Euv Lithography 2nd Edition Vivek

Bakshi
Visit to download the full and correct content document:
https://textbookfull.com/product/euv-lithography-2nd-edition-vivek-bakshi/
More products digital (pdf, epub, mobi) instant
download maybe you interests ...

Digital Transformation of Enterprise Architecture 1st

Edition Vivek Kale

https://textbookfull.com/product/digital-transformation-of-
enterprise-architecture-1st-edition-vivek-kale/

Materials and Processes for Next Generation Lithography

1st Edition Alex Robinson And Richard Lawson (Eds.)

https://textbookfull.com/product/materials-and-processes-for-
next-generation-lithography-1st-edition-alex-robinson-and-
richard-lawson-eds/

Agile network businesses : collaboration, coordination,

and competitive advantage 1st Edition Vivek Kale

https://textbookfull.com/product/agile-network-businesses-
collaboration-coordination-and-competitive-advantage-1st-edition-
vivek-kale/

Computational Modeling of Underground Coal Gasification

1st Edition Vivek V. Ranade (Author)

https://textbookfull.com/product/computational-modeling-of-
underground-coal-gasification-1st-edition-vivek-v-ranade-author/
Big Data Computing A Guide for Business and Technology
Managers 1st Edition Vivek Kale

https://textbookfull.com/product/big-data-computing-a-guide-for-
business-and-technology-managers-1st-edition-vivek-kale/

The Driver in the Driverless Car How Our Technology

Choices Will Create the Future 1st Edition Vivek Wadhwa

https://textbookfull.com/product/the-driver-in-the-driverless-
car-how-our-technology-choices-will-create-the-future-1st-
edition-vivek-wadhwa/

Psoriasis 2nd Ed 2nd Edition M. Alan Menter

https://textbookfull.com/product/psoriasis-2nd-ed-2nd-edition-m-
alan-menter/

Understanding German Real Estate Markets 2nd 2nd

Edition Tobias Just

https://textbookfull.com/product/understanding-german-real-
estate-markets-2nd-2nd-edition-tobias-just/

Automotive Software Architectures An Introduction 2nd

2nd Edition Miroslaw Staron

https://textbookfull.com/product/automotive-software-
architectures-an-introduction-2nd-2nd-edition-miroslaw-staron/
Library of Congress Cataloging-in-Publication Data

Names: Bakshi, Vivek, editor.

Title: EUV lithography / Vivek Bakshi, editor.
Description: Second edition. | Bellingham, Washington, USA : SPIE Press, [2018]
Identifiers: LCCN 2017051759 | ISBN 9781510616783 (hard cover) | ISBN 1510616780
(hard cover) | ISBN 9781510616790 (PDF) | ISBN 1510616799 (PDF) | ISBN
9781510616806 (ePub) | ISBN 1510616802 (ePub) | ISBN 9781510616813 (Kindle) |
ISBN 1510616810 (Kindle)
Subjects: LCSH: Ultraviolet radiation–Industrial applications. | Photolithography. |
Optical coatings.
Classification: LCC QC459 .E98 2018 | DDC 621.3815–dc23 LC record available at
https://lccn.loc.gov/2017051759

Published by
SPIE
P.O. Box 10
Bellingham, Washington 98227-0010 USA
Phone: +1 360.676.3290
Fax: +1 360.647.1445
Email: books@spie.org
Web: http://spie.org

Chapters 1–5 and 6B–10:

Copyright © 2018 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)

All rights reserved. Chapters 1–5 and 6B–10 of this publication may not be reproduced
or distributed in any form or by any means without written permission of the publisher.

Chapter 6A is a work of the U.S. Government and is not subject to copyright.

The content of this book reflects the work and thought of the authors and editor. Every
effort has been made to publish reliable and accurate information herein, but the
publisher is not responsible for the validity of the information or for any outcomes
resulting from reliance thereon.

Cover image © 2017 ASML Netherlands B.V.

Printed in the United States of America.

First Printing.
For updates to this book, visit http://spie.org and type “PM283” in the search field.
To the technologists, suppliers, and chipmakers
who have made EUVL a reality
Contents
Foreword to the Second Edition xvii
Preface to the Second Edition xix
List of Contributors xxv
List of Acronyms and Abbreviations xxvii

1 EUV Lithography: An Historical Perspective 1

Hiroo Kinoshita and Obert Wood
1.1 Introduction 1
1.2 The Early Stage of Development—1981 to 1992 3
1.3 The Second Stage of Development—1993 to 1996 11
1.3.1 Two-mirror imaging system development 13
1.3.2 Three-mirror imaging system development 16
1.3.3 MOS device demonstration using EUVL 17
1.4 Other Developments in Japan and Europe 19
1.5 The Development of Individual Technologies 21
1.5.1 Selection of the exposure wavelength 22
1.5.2 Design of reflective imaging systems 25
1.5.3 Fabrication and evaluation of aspherical mirrors 28
1.5.4 Multilayer coatings and reflection masks 32
1.5.5 EUV resist development 37
1.5.6 EUV light source development 38
1.6 EUVL Conferences 41
1.7 Summary 42
Acknowledgments 43
References 46
2 The EUV LLC: An Historical Perspective 57
Stefan Wurm
2.1 Introduction 58
2.1.1 Background 59
2.1.2 Need for a revolutionary approach 60
2.2 Formation of the EUV LLC 60
2.2.1 Vision 60
2.2.2 Implementation 61

vii
viii Contents

2.2.3 Organizational structure 64

2.3 Program Structure 69
2.3.1 Organization 69
2.3.2 Risk management 69
2.3.3 Reporting 71
2.3.4 Documentation 72
2.4 Program Results 74
2.4.1 Technical accomplishments 74
2.4.2 IP portfolio 77
2.4.3 Program statistics 83
2.4.4 Delays 83
2.5 Retrospective Observations 85
2.5.1 Improvements 85
2.5.2 External issues 88
2.5.3 Benefits 89
2.6 Status of EUV Development at the End of the EUV LLC 91
2.6.1 Risk reduction 91
2.7 Summary 92
Appendix 2A: Major Accomplishments of the EUV LLC Program 94
Appendix 2B: EUV LLC Program Patents 99
Acknowledgments 105
References 106
3A EUV Sources for High-Volume Manufacturing 109
Igor V. Fomenkov, David C. Brandt, Alexander I. Ershov, Alexander A.
Schafgans, Yezheng Tao, Georgiy O. Vaschenko, and Bruno La Fontaine
3A.1 Introduction to EUV Light Sources 109
3A.2 EUV Source Requirements 114
3A.3 Laser-Produced Plasma Source System 119
3A.3.1 EUV power scaling 119
3A.3.2 Tin target delivery 130
3A.3.3 Pre-pulse technology 135
3A.3.4 EUV collector 136
3A.3.5 Debris mitigation 143
3A.3.6 Hydrogen as a buffer gas 147
3A.3.7 Tin management 150
3A.3.8 Controls 154
3A.4 Summary and Future Outlook 155
References 156
3B High-Power EUV Source by Gigaphoton for High-Volume Manufacturing 165
Hakaru Mizoguchi, Taku Yamazaki, Tatsuya Yanagida, Krzysztof M. Nowak,
and Takashi Saito
3B.1 Introduction 165
Contents ix

3B.2 High-Power LPP EUV Light Source with Pre-pulse Technology 166
3B.2.1 System concept 166
3B.2.2 Tin droplet generation technology 166
3B.2.3 Pre-pulse technology and high-CE operation 167
3B.2.4 Superconducting magnet debris mitigation method (SM3) and
the collector mirror 171
3B.2.5 Driver CO2 laser system 173
3B.3 250-W HVM LPP-EUV Source 181
3B.3.1 Pilot #1 system construction 181
3B.3.2 CE measurements and improvement 182
3B.3.3 Latest data of the Pilot #1 system 183
3B.3.4 Change of collector mirror reflectance during operation 184
3B.4 Conclusion and Acknowledgment 185
References 186
4A The EQ-10 Electrodeless Z-PinchTM Metrology Source 193
Stephen F. Horne, Matthew M. Besen, Paul A. Blackborow, Ron Collins,
Deborah Gustafson, Matthew J. Partlow, and Donald K. Smith
4A.1 Operating Principles 193
4A.2 Diagnostics for the EQ-10 196
4A.3 Source Performance 197
4A.3.1 Power and brightness 198
4A.3.2 Spatial and temporal stability 200
4A.4 Typical Installations 202
4A.5 Conclusions 202
References 202
4B High-Brightness LDP Source for Mask Inspection 207
Yusuke Teramoto
4B.1 Introduction 207
4B.2 LDP System Configuration 209
4B.3 EUV Brightness and Power 212
4B.4 EUV Spectrum and Out-of-Band Radiation 214
4B.5 Stability and Reliability 215
4B.6 Source Cleanliness 217
4B.7 Summary 221
Acknowledgments 221
References 221
5 Optical Systems for EUVL 225
Sascha Migura, Winfried Kaiser, Jens Timo Neumann, Hartmut Enkisch, and
Dirk Hellweg
5.1 Introduction 226
5.2 Optical Systems: Beginning and Present 228
5.2.1 Introduction 228
x Contents

5.2.2 Beginning: collaborations and funding in Europe 229

5.2.3 Early optical systems: MET, HiNA, and SFET 230
5.2.4 Prototypes: Alpha Demo Tool and EUV1 232
5.2.5 Preproduction system: Starlith® 3100 235
5.2.6 HVM: Starlith® 3300/3400 family 237
5.3 The Future: High-NA 240
5.3.1 Introduction 240
5.3.2 Optical system for high-NA 241
5.3.3 Theoretical background 246
5.3.4 Conclusion on optical systems for EUVL 253
5.4 Optical Modules: Collector 254
5.4.1 Introduction 254
5.4.2 EUV collector types 254
5.4.3 Grazing-incidence collectors 255
5.4.4 Normal-incidence collectors 260
5.5 Optical Modules: Illuminator 263
5.5.1 Introduction 263
5.5.2 Key performance parameters 263
5.5.3 Realization options 265
5.5.4 Pupil tuning 269
5.5.5 Technical challenges 269
5.6 Optical Modules: Projection Optics 270
5.6.1 Introduction 270
5.6.2 Basic design specifications 271
5.6.3 Optics manufacturing: mirror surface 273
5.6.4 Modeling and simulating stray light and flare 279
5.6.5 Optics manufacturing: mirror coating 297
5.7 Mask Inspection: The ZEISS AIMS EUV 308
5.7.1 Introduction 308
5.7.2 Principle and application 308
5.7.3 System concept 311
5.7.4 Tool capabilities 312
5.7.5 Tool performance 314
5.7.6 Summary 316
Acknowledgments 316
References 317
6A Optics Contamination 335
Charles S. Tarrio, Shannon B. Hill, Robert F. Berg, and Saša Bajt
6A.1 Introduction 335
6A.1.1 Background 337
6A.1.2 The chemical processes 338
6A.2 Optics Contamination Research 339
6A.2.1 Carbonization and oxidation: photons or photoelectrons 339
Contents xi

6A.2.2 The elimination of oxidation as a problem: requirements for

oxidation-resistant cap layers 340
6A.2.3 Development of contamination-resistant cap layers 341
6A.3 Optics Contamination Experiments 343
6A.3.1 Facilities 343
6A.3.2 Carbonization: admitted-gas studies 345
6A.4 Resist Outgas Testing 353
6A.4.1 Early measurements 353
6A.4.2 Witness-sample testing 355
6A.4.3 Witness-sample testing: nonconventional resists 356
6A.5 Cleaning and Contamination Control 357
6A.6 Summary and Future Outlook 358
References 358
6B Collector Contamination: Normal-Incidence (Multilayer) Collectors 369
Daniel T. Elg, Shailendra N. Srivastava, and David N. Ruzic
6B.1 Introduction 369
6B.2 Overview of Normal-Incidence Collector Mirrors 371
6B.3 Collector Performance 375
6B.3.1 Debris mitigation and contamination 375
6B.3.2 Atomic hydrogen cleaning 387
6B.3.3 Hydrogen plasma cleaning 393
6B.3.4 Compatibility of multilayer mirrors with H2 plasma 398
6B.4 Summary 401
Acknowledgments 403
References 403
7 EUV Mask and EUV Mask Metrology 411
Jinho Ahn and Chan-Uk Jeon
7.1 Introduction 412
7.2 EUVL Mask Structure and Process Flow 413
7.3 Mask Substrate 414
7.3.1 Thermal expansion coefficient 414
7.3.2 Surface figure requirements 415
7.3.3 Defect requirements 417
7.4 Multilayer and Backside Conductive Coating 418
7.4.1 Multilayer deposition process 418
7.4.2 Multilayer characterization 421
7.4.3 Multilayer performance improvement techniques and defect
mitigation 422
7.4.4 Capping layer 427
7.4.5 Backside conductive coating and mask handling 428
7.5 Absorber Stack and Pattern Fabrication 428
7.5.1 Absorber layer 429
xii Contents

7.5.2 Antireflection coating 430

7.5.3 E-beam patterning 431
7.5.4 Absorber stack etch 431
7.6 Mask Inspection, Metrology, and Repair 432
7.6.1 Multilayer defect inspection 432
7.6.2 Absorber pattern inspection 435
7.6.3 Multilayer defect repair 437
7.6.4 Multilayer defect compensation 440
7.6.5 Absorber defect repair 442
7.6.6 Next-generation repair 444
7.6.7 Aerial image metrology 447
7.7 Mask Contamination Protection and Cleaning 450
7.7.1 Pellicle 450
7.7.2 Mask cleaning 457
7.8 Advanced Mask Structure for Better Imaging 458
7.8.1 Shadowing effect 458
7.8.2 Bossung curve asymmetry and focus shift 460
7.8.3 Alternative mask structures 461
7.8.4 Etched ML binary mask 462
7.8.5 Attenuated phase shift mask 465
7.8.6 Alternating phase shift mask 470
7.8.7 Black border 472
7.8.8 Mask design for high-NA 473
7.9 Summary and Future Outlook 474
Acknowledgments 475
References 475
8 Photoresists for EUV Lithography 493
Robert L. Brainard, Mark Neisser, Gregg Gallatin, and Amrit Narasimhan
8.1 Introduction 494
8.2 Earliest EUV Resist Imaging 495
8.3 Absorption Coefficients of EUV Photoresists 500
8.3.1 Definitions of transmission and absorption 500
8.3.2 Early absorption goals 501
8.3.3 A change in absorption goals: from light to dark 502
8.3.4 Measuring absorption of actual resist films 503
8.4 Mechanisms of Resist Exposure to EUV Light 505
8.4.1 Introduction 505
8.4.2 The physics of EUV exposure mechanisms 506
8.4.3 The chemistry of EUV exposure mechanisms 508
8.4.4 Maximum quantum yield in chemically amplified photoresists 508
8.4.5 Total electron yield in EUV photoresists 509
8.4.6 Mechanisms of acid generation in CARs 510
Contents xiii

8.4.7 Electron travel distance in photoresists 515

8.4.8 Conclusions 516
8.5 Organic Photoresists 518
8.5.1 Polymethylmethacrylate (PMMA) resists 518
8.5.2 Environmentally stable chemically amplified photoresists 518
8.5.3 Low-activation-energy acetal or ketal resists 520
8.5.4 Chain-scission resists 521
8.5.5 ArF polymer platforms 522
8.5.6 Sulfonium-based resists 522
8.5.7 High-fluorine resists 522
8.5.8 Non-polymer-based organic EUV resists 523
8.6 Characterization of Development Using AFM 524
8.7 Strategies for Improving Resist Sensitivity: Acid Amplifiers and
Photosensitized CARs 526
8.7.1 Introduction to acid amplifiers 526
8.7.2 Lithographic capabilities of acid amplifiers in EUV
photoresists 527
8.7.3 Fluorine-stabilized AAs and olefin triggers 529
8.7.4 Synthesis and preliminary lithographic performance of
fluorine-stabilized polymers 531
8.7.5 Photosensitized chemically amplified resists (PSCAR) 531
8.7.6 Conclusions 534
8.8 Metal-Containing Resists 534
8.8.1 Metal oxide resists from Oregon State University and Inpria 535
8.8.2 Tin oxide cluster resists from CNSE 539
8.8.3 Mononuclear metal resists 542
8.9 LER and Modeling 548
8.9.1 Background: continuous and stochastic models 548
8.9.2 Modeling steps 550
8.9.3 Specific resist models 553
8.10 Benchmarking Studies: Tool Dependence and Resist Performance 561
8.10.1 Introduction 561
8.10.2 Interference lithography 562
8.10.3 MET imaging 563
8.10.4 Beta tool and production scanner imaging 565
8.10.5 Comparison to ArF 565
8.10.6 Comparison of organic and metal-based resists 565
8.11 Summary 566
8.11.1 Background 566
8.11.2 Mechanism of EUV exposure 566
8.11.3 Types of resists 567
8.11.4 Acid amplifiers and PSCAR 568
xiv Contents

8.11.5 LER and modeling 569

8.11.6 Benchmarking of resists 570
Notes and References 570
9 Fundamentals of EUVL Scanners 593
Jan B. P. van Schoot and Johannes C. M. Jasper
9.1 Introduction 593
9.1.1 EUVL scanner outline 593
9.1.2 Business drivers 594
9.2 EUVL Projection Tool Overview: History and Future 605
9.2.1 Small-field tools 605
9.2.2 Full-field tools: past 0.25 NA 606
9.2.3 Full-field tools: current 0.33 NA 606
9.2.4 Full-field tools: future 0.55 NA 606
9.3 EUVL Scanner Architecture 619
9.3.1 Introduction: architecture overview 619
9.3.2 The optical system 620
9.3.3 Mechatronic architecture 626
9.3.4 Wafer and mask stage 627
9.3.5 Optics and contamination control 628
9.3.6 Metrology 630
9.3.7 Material handling systems and clamps 634
9.3.8 EUV pellicles 635
9.4 Outlook 636
9.4.1 Future prospects 638
Acknowledgments 640
References 640
10 EUVL System Patterning Performance 651
Patrick Naulleau and Gregg Gallatin
10.1 Introduction: The Benefits of EUV Imaging 651
10.2 Parameters Affecting EUV Patterning Performance 654
10.2.1 Partial coherence 654
10.2.2 Aberrations and contrast 654
10.2.3 Flare and contrast 655
10.2.4 Chromeless phase-shift-mask printing in the EUV range 656
10.3 EUV and Aerial Image Variability 659
10.3.1 LER transfer from the mask to the wafer 660
10.3.2 Mask roughness effects on LER 664
10.3.3 Mask roughness effects on printed contact size variations 672
10.4 Stochastics in Patterning 674
10.4.1 Introduction 674
10.4.2 Photon stochastics: an analytic description 675
10.4.3 A stochastic model 678
Contents xv

10.4.4 Photon and material effects 679

10.4.5 Contact CDU limits 681
References 683
Appendix: Reference Data for the EUV Spectral Region 689
Eric M. Gullikson and David Attwood
A.1 Introduction 689
References 707

Index 709
Foreword to the Second Edition
For more than five decades, the semiconductor industry has been following
Moore’s law, and optical lithography has been a key enabler of its continued
extension. This has been done by a combination of reducing the wavelength of
optical lithography roughly every decade, increasing the numerical aperture
of the projection lens of the lithography scanner every few years, and
relentlessly pursuing methods to push the capabilities of optical lithography to
physical limits by reducing the value of k1.
Since the pioneering work on extreme-ultraviolet lithography (EUVL) in
the late 1980s by Bell Labs, Lawrence Livermore National Lab, and in Japan, it
has been known that optical projection lithography would be possible in the
extreme ultraviolet region. However, the obstacles to making it a cost-effective
technology in the volume production of advanced integrated circuits were
formidable. Most noticeably were the obstacles in the areas of optics, source,
mask, and resist.
Since 1997, ASML has explored multiple technologies to extend
lithography beyond 193-nm ArF optical lithography. These included EUVL,
e-beam projection lithography, and ion-beam projection lithography. X-ray
lithography was not considered because of the 1
mask challenge, which puts
severe limits on its potential extension. All three programs were executed
through international collaboration—in the case of EUVL, via the
EUCLIDES program in Europe and via collaboration with the Virtual
National Lab in the USA. In early 2000, ASML decided that EUVL was the
technology of choice to which to extend optical projection lithography. EUVL
had the best cost-of-ownership potential as well as extendibility to smaller
nodes. Two NA ¼ 0.25 EUV “alpha-demo” tools were built and shipped by
ASML in 2006—one to IMEC (Belgium) and one to CNSE (Albany, New
York, USA). These tools were instrumental in further increasing the
momentum of EUVL and helped develop the mask and resist infrastructure.
Meanwhile, optical projection lithography using a 193-nm ArF laser was
extended beyond anybody’s expectation by the introduction of immersion
lithography (which extended the NA of the scanner to 1.35) and spacer
technology. Today’s 193-nm immersion lithography scanners with additional
processing can mass produce features on integrated circuits that are a fraction

xvii
xviii Foreword to the Second Edition

of the wavelength. However, spacer technology and related solutions lead to

additional deposition and etch steps, increasing cost, complexity, and cycle
time at every node. Therefore, the need for EUVL is greater than ever.
Today multiple 0.33-NA EUVL scanners have been shipped and are being
used by leading semiconductor makers in all segments for process develop-
ment and pre-production. The use of EUVL in volume manufacturing is
imminent.
This book is a must read for anyone interested in the past, present, and
future of EUVL. Industry experts explain in detail the challenges faced and
how they were overcome. It gives an outlook to the future, when the NA of
the EUVL scanner will be increased even further, thus extending Moore’s law
to the 2-nm node and beyond. The book is a tribute to all of the people who
have worked hard for decades to make EUVL a reality in advanced IC
production.
Jos Benschop, Ph.D.
Senior Vice President Technology ASML
SPIE Fellow
Preface to the Second Edition
I am delighted to share with readers this second edition of EUV Lithography
(EUVL) from SPIE Press. EUVL is the next-generation lithography (NGL)
currently finding its way into fabs for advanced computer chip making. This
book is intended for people involved in one or more aspects of EUVL as well as
for students, who will find this text equally valuable. This book covers the
fundamental and latest status of all aspects of EUVL used in the field. It
thoroughly covers currently used techniques and equipment plus related topics,
including light sources, optics, masks, photoresists, contamination, imaging, and
scanners. Each of these aspects of EUVL is an area of expertise in itself, but the
implications of each area affect the applications of others. Hence, I recommend
that those involved in one aspect of EUVL refer to this book’s chapters on
other topics to understand the full implications of each technology.
During the nine years since SPIE Press published the first edition of
EUV Lithography, much progress been made in the development of EUVL
as the choice technology for NGL. In 2008, EUVL was a prime contender to
replace 193-nm-based optical lithography in leading-edge computer chip
making, but not everyone was convinced of this at that point. Switching from
193-nm to 13.5-nm wavelengths was a much bigger jump than the industry
had previously attempted. This step brought several difficult challenges in all
areas of lithography—light source, scanner, mask, mask handling, optics,
optics metrology, resist, computation, materials, and optics contamination.
These challenges have been effectively resolved, and several leading-edge
chipmakers have announced dates, starting in 2018, for inserting EUVL into
high-volume manufacturing.
The development of scanners has been equally challenging. Although
EUVL development started in the early 1980s, by 2008 only two alpha-level
scanners were in the field, and beta-level scanners were still several years out.
Today, more than 14 production- and pre-production-level EUVL scanners are
in fabs. This year alone, six production-level EUVL scanners have been shipped
to several leading-edge chipmakers, and the current backlog of orders for
EUVL scanners is almost two dozen. After decades of intense development and
investment, EUVL has now achieved technical and commercial success as the
leading NGL technology. This book, strengthened by the insights of many

xix
xx Preface to the Second Edition

technologists whose work brought EUVL to this point, showcases the various
technical components that have enabled its success.
EUVL technology has enabled the extension of Moore’s law and is
expected to take current chip manufacturing technology to the end of Moore’s
law. This means that we are not expecting another switch in wavelength for
advanced lithography, and Moore’s extension will come via further develop-
ment of EUVL. Moore’s law states that the number of transistors per square
inch of computer chip will double approximately every two years. This require-
ment has resulted in the need for continued development and commercial
deployment of new lithography techniques that can continue to print ever-
smaller circuit elements. As new lithography technologies are expected to be
used at multiple nodes of decreasing feature sizes, EUVL will need to continue
to evolve to meet the challenges of the next nodes until the laws of physics force
us to look for a new class of transistors and computers. This book provides an
overview of the current status of EUVL, while shedding light on the challenges
that EUVL technologists need to address in order to continue extending
Moore’s law.
In this edition, we address the same general technical areas as in the first
edition. However, the second edition contains much new information not
readily available to readers before. Although some of the authors also appear
in the first edition, their chapters are either new or have been thoroughly
rewritten to contain lots of new data.
This text contains 10 chapters and an Appendix of Reference Data for the
EUV Spectral Region. Three of the chapters have been split into two parts,
each written by different authors: Chapter 3 on high-power EUV sources,
Chapter 4 on metrology sources, and Chapter 6 on optical contamination.
Chapter 1 on EUVL history is written by Hiroo Kinoshita and Obert
Wood, two scientists who are widely recognized as the pioneers of EUVL;
Prof. Kinoshita is credited with the earliest reported work on EUVL. This is
the most comprehensive and authoritative history of EUVL development
available today, and being an historical account, is the only chapter that
remains unchanged from the first edition. Topics covered are early develop-
ment of EUVL as well as development of individual components such as
source, optics, metrology, and photoresists.
Chapter 2 on the EUV LLC has been thoroughly rewritten and provides
useful information on the origins and achievements of that consortium.
Topics covered are the history of the LLC, major accomplishments, patents
issued, and retrospective observations.
Chapter 3 on high-power EUV sources for the EUVL scanner is divided
into two subchapters. Subchapter 3A is by authors from Cymer, LLC, now
part of ASML. Cymer is currently leading in the area of high-power, tin-based
laser-produced plasma (Sn LPP) EUV source development, and its sources are
those integrated into EUVL scanners in the field. The authors have written a
Preface to the Second Edition xxi

comprehensive review of EUV source technology, with lots of new

information that readers will find valuable. Topics covered are EUV power
scaling, tin target delivery, pre-pulse technology, collector, debris mitigation,
use of hydrogen as a buffer gas, management of tin in the source, and the
latest performance results for their light source.
Gigaphoton is a second supplier for high-power EUV sources, with
important differences in the design of their high-power Sn LPP source. We
have included their subchapter 3B to ensure complete coverage of the critical
topic of high-power EUV sources. This subchapter covers the design of
Gigaphoton’s source as well as the topics of tin droplet generation technology,
pre-pulse technology, the superconductive magnet debris mitigation method,
the driver CO2 laser system, and the latest data from their pilot operation.
Chapter 4 covers metrology sources used for actinic inspection of mask
defects. These sources require only a few watts of power, while brightness and
stability are the key parameters of interest. For this type of metrology source,
the current workhorse is the electrodeless Z-Pinch™ source from Energetiq,
which is covered in subchapter 4A. This subchapter covers operating
principles, diagnostics, and data on source performance in terms of power,
brightness, and spatial and temporal stability.
Chapter 4B is written by Yusuke Teramoto of BLV Licht- und
Vakuumtechnik GmbH, whose technology is a laser-driven discharge-
produced plasma (LDP) source. This technology was previously a contender
for high-power sources for EUVL scanners and is currently being considered
for metrology applications. This subchapter covers LDP system configura-
tion, and data on brightness, power, stability, reliability, source cleanliness,
and in-band and out-of-band radiation spectra.
There are several additional technologies for EUV metrology sources, some
of which are covered in the book EUV Sources for Lithography, published by
SPIE Press in 2006. I refer readers looking for additional information on high-
power and metrology sources to that monograph.
Chapter 5 covers optics and optical systems for scanners, including
illuminator and projection optics, a brief introduction to multilayer deposition,
high-numerical-aperture (NA) optics, source collector optics, and the AIMS
EUV tool. Since publication of the first edition, the focus of optics has moved
from R&D to commercial production. The authors of this chapter are from
Carl Zeiss, which now produces commercial optical components for EUVL
scanners. This chapter is full of new information and contains an impressive
coverage of fundamentals and the latest data on components that are now part
of EUVL scanners in the field. For additional fundamental and historical
information on EUV optics, readers are referred to subchapters 4A through 4D
in the first edition of the book.
Chapter 6 is on optics contamination, which was deemed a leading
challenge for EUVL early on, but later became a technical issue that is now
xxii Preface to the Second Edition

considered to be addressed. This chapter is divided into two subchapters.

Subchapter 6A is written by NIST et al., with a focus on fundamentals of
optics contamination and resist outgassing test, to quantify contamination
from EUV photoresists. Chapter 6B by University of Illinois researchers et al.
covers contamination of the normal-incidence source collector in the EUVL
scanner and cleaning techniques for removal of tin.
Chapter 7 by Jinho Ahn of Hanyang University and Chan-Uk Jeon of
Samsung covers EUV mask and EUV mask metrology. Topics include mask
manufacturing, mask substrate, absorber stacks, pattern formation, mask
inspection, metrology and repair, mask contamination, pellicles, and future
designs for EUV masks.
Chapter 8 on EUV photoresists for EUVL is by Robert Brainard of SUNY
Albany et al. EUV resist technology continues to develop, and lots of new
information is provided in this chapter. The chapter covers absorption coeffi-
cients of EUV resists, the mechanism of resist exposure to EUV light, organic-
and metal-containing resists, resist characterization, benchmarking, and
strategies for improving resist performance and line edge roughness (LER).
Chapter 9 on EUVL scanners is written by ASML, the sole maker of these
tools. This chapter covers scanners from 0.2-NA, current 0.33-NA, and future
0.55-NA designs. For current scanners, the chapter describes the optical system,
mechatronic architecture, wafer and reticle stage, optics and contamination
control, metrology, material handling systems, and EUV pellicles.
Chapter 10 by Patrick Naulleau of Lawrence Berkeley National
Laboratory (LBNL) and Gregg Gallatin has been thoroughly rewritten, with
lots of new coverage of EUV patterning development from the last ten years.
This chapter illustrates the benefits of EUV imaging, parameters affecting EUV
patterning performance, EUV and aerial image variability, and stochastics in
patterning.
I would like to comment on the process of selecting topics and authors for
this volume. As noted earlier, EUVL technology has made great progress
since our first edition was published. This includes development of new
scanners, optics, light sources, mask, resists, and contamination control, as
well as addressing new challenges for patterning. Recent announcements by
several chipmakers about plans to use EUVL in fabs, as well as the large
number of orders for EUVL scanners, testify to that progress. At this point,
options for technology components have been largely identified. Choices have
been narrowed to one or two options in most areas, although for areas such as
photoresist, potential choices remain much greater. Hence, while looking for
authors and deciding on coverage for various topics, I focused on technology
options that have been chosen by the industry for technical and business
reasons. So this edition focuses more on giving technical information about
technology that is now being used in the field for EUVL, while covering future
options for further scaling of technology as much as possible.
Preface to the Second Edition xxiii

I also should discuss what we decided to include from the first edition in
terms of topics, chapters, and authors, and my reasons for making changes.
(Please note the first edition had lots of very important technical information
and will continue to be available on the SPIE Digital Library.)
The only portions from the first edition included in this volume are EUV
Lithography: A Historical Perspective (Chapter 1) and the Appendix for
fundamental constants. These were very well written, and little new
information could be added to them, while the information provided is still
fresh and relevant for readers today.
Two earlier chapters, for which we did not have new data and were of
historical nature, were not included: a chapter on high-resolution EUV tools
for resist exposure and aerial image monitoring, as it relates to a tool for early
development of EUVL, and a chapter on lithography cost of ownership.
However, these chapters are preserved for readers in the first edition.
Also, certain chapters from the first edition, although not included in this
text, have technical and historical information that students of EUVL may find
valuable. These include Chapter 4A Optics and Multilayer Coatings for EUVL
Systems, Chapter 4B Projection Systems for EUVL, Chapter 4C Specification,
Fabrication, Testing, and Mounting of EUVL Optical Substrates, Chapter 4D
Multilayer Optical Coatings for EUVL, Chapter 5 EUVL Optical Testing, and
Chapter 6B Grazing Angle Collector Contamination.
Readers also are encouraged to review the extensive database of SPIE’s
conference proceedings as well as refereed papers from the Journal of
Micro/Nano Lithography, MEMS, and MOEMS (JM3) for detailed, current
information about various aspects of EUVL. SPIE’s Digital Library (www.
spiedigitallibrary.org) remains the most extensive source of EUVL-related
information. Additional information on EUV sources and EUVL in general is
available from presentations by various source suppliers and researchers in the
annual Source Workshop and EUVL Workshops. Readers can refer to these
for the latest information on EUVL. Proceedings for these workshops are
available at www.euvlitho.com. Both of these reference sources have been
used extensively by authors in this book.
The primary strength of this edition is that the contributions come from
leading suppliers or subject matter experts in each technical area. We have
succeeded in compiling this second edition through the contributions, dedica-
tion, and hard work of our knowledgeable authors. As I said in the first edition,
EUVL is a reality today due to the labor of hundreds of technologists around
the world. I now acknowledge the financial investment and risk that was taken
by suppliers and chipmakers who believed in this technology and worked very
hard to achieve its current success. For these reasons, I have dedicated this book
to the technologists, suppliers, and chipmakers who have made EUVL a reality.
I also would like to thank my family, whose influence, encouragement,
and support have allowed me to undertake a project of this scope. First of all,
xxiv Preface to the Second Edition

my father, Mr. Om Prakash Bakshi, M.A. set a very high standard for written
communication and the pursuit of excellence, which to this day I can only strive
to meet. My mother, Mrs. Pushpa Bakshi, M.A., a retired lecturer of the Punjabi
language, always set an example of hard work and taught me a pragmatic
approach toward solving everyday problems, which still guides me. Also, this
book would not have been possible without the support of my family: my wife,
Bethany, who often took care of more than her fair share of duties; and my kids,
Emily and Taru, who did not always have my full attention as I struggled to find
time to complete this project during my otherwise very full schedule.
Finally, I would like to thank SPIE Press Manager Timothy Lamkins and
SPIE Senior Editor Dara Burrows. Dara’s attention to detail and patience with
numerous missed deadlines made project completion possible. I very much
appreciate their support and hard work to make this book project a reality.
Vivek Bakshi, Ph.D.
President, EUV Litho, Inc.
December 2017
vivek.bakshi@euvlitho.com
http://www.euvlitho.com

Vivek Bakshi is founder and president of EUV Litho, Inc., an

organization he formed in 2007 to promote EUV lithography
via consulting, workshops, and education. He provides
consulting services in the areas of EUV lithography and
general lithography to investors, funding agencies, universi-
ties, national labs, and suppliers. He also organizes the
annual International Workshop on EUV Lithography
(EUVL Workshop) and the annual International Workshop
on EUV and Soft X-ray Sources (Source Workshop). He teaches EUVL short
courses around the world.
Dr. Bakshi is Adjunct Professor in the School of Physics, University College
Dublin, Ireland. He is a member of the Editorial Board and Associate Editor
of JM3 (SPIE’s Journal of Micro/Nano Lithography, MEMS, and MOEMS).
He frequently blogs about EUVL for the magazine Solid State Technology
(http://www.electroiq.com/euvl-focus/). He is widely quoted in trade media on
EUVL-related topics and is an internationally recognized expert on EUV
source technology and EUV lithography. Previously, he was a Senior Member
of the Technical Staff in SEMATECH’s Lithography Division.
Dr. Bakshi has authored/coauthored more than 125 technical publica-
tions, including book chapters, articles in peer-reviewed journals, technical
reports, and trade publications. He has edited three books on EUVL: EUV
Sources for Lithography (SPIE Press, 2006), EUV Lithography (SPIE Press,
2008), and Extreme Ultraviolet Lithography (SPIE Press, 2012) (co-edited with
Anthony Yen). He holds three U.S. patents in the area of EUVL.
List of Contributors

Jinho Ahn Daniel T. Elg

Hanyang University, South Korea University of California, Berkeley,
USA
David Attwood
Lawrence Berkeley National Hartmut Enkisch
Laboratory, USA Carl Zeiss SMT GmbH, Germany
Saša Bajt Alexander I. Ershov
Deutsches Elektronen-Synchrotron, ASML US, USA
Germany

Vivek Bakshi Igor V. Fomenkov

EUV Litho, Inc., USA ASML US, USA

Jos Benschop Gregg Gallatin

ASML Netherlands B.V., Applied Math Solutions, LLC,
The Netherlands USA

Robert F. Berg Eric M. Gullikson

National Institute of Standards and Lawrence Berkeley National
Technology, USA Laboratory, USA

Matthew M. Besen Deborah Gustafson

Energetiq Technology, Inc., Energetiq Technology, Inc.,
USA USA
Paul A. Blackborow
Dirk Hellweg
Energetiq Technology, Inc., USA
Carl Zeiss SMT GmbH, Germany
Robert L. Brainard
University of Albany, USA Shannon B. Hill
National Institute of Standards and
David C. Brandt Technology, USA
ASML US, USA
Stephen F. Horne
Ron Collins Energetiq Technology, Inc.,
Energetiq Technology, Inc., USA USA

xxv
xxvi List of Contributors

Johannes (Hans) C. M. Jasper David N. Ruzic

ASML Netherlands B.V., University of Illinois at
The Netherlands Urbana-Champaign, USA

Chan-Uk Jeon Takashi Saito

Samsung Electronics, South Korea Gigaphoton Inc., Japan

Winfried Kaiser Alexander A. Schafgans

Carl Zeiss SMT GmbH, ASML US, USA
Germany
Donald K. Smith
Hiroo Kinoshita Energetiq Technology, Inc., USA
University of Hyogo, Japan
Shailendra N. Srivastava
Bruno La Fontaine University of Illinois at Urbana-
Hermes Microvision Inc., an ASML Champaign, USA
company, USA
Yezheng Tao
Sascha Migura ASML US, USA
Carl Zeiss SMT GmbH,
Germany Charles S. Tarrio
National Institute of Standards and
Hakaru Mizoguchi Technology, USA
Gigaphoton Inc., Japan
Yusuke Teramoto
Amrit Narasimhan BLV Licht- und Vakuumtechnik
GLOBALFOUNDRIES Inc., GmbH, Germany
USA
Jan B. P. van Schoot
Patrick Naulleau ASML Netherlands B.V.,
Lawrence Berkeley National The Netherlands
Laboratory, USA
Georgiy O. Vaschenko
Mark Neisser ASML US, USA
Kempur Microelectronics Inc.,
China Obert Wood
GLOBALFOUNDRIES, USA
Jens Timo Neumann
Carl Zeiss SMT GmbH, Germany Stefan Wurm
ATICE, LLC, USA
Krysztof M. Nowak
Gigaphoton Inc., Japan Taku Yamazaki
Gigaphoton Inc., Japan
Matthew J. Partlow
Energetiq Technology, Inc., Tatsuya Yanagida
USA Gigaphoton Inc., Japan
Acronyms and Abbreviations
AA acid amplifier
ABI actinic blank inspection
ADT Alpha Demo Tool
AFM atomic force microscopy
AIMS Aerial Image Measurement System (ZEISS)
ALS Advanced Light Source (of LBNL)
APC advanced process control
APMI actinic patterned mask inspection
APSM alternating phase shift mask
AR antireflective
ARC antireflective coating
ARS angle-resolved scattering (function)
ASE amplified spontaneous emission
ASET Association for Super-Advanced Electronics Technologies
ATP acceptance testing procedure
BESSY Berlin Electron Storage Ring Society for Synchrotron
Radiation
BNL Brookhaven National Laboratory
BSDF bidirectional scattering distribution function
BSE backscattered primary electron
BTS beam transport system
CA chemically amplified
CAD computer-aided design
CAR chemically amplified resist
CCD charge-coupled device
CCP computer-controlled polishing
CCS computer-controlled surfacing
CD critical dimension
CDU critical dimension uniformity
CE conversion efficiency
CGH computer-generated hologram
CNSE College of Nanoscale Science and Engineering
CNT carbon nanotube

xxvii
xxviii Acronyms and Abbreviations

CPMI Center for Plasma-Material Interactions

CRADA cooperative research and development agreement
CRA chief ray angle
CRAA chief ray azimuthal angle
CRAO chief ray angle at object
CSM coherent scattering microscopy
CTE coefficient of thermal expansion
cw continuous wave
CXRO Center for X-Ray Optics, Lawrence Berkeley National Lab
DARPA Defense Advanced Research Projects Agency
DC direct current
DCO dedicated chuck overlay
DDR&E Director of Defense Research & Engineering
DGSS droplet generator steering system
DLG droplet generator
DOC Department of Commerce
DOD Department of Defense
DOE Department of Energy
DOF depth of focus
DPP discharge-produced plasma
DRAM dynamic random access memory
DSI defect signal intensity
DUV deep ultraviolet
EAL effective attenuation length
EIDEC Evolving nano-process Infrastructure Development Center
EIPB Electron, Ion, and Photon Beams (international symposium)
EMI EUV Mask Infrastructure (consortium)
EPE edge placement error
EPL electron-beam projection lithography
ESA energy sector analyzer
ESCAP environmentally stable chemically amplified photoresist
ESL etch stop layer
ESPRIT European Strategic Program on Research on Information
Technology
ETS Engineering Test Stand
EUCLIDES Extreme UV Concept Lithography Development System
(program)
EUV extreme ultraviolet
EUV LLC EUV Limited Liability Corporation
EUVA Extreme Ultraviolet Lithography System Development
Association
EUVL extreme ultraviolet lithography
Another random document with
no related content on Scribd:
 A német diplomatáknak az az állítása, hogy a kis államoknak el
kell tünniök a nagyok javára, oly fölfogásból ered, amely egykor
szabatos volt, de a világ mostani gazdasági fejlődésére már nem
alkalmazható. A maguk függetlenségét megőrző kis államok
szövetsége ma lehetséges, míg annexiójukat csak nagyon költséges
katonai elnyomással lehetne fenntartani.
A tények megfigyelésén alapuló s fejlődő eszmék világításában
az idegen területek leigázása, a mostani háború főcélja, csakhamar
olyan műveletnek fog mutatkozni, amely romlást hoz a jelenben és
semmi hasznot a jövőben.
Az angol miniszterelnök mondta a parlamentben, hogy a népek
jövője attól a résztől függ, amelyet a háború tanulságaiból kivesznek.
A világ valóban a művelődésnek abba a korszakába lépett, amidőn a
délibábok époly vészthozók volnának, mint a legrombolóbb
betörések.

4. A termékenység szerepe.

A mikróbától az emberig a termékenység ha nem is a

fennsőbbségnek, de legalább a boldogulásnak mindig oka volt. A
germán betörések idején, amelyek a római művelődést
szétrombolták, a hódítók ernyedetlen termékenysége volt a diadaluk
főfeltétele. Mert, ha ezerszámra ölték is őket, helyükbe új ezrek
születtek.
Minden nép, amely túlságosan fejlődik, végzetszerűleg hódítóvá
és rombolóvá válik olyan népekkel szemben, amelyek
termékenysége kisebb.
Valamely ország veszélyessé válik szomszédai számára, ha a
földje nem nyujtja neki többé kielégítő mennyiségben a táplálékot. Az
éhség volt a nagy betörések forrása, amelyek egykor Európát
fölforgatták.
 Ha a germán hordák egykor nem özönlik el a földet, amely
képtelenné vált őket táplálni, a világ nem ismerte volna meg sem a
római civilizáció rombadőlését, sem a középkor ezer évét, sem a
mostani háborút.
Veszélyes csöndesen haladni olyan nép szomszédságában,
amely nagyon rohamosan nő. A világháború bebizonyította ennek az
igazságnak fontosságát.
A németek, akik a háború elején látták, hogy – azonos okokból,
mint Franciaországban – a születések arányszáma csökkenni kezd,
ennek az orvosszerét nem pénzügyi eljárásokban keresték, hanem
abban a meggondolásban, hogy népsürítés politikája elsősorban a
vidék betelepítésének politikája.
Több közgazda eszményül állítja oda a népek elé azt, hogy
versenyezzenek a termékenységben. Már pedig az élő lényeknek
története, a rovarétól az emberéig s a germán betörések korától a
mai háborúig arról tanuskodik, hogy a túlnépesedés mindig irtó és
hódító háborúkra vezetett.
Darwin ragaszkodott ehhez az általános, s szerinte, kivételt nem
tűrő törvényhez: az élő lények olyan arányban szaporodnak, hogy
bármely fajhoz tartozó egyetlen állatpár leszármazói rohamosan
elárasztanák a világot, ha szabály nem volna az, hogy minden
nemzedék egy része föltétlenül elpusztul. Ugyanennek a törvénynek
engedelmeskednek az emberi lények kényszerűen, amidőn, nagyon
megsokasodván, vagy kölcsönösen tönkreteszik egymást, vagy
rárontanak a szomszéd országokra.
A nép minősége sokkal fontosabb tényezője a haladásnak, mint
mennyisége. Ha ez máskép volna, a világ legnépesebb országai,
mint Oroszország és Kína a civilizáció élén haladnának, ahelyett,
hogy félbarbárok lennének.
Az ipari típusú társadalmakban a siker szükségszerűleg nem a
legnépesebb, hanem legdolgosabb, legfegyelmezettebb, az együttes
erőfeszítésre legképesebb népeket illeti meg, ha egyidejűleg van
elég vasuk és szenük.
 Egy szénnélküli nagy országnak nem lehet érdeke népességét
nagyon növelni. Itália, amelynek nincs szene, nem tudott igazi ipari
állammá lenni és, úgy látszik, szegénységre van kárhoztatva.
 V. RÉSZ.

A NEMZETEK HATALMÁNAK LELKI

TÉNYEZŐI.

1. Egynéhány másodrendű tulajdonság szerepe a

népek életében.

Oly tulajdonságok, amelyek nem használhatók a művelődés

bizonyos korszakaiban, előmozdíthatják a nép boldogulását, ha
megváltozott életkörülmények megengedik hasznosításukat.
Az irodalmi, művészi és értelmi fölény bizonyos civilizációkban
(pl. a régi görögöknél, a renaissance olaszainál) a nagyság főelemei
voltak. Ellenben a türelem, kitartás, a szabályoknak való
engedelmesség és egyéb sajátságok, amelyeket egykor
közepeseknek tartottak, az ipari jellegű művelődésben a siker
föltételei közé sorakoznak.
A modern kor szövevényes technikájával és
munkamegosztásával, megköveteli a türelem, éber vigyázat,
aprólékos pontosság, kitartó erőfeszítés és szolidaritás erényeit,
amelyeket az élénk eszű individualista-fajok csak nehezebben
tudnak megvalósítani.
 A folytonosság érzése a népek számára az állandóságot jelenti,
amelyet csak nagyon lassan tudnak elérni, de amely nélkül nem
tudnának sem tartósan élni, sem emelkedni.
A modern népek ereje egyre kevésbbé függ kormányzóitól,
ellenben millió és millió apró erőfeszítések összeadásából
sommázódik össze. Valamely ország növekedik, ha minden polgára
dolgozik a nagyságán. Ám hanyatlása rohamos, ha ráhagyja az
államra a kezdeményezést és felelősséget.
A népek sikereit manapság kevésbbé köszönheti kormányzói
vagy élite-je értékének, mint bizonyos másodrangú
tulajdonságoknak, amelyekkel azonban a polgárok többsége
dicsekedhetik.
Az egyéni fölényes tulajdonságokat néha teljesen helyettesíthetik
szerény kollektiv sajátságok. A németek pl. közepes egyéniségek
porszemeiből nagyon erős tömegeket tudtak megalkotni. A nép élite-
jének fölénye nem elég a nép nagyságának megalapozására.

2. Az akarat és erőfeszítés.

A Marne-i csata, amely megmentette Párist a pusztulástól és a

franciák nemzeti életének legfontosabb eseménye, emlékezetes
példája az emberi akarat uralkodó szerepének, amelyet a történelem
úgynevezett végzetszerűségei fölött gyakorol.
A modern lélektan egyik legtermékenyebb fölfedezése, hogy
tudatos cselekvőségünk csak fölszínes nyilvánulása a még sokkal
fontosabb öntudatlan cselekvőségünknek.
Az akarat lehet tudatos és öntudatlan. Az öntudatlan akaratnál az
elhatározás egészen megformálva lép a tudat mezejére. A tudatos
akaratot ellenben megelőzi az indokok megfontolása s
következéskép értékelése.
 A legmegfontoltabb akarati elhatározás majdnem mindig
magában foglal egy rész öntudatlan akaratot, amely hozzájárult, ha
nem is megszűléséhez, de legalább erősítéséhez. Amikor az
Egyesült-Államok megüzenték a háborút Németországnak,
valószínű, hogy az indokok serpenyőjében, ahol elhatározásaink
mérlegelődnek, öntudatlanul is belekerültek olyas tényezők is, mint
pl.: a hadsereg hasznossága a Mexikóval vagy Japánnal való
háború esetén, az elsőrangú szerep, amelyre az Egyesült-Államok a
világ dolgainak intézésében hivatva van stb. A motivumoknak ébből
a tömbjéből végül előugrott a háborús elhatározás.
Ha sokszor nagy eltérés van valakinek beszédei és tettei közt, ez
azért van, mert az öntudatlan akarat élesen különböztet a fölületes
befolyások teremtette tudatos akarattól. Láttuk ezt a háború
kezdetén, amidőn pacifisták és szocialisták elméletüktől annyira
eltérően cselekedtek.
Az öntudatlan akarat, amelyet bennünk őseink teremtettek s
utóbb a nevelés és a környezet befolyása erősítettek meg, irányozza
cselekedeteinket. A tudatos akarat ellenben különösen beszédeinket
irányozza.
Az ember helyét az életben nem az határozza meg, hogy mit tud,
hanem, hogy mit akar és mit bír.
Az események uralkodnak a gyenge akaratokon. Ellenben az
erős akaratok uralkodnak az eseményeken.
Hogy előrehaladjunk, nem elég cselekedni akarni, hanem
mindenekelőtt tudni kell, mily értelemben kell cselekedni.
A tisztánlátás még ritkább, mint az akarat.
A tett embere vagy alkotó vagy romboló, erőfeszítéseinek iránya
szerint.
A haladás az erőfeszítés folytonosságából születik meg; a
hanyatlás a pihenésből.
 Az erőfeszítés állandóságára csupán az által lehet szert tenni,
hogy ezt az erőfeszítést kellő neveléssel szokássá változtatjuk. Nem
lehet ezt az eredményt a könyvmagoltatástól várni.
A folytonos erőfeszítés valóban csodákat tud teremteni. Neki
köszönhette Anglia, hogy oly kevéssé militarista létére megtudott
teremteni egy négy milliós hadsereget és hogy át tudta alakítani
összes létföltételeit.
A világ legközelebbi fejlődése arra utalja a népeket, hogy
számítsanak egy keveset szövetségeseikre, de sokkal inkább
tulajdon erőfeszítéseikre. Miután tapasztalásból megtanulták, hogy a
jognak erő nélkül mily kevés az értéke, meg kell szerezniök az arra
szolgáló hatalmat, hogy sohase váljanak legyőzöttekké.
Bizonyos, mindenfajta erőfeszítés ellen lázongó emberek sötét
tétlensége nem különbözik lényegesen a sír nyugalmától. Az ilyen
élőholtak csak látszólag élnek.

3. Az alkalmazkodás.

Az alkalmazkodás törvényét uralja minden élőlény.

Alkalmazkodva átalakulni, vagy anélkül eltűnni: egyetemes
szükségszerűség.
Ahogyan az éghajlat minden változása a fauna és flóra gyökeres
átváltozását idézi elő, akképen minden gazdasági, vallásos, politikai
vagy társadalmi változás szükségszerűen követeli, hogy a hatása
alá tartozó népek lelkivilága is új alkalmazkodáson menjen keresztül.
A lelki ragály az alkalmazkodás hatalmas eszköze. Az ember
önkénytelenül is meghajol a környezetétől elfogadott módosítások
előtt. A nehézség csak azok kiválasztása, akik hivatva vannak példát
adni.
A lelki életnek két főbefolyás szab irányt: a múlt környezeté,
amelynek bélyegét az átöröklés tartja fenn, s a jelen környezeté,
amely fokról-fokra átalakítja az élőlényeket. Ettől a kétféle
befolyástól nem lehet menekülni, de a haladás lehetetlen, ha az
egyiknek hatalma megbénítja a másikat.
A néplélek állandósága, amely a rendes életben a nép
főerőforrása, akadályául szolgál oly korszakokban, amidőn a gyors
alkalmazkodásra van szükség. Ez volt az eset Angliában, amelynek
a háború megüzenésétől kezdve több mint egy évet kellett áldoznia
arra, hogy az egészen új körülményekhez alkalmazkodjék.
A gyors alkalmazkodás mindig kínos; mert ha már csak nagy
ügygyel-bajjal alakítjuk át életmódunkat, gondolkozásunk módját
még nehezebben változtatjuk meg.
Valamely nép hanyatlásnak indul, ha társadalmi meze, vértezete
túlságosan merev arra, semhogy meghajolhasson a lét új feltételei
előtt. A nagy birodalmak bukásának leggyakoribb oka az volt, hogy
képtelenek lettek az alkalmazkodásra a körülmények által váratlanul
előidézett szükségletekhez.
Minden nép a civilizációnak csupán egy bizonyos, elhatárolt
mennyiségét tudja fölszívni.
A társadalom legnagyobb veszélye, ha sok olyan egyént foglal
magában, akik alacsonyabbrendű evolució-korban maradtak meg s
ennélfogva rosszúl alkalmazkodtak a társadalom jelen állapotához.
A modern kor egyre könyörtelenebbé válik a nem-
alkalmazkodottakhoz. Az új szükségletek csakhamar ki fogják
küszöbölni a letűnt korok e túlélőit.

4. A nevelés.

Az emberek viselkedését sokkal inkább vezeti jellemük, mint

értelmük; ennélfogva a nevelés céljáúl a jellem idomítását kellene
kitűzni. A németek ismerik ezt az igazságot, de a francia Egyetem,
úgy látszik, egyáltalában nem ismeri.
 A nevelés beleolthatná a tanítvány lelkébe a testületi szellemet
azzal, hogy úgy érdekelteti az osztálya sikereivel, mintha a tulajdon
sikerei volnának. Megtanulná akkor, hogy a versenytársakkal jobb
társulni, mint velük küzdeni. Mig Franciaország nagyon nem ismeri
ezt az alapelvet, Németországban az az ipari hatalom egyik eleme.
A technikai nevelés, az iskola s utóbb a kaszárnya fegyelme, az
együttes erőfeszítés képessége könnyítik meg a németeknek az
elrendelt munka aprólékos végrehajtását. Nem is a tanító, hanem a
technikus teszi lehetővé Németország ipari terjeszkedését.
Egy tudós professzor tökéletes módon összegezte technikai
nevelésünk állapotát, ezt írván:
«A háború arra hajtott, hogy néhány hónap alatt megteremtsünk
egy félelmetes kémiai fölszerelést, amikor béke idején vonakodtunk
tökéletesíteni valamely kezdetleges anyagot, amelyért
versenytársaink lesajnáltak.»
Már akkor is fölfogjuk a technikai nevelés hasznosságát, ha
csupán a földművelési oktatást vesszük szemügyre. A szakemberek
azt állítják, hogy ha gabonaneműekben elérnők ugyanazt a
hektárhozadékot, mint a németek, – pedig az ő földjük sokkal
silányabb, mint Franciaországé – a mi nemzeti vagyonunk évente
két milliárddal növekednék.
Franciaországban a földművelés még mindig kevésbbé
tekintélyes foglalkozás, ámbár változatosabb ismereteket igényel,
mint a legtöbb egyéb szakma. «Az az ember, aki jól tud igazgatni
egy majort, képes volna kormányozni az indiai császárságot is» –
mondá az angol miniszter.
Az ipari és kereskedelmi oktatás reformja, amelyet Anglia
abszolut hasznosnak itél, még szükségesebb lenne
Franciaországban, de sokáig fog még az Egyetem ellenkezésébe
ütközni, amely azt követeli, hogy mindent ő igazgasson, holott
tusakodik minden változtatás ellen.
A vessző az iskolában, a bot a kaszárnyában teszi a németeket
képessé, hogy ellentmondás nélkül engedelmeskedjenek főnökeik
parancsainak. Ámde az energia, amelyet a háború alatt oly népek
fejtettek ki, amelyeknél az említett eljárás ismeretlen, bizonyítja,
hogy az emberi lélek fegyelmezhető kevésbbé szolgai módszerekkel
is.
Egy porosz hadügyminiszter állította a mostani viszály folyamán,
hogy az ifjúság katonai előkészítésének az iskolában ne csupán az
legyen a célja, hogy az ifjúság erősödjék, hanem az is «hogy féket
vessen a személyes függetlenségnek és kezdeményezésnek, amely
azzal fenyeget, hogy szétbomlasztó szubjektivizmussá fajul el, ami a
demokráciák végromlása.» Az ilyen elvek csak arra jók, hogy
katonákat formáljanak, akik készek magukat feláldozni egy uralkodó
nagyravágyó terveinek.
Ha a demokratikus egyenlőség megvalósítható, az csak oly
nevelési rendszerrel érhető el, amely minden egyén sajátságos
képességeit hasznosítja. Politikai intézményekkel e részt nem lehet
célt érni.
A német nevelés egyik erőforrása, hogy változatos tanítás
segítségével mindegyik tanítványból ki tudja csiholni a különböző
képességeket. A latin fajok rosszabb nevelésének egyik oka viszont
éppen az, hogy ugyanazt az oktatást alkalmazzák elütő elmebeli
képességek mellett is.
Nem volna szabad, hogy a nevelés célja kézikönyvek szajkózása
legyen, hanem csak az, hogy gondolkozási és jellembeli szokásokat
teremtsen. Egyetemeink tisztán emléző oktatása kevéssé fejleszti az
értelmet, a jellemet meg sehogysem. Ezt egyaránt kevéssé értették
még meg a tanárok, szülők és tanítványok.
Nem lehet remélni semmiféle javulását a francia nevelésnek,
amig továbbra is olyan egyetemi tanárok irányítják, akik csak
könyveiken át ismerik a világot.
A merőben értelmi nevelés hamar oka lesz a dekadenciának.
A könyvek elméletei a világegyetemnek csak elnyomorított
nézését szolgáltatják, amelynek nincs kapcsolata a tapasztalat
tanításaival.
 Az angolok joggal azt tartják, hogy bizonyos iskolai játékok
nagyon hasznosan készítenek elő az életre. Egy sportcsapat
csakugyan magában foglalja a társulást, a hierarchiát, fegyelmet,
megannyi oly tulajdonságot, amelyet egy, boldogulni akaró
társadalom sem nélkülözhet.
Egyik legszükségesebb reform lesz: minden francia ifjúba és
leányba beleoltani a fegyelem tiszteletét. Ez semmivé vált a
családban, semmivé az iskolában, semmivé az igazgatásban,
semmivé a fegyvergyárakban, – egy szó, mint száz: semmivé
mindenütt.
Aki önmagától nem tud magán uralkodni, azt kényszeríti a
törvény; de ez a rátukmált fegyelem soha sem ér föl a belső
fegyelemmel, amelyet a nevelés megadhat.
A háború után a nevelés reformja lesz a legégetőbb feladat.
Ámbár fölvilágosult szellemek hiába próbálták meg egyetemünk
módosítását, azért nem kell kétségbeesni, hogy ez nem sikerül. Arra
kell gondolni, hogy a nagy katasztrófák szülői a reformoknak, miket a
békeidők minden vitája sem tudott elérni.
Az a nevelés, amely eléri, hogy az itélőképesség és az akaraterő
növekedjék, tökéletes, akármit is tanítottak légyen. Egyedül ezekkel
a tulajdonságokkal az ember már irányítani tudja a sorsát.
Többet ér a megértés, mint a tanulás.

5. Az erkölcs.

A népek erejének okai közt elsősorban szerepel

erkölcsösségüknek foka. Amidőn Oroszország hadifölszerelés és
élelem nélkül látta magát, egész sora miatt a megvesztegetett
minisztereknek, tábornokoknak és hivatalnokoknak, világosan
tapasztalhatta az erkölcsnek szerepét a nemzetek életében.
 Valamely nép erkölcse múltjának műve. A jelen teremti meg a
jövő erényeit. Mi apáink moráljából élünk s a mi fiaink a mienkből
fognak élni.
Minden erkölcsszabály először nyűg, kényszer, amit ránk kell
tukmálni. Csupán az ismétlés csinál belőle könnyen elfogadható
szokást.
Az emelkedett kereskedői erkölcs bármely népnek felsőbbséget
biztosít vetélytársain, amelyek még nem érték el az erkölcsiségnek
ugyanazt a fokát. Ha például egy kiadó valamely régi utazási kalauz
borítékára friss évszámot nyomat, hogy megtévessze a vevőt, vagy
ha egy jónevű objektiv kereskedő ráteszi a cégjelét egy közönséges
gyártmányra, ezzel csak kedveznek az idegen versenytársaknak,
akik folyamatos sorban tartják kalauzaikat, s hitelesítik eszközeiket.
A mostani háború adalékot szolgáltat annak a bizonyítására,
hogy még a politikában is hasznos a becsületesség. Németország
ma már tudja, mibe került neki Belgium tekintetében vállalt
kötelezettségeinek megsértése. Az orosz miniszterek, akik elárulták
hazájukat és okozták a balszerencsét, amelynek viszont a
forradalom volt a következménye, bizonyosan komoly gondolatokat
gondoltak végig celláikban a becsületesség előnyeiről.
Az okokkal támogatott tisztesség bölcs dolog, de már annál a
puszta ténynél fogva, hogy okoskodik, az az irányzata, hogy ne
legyen tisztesség.
A német diplomácia egyik legbiztosabb eredménye volt, hogy az
egyetemes bizalmatlanságot idézte föl. Németország az egész
világon aláásta a beszédeiben való hitet. Soká fogja megszenvedni
ezt az ezentúl leronthatatlan bizalmatlanságot.

6. A szervezet és az illetékesség.
 A szervezet egyszerűen a minden tudomány uralta alapelvek
alkalmazása: valamely jelenség szülő elemeinek
szétkülönböztetése, külön-külön tanulmányozása, s mindegyikük
befolyásának kutatása. Az ilyen módszer magában foglalja a
munkamegosztást, az illetékességet és a fegyelmet.
Nagy Sándortól Augusztusig s Napoleonig minden
magasabbrendű szellem nagy szervező volt. Egyikük sem ismerte
félre, hogy szervezni nemcsak annyit tesz, mint szabályokat alkotni,
hanem annyit is, hogy végre is kell hajtatni azokat. Ebben a
végrehajtásban rejlik a szervezés fő-fő nehézsége.
A szervezés lehetetlen, ha minden egyén és minden dolog nincs
a maga helyén. Ennek az elemi igazságnak alkalmazása, sajnos,
olyan éleslátást igényel, amely bizonyos népeknél elég ritka.
Bármely szervezet értéke a főnöktől függ, akit élére állítanak. A
kollektivitások alkalmasak a végrehajtásra, de képtelenek az
irányításra és még kevésbbé képesek az alkotásra.
Az együttes munka megszokása és fegyelme – a szociális
előrelátás intézményeire, a biztosításra, a munkaképtelenség és
aggkor esetére való gondoskodásra, s a technikai nevelésre
alkalmazva – végtelenül jó szolgálatot tettek a németeknek. Így pl. a
tanoncügy szervezése náluk megakadályozta a kézmű válságát,
amely annyira fenyegeti Franciaországot.
A szolgálati ágak egymás mellé rendelésének hiánya nyilván a
leghelyrehozhatatlanabb hibája a latinfajú népek közigazgatásának.
Egész sorozata a minisztereknek hiába próbálta ezt orvosolni. Ez a
baj annyira dühöngött, hogy Párisban ugyanannak az utcának a
kövezetét egy hónap alatt háromszor vagy négyszer bontották föl és
burkolták be, mivel a gáz, a vízvezeték és villamosság
üzemvezetőségei nem jutottak megegyezésre, hogy az egész
műveletet csak egyszer hajtsák végre a kellő sorrendben. A háború
alatt is láttuk, hogy Amerikába két különböző miniszteriumnak
kiküldött hatósági közegei versengtek egymással, hogy ugyanazt a
lóállományt vásárolják meg s a vevő természetesen, megegyezés
hiányában, végül négyszer oly magas árt fizetett.
 Ha valamely közüzemben az ellenőrzést nagyon szaporítják, ez
annyira elaprózza a felelősséget, hogy végezetre az egészen
elsikkad. Akit túlsokan ellenőriznek, azt sohasem ellenőrzik jól.
Sok országban a nyilvános üzemek szervezetének csekély
értéke nemcsak az alkalmazottak közömbösségének és a
felelősségtől való félelmüknek tulajdonítható, hanem annak is, hogy
gyakran a protekció helyettesíti a rátermettség adta illetékességet.
Az amerikaiak nagyon a nyitjára jöttek a szervezés minden
csínjának-bínjának. Nagy mérnökük: Taylor megmutatta, hogy a
legtöbb gyári munkában – módszeresen kiküszöbölvén a
haszontalan erőfeszítéseket, – ugyanazt az eredményt sokkal
kevesebb fáradsággal lehet elérni. Most már sok német gyár is
ugyaneszerint az alapelv szerint van megszervezve.
A szükség hamarosan hatalmas tényezőjévé válik a
szervezésnek. Kétséges, hogy a németek nagyhírű rendszeressége
felsőbbrendű-e azzal a szellemmel szemben, amely lehetővé tette
az angoloknak, hogy két év alatt négymilliós sereget alakítsanak
összes tisztjeivel, municiójával, s azzal a szövevényes
anyagkészlettel, amelyet a modern háború megkövetel.
Gazdasági és kormányzati gyöngeségünk egyik oka azzal függ
össze, hogy nálunk az iparosokat a kormányok vagy nem vették
tekintetbe, vagy gyanús szemmel nézték. A háború szükségletei
azonban nélkülözhetetlenné tették közreműködésüket s megkellett
állapítani, hogy a nagyon is bonyolult problémák, hála az ő
munkájuknak, könnyen megoldódtak. És ha nem dolgoztak elég
gyorsan, ez onnan volt, hogy a hivatalok félelmetes illetéktelensége
állandóan akadályozta munkájukat.
Az amerikai élelmezési főbiztos programmszerű nyilatkozatát
nagyon üdvös volna kiragasztani bizonyos hivatalokban, amelyek
szervezete annyira hiányos volt a háború alatt: «Az élelmiszereknek
nincs szükségük diktaturára, hanem csak okos igazgatásra. Persze
én a magam részéről ezt az igazgatást nem drákói rendeletekben és
önkényes inkviziciókban látom, hanem az érdekelt három nagy
csoport: a termelők, elosztók és fogyasztók harmonikus
megegyezésében és értelmes összműködésében. Tanácsadóimat
kizárólag ebből a három csoportból fogom választani, nem pedig az
elméleti emberek és a bürokraták közül.» Mily óriás szakadék tátong
a mi kormányzóink és a nyilatkozatot tévő értelmi állapota közt!
Oroszország kisérleti úton győződhetett meg arról, hogy egy
nagy birodalomnak még csak közepes szervezését is mily hosszú
idő alatt lehet megalapozni, s hogy azt nem lehet máról-holnapra
rögtönözni. Mert ez a szervezet csak akkor értékes, ha már
megrögződött a lelkekben.
A szervezés túlsága nem mindig látszik üdvösnek a haladás
tekintetében. Khina aggályosan pontos szervezete minden
kezdeményezés megbénítására s a nyavalyás állapotnak olyan
fokára vezetett, hogy nem tud belőle fölépülni.
A szám megadhatja a tekintélyt, de nem az illetékességet, a
rátermettséget.
Az iparnak egyebek közt az biztosít nagy fölényt a közigazgatás
fölött, hogy a rátermettség ott nagyobb szerepre tesz szert, mint a
ranglétra s különösen a protekció.
A tekintély nélkül való illetékesség ép oly tehetetlen, mint az
illetékesség nélkül való tekintély.
A rátermettség hatástalan marad, ha rá nem termettség
parancsszavának kell engedelmeskednie.

7. A társadalmi cohaesio és a szolidaritás.

A fegyverek maguk nem alapíthatják meg a népek hatalmát. Az

mindenekfölött a lelki cohaesion alapszik, amelyet megteremtenek a
közös érzelmek, a közös érdekek, a közös hitel. Valamíg ezeket az
elemeket nem teszi állandókká az átöröklés, addig a nemzetlét
mulékony lesz és ki lesz szolgáltatva minden vakesetnek.
 Bár láthatatlan: a társadalmi rend befolyása roppant súllyal
nehezedik mindennapi életünkre. Sokkal erősebben irányítja
gondolatainkat és tetteinket, mint okoskodásaink.
A társadalmat tagjai érdekeinek egyensúlya tartja fenn. Ha ez az
egyensúly megbillen, a mohó vágyak és gyűlöletek, amelyeket
eladdig a lassan fölépült társadalmi gátak tartottak mederben,
szabadon kiáradnak és csaponganak. Ilyenkor a hatalom
szüntelenül kézről-kézre jár és az anarchia addig a napig tart,
valamíg a közóhajtás egy erős tekintélyt nem követel, amely képes
helyreállítani a rendet.
Valamely népnél faji közösség híjján is a közös vallásos, politikai
vagy társadalmi eszménybe vetett hit meg bírja teremteni a
gondolatok és magatartás azonosságát, amely fennmaradásához
szükséges.
A politikai pártok egyetértése elengedhetetlen kelléke annak,
hogy valamely ország ellenségeivel megküzdhessen. Ha a civódás,
amely minket a bukás szélére vezetett, a háború után újraéledne,
Franciaország gyógyíthatatlan dekadencia veszedelmében forogna.
Nem lenne hiábavaló a parlamentek falára vésett fölirattal arra
emlékeztetni, hogy a népek, amelyek – mint hajdan a görögök és
később a lengyelek – nem bírtak lemondani belső
viszálykodásaikról, végül szolgaságba sülyedtek és megszünt a
joguk a történelmi létre.
Ha egy politikai párt csakugyan arra törekednék, hogy hasznossá
tegye magát, vállalnia kellene annak a bizonyítását a tömegek előtt,
mily üdvös, ha az osztályok fuziója váltja föl versengéseiket. S ha
olyan régen hiába próbálták meg ezt a fuziót, talán lehetségessé
válik a társulás hasznának gyakorlati bemutatása révén.
A különböző társadalmi osztályok közti személytelen és hideg
viszonyt a lövészárokban eltöltött közös élet bizonyára benső
viszonnyal s merevség nélkül való fegyelemmel fogja majd
helyettesíteni. Ha az emberek megismerik egymást, hamarosan
rájönnek, hogy sok pontban megegyeznek és könyvekből eredő
nézeteltéréseiknek nincs jelentőségük.
A hosszantartó háború során fölidézett közös lelkiizgalmak
közelebb hozzák az embereket s olyan szolidaritást teremtenek meg
köztük, amely képes túlélni ezeknek az izgalmaknak eltüntét is.
A népek, amelyeknek összetartását a háború nem kovácsolja
össze végképpen, a katonai harcok után biztosan következni látják
majd a szocialis, gazdasági és még egyébfajta harcokat.
Az érdeken nyugvó szolidaritásnak szilárd az alapja. Ellenben a
testvériségre vagy kegyességre alapított épület mindenkor ingatag.
Elsősorban hasonló érdekű csoportoknak köszönheti Németország
gazdasági haladását.
Az üdvös társadalmi átalakulások nem a mostan uralkodó
szocialista elméletekből fognak eredni, hanem a dogma nélküli
szolidaritásból, amely különösen azzal fog foglalkozni, hogy
mindenki létét javítsa az új szükségletekhez jobban alkalmazkodó
nevelés s a társulás különböző szervezetei révén.
Ha ez a jelszó «szolidaritás» helyére tudna lépni a
«szocializmus»-nak, nagy haladás valósulna meg, mivelhogy a
jelszavaknak rendesen sokkal nagyobb a hatalmuk, mint az
elméleteknek.
Hiábavaló a népeknek azt szavalni, hogy testvérek, mikor
mindegyikük bölcsen tudja, hogy ez nem igaz. Még hiábavalóbb
osztályharcra buzdítani őket, mert ez kölcsönös romlás kútforrása.
Ehelyett egyszerűen azt kell bebizonyítani, hogy érdekük egymást
segíteni az erők összetevése által.

8. A forradalmak és az anarchia.

A legsúlyosabb forradalmak az erkölcsök és gondolatok

forradalmai.
 A forradalmak közt talán a legmélyebb az volt, amidőn Anglia
évszázados hagyományaival ellentétben a háború alatt hozzájárult
ahhoz, hogy minden hatalmat áttegyenek az állam kezébe s feltétlen
jogot adott neki a polgárok élete és vagyona fölött. Az egész
nemzetnek ez a felforgatása rendetlenség nélkül ment végbe, mert
minden párt közremunkált benne és nem csupán egynek műve volt,
mint az előbbiek.
Fölidézni a forradalmat mindig könnyű, de bajos tartóssá tenni.
Egy kényurat letaszítani trónjáról még korántsem annyi, mint az
önkényuralmat elnyomni. Mert valójában ezer meg ezer felelőtlen
alkényúr, akire szüksége van egy ország igazgatásának, tovább
bitorolja a hatalmat. Az uralom neve változhat, de ők maradnak a
tényleges urak.
Egy máról-holnapra való forradalom csak arra jó, hogy új önkényt
tegyen a régi helyére.
A társadalmi korlátok, amelyeket a forradalmak ledöntenek,
előbb-utóbb újra feltámadnak, – mert a népek nem tudnak fennállani
az ő elhatároló hatalmuk nélkül, – de rendesen nem ugyanazon a
helyen támadnak fel.
Sokszor egy nép könnyebben bírja elviselni bajait, mint az
orvosszereket, amelyekkel gyógyítani akarják.
Ellenkező érdekű osztályokra oszló országokban a forradalom
békésen mehet végbe, de nagy ritkán marad sokáig békés.
Ha a forradalom egyszer megindult, nem kormányozható többé
nagyobb mértékben, mint a lavina zuhanása közben.
A szellemi ragály a forradalmak terjesztésének legbiztosabb
tényezője.
A forradalmi gyülekezeteket fenyegető legnagyobb veszély nem
a reakció, amely jobbján fölüti a fejét, hanem a túllicitálás, amely
balján támad.
 A tömegek által véghezvitt forradalom csak azt az irányt veszi,
mint ennek a tömegnek izgékony és rendetlen ösztönei. Az ilyen
mozgalmaknak nagy az erejük, de nem tartanak soká és
végzetszerűen anarchiára vezetnek.
Az orosz forradalmárok elfelejtették Napoleon szavát: az
anarchia mindig az abszolut hatalomra vezet.
A kezdődő forradalmak az illuziók és túlkövetelések légkörében
mozognak, amelyek társadalmi rendetlenségből erednek és
ahonnan végül a restaurációk kelnek életre.
A forradalmak okai közt szerepel az, hogy mindenki elveszti a
hitet a hajdani eszmék értéke iránt, amelyek a társadalmi életet
azelőtt vezérelték. Az ebből eredő anarchia ilyenkor olyan új
igazságok nyugtalan keresése, amelyek képesek legyenek a népet
irányítani.
A nélkülözhetetlen szerep, amelyre a társadalomban a fegyelem
és cohæsio hivatva van, a legvilágosabban akkor tünik ki, amidőn a
forradalom diadala alatt a társadalmi kötelékek fölbomlottak és
mindenki szabadon követi ösztöneit.
A forradalmi eseményeket megitélő történetírók gyakran olyan
okoknak tudják be azokat, amelyek egészen távol esnek valódi
eredetüktől. Amikor, az orosz forradalom kezdetén, a katonák
odahagyták lövészárkaikat, ezt nem tették nekik fölfoghatatlan
eszmék nevében, hanem egyszerűen azért, hogy kivegyék részüket
a szocialistáktól beigért földosztásból.
Az orosz forradalom egyik legborzasztóbb eredménye az volt,
hogy a szocialis összetartás lerombolása által azt a sokmilliós
hadsereget, amely az előző este még egészen harcképes volt,
átalakították egy léleknélküli csordává, amely a legkisebb támadásra
is szétfutott.
A belső ellenségek a nemzetet tehetetlenné teszik a külső
ellenséggel szemben.
 Némely forradalom, mint az orosz, néhány hónap alatt lerontja a
szerveződésnek százados erőfeszítések révén megvalósított művét.
A tisztánlátás ritka a forradalmároknál. Az oroszok például első
diadalaik után három, az ország jövőjére egyaránt végzetes célt
követtek: 1. a rögtöni békét, következéskép a szövetségesek
elhagyását, akik a háborúba őérettük bocsátkoztak, 2. a földosztás
igéretét, amely területük minden pontján állandó harcot fog fölidézni,
3. Oroszország különböző nemzetiségeinek szétválasztását, ami a
roppant birodalom szétrombolását vonja majd maga után.
Miután levált Ukrajna, ez a harmincmilliós, igen termékeny és
igen gazdag, nagy tartomány, levált Litvánia: Oroszország még
mindig a legnagyobb birodalom marad, de egyszersmind a
legszegényebb, s amelyet örökösen harcoló ellenséges tartományok
fognak környezni.
Az orosz forradalom a kemény uralom helyére egyszerűen egy
még keményebbet tett. Újból megmutatta, hogy a népeknek olyan a
kormányuk, aminőt megérdemelnek.
Semmiféle analógiát nem lehet vonni a francia forradalom és az
orosz forradalom közt. Az elsőt tanult polgárok csinálták, a
másodikat tudatlan munkások és parasztok, akiknek színvonala alig
volt magasabb az ősi skythákénál.
Az orosz munkások többsége számára a forradalom ezt jelenti:
senkisem parancsol, mindenki azt teszi, amit akar.
Míg Németországban az eszmék ugyanazok maradnak, Európát
gyakori háborúk fogják fenyegetni. A németek azonban egy szép
nap maguk is rájönnek arra, mily mesterséges építmény ez a német
birodalom, amely az ipari államot megfejeli egy hűbéri állammal.
Ebből szükségképen az eszmék forradalma támad, amelyek
mindenkori szülői a mély politikai forradalmaknak.
Ámbár a nagy forradalmakat könnyen meg szokták jósolni, aligha
van példa arra, hogy legfontosabb következményeit megsejtették
volna.