Professional Documents
Culture Documents
vi
Vmax
Id E
t
IS T1 T2 L
Ud
Ud
R
D1 D2
E
t
b. Factor de potència
A4. Xarxa RCD. Comentar breument una possible utilitat de la xarxa RCD en
paralꞏlel amb el transistor i el seu funcionament.
Ds Rs
Cs
A5. Rectificador totalment controlat
S N a. Al tractar-se d’un rectificador controlat si la càrrega és RL T1
podrà funcionar a ondulador
S N b. En aquest rectificador el factor de potència de secundari i v1 T2 Id
el de primari coincideixen
S N c. Amb una càrrega R, per a angles de disparament superiors v2
T3
a 60 tindrem conducció discontínua.
d. Si el FF 1, indicar quin seria el valor de les pèrdues en un v3 Ud
tiristor (dades tiristor: VT i rT), en funció de Idmig i del FF.
Suposar que Id = Ideficaç.
A6. Díodes de potència. Dibuixar l’estructura d’un díode Schottky indicar breument les seves
característiques.
A10. Transistor IGBT. Comentar breument les característiques i dibuixar l’estructura del transistor
IGBT:
b. Si la tensió i el corrent de sortida del convertidor anterior són els donats en la figura indicar quins
semiconductors condueixen en cada instant de temps.
VS,IS IS
A
t
D3 C R
VIN
T
D1
V1
IO = ct.
T1 IC1 D1 L
D2
NOTA: L’examen de l’apartat de teoria està pensat a partir de 18 qüestions que es divideixen en: tipus
test o preguntes curtes. En els apartats tipus test cada afirmació té només dues possibles respostes:
SI o NO (vertader o fals). Si la resposta és correcta, puntua amb +1 si és incorrecta amb -1 i si no
es contesta no puntua. Contesteu marcant la resposta correcta en la quadricula. La puntuació global
d'un apartat no serà mai negativa. El alumnes que facin la 1era part contesten de la A1 fins la A10 i
els de la segona de la A11 fins la A18, la resta tot.