Przyrządy

półprzewodnikowe – część 3
Prof. Zbigniew Lisik
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych
i Optoelektronicznych
pokój: 110
e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl

wykład 30 godz.
laboratorium 30 godz
WEEIiA E&T
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Zasada działania
Przyrządy bipolarne :
● Charakteryzują się tym, że oba typy nośników (elektrony i dziury)
biorą udział w przepływie prądu.
● Ich istotą jest występowanie wstrzykiwania nośników
mniejszościowych przez złącze spolaryzowane w kierunku
przewodzenia.
● Prowadzi to do drastycznego wzrostu koncentracji nośników w
obszarach słabodomieszkowanych i w konsekwencji do drastycznego
wzrostu ich przewodności – określanego jako modulacja
przewodności.
● Z uwagi na występowanie koncentracji nadmiarowych ich
dynamika jest ograniczona przez procesy rekombinacyjne

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Zasada działania
Przyrządy uipolarne :

● Charakteryzują się tym, że prąd tworzą w nich jedynie nośniki

większościowe.
● Zwykle są one sterowane sygnałem napięciowym i dlatego
często są one nazywane przyrządami sterowanymi polowo.
● Prąd płynie w nich poprzez półprzewodnik jednego typu (typu n
lub typu p), tak więc nie występuje w nich wstrzykiwanie
nośników.
● Koncentracje elektronów i dziur są w nich generalnie równe
swoim wartościom równowagowym – nie występuje efekt
modulacji przewodności.

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Zasada działania
Przyrządy Bi-MOS:

● Charakteryzują się tym, że posiadają one części pracujące,

odpowiednio, jak przyrządy bipolarne i unipolarne.
● Jako przyrządy dyskretne są one zwykle sterowane przez sygnał
napięciowy, a więc prościej niż w przypadku przyrządów
bipolarnych.
● Wykorzystują one podstawową własność przyrządów
bipolarnych – modulację konduktywności.
● Są one zwykle szybsze od odpowiadających im przyrządów
bipolarnych.

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Zasada działania

Bipolarne BiMOS Unipolarne

Diody Tranzystory Polowe

Static Induction
Thyristor (SITh) Złączowe (JFET)
Tranzystory
Bipolarne
Tranzystory Bipolarne Tranzystory Polowe
z Izolowaną Bramką z Izolowaną Bramką
Tyrystory (IGBT) (MOSFET)
GTO

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Konstrukcja i obudowa
Przyrządy dyskretne - jeden przyrząd w jednej obudowie

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Konstrukcja i obudowa
Układy scalone - układ elektroniczny z wieloma przyrządami
wykonany na jednej strukturze
półprzewodnikowej

21164 Alpha die

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Konstrukcja i obudowa

Moduły zintegrowane - kilka przyrządów i/lub układów scalonych

zmontowanych w jednej obudowie

IPM

MCM

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Przeznaczenie
Przyrządy optoelektroniki - są to przyrządy sterowane
światłem ( np. fototranzystory, fotodiody, fototyrystory) oraz
emitujące światło (np. LEDy, lasery) jak również ogniwa
słoneczne. FD

LED

Ogniwa
LD słoneczne

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Przeznaczenie
Przyrządy wysokich częstotliwości - są one zdolne do pracy
przy bardzo dużych częstotliwościach sięgających GHz’ów
zarówno jako źródła sygnału AC (np. diody Gunna lub
lawinowe) jak i jako aktywne elementy obwodów wysokiej
częstotliwości (np. tranzystory HJBT, HEMT czy MESFET).
Przykład powszechnego zastosowania – telefonia mobilna.

Space application

diody
HEMT
klucze HF

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Przeznaczenie
Sensory - obejmują szerokie spektrum różnych przyrządów
półprzewodnikowych, których podstawową cechą jest ich
czułość na pewne parametry fizyczne lub czynniki chemiczne
(np. hallotrony, termistory, czujniki wilgotności i gazów)
MEMS metan sensor Hallotron

Czujnik CO

Czujnik wilgotności
Termistory

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Przeznaczenie
Przyrządy mocy - przyrządy dla prądów powyżej 40A i napięć
powyżej 300V dla „power management”. Są wykorzystywane
jako elementy przełączające w energoelektronice.

Część 3
 Przyrządy Półprzewodnikowe - przegląd

Przeznaczenie
Microsystemy - są połączeniem przyrządów elektrycznych
i mechanicznych wykonywanych na jednej strukturze
półprzewodnikowej lub wykonywane jako moduł zawierający
elementy dyskretne (tzw. micromachining). Przykład – czujnik
przyspieszenia sterujący poduszką powietrzną.
czujnik pojemnościowy mikrofon

mikrosilni
k
mikromedycyna

mikroaktuator

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Złącze p-n – współczynnik wstrzykiwania

SCR
Współczynnik wstrzykiwania
nn0 dla elektronów:
pp0
A p K
n
np0 J ej
pn0  ep 
J

Współczynnik wstrzykiwania
Jej Je dla dziur:

J hj
Jhj Jh  h n 
Obszar J
Złącza

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Złącze p-n – współczynnik wstrzykiwania

J ej J hj J ej  J hj
 ep   h n    1
J J J

0   h n  1 0   ep  1

● złącze p-n może być

emiterem elektronów:
 ep  1 kiedy Nd >> Na

● złącze p-n może być

emiterem dziur:  h n  1 when Na >> Nd

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – rezystancja szeregowa

Obszar złącza DI
nn0 Rs
pp0 DI+Rs
np0 p n ID
pn0

Rsp DI Rsn
Is0 UD

DI Rs

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – konduktancja upływu

SCR DI
Rs
E Gl
pp0
p n DI+Rs+Gl ID
np0

Jl – prąd upływu

Gl
Is0 UD

Gl

DI Rs

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Złącze p-n – pojemność złączowa

p n

DQ DQ

w1U1 w2U2=U1 + DU

DQ
Cj =
DU

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Złącze p-n – pojemność dfuzyjna

nn0
pp0
np0 p n
pn0

p2U2=U1 + DU
DQ
p1U1

n2U2=U1 + DU DQ
DQ CD =
p n1U1 DU

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – model diody rzeczywistej

DI
Rs
Gl
DI+Rs+Gl ID
Gl

DI Rs
Cj
Is0 UD
Cd

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – napięcie przebicia

DI
Rs
Gl Rodzaje przebić::
DI+Rs+Gl ID
● lawinowe
● Zenera

Ubr ● skrośne
UD

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – przebicie lawinowe

Elektron jest przyspieszany w SCR
WC
przez siłę:
Wg Wkin FE  qE
WV
i jego energia kinetyczna rośnie:

E
Wkin  FE l  qEl
SCR
l – droga swobodna pomiędzy dwoma
zderzeniami
Elektron może oddać nadmiarową energię na dwa sposoby:
- w zderzeniach z siecią – fononami
- w zderzeniach z innymi nośnikami (elektrony lub dziury)

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – przebicie lawinowe

WC Jeżeli energia kinetyczna jest
wystarczająco duża , w wyniku zderzenia
Wkin z elektronem pasma walencyjnego może
WV być wygenerowana para dziura-elektron.

Wymaga to:: Wkin  Wion  Wg

gdzie Wion – energia joniacji

Ponieważ uzyskanie takiej energii wymaga różnych Wion

dróg swobodnych przy różnych natężeniach pola lion 
elektrycznego, zdefiniowano średnią drogę jonizacji qE
zależną od pola elektrycznego:

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – przebicie lawinowe

WC Powielanie lawinowe prowadzące
do przebicia lawinowego ma
Wkin miejsce kiedy:
WV
● dla konkretnego natężenia pola E

w SCR  lion

● zderzenie z nośnikami jest bardziej

lph- średnia droga swobodna dla prawdopodobne niż z fononami:
rozpraszania na fononach
78 Ǻ lion
Si rion  1
Ge 105 Ǻ l ph
GaAs 58 Ǻ

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n model przebicia lawinowego

w diodzie rzeczywistej
ID Współczynnik powielania:

J - całkowity prąd diody

M
Ji - prąd diody bez
powielania
Ubr
UD Prąd całkowity diody w modelu:

 qU 
I D  MIs0  exp - 1
gdzie M określane 1  kT 
eksperymentalnie: M m
 U 
1   
 U br 

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – przebicie Zenera

Przebicie Zenera jest związane z efektem
nazywanym polową generacją par dziura-
elektron, który ma charakter kwantowy.

Ma on miejsce w obszarze o dużym

natężeniu pola elektrycznego, kiedy
nachylenie krawędzi pasma przewodnictwa i
walencyjnego jest bardzo duże, np. w silnie
domieszkowanym złączu p-n.
Jeżeli domieszkowanie jest tak duże, że odległość pomiędzy
punktami A i B jest wystarczająco mała, aby oba punkty znalazły się
wewnątrz dzwonu prawdopodobieństwa, wynikającego z zasady
nieoznaczoności Heisenberga, to ten sam elektron może pojawiać się
w każdym z nich z określonym prawdopodobieństwem.

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – przebicie skrośne

wp
Przebicie skrośne jest efektem
wn
przestrzennym wynikającym z faktu, że
grubość warstw tworzących diodę p-n,
n p wn and wp, jest ograniczona.

wSCR(n) wSCR(p) Rozważmy asymetryczną diodę p-n, w

której:
Nd >> Na
WC
W takiej diodzie

WV
wSCR(p) >> wSCR(n),
oznacza to, że obszar SCR występuje
głównie w warstwie p.

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – przebicie skrośne

wn wp Kiedy napięcie wsteczne rośnie, szerokość
obszaru SCR w warstwach również rośnie
n p i przy pewnym napięciu obszar SCR
wypełnia jedną z warstw.
wSCR(n) wSCR(p) Kiedy dalszy wzrost SCR w jednej z warstw
staje się niemożliwy, warstwa p na rysunku,
jedyną drogą umożliwiającą dalszy wzrost
napięcia wstecznego jest wzrost gęstości
ładunku w obszarze SCR tej warstwy.

WC Może to być osiągnięte poprzez

wprowadzenie dodatkowych elektronów do
SCR warstwy p. Wzrost koncentracji
WV nośników prowadzi jednak do wzrostu
prądu unoszenia w tym obszarze.

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – przebicie skrośne

Gdy prąd unoszenia rośnie w wyniku
wzrostu gęstości swobodnych
ID nośników w obszarze SCR diody,
jest to efekt przebicia.

W przypadku przebicia skrośnego

Ubr nie występuje jednak drastyczny
wzrost prądu przy prawie stałej
UD
wartości napięcia wstecznego, ale
wielkość prądu zależy od napięcia
wstecznego zgodnie z wzorem:

J  a U2

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – charakterystyki przebicia

Łatwo jest rozpoznać, który typ
ID przebicia występuje w diodzie:

● W przypadku przebicia skrośnego nie

występuje gwałtowny wzrost prądu.
● W przypadku przebicia lawinowego
Ubr
napięcie przebicia wzrasta wraz ze
UD
wzrostem temperatury .
● W przypadku przebicia Zenera
napięcie przebicia zmniejsza się wraz
lawinowe Zenera
ze wzrostem temperatury.

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – stan przejściowy

R E
t
E D
ER
tr ts tf
I
E IF
EF
t
t
IR
ER
IF = EF/R IR = ER/R

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda p-n – stan przejściowy

E
t

tr – czas narastania ER
ts – czas magazynowania tr ts tf
I
tf – czas opadania IF
t

IR
IF = EF/R IR = ER/R

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Przegląd diod p-n

Standardowe Specjalne Optoelelektroniczne
● Prostownicza ● Varikap (Cj) ● LED (emisja)
(Ubr,Ron) ● Tunelowa (typu-S) ● Laser (emisja)
● Impulsowa (tr,trr) ● Lawinowa (syg. wcz) ● FD (detekcja)
● Zenera (Ubr) ● p-i-n (sygn wcz) ● ogniwo słoneczne

Inne diody:
● Schottky’ego – wykorzystująca własności nieliniowego kontaktu
metal-półprzewodnik (tr,trr)
● Gunna – wykorzystuje zależność ruchliwości od pola elektrycznego
występującą w pewnych materiałach jak np. GaAs
(charakterystyka I-V typu S)

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Przegląd diod p-n

–I-V charakterystyki typu S

ID
Ip Up – napięcie szczytowe
Ip – prąd szczytowy
Iv Up – napięcie dolinowe

Up Uv UD Ip – prąd dolinowy

ujemna
rezystancja Я - ujemna rezystancja

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Inne diody– Efekt Gunna A n-GaAs K

W niektórych półprzewod-
vu(Iu) vul
vul nikach, np. GaAs, występują
Ip vuh
dwa typy elektronów:
Iv ● lekkie – nl , mefel , µnl
vul = µnl E
Up Uv E(U) ● ciężkie – nh , mefeh , µnh
ujemna
rezystancja vuh = µnh E

E = 0 V/m → nh = 0 → n = nl n = nl + nh

E => ∞ → nl => 0 → n => nh Jun = qnmnE

Chapter 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda prostownicza p-i-n – budowa

[cm-3]
1020

Profile 1018
rozkładu 1016
domieszkowania
1014
20 60 x 40 [mm]
Elementy składowe:
p+ p n n+
p-n - złącze blokujące A K
napięcie
p+, n+ - warstwy emiterów wstrzykujące nośniki do obszarów
słabo domieszkowanych oraz zapewniające dobry kontakt
omowy metal-półprzewodnik

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia

p+ p n n+

p+ i n+
p n

n=p p
n

UF
UP

UI

0 UN
wp+ w wn+

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia

UF = UP + UI + UN
p+ i n+
UF UP
Elementy składowe:
UI
● napięcie na złączach p-i i n-i :
UN
w
kT
U  ln J UP + UN = K1ln I
q I
T2 < T1 T1
● napięcie na obszarze i - omowe :
W W
J dx
U I   Edx  
0
2q 0
n( x ) m ( x ) T2
UF
UI ≈ K2 I0.5

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia

U F = UP + UI + U N
p+ i n+
UP + UN = K1ln I
UF
UI ≈ K2 I0.5 UP
UI
UN
UF = K1ln I + K2 I0.5 w

I
małe I UP + UN > UI T2 < T1 T1

duże I UP + UN < UI
T↑ (UP + UN)↓ a UI↑ T2
UF
- cross point

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda prostownicza p-i-n – stan przewodzenia

Charakterystyka zastępcza:

● rezystancja dynamiczna: DUF

I
3π
DU F I FAV F
Rd  2
DI F
DI
● przybliżenie liniowe:
F
π
I FAV
U F  UO  IFR d 2
IFAV
U
IFAV – znamionowa wartość
średnia prądu UO F

przewodzenia
Część 3
 Przyrządy bipolarne - Diody

Dioda prostownicza p-i-n – stan blokowania

● dioda NPT:
Emax
Cały ładunek przestrzenny
w warstwie n-

p+ p n- n+
● dioda PT:
wSCR
Ładunek przestrzenny w
warstwie n- i n+ Emax
Złącze n- -n + uległo
przebiciu skrośnemu

E
wSCR
p n

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Ogólna prezentacja

p n p
E C E C
B p-n-p
B

n p n E C
E C
B
n-p-n
B

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Zasada działania

Jh JhC
E R C
Je
Bardeen-Brattain
Bell Labs 1947
B

UBE – polaryzacja w kierunku przewodzenia – dziury są

wstrzykiwane z emitera do bazy
UBC – polaryzacja wsteczna – dziury są przenoszone przez
SCR z bazy do na stronę kolektora podczas gdy
elektrony są zawracane do wnętrza bazy

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Zasada działania
Warunki
JE JhE JhC JC normalnej pracy:
R
E JeE C UEB > 0
JeB
B UCB < 0

JC = JhC =  JhE =  JE =  JE 0<<1

β – współczynnik transportu przez bazę

 - współczynnik wstrzykiwania dziur z emitera do bazy

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor jako czwórnik

I1 I2
Obwód U1 = h11I1 + h12U2
U1 WE WY U2
elektryczny
I2 = h21I1 + h22U2

Macierz hybrydowa
 U1   z11 z12   I1  Macierz
 U   z z 22  I 2 
impedancyjna
 2   21  U1   h11 h12   I1 
 I   h h 22   U 2 
 2   21
 I1   y11 y12   U1  Macierz
I    y y 22   U 2 
admitancyjna
 2   21

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor jako czwórnik

OE IC OC IE

IB UCE IB UEC
UBE UBC

OB
IB IC

UEB UCB

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE
OE IC
UBE = h11EIB + h12EUCE
IB UCE IC = h21EIB + h22EUCE
UBE

Warunki zwarciowe UCE = 0 Warunki rozwarciowe IB = 0

h11E = UBE/IB Rezystancja

wejściowa
h12E = UBE/UCE Inwersyjny współczynnik
wzmocnienia napięciowego

h21E = IC /IB Współczynnik Konduktancja

wzmocnienia prądowego h22E = IC /UCE wyjściowa

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE
OE IC Zwarciowy współczynnik
wzmocnienia prądowego
IB UCE
UBE
h21E = IC /IB

IC
IC IC IE 
h 21E      
IB I E - IC 1-
IC 1-
IE

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Charakterystyki IC Charakterystyki
przejściowe wyjściowe UBE

UCE IB
IC = h21EIB + h22EUCE
IC = f(IB) UCE=var
IB UCE
IC = f(UCE) IB=var

UCE IB
UBE = h11EIB + h12EUCE

Charakterystyki Charakterystyki UBE = f(IB) UCE=var

wejściowe oddziaływania
UBE wstecznego UBE = f(UCE) IB=var

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Charakterystyki wyjściowe:: UBE

IC
Obszar odcięcia

IB Oba złącza są spolaryzowane

wstecznie. Obwód zewnętrzny
decyduje o napięciu kolektor-
IB=0
emiter podczas gdy prąd
UCE kolektora jest pomijalnie mały.

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Charakterystyki wyjściowe:: UBE

IC
Obszar aktywny

IB Złącze emiterowe jest

spolaryzowane w kierunku
przewodzenia, a złącze
IB=0 kolektorowe wstecznie Prąd bazy
UCE określa prąd kolektora, a napięcie
kolektor-emiter wynika z
odpowiedzi obwodu zewnętrznego
na wymuszony prąd kolektora.

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Charakterystyki wyjściowe:: UBE

IC
Obszar nasycenia

IB Oba złącza są spolaryzowane w

kierunku przewodzenia. Napięcie
kolektor-emiter jest bardzo małe,
IB=0 a prąd kolektora jest ograniczony
UCE jedynie przez obwód zewnętrzny..
Uwaga: UCE < UCB.

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Obszar bezpiecznej pracy - SOA:: UBE

IC SOA – obejmuje tą część

ICmax Hiperbola mocy charakterystyk wyjściowych, w
admisyjnej której tranzystor może pracować.
Pmax = IC UCE Jest ona ograniczona przez:
SOA
ICmax – maksymalny prąd
kolektora ograniczony przez
wytrzymałość połączeń
Ubr UCE drutowych pomiędzy
kontaktami metalicznymi na
chipie oraz wyjściowymi
polami obudowy

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Obszar bezpiecznej pracy - SOA:: UBE

IC SOA – obejmuje tą część

ICmax Hiperbola mocy charakterystyk wyjściowych, w
admisyjnej której tranzystor może pracować.
Pmax = IC UCE Jest ona ograniczona przez:
SOA
Ubr – napięcie przebicia,
zwykle będącego wynikiem
lawinowego przebicia złącza
Ubr UCE kolektorowego

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Obszar bezpiecznej pracy - SOA:: UBE

IC SOA – obejmuje tą część

ICmax Hiperbola mocy charakterystyk wyjściowych, w
admisyjnej której tranzystor może pracować.
Pmax = IC UCE Jest ona ograniczona przez:
SOA
Pmax – maksymalną moc,
która może być wydzielona
bez przekroczenia
Ubr UCE maksymalnej temperatury
złącza Tjmax

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Katalogowa charakterystyka wyjściowa:: UBE

BC 108

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystory

Tranzystor w konfiguracji OE OE IC

IB UCE
Katalogowa charakterystyka SOA:: UBE

Przebicie wtórne – termiczny

efekt przestrzenny, polega na
tym, że przy dużych napięciach
UCE pojawia się nierównomierny
rozkład prądu IC prowadzący do
wystąpienia efektu „hot spot”
przy krawędziach obszaru
emitera.
BD 789

Część 3
 Przyrządy bipolarne - Tranzystor

Tranzystor – stan przejściowy

EC
UWE
RL
t

UWY ts tf
UWE IC
ICm
0.9ICm

UWE 0.1ICm
EF
t
td tr
t
ton = td+tr toff = ts+tf

Część 3
Tranzystor bipolarny jako inwerter
EC IC IB= EC/RB

RL EC/RL 0
RB
UWY
UWE 1 IB= 0

EC UCE

Wejście Wyjście

stan "0" UWE  0 V UWY  EC stan "1"

stan "1" UWE  EC UWY  0 V stan "0"

Część 3