Ghi dữ liệu Thoát

trình chương trình

Hình 5: Giao diện của phần mềm

37
4.3.2. Nhiệm vụ thực hành
1. Dựa vào các thông tin đã được cung cấp và các dụng cụ thí nghiệm như đã mô tả bên
trên. Em hãy vẽ sơ đồ chi tiết của mạch điện, và mô tả nguyên lý đo để xác định nhiệt
độ Curie của thanh ferit trong bài.

2. Xác định công suất nhiệt của nguồn mà các em dùng để cung cấp cho lò nung. Các
em lưu ý rằng hai núm vặn ở bên trái dùng để điều chỉnh hiệu điện thế một chiều và
dòng điện một chiều được cấp cho mạch ngoài. Trong quá trình thay đổi điện áp và
dòng một chiều, khi thấy đèn đỏ sáng lên tức là cường độ dòng điện ở mạch ngoài quá
lớn lúc này nguồn sẽ ngừng cung cấp dòng điện cho mạch ngoài để đảm bảo an toàn.

3. Xác định hiệu điện thế xoay chiều ở đầu ra mà các em sử dụng trong phép đo. Các
em lưu ý không nên chỉnh giá trị này trong suốt quá trình đo. (Giá trị của thế xoay
chiều có thể xác định theo từng nấc nhưng hiệu điện thế xoay chiều ở đầu ra thường
không có sai khác tương đối với giá trị đặt trên chốt nên các em cần kiểm tra bằng
đồng hồ vạn năng).

4. Các thao tác đo khi sử dụng máy tính:

a. Khởi động máy tính. Khởi động phần mềm đo nhiệt độ curie bằng cách kích
chuột vào “CURIE TEMPERATURE”
b. Đặt chốt điện áp lối ra xoay chiều của nguồn (Xem hình 3) ở giá trị 10V. Dùng
các dây nối đưa hiệu điện thế đó vào cuộn sơ cấp n1 (chú ý: thường thì lối ra của
nguồn xoay chiều đã được đặt sẵn giá trị 10v).
c. Vặn núm điều chỉnh điện áp một chiều của nguồn (xem hình 3) về 0 và dùng
dây nối để đưa điện thế một chiều vào hai chốt nối với lò nung.
d. Nối cặp nhiệt đến với kênh “TEM” của bộ ACD
e. Nối hai chốt của cuộn n2 đến kênh “AC” của bộ ADC.

f. Bấm nút “chạy” (biểu tượng là: )

g. Tăng điện thế một chiều đến khoảng 13 V để cấp dòng cho lò, quan sát sự thay
đổi điện thế và nhiệt độ trên màn hình máy tính. Khi quá trình chuyển pha được

38
 thực hiện hoàn toàn, hãy giảm điện thế vào lò để nhiệt độ của lò giảm về nhệt độ
phòng.
h. Sau khi kết thúc phép đo, hãy lưu kết quả vào máy tính bằng cách bấm vào nút
“Ghi kết quả” (biểu tượng là: ) để lưu dữ liệu vào máy tính (nhớ chọn thư
mục và đặt tên file). Kết quả đo sẽ tự động lưu vào thư mục và file đã chọn dưới
dạng một tệp tin dữ liệu có hai cột. Cột thứ nhất là các giá trị của nhiệt độ, cột
thứ hai là các giá trị tương ứng của hiệu điện thế thứ cấp U2. Sau đó thoát khỏi
chương trình đo bằng cách bấm vào nút “EXIT”.
i. Vào chương trình vẽ đồ thị Orgin để vẽ lại đồ thị U2-T. Dựa vào đồ thị ta có thể
tìm Tc (cho cả đường đo đi và đo về). Ghi các chú thích cần thiết và in kết quả
ra giấy. Thoát khỏi chương trình Origin.
1. Thu dọn bài thực hành, tắt máy tính.

5. Hãy vẽ lại đồ thị sự phụ thuộc của hiệu điện thế thứ cấp theo nhiệt độ. Lí giải sự
khác biệt giữa kết quả thực nghiệm và lí thuyết.

6. Xác định nhiệt độ Curie của thanh ferit dựa vào số liệu các em đã đo được. Lí giải
cách làm của em.

7. Giả sử rằng độ từ thẩm của thanh ferit trong bài rất lớn (cỡ 104). Các em hãy ước
lượng tỉ lệ giữa từ trở của thanh ferit (khi ở trạng thái thuận từ) và phần còn lại của
mạch từ (rmk/rm).

8. Khi chênh lệch giữa nhiệt độ của vật và nhiệt độ phòng không quá lớn thì nhiệt độ
của một vật thường giảm theo quy luật sau:

dΔT/dt = -A. ΔT (định luật Newton)

Sử dụng bảng dữ liệu thứ hai, các em hay vẽ lại sự phụ thuộc của T theo thời gian. Qua
đó xác định hệ số A của thanh ferit trong trường hợp này.

4.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG

1. Phân loại các vật liệu từ, các đặc tính của vật liệu sắt từ. Thuyết miền từ hoá tự
nhiên trong việc giải thích các đặc tính của vật liệu sắt từ.

39
2. Mạch từ và từ trở.
3. Nguyên tắc xác định nhiệt độ Curie bằng phương pháp cảm ứng điện từ.
4. Các ghép nối bài thực hành với hệ đo. Nguyên tắc biến đổi tương tự - số và cách đo
nhiệt độ bằng máy tính. Nguyên tắc làm việc của máy tính với bài thực hành.
5. Cách xác định nhiệt độ Curie từ đồ thị sự phụ thuộc của suất điện động cảm ứng
theo nhiệt độ. Sử dụng chương trình Origin để xử lý kết quả thực nghiệm.

40
 Bài 5. KHẢO SÁT HỆ QUANG HỌC VÀ LẬP ĐỬỜNG
CONG CHUẨN CỦẬ MÁY ĐƠN SẮC

5.1. MỤC ĐÍCH

- Tìm hiểu cấu tạo, nguyên lý hoạt động của hệ quang học dùng máy đơn sắc.

- Lập đường cong chuẩn của máy đơn sắc.

5.2. CƠ SỞ LÍ THUYẾT

Sơ đồ hệ quang học của máy đơn sắc được sử dụng trong bài thực hành. (1) Nguồn sáng, (2)
Hệ kính tụ quang, (3) Khe vào, (4) Bộ lăng kính, (5) Khe ra, (6) Mẫu, (7) Cảm biến ánh sáng.

Hệ quang học được sử dụng trong bài có cấu tạo theo sơ đồ hình vẽ trên. Bộ phận
chủ yếu của hệ là máy đơn sắc YM-2 có bộ lăng kính tán sắc (4). Ánh sáng trắng từ
nguồn sáng qua hệ thống kính tụ quang (2) và đi vào khe (4) của máy đơn sắc, đập vào
hệ lăng kính. Khi truyền qua lăng kính, ánh sáng có bước sóng khác nhau bị lệch theo
phương khác nhau. Khe ra (5) cho qua một chùm sáng có bước sóng nằm trong một
khoảng hẹp. Khi thay đổi góc tới của tia sáng tới lăng kính, bằng cách quay lăng kính,
ta có thể thay đổi độ dài bước sóng của chùm sáng đi ra khỏi khe (5). Bằng cách thu
nhỏ bề rộng của các khe, ta có thể thu hẹp bề rộng khoảng bước sóng của chùm sáng
qua khe ra, nghĩa là tăng độ đơn sắc của chùm sáng ra.

41
 Chùm sáng đi ra khỏi máy đơn sắc qua khe ra, đập vào mẫu. Một phần ánh sáng
bị mẫu hấp thụ. Phần còn lại đi tới cảm biến (7) gây lên tín hiệu điện. Tín hiệu có
cường độ càng lớn nếu cường độ chùm ánh sáng tới nó càng mạnh. Bằng cách quay
lăng kính ở những góc khác nhau, ta có thể xác định được sự phụ thuộc của cường độ
sáng đến cảm biến theo bước sóng ánh sáng. Đó là phổ cường độ ánh sáng truyền qua
mẫu.

Hệ quang học như trên có thể được dùng để nghiên cứu phổ ánh sáng truyền qua
của mẫu, cũng là để xác định phổ hấp thụ của mẫu. Có thể mở rộng tác dụng của hệ đo
này để nghiên cứu nhiều tính chất quang học khác của các vật liệu như phổ huỳnh
quang, phổ quang dẫn; hoặc dùng để xác định quang phổ của một nguồn sáng.

Bộ lăng kính của máy đơn sắc được gắn với một cơ cấu cho phép quay nó những
góc khác nhau. Góc quay của bộ lăng kính được chỉ thị trên thang chia độ của một cái
trống. Tuy vậy đọc số chỉ trên thang, ta chưa biết được độ dài sóng ánh sáng đi ra khỏi
máy đơn sắc. Vì vậy, trước khi sử dụng hệ đo, ta cần lập đường cong chuẩn cho máy
đơn sắc, tức là tìm mối quan hệ giữa số chỉ trên thang và bước sóng ánh sáng.

Để làm việc này, thay vào chỗ nguồn sáng 1, ta đặt một đèn quang phổ chuẩn.
Đó là một đèn phát sáng nhờ sự phóng điện trong một ống chứa một chất khí tinh
khiết. Mỗi chất khí, khi bị kích thích trong sự phóng điện, phát ra ánh sáng có quang
phổ vạch. Số vạch và bước sóng của từng vạch trong quang phổ là đặc trưng cho mỗi
chất khí. Trong bài thực hành này, ta dùng đèn hơi thuỷ ngân. Phổ phát xạ của thủy
ngân đã được xác định chính xác và công bố trong các bảng tra cứu dưới dạng phổ
mẫu (được cung cấp trên bàn thực hành). Nếu ghi được quang phổ của đèn thủy ngân
theo số chỉ trên thang của máy đơn sắc, thì ta có thể so sánh với phổ mẫu, và xác lập
được tương quan giữa bước sóng ánh sáng và số chỉ trên thang. Đồ thị của sự phụ
thuộc đó gọi là đường cong chuẩn của máy đơn sắc.

Cảm biến (7) (hay thường được gọi là detector) được dùng trong bài thực hành là
một quang điện trở CdS. Ánh sáng chiếu vào detector làm thay đổi điện trở R của nó.
Khi không có ánh sáng chiếu vào, điện trở R của quang điện trở khá lớn. Khi có ánh

42
sáng chiếu vào, điện trở R của nó sẽ giảm tuỳ theo cường độ và bước sóng ánh sáng
chiếu vào. Vì vậy, bằng cách đo điện trở của detector, ta thu được thông tin về cường
độ ánh sáng. Điện trở R của detector được đo bằng một đồng hồ đo điện trở.

5.3. THỰC HÀNH

 Quan sát hệ quang học. Tìm hiểu công dụng của từng bộ phận trong hệ và hoạt
động của nó. Bật máy vi tính.
 Điều chỉnh quang:
o Đặt đèn hơi thủy ngân vào vị trí nguồn sáng và bật cho đèn sáng.
o Điều chỉnh đèn và các thấu kính sao cho thu được ảnh rõ nét nhất của
đèn trên khe vào.
o Điều chỉnh khe vào và ra của máy tới giá trị khoảng 1 mm. Đặt một
mảnh giấy trắng ở phía khe ra. Quay trống sao cho ở lối ra trông thấy vệt
sáng trên giấy. Điều chỉnh thấu kính giữa khe ra và detector (thấu kính
này không thể hiện trên hình vẽ trong bài) sao cho tia sáng chiếu vào
detector. Thu hẹp hai khe lại đến bề rộng bằng nhau, trong khoảng 0,3 -
0,8 mm.
 Sự phụ thuộc của điện trở detector vào vị trí trống quay:
o Đưa trống quay (gắn với bộ lăng kính) về vị trí số 0.
o Dùng tay quay thật chậm trống quay theo chiều tăng số chỉ vị trí, đồng
thời quan sát số chỉ trên đồng hồ đo điện trở R của detector. Ghi lại các
giá trị điện trở R tương ứng với vị trí trống quay. Có thể nhập dữ liệu
trực tiếp vào máy tính, dùng phần mềm Origin hoặc Excel...
o Từ dữ liệu thu được, vẽ đồ thị sự phụ thuộc của R (hặc 1/R) theo vị trị
trống quay.
 Lập đường cong chuẩn:
o Từ đồ thị R (hặc 1/R) - vị trí trống quay và phổ mẫu của nguồn sáng, xác
định các vị trí trống quay tương ứng với các bước sóng của phổ mẫu.
Lập bảng dữ liệu bước sóng - vị trí trống quay.

43
 o Từ bảng dữ liệu, vẽ đồ thị các điểm sự phụ thuộc bước sóng - vị trí trống
quay. Từ sự phụ thuộc đó, dùng phương pháp fit hàm của phần mềm, tìm
hàm số sự phụ thuộc bước sóng - vị trí trống quay. Vẽ đồ thị hàm số tìm
được đó.

Nội dung báo cáo

1. Trình bày kết quả tìm hiểu thực tế về cấu tạo, nguyên lý hoạt động của hệ
quang học dùng máy đơn sắc trong bài thực hành.
2. Lập đường cong chuẩn của máy đơn sắc: Trình bày các bước tiến hành, các kết
quả thu được, các lưu ý khi làm thực hành.
3. Trả lời các câu hỏi trong phần 4.
5.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG

 Hiện tượng tán sắc ánh sáng qua lăng kính. Tác dụng của hệ lăng kính tán sắc
so với một lăng kính tán sắc.
 Nguyên tắc hoạt động của hệ đo quang học. Các bộ phận chủ yếu của hệ và vai
trò của chúng.
 Trong máy đơn sắc, có thể thay hệ lăng kính tán sắc bằng thiết bị nào.
 Có thể thực hiện những phép đo gì trên một hệ quang học để nghiên cứu tính
chất của vật liệu? Nguyên tắc của các phép đo đó là gì? Các phép đo đó cung
cấp những thông tin gì về vật liệu?
 Ý nghĩa và cách lập đường cong chuẩn của hệ đo quang học. Cách sử dụng một
phần mềm để vẽ đồ thị và xử lí kết quả thực nghiệm.
 Vai trò của đèn thủy ngân trong việc lập đường cong chuẩn? Nếu dùng một
nguồn sáng khác cho mục đích lập đường cong chuẩn của hệ quang này thì
nguồn sáng đó phải có đặc điểm gì?
 Ý nghĩa của việc thay đổi độ rộng của khe vào và khe ra? Nên chọn độ rộng của
khe vào và khe ra như thế nào cho hợp lý?

44
 Bài 6. Khảo sát transistor và tạo thiên áp cho
transistor

6.1. MỤC ĐÍCH

• Hiểu nguyên tắc làm việc của transistor lưỡng cực.

• Hiểu được cách mắc định thiên cho transistor trong mạch khuếch đại.
• Khảo sát được đường đặc trưng của transistor.

6.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

Transistor là linh kiện bán dẫn thường sử dụng nhằm mục đích khuếch đại tín
hiệu hoặc đóng vai trò như một chuyển mạch điện tử. Transistor thường cấu tạo bởi vật
liệu bán dẫn với ít nhất ba cực nối mạch ngoài. Lý thuyết chi tiết có thể được tìm hiểu
thêm trong tài liệu lý thuyết điện tử.
Qúa trình định thiên cho transistor là quá trình thiết lập dòng hoặc áp cho
transistor một cách hợp lý để nó có thể khuếch đại được tín hiệu vào.

6.3. THỰC HÀNH

6.3.1. Thiết bị và sơ đồ thực nghiệm

- Thiết bị cấp nguồn ATS 11 .
- npn type transistor – models 2N2222 or 2N3403 or c828 và điện trở (100k,
820Ω), ampere-meter, volt-meter.
Sơ đồ được mắc theo nguyên tắc sau:

45
6.3.2. Nhiệm vụ thực hành
Nhiệm vụ 1: Khảo sát đặc tuyến ra Ic theo UCE tại các giá trị IB cố định
- Biến trở tại H được điều chỉnh cẩn trọng để quan sát được các giá trị trên ampe
mét A1 qua giá trị IB(10µA, 20µA, 30µA).
- Gía trị UCE (0-5V) thu được bằng cách tinh chỉnh biến trở tại P.
- IC quan sát trên ampe mét A2.
- Các kết quả được lấy vào bảng sau trước khi xử lý:
Lưu ý: Trong quá trình lấy số liệu, cần chú ý luôn điều chỉnh và giữ để có
IB không đổi trong mỗi trường hợp
I U 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
.00 .04 .08 .12 .14 .16 .18 .20 .40 .60
B CE(v)

1 IC

0µA (mA)

I U
CE(v)
B

2 IC

0µA (mA)

I U
CE(v)
B

3 IC

0µA (mA)

46
 I U 0 1 1 2 3 4 5
.80 .00 .50 .50 .00 .00 .00
B CE(v)

1 IC

0µA (mA)

I U
CE(v)
B

2 IC

0µA (mA)

I U
CE(v)
B

3 IC

0µA (mA)

Nhiệm vụ 2: Khảo sát đặc tuyến vào

- Biến trở P được điều chỉnh để có các giá trị UCE cố định,
- Gía trị UBE thu được bằng cách tinh chỉnh biến trở tại H.
- IB quan sát trên ampe mét A1.
- Các kết quả được lấy vào bảng sau trước khi xử lý:
Lưu ý: Trong quá trình lấy số liệu, cần chú ý luôn điều chỉnh và giữ để có
UCE không đổi trong mỗi trường hợp, các giá trị UBE là các giá trị gợi ý, trong
quá trình khảo sát sinh viên có thể thay đổi.
UC UBE 3 4 4 4 5 6 6 6 6 6
E(v) (mV) 84 29 42 94 78 07 16 23 36 42

2 IB(

V µA)

UC UBE 3 4 4 5 5 5 5 6 6 6
(mv) 88 37 70 10 47 70 91 20 33 09
E(v)

47
 4 IB(

V µA)

UC UBE 3 4 4 5 5 5 5 6 6 6
(v) 92 35 88 22 55 71 93 01 07 12
E(v)

8 IB(

V µA)

Nhiệm vụ 3: Khảo sát đặc tuyến truyền đạt

- Khảo sát họ đặc tuyến IC(mA) =f [IB(µA)] đối với các giá trị UCE cố
định:
- Điều chỉnh biến trở P để có UCE cố định, thay đổi IB và đo IC.
UC IB 2 4 6 8 1 1 1 2 .
0 0 0 0 00 20 50 00 .
E(v) (µA)

2V IC
(mA)

UC IB
(µA)
E(v)

6V IC
(mA)

UC IB
(µA)
E(v)

8V IC
(mA)

- Nhận xét họ đặc tuyến truyền đạt và tính hệ số khuếch đại tương ứng
từng trường hợp.

48
6.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG

- Biểu diễn lại các đường đặc tuyến của transistor trên ba đồ thị, có sai số.
- Đưa ra các nhận xét và chế độ làm việc của transistor.
- Giải thích các lưu ý trong bài.
- Đưa ra một số nhận xét cải tiến thí nghiệm.

49
 Bài 7. MẠCH KHUỆCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
MẮC EC

7.1. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM

 Làm quen tầng khuếch đại điện thế có tải là 1 điện trở tiêu thụ, phân tích được
hoạt động của sơ đồ. Nắm được vai trò của các linh kiện điện tử trong mạch;
 Vẽ đường đặc trưng tần số
 Tính toán trở kháng vào /ra của mạch.

7.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

Xét một tầng khuếch đại Transistor mắc theo kiểu E chung ,đây là kiểu hay được
dùng hơn cả bởi vì khi mắc theo kiểu E chung Transistor có hệ số khuếch đại công suất
lớn hơn cả

Sơ đồ:

Trong sơ đồ trên: Rc là tải colecto.

R1,R2 là điện trở định thiên
RE là trở của emito dùng để ổn định nhiệt
CE là tụ lọc thành phần biến thiên
CP1 ,CP2 là tụ nối tầng và tụ Cv là tụ kí sinh

50
 Thông số quan trọng của một tầng khuếch đại là hệ số khuếch đại điện áp,đó là tỷ
số biên độ điện áp ở lối ra UR với biên độ điện áp ở lối vào Uv.

UR
K
UV

(Ở đây ta không chú ý đến lệch pha phụ do các phần tử điện kháng gây ra)

Hệ số khuếch đại thường được tính ra đơn vị dexiben (dB) theo công thức

K(dB) = 20 lg K

Để phân tích hoạt động thường dựa vào sơ đồ tương đương :

Sơ đồ này vẽ cho thành phần biến thiên của dòng điện với giả thiết rằng tín hiệu
vào nhỏ và sự phụ thuộc của dòng ra với điện thế là tuyến tính. Trong sơ đồ này cũng
đã bỏ qua điện dung ký sinh ,điện dung ra của tầng và coi Cv đơn thuần là điện dung
vào của tầng sau.

Có Uv là điện thế ở lối vào

RN là điện trở nội của lớp chuyển tiếp Colecto

R1 .R2
R1, 2  là điện trở tương đương của bộ chia thế
R1  R2

Vì dung kháng của tụ điện tỷ lệ nghịch với tần số, nên khi tần số giảm thì dung
kháng của CP2 tăng ,mà CP2 lại mắc nối tiếp với lối ra của tầng nên hệ số khuếch đại
giảm .

51
 Hình vẽ sau là đường đặc trưng tần số của tầng khuếch đại ,đó là sự phụ thuộc của
hệ số khuếch đại K vào tần số f khi Uv là một hằng số

K =φ(f) khi Uv = const

Dải tần số âm được chia làm 3 miền. Miền I là tần số âm thấp, miền II là tần số âm
trung bình và miền III là tần số âm cao.Trong miền I có thể bỏ qua ảnh hưởng của CV
và chỉ xét ảnh hưởng của CP2 nên sơ đồ tương đương được vẽ lại như sau:

Hệ số khuếch đại trong miền này :

2
 h21 .R12   t2 .C P2
K UT    .
 11
h  R .h  h 2
12
  t2 .C P
( R12 .h  h11 )

Trong miền II cả Cp1 và Cp2 đều không gây ảnh hưởng tới hệ số khuếch đại K do đó
sơ đồ tương đương được vẽ lại và bỏ qua Cp và Cp

52
 Hệ số khuếch đại trong miền này:

U2  h21 .Rtd
K UTB  
U 1 h11  h.Rtd

Trong miền tần số âm trung bình thì hệ số khuếch đại không phụ thuộc vào tần số
nên đường đặc trưng là 1 đoạn thẳng nằm ngang .

Ở miền III chỉ có Cv gây ảnh hưởng đế hệ số khuếch đại và sơ đồ được vẽ lại như
sau :

Hệ số khuếch đại trong miền này là:

K UTB K UTB
K UC  
  .C .R .h 
2
1  ( C .CV .R12 ) 2
1   C V 12 11 
 h11  h.R12 

7.3. THỰC HÀNH

7.3.1. Dụng cụ và sơ đồ thí nghiệm

Các linh kiện đã lắp ráp thành bảng mạch MODUL kèm theo

53
 Thiết bị ATS 11 cung cấp tín hiệu cho nguồn. (hình 53)

Máy phát xung chuẩn . (hình 52)

Dao động kí 2 tia dùng để hiển thị tín hiệu vào ra và các giắc cắm cho bài thí
nghiệm (hình 51)

Sử dụng bo mạch thiết kế sẵn theo sơ đồ sau:

7.3.2. Nhiệm vụ thực hành

Bước 1: Nối GND và OUT của máy phát xung với GND và chốt A của bảng
mạch . Cấp Vin1 tại chốt A là tín hiệu hình Sin có biên độ 0,3V tần số f =1KHz.
Bước 2: Nối 2 điểm B1 và B2. Dùng DĐK đo tín hiệu ra Vout ở kênh 1, tiếp tục chỉnh
biến trở sao cho Vout đạt biên độ lớn nhất nhưng không bị méo dạng.
Bước 3: Xác định hệ số khuếch đại K của mạch:
- Dùng DĐK đo Vin tại B2, Vout tại C bằng 2 kênh CH1 và CH2. Vẽ lại dạng sóng
và nhận xét về biên độ.
K=Vout/Vin
Bước 4: Xác định trở kháng vào Zin
- Mắc nối tiếp giữa B1 và B2 điện trở Rv=220Ω,

54
 𝑅
Tính trở kháng vào 𝑍𝑖 = 𝑉1 𝑣
−1
𝑉2

Trong đó V1 là điện áp ra tại B1

V2 là điện áp ra tại B2
-Nhận xét.
Bước 5:
Vẽ đặc trưng biên độ - tần số (nối B1 và B2):
- Giữ nguyên biên độ tín hiệu vào, thay đổi tần số của tín hiệu vào tại A là Vin, đo
Vout lấy tại C và thu số liệu theo bảng sau (SV có thể thay đổi tần số đo cho phù hợp):

f(Hz) 3 5 2 5 1 2 5 1 2 2
0Hz 0 Hz 00 Hz 00 Hz k Hz k Hz k Hz 0k Hz 0k Hz 5k Hz

Vout

K=V
out/Vin

K %

- Vẽ đường đặc trưng tần số, nhận xét khi so sánh với đường lý thuyết.

f
Bước 6: Xác định trở kháng ra Zout
- Mắc điện trở tải Rt=220Ω vào giữa chốt C và mass,
𝑉1
Tính trở kháng lối ra 𝑍𝑖 = ( − 1)𝑅𝑡
𝑉2

Trong đó V1 là điện áp trước khi có tải

55
 V2 là điện áp sau khi có tải
-Nhận xét so sánh trở kháng lối ra và lối vào mạch khuếch đại.
7.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG

1. Hãy nêu sự ảnh hưởng tần số vào hệ sô mạch khuếch đại?

2. Các điện trở R1, R2 có tác dụng gì trong mạch khuêch đại, chúng ảnh hưởng tới
hệ số khuêch đại như thế nào?

3. Giải thích công thức trở kháng vào trong bước 4.

3. Báo cáo các kết quả từ bước 1-6.

56
 Bài 8. THIẾT KẾ MẠCH TẠỘ DẬỘ ĐỘNG ĐẬ HÀÍ
DÙNG TRANSISTOR

8.1. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM

- Hiểu được nguyên lý hoạt động của mạch tạo dao động đa hài

- Biết tính toán lý thuyết tần số dao động của mạch, so sánh với thực tế, đo bằng
dao động kí

8.2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1. Nguyên lí chung về máy phát dao động

Mạch dao động điện tử có thể tạo ra dao động có dạng khác nhau như dao động
điều hòa, xung chữ nhật, xung tam giác, răng cưa…

Máy phát dao động điều hòa là thiết bị biến đổi năng lượng của nguồn điện không
đổi thành tín hiệu xoay chiều

Mạch tạo xung vuông hay đa hài dùng nguyên lý tích phóng của tụ điện theo quá
trình đóng mở của transistor.

2. Máy dao động phi điều hòa (máy phát đa hài)

+5V

Rc R2 R3 Rc
OUT 1 C2 C1 OUT 2

T1 T2

57
 Việc hình thành xung vuông ở cửa ra sau một khoảng thời gian t1=t1-t0 (đối với cửa
ra 1) hoặc t2=t2-t1 (đối với của ra 2) nhờ quá trình đột biến chuyển trạng thái của sơ đồ
tại các thời điểm t0, t1, t2…..

Hình 1

58
 Trong khoảng thời gian t1 , tranzitor T1 khóa, T2 mở, tụ C đã được nạp đầy điện tích
trước t0 sẽ phóng điện qua T2 qua nguồn EC, qua R1 theo đường C1  T2  R1  C1
làm điện thế UB của T1 thay đổi . Đồng thời trong khoảng thời gian này tụ C2 được
nguồn EC nạp theo đường  EC  RC  T2  EC làm cho điện thế UB trên T2 cũng
thay đổi (như hình vẽ). Lúc t = t1, UB1=+0.6V: T1 mở, xảy ra quá trình đột biến thứ
nhất, nhờ mạch hồi tiếp dương làm sơ đồ lật tới tình trạng T1 mở, T2 khóa.

Trong khoảng thời gian t2= t2 - t1 trạng thái trên được giữ nguyên, tụ C2 bắt đầu
phóng điện, tụ C1 bắt đầu quá trình nạp tương tự như trên cho tới khi t = t2, UB2=
+0.6V : T2 mở, xảy ra đột biến lần thứ 2 chuyển sơ đồ về trạng thái ban đầu.

Biểu đồ thời gian được trình bày trên Hình 1.

Các tham số chủ yếu của xung vuông đầu ra được xác định bởi:

T1 = R1C1 ln 2  0.7 R1C1

T2 = R2C2 ln 2  0.7 R2C2

Nếu R1 = R2, C1 = C2 thì T1 = T2 và nhận được sơ đồ đa hài đối xứng, ngược lại sẽ
cho đa hài không đối xứng khi T1  T2

Chu kì xung vuông: Tra = T1 + T2

Biên độ xung ra gần đúng bằng trị số nguồn E cung cấp

Sơ đồ có hạn chế ở khu vực tần số thấp (< 100Hz) và tần số cao (>10kHz)

8.3. THỰC HÀNH

8.3.1. Thiết bị thí nghiệm

Trong bài thí nghiệm này sinh viên sử dụng bo mạch trắng để tự lắp ráp mạch, do
đó cần kiểm tra đầy đủ linh kiện trước khi tiến hành mắc mạch. Qúa trình vận hành cần
có kiểm tra của giáo viên hướng dẫn.

1. Thiết bị chính cho thực tập điện tử tương tự ATS-11 (hình vẽ)

59
 - Bộ nguồn chuẩn DC POWER SUPPLY của thiết bị ATS-11 cung cấp các thế
chuẩn 5V , 12V cố định

Chú ý cắm đúng phân cực của nguồn

2. Dao động kí 2 tia dùng quan sát tín hiệu

3. Bo mạch trắng và các linh kiện kèm theo các giắc cắm.

Linh kiện bao gồm

+2 transistors C828

+ 2 điện trở Rc=470 Ω

+ 2 điện trở R1=R2=4,7 kΩ

+ 2 tụ 0,22 µF (tụ 224)

+ 2 tụ 1 µF (tụ 105)

8.3.2. Nhiệm vụ thực hành

Dùng đồng hồ vạn năng xác định các cực tính của Transistor

- Tiến hành sử dụng các linh kiện có sẵn mắc mạch theo sơ đồ sau, sử dụng
C1=0,22 µF

C2=0,1 µF:

+5V

Rc R2 R3 Rc
OUT 1 C2 C1 OUT 2

T1 T2

60
 - Thay đổi các giá trị của tụ để có tần số khác nhau theo bảng dưới. Đo và vẽ lại
dạng tín hiệu bằng dao động ký và xác định tần số tín hiệu ra khi thay đổi các giá trị
của tụ tương ứng với các cách nối đó.

- Xác định tần số tín hiệu ra theo công thức rồi so sánh với tần số tín hiệu đo được,
rút ra nhận xét.

Giá trị của tụ Vẽ Dạng tín f (tính)(Hz) f(đo)(Hz)

hiệu

C1=0,22 µF

C2=1 µF

C1=0,44 µF

C2=1 µF

C1=0,22 µF

C2=2 µF

C1=1,22 µF

C2=1µF

C1=1,22 µF

C2=0,22 µF

C1=2 µF

C2=0,44 µF

8.4. CÂU HỎI MỞ RỘNG

1. Nêu nguyên tắc chung của máy phát dao động đa hài.

2. Kết luận về vai trò của mạch RC trong việc hình thành xung ra.

3. Báo cáo các kết quả thực hành theo các bước đã tiến hành.

61
 PHU LUC Í: HỬƠNG DẬN VÍỆT BẬỘ CẬỘ

Báo cáo thí nghiệm được viết theo mẫu sau

Báo cáo thí nghiệm

Tên bài thí nghiệm: (Viết chữ in)…………………………..

Họ và tên: (Viết chữ in)…………………….…….

Lớp: ……………………

Nhóm: …………………..

Những người cùng nhóm: (Viết chữ thường) ………………..…

……………………………………….

……………………………………….

……………………………………….

Ngày……….tháng………...năm………….

 Tóm tắt nội dung

Mô tả vắn tắt các nội dung thí nghiệm (Tùy thuộc vào đặc điểm mỗi bài thí
nghiệm mà bản tóm tắt được viết từ 5 đến 10 dòng )

 Kết quả
a. Mô tả sơ lược về điều kiện thực hiện phép đo (VD: phép đo này
được thực hiện ở điều kiện nhiệt độ, áp suất… hoặc phép đo này
được thực hiện với điện thế lối vào là v…v)
b. Trình bày kết quả thu được qua phép đo (Tùy từng bài mà kết quả
có thể được trình bày dưới dạng đồ thị, bảng dữ liệu…)
c. Nêu rõ những biến cố khách quan và chủ quan xảy ra trong quá
trình đo làm ảnh hưởng đến phép đo
 Thảo luận kết quả

62
 a. Giải thích nội dung kết quả, biện luận để loại bỏ các kết quả nghi
ngờ
b. So sánh kết quả thực nghiệm với lý thuyết
c. Giải thích sự khác nhau (nếu có) giữa kết quả thực nghiệm so với lý
thuyết hoặc với kết quả đo được của người khác
 Kết luận

Ghi kết quả cuối cùng mà phép đo thực hiện được theo yêu cầu của bài.

 Trả lời câu hỏi

63
 PHU LUC ÍÍ: HỬƠNG DẬN SỬ DUNG
CHỬƠNG TRÍNH VỆ ĐỘ THÍ ỘRÍGÍN

1. SỬ DỤNG CƠ BẢN:

Chương trình vẽ đồ thị origin có thể nhận dữ liệu từ các file có dạng: *.DAT,
*.TXT, *.CSV, cũng như các file dữ liệu số từ Excel. Chương trình cho phép vẽ, xử lý
đồ thị, xử lý dữ liệu rất tiện lợi và dễ sử dụng.

Các bước sử dụng đơn giản chương trình:

Bước 1: Kích hoạt biểu tượng Origin trên màn hình Window, Cửa sổ hoạt động
chính của chương trình xuất hiện như Hình PL1.

Hình PL1 Hình PL2

Bước 2: Có thể nhập dữ liệu vào hai cột trực tiếp từ bàn phím sau đó tiến hành
vẽ đồ thị được thực hiện theo bước 4.

Bước 3: Để nhập dữ liệu từ 1 file dữ liệu phù hợp đã có sẵn thì kích vào File ở
thanh menue trên màn hình, chọn lệnh Import, chọn ASCII... (Hình PL2). Lựa chọn
file dữ liệu cần vẽ đồ thị từ ổ đĩa và thư mục chứa nó (chú ý nên để file of type ở
dạng *.*) kích vào thanh Open. Lúc này dữ liệu đã được nhập vào bảng ở màn hình
hoạt động của origin như Hình PL3.

64
 Hình PL3 Hình PL4

Bước 4: Bôi đen 1 cột bằng cách kích vào B[Y], kích vào Plot sau đó chọn line
(Hình PL4), đồ thị phụ thuộc của B[Y] vào A[X] được trình bày như trên Hình PL5.

Bước 5: Ta có thể đặt tên cho trục toạ độ của đồ thị bằng cách kích vào X axis
title và Y axis title (Hình PL6). Đồ thị có thể được in ra bằng lệnh Print trong menue
File.

Hình PL5 Hình PL6

2. SỬ DỤNG HÀM FIT

a. Khái niệm hàm fit

Giả sử ta có sự phụ thuộc các giá trị của Y vào các giá trị tương ứng của X thể
hiện bằng các điểm trên đồ thị (X,Y), Hàm y = f(x) được gọi là hàm fit của sự phụ

65
thuộc trên nếu đường biểu diễn hàm y=f(x) đi qua các điểm biểu diễn sự phụ thuộc
(X,Y) với sai số cho phép. Hàm fit càng phù hợp nếu sai số càng nhỏ.

Lấy ví dụ như trên Hình PL7, sự phụ thuộc của các giá trị Y vào X được thể hiện
bằng các chấm vuông trên đồ thị, đường cong liền nét là đường biểu diễn hàm số:

Y =0,35904 + 1,00381.10-4 x – 5,03782.10-8 x2 + 1,45903.10-11 x3

(1) Nếu chấp nhận các sai số thì hàm (1) được gọi là hàm fit và sự phụ thuộc của các
giá trị Y vào X có thể được biểu diễn bằng hàm 1.

b. Sử dụng hàm fit trong chương trình origin

Sau khi vẽ đồ thị bằng chương trình origin (sau bước 5), ta có thể tìm hàm fit cho
đồ thị của mình bằng cách kích vào Analysis trên màn hình hiển thị của origin. Chúng
ta có thể thấy rất nhiều loại hàm fit (Hình PL8). Chúng ta phải lựa chọn một hàm sao
cho phù hợp với đồ thị của mình. Tuy nhiên để tiết kiệm thời gian ta có thể dự đoán
loại hàm fit nào phù hợp.

Sau khi hàm fit được chọn, máy tính sẽ tính toán các hệ số của hàm fit sao cho
đường biểu diễn của hàm đi gần với các điểm của đồ thị cần fit nhất (Hình PL9, PL10).

Hình PL7 Hình PL8

Những hàm fit trong mục Analysis có thể được chọn là các hàm sau:

 Fit Linear là hàm fit tuyến tính.

66
  Fit Polynomial là hàm fit có dạng hàm mũ (y = f(x)) có các số mũ của x
có giá trị từ 1 đến 9. Với x có số mũ bằng 1 thì đó là hàm tuyến tính (hình
9).
 Fit Exponential Decay là dạng hàm y = yo + A e  ax
 Fit Exponential Growth là dạng hàm y = yo + A e ax
 Fit Sigmoidal
( x  xc ) 2
A 2
 Fit Gaussian là hàm có dạng y  yo  e w2

w 
2
2A w
 Fit Lorentzian là hàm có dạng y  yo 
 4( x  xc ) 2  w2

Hình PL9 Hình PL10

Máy tính không cung cấp cho ta đủ các hàm Fit phù hợp với tất cả các đường đồ
thị. Do vậy trong trường hợp không tìm thấy hàm fit có sẵn, ta có thể đưa hàm fit phù
hợp với đường cong đồ thị của ta vào bằng cách lựa chọn lệnh Non-linear Curve Fit
trong menu Analysis, sau đó đưa hàm fit vào theo hướng dẫn như trên Hình PL11. Máy
tính sẽ tính toán tìm các hệ số của hàm số đưa vào sao cho đạt được hàm Fit phù hợp
nhất.

67
Hình PL11

68
 PHU LUC ÍÍÍ: NỘÍ QUY PHỘNG THÍ NGHÍỆM
THỬC HẬNH

1. Sinh viên phải đến phòng thí nghiệm đúng giờ. Khi làm thí
nghiệm phải giữ trật tự và tuân theo hướng dẫn của giáo viên.
2. Phải mặc áo khoác thí nghiệm (Blouse) khi làm thí nghiệm.
3. Đọc kỹ hướng dẫn trước khi làm thí nghiệm. Tuân thủ tuyệt
đối quy trình vận hành máy móc và thiết bị được hướng dẫn trong
bài thực hành.
4. Sinh viên thực hiện đầy đủ các nhiệm vụ trong bài thực hành
như qui định trong giáo trình.
5. Cẩn thận khi làm thí nghiệm; trung thực, khách quan khi lấy
kết quả và làm báo cáo thí nghiệm.
6. Tuyệt đối không lấy dụng cụ của các bài thực hành khác.
7. Phải giữ gìn vệ sinh trong phòng thí nghiệm: giữ bàn thí
nghiệm sạch sẽ, sắp xếp dụng cụ hợp lí, gọn gàng. Sau buổi thực
hành phải dọn dẹp ngăn nắp chỗ làm thí nghiệm.
8. Trước khi ra về tổ trực nhật có trách nhiệm phải tắt điện,
khóa cửa phòng thí nghiệm, giao chìa khóa cho giáo viên phụ trách
buổi thực hành thí nghiệm.
9. Hỏi giáo viên nếu bạn chưa rõ cách vận hành các thiết bị thí
nghiệm.

69