MỤC LỤC

CHƯƠNG 3. DIODE VÀ ỨNG DỤNG .......................................................................... 3

3.1. Cấu tạo, nguyên lý làm việc của diode................................................................... 4
3.1.1. Điốt lý tưởng ...................................................................................................... 4
3.1.1.1. Ý tưởng về diode lý tưởng ......................................................................... 4
3.1.1.2. Đặc tuyến dòng điện – điện áp ................................................................... 5
3.1.1.3. Ứng dụng đơn giản của điot lý tưởng......................................................... 6
3.1.2. Khái niệm cơ bản về bán dẫn ............................................................................. 9
3.1.2.1. Chất bán dẫn thuần ..................................................................................... 9
3.1.2.2. Chất bán dẫn tạp chất ............................................................................... 11
3.1.2.3. Tiếp giáp P-N ........................................................................................... 12
3.1.3. Cấu trúc vật lý, ký hiệu và nguyên lý làm việc của Diode ............................... 14
3.1.3.1. Cấu tạo và ký hiệu .................................................................................... 14
3.1.3.2. Nguyên lý làm việc .................................................................................. 14
3.2. Đặc tuyến của Diode ............................................................................................ 15
3.2.1. Vùng phân cực thuận ........................................................................................ 15
3.2.2. Vùng phân cực ngược ...................................................................................... 16
3.2.3. Vùng đánh thủng .............................................................................................. 17
3.3. Mô hình tương đương của Diode ......................................................................... 17
3.3.1. Mô hình Diode lý tưởng ................................................................................... 17
3.3.2. Mô hình sụt áp không đổi ................................................................................. 17
3.3.3. Mô hình tuyến tính từng đoạn (The Pieciwise Model) .................................... 18
3.3.4. Mô hình hàm số mũ (The Exponential model) ................................................ 19
3.3.5. Mô hình tín hiệu nhỏ ........................................................................................ 20
3.4. Các tham số cơ bản của Diode ............................................................................. 23
3.5. Một số loại Diode đặc biệt ................................................................................... 23
3.5.1. Diode ổn áp (Zener) ......................................................................................... 23
3.5.2. Diode Schottky (SBD) ..................................................................................... 26
3.5.3. Diode biến dung ............................................................................................... 27
3.5.4. Diode thu quang ............................................................................................... 28
3.5.5. Diode phát quang (LED) .................................................................................. 29
3.6. Mạch chỉnh lưu sử dụng Diode bán dẫn............................................................... 30
3.6.1. Mạch chỉnh lưu nửa sóng ................................................................................. 31
3.6.2. Mạch chỉnh lưu toàn sóng ................................................................................ 33
3.6.3. Chỉnh lưu với một tụ điện lọc. ......................................................................... 37
3.6.4. Mạch chỉnh lưu nửa sóng chính xác– siêu điốt (The Super Diode) ................. 41
1
3.7. Mạch hạn chế và mạch ghim ................................................................................ 43
3.7.1. Mạch hạn chế ................................................................................................... 43
3.7.2. Mạch ghim điện áp ........................................................................................... 45
3.7.3. Mạch bội áp ...................................................................................................... 47
GIẢI QUYẾT TÌNH HUỐNG DẪN NHẬP ....................................................................... 48
TÓM LƯỢC CUỐI BÀI ...................................................................................................... 50
CÂU HỎI ÔN TẬP .............................................................................................................. 52
BÀI TẬP CUỐI BÀI ............................................................................................................ 53

2
 CHƯƠNG 3. DIODE VÀ ỨNG DỤNG
Hướng dẫn học
Các linh kiện điện tử đều được cấu tạo từ chất bán dẫn. Vì vậy, trong chương này, chúng
ta sẽ tìm hiểu về cấu tạo và ứng dụng của một thiết bị bán dẫn đơn giản nhất và các ứng dụng
của nó trong các mạch điện tử thực tế. Đó chính là diode bán dẫn. Trên cơ sở các các kiến thức
nền tảng, nội dung tiếp theo của chương ba sẽ tập trung vào phân tích ứng dụng của Diode trong
các mạch chỉnh lưu dòng điện, mạch hạn chế biên độ, mạch ghim điện áp, mạch bội áp
Bài học này sẽ tập trung vào các nội dung chính sau đây:
• Đưa ra ý tưởng về việc xây dựng một diode lý tưởng với ứng dụng trong chỉnh lưu
dòng điện và thực thi các cổng logic số
• Nghiên cứu cấu tạo của một diode bán dẫn nhằm hiện thực hóa diode lý tưởng
• Phân tích đặc tuyến làm việc của diode bán dẫn, mô hình hóa diode khi hoạt động
trong mỗi vùng làm việc về dạng sơ đồ tương đương theo lý thuyết mạch điện nhằm hỗ trợ cho
việc phân tích và thiết kế các mạch điện tử sử dụng diode bán dẫn
• Tìm hiểu một số loại diode thường gặp trong thực tế và các tham số quan trọng của
chúng
• Phân tích, thiết kế các các mạch ứng dụng của diode bán dãn trong thực tế như chỉnh
lưu dòng điện, mạch hạn chế biên độ, mạch ghim điện áp, mạch bội áp
Để bổ trợ cho các kiến thức lý thuyết, bài học sẽ đưa ra một số ví dụ để giải thích, minh
họa. Vì vậy người học cần theo dõi các ví dụ và làm các bài tập để hiểu rõ, nắm chắc khái niệm
cũng như cách thức tính toán.
Để học tốt bài này, sinh viên cần tham khảo các phương pháp học sau:
• Học đúng lịch trình của môn học theo tuần, làm các bài luyện tập đầy đủ và tham gia
thảo luận trên diễn đàn.
• Đọc các tài liệu học tập
• Sinh viên làm việc theo nhóm và trao đổi với giảng viên trực tiếp tại lớp học hoặc qua
email.
• Tham khảo các thông tin từ trang Web môn học.
Nội dung chi tiết: Bài học gồm các tiểu mục sau
3.1. Cấu tạo nguyên lý làm việc của Diode
3.2. Đặc tuyến của Diode
3.3. Mô hình tương đương của Diode
3.4. Các tham số cơ bản của Diode
3.5. Một số loại diode đặc biệt
3.6. Mạch chỉnh lưu sử dụng diode bán dẫn
3.7. Mạch hạn chế và mạch ghim
Mục tiêu
Sau khi học xong bài này, sinh viên cần đảm bảo được các yêu cầu sau:
• Nắm vững cấu tạo và nguyên lý làm việc và đặc tuyến I-V của một diode bán dẫn
3
 • Nắm vững các phương pháp mô hình hóa diode bán dẫn về dạng sơ đồ tương đương
theo lý thuyết mạch điện
• Biết được một số loại diode đặc biệt và ứng dụng của nó trong thực tế
• Phân tích, thiết kế các các mạch chỉnh lưu dòng điện sử dụng diode bán dẫn
• Phân tích, thiết kế các các mạch hạn chế biên độ sử dụng diode bán dẫn
• Phân tích, thiết kế các các mạch ghim điện áp sử dụng diode bán dẫn
• Phân tích, thiết kế các các mạch bội áp sử dụng diode bán dẫn
Tình huống dẫn nhập
Tình huống 1 : Dưới đây mô tả hai mạch điện gồm các diode, các bóng đèn và nguồn
cấp được đấu nối như hình vẽ

Câu hỏi:
Hãy chỉ ra đèn nào sáng, đèn nào tắt trong hai mạch điện ?
Tình huống 2 : Hình 3.1 dưới đây mô tả hình ảnh bộ cấp nguồn một chiều ±12V được
sử dụng nhiều trong thực tế và sơ đồ mạch nguyên lý bên trong của nó

Hình 3.1 Bộ cấp nguồn một chiều ±12V

Câu hỏi:
1) Vai trò của các diode được sử dụng trong mạch nguyên lý ?
2) Giải thích nguyên lý hoạt động của mạch?
3.1. Cấu tạo, nguyên lý làm việc của diode
3.1.1. Điốt lý tưởng
3.1.1.1. Ý tưởng về diode lý tưởng
Trong thủy khí hoặc khí nén ta có thể dễ dàng bắt gặp van một chiều (Hình 3.2). Đây là
thiết bị cho phép lưu chất đi qua vị trí tại cửa van theo một hướng nhất định và không cho hoặc
ngăn chặn lưu chất đi ngược lại. Van một chiều là thiết bị khá thông minh khi tự động vận hành
theo lực tác động của dòng chảy, với vai trò là bảo vệ các hệ thống đường ống, thiết bị bơm,

4
các hệ thống bình chứa. Ngoài ra, van 1 chiều còn giảm thiểu sự cố liên quan đến đường ống
như rò rỉ giúp điều hướng và kiểm soát lưu chất khi có sự cố xảy ra.

Hình 3.2 Cấu tạo của van một chiều

Tương tự, trong lĩnh vực điện, có những lúc ta cần phải điều chỉnh, chỉ cho dòng điện
chạy theo một chiều nhất định. Hình 3.3 mô tả việc cần thiết phải điều khiển chiều dòng điện
từ pin mặt trời nạp vào ác quy (bảo vệ pin mặt trời), không cho dòng điện chảy theo chiều ngược
lại từ ắc quy vào pin khi điện áp trên tấm pin nhỏ. Thiết bị này chính là diode.

Hình 3.3 Điều chỉnh dòng điện nạp vào pin mặt trời
3.1.1.2. Đặc tuyến dòng điện – điện áp

Hình 3.4 Điốt lý tưởng: (a) ký hiệu điốt trong mạch; (b) đặc tuyến i − v (c) mạch
tương đương với trường hợp phân cực ngược; (d) mạch tương đương với trường hợp
mạch phân cực thuận.

5
 Điốt lý tưởng có thể được xét là một thành phần cơ bản nhất trong mạch phi tuyến. Nó có
hai đầu, được gọi là Anode (A) và Cathode (K), có ký hiệu như Hình 3.4 (a), có đặc tuyến i − v
như trong Hình 3.4 (b).
Đặc điểm của điốt lý tưởng có thể trình bày như sau: Nếu điện áp ngược được đặt lên
điốt, không có dòng qua và điốt hoạt động như một mạch hở (Hình 3.4 c). Điốt hoạt động ở chế
độ này được gọi là phân cực ngược. Một điốt lý tưởng có dòng bằng không khi khi hoạt động
ở chế độ phân cực ngược thì được gọi là bị khóa
Mặt khác, nếu dòng thuận được đặt lên điốt thì có một điện áp bằng không giữa hai đầu
điốt. Nói cách khác, điốt lý tưởng hoạt động như một mạch ngắn mạch theo chiều thuận (Hình
3.4 d). Nó cho qua bất kỳ dòng nào với điện áp rơi trên nó bằng không. Một điot phân cực thuận
được gọi là mở.
Từ trình bày ở trên chúng ta lưu ý mạch ngoài phải được thiết kế để giới hạn dòng thuận
đi qua điốt và điện áp ngược đặt lên điốt. Hình 3.5 minh họa cho điều này. Trong Hình 3.5 (a)
điốt hiển nhiên dẫn điện (mở). Do đó điện áp rơi trên nó sẽ bằng 0 và dòng qua nó có thể được
tính thông qua điện áp cấp +10V và qua điện trở 1 k là 10 mA. Điốt ở Hình 3.5b hiển nhiên
khóa, và do đó dòng của nó sẽ là 0, có nghĩa là toàn bộ điện áp 10V là điện áp ngược đặt lên
điot

Hình 3.5 Hai chế độ hoạt động của các điốt lý tưởng và sử dụng mạch ngoài để
giới hạn dòng thuận(a) và điện áp ngược (b).
Đặc tuyến i − v của điốt lý tưởng (dẫn theo một hướng và không theo hướng còn lại)
giải thích sự lựa chọn ký hiệu mũi tên trong sơ đồ mạch điện.
3.1.1.3. Ứng dụng đơn giản của điot lý tưởng
▪ Mạch chỉnh lưu
Một ứng dụng cơ bản của điốt, sử dụng đặc tuyến i − v là mạch chỉnh lưu như trong Hình
3.6(a). Mạch bao gồm điôt D và điện trở R mắc nối tiếp.
Đặt điện áp đầu vào v I có dạng hình sin như trên Hình 3.6 (b) và giả sử rằng rằng điốt
là lý tưởng. Trong một nửa chu kỳ dương của tín hiệu hình sin, sẽ có dòng qua điốt. Khi đó,
điện áp rơi trên điốt v D sẽ rất nhỏ (lý tưởng là bằng 0). Do đó mạch sẽ tương đương với mạch
trong Hình 3.6(c) và điện áp đầu ra vO sẽ bằng điện áp đầu vào v I .

Mặt khác, ở nửa chu kỳ âm của điện áp vào v I , điốt sẽ không dẫn điện. Khi đó mạch sẽ
tương đương với mạch trong Hình 3.6 (d) và điện áp đầu ra vO sẽ bằng 0. Điện áp đầu ra sẽ có
dạng sóng như trên Hình 3.6 (e). Chú ý rằng trong khi điện áp v I biến đổi cực tính và có giá trị

6
trung bình là bằng 0 thì vO là có hướng và có giá trị trung bình xác định hay một chiều. Bởi vậy,
mạch trong Hình 3.6 (a) chỉnh lưu tín hiệu và gọi là mạch chỉnh lưu. Nó được ứng dụng để
tạo ra nguồn một chiều từ nguồn xoay chiều.

Hình 3.6 (a) Mạch chỉnh lưu, (b) Dạng sóng đầu vào, (c) Mạch tương đương khi
 I  0 , (d) Mạch tương đương khi  I  0 , (e) Dạng sóng đầu ra.
Ví dụ 3.1
Hình 3.7(a) minh họa một mạch điện để sạc điện cho pin 12V. Nếu vS là điện áp hình
sin đầu vào với biên độ 24V, tìm các khoảng thời gian trong mỗi chu kỳ mà điốt dẫn (cho dòng
điện đi qua). Tương tự tìm giá trị tìm giá trị cực đại của dòng qua điốt và giá trị cực đại của
điện áp phân cực ngược.

Hình 3.7 Mạch và các dạng sóng trong ví dụ 3.1

Lời giải:
Điốt sẽ dẫn điện khi  S lớn hơn 12V, như trên Hình 3.7 (b). Góc dẫn là 2  , ở đây  được
tính bởi:
24 cos  = 12 . Do đó  = 60o và góc dẫn là 120o hay là 1/3 chu kỳ
7
 24 − 12
Giá trị đỉnh của dòng qua điốt được tính: I d = = 0.12 A
100
Dòng điện ngược qua điốt lớn nhất khi  S là giá trị âm lớn nhất và được tính bằng 24+12
= 36V.
▪ Các cổng logic điốt
Các điốt với điện trở có thể được sử dụng thực hiện các hàm logic số. Hình 3.8 minh
họa hai cổng logic điốt. Để quan sát hoạt động của các mạch, xét một hệ logic thuận trong đó
giá trị điện áp xấp xỉ 0 tương ứng với mức logic 0 (hoặc mức thấp) và giá trị điện áp xấp xỉ +5V
tương ứng với mức logic 1 (hoặc mức cao). Mạch trong Hình 3.8 (a) có 3 đầu vào  A ,  B và
 C . Dễ thấy rằng khi điốt kết nối điện áp +5V tại đầu vào sẽ dẫn, đầu ra Y có giá trị+5V. Như
vậy đầu ra sẽ ở mức cao khi một hoặc nhiều đầu vào ở mức cao. Mạch như trên thực hiện chức
năng logic OR, được biễu diễn trong đại số Boolean như sau: Y = A+B+C.
Tương tự như vậy, mạch như trong Hình 3.8 (b) thực hiện chức năng logic AND, Y =
A.B.C

Hình 3.8 Các cổng logic: (a) cổng OR; (b) cổng AND.
Ví dụ 3.2: Giả sử các điốt sau là lý tưởng, Tính I và V trong mạch trên Hình 3.9.

Hình 3.9 Mạch cho ví dụ 3.2

Lời giải:
Trước hết hãy quan sát trong các mạch này có thể không có, có một, hoặc cả hai điốt
dẫn điện. Chúng ta giả sử một trường hợp, tiến hành phân tích, và sau đó kiểm tra đầu ra lại.

8
Với mạch điện Hình 3.9 (a), chúng ta sẽ giả sử cả hai điốt đang dẫn điện. Như vậy VB=0 và
10 − 0
V=0. Dòng điện qua D2 có thể xác định như sau: I D 2 = = 1mA
10
0 − (−10)
Viết phương trình tại nút B: I + 1 =
5
Tính ra được I = 1mA. Do đó D1 mở như giả sử ban đầu, và kết quả cuối cùng là I=1mA
và V=0V.
Với mạch trong Hình 3.9 (b), nếu ta giả sử cả hai điốt đang mở (dẫn), khi đó VB=0 và
V=0. Dòng điện qua D2 được tính
10 − 0
I D2 = = 2 mA
5
Phương trình tại nút B:
0 − (−10)
I +2=
10
Ta tính được I= -1mA, điều này là không thể, giả sử ban đầu của chúng ta là sai. Chúng
ta tính lại từ đầu, giả sử D1 đóng và D2 mở. Dòng qua D2 được tính:
10 − (−10)
ID2 = = 1.33 mA
15
Điện áp tại nút B là
VB = −10 + 10  1.33 = +3.3V
Do đó D1 phân cực ngược như giả sử, và kết quả cuối cùng là I=0 và V=3.3V.
3.1.2. Khái niệm cơ bản về bán dẫn
3.1.2.1. Chất bán dẫn thuần
Electron hóa Liên kết
tri cộng hóa trị

Nguyên tử
silic

Hình 3.10 Hình ảnh hai chiều của tinh thể Silic
Chất bán dẫn thuần: là chất bán dẫn được cấu tạo đơn thuần từ Silic (Si) hoặc
Germanium (Ge) tạo thành cấu trúc mạng tinh thể. Mặc dù cả silic và germanium đều có thể sử
dụng để chế tạo chất bán dẫn, nhưng ngày nay công nghệ mạch tích hợp gần như cơ bản chỉ

9
dựa trên silic. Vì lý do đó, chúng ta sẽ nghiên cứu chủ yếu các linh kiện chế tạo từ silic trong
toàn bộ môn học này.
Hai chất bán dẫn thuần Si (14) và Ge (32) có đặc điểm chung là ở lớp ngoài cùng đều có
bốn điện tử hoá trị. Khi vật liệu Si được chế tạo thành tinh thể thì từ trạng thái xắp xếp lộn xộn
chúng trở thành trạng thái hoàn toàn trật tự. Khi đó khoảng cách giữa các nguyên tử cách đều
nhau. Hình 3.10 minh họa hình ảnh hai chiều của cấu trúc mạng tinh thể này.
Bốn điện tử lớp ngoài cùng của một nguyên tử không những chịu sự ràng buộc với hạt
nhân của chính nguyên tử đó mà còn liên kết với bốn nguyên tử đứng cạnh nó, hai nguyên tử
đứng cạnh nhau có một cặp điện tử góp chung. Mỗi một điện tử trong đôi góp chung vừa chuyển
động xung quanh hạt nhân của nó vừa chuyển động trên quỹ đạo của điện tử góp chung. Sự liên
kết này được gọi là liên kết đồng hoá trị.
Tại nhiệt độ đủ thấp, tất cả các liên kết cộng hóa trị được giữ nguyên và không có (hoặc
có rất ít) điện tử tự do để dẫn dòng điện. Tuy nhiên, tại nhiệt độ thường, một số điện tử góp
chung dễ dàng tách khỏi mối liên kết với hạt nhân để trở thành các điện tử tự do, đó là hạt dẫn
điện tử (Hình 3.11).
Khi một điện tử tách ra trở thành điện tử tự do thì để lại một liên kết bị khuyết (lỗ trống).
Khi đó các điện tử góp chung ở đôi kề cạnh dễ dàng bị rơi vào lỗ trống đó tạo thành sự di
chuyển của các điện tử góp chung. Sự di chuyển này giống như sự di chuyển của các điện tích
dương, đó là sự di chuyển của lỗ trống.

Hình 3.11 Quá trình hình thành electron tự do và một lỗ trống, cả hai đều cho
phép dẫn dòng.
Như vậy, lỗ trống cũng là loại hạt mang điện. Khi đặt một điện trường lên vật liệu bán
dẫn thì xuất hiện hai thành phần dòng điện chạy qua nó: thành phần dòng điện do các điện tử
tự do chuyển động có hướng và thành phần dòng điện lỗ trống do điện tử góp chung dịch lấp
lỗ trống. Điện tử tự do mang điện âm, lỗ trống mang điện dương.
Các điện tử chuyển động ngược chiều với véc tơ cường độ điện trường còn các lỗ trống
thì chuyển động cùng chiều tạo nên dòng điện trong chất bán dẫn.
Kết luận: Bán dẫn mà dẫn xuất được thực hiện bằng cả hai loại hạt mang điện (điện tử
tự do và lỗ trống) có số lượng bằng nhau được gọi là chất bán dẫn thuần (bán dẫn nguyên chất).

10
 3.1.2.2. Chất bán dẫn tạp chất
Để nâng cao tính dẫn điện trong vật liệu bán dẫn, ta thực hiện pha thêm tạp chất vào chất
bán dẫn nguyên chất, gọi là chất bán dẫn tạp.
▪ Chất bán dẫn tạp loại P
Tiến hành pha thêm tạp chất là những nguyên tố thuộc nhóm III trong bảng tuần hoàn
(Ga, In…) vào trong mạng tinh thể của nguyên tử Si. Khi đó trong mạng tinh thể, một số nguyên
tử Ga sẽ thay thế vị trí một số nguyên tử Si, ba điện tử hoá trị của Ga sẽ tham gia vào ba mối
liên kết với ba nguyên tử Si bên cạnh, còn mối liên kết với nguyên tử Si thứ tư bị thiếu một
điện tử được coi như một lỗ trống. Các mối liên kết bị thiếu một điện tử này dễ dàng được lấp
đầy bởi một điện tử được bắn ra từ các mối liên kết bên cạnh bị phá vỡ, như vậy lỗ trống có thể
di chuyển được, tạo thành dòng điện.
Khi nhiệt độ tăng lên số mối liên kết bị phá vỡ càng nhiều làm cho số lượng điện tử tự do
và lỗ trỗng tăng. Nhưng ở bán dẫn có pha thêm các tạp chất thuộc nhóm III thì số lượng các lỗ
trống bao giờ cũng lớn hơn số lượng các điện tử tự do.

Hình 3.12 Hình ảnh hai chiều của chất bán dẫn loại P
Kết luận: Loại bán dẫn mà dẫn xuất được thực hiện chủ yếu bằng các lỗ trống gọi là chất
bán dẫn tạp loại P. Lỗ trống gọi là hạt dẫn điện đa số. Điện tử tự do là hạt dẫn điện thiểu số.
▪ Chất bán dẫn tạp loại N

Hình 3.13 Hình ảnh hai chiều của chất bán dẫn loại N
Tiến hành pha thêm các nguyên tố thuộc nhóm V trong bảng tuần hoàn (As, P…) vào
trong cấu trúc mạng tinh thể của nguyên tử Si. Khi đó một số nguyên tử P sẽ thay thế một số vị
trí nguyên tử Si trong mạng tinh thể.
11
 Nguyên tử P có năm điện tử hoá trị, bốn trong năm điện tử hoá trị sẽ tham gia vào bốn
mối liên kết với bốn nguyên tử Si đứng xung quanh nó, còn điện tử hoá trị thứ năm không tham
gia vào mối liên kết nào mà chịu sự ràng buộc rất yếu với hạt nhân, chúng dễ dàng tách khỏi
mối liên kết với hạt nhân để trở thành các điện tử tự do và sẽ tham gia vào việc vận chuyển
dòng điện.
Khi nhiệt độ tăng lên, số mối liên kết bị phá vỡ càng tăng sinh ra nhiều cặp điện tử tự do
- lỗ trống. Nhưng ở chất bán dẫn pha thêm tạp chất thuộc nhóm V thì số lượng các điện tử tự
do bao giờ cũng lớn hơn số lượng các lỗ trống.
Kết luận: Loại bán dẫn mà dẫn xuất được thực hiện chủ yếu bằng các điện tử tự do gọi
là chất bán dẫn tạp loại N. Điện tử tự do là hạt dẫn đa số, lỗ trống là hạt dẫn thiểu số.
3.1.2.3. Tiếp giáp P-N
▪ Tiếp giáp P-N khi chưa có điện trường ngoài
Khi cho hai khối bán dẫn P và N tiếp xúc công nghệ với nhau, giữa hai khối bán dẫn hình
thành một mặt tiếp xúc P-N (Hình 3.14). Do sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối sẽ
xảy ra sự khuyếch tán. Các lỗ trống ở khối P sẽ khuyếch tán sang khối N và các điện tử từ khối
N sẽ khuyếch tán sang khối P tạo nên dòng điện khuếch tán (Ik,tán).

Hình 3.14 Tiếp giáp P-N khi chưa có điện trường ngoài
Kết quả làm cho bề mặt gần lớp tiếp giáp của khối P nghèo đi về điện tích dương và giàu
lên về điện tích âm. Bề mặt gần lớp tiếp giáp của khối N mất điện tích âm và nhận thêm lỗ trống
nên tích điện dương. Nếu sự chênh lệch về nồng độ các loại hạt mang điện ở hai khối này càng
lớn thì sự khuếch tán diễn ra càng mạnh.
Kết quả: Hai bên mặt tiếp giáp hình thành nên điện trường vùng tiếp xúc Et,xúc có chiều
hướng từ khối N sang khối P. Điện trường tiếp xúc này cản trở sự khuyếch tán của các hạt mang
điện đa số từ khối này sang khối kia. Khi Et,xúc cân bằng với lực khuyếch tán thì trạng thái cân
bằng động xảy ra. Khi đó vùng điện tích không gian không tăng nữa, vùng này gọi là vùng
nghèo (vùng thiếu vắng hạt dẫn điện) đó là chuyển tiếp P-N bao gồm các ion không di chuyển
được. Khi cân bằng động, có bao nhiêu hạt dẫn điện khuyếch tán từ khối này sang khối kia thì
cũng bấy nhiêu hạt dẫn được chuyển trở lại qua mặt tiếp xúc, chúng bằng nhau về trị số nhưng
ngược chiều nhau nên chúng triệt tiêu nhau, kết quả dòng điện qua tiếp xúc P-N bằng 0.
Kết luận: Không có dòng điện chạy qua lớp tiếp giáp P – N khi chưa có điện trường
ngoài.
Dòng điện trôi Itrôi và trạng thái cân bằng: Ngoài thành phần dòng điện Ik,tán do sự
khuếch tán các hạt đa số, có một thành phần do sự trôi hạt mang điện thiểu số. Rõ ràng, một
12
phần lỗ trống sinh ra bởi nhiệt ở bán dẫn loại n khuếch tán qua lớp n tới rìa của vùng nghèo. Ở
đây, chúng chịu ảnh hưởng của điện trường vùng nghèo, điện trường này quét chúng tới lớp p.
Tương tự, một số electron sinh ra bởi nhiệt trong vùng p khuếch tán tới rìa của vùng nghèo và
được quét bởi điện trường vùng nghèo tới phía n. Hai thành phần dòng điện này – electron di
chuyển trôi từ vùng p sang n và lỗ trống di chuyển từ n sang p tạo thành dòng trôi Itrôi như trong
Hình 3.14. Vì dòng điện IS được tạo thành do các hạt thiểu số sinh ra bởi nhiệt, nên nó phụ thuộc
nhiều vào nhiệt độ, tuy nhiên, chúng không phụ thuộc với giá trị điện áp vùng nghèo Ut,xúc
Trong điều kiện chưa có điện trường ngoài, hai dòng điện ngược nhau, bằng nhau về độ
lớn:
Ik,tán = Itrôi
Điều kiện cân bằng này được duy trì bởi điện áp rào cản Ut,xúc. Do đó, nếu vì một vài lý
do nào đó Ik,tán lớn hơn Itrôi thì nhiều điện tích liên kết sẽ không bị trung hòa ở cả hai phía của
lớp tiếp giáp, vùng nghèo sẽ mở rộng ra, và điện áp trên nó (Ut,xúc) sẽ tăng lên. Điều này làm
cho dòng điện ID giảm đến khi đạt được cân bằng Ik,tán = Itrôi. Mặt khác, nếu Ik,tán lớn hơn Itrôi,
thì lượng điện tích không bị trung hòa sẽ giảm, lớp nghèo thu hẹp lại, và điện áp trên nó (Ut,xúc)
sẽ giảm. Do đó dòng điện ID tăng lên tới khi đạt được cân bằng Ik,tán = Itrôi.
▪ Tiếp giáp P- N khi có điện trường ngoài
a) Trường hợp phân cực thuận
Đặt điện áp một chiều vào tiếp giáp P-N sao cho cực dương nối vào khối P, cực âm nối
vào khối N. Điện áp này tạo ra một điện trường ngoài Engoài có chiều hướng từ khối P sang khối
N. Khi đó điện trường ngoài Eng có chiều ngược với điện trường vùng tiếp xúc Et,xúc nên điện
trường tổng ở vùng tiếp xúc giảm.

Hình 3.15 Tiếp giáp P-N khi được phân cực thuận
E = Et,xúc – Engoài giảm. Khi đó bề rộng vùng nghèo giảm làm cho sự khuyếch tán diễn
ra dễ dàng. Các hạt mang điện đa số dễ dàng khuyếch tán từ khối này sang khối kia. Do mật độ
hạt mang điện đa số lớn nên dòng khuyếch tán Ikt lớn, dòng điện này gọi là dòng điện thuận
𝐼𝑇ℎ𝑢ậ𝑛 . Ta nói tiếp giáp P-N thông.
Trong đó:
𝑙𝑜 : Bề rộng vùng nghèo khi chưa có điện trường ngoài
𝑙𝑜 ’: Bề rộng vùng nghèo khi phân cực thuận

13
 Do số lượng hạt dẫn thiểu số ít, nên dòng điện trôi dạt rất nhỏ, Itrôi  0. Điện trở tiếp giáp
P- N trong trường hợp này gọi là điện trở thuận, có giá trị nhỏ Rthuận  0.
b) Trường hợp phân cực ngược
Đặt cực dương vào khối N, cực âm vào khối P. Khi đó Engoài cùng chiều với Et,xúc nên
điện trường tổng ở vùng tiếp xúc tăng, do đó bề rộng vùng nghèo tăng, nó ngăn cản các hạt dẫn
đa số khuếch tán từ khối này sang khối kia, do vậy dòng khuếch tán coi Ikt = 0. Dòng điện trôi
có giá trị nhỏ do số hạt dẫn thiểu số rất ít, Itrôi = 0, nên dòng điện qua tiếp giáp P-N khi phân
cực ngược có giá trị bằng 0.
Ta nói tiếp giáp P-N bị khoá, trong trường hợp này tiếp giáp P-N coi như một điện trở có
giá trị vô cùng lớn gọi là điện trở ngược, Rng  .

Hình 3.16 Tiếp giáp P-N khi được phân cực ngược
Kết luận: Từ những phân tích trên chúng ta thấy rằng: Khi ghép giữa hai khối bán dẫn
P-N luôn luôn hình thành một điện thế rào chắn (Et,xúc), Điện thế rào chắn này không cho các
hạt dẫn điện di chuyển (không sinh ra dòng điện). Tiếp giáp P-N chỉ có tác dụng dẫn điện theo
một chiều (từ khối P sang khối N) khi được phân cực thuận. Tính chất này gọi là tính chất van
của tiếp giám P-N.
3.1.3. Cấu trúc vật lý, ký hiệu và nguyên lý làm việc của Diode
3.1.3.1. Cấu tạo và ký hiệu

Hình 3.17 Cấu tạo chung và ký hiệu của Diode

Diode được cấu tạo gồm hai khối bán dẫn P và N được ghép tiếp giáp nhau Hình 3.17(a)
. Điện cực nối với khối P được gọi là Anốt (ký hiệu là A), điện cực nối với khối N gọi là Katốt
(ký hiệu là K), toàn bộ cấu trúc trên được bọc trong một lớp vỏ bằng kim loại hay bằng nhựa.
Ký hiệu của Diode được minh họa như trong Hình 3.17(b).
3.1.3.2. Nguyên lý làm việc
Nhìn vào cấu tạo chung của diode chúng ta thấy rằng Diode thực chất là một tiếp giáp P-
N. Do đó nguyên lý làm việc của Diode chính là nguyên lý làm việc của lớp tiếp giáp P-N (đã

14
được trình bày ở trên). Theo đó, để Diode làm việc (dẫn dòng) chúng ta thực hiện phân cực
thuận cho Diode bằng cách cấp nguồn VAK ≥ Et,xúc. Khi bị phân cực ngược VAK ≤ 0, thì diode
sẽ không làm việc (không dẫn dòng). Vì vậy, chúng ta có thể nói rằng Diode có tính chất van
bán dẫn. Thông thường Et,xúc = (0,60,7) (V) nếu Diode được chế tạo từ vật liệu Silic, Et,xúc =
(0,20,3) (V) nếu Diode được chế tạo từ vật liệu Germanium.
3.2. Đặc tuyến của Diode
Hình 3.18 minh họa đặc tuyến làm việc 𝑖𝐷 − 𝑣𝐴𝐾 của Diode tiếp giáp silic. Như trên hình
vẽ, Đường cong đặc tuyến làm việc được chia ra làm ba phần riêng biệt:
1. Vùng phân cực thuận, xác định bởi 𝑣𝐴𝐾 > 0
2. Vùng phân cực ngược, xác định bởi 𝑣𝐴𝐾 < 0
3. Vùng đánh thủng, xác định bởi 𝑣𝐴𝐾 < −𝑉𝑍𝐾

Hình 3.18 Đặc tính 𝒊𝑫 − 𝒗𝑨𝑲 của Diode tiếp giáp silic
3.2.1. Vùng phân cực thuận
Vùng phân cực thuận hay đơn giản là vùng thuận, xác định khi cực dương của điện áp đặt
vào nối với cực dương anot của Diode. Trong vùng phân cực thuận 𝑖𝐷 − 𝑣𝐴𝐾 quan hệ với nhau
theo công thức xấp xỉ:

𝑖𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑣𝐴𝐾 ⁄𝑛𝑉𝑇 − 1) (3.1)

Trong phương trình này:

𝐼𝑆 là hằng số phụ thuộc vào loại Diode và nhiệt độ. Dòng 𝐼𝑆 thường được gọi là dòng
bão hòa hay dòng tỷ lệ (vì nó tỷ lệ với diện tích vùng tiếp giáp). Với Diode tín hiệu nhỏ dùng
cho các ứng dụng công suất nhỏ, 𝐼𝑆 = 10-15A. Tuy nhiên giá trị của 𝐼𝑆 lại rất nhạy cảm với nhiệt
độ. Theo quy tắc ngón tay cái, Is sẽ tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng lên 5oC.
Điện áp 𝑉𝑇 trong phương trình (2.1) là hằng số và được gọi là điện áp nhiệt và được tính
bởi công thức:
𝑘𝑇 (3.2)
𝑉𝑇 =
𝑞
Trong đó:
𝑘 - Hằng số Boltzman = 1.38*10-23 J/K.

15
 𝑇 – Nhiệt độ Kelvins = 273 + nhiệt độ tính theo 0C.
𝑞 – Điện tích của hạt electron = 1.60x10-19 Culông.
Tại nhiệt độ phòng (200C) giá trị của 𝑉𝑇 = 25𝑚𝑉.
Hằng số n có giá trị nằm giữa 1 và 2, phụ thuộc vào vật liệu và cấu trúc vật lý của Diode.
Diode được dùng trong mạch tích hợp chuẩn thì n=1 khi hoạt động ở điều kiện thường, còn các
trường hợp khác, ta chọn n=2. Trường hợp tổng quát, ta sẽ lấy n=1 trừ những trường hợp đặc
biệt khác.
Trong trường hợp phân cực thuận, đặc biệt với 𝑖𝐷 ≫ 𝐼𝑆 , phương trình (2.2) có thể tính
gần đúng bởi quan hệ hàm mũ sau:
𝑖𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑣𝐴𝐾 ⁄𝑉𝑇 (3.3)

Quan hệ này có thể biểu diễn dưới dạng logarit:

𝑖𝐷 (3.4)
𝑣𝐴𝐾 = 𝑛𝑉𝑇 𝑙𝑛
𝐼𝑆
Đặc tuyến 𝑖𝐷 − 𝑣𝐴𝐾 trong miền phân cực thuận (Hình 3.18) cho thấy rằng dòng điện 𝑖𝐷
là nhỏ không đáng kể khi điện áp nhỏ hơn 0.5V. Giá trị này thường được gọi là điện áp ngắt.
Vì cả 𝐼𝑆 và 𝑉𝑇 là hàm của nhiệt độ, nên đặc tuyến 𝑖𝐷 − 𝑣𝐴𝐾 thay đổi theo nhiệt độ, như
minh họa trong Hình 3.19. Với dòng qua Diode cho trước, điện áp rơi trên Diode giảm gần
2mV khi nhiệt độ tăng lên 10C. Sự thay đổi điện áp của Diode với nhiệt độ có thể được sử dụng
trong thiết kế nhiệt kế điện tử.

Hình 3.19 Sự phụ thuộc nhiệt độ của Diode khi được phân cực thuận
3.2.2. Vùng phân cực ngược
Vùng phân cực ngược là vùng tại thời điểm đó điện áp đặt vào Diode 𝑣𝐴𝐾 là âm. Phương
trình (2.1) cho thấy rằng nếu 𝑣𝐴𝐾 là âm, biên độ gấp vài lần VT (25mV), hàm số mũ sẽ trở nên
rất nhỏ so với 1 và dòng qua Diode :
𝑖𝐷 ≈ −𝐼𝑆
Các Diode trong thực tế đều có dòng ngược nhỏ, tuy nhiên lớn hơn nhiều so với 𝐼𝑆 . Ví
dụ, với Diode tín hiệu nhỏ mà 𝐼𝑆 = (10-14 ÷10-15) (A). Dòng ngược cũng tăng lên một ít khi
điện áp ngược tăng lên.
Phần lớn của dòng ngược là dòng điện dò. Các dòng dò này tỷ lệ với diện tích vùng tiếp
giáp giống như 𝐼𝑆 . Tuy nhiên, sự phụ thuộc vào nhiệt độ của nó khác so với IS. 𝐼𝑆 tăng gấp đôi
khi nhiệt độ tăng lên 50C, còn dòng điện dò sẽ tăng lên gấp đôi khi nhiệt độ tăng lên 100C.

16
 3.2.3. Vùng đánh thủng
Vùng thứ 3 trong vùng hoạt động của Diode là vùng đánh thủng. Vùng đánh thủng là
vùng khi điện áp ngược vượt quá giá trị ngưỡng, giá trị ngưỡng này là riêng cho từng Diode,
được gọi là điện áp đánh thủng (Đó là điện áp ở điểm “gẫy gập” của đặc tuyến 𝑖𝐷 − 𝑣𝐴𝐾 trong
Hình 3.18), ký hiệu là 𝑉𝑍𝐾 ở đây Z có nghĩa là Zener và K ký hiệu cho điểm gẫy.
Tại vùng đánh thủng, dòng ngược tăng lên nhanh chóng trong khi điện áp tăng rất nhỏ.
Đánh thủng Diode thường không bị phá hủy về cấu trúc miễn là công suất tiêu thụ của Diode
được giới hạn bởi mạch ngoài ở mức an toàn. Giá trị an toàn này thường được xác định trong
bảng dữ liệu kỹ thuật (data sheet) tương ứng với mỗi loại Diode.
3.3. Mô hình tương đương của Diode
3.3.1. Mô hình Diode lý tưởng
Trong mô hình Diode lý tưởng, Diode bán dẫn được xem như Diode lý tưởng như
trình bày trong mục 3.1.1.
Ví dụ 3.3:
Xác định giá trị dòng ID và điện áp trên điốt VD cho mạch trong hình vẽ với VDD=5V và
R=1 kΩ sử dụng Mô hình diode lý tưởng

Hình 3.20. Mạch cho ví dụ 3.3

Lời giải:
Theo mạch điện ta thấy diode phân cực thuận. Áp dụng mô hình lý tưởng ta có:
VD = 0V
5
ID = = 5mA
1
3.3.2. Mô hình sụt áp không đổi

Hình 3.21 Mô hình sụt áp không đổi: (a) đặc tuyến làm việc, (b) mạch tương đương
khi phân cực thuận, (c) mạch tương đương khi phân cực ngược

17
 Mô hình tuyến tính từng đoạn mô tả như trong Hình 3.21. Mô hình này gồm 1 diode lý
tưởng mắc nối tiếp với nguồn một chiều 𝑉𝐷 = 0.7𝑉. Giá trị của điện áp 𝑉𝐷 chính là giá trị của
điện áp tiếp giáp của diode, giá trị này nằm trong dải 𝑉𝐷 = (0.6 ÷ 0.8)𝑉.
Ví dụ 3.4:
Xác định giá trị dòng ID và điện áp trên điốt VD cho mạch trong Hình 3.20 với VDD=5V
và R = 1k  . Giả sử điốt được biểu diễn tương đương bởi mô hình sụt áp không đổi .
Lời giải:
Nếu sử dụng mô hình sụt áp không đổi để giải các bài toán thì ta có VD = 0.7V và :
VDD − 0.7 5 − 0.7
ID = = = 4.3 mA
R 1
3.3.3. Mô hình tuyến tính từng đoạn (The Pieciwise Model)

Hình 3.22 Mô hình tuyến tính từng đoạn: (a) đặc tuyến làm việc, (b) mạch tương
đương khi phân cực thuận, (c) mạch tương đương khi phân cực ngược
Mô hình tuyến tính từng đoạn mô tả như trong Hình 3.22. Lưu ý Diode lý tưởng trong
mô hình này bị ràng buộc bởi 𝑖𝐷 để phân cực thuận. Mô hình này cũng được biết đến như mô
hình nguồn pin có điện trở trong.
Ví dụ 3.5: Tính 𝐼𝐷 và 𝑉𝐷 cho mạch điện Hình 3.20 khi sử dụng mô hình tuyến tính từng
đoạn với 𝑉𝐷𝑂 = 0.65𝑉, 𝑟𝐷 = 20Ω.
Lời giải:
Do diode được phân cực thuận, sử dụng mô hình thay thế tương đương trong Hình 3.22(b)
thay cho diode trong mạch Hình 3.20, ta được sơ đồ mạch điện như trong Hình 3.23

Hình 3.23 Mạch điện khi sử dụng mô hình tuyến tính hóa từng đoạn của diode
Khi đó dòng điện 𝐼𝐷 đi qua diode là:
5 − 0.65
ID = = 4.26 mA
1 + 0.02
Điện áp 𝑉𝐷 của Diode được tính:

18
 VD = VD 0 + I D rD = 0.65 + 4.26  0.02 = 0.735 V
3.3.4. Mô hình hàm số mũ (The Exponential model)
Đa số những mô tả đúng đắn về hoạt động của Diode trong miền phân cực thuận là mô
hình hàm số mũ. Tuy nhiên, tính phi tuyến của nó làm cho mô hình này rất khó khi sử dụng.
Để minh họa, hãy phân tích mạch Hình 3.20 sử dụng mô hình hàm số mũ của Diode.
Giả sử rằng VDD lớn hơn 0.5V, khi đó dòng điện đi qua Diode:
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑣𝐷⁄𝑉𝑇 (3.5)

Mặt khác, Áp dụng luật Kirchhoff ta lại có:

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷 (3.6)
𝐼𝐷 =
𝑅
Từ phương trình (3.5) và (3.6), chúng ta thấy rằng chúng có hai ẩn là 𝐼𝐷 và 𝑉𝐷 . Để xác
định giá trị của 2 ẩn này, chúng ta sử dụng phương pháp phân tích đồ thị.
Phân tích đồ thị được thực hiện bằng cách vẽ phương trình (3.5) và (3.6) trên mặt phẳng
𝑖 − 𝑣. Như chỉ ra trong Hình 3.24, Đường cong thể hiện phương trình mũ (3.5) của Diode và
đường thẳng thể hiện phương trình (3.6). Đường thẳng này gọi là đường tải. Đường tải cắt
đường đặc tuyến Diode tại điểm Q, gọi là điểm làm việc của mạch. Từ điểm chúng ta xác định
được giá trị của 𝐼𝐷 và 𝑉𝐷 . Phân tích đồ thị hỗ trợ trong việc hình dung hoạt động của mạch. Tuy
nhiên, đối với các mạch phức tạp thì phương pháp này khó thực hiện trong thực tế.

Đặc tuyến của điôt

Điểm làm việc

Đường tải

Độ dốc =

Hình 3.24 Phân tích đồ thị của mạch điện Hình 3.20

Ví dụ 3.6:
Xác định giá trị dòng ID và điện áp trên điốt VD cho mạch trong Hình 3.20 với VDD=5V
và R = 1k  . Giả sử điốt có dòng 1mA tại điện áp 0.7V và điện áp của rơi trên nó thay đổi 0.1V
với mỗi 10 lần thay đổi dòng điện.
Lời giải
VDD − VD
Để bắt đầu bước lặp, ta giả sử rằng VD=0.7V và sử dụng phương trình I D = để
R
xác định dòng điện:
VDD − VD 5 − 0.7
ID = = = 4.3 mA
R 1

19
 Sau đó ta sử dụng phương trình điốt để có giá trị xấp xỉ gần đúng của VD bằng cách áp
dụng phương trình:
I2
V2 − V1 = 2.3nVT log
I1
Trong trường hợp này 2.3nVT = 0.1V , do đó:
I2
V2 = V1 + 0.1log
I1
Thế V1=0.7V, I1=1mA và I2=4.3mA kết quả được V2=0.763V. Do đó kết quả của lần lặp
đầu tiên là ID=4.3mA và VD =0.763V. Trong lần lặp thứ ha, xử lý tương tự ta được:
5 − 0.763
ID = = 4.237 mA
1
 4.237 
V2 = 0.763 + 0.1log  = 0.762 V
 4.3 
Do đó ở lần lặp thứ hai kết quả là ID=4.237 mA và VD = 0.762V. Không cần thiết phải lặp
nhiều lần nữa, vì các giá trị này không khác nhau nhiều từ giá trị xác định sau lần lặp đầu tiên
và kết quả cuối cùng:ID =4.237 mA và VD = 0.762V.
Lưu ý nếu sử dụng mô hình sụt áp không đđể giải các bài toán thì ta có: VD = 0.7V và :
V − 0.7 5 − 0.7
I D = DD = = 4.3 mA
R 1
Giá trị này không khác nhiều với các giá trị ở phần trước với các mô hình chi tiết.
3.3.5. Mô hình tín hiệu nhỏ

Hình 3.25 Sự gia tăng của mô hình tín hiệu nhỏ. Chú ý các giá trị bằng số biểu thị trên
hình tương ứng với điốt có n = 2.
20
 Đây là ứng dụng mà tại đó một điốt được phân áp để hoạt động tại một điểm trên đặc
tuyến thuận i-v và một tín hiệu nhỏ xoay chiều được xếp chồng với đại lượng một chiều.
Với trường hợp này, đầu tiên chúng ta phải xác định điểm làm việc một chiều của điốt ( I D
và VD ) sử dụng một trong các mô hình ở trên. Thông thường, mô hình điện áp 0.7V được sử
dụng. Sau đó, với tín hiệu nhỏ làm việc quanh điểm phân áp DC, điốt được mô hình hóa tốt
nhất bằng trở kháng có giá trị bằng với nghịch đảo độ dốc của tiếp tuyến tại điểm làm việc
của đặc tuyến i-v.
Xét mạch trong Hình 3.25 (a) và tương ứng với hình ảnh minh họa trong Hình 3.25 (b).
Điện áp một chiều VD , được biểu diễn bởi một nguồn pin, được đặt lên điốt, và tín hiệu
biến đổi theo thời gian vd (t ) , giả sử có một sóng dạng tam giác, được xếp chồng trên điện
áp một chiều VD . Khi không có tín hiệu vd (t ) , điện áp rơi trên điốt bằng VD và tương ứng,
điốt sẽ dẫn một dòng một chiều I D được tính bởi:

I D = I S eVD / nVT (3.7)

Khi có tín hiệu vd (t ) , tổng điện áp tức thời trên điốt sẽ được tính:

vD (t ) = VD + vd (t ) ((3.8)

Tương đương với tổng dòng điện tức thời trên điốt iD (t ) sẽ bằng:

iD (t ) = I S evD / nVT (3.9)

Thay vD trong phương trình (3.7) ta được

iD (t ) = I S e(VD + vd )/ nVT
Phương trình này có thể viết:

iD (t ) = I S eVD / nVT evd / nVT

Sử dụng phương trình (3.9) chúng ta tìm được:

iD (t ) = I D evd / nVT (3.10)

Nếu biên độ của tín hiệu vd (t ) đủ nhỏ sao cho

vd (3.11)
1
nVT

Chúng ta có thể khai triển hàm mũ của phương trình (3.10) thành một chuỗi và rút
gọn chuỗi sau hai số hạng đầu tiên ta thu được:

 v 
iD (t ) I D 1 + d  (3.12)
 nVT 

21
 Đây là xấp xỉ với tín hiệu nhỏ. Chúng phù hợp với các tín hiệu có biên độ nhỏ hơn
10mA và hợp n = 2 và 5mV với n=1(xem phương trình 3.11 nhớ là VT = 25mV ).

Từ phương trình (3.12) chúng ta có:

ID
iD (t ) = I D + d (3.13)
nVT

Do đó, xếp chồng lên dòng một chiều I D , chúng ta có một thành phần dòng điện tỷ
lệ tương ứng với tín hiệu điện áp vd . Nghĩa là:

iD = I D + id (3.14)

Trong đó:

ID
id = d (3.15)
nVT

Đại lượng thể hiện quan hệ tín hiệu dòng điện id với tín hiệu điện áp vd có đơn vị
của độ dẫn điện, và được gọi là độ dẫn tín hiệu nhỏ của điot. Nghịch đảo với thông số này
là trở kháng với tín hiệu nhỏ của diot hay
nVT
rd = (3.16)
ID
Chú ý giá trị của rd là tỷ lệ nghịch với dòng điện phân cực ID
Chúng ta quay lại với hình vẽ trong Hình 3.25 (b). Dễ thấy rằng sử dụng mô hình xấp
xỉ với tín hiệu nhỏ tương đương với giả thiết rằng biên độ tín hiệu là đủ nhỏ để theo đường
cong i-v có thể xấp xỉ thành một đoạn tuyến tính ngắn. Độ dốc của đoạn này, bằng với độ
dốc của đường tuyến tính với đường cong i-v tại điểm làm việc Q, cũng bằng với độ dẫn tín
hiệu nhỏ. Người đọc được khuyến khích chứng minh xem độ dốc của đường cong i −  tại i
= ID là bằng ID/nVT,
 i 
r d = 1/  D  (3.17)
 vD  iD = I D
Từ đó chúng ta kết luận rằng xếp chồng trên đại lượng VD và I D -được định ngĩa là
điểm phân cực một chiều, hoặc điểm làm việc tĩnh, của điốt ta được các đại lượng tín hiệu
nhỏ vd (t ) và id (t ) , đại lượng này quan hệ bởi trở kháng điốt với tín hiệu nhỏ r d mà được
tính tại điểm phân cực (phương trình 3.16). Do đó việc phân tích với tín hiệu nhỏ có thể
được thực hiện riêng biệt từ phân tích phân cực một chiều - một sự thuận tiện có được từ
kết quả của việc tuyến tính hóa đặc tuyến của điốt ở xấp xỉ tín hiệu nhỏ. Đặc biệt, sau khi
phân tích tín hiệu một chiều DC được thực hiện, ta thu được mạch tương đương bằng cách
loại bỏ tất cả các nguồn một chiều DC (ví dụ như ngắn mạch các nguồn điện áp một chiều
22
và hở mạch các nguồn dòng điện một chiều và thay thế các điốt bằng một trở kháng tín hiệu
nhỏ của chúng.
3.4. Các tham số cơ bản của Diode
Khi sử dụng diode vào các ứng dụng thực tế, chúng ta phải quan tâm đến các tham số cơ
của diode, từ các tham số này chúng ta xác định xem diode có đáp ứng được các thông số kỹ
thuật cần thiết kế. Các tham số này được chia làm 2 nhóm:
a) Các tham số giới hạn
- 𝑣𝑛𝑔𝑚𝑎𝑥 hay PIV (Peak inverse voltage) là giá trị điện áp ngược lớn nhất đặt lên Diode
mà tính chất van của nó chưa bị phá hỏng.
- Imax.cp là dòng điện thuận lớn nhất đi qua khi Diode mở.
- Công suất tiêu hao cực đại cho phép: Pcp.
- Tần số làm việc cho phép: fmax
b) Các tham số làm việc:
- Điện trở một chiều của Diode Rđ
- Điện trở xoay chiều của Diode rđ
3.5. Một số loại Diode đặc biệt
Trong phần này, ta đề cập một cách ngắn gọn một số loại điôt đặc biệt quan trọng.
3.5.1. Diode ổn áp (Zener)
Độ dốc đường cong 𝑖𝐷 − 𝑣𝐴𝐾 của Diode ở vùng đánh thủng (Hình 3.18) và sụt áp ở vùng
này gần như hằng số, gợi ý rằng Diode hoạt động ở vùng đánh thủng có thể được sử dụng trong
thiết kế bộ ổn định điện áp. Thực tế, có một loại Diode đặc biệt được chế tạo để hoạt động tại
vùng đánh thủng. Các Diode như vậy gọi là Diode đánh thủng hoặc thông dụng hơn gọi là là
Diode Zener.

Hình 3.26 (a) Ký hiệu Diode Zener, (b) Mạch ổn áp đơn giản sử dụng Diode Zenner
Hình 3.26(a) minh họa ký hiệu của Diode zener. Trong các ứng dụng thông thường của
Diode zener, dòng điện đi vào Katốt, và Katốt là dương so với với cực Katốt. Do đó 𝐼𝑍 và 𝑉𝑍
trong có giá trị dương.
Hình 3.27 trình bày chi tiết đặc tuyến 𝑖 − 𝑣 của Diode ổn áp Zenner. Quan sát chúng ta
thấy rằng:
- Nhánh thuận đặc tuyến V-A của diode này giống như diode chỉnh lưu thông thường
nhưng nhánh ngược có phần khác: Lúc đầu khi điện áp ngược còn nhỏ thì 𝐼𝑛𝑔 có trị số nhỏ
giống như các diode thông thường.
- Khi điện áp ngược đạt tới giá trị điện áp ngược đánh thủng thì dòng điện ngược qua
diode tăng lên đột ngột còn điện áp ngược trên diode được giữ hầu như không đổi. Đoạn đặc
tuyến gần như song song với trục dòng điện (đoạn A-B). Đoạn (A-B) được giới hạn bởi (IZTmin,
IZTmax) là đoạn làm việc của diode ổn áp.

23
 Để đảm bảo cho hiện tượng đánh thủng về điện không kéo theo đánh thủng về nhiệt làm
cho diode bị hỏng, khi chế tạo người ta đã tính toán để tiếp giáp P-N chịu được dòng điện
ngược. Mặt khác, trong mạch điện còn đặt điện trở hạn chế để hạn chế không cho dòng điện
ngược qua diode vượt quá dòng điện ngược cho phép.
- Khi dòng điện qua diode nhỏ hơn giá trị Iôđmin thì diode làm việc ở đoạn OA nên không
có tác dụng ổn định điện áp.
- Khi dòng điện qua diode lớn hơn giá trị Iôđmax thì công suất toả ra trên diode vượt quá
công suất cho phép có thể làm cho diode bị phá hỏng vì nhiệt.
𝒊
−𝑉𝑍𝑂 = 𝑉𝑂
 −𝑉𝑍𝐾
𝑉
−𝑉𝑍
𝑉
I
u 𝒗
I

độ 𝒅ố𝒄 I
𝟏 
= I
𝒓𝒛 𝐼

Hình 3.27 Đặc tuyến V-A của diode ổn áp

Nhà sản xuất thường ghi rõ điện áp qua Diode Zener 𝑉𝑍 tại dòng điện xác định 𝐼𝑍𝑇 (giá trị
này được gọi là giá trị danh định), tương ứng với điểm ký hiệu Q. Khi dòng qua zener sai lệch
với 𝐼𝑍𝑇 , điện áp qua nó sẽ thay đổi, mặc dù rất nhỏ. Nếu dòng điện thay đổi ∆𝐼 dẫn đến điện áp
thay đổi ∆𝑉𝑂 , với thì mối quan hệ ∆𝐼) và là:
∆𝑉𝑂 = 𝑟𝑍 ∆𝐼𝑂 (3.18)

Ở đây 𝑟𝑍 là nghịch đảo độ dốc của đường cong gần tuyến tính i − v tại điểm Q. Điện trở
𝑟𝑍 là điện trở gia tăng của Diode Zener tại điểm hoạt động Q. Nó cũng được biết đến là điện
trở động của Diode zener và giá trị được xác định trong datasheet của linh kiện. Thông thường,
𝑟𝑍 là trong khoảng vài Ω đến vài chục Ω. Hiển nhiên giá trị 𝑟𝑍 càng nhỏ thì điện áp zener càng
không đổi khi dòng điện thay đổi và hoạt động càng lý tưởng. Diode zener được chế tạo với
điện áp VZ nằm trong khoảng vài Vôn đến vài trăm Vôn.
Trong mạch ổn áp diode ổn áp mắc song song với phụ tải như được minh họa trong Hình
3.26(b).
Nếu 𝑉𝐼 thay đổi, RL không đổi, trên đặc tuyến 𝑖 − 𝑣 khi 𝑉𝐼 thay đổi, ∆𝑉𝐼 thay đổi một
lượng khá lớn nhưng 𝑉𝑂 thay đổi một lượng ∆𝑉𝑂 rất nhỏ, dường như mọi sự thay đổi của 𝑉𝐼
đều hạ trên Rhc, đảm bảo điện áp ra tải không thay đổi.
Nếu 𝑉𝐼 không đổi, Rt thay đổi. Lúc đó nội trở của diode thay đổi dẫn tới sự phân bố lại
dòng điện qua diode và qua tải đảm bảo cho điện áp ra tải là không đổi.
Đặc tuyến gần tuyến tính i − v của Diode Zener cho phép linh kiện này có thể được mô
hình hóa như trong Hình 3.28. Ở đây, 𝑉𝑍𝑂 ký hiệu giao điểm của đường thẳng có độ dốc 1/𝑟𝑍
và trục điện áp. Mặc dù 𝑉𝑍𝑂 khác biệt nhỏ so với điện áp gấp khúc 𝑉𝑍 , nhưng trong thực tế các
24
giá trị của chúng gần bằng nhau. Mô hình mạch tương đượng của Hình 3.28 có thể phân tích
như sau:
𝑉𝑍 = 𝑉𝑍𝑂 + 𝑟𝑍 𝐼𝑍 (3.19)

Hình 3.28 Mô hình tương đương của Diode Zener

Ví dụ 3.6: Một Diode zener 6.8V trong mạch như hình vẽ (a) được ghi rõ có VZ = 6.8V
tại IZ = 5mA, rz = 20 , và IZK = 0.2 mA. Điện áp cung cấp V+ có giá trị danh định là 10V
nhưng có thể thay đổi  1 V.

Hình 3.29 Hình cho ví dụ 3.4: (a) Mạch điện (b) Mạch với Diode zener thay thế bởi
mạch tương đương với nó.
(a) Tìm VO khi không có tải và với V+ tại giá trị danh định của nó.
(b)Tìm sự thay đổi của ∆𝑉𝑂 khi V+ thay đổi  1V.
(c) Tìm sự thay đổi của của 𝑉𝑂 từ khi đầu ra được nối với điện trở tải RL, có dòng qua nó
∆𝑉
là 𝐼𝐿 = 1𝑚𝐴, và từ đó tìm sự điều chỉnh phụ tải ( 𝑂⁄∆𝐼 ).
𝐿
(d)Tìm sự thay đổi của 𝑉𝑂 khi RL = 2k 
(e) Tìm giá trị của 𝑉𝑂 tại RL = 0.5k 
(f) Tìm giá trị nhỏ nhất của RL để Diode vẫn hoạt động tại vùng đánh thủng
Lời giải:
Đầu tiên ta phải xác đinh giá trị tham số 𝑉𝑍𝑂 của Diode zener. Thay VZ = 6.8V, IZ = 5mA
và rZ = 20Ω vào phương trình: VZ = VZ 0 + rZ I Z Ta được 𝑉𝑍𝑂 = 6.7𝑉

Hình 3.29(b) biểu diễn mạch với Diode zener được thay thể bởi mô hình tương đương
của nó.
(a) Khi không có tải, dòng điện qua Diode zener được tính:
V + − VZ 0 10 − 6.7
IZ = I = = = 6.35 mA
R + rZ 0.5 + 0.02
25
 Do đó,
VO = VZ 0 + I Z rz = 6.7 + 6.35  0.02 = 6.83 V
(b)Với thay đổi  1V của V+, sự thay đổi điện áp đầu ra có thể tính:
r 20
VO = V + z = 1 = 38.5 mV
R + rz 500 + 20
(c) Khi có tải RL, dòng tải là IL =1 mA, dòng qua Diode zener sẽ giảm 1mA. Tương ứng
với sự thay đổi điện áp là:
VO = rz I Z = 20  −1 = −20 mV
Do đó sự điều chỉnh của phụ tải sẽ là:
∆𝑉𝑂
⁄∆𝐼 = −20𝑚𝑉⁄1𝑚𝐴 = −20(𝑚𝑉/𝑚𝐴)
𝐿
(d)Khi mắc thêm điện trở tải khoảng 2 kΩ, dòng tải sẽ xấp xỉ:
𝑉
𝐼𝐿 = 𝑍⁄𝑅 = 6.8𝑉⁄2𝑘 = 3.4𝑚𝐴
𝐿
Do đó sự thay đổi dòng điện qua zener sẽ là I Z = −3.4 mA và tương ứng với sự thay
đổi điện áp của Diode zener (điện áp đầu ra) là:
VO = rz I Z = 20  −3.4 = −68mV
Tuy nhiên, phép tính này là gần đúng vì ta bỏ qua sự thay đổi dòng điện I. Kết quả
chính xác hơn của ∆𝑉𝑂 có thể nhận được bằng cách phân tích mạch trong Hình 3.29b. Kết quả
của phân tích này là ∆𝑉𝑂 = −70𝑚𝑉.
(e) Với tải RL là 0.5kΩ dòng tải thu được là 6.8/0.5 = 13.6 mA. Điều này không thể, vì
dòng I cung cấp qua R chỉ là 6.4mA (với V+ = 10V). Do đó, Diode zener phải bị khóa. Nếu điều
này thực sự đúng, thì 𝑉𝑂 được xác định bởi phân áp cho bởi RL và R
RL 0.5
VO = V + = 10 =5 V
R + RL 0.5 + 0.5
Do điện áp này nhỏ hơn điện áp đánh thủng của Diode zener, Diode thực sự không
hoạt động tại vùng đánh thủng nữa.
(f) Với Diode zener tại rìa ngoài cùng của vùng đánh thủng IZ = IZTmin = 0.2 mA và VZ =
VZK = 6.7V. Tại điểm này dòng điện nhỏ nhất cung cấp qua R là (9 – 6.7)/0.5 = 4.6mA, và dòng
tải là 4.6 – 0.2 = 4.4 mA. Tương ứng với giá trị RL là:
𝑅𝐿 = 6.7⁄4.4 = 1.5𝑘Ω
3.5.2. Diode Schottky (SBD)
Diode Schottky được tạo thành bằng cách đưa kim loại tiếp xúc với một chất bán dẫn kiểu
n pha tạp vừa phải. Kết quả là ta có một lớp tiếp giáp kim loại-bán dẫn tương tự như Diode,
dòng dẫn trong một hướng (từ anot kim loại tới catot chất bán dẫn) và hoạt động như một mạch
hở, đó là Diode Schottky. Thực tế, đặc tuyến dòng-áp của SBD rất giống với Diode tiếp giáp,
với hai khái niệm quan trọng:
1. Ở SBD, dòng được dẫn bởi hạt mang đa số (electron). Do đó SBD không có hiệu ứng
lưu trữ điện tích hạt mang thiểu số như trong tiếp giáp pn phân cực thuận. Kết quả là SBD có
thể được ngắt từ on sang off và ngược lại với tần số có thể nhanh hơn Diode.
2. Điệp áp rơi thuận của SBD thấp hơn của Diode pn. Ví dụ, một SBD làm từ silic có điện
áp rơi thuận từ 0.3 đến 0.5V, còn Diode là 0.6 tới 0.8V. SBD có thế làm từ GaAs, và thực tế là

26
đóng vai trò quan trọng trong việc thiết kế mạch GaAs. SBD GaAs có điện áp rơi thuận khoảng
0.7V.
SBD có ứng dụng để thiết kế một dạng đặc biệt của mạch logic bipolar-tran, được biết
đến là Schottky-TTL, nghĩa là tran-tran logic
Không phải mọi tiếp xúc kim loại-chất bán dẫn là Diode. Thực tế, kim loại thường bị lắng
đọng trên bề mặt chất bán dẫn để taọ thành các cực cho linh kiện bán dẫn và để kết nối các linh
kiện khác trong một chip tích hợp. Những tiếp xúc kim loại – bán dẫn như vậy được biết đến là
tiếp xúc thuần trở để phân biệt với tiếp xúc SBD. Tiếp xúc thuần trở thường được tạo thành
bằng cách lắng đọng kim loại vào vùng bán dẫn pha tạp nhiều.
3.5.3. Diode biến dung

Hình 3.30 Hình dạng thực tế và kí hiệu của diode biến dung
Diode biến dung (Hay còn được gọi là Điốt biến dung, điốt biến đổi điện dung, điốt tham
số hoặc Diode Varicap, Varactor) là một loại diode được thiết kế như một tụ điện có khả năng
thay đổi điện dung bằng cách điều chỉnh mức điện áp tác dụng vào nó. Tức là khi ta thay đổi
điện áp ngược đặt vào diode thì điện dung sẽ biến đổi. Khi điện áp ngược đặt vào tăng lên,
chiều rộng của lớp tiếp giáp tăng, làm giảm điện dung của nó. Ngược lại, khi điện áp ngược đặt
vào giảm, độ rộng của lớp tiếp giáp giảm, làm tăng điện dung.
Đặc biệt, trị số của diode biến dung chỉ lên đến vài chục pF nên chỉ ứng dụng được với
mạch điều chỉnh tần số cao (Từ 50MHz trở lên).
Thông thường, điện dung của diode biến dung sẽ thay đổi dựa theo điện áp điều khiển
(Nằm trong khoảng 0 – 25 Volt, có trường hợp lên tới 100 Volt) và nằm trong khoảng từ 5pF
đến 25pF. Tuy nhiên, trong một vài trường hợp điện dung của diode có thể lên tới vài trăm pF.
Điốt biến dung được dùng nhiều cho máy thu hình, máy thu sóng FM, trong các mạch
điều chỉnh tần số cộng hưởng bằng điện áp và nhiều thiết bị truyền thông khác...

Hình 3.31 Ứng dụng của diode biến dung trong mạch cộng hưởng
Hình 3.31 minh họa ứng dụng của diode biến dung trong mạch cộng hưởng. Ta thấy khi
điện dung của diode thay đổi sẽ làm thay đổi tần số cộng hưởng của mạch. Cụ thể: Khi ta chỉnh

27
triết áp VR, điện áp ngược đặt vào Diode Varicap thay đổi , điện dung của diode thay đổi =>
làm thay đổi tần số công hưởng của mạch.
3.5.4. Diode thu quang

Hình 3.32 Hình dạng thực tế và kí hiệu của diode quang

Diode thu quang (Hay còn được gọi là Điốt quang hoặc Photodiode) là loại diode sử dụng
hiệu ứng quang điện để chuyển đổi photon thành điện tích.
Trên thực tế, diode thu quang được ứng dụng rộng rãi trong các kỹ thuật điện tử, đặc biệt
là các thiết bị đo đạc, truyền dẫn thông tin, giám sát và điều khiển… Vai trò chủ yếu của chúng
là cảm biến một trạng thái nào đó. Ví dụ như nhận biết khi nào giấy trong một khay máy in hết.
Diode thu quang cấu tạo gồm hai lớp bán dẫn khác loại (P – N) ghép với nhau (Lớp bán
dẫn loại P mỏng hơn lớp bán dẫn loại N) còn loại mới hơn có cấu trúc PIN. Nó được cấu thành
từ một số chất bán dẫn và vùng phổ ánh sáng làm việc. Phạm vi ánh sáng có thể nhìn thấy là từ
380 nm đến 780 nm.

Hình 3.33 Cấu tạo và nguyên lý làm việc của diode quang PIN
Diode thu quang làm việc dựa vào tiếp giáp P – N phân cực ngược. Nguồn phân cực
ngược V0 tạo ra điện trường ngoài (ENgoài), cùng chiều với Etx tạo thành điện trường tổng. Điện
trường này tạo thành một hàng rào thế cản trở dòng khuếch tán của các hạt mang điện. Ngược
lại, các lỗ trống trong lớp bán dẫn loại N và electron trong lớp bán dẫn loại P dưới tác dụng từ
ENgoài sẽ dễ dàng di chuyển được qua lớp tiếp xúc và tạo ra dòng điện ngược (Gọi là dòng tối).
Sau khi được phân cực ngược, ta chiếu vào photodiode một luồng sáng có bước sóng tự
do (λ) nhỏ hơn bước sóng cắt (λc), Es là độ rộng dải cấm. Sau đó, chất bán dẫn sẽ hấp thụ các

28
photon. Ánh sáng chiếu vào diode đi qua lớp bán dẫn P rất mỏng, qua vùng nghèo rồi đến bán
dẫn loại N. Trong quá trình này do các hạt photon bị hấp thụ dần trên suốt chiều dọc của diode
nên cường độ ánh cũng giảm theo.
Tại vùng nghèo các hạt trung hòa sẽ hấp thụ các photon. Dưới tác dụng của lực điện
trường ngoài lỗ trống được di chuyển sang bên lớp P còn các electron được di chuyển tới lớp
N. Tiếp đến, các electron đi đến điện cực dương của nguồn (Mạch ngoài) rồi đi qua cực âm vào
lớp bán dẫn P để tái hợp với các lỗ trống nhằm duy trì điện tích trung hòa. Như vậy nhờ tác
dụng của điện trường phân cực ngược mà ta đã tạo ra được dòng điện thu quang.
Trong quá trình photon di chuyển ở bên ngoài vùng nghèo, các photon cũng bị hấp thụ
và tạo ra các cặp điện tử – lỗ trống. Tuy nhiên các lỗ trống trong lớp N và electron trong lớp P
di chuyển rất chậm do lực điện trường yếu, va chạm vào các hạt mang điện trái dấu và tái hợp
với nhau. Vì thế nên các hạt mang điện này bị loại trừ và thời gian tồn tại của chúng rất ngắn.
Trong lớp bán dẫn gần với vùng nghèo vẫn có các hạt trung hòa về điện, khi có ánh sáng
tới các photon sẽ cung cấp năng lượng cho các electron bứt ra khỏi nguyên tử để tạo thành các
cặp electron – lỗ trống. Sau đó, các cặp này được khuếch tán qua vùng nghèo. Dưới tác động
của điện trường ngoài chúng tách ra và di chuyển đến các cực của nguồn điện. Bởi số lượng
các hạt mang điện ở vùng này không nhiều nên không ảnh hưởng quá lớn đến đáp ứng chung
của diode. Tuy nhiên chúng dẫn đến các xung của đáp ứng bị kéo dài ở sườn sau. Vì vậy nên
khi sử dụng ở các hệ thống tốc độ cao sẽ gây trễ, giao thoa giữa các ký hiệu và tăng tỷ số lỗi bit
BER cho hệ thống.
Cuối cùng, ta nên lưu ý rằng, nếu không có phân cực ngược, Diode quang có thể coi là
pin mặt trời. Thường được chế tạo từ silic giá rẻ, pin mặt trời biến ánh sáng thành năng lượng
điện
3.5.5. Diode phát quang (LED)
Diode phát quang (Hay còn được gọi là Điốt phát quang, LED hay Điốt phát sáng) là loại
diode có khả năng phát ra ánh sáng hay tia hồng ngoại, tử ngoại. Nó là một nguồn phát sáng
khi có dòng điện tác động lên nó.

Hình 3.34 Cấu tạo và nguyên lý làm việc của diode phát quang LED

LED hoạt động dựa trên công nghệ bán dẫn. Nguyên lý hoạt động của nó giống với nhiều
loại điốt bán dẫn khác. Trong khối bán dẫn có hai cực loại p và loại n. Trong đó khối bán dẫn
loại p chứa nhiều lỗ trống tự do mang điện tích dương; nên khi ghép với khối bán dẫn n (chứa
29
các điện tử tự do) thì các lỗ trống này có xu hướng chuyển động khuyếch tán sang khối n. Đồng
thời khối p lại nhận thêm các điện tử (điện tích âm) từ khối n chuyển sang. Kết quả là khối p
tích điện âm (thiếu hụt lỗ trống và dư thừa điện tử); trong khi khối n tích điện dương (thiếu hụt
điện tử và dư thừa lỗ trống).
Ở biên giới hai bên mặt tiếp giáp, một số điện tử bị lỗ trống thu hút; và khi chúng ở gần
nhau, chúng có xu hướng kết hợp với nhau tạo thành các nguyên tử trung hòa. Quá trình này có
thể giải phóng năng lượng dưới dạng ánh sáng; (hay các bức xạ điện từ có bước sóng gần đó).
Tùy theo mức năng lượng giải phóng cao hay thấp mà bước sóng ánh sáng phát khác nhau
(tức màu sắc của LED sẽ khác nhau). Mức năng lượng (và màu sắc của LED) hoàn toàn phụ
thuộc vào cấu trúc năng lượng của các nguyên tử chất bán dẫn; LED thường có điện thế phân
cực thuận cao hơn điốt thông thường, trong khoảng 1,5V đến 3V. Nhưng điện thế phân cực
nghịch ở LED thì không cao. Do đó LED rất dễ bị hư hỏng do điện thế ngược gây ra.
Ngày nay, diode phát quang được sử dụng trong hai lĩnh vực chính:
- Chiếu sáng dân dụng: Được sử dụng để trang trí nội thất (Hiện đại và cổ điển), ngoại
thất (Sân vườn, tiểu cảnh…).
- Chiếu sáng công nghiệp: Vì chi phí cao nên chỉ có những doanh nghiệp có đủ năng lực
về tài chính mới lựa chọn giải pháp chiếu sáng bằng công nghệ LED cho các nhà xưởng sản
xuất của doanh nghiệp mình.
3.6. Mạch chỉnh lưu sử dụng Diode bán dẫn
Một trong số những ứng dụng quan trọng nhất của Diode là thiết kế mạch chỉnh lưu. Mạch
chỉnh lưu được xây dựng từ diode cung cấp nguồn một chiều cấp cho các thiết bị điện tử. Sơ
đồ khối Hình 3.35 minh họa nguồn một chiều. Như được chỉ ra trong sơ đồ khối, nguồn cấp
đầu vào là tín hiệu điện áp có biên độ 120 V(rms), tần số 60Hz xoay chiều, đầu ra là nguồn một
chiều VO (thường trong khoảng 5-20V) cung cấp cho tải. Điện áp một chiều VO yêu cầu càng là
hằng số càng tốt khi điện áp xoay chiều AC và dòng tải thay đổi
Khối đầu tiên trong bộ nguồn DC là máy biến áp. Máy biến áp gồm hai cuộn dây riêng
biệt quấn quanh một lõi thép từ tính. Cuộn dây sơ cấp, có N1 vòng, và được nối với nguồn xoay
chiều 120V, và cuộn thứ cấp có N2 vòng.

Hình 3.35 Sơ đồ khối của bộ nguồn một chiều

Bằng việc chọn tương ứng tỷ số (N2/N1) cho biến áp, người thiết kế có thể giảm giá trị
điện áp theo từng bước đến giá trị yêu cầu để phù hợp với điện áp một chiều đầu ra cụ thể. Ví
dụ, điện áp của cuộn sơ cấp là 8V rms có thể thích hợp với nguồn một chiều đầu ra 5V. Điều
này có thể đạt được với tỷ số vòng dây là 15:1.
Biến áp công suất còn làm nhiệm vụ cách ly về mặt điện giữa thiết bị điện tử và mạch
công suất. Sự cách ly này giảm tối thiểu nguy cơ sốc điện cho các thiết bị sử dụng.
Bộ chỉnh lưu Diode chuyển đổi điện áp hình sin đầu vào 𝑣𝑠 thành điện áp một chiều (đơn
cực) đầu ra, điện áp đầu ra có dạng sóng đập mạch như trong Hình 3.35, chưa phải nguồn một
chiều sử dụng trong các mạch điện tử, do đó cần phải có một bộ lọc. Sự biến thiên giá trị đầu
30
ra bộ chỉnh lưu được giảm đi đáng kể nhờ một khối lọc như Hình 3.35. Đầu ra của bộ lọc chỉnh
lưu, mặc dù ổn định hơn với trường hợp không có bộ lọc, nhưng vẫn phụ thuộc vào thời gian,
gọi là độ gợn sóng (ripple). Để giảm độ gợn sóng và ổn định độ lớn điện áp một chiều đầu ra,
chống lại sự thay đổi gây ra bởi sự thay đổi dòng tải, thì ta dùng một bộ ổn áp. Bộ ổn áp như
vậy có thể là Diode zener như được học trong phần 3.5 hoặc trong thực tế, hay dùng một mạch
tích hợp.
3.6.1. Mạch chỉnh lưu nửa sóng

Hình 3.36 (a) Mạch chỉnh lưu nửa sóng, (b) Dạng sóng đầu vào và đầu ra, giả sử
Diode là lý tưởng.
Mạch chỉnh lưu nửa sóng dùng để biến đổi nửa chu kỳ của sóng sin đầu vào. Hình 3.36(a)
minh họa mạch chỉnh lưu nửa sóng.
Đặt điện áp đầu vào 𝑣𝑠 có dạng hình sin vS = Vs sin α và giả sử Diode là lý tưởng (𝑣𝐷 =
0). Trong nửa chu kỳ dương của tín hiệu hình sin, Diode mở, có dòng qua Diode. Khi đó điện
áp rơi trên Diode 𝑣𝑠 rất nhỏ, điện áp đầu ra 𝑣𝑂 = 𝑣𝑅 = 𝑣𝑠 − 𝑣𝐷 = 𝑣𝑠 .
Trong nửa chu kỳ âm của tín hiệu hình sin, Diode khóa, không dòng qua Diode. Khi đó
điện áp đầu ra 𝑣𝑂 = 0.
Điện áp một chiều trung bình của mạch được tính theo công thức:
1 π 1 π V V
 
π
VDC = vS dα = Vs sin αdα = m (− cos α 0 ) = s = 0.318Vs
2π 0 2π 0 2π π
Ta cũng có thể xác định được điến áp ra hiệu dụng như sau:
1/2
 1 π 
Vrms =   vS 2 dα 
 2π 0

π
1 π 2 Vs 2 π 1 1 V2 1 1 V2
2π 0 
Vrms 2
= Vm sin 2
αdα = ( − cos 2α )dα = s ( α − sin 2α ) = s
2π 0 2 2 2π 2 4 0 4
 Vrms = 0.5Vs
Nếu sử dụng mô hình điốt tuyến tính từng đoạn với điện áp mở VD 0 và nội trở rD ,
chúng ta nhận được mạch tương đương như Hình 3.37 (b), từ đó chúng ta có thể viết:
o = 0,  S  VD 0
(3.1a)
R R
o = S − VD0 , S  VD0
R + rD R + rD (3.1b)

Đặc tuyến truyền đạt có thể được biểu diễn bởi các phương trình được minh họa trong
trình Hình 3.37 (c). Trong nhiều ứng dụng r D<<R và phương trình thứ hai có thể đơn giản
hóa thành:
o =  S − VD 0
(3.2)
31
 Ở đây VD0 = 0.7 V hoặc 0.8 V. Hình 3.37 (d) minh họa điện áp đầu ra khi tín hiệu đầu
vào v s là hình sin.
Khi chọn các điốt để thiết kế mạch chỉnh lưu, hai thông số quan trọng cần được xác
định: độ lớn của dòng điều khiển yêu cầu của điốt, được xác định bởi dòng lớn nhất qua
điốt mà điốt còn dẫn điện, và điện áp ngược cực đại (peak inverse voltage - PIV) điốt có
thể chịu được mà không bị đánh thủng. Trong mạch chỉnh lưu ở Hình 3.37 (a), chúng ta thấy
rằng khi điện áp  S là âm thì điốt sẽ khóa và  O sẽ bằng 0. Kéo theo PIV bằng giá trị lớn
nhất của S ,

PIV = Vs
Tuy nhiên, thường phải thận trọng khi chọn một điốt, điốt này phải có điện áp ngược
đánh thủng lớn hơn ít nhất 50% so với PIV.

Hình 3.37 (a) Chỉnh lưu nửa sóng, (b) Mạch tương đương của mạch chỉnh lưu
nửa sóng với điốt được thay thế bởi mô hình nguồn pin có nội trở. (c) Đặc tính
truyền đạt của mạch chỉnh lưu (d) Dạng sóng đầu vào và đầu ra, giả sử rD<<R.

32
 Trước khi kết thúc phần mạch chỉnh lưu nửa sóng, người đọc nên chú ý hai điểm. Thứ
nhất, có thể sử dụng đặc tính hàm mũ của điốt để xác định chính xác đặc tính truyền đạt của
bộ chỉnh lưu. Tuy nhiên, công việc phân tích kéo theo thường rất lớn. Hiển nhiên, việc phân
tích như vậy có thể dễ dàng thực hiện bằng chương trình phân tích mạch trên máy tính ví
dụ như SPICE.
Thứ hai, liệu chúng ta phân tích mạch chính xác hay không, phải xác định rõ ràng rằng
mạch này có thực hiện chính xác chức năng của nó hay không khi tín hiệu đầu vào nhỏ. Ví
dụ, mạch này không thể sử dụng để chỉnh lưu một tín hiệu hình sin đầu vào với biên độ 100
mV, với tín hiệu như vậy, ta dùng mạch chỉnh lưu chính xác, sử dụng các điốt và khuếch
đại thuật toán. Mạch này sẽ được giới thiệu trong phần sau.
3.6.2. Mạch chỉnh lưu toàn sóng
▪ Mạch chỉnh lưu một pha hai nửa chu kỳ có điểm trung tính
Mạch chỉnh lưu một pha hai nửa chu kỳ có điểm trung tính được minh họa như trong
Hình 3.38(a). Giả sử 2 diode D1, D2 là lý tưởng, dẫn đến khi phan cực thuận 𝑣𝐷1 = 𝑣𝐷2 = 0.
* Sơ đồ nguyên lý 𝑣đ𝑙
D
t
𝑣𝑂 𝑣𝑠1 𝑣𝑠2 𝑣𝑠1 𝑣𝑠2
𝑣𝑠1 𝑣𝑠
R
𝑣đ𝑙 L

𝑣𝑠2
D D D D t
𝑣𝑂
D 𝑉𝑇𝐵

Hình a: Sơ đồ nguyên lý 
𝑣𝑛𝑔
t

D D D D
t

𝑣𝑛𝑔𝑚𝑎𝑥
=2∗𝑣
Hình b: Giản đồ điện áp

Hình 3.38 (a) Mạch chỉnh lưu một pha hai nửa chu kỳ có điểm trung tính,
(b) Dạng sóng đầu vào và đầu ra, giả sử Diode là lý tưởng.
Trong sơ đồ, cuộn thứ cấp của biến áp được chia làm hai nửa có số vòng dây bằng nhau,
chiều quấn dây ngược nhau, với cách cuốn đó tạo ra hai điện áp 𝑣𝑠1 ,𝑣𝑠2 có cùng biên độ nhưng
lệch pha nhau 1800.
* Nguyên lý hoạt động:
- Khi t = 0: 𝑣𝑠1 >0, 𝑣𝑠2 <0, điện thế điểm 1 dương hơn điểm 2, điểm 2 dương hơn
điểm 3, diode D1 phân cực thuận nên mở, D2 phân cực ngược nên bị khoá, cho dòng i1 chạy
qua D1 và phụ tải RL về điểm 2.
Khi đó: 𝑣𝑂 = 𝑣𝑅𝐿 = 𝑣𝑠1 - 𝑣𝐷1 = 𝑣𝑠1 = 𝑉𝑠1𝑚 sint.
- Khi t =  2: 𝑣𝑠1 <0, 𝑣𝑠2 >0, điện thế điểm 3 dương hơn điểm 2, điểm 2 dương hơn
điểm 1, D1 khoá, D2 mở, cho dòng i2 chạy qua: D2, RL về điểm 2.
Khi đó: 𝑣𝑂 = 𝑣𝑅𝐿 = 𝑣𝑠2 - 𝑣𝐷2 = 𝑣𝑠2 = 𝑉𝑠2𝑚 sint.

33
 Kết quả: Dòng điện (điện áp) nhận được trên tải có dạng là các nửa hình sin liên tiếp
nhau, trong 1 chu kỳ của điện áp lưới các diode thay phiên nhau làm việc.
+ Giá trị trung bình của điện áp trên tải: Giả sử vS 1 = vS 2 = Vm sin α
1 π  2 1 π V 2  Vm
VDC = 2    vS dα  = 
π
Vm sin αdα = m (− cos α 0 ) = = 0.636Vm
 2π 0
 2π 0 π π

+ Giá trị hiệu dụng của điện áp trên tải:

 2 1 π 2 
1/2

Vrms = 
 2π 0
 vS dα 
2 1 π 2 2 2  Vm 2 π 1 1
2π 0 
Vrms 2 = Vm si n αdα = ( − cos 2α )dα
2π 0 2 2
π
V 2 1 1 V 2
= m ( α − sin 2α ) = m  Vrms = 0.707Vm
π 2 4 0 2
𝑉
+ Giá trị trung bình của dòng điện trên tải: 𝐼0 = 𝑅0
𝐿
𝐼0
+ Dòng trung bình qua các diode: 𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 = 2
+ Điện áp ngược cực đại đặt vào mỗi diode khi khoá bằng tổng điện áp cực đại trên hai
cuộn dây thứ cấp biến áp: 𝑣𝑛𝑔𝑚𝑎𝑥 = 2 ∗ 𝑉𝑠 (gấp đôi so với trường hợp chỉnh lưu nửa sóng
Rõ ràng là bộ chỉnh lưu toàn sóng tạo ra dạng sóng năng lượng cao hơn mạch chỉnh
lưu nửa sóng. Trong hầu hết các ứng dụng của mạch chỉnh lưu, người ta hay chọn mạch
chỉnh lưu toàn sóng.

Hình 3.39 Chỉnh lưu toàn sóng sử dụng một biến áp với một điểm giữa cuộn
thứ cấp: (a) mạch; (b) đặc tutyeens truyền đạt với giả sử điện áp rơi trên điốt là
hằng số; (c) dạng sóng đầu vào và đầu ra.

34
 Ta có thể đạt kết quả tính toán chính xác hơn bằng cách sử dụng mô hình sụt áp không
đổi, tức là kho diode mở, giá trị sụt áp rơi trên nó bằng hằng số VD. Lúc bày, tính toán tương
tự như trên ta sẽ thu được đặc tính truyền đạt cũng như dạng sóng vào/ra như Hình 3.39
Để tìm PIV của các điốt trong mạch chỉnh lưu toàn sóng khi diode ở mô hình sụt áp
không đổi, ta xét trường hợp trong nửa chu kỳ dương. Điốt D1 đang mở, điốt D2 đang đóng.
Điện áp tại cathode của D2 là  O và tại anode của nó là –  S , do đó điện áp ngược trên D2 sẽ
là (  O +  S ), và đạt giá trị cực đại khi v0 đạt giá trị lớn nhất (VS-VD), và  S có giá trị lớn nhất
VS; do đó,
PIV = 2VS − VD
▪ Mạch chỉnh lưu cầu
Mạch chỉnh lưu cầu được minh họa như trong Hình 3.40(a). Giả sử 2 diode D1, D2, D3,
D4 là lý tưởng, dẫn đến 𝑣𝐷1 = 𝑣𝐷2 = 𝑣𝐷3 = 𝑣𝐷4 = 0.
𝑣𝑠
= 𝜋𝑟
t
D
D 𝑣𝑂
D D D D tải
𝑣đ𝑙 = 𝜋𝑟 𝑉𝑇𝐵
𝑣𝑠 D D D D
C
= 𝜋𝑟 2 = 𝜋𝑟 R = 𝜋𝑟
D 𝑣𝑛𝑔
1 2 1 2
t
D
= 𝜋𝑟

Hình a: Sơ đồ nguyên lý D D D 
D t
𝑣𝑛𝑔𝑚𝑎𝑥 = 𝑣𝑠
Hình b: Giản đồ điện áp

Hình 3.40 (a) Mạch chỉnh lưu một pha hai nửa chu kỳ có điểm trung tính,
(b) Dạng sóng đầu vào và đầu ra, giả sử Diode là lý tưởng.
Cầu diode gồm có bốn nhánh với bốn diode được nối theo nguyên tắc: hai cạnh đối diện
các diode nối cùng chiều, tạo hai nhóm diode: một nhóm có Katốt chung, một nhóm có Anốt
chung.
* Nguyên lý hoạt động:
- t=0: điện thế điểm 1 dương hơn điểm 2, D2, D4 phân cực ngược→ khoá. D1, D3
phân cực thuận → mở cho dòng điện i1 chạy qua D1, Rt, D3 về điểm 2.
- t=2: điện thế điểm 2 dương hơn điểm 3, D1, D3 phân cực ngược, khoá. D2, D4
phân cực thuận → mở cho dòng điện i2 chạy qua D2, Rt, D4 về điểm 1.
Kết quả:
Điện áp (dòng điện) ra trên tải là các nửa hình sin liên tiếp nhau trong một chu kỳ giống
như sơ đồ chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ có điểm trung tính. Các biểu thức tính dòng và áp hoàn toàn
giống như sơ đồ có điểm trung tính. Chỉ khác, nếu cùng 1 giá trị của điện áp trên tải thì trong
sơ đồ này điện áp ngược đặt lên mỗi diode khi khoá giảm đi một nửa: 𝑣𝑛𝑔𝑚𝑎𝑥 = 𝑣𝑠 đây chính
là ưu điểm cơ bản của sơ đồ cầu. Do đó sơ đồ này là sơ đồ cơ bản được sử dụng chủ yếu trong
các mạch chỉnh lưu trong thực tế.

35
 Nếu xét theo mô hình sụt áp không đổi Hình 3.41, ta có: Trong nửa chu kỳ dương của
điện áp đầu vào,  S dương, và do đó dòng điện qua điốt D1, điện trở R và điốt D2. Trong
khi đó, các điốt D3 và D4 phân cực ngược. Ta thấy rằng đường dẫn điện luôn có hai điốt
nối tiếp với nhau, do đó  O sẽ nhỏ hơn  S bởi sụt áp trên 2 điốt (so sánh với trường hợp sụt
áp trên một điốt trong các mạch đã trình bày phần trước). Đây là một nhược điểm nhỏ của
chỉnh lưu cầu.

Hình 3.41 Chỉnh lưu cầu: (a) mạch điện; (b) dạng sóng đầu vào và đầu ra theo
mô hình sụt áp không đổi
Tiếp theo, xét trường hợp nửa chu kỳ âm tại điện áp đầu vào. Điện áp thứ cấp  O sẽ
âm, và do đó S sẽ dương, dòng điện qua D3, R và D4 trong khi D1 và D2 phân cực ngược.
Điều quan trọng cần lưu ý là trong suốt hai nửa chu kỳ, dòng điện luôn qua điện trở R theo
một hướng (từ phải sang trái) và do đó  O luôn là dương, như minh họa trong Hình 3.41 (b).
Để xác định điện áp ngược cực đại (PIV) của mỗi điốt, xét mạch điện trong nửa chu
kỳ dương. Điện áp ngược qua D3 có thể được xác định qua vòng kín D3, R và D2 là:
 D 3 (reverse) = O +  D 2 ( forward )

Do đó giá trị lớn nhất của vD 3 xuất hiện tại giá trị đỉnh của O được tính bởi:
PIV = VS – 2VD + VD = VS – VD
Quan sát ở đây PIV bằng một nửa giá trị PIV mạch chỉnh lưu toàn sóng. Đây là một
ưu điểm khác của chỉnh lưu cầu.

36
 Thêm một ưu điểm nữa của mạch chỉnh lưu cầu là chỉ cần một nửa số vòng yêu cầu
với cuộn thứ cấp của máy biến áp. Các ưu điểm này làm cho chỉnh lưu cầu thường được sử
dụng hơn so với các mạch chỉnh lưu khác. Nhược điểm của chỉnh lưu cầu yêu cần 4 điốt so
với mạch trước dùng hai điốt. Tuy nhiên, đây không phải là một nhược điểm lớn vì điốt
không đắt lắm và có thể mua một điốt cầu đóng gói.
3.6.3. Chỉnh lưu với một tụ điện lọc.
Tính đập mạch của điện áp đầu ra của mạch chỉnh lưu đã đề cập ở phần trước làm cho
nó không phù hợp như là một nguồn một chiều cung cấp cho các mạch điện tử. Một cách
đơn giản để hạn chế sự thay đổi điện áp đầu ra là mắc một tụ điện song song với điện trở
tải. Đó là tụ điện lọc, nó giảm một cách đáng kể sự thay đổi của điện áp đầu ra của mạch
chỉnh lưu.

Hình 3.42 (a) một mạch đơn giản để minh họa hiệu quả của một bộ lọc tụ điện.
(b) dạng sóng đầu vào và đầu ra giả sử điốt lý tưởng.
Chú ý rằng trong Hình 3.42 mạch điện cung cấp điện áp một chiều bằng giá trị đỉnh
của sóng sin. Do đó mạch này được biết đến là mạch chỉnh lưu đỉnh hay bộ dò đỉnh.
Để quan sát mạch chỉnh lưu với một tụ điện lọc hoạt động như thế nào, trước hết, cho
đầu vào  I là điện áp hình sin với giá trị đỉnh là VP, và giả sử điốt là lý tưởng. Khi  I là
dương, điốt dẫn điện và tụ điện được nạp do đó O = I . Tụ tiếp tục nạp cho đến khi I tới
giá trị cực đại của nó V p. Khi đạt giá trị cực đại,  I giảm, điốt phân cực ngược và điện áp
đầu ra vẫn là giá trị V p. Thực tế, về mặt lý thuyết mà nói, tụ điện sẽ duy trì nạp điện, điện
áp của nó không xác định được, bởi vì không có cách nào để cho tụ điện phóng điện. Do
đó mạch cung cấp một điện áp một chiều bằng điện áp đỉnh của sóng sin đầu vào.

37
 Tiếp theo, chúng ta xét thêm trường hợp điện trở tải R được nối song song với tụ điện
C, như trong Hình 3.43 (a). Giả sử rằng điốt lý tưởng. Như ở phần trước, với một tín hiệu
sin đầu vào, tụ điện nạp tới giá trị đỉnh V p. Sau đó điốt đóng, và tụ điện phóng điện qua
điện trở tải R. Tụ điện sẽ tiếp tục phóng điện trong gần như toàn bộ chu kỳ, đến khi  I vượt
qua điện áp của tụ. Sau đó điốt mở trở lại và nạp điện cho tụ điện tới giá trị đỉnh của I , và
lặp lại quá trình như vậy. Chú ý để giữ điện áp đầu ra từ việc giảm do sự phóng điện của
tụ điện, cần phải chọn giá trị của tụ C để hằng số thời gian CR lớn hơn nhiều khoảng thời
gian phóng điện.
Bây giờ chúng ta sẽ phân tích chi tiết mạch điện. Hình 3.43 (b) minh họa dạng sóng
đầu vào và đầu ra với giả sử rằng CR>>T, ở đây T là chu kỳ của tín hiệu sin đầu vào. Dạng
sóng của dòng tải:
iL =  O / R (3.3)
Và của dòng qua điốt (khi nó mở)
d I
iD = iC + I L = C + iL (3.4)
dt

Hình 3.43 Dạng sóng của điện áp và dòng điện trong mạch chỉnh lưu đỉnh với
CR>>T. Điốt giả sử là lý tưởng.

38
 Ta có các nhận xét sau:
1. Điốt dẫn điện trong khoảng ngắn,  t , gần đỉnh của tín hiệu hình sin đầu vào và
khiến cho tụ điện nạp điện tích bằng với lượng điện tích khi phóng điện, thời gian phóng
điện dài hơn nhiều thời gian nạp điện. Và tương ứng bằng với khoảng T.
2. Giả sử điốt là lý tưởng, điốt bắt đầu mở tại thời gian t1, tại đó đầu vào S bằng độ
giảm theo hàm mũ của đầu ra O . Quá trình mở kết thúc tại thời điểm t2 ngay sau khi lên
đến đỉnh t , giá trị chính xác của t2 có thể được xác định bằng cách đặt iD = 0 trong phương
trình (3.5).
3. Trong khi điốt đóng, tụ điện C phóng điện qua R, và do đó  O giảm theo hàm mũ
với hằng số thời gian CR. Quá trình phóng điện bắt đầu ngay khi vừa qua giá trị đỉnh của
 I . Tại thời điểm cuối của thời gian phóng điện, gần như trong toàn bộ thời gian T, thì

O = VP − Vr , ở đây Vr là điện áp gợn sóng đỉnh – đỉnh. Khi CR>>T, giá trị của Vr là nhỏ.
4. Khi giá trị Vr là nhỏ, O gần như một hằng số và bằng giá trị đỉnh của I . Do đó
điện áp đầu ra một chiều xấp xỉ bằng Vp. Tương tự, dòng điện iL cũng gần như hằng số, và
thành phần một chiều I L được tính:
VP
IL = (3.6)
R
Nếu cần thiết, thì ta có giá trị đúng hơn của điện áp đầu ra dc bằng cách lấy trị trung
bình của các giá trị cực của  O
1
VO = VP − Vr (3.7)
2
Với các nhận xét này, chúng ta biểu diễn Vr và các giá trị trung bình, giá trị đỉnh của
dòng điện qua điốt. Trong khoảng điốt đóng,  O có thể được biểu diễn
O = VP e −t / CR
Tại thời điểm cuối của thời gian phóng điện chúng ta có
V p − Vr V p e −T / CR

Bây giờ, do CR>>T, chúng ta có thể sử dụng gần đúng e −T / CR = 1 − T / CR để có

T
Vr Vp (3.8)
CR
Chúng ta thấy rằng, để giữ giá trị Vr nhỏ, chúng ta với chọn tụ điện C sao cho CR>>T.
Điện áp gợn sóng Vr trong phương trình (3.8) có thể biểu diễn với tần số f=1/T như sau:
Vp
Vr = (3.9a)
fCR

Sử dụng phương trình (3.6) chúng ta có thể biểu diễn Vr bằng cách khác:
IL
Vr = (3.9b)
fC

Chú ý, biễu diễn xấp xỉ ở trên là tại thời điện tụ điện phóng điện nghĩa là dòng điện
không đổi IL = Vp/R. Phép tính gần đúng này hợp lý miễn là Vr  Vp .

39
 Sử dụng Hình 3.43 (b) và giả sử điốt dẫn điện tại gần đỉnh của v I , chúng ta có thể
xác định khoảng dẫn  t từ
V p cos(t ) = V p − Vr

Ở đây  = 2 f = 2 / T là tần số góc của v I . Do (t ) là góc nhỏ, chúng ta có thể sử

dụng công thức gần đúng cos(t )  1 − 1 (t )2 thu được:
2
t = 2Vr / V p (3.10)

Lưu ý rằng khi Vr<<Vp, góc dẫn (t ) sẽ nhỏ như đã giả sử.
Để tính toán giá trị trung bình của dòng qua điốt trong khi đang mở, iDav, chúng ta lập
phương trình nạp điện mà điốt cung cấp cho tụ điện,
Qsupplied = iCav t

Từ phương trình (3.4) iCav = iDav - IL

Để nạp điện mà điốt bị mất do phóng điện
Qlost = CVr
Để tính được, sử dụng phương trình (3.10) và (3.9a)
iDav = I L (1 +  2Vp / Vr ) (3.11)
Chú ý rằng ở đây, Vr<<Vp, dòng trung bình của điốt khi đang mở là lớn hơn nhiều
so với dòng tải một chiều. Điều này không bất ngờ, vì điốt dẫn điện trong khoảng rất ngắn
và phải bổ xung điện tích đã mất bởi tụ điện trong khoảng thời gian dài phóng điện.
Giá trị đỉnh của dòng điốt, iDmax, có thể tính toán bằng phương trình (3. 5) khi điốt bắt
đầu dẫn điện, có nghĩa là tại t = t1 = −t ( t = 0 tại đỉnh). Giả sử iL gần bằng hằng số ở phương
trình (3.26), chúng ta thu được
iDmax = I L (1 + 2 2Vp / Vr ) (3.32)
Từ phương trình (3.11) và (3.12), chúng ta thấy với V r<< Vp, iDmax = 2iDav , liên hệ
với thực tế rằng dạng sóng của i D gần như là hình tam giác vuông(xem Hình 3.43 c)
Ví dụ 3.9
Xét một mạch chỉnh lưu đỉnh, điện áp hình sin đầu vào 60Hz và có giá trị đỉnh Vp =
100V. Với điện trở tải R = 10 k  . Tìm giá trị của tụ điện C để có điện áp đỉnh – đỉnh là
2V. Tính toán khoảng thời gian điốt mở và giá trị đỉnh, giá trị trung bình của dòng qua điốt.
Lời giải
Từ phương trình (3.9a) chúng ta thu được giá trị của C là
Vp 100
C= = = 83.3 F
Vr fR 2  60  10  103

Góc dẫn t được tính từ phương trình (3.10) là

t = 2  2 / 100 = 0.2 rad
Do đó điốt dẫn trong khoảng (0.2 / 2 )  100 = 3.18% chu kỳ. Giá trị trung bình của dòng
điốt được tính từ phương trình (3.11), ở đây IL = 100/10 = 10 mA.
iDav = 10(1 +  2 100 / 2) = 324 mA

40
 Sử dụng phương trình (3.32) để tính giá trị dòng điốt đỉnh

iDmax = 10(1 + 2 2 100 / 2) = 638 mA

Hình 3.44 Dạng sóng trong bộ chỉnh lưu đỉnh toàn sóng
Mạch điện trong Hình 3.43 (a) được biết đến là mạch chỉnh lưu đỉnh nửa sóng.
Mạch chỉnh lưu toàn sóng trong Hình 3.39 (a) và Hình 3.41 (a) có thể được chuyển đổi
thành các mạch chỉnh lưu đỉnh bằng cách mắc thêm một tụ điện song song với điện trở tải.
Trong trường hợp nửa sóng, điện áp một chiều đầu ra sẽ gần bằng giá trị đỉnh của sóng sin
đầu vào (Hình 3.44). Tuy nhiên, tần số gợn sóng sẽ gấp đôi ở đầu vào. Điện áp gợn sóng
đỉnh – đỉnh có thể suy ra bằng cáchsử dụng phương pháp ở trên như nhưng với khoảng thời
gian phóng điện T được thay bằng T/2, kết quả là
Vp
Vr = (3.13)
2 fCR

Trong khoảng dẫn của điốt,  t , sẽ vẫn được tính bởi phương trình (3.10), dòng trung
bình và dòng cực đại của mỗi điốt sẽ được tính:
iDav = I (1+ V /2V ) (3.14)
L p r

iDmax = I
L (1+ 2 V p /2Vr ) (3.15)
So sánh các phương trình tương ứng với trường hợp nửa sóng, chúng ta chú ý rằng,
với cùng một giá trị Vp, f ,R và Vr (và do đó giống IL), chúng ta cần một tụ điện có điện
dung bằng một nửa so với yêu cầu trong mạch chỉnh lưu nửa sóng. Cũng vậy, dòng điện
trên mỗi điốt trong chỉnh lưu toàn sóng bằng một nửa dòng qua điốt của mạch nửa sóng.
Các phân tích ở trên đều giả sử điốt lý tưởng. Độ chính xác của các kết quả có thể
tăng lên bằng cách thêm sụt áp trên điốt vào các tính toán. Việc này có thể thực hiện dễ
dàng bằng cách thay thế điện áp cực đại Vp bằng tụ điện nạp điện với (Vp – VD) đối với
mạch nửa sóng và mạch toàn sóng sử dụng biến áp phân cực ở giữa và (Vp – 2VD) đối với
trường hợp chỉnh lưu cầu.
Chúng ta kết thúc phần này bằng lưu ý rằng các mạch chỉnh lưu đỉnh có thể thấy trong
các ứng dụng trong hệ thống xử lý tín hiệu tại đó yêu cầu tìm giá trị lớn nhất của tín hiệu
đầu vào. Trong một vài trường hợp, mạch này được biết đến là mạch dò đỉnh. Các ứng
dụng phổ biến của mạch dò đỉnh trong thiết kế mạch giải điều chế cho các tín hiệu điều chế
biên độ (AM).
3.6.4. Mạch chỉnh lưu nửa sóng chính xác– siêu điốt (The Super Diode)
Các mạch chỉnh lưu đã nghiên cứu thường có sụt áp trên một hoặc hai điốt. Do đó
các mạch này chỉ làm việc tốt khi tín hiệu được chỉnh lưu lớn hơn nhiều điệp áp rơi trên
điốt (0.7V hoặc hơn). Trong trường hợp như vậy đặc tính thuận của điốt hoặc giá trị điện
41
áp chính xác của điốt không đóng vai trò quan trọng trong việc xác định hoạt động của
mạch. Điều này thực sự cần trong ứng dụng của các mạch chỉnh lưu để thiết kế nguồn cấp.
Tuy nhiên, có nhiều ứng dụng mà tín hiệu chỉnh lưu là nhỏ (ví dụ 100mV..) không đủ để
mở điốt. Tương tự, trong các mạch IA (Instrumentation Applications), cần phải tăng độ
chính xác và dự đoán được đặc tính truyền đạt. Với những ứng dụng này, một lớp các mạch
được phát triển sử dụng khuếch đại thuật toán (chương 2) kết hợp với đốt để tạo ra bộ chỉnh
lưu chính xác. Trong các phần thảo luận dưới đây, chúng ta nghiên cứu một loại mạch như
vậy.
Hình 3.45 (a) minh họa một mạch chỉnh lưu nửa sóng chính xác bao gồm một điốt đặt
ở phần phản hồi âm của một khuếch đại thuật toán, với R là điện trở tải của bộ chỉnh lưu.
Hiển nhiên, mạch khuếch đại thuật toán cần một nguồn cung cấp cho nó hoạt động. Để đơn
giản hóa, ta không thể hiện trên hình vẽ. Mạch này làm việc như sau: Nếu  I là dương, điện
áp đầu ra  A của khuếch đại thuật toán sẽ dương và điốt sẽ dẫn, do đó tạo ra một vòng phản
hồi kín giữa đầu ra của khuếch đại thuật toán và đầu vào đảo.

Hình 3.45 Chỉnh lưu nửa sóng chính xác “siêu điốt” và đặc tính truyền đạt
Đường phản hồi âm sẽ gây ra ngắn mạch ảo giữa hai cực đầu vào. Do đó điện áp tại
đầu vào đảo, cũng có điện áp đầu ra là O , sẽ bằng điện áp đầu vào không đảo vI
O =  I I  0

Chú ý điện áp offset (=0.6V) xuất hiện trong mạch chỉnh lưu nửa sóng không đề cập
ở đây. Để mạch khuếch đại thuật toán hoạt động,  I chỉ cần vượt qua một điện áp nhỏ không
đáng kể bằng với sụt áp trên điốt phân chia bởi hệ số khuếch đại vòng hở củ a khuếch đại
thuật toán. Nói cách khác, đặc tính truyền đường thẳng  O -  I gần như đi qua gốc. Điều này
làm cho mạch phù hợp với những ứng dụng tín hiệu rất nhỏ.
Bây giờ xét trường hợp khi I là âm. Điện áp đầu ra của mạch khuếch đại thuật toán
sẽ âm. Điốt sẽ phân cực ngược, và không có dòng điện qua điện trở R,  O sẽ bằng 0. Do đó,
với I <0, O = 0. Vì trong trường hợp này điốt khóa, khuếch đại thuật toán sẽ hoạt động
như trường hợp vòng hở, và đầu ra của nó sẽ ở mức bão hòa âm .
Đặc tuyến truyền đạt của mạch này được minh họa trong Hình 3.45 (b), gần đồng nhất
với đặc tuyến lý tưởng của mạch chỉnh lưu nửa sóng. Đặc điểm không lý tưởng của điot
gần như được che giấu hoàn toàn bằng cách đặt một điốt trong đường phản hồi âm của

42
khuếch đại thuật toán. Sự kết hợp của điốt và khuếch đại thuật toán được minh họa là trong
ô trong Hình 3.45 (a) được coi là “siêu điốt”.

3.7. Mạch hạn chế và mạch ghim

3.7.1. Mạch hạn chế
Hình 3.46 mô tả đặc tuyến truyền đạt tổng quát của một mạch hạn chế. Với đầu vào nằm
𝐿− 𝐿+
trong một khoảng ≤ 𝑣𝐼 ≤ mạch hạn chế là mạch tuyến tính, đầu ra tỷ lệ với đầu và 𝑣𝑂 =
𝐾 𝐾
𝐾𝑣𝐼 . Nếu 𝑣𝐼 vượt qua mức ngưỡng (𝐿+ ⁄𝐾 ), điện áp đầu ra bị giới hạn tới mức giới hạn cao
𝐿+ . Nếu điện áp đầu vào 𝑣𝐼 giảm nhỏ hơn mức ngưỡng giới hạn (𝐿− ⁄𝐾 ), điện áp đầu ra sẽ bị
giới hạn ở mức giới hạn thấp 𝐿− .

Hình 3.46 Đặc tuyến truyền đạt tổng quát của mạch hạn chế

Hình 3.47 Áp dụng sóng sin vào mạch hạn chế

Đặc tuyến truyền đạt tổng quát trong Hình 3.46 minh họa một mạch hạn chế hai phía –
có nghĩa là mạch giới hạn làm việc cả ở hai đỉnh âm và dương của sóng đầu vào. Nếu chỉ giới
hạn 1 trong 2 đỉnh âm hoặc đỉnh dương của sóng đầu vào gọi là mạch hạn chế một phía.
Mạch hạn chế mà có đặc tuyến truyền đạt được mô tả trong Hình 3.46 là hạn chế cứng.
Mạch hạn chế mềm có đường chuyển đổi trơn giữa vùng tuyến tính và vùng bão hòa và độ
dốc lớn hơn 0 trong vùng bão hòa, như minh họa trong Hình 3.48. Tùy thuộc vào ứng dụng mà
có thể sử dụng mạch hạn chế cứng hay mạch hạn chế mềm.

Hình 3.48 Hạn chế mềm

Mạch hạn chế được ứng dụng nhiều trong hệ thống xử lý tín hiệu. Một trong số những
ứng dụng đơn giản nhất là giới hạn điện áp giữa hai đầu vào của khuếch đại thuật toán tới một

43
giá trị nhỏ hơn giá trị điện áp đánh thủng của transistor (Các transistor này cấu tạo thành đầu
vào của mạch khuếch đại thuật toán).

Hình 3.49 Một số mạch hạn chế cơ bản

Một số mạch hạn chế cơ bản được minh họa trong Hình 3.49. Đặc tuyến truyền đạt thu
được sử dụng mô hình hằng số sụt áp không đổi của Diode (𝑉𝐷 = 0.7𝑉 ) và giả sử đường chuyển
tiếp là trơn giữa vùng tuyến tính và vùng bão hòa.
Trong Hình 3.49(a) là mạch chỉnh lưu nửa sóng nhưng đầu ra lấy trên Diode. Với 𝑣𝐼 <
0.7, Diode sẽ khóa, không có dòng qua và điện áp rơi trên điện trở R là bằng 0; do đó 𝑣𝑂 = 𝑣𝐼 .
Khi 𝑣𝐼 > 0.7, Diode sẽ thông, điện áp ra bằng sụt áp trên Diode là 0.7V. Mạch trong Hình 3.49
(b) là giống với Hình 3.49(a) ngoại trừ Diode mắc ngược.
Mạch hạn chế hai phía có thể được thực hiện bằng cách đặc hai Diode mắc song song
ngược, như trong Hình 3.49(c). Ở đây vùng tuyến tính của đường đặc tuyến khi −0.7 < 𝑣𝐼 <
0.7. Với khoảng đầu vào 𝑣𝐼 này, cả hai Diode sẽ khóa và 𝑣𝑂 = 𝑣𝐼 . Khi 𝑣𝐼 vượt quá 0.7V, D1
sẽ mở và điện áp ra là +0.7V. Tương tự, khi 𝑣𝐼 âm hơn giá trị - 0.7V, D1 sẽ mở và điện áp ra là
-0.7V.
Mức ngưỡng và mức bão hòa của mạch có thể được điều khiển bằng cách sử dụng nhiều
các Diode hoặc mắc một điện áp một chiều nối tiếp với Diode như minh họa trong Hình 3.49(d).
Ví dụ 3.10: Cho sơ đồ mạch hạn chế như trong Hình 3.50. Biết tín hiệu đầu vào 𝑣𝐼 =
𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡, Diode là lý tưởng và Rng << R, hãy vẽ giản đồ điện áp đầu ra 𝑣𝑂1 , 𝑣𝑂2.

R R
𝑣𝐼 𝑣𝑂1 𝑣𝐼 𝑣𝑂2
_ _
~ ~

(a)
Hình 3.50 Sơ đồ mạch điện của ví dụ 2.3 (b)
Lời giải:
44
 Giản đồ điện áp 𝑣𝑂1 của sơ đồ mạch điện Hình 3.50(a) được minh họa như trong Hình
3.51(a).
- Trong khoảng thời gian 0 < 𝑣𝐼 < 𝑡1 : 𝑣𝐼 < E → 𝑉𝐷 > 0 → D mở → 𝑣𝑂1 = 𝑣𝐼
- Trong khoảng thời gian 𝑡1 < 𝑣𝐼 < 𝑡2 : 𝑣𝐼  E → 𝑉𝐷 < 0 → D khoá → 𝑣𝑂1 = E
- Trong khoảng thời gian 𝑡2 < 𝑣𝐼 < 𝑡3 : 𝑣𝐼 < E → 𝑉𝐷 > 0 → D mở → 𝑣𝑂1 = 𝑣𝐼
Giản đồ điện áp 𝑣𝑂1 của sơ đồ mạch điện Hình 3.50(a) được minh họa như trong Hình
3.51(b).
- Trong khoảng thời gian 0 < 𝑣𝐼 < 𝑡1 : 𝑣𝐼 < E → 𝑉𝐷 < 0 → D khóa → 𝑣𝑂2 = 𝐸
- Trong khoảng thời gian 𝑡1 < 𝑣𝐼 < 𝑡2 : 𝑣𝐼  E → 𝑉𝐷 > 0 → D mở → 𝑣𝑂 = 𝑣𝐼
- Trong khoảng thời gian 𝑡2 < 𝑣𝐼 < 𝑡3 : 𝑣𝐼 < E → 𝑉𝐷 < 0 → D khóa → 𝑣𝑂 = 𝐸

𝑣𝐼 𝑣𝐼

2 3 4  2 3 4 
     

u
𝑣𝑂1 𝑣𝑂2 r

 

u (b)
(a)
r

Hình 3.51 Giản đồ điện áp của các sơ đồ mạch điện Hình 3.50
3.7.2. Mạch ghim điện áp
Nếu trong mạch chỉnh lưu đỉnh cơ bản, đầu ra lấy trên điốt lớn chứ không lấy trên tụ
điện, kết quả ta được một mạch với nhiều ứng dụng quan trọng. Mạch này được gọi là bộ
phục hồi một chiều (dc restorer), được biểu diễn trong Hình 3.52 với sóng vuông đầu vào.
Do cực tính mà điốt được mắc vào, tụ điện sẽ nạp tới điện áp  C với cực tính như trong hình
vẽ và bằng với biên độ của đỉnh âm của tín hiệu đầu vào. Tiếp theo, điốt khóa và tụ điện
giữ điện áp không xác định của nó. Ví dụ, nếu đầu vào là sóng vuông có các mức điện áp -
6V và +4V, thì  C sẽ bằng 6V.

Hình 3.52 Tụ điện ghim hoặc phục hồi một chiều (dc restorer) với sóng vuông
đầu vào và không tải

45
 Bây giờ, do điện áp đầu ra O được tính bởi:
O = I + C

nên dạng sóng đầu ra sẽ đồng nhất với đầu vào, ngoại trừ dịch chuyển lên một đoạn
bằng điện áp  C . Do đó, trong ví dụ của chúng ta, đầu ra là sóng vuông với các mức là 0V
và +10V.
Một các khác để chúng ta hình dung hoạt động của mạch trên Hình 3.52 là: vì điốt mắc
song song đầu ra với cực tính như trên, nó ngăn điện áp đầu ra từ giá trị nhỏ hơn 0V nhưng
kết nối này sẽ không ràng buộc sai lệch dương của  O . Do đó dạng sóng đầu ra sẽ có đỉnh
nhỏ nhất ghim tới 0V, đó là lý do tại sao mạch này là mạch tụ điện ghim. Rõ ràng có thể
phân cực ngược cho điốt sẽ cho ra dạng sóng đầu ra với đỉnh lớn nhất là 0V. Trong trường
hợp khác, dạng sóng đầu ra sẽ có giá trị trung bình xác định hay là thành phần DC. Thành
phần này hoàn toàn không có quan hệ với giá trị trung bình của đầu vào. Trong một ứng
dụng, xét một tín hiệu xung truyền qua một cặp điện dung hoặc hệ thống xoay chiều. Các
ghép cặp về điện dung sẽ tạo ra chuỗi xung để làm giảm bất kỳ thành phần một chiều nào
ký sinh. Kết quả là ta được thành phần DC xác định, quá trình này được biết đến là phục
hồi DC. Đó là lý do tại sao mạch được gọi là phục hồi DC.
Phục hồi một chiều rất hữu dụng bởi vì thành phần một chiều hoặc giá trị trung bình
của tín hiệu xung là yếu tố quan trọng trong chu kỳ của nó. Chu kỳ của xung có thể được
điều chế (trong xử lý tín hiệu gọi là điều chế độ rộng xung) và để mang thông tin. Trong
một hệ thống như vậy, việc phát hiện và giải điều chế có thể thực hiện đơn giảnbằng cách
đưa xung nhận tới một bộ phục hồi một chiều và sau đó sử dụng mạch lọc thông thấp RC
để tách giá trị trung bình của dạng sóng đầu ra từ những xung đã xếp chồng.

Hình 3.53 Tụ điện ghim với một điện trở tải R.

Khi một tải điện trở kết nối với điốt trong mạch ghim, như trong Hình 3.53. Trong khi
đầu ra ở trên mặt đất, dòng điện một chiều phải đi qua điện trở R. Do tại thời điểm đó điốt
khóa, hiển nhiên dòng điện này đi từ tụ điện, đó là lý do tụ điện phóng điện và làm cho điện
áp đầu ra giảm. Điều này được minh họa trong Hình 3.53 khi đầu vào là sóng vuông. Trong
khoảng thời gian từ t0 đến t1, điện áp đầu ra giảm theo hàm số mũ với hằng số thời gian CR.
Tại t1 đầu vào giảm xuống Va V, và đầu ra giảm theo. Đó là lý do điốt mở nhiều và nhanh
chóng nạp điện cho tụ điện. Tại thời điểm cuối của khoảng t1 tới t2, điện áp đầu ra thường
là vài phần mười với một điện áp âm (ví dụ -0.5V). Sau đó khi đầu vào tăng lên bằng điện
áp Va (tại t2), đầu ra như trong hình vẽ, và chu kỳ lại lặp lại. Tại trạng thái ổn định,điện tích

46
bị mấtdo tụ điện trong khoảng từ t0 đến t1được phục hồi trong khoảng t1 đến t2. Sự cân bằng
điện tích này cho phép chúng ta tính toán giá trị dòng trung bình qua điốt cũng như tiết dạng
sóng đầu ra.
3.7.3. Mạch bội áp
Hình 3.54 (a) minh họa một mạch điện bao gồm hai phần: Phần mạch ghim với tụ điện
C1 và điốt D1, một mạch chỉnh lưu đỉnh với điốt D2và tụ điện C2.

Hình 3.54 Mạch nhân đôi điện áp: (a) Mạch điện; (b) Dạng sóng của điện áp qua
điốt D1
Khi được kích thích bởi tín hiệu hình sin, biên độ Vp, tín hiệu ra mạch ghim như chỉ
ra trên Hình 3.54 (b), giả thiết điôt là lý tưởng. Lưu ý rằng trong khi đỉnh dương của mạch
ghim là 0V, đỉnh âm của mạch ghim là -2Vp. Tương ứng với dạng sóng này, phần chỉnh lưu
đỉnh cung cấp cho tụ điện C2 một điện áp một chiều âm với độ lớn 2Vp. Do điện áp đầu ra
là gấp đôi điện áp đỉnh đầu vào, nên mạch này được gọi là mạch nhân đôi điện áp. Kỹ thuật
này có thể phát triển để điện áp một chiều đầu ra bằng nhiều lần điện áp Vp.

47
 GIẢI QUYẾT TÌNH HUỐNG DẪN NHẬP
Tình huống 1: Dưới đây mô tả hai mạch điện gồm các diode, các bóng đèn và nguồn cấp
được đấu nối như hình vẽ

Câu hỏi:
Hãy chỉ ra đèn nào sáng, đèn nào tắt trong hai mạch điện ?
Trả lời:
Hai hình vẽ thể hiện rất rõ ứng dụng chỉnh lưu của diode. Ở trong các mạch này, diode
đống vai trò như van một chiều, điều tiết dòng điện chạy qua các nhánh của mạch điện. Kết
quả là sẽ làm cho một số đèn tắt (không có dòng chạy qua) và một số đèn sáng (có dòng chạy
qua). Trạng thái đèn sáng và tắt trong hai mạch điện trên được thể hiện như hình vẽ dưới đây:

Ở hình bên trái, D1, D2 phân cực thuận (coi như dây dẫn), D3 phân cực ngược (coi như
hở mạch) nên đèn LP4 không được khép kín mạch và không sáng. Các đèn LP1, LP2, LP3 sáng.
Ở hình bên phải, D1, D2, D3 đều phân cực ngược. chỉ có D4 phân cực thuận. Vì vậy, chỉ
có dòng chạy từ dương nguồn, qua LP3, qua LP4, qua D4 và về âm nguồn. Các nhánh khác đều
bị khóa bởi diode.
Tình huống 2: Hình dưới đây mô tả hình ảnh bộ cấp nguồn một chiều ±12V được sử
dụng nhiều trong thực tế và sơ đồ mạch nguyên lý bên trong của nó

Bộ cấp nguồn một chiều ±12V

Câu hỏi:

48
 1) Vai trò của các diode được sử dụng trong mạch nguyên lý ?
2) Giải thích nguyên lý hoạt động của mạch?
Trả lời:
1) Vai trò của các diode được sử dụng trong mạch nguyên lý ?
- D1, D2, D3, D4 hình thành nên mạch chỉnh lưu cầu
- Hai diode Zener thực hiện ổn định điện áp 12V
2) Giải thích nguyên lý hoạt động của mạch?
Điện áp xoay chiều có biên độ 230 V được hạ áp qua biến áp 15 V. Tại đầu ra cuộn thứ
cấp của biến áp này ta thu được điện áp xoay chiều 15 V đỉnh đỉnh. Điện áp này đưa vào đầu
vào của mạch chỉnh lưu có tụ lọc nhằm giảm độ nhấp nhô của điện áp một chiều đầu ra. Hai
diode Zenner được phân cực ngược và làm nhiệm vụ ổn định điến áp rơi trên mỗi diode là 12
V. Ba điểm điện áp đầu ra cho phép ta có thể lấy ra nguồn +12V, -12 V hoặc nguồn ± 12 V

49
 TÓM LƯỢC CUỐI CHƯƠNG
Nhằm tạo ra một thiết bị tương tự như van một chiều trong các mạch điện, ý tưởng về
diode lý tưởng được ra đời. Tuy nhiên, thực tế chỉ có thể chế tạo được diode bán dẫn (có công
năng gần với lý tưởng).
Điốt bán dẫn là một linh kiện điện tử bán dẫn chỉ cho phép dòng điện đi qua nó theo một
chiều duy nhất mà không chạy ngược lại. Điốt bán dẫn thường đều có nguyên lý cấu tạo chung
là một khối bán dẫn loại P ghép với một khối bán dẫn loại N và được nối với 2 chân ra là anode
và cathode
Để giải thích được hoạt động của diode cũng như các thiết bị bãn dẫn khác, học viên cần
nắm được nguyên lý hoạt động của lớp tiếp giáp PN ở trong các điều kiện bình thường, phân
cực thuận, phân cực ngược.
Đặc tuyến làm việc của diode chia làm nhiều vùng hoạt động khác nhau. Việc sử dụng
diode trong mỗi vùng đặc tuyến tùy thuộc vào ứng dụng của nó.
Khi phân tích, thiết kế mạch điện tử có sử dụng diode, tùy thuộc vào độ chính xác, ta cần
phải đưa diode về các dạng mô hình tương dương theo lý thuyết mạch như: mô hình diode lý
tưởng, mô hình sụt áp không đổi, mô hình tuyến tính từng đoạn, mô hình hàm mũ, mô hình tín
hiệu nhỏ.
Trong thực tế, ngoài diode chỉnh lưu còn có rất nhiều diode đặc biệt như: diode ổn áp
(Zener), diode Schottky (SBD), diode điện dung, diode quang, diode phát quang (LED)…
Diode bán dẫn ứng dụng rất nhiều trong các mạch điện tử thực tế bao gồm các mạch
chỉnh lưu, mạch hạn chế, mạch ghim, mạch bội áp
▪ Với các mạch chỉnh lưu
• Tùy theo chất lượng điện áp một chiều đầu ra mà ta có thể chọn mạch chỉnh lưu một
nửa chu kỳ, chỉnh lưu hai nửa chu kỳ có điểm trung tính hoặc chỉnh lưu cầu
• Tùy vào việc xem xét diode hoạt động theo mô hình nào mà ta có các kết quả sai khác
một chút về dạng sóng đầu ra, điện áp trung bình một chiều, điện áp hiệu dụng, điện áp ngược
cực đại đặt lên diode
• Các mạch chỉnh lưu thường được mắc thêm các tụ điện ở đầu ra để làm giảm độ gợn
sóng của điện áp ra trên tải và giảm thời gian dẫn của diode. Giá trị của tụ điện này được tính
theo điện trở tải, chu kỳ hoạt động của tín hiệu trước khi chỉnh lưu và điện áp gợn sóng
• Với các tín hiệu nhỏ, ta có thể sử dụng bộ chỉnh lưu nửa chu kỳ chính xác bằng cách
kết hợp diode với IC khuếch đại thuật toán
▪ Với các mạch hạn chế:
• Tùy thuộc cách mắc của diode mà ta có thể có các mạch hạn chế nối tiếp và hạn chế
song song
• Tùy thuộc vào các ngưỡng hạn chế mà ta có các mạch hạn chế trên, hạn chế dưới, hạn
chế hai phía
• Tùy thuộc dạng tín hiệu ra mà ta có thể phân chia làm mạch hạn chế cứng, mạch hạn
chế mềm
• Khi phân tích mạch hạn chế, cần có các giả định phù hợp về mô hình hoạt động của
Diode
50
 ▪ Với các mạch ghim điện áp:
• Mạch ghim điện áp được ứng dụng rất nhiều trong việc sửa dạng xung, khôi phục
thành phần một chiều
▪ Với các mạch bội áp
• Tùy thuộc vào cách mắc, ta có thể tạo ra các mạch nhân đôi điện áp dương, nhân đôi
điện áp âm, nhân ba điện áp

51
 CÂU HỎI ÔN TẬP
1. Phân tích đặc tuyến dòng điện – điện áp của diode lý tưởng?
2. Thế nào là chất bán dẫn, chất bán dẫn thuần, chất bán dẫn tạp chất loại P, N?
3. Phân tích đặc tuyến dòng điện – điện áp của diode bán dẫn?
4. Phân tích hoạt động của diode bán dẫn trong miền đánh thủng? Ứng dụng thực tế?
5. Phân tích hoạt động của lớp tiếp giáp PN trong các trường hợp bình thường, phân
cực thuận, phân cực ngược.
6. Cách thức phân tích mạch điện có sử dụng diode?
7. Trình bày các mô hình tương đương của diode bán dẫn?
8. Trình bày các tham số quan trọng của một diode chỉnh lưu?
9. Kể tên một số diode đặc biệt thường gặp và ứng dụng của chúng?
10. Phân tích nguyên lý hoạt động của mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ?
11. Phân tích nguyên lý hoạt động của mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ có điểm trung
tính?
12. Phân tích nguyên lý hoạt động của mạch chỉnh lưu cầu?
13. Các tham số đánh giá chất lượng điện áp một chiều đầu ra của bộ chỉnh lưu?
14. Phân tích nguyên lý hoạt động của mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ chính xác?
15. Mạch hạn chế là gì ? Phân biệt cách loại mạch hạn chế ?
16. Phân tích nguyên lý hoạt động của các mạch hạn chế mắc nối tiếp, song song ?
17. Phân tích nguyên lý hoạt động của mạch ghim điện áp ?
18. Phân tích nguyên lý hoạt động của mạch nhân đôi điện áp âm, nhân đôi điện áp
dương ?

52
 BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG

Bài tập 3.1

Xác định trạng thái của diode trong mạch điện trong hình vẽ dưới đây và tìm ID và VD.
Sử dụng mô hình sụt áp không đổi cho diode.

Hướng dẫn giải

Giả sử rằng diode đang phân cực thuận. Do đó, chúng ta có thể thay thế diode bằng nguồn
0,7V như sau:

Vì dòng diode là âm nên diode phải phân cực ngược và giá trị thực của dòng diode là ID
= 0 mA. Do đó giả định ban đầu là sai. Để phân tích mạch đúng, chúng ta thay thế diode trong
bằng một mạch hở như trong hình dưới đây:

Điện áp VD trên diode là:

53
 Chúng ta biết rằng cần có 0,7V diode phân cực thuận. Vì VD chỉ là 0,4V, câu trả lời xác
nhận rằng diode đang phân cực ngược.
Bài tập 3.2
Tính cường độ dòng điện qua điện trở 48 Ω trong mạch dưới đây. Giả sử các điốt là diode
bán dẫn được tính toán theo mô hình tuyến tính từng đoạn với 𝑉𝐷𝑂 = 0.7𝑉, 𝑟𝐷 = 1Ω.

Hướng dẫn giải

Điốt D1 và D3 được phân cực thuận trong khi điốt D2 và D4 được phân cực ngược. Do
đó, chúng ta có thể coi các nhánh chứa điốt D2 và D4 là hở mạch. Thay thế các điốt D1 và D3
bằng các mạch tương đương của chúng và làm cho các nhánh chứa điốt D2 và D4 hở mạch,
chúng ta có mạch điện như hình dưới

Như chúng ta đã biết đối với một điốt là diode bán dẫn được tính toán theo mô hình tuyến
tính từng đoạn với 𝑉𝐷𝑂 = 0.7𝑉, 𝑟𝐷 = 1Ω.
Dòng điện chạy qua điện trở là: (10 - 0.7 - 0.7)/(48+1+1)=172 mA
Bài tập 3.3
Tìm điện áp ra và dòng qua điốt Zener trong mạch dưới đây. Độ biến thiên của điện áp
tải là bao nhiêu nếu điện áp nguồn thay đổi 25%? Biết VS = 20  5 V , R = 5 k, RZ = 0.1
k VZ = 5 V

54
 Hướng dẫn giải
Khi điện áp nguồn là VS=20 V ta có :
VL − 20V VL −5V VL
+ + =0
5000 100 5000
VL =5.19 V
V −5V 5.19V −5V
IZ = L = =1.9 mA 0
100 100

Khi điện áp nguồn là VS=15 V ta có :

VL −15V VL −5V VL
+ + =0
5000 100 5000
VL =5.10 V I Z =1 mA 0
Khi điện áp nguồn là VS=25 V ta có :
VL -25V VL -5V VL
+ + =0
5000Ω 100Ω 5000Ω
VL =5.28 V I Z =2.8 mA>0
Vậy khi thay đổi 25% ở VS chỉ làm thay đổi 2% VL

Bài tập 3.4

Xét một mạch chỉnh lưu đỉnh, điện áp hình sin đầu vào 60Hz và có giá trị đỉnh Vp =
100V. Với điện trở tải R =10kΩ. Tìm giá trị của tụ điện C để có điện áp gợn sóng đỉnh –
đỉnh là 2V. Tính toán khoảng thời gian điốt mở và giá trị đỉnh, giá trị trung bình của dòng
qua điốt.
Hướng dẫn giải
Vp
Từ phương trình Vr = ta thu được giá trị của C là
fCR
Vp 100
C= = = 83.3 F
Vr fR 2  60  10  103

Góc dẫn t được tính theo công thức:

 t = 2Vr / V p

t = 2  2 / 100 = 0.2 rad

55
 Do đó điốt dẫn trong khoảng (0.2 / 2 )  100 = 3.18% chu kỳ. Giá trị trung bình của dòng
điốt:
(
iDav = I L 1 +  2V p / Vr )
Ở đây IL = 100/10 = 10 mA.
iDav = 10(1 +  2 100 / 2) = 324 mA
Giá trị đỉnh của dòng điốt
(
iD max = I L 1 + 2 2V p / Vr )
iDmax = 10(1 + 2 2 100 / 2) = 638 mA
Bài tập 3.5
Hãy thiết kế mạch hạn chế song song có đặc tuyến truyền đạt như hình dưới đây:

Hướng dẫn giải

Mạch có đặc tuyến truyền đạt như hình trên phải là mạch hạn chế hai phía với nhưỡng
hạn chế trên là 3 V và ngưỡng hạn chế dưới là -3 V. Giả sử sử dụng mô hình diode khi phân
cực thận là mô hình sụt áp không đổi có VD=0.6 V. ta có thể có mạch hạn chế như sau:

Ta cũng có thể sử dụng diode Zenner ở chế độ ổn áp để thay cho hai nguồn một chiều
±2.4 V bằng mạch như sau:

Bài tập 3.6

Cho mạch hạn chế song song như hình dưới đây:

56
1. Giả thiết sử dụng mô hình diode lý tưởng, hãy phân tích nguyên lý hoạt động, vẽ dạng
tín hiệu đầu ra và đặc tuyến truyền đạt của mạch?
2. Sử dụng mô hình diode sụt áp không đổi VD=0.6 V, hãy thay thế mạch trên bằng cách
mạch sử dụng diode Zenner
Hướng dẫn giải
1. Mạch trên là mạch hạn chế hai phía. Nếu giả thiết sử dụng mô hình diode lý tưởng, ta
thấy ngưỡng hạn chế trên là 6V (khi Diode A mở, diode B khóa), ngưỡng hạn chế
dưới là -9V (Khi diode B mở, diode A khóa). Vì vậy ta có đặc tuyến truyền đạt như
sau:

Dạng tín hiệu ở đầu ra của mạch như sau:

2. Khi sử dụng diode Zenner ở chế độ ổn áp để thay cho hai nguồn một chiều +6 V và –
9V. Với giả định tính toán di ode theo mô hình sụt áp không đổi VD=0.6 V ta có mạch
thay thế như sau:

57
58