Chương I. Những khái niệm cơ bản về kỹ thuật xung

Chương I.
Những khái niệm cơ bản

về kỹ thuật xung
§ 1. Khái niệm và định nghĩa cơ bản về tín hiệu xung
1. Khái niệm cơ bản về kỹ thuật xung.
+ Định nghĩa: Tín hiệu xung là tín hiệu có điện áp hoặc dòng điện tồn tại
trong thời gian ngắn, khoảng thời đó so sánh với thời gian quá trình quá
độ (thời gian thiết lập).
+ Trong các thời điểm khởi động thiết bị điện tử (hoặc đóng ngắt mạch
điện tử) phát sinh ra các xung điện. Thời gian này gọi là quá trình, quá độ
làm phá vỡ chế độ công tác tĩnh của các phần tử tích cực vì vậy kỹ thuật
xung nghiên cứu quá trình tác động của xung điện vào mạch điện tử.
Ngoài ra nghiên cứu các thiết bị tạo, biến đổi dạng tín hiệu xung.
+ Tác động xung điện vào mạch điện có dạng xung đơn, dãy xung.
2. Các tham số cơ bản của tín hiệu xung.
+ Biên độ xung là giá trị cực
đại của tín hiệu xung Um ; Im
+ Độ rộng của xung là khoảng thời
gian tín hiệu xung tồn tại ( tX ).
+ Chu kỳ lặp lại là khoảng thời gian
ngắn nhất để dòng điện hay điện áp
lặp lại trạng thái ban đầu ( TX ).
+ Tần số là giá trị nghịch đảo của
1
chu kỳ f X  T
X
+ Độ rỗng xung là tỉ số giữa độ rộng và chu kỳ QX  Tt X

1 TX X
+ Hệ số lấp đầy là nghịch đảo của độ rỗng X  Q  t
X X
+ Các dạng xung .
+ Xung thị tần là xung điện có điện áp hay dòng điện trong
khoảng thời gian nào đó có giá trị khác không hoặc không
đổi.
+ Xung xạ tần xung cao tần bao xung quanh xung thị tần.
- Phương pháp tạo xung tuyến tính và phi tuyến.
- Phương pháp phân tích tác động xung điện sử dụng
phương pháp toán học, các định luật về điện, giải bài toán
bằng số phức….
+ Độ rộng của sườn xung là khoảng thời gian tăng hay
giảm của biên độ xung, có rộng sườn trước ( ts1 ), độ rộng
sườn sau ( ts2 ).
+ Độ dốc sườn xung là tỉ số biên độ xung và độ rộng của
Um Um
sườn xung S X1
 ; S 
ts1 X 2 ts 2
+ Độ sụt đỉnh xung là độ giảm của biên độ phía đỉnh xung
( ΔU, ΔI ) như trong hình vẽ.
+ Độ sụt đỉnh tương đối
là tỉ số giũa độ sụt đỉnh và
biên độ xung U  U ; I  I
Um Im
Thực tế độ rộng sườn xung
tính xung biến đổi từ β.Um đến (1- β).Um ,β =0,1;0,05;0,01
§ 2. Phản ứng của mạch RC, RL với xung
điện áp đơn giản
1. Các dạng xung điện áp.
+ Đối với tín hiệu vào dạng tín hiệu xung phức tạp
ta phải biến tín hiệu xung thành các tín hiệu xung
đơn giản, xác định tín hiệu xung đầu ra với các
xung
đơn giản ở đầu vào tổng hợp lại.
u1(t) = u11(t) + u12(t) + u13(t) + …..
Tại đầu ra ta nhận được tín hiệu.
u2(t) = u21(t) + u22(t) + u23(t) + …..
+ Các dang xung cơ bản như xung hình vuông, xung hình
tam giác, xung hình chữ nhật tác động vào mạch
điện tử ta gọi là xung cơ bản.
a. Xung điện áp đột biến.
u1(t) = e1(t).1(t0) = E khi t ≥ t0
u1(t) = e1(t).1(t0) = 0 khi t < t0
1(t0) hàm đơn vị: 1(t0) = 1 khi t > t0 ; 1(t0) = 0 khi t < t0
b. Xung điện áp biến đổi tuyến tính.
u1(t) = k(t-t0).1(t0) = k(t-t0) khi t ≥ t0
u1(t) = k(t-t0).1(t0) = 0 khi t < t0
b. Xung điện áp biến đổi theo quy luật hàm mũ.
u1(t) = E.{1 - exp[-α( t-t0 )]}

u1 (t )  E. 1  e
   t  t0 

Ví dụ: Cách biến đổi
tín hiệu có dạng
phức tạp sang các
tín hiệu có
dạng đơn giản.
2. Phản ứng của mạch RC, RL với các xung điện
áp đơn giản.
a. Xung điện áp đột biến.
+ Đối mạch R-C mắc nối tiếp điện áp lấy ra trên R. với
điều kiện ban đầu điện áp trên các phần tử bằng không.
Sử dụng phép biến đổi Laplace
tìm hàm gốc dòng điện chạy qua
R và C để xác định uR(t), uC(t).
I(P) = U1(P).Y(P); U1(P) hàm ảnh u1(t)
U1(P)  E ; Y (P)  1
1

1


P
P R R.(1 ) R.( P  )
P.C P
 1 1
  I (P)  E
 i(t)  E .e .t
R.C  R.( P  ) R
t

Điện áp trên R và C: uR (t)  i(t).R  E.e t  E.e 
t

uC (t)  E i(t).R  E.(1 e t )  E.(1 e ) 
Điện áp trên R và C biểu thị theo đồ thị.

Độ rộng sừơn xung được biểu
trong hình vẽ: tS = t2 – t1
- Tại thời điểm t1 điện áp trên C
tích điện có giá trị.
uC (t1)  E.(1 e t1)  E.  (1 e t1)  
- Tại thời điểm t2 điện áp trên C
tích điện có giá trị.
uC (t2)  E.(1 e t2 )  E.(1  )  e t2  
 tS  t2 t1  .ln (1  )

Từ các giá trị β ta tính độ rộng sườn xung.
β 0,01 0,05 0,1
tS 4,6τ 3τ 2,2τ
+ Xung điện áp đột biến đối với mạch R – L mắc nối tiếp.
u1 (t) = E → U1(P)  E
P
Y (P)  1  1  P
R  P.L L.(P  R ) L.(P  )
L
  R  1  I (P)  E
L  L.P.(P )
U L (P)  E .P.L 
E  uL (t)  E.e t  E.e 

t
L.P.(P  ) (P  )
t
 uR (t)  E.(1 e t )  E.(1 e )


t

Điện áp trên R và C: uR (t)  i(t).R  E.e t  E.e 
t

uC (t)  E i(t).R  E.(1 e t )  E.(1 e ) 
Đồ thị dạng tín hiệu trên R uR(t); uC(t)

Điện áp trên R và L biểu thị theo đồ thị.
t
uL (t)  E.e t  E.e


t
uR (t)  E.(1 e t )  E.(1 e )


Điện áp trên L mầu đỏ, điện áp trên R mầu xanh lục với u1(t) xung
đột biến có tần số f = 10 (Hz); Em = 5 (V); L = 100 (mH); R = 10
(Ω)
b. Xung điện áp biến đổi tuyến tính.
+ Xung điện áp biến đổi tuyến tính tác động vào mạch RC
mắc nối tiếp. Tín hiệu xung biểu diễn bằng công thức toán
học u1(t) = k.t hàm ảnh U1(P)  k2
P
Sử dụng phương pháp biến đổi
Laplace dòng điện chạy trong
nhánh RC mắc nối tiếp
I(P) = U(P).Y(P)
Y (P)  1  1  P 1 1
   ;  R.C
R 1 R.(1 ) R.( P  ) R.C 
PC. P
 I (P)  k2 P  k  i(t ) 
k .(1 e t )
P R.(P ) P.R.(P  ) .R.
u (t)  i(t).R  k. .1e t ; u (t)  k.t  k. .(1 e t )  k.t  .(1e t ) 
R C  
t =  uR (t=  ) = k.τ;
uC(t =  ) = k.t – k.τ = k.(t – τ)
+ Xung điện áp biến đổi tuyến tính
tác động vào mạch RL mắc nối tiếp.
uL(t) = i(t).R = k.τ.[1- exp(-αt )]
uR(t) = k.t - k.τ.( 1- exp-αt ) = k.{t - τ.[1- exp(-αt ) ]}
c. Xung điện áp biến đổi theo quy luật hàm mũ.
Xung tác động theo quy luật hàm mũ biểu diễn dưới dạng
U (P) 1.E 1
toán học u1(t) = E.[1–exp(-α1t)] có hàm ảnh P(P 1)
Sử dụng phép biến đổi ngược Laplace
i(t) 
áp dụng
1
.E công
.(e t thức
 e1t )
Heaveside tính được hàm gốc i(t): R.( 1)
Ta tính điện áp đặt trên R và C.
uR (t)  i(t ).R  q.E .(e t  e1t );q  1  RC
. ;  1
(q 1)   1 1 1
u (t)  u (t) u (t)  E(1e t )  q.E .(e t  e1t )
C 1 R
(q 1)
§3.Phản ứng của mạch R-C với tác dụng
xung đơn
1. Phản ứng của mạch R-C với tác dụng xung đơn
điện áp trên R.
Dòng điện chạy trên R
t
E
 i(t)  .e .t  uR (t)  i(t).R  E.e t  E.e 

R
+ Tại t = tx  tX
 uR (t  tX )  E.e tX  E.e 
+ Khoảng thời gian t > tX

tX t tX
 uR (ttX )  E.(e  e )
Dạng tín hiệu xung biểu diễn theo đồ thị.
  t
X
+ 3τ < tX xung ra dang xung

nhọn. τ > 10 tX tín hiệu 0 thay
đổi.
tX
Xác định độ sụt đỉnh xung. U  E(1 e )
Triển khai thành chuỗi lũy thừa. U  E.(t X )

Độ sụt đỉnh tương đối.   U  (t X )
E 
Đối với xung là tuyến tính độ sụt đỉnh tương đối
 t
 X 
U  u1(t )  uR (t )  k t X  (1e  )     U  1 .(t X )
  E 2 
 
Điện tích nạp trên tụ điện C
tX
Qn   i(t )dt
0
Điện tích phóng trên tụ điện C
 1
QP   i(t )dt   u(t )dt
tX R tX
Kết thúc quá trình phóng nạp Qn = QP
điện áp trên C. τ < tx
t

uC (t)  E i(t).R  E.(1 e t )  E.(1 e ) 
+ 0 < t < tX điệnáp ra

trên C. t

uC (t)  E.(1 e ) 
+ t = tX điện áp t
 x
uC (t  tx )  E.(1 e )

tụ C. t t x

 uC (t  tx )  E.(1 e )
+ t > tx

- τ càng nhỏ xung ra ít bị méo dạng

- μ << 1 xung ra lặp lại xung vào
hình tam giác.
+Nếu μ << 1 → τ << tx
điện áp lấy ra trên tụ điện C.
uC (t) =k{t - τ.[1- exp(-αt)]} ≈ k(t-τ)
+ Nếu t > tx : điện áp lấy ra trên tụ điện

t t
C.
x
 uC (t  tx )  k.(tx  )e


Chương II. Mạch hồi tiếp âm
§ 1. Định nghĩa và phân loại mạch hồi tiếp
1.Định nghĩa mạch hồi tiếp:
Ghép một phần tín hiệu từ ra của
mạng bốn cực tích đưa về
đầu vào của mạng bốn cực
đó thông qua mạng bốn cực khác. Mạng bốn khác là mạng
bốn cực hồi tiếp.
Mục đích của mạch hồi tiếp:
- Cải thiện tính chất của mạch khuếch đại.
- Nâng cao chất lượng của mạch khuếch đại.
2. Phân loại mạch hồi tiếp:
- Hồi tiếp tín hiệu một chiều: ổn định các tham
số một chiều. Q  I B ; IC ;U BE ;UCE ; Q  I D ;UGS ;U DS 
- Hồi tiếp tín hiệu xoay chiều.
+ Hồi tiếp dương: tín hiệu hồi tiếp về đồng pha với tín hiệu vào
phần tử tích (Xht ;Xh ) mục đích tăng hệ khuếch đại của mạng bốn
và được ứng dụng mạch dao động.
+ Hồi tiếp âm: tín hiệu hồi tiếp về ngược pha với tín hiệu vào
phần tử tích cực (Xht ;Xh ) làm giảm hệ số khuếch đại.
Mục đích giảm hệ khuếch đại của mạng bốn, để cải thiện tính
chất và ổn định các tham số xoay chiều.  Ku ; Ki ; Zvao ; Zra 
Phân loại mạch hồi tiếp âm mạch hồi tiếp âm xoay chiều.
- Hồi tiếp âm song song điện áp:
Xvào // Xht // Xh
Xra // Xrh // XVht
Bấm để thêm nội dung

- Hồi tiếp âm nối tiếp điện áp:
Xra // Xrh // XVht
Xvào = Xht + Xh
- Hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện:
Xvào = Xht + Xh
Xra = Xrh + XVht

- Hồi tiếp âm song song dòng điện:
Xvào // Xht // Xh
Xra = Xrh + XVht
Cách phân biệt các mạch hồi tiếp âm xoay chiều
Hồi tiếp âm dòng điện Hồi tiếp âm điện áp
Mắc song
song
Mắc nối
tiếp
3. Các ví dụ minh họa:
Ví dụ 1: Ví dụ 3
Ví dụ 2:
§2.Các phương trình cơ bản mạng bốn cực có
hồi tiếp
Xét mạng bốn cực có hồi tiếp:
- Xn Nguồn tín hiệu
ban đầu.
- XV Tín hiệu vào tứ
cực có hồi tiếp.
X ra
K' 
X vao Sơ đồ cấu trúc chuẩn
X ra
KTP 
Xn
Kvòng  X ht
Xh
§3. Phương pháp phân tích mạch khuếch đại
có hồi tiếp âm
Để phân tích mạch khuếch đại có hồi tiếp âm có tính đến
hệ số khuếch đại, trở kháng vào, trở kháng ra, dựa vào:
+ Lý thuyết mạng bốn cực,
+ Định luật kiếc khốp
+ Phương pháp phân tích khối trong kỹ thuật điều khiển.
Bước 1: Xác định đại lượng Xra là dòng điện (I) hay là
điện áp (U).
Bước 2: Xác định các đại lượng còn lại X n ; Xvào ; Xh .
- Nếu hồi tiếp âm mắc nối tiếp thì Xn ; Xvào điện áp.
- Nếu mạch hồi tiếp âm mắc theo kiểu song song
thì Xn ; Xvào chọn dòng điện.
Bước 3: Xây dựng các quan hệ Xra = f(Xh) và
Xh = f(Xn , Xvao , Xht ,Xra).
Bước 4: Vẽ sơ đồ cấu trúc chuẩn.
Bước 5: Xác định các đại lượng (các hệ số
khuếch đại, trở kháng ra, trở kháng vào).
Bước 6: Kết luận.
+ Xây dựng thuật toán phương pháp phân tích
mạch khuếch đại có hồi tiếp âm.
+ Ví dụ minh họa phương pháp phân tích.
§4. Ảnh hưởng của mạch hồi tiếp âm đến tính
chất của mạch khuếch đại
1. Ảnh của mạch hồi tiếp âm đến độ ổn định hệ
K .K n
số khuếch đại: TP K 
(1 K .K ht )
Vi phân toàn phần KTP theo Kht , K , Kn .
KTP  Kn  K.Kht .Kht  K . 1
KTP Kn (1 K.Kht ) Kht K (1 K.Kht )
Sai số tương đối của hệ số khuếch đại khi có hồi
tiếp âm và khi không có hồi tiếp âm.
Xét bộ khuếch đại có nhiều tầng khuếch đại hồi
tiếp âm.
2. Ảnh hưởng của mạch hồi tiếp đến trở kháng vào.
a. Hồi tiếp mắc theo kiểu nối tiếp.

U vào U h U ht U h U '  K ht .X ra
Zvào   
I vào I vào I vào
b. Hồi tiếp mắc theo kiểu song song.
I vào I h  I ht I h  I '  K ht .X ra
yvào   
U vào U vào U vào
3. Ảnh hưởng của mạch hồi tiếp đến trở kháng
ra. Để tính trở kháng ra ta áp dụng công thức:
U ra U ra
Zra  max 
Rt 
I ra I ra
max Rt 0
a. Trở kháng ra với mạch hồi tiếp âm điện áp.

K
U raR   .X
t (1 K .K ht ) vào
IraR 0  K .X vào
t rr
h
b. Trở kháng ra với hồi tiếp âm dòng điện.
K
IraR 0  .X vào
t (1 K .K ht )
U ra  (K .X h ).rr  (K .X vao ).rr

Rt  h h
 Zra  (1 K .Kht ).rr  g.rr

h h
4. Ảnh hưởng của mạch hồi tiếp đến tín hiệu tạp
âm.
5. Ảnh hưởng của mạch hồi tiếp âm đến dải tần
và méo phi tuyến.
CIII. PHƯƠNG PHÁP CẤP NGUỒN VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC
CỦA TRANSISTOR TRONG TẦNG KHUẾCH ĐẠI
§ Khái niệm điểm làm việc tĩnh của transistor

(BJT) trong tầng khuếch đại
§ Cấp nguồn và ổn định điểm làm việc cho t
ransistor lưỡng cực
§ Cấp nguồn và ổn định điểm làm việc cho t

ransistor đơn cực
Trasistor lưỡng cực:
– Xét chế độ tĩnh của transistor mắc E chung (EC)
§1. KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA TRANSISTOR (BJT) TRONG TẦNG KHUẾCH ĐẠI
KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA
TRANSISTOR
• Chế độ khuếch đại: BE phân cực thuận, BC phân

cực ngược
• NPN:
 0<0,3(V) Gecmani
 0<0,7(V) Silic
• PNP:
 0<0,3(V) Gecmani
 0<0,7(V) Silic
KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA TRANSISTOR
• Khi Xn=0 →dòng: IB, IC, IE ;điện áp:

UBE,UCE,UE,UC
• Điểm làm việc Bấm

tĩnhđể Q [I ,nội
thêm BI Udung
C ,UBE ]
CE
• IC=f(IB)=β.IB=H21.IB=HFE.IB
( )
𝐔 𝐁𝐄
𝐔𝐓
𝐈𝐁 = 𝐟 ( 𝐔 𝐁𝐄 ) =𝐈 𝐄𝐁𝐇 ( 𝟏 − 𝐀 𝐍 ) 𝐞 −𝟏
. IE=IB+IC=IB(1+H21)
KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA
TRANSISTOR
→
Transistor đơn cực (FET) khi làm việc ở chế độ khuếch
đại điểm làm việc thuộc miền tích cực.
Điểm làm việc được đặc trưng bởi ba tham số I D ; UGS ;UDS
+ Transistor đơn cực loại JFET và MOSFET liên tục
Đặc tuyến truyền dẫn
U GS 2
I D  I DSS .(1 )
UP
IDSS dòng điện bão hòa; UP điện áp ngắt.
Đường tải tĩnh quan hệ dòng điện đầu ra và điện áp đầu vào
I D  f (U DS )
KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA TRANSISTOR
ĐƠN CỰC JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC
+ KÊNH N:
UDS giới hạn > UD- US > 0
- UP < UGS < 0
+ KÊNH P
0 < UG - US < + UP
- UDS giới hạn < UD – US < 0
Kênh P Kênh N
Khái niệm chung về điểm làm việc tĩnh cho
transistor MosFet gián đoạn
Transistor đơn cực ( MOSFET gián đoạn ) khi
làm việc ở
I  k.(U U ) 2
chế độ khuếch đại điểm làm việc thuộc miền tích
D GS th
cực. 0 k 
I
Don
1 2
(U U )
Đặc tuyến truyền dẫn:
GSon th
U U U gioihan GS th
Trong đó: Uth điện áp ngưỡng, k hệ số được tính

CẤP NGUỒN VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR (BJT)
1. Phương pháp cấp nguồn cho transistor lưỡng cực trong

các tầng khuếch đại:
– Phương pháp cấp nguồn bằng dòng cố định
– Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp
2. Phương pháp ổn định điểm làm việc cho transistor lưỡng
cực trong các tầng khuếch đại:
– Phương pháp cấp nguồn bằng d
òng điện cố định có hồi tiếp
– Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp có hồi tiếp
– Phương pháp cấp nguồn bằng có hồi tiếp âm điện áp
– Các phần tử có tính năng đặc biệt
§3. Cấp nguồn cho transistor lưỡng cực
1. Phương pháp cấp nguồn bằng dòng cố định

Cấp nguồn cho transistor lưỡng cực
+ Điện áp cấp chuyển tiếp B-E:
Ucc= IB.Rb+ UBE → Ucc= IB.Rb+ UBE
U CC  U BE
 IB   f U BE 
Rb
+ Điện áp cấp chuyển tiếp C-E:

Ucc= IC.RC+ UCE
→ UCE= UCC - IC
.RIC  f U   U CC  U CE
C CE
RC
+ Đường tải tĩnh
Cấp nguồn cho Transistor lưỡng cực
2. Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp (chia áp):
Hình 1 Hình 2
Cấp nguồn cho transistor lưỡng cực
• Dòng phân
U CC áp:
IP   U R2  U BE  I P .R2 Rtd  R1.R2
R1  R2 R1  R2
• Điện áp cấp chuyển tiếp

U CC BE U R U BE
U BE  U B  U E  I P  R2   R2 IB  2
R1  R2 Rtd
• Điện áp cấp chuyển tiếp CE

Ucc=IC.RC+UCE →U
U CEU
= Ucc- IC.RC
IC  CC CE
Đường tải tĩnh: RC

§4. PHƯƠNG PHÁP CẤP NGUỒN ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CỦA
TRANSISTOR BJT
1.Phương pháp cấp nguồn bằng dòng cố định hồi
tiếp âm dòng điện:
ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
Điện áp cấp chuyển tiếp BE

Ucc= IB.Rb+ UBE+ IE.RE
U CC  U BE
→Ucc=IB.Rb+UBE+IB.(1+β).RE  I B 
Rb  1    RE
UBE=Ucc- IB.[Rb+ (1+β).RE]=Ucc- (IC/β).[Rb+(1+β).RE

Điện áp cấp chuyển tiếp CE
Ucc=IC.RC+IE.RE+UCE
→UCE= UCC- (IC.RC+IE.RE) ≈UUCC  - IC .( RC+RE )
U
I C  f U CE   CC CE
RC  RE
Đường tải tĩnh:
ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC (BJT)
2. Phương pháp phân áp (chia áp) có hồi tiếp âm
dòng nối tiếp dòng điện:
Hình 1 Hình 2
ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
U CC
IP   I B
R1  R2
U CC R1.R2
U R2  I P  R2   R2 ; Rtd 
R1  R2 R1  R2
Xét vòng điện B-E (hình 2): UBE+UE + IB Rtd = UR2 ;

U R U BE
UE= IE.RE = IB.(1+β).RE;  IB  2  IC  H 21.I B; I E  ( H 21 1).I B
Rtd  (1 H 21).RE
U CC I
 U BE   C 1    RE
UB =UBE + UE → UBE = UB - UE R
1 1 
R2
Xét vòng điện C - E:
UCC = IC.RC + IE.RE + UCE U CC  U CE
 I C  f U CE  
RC  RE
UCE=UCC - IC.RC - IE.RE ≈ UCC - IC(RC+RE)
ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSISTOR LƯỠNG
CỰC (BJT)
3. Phương pháp cấp nguồn bằng hồi tiếp âm điện áp:
ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC
Xét vòng điện C – B - E
UBE= UB-UE= UB=UCE- IB.Rb
IC
UCE= UCC- ( IC+IB).RC=UCC - IB (1+β) RC  U CE  U CC  1    RC

U CC  U CE U CC  U CE
I 
Đường tải tĩnh C  1  
RC
1     RC
 
UBE= Ucc- IB.[ Rb+( 1+β ).Rc] = Ucc- ( IC/β ).[Rb+( 1+β ).Rc]
U CC  U BE
 IB 
Rb  (1   ) RC
4. Phương pháp ổn dịnh điểm làm việc dùng các linh kiện đặc biệt.
§5. CẤP NGUỒN VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CỦA
TRANSISTOR ĐƠN CỰC (FET)
• Transistor JFET & MOSFET liên tục
– Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định
– Phương pháp cấp nguồn bằng tự cấp
dòng điện
• Transistor MOSFET gián đoạn
– Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định
– Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp
dòng điện
– Phương pháp cấp nguồn bằng hồi tiếp âm điện áp
CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ
MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC
TẦNG KHUẾCH ĐẠI
1. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định:
Un nguồn tín hiệu; Cn tụ ghép tầng
UDD nguồn cung cấp một
chiều; RD tải một chiều
đồng thời tải xoay chiều.
UGG nguồn một chiều
cấp cho transistor.
CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC
+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:  U 

2
I D  I DSS 1  GS 
UGS= IG.RG - UGG do IG= 0 suy ra UGS = - UGG ; U P 
+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:
UDD = ID.RD + UDS suy ra UDS= UDD - ID.RD U Đường 2 tãi
U DD  U DS 
I D tĩnh I D  I DSS 1  GS 
R
D  UP 
Đặc tuyến truyền dẫn

CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC TẦNG
KHUẾCH ĐẠI
2. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn tự cấp:

- Un nguồn tín hiệu.
- Cn tụ ghép tầng.
- UDD nguồn cung cấp một
chiều.
- RD tải một chiều.
đồng thời tải xoay chiều.
- RS hồi tiếp âm một chiều
và hồi tiếp âm xoay chiều.
+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:

UGS= IG.RG - IS.RS do IG=0 suy ra U GS   I D RS
 2
  U GS 
 I D  I DSS 1  
  U P 
+ Điện áp cấp chuyển tiếp DS:
UDD = ID.RD + UDS + IS.RS do ID= IS→ UDS= UDD- ID.( RD + RS )
Đường
U DD tải
U DStĩnh
ID 
RS  RD
3. Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp (chia áp) có hồi

tiếp dòng điện:
R1 ; R2 ; điện trở cấp
Nguồn, RS điện trở
hồi tiếp một chiều
đồng thời hồi tiếp
âm xoay chiều
RD tải một chiều
và tải xoay chiều
Cn tụ ghép tầng, un nguồn
Tín hiệu
U DD U DD
+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S: IP  U G  I P  R2   R2
R1  R2 R 
U DD 1 2 R

U GS  R2  I D RS
Suy ra U DD U DD  R1  R2
U GS  U G  U S   R2  I S .RS  .R2  I D .RS 
R1  R2 R1  R2  2
I  I  U 
 1  GS 
 D DSS
+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:   UP 
UDD = ID.RD + UDS + IS.RS

Do ID= IS vì IG = 0
→ UDS = UDD- ID.(RD + RS )
§6. CẤP NGUỒN CỦA MOSFET GIÁN ĐOẠN
TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI (EMOSFET)
1. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định:
I Don
I D  k U GS  U th  ; 0  k 
2
1
U 
2
GSon  U th
CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN TRONG CÁC TẦNG
KHUẾCH ĐẠI

UDD = UGS + IG .RG do IG = 0 Suy ra UDD = UGS kết hợp với đặc
I Don
tuyến truyền dẫn I D  k U GS  U th  ; 0  k 
2
1
U GSon  U th 
2

UDD = UDS + ID .RD suy ra UDS = UDD – ID .RD đường tải tĩnh:
I D  U DD U DS
RD
CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN
(EMOS) TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI
2. Phương pháp phân cấp nguồn bằng phân áp (chia áp).
nguồn, RD tải một
chiều và tải xoay
chiều
Cn tụ ghép tầng,
un nguồn tín hiệu
Rn điện trở trong
Nguồn tín hiệu
CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN TRONG CÁC

U DD U DD
IP  U R UGS  .R
2
R1  R2 2 Q R1  R2
Thay phương trình đặc tuyến truyền dẫn ta xác định tọa độ điểm làm
việc I I Don
 k U  U  ; 0  k 
2
DQ GS th 1
2

UDD = UDS + ID .RD
suy ra UDS = UDD – ID .RD
đường tải tĩnh I  U DD U DS
D
RD
3. Phương pháp bằng phân áp có hồi tiếp âm dòng điện:
nguồn, RS điện trở
hồi tiếp một chiều
đồng thời hồi tiếp
âm xoay chiều
U DD U
UGS UG U S  .R2  I S .RS  DD .R2  I D.RS
R1  R2 R1  R2
 I Don
 GS th 
2
I
 D  k U  U ; 0  k  1
2

Giải hệ 
U  U DD .R  I R
phương trình 

GS
R1  R2
2 D S

UDD = UDS + ID .RD + IS .RS → UDS = UDD – ID.(RD +RS)
(EMOS) TRONG TẦNG KHUẾCH ĐẠI
4. Phương pháp cấp nguồn bằng hồi tiếp âm điện áp.
RG cấp nguồn và hồi tiếp
một chiều, hồi tiếp
xoay chiều
Rn điện trong
nguồn tín hiệu.
UGS = UDS – IG .RG = UDS vì IG = 0
I D +UIDD
+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S: UDD = UDS
U DS
D R D suy ra
.R
D
UDS = UDD – ID .RD ta có đường tải tĩnh:
CHƯƠNG IV: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
TẦN SỐ THẤP DÙNG TRANSISTOR
§1: PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH TẦNG KHUẾCH ĐẠI TÍN
HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP
§2: SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI MẮC THEO KIỂU EMITTER CHUNG
(EC) VÀ S CHUNG (SC)
§3: SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI MẮC THEO KIỂU
COLLECTOR CHUNG (CC) VÀ ( DC)
§4: SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI MẮC THEO KIỂU BASE CHUNG (BC)
VÀ (GC)
§5: CÁC SƠ ĐỒ ĐẶC BIỆT DÙNG TRANSISTOR
§6: MẠCH KHUẾCH ĐẠI VI SAI.
§7: CÁC MẠCH GHÉP TẦNG
§1.PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH TẦNG
KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ
THẤP
1. Phương pháp phân tích tầng khuếch đại tín nhỏ tần số
thấp dùng transistor.
+ Căn cứ vào cách mắc của transistor trong các tầng
khuếch đại. (EC); (SC); (BC); (GC); (CC); (DC).
+ Căn cứ vào tần số tín hiệu trong chương này quan tâm
đến tín hiệu tần số thấp đối với loại transistor.
+ Dùng sơ đồ tương đương để phân tích và xác định các
tham số xoay chiều.
Sơ đồ tương bao gồm sơ đồ tương đương của transistor
và tải xoay chiều, nguồn tín hiệu, hồi tiếp âm nếu có.
PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH TẦNG
KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

2. Các tham số xoay chiều:
U ra
+ Hệ số khuếch đại điện áp: Ku 
U vào
(dB)
+ Hệ số khuếch đại dòng điện: Ki  I ra  Ku .

Z vao
I vào Z ra
U vào
Zvào  ()
+ Trở kháng vào: I vào
U ra
Zra  ()
+ Trở kháng ra: I ra
3. Cách biểu diễn sơ đồ tương của transistor theo tần số
tín hiệu.
1
f
+ Nếu tín hiệu có tần số
th
 . f gh
gọi là tín hiệu tần số thấp với
2
transistor đó ta biểu diễn sơ đồ hình π không tính đến tụ
điện của các chuyển tiếp.
f th  1 . f ghgọi là tín hiệu tần số tb với
2
transistor đó ta biểu diễn sơ đồ hình π có tính đến tụ điện của
các chuyển tiếp.
f th  1 . f ghgọi là tín hiệu tần số cao với
2
transistor đó ta biểu diễn sơ đồ hình Y có tính đến tụ điện của
các chuyển tiếp.
4. Cách biểu diễn sơ đồ tương đương của phần tử tích cực đối
với tín hiệu nhỏ tần số thấp:
+ Trở kháng ra lớn: phần tử tích cực biểu diễn bằng nguồn dòng
+ Trở kháng ra nhỏ: phần tử tích cực biểu diễn bằng nguồn điện áp
+ Trở kháng vào lớn: phần tử điều khiển biểu diễn bằng điện áp
+ Trở kháng vào nhỏ: phần tử điều khiển biểu diễn bằng dòng điện
Transistor (BJT): Zvao nhỏ Zra lớn
𝑈𝑇 𝑈𝑇 UT = 26 mV
𝑟 𝐵𝐸 =𝐻 𝐹𝐸 .𝑟 𝑑 =𝐻 𝐹𝐸 . ≈ 𝐻 𝐹𝐸 .
𝐼𝐸 𝐼𝐶
diDSQ U GSQ I DSS U GSQ
• Transistor (FET): g m  u  g 0 .(1 
UP
)  2.
UP
.(1 
UP
)
DS Q
+ Zvao lớn diDS
gm  Q
 2.k .(U GSQ  U th )
+ Zra lớn uDSQ
PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH TẦNG KHUẾCH
ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
Khuếch đại thuật toán
Zvào lớn, Zra nhỏ
+Ucc
Ud Rd Ura
Ud.Kd P
Ura
N
-Ucc
PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH TẦNG KHUẾCH
ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP
• Ví dụ:
§2. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN
HIỆU MẮC
EMITTER CHUNG (EC)
• Mạch khuếch đại mắc EC đơn giản (không có
hồi tiếp).
• Mạch khuếch đại mắc EC có hồi tiếp âm điện
áp.
• Mạch khuếch đại mắc EC có hồi tiếp âm dòng
điện.
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC
EMITTER CHUNG (EC)
1. Sơ đồ Emitter chung (EC) đơn giản
Hình 1 Hình 2
EMITTER CHUNG
UT
– Sơ đồ tương đươngrBE  H21. Rtd (hoÆc R B )
IE
Sơ đồ tương đương hình π

EMITTER CHUNG KHÔNG CÓ HỒI TIẾP
• Hệ số khuếch đại điện áp
U r U r U r U BE U r U BE
KU      
U v U n U BE U V U BE U n
U r   I B    rCE / / R C 
Un
U BE  I B  rBE   rBE
Rn  rBE
Un
 rBE
 I B    rCE / / R C  Rn  rBE   rCE / / R C    rCE / / R C 
 Ku    
I B  rBE Un Rn  rBE rBE
h21
K u    RC / / rCE    S  RC
h11
EMITTER CHUNG KHÔNG CÓ HỒI TIẾP
+ Trở kháng vào
Uv Un UT
Z v    Rn  rBE  rBE  H11  H 21.
Iv I B IE
+ Trở kháng ra
Ur RC .rCE
Zr   RC / / rCE 
Ir RC  rCE
KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC
EMITTOR CHUNG KHÔNG CÓ HỒI TIẾP
• Hệ số khuếch đại dòng điện
Ir U ra U vao U n
Ki  Trong I ra  ; I vao  
Iv Z ra Z vao Z vao
Z vao rBE
 Ki  KU .  S .  RC / / rCE .
Z ra  RC / / rCE 
 Ki  S .rBE  H 21
CÁC BƯỚC THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH
Bước 1: Vẽ sơ đồ nguyên lý
Bước 2: tính lượng điện áp biến đổi trên Colletter căn
cứ vào dạng tín hiệu trên Colletter ΔuC như hình vẽ
+ Bước 3: Chọn nguồn cung cấp UCC

UCC > UCmax = ΔUC + UE + UCER
+ Bước 4: Từ thiết bị vẽ đặc tuyến ra Transistor chọn
điểm làm việc tĩnh tọa độ
Q  I B ; IC ;U BE ;UCE 
+ Bước 5: Xác định các giá trị còn lại theo sơ đồ
nguyên lý
• Ví dụ: Cho biết: Ura = 2V, β= 100, UCER = 0.5V
+ B1:sơ đồ nguyên lý như hình vẽ
+ B2: UC= 2; → ΔUC = ΔUra = 4V;
UCmax = ΔUC + UE + UCER = 4.5 + UE
+ B3: chọn UE= 2V,
UCC > UCmax = 4.5 + 2=6.5 V→UCC = 8V
+ B4: UBE = 0.5V,Ic=1mA.

IC IC
• B5:I B    H  10 A
FE
U CC  U BE  U E  8  (0.5  2)
Rb    550
IB 10
UE UE 2
RE     2
IE I B 1    10 1  100 
1 1
U Co  U CC  U CC  U E  U CER   8  8  2  0.5   5.25(V )
2 2
U CC  U Co 2.75(V)
RC    2.75
IC 1( mA)
U CEQ  U Co  U E  U CER   5.25  (2  0.5)  2.75V
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU
EMITTER
CHUNG (EC) HỒI TIẾP ÂM DÒNG ĐIỆN
2. Khuếch đại EC có hồi tiếp âm dòng điện.
• Sơ đồ nguyên lý:
Hình 1 Hình 2

MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU EMITTER
• Sơ đồ khuếch đại xoay chiều
Hình 1 Hình 2

• Sơ đồ tương đương
Sơ đồ tương đương hình π Emitter chung hồi tiếp âm

dòng điện
Tính các
U thamIsố.R
RE  E
 E E
 1    RE
IB IB
U ramax  U raR   U rCE  U RE
C
Un
 U ramax    .I B .rCE  I B .RE    .I B .rCE      rCE
Rn  RE  rBE
Un
I ramax   .I B   .
Rn  (1   ) RE  rBE
Suy ra rC  U ra  rCE  1 
max
H 21.RE 
  rCE .g
0
I ramax  Rn  RE  rBE 
Nếu Rb : Rb  rBE  (1  H 21 ).RE

Ta có sơ đồ tương đương hình π
• Hệ số khuếch đại điện áp
U ra U ra
KU  
U vao U n

U n RC / / rC0 
 
U ra    .I B RC / / rC0    
Rn  rBE  1    .RE
 KU    
R C / / rC0


RC
Rn  rBE  1    .RE RE
+ Trở kháng vào.

Un
Z vao   Rn  rBE  1    .RE  1    .RE
IB
+ Trở kháng ra.
U ra rC0 .RC
Z ra   (rC0 / / RC ) 
I ra rC0  RC
+ Hệ số khuếch đại dòng điện.
I ra Z vao
Ki   Ku .  H 21
I vao Z ra
CHUNG (EC) HỒI TIẾP ÂM ĐIỆN ÁP
3. Sơ đồ khuếch đại tín hiệu EC hồi tiếp âm điện áp
• Sơ đồ nguyên lý
• Sơ đồ khuếch đại xoay
Emittor chung hồi
tiếp âm điện áp
chiều
Ta có sơ đồ tương đương hình π
Rb Rb
Rb  ; R   Rb
1  Ku 1
1
Ku
• Trở kháng vào
Z vao  Rn   Rb / / rBE   Rb / / rBE
 Z vao  rBE  H11
Z ra  Rb / / rCE / / RC
• Trở kháng ra
Hệ số khuếch đại điện áp:
U ra I B . (rCE / / RC ) 
KU    (rCE / / RC )
U BE I B .rBE rBE
Hệ số khuếch đại điện áp toàn phần:

U ra U ra U BE U BE Rb / / rBE
KUTP      KU .   KU .
U vao U BE U n Un Rn  Rb / / rBE
Hệ số khuếch đại dòng điện I ra Z vao

Ki   KU
I vao Z ra
§3. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC
SOURCE CHUNG (SC)
1. Sơ đồ nguyên lý
SOURCE CHUNG (SC)
Hai sơ đồ tương nhau chế độ xoay chiều.
Hình 1 Hình 2
SOURCE CHUNG (SC)
2. Sơ đồ tương đương.
Hình 1 Hình 2 (sơ đồ tđ hình

π)
SOURCE CHUNG (SC)
3. Tính toán các tham số.
U ramax U RD  g m .U GS .(rds / / RS ) Un
rd0   ; I raR   ;U GS 
I ramax I RD 0 D
RS 1  g m .(rds / / RS )
U raR   g m .U GS .rds   g m .U n .rds
D 
rd0  (rds  RS ).1  g m .(rds / / RS )  rds

R1.R2
Trở kháng vào. Z vao  ( R1 / / R2 ) 
( R1  R2 )
rd 0 .RD
Trở kháng ra. Z ra  (rd 0 / / RD ) 
rd 0  RD
.
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC SOURCE CHUNG
(SC)
U ra U ra
Hệ số khuếch đại điện Káp
u  
U vao U n
;U vao  U n  U GS
rdo .RD r .R
U ra   g m .U GS .(rd 0 / / RD )   g m .U GS .  Ku   gm . d 0 D
(rd 0  RD ) (rd 0  RD )
Trong đó JFET, MOSFET liên tục.

diDSQ U GSQ I DSS U GSQ
gm   g 0 .(1  )  2. .(1  )
uDSQ UP UP UP
diDSQ
gm   2.k .(U GSQ  U th )
MOSFET gián U đoạn (Kênh cảm ứng).
ra
uDSQ
Hệ Ksốkhuếch
I

Z đại

U dòng
ra
.
Z điện.
 K .
Z
ra ra vao vao
i
I vao U vao U vao Z ra
u
Z ra
Z vao
§4. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU
MẮC
COLLECTER CHUNG (CC)
1. Sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại tín hiệu mắc CC
Sơ đồ cấp nguồn phương Sơ đồ cấp nguồn phương
Pháp chia áp có hồi tiếp pháp định dòng có hồi tiếp
Hình 1 Hình2
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC CC
2. Sơ đồ tương về chế độ xoay chiều

3. Sơ đồ tương đương và các tham số.

+ HệU rasố khuếch đại điện áp:

KU  U ra  I B (1  H 21 ).(rCE / / RE / / Rt )
Un
U n  I B  Rn  rBE  (1  H 21 ).(rCE / / RE / / Rt ) 
 KU 
1    RE / / Rt / / rCE 
Rn  rBE  1    .  RE / / Rt / / rCE 
1
 1
Rn  rBE
1
1   .  RE / / Rt / / rCE .Rn
+MẠCH
Trở khángKHUẾCH
vào: ĐẠI TÍN HIỆU MẮC CC
Un
Z vao    Rn  rBE  (1  H 21 ).(rCE / / RE / / Rt ) 
I vao
+ Trở kháng ra:
- Với trường hợp Rt = ∞ suy ra
Uramax Un Un rBE H21 .rd UT
Zra       rd 
Iramax I B . H21 Un H21 H21 IE
. H21
Rn  rBE
- Với trường hợp Rt , RE có giá trị suy ra
Zra  (rd / / Rt / / RE )
§5. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC BASE
CHUNG (BC)
1. Sơ đồ nguyên lý
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC BC
2. Sơ đồ tương đương

Hình 1 Hình 2 sơ đồ tương đương hình

Sơ đồ tương đương khuếch đại mắc BC
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC BC
I B .rBE I B .rBE I B .rBE

 
rBE  
IE IC  .I B
 .rd
rBE UT UT
 rd    
  IE IC
U ra I B .rCE   .I B .rCE  .I B .rCE

rCE     rCE
IC IC IC
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU MẮC B CHUNG
Un U
Z vao   Rn  rd  T
• Trở kháng vào: IE IE
U ra RC .rCE
• Trở kháng ra: Z ra   RC / / rCE   ZC
I ra RC  rCE
• Hệ số khuếch đại điện áp:

U ra I B .  RC / / rCE  I B .  RC / / rCE  
KU       RC / / rCE    S  RC / / rCE 
Un I E  Rn  rd  I B . .rd rBE
Hệ số khuếch đại dòng: I ra Z vao I C H 21

KI   Ku .   1
I vao Z ra I E 1  H 21
§ 6. CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU ĐẶC BIỆT
DÙNG TRANSISTOR
1. Sơ đồ mắc theo kiểu Darlington

2. Sơ đồ mắc theo kiểu Kaskode.
3. Sơ đồ mắc transistor BJT và transistor FET.

4. Sơ đồ khuếch đại cộng hưởng.
CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU ĐẶC
BIỆT DÙNG TRANSISTOR
1. Sơ đồ mắc theo kiểu Darlington
Sơ đồ tương đương mạch Darlington

CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU ĐẶC BIỆT DÙNG TRANSISTOR
2. Sơ đồ khuếch đại tín hiệu mắc KasKode
Sơ đồ tương đương hình π mạch

Sơ đồ nguyên lý
KasKode
§ 7. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU VI SAI.
1. Chế độ khuếch đại vi sai
Sơ đồ tương đương hình π
MẠCH KHUẾCH ĐẠI VI SAI
2. Chế độ khuếch đại đồng pha
Sơ đồ tương đương chế độ đồng pha
§8. CÁC MẠCH GHÉP TẦNG
• Ghép trực tiếp
• Ghép bằng điện trở

• Ghép bằng tụ điện
• Ghép bằng transistor
• Ghép bằng biến áp
• Ghép bằng transistor quang
• Ghép bằng diode ổn áp

Chương V. Mạch khuếch đại công
suất dùng transistor
5.1. Khái niệm chung về tầng khuếch đại công suất và các
tham số.
1. Khái niệm chung về tầng khuếch đại công suất dùng transistor.
Click to add text
+ Định nghĩa: Tầng khuếch công suất là tầng khuếch cuối cùng
để đưa tín hiệu ra điều khiển tải.
+ Đặc điểm: - Tín hiệu vào có biên độ đủ lớn.
- Ta không dùng sơ đồ tương đương để tính toán các tham số
dùng phương pháp đồ thị.
- Do tải có trở kháng nhỏ tầng khuếch đại công suất có nhiệm vụ
phối hợp trở kháng với tải.
2. Các tham số của tầng khuếch đại công suất
dùng transistor.
Pra
K
+ Hệ số khuếch đại công suất. P P

vao
Để tính hệ số công suất có công suất vào thực tế ta
2
U ra
tính công suất ra. Pra  U ra .Ira  Ira2 .Rt  hd (W )
hd hd hd Rt
+ Hiệu suất vì tầng khuếch đại công suất làm
Pra
nhiệm vụ biến đổi năng lượng.   max .100(%) Trong đó P
P0 0max
công suất tiêu thụ nguồn một chiều của transistor trong
max
tầng khuếch công suất.

+ Trở kháng vào. Zvao  U vao ()
I vao
+ Trở kháng ra: U ra
Zra  ()
I ra
3. Chế độ làm việc của transistor trong tầng
khuếch đại công suất.
Tùy thuộc điểm làm của transistor trên đường tải tĩnh có
chế độ A, AB, B, C. như trong hình vẽ
+ Chế độ A: điểm làm việc tĩnh nằm giữa đường tải tĩnh
tín hiệu vào hình sin ra hình sin (khuếch đại cả chu kỳ)
hiệu suất ra rất thấp η = 25%.
+ Chế độ B: điểm làm tĩnh nằm giáp ranh với chế độ ngắt
và chế độ khếch đại tín hiệu vào hình sin tín hiệu ra một
nửa hình sin (khuếch đại nửa chu kỳ) η = 78%.và dòng
tĩnh bằng 0.
+ Chế độ AB: có điểm làm tĩnh trong khoảng chế độ A và
chế độ B có hiệu suất: 25% < η < 78% có hiệu suất cao
méo phi tuyến lớn dùng khuếch đại công suất đẩy khéo.
+ Chế độ C: có điểm làm việc tĩnh nằm trong vùng ngắt có
hiệu suất cao tín hiệu ra nhỏ hơn nửa chu kỳ.
4. Phân loại khuếch đại công suất dùng transistor.
Căn cứ vào chế độ làm việc của transistor trong tầng
khuếch đại công suất phân loại tầng khuếch đại công suất.
+ Khuếch đại công suất đơn là tầng khuếch đại chỉ có một
transistor làm việc ở chế độ A hoặc AB gần A
- Khuếch đại công suất đơn mắc EC hoặc SC.
- Khuếch đại công suất đơn mắc CC hoặc DC.
+ Khuếch đại công suất mắc theo kiểu đẩy kéo là tầng
khuếch đại có ít nhất hai transistor làm việc ở chế độ B
hoặc AB gần B
5.2. Khuếch đại công suất đơn dùng transistor
1. Khuếch đại công suất đơn mắc EC.
uvao  U m.sin t
 IC  IC  IˆC .sin t
Q
UCE  UCE UˆCE .sin t

Q
+ Tính công suất ra theo đồ thị.
Pra  U rahd .Irahd  1 .U ra .Ira
2
Theo đồ thị ta tính điện áp và dòng điện.
U CE U CE IC  IC
Pra  1 .Ura .Ira  1 . max min . max min
2 2 2 2
Pra đạt giá trị max khi UCE UCE ; IC  IC đạt giá trị lớn
max min max min
nhất khi UCE UCC ;UCE  0 và ICmax  ICmin  2.ICQ → Pramax  1 .UCC .ICQ
max min 4
+ Tính hiệu suất:
1 T
P0  .UCC. (ICQ  IˆC .sin t)dt  P0max UCC .ICQ   25%
T 0
+ Trở kháng vào: Zvao  U vao  H11  rBE

I vao
+ Trở kháng ra: Zra  U ra  (RC / /rCE )  RC tính RC  U CC
I ra tuu 2.I C
+ Khi RC = L hiệu suất η = 50% Q
2. Khuếch đại công suất đơn mắc CC.
uvao  U m.sin t
 I E  IC  IˆE .sin t
Q
 UCE  UCE UˆCE .sin t

Q
+ Công suất ra: P U .I  12.U .I
ra rahd rahd ra ra
Theo đồ thị trên công suất ra tính được.

1 ˆ ˆ 1 U Emax U Emin I Emax  I Emin
Pra  .U ra.Ira  . .
2 2 2 2
Theo đồ thị công suất ra đạt giá trị lớn nhất khi
U U ;U  0 và I  I  2.I → P  1 .U .I
Emax CC Emin Emax Emin CQ ramax CC CQ
4
+ Hiệu xuất:
1 T
P0  .UCC. (ICQ  IˆC .sin t)dt  P0 UCC .IC   25%
T 0 max Q
+ Trở kháng vào: Zvao  U vao  rBE  (1 H 21).RE

I vao
+ Trở kháng ra:
rd .RE
Zra 
rd  RE
5.3. Khuếch đại công suất đẩy kéo dùng transistor
1. Khái niệm chung về tầng khuếch đại công suất

đẩy kéo.
+ Mục đích: - Tăng công suất ra.
- Giảm méo phi tuyến.
+ Kết cấu của mạch: có ít nhất hai phần tử tích cực mắc
chung tải.
+ Đẩy kéo song: các phần tử tích cực
mắc song song về chế độ một chiều
mắc nối tiếp với nhau về chế độ xoay chiều
+ Đẩy kéo nối tiếp: các phần tử tích cực
mắc nối tiếp nhau về chế độ một chiều
mắc song song với nhau về chế độ xoay
chiều.
Đẩy kéo song song Đẩy kéo nối tiếp

T
cùng
loại
T
khác
loại
+ Xác định các tham số xoay chiều
- Công suất ra.
Theo đồ thị
1 ˆ ˆ Uˆ ra 2
Pra  U ra .I ra  .U ra.I ra 
hd hd 2 2.Rt
(U CE U CE ) 2
Pra  max min suy ra
2.Rt
U CC 2
Pra 
max 2.Rt
- Hiệu suất.

Pra 12
 max ; 0  UCC .itb ; itb  2.  IˆC sin(t ).d (t )
P0 0
max
IC U CC U CC2
 itb  2. max  2.  P0  2.   78,5(%)
max   .Rt max  .Rt
+ Đặc điểm: mạch khuếch đại công suất mắc đẩy kéo
- Chế độ một chiều: đối đẩy kéo song song dùng một
nguồn cung cấp. Đẩy kéo nối tiếp dùng hai nguồn cung
cấp.
- Chế độ xoay chiều đẩy kéo song dùng hai tải do vậy có
mạch biến đổi tải. Đẩy kéo nối tiếp dùng một tải.
- Chế độ làm việc: làm việc ở chế độ B hoạc chế độ AB
gần B. Chế độ này có đặc điểm điểm làm việc chỉ được
xác lập khi có tín hiệu vào.
Đối transistor NPN điểm làm việc chỉ được xác lập khi có
tín hiệu vào là pha dương.
Đối transistor PNP điểm làm việc chỉ được xác lập khi
có tín hiệu vào là pha âm.
2. Khuếch đại công suất đẩy kéo song song dùng
hai transistor cùng loại.
- BA1 biến áp đảo pha
tín hiệu tại A và tín
hiệu tại B ngược pha
- BA2 biến áp 2 biếnBấm
áp để thêm nội dung
biến đổi tải
- R1; R2 cấp nguồn T1; T2
- T1; T2 do vậy hai transistor giống nhau về tham số (chọn
cùng tên)
Nguyên lý hoạt động: giả sử tín hiệu tại A pha dương, tín
hiệu tại B pha âm. T1 điểm làm việc được xác lập.
T2 ở chế độ ngắt ICT1 ≠ 0; ICT2 = 0 chiều dòng ICT1
[+ UCC qua BA2 qua CE của T1 về - UCC ] trên tải nhận được
nửa chu kỳ tín hiệu.
Nửa chu kỳ tín hiệu tiếp theo tín hiệu tại A là pha âm thì tín
hiệu tại B là pha dương T1 chế độ ngắt T2 điểm làm việc tĩnh
được xác lập. ICT1 = 0; ICT2 ≠ 0, chiều của dòng điện ICT2 [+
UCC qua biến Áp BA2 qua CE của T2 về - UCC ] . Tại đầu ra
nhận nưa chu kỳ tín hiệu tiếp theo.
Biến áp có nhiệm vụ chuyển
công suất từ sơ cấp sang thứ cấp
U12 U 22 2
'  U1 .
P1 U1.I1  P2 U 2.I2  '  R
t
Rt  n2.Rt
Rt Rt U 22
Trong đó n hệ số biến áp được tính bằng tỉ số vòng dây sơ
cấp ( w1 ) và số vòng dây thứ cấp ( w2 ): n ww1
2
+ Tính công suất ra:

1 ˆ ˆ Uˆ ra 2
Pra  U ra .Ira  .U ra .Ira 
hd hd 2 2.Rt
Trong đó:
ˆ ˆ
n  UˆCE Uˆ ra  U CE
U ra n
Suy ra:
Uˆ CE
2
Pra  2
2.n .Rt
Theo đồ thị điện áp
Uˆ CE UCEmax UCEmin
2
ˆ 2 (U U )
 Pra  U CE 
CEmax CEmin
2.n 2.Rt 2.n 2.Rt

Từ đồ thị tính được công suất ra đạt giá trị cực đại.
(U CE U CE )2 2
U CC
Pra  max min  Pra  2
2.n 2.Rt max 2.n .Rt
2
U CC
Ta tính điện trở tải tối ưu Rt  2
2.n .Pra
max
+ Tính hiệu suất. P0  iC .UCC trong đó.
tb
1 ˆ 2.I C
iCtb   IC sin(t)d (t)iCtb  max
0 max 
IC U CC 2
U CC
P0  iC .UCC  P0  2.UCC . max  2.U CC . '
 2. 2
tb max   .Rt  .n .Rt
Pra 
 max .100  .100  78,5(%)
P0 4
max
3. Mạch khuếch đại công suất đẩy khéo nối tiếp dùng hai
transistor cùng loại.
+ Tác dụng các linh kiện trong sơ đồ.
- T khuếch đại đảo
pha.
- R1 , R2 điện trở cấp
nguồn cho KĐ đảo
pha và tầng KĐ công
suất,
- RC , RE tải một
chiều và tải xoay
chiều, RC = RE
- Rt tải tầng KĐ công suất
+ Nguyên lý hoạt động.
Giả sử tín hiệu vào pha
dương thì tín hiệu tại A
pha âm, t/h tại B pha
dương khi đó T1 chế độ
ngắt (ICT1 = 0)
T2 làm việc (ICT2 ≠ 0)
chiều dòng điện ICT2 [ GND → Rt → CET2 → -UCC ] trên
tải nhận ½ chu kỳ tín hiệu. Nửa chu kỳ tín hiệu tiếp theo
uvao pha âm tín hiệu tại A pha dương, tín hiệu tại B pha âm
khi đó T2 chế độ ngắt (ICT2 = 0), T1 làm việc (ICT1 ≠ 0)
chiều dòng điện ICT1 [+UCC → CET1 → Rt → GND]
4. Sơ đồ khuếch đại công suất mắc đẩy kéo nối tiếp dùng 2
transistor cùng loại nguồn một cực tính.
Nguồn một cực tính Nguồn hai cực tính

5. Sơ đồ khuếch đại công suất mắc đẩy kéo nối tiếp dùng 2
transistor khác loại.
Nguyên lý hoạt động. Giả sử tín hiệu vào pha dương khi đó
T2 chế độ ngắt (ICT2 = 0), T1 làm việc (ICT1 ≠ 0) chiều dòng
điện ICT1[+UCC → CET1 → Rt → GND]. Nửa chu kỳ tín hiệu
tiếp theo uvao pha âm khi đó T1 chế độ ngắt (ICT1 = 0), T2 làm
việc (ICT2 ≠ 0) chiều dòng điện ICT2
[ GND → Rt → CET2 → -UCC ]
+ Công suất ra
(U CE U CE )2 2
U CC
Pra  max min  Pra 
2.Rt max 2..Rt
+ Trở kháng ra.

rd .Rt
Zra  rd / / Rt  ()
rd  Rt
+ Hiệu suất.

Pra 1 2
 max ; P0  U CC .itb;itb  2.  IˆC sin(t ).d (t )
P0 0
max
IC U CC U CC2
 itb  2. max  2.  P0  2.   78,5(%)
max   .Rt max  .Rt
Chương VI. Khuếch đại thuật toán và ứng
dụng
§1. Khái niệm chung về khuếch đại thuật
toán và các tham số
1. khái niệm chung về khuếch đại thuật toán.
+ Khuếch thuật toán về cơ bản không có gì khác các bộ
khuếch khác dùng để khuếch đại. Khác nhau về tính chất,
đối với khuếch thuật toán hệ số khuếch đại không phụ thuộc
vào nội dung bên trong của KĐTT chỉ phụ thuộc vào các
linh kiện mắc phía ngoài.
+ Đối bộ khuếch đại dùng transistor hệ số khuếch đại phụ
thuộc vào chế độ làm việc và tham số của transistor
Đối bộ khuếch đại dùng transistor hệ số khuếch đại phụ
thuộc vào chế độ làm việc của transistor
Bộ khuếch thuật toán có 2 ngõ vào và một ngõ ra như hình
vẽ.
+ Cửa vào P gọi cửa vào thuận
có dòng điện vào IP và điện áp
vào UP ký hiệu dấu dương +
+ Cửa vào N gọi cửa vào đảo
có dòng điện vào IN và điện áp
vào UN ký hiệu dấu âm –
+ Điện áp Ud gọi điện áp vào hiệu: Ud = UP - UN
+ Bộ khuếch đại thuật toán có hệ số khuếch điện áp Kd
2. Các tham số của khuếch đại thuật toán.
+ Hệ số khuếch đại hiệu Kd : UP , UN ngược pha
U ra
Kd   U ra  K d .(U P  U N )  K d .U d
UP UN
+ Hệ số khuếch đại tín hiệu đồng pha: Với tín hiệu vào 2 cửa
U ra U UN
đồng pha K cm  trong đó U cm  P
cm
U cm 2
+ Hệ số nén tín hiệu đồng pha.

Kd
G
K cm
+ Điện trở vào và điện trở ra.
+ Dòng điện lệch không và điện áp lệch không.
3. Khuếch đại thuật toán lý tưởng.
+ Hệ số khuếch đại điện áp rất lớn Kd = ∞
U ra U ra
Kd   UP UN   0  UP  UN
UP U N Kd
+ Các dòng điện vào khuếch đại thuật toán bằng
không. IP = IN = 0 (A)
+ Trở kháng vào rất lớn. Zvào = ∞ (Ω)
+ Trở kháng rất nhỏ.
§2. Cấu trúc bên trong của khuếch thuật
toán
1. Sơ đồ khối.
1 Khuếch đại vi sai vào ra đối xứng.

2 Khuếch đại vi sai vào ra không đối xứng.
3 Khuếch đại mắc theo kiểu CC (DC).
4 Khuếch đại mắc theo kiểu EC (SC).
5 Khuếch đại công suất mắc theo kiểu đẩy kéo dùng hai
transistor khác loại.
Một khuếch đại thuật toán đầy đủ có 5 khối. Tùy theo mục
đích sử dụng mà KĐTT có it nhất 2 khối là khối 2 và 3.
2. Cấu trúc bên trong các khuếch đại thuật đơn giản.
§ 3. Các mạch khuếch đại cơ bản dùng
khuếch đại thuật toán
1. Mạch khuếch đại đảo dùng khuếch đại thuật toán.
Sơ đồ nguyên lý Sơ đồ nguyên lý hoạt động
Xác định tín hiệu ra dưới dạng điện áp ra ura = f(uvao ).

+ Khuếch đại thuật toán lý tưởng. UP = UN theo sơ đồ
tín hiệu tại cửa P bằng 0 suy ra tín hiệu tại của N=0
N được gọi là điểm đất ảo.
Viết phương trình dòng điện nút tại của N.
Ivào + Iht + IN = 0 (1)
Theo sơ đồ nguyên lý hoạt động ta tính các dòng điện.
U vao  U N U vao
I vao   vì:U N  U P  0
R R
U ra  U N U ra
I ht   vì:U N  U P  0
Rht Rht
Vì KĐTT lý tưởng IN = IP = 0 thay vào phương trình (1)
Ta có: U ra U vao
I ht  I vao  I N  I ht  I vao   0
Rht R
Từ phương trình trên ta tính tín hiệu tại đầu ra
Rht U ra Rht
U ra   .U vao  K u  
R U vao R
+ Với KĐTT có hệ số khuếch đại hữu hạn: rất lớn và các
dòng vào bằng 0. vì IN = 0 suy ra I = Iht
U vao  U ra U .R  U ra .R
U N  U vao  I .R  U vao  .R  vao ht
R  Rht R  Rht
U ra U U
Kd    ra  U N   ra
UP UN UN Kd
ta có:
Đồng nhất
U 
Uhai
ra

phương
U vao .Rht  Utrình
ra .R

trên.
U vao .Rht U ra U ra .R 
  
N 
Kd R  Rht R  Rht K
 d R  R ht 
R  Rht U ra U ra .R   R 1 R 
 U vao  .    U ra . (1  ).  
Rht  K d R  Rht   Rht K d Rht 
U vao  1 1 1   1 1 1   1 1  1
   (1  ).      (1  ).         
U ra  K u K d K u   K d K u K d  K
 u K d  Ku
Rht
 U ra   K u .U vao   .U vao
R
2. Khuếch đại thuận dùng KĐTT.
Xác tín hiệu ra dưới dạng điện áp (Ura).

+ Khuếch đại thuật toán lý tưởng.
Do Kd = ∞ suy ra UP = UN và các dòng điện chạy vào KĐTT
bằng không IP = IN = 0 suy ra UP = Uvào – IP .R = Uvào (1)
UN = I0 .R0 theo sơ đồ nguyên lý hoạt động I0 = Iht
ta tính dòng điện I0
U ra U ra
I0   U N  I 0 .R0  .R0 (2)
R0  Rht R0  Rht
Đồng nhất hai U

phương trình 1, 2. Rht
U N  I 0 .R0  ra
.R0  U P  U vao  U ra  (1  ).U vao
R0  Rht R0
Rht
K u  (1  )
R0
Hệ số khuếch đại điện áp.
+ KĐTT không lý tưởng: Kd rất lớn và các dòng vào KĐTT
bằng 0. Do IP = IN = 0 suy ra UP = Uvào – IP .R = Uvào
Do IP =I 0IN = U
0 rasuy U ratín hiệu tại cửa N.
raUINht =II00.R0ta tính .R0
R0  Rht R0  Rht
U ra U U ra U
Kd   U P  U N  ra  U vao  .R0  ra
UP U N Kd R0  Rht Kd
Từ phương trình trên tính tín hiệu ra.
U ra U ra
U vao  .R0 
R0  Rht Kd
 1 R0   1 1  1
 U vao  U ra .     U ra .     U ra .
 K d R0  Rht   Kd Ku  Ku
Rht
 U ra  (1  ).U vao
R0
Với R0 = ∞ tín hiệu ra và tín hiệu vào bằng nhau Uvào = Ura
hoặc Rht = 0 thì Uvào = Ura tương đương sơ đồ khuếch đại
mắc CC (DC)
§ 4. Các mạch tính toán tuyến tính dùng
KĐTT
1. Mạch cộng đảo dùng KĐTT.
+ Mạch cộng đảo có hai tín hiệu vào.
Tín hiệu ra bao gồm cả hai tín hiệu vào. KĐTT lý tưởng
Kd = ∞ suy ra UP = UN =0 và IP = IN = 0; N điểm đất ảo.
Để xác định tín hiệu ra ta viết phương trình dòng điện nút
tại cửa N: I1 + I2 + Iht + IN = 0 (1)
U1  U N U1
I1   vìU N  U P  0
R1 R1
U2 U N U2
I2   vìU N  U P  0
R2 R2 Bấm để thêm nội dung
U ra  U N U ra
I ht   vìU N  U P  0
Rht Rht
Thay vào phương trình 1 để xác định điện áp ra.
U1 U 2 U ra  U1 U 2 
   0  U ra   Rht .   
R1 R2 Rht R
 1 R2 
2
Ui
 U ra   Rht .
i 1 Ri
+ Mạch cộng đảo với n tín hiệu vào.
Để xác định tín hiệu ra ta viết phương trình dòng điện nút
tại cửa N: I1 + I2 + …+ In + Iht + IN = 0 (1)
Ui U N Ui
Ii   vìU N  U P  0
Ri Ri
U ra  U N U ra
I ht   vìU N  U P  0
Rht Rht
Thay vào phương trình 1 để xác định điện áp ra.
n
U i U ra n
Ui

i 1 Ri

Rht
 0  U ra   Rht .
i 1 Ri
2. Mạch cộng thuận dùng KĐTT.

KĐTT lý tưởng: Kd = ∞ suy ra UP = UN và IP = IN = 0

Do IN = 0 suy ra I0 = Iht ta tính được tín hiệu tạ cửa N.
U ra
U N  I 0 .R0  .R0 (1)
R0  Rht
Viết
n
phương trình n
dòng điện nút tại nút P.
Ui  U P Ui U P

i 1
I i  I P  0  
i 1
I i  0vìI P Trong đó. I i 
Ri
 
Ri Ri
Thay vào phương trình
n
Ui n
UP n
1

i 1 Ri

i 1 Ri
 U P . ;(1)
i 1 Ri Thay UN vào phương trình (1)
ta xác định được tín hiệu ra.
Ui n
n
Ui n
UP U ra n
1

Rht i 1 Ri

i 1 Ri

i 1 Ri

R0  Rht
.R0 .  U ra  (1 
i 1 Ri R0
). n
1
i 1 Ri
3. Mạch trừ dùng KĐTT.
+ Mạch trừ hai tín hiệu vào.
KĐTT lý tưởng Kd = ∞ suy ra UP = UN và IP = IN = 0

Để xác định tín hiệu ra ta xác định tín hệu tại cửa N và cửa P
- Xác định điện áp UP . Viết phương trình dòng điện tại nút P.
I1 - I0 – IP = 0 (1)
U 1  U P U1 U P UP
Theo sơ đồ nguyên lý. I1    ; I0  ; IP  0
R1 R1 R1 R0
Thay vào phương trình (1)
U1 U P U P 1 1 R0
I1  I 0     0  UP (  )  .U1 ;(2)
R1 R1 R0 R1 R0 R0  R1
Tính tín hiệu tại cửa N. Viết phương trình dòng điện tại nút N.
I 2  I ht  I N  0;(3)
U2 U N U2 U N U ra  U N
I2    ; I ht  ; IN  0
R2 R2 R2 Rht
Thay vào phương trình ( 3 ).
U 2  U N U ra  U N
I 2  I ht  I N   0
R2 Rht
U 2 U ra 1 1
  U N .(  );(4)
R2 Rht R2 Rht
Để đơn giản phép tính đặt. Rht = R0 = a.R1 = a.R2 thay vào
phương trình (2), (4). Xác định điện áp ra.
Ura = a.(U1 – U2 )
+ Mạch trừ có nhiều đầu vào. Để đơn giản cho phép tính tính
điện áp ra mạch điện tử sau.
Để xác định điện áp ra theo các tín hiệu vào dựa trên sơ đồ
nguyên lý hoạt động.
Xác định điện áp UP và UN đòng nhất phép tính.
- Viết phương
n
trình dòngn điện nút tại nút P.
 I i  I 0  I P   Ii  I0  0
i 1 i 1
UP U i  U P ai .(U i  U P )
I0  ; Ii  
R0 R0 R0
ai
Thay phương trình trên ta có.
n n
ai .(U i  U P ) U P n n

i 1
Ii  I0  
i 1 R0

R0
  ai .U i  U P .( ai  1);(1)
i 1 i 1
- Viết phương trình dòng điện nút tại nút N.
m m
 k ht N  k  I ht  0
I '
k 1
 I  I  I '
k 1
U ra  U N U k  U N ak' .(U k  U N )
I ht  ; Ik  
Rht Rht Rht
ak'
Thay phương trình trên ta có.
m
ak' .(U k  U N ) U ra  U N
m

k 1
I k  I ht  
k 1 Rht

Rht
m m
  ak' .U k  U ra  U N .( ak  1); (2)
k 1 k 1
m n m n
Nếu: ( ak'  1)  ( ai  1)   ak' .U k  U ra   ai .U i
k 1 i 1 k 1 i 1
n m
 U ra   ai .U i   ak' .U k
i 1 k 1
4. Mạch tạo điện áp ra có cực tính thay đổi.

Do IN = 0 suy ra I1 = Iht theo sơ đồ ta tính điện áp UN
U vao  U ra U vao  U ra U vao
U N  U vao  .Rht  UP  .q.R1  q.U vao
2.Rht 2 R1
Đồng nhất 2 phương trình U ra  (1  2.q).U vao ; q = 0 → Ura = Uvao
q = 1 → Ura = - Uvao ; q = 0,5 → Ura = 0
5. Mạch khuếch đại tuần hoàn (xiếc cua la to) dùng KĐTT.
Mạch khuếch đại tuần hoàn là mạch có ít nhất ba đầu vào
mang tính chất sau.
- Tín hiệu tại 1 của nếu chuyển
tiếp cửa tiếp theo theo chiều mũi tên.
- Tín hiệu khi đi qua cửa hở mạch không
thay đổi.
- Tín hiệu hạ trên cửa nào nếu cửa đó đặt
điện trở RM
+ Cấu trúc bên trong của mạch Kđại tuần hoàn 3 ngõ vào
+ Một ngõ vào Kđại tuần hoàn

- I = 0 theo tính chất Uvao = Ura
KĐTT lý tưởng IP = IN = 0 →
UP = UN = Uvao = Ura
- Đặt vào cửa 1-1 điện trở RM theo tính
chất Ura = 0 do IP = IN = 0 → UP = (Uvao /2) → Ura = 0
- Đặt vào cửa 1-1 điện áp U và Uvao = 0 → Ura = 2.U
+ Xét trường hợp ngẫu nhiên.
Cửa U1 đặt điện áp u1 , cửa U2 hở mạch, cửa U3 đặt điện

trở RM
n
+ Xét tính chất I
i 1
i 0
Tại P1 ; P2 ; P3 Tại nút N1 , N2 , N3

 U6  U1 U1  U6  U6  U1 U5  U1
  I  0  I    0  U6  U5  2U1  0
R
1 1
RM 
 M
 RM RM
 U4  U2 U2  U 4  U5  U2 U4  U2
  I 2  0  I 2     0  U5  U4  2U2  0
 R M RM  R M RM
U  U U  U5 U  U U  U
 5 3
 I 3  0  I3  3  4 3
 6 3
 0  U6  U4  2U3  0
 RM RM  RM RM
Từ hai hệ phương trình loại bỏ điện áp
U4 , U5 , U6 tính được dòng điện I1 , I2 , I3
 U 2  U3
1 I 
 RM
 U  U1
  I2  3  I1  I2  I3  0
 RM
 U1  U2
3 I 
 RM
+ Tạo ra cuộn cảm (L).
Nếu cửa 1 – 2 đặt tụ điện
có giá trị C thì cửa 3 – 1
sinh ra cuộn cảm có giá
trị L
 3  U 1
U
Z L  ; I2  U 1  U 2 . jC
I3
Ta có U   U U  U
I2  3 1
; I3  1 2
RM RM
Ta tính được giá trị cuộn cảm
2
L  C. R M
§ 5. Các mạch tính toán phi tuyến dùng
KĐTT
1. Mạch khuếch đại tích phân dùng KĐTT.
a. Mạch khuếch đại tích phân đảo.
+ Khuếch đại thuật toán lý tưởng. UP = UN theo sơ đồ tín hiệu tại cửa
P bằng 0 suy ra tín hiệu tại của N = 0. N gọi là điểm đất ảo.
KĐTT lý tưởng: IP = IN = 0 để xác định điện áp ra viết
phương trình dòng điện tại nút N. Theo sơ đồ nguyên lý hoạt
động. Ivao + iht – IN = 0 ; (1)
U vao  U N U vao
I vao   vì:U N  U P  0
R R
d (U ra  U N ) d (U ra )
iht  Cht .  Cht . vì:U N  U P  0
dt dt
Thay vào phương trình (1) xác định điện áp ra.
U vao d (U ra ) 1
I vao  iht   Cht .  U ra   . U vao .dt
R dt R.Cht
giả sử 1
T
U
T
uvao (t )  U m sin t  ura (t )   . U m .sin t   m . sin t
R.Cht 0 R.Cht 0
Um ura (t ) 1
 ura (t )   .cos t  K u  
R.Cht . uvao (t ) R.Cht .
b. Mạch khuếch đại tích phân tổng đảo dùng KĐTT.
+ Khuếch đại thuật toán lý tưởng. UP = UN theo sơ đồ tín hiệu

tại cửa P bằng 0 suy ra tín hiệu tại của N = 0. N gọi là điểm
đất ảo. Xác định điện áp ra theo sơ đồ nguyên lý hoạt động.
+ Viết phương trình dòng điện tại nút N.
m m
I
i 1
i  iht  I N   I i  iht  0; I N  0;(1)
i 1
Theo sơ đồ nguyên lý hoạt động ta tính các dòng điện.
d (U ra  U N ) d (U ra )
iht  Cht .  Cht . vì:U N  U P  0
dt dt
Ui  U N Ui
Ii   vì:U N  U P  0
Ri Ri
Thay vào phương trình (1).
m m
Ui d (U ra ) 1 m
Ui

i 1
I i  iht    Cht .
i 1 Ri dt
 U ra   .  .dt
Cht i 1 Ri
c. Mạch khuếch đại tích phân không đảo.
Để xác định điện áp ra ta xác định điện áp tại cửa N và cử P.
+ Viết phương trình dòng điện tại nút N. iht - I - IN = 0 (1)
d (U ra  U N ) d (U ra ) d (U N ) UN
iht  C.  C.  C. ;I  ; IN  0
dt dt dt R
Thay phương trình (1) ta có.
d (U ra  U N ) U N d (U ra ) d (U N ) U N
iht  I  C.   C.  C.  0
dt R dt dt R
d (U ra ) d (U N ) U N d (U ra ) d (U N )
 C.  C.   RC.  R.C.  U N ;(2)
dt dt R dt dt
+ Viết phương trình dòng điện tại nút P. Ivao – IP – i0 = 0 (3)
d (U P ) U vao  U P U vao U P
i0  C. ; I vao    ; IP  0
dt R R R
Thay vào phương trình (3) ta có.
U vao U P d (U P ) d (U P )
I  i0    C.  0  U vao  U P  R.C. ;(4)
R R dt dt
Đồng nhất hai phương trình (2) và (4).
d (U P ) d (U ra ) d (U N )
U vao  U P  R.C.  R.C .  R.C. UN
dt dt dt
d (U ra ) 1
 U vao  R.C.  U ra  . U vao .dt
dt R.C
d. Mạch tích phân kép.
Xác định điện áp ra theo điện áp vào viết phương trình dòng
điện tại các nút theo sơ đồ nguyên lý hoạt động chiều dòng
điện như hình vẽ. KĐTT lý tưởng: Kd = ∞ suy ra UP = UN = 0
và IP = IN = 0, N gọi điểm đất ảo.
+ Tại nút 1: d (U 3  U1 ) U 2  U1
C.   I N  0; vìU1  U N  0
dt R
d (U 3 ) U 2 d (U 3 )
 C.   0  U 2   R.C. ;(1)
dt R dt
+ Tại nút 2:
U vao  U 2 U 2  U1 d (U 2 )
  2.C.  0; vìU1  U N  0
R R dt
U vao d (U 2 ) U2 d (U 2 )
  2.C.  2.  0  U vao  2U 2  .2.R.C. ;(2)
R dt R dt
+ Tại nút 3:
d (U ra  U 3 ) U3 d (U 3  U1 )
C.  2.  C.  0; vìU1  U N  0
dt R dt
d (U ra ) U2 d (U 3 )
 C.  2.  2.C. 0
dt R dt
d (U ra ) d (U 3 )
 R.C.  2.U 3  2.R.C.  0;(3)
dt dt
Rút U2 từ phương trình (1) thay vào phương trình (2)
2
d (U 3 ) 2 2 d (U 3 )
U vao  2.R.C.  2.R .C . 2
 0;(4)
dt dt
Vi phân toàn phần phương trình (3) theo t.
2 2
2 2 d (U ) d (U ) 2 2 d (U 3 )
R .C . 2
ra
 2.R.C. 3
 2.R .C . 2
 0;(5)
dt dt dt
1
Cộng hai phương trình (4,5): U ra   2 2 . U vao dt 2
R .C
2. Mạch khuếch đại – Tích phân (PI).
KĐTT lý tưởng: Kd = ∞ suy ra UP = UN = 0 và IP = IN = 0, N gọi

điểm đất ảo. U vao  U N U vao
I vao   ; vìU N  U P  0
R R
Vì IP = IN = 0 → Ivao = iht → Xác định điện áp đặt trên Rht và Cht
U vao U vao 1 1
U Rht  iht .Rht  Rht . ; uCht   . .dt   U vao dt
R R Cht R.Cht
Điện áp ra. Ura = -(Urht + uCht ).
U vao 1
U ra  (U Rht  uCht )  ( Rht .
R

R.Cht  U vao dt )
Giả sử: Uvao = Um cosωt
Rht 1
U ra  (U Rht  uCht )  U m ( .cos t  .sin t )
R R.Cht .
Hệ số khuếchđại điện áp Ku .
U ra 1 Bấm 2để thêm1nội dung 1 Rht2 . 2 .Cht2  1
Ku  
 . Rht  2 2  .
U vao R  .Cht R  2 .Cht2
- ω < ω0 Mạch mang tính chất
của mạch KĐ tích phân 1
U ra   .sin t )
R.Cht .
- ω > ω0 Mạch mang tính chất mạch KĐ
Rht
U ra   .U vao
R
3. Mạch khuếch đại vi phân.
KĐTT lý tưởng: Kd = ∞ suy ra UP = UN = 0 và IP = IN = 0,

N gọi điểm đất ảo. Xác định điện áp ra viết phương trình
điện tại nút N.ivao + Iht – IN =0
d (U vao  U N ) (U ra  U N )
C.   I N  0; vìU N  U P  0
dt Rht
d (U vao ) U ra dU vao
 C.   0  U ra   Rht .C.
dt R dt
4. Mạch khuếch đại – Tích phân – Vi phân (PID).

N gọi điểm đất ảo.
Viết phương trình dòng điện tại nút N.
U vao  U N d (U vao  U N )
 C.  iht  0; vìU N  U P  0; I N  0
R dt
Phương trên rút gọn lại.
U vao dU vao U vao dU vao
 C.  iht  0  iht  (  C. )
R dt R dt
Theo sơ đồ nguyên lý hoạt động ta tính điện áp ra.
1
U ra  Rht .iht  . iht .dt
Cht
U vao dU vao 1 U vao dU vao
 U ra   Rht .(  C. ) . (  C. ).dt
R dt Cht R dt
Rht C 1 dU vao
U ra  (  ).U vao  . U vao .dt  Rht .C.
R Cht R.Cht dt
- ω < ω1 Mạch mang tính chất mạch tích phân
- ω1 < ω < ω2 Mạch mang tính chất mạch KĐ
- ω2 < ω Mạch mang tính chất mạch vi phân
5. Mạch khuếch đại loga dùng KĐTT.
a. Mạch khuếch đại loga dùng KĐTT và diode.

UD UD U ra U N U ra
UT UT UT UT
I D  I 0 .(e  1)  I 0 .e  I 0 .e  I 0 .e
U ra U N U ra
U vao  U N UT U vao UT
I vao  I D  I N  0   I 0 .e   I 0 .e 0
R R
U vao
 U ra  U T ln( )
R.I 0
b. Mạch khuếch đại loga dùng KĐTT và transistor.
U BE U BE U ra
UT UT UT
I C  I EBH .(1  AN ).(e  1)  I EBH .(1  AN ).e  I EBH .(1  AN ).e

U BE
U vao  U N UT
I vao  I C  I N  0   I EBH .(1  AN ).e 0
R
U BE U ra
UT U vao UT
I EBH .(1  AN ).e   I EBH .(1  AN ).e 0
R
U vao
 U ra  U T ln( )
R.I EBH . AN
6. Mạch khuếch đại đối loga dùng KĐTT.
a. Mạch khuếch đại đối loga dùng KĐTT và diode.
Mạch KĐ loga Mạch KĐ đối loga (eX )

UD UD U vao U N U vao
UT UT UT UT U ra
I D  I vao  I 0 .(e  1)  I 0 .e  I 0 .e  I 0 .e ; I ht 
R
U vao U vao
UT U ra UT
I ht  I vao  I 0 .e   0  U ra   R.I 0 .e
R
a. Mạch khuếch đại đối loga dùng KĐTT và
Transistor.
vì KĐ thuật toán lý tưởng

U vao U vao
UT UT U ra
I C  I vao  I EBH (1  AN ).(e  1)  I EBH (1  AN ).e ; I ht 
Rht
U vao U vao
UT U ra UT
I ht  I vao  I EBH (1  AN ).e   0  U ra   Rht .I EBH (1  AN ).e
Rht
Next To
§1. Khái niệm chung mạch tạo dao động
- Định nghĩa: Là mạch điện tử có khả năng tự tạo ra tín hiệu
có dạng chu kỳ.
- Phương pháp thiết kế mạch dao động.
+ Tần số thấp dùng mạch dao động RC.
+ Tần số cao dùng mạch dao động LC, và thạch anh.
- Tác dụng các linh kiện trong mạch điện tử.
+ Các phần tử tích cực có nhiệm vụ biến đổi năng lượng
một chiều thành năng lượng xoay chiều.
+ Các thành phần thụ động (R, L, C) dùng để duy trì khả năng
biến đổi của các phần tử tích cực.
- Các tham số mạch dao động.
+ Tần số dao động (f).
+ Biên độ tín hiệu (Um ).
+ Độ ổn định tần số tương đối ( f )
+ Công suất đầu ra của mạch dao động Pra .
+ Hiệu suất biến đổi năng lượng một chiều của các phần tử
tích cực.
- Nguyên tắc mạch dao động.
+ Tạo dao động theo nguyên tắc dùng hồi tiếp (hồi tiếp
dương).
+ Tạo dao động theo nguyên tắc tổng hợp mạch.
§2. Điều kiện mạch của mạch dao động
• Phần tử tích cực có hệ số khuếch đại. K  K .e jk
jht
• Phần tử hồi tiếp có hệ số khuếch đại: K ht  K ht .e
φk góc di pha của phần tử
tích cực.
φht góc di pha của phần tử
hồi tiếp
- Điều kiện cần và đủ để mạch tự tạo ra tín hiệu:

j.(  )
K .K  K .K .e k ht  1
ht ht
- Điều kiện cần: K.Kht = 1; Điều kiện đủ: K ht  2. .n
Ví dụ. Cho mạch điện tử như hình vẽ
uvào = up = uht và
ta có.
Để xác định điện áp ra viết phương trình dòng điện tai nút 1.
Tại nút 1 ta có 3 dòng điện như hình vẽ.
Đặt .
- α > 0 suy ra Ku .Kht <1 mạch dao động tắt dần.

- α = 0 suy ra Ku .Kht =1 mạch dao động với điện áp ra dạng
hình sin có công thức toán học.
tần số
- α < 0 suy ra Ku .Kht >1 mạch dao động tăng dần theo hàm
số mũ bị bão hòa.
Từ việc tính toán trên ta có nghuyên lý hoạt động
+ thời điểm ban đầu α < 0 khi đó Ku .Kht >1 mạch dao động
có biên độ tín hiệu tăng dần theo hàm mũ trở về trạng thái bão
hòa mạch chuyển sang trạng thái.
+ Khi α = 0 khi đó Ku .Kht = 1 tại thời điểm mạch dao động
được xác lập.
§3. Phương pháp tính toán mạch dao động.
Có nhiều phương pháp tính toán mạch dao động ta xét
phương pháp thông dụng nhất được xây dựng trên cơ sở bộ
khuếch đại có hồi tiếp dương.
Mạch thỏa mãn điều kiện cân bằng biên độ và điều kiện
cân bằng về pha Ku .Kht = 1, K   2. .n
ht
Tính toán mạch
dao động 3 điểm
như hình vẽ
Khung cộng hưởng bao gồm C1 nt C2 và song song L.
R1, R2 điện trở cấp nguồn cho transistor
1 C1.C2
trong ®ã 0  ; Ctd 
L.Ctd C1  C2
Nguyên lý hoạt động: giả sử cấp nguồn cung cấp UCC do
có R1 và R2 làm cho transistor khuếch đại → IC ≠ 0 tạo ra dao
động cộng hưởng tín hiệu trong khung được hồi tiếp (uht ≠ 0)
về thông qua tụ điện Cn làm cho IC = IE tăng lên → UE =RE.IE
tăng → điện áp UBE = UB – UE = 0 transistor chuyển về chế độ
ngắt IC = 0 → uht = 0 → có điện trở cấp nguồn R1 và R2 làm
cho transistor ở chế độ khuếch đại. Quá trình diễn ra như vậy
tạo ra tín hiệu tại ura ≠ 0
• Cách tính toán:
• Bước 1. Tính hệ số khuếch đại điện áp. Ta có hệ số khuếch
• đại điện áp đã được tính trong chương khuếch đại tín hiệu
• xoay chiều.
• Rtd điện trở của khung cộng hưởng tại tần số cộng hưởng
• Trong đó L điện cảm khung cộng hưởng
• c điện dung do khung cộng hưởng
• r điện trở tổn hao công suất của cuộn cảm
Zvào phẩn ánh trở kháng vào phản ánh CE như ta đã biết khi
thiết kế mạch khuếch đại h11 << (R1 //R2) khi đó trở kháng
vào ánh được như sau.
ZV h11
ZVPanh  2  2 ; trong ®ã n hÖsè ph¶n ¸ nh
n n
Rtd h11
. 2
uBE C1 h21 (1  n) n 2
n   Ku   .
uCE C2 h11 Rtd h11
2
 2
(1  n) n
Bước 2.
uBE C1
Xác định hệ số khuếch đại hồi tiếp. K ht     n
uCE C2
Bước 3. xác định hệ số khuếch đại
Rtd .h21
Ku .K ht  n. 2 2
n . Rtd  h11.(n  1)
Bước 4. sử dụng điều khiện để mạch dao động.
2 2 Rtd h21
Ku .K ht  1  (1  n)  n .  . Rtd .n  0
h11 h11
Bước 5. xác định n để mạch tự dao động bằng cách giải
phương trình trên.
2 Rtd h21 h21 2 h11
n.  n. . Rtd  1  0  n1,2   ( )   n2  n  n1
h11 h11 h11 Rtd
Mạch dao động hình sin và xác lập tại n1 và n2 khi đó
Ku.Kht = 1.
Bước 6. xác định tần số mạch dao động.
1
fdd  fch 
C1.C2
2. . L.
C1  C2
Ứng dụng mạch dao động trong bộ nguồn ổn
áp (biến đổi điện áp sang điên áp)
Ứng dụng mạch dao động trong bộ nguồn ổn áp xung
(biến điện áp một chiều thành điện áp xoay chiều)
§4. Các Mạch dao động
1. Ổn định biên độ trong bộ dao động.
a. Chế độ dao động mềm và dao động cứng.
- Thời điểm ban đầu ta cấp nguồn sao cho Transistor có góc
cắt Ø ≥ 1800 khi đó hố dẫn Transistor lớn dẫn hệ số khuếch
đại điện áp lớn thỏa mãn điều kiện cân bằng biên độ
Ku.Kht > 1 khi đó mạch dao động có biên độ tăng dần theo
hàm mũ. Chế độ này người ta gọi là chế độ dao động mềm.
- Khi biên độ đạt đến độ mức độ cần thiết thì mạch tự điều
chỉnh sao cho góc cắt Ø ≤ 1800 hố dẫn của Transistor giảm
xuống trước khi Transistor bị bão hòa khi đó Ku.Kht = 1biên
độ tín hiệu không thay đổi gọi chế độ dao động cứng
- Mạch điện tử muốn dao động được nó chuyển từ chế độ
dao động cứng sang chế độ dao động mềm thông qua RE ,
CE khi dao động tăng dần dòng điện IE tăng dần, điện áp UE
tăng làm cho điện áp UBE giảm dần
b. Dao động ngắt quãng.
Nếu chọn RE quá lớn khi dao động bắt đầu sinh ra nó mất
đi Ku.Kht < 1 đó là hiện tương dao động ngắt quãng để khắc
phục hiệng tượng này ta chọn RE
2. Mạch dao động ghép biến áp (mạch dao động LC)
Tần số dao động

chính là tần số cộng
hưởng của khung
C//L
1
j L   0  1   2 . L.C  0
j C
1
fCH 
2. . L.C
Trong đó khung dao động cuộn cảm và tụ điện, tần số tính
được tần số.
f dd  fCH  1
2. . L.C
Minh họa mạch dao động ghép biến áp (mạch dao
động LC)
Mạch dao động ghép biến áp mắc EC.
Xét điều kiện cân bằng về pha.
u ra  K u .ub   S.Z C .u b
Dòng điện chạy qua cuộn cảm
L được tính.
I  u ra
L
j L
dòng điện IL tạo ra thứ cấp biến
áp điện áp hồi tiếp uht được tính
u ra M M 
u ht  . j M  u ra   .S.ZC .u b
j L L L
Từ biểu thức trên ta thấy S, ZC , L là số dương suy ra M < 0
Điều kiện cân bằng pha (2 cuộn dây ghép ngược chiều).
b. Xét điều kiện cân bằng biên độ.
h21 h21 1 1 n2 1
Ku   S.ZC ;( S   );   
h11 rBE ZC Rtd h11 Zt
2
1 1 1 1 n 1 h11. Z
®Æt   suy ra   suy ra ZC 
Z Rtd Zt ZC h11 Z h11  n 2 . Z
ub M
K ht       n; m¹ ch dao ®éng ® î c Kht . Ku  1
uC L
2 h21
ta cã ph ¬ng tr×nh n  n.h21  0
2
h21 h21 2 h11
 n1,2   ( ) 
2 2 Z
3. Mạch dao động ba điểm.
Sơ đồ nguyên lý mạch dao Sơ đồ tương đương
động ba điểm
Zt Z2.(Z1  Z3) U Z1
K .K 1; K   Kd . ; Zt  ; Kht  N 
ht rn  Zt Z2  Z1  Z3 U ra Z3  Z1
Z1.Z2
K .Kht  Kd . Z  j.X ; Z  j.X ; Z  j.X
rn.(Z1  Z2  Z3)  Z2.(Z1  Z3) 1 1 2 2 3 3
X1.X 2
K .Kht  K d . 1
rn.( X1  X 2  X 3 )  X 2.( X1  X 3 )
Tại tần số cộng hưởng ta có:
X1  X 2  X 3  0; Suy ra X1  X 3  X 2
X1
K .Kht  Kd . 1
X2
Suy ra X1 ; X2 cùng dấu X3 ngược dấu
- Nếu: X1 > 0; X2 >0 thì X3 < 0 dao động ba điểm
điện cảm
- Nếu: X1 < 0; X2 < 0 thì X3 > 0 dao động ba điểm
điện dung
Đối với mạch dao động thạch anh xây dựng trên cơ sở
các mạch dao động RC và LC.
a. Mạch dao động ba điểm điện cảm dùng
Transistor (mạch dao động LC) Hartley
C
L1
E
C
L2
Tần số dao động

chính là tần số
cộng hưởng của
khung C//L1 nt L2
1
Z  j.( L1  L2 )  0
j.C
Khung dao động bao gồm cuộn cảm (L2, L1) mắc song song
với tụ điện C. Tần số : f  1
dd
2. . ( L1  L2 ).C
Sơ đồ minh họa mạch dao động ba điểm
điện cảm dùng Transistor
+ Theo sơ đồ nguyên lý trong khung gồm (L1 , L2) //C gồm
có 3 điểm tương ứng với 3 cực của Transistor sinh ra dao
động cộng hưởng.
X1 = ωL2 → Z1 = j. ωL2 > 0; X2 = ωL1 → Z2 = j. ωL2 > 0;
X3 =1/ (ωC)→ Z3 = 1/(j. ωC) = - (j/ ωC) < 0;
+ Xác định điều kiện mạch tự dao động.
2 h11
h21 P . Rtd . 2 h11
Ku   S.ZC   . n ; trong ®ã Z p ¸ nh  2 ;
h11 2 h11 n
P . Rtd  2
n
uCE L1 1 uBE L2
P   ; K ht      n
utd L1  L2 n  1 uCE L1
Theo điều kiện cân bằng biên độ ta có phương trình
và giải phương trình ta được điều kiện để mạch tự
dao động.
2 2
Ku .Kht  1  (1  n ).h11  n . Rtd  n. Rtd .h11  0
2 2Rtd h21
 (1  n )  n .  n. Rtd . 0
h11 h11
Giải phương trình ta được hai nghiệm.
h21 h11 2 h11 h21 h11 2 h11
n2   ( )   n  n1   ( ) 
2 2 Rtd 2 2 Rtd
1 1
.( L1  L2 )   0  fdao ®éng 
.C 2. ( L1  L2 ).C
Mạch dao động điện cảm mắc BC.
X1 = ωL2 → Z1 = j. ωL2 > 0;
X2 = ωL1 → Z2 = j. ωL2 > 0;
X3 =1/ (ωC)
→ Z3 = 1/(j. ωC) = - (j/ ωC) < 0;
Trong mạch mắc BC ta có hệ
khuếch đại hồi tiếp và hệ số
phản ánh.
uBE L2
K ht    n; P  1.
uCB L1  L2
Nguyên lý hoạt động mạch dao động.

b. Mạch dao động ba điểm điện dung dùng Transistor
(mạch dao động LC colpits)
Khung dao động bao gồm cuộn
cảm L mắc song song với C2, C1
Transistor mạch khuếch đại mắc
EC. R1, R2 điện trở cấp nguồn
Cn tụ ghép tầng, RE điện trở gây
ra hồi tiếp âm một chiều điều
chỉnh điểm làm việc để thay đổi
hố dẫn (S). X1 = (1/ω.C2) → Z1 = (1/j. ω.C2) = - (j/ω.C2) < 0
X2 = (1/ω.C1) → Z2 = (1/j. ω.C1) = - (j/ω.C1) < 0
X3 = ω.L → Z3 = j.ω.L > 0; Kht = (uBE / uCB) = C1/(C1 +C2)
Hệ số phản ánh giữ Transistor và khung cộng hưởng P =1.
Phân tích nguyên lý hoạt động. C
Tần số dao động tính, tại tần số C 1
cộng hưởng trở kháng E L
C
khung cộng hưởng (C1 nt C2 // L)
2
B
bằng 0.
1 1 C1.C2
Z  j. L   2
 0   . L. 1
j.C1 j.C2 C1  C2
1
  2. . f  fdao ®éng  fCH 
C1.C2
2 L.
C1  C2
Sơ đồ minh họa mạch dao động ba điểm
điện dung dùng Transistor
c. Mạch dao động CLAPP dùng Transistor
Là mạch dao động biến dạng
của mạch dao động ba điểm điện
dung. fdd cộng hưởng nhánh điện
cảm được thay bởi L nối tiếp C
Trở kháng tương đương với trở
kháng cuộn cảm, như vậy tần số
dao động không thay đổi
hệ số ghép giữ Transistor khung cộng hưởng.
uCE Ctd 1 1 1 1
P  trong ®ã    th«ng th êng chän
utd C1 Ctd C1 C2 C
C
C C1 ; C C2  C  Ctd  P  1
C1
Theo điều kiện cân bằng biên độ ta có phương
trình.
2 C1 2
n . Rtd  n.h21 Rtd  h11 ( )  0
C
h21 h21 2 h11 C1 2 h21 h21 2 h11 C1 2
n2   ( )  .( )  n  n1   ( )  .( )
2 2 Rtd C 2 2 Rtd C
§5. Các mạch dao động thạch anh
1. Tính chất và mạch tương đương thạch anh.
+ Tính chất của thạch anh.
- Dưới sự tác động điện trường thạch anh sinh ra dao động
cơ học.
- Dưới sự tác động cơ học thạch anh tích điện.
- Thạch anh rất bền về cơ học và hóa học.
- Không chịu tác động điều kiện môi trường.
Ký hiệu Sơ đồ tương đương
Ví dụ thạch anh f = 1 MHz khi đó Cp = 5 pF; rq = 60 Ω;
Cq = 0,016 pF; Lq = 1,5 H
Trong thực tế rq rất nhỏ
1 trở1kháng tương đương thạch anh
( j Lq  ).
jCq jCP  2 Lq Cq  1
Z 
1 1  .( C  C   2
Lq Cq C p )
j Lq   q P
j Cq j CP
Từ biểu thức trên ta thấy thạch anh có hai tần số cộng hưởng
2 1
Z  0   Lq Cq  1  0  fnèi tiÕp 
2 Lq .Cq
2 1
Z    Cq  Cp   Lq Cq C p  fcéng h áng song song 
Cq  C p
2
Lq Cq C p
Trong thực tế chế tạo có tần số 1KHz đến 100KHz nếu tăng
giảm dùng mạch chia tần hoặc nhân tần.
2. Các mạch dao động thạch anh.
§6. Mạch dao động RC
1. Đặc điểm mạch dao động RC.
- Các bộ dao động RC thường được dùng ở phạm vi tần số
thấp. Ưu điểm gọn nhẹ.
- Các thiết kế đơn giản rễ điều chỉnh vì không có cuộn
cảm do đó có thể thuận tiện cho việc gói vào vi mạch.
- Điều chỉnh tần số trong phạm vi lớn lớn mạch dao động
LC vì trong mạch dao RC tần số tỉ lệ với (1/C), trong mạch
(1 / C )
dao động LC tỉ lệ
- Mạch hồi tiếp mang tính chất RC nên không có tính chất
cộng hưởng, Transistor làm việc ở chế A.
- Hồi tiếp RC phụ thuộc tần số mạch dao động khi thỏa
mãn điều kiện về pha.
2. Mạch dao động RC dùng phương pháp di pha.
Nguyên tắc dùng mạch khuếch đại có di pha một góc 1800
và có mạch hồi tiếp di pha một góc 1800 để đảm bảo điều
kiện cân bằng về pha.
- Theo sơ đồ mạch hồi
tiếp dùng n = 3 mắt lọc RC
- Dùng Transistor phần
tử khuếch đại mắc EC
không có hồi tiếp xoay
chiều.
- R1, R2 cấp nguồn theo
phương pháp chia áp có
hồi tiếp âm một chiều
Theo sơ đồ ta có
uB 1 1 1
Kht   2 2
; trong ®ã  = 
uC 1  5.  j. .(6   ) . R.C 2. . f . R.C
Ta tÝnh modun hÖsè khuÕch ®¹ i håi tiÕp
1
Kht  ta tÝnh gãc di pha m¹ ch håi tiÕp
(1  5. 2 )2   2 .(6   2 )2
 .(6   2 ) 2 1
ht  arctg 2
theo s¬ ®å ht      6  Kht  
(1  5. ) 29
1 1 1
=   fdd 
. R.C 2. . R.C 2 6. RC
1
NÕu n = 4 t ¬ng tù tÝnh ® î c ht    Kht  
18, 4
Mạch dao động RC di pha dùng khuếch đại thuật
toán
Mạch dao động RC dùng khuếch đại thuật toán, hồi

tiếp dùng mạch vi phân.
Tần số của mạch : f  1
dd
2. . 6.R.C
Nguyên tắc của mạch dao động RC hồi
tiếp dương dùng di pha tín hiệu
Các mạch hồi tiếp:
Hồi tiếp dùng mạch vi phân
Kht  U ra  1 ;  1
Uvao 1 5.  j. .(6  2) .RC.
 Kht  1
(15. )2  2.(6 2 )2
 .(6  2) 1 1
  arctg 1800   2  6 suyra :  ; K  
ht (1 5. 2) 6.R.C
ht
29
Ta tính được tần số dao động :   1  2. . f  f  1
6.R.C 2. . 6.R.C
3. Mạch dao động dùng hồi tiếp cầu viên.
Từ sơ đồ ta tính được hệ số
khuếch đại hồi tiếp.
ura
K ht 
uvao
1
 Kht 
R1 C2 1
1   j.( R1C2  )
R2 C1  R2 C1
Trong đó R1 = R2 = R; C1 = C2 = C ta có.
1 1
 Kht  ; ®Æt  = RC  Kht  ;
1 1
3  j.( RC  ) 9  (   )2
 RC 
1

 1 1
ht  arctg( )  0    1  fdd  ; Kht 
3 2 RC 3
Mạch dao động RC dùng hồi tiếp cầu viên.
theo sơ đồ ta tính được hệ số khuếch
đại điện áp với mạch khuếch
đại thuận dùng KĐTT
ura
Ku  ; I P  IN  0; Kd  
. u
vao
ura
 uvao  uR2  I2 . R2 ; I2 
R1  R2
ura R1  R2
 uvao  R2 .  Ku 
R1  R2 R2
1 R1  R2
K ht   Ku . Kht  1  Ku  3   R1  2 R2
3 R2
Mạch dao động hồi tiếp cầu viên dùng KĐ thuật toán
Tần số:
1 1 R1  R2 1
f   3 9
 159,15( Hz ); K u  ; K ht 
2 RC 2. .100.10 .10.10 R2 3
Mạch dao động dùng hồi tiếp cầu viên dùng Transistor
1 1
f   8 5
 159,15( Hz )
2 R.C 2. .10 .10
4. Mạch dao động RC hồi tiếp hình T.
Từ sơ đồ ta tính được hệ số
khuếch đại hồi tiếp.
ura
K ht 
uvao
 2  1  j 2 1
Kht  2 ; 
  1  j 3  RC
( 2  1)2  4 2  2  1  j 2
 Kht 
( 2  1)2  9 2  2  1  j 3
 (1   2 ) 1
 ht  arctg 2 2
 0  1 f 
(  1)  6 2 RC
2 3
 Kht   Ku 
3 2
Mạch dao động RC dùng hồi tiếp RC hình T.
Theo sơ đồ ta tính được hệ số khuếch
đại điện áp với mạch khuếch
đại thuận dùng KĐTT
ura
Ku  ; I P  IN  0; K d  
uvao
ura
 uvao  uR2  I2 R2 ; I2 
R1  R2
ura R1  R2
uvao  R2 .  Ku 
R1  R2 R2
2 3 R1  R2
K ht   Ku . Kht  1  Ku    R2  2 R1
3 2 R2
5.Sơ đồ mạch dao động RC
(mạch dao động đa hài dùng Transistor)
Tần số tính:
 2.UCC  ICQ . RC   2.UCC  ICQ . RC 
TX  tS1  tS2  C. Rtd ln  T1
  C. Rtd ln  T2

 UCC  ICQ . RC   UCC  ICQ . RC 
 T1   T2 
6. Mạch dao động dùng IC (HA555)

Chương I. Những khái niệm cơ bản về kỹ thuật xung

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chương I. Những khái niệm cơ bản về kỹ thuật xung

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương I.

Những khái niệm cơ bản

+ Độ rỗng xung là tỉ số giữa độ rộng và chu kỳ QX  Tt X

Điện áp trên R và C biểu thị theo đồ thị.

Điện áp trên R và C biểu thị theo đồ thị.

Đồ thị dạng tín hiệu trên R uR(t); uC(t)

+ Khoảng thời gian t > tX

+ 3τ < tX xung ra dang xung

+ 0 < t < tX điệnáp ra

- τ càng nhỏ xung ra ít bị méo dạng

+ Nếu t > tx : điện áp lấy ra trên tụ điện

Bấm để thêm nội dung

Bấm để thêm nội dung

Hồi tiếp âm dòng điện Hồi tiếp âm điện áp

a. Hồi tiếp mắc theo kiểu nối tiếp.

a. Trở kháng ra với mạch hồi tiếp âm điện áp.

U ra  (K .X h ).rr  (K .X vao ).rr

 Zra  (1 K .Kht ).rr  g.rr

§ Khái niệm điểm làm việc tĩnh của transistor

§ Cấp nguồn và ổn định điểm làm việc cho t

• Chế độ khuếch đại: BE phân cực thuận, BC phân

• Khi Xn=0 →dòng: IB, IC, IE ;điện áp:

• Điểm làm việc Bấm

Trong đó: Uth điện áp ngưỡng, k hệ số được tính

1. Phương pháp cấp nguồn cho transistor lưỡng cực trong

1. Phương pháp cấp nguồn bằng dòng cố định

+ Điện áp cấp chuyển tiếp C-E:

2. Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp (chia áp):

• Điện áp cấp chuyển tiếp

• Điện áp cấp chuyển tiếp CE

Đường tải tĩnh: RC

Điện áp cấp chuyển tiếp BE

UBE=Ucc- IB.[Rb+ (1+β).RE]=Ucc- (IC/β).[Rb+(1+β).RE

Xét vòng điện B-E (hình 2): UBE+UE + IB Rtd = UR2 ;

+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:  U 

Đặc tuyến truyền dẫn

2. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn tự cấp:

+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:

3. Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp (chia áp) có hồi

UDD = ID.RD + UDS + IS.RS

1. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định:

+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:

+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:

+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:

+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:

+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:

Bấm để thêm nội dung

+ Hệ số khuếch đại dòng điện: Ki  I ra  Ku .

Sơ đồ tương đương hình π

+ Bước 3: Chọn nguồn cung cấp UCC

• Ví dụ: Cho biết: Ura = 2V, β= 100, UCER = 0.5V

+ B1:sơ đồ nguyên lý như hình vẽ

+ B2: UC= 2; → ΔUC = ΔUra = 4V;

UCmax = ΔUC + UE + UCER = 4.5 + UE

+ B3: chọn UE= 2V,

UCC > UCmax = 4.5 + 2=6.5 V→UCC = 8V

+ B4: UBE = 0.5V,Ic=1mA.

Hình 1 Hình 2

• Sơ đồ khuếch đại xoay chiều

Hình 1 Hình 2

Sơ đồ tương đương hình π Emitter chung hồi tiếp âm

Nếu Rb : Rb  rBE  (1  H 21 ).RE

+ Trở kháng vào.