BÀI TẬP CHƯƠNG 1

M=−10 a x +4 a y −8 a z N=8 a x +7 a y −2 az
1.1 Cho các vector và , tìm: (a) một vector đơn vị có
5 a x +N −3 M |M||2 N|( M +N )
hướng -M + 2N; (b) độ lớn của ; (c) .
1.2 Ba đỉnh của một tam giác đặt tại A(-1, 2, 5), B(-4, -2, -3), và C(1, 3, -2). (a) Tính chu vi hình tam
giác. (b) Tìm một vector đơn vị xuất phát từ trung điểm của cạnh AB tới trung điểm cạnh BC. (c)
Chỉ ra rằng vector đơn vị này vô hướng bằng với vector từ A tới C và do đó vector đơn vị song
song AC.
1.3 Vector từ gốc tới điểm A là (6, -2, -4), và vector đơn vị xuất phát từ gốc tới điểm B là (2, -2, 1)/3.
Nếu các điểm A và B cách nhau mười đơn vị, tìm tọa độ của điểm B.
1.4 Một đường tròn có tâm tại gốc với bán kính là 2 đơn vị, nằm trong mặt phẳng xy. Xác định
vector đơn vị trong các thành phần vuông góc nằm trong mặt phẳng xy, tiếp xúc với đường tròn
√ 3 , 1, 0), và có hướng tổng quát của các giá trị tăng thêm của y.
tại (

G=24 xy a x +12( x 2 +2) a y +18 z 2 a z

1.5 Một trường vector . Cho hai điểm P(1, 2, -1) và Q(-2, 1, 3),
tìm: (a) G tại P; (b) một vector đơn vị theo hướng của G tại Q; (c) một vector đơn vị có hướng từ
Q tới P; (d) phương trình mặt phẳng tại đó |G| = 60.
r =xa x + ya y + za z
1.6 Nếu a là một vector có hướng a cho trước, B là hằng số vô hướng, và , mô
r⋅a= B
tả mặt phẳng . Vector đơn vị a và B vô hướng có mối quan hệ gì với mặt phẳng này?
(gợi ý: trước tiên xét một ví dụ đơn giản với a = ax và B = 1, sau đó xét a và B bất kì)

E=4 zy 2 cos 2 xa x + 2 zy sin 2 xa y + y 2 sin 2 xa z

1.7 Cho trường vector với miền |x|, |y|, và |z| nhỏ
hơn 2, tìm: (a) các bề mặt tại đó Ey = 0; (b) miền trong đó Ey = Ez; (c) miền trong đó E = 0.
1.8 Giải thích sự mơ hồ rằng các kết quả khi nhân tích chéo được dùng để tính góc giữa hai vector
A=3 a x−2 a y +4 a z B=2 a x + a y −2 a z
bằng cách tính góc giữa và . Sự mơ hồ này có tồn tại khi
sử dụng tích nhân?

G=[ 25 /( x 2 + y 2 ) ]( xa x + ya y )
1.9 Cho trường . Tìm: (a) một vector đơn vị theo hướng của G tại
P(3, 4, -2); (b) góc giữa G và ax tại P; (c) giá trị của tích phân kép trên mặt phẳng y = 7.
1.10 Bằng việc biểu diễn các đường chéo bởi các vector và dùng định nghĩa của tích nhân, tìm góc
nhỏ hơn giữa hai đường chéo bất kì của hình lập phương, trong đó mỗi đường chéo nối các góc
đối nhau và xuyên qua tâm của hình lập phương.
1.11 Cho các điểm M(0,1, -0,2, -0,1), N(-0,2, 0,1, 0,3), và P(0,4, 0, 0,1), tìm: (a) vector RMN ; (b) tích
R MN⋅R MP
; (c) phép chiếu vô hướng của RMN lên RMP ; (d) góc giữa RMN và RMP .

1
 A=ρ cos φa ρ + ρsin φaφ + ρa z
1.12 Chỉ ra rằng các trường vector và
B=ρ cos φa ρ + ρ sin φaφ −ρa z
trực giao với nhau tại mọi điểm.
F=10 a x −6 a y +5 a z G=0 ,1 a x +0 ,2 a y +0 , 3 a z
1.13 (a) Tìm thành phần vector của song song với .
(b) Tìm thành phần vector của F tiếp tuyến với G. (c) Tìm thành phần vector của G tiếp tuyến với
F.

A=ar ( sin 2 θ) /r 2 +2 aθ ( sin θ) /r 2 B=r cos θa r + raθ

1.14 Chỉ ra rằng các trường vector và song
song với nhau tại mọi điểm.
1.15 Ba vector xuất phát từ gốc là r1 = (7, 3, -2), r2 = (-2, 7, -3), và r3 = (0, 2, 3). Tìm: (a) một vector
đơn vị tiếp tuyến với cả r1 và r2; (b) một vector đơn vị tiếp tuyến với các vector r1 - r2 và r2 - r3; (c)
diện tích của tam giác xác định bởi r1 và r2; (d) diện tích của tam giác xác định bởi các đầu của r1,
r2, và r3.
E=( B/ ρ )a ρ
1.16 Trường vector trong đó B là hằng số, được tịnh tiến sao cho nó bắt đầu tại
đường thẳng x = 2, y = 0. Viết dạng tịnh tiến của E theo các thành phần vuông góc.
1.17 Điểm A(-4, 2, 5) và hai vector RAM = (20, 18, -10) và RAN = (-10, 8, 15) tạo thành một tam giác. (a)
Tìm một vector đơn vị tiếp tuyến với tam giác. (b) Tìm một vector đơn vị thuộc mặt phẳng tam
giác và vuông góc với RAN. (c) Tìm một vector đơn vị thuộc mặt phẳng tam giác chia đôi góc
trong tại A.
H=( A / ρ )aφ
1.18 Chuyển trường vector , trong đó A là hằng số, từ hệ tọa độ hình trụ sang hệ tọa
độ hình cầu.

D=( x 2 + y 2 )−1 ( xa x + ya y )
1.19 (a) Biểu diễn trường theo các thành phần hình trụ và các biến hình
trụ; (b) Ước lượng D tại điểm có  = 2,  = 0,2, và z = 5, biểu diễn kết quả theo các thành phần
hình trụ và vuông góc.
1.20 Một hình trụ bán kính a, tâm nằm trên trục z, xoay quanh trục z với vận tốc góc  rad/s. Hướng
quay tính theo chiều kim đồng hồ là chiều dương. (a) Dùng các thành phần hình trụ, viết biểu
thức trường vận tốc, v, tạo vận tốc vuông góc tại điểm bất kì bên trong ống; (b) hỏi như câu a
nhưng với các thành phần hình cầu; (c) hỏi như câu a nhưng với các thành phần vuông góc.
1.21 Biểu diễn theo các thành phần hình trụ: (a) vector từ C(3, 2, -7) tới D(-1, -4, 2); (b) một vector
đơn vị từ D tới C; (c) một vector đơn vị từ D tới gốc.
1.22 Một hình trụ bán kính a, tâm nằm trên trục z, xoay quanh trục z với vận tốc góc  rad/s. Hướng
quay tính theo chiều kim đồng hồ là chiều dương. (a) Dùng các thành phần hình cầu, viết biểu
thức trường vận tốc, v, tạo vận tốc vuông góc tại điểm bất kì bên trong quả cầu; ( b) hỏi như câu
a nhưng với các thành phần vuông góc.

2
1.23 Các bề mặt  = 3,  = 5,  = 100o,  = 130o, z = 3, và z = 4,5 xác định một bề mặt đóng. (a) Tính
thể tích kèm theo; (b) Tính tổng diện tích của bề mặt kèm theo; (c) Tính tổng chiều dài của
mười hai cạnh của các bề mặt; (d) Tính chiều dài của đường thẳng dài nhất nằm hoàn toàn
trong thể tích.

E=Aar / r 2
1.24 Biểu diễn trường theo (a) các thành phần vuông góc; (b) các thành phần hình trụ.

E=1/ r 2 ( cos φar +sin φ /sin θaφ )

1.25 Cho điểm P(r = 0,8,  = 30 ,  = 45 ), và
o o
; (a) Tính E tại P; (b)
Tính |E| tại P; (c) Tìm một vector đơn vị theo hướng của E tại P.
1.26 Biểu diễn trường vector đồng nhất F = 5ax theo (a) các thành phần hình trụ; (b) các thành phần
hình cầu.
1.27 Các bề mặt r = 2 và 4,  = 30o và 50o,  = 20o và 60o xác định một bề mặt đóng. (a) Tính thể tích
kèm theo; (b) Tính tổng diện tích của bề mặt kèm theo; (c) Tính tổng chiều dài của mười hai
cạnh của các bề mặt; (d) Tính chiều dài của đường thẳng dài nhất nằm hoàn toàn trong bề mặt.
G=8 sin φaθ
1.28 Biểu diễn trường vector theo (a) các thành phần vuông góc; (b) các thành phần
hình trụ.
1.29 Biểu diễn vector đơn vị ax theo các thành phần hình cầu tại điểm: (a) r = 2,  = 1 rad,  = 0,8 rad;
(b) x = 3, y = 2, z = -1; (c)  = 2,5,  = 0,7 rad, z = 1,5.
A=−12 ar −5 aθ +15 a φ
1.30 Tại điểm B(5, 120o, 75o) một trường vector có giá trị . Tìm thành phần
vector của A: (a) pháp tuyến với bề mặt r = 5; (b) tiếp tuyến với bề mặt r = 5; (c) tiếp tuyến với
hình nón  = 120o. (d) Tìm một vector đơn vị vuông góc với A và tiếp tuyến với hình nón  =
120o.

BÀI TẬP CHƯƠNG 2

2.1 Bốn điện tích dương 10 nC đặt trong mặt phẳng z = 0 tại các góc của một hình vuông cạnh 8 cm.
Điện tích dương thứ năm 10 nC đặt tại điểm cách đều các điện tích khác 8cm. Tính độ lớn của
ε =ε 0
tổn hợp lực tác dụng lên điện tích thứ năm với .
2.2 Hai điện tích điểm có độ lớn Q1 coulombs đặt tương ứng tại (0, 0, 1) và (0, 0, -1). Xác định quỹ
tích của các vị trí có thể của điện tích thứ ba Q2 trong đó Q2 có thể có giá trị dương hoặc âm, sao
cho trường tổng E = 0 tại (0, 1, 0). Quỹ tích là gì nếu hai điện tích ban đầu là Q1 và –Q1?
2.3 Các điện tích điểm có giá trị 50 nC đặt tại A(1, 0, 0), B(-1, 0, 0), C(0, 1, 0) và D(0, -1, 0) trong
khôn gian. Tìm tổng hợp lực tác dụng lên điện tích đặt tại A.
2.4 Tám điện tích điểm giống nhau có giá trị Q C đặt tại các góc của một hình lập phương cạnh a,
trong đó một điện tích đặt tại gốc và ba điện tích gần nhất tại (a, 0, 0), (0, a, 0) và (0, 0, a). Tìm
biểu thức cho vector tổng hợp lực tác dụng lên P(a, a, a), giả thiết trong chân không.

3
2.5 Đặt điện tích điểm Q1 = 25 nC tại điểm P1(4, -2, 7) và điện tích Q2 = 60 nC tại P2(-3, 4, -2). (a) Nếu
ε =ε 0 E x =0
, tìm E tại P3(1, 2, 3). (b) Tại điểm nào trên trục y thì ?

5×10−9
2.6 Ba điện tích điểm, mỗi điện tích C, đặt trên trục x lần lượt tại x = -1, 0, và 1 trong chân
không. (a) Tìm E tại x = 5. (b) Xác định giá trị và vị trí của điện tích điểm đơn tương đương có
thể gây nên trường tương tự tại những khoảng cách rất lớn. (c) Xác định E tại x = 5, sử dụng
phép tính xấp xỉ của (b).
2.7 Một điện tích điểm 2 C đặt tại A(4, 3, 5) trong chân không. Tìm E và E và Ez tại P(8, 12, 2).
2.8 Một dụng cụ thô sơ dùng để đo điện tích gồm hai quả cầu nhỏ cách điện có bán kính a, một
trong hai được cố định ở vị trí. Quả còn lại di động dọc theo trục x và chịu một lực nén kx, trong
đó k là hẳng số đàn hồi. Các quả cầu không tích điện có tâm tại x = 0 và x = d, được cố định sau
đó. Nếu cho các quả cầu bằng nhau và tích điện trái dấu có độ lớn Q coulombs, thu được biểu
thức mà qua đó Q được tìm thấy như một hàm của x. Xác định điện tích lớn nhất có thể được
đo bằng các số hạng 0, k, và d sau đó phát biểu sự ngăn cách của các quả cầu. Điều gì sẽ xảy ra
nếu đưa vào một điện tích lớn hơn?
2.9 Một điện tích điểm 100 nC đặt tại A(-1, 1, 3) trong chân không. (a) Tìm quỹ tích của tất cả các
điểm P(x, y, z) Ex = 500 V/m. (b) Tìm y1 nếu P(-2, y1, 3) thuộc quỹ tích đó.
2.10 Một điện tích thử dương được dùng để khảo sát trường của một điện tích điểm dương đơn Q
0,5a x−0,5 √ 3a y
tại P(a, b, c). Nếu điện tích thử được đặt tại gốc, lực tác dụng lên nó có hướng
0 , 6 a x −0 , 8 a y
và khi điện tích thử di chuyển đến điểm (1, 0, 0), lực tác dụng có hướng . Tìm a, b,
c.
2.11 Một điện tích Q0 đặt tại gốc trong chân không tạo nên trường có Ez = 1 kV/m tại điểm P(-2, 1, -
1). (a) Tìm Q0. Tìm E tại M(1, 6, 5) trong: (b) hệ tọa độ vuông góc; (c) hệ tọa độ hình trụ; (d) hệ
tọa độ hình cầu.
2.12 Các electrons chuyển động ngẫu nhiên trong một vùng cố định trong chân không. Trong khoảng
thời gian 1 s bất kì, xác suất tìm một electron trong miền thể tích 10 -15 m2 là 0,27. Mật độ khối
điện tích nào, thích hợp với những khoảng thời gian như trên, nên được phân cho vùng đó?
2.13 Mật độ khối tích điện đồng nhất là 0,2 C/m3 xuất hiện khắp vỏ quả cầu kéo dài từ r = 3 cm đến
r = 5 cm. Nếu v = 0 ở trong, tìm: (a) tổng điện tích xuất hiện khắp vỏ. (b) r1 nếu một nửa tổng
điện tích được đặt trong khoảng 3 cm < r < r1.

ρ v=ρ 0 / ( ρ2 +a 2 )2
2.14 Mật độ điện tích có bán kính biến thiên trong hệ trục tọa độ hình trụ là
C/m3. Tổng điện tích nằm trong phạm vi khoảng cách nào từ trục z?
2.15 Một thể tích hình cầu có bán kính 2 m chứa mật độ khối tích điện đồng nhất 10 15 C/m3. (a)
Tổng điện tích nào được kèm theo trong thể tích khối cầu? (b) Bây giờ giả thiết rằng một vùng
rộng lớn chứa một trong những khối cầu nhỏ này tại mọi góc của mạng lướt hình lập phương có

4
 cạnh 3 mm, và không có điện tích giữa các quả cầu. Tính mật độ tích điện trung bình khắp vùng
rộng lớn này.
ρ v=ρ 0 r / a
2.16 Trong phạm vi một vùng trong chân không, mật độ điện tích là C/m3, trong đó 0
và a là các hằng số. Tìm tổng điện tích nằm trong: (a) khối cầu có r  a; (b) hình nón có r  a, 0 
  0,1; (c) miền có r  a, 0    0,1; 0    0,2.
2.17 Một điện tích dây đồng nhất 16 nC/m đặt dọc theo đường xác định bởi y = -2, z = 5. Nếu  = 0:
(a) Tìm E tại P(1, 2, 3). (b) tìm E tại điểm thuộc mặt phẳng z = 0 trong đó hướng của E được cho
(1/3)a y −(2/3 )az
bởi .
2.18 Một điện tích dây đồng nhất dài vô hạn L = 2 nC/m dọc theo trục x trong chân không, trong khi
các điện tích điểm 8 nC lần lượt đặt tại (0, 0, 1) và (0, 0, -1). ( a) Tìm E tại (2, 3, -4). (b) L bằng
bao nhiêu để E = 0 tại (0, 0, 3)?
2.19 Một điện tích dây đồng nhất 2 C/m đặc trên trục z. Tìm E trong hệ trục tọa độ vuông góc tại
P(1, 2, 3) nếu điện tích tồn tại trong khoảng: (a) - < z < ; (b) -4  z  4.
2.20 Phần trục z trong đó |z| < 2 mang một mật độ điện tích thẳng không đồng nhất 10|z| nC/m và
có L = 0. Xác định E trong chân không tại: (a) (0, 0, 4); (b) (0, 4, 0).
2.21 Hai điện tích thẳng đồng nhất dài vô hạn có l = 75 nC/m đặt trong không gian tại x = 0, y = 0,4
m. Tính lực trên mỗi đơn vị độ dài mà mỗi điện tích dây tác dụng lên điện tích khác.
2.22 Hai dải điện tích đồng nhất dài vô hạn với s = 100 nC/m2 đặt trong chân không tại z = 2,0 cm.
Tính lực trên mỗi đơn vị diện tích mà mỗi dải tác dụng lên dải khác.
2.23 Cho mật độ điện tích bề mặt, s = 2 C/m2, tồn tại trong miền  < 0,2 m, z = 0, và là 0 tại những
nơi khác. Tìm E tại: (a) PA( = 0, z = 0,5); (b) PB( = 0, z = -0,5).
2.24 Đối với đĩa tích điện của bài tập 2.23, chỉ ra rằng: (a) trường dọc theo trục z giảm xuống thành
trường của một dải điện tích dài vô hạn tại z có các trị số nhỏ; (b) trường của trục z giảm xuống
thành trường của một điện tích điểm tại z có các trị số lớn.
2.25 Tìm E tại gốc nếu các vị trí phân bố điện tích sau đặt trong không gian: điện tích điểm, 12 nC, tại
P(2, 0, 6); mật độ điện tích dây đồng nhất, 3 nC/m, tại x = -2, y = 3; mật độ điện tích bề mặt
đồng nhất, 0,2 nC/m2 tại x = 2.
2.26 Một electron lưỡng cực (sẽ được thảo luận chi tiết trong mục 4.7) bao gồm hai điện tích điểm
có độ lớn bằng nhau và trái dấu cách nhau một khoảng d. Với các điện tích dọc theo trục z tại
các vị trí z = d/2 (với điện tích dương đặt tại vị trí của z dương), trường điện trong hệ tọa độ
E(r , θ )=[Qd /(4 πε 0 r 3 )][2 cos θa r +sin θaθ ]
hình cầu được cho bởi , trong đó r >> d. Sử dụng
hệ trục tọa độ vuông góc, xác định các biểu thức của vector lực tác dụng lên điện tích điểm có
độ lớn q: (a) tại (0, 0, z); (b) tại (0, y, 0).
E=( 4 x−2 y )a x−(2 x +4 y )a y
2.27 Cho điện trường , tìm: (a) phương trình của đường dòng đi qua
điểm P(2, 3, -4); (b) một vector đơn vị xác định hướng của E tại P(3, -2, 5).
5
 E=2 xz 2 a x + 2 z ( x 2 +1 )a z
2.28 Một trường có . Tìm phương trình của đường dòng đi qua điểm (1,
3, -1).

E=20 e−5 y (cos 5 xa x−sin5 xa y )

2.29 Nếu , tìm: (a) |E| tại P(/6, 0,1, 2); (b) một vector đơn vị có
hướng của E tại P; (c) phương trình của đường định hướng đi qua P.
2.30 Đối với những trường không biến thiên theo z trong hệ tọa độ hình trụ, các phương trình
E ρ / E φ=dρ/( ρdφ )
đường dòng thu được bằng cách giải các phương trình vi phân . Tìm
E=ρ cos2 φa ρ− ρsin 2 φa φ
phương trình đường thẳng đi qua điểm (2, 30o, 0) đối với trường .

BÀI TẬP CHƯƠNG 3

3.1 Một bình sơn kim loại rỗng được đặt trên bàn đá cẩm thạch, bỏ nắp, và cả hai phần được tháo
ra (vinh dự) bằng cách chạm chúng xuống đất. Một sợi nylon cách nhiệt được dán tại chính giữa
nắp, và một đồng xu, một nikel và một hào được dán vào sợi nylon để chúng không chạm vào
nhau. Đồng xu được cho bởi điện tích +5 nC, nikel và hào được loại bỏ. Kéo khối lắp ráp vào
trong bình để các đồng tiền treo rõ ràng mọi thành, nắp được giữ an toàn. Phía ngoài bình có
thể chạm lần nữa giây lát xuống đất. Thiết bị được tháo gỡ cẩn thận bằng găng tay cách điện và
các công cụ. (a) Các điện tích nào được tìm thấy trên mỗi năm mẩu kim loại? (b) Nếu đồng xu
được cho bởi điện tích +5 nC, đồng hào được cho bởi điện tích -2 nC và nikel được cho bởi điện
tích -1 nC, cái gì sẽ là chỉnh hợp điện tích cuối cùng?
3.2 Một điện tích điểm 20 nC đặt tại (4, -1, 3) và một điện tích dây đồng nhất -25 nC/m nằm dọc
theo đường giao của các mặt phẳng x = -4 và z = 6. (a) Tính D tại (3, -1, 0). (b) Tính thông lượng
điện rời khỏi bề mặt quả cầu có bán kính 5, tâm đặt tại gốc. (c) Tương tự câu b nhưng bán kình
quả cầu là 10.
3.3 Bề mặt hình trụ  = 8 cm chứa mật độ điện tích bề mặt, S = 5e-20|z| nC/m2. (a) Tính tổng lượng
điện tích hiện có. (b) Tính thông lượng điện rời khỏi bề mặt  = 8 cm, 1 cm < z < 5 cm, 30o <  <
90o.
3.4 Trong hệ tọa độ hình trụ, cho D = (a + zaz)/[4(2 + z2)1,5]. Xác định tổng thông lượng rời khỏi:
(a) bề mặt hình trụ dài vô hạn  = 7; (b) hình trụ có hạn,  = 7, |z|  10.
3.5 Cho D = 4xyax + 2(x2 + z2)ay + 4yzaz C/m2. Tính các tích phân bề mặt để tìm tổng điện tích đóng
kín trong hình hộp 0 < x < 2, 0 < y < 3, 0 < z < 5 m.
3.6 Trong chân không, một điện tích thể tích có mật độ không đổi v = 0 tồn tại trong miền - < x <
, - < y <  và –d/2 < z < d/2. Tính D và E tại mọi điểm.
3.7 Mật độ điện tích thể tích đặt trong chân không có v = 2e-1000r nC/m3 với 0 < r < 1 mm và v = 0
tại những nơi còn lại. (a) Tính tổng điện tích đóng kín bởi bề mặt hình cầu r = 1 mm. (b) Sử dụng
định luật Gauss, tính giá trị của Dr trên bề mặt r = 1 mm.
3.8 Sử dụng định luật Gauss dưới dạng tích phân để chỉ ra rằng trường tỉ lệ nghịch với khoảng cách
trong hệ tọa độ hình cầu, D = Aar/r, trong đó A là hằng số, đòi hỏi mỗi vỏ cầu dày 1 m để chứa
6
 4A coulombs điện tích. Liệu điều này có cho thấy một sự phân phối điện tích liên tục? Nếu có,
tìm mật độ điện tích biến thiên theo r.
3.9 Mật độ điện tích thể tích đồng nhất 80 C/m3 tồn tại trong miền 8 mm < r < 10 mm. Cho v = 0
khi 0 < r < 8 mm. (a) Tính tổng điện tích bên trong bề mặt khối cầu r = 10 mm. (b) Tìm Dr tại r =
10 mm. (c) Nếu không có điện tích khi r > 10 mm, tìm Dr tại r = 20 mm.
3.10 Mật độ điện tích thể tích thay đổi trong hệ tọa độ hình cầu là v = (0 sinr)/r2, trong đó 0 là
hằng số. Tìm các bề mặt mà trên đó D = 0.
3.11 Trong hệ tọa độ hình trụ, cho v = 0 với  < 1 mm, v = 2sin(2000) nC/m3 với 1 mm <  < 1,5
mm và v = 0 với  > 1,5 mm. Tính D tại mọi điểm.
3.12 Mặt trời tỏa một năng lượng tổng cộng khoảng 2 x 10 26 watts (W). Nếu ta tưởng tượng bề mặt
của mặt trời được biểu thị thành các đường kinh tuyến và vĩ tuyến và cho rằng bức xạ đồng
nhất. (a)Năng lượng nào được tỏa ra bởi vùng nằm giữa vĩ tuyến 50 o N và 60o N và kinh tuyến
12o W và 27o W? (b) Tính mật độ năng lượng (W/m2) trên bề mặt khối cầu cách mặt trời
93.000.000 dặm.
3.13 Các bề mặt quả cầu có r = 2, 4 và 6 m chứa các mật độ điện tích bề mặt đồng nhất lần lượt là 20
nC/m2, -4 nC/m2 và S0. (a) Tính D khi r = 1, 3 và 5 m. (b) Xác định S0 để D = 0 khi r = 7m.
3.14 Một nguồn sáng bên trong một quả cầu trong mờ có đường kính 20 cm gây mật độ thông lượng
ánh sáng trên bề mặt khối cầu 1000cos 2( /2)ar lumens/m2. (a) Trong điều kiện nào thì mật độ
thông lượng là cực đại? (b) Xác định góc  = 0 sao cho mật độ thông lượng bằng một nửa giá trị
cực đại của nó. (c) Xác định góc  = 0 sao cho một nửa tổng thông lượng ánh sáng được phát ra
từ hình nón  < t.
3.15 Mật độ điện tích thể tích được đặt như sau: v = 0 với  < 1 mm và  > 2 mm, v = 4 C/m3 với
1 <  < 2 mm. (a) Tính tổng điện tích trong miền 0 <  < 1, 0 < z < L, trong đó 1 < 1 < 2 mm. (b)
Sử dụng định luật Gauss để xác định D tại  = 1. (c) Tính D tại  = 0,8 mm, 1,6 mm và 2,4 mm.
3.16 Trong hệ tọa độ hình cầu, tồn tại mật độ điện tích thể tích v = 10e-2r C/m3. (a) Xác định D. (b)
∇⋅D
Kiểm tra kết quả câu a bằng cách tính

D=2 x 2 ya x +3 x 2 y 2 a y
3.17 Một hình lập phương xác định bởi 1 < x, y, z < 1,2. Cho C/m2. (a) Áp
dụng định luật Gauss để tính tổng thông lượng rời khỏi bề mặt đóng của hình lập phương. ( b)
∇⋅D
Tính tại tâm của hình lập phương. (c) Ước lượng tổng điện tích đóng kín trong hình lập
phương bằng cách sử dụng phương trình (8).
3.18 Cho sự phân kì của các trường vector sau là dương, âm hoặc bằng không: (a) dòng chảy nhiệt
năng tính theo J/(m2 – s) tại điểm bất kì trong khối nước đá đóng băng hình lập phương; (b) mật
độ dòng điện tính theo A/m2 trong một thanh cái mang dòng điện một chiều; (c) tỉ lệ khối lượng
dòng chảy tính theo kg/(m2 – s) dưới mặt nước trong chậu, trong đó nước lưu thông theo chiều
kim đồng hồ khi quan sát từ bên trên.

7
3.19 Một bề mặt hình cầu có bán kính 3 mm, tâm tại điểm P(4, 1, 5) trong chân không. Cho D = xax
C/m2. Sử dụng các kết quả trong mục 3.4 để ước lượng thông lượng lưới điện rời khỏi bề mặt
hình cầu.
3.20 Giả thiết một mật độ thông lượng điện trong hệ tọa độ hình trụ có dạng D = Da. Mô tả sự phụ
D ρ =f ( φ , z ) D ρ =(1/ ρ )f (φ , z )
thuộc của mật độ điện tích v vào các tọa độ , , z nếu (a) ; (b)
D ρ =f ( ρ )
; (c) .
∇⋅D
3.21 Tính tại điểm xác định nếu (a) D = (1/z2)[10xyzax + 5x2zay + (2z3 – 5x2y)az] tại P(-2, 3, 5); (b)
D = 5z2a + 10zaz tại P(3, -45o, 5); (c) D = 2rsin sin ar + rcos sin a + rcos a tại P(3, 45o, -
45o).
3.22 (a) Một trường mật độ thông lượng F1 = 5az. Ước lượng thông lượng đi ra khỏi F1 xuyên qua bề
mặt bán cầu, r = a, 0 <  <  /2, 0 <  < 2. (b) Những quan sát đơn giản nào sẽ tiết kiệm nhiều
công việc trong phần a? (c) Bây giờ giả thiếu trường được cho bởi F2 = 5zaz. Sử dụng các tích
phân bề mặt thích hợp, ước lượng thông lượng mạng ra bên ngoài xuyên qua bề mặt kín bao
gồm bán cầu của phần a và mặt đáy hình tròn của nó trên mặt phẳng xy. (d) Lặp lại phần c bằng
cách sử dụng định lí phân kì và tích phân thể tích thích hợp.
3.23 (a) Một điện tích Q nằm tại gốc. Chỉ ra rằng div D bằng không tại mọi điểm trừ gốc. (b) Thay
điện tích điểm bằng một mật độ điện tích thể tích đồng nhất v0 với 0 < r < a. Liên kết v0 với Q
và a để tổng điện tích cũng giống như trên. Tính div D tại mọi điểm.
∇⋅D =0
3.24 (a) Mật độ điện tích thẳng đồng nhất L nằm dọc theo trục z. Cho rằng tại mọi điểm
nằm ngoài điện tích thẳng. (b) Thay điện tích thẳng bằng mật độ điện tích thể tích đồng nhất 0
∇⋅D
với 0 <  < a. Liên kết 0 với L để điện tích trên mỗi đơn vị độ dài là như nhau. Từ đó tính
tại mọi điểm.
3.25 Trong vỏ hình cầu, 3 < r < 4 m, mật độ thông lượng điện D = 5(r – 3)3ar C/m2. (a) Tính mật độ
điện tích thể tích tại r = 4. (b) Tính mật độ thông lượng điện tại r = 4. (c) Tính thông lượng điện
rời khỏi quả cầu r = 4. (d) Tính điện tích chứa trong quả cầu r = 4.
3.26 Nếu ta có một khí hoàn hảo của khối mật độ m kg/m3, và ta chỉ định một vận tốc U m/s với mỗi
yếu tố vi phân thì tốc độ dòng chảy khối là mU kg/(m2 – s). Lí luận vật lí sau đó dẫn tới các
∇⋅( ρm U )=−∂ ρm /∂ t
phương trình liên tục, . (a) Giải thích bằng lời ý nghĩa vật lí của phương
∮S ρm U⋅dS=−dM /dt
trình này. (b) Cho rằng , trong đó M là tổng khối lượng của khí trong bề
mặt đóng không đổi S, và giải thích kí hiêu vật lí của phương trình.
3.27 Cho D = 5,00r2ar mC/m2 với r  0,08 m và D = 0,205ar/r2 C/m2 với r  0,08 m. (a) Tìm v khi r =
0,06 m. (b) Tìm v khi r = 0,1 m. (c) Mật độ điện tích bề mặt nào có thể đặt tại r = 0,08 m để gây
D = 0 khi r > 0,08 m?
∇⋅D=ρv
3.28 Lặp lại bài tập 3.8 nhưng sử dụng và một tích phân thể tích thích hợp.
8
 2
D= ( yz a x + xz a y −2 xy a z )
z2
3.29 Trong miền không gian chứa thể tích 2 < x, y, z < 3, C/m2. (a) Ước
lượng phần tích phân thể tích của định lí phân kì đối vởi thể tích được xác định ở đây. ( b) Ước
lượng phần tích phân bề mặt đối với bề mặt đóng tương ứng.
3.30 Cho D = 202a nC/m2. (a) Tính mật độ điện tích thể tích tại điểm P(0,5, 60o, 2). (b) Sử dụng hai
cách khác nhau để tìm lượng điện tích nằm trong bề mặt đóng giới hạn bởi  = 3, 0  z  2.
16
cos(2 θ )aθ
D=
Cho mật độ thông lượng r C/m2, sử dụng hai cách khác nhau để tìm tổng điện tích
trong miền 1 < r < 2 m, 1 <  < 2 rad, 1 <  < 2 rad.

BÀI TẬP CHƯƠNG 4

4.1 Giá trị của E tại P( = 2,  = 40, z = 3) là E = 100a - 200a + 300az V/m. Xác định công cần thêm để
dịch chuyển điện tích 20 C một khoảng 6 m: (a) theo hướng của a; (b) theo hướng của a; (c)
theo hướng của az; (d) theo hướng của E; (e) theo hướng của G = 2ax – 3ay + 4az.

E=−10 e y (sin 2 za x +x sin 2 za y +2 x cos2 za z )

4.2 Cho điện trường V/m. (a) Tính E tại P(5, 0, /12). (b)
Công sinh ra là bao nhiêu để dịch chuyển điện tích 2 nC một khoảng 1 mm từ P theo hướng của
ax? (c) của ay? (d) của az? (e) của (ax + ay + az)?
4.3 Nếu E = 120a V/m, tính lượng công sinh thêm khi dịch chuyển một điện tích 50 C một khoảng 2
mm từ: (a) P(1, 2, 3) tới Q(2, 1, 4); (b) Q(2, 1, 4) tới P(1, 2, 3).
4.4 Năng lượng tiêu hao khi đưa một điện tích 4 C từ gốc tới (x, 0, 0) dọc theo trục x tỉ lệ với bình
phương chiều dài con đường. Nếu Ex = 7 V/m tại (1, 0, 0), xác định Ex trên trục x như một hàm
của x.
P
∫A G⋅dL
4.5 Tính giá trị của trong đó G = 2yax với A(1, -1, 2) và P(2, 1, 2) sử dụng đường: (a) các đoạn
thẳng từ A(1, -1, 2) tới B(1, 1, 2) tới P(2, 1, 2); (b) các đoạn thẳng từ A(1, -1, 2) tới C(2, -1, 2) tới
P(2, 1, 2).
4.6 Xác định công sinh ra khi đưa điện tích 2 C từ (2, 1, -1) tới (8, 2, -1) trong trường E = yax + xay dọc
theo: (a) đường parabol x = 2y2, (b) đường hypebol x = 8/(7 – 3z); (c) đường thẳng x = 6y – 4.

2
4.7 Cho G = 3xy a + 2za , điểm đầu P(2, 1, 1) và điểm cuối Q(4, 3, 1). Tính
∫ G⋅dL
sử dụng đường: (a)
x y

đường thẳng y = x – 1, z = 1; (b) parabol 6y = x2 + 2, z = 1.

E=−xa x + ya y
4.8 Cho , tính công sinh ra khi dịch chuyển một điện tích đơn vị dương trên một cung
x= y=a/ √ 2
tròn, đường tròn có tâm tại gốc, từ .

9
4.9 Một mật độ điện tích bề mặt đồng nhất 20 nC/m 2 tồn tại trên bề mặt hình cầu r = 0,6 m trong
không gian. (a) Tính điện thế tuyệt đối tại P(r = 1 cm,  = 25o,  = 50o). (b) Tính VAB, biết A(r = 2
cm,  = 25o,  = 60o) và B(r = 3 cm,  = 45o,  = 90o).
4.10 Biểu diễn trường điện thế của một điện tích thẳng dài vô hạn (a) với tham khảo bằng không tại
 = 0; (b) với V = V0 tại  = 0. (c) Tham khảo bằng không có thể đặt tại vô cực được không? Tại
sao?
4.11 Cho một mật độ điện tích bề mặt đồng nhất 5 nC/m 2 tồn tại tại mặt phẳng z = 0, một mật độ
điện tích đường đồng nhất 8 nC/m đặt tại x = 0, z = 4, và một điện tích điểm 2 C đặt tại P(2, 0,
0). Nếu V = 0 tại M(0, 0, 5), tính V tại N(1, 2, 3).
4.12 Trong hệ trục tọa độ hình cầu, E = 2r/(r2 + a2)2ar V/m. Tính điện thế tại điểm bất kì, sử dụng
tham khảo (a) V = 0 tại vô cực; (b) V = 0 tại r = 0; (c) V = 100 V tại r = a.
4.13 Ba điện tích điểm giống nhau 4 pC đặt tại các góc của một hình tam giác đều cạnh 0,5 mm trong
không gian. Tính công cần để dịch chuyển một điện tích tới điện tích cách đều hai điện tích còn
lại trên đường nối chúng.
4.14 Cho điện trường E = (y + 1)ax + (x – 1)ay + 2az. Tính hiệu điện thế giữa các điểm: (a) (2, -2, -1) và
(0, 0, 0); (b) (3, 2, -1) và (-2, -3, 4).
4.15 Hai điện tích thẳng đồng nhất 8 nC được đặt tại x = 1, z = 2 và tại x = -1, y = 2 trong không gian.
Nếu hiệu điện thế tại gốc là 100 V, tính V tại P(4, 1, 3).

V =(k /ρ 2 )cos(bφ)
4.16 Hiệu điện thế tại điểm bất kì trong hệ trục tọa độ hình trụ là V/m, trong đó
k và b là các hằng số. (a) Tìm tham khảo bằng không của điện thế. (b) Tính cường độ vector điện
trường tại điểm bất kì (, , z).
4.17 Các mật độ điện tích bề mặt đồng nhất 6 và 2 nC/m 2 tồn tại tại  = 2 và 6 cm tương ứng trong
không gian. Giả thiết V = 0 tại  = 4 cm, tính V tại: (a)  = 5 cm; (b)  = 7 cm.

ρ L=kx /( x 2 +a 2 )
4.18 Tính điện thế tại gốc gây bởi điện tích thẳng kéo dài dọc theo trục x từ x = a
tới +, trong đó a > 0. Giả thiết tham khảo bằng không tại vô cực.
4.19 Bề mặt hình khuyên có 1 cm <  < 3 cm, z = 0, chứa mật độ điện tích bề mặt không đồng nhất S
= 5 nC/m2. Tính V tại P(0, 0, 2) biết V = 0 tại vô cực.
4.20 Một điện tích điểm Q được đặt tại gốc. Biểu diễn điện thế ở cả hai hệ trục tọa độ vuông góc và
hình trụ, sử dụng phép toán gradient trong mỗi hệ trục tọa độ đó để tính cường độ điện
trường. Có thể kiểm tra kết quả bằng cách chuyển đổi hệ tọa độ hình cầu.

V =2 xy 2 z 3 +3 ln( x2 +2 y 2 +3 z 2 )
4.21 Cho V trong không gian. Tính mỗi đại lượng sau tại P(3, 2, -1):
(a) V; (b) |V|; (c) E; (d) |E|; (e) aN; (f) D.
V =V 0 (r /a)sin θ
4.22 Cho một trường điện thế trong hệ tọa độ hình cầu . Tính tổng điện tích chứa
trong miền r < a.

10
4.23 Cho điện thế V = 800,6 V. Giả sử trong điều kiện không gian, tính: (a) E; (b) mật độ điện tích thể
tích tại  = 0,5 m; (c) tổng điện tích nằm trong bề mặt đóng  = 0,6; 0 < z < 1.

x 3 + y 2 +z=100
4.24 Bề mặt xác định bởi phương trình , trong đó x, y, z dương, là một bề mặt đẳng
thế với điện thế là 200 V. Nếu |E| = 50 V/m tại điểm P(7, 25, 32) thuộc bề mặt, tính E tại đó.

V =100+50 ρ+150 ρsin φ

4.25 Trong hình trụ  = 2, 0 < z < 1, cho điện thế V. (a) Tính V, E, D và v
o
tại P(1, 60 , 0,5) trong không gian. (b) Có bao nhiêu điện tích nằm trong hình trụ?
4.26 Giả sử ta có một tấm kim loại dẫn điện rất mỏng hình vuông cạnh 2 m, đặt trong mặt phẳng z =
0 với một góc tại gốc sao cho nó nằm hoàn toàn bên trong góc phần tư thứ nhất. Điện thế tại
V =−e−x sin y
điểm bất kì trong tấm kim loại là .(a) Một electron bay vào đĩa tại x = 0, y = /3
với vận tốc ban đầu bằng không. Hướng chuyển động ban đầu của nó là như thế nào? (b) Do sự
va chạm với các hạt trong tấm kim loại, electron đạt được một tốc độ tương đối thấp và gia tốc
nhỏ (công do trường sinh ra chủ yếu chuyển thành nhiệt). Electron do vậy chuyển động dọc
theo đường sức. Xác định vị trí electron rời khỏi tấm kim loại và hướng nó di chuyển tại thời
điểm đó.
4.27 Hai điện tích điểm, 1 nC tại (0, 0, 0,1) và -1 nC tại (0, 0, -0,1), đặt trong không gian. (a) Tính V tại
P(0,3, 0, 0,4). (b) Tinh |E| tại P. (c) Coi hai điện tích như một lưỡng cực tại gốc, tính V tại P.
4.28 Sử dụng cường độ điện trường của lưỡng cực (Mục 4.7, phương trình (36)) để tính hiệu điện
thế giữa hai điểm a và b, có cùng r và trục tọa độ . Trong điều kiện nào thì kết quả đồng nhất
với phương trình (34) với điện thế tại a?
4.29 Một lưỡng cực có moment p = 3ax – 5ay + 10az nC.m đặt tại Q(1, 2, -4) trong không gian. Tính V
tại P(2, 3, 4).
p=10 ε 0 a z
4.30 Một lưỡng cực có C.m đặt tại gốc. Xác định phương trình của bề mặt tại đó Ez = 0
nhưng E  0.
4.31 Một trường điện thế trong không gian V = 20/(xyz) V. (a) Tính tổng năng lượng tích trữ trong
hình lập phương 1 < x, y, z < 2. (b) Tính giá trị thu được nếu giả thiết mật độ năng lượng đồng
nhất bằng với giá trị tại tâm của hình lập phương.
4.32 (a) Dùng phương trình (36), tính năng lượng tích trữ trong trường lưỡng cực trong miền r > a.
(b) Tại sao không thể cho a tiến tới không là một giới hạn?
4.33 Một quả cầu bằng đồng có bán kính 4 cm chứa tổng điện tích phân bố đồng đều 5 C trong
không gian. (a) Sử dụng định luật Gauss để tính D bên ngoài quả cầu. (b) Tính tổng năng lượng
W E =Q2 /(2 C )
tích trữ trong trường điện tĩnh. (c) Sử dụng để tính điện dung của quả cầu cô
lập.
4.33.1 Một quả cầu có bán kính a chứa mật độ điện tích thể tích đồng nhất 0 C/m3. Tính tổng năng
lưỡng được tích trữ, áp dụng: (a) phương trình (43); (b) phương trình (45).

11
 4.33.2 Bốn điện tích điểm 0,8 nC được đặt trong không gian tại bốn góc của một hình vuông cạnh 4
cm. (a) Tính tổng năng lượng điện thế được tích trữ. (b) Một điện tích thứ năm 0,8 nC được đặt
tại tâm của hình vuông. Tính tổng năng lượng tích trữ.

BÀI TẬP CHƯƠNG 5

J=−104 [ sin(2 x )e−2 y a x +cos(2 x )e−2 y a y ]
1.1 Cho mật độ dòng điện kA/m2: (a) Tính tổng dòng điện đi qua
mặt phẳng y = 1 theo hướng của ay trong miền 0 < x < 1, 0 < z < 2. (b) Tính tổng dòng điện rời khỏi
J⋅dS
miền 0 < x, y < 1, 2 < z < 3 bằng cách tích phân trên bề mặt của hình lập phương. (c) Yêu cầu
giống câu (b) nhưng sử dụng định luật phân kì.

J=100 e−2 z ( ρa ρ +a z )
1.2 Trong hệ trục tọa độ hình trụ cho mật độ dòng điện A/m2. Tính tổng dòng điện
xuyên qua mỗi bề mặt sau: (a) z = 0, 0    1 theo hướng az; (b) z = 1, 0    1 theo hướng az; (c)
hình trụ đóng xác định bởi 0  z  1, 0    1 theo hướng ra bên ngoài.

J=400 sin θ/( r 2 +4 ) a r

1.3 Cho A/m2. (a) Xác định tổng dòng điện chạy qua phần bề mặt hình cầu có r =
0,8, giới hạn bởi 0,1 <  < 0,3, 0 <  < 2. (b) Tính giá trị bình quân của J trên vùng đã cho.
1.4 Giả định một tia electron đồng nhất của mặt cắt hình trong có bán kính 0,2 mm xuất phát từ cực âm tại
x = 0 và đến cực dương tại x = 20 cm. Vận tốc của các electron biến thiên theo x theo hàm vx =
108x0,5 m/s, trong đó x đo bằng mét. Cho mật độ dòng điện tại cực dương là 10 4 A/m2, xác định mật
độ điện tích thể tích và mật độ dòng điện dưới dạng hàm của x.

J=25/ ρa ρ−20 /( ρ2 + 0 ,01 ) a z

1.5 Cho A/m2. (a) Xác định tổng dòng điện đi qua mặt phẳng z = 0,2 theo
∂ ρv /∂ t
hướng az với  < 0,4. (b) Tính . (c) Xác định dòng điện hướng ra ngoài đi qua bề mặt đóng
xác định bởi  = 0,01,  = 0,4, z = 0, và z = 0,2. (d) Chỉ ra rằng định lí phân kì thỏa mãn đối với J và bề
mặt xác định trong câu (c)

J=(0 , 1/r)exp(−106 t )a r
1.6 Trong hệ tọa độ hình cầu, mật độ dòng điện trong một vùng xấp xỉ bằng A/m2.
(a) Tại thời điểm t = 1s, dòng điện đi qua bề mặt r = 5 là bao nhiêu? (b) Yêu cầu như trên với r = 6.
(c) Sử dụng phương trình liên tục để tính v(r, t) biết rằng v  0 khi t  . (d) Xác định phương
trình vận tốc của mật độ điện tích.

12
1.7 Giả thiết rằng không có sự biến đối khối lượng thành năng lượng hoặc ngược lại, hoàn toàn có thể viết
một phương trình khối lượng liên tục. (a) Nếu ta sử dụng phương trình liên tục đối với điện tích làm
mô hình, các đại lượng tương ứng với J và v là gì? (b) Cho hình lập phương cạnh 1 cm, số liệu thực
nghiệm cho thấy rằng tốc độ khối lượng rời khỏi một trong sáu mặt là 10,25, -9,85, 1,75, -2,00, -
4,05 và 4,45 mg/s. Giả sử khối lập phương là một phần tử khối lượng gia tăng, tính giá trị xấp xỉ của
tỉ lệ thời gian của mật độ điện tích tại tâm khối lập phương.
1.8 Dẫn suất của cacbon là khoảng 3 x 104 S/m. (a) Tính kích thước và hình dạng của cacbon để nó có độ
dẫn là 3 x 104 S. (b) Xác định độ dẫn nếu mỗi kích thước trong câu (a) giảm đi một nửa.
1.9 (a) Sử dụng bảng dữ liệu trong Phụ lục C, tính đường kính cần thiết cho một dây nichrome dài 2 m để
làm tiêu tan năng lượng trung bình 450 W khi có 120 V rms tại 60 Hz. (b) Xác định mật độ dòng điện
rms trong dây.
1.10 Một dây thuần nhất có dẫn suất a1 và bán kính a có vỏ bằng vật liệu có dẫn suất 2 và bán kính
trong là a, bán kính ngoài là b. Chỉ ra rằng tỉ số giữa các mật độ dòng điện trong hai vật liệu không
phụ thuộc vào a và b.
1.11 Hai bề mặt hình trụ dẫn điện lí tưởng có chiều dài l đặt tại  = 3 và  = 5 cm. Tổng dòng điện hướng
ra ngoài xuyên qua môi trường giữa hai hình trụ là 3 A dc. (a) Xác định điện thế, điện trở giữa hai
hình trụ và E trong vùng giữa hai hình trụ biết vật liệu dẫn điện có  = 0,05 S/m với 3 <  < 5 cm. (b)
Chỉ ra rằng tích phân năng lượng tiêu ha trên mỗi đơn vị thể tích của toàn thể tích sẽ cho ta tổng
năng lượng tiêu hao.
1.12 Hai tấm dẫn điện giống nhau cùng có diện tích A, đặt tại z = 0 và z = d. Miền giữa hai tấm được lấp
σ (z )=σ 0 e−z /d
bởi vật liệu có dẫn suất phụ thuộc vào z, , trong đó 0 là hằng số. Tại z = d, điện thế
V0; tại z = 0, điện thế bằng không. Tính theo paramet: (a) điện trở của vật liệu; (b) tổng dòng điện
giữa các tấm; (c) cường độ điện trường E bên trong vật liệu.
1.13 Một ống hình trụ rỗng có tiết diện hình chữ nhật có các số đo 0,5 in by 1 in. và độ dày thành là 0,05
σ =1,5×107
in. Giả thiết rằng vật liệu bằng đồng có S/m. Dòng điện 200 A dc đi qua ống. (a) Tính
độ giảm điện thế dọc theo 1 m độ dài của ống. (b) Tính độ giảm điện thế nếu bên trong ống là vật
σ =1 ,5×105
liệu dẫn điện có S/m.
1.14 Một tấm dẫn điện hình tam giác nằm trên mặt phẳng xy, trong đó 0 < x < a, 0 < y < b. Một tấm dẫn
điện giống hệt đặt ở trên và song song với tấm thứ nhất, tại z = d. Vùng giữa hai tấm được lấp bởi
σ (x )=σ 0 e−x /a
vật liệu có dẫn suất , trong đó 0 là hằng số. Điện thế của tấm là V0 tại z = d và bằng
không khi z = 0. Tính theo diamet: (a) cường độ điện trường E bên trong vật liệu; (b) tổng dòng điện
giữa hai tấm; (c) điện trở của vật liệu.

V =10 ( ρ+1) z 2 cosφ

1.15 Cho V trong không gian. (a) Cho bề mặt đẳng thế V = 20 là bề mặt dây dẫn.
Xác định phương trình bề mặt dây dẫn. (b) Tính  và E tại điểm trên bề mặt dây dẫn mà tại đó
φ=0,2π
và z = 1,5. (c) Tính |S| tại điểm đó.
13
 V =1000 ρ 2
1.16 Trong hệ tọa độ hình trụ, cho . (a) Nếu miền 0,1 <  < 0,3 m là không gian trong khi các
bề mặt  = 0,1 và  = 0,3 là các vật dẫn điện có mật độ điện tích bề mặt xác định trên mỗi vật. ( b)
Tính tổng dòng điện trong 1 m chiều dài của khoảng không gian 0,1 <  < 0,3 (không bao gồm các
vật dẫn) (c) Tính tổng dòng điện trong 1 m chiều dài, bao gồm cả hai điện tích bề mặt.

V =100 xz( x 2 +4 )
1.17 Cho trường điện thế V trong không gian. (a) Xác định D tại bề mặt z = 0. (b) Chỉ ra
rằng bề mặt z = 0 là một bề mặt đẳng thế. (c) Giả thiết bề mặt z = 0 là một vật dẫn điện, tính tổng
dòng điện trong phần xác định bởi 0 < x < 2, -3 < y < 0.

V =100 ln{[( x +1 )2 + y 2 ]/[( x−1)2 + y 2 ]Ư }

1.18 Cho trường điện thế V. Biết điểm P(2, 1, 1) nằm trên bề
mặt chất dẫn điện và chất dẫn điện nằm trong không gian. Tại P, xác định vector pháp tuyến đơn vị
của bề mặt và giá trị của mật độ điện tích bề mặt trên chất dẫn điện.

V =20 x 2 yz−10 z 2
1.19 Trong không gian cho V. (a) Xác định phương trình các bề mặt đẳng thế có V = 0
và 60 V. (b) Giả thiết đó là các bề mặt dẫn điện, xác định mật độ điện tích bề mặt tại điểm thuộc bề
mặt V = 60 V tại đó x = 2 và z = 1. Biết miền 0  V  60 V chứa trường. (c) Chỉ ra vector đơn vị tại
điểm này, pháp tuyến với bề mặt dẫn điện và hướng ra khỏi bề mặt V = 0.
1.20 Hai điện tích điểm -100 C đặt tại (2, -1, 0) và (2, 1, 0). Bề mặt x = 0 là một mặt phẳng dẫn điện. (a)
Xác định mật độ điện tích bề mặt tại gốc tọa độ. (b) Xác định S tại P(0, h, 0).
1.21 Cho bề mặt y = 0 là một vật dẫn điện lí tưởng trong không gian. Hai điện tích thẳng dài vô hạn đồng
nhất 30 nC/m đặt tại x = 0, y = 1 và x = 0 và y = 2. (a) Cho V = 0 tại mặt phẳng y = 0, tính V tại P(1, 2,
0). (b) Tính E tại P.
ρ L=π| y|
1.22 Đoạn thẳng x = 0, -1  y  1, z = 1 chứa mật độ điện tích tuyến tính C/m. Cho z = 0 là
mặt phẳng dẫn điện. Xác định mật độ điện tích bề mặt tại: (a) (0, 0, 0); (b) (0, 1, 0).
1.23 Một lưỡng cực với p = 0,1az C.m đặt tại điểm A(1, 0, 0) trong không gian. Mặt phẳng x = 0 là một
vật dẫn điện lí tưởng. (a) Tính V tại P(2, 0, 1). (b) Xác định phương trình của bề mặt đẳng thế 200 V
trong hệ tọa độ vuông góc.
1.24 Tại nhiệt độ xác định, chuyển động của electron và lỗ trống trong germani nguyên chất tương ứng
là 0,43 và 0,21 m2/V.s. Nếu độ tập trung electron và lỗ trống đều bằng 2,3 x 10 19 m-3, tính dẫn suất
tại nhiệt độ này.
1.25 Độ tập trung electron và lỗ trống tăng theo thời gian. Đối với silicon nguyên chất, biểu thức thích
ρh =−ρ e=6200 T 1, 5 e−7000/T
hợp là C/m3. Hàm số phụ thuộc của chuyển động vào nhiệt độ là
μh =2 , 3×105 T −2 , 7 μe =2 ,1×105 T −2, 5
2
m /V.s và m2/V.s, trong đó nhiệt độ T tính theo Kelvin. Xác
định  tại: (a) 0 C; (b) 40oC; (c) 80oC.
o

14
Một mẫu bán dấn có mặt cắt vuông góc 1,5 by 2,0 mm, chiều dài là 11,0 mm. Mẫu đó có mật độ
electron và mật độ lỗ trống là 1,8 x 1018 và 3,0 x 1015 m-3, tương ứng. Cho e = 0,082 m2/V.s và h =
0,0021 m2/V.s. Tính điện trở giữa các mặt đáy của mẫu bán dẫn.

BÀI TẬP CHƯƠNG 6

5 , 5×1025
6.1 Nguyên tử hydrogen chứa nguyên tử/m3 tại nhiệt độ và áp suất nhất định. Khi áp
dụng một trường điện 4 kV/m, mỗi lưỡng cực tạo thành bởi electron và hạt nhân dương có độ
7,1×10−19
dài m. (a) Tìm P. (b) Tìm r.
6.2 Tính hằng số điện môi của vật liệu có mật độ thông lượng điện gấp bốn lần độ phân cực.
6.3 Một dây dẫn đồng trục có các bán kính a = 0,8 mm và b = 3 mm và một chất điện môi
P=(2/ ρ)a ρ
polystyrene có r = 2,56. Nếu nC/m2 trong điện môi, tìm: (a) D và E dưới dạng
4×10 19
hàm số của ; (b) Vab và e. (c) Nếu có phân tử trên một mét vuông trong điện môi, tìm
p().
6.4 Xét một vật liệu đa hợp tạo bởi hai vật liệu, có mật độ N1 và N2 phân tử/m3 tương ứng. Hai loại
N=N 1 + N 2
này được trộn đều, tạo nên tổng mật độ . Sự xuất hiện của điện trường E bao
gồm các moment lưỡng cực phân tử p1 và p2 trong mỗi loạt vật liêu, dù trộn lẫn hay không. Chỉ
ε r =fε r 1 +( 1−f ) ε r 2
ra rằng hằng số điện môi của vật liệu đa hợp là , trong đó f là phân số
của vật liệu một lưỡng cực trong đa hợp, và r1 và r2 là các hằng số điện môi của các vật liệu
chưa trộn lẫn nếu mỗi loại có mật độ N.
ε r =ε r 1 =3 ε r 2=5
6.5 Mặt phẳng x = 0 phân cách hai chất điện môi lí tưởng. Với x > 0 cho , và với
E1 =80 a x −60 a y−30 az
x < 0. Nếu V/m, tính: (a) EN1; (b) ET1; (c) E1; (d) góc 1 giữa E1 và pháp
tuyến của mặt phẳng; (e) DN2; (f) DT2; (g) D2; (h) P2; (i) góc 2 giữa E2 và pháp tuyến của bề mặt.
ε =1, 6 V =−5000 x
r
6.6 Trường điện thế trong một tấm vật liệu điện môi có . (a) Tìm D, E và P
trong vật liệu. (b) Đánh giá , b và t trong vật liệu.
6.7 Hai chất điện môi lí tưởng có hằng số điện môi tương ứng là r1 = 2 và r2 = 8. Mặt phân cách
x− y +2 z=5
giữa chúng là mặt phẳng . Gốc nằm trong miền 1. Nếu
E1 =100 a x +200 a y −50 a z
V/m, tìm E2.
ε r1 =2 ε r 2=5
6.8 Miền 1 (x  0) là chất điện phân có , miền 2 (x < 0) có . Cho
E1 =20 a x −10 a y +50 a z
V/m. (a) Tìm D2. (b) Tìm mật độ năng lượng trong cả hai miền.

15
6.9 Cho các bề mặt hình trụ  = 4 cm và  = 9 cm kèm hai wedges của chất điện môi lí tưởng,
ε r1 =2 ε r 2=5 E1 =( 2000 / ρ) a ρ
với 0 <  < /2 và với /2 <  < 2. Nếu V/m, tìm: (a) E2; (b)
tổng năng lượng tĩnh điện tích trữ trong 1 m chiều dài mỗi miền.
6.10 Cho tụ điện song song có S = 100 mm2, d = 3 mm, và r = 12. (a) Tính điện dung. (b) Sau khi nối
tụ điện với một pin 6 V, tính E, D, Q, và tổng năng lượng tích điện tích trữ. (c) Với nguồn vẫn
được kết nối, chất điện môi được tách từ các bản mặt. Khi bỏ chất điện môi, tính lại E, D, Q, và
năng lượng tích trong tụ điện. (d) Nếu điện tích và năng lượng được tìm trong câu (c) nhỏ hơn
giá trị tính trong câu (b), cái gì trở thành điện tích và năng lượng bỏ sót?
6.11 Tụ điện sẽ đắt tiền hơn khi điện dung và điện thế cực đại Vmax của chúng tăng. Điện thế Vmax giới
hạn bởi độ mạnh của trường tại đó điện môi bị phá vỡ, EBD. Chất điện môi nào sao đây sẽ khiến
tích CVmax đối với diện tích bản mặt bằng nhau: (a) không khí: r = 1, EBD = 3 MV/m; (b) bari
titanic: r = 1200, EBD = 3 MV/m; (c) silicon dioxide: r = 3,78, EBD = 16 MV/m; (d) polietilen: r =
2,26, EBD = 4,7 MV/m?
6.12 Một tụ điện không khí song song có khoảng ngăn cách giữa các bản mặt là d và diện tích bản
mặt A được nối với phin có điện thế V0 giữa các bản. Khi không nối pin, các bản dịch ra xa một
khoảng 10d. Xác định nhân tố nào khiến mỗi đại lượng sau thay đổi: (a) V0; (b) C; (c) E; (d) D; (e)
Q; (f) S; (g) WE.

ε r =2+2×10 6 x 2
6.13 Một tụ điện song song chứa đầy chất điện môi không đồng nhất , trong đó x
là khoảng cách từ một bản mặt đo bằng mét. Biết S = 0,02m2 và d = 1 mm, tìm C.
6.14 Làm lại bài 6.12, giả thiết pin không kết nối trước khi khoảng phân cách bản mặt tăng.
6.15 Cho r1 = 2,5 với 0 < y < 1 mm, r2 = 4 với 1 < y < 3 mm, và r3 với 3 < y < 5 mm (miền 3). Các bề
mặt dẫn điện tại y = 0 và y = 5 mm. Tính điện dung trên một mét vuông diện tích bề mặt nếu:
(a) miền 3 là không khí; (b) r3 = r1; (c) r3 = r2; (d) miền 3 là bạc.
6.16 Một tụ điện song song tạo thành từ hai bản mặc hình tròn bán kính a, với mặt đáy nằm trên
mặt phẳng xy, tâm tại gốc. Mặt trên đặt tại z = d, với tâm nằm trên trục z. Điện thế V0 nằm tại
mặt trên; mặt đáy đặt dưới đất. Chất điện môi có hằng số điện môi phụ thuộc bán kính lấp đầy
ε ( ρ)=ε 0 (1+ ρ/a )
miền giữa các bản mặt. Hằng số điện môi . Tìm: (a) E; (b) D; (c) Q; (d) C.
6.17 Hai ống trụ đồng trục dẫn điện bán kính 2 cm và 4 cm dài 1 m. Miền giữa hai ống chứa một lớp
điện môi từ  = c tới  = d với r = 4. Tính điện dung nếu: (a) c = 2 cm, d = 3 cm; (b) d = 4 cm và
thể tích của điện môi giống câu (a).
6.18 (a) Nếu ta chỉ định một vật liệu làm chất điện môi trong một tụ điện đồng trục có hằng số điện
môi biến thiên liên tục theo bán kính, cần dùng sự biến đổi theo  nào để duy trì giá trị bất biến
của cường độ điện trường? (b) Với các điều kiện trong câu (a) bán kính trong và bán kính ngoài
xuất hiện như thế nào trong biểu thức của điện dung trên một đơn vị khoảng cách?
6.19 Hai vỏ cầu dẫn điện bán kính a = 3 cm và b = 6 cm. Bên trong là chất điện môi lí tưởng có r = 8.
(a) Tìm C. (b) Một phần chất điện môi được lấy đi sao cho r = 1,0, 0 <  < /2, và r = 8, /2 < 
< 2. Tính lại C.
16
6.20 Chỉ ra rằng điện dung trên một đơn vị chiều dài của ống hình trụ có bán kính a bằng không.
6.21 Tham khảo Hình 6.9, cho b = 6 m, h = 15 m, và điện thế dây dẫn là 250 V. Cho  = 0. Tìm giá trị
của K1, L, a và C.
6.22 Hai dây dẫn đồng #16 (đường kính 1,29 mm) song song với nhau có khoảng phân cách d giữa
các trục. Xác định d sao cho điện dung giữa hai dâu trong không khí là 30 pF/m.
6.23 Một dây dẫn đường kính 2 cm treo lơ lửng trong không khí với trục của nó cách mặt phẳng dẫn
điện 5 cm. Cho điện thế của ống là 100 V và của mặt phẳng là 0 V. Tìm mật độ điện tích bề mặt
trên (a) ống tại điểm gần mặt phẳng nhất; (b) bề mặt tại điểm gần ống nhất.
6.24 Với dây dẫn trong Bài 6.23, xác định điện dung trên một đơn vị chiều dài.
6.25 Xây dựng một bản đồ hình vuông cong của tụ điện đồng trục có bán kính trong 3 cm và bán kính
ngoài 8 cm. Các kích thước này phù hợp với bản vẽ. (a) Sử dụng bản phác thảo để tính điện
dung trên một mét chiều dài, giả thiết r = 1. (b) Tính giá trị chính xác của điện dung trên một
đơn vị chiều dài.
6.26 Xây dựng một bản đồ hình vuông cong của trường điện thế có hai ống trụ tròn song song, mỗi
ống bán kính 2,5 cm, cách nhau một khoảng 13 cm. Các kích thước này phù hợp với bản vẽ thật
nếu ta xét tính đối xứng. Để kiểm tra, Tính điện dung trên một mét từ bản vẽ và từ công thức
chính xác. Giả thiết r = 1.
6.27 Xây dựng một bản đồ hình vuông cong của trường điện thế giữa hai ống trụ tròn song song với
nhau, một ống có bán kính 4 cm và ống còn lại là 8 cm. Hai trục dài 2,5 cm. Các kích thước này
phù hợp cho bản vẽ. Để kiểm tra độ chính xác, tính điện dung trên một mét từ bản vẽ và từ
biểu thức chính xác:
2 πε
C=
cosh −1 [(a2 +b2 −D2 )/(2 ab)]

trong đó a và b là bán kính dây dẫn và D là khoảng cách trục.

6.28 Một ống trụ đặc dẫn điện bán kính 4 cm đặt tại tâm của ống trụ chữ nhật dẫn điện có thiết diện
với các cạnh 12 cm và 20 cm. (a) Lập một bản vẽ kích cỡ đầy đủ của góc phần tư của hình thể
ε =ε 0
này và dựng một bản đồ hình vuông cong của phần bên trong nó. (b) Giả thiết và ước
lượng C trên một mét chiều dài.

17
 Hình 6.19
2 a×2 a
6.29 Dây dẫn trong của đường truyền trong Hình 6.14 có mặt cắt vuông , hình vuông ngoài
4 a×5 a
là . Các trục được biểu diễn trong hình. (a) Xây dựng một bản vẽ kích cỡ tốt của đường
truyền, với a = 2,5 cm, sau đó so sánh với sơ đồ hình vuông cong của trường điện tĩnh giữa các
ε=1 ,6 ε 0
dây dẫn. (b) Sử dụng bản đồ để tính điện dung trên một mét chiều dài nếu . (c) Kết
quả câu (b) sẽ thay đổi như thế nào nếu a = 0,6 cm?
6.30 Đối với tụ điện đồng trục trong Bài 6.18, giả thiết rằng chất điện môi yếu, cho phép dòng điện
chạy giữa dây dẫn trong và dây dẫn ngoài, trong khi điện trường không đổi theo bán kính. (a)
Hằng số điện môi phải có dạng thực nào? (b) Dạng thực cơ bản của điện trở trên đơn vị khoảng
cách, R là gì? (c) Đường kính còn lại trong tích RC là gì, trong đó dạng của C, điện dung trên đơn
vị khoảng cách, đã được xác định trong Bài 6.18?
6.31 Một đường truyền kép bao gồm hai dây dẫn điện lí tưởng song song với nhau, mỗi dây có bán
kính 0,2 mm, cách nhau một khoảng 2 mm. Môi trường xung quanh dây dẫn có r = 3 và  = 1,5
mS/m. Nối pin 100 V vào giữa hai dây. Tính: (a) độ lớn của điện tích trên một mét chiều dài trên
mỗi dây dẫn; (b) dòng điện của pin

BÀI TẬP CHƯƠNG 7

V =2 xy 2 z3 ε =ε 0
7.1 Cho và . Cho điểm P(1, 2, -1), tìm: (a) V tại P; (b) E tại P; (c) v tại P; (d)
phương trình mặt phẳng đẳng thế đi qua P; (e) phương trình đường sức đi qua P; (f) V có thỏa
mãn phương trình Laplace?

V =V 0 e−r/a
7.2 Cho trường điện thế đối xứng hình cầu trong không gian, , tìm: (a) v tại r = a; (b)
điện trường tại r = a; (c) tổng điện tích.

V ( x , y )=4 e 2 x +f ( x )−3 y 2
7.3 Cho trong miền không gian trong đó v = 0. Biết Ex và V ban đầu
đều bằng không. Tìm f(x) và V(x, y).

18
 V ( ρ , φ )=(V 0 ρ/d )cos φ
7.4 Cho trường điện thế : (a) Chỉ ra rằng V(, ) thỏa mãn phương trình
Laplace. (b) Mô tả các bề mặt đẳng thế. (c) Mô tả cụ thể các bề mặt tại đó V = V0 và V = 0. (d)
Viết biểu thức điện thế trong hệ trục tọa độ vuông góc.

V =( Aρ 4 +Bρ−4 )sin 4 φ
7.5 Cho trường điện thế : (a) Chỉ ra rằng 2V = 0. (b) Tìm A và B sao cho V
= 100 V và |E| = 500 V/m tại P( = 1,  = 22,5o, z = 2).
7.6 Một tụ điện song song có các bản mặt đặt tại z = 0 và z = d. Miền giữa hai bản mặt chứa vật liệu
có thể thể tích điện tích của mật độ đồng nhất 0 C/m3 và hằng số điện môi . Hai bản mặt được
đặt tại đất. (a) Xác định trường điện thế giữa các bản mặt. (b) Xác định cường độ điện trường E
giữa các bản mặt. (c) Hỏi như câu (a) và (b) trong trường hợp bản mặt tại z = d được nâng lên
điện thế V0, với mặt z = 0 đặt tại đất.

V =(cos2 φ )/ ρ
7.7 Cho trong không gian. (a) Tìm mật độ thể tích điện tích tại điểm A(0,5, 60o, 1).
(b) Tìm mật độ điện tích bề mặt trên mặt dây dẫn đi qua điểm B(2, 30o, 1).
7.8 Một điện tích thể tích đồng nhất có mật độ không đổi v = 0 C/m3 và lấp đầy miền r < a, giả
định hằng số điện môi là . Một vỏ hình cầu dẫn điện đặt tại r = a và được giữ tại điện thế của
đất. Tìm: (a) điện thế tại mọi điểm; (b) cường độ điện trường E tại mọi điểm.
7.9 Các hàm số V1(, , z) và V2(, , z) đều thỏa mãn phương trình Laplace trong miền a <  < b, 0 
 < 2, -L < z < L; mỗi hàm bằng không trên các mặt phẳng  = b đối với -L < z < L; z = -L đối với a
<  < b; và z = L đối với a <  < b; và mỗi hàm bằng 100 V trên mặt phẳng  = a đối với -L < z < L.
(a) Trong miền lí thuyết, phương trình Laplace có được thỏa mãn bởi các hàm V1 + V2, V1 - V2, V1
+ 3, và V1V2? (b) Trên các bề mặt biên lí thuyết, các giá trị điện thế được cho trong bài này có
tính được từ các hàm V1 + V2, V1 - V2, V1 + 3, và V1V2? (c) Các hàm V1 + V2, V1 - V2, V1 + 3, và V1V2
có giống V1?
7.10 Xét tụ điện song song của Bài 7.6, nhưng lần này chất điện môi tích điện chỉ tồn tại giữa z = 0 và
z = b, trong đó b < d. Không gian lấp đầy miền b < z < d. Cả hai bản mặt được đặt tại điện thế
mặt đất. Giải phương trình, tìm: (a) V(z) với 0 < z < d; (b) cường độ điện trường với 0 < z < d.
Điện tích bề mặt không tồn tại tại z = b nên V và D đều liên tục tại đó.

2 x+3 y=12 2 x+3 y=18

7.11 Các bề mặt dẫn điện và có điện thế lần lượt là 100 V và 0. Cho
ε =ε 0
và tìm: (a) V tại P(5, 2, 6); (b) E tại P.
7.12 Đạo hàm của phương trình Laplace và phương trình Poisson giả định hằng số điện môi không
đổi, nhưng có những trường hợp hằng số điện môi biến thiên theo không gian trong đó các
∇⋅(ψG)=G
phương trình vẫn áp dụng được, xét đồng nhất thức vector , trong đó  và G
tương ứng là hàm vô hướng và hàm vector. Xác định quy luật tổng quát trên hướng cho phép
trong đó  có thể biến thiên theo điện trường miền.

19
7.13 Các dây dẫn điện đồng trục được đặt tại  = 0,5 cm và  = 1,2 cm. Miền giữa hai ống là chất
điện môi đồng nhất lí tưởng. Nếu dây dẫn trong là 100 V và dây dẫn ngoài là 0 V, tìm: (a) vị trí
của mặt phẳng đẳng thế 20 V; (b) E max; (c) r nếu điện tích trên mỗi mét chiều dài của dây dẫn
trong là 20 nC/m.
7.14 Hỏi như bài 7.13 nhưng chất điện môi chỉ lấp một phần thể tích, với 0 <  < , và phần còn lại là
không gian.
7.15 Hai mặt phẳng dẫn điện minh họa trong Hình 7.13 được xác định bởi 0,001 <  < 0,120 m, 0 < z
< 0,1 m,  = 0,179 và 0,188 rad. Môi trường xung quanh hai mặt phẳng là không khí. Đối với
miền 0,179 <  < 0,188; bỏ qua viền và tìm: (a) V(); (b) E(); (c) D(); (d) S trên mặt trên của
mặt phẳng phía dưới; (e) Q trên mặt trên của mặt phẳng dưới. (f) Lặp lại từ câu (a) tới (c) đối
với miền 2 bằng cách cho vị trí của mặt phẳng trên là  = .188 - 2, và tìm S và Q trên mặt dưới
của mặt phẳng dưới. (g) Tìm tổng điện tích trên mặt dưới và điện dung giữa hai mặt phẳng.
7.16 Một tụ điện song song được tạo từ hai mặt tròn bán kính a, với mặt dưới nằm trên mặt phẳng
xy, tâm đặt tại gốc. Mặt trên đặt tại z = d với tâm nằm trên trục z. Mặt trên có điện thế V0; mặt
dưới đặt dưới đất. Chất điện môi có hằng số điện môi phụ thuộc vào bán kính lấp kín miền giữa
ε ( ρ)=ε 0 (1+ ρ/a )
hai mặt. Hằng số điện môi . Tìm: (a) V(z); (b) E; (c) Q; (d) C. Đây là lặp lại của
Bài 6.16 nhưng nó bắt đầu với phương trình Laplace.

Hình 7.13 Xem Bài 7.15.

7.17 Hai quả cầu dẫn điện đồng tâm đặt tại r = 5 mm và r = 20 mm. Miền giữa hai của cầu được lấp
bởi chất điện môi lí tưởng. Nếu quả cầu trong là 100 V và quả cầu ngoài là 0 V: (a) Tìm vị trí của
mặt phẳng đẳng thế 20 V. (b) Tìm Er.max. (c) Tìm r nếu mật độ điện tích bề mặt trên quả cầu
trong là 1,0 C/m2.
7.18 Bán cầu 0 < r < a, 0 <  < /2 bao gồm vật liệu dẫn điện đồng nhất có độ dẫn điện . Lúc này,
vật liệu trong miền hình nón 0 <  < , 0 < r < a được khoan và thay thế bởi vật liệu dẫn điện lí
tưởng. Lỗ hổng không khí được duy trì giữa đầu r = 0 của vật liệu mới và mặt phẳng. Điện trở
đo giữa hai dây dẫn lí tưởng là bao nhiêu? Bỏ qua các trường khác.

20
7.19 Hai hình nón dẫn điện đồng trục có đỉnh tại gốc và trục là trục z. Đỉnh A có điểm A(1, 0, 2) trên
bề mặt của nó, còn đỉnh B có điểm B(0, 3, 2) trên bề mặt của nó. Cho VA = 100 V và VB = 20 V.
Tìm: (a)  cho mỗi hình nón; (b) V tại P(1, 1, 1).

V =100 lntan(θ /2)+50

7.20 Cho trường điện thế trong không gian V. (a) Tìm giá trị cực đại của |
E| trên mặt phẳng  = 40 với 0,1 < r < 0,8 m, 60 <  < 90 . (b) Mô tả mặt phẳng V = 80 V.
o o o

ρ v=200 ε 0 /r 2, 4
7.21 Trong không gian, cho . (a) Dùng phương trình Poisson tìm V(r) nếu giả thiết
2
r E r →0 r→∞
rằng khi r  0, và V  0 khi . (b) Tìm V(r) bằng định luật Gauss và tích phân
thẳng.
7.22 Bằng cách giải thích hợp cho phương trình Laplace và Poisson, xác định điện thế tuyệt đối tại
tâm quả cầu bán kính a, bao gồm điện tích thể tích đồng nhất có mật độ 0. Giả thiết hằng số
điện môi 0 ở mọi nơi. Gợi ý: Điều gì là đúng về điện thế và điện trường tại r = 0 và r = a?

Hình 7.14 Xem Bài 7.30.

7..23 Một máng hình chữ nhật giới hạn bởi bốn mặt phẳng dẫn điện đặt tại x = 0 và 8 cm và y = 0 và 5
cm trong không khí. Mặt phẳng tại y = 5 cm có điện thế 100 V, ba mặc còn lại có điện thế bằng
không, và các lỗ hổng cần thiết đặt tại hai góc. Tìm điện thế tại x = 3 cm, y = 4 cm.
7.24 Bốn cạnh của một máng hình vuông có điện thế 0, 20, -30, và 60 V; điện thế cao nhất và thấp
nhất nằm trên hai mặt đối diện. Tìm điện thế tại tâm của máng.
7.25 Trong hình 7.7, thay đổi mặt bên phải sao cho điện thế biến thiên tuyến tính từ 0 tại đáy mặt đó
đến 100 V tại đỉnh. Tìm điện thế tại tâm máng.

21
7.26 Nếu X là một hàm của x và X’’ + (x – 1)X – 2X = 0, giả thiết đáp số có dạng một dãy năng lượng
vô hạn và xác định các giá trị số của a2 tới a8 nếu a0 = 1 và a1 = -1.
7.27 Biết rằng V = XY là kết quả của phương trình Laplace, trong đó X là hàm của riêng x và Y là hàm
cua riêng y. Xác định hàm nào trong các hàm điện thế dưới đây cũng là kết quả của phương
trình Laplace: (a) V = 100X; (b) V = 50XY; (c) V = 2XY + x – 3y; (d) V = xXY; (e) V = X2Y.
7.28 Giả thiết kết quả tích số của phương trình Laplace trong hệ tọa độ hình trụ, V = PF, trong đó V
không phải là hàm của z, P là hàm của riêng , và F là hàm của riêng . (a) Tìm hai phương trình

2
P= Aρ n + Bρ−n
phân chua nếu hằng số phân chia là n . (b) Chỉ ra rằng thỏa mãn phương
trình . (c) Xây dựng cách giải V(, ). Các hàm dạng này được gọi là hàm điều hòa tròn.
7.29 Nhắc lại Chương 6, Hình 6.14, cho dây dẫn trong của đường truyền có điện thế 100 V, trong khi
dây dẫn ngoài là không. Xây dựng mạng lưới mỗi cạnh 0,5a, và dùng phép lặp để tìm V tại điểm
a đơn vị phía trên góc phải phía trên của dây dẫn trong. Thực hiện tới volt gần nhất.
7.30 Sử dụng phương pháp lặp để tính các điện thế tại x và y trong máng hình chữ nhật của Hình
7.14. Chỉ thực hiện tới volt gần nhất.
7.31 Sử dụng phương pháp lặp để tính điện thế tại điểm x trong máng được biểu diễn trong Hình
7.15. Thực hiện tới volt gần nhất là đủ.
7.32 Dùng mạng lưới trong Hình 7.16, thực hiện tới volt gần nhất để tính điện thế tại điểm A.
7.33 Các dây dẫn có đường biên được uốn cong hoặc làm nghiêng thường không cho phép mọi điểm
mạng lưới trùng với đường biên thực sự. Hình 7.17a minh họa trường hợp điện thế V0 được
tính theo các số hạng V1, V2, V3, và V4 và các khoảng cách không bằng nhau h1, h2, h3, và h4. (a)
Chỉ ra rằng
V1 V2
V 0= +

( )( ) ( )( )
h1 h1 h3 h2 h2 h 4
1+ 1+ 1+ 1+
h3 h4 h2 h4 h1 h3
V3 V4
+ +

( )( ) ( )( )
h3 h1 h3 h4 h4 h2
1+ 1+ 1+ 1+
h1 h4 h2 h2 h3 h1

(b) Xác định V0 trong Hình 7.17b.

22
 Hình 7.15 Xem Bài 7.31.

Hình 7.16 Xem Bài 7.32.

7.34 Xét dạng của các dây dẫn và điện thế biểu thị trong Hình 7.17. Dùng phương pháp đã mô tả
trong Bài 7.33, tính điện thế tại các điểm x, y, và z.

23
Hình 7.17 Xem Bài 7.33.

Hình 7.18 Xem Bài 7.34.

24
 Hình 7.19 Xem Bài 7.35.

7.35 (a) Sau khi tính các điện thế trong Hình 7.19, dùng phương pháp lặp với một mạng hình vuông
cạnh 1 cm để tìm các ước lượng tốt hơn tại bảy điểm mạng lưới. Thực hiện tới volt gần nhất. (b)
Xây dựng mạng lưới 0,5 cm, thiết lập các ước lượng mới gần đúng, và sử dụng phương pháp lặp
đối với mạng 0,5 cm. Thực hiện tới volt gần nhất. (c) Dùng máy tính để tính các giá trị đối với
mạng 0,25 cm. Thực hiện gần 0,1 V nhất.

BÀI TẬP CHƯƠNG 8

8.1 (a) Tìm H theo các thành phần của hệ toạ độ vuông góc tại P(2, 3, 4) nếu có sợi dây điện trên
trục z mang 8 mA theo hướng az. (b) Lặp lại nếu sợi dây được đặt tại x = -1, y = 2. (c) Tìm H nếu
cả hai dây đều tồn tại.
8.2 Một sợi dây dẫn được tạo thaàh mọt tam giác đều mỗi cạnh có độ dài l mang dòng điện I. Tìm
cường độ từ trường tại tâm của tam giác.
8.3 Hai sợi dây bán vô cùng trên trục z nằm trong miền - < z < -a và a < z < . Mỗi dây mang dòng
điện I chạy theo hướng az. (a) Tính H như là hàm của  và  tại z = 0. (b) Giá trị nào của a sẽ làm
cho độ lớn của H tại  = 1, z = 0 bằng một nửa giá trị tìm được cho sợi dây dài vô hạn?
8.4 (a) Một sợi dây được tạo thành một vòng tròn có bán kính a, tâm tại gốc trong mặt phẳng z = 0.
Nó mang dòng điện I theo hướng a. Tìm H tại gốc. (b) Sợi dây thứ hai có dạng hình vuông trong
mặt phẳng z = 0. Các cạnh song song với các trục toạ độ và dòng điện I chảy theo hướng chung
a. Xác định cạnh có chiều dài b (theo a) sao cho H tại gốc có độ lớn bằng với H của vòng tròn ở
câu (a).

25
 |H|
8.5 Hai sợi dây song song như trong hình 8.21 nằm trong chân không. Vẽ theo y, - 4 < y < 4, dọc
theo đường x = 0, z = 2.
8.6 Một đĩa có bán kính a nằm trong mặt phẳng xy với trục z qua tâm của nó. Điện tích bề mặt có
mật độ đều s nằm trên đĩa, quay so với trục z với vận tốc góc  rad/s. Tìm H tại một điểm bất
kỳ trên trục z.
8.7 Cho các điểm C(5, -2, 3) và P(4, -1, 2), một phần tử dòng điện I dL = 10-4(4, -3, 1) Am tại C tạo ra
|dH|
trưòng dH tại P. (a) Xác định hướng của dH theo vector đơn vị aH. (b) Tìm . (c) Hướng nào
của al thì I dL tại C có dH = 0?
8.8 Với phần tử dòng điện có chiều dài hữu hạn trên trục z, như trong hình 8.5, sử dụng định luật
Biot-Savart để tìm phương trình (9) ở phần 8.1.
8.9 Một tấm dòng điện K = 8ax A/m chảy theo hướng -2 < y < 2 trong mặt phẳng z = 0. Tính H tại
P(0,0,3).
8.10 Một vỏ dẫn hình cầu rỗng có bán kính a có các sợi dẫn đạt tại đỉnh (r = a,  = ). Một dòng điện
một chiều I chảy xuống dây dẫn trên, chảy xuống bề mặt cầu và ra ngoài dây dẫn dưới. Tìm H
trong hệ toạ độ cầu (a) bên trong và (b) bên ngaòi cầu.
8.11. Một dây dài vô hạn trên trục z mang 20 mA theo hướng az. Ba tấm dòng điện trụ đều cũng tồn
tại: 400 mA/m tại  = 1 cm, -250 mA/m tại  = 2 cm và -300 mA/m tại  = 1 cm. Tính H tại  =
0.5, 1.5, 2.5 và 3.5 cm.

Hình 8.21 Xem bài tập 8.5

8.12 Trong hình 8.22, cho miền 0 < z < 0.3 m và 0.7 < z < 1.0 m là các tấm dẫn điện mang dòng điện
đều có mật độ 10A/m2 theo hướng ngược nhau như hình vẽ. Tìm H tại z =: (a) - 0.2; (b) 0.2; (c)
0.4; (d) 0.75; (e) 1.2 m.
8.13 Một mặt trụ rỗng có bán kính a có tâm đặt trên trục z và mang dòng điện mặt đều có mật độ
Kaa. (a) Chứng minh rằng H không là hàm của  hoặc z. (b) Chứng minh rằng H và H tại mọi

26
 điểm bằng không. (c) Chứng minh rằng Hz = 0 với  > a. (d) Chứng minh rằng Kz = Ka với  < a.
(e) Một mặt thứ hai,  = b, mang dòng điện Kba. Tìm H tại mọi điểm.
8.14 Một vòng xuyến có tiết diện ngang dạng hình chữ nhật được xác định bởi các mặt sau: trụ  = 2
và  = 3 cm, và các mặt phẳng z = 1 và z = 2.5 cm. Vòng xuyến mang mật độ dòng điện mặt -50a z
A/m trên bề mặt  = 3 cm. Tìm H tại điểm P(, , z): (a) PA(1.5 cm, 0, 2 cm); (b) PB(2.1 cm, 0, 2
cm); (c) PC(2.7 cm, /2, 2 cm); (d) PD(3.5 cm, /2, 2 cm).

σ =1 .5 e−150 ρ
8.15. Giả thiết rằng có miền đối xứng trụ trong đó độ dẫn điện là kS/m. Một điện
ρ< ρ0
trường 30az V/m tồn tại. (a) Tìm J; (b) Tìm tổng dòng điện qua bề mặt , z = 0, mọi . (c)
Sử dụng định luật Ampere dòng để tìm H.
8.16 Một cáp đồng trục đối xứng có ba sợi dây đồng trục có điện trở bỏ qua được. Giả thiết dây
cứng bên trong có bán kính a, dây ở giữa có bán kính trong bi ,có bán kính ngoài bo và dây ngoài
có bán kính trong và bán kính ngoài tương ứng là ci và co. Dây giữa mang dòng điện I theo
hướng dương az và tại điện thế V0. Dây dẫn bên trong và ngoài có cùng điện thế bằng không và
mang dòng điện I/2 (mỗi dây) theo hướng az âm. Giả thiết rằng phân bố dòng điện trên mỗi dây
là đều, tìm: (a) J trong mỗi dây; (b) H tại mọi điểm; (c) E tại mọi điểm.
8.17. Một sợi dây điện trên trục z mang dòng điện 7 mA theo hướng az và tấm dòng điện 0.5 az A/m
và - 0.2 az A/m đặt tương ứng tại  = 1 cm và  =0.5 cm. Tính H tại: (a)  =0.5 cm; (b)  =1.5 cm;
(c)  = 4 cm. (d) Tấm dòng điện có nên đặt tại  = 4 cm để H = 0 với mọi  > 4 cm?
8.18 Một dây có bán kính 3 mm làm bằng vật liệu bên trong (0 <  < 2 mm) có  =107 S/m và vật liệu
ngoài ( 2mm <  < 3 mm) có  = 4 107 S/m. Nếu dây mang dòng điện tổng 100 mA dc, xác định
H tại mọi điểm là hàm của .

∇× [ ∇ ( ∇⋅G ) ] G=2 x 2 yz a z −20 ya y + ( x 2 −z2 ) a z

8.19 Tính nếu .
8.20 Một dây cứng có tiết diện tròn có bán kính 5 mm và độ dẫn điện thay đổi theo bán kính. Dây
H=10 5 ρ2 a φ
dẫn có chiều dài 20m và có hiệu điện thế là 0.1 V dc giữa hai đầu. Trong dây A/m.
(a) Tìm  là hàm của . (b) Tính điện trở giữa hai đầu?
8.21 Các điểm A, B, C, D, E và F cách 2 mm từ gốc trên mỗi trục toạ độ như trong hình Giá trị của H
∇× H
tại mỗi điểm đã cho. Tính giá trị gần đúng của tại gốc.
8.22. Một trụ cứng có bán kính a và chiều dài L trong đó L >>a có điện tích khối có mật độ đều 0
C/m3. Trụ quay quanh trục của nó (trục z) với vận tốc góc  rad/s. (a) Xác định mật độ dòng
điện J là hàm của vị trí trong trụ quay. (b) Xác định H trên trục bằng cách áp dụng kết quả của
bài tập 8.6. (c) Xác định cường độ từ trường H bên trong và bên ngoài. (d) Kiểm tra kết quả của
bạn ở câu (c) bằng việc lấy curl của H.

H=20 ρ2 aφ
8.23 Cho trường A/m: (a) Xác định mật độ dòng điện J. (b) Tích phân J trên bề mặt tròn
 = 1, 0 <  < 2, z = 0 để xác định dòng điện tổng qua bề mặt đó theo hướng az. (c) Tìm tổng

27
 dòng điện một lần nữa. lần này bằng cách lấy tích phân đường quanh đường tròn  = 1, 0<  <
2, z = 0 .

Hình 8.23 Xem bài tập 8.21

G=10 sin θa φ
8.24 Tính cả hai về của định lý Stoke cho trường và bề mặt r = 3, 0    90o. Cho bề
mặt có hướng ar.
8.25 Khi x, y và z dương và nhỏ hơn 5, một cường độ từ trường xác định có thể được biểu diễn
H= [ x2 yz / ( y +1 ) ] a x + 3 x 2 z 2 a y −[ xyz2 / ( y +1 ) ] a z
thành . Tìm tổng dòng điện theo hướng ax qua
dải x = 2, 1  y  4, 3  y  4 bằng phương pháp ứng dụng: (a) tích phân mặt; (b) tính phân
đường kín.

G=15 ra φ ∮ G⋅dL
8.26 Cho . (a) Xác định cho đường tròn r = 5,  = 25o,0    2. (b) Tính
∮S ( ∇×G )⋅dS
trên đỉnh cầu r = 5, 0    25o, 0    2.

H = [ ( x+2 y ) / z 2 ] a y + ( 2/ z ) a z
8.27 Cường độ từ trường trong một miền không gian là A/m. (a) Tìm
∇× H
. (b) Tìm J. (c) Sử dụng J để tìm tổng dòng điện qua bề mặt z = 4, 1  x  2, 3  z  5 theo

28
 hướngaz. (d) Chứng minh rằng kết quả như vậy cũng tìm được bằng cách sử dụng vế khác của
định lý Stoke.

H=( 3 r 2 / sin θ ) a θ +54 r cos aφ

8.28 Cho A/m trong chân không: (a) Tìm tổng dòng điện theo hướng
θ=20 °
a qua bề mặt nón , 0    2, 0  r  5 theo bất kỳ vế nào của định lý Stoke mà bạn
thích. (b) Kiểm tra kết qủ bằng cách sử dụng vế khác của định lý Stoke.
8.29 Một dây thẳng dài không từ tính có bán kinh 0.2 mm mang dòng điện phân bố đều 2 A dc. ( a)
Tìm J trong dây dẫn. (b) Sử dụng định luật Ampere dòng để tìm H và B trong dây dẫn. (c) Chứng
∇× H =J
minh rằng trong dây dẫn. (d) Tìm H và B ngoài dây dẫn. (e) Chứng minh rằng
∇× H =J
ngoài dây dẫn.
8.30 (Ngược với bài tập 8.20). Một dây dẫn cứng không từ tính có tiết diện ngang tròn có bán kinh 2
σ =106 ( 1+ 106 ρ2 )
mm. Dây dẫn không đồng nhất có S/m. Nếu dây dẫn có chiều dài 1 m vào
có điện áp bằng 1 mV giữa các đầu, tìm: (a) H bên trong; (b) tổng từ thông trong dây dẫn.
8.31 Vỏ trụ xác định bưỏi 1 cm <  < 1.4 cm gồm có vật liệu dẫn điện không từ tính và mang dòng
điện tổng 50 A theo hướng az. Tìm tổng từ thông qua mặt phẳng  = 0, 0 < z < 1: (a) 0 <  < 1.2
cm; (b) 1.0 cm <  < 1.4 cm; (c) 1.4 cm <  < 20 cm.
8.32 Một vùng chân không xác định bởi 1 < z < 4 cm và 2 <  < 3 cm là tiết diện chữ nhật của vành
khuyên. Cho bề mặt tại  = 3 cm mang dòng điện mặt K = 2az kA/m. (a) Xác định mật độ dòng
điện trên bề mặt tại  = 2 cm. z = 1 cm và z = 4 cm. (b) Tìm H tại mọi điểm. (c) Tính tổng thông
lượng trong vành khuyên.
8.33 Sử dụng dạng mở rộng của hệ toạ độ vuông góc để chứng minh rằng curl của gradient của một
trường vô hướng bất kỳ G thì bằng không.
8.34 Một sợi dây dẫn trên trục z mang dòng điện 16 A theo hướng az, một vỏ dẫn điện tại  = 6 mang
dòng điện tổng 12 A theo hướng –az và vỏ khác tại  = 10 mang tổng dòng điện 4 A theo hướng
–az. (a) Tìm H với 0 <  < 12. (b) Vẽ H theo . (c) Tìm tổng thông lượng  qua mặt 1 <  < 7, 0 <
z < 1.
8.35 Một tấm dòng điện K = 20az A/m đặt tại  = 2 và một tấm thứ hai K = -10az A/m đặt tại  = 4.
(a) Cho Vm = 0 tại P ( = 3,  = 0, z = 5) và đặt một tấm chắn tại  = . Tìm Vm(, , z) với - <  <
A=0
. Cho tại P và tìm A (, , z) với 2 <  < 4.
A=( 3 y−z ) a x +2 xy a y ∇⋅A =0
8.36 Cho Wb/m đặt trong miền chân không. (a) Chứng minh rằng
. (b) Tại P(2, -1, 3) tìm A, B, H và J.
8.37 Cho N = 1000, I = 0.8 A, 0 = 2 cm và a = 0.8 cm của vành xuyến trong hình 8.12b. Tìm Vm ở bên
trong của vành xuyến nếu Vm =0 tại  = 2.5 cm,  = 0.3. Giữ  trong dải 0 <  <  .
8.38 Giả thiết dòng điện một chiều I amp chảy theo hướng az trong một sợi dây mở rộng – L < z < L
trên trục z. (a) Sử dụng hệ toạ độn trụ để tìm A tại một điểm P ( , 0o, z). Gợi ý: Sử dụng dạng

29
 sinh-1 của tích phân. (b) Từ câu (a) tìm B và H. (c) Cho L   và chứng minh rằng dạng biểu
diễn của H giảm bằng giá trị đã biết đối với một sợi dây vô hạn.
8.39 Tấm dòng điện phẳng K = 30a z và -30az A/m được đặt trong chân không tương ứng tại x = 0.2 và
x = -0.2. Trong miền -0.2 < x < 0.2: (a) tìm H; (b) tìm biểu thức của Vm nếu Vm = 0 tại P(0.1, 0.2,
0.3); (c) tìm B; (d) tìm biểu thức của A nếu A = 0 tại P.
8.40 Chứng minh rằng tích phân đường của vector thế A của một đường kín bất kỳ bằng từ thông

đón kín bởi đường hay

∮ A⋅dL=∫ B⋅dS .
A=50 ρ2 a z
8.41 Giả thiết rằng Wb/m trong miền chân không. (a) Tìm H và B. (b) Tìm J. (c) Sử dụng J
0≤ρ≤1 0≤φ≤2 π
để tìm tổng dòng điện qua mặt , , z = 0. (d) Sử dụng giá trị của H tại  = 1

để tính
∮ H⋅dL
với  = 1, z = 0.
∇ 2 ( 1 /R 12) =−∇ 1 ( 1 /R 12) =R21 / R312
8.42 Chứng minh rằng .
8.43 Tính vector từ thế trong dây dẫn bên ngoài của dây cáp đồng trục có vector từ thế như trong
hình 8.20 nếu bán kính ngoài của dây dẫn ngoài là 7a. Chọn gốc không và vẽ kết quả bằng hình
vẽ.
8.44 Mở rộng phương trình (58), phần 8.7 trong hệ toạ độ chữ nhật, chứng minh rằng (59) đúng.

BÀI TẬP CHƯƠNG 9

9.1 Một điện tích điểm Q = -0.3 C và m = 3  10-16 kg di chuyển qua trường E = 30 a z V/m. Sử dụng
phương trình (1) và định luật Newton để xây dựng phương trình vi phân tương ứng và giải
v=3×10 5 a x
chúng; với điều kiện đầu tại t = 0. tại gốc. Tại t = 3 s, tìm: (a) vị trí P(x, y, z) của
điện tích ; (b) vận tốc v ; (c) động lượng của điện tích.
9.2 Một điện tích điểm Q = -0.3 C và m = 3  10-16 kg chuyển động qua trường B = 30a z mT. Sử
dụng phương trình (2) và định luật Newton để xây dựng các phương trình vi phân tương ứng và
v=3×10 5 a x
giải chúng, điều kiện đầu tai t =0, tại gốc. Giải các phương trình này (có lẽ với sự
trợ giúp của ví dụ trong phần 7.5) để tính tại t = 3 s : (a) vị trí P(x, y, z) của điện tích ; (b) vận
tốc của nó ; (c) và động lượng của nó.
9.3 Một điện tích điểm có Q = 2  10-16 C và m = 5  10-26 kg chuyển động trong trường kết hợp
E=100 a x−200 a y +300 a z B=−3 a x +2 a y −a z
V/m và mT. Nếu vận tốc điện tích tại t = 0 là
v ( 0 )=( 2 a x −3 a y −4 a z )
105 m/s : (a) tìm vector đơn vị chỉ hướng mà điện tích tăng tốc tại t = 0 ;
(b) tìm động lượng của điện tích tại t = 0.

30
9.4 Chứng minh rằng một hạt điện tích trong từ trường đều biểu diễn một quỹ đạo tròn trong một
chu kì quỹ đạo không phụ thuộc vào bán kính. Tìm quan hệ giữa vận tốc góc và mật độ từ thông
của electron (vận tốc cyclotron).

Hình 9.15 Xem bài tập 9.6

9.5 Một vòng dây hình chữ nhật trong chân không nối các điểmA(1, 0, 1) tới B(3. 0,1) tới C(3. 0,4)
tới D(1, 0,4) tới A. Dây mang dòng điện 6 mA chảy theo hướng a z từ B tới C. Một dòng điện sợi
dây 15 A chảy dọc toàn bộ trục z theo hướng a z. (a) Tìm F trên cạnh BC. (b) Tìm F trên cạnh AB.
(c) Tìm Ftổng trên vòng.
B=−3 xa x +5 ya y −2 za z
9.6 Mật độ từ thông trong một miền chân không là T. Tìm tổng lực trên
vòng chữ nhật trong hình 9.15 nếu nó nằm trong mặt phẳng z = 0 và bị chặn bưỏi x = 1, x = 3, y
= 2 và y = 5, tất cả đều đo bằng cm.
−4 a z
9.7 Một tấm dòng điện đều đặt trong chân không như sau : 8az A/m tại y = 0, A/m tại y = 1 và
−4 a z
A/mtại y = -1. Tìm vector lực trên mỗi met dài tác động lên sợi dây mang dòng điện 7 mA
theo hướng aL nếu sợi dây được đặt tại : (a) x = 0, y = 0.5 và aL =az ; (b) y = 0.5, z = 0 và aL = ax ; (c)
x = 0, y = 1.5 và aL = az.
9.8 Các dòng điện sợi dây -25az và 25az A đặt trong mặt phẳng x = 0 trong chân không tại y = -1 và y
10−3 a z
= 1 m tương ứng. Một sợi dây mang dòng điện thứ ba A đặt tại x = k, y = 0. Tìm vector
|F|
lực trên 1 m chiều dài của một sợi dây 1 mA và vẽ theo k.
−100 a z
9.9 Một dòng điện A/m chảy trên dây dẫn trụ  = 5 mm và +500a z A/m trên dây dẫn trụ 
= 1 mm. Tìm độ lớn của tổng lực trên mỗi meter dài mà nó tác động làm tách trụ ngoài ra khỏi
độ dài của nó.

31
9.10 Một đường dây truyền tải phẳng gồm có hai mặt phẳng dẫn điện có chiều rộng b cách nhau d
m trong không khí, mang hai dòng điện bằng nhau nhưng ngược nahu 1 A. Nếu b >>d, tìm lực
đẩy trên mỗi meter dài giữa hai dây dẫn.
9.11 (a) Sử dụng phương trình (14), phần 9.3 để chứng minh rằng lực hút trên mỗi đơn vị dài giữa
I 1 az I 2 az
hai sợi dây dẫn trong chân không có dòng tại x = 0, y = d/2 và tại x =0 và y = -d/2 là
μ0 I 1 I 2 / ( 2 πd )
. (b) Đưa ra một phương pháp đơn giản hơn có thể được sử dụng để kiểm tra kết
quả của bạn.
9.12 Một dải dẫn điện mang K = 12az A/m nằm trong mặt phẳng x = 0 giữa y = 0.5 và y = 1.5 m. Cũng
có sợi dây mang dòng điện I = 5 A theo hướng a z trên trục z. Tìm lực tac động lên (a) sợi dây bởi
dải dòng điênj ; (b) dải bởi sợi dây.
9.13 Một dòng điện 6 A chảy từ M(2, 0, 5) tới N(5, 0, 5) trong một sợi dây cứng thẳng trong chân
không. Một sợi dây dòng điện dài vô hạn nằm dọc theo trục z và mang 50 A theo hướng a z. Tính
mô men vector trên đoạn dây sử dụng gốc tại : (a) (0, 0, 5) ; (b) (0, 0, 0) ; (c) (3, 0, 0).
9.14 Vòng chữ nhật ở bài tập 9.6 bây giờ là đối tượng của trường B tạo bởi hai tấm dòng điện
K 1 =400 a y K 2 =300 a z
A/m tại z = 2 và A/m tại y = 0 trong chân không. Tìm mô men vector
trên vòng, xét gốc tại (a) tại (0, 0, 0); (b) tại tâm của vòng.
9.15 Một sợi dây dẫn điện cứng kéo dài từ x = -b tới x = b dọc theo đường y = 2, z = 0. Sợi dây này
mang dògn điện 3 A theo hướng ax. Một sợi dây vô hạn trên trục z mang 5 A theo hướng a z. Tìm
biểu thức của mô men tác động lên dây dẫn hưũ hạn có gốc tại (0, 2, 0).
9.16 Giả thiết rằng một electron tạo nên một quỹ đạo tròn có bán kính a so với hạt nhân mang điện
tích dương. (a) Bằng việc chọn một dòng và diện tích thích hợp, chứng minh rằng mô men
lưỡng cực quỹ đạo tương đương là ea 2 /2 trong đó  là vận tốc góc của electron. (b) Chứng
minh rằng mô men tạo bởi từ trường song song với mặt phẳng quỹ đạo là ea 2 B/2 . (c) Bằng
−1/2
( 4 πε0 me a3 /e2 )
việc tính lực Coulomb và lực ly tâm, chứng minh rằng  bằng trong đó me và
khối lượng của electron. (d) Tìm các giá trị vận tốc góc, mô men quay và mô me từ quỹ đạo của
nguyên tử hydrogen trong đo slà bằng 610-11 m ; B = 0.5 T.
9.17 Nguyên tử hydrogen trong bài tập 9.16 bây giờ là đối tượng của một từ trường có cùng hướng
với hướng của nguyên tử. Chứng minh rằng lực tạo bởi B tạo nên sự giảm vận tốc góc bằng
eB / ( 2 me ) e 2 a 2 B /( 4 me )
và sự giảm mô men quỹ đạo . Tính các giá trị giảm này của nguyên tử
hydrogen bằng phần triệu của mật độ thông lượng ngoài 0.5 T ?
9.18 Tính mô men quay vector trên vòng hình vuông trong hình 9.16 có gốc tai A trong trường B
B=100 a y B=200 a x +100 a y
biết : (a) A(0, 0, 0) và mT ; (b) A(0, 0, 0) và mT ; (c) A(1, 2, 3) và
B=200 a x +100 a y −300 a z B=200 a x +100 a y −300 a z x≥2
mT ; (d) A(1, 2, 3) và mT với và
B = 0 tai mọi điểm.
32
 χ m =3. 1
9.19 Cho vật liệu có tron gđó B = 0.4yaz T, tìm : (a) H ; (b)  ; (c) r ; (d) M ; (e) J ; (f) Jb ; (g) JT.
9.20 Tìm H trong một vật liệu có (a) r=4.2, có 2.9 1029 nguyên tử/m3 và mỗi nguyên tử có một mô
χ m =0 .7
men lưỡng cực 2.610-30ay Am2 ; (b) M = 270az A/m và  = 2 H/m ; (c) và B = 2az T.
(d) Tìm M trong vật liệu bị bặng bởi dòng điện mặt có mật độ 12a z A/m và -9az A/m đặt tương
ứng tại  = 0.3 m và 0.4 m.

Hình 9.16 Xem bài tập 9.18

9.21 Tính độ từ hóa trong vật liệu có: (a) mật độ thông lượng từ là 0,02 Wb/m2; (b) cường độ từ trường
28
là 1200 A/m và độ thấm từ tương ứng là 1,005; (c) 7 , 2×10 nguyên tử trên mét khối, mỗi nguyên
−30
tử có moment lưỡng cực là 4×10 A⋅m2 có hướng như nhau, và tính cảm từ là 0,003.
9.22 Trong một số điều kiện, có thể áng chừng tác động của vật liệu sắt từ bằng cách giả định mối quan
μ =1000 đối với vật liệu có dây dẫn trụ bán kính 1 mm. Nếu I =
hệ giữa B và H là tuyến tính. Cho r
1 A và sự phân bố dòng điện là đồng nhất, tìm: (a) B, (b) H, (c) M, (d) J, và (e) Jb trong dây dẫn.

9.23 Tính các giá trị H, B, và M tại  = c đối với cáp đồng trục có a = 2,5 mm và b = 6 mm nếu nó mang
dòng điện I = 12 A trong dây dẫn trung tâm, và  = 3 H/m đối với 2,5 mm <  < 3,5 mm,  = 5 H/m
đối với 3,5 mm <  < 4,5 mm, và  = 10 H/m đối với 4,5 mm <  < 6 mm. Biết c=: (a) 3 mm; (b) 4
mm; (c) 5 mm.

9.24 Một đường truyền đồng trục có a = 5 mm và b = 20 mm. Cho tâm của nó nằm trên trục z và a dc
dòng điện I chạy theo hướng az trong dây dẫn trung tâm. Thể tích giữa các dây dẫnH chứa 600
φ =vật liệu từ
có r = 2,5, cũng π không khí. Tìm H, B, và M tại mọi điểm giữa các dây dẫn nếu
như π A/m
φ=
tại  = 10 mm, 2 , và vật liệu từ được đặt tại: (a) a <  < 3a; (b) 0 <  < .

9.25 Một sợi dây tóc đèn dẫn điện tại z = 0 chứa 12 A có hướng az. Cho r = 1 đối với  < 1 cm, r = 6 đối
với 1 <  < 2 cm, và r = 1 đối với  > 2 cm. Tìm: (a) H tại mọi điểm; (b) B tại mọi điểm.

33
 Hình 9.17 Xem Bài 9.28.

9.26 Hai tấm điện, K0ay A/m tại z = 0 và -K0ay A/m tại z = d, được phân cách bởi hai tấm vật liệu từ, r1 với
0 < z < a, và r2 với a < z < d. Nếu r2 = 3r1, tìm tỉ số a / d sao cho 10% của tổng thông lượng từ
thuộc miền 0 < z < a.

9.27 Cho r1 = 2 trong miền 1, xác định bởi 2 x+3 y−4 z>1 , trong khi r2 = 5 trong miền 2 trong đó
2 x+3 y−4 z<1 . Trong miền 1, H 1 =50 a x−30 a y +20 a z A/m. Tìm: (a) HN1; (b) Hr1; (c) Hr2; (d) HN2;
(e) 1, góc giữa H1 và aN21; (f) 2, góc giữa H2 và aN21.

9.28 Đối với các giá trị của B dưới góc uốn trên đường cong từ tính đối với thép silicon, làm gần đúng
đường cong bởi một đường thẳng  = 5 mH/m. Lõi được biểu diễn trong Hình 9.17, mỗi cạnh ngoài
có diện tích 1,6 cm2 và dài 10 cm, và cạnh giữa có diện tích 2,5 cm2 và dài 3 cm. Một cuộn 1200 vòng
chứa 12 mA được đặt quanh cạnh giữa. Tìm B trong: (a) cạnh giữa; (b) cạnh giữa nếu cạnh giữa có
một lỗ hổng không khí 0,3 mm.

9.29 Trong Bài 9.28, sự xấp xỉ tuyến tính được đưa ra trong đề bài dẫn tới mật độ thông lượng 0,666 T
trong cạnh giữa. Dùng giá trị của B và đường cong từ tính đối với thép silicon, cần phải có dòng điện
nào trong cuộn 1200 vòng?

9.30 Một lõi toroidal có diện tích mặt cắt tròn là 4 cm2. Bán kính trung bình của toroid là 6 cm. Lõi bao
gồm hai bán cầu, một là thép silicon và bán cầu còn lại là vật liệu tuyến tính có r = 200. Có một lỗ
hổng không khí 0,4 mm tại mỗi đầu nối, và lõi được cuốn bởi 4000 vòng chứa a dc dòng điện I1. (a)
Tìm I1 nếu mật độ thông lượng trong lõi là 1,2 T. (b) Tìm mật độ thông lượng trong lõi nếu I1 = -0,3 A.

9.31 Một toroid tạo bởi vật liệu từ có diện tích mặt cắt là 2,5 cm2 và dài 8 cm. Có một lỗ hổng không khí
dài 0,25 mm và diện tích hiệu quả là 2,8 cm2. Áp dụng mmf 200 A⋅t cho mạch từ. Tính tổng thông
lượng trong toroid nếu vật liệu từ: (a) được giả định có độ thấm từ vô hạn; (b) được giả định là
tuyến tính với r = 1000; (c) là thép silicon.

34
 Hình 9.18 Xem Bài 9.35.

9.32 Xác định tổng năng lượng tích trữ trong vùng cầu bán kính 1 cm, tâm đặt tại gốc trong không gian,
H =−600 a y A/m; (b) H 2 =600 a x +1200 a y A/m; (c)
trong trường đồng nhất: (a) 1
H 3 =−600 a x +1200 a y A/m; (d) H 4 = H 2 + H 3 ; (e) 1000a A/m + 0,001a T.
x x

9.33 Một lõi toroid có mặt cắt hình vuông, 2,5 cm <  < 3,5 cm, -0,5 cm < z < 0,5 cm. Nửa trên của toroid,
0 < z < 0,5 cm, tạo bởi vật liệu tuyến tính có r = 10, còn nửa dưới, -0,5 cm < z < 0, có r = 20. Một
mmf 150 A⋅t tạo lập một thông lượng có hướng a. Với z > 0, tìm: (a) H(); (b) B(); (c) z>0. (d)
Lặp lại với z > 0. (e) Tìm total.

9.34 Xác định năng lượng tích trữ trên mỗi đơn vị chiều dài trong từ trường bên trong của dây điện
thẳng dài bán kính a, chứa dòng điện đồng nhất I.

9.35 Hình nón  = 21o và  = 159o là các bề mặt dẫn điện và chứa tổng dòng điện 40 A, biểu diễn trong
Hình 9.18. Các dòng điện trở lại bề mặt dẫn điện hình cầu bán kính 0,25 m. (a) Tìm H trong miền 0 <
r < 0,25, 21o <  < 159o, 0 <  < 2. (b) Lượng năng lượng tích trữ trong miền này là bao nhiêu?

9.36 Các kích thước của dây dẫn ngoài của cáp đồng trục là b và c, trong đó c > b. Giả thiết  = 0, tìm
năng lượng từ trên mỗi đơn vị chiều dài trong miền b <  < c đối với tổng dòng điện phân phối
không đều I chạy theo hướng ngược lại trong dây dẫn trong và dây dẫn ngoài.

9.37 Tìm độ tự cảm của hình cầu nón trong Bài 9.35 và Hình 9.18. Độ tự cảm được tính tại gốc giữa các
trục và hình nón.

9.38 Một lõi toroid có mặt cặt vuông góc xác định bởi các bề mặt  = 2 cm,  = 3 cm, z = 4 cm, z = 4,5 cm.
Vật liệu lõi có độ thấm từ là 80. Nếu lõi bị tác động bởi một cuộn 8000 vòng dây dẫn, tìm độ tự cảm
của nó.

9.39 Các mặt phẳng dẫn điện trong không khí tại z = 0 và z = d chứa dòng điện bề mặt K0ax A/m. (a) Tìm
năng lượng tích trong từ trường trên mỗi đơn vị chiều dài (0 < x < 1)Wvới= 1 rộng
chiều
H LI 2 (0 < y < w). (b)
Tính độ tự cảm trên mỗi đơn vị chiều dài của đường truyền này từ 2 , trong đó I là tổng

35
 dòng điện trong chiều rộng w trong dây dẫn khác. (c) Tính tổng thông lượng xuyên qua hình chữ
nhật, 0 < x < 1, 0 < z < d, trong mặt phẳng y = 0, và từ kết quả này tìm độ tự cảm trên mỗi đơn vị
chiều dài.

9.40 0< cápπđồng π

Mộtφ< trục
<φ<
3 πcỡ dẫn điện 1 và 5 mm. Vùng giữa các dây dẫn làπkhông khí đối với
có kích <φ < π
3π
<φ<22 và
π 2 , và là vật liệu không dẫn điện có r = 8 đối với 2 và
2 . Tìm độ tự cảm trên mỗi mét chiều dài.

9.41 Một cuộn hình chữ nhật tạo bởi 150 vòng dây dẫn nhỏ. Tìm độ tự cảm lẫn nhau trong không gian
giữa cuộn này và sợi dây tóc thẳng vô hạn trên trục z nếu bốn góc của cuộn được đặt tại: (a) (0, 1,
0), (0, 3, 0), (0, 3, 1), và (0, 1, 1); (b) (1, 1, 0), (1, 3, 0), (1, 3, 1) và (1, 1, 1).

9.42 Tìm độ tự cảm tương tác giữa hai sợi dây tóc định hình các vòng tròn bán kính a và a, trong đó a
<< a. Trường được xác định bởi các phương pháp gần đúng. Các vòng tròn là đồng phẳng và đồng
tâm.

9.43 (a) Sử dụng mối quan hệ năng lượng để chỉ ra rằng độ tự cảm bên trong của dây điện hình trụ
không từ tính bán kính a chứa dòng điện phân phối không đều I là μ0 /(8 π ) H/m. (b) Tìm độ tự cảm
bên trong nếu loại bỏ phần dây dẫn  < c < a.

BÀI TẬP CHƯƠNG 10

10.1 Trên Hình 10.4, cho B = 0,2cos120πt T và giả thiết rằng vật dẫn nối kín hai đầu điện trở là lý tưởng. Ta
còn có thể giả thiết rằng từ trường sinh bởi I(t) là không đáng kể. Tìm: (a) Vab(t); (b) I(t).

B đồng nhất

Hình 10.4 Xem Bài tập 10.1

10.2 Trong Hình 10.1, thay thế Voltmeter bằng một điện trở R. (a) Tìm dòng điện I chảy trong đó gây bởi sự
chuyển động của thanh trượt. (b) Dòng điện trong thanh gây ra một lực tác động lên thanh làm nó chuyển
động. Xác định lực này. (c) Xác định công suất cơ cần thiết để duy trì một vận tốc v không đổi và chỉ ra rằng
công suất này bằng với công suất tiêu thụ bởi R.
36
10.3 Cho H = 300azcos(3×108t – y) A/m trong chân không, tìm emf xuất hiện trên hướng a ϕ chung dọc theo
đường kín có các góc ở: (a) (0,0,0), (1,0,0), (1,1,0) và (0,1,0); (b) (0,0,0), (2π,0,0), (2π,2π, 0), (0,2π,0).
10.4 Các mặc dẫn được đặt ở ρ = 1 cm và ρ = 2 cm trong chân không. Thể tích giới hạn bởi 1 cm < ρ < 2 cm

có từ trường với A/m và V/m. (a) Chỉ ra

rằng hai trường này thỏa mãn Phương trình (6), Mục 10.1. (b) Tính cả hai tích phân trong Phương trình (4)
cho mặt phẳng xác định bởi ϕ = 0,1 cm < ρ < 2 cm, 0 < z < 0,1 m và chu vi của nó đông thời chỉ ra rằng ta thu
được kết quả tương tự.
10.5 Vị trí của thanh trượt trên Hình 10.5 được cho bởi x = 5t + 2t3 và khoảng cách giữa 2 thanh ray là 20 cm.
Cho B = 0,8x2az T. Tìm số chỉ của Voltmeter ở: (a) t = 0,4 s; (b) x = 0,6 m.

Hình 10.5 Xem Bài tập 10.5.

10.6 Một dây dẫn lý tưởng có chưa một đoạn điện trở nhỏ 500 Ω tạo thành một hình vuông như trên Hình
10.6. Tìm I(t) nếu B = (a) 0,3cos(120πt – 30o)az T; (b) 0,4cos[π(ct - y)]az μT, trong đó c = 3 × 108 m/s.

Hình 10.6 Xem Bài tập 10.6.

37
10.7 Mỗi ray trên Hình 10.7 có điện trở đơn vị 2,2 Ω/m. Thanh ngang di chuyển sang bên phải với vận tốc
không đổi bằng 9 m/s qua một từ trường đồng nhất 0,8 T. Tìm I(t), 0 < t < 1 s nếu thanh ngang ở x = 2 m ở t
= 0 và: (a) một điện trở 0,3 Ω đặt lên điểm cuối bên trái và bên phải của mạch hở; ( b) một điện trở 0,3 Ω đặt
lên mỗi đầu.

Hình 10.7 Xem Bài tập 10.7.

10.8 Hình 10.1 được sửa đổi để chỉ ra rằng sự phân tách của ray là lớn khi y lớn hơn. Cụ thể là ta có biểu
thức liên hệ d= 0,2 + 0,02y. Cho biết vận tốc là không đổi vy = 8 m/s và mật độ từ thông đồng nhất Bz = 1,1 T,
tìm V12 dưới dạng hàm theo thời gian nếu thanh ngang ở y = 0 tại thời điểm t = 0.
10.9 Một vòng dây mảnh hình vuông có cạnh 25 cm và điện trở đơn vị là 125 Ω/m. Vòng dây ở mặt phẳng z
= 0 với các cạnh của nó ở (0;0;0), (0,25;0;0), (0,25;0,25,0) và (0;0,25;0) ở t = 0. Vòng dây di chuyển với vận
tốc vx = 50 m/s trong từ trường Bz = 8cos(1,5×108t – 0,5x) μT. Xây dựng hàm thời gian biểu diễn công suất
thuần trở chuyển đi bởi vòng dây.
10.10 (a) Chứng minh rằng tỷ số về biên độ của mật độ dòng điện dẫn và mật độ dòng điện dịch là σ/ωε khi
có trường E = Emcosωt. Giả thiết rằng µ = µ0. (b) Tỷ số về biên độ là bao nhiêu nếu trường đặt vào là E = Eme-
t/τ
trong đó τ là số thực?
10.11 Cho các kích thước trong của một tụ đồng trục là a = 1,2 cm, b = 4 cm và l = 40 cm. Loại vật liệu đồng
nhất bên trong tụ có các thông số ε = 10-11 F/m, µ = 10-5 H/m và σ = 10-5 S/m. Nếu mật độ điện trường là E =
(106/ρ)cos105taρ V/m, tìm: (a) J; (b) Dòng điện dẫn tổng Ic chạy qua tụ; (c) Dòng điện dịch tổng Id chạy qua tụ;
(d) Tỷ số về biên độ giữa Id với Ic, thừa số chất lượng của tụ.
10.12 Chứng minh rằng dòng điện dịch chảy qua giữa 2 bản hình trụ của một tụ đồng trục lý tưởng là giống
như dòng điện dẫn chạy trong mạch ngoài nếu điện áp đặt lên hai đầu cực đều là V0cosωt V.
10.13 Xét vùng xác định bởi |x|, |y| và |z| < 1, có εr = 5, µr = 4 và σ = 0. Nếu Jd = 20cos(1,5×108t - bx)ay
µA/m2: (a) Tìm D và E; (b) Sử dụng dạng vi phân của định luật Faraday và tích phân theo thời gian, tìm B và
H; (c) Sử dụng ∇×H = Jd + J để tìm Jd; (d) Giá trị số học của b bằng bao nhiêu?
38
10.14 Một nguồn áp V0sinωt được đặt vào giữa hai mặt cầu đồng tâm, r = a và r = b, b > a với vùng không
gian ở giữa chúng có các thông số ε = εrε0, µ = µ0 và σ = 0. Tìm tổng dòng điện dịch qua điện môi và so sánh
nó với nguồn dòng xác định từ phương pháp điện dung (Mục 6.4) và phương pháp phân tích mạch điện.
10.15 Cho µ = 3×10-5 H/m, ε = 1,2×10-10 F/m và σ = 0 ở mọi nơi. Nếu H = 2cos(10 10t – βx)az A/m, sử dụng
phương trình Maxwell để tìm biểu thức của B, D, E và β.
10.16 Tìm phương trình liên tục từ các phương trình Maxwell.
10.17 Mật độ điện trường trong vùng 0 < x < 5, 0 < y < π/12, 0 < z < 0,06 m trong chân không được cho bởi E
= Csin12ysinazcos2×1010tax V/m. Bắt đầu với quan hệ ∇×E, sử dụng các phương trình Maxwell để tìm giá trị
của a nếu biết rằng a là dương.
10.18 Đoạn dây truyền dẫn gồm hai bản song song như trên Hình 10.8 có các kích thước b = 4 cm và d = 8
mm với môi trường giữa các bản đặc trưng bởi các thông số µr = 1, εr = 20 và σ = 0. Bỏ qua trường bên ngoài
vùng điện môi. Cho biết H = 5cos(10 9t – βz)ay A/m, sử dụng phương trình Maxwell để tìm: (a) β, nếu β > 0;
(b) Mật độ dòng điện dịch ở z = 0; (c) Tổng dòng điện dịch xuyên qua bề mặt x = 0,5d, 0 < y < b, 0 < z < 0,1 m
theo hướng ax.

Hình 10.8 Xem Bài tập 10.18.

10.19 Trong Mục 10.1 ta đã sử dụng định luật Faraday để chỉ ra rằng từ trường biến đổi có B = B0ektaz sẽ gây
ra điện trường có E = -1/2kB0ektρaρ. (a) Chứng minh rằng những trường này không thỏa mãn các phương
trình xoắn Maxwell khác. (b) Nếu ra lấy B0 = 1 T và k = 106 s-1, ta sẽ khởi tạo một mật độ từ thông lớn trong
1µs. Sử dụng công thức ∇∙H để chỉ ra rằng mức độ mà B cần (nhưng không) thay đổi theo ρ chỉ vào khoảng
5×10-6 T cho mỗi m trong chân không ở t = 0.
10.20 Điểm C(-0,1;-0,2;0,3) nằm trên bề mặt của một vật dẫn lý tưởng. Cường độ điện trường ở C là (500ax –
300ay + 600az)cos107t V/m và môi trường xung quanh vật dẫn được đặc trưng bởi các tham số µr = 5, εr = 10
và σ = 0. (a) Tìm vector đơn vị chuẩn của bề mặt vật dẫn ở C nếu nó nằm trong vật dẫn. (b) Tìm mật độ điện
tích mặt ở C.
10.21 (a) Chứng minh rằng trong trạng thái tĩnh của trường, Biểu thức (55) rút gọn về định luật Ampere. (b)
Kiếm chứng rằng Biểu thức (51) trở thành định luật Faraday khi ta lấy rot.
39
10.22 Ở một môi trường không nguồn có J = 0 và ρv = 0, giả thiết một hệ trục tọa độ chữ nhật trong đó có E
và H đều là hàm của chỉ z và t. Môi trường có hằng số điện môi ε và độ từ thẩm µ. (a) Nếu E = Exax và H =
Hyay, bắt đầu với các phương trình Maxwell và xá định các phương trình đạo hàm riêng cấp hai mà E phải
thỏa mãn. (b) Chứng minh rằng Ex = E0cos(ωt - βz) là nghiệm của phương trình cho một giá trị cụ thể của β.
(c) Tìm β dưới dạng hàm của các tham số đã cho.
10.23 Trong vùng 1, z < 0, ε1 = 2×10-11 F/m, µ1 = 2×10-6 H/m và σ1 = 4×10-3 S/m; trong vùng 2, z > 0, ε2 = ε1/2,
µ2 = 2µ1 và σ2 = σ1/4. Ta biết rằng E1 = (30ax + 20ay + 10az)cos106t V/m ở P(0,0,0-). (a) Tìm EN1, Et1, DN1 và Dt1 ở
P1. (b) Tìm JN1 và Jt1 ở P1. (c) Tìm Et2, Dt2 và Jt2 ở P2(0,0,0+). (d) (Khó hơn) Sử dụng phương trình liên tục để
chứng minh rằng JN1 – JN2 = ∂DN1/∂t - ∂DN2/∂t và sau đó xác định DN2, JN2 và EN2.
10.24 Trong môi trường có ρv = 0 nhưng hằng số điện môi là một hàm của vị trí, xác định trạng thái biến đổi

hằng số điện môi sao cho: (a) ∇∙E = 0; ∇∙E 0.

10.25 Trong một vùng với µr = εr = 1 và σ = 0, các thế trễ được cho bởi V = x(z – ct) V và

Wb/m, trong đó . (a) Chứng minh rằng ; (b) Tìm B, H, E và D; (c) Chứng minh
rằng những kết quả này thỏa mãn các phương trình Maxwell nếu J và ρv đều bằng không.
10.26 Xét dòng điện I = 80t A được biểu diễn trên hướng a z trên trục z trong chân không thuộc miền -0,1 < z
< 0,1 m. (a) Tìm Az ở P(0,2,0) và (b) Vẽ đồ thị của A theo t trên khoảng thời gian -0,1 < t < 0,1 µs.

40