Professional Documents
Culture Documents
Курс лк (повн)
Курс лк (повн)
ЕЛЕКТРОСТАТИКА
q i const
i 1 .
Закон збереження електричного заряду не виводиться з інших
законів, це емпіричний (встановлений дослідним шляхом) закон, який
підтверджується різноманітними численними експериментами. Цей
закон є одним із фундаментальних законів природи. Він виконується
при проходженні всіх процесів і, навпаки, у природі не може протікати
жоден із процесів, під час якого порушувався б закон збереження
електричного заряду.
Таким чином, за сучасними уявленнями електричний заряд – це
скалярна фізична величина, яка характеризує здатність тіл і
частинок брати участь у електромагнітних взаємодіях і є мірою
інтенсивності цих взаємодій.
У природі існує два роди електричного заряду, умовно названі
позитивними і негативними. Тіла або частинки, які мають
однойменні заряди, взаємно відштовхуються, а тіла, заряджені
різнойменно, притягуються.
Частинки або тіла можуть мати або не мати електричний
заряд, але не існує заряду без частинок: електричний заряд це одна
з характеристик частинок, коли говорять про заряд, то мають на
увазі заряджені частинки або тіла, заряд від них невіддільний.
Одиницею вимірювання заряду в СІ є кулон (Кл). Один кулон
– це електричний заряд, який проходить через поперечний переріз
провідника протягом однієї секунди при протіканні через нього
постійного струму силою в один ампер.
Електричний заряд можна поділити. У природі існує
мінімальна порція електричного заряду – елементарний заряд.
Модуль елементарного електричного заряду дорівнює 1,6021917ּ 10
-19
Кл.
Електричний заряд макроскопічного тіла дорівнює
алгебраїчній сумі електричних зарядів всіх частинок тіла. Тіло
електрично заряджене тоді, коли воно має неоднакову кількість
від’ємних і додатніх елементарних зарядів.
Для електрично замкнутої системи виконується закон
збереження електричного заряду.
5
§ 2. Взаємодія електричних зарядів. Закон Кулона
~ , або .
6
q1q2
F
4 0 r 2 ,
або у векторному вигляді
qq
F 1 23r
4 0 r .
До неточкових зарядів закон Кулона незастосовний. У цьому разі
для визначення сили взаємодії користуються більш загальним
принципом, а саме: заряд одного тіла розглядають в електричному полі
заряду другого тіла. Закон Кулона можна безпосередньо застосовувати
також для знаходження сили взаємодії двох рівномірно заряджених
сфер. При цьому у формулі закону Кулона r – відстань між центрами
сфер.
При розгляді взаємодії кількох зарядів результуюча сила, з якою
діють ці заряди на будь-який з них, визначається векторною сумою
складових сил.
8
З погляду загальновизнаної тепер теорії близькодії всі електричні і
магнітні явища пов’язані із зміною електричних і магнітних полів. Ці
зміни поширюються у незаповненому речовиною просторі з швидкістю
3ּ108 м/с. Електричне і магнітне поля мають єдину природу і є
двома проявами більш загального електромагнітного поля.
Стан електричного поля в довільній точці простору можна
характеризувати кількома параметрами, одним з яких є напруженість
Е. Це силова характеристика поля.
Напруженістю електричного поля в його довільній точці
називають вектор , що чисельно дорівнює силі, з якою поле діє
на одиничний позитивний заряд, вміщений у цю точку поля і
напрямлений у бік дії сили. Отже, за означенням
Рис. 2.
9
електричного поля. Ці лінії можуть бути як прямими (наприклад,
поле точкового заряду (рис. 2, а); поле плоского конденсатора, (рис. 2,
б) тощо), так і викривленими (поле двох точкових різнойменних
зарядів, (рис. 2, е); однойменних зарядів, (рис. 2, г). У випадку прямих
ліній вектор напруженості в кожній точці електричного поля
збігається з лінією напруженості в цій точці. Якщо ж лінії
напруженості викривлені, то напрям вектора напруженості в будь-якій
точці електричного поля визначають дотичною до силової лінії в цій
точці поля. В однорідному середовищі лінії напруженості неперервні ,
не перетинаються.
При графічному зображенні сильних електричних полів лінії
напруженості проводять густіше, ніж для слабких полів. Умовились
через одиничну площину, перпендикулярну до вектора напруженості,
проводити таку кількість силових ліній, що чисельно дорівнює
напруженості електричного поля в місці розміщення площини.
Поле, у всіх точках якого величина і напрям вектора
напруженості незмінні, називають однорідним. Однорідне поле
зображують паралельними лініями напруженості, що мають однакову
густину. Однорідне поле існує, наприклад, у просторі між різнойменно
зарядженими пластинами плоского конденсатора (на деякій відстані
від країв пластин). Величина вектора напруженості однорідного поля
не залежить від відстані точки, в якій визначається напруженість, до
електричних зарядів, з якими пов’язане це поле.
За наведеним у §3 означенням, діелектрична проникність
середовища визначається відношенням
10
.
12
різницю квадратів двох чисел, та зведення подібних членів у
чисельнику дістаємо
13
Трикутник векторів напруженостей подібний до трикутника
відстаней (рис. 5) за побудовою. Тому для трикутника відстаней можна
записати
або
Тоді
14
Для першого диполя з електричним моментом точка А лежить
на прямій ВА, що є продовженням плеча lII і розміщується на відстані
r- від його середини. Напруженість поля в точці А, створюваного
першим диполем, як було показано в п. 1 цього параграфа, дорівнює:
або
15
Оскільки за означенням
17
Цей результат правильний не тільки для поля точкового заряду. Він
поширюється на поля зарядів будь-якої форми, а також на поля
системи кількох зарядів і виражає теорему Остроградського – Гаусса:
потік вектора напруженості електричного поля через довільну
замкнуту поверхню, що охоплює заряди q1, q2, q3, …, qn, дорівнює
алгебраїчній сумі цих зарядів, розділеній на εε0:
Оскільки , то
18
Рис. 9.
паперу із зошита можна вважати нескінченною площиною, якщо точка
А міститься на відстані 5 – 10 мм від його центра.
Якщо заряд площини q рівномірно розподілений по її поверхні S,
то величина
Охопимо цей заряд замкненою поверхнею. Питання про те, якої форми
має бути ця допоміжна поверхня, розв’язується окремо в кожному
конкретному випадку. При виборі форми допоміжної поверхні
керуються, зокрема, такими міркуваннями: а) точка А, в якій
визначають напруженість поля Е, повинна лежати на цій поверхні; б)
площу всієї поверхні або тієї її частини, яку пронизує потік вектора
напруженості (чи індукції), можна було б легко обчислити. Найчастіше
це циліндр або сфера.
В нашому випадку допоміжну замкнену поверхню, що охоплює
заряд , доцільно вибрати у вигляді прямого циліндра, основи якого
паралельні зарядженій площині і рівні з площиною . Оскільки
лінії напруженості поля в однорідному діелектрику завжди
перпендикулярні до поверхні зарядженого тіла, то через бічну
поверхню прямого циліндра потік не проходитиме. Як видно з
рис. 10, лінії напруженості ковзають вздовж бічної поверхні і про-
низують тільки основи прямого циліндра. Отже, сумарна площа тієї
19
частини допоміжної поверхні, через яку проходить потік
становить 2ּ .
З означення потоку вектора напруженості маємо
Якщо , то .
Оскільки вектори і між
паралельними площинами напрямлені
в один бік, то результуюча
напруженість поля двох площин
Рис. 10. дорівнює сумі напруженостей і
:
, тобто .
20
одному. Тому результуюча напруженість визначається різницею
напруженостей:
Отже, електричне поле двох різнойменно заряджених площин
локалізоване в об’ємі між цими площинами. Поза площинами
електричного поля немає. Така концентрація електричного поля в
невеликому об’ємі має місце, наприклад, у конденсаторах.
Оскільки , , то
21
Рис. 12.
відстані від поверхні зарядженої сфери ( r > R ), напруженість поля
обчислюють за формулою, як і у випадку точкового заряду. Справді,
при r >R маємо:
Тоді , або
для кулі , то
Отже,
Рис. 13.
Тоді
22
Рис. 14.
Для точок біля поверхні кулі r = R. Тоді
Звідси
, або
24
§ 7. Робота по переміщенню заряду в електричному полі
де
Отже,
25
Оскільки , то Інтегрування цього виразу
приводить до попереднього результату.
Отже, робота по переміщенню заряду q0 між точками 1 і 2 та
точками 1 і 3 однакова. З цього випливає, що робота на шляху 0-3
дорівнює роботі на шляху 0 – 1 – 3. Це означає, що робота по
переміщенню заряду q0 в електростатичному полі не залежить від
форми шляху і визначається тільки відносним розміщенням
початкової і кінцевої точок цього шляху.
Як відомо, силове поле, в якому робота не залежить від форми
шляху, є потенціальним полем. Отже, електростатичне поле – це
поле потенціальне.
В потенціальному полі робота на довільному замкненому шляху,
коли початкова і кінцева точки переміщення збігаються, дорівнює
нулю. Справді, в цьому разі точки 1 і 2 збігатимуться, їх відстані r1 та r2
від заряду q будуть рівними. При цьому доданки в дужках у формулі
§ 8. Потенціал
26
характеристику φ, яку називають потенціалом. Тоді роботу по
переміщенню заряду q0 між точками 1 і 2 в електростатичному полі
можна обчислити за формулою
27
Різницю потенціалів двох точок позначають
Оскільки , то Звідси
Поверхня будь-якого зарядженого провідника завжди є
еквіпотенціальною. Якби це було не так, то між різними точками його
поверхні існувала б відмінна від нуля різниця потенціалів, що привело
б до переміщення зарядів уздовж поверхні, аж до моменту
вирівнювання потенціалу.
28
Отже, щоб побудувати лінії напруженості електростатичного поля
зарядженого провідника довільної форми,
потрібно провести нормалі до кожного
елемента його поверхні.
Знайдемо зв’язок потенціалу з напру-
женістю електричного поля. Виділимо в
полі точкового заряду q (рис. 19) точки 1 і 2,
які лежать на одній силовій лінії на дуже
малій відстані dr одна від одної. Потенціали Рис. 19.
цих точок різняться на dφ. Обчислимо
роботу dA по переміщенню позитивного пробного заряду q0 з точки 2 в
точку 1. Очевидно, dA = q0 ∙ dφ. У точці 2 на заряд q0діє сила
, що утворює з напрямом переміщення кут Робота цієї
сили на шляху dr буде негативною:
або
(знак „–” вказує на те, що в розглядуваному випадку роботу виконують
сторонні сили проти сил електричного поля).
Порівняємо ці два вирази для елементарної роботи:
Звідси
29
§ 10. Потенціал поля заряджених площин, кулі, сфери та
циліндра
або
2. Дві
різнойменно
заряджені площини (плоский конденсатор).
Напруженість поля двох площин обчислюють за формулою
Тоді
30
Різниця потенціалів двох точок поля, які знаходяться між
площинами на відстанях r1 і r1 від однієї з них (наприклад, від
негативно зарядженої площини), дорівнює:
або
Тоді
31
Для точок поля зовні зарядженої кулі( r1 > R і r2 > R) напруженість
визначають, як і для поля точкового заряду, за формулою
Тоді
, або
Тоді
, або
32
та
33
діють три сили: сила тяжіння , напрямлена вертикально вниз;
виштовхувальна (архімедова) та сила опору (в’язкості) (дві
останні сили напрямлені вертикально вгору). Оскільки сили
поверхневого натягу надають мікроскопічній краплинці сферичної
форми, то
,
де ρм і ρп – відповідно густина масла краплинки і повітря. При
рівномірному русі краплинки діючі на неї сили зрівноважені, тобто
, або
З цієї рівності визначаємо радіус краплинки:
де
або
Підставляючи
значення r,
дістаємо формулу для обчислення заряду q краплинки:
Потім у
простір
між
пластинами напрямляють пучок рентгенівських променів, які іонізують
повітря. Це приводить до зміни заряду краплинки і порушення
попередньої рівноваги. Для її поновлення добирають інше значення
напруги U1 і обчислюють відповідну величину заряду краплинки q1.
Повторюючи експеримент кілька разів, дістають ряд значень заряду
краплинки q1, q2, . . . , qn і обчислюють зміну заряду Δq, наприклад:
34
Досліди показали, що заряд краплинки завжди змінюється
стрибкоподібна, а величина зміни заряду Δq´, Δq´´ , . . . ,Δqi кратна
елементарному заряду e = 1,6ּ10-19Кл, тобто Δq = ne, де n = 1,2,...
У дослідах Р. Міллікена і А. Ф. Йоффе було переконливо доведено,
що будь-який електричний заряд має дискретну структуру. Найменша
відома тепер „порція” електрики, яку називають елементарним
зарядом, дорівнює модулю заряду електрона – е = –1,6021917ּ10-
19
Кл.Масу електрона було визначено дещо пізніше. Визначення заряду
електрона та його маси мало велике значення для розвитку уявлень про
будову атома.
35
діє на вільні електрони з силою .
Очевидно, напрямлене переміщення вільних зарядів у провіднику
припиниться тоді, коли рівнодійна сил і дорівнюватиме
нулю: + =0.
Підставивши значення векторів і , дістанемо:
Оскільки q ≠ 0, то
Звідси
Отже, при вміщенні провідника в зовнішнє електричне поле
відбувається перерозподіл його вільних зарядів, які при цьому
створюють усередині провідника внутрішнє поле, рівне за величиною і
протилежне за напрямом зовнішньому. Результуюча напруженість
поля всередині провідника дорівнює нулю, тобто провідник екранує
зовнішнє електричне поле. Явище екранування використано для за-
хисту чутливих електровимірювальних приладів від впливу зовнішніх
електричних полів.
Електризацію провідників через вплив можна спостерігати на
досліді, схему якого подано на рис. 23. Два незаряджених металевих
тіла А і В закріплені на стержнях електрометрів і сполучені торцями.
Стрілки електрометрів не відхиляються. Потім до тіла А підносять на
відстані З – 5 мм заряджену кулю або наелектризовану ебонітову чи
скляну паличку, її позитивний заряд створює поле, під дією якого
відбувається електризація тіла А – В: тіло А заряджається негативно,
тіло В – позитивно. Про електризацію свідчить відхилення стрілок
електрометрів. Роз’єднаємо тіла А і В (розсунемо електрометри) і
віднесемо заряджену кулю. Тіла А і В при цьому залишаються
зарядженими. Якщо їх сполучити, то стрілки електрометрів
повернуться на нуль. Це означає, що тіла А і В були заряджені
різнойменне і мали однакові за величиною заряди. Отже, цей дослід є
експериментальним підтвердженням розглянутого вище механізму
електризації провідників через вплив.
На явищі електростатичної індукції грунтується дія найпростішого
електрофора, який складається з листа 1 діелектрика (ебоніт або
органічне скло) і металевого диска 2 з ізолюючою ручкою (рис. 24).
Спочатку діелектрик електризують тертям (а). Потім на нього кладуть
металевий диск, в якому в результаті явища електростатичної індукції
відбувається перерозподіл вільних електронів (б). Заземлюючи верхню
поверхню диска (для цього
досить доторкнутись до неї
рукою), відводять частину
вільних електронів диска у
36
Рис. 24.
землю (в). Піднімаючи диск за ізолюючу ручку (г), дістають на ньому
позитивний заряд, який можна передати будь-якому тілу і таким чином
наелектризувати його. Розряджений металевий диск знову кладуть на
лист діелектрика і описаним способом вдруге дістають на ньому
позитивний заряд. Повторюючи цю операцію кілька разів, можна
надати тілу великого електричного заряду.
Якщо лист діелектрика 1 при натиранні заряджається позитивно, то
за допомогою електрофора можна „зібрати” великий негативний заряд.
Оскільки
, то
До електрофорної
машини 38 До електро-
форної
машини
Рис. 27. Рис. 28.
Потік наелектризованих молекул від вістря зарядженого тіла утворює
„електричний вітер”, який можна виявити за допомогою полум’я
свічки (рис. 27). Молекули цього потоку передають вістрю певну
кількість руху. Тому дротяний павучок з вістрями на кінцях, з’єднаний
з одним з полюсів електрофорної машини, обертається у
протилежному до електричного вітру напрямі (рис. 28). Існування
електричного вітру супроводжується розряджанням наелектризованого
тіла. Тому це явище біля проводів високовольтних ЛЕП є шкідливим,
оскільки спричиняє втрати заряду, а отже, й електричної енергії.
39
Рис. 30.
пластинах зарядженого ( ) плоского конденсатора
зменшувалась при внесенні у простір між пластинами скляної
пластинки. Це означає, що електроємність конденсатора з твердим
діелектриком замість повітря зростає.
Пояснити вплив діелектриків, вміщених в електричне поле, на
величину цього поля можна тільки припустивши, що на гранях
діелектрика, утворюються електричні заряди протилежних знаків (рис.
30).
Виникнення таких зарядів у провідниках легко пояснювалось
перерозподілом вільних носіїв заряду в об’ємі провідника.
Діелектрики не мають вільних носіїв заряду. Тому потрібно
з’ясувати, чому на протилежних гранях діелектрика в електричному
полі індукуються заряди σ´ протилежних знаків. Виходитимемо з того,
що носії різнойменних електричних зарядів є складовими частинками
атомів і молекул діелектрика. Ці заряди в межах кожного атома міцно
зв’язані між собою. Щоб їх „розірвати”, потрібне сильне електричне
поле. Отже, в сильному полі носії заряду, наприклад електрони,
можуть відриватись від атомів і молекул діелектрика. При цьому в
речовині утворюються вільні носії заряду і вона втрачає діелектричні
властивості. Явище утворення в діелектрику під дією сильного
електричного поля локального каналу з високою електропровідністю
називається електричним пробоєм. Напруженість поля, при якій
виникає електричний пробій, називається електричною міцністю
діелектрика. Наприклад, електрична міцність повітря за нормальних
умов становить близько 3ּ106 В/м.
Залежно від того, яку будову мають
молекули діелектрика, центри
розподілу позитивних та негативних
зарядів у них можуть або збігатись
(рис. 31, а), або не збігатись,
розміщуючись на деякій відстані l один Рис. 31.
від одного (рис. 31, б). В першому
випадку молекули, а також і речовини, що складаються з таких
молекул, називають неполярними. Прикладом неполярних
діелектриків є гази N2, Н2, СО2, СН4 тощо. В другому випадку кожну
молекулу діелектрика можна розглядати як диполь з електричним
моментом , де q - величина зміщеного з центра розподілу
сумарного позитивного або негативного заряду. Наприклад, для моле-
кули води Н2О, будову якої схематично показано на рис. 33, б,
. Молекули, що мають власні дипольні моменти, та
речовини, які з них складаються, називають полярними. До
полярних діелектриків належать гази SО2, Н2S, NН3
та ін.; рідини - вода Н2О, соляна кислота НСl,
метиловий спирт СН3ОН, розплавлений віск тощо.
40
Рис. 32.
Якщо відстань між центрами розподілу позитивних і негативних
зарядів полярних молекул залишається весь час незмінною, тобто не
залежить від напруженості поля, в яке вміщено діелектрик, то такі
молекули-диполі мають сталий електричний момент, їх називають
жорсткими диполями, а власний дипольний момент молекул
позначають р0.
Механізм виникнення зв’язаних електричних зарядів на
протилежних гранях діелектрика в електричному полі дещо різний для
неполярних і полярних речовин.
При внесенні неполярних діелектриків в електричне поле сили, з
якими це поле діє на позитивні і негативні заряди молекул, напрямлені
протилежно і тому розсувають їх. В електричному полі центри
розподілу позитивних і негативних зарядів кожної молекули вже не
збігаються, а виявляються розсунутими на відстань l між ними (рис.
32). Очевидно, чим більша напруженість поля Е, тим на більшу
відстань І розсуваються заряди протилежних знаків. Отже, в певному
інтервалі значень Е має місце лінійна залежність: l ~E.
Зрозуміло, що величина зміщення різнойменних зарядів у
молекулах обмежена, тобто молекула не може „безмежно
розтягуватись”.
Оскільки , то p ~E , точніше
де β – поляризованість окремої молекули діелектрика.
Залежно від будови молекули зміщуватись в ній можуть переважно
або електрони або іони. Тому розрізняють електронну та іонну
поляризованість. Величина β має неоднакові значення для атомів і
молекул різних речовин. Поляризованість β характеризує здатність
електронів в атомі (або електронів чи іонів у молекулі) зміщуватись під
дією сил електричного поля.
Дипольні моменти молекул неполярних діелектриків, що
виникають в електричному полі в результаті обмеженого зміщення
позитивних і негативних зарядів і, отже, залежать від напруженості
цього поля, називають індукованими, або квазіпружними.
Молекули полярних діелектриків, як зазначалось, мають власні
моменти . За межами поля ці моменти розміщені в речовині
хаотично (рис. 33, а). Тому поверхня діелектрика при відсутності
електричного поля не виявляє електризації. В електричному полі
власні дипольні моменти молекул переважно орієнтуються в
напрямі вектора напруженості (рис. 33, б). При цьому тепловий
рух молекул перешкоджає повній
орієнтації всіх жорстких диполей по
полю, але розміщення диполей вздовж
поля буде переважаючим. Очевидно, в
сильних полях і при невисоких
41
Рис. 33.
температурах можливе паралельне розміщення електричних моментів
усіх жорстких диполей речовини в напрямі зовнішнього поля. При
цьому діелектрик матиме максимальну поляризацію, яку називають
поляризацією насичення.
Зміщення зарядів у молекулах неполярних діелектриків і
переважна орієнтація жорстких диполей – молекул полярних речовин у
напрямі поля має однаковий наслідок: на протилежних гранях
діелектрика в електричному полі виникають (індукуються) різнойменні
заряди. Ці заряди не вільні, вони зв’язані з атомами та молекулами
речовини. Явище обмеженого зміщення зв’язаних зарядів в атомах
або напрямленої орієнтації дипольних моментів жорстких молекул
в зовнішньому електричному полі, в результаті якого на поверхні
діелектрика виникають зв’язані електричні заряди, називається
поляризацією діелектриків.
Отже, розрізняють орієнтаційну поляризацію та поляризацію
зміщення. Залежно від того, які заряди (електрони чи іони)
зміщуються в атомі або молекулі, поляризацію зміщення поділяють
на електронну та іонну. Іонна поляризація має місце, наприклад, у
кристалах NaСІ.
Зв’язані заряди, що виникають на гранях діелектрика при його
поляризації, називають поляризаційними, а їх поверхневу густину
позначають σ´. Виміряти поляризаційні заряди експериментальне
важко, оскільки до поверхні поляризованого діелектрика притягаються
з повітря іони протилежного знаку, які швидко нейтралізують її поля-
ризаційний заряд.
Власні дипольні моменти молекул полярних діелектриків, як
правило, значно більші від індукованих моментів, яких набувають
молекули навіть у дуже сильних електричних полях. Велика різниця
між власними і індукованими дипольними моментами приводить до
того, що діелектрична проникність ε полярних речовин значно більша,
ніж у неполярних. Наприклад, для води ε = 81, метилового спирту –
33, тоді як діелектрична проникність неполярної рідини – тетрахлориду
вуглецю СС14 становить тільки 2,24. Діелектричні проникності
багатьох неполярних рідин не набагато відрізняються від значення ε =
2. Властивості води як розчинника зумовлені тим, що її молекули
мають відносно великі власні дипольні моменти.
Далі розглядатимемо тільки однорідні діелектрики, у яких
діелектрична проникність ε має однакове значення для всіх точок
об’єму речовини і не залежить від напряму поляризації, тобто ε (х, у, z)
= const. В однорідних діелектриках зв’язані заряди виникають тільки
на поверхні. Нескомпенсованих електричних зарядів в об’ємі
однорідного поляризованого діелектрика не виникає.
Діелектричні властивості речовини, як нам відомо,
характеризуються відносною діелектричною проникністю середовища
ε. Проте, ця фізична величина характеризує діелектричні властивості
42
речовини з макроскопічної точки зору, не розкриваючи механізму
впливу діелектриків на зовнішнє електричне поле. Коли ж було дове-
дено, що цей вплив зумовлений виникненням зв’язаних зарядів на
гранях діелектрика при його поляризації, виникла потреба ввести
фізичну величину, яка була б кількісною мірою поляризації. Такою
величиною могла б бути, наприклад, поверхнева густина σ´
поляризаційних зарядів. Можна встановити зв’язок між цією
величиною і діелектричною проникністю, тобто між σ´ і ε, і
характеризувати здатність речовини до поляризації її діелектричною
проникністю. Але склалося так, що в теорії діелектриків крім ε і σ' для
характеристики поляризаційних властивостей речовини було введено
ще одну фізичну величину – вектор поляризації . Вектором
поляризації називають електричний момент одиниці об’єму
поляризованого діелектрика. З цього означення випливає, що для
обчислення вектора поляризації однорідного діелектрика треба
знайти геометричну суму дипольних моментів (власних чи
індукованих) усіх молекул в одиниці об’єму діелектрика:
§ 15. Сегнетоелектрики
Рис. 35.
Піроелектричні кристали використовуються в техніці як чутливі
приймачі інфрачервоного випромінювання.
Сегнетоелектрики утворюють підгрупу піроелектриків,
характерною особливістю яких є те, що паралельна орієнтація
дипольних моментів елементарних комірок має місце тільки в
невеликих областях кристала - доменах. Доменами називають
сукупності спонтанно поляризованих елементарних комірок з
паралельним розміщенням дипольних моментів. Домени у кристалі
сегнетоелектрика орієнтовані хаотично, тобто мають різні напрями
спонтанної поляризації (на рис 35 показано три домени). Тому різні
ділянки граней сегнетоелектричних кристалів
мають неоднакову макроскопічну
поляризацію. Отже, сегнетоелектрики – це
спонтанно поляризовані діелектрики
(піроелектрики), які розпадаються на домени.
Домени є полярними структурними
частинками сегнетоелектричних кристалів.
Розбивання спонтанної поляризації
Рис. 36. сегнетоелектриків на домени пов’язують із
зменшенням потенціальної енергії
електростатичної взаємодії дипольних моментів елементарних комірок,
що відповідає більш імовірному стану кристала.
Діелектрична проникність ε
сегнетоелектриків залежить від температури і в
точці сегнетоелектричного переходу Тс (точка
Кюрі) набуває аномально великих значень.
Діелектрична проникність ε
сегнетоелектриків залежить від величини
напруженості Е поля, в якому її визначають (рис.
36), тобто ε = f (Е). Ця залежність має складний
характер, неоднаковий у різних
Рис. 37. сегнетоелектриків. З рис. 36 видно, що в слабких
полях з підвищенням напруженості E
діелектрична проникність ε сегнетоелектриків різко зростає, досягає
максимального значення і в дуже сильних
полях зменшується, наближаючись до
одиниці.
Наявність доменів приводить до
нелінійної залежності модуля вектора
поляризації сегнетоелектриків від
напруженості поля .
Як правило, цю залежність зображують
графічно (рис. 37).
Напрям спонтанної поляризації лінійних
Рис. 38.
45
піроелектриків не можна змінити (переполяризувати) навіть у сильних
електричних полях аж до пробивних значень напруженості. Навпаки, у
випадку сегнетоелектриків вектори спонтанної поляризації доменів
відносно легко орієнтуються вздовж, поля. Отже, сегнетоелектриками
можна вважати ті піроелектрики, у яких спонтанна поляризація змінює
напрям при зміні полярності прикладеної напруги. Тому при вміщенні
сегнетоелектрика в змінне електричне поле відбувається його
переполяризація з частотою цього поля.
Процес переорієнтації доменів у змінному полі є інерційним. Це
призводить до явища діелектричного гістерезису в сегнетоелектриках
(грецьке „гістерезис” – запізнення), яке полягає у відставанні змін
вектора поляризації Р від змін вектора напруженості Е електричного
поля (рис. 38). Петля діелектричного гістерезису є однією з
найважливіших характеристик сегнетоелектриків. Зокрема, її площа
визначає діелектричні втрати в змінному полі. За рахунок цих втрат
сегнетоелектрики в змінних полях нагріваються. Петля діелектричного
гістерезису наочно демонструє роль доменів в явищі поляризації
сегнетоелектриків. Ділянка ОА показує, що в слабких полях в сегнето-
електриках, як і в звичайних діелектриках, має місце лінійний зв’язок
між вектором поляризації Р і напруженістю поля Е. Це означає, що
наявність доменів ще не впливає на процес поляризації. В сильних
полях (ділянка АВ) спостерігається різке зростання вектора
поляризації, що пов’язане з переорієнтацією доменів по полю. В точці
В поляризація сегнетоелектрика, що пов’язана з доменами, досягає
насичення і кристал стає монодоменним (дипольні моменти всіх
елементарних комірок в об’ємі кристала мають однаковий напрям
вздовж поля). При дальшому збільшенні напруженості поля (ділянка
ВС) знову встановлюється лінійний зв’язок між Р та Е, що характери-
зує тільки індуковану поляризацію, яка не пов’язана з доменними
процесами. Крива ОАВ називається основною кривою поляризації
сегнетоелектрика. Пряма ВС визначає область насичення поляризації,
точка В – початок насичення, Es – напруженість поля, при якій
досягається насичення. Полю Es відповідає повна поляризація
сегнетоелектрика Рн, яка складається із спонтанної поляризації Рs та
індукованої Pі (відрізок КL). Відрізок OD визначає залишкову
макроскопічну поляризацію Р3, що має місце в сегнетоелектрику при
проходженні напруженості електричного поля через нульові значення.
Антисегнетоелектрики. В 50-х роках було виявлено групу
нелінійних діелектриків, які за електричними властивостями подібні до
сегнетоелектриків, але при цьому істотно відрізняються від них.
Характерна особливість речовин цієї групи полягає в тому, що їх
кристалічна решітка поділяється на надструктурні елементарні комірки
з антипаралельними дипольними моментами. Такі речовини дістали
назву антисегнетоелектриків. У антисегнетоелектриках елементарні
комірки складаються з двох підкомірок, електричні дипольні моменти
46
яких орієнтовані антипаралельно. В результаті цього домени
антисегнетоелектриків макроскопічної поляризації не мають. Деякі
речовини в одному температурному інтервалі належать до
сегнетоелектриків, в другому – до антисегнетоелектриків.
Сегнетіелектрики. Поряд с сегнетоелектриками та
антисегнетоелектриками виділяють окрему групу речовин, які
називають сегнетіелектриками, або слабкими сегнетоелектриками. В
цих речовинах антипаралельні дипольні моменти надструктурних
комірок мають різну величину. Тому сегнетіелектрики можна
розглядати як не повністю скомпенсовані антисегнетоелектрики. Отже,
домени сегнетіелектриків мають невелику макроскопічну поляризацію.
Властивості сегнетіелектриків залежать від напряму: в одному напрямі
вони виявляють властивості сегнетоелектриків, у другому –
антисегнетоелектриків.
Промислові сегнетоелектричні матеріали найчастіше виготовляють
у вигляді кераміки на основі титанату барію, ніобату барію, титанату
свинцю тощо, які легують різними домішками. Така кераміка має
високі показники, що характеризують її сегнетоелектричні властивості
(велике значення діелектричної проникності, значна нелінійність,
велика прямокутність гістерезисної петлі та ін.).
Сегнетоелектричніматеріали з великою діелектричною проникністю
використовують для виготовлення малогабаритних конденсаторів
великої ємності. Такі конденсатори потрібні для мікромініатюризації
радіотехнічної апаратури. Наприклад, конденсатори, в яких
діелектриком служить плівка із сегнетоелектричної кераміки 10 – 20
мкм завтовшки, мають ємність 15 – 20 тис. пікофарад при габаритних
розмірах 5 мм х 4 мм х 1,5 мм і вазі 0,1 г. Можливе використання
сегнетоелектричних конденсаторів з прямокутною петлею
діелектричного гістерезису як комірок пам’яті для запису, зберігання і
зчитування інформації в електронних лічильних машинах. Дія таких
комірок грунтується на властивості сегнетоелектриків зберігати
напрям поляризації після короткочасного впливу електричного поля.
§ 16. П’єзоелектрики
51
§ 18. Електроємність плоского, циліндричного і сферичного
конденсаторів
Отже,
Оскільки напруженість поля в кожному шарі діелектрика пов’язана з
його діелектричною проникністю та поверхневою густиною заряду на
обкладках конденсатора співвідношенням
то
Підставляючи у вираз
52
ε1 d1 E1
Якщо діелектрик між обкладками конденсатора однорідний, тобто
ε1= ε, а d2 = 0, то
За означенням електроємності,
53
Цю ж формулу можна одержати виходячи з поверхневої густини σ
заряду на внутрішній обкладці циліндричного конденсатора.
Якщо шар діелектрика дуже тонкий, то в останній
формулі можна зробити деякі спрощення, а саме:
Тоді
54
Скориставшись цією формулою, знаходимо, що потенціали
протилежних поверхонь діелектрика, тобто обкладок сферичного
конденсатора, дорівнюють:
За означенням електроємності,
Тоді
, або
Якщо другої обкладки немає, тобто вона віддалена дуже далеко від
57
Оскільки заряди конденсаторів однакові, а напруга U є сумою
доданків U1, U2, U3 , то після скорочення на q дістаємо формулу для
обчислення електроємності батареї послідовно з’єднаних
конденсаторів:
Оскільки ,
то
58
Скориставшись зв’язком між зарядом конденсатора, його
електроємністю і відповідно різницею потенціалів на обкладках,
попередній формулі можна надати такого вигляду:
то
тобто або
Рис. 35
61 Рис. 36
то направлений вздовж апофеми NS і В
Як бачимо, E
= E.
Напруженість результуючого електричного поля дорівнює
векторній сумі напруженостей: З рисунка 51
знаходимо, що
Оскільки E = E , то
Відповідь. .
Приклад 2.
Тонке дротяне кільце, радіус якого дорівнює r, має заряд q.
Знайти модуль напруженості електричного поля на осі кільця
залежно від відстані l від його центра. Дослідити одержаний
результат при l>>r. Визначити максимальне значення напруженості
і відповідне значення l.
62
На кільці (рис. 52) виділимо елемент нескінченно малої довжини dl.
Якщо заряд q рівномірно розподілений по кільцю, то лінійна
густина цього заряду дорівнює , а виділений елемент має
заряд Оскільки , то
Розкладемо вектор
тобто напруженість
Відповідь.
Приклад 3.
Електричне поле породжене довгим рівномірно зарядженим
циліндром, радіус якого R = 1см. Лінійна густина заряду = 20
нКл/м. Визначити різницю потенціалів двох точок цього поля, які
знаходяться на відстані a1=0,5 см і a2=2 см від поверхні циліндра в
середній його частині.
або
Відповідь. 250В.
Приклад 4.
Заряд q рівномірно розподілений по об’єму кулі
радіус якої дорівнює R. Вважаючи діелектричну
проникність = 1, визначити електричну енергію
кулі.
Заряд
Повна енергія
зарядженої кулі
Відповідь.
Приклад 5.
Куля радіусом R позитивно заряджена так, що об’ємна густина
заряду залежить від відстані від її центра відповідно до закону
де 0 – стала величина. Вважаючи, що
66
шару Тоді заряд, охоплений
сферою радіуса r:
В даній задачі
рівнянь, одержимо Звідси
Зауважимо, що на
поверхні кулі
Відповідь.
67
Розділ II
ПОСТІЙНИЙ СТРУМ
68
виготовлення діодів, тріодів, термісторів, фотоелементів та інших
приладів.
Іонний механізм провідності мають усі електроліти, як рідкі, так і
тверді (наприклад, кристали NаСІ). Характерною ознакою іонної
провідності є перенесення речовини між електродами при
проходженні постійного струму.
Електропровідність, зумовлену напрямленим рухом вільних
електронів та іонів, називають мішаною. Мішану провідність має,
зокрема, плазма.
Якщо електричний струм створюється напрямленим рухом носіїв
заряду протилежних знаків, електропровідність називають біполярною.
Біполярну провідність мають, наприклад, рідкі електроліти, в яких
носіями заряду є позитивні і негативні іони. Серед речовин з
електронним механізмом провідності біполярну електропровідність
мають напівпровідники. Електричний струм у напівпровідниках
створюється напрямленим рухом електронів і дірок.
, тобто
69
Різницю потенціалів, що завжди існує на кінцях провідника, по
якому проходить постійний електричний струм, називають напругою,
або спадом напруги, і позначають через U: U = φ1 – φ2.
Отже, необхідною умовою існування електричного струму у
провіднику є відмінна від нуля напруга на його кінцях. Без напруги на
кінцях провідника його вільні носії заряду перебувають тільки в
хаотичному (тепловому) русі, який не створює електричного струму.
При проходженні струму хаотичний рух носіїв заряду в провіднику не
припиняється. Впорядкований (напрямлений) рух, що виникає під дією
прикладеної до провідника напруги, тільки накладається на хаотичний
рух.
Протікання електричного струму у провіднику супроводжується
його діями. Розрізняють такі дії струму: теплову, хімічну, магнітну,
фізіологічну і т.д. Інтенсивність дії струму визначається силою струму.
Силою струму в провіднику називають фізичну величину, яка
визначається електричним зарядом, що проходить через
поперечний переріз цього провідника за одну секунду. Щоб
визначити силу постійного струму І, треба електричний заряд ,
який пройшов протягом деякого проміжку часу через поперечний
переріз провідника, поділити на цей час:
Тоді маємо:
Оскільки будь-який провідник у замкненому колі являє собою
ділянку цього кола, то остання формула є аналітичним вираженням
закону Ома для ділянки кола в інтегральній формі, який
формулюють так: сила струму на ділянці кола прямо пропорційна
напрузі на кінцях ділянки і обернено пропорційна її опору.
71
§ 23. Електричний опір. Залежність опору від температури
72
Рис. 54. Якщо в провіднику проходить
струм I, то за законом Ома для
ділянки кола маємо:
або
Тоді
або
73
де α - температурний коефіцієнт опору, R0 - опір провідника при
температурі 0°С.
Температурний коефіцієнт опору α легко визначити
експериментально, якщо виміряти опір провідника R0 при 0°С і R при
іншій температурі t°. Тоді
або
74
концентрації носіїв заряду: при нагріванні електролітів,
напівпровідників і плазми концентрація носіїв заряду в них у певному
температурному інтервалі зростає. Впорядкований рух цих носіїв
заряду при підвищенні температури, як і в металах, послаблюється.
Одночасна дія цих двох механізмів (зростання концентрації носіїв
заряду і зниження швидкості їх впорядкованого руху) і зумовлює
складніший, ніж у металів, характер температурної залежності опору
електролітів, напівпровідників і плазми.
75
одиниці заряду вздовж замкненої лінії напруженості електричного
поля постійного струму, а саме:
Звідси
77
Рис. 55.
Перше правило випливає з умови неперервності постійного струму.
Припустимо, що до точки А притікає більший струм І, ніж сума І1 + І2
+ І3 струмів, які витікають, тобто, що І > (І1 + І2 + І3). Тоді алгебраїчна
сума цих струмів визначатиме заряд , який щосекунди залишався
б у вузлі А. Цей заряд змінював би потенціал вузла А, що неминуче
привело б до зміни струмів у вітках розгалуженого кола. А це
суперечить умові постійного струму в розглядуваному колі. Отже, в
розгалуженому колі постійного струму в окремих вітках кола
проходять неперервні струми, а електричний заряд, що притікає до
будь-якого вузла за довільний проміжок часу, дорівнює електричному
заряду, що витікає від цього вузла за той самий час.
Друге правило Кірхгофа стосується простих замкнених контурів,
на які можна поділити будь-яке складне розгалужене коло. Простими
називають кола, які не мають розгалужень. Наприклад, у колі, схему
якого зображено на рис. 55, можна виділити шість простих замкнених
контурів, а саме: ε1АR1BRε1, ε1АR2BRε1, ε1АR3BRε1, АR2BR1A, АR3BR2A,
АR3BR1A.
За другим правилом, у довільному простому
замкненому контурі розгалуженого кола
алгебраїчна сума спадів напруг на окремих
ділянках контура дорівнює алгебраїчній сумі
електрорушійних сил, увімкнених у цей контур.
Це правило легко дістати, якщо застосувати закон
Ома до окремих ділянок простого контура,
наприклад АВСD (рис. 56), який є складовою Рис. 56.
частиною розгалуженого кола. Для кожної з
чотирьох ділянок (АВ, ВС, СD, DА) відповідно можна записати:
79
Рис. 57.
з’єднаних вітках розгалуженого кола обернено пропорційні їх
опорам:
(2)
або (4)
(3)
Рис. 58.
Якщо позначити повний опір замкненого послідовного кола через
R, то за законом Ома для замкненого кола маємо
або (4)
Оскільки , то
або
81
дістаємо:
де k — коефіцієнт пропорційності.
Такого висновку дійшли експериментальним шляхом незалежно
один від одного англійський учений Джеймс Прескотт Джоуль (1818—
1889) і російський фізик Е. X. Ленц (1804—1865) у 1841 р. Тому
остання формула для обчислення кількості теплоти, яка виділяється
струмом у провіднику, є математичним вираженням закону Джоуля -
Ленца.
У Міжнародній системі одиниць теплоту, як і роботу та енергію,
вимірюють у джоулях. При цьому коефіцієнт пропорційності дорівнює
одиниці і є безрозмірною величиною. Тоді
82
різноманітні побутові нагрівні прилади тощо. В сучасних
електрометалургійних печах за допомогою електричного струму
виплавляють високоякісні сорти сталей, мідь, марганець, в
електролізних печах - алюміній тощо.
Оскільки
то
Тоді
83
Оскільки напрямлений рух носіїв заряду створюється електричним
полем у провіднику, то можна передбачити (експерименти це
підтверджують), що середня швидкість напрямленого руху носіїв
заряду прямо пропорційна напруженості Е поля в провіднику:
~ , або
де u— рухливість носіїв заряду.
Фізичний зміст рухливості розкривається на підставі таких
міркувань. Якщо Е = 1 B/м, то |u| = . Отже, рухливість носіїв заряду
чисельно дорівнює швидкості напрямленого руху, якої вони набувають
під дією електричного поля в провіднику з одиничною напруженістю.
Одиниця вимірювання рухливості випливає з її означення:
84
де т - маса електрона, - напруженість поля в провіднику.
За електронною теорією, при зіткненні з іонами кристалічної
решітки металу кожен електрон віддає решітці всю додаткову
кінетичну енергію, якої він набув під час прискореного руху. Отже,
можна вважати, що після кожного зіткнення впорядкований рух
електрона починається без початкової швидкості (розглядається тільки
додатковий, впорядкований рух, що накладається на хаотичний рух
електронів, який при цьому не припиняється).
Для рівноприскореного руху додаткова швидкість в кінці
вільного пробігу шляху L (перед наступним зіткненням) дорівнює:
Тоді
а то
85
Цей вираз являє собою більш детальний запис закону Ома в
диференціальній формі. Порівнюючи його з попереднім ( ),
знаходимо
86
Спочатку обчислимо густину теплової потужності з
макроскопічної точки зору. Для цього розглянемо провідник довжиною
l, перерізом S і опором R. Якщо в ньому проходить струм I, то за
законом Джоуля - Ленца маємо
Оскільки , то
Тобто або
87
Як було показано вище,
Тоді
Ця формула для обчислення густини теплової потужності
електричного струму добута теоретично на основі уявлень класичної
електронної теорії. Вона виражає собою закон Джоуля - Ленца в
диференціальній формі.
Той факт, що теоретичні міркування, побудовані на уявленнях
класичної електронної теорії, приводять до тих самих формул, які
дають експериментальні дослідження, свідчить, що ця теорія добре
пояснює і закон Ома, і закон Джоуля - Ленца. Отже, правильним є
припущення, що нагрівання металів електричним струмом
відбувається в результаті передачі електронами провідності при їх
зіткненнях з решіткою тієї додаткової енергії, якої вони набувають за
рахунок роботи джерела струму під час прискореного руху, їх на
довжині вільного пробігу.
88
де r1 i r2 – відстані від провідників до точки спостереження.
Потенціали поля на поверхні першого і другого провідника відповідно
дорівнюють:
Звідси
Оскільки
то
E1
Напруженість електричного поля двох
E
провідної лінії визначимо як векторну суму
напруженостей полів, породжуваних кожним із
E2 α
r
89
l
Рис. 59.
провідників:
Оскільки r1 = r2 = r, то Е1 = Е2.
З рисунка знаходимо, що . Звідси .
Враховуючи, що
маємо
б)
Розрахуємо електричний опір
простору між провідниками.
x l Для цього на відстані х від
a
a середини одного з провідників
виділимо поверхню, що являє
собою півциліндр довжиною L
dx і радіусом х. Надамо стінці
Рис. 60. півциліндра елементарного
приросту dx. Опір утвореної
елементарної фігури дорівнює
90
Оскільки a << l, то l – a ≈ l і
Відповідь. а) б)
Приклад 2.
У схемі, зображеній на рисунку 61: 1=2,1В; 2=1,9В; R1 = 45 Ом;
R2=10 Ом; R3=10 Ом. Знайти силу струму у всіх ділянках кола.
Внутрішніми опорами джерел струму знехтувати.
91
; ;
одержимо:
Тоді
92
- для ділянки aε1b:
Відповідь. 0,4 В.
Приклад 4.
Сила струму у провіднику опором R=20 Ом протягом 2с зростає за
лінійним законом від І0=0 до І=6 А. (рис.63). Визначити кількість
теплоти Q1, яка виділяється за першу секунду, та кількість теплоти Q2,
яка виділяється за другу секунду, і знайти відношення кількостей
теплот Q2/Q1.
І, А
6
3
0 t, c
1 2
Рис. 63.
Тоді
Відповідь. , , 7.
94
ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ТВЕРДИХ ТІЛ
Тоді
95
Отже, концентрацію носіїв заряду (електронів провідності) в
металах можна обчислити за формулою
Тоді
, то
Рис. 65.
Очевидно
де п — концентрація вільних носіїв заряду. Отже,
Оскільки та , то
Тоді
97
або
Знак „-” у цій рівності означає, що зменшення енергії впорядкованого
руху (кінетичної енергії) супроводиться зростанням енергії хаотичного
руху. Отже,
Звідси .
Маємо:
або
99
Очевидно,
Тоді
та
дістаємо
Підставляючи замість добутку його значення, знаходимо
де
За електронною теорією,
Тоді
Тоді
Оскільки , то .
Отже, кожен атом у вузлі кристалічної решітки в середньому має
енергію . Тоді енергія теплового руху всіх NA атомів, з
яких складається 1 моль кристала діелектрика, дорівнює:
Тоді
або
103
помітно не впливає на теплоємність металів. Цей висновок ніяк не
можна узгодити з основними положеннями класичної електронної
теорії, що ще раз свідчить про її наближений характер, про
обмеженість її застосування.
§ 30. Надпровідність
105
дорівнює 1,7ּ10-8 Омּм, ебоніту – доброго ізолятора -
2ּ1013 Омּм, германію – напівпровідника - 5 ּ10-2 Омּм );
їх електропровідність в значній мірі залежить від
зовнішніх факторів – температури, освітленості тощо;
з підвищенням температури опір цих речовин різко
зменшується, їх температурний коефіцієнт опору є
від’ємний;
електропровідність напівпровідників не пов’язана з
перенесенням речовини і має електронну природу.
Власна провідність. Розглянемо ідеально чистий напівпровідник,
у якого немає спотворень кристалічної решітки, при Т = 0 К. Для
ілюстрації наступних міркувань скористаємось
площинною моделлю кристалічної решітки
германію (рис. 67). Германій (Gе) належить до
так званих атомарних напівпровідників. Цей
хімічний елемент знаходиться в IV групі
періодичної системи елементів. На зовнішній
Рис. 67. електронній оболонці атома германію
містяться чотири валентні електрони. За
допомогою валентних електронів між атомами германію здійснюються
ковалентні (парноелектронні) зв’язки. На рис.62 ці зв’язки схематично
позначені рисками, а валентні електрони – точками на рисках.
Якщо напівпровідник нагрівати, то поступово зростатиме енергія
теплового руху атомів решітки. При цьому окремі електрони можуть
відриватись від кристалічної решітки. В місцях відриву електронів
утворюється нескомпенсований позитивний заряд, так звана дірка.
Утворена дірка може захопити електрон від сусіднього атома,
внаслідок чого утвориться дірка в іншому місці. Так дірка може
рухатись по всьому кристалу. Оскільки їй відповідає надлишковий
позитивний заряд, то рух дірки рівнозначний позитивному заряду
(хоча, по суті, діркова провідність – це провідність, створювана рухом
зв’язаних електронів). У зовнішньому електричному полі на хаотичний
рух електронів і дірок накладається впорядкований рух. При низьких
температурах напівпровідники практично є діелектриками. З
підвищенням температури концентрація носіїв заряду внаслідок
розриву зв’язків зростає, тому питома електропровідність
напівпровідника при цьому збільшується.
Власна електропровідність напівпровідників дуже мала, оскільки в
чистих напівпровідниках малою є концентрація вільних носіїв
електричного заряду. Для збільшення концентрації вільних носіїв
електричного заряду в напівпровідниках використовують домішки.
Домішкова провідність. Тепер розглянемо такий кристал
германію, в якому невелика частина атомів у вузлах решітки замінена
атомами іншого хімічного елемента. Про такий напівпровідник кажуть,
106
що в нього введено домішки. Роль домішок можуть відігравати також
спотворення кристалічної решітки, надлишок одного з компонентів
при синтезі напівпровідникової сполуки тощо. Припустимо, що атоми
домішки мають більше валентних електронів, ніж атоми германію.
Такими домішками можуть бути елементи V групи періодичної
системи, зокрема фосфор (Р), миш’як (Аs), сурма (Sb). Чотири з п’яти
валентних електронів домішкового атома „витрачатимуться” на
відновлення ковалентних зв’язків з чотирма найближчими сусідніми
атомами германію, а п’ятий електрон буде „зайвим”. Кулонівська сила
притягання цього електрона до домішкового атома в кристалі
ослаблюється в ε разів (для германію ε = 16). Відповідно зменшиться
енергія іонізації домішкового атома. Тому в кристалах з домішками
при температурах, значно нижчих за кімнатну, коли власна провідність
ще не настає, домішкові атоми втрачатимуть свої „зайві” електрони,
які при цьому ставатимуть електронами провідності. Через це домішки,
які віддають електрони в зону провідності кристала, називають
донорними. Як правило, донорними домішками є атоми тих хімічних
елементів, які розміщуються в наступній групі періодичної системи і,
отже, на зовнішній електронній оболонці мають більше валентних
електронів, ніж атоми кристала.
Оскільки при втраті домішковим атомом п’ятого електрона
ковалентні зв’язки в решітці германію не порушуються (рис. 68), то
донорні домішки не утворюють дірок у заповненій зоні кристала.
Електропровідність напівпровідників з домішками, зумовлену
вільними електронами донорних атомів, називають домішковою
провідністю п-типу.
Розглянемо випадок, коли в напівпровід-
ник введено домішку, атоми якої мають
менше валентних електронів, ніж атоми
кристала. Для германію такими домішками
можуть бути елементи III групи періодичної
системи елементів, такі як бор (В), галій
Рис. 68. (Gа), індій (Іn) тощо. При заміні атома
германію у вузлі кристалічної решітки
атомом домішки один з чотирьох ковалентних зв’язків виявиться
незаповненим, бо у домішкових атомів елементів III групи на
зовнішній електронній оболонці є лише по три електрони. Оскільки в
кристал введено нейтральний атом домішки, то незаповнений
ковалентний зв’язок біля домішкового атома не несе
нескомпенсованого заряду і тому ще не є діркою. При підвищенні
температури деякі валентні електрони атомів германію, які ще не
набули достатньої енергії для відриву від своїх атомів (для переходу у
вільну зону), виявляються здатними перестрибнути на незаповнений
ковалентний зв’язок біля домішкового атома. Для цього потрібно мати
енергію меншу, ніж для переходу в зону провідності. Те, місце, що
107
залишилось після електрона (розірваний ковалентний зв’язок між
атомами германію), є діркою, бо з ним пов’язаний нескомпенсований
позитивний заряд (рис. 69).
Через хаотичність теплового руху заповнення дірки однаково
імовірне в будь-якому напрямі. Тому дірка в кристалі дифундує
безладно, а її траєкторія нагадує траєкторію руху броунівської
частинки. Дифузія дірки в кристалі фізично означає стрибкоподібний
перехід зв’язаних електронів з одного (заповненого) ковалентного
зв’язку на другий (незаповнений).
Коли такий кристал вмістити в електричне поле, дірки
дифундуватимуть переважно вздовж поля. При вмиканні в електричне
коло в напівпровіднику спостерігатиметься
електричний струм як результат переважного
стрибкоподібного руху зв’язаних електронів
проти поля, тобто дірок у напрямі поля.
Домішкову провідність
напівпровідників, зумовлену
Рис. 69. напрямленим рухом дірок, тобто
напрямленим переходом зв’язаних
електронів від одного атома до другого, називають дірковою, або
провідністю р-типу. Домішки, які спричиняють діркову провідність,
називають акцепторними.
Отже, той самий напівпровідник може мати як власну, так і
домішкову провідність. Залежно від хімічної природи введеної в
кристал домішки його електропровідність може бути електронною (n-
типу) або дірковою (р-типу). Механізм провідності в напівпровідниках
обох типів електронний: у кристалах n-типу під дією поля рухаються
вільні електрони, в кристалах р-типу стрибкоподібне переміщуються
від атома до атома зв’язані електрони.
Очевидно, зв’язані електрони в тому самому напівпровіднику
менш рухливі, ніж вільні електрони. Тому, як правило, рухливість
дірок менша, ніж електронів.
Коли в домішковому напівпровіднику, наприклад р-типу, виникає
власна провідність, то в перенесенні заряду беруть участь поряд з
дірками і вільні електрони. Але їх відносна концентрація буде дуже
малою порівняно з концентрацією дірок. Тому дірки в кристалах р-
типу називають основними носіями заряду, а електрони - неосновними.
В напівпровідниках з n-типом провідності основними носіями заряду є
електрони, неосновними — дірки.
Слід зазначити, що у всіх розглянутих випадках власної і
домішкової провідності одночасно з генеруванням носіїв заряду (при
нагріванні чи іншому способі передачі енергії кристалу) відбувається і
обернений процес - рекомбінація. Якщо йдеться про певне значення
концентрації носіїв заряду чи питомої електропровідності
напівпровідника, то мається на увазі, що між процесами генерування і
108
рекомбінації має місце динамічна рівновага.
109
Розділ IV
КОНТАКТНІ ЯВИЩА В МЕТАЛАХ І НАПІВПРОВІДНИКАХ
Зовнішня к. р. п. зумовлена
вакуум неоднаковою роботою виходу у
різних металів. Це означає, що
глибина потенціальних ям цих
металів неоднакова.
Розглянемо два різні метали
А і В, енергетичний спектр яких
Метал В до утворення контакту між
Метал А
ними зображено на рис. 73.
Рис. 73 Припустимо, що робота виходу
з металу А більша, ніж з металу В, тобто При утворенні
контакту цих металів частина електронів провідності в результаті їх
хаотичного руху дифундуватиме з металу А в метал В. Існуватиме
також і обернений перехід частини електронів з металу В в метал А. Ці
протилежно напрямлені потоки електронів з одного металу в другий в
місці їх дотику називають дифузійними і позначають відповідно IBA та
IAB .
112
Величина дифузійних потоків у початковий момент буде
неоднаковою: оскільки , то імовірність виходу електронів з
металу В більша, ніж з металу А. Отже, дифузійний потік IBA
електронів з металу В в метал А більший, ніж обернений потік IAB.
З часом концентрація електронів у металі А зростає, і він
заряджається негативно, а в металі В зменшується, і він заряджається
позитивно. Створюване нескомпенсованими зарядами електричне поле
в контактній області протидіє переходу електронів з металу В в метал
А, тобто послаблює дифузійний потік IBA і відповідно підсилює потік
IAB. З часом між цими потоками настає динамічна рівновага
113
За основним рівнянням молекулярно-
кінетичної теорії, парціальний тиск
електронного газу пов’язаний з концентрацією
таким співвідношенням:
створює силу
під дією якої вся маса електронного газу, що міститься між площинами
1 і 2, переміщується в бік меншої концентрації, тобто в бік площини 1.
Електричне поле перехідної області діє на електронний газ між
площинами 1 і 2 в протилежному напрямі з силою
де dq — сумарний заряд усіх dN електронів в об’ємі dV між
площинами 1 і 2. Очевидно,
Отже,
то
Звідси
114
або
§ 34. Термоелектрика
115
Рис. 76
де α - коефіцієнт т е р м о - е. р. с., що чисельно дорівнює тій
термоелектрорушійній силі, яка виникає в колі при різниці
температур спаїв в 1 градус. В СІ коефіцієнт термо-е. р. с. вимірюється
у . Оскільки за величиною коефіцієнт термо - е. р. с.
Тоді
Отже,
116
значення, що знаходяться в межах від 0,5 до 50 .
Розділ V
ЕЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
або
127
називають сталою магнітного поля, або магнітною
сталою. Добуток магнітної сталої µ0 на відносну магнітну проникність
µ називають абсолютною магнітною проникністю речовини µа:
~ або
130
Отже, ≈ де кут dα виміряно в радіанах. Тоді
131
Для будь-якого елемента dl колового струму маємо:
Тоді
де r0 - радіус витка.
Якщо N однакових витків утворюють плоску котушку, тобто
лежать майже в одній площині, то напруженість поля в центрі котушки
буде в N разів більшою:
sinα = 1.
За правилом свердлика (або векторного
добутку) знаходимо, що вектор
перпендикулярний до радіуса-вектора і
утворює з віссю витка h кут β. Цей кут буде Рис. 91.
однаковим для всіх елементарних векторів
створюваних у точці О' всіма елементами провідника dl. Тому
замість векторного додавання елементарних напруженостей простіше
обчислити інтегральну суму їх проекцій на вісь витка, тобто
де
Оскільки прямокутні трикутники АВО та СОО´ подібні
(сторони, що утворюють кут β, взаємно перпендикулярні), то
132
Тоді
Отже,
Отже,
Цей запис виражає так званий закон повного струму для струмів
провідності: циркуляція вектора напруженості магнітного поля, що
існує навколо провідників з постійним електричним струмом,
вздовж замкненого шляху дорівнює алгебраїчній сумі струмів,
охоплених розглядуваним контуром (замкненою лінією).
Циркуляція вектора напруженості магнітного поля струму
відрізняється від нуля. Це означає, що магнітне поле є вихровим,
непотенціальним. Непотенціальний (вихровий) характер магнітного
поля рухомих зарядів, які створюють електричний струм, є основною
відмінністю цього поля від електростатичного поля нерухомих зарядів.
За допомогою закону повного струму,
тобто поняття про циркуляцію вектора
напруженості магнітного поля, можна легко
дістати формулу для обчислення
напруженості поля на осі довгого соленоїда.
Розглянемо переріз соленоїда довжиною L, з
N витків, по якому проходить струм I (рис.
93). Тоді Рис. 93.
Тоді
або
Звідси
Тоді
138
Оскільки заряди носіїв мають протилежні знаки ,то
Рис. 96.
139
яка з великою швидкістю (800—1000 ) надходить у сопло МГД-
генератора, розміщене між полюсами потужного електромагніту.
Додавання в пальне невеликої кількості (до 1%) активуючих
домішок, наприклад, поташу, підвищує іонізацію, а отже, й
електропровідність плазми в 104 разів. У магнітному полі під дією сили
Лоренца різнойменні носії заряду відхиляються в протилежні боки і
заряджають струмознімні електроди, між якими виникає
електрорушійна сила (до 500—600 В), що обчислюється за формулою:
Звідси
тобто
Тоді
заряду електрона:
Звідси
142
Оскільки електричне поле між пластинами плоского конденсатора
однорідне, то
Тоді
Звідси маємо:
Тоді
Прирівнюючи праві частини двох виразів для Ех, а саме
та
дістаємо:
144
I замість густини j. Тому формулі, що описує ефект Холла, надають
дещо іншого вигляду. Для цього вираз
Тоді
148
Феpомагнітні властивості pечовини зумовлюються наявністю
нескомпенсованих спінових магнітних моментів електронів, внаслідок
чого,
Рис. 103.
незалежно від наявності зовнішнього поля, існують ділянки pечовини
(домени, ~0,001 мм), вже повністю намагнічені. Якщо зовнішнього
поля немає, то pезультуючі магнітні моменти доменів pозміщені
хаотично, і тіло не виявляє своїх магнітних властивостей. Пpи
внесенні феpомагнетика в магнітне поле, магнітні моменти доменів
орієнтуються вздовж силових ліній поля і підсилюють його (Рис. 103).
Феромагнетик може зберігати стан намагнічення і після того, як
його вийняли з магнітного поля . Магнітні властивості феpомагнетиків
залежать від темпеpатуpи. Пpи нагpіванні магнітна пpоникність
феpомагнетика зменшується, і, пpи досить великій темпеpатуpі , яку
називають точкою Кюpі, в них відбувається pозпад доменів. Якщо
pечовину охолодити, то вона знову пеpетвоpюється у феpомагнетик.
Феромагнетики досить широко використовують на практиці. З них
виготовляють постійні магніти, осердя електромагнітів,
електродвигунів, генераторів, трансформаторів тощо. Надзвичайно
поширеним у наш час є магнітний запис інформації, який ґрунтується
на здатності феромагнетиків зберігати стан намагнічення.
Відповідь.
Приклад 2.
Електрон у незбудженому атомі водню рухається навколо ядра по
колу радіус якого дорівнює 53 пм. Визначити силу еквівалентного
струму Іекв та напруженість магнітного поля Н у центрі кола.
а період обертання
150
Обертання електрона навколо ядра еквівалентно струмові
У даному випадку
Відповідь. ; .
Приклад 3.
Два паралельних нескінченно довгих провідники, по яких в
одному напрямку протікають струми по 60 А, розташовані на відстані
d = 10 см один від одного. Визначити магнітну індукцію В у точці, яка
віддалена від одного провідника на відстань r1 = 5 см і від другого – на
відстань r2 = 12 см.
151
Умова задачі Аналіз і розв’язок
B-? Для знаходження магнітної індукції у
d = 10 см = 0,1 м; вказаній точці А (рис. 106) визначимо
r1 = 5 см = 0,05 м; напрямки векторів індукції полів,
r2 = 12 см =0,12 м; породжуваних кожним із провідників окремо
І = 60 А; і додамо їх геометрично, тобто
= 410-7Гн/м; .
= 1.
Абсолютне значення індукції
результуючого магнітного поля знайдемо за
теоремою косинусів:
.
(1)
(2)
Обчислимо значення cos.
Відмітимо, що =DAC. Тому за
теоремою косинусів запишемо
Рис. 106. де d –
Відповідь. 286мкТл.
Приклад 4.
Визначити індукцію магнітного поля в точці О, якщо провідник із
152
струмом І має вигляд, показаний на рисунках 107 та 108. Радіус
кривизни зігнутої частини провідника дорівнює R, прямолінійні
частини провідника можна вважати нескінченно довгими.
Аналіз і розв’язок
Модуль вектора магнітної індукції поля, створюваного елементом
струму в деякій точці простору, визначається за законом Біо – Савара –
Лапласа:
Якщо =1, то
Відповідь.
Приклад 5.
Знайти індукцію магнітного поля в центрі контора, який має вигляд
прямокутника, якщо його діагональ d = 16 см, кут між діагоналями j =
=300, а сила струму в контурі I=5,0 A.
Аналіз і розв’язок
Індукція магнітного поля в центрі прямокутника дорівнює сумі
індукцій полів, породжуваних у цій точці струмами, що протікають по
кожній із сторін прямокутника : , де В1 і В2 – індукції
полів, породжуваних відповідно сторонами a і b (рис. 109). Значення B1
і B2 відповідно дорівнюють:
.
154
Оскільки то
,
Рис. 109.
.
З рисунка знаходимо:
, .
Тоді
155
Враховуючи, що sin2j1=sin2×750=sin1500=sin300=sinj, одержимо:
Приклад 6
Визначити індукцію В і напруженість Н магнітного поля на осі
тороїда без осердя, по обмотці якого протікає струм силою І =5А.
Зовнішній діаметр тороїда d1 дорівнює 30 см, внутрішній – d2=20 см,
тороїд має 200 витків.
Умова задачі: Аналіз і розв’язок
В -? Н - ? Для визначення напруженості магнітного поля
І =5 А; всередині тороїда обчислимо циркуляцію
d1 = 30 см;
вектора напруженості вздовж лінії
d2 = 20 см;
N = 200; магнітної індукції поля: .
0 = 410-7 Гн/м;
.=1. З умови симетрії випливає, що лінії магнітної
індукції тороїда являють собою кола і що в
усіх точках цієї лінії напруженості однакові.
Тому у виразі для циркуляції напруженість Н можна винести за знак
інтеграла, а інтегрування проводити в межах від нуля до 2r, де r –
радіус кола, яке співпадає з лінією індукції, вздовж якої обчислюється
циркуляція, тобто
(1)
156
З іншого боку, відповідно до закону повного струму, циркуляція
вектора напруженості магнітного поля дорівнює сумі струмів
охоплених контуром, вздовж якого обчислюється циркуляція:
(2)
(3)
звідки
(4)
(5)
(6)
157
б) по двох паралельних площинах лінійними густинами і
.
Аналіз і розв’язок
Отже,
Звідси
158
І1
B1 B2
I2
B1
B2
B2
BРис.
1 111.
пластинами.
159
Розділ VI
ЕЛЕКТРОМАГНІТНА ІНДУКЦІЯ
Рис. 113.
магніт, тобто притягувати його. Це означає, що магнітне поле
161
індукційного струму буде паралельним зовнішньому, тобто з боку
магніту матимемо південний S полюс. За правилом свердлика
знаходимо, що для створення такого поля індукційний струм у витку
повинен проходити за стрілкою годинника (якщо дивитися з боку
магніту).
В окремому випадку виникнення індукційного струму в прямому
провіднику, який є ділянкою замкненого кола і рухається в
зовнішньому магнітному полі перпендикулярно до ліній індукції, тобто
„перетинає” їх, напрям струму можна визначати за правилом правої
руки (рис. 113): якщо праву руку розмістити в магнітному полі так,
щоб силові лінії входили в долоню, а відігнутий під прямим кутом
великий палець збігався з напрямом переміщення провідника, то
чотири витягнуті пальці вкажуть напрям індукційного струму в
цьому провіднику.
162
Знак „-” в записаних рівняннях дає змогу визначити напрям
індукційного струму.
Розглянемо кілька прикладів застосування загальної формули
(основного закону) електромагнітної індукції для обчислення е. р. с.
індукції в частинних випадках.
1. Поступальний рух прямого провідника в однорідному
магнітному полі.
Прямолінійний провідник довжиною l, рухаючись рівномірно в
однорідному магнітному полі з індукцією так, що його швидкість
перпендикулярна до осі провідника, протягом деякого часу ∆t
описує прямокутник площею і перетинає магнітний потік
Якщо вектор перпендикулярний до осі
провідника, то його проекція на нормаль до описаної в даному випадку
поверхні дорівнює модулю цього вектора:
Тоді
Внаслідок цього в замкнутому контурі, до якого належить
розглядуваний провідник, виникатиме електрорушійна сила індукції,
модуль якої визначимо за законом електромагнітної індукції:
Рис. 114.
163
проходить перпендикулярно до ліній вектора індукції , в рамці
виникає е. р. с. індукції, яка змінюється в часі за певним законом.
Визначимо цей закон.
Нехай у початковий момент часу рамка була розташована так, що її
поверхня перпендикулярна до вектора (нормаль до рамки і
вектор співнапрямлені). При такому положенні рамку перетинав
максимальний магнітний потік
164
Сформульовані в попередніх параграфах закони
електромагнетизму встановлено для електричного струму провідності,
який створюється напрямленим рухом мікроскопічних частинок -
носіїв заряду (електронів та іонів) у провідниках та вакуумі.
Електричний струм, зумовлений переміщенням макроскопічних
заряджених тіл, називають конвекційним. Ученим, які розробляли
класичну теорію електромагнетизму, не здавалось самоочевидним, що
струми провідності та конвекційні струми є принципово однаковими
джерелами магнітного поля.
Відповідь на питання, чи створює наелектризоване тіло, що
перебуває в русі, магнітне поле (поряд з електричним), дали результати
експериментів, проведених в Берлінському університеті в 1878р.
американський фізик Генрі Роуландом (1848—1901). Ці дослідження
продовжив російський фізик О. О. Ейхенвальд (1863—1944) у 1901—
1904 рр. Значною трудністю при їх проведенні було точне
вимірювання напруженість магнітного поля конвекційного струму,
створюваного зарядженим диском, який обертався навколо своєї осі.
Адже напруженість цього поля була в 10 5 – 104 разів меншою за
напруженість магнітного поля Землі.
Досліди Роуланда та Ейхенвальда дали позитивні результати:
справді, конвекційні струми, пов’язані з механічним рухом
наелектризованих тіл, створюють таке саме магнітне поле, як і
відповідні їм струми провідності. Отже, в цих дослідах було доведено
існування магнітного поля під час механічного руху наелектризованих
тіл, а точними вимірюваннями підтверджено еквівалентність
конвекційних струмів та струмів провідності. Досліди Роуланда і
Ейхенвальда належать до серії перших експериментів, в яких було
підтверджено теоретичні висновки про єдину природу електричних і
магнітних явищ, які випливали з праць Максвелла.
До цього існувало окремо вчення про електрику, вчення про
магнетизм, вчення про світло. Взаємозв’язок між електричними та
магнітними явищами було закладено експериментальними відкриттями
Ерстеда, Ампера, Фарадея. Завершив поєднання електрики з
магнетизмом і теоретично передбачив електромагнітну природу світла
видатний англійський учений Джеймс Клерк Максвелл (1831—1879).
Аналізуючи різноманітні електромагнітні явища, Максвелл дійшов
висновку:
а) будь-які зміни магнітного поля приводять до виникнення
вихрового електричного поля (явище електромагнітної індукції);
б) будь-які зміни електричного поля супроводяться виникненням
вихрового магнітного поля.
Сукупність змінних електричного і магнітного полів утворює
так зване електромагнітне поле, яке поширюється у просторі, з
швидкістю близько 3ּ108м/с.
Оскільки у всіх експериментах магнітне поле було неминуче
165
пов’язане з електричним струмом, то Максвелл у своїх теоретичних
працях змінне електричне поле, з яким пов’язане існування вихрового
магнітного поля, назвав струмом зміщення (на відміну від струму
провідності та конвекційного струму).
Розглянемо плоский конденсатор ємності С, на який подано
напругу U (рис. 115). При цьому протягом часу τ у з’єднувальних
провідниках існуватиме електричний струм, і конденсатор набуде
заряду
Оскільки то
2)
3)
4)
Три додаткові рівняння, за допомогою яких встановлюється зв’язок
між векторами і ,а і , а саме:
де L – індуктивність котушки.
Тоді
, де
ε12 ~ або
Тоді
Можна довести, що
Отже, коефіцієнт взаємоіндукції двох котушок (контурів) залежить
від їх параметрів та взаємного розміщення.
Для двох котушок, розміщених на одному феромагнітному осерді
(залізне ярмо трансформатора, феритова антена тощо), яке відіграє
роль магнітопроводу, η1=1 (або відповідно η2 = 1). Формула для
обчислення коефіцієнта взаємоіндукції двох котушок з сильним
магнітним зв’язком набуває вигляду:
Тоді
Тоді
174
Враховуючи, що добуток Іּп = Н визначає напруженість магнітного
поля всередині соленоїда (яке є однорідним), одержуємо:
Оскільки то
Локальна об’ємна густина енергії магнітного поля визначається за
формулою
Відповідь. 47,1 В.
Приклад 2.
По соленоїду протікає струм І = 2 А. Магнітний потік Ф, що
пронизує поперечний переріз соленоїда, дорівнює 4 мкВб. Визначити
індуктивність соленоїда, якщо він має N = 800 витків.
Приклад 3.
176
У соленоїді при швидкості зміни сили струму на його
кінцях виникає е.р.с. самоіндукції εsi = 0,08 В. Визначити індуктивність
соленоїда.
Приклад 4.
Обмотка соленоїда складається з одного шару витків мідного
дроту діаметром d = 0,2 мм, які щільно прилягають один до одного.
Діаметр соленоїда D = 5 см. Через соленоїд протікає струм І = 1 А.
Визначити заряд q, який протік по обмотці при замиканні кінців
соленоїда накоротко.
177
Вносячи вираз для сили струму під знак інтеграла, та врахувавши,
що І→ 0 при t → ∞, одержимо:
Враховуючи, що маємо:
179
Розділ VII
ЗМІННИЙ ЕЛЕКТРИЧНИЙ СТРУМ
де
Якщо до кілець, до яких підведено кінці пpовідників pамки, за
допомогою ковзних контактів під’єднати зовнішне коло, то в ньому
пpотікатиме стpум, який також змінюється за гаpмонічним законом. На
такому пpинципі гpунтується pобота індукційного генеpатоpа
змінного стpуму.
Hа пpактиці, для збудження магнітного поля, частіше
180
викоpистовують не постійні магніти, а електpомагніти, які для
підсилення магнітного поля, як і pамку, в якій індукується стpум,
pозміщують на феpомагнітних осеpдях. Стpуми, які підводяться для
живлення електpомагнітів, значно менші від індукованих стpумів, що
відводяться від генеpатоpа. Тому на пpактиці часто обеpтовою
частиною генеpатоpа (pотоpом) pоблять електpомагніт, до якого за
допомогою ковзних контактів підводять стpум, а котушка, в якій
індукується стpум, є статоpом (неpухомою обмоткою, підкpіпленою до
коpпусу). Ротоp генеpатоpа пpиводиться в pух за допомогою туpбіни.
Практично використовується змінний струм певної частоти.
Стандаpтна частота змінного стpуму доpівнює 50 Гц. Для одеpжання
стpуму даної частоти, потpібно обеpтати pотоp генеpатоpа з такою ж
частотою - 50 Гц або 3000 1/хв. Ідеально відцентpувати таке масивне
тіло, як pотоp генеpатоpа, неможливо. Тому pотоp з такою великою
частотою обеpтатись пpактично не зможе. Для зменшення частоти
обеpтання pотоpа (пpи тій самій частоті індукованого стpуму), в
індукційних генеpатоpах викоpистовують багатополюсні магніти.
181
Якщо струм змінюється за законом то кількість
теплоти, яка виділяється при проходженні змінного струму за час dt та
протягом періоду Т обчислюється відповідно за формулою
Отже,
Звідси
Отже,
182
§57. Активний, індуктивний і ємнісний опори у колі змінного
струму
або
а
Відношення задає
183
Напруга на індуктивному навантаженні
випереджає за фазою силу струму
. Якщо R = 0, то (рис. 122):
u U m sin t ,
i = Im sin t
2 .
Конденсатор в колі постійного струму
має нескінченно великий опір. Якщо ж до
обкладок конденсатора прикласти змінну
Рис. 122 напругу, то він буде періодично
перезаряджатись, і в колі протікатиме струм.
Електричний опір, який чинить конденсатор в колі змінного
струму, називають ємнісним. Ємнісний опір обернено пропорційний
частоті струму ω та ємності конденсатора C:
184
видів навантаження (рис. 125).
За законом Ома де Z -
повний опір кола. Тоді
Звідси
185
При цьому спад напруги на кінцях котушки індуктивності
дорівнює спаду напруги на обкладках конденсатора. Ці напруги
перебувають у протифазах і взаємно зрівноважуються. Кажуть, що при
цьому спостерігається послідовний резонанс або резонанс напруг.
Частоту змінного струму, при якому відбувається резонанс напруг,
називають резонансною частотою. Як видно з умови рівності
реактивних опорів, резонансна частота дорівнює
186
Розглянемо випадок паралельного вмикання котушки
індуктивності L і конденсатора С в коло змінного струму (рис. 127) при
умові, що активний опір ділянок малий і ним
L
можна знехтувати. Нехай подана напруга
змінюється за законом
C
При паралельному з’єднанні навантажень u
напруга на кожному з них змінюватиметься за ~
таким же законом. Проте струм, що протікає через Рис.~ 127
котушку, відстає, а струм, що протікає через конденсатор, випереджає
напругу на :
IC
I
U0
Побудуємо векторну діаграму сил струмів,
IL
взявши за опорну лінію вектор напруги U0. Нехай І0С
> І0L. Тоді векторна діаграма матиме вигляд, Рис. 128.
показаний на рис.128.
Як видно з діаграми, загальна сила струму І=ІС – ІL.
Розглянемо випадок, коли параметри кола та частота струму
підібрані так, що
187
великий опір для струму резонансної частоти Контур
В даній задачі
ІС
Таким чином, струм ІС випереджає за фазою е.р.с. на
π/2, а струм IRL за фазою від е.р.с. на π/2 (векторна ε
діаграма показана на рисунку 133). Додавши вектори,
що зображають струми ІС та IRL, знаходимо вектор, ІRL
який зображає струм І в нерозгалуженій частині кола: Рис. 133.
192
Умовні позначення фізичних величин
Величина Одиниця
позначен
Назва позначення найменування
ня
Електричний заряд q кулон Кл
Відносна діелектрична
- -
проникність середовища
Напруженість вольт поділений на
В/м
електричного поля метр
Поверхнева густина кулон поділений на
Кл/м2
заряду метр квадратний
кулон поділений на
Лінійна густина заряду τ Кл/м
метр
кулон поділений на
Електричне зміщення Кл/м2
метр квадратний
Потенціал електричного
вольт В
поля
Різниця потенціалів вольт В
Електроємність С фарад Ф
Енергія електричного
W джоуль Дж
поля
Об’ємна густина енергії джоуль поділений на
w Дж/м3
електричного поля метр кубічний
ампер поділений на
Густина струму А/м2
метр квадратний
Електричний опір R ом Ом
ом помножений на
Питомий опір Омм
метр
Електропровідність G сименс См
(Ом помножений на
Питома
λ метр) у мінус (Омм)-1
електропровідність
першому степені
Електрорушійна сила ε вольт В
Робота електричного
А джоуль Дж
струму
Потужність ват Вт
193
електричного струму Р
Індукція магнітного
тесла Тл
поля
Напруженість ампер поділений на
А/м
магнітного поля метр
Індуктивність L генрі Гн
194