ว.วิทย. มข. 47(2) 327-338 (2562) KKU Sci. J.

47(2) 327-338 (2019)

 

ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เจืออะลูมินัมที่เตรียมด้วยเทคนิครีแอคทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง
โดยโหมดโลหะ โหมดทรานซิชัน และโหมดออกไซด์
Aluminum-doped zinc oxide thin films prepared by reactive dc magnetron
sputtering with metal, transition, and oxide modes
อัญธิกา ละครไชย1 อาทิตย์ ฉิ่งสูงเนิน2* และ พิษณุ พูลเจริญศิลป์2
1ภาควิชาฟิสิกส์คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยมหาสารคาม อ.กันทรวิชัย จ.มหาสารคาม 44150
2 หน่วยวิจัยเทคโนโลยีพลาสมา ภาควิชาฟิสิกส์ คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยมหาสารคาม อ.กันทรวิชัย จ.มหาสารคาม 44150
*Corresponding Author, E-mail: artit.c@msu.ac.th

Received: 22 August 2018  Revised: 8 January 2019  Accepted: 8 March 2019

บทคัดย่อ
ในงานวิจัยนี้ได้ทําการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เจืออะลูมินัม (AZO) ด้วยเทคนิครีแอคทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง โดยใช้
เป้าขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 2 นิ้ว (inch) ของโลหะผสมซิงค์เจืออะลูมินัมในสัดส่วน 2 wt% ฟิล์มบาง AZO ถูกเคลือบลงบนกระจกสไลด์
และแผ่นซิลิกอนระนาบ (100) ที่กําลังไฟฟ้า 150 W เวลา 5 นาที และอัตราการไหลของแก๊สอาร์กอน 10 sccm ฟิล์มถูกเคลือบโดยใช้
โหมดโลหะ โหมดทรานซิชัน และโหมดออกไซด์ ซึ่งถูกควบคุมโดยการปรับค่าศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จที่เป็นฟังก์ชันของอัตราการไหล
ของแก๊สออกซิเจน ผลการวิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้าด้วยเทคนิคหัววัดสี่จุดและคุณสมบัติทางแสงด้วยเทคนิควิเคราะห์การดูดกลืน
แสงในย่านยูวีถึงอินฟราเรดของฟิล์ม AZO พบว่าฟิล์มที่ถูกเตรียมโดยใช้โหมดออกไซด์ที่เงื่อนไขศักย์ไฟฟ้า 370 ถึง 380 V และอัตรา
การไหลของแก๊สออกซิเจน 4.32 ถึง 4.42 sccm มีค่าฟิกเกอร์ออฟเมอริทหรืออัตราส่วนการส่งผ่านแสงในย่านที่ตามองเห็นได้ยกกําลัง
สิบต่อค่าความต้านทานเชิงแผ่นสูงที่สุด ผลการวิเคราะห์โครงสร้างผลึกของฟิล์มด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ พบพีคของ
ระนาบ (002) ของผลึก ZnO อย่างเด่นชัด ซึ่งแสดงถึงฟิล์มมีความเป็นผลึกที่ดีและมีการจัดเรียงตัวตามแนวแกน c อย่างเป็นระเบียบ

ABSTRACT
In this work, the aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films were prepared using the reactive direct
current (DC) magnetron sputtering. The Zn/Al alloy with 2 wt% of aluminum and 2 inch of diameter was used as a
target. The glass slide and p-type Si (100) wafer were used as a substrate. The deposition time of 5 min, power of
150 W, and argon flow rate of 10 sccm were used as the controlled parameter. While the discharge voltage and
the oxygen flow rate were adjusted corresponding to the metal, transition, and oxide modes. The electrical and
optical properties of AZO thin films were characterized by Hall effect measurement and ultraviolet-visible-infrared
spectroscopy, respectively. It is found that the AZO thin films prepared by the discharge voltage of 370-380 V and
the oxygen flow rate of 4.32- 4 .4 2 sccm which is corresponding to oxide mode gives the highest value of figure of
merit. This result shows that the film has the highest ratio of the optical transmission and sheet resistance. The
328 KKU Science Journal Volume 47 Number 2 Research

structural property of the AZO thin films was characterized by X-ray Diffraction (XRD). It is observed that the AZO
thin films are predominantly oriented at c-axis (002) and achieved high crystalline quality.

คําสําคัญ: ฟิกเกอร์ออฟเมอริท ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เจืออะลูมินัม รีแอคทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง

Keywords: Figure of merit, Aluminum-doped zinc oxide thin films, Reactive dc magnetron sputtering

บทนํา 2016) การตกสะสมโดยใช้ เ ลเซอร์ แ บบพั ล ซ์ (Pulsed laser

ใ น ปั จ จุ บั น ฟิ ล์ ม อ อ ก ไ ซ ด์ นํ า ไ ฟ ฟ้ า โ ป ร่ ง แ ส ง
(Transparent conductive oxides, TCOs) ถูกใช้เป็นขั้วไฟฟ้า
โปร่ ง แสงในอุ ป กรณ์ อิ เ ล็ ก ทรอนิ ก ส์ เ ชิ ง แสง (Optoelectronic
devices) หลายชนิ ด เช่ น จอแสดงผลแบบบาง (Flat panel
display) เซลล์แสงอาทิตย์ (Solar cell) และอุปกรณ์เปล่งแสง
ช นิ ด อิ น ท รี ย์ ( Organic light-emitting devices) เ ป็ น ต้ น
เนื่องจากมีคุณสมบัติที่โดดเด่น คือ มีสภาพต้านทานไฟฟ้าที่ต่ํา
(   10-3 ถึง 10-4   cm) และสามารถส่งผ่านแสงได้ดีในช่วง
ที่ ต ามองเห็ น ได้ ( %Tav > 80%) (Ko, 2005) ซึ่ ง วั ส ดุ ที่ นิ ย ม
นํามาใช้เป็น ขั้วไฟฟ้าโปร่งแสง ได้แก่ Indium doped tin oxide
(ITO), Fluorine doped tin oxide (FTO) แ ล ะ Zinc oxide
(ZnO) แต่เนื่องจากอินเดียม (In) และดีบุก (Sn) เริ่มขาดแคลนใน
ธรรมชาติ จึงทําให้วัสดุที่ใช้ในการผลิต ITO และ FTO มีราคา
แพงขึ้น นอกจากนั้นอินเดียม และดีบุกยังเป็นโลหะหนักที่เป็นพิษ
ต่อสิ่งแวดล้อมอีกด้วย จึงได้มีการคิดค้นและพัฒนาวัสดุที่สามารถ
ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งแสงทดแทน ITO และ FTO ทําให้ฟิล์มบาง
ZnO ได้รับความสนใจเพิ่มขึ้นเป็นอย่างมาก เนื่องจากสามารถ
ส่งผ่านแสงในย่านที่ตามองเห็นได้ดี และเมื่อเจือธาตุโลหะบาง
ชนิด (Metal-doped zinc oxide) เข้า ไป สามารถทํ าให้ฟิล์มมี
สภาพนําไฟฟ้าที่ดีขึ้น อีกทั้งฟิล์มบาง ZnO เป็นวัสดุที่มีอยู่มากใน
ธรรมชาติ จึงมีต้นทุนในการผลิตต่ํา ฟิล์มมีเสถียรภาพทางความ
ร้อนสูง และไม่เป็นพิษต่อสิ่งแวดล้อม
ฟิล์มบาง ZnO เป็นวัสดุประเภทสารกึ่งตัวนําชนิดเอ็น
(N-type) โดยธรรมชาติที่มีขนาดช่องว่างพลังงานกว้างประมาณ
3.37 eV การเจืออะตอมของธาตุ โลหะอะลู มินัม (Al) ถูกเรียก
ย่ อ ๆ ว่ า ฟิ ล์ ม บาง AZO (Aluminum-doped zinc oxide)
สามารถทําให้ค่าสภาพต้านทานลดลงไปได้ในระดับ 10-4   cm
และสามารถส่งผ่านแสงในย่านที่ตามองเห็นได้มากกว่า 90% (Liu
et al., 2013) อี ก ทั้ ง ธาตุ โ ลหะอะลู มิ นั ม มี ร าคาถู ก จึ ง ทํ า ให้ มี
งานวิจัยจํานวนมากสนใจศึกษาการเตรียมฟิล์มบาง AZO ด้วย
เทคนิ ค ต่ า งๆ เช่ น เทคนิ ค โซเจล (Sol-gel) (Shahid et al.,
deposition) (Sibiński et al., 2014) การพ่ น ร้ อ น (Spray
pyrolysis) (Ajili et al., 2012) การตกสะสมด้ ว ยไอเชิ ง เคมี
(Chemical vapor deposition) (Kim et al., 2010) และแมกนี-
ตรอนสปั ต เตอริ ง (Magnetron sputtering) (Nomoto et al.,
2011) เป็นต้น ซึ่งเทคนิคแมกนีตรอนสปัตเตอริงถือเป็นเทคนิคที่
ใช้ในการกันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมทางด้านการเตรียม
ฟิล์ม เนื่องจากเป็นเทคนิคที่ไม่ซับซ้อน ฟิล์มที่เตรียมได้มีความ
เป็นระเบียบสูง และสามารถเตรียมลงบนพื้นที่ขนาดใหญ่ได้
เทคนิคแมกนีตรอนสปัตเตอริง สามารถทํางานร่วมกับ
แหล่งจ่ายไฟกระแสตรง (DC) แหล่งจ่ายไฟแบบไบโพลาร์พัลส์
(Bipolar-pulsed) และแหล่งจ่ายไฟความถี่วิทยุ (RF) การเลือกใช้
ชนิดของแหล่งจ่ายไฟที่เหมาะสมจะขึ้นอยู่กับชนิดของเป้าสาร
เคลื อ บ เช่ น เป้ า เซรามิ ค ของซิ ง ค์ อ อกไซด์ เ จื อ อะลู มิ น า
(ZnO/Al2O3 ceramic target) ที่ มี คุ ณ สมบั ติ เ ป็ น ฉนวนไฟฟ้ า
การเตรี ย มฟิ ล์ ม บาง AZO จํ า เป็ น ต้ อ งใช้ แ หล่ ง จ่ า ยไฟแบบ
ไบโพลาร์พัลส์ หรือแหล่งจ่ายไฟฟ้าความถี่วิทยุ แต่ข้อเสียของการ
ใช้เป้าเซรามิค AZO คือ เป้ามีอัตราการถูกสปัตเตอร์ต่ํา จึงทําให้
ฟิ ล์ ม บาง AZO ที่ เ ตรี ย มได้ มี อั ต ราการตกสะสมต่ํ า ไปด้ ว ย
นอกจากนั้นเป้าเซรามิค AZO ยังง่ายต่อการแตกร้าวระหว่างการ
ใช้งานอีกด้วย ในขณะที่เป้าโลหะผสมซิงค์เจืออะลูมินัม (Zn/Al
alloy target) มีราคาถูกกว่าเป้าเซรามิค และยังสามารถทํางาน
ร่วมกับแหล่งจ่ายไฟกระแสตรง ซึ่งมีราคาที่ถูกกว่าแหล่งจ่ายไฟ
แบบไบโพลาร์ พัลส์หรือความถี่ วิทยุ อีก ทั้ง การใช้แหล่งจ่ ายไฟ
กระแสตรงในการเตรียมฟิล์ม ยังให้ฟิล์มที่มีอัตราการตกสะสมสูง
กว่าอีกด้วย
แต่อย่างไรก็ตามการเตรียมฟิล์มบาง AZO โดยใช้เป้า
โลหะผสมซิ ง ค์ เ จื อ อะลู มิ นั ม จํ า เป็ น ต้ อ งใช้ แ ก๊ ส ออกซิ เ จนใน
สัดส่วนที่เหมาะสมช่วยในการก่อตัวของฟิล์ม ซึ่งเทคนิคนี้เรียกว่า
รี แ อคที ฟ แมกนี ต รอนสปั ต เตอริ ง (Reactive magnetron
sputtering) เนื่ อ งจากแก๊ ส ออกซิ เ จนเป็ น แก๊ ส ที่ ว่ อ งไวในการ
เกิดปฏิกิริยา ทําให้การควบคุมอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจน
งานวิจัย วารสารวิทยาศาสตร์ มข. ปีที่ 47 เล่มที่ 2
เพื่อหาจุดที่เหมาะสมต่อการสปัตเตอร์ และเพื่อให้ได้ฟิล์มบาง
AZO ที่มีคุณสมบัติการนําไฟฟ้าและส่งผ่านแสงที่ดีทําได้ยาก ใน
งานวิจัยนี้จึงได้สนใจศึกษาวงฮีสเตอรีซีสของศักย์ไ ฟฟ้า ในการ
ดิสชาร์จที่เป็นฟังก์ชันของอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจน เพื่อ
หาโหมดที่เหมาะสมต่อการเตรียมฟิล์มบาง AZO จากเป้าโลหะ
ผสมซิงค์เจืออะลูมินัม และศึกษาคุณสมบัติเชิงโครงสร้าง ทาง
ไฟฟ้าและทางแสงของฟิล์มที่เตรียมได้
วิธีการดําเนินการวิจัย
ในการเคลือบฟิล์มบาง AZO เริ่มต้นด้วยการทําความ
สะอาดแผ่นฐาน กระจกสไลด์และแผ่นซิลิกอนระนาบ (100) ถูก
ทําความสะอาดด้วยเครื่องอัลตร้าโซนิกที่สั่นด้วยความถี่สูง ใน
สารละลายอะซิ โ ตน (C3 H6 O) เมทานอล (CH3 OH) และน้ํ า
ปราศจากไอออน (Deionized water) เป็นเวลานานอย่างละ 10
นาที ตามลําดับ แล้วนําไปเป่าให้แห้ง จากนั้นติดตั้งลงบนฐานรอง
แผ่ น ฐาน (Substrate holder) แล้ ว นํ า ไปติ ด ตั้ ง เข้ า กั บ ระบบ
แมกนี ต รอนสปั ต เตอริ ง ภายในภาชนะสุ ญ ญากาศ (Vacuum
chamber) ดังแสดงตามรูปที่ 1 โดยผ่านอุปกรณ์เคลื่อนส่งชิ้นงาน
(Load lock) สําหรับเงื่อนไขในการเคลือบได้ใช้ระยะห่างระหว่าง
เป้าสารเคลือบกับแผ่นฐานประมาณ 8 cm ภายใต้กําลังไฟฟ้าใน
การดิสชาร์จ 150 W ใช้เวลาในการเคลือบ 5 นาที เป้าโลหะผสม
ซิ ง ค์ เ จื อ อะลู มิ นั ม ในสั ด ส่ ว น 98 ต่ อ 2 wt% มี ข นาด
เส้นผ่าศูนย์กลาง 2 inch และมีความบริสุทธิ์ 99.99 % ซึ่งถูก
ติดตั้งเข้ากับหัวแมกนีตรอนที่อยู่ภายในภาชนะสุญญากาศ ปั๊มโร
ตารี (Rotary pump) ทํ า งานร่ ว มกั บ ปั๊ ม ไอแพร่ (Diffusion
pump) เพื่อให้ได้ความดันฐาน (Base pressure) ประมาณ 10-6
torr ก่อนทําการเคลือบฟิล์ม จากนั้นจ่ายแก๊สอาร์กอนที่มีความ
บริสุทธิ์ 99.999 % ที่อัตราการไหลของแก๊ส 10 sccm เพื่อทํา
หน้าที่ในการสปัตเตอร์
การหาโหมดการเคลือบฟิล์มบาง AZO ที่เหมาะสม ทํา
ได้จากการวัดค่าศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จ (Discharge voltage,
Vd) ที่ สัม พัน ธ์กับ อัต ราการไหลของแก๊ส ออกซิ เจน ซึ่ง ทํ า ให้ไ ด้
กราฟวงฮีสเตอรีซีส (Hysteresis loop) ที่เป็นตัวกําหนดรูปแบบ
ของการเคลือบฟิล์มว่าอยู่ในโหมดโลหะ โหมดทรานซิซัน หรือ
โหมดออกไซด์ และฟิล์มบาง AZO ที่ถูกเตรียมด้วยโหมดต่างๆ
กัน ถูกนํามาศึกษาลักษณะทางกายภาพของพื้นผิวและวัดความ
หนาโดยใช้ ภ าพถ่ า ยจากกล้อ งจุ ล ทรรศน์ อิเ ล็ ก ตรอนแบบส่อง
329
ก ร า ด ( Scanning Electron Microscope, SEM) วิ เ ค ร า ะ ห์
คุณสมบัติเชิงโครงสร้างด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์
(X-ray Diffraction, XRD) ศึกษาคุณสมบัติทางแสงด้วยเทคนิค
การวิเคราะห์การดูดกลืนแสงในย่านยูวีถึงอินฟราเรด (UV-Vis-IR
spectroscopy) และสุดท้ายศึก ษาคุณ สมบัติ ก ารนํา ไฟฟ้ า ด้ ว ย
เ ท ค นิ ค ก า ร วั ด แ บ บ ป ร า ก ฏ ก า ร ณ์ ฮ อ ล ล์ ( Hall effect
measurement) และเทคนิคหัววัดสี่จุด (Four-point probe)
รูปที่ 2 แสดงวงฮีสเตอรีซีสของความสัมพันธ์ระหว่างค่า
ศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จกับอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจน ช่วง
ที่เพิ่มอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจน (เส้น --) จาก 0 ถึง 5
sccm ค่ า ศั ก ย์ ไ ฟฟ้ า ในการดิ ส ชาร์ จ มี ค่ า สู ง สุ ด และมี ค่ า ค่ อ ยๆ
ลดลง ในช่วง 650 ถึง 550 V แต่ไม่มากนัก ซึ่งแสดงให้เห็นว่าผิว
ของเป้าสารเคลือบยังมีความเป็นโลหะที่ดีอยู่ ยังไม่มีการก่อตัว
เป็นชั้นออกไซด์บนผิวเป้ามากนัก จึงทําให้ฟิล์มที่เคลือบได้ในช่วง
นี้ เ ป็ น ฟิ ล์ ม โลหะผสมของซิ ง ค์ เ จื อ อะลู มิ นั ม เรี ย กพฤติ ก รรมที่
เกิดขึ้นในช่วงนี้ว่า โหมดโลหะ (Metal mode) ต่อมาเมื่อทําการ
เพิ่มอัตราการไหลของแก๊ส ออกซิเจนจนถึงจุดวิกฤตที่ทํา ให้ ค่า
ศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จลดลงอย่างฉับพลัน ซึ่งเป็นผลมาจาก
การเปลี่ ย นแปลงพฤติ ก รรมบนผิ ว ของเป้ า สารเคลื อ บอั น
เนื่องมาจากผิวของเป้าสารเคลือบมีการก่อตัวของชั้นออกไซด์
แบบอิ่มตัว ซึ่งอัตราการก่อตัวของชั้นออกไซด์บนผิวของเป้าสาร
เคลือบกับอัตราการสปัตเตอร์ที่ทําให้สารประกอบออกไซด์บนผิว
ของเป้าสารเคลือบหลุดออกมีค่าคงที่ เรียกพฤติกรรมที่เกิดขึ้น
ในช่วงนี้ว่า โหมดออกไซด์ (Oxide mode) และฟิล์มที่เคลือบได้
ในช่วงนี้ก็เป็นฟิล์มของสารประกอบซิงค์ออกไซด์เจืออะลูมินัม
ต่ อ มาเมื่ อ เพิ่ ม อั ต ราการไหลของแก๊ ส ออกซิ เ จนสู ง ขึ้ น จนถึ ง 8
sccm ค่าศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จก็ค่อยๆ ลดลงจนเกือบคงที่ ซึ่ง
ในช่วงนี้ก็ยังถือว่าเป็นโหมดออกไซด์ โดยในโหมดออกไซด์นี้มีค่า
ศัก ย์ไ ฟฟ้า ในการดิ ส ชาร์ จ อยู่ในช่วง 380 ถึง 340 V เหตุผ ลที่
ศั ก ย์ ไ ฟฟ้ า ในการดิ ส ชาร์ จ ลดลงจากโหมดโลหะเป็ น เพราะว่ า
สั ม ประสิ ท ธิ์ ก ารปลดปล่ อ ยอิ เ ล็ ก ตรอนทุ ติ ย ภู มิ (Secondary
electron emission yield) ของโหมดออกไซด์มีค่าสูงกว่าโหมด
โลหะนั่นเอง (Jang et al., 2012; Mickan, 2017) และพฤติกรรม
ที่ อ ยู่ ใ นช่ ว งระหว่ า งโหมดโลหะกั บ โหมดออกไซด์ ถู ก เรี ย กว่ า
โหมดทรานซิ ชั น (Transition mode) โดยในช่ ว งนี้ เ ป็ น ช่ ว งที่
ศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จมีการเปลี่ยนแปลงอยู่ตลอด ซึ่งเป็นผล
มาจากการก่อตัวของชั้นออกไซด์ที่ผิวของเป้าสารเคลือบกับอัตรา
330 KKU Science Journal Volume 47 Number 2 Research

การสปั ตเตอร์ ที่ทํา ให้ ส ารประกอบออกไซด์ บ นผิ วของเป้ า สาร
เคลือบหลุดออกมีค่าไม่คงที่ และเมื่อทําการลดอัตราการไหลของ
แก๊สออกซิเจนลง (เส้น --) จาก 8 ถึง 0 sccm ศักย์ไฟฟ้าใน
การดิสชาร์จมีค่าค่อยๆ เพิ่มขึ้น จากนั้นเพิ่มขึ้นอย่างฉับพลัน และ
เริ่ ม เข้ า สู่ ค่ า คงที่ ผลจากการเก็ บ ข้ อ มู ล ค่ า ศั ก ย์ ไ ฟฟ้ า ในการ
ดิสชาร์จที่เป็นฟังก์ชันของอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนข้างต้น
ทําให้ได้รูปแบบของกราฟวงฮีสเตอรี ซีส ซึ่งมีความสัมพั น ธ์ กั บ
โหมดการเคลือบต่างๆ ดังแสดงตามรูปที่ 2 ซึ่งลักษณะดังกล่าว
พบว่ามีความสอดคล้องกับงานวิจัยของ May และคณะ (May et
al., 2003) ที่ได้ทําการศึกษาพฤติกรรมของกราฟวงฮีสเตอรีซีส
และศึ ก ษาผลของการเคลื อ บฟิ ล์ ม AZO ด้ ว ยเทคนิ ค รี แ อคที ฟ
แมกนีตรอนสปัตเตอริง จากเป้าโลหะผสมซิงค์เจืออะลูมินัม

Capacitance Voltmeter A
Magnetron
source gauge Vd Negative voltage
Rotary pump V power supply

Substrate MFC of
8 cm
O2 gas
O2 gas

Substrate holder MFC of Ar gas

Vacuum chamber Gas inlet Ar gas
Load lock
Hot cathode
Pirani gauge
ionization gauge

Butterfly valve
Pressure monitor
Diffusion pump

Rotary pump Electric line

Vacuum line
Exhaust Gas line
รูปที่ 1 แผนผังระบบแมกนีตรอนสปัตเตอริง

650 Increase O2 flow rate

Decrease O2 flow rate
600

550 Metal
Transition
Vd (V)

500

450 Transition

400

350
Oxide
0 1 2 3 4 5 6 7 8
O2 flow rate (sccm)
รูปที่ 2 วงฮีสเตอรีซีสของศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จที่เป็นฟังก์ชันของอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจน ที่กําลังไฟฟ้า 150 W
งานวิจัย วารสารวิทยาศาสตร์ มข. ปีที่ 47 เล่มที่ 2 331

ในงานวิจัยนี้ได้กําหนดจุดในการเคลือบฟิล์มบาง AZO ถ้าศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จลดลง ให้ปรับลดอัตราการไหลของ

จํานวน 5 จุดที่อยู่บนวงฮีสเตอรีซีสข้างต้น แต่ละจุดมีรายละเอียด แก๊สออกซิเจน
ดังนี้ จุดที่ 3 โหมดออกไซด์ช่วงที่ 1 (O1) เกิดจากการปรับ
จุดที่ 1 โหมดโลหะ (M1) ได้ทําการปรับเพิ่มอัตราการ เพิ่มอัต ราการไหลของแก๊ส ออกซิ เ จนไปที่ 8 sccm แล้วค่อยๆ
ไหลของแก๊สออกซิเจนจาก 0 sccm เพิ่มขึ้นไปเรื่อยๆ จนทําให้ได้ ปรับลดอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนลงจนได้ค่าศักย์ไฟฟ้าใน
ค่ า ศั ก ย์ ไ ฟฟ้ า ในการดิ ส ชาร์ จ ที่ 550 V ซึ่ ง เป็ น ตํ า แหน่ ง ที่ ค่ า
การดิสชาร์จที่ตําแหน่ง 380 V ซึ่งเป็นจุดก่อนที่ศักย์ไฟฟ้าในการ
ศั ก ย์ ไ ฟฟ้ า มี ค่ า สู ง สุ ด ก่ อ นที่ จ ะลดลงอย่ า งฉั บ พลั น ไปยั ง โหมด
ดิสชาร์จจะเปลี่ยนจากโหมดออกไซด์ไปเป็นโหมดโลหะ
ออกไซด์ จุดที่ 4 โหมดออกไซด์ช่วงที่ 2 (O2) เกิดจากการปรับ
จุดที่ 2 โหมดทรานซิชัน (T1) การเคลือบฟิล์มในโหมด เพิ่มอัต ราการไหลของแก๊ส ออกซิ เ จนไปที่ 8 sccm แล้วค่อยๆ
นี้จําเป็นต้องกําหนดศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จให้เป็นช่วงกว้างๆ ปรับลดอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนลงจนได้ค่าศักย์ไฟฟ้าใน
เพื่อให้สามารถควบคุมอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนได้ง่าย การดิสชาร์จอยู่ที่ตําแหน่ง 370 V
และได้กําหนดค่าศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จไว้ในช่วง 440 ถึง 450 จุดที่ 5 โหมดออกไซด์ช่วงที่ 3 (O3) เกิดจากการปรับ
V โดยขั้นตอนการเคลือบได้ทําการปรับเพิ่ มอัตราการไหลของ เพิ่มอัต ราการไหลของแก๊ส ออกซิ เ จนไปที่ 8 sccm แล้วค่อยๆ
แก๊สออกซิเจนไปที่ 8 sccm เพื่อให้อยู่ในโหมดออกไซด์ก่อน แล้ว ปรับลดอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนลงจนได้ค่าศักย์ไฟฟ้าใน
ค่ อ ยๆ ปรั บ ลดอั ต ราการไหลของแก๊ ส ออกซิ เ จน ให้ ม าอยู่ ใ น การดิสชาร์จอยู่ที่ตําแหน่ง 360 V
โหมดทรานซิ ชั น ตามค่ า ศัก ย์ ไ ฟฟ้ า ในการดิ ส ชาร์จ ที่ กํา หนดไว้ การเคลื อ บฟิ ล์ ม บาง AZO ตามจุ ด ที่ 3 4 และ 5
จากนั้นก็ควบคุมศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จด้วยการค่อยๆ เพิ่ม ดังกล่าวเป็นการศึกษาผลของแก๊สออกซิเจนที่ส่งผลต่อคุณสมบัติ
หรือ ลด อัตราการไหลของแก๊สออกซิเจน หากศักย์ไฟฟ้าในการ ต่ า งๆ ของฟิ ล์ ม บาง AZO เพื่ อ ให้ ไ ด้ ฟิ ล์ ม ที่ มี คุ ณ สมบั ติ ก ารนํ า
ดิสชาร์จเพิ่มขึ้น ให้ปรับเพิ่มอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจน แต่ ไฟฟ้า และส่ง ผ่า นแสงที่เหมาะสมที่สุด โดยเงื่อ นไขที่ใช้ในการ
เคลือบฟิล์มทั้งหมดได้สรุปไว้ดังตารางที่ 1
ตารางที่ 1 เงื่อนไขในการเคลือบฟิล์ม AZO ที่โหมดการเคลือบต่างๆ
Controlled parameters Vd O2 flow rate
Sample Mode
Power (W) Time (min) Ar flow rate (sccm) (V) (sccm)
M1 Metal mode 550 5
T1 Transition mode 440-450 4.76
O1 Oxide mode 150 5 10 380 4.32
O2 Oxide mode 370 4.42
O3 Oxide mode 360 4.52

ผลการวิจัยและวิจารณ์ผล ฟิล์มเป็นสีน้ําตาลอ่อนอมเขียว ขณะที่ฟิล์ม O3 ฟิล์มมีลักษณะใส

ผลการวิเคราะห์คุณสมบัติทางกายภาพของฟิล์ม
ลักษณะภาพถ่ายทางกายภาพของฟิล์ม AZO แสดงได้
ดังรูปที่ 3 พบว่าฟิล์ม M1 และ T1 ที่ถูกเคลือบในโหมดโลหะและ
โหมดทรานซิ ชั น ฟิ ล์ ม มี สี ดํ า ทึ บ แสง ส่ ว นฟิ ล์ ม ที่ ถู ก เคลือบใน
โหมดออกไซด์ O1 และ O2 ฟิล์มมีลักษณะโปร่งแสงและสีของ
และโปร่งแสงมากกว่าฟิล์ม O1 และ O2 ซึ่งเห็นได้ว่าการเคลือบ
ฟิ ล์ ม ด้ ว ยโหมดการเคลื อ บที่ แ ตกต่ า งกั น มี ผ ลต่ อ ลั ก ษณะทาง
กายภาพของฟิ ล์ ม อย่ า งชั ด เจน นอกจากนี้ ก ารเคลื อ บฟิ ล์ ม ใน
โหมดออกไซด์ด้วยศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จที่แตกต่างกัน ก็ส่งผล
ให้ลักษณะทางกายภาพของฟิล์มมีการเปลี่ยนแปลงไปด้วย ซึ่ง
จําเป็นต้องมีการตรวจสอบคุณสมบัติด้านอื่นๆ ของฟิล์มต่อไป
332 KKU Science Journal Volume 47 Number 2
รูปที่ 3 ภาพถ่ายลักษณะทางกายภาพของฟิล์มบนกระจกสไลด์ ที่โหมดการเคลือบต่างกัน ก) M1 ข) T1 ค) O1 ง) O2 และ จ) O3
ตามลําดับ
ลักษณะทางสัณฐานวิทยาของฟิล์มถูกตรวจสอบ โดยใช้
กล้ อ งจุ ล ทรรศน์ อิ เ ล็ ก ตรอนแบบส่ อ งกราด (FESEM ยี่ ห้ อ
HITACHI รุ่ น SU-8030) แสดงได้ ดั ง รู ป ที่ 4 ในขณะที่ ภ าพถ่ า ย
ภาคตัดขวางของฟิล์ม แสดงได้ดังรูปที่ 5 และได้ทําการวัดความ
หนาของฟิล์มที่ ตํา แหน่ง ต่างกันแบบสุ่ มจํา นวน 20 จุด โดยใช้
โปรแกรม ImageJ แล้วนํามาหาค่าเฉลี่ย พบว่าฟิล์ม M1 ที่เคลือบ
ภายใต้ เ งื่ อ นไขของโหมดโลหะ พื้ น ผิ ว มี ลั ก ษณะการก่ อ ตั ว ที่
หนาแน่น ในขณะที่ภาพตัดขวางของฟิล์มมีลักษณะการก่อตัวที่ยัง
ไม่เป็นระเบียบ มีความหนาของฟิล์มอยู่ที่ประมาณ 509.51 nm
ในขณะที่ ฟิ ล์ ม T1 ฟิ ล์ ม เริ่ ม มี ก ารก่ อ ตั ว เป็ น คอลั ม นาร์
(Columnar) ที่จัดเรียงตัวในทิศทางตั้งฉากกับแผ่นฐาน ซึ่งถือเป็น
ลักษณะโครงสร้างเฮกซะโกนอลของผลึก ZnO และพบว่าฟิล์มมี
ความหนาประมาณ 656.92 nm ซึ่งหนามากกว่าฟิล์มในโหมด
โลหะ ทั้งนี้เนื่องจากปริมาณออกซิเจนที่เพิ่มมากขึ้น ทําให้อะตอม
ของออกซิเจนสามารถเข้าไปสร้างพันธะกับอะตอมของซิงค์ให้
เป็ น แบบเตตระฮี ด รอล จนส่ ง ผลให้ ฟิ ล์ ม สามารถก่ อ ตั ว เป็ น
โครงสร้างของผลึก ZnO ได้สมบูรณ์มากขึ้น หรือมีจัดเรียงตัวใน
ทิศทางแกน c ตั้งฉากกับแผ่นฐานได้ดีขึ้น จึงส่งผลให้ฟิล์มมีความ
หนามากขึ้นนั้นเอง ต่อมาฟิล์ม O1 ที่เคลือบภายใต้เงื่อนไขของ
โหมดออกไซด์ ที่ศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จ 380 V พบว่าฟิล์มมี
การก่อตัวเป็นระเบียบและสม่ําเสมอมากขึ้น และจากภาพถ่าย
ภาคตัดขวางพบว่าฟิล์มมีการก่อตัวเป็นแท่งเรียวที่หนาแน่นและ
สม่ําเสมอ มีการก่อตัวเป็นคอลัมนาร์ที่ดีขึ้นและมีความหนาอยู่ที่
Research
ประมาณ 481.86 nm ความหนาที่ลดลงไปจากโหมดโลหะและ
โหมดการทรานซิ ชั น นี้ เป็ น ผลมาจากการเคลื อ บฟิ ล์ ม ที่ เ ป็ น
สารประกอบออกไซด์ มี ค่ า สปั ต เตอริ ง ยี ล ด์ ที่ ต่ํ า เนื่ อ งจากค่ า
พลังงานยึดเหนี่ยว (Binding energy) ของสารประกอบออกไซด์
ที่ พื้ น ผิ ว ของเป้ า สารเคลื อ บมี ค่ า สู ง กว่ า โลหะ (Mickan, 2017)
นอกจากนี้จากภาพถ่ายพื้นผิวยังพบว่าเกรนมีขนาดลดลงอย่าง
เห็ น ได้ ชั ด ในขณะที่ ฟิ ล์ ม O2 มี ก ารก่ อ ตั ว เป็ น ระเบี ย บและ
สม่ําเสมอคล้ายกับฟิล์ม O1 และจากภาพตัดขวางฟิล์มมีการก่อ
ตัวเป็นคอลัมนาร์ ที่หนาแน่นและมีความสม่ํา เสมอ และฟิล์ มมี
ความหนาอยู่ที่ประมาณ 502.17 nm ซึ่งหนามากกว่าฟิล์ม O1
เล็ ก น้ อ ย และสุ ด ท้ า ยฟิ ล์ ม O3 พื้ น ผิ ว ของฟิ ล์ ม มี ค วามเรี ย บ
แตกต่างจากพื้นผิวของฟิล์มที่เงื่อนไขก่อนหน้านี้ เป็นผลมาจาก
ปริมาณของแก๊สออกซิเจนที่มากเกินไป จึงส่งผลให้ความเร็วและ
พลังงานของอนุภาคที่เข้าชนกับเป้าสารเคลือบลดลง เนื่องจาก
การเกิดชั้นออกไซด์บนผิวของเป้าสารเคลือบมากขึ้น (Kim et al.,
2013) ผลจากภาพถ่ายภาคตัดขวาง พบว่าฟิล์มมีการก่อตัวเป็น
คอลัมนาร์และมีความหนาอยู่ที่ประมาณ 248.95 nm ซึ่งลดลง
มาอย่ า งมากจากเงื่ อ นไข O2 ทั้ ง ที่ ศั ก ย์ ไ ฟฟ้ า ในการดิ ส ชาร์ จ
ต่างกันเพียง 10 V โดยเกิดจากปริมาณของแก๊สออกซิเจนที่มาก
ขึ้นจนเกินจุดวิกฤติ ดังนั้นความเป็นสารประกอบออกไซด์ที่ผิวเป้า
สารเคลือบก็มากขึ้นตามไปด้วยและจนส่งผลให้ค่าสปัตเตอริงยีลด์
ลดลงอย่างมาก
งานวิจัย วารสารวิทยาศาสตร์ มข. ปีที่ 47 เล่มที่ 2 333

รูปที่ 4 ภาพถ่าย FESEM แสดงพื้นผิวของฟิล์มบนแผ่นซิลิกอนระนาบ (100) ที่โหมดการเคลือบต่างกัน ก) M1 ข) T1 ค) O1 ง) O2

และ จ) O3 ตามลําดับ

รูปที่ 5 ภาพถ่ า ย FESEM แสดงภาคตั ด ขวางและความหนาของฟิ ล์ ม บนแผ่ น ซิ ลิ ก อนระนาบ (100) ที่ โ หมดการเคลื อ บต่ า งกั น
ก) M1 ข) T1 ค) O1 ง) O2 และ จ) O3 ตามลําดับ

ผลการวิเคราะห์คุณสมบัติเชิงโครงสร้างของฟิล์ม
ในการตรวจสอบคุณสมบัติเชิงโครงสร้างได้นําฟิล์มบาง
AZO ที่ เ ตรี ย มได้ ไ ปตรวจวั ด โดยใช้ เ ครื่ อ ง XRD ยี่ ห้ อ Bruker
รุ่ น D8 Advance ที่ ศู น ย์ เ ครื่ อ งมื อ กลาง คณะวิ ท ยาศาสตร์
มหาวิ ท ยาลั ย มหาสารคาม ใช้ แ หล่ ง กํ า เนิ ด รั ง สี เ อกซ์ จ าก
เป้ า ทองแดง (Cu-K) ที่ มี ค วามยาวคลื่ น ของรั ง สี เ อกซ์ เท่ า กั บ
o
1.5485 A ทําการกวาดมุม 2θ ตั้งแต่ 20 ถึง 80 องศา ใช้ความ
ละเอียดในการสแกน 0.04 องศาต่อวินาที ซึ่งริ้วรอยการเลี้ยวเบน
ของรังสีเอกซ์ที่ผ่านโครงสร้างผลึกทําให้เกิดมุมของรังสีเอกซ์ที่
สะท้อนออกมา โดยเป็นรูปแบบเฉพาะของโครงสร้างผลึกแต่ละ
ชนิด จึงสามารถระบุชนิดของโครงสร้างผลึก และดัชนีมิลเลอร์
ของผลึกได้ (Cullity, 1978) ตามรูปที่ 6 จะเห็นได้ว่าฟิล์ม M1 ที่
ถูกเคลือบด้วยโหมดโลหะ ปรากฏพีคการเลี้ยวเบนของ Zn ซึ่งทํา
334 KKU Science Journal Volume 47 Number 2 Research

ให้ ฟิ ล์ ม M1 จั ด เป็ น ฟิ ล์ ม ประเภทฟิ ล์ ม โลหะ ไม่ ใ ช่ ฟิ ล์ ม AZO ซะโกนอล (Hexagonal) ของผลึ ก ZnO ที่ ร ะนาบ (002) และ
ในขณะที่ฟิล์ม T1 ที่ถูกเคลือบด้วยโหมดทรานซิชันและฟิล์ม O1 (103) ตามลําดับ จึงทําให้ฟิล์มดังกล่าวนี้จัดเป็นฟิล์มบาง AZO
O2 และ O3 ที่ ถู ก เคลื อ บด้ ว ยโหมดออกไซด์ พบว่ า มี พี ค การ และยังสังเกตเห็นได้ว่าที่ระนาบ (002) พีคมีความสูงกว่าที่ระนาบ
เลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์หลักๆ อยู่ 2 พีคที่คล้ายกันที่ตําแหน่งมุม (103) ซึ่งแสดงให้เห็นว่าฟิล์มบาง AZO สามารถจัดเรียงตัวตาม
2θ ประมาณ 34 และ 62 องศา และเมื่อนํามาเปรี ยบเที ยบกั บ ระนาบ (002) ของผลึก ZnO ตามแกน c ที่ตั้งฉากกับแผ่นฐานได้
ไฟล์ ข้ อ มู ล มาตรฐานของ PDF หมายเลข 30-1451 พบว่ า พี ค ดี
เหล่านั้นสอดคล้องกับระนาบการเลี้ยวเบนของโครงสร้างแบบเฮก (c-axis preferred orientation)
(002)
(103)
O3
Normalized intensity (a.u.)

O2

O1

T1
Zn Zn
Zn
Zn Zn M1

20 30 40 50 60 70 80
2degree)

รูปที่ 6 รูปแบบการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ของฟิล์ม M1 T1 O1 O2 และ O3

ผลการวิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์ม กว่าฟิล์ม T1 ส่วนฟิล์ม O1 และ O2 มีค่าสภาพต้านทานไฟฟ้า

คุ ณ สมบั ติ ก ารนํ า ไฟฟ้ า ของฟิ ล์ ม บาง AZO ถู ก ตรวจ
วิเคราะห์โดยใช้การวัดแบบปรากฏการณ์ฮอลล์ (ยี่ห้อ ECOPIA
รุ่น 3000) ผลการทดลองพบว่าฟิล์ม M1 T1 O1 และ O2 มีค่า
สภาพต้ า นทานอยู่ ใ นช่ ว ง 1.21x10-3 ถึ ง 1.97x10-3   cm
ขณะที่ฟิล์ม O3 ไม่นําไฟฟ้า (Non-conductive) ดังแสดงตามรูป
ที่ 7 จะเห็น ว่า ฟิล์ม T1 ที่ถูก เคลื อ บด้วยโหมดทรานซิชั น มีค่า
สภาพความต้า นทานไฟฟ้า ต่ํา ที่ สุ ด ทั้ง นี้อ าจเป็น เพราะฟิ ล์ ม มี
ความเป็นผลึก ZnO ที่ดี ซึ่งสอดคล้องกับผล XRD ในขณะที่ฟิล์ม
M1 ที่มีลักษณะเป็นฟิล์มโลหะผสมของซิงค์เจืออะลูมินัม แต่ด้วย
ความไม่เป็นระเบียบของฟิล์ม จึงทําให้ฟิล์ม M1 นําไฟฟ้าได้น้อย
สูงขึ้นเล็กน้อย ทั้งนี้เกิดจากการเคลือบฟิล์มที่อยู่ในโหมดออกไซด์
ที่มีปริมาณออกซิเจนมากขึ้น ส่งผลให้อะตอมของออกซิเจนเข้าไป
ทําปฏิกิริยากับอะตอมของอะลูมินัมมากขึ้น เกิดเป็นโครงสร้าง
ผลึก Al2O3 ซึ่งไม่นําไฟฟ้า ปะปนอยู่ในฟิล์มบาง AZO และเมื่อ
เพิ่มอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนมากขึ้นถึงจุดวิกฤติ จนทําให้
สัดส่วนของอะตอมของซิงค์ที่ถูกแทนที่ (Zn interstitial atoms)
ลดลง (Li et al., 2012) นั่นคืออะตอมของอะลูมินัมเกือบทั้งหมด
ไม่ได้เข้าไปแทนที่อะตอมของซิงค์ แต่จะไปก่อตัวเป็นฟิล์ม Al2O3
จึงทําให้ฟิล์ม O3 มีความเป็นผลึก ZnO น้อยลง และไม่นําไฟฟ้า
ในที่สุด

2.0
Resistivity x10 (.cm)

1.5
-3

Non-conductive

1.0

0.5

0.0
M1 T1 O1 O2 O3

รูปที่ 7 ค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าของฟิล์ม M1 T1 O1 O2 และ O3

งานวิจัย วารสารวิทยาศาสตร์ มข. ปีที่ 47 เล่มที่ 2 335

ผลการวิเคราะห์คุณสมบัติทางแสงของฟิล์ม 8 จากกราฟพบว่าฟิล์ม M1 และ T1 ที่ถูกเคลือบด้วยโหมดโลหะ

คุณสมบัติทางแสงของฟิล์มบาง AZO ถูกวิเคราะห์ด้วย และโหมดทรานซิชัน (ภาพเล็ก) ฟิล์มไม่สามารถส่งผ่านแสงได้
เทคนิ ค การดู ด กลื น แสงในย่ า นยู วี ถึ ง อิ น ฟราเรด โดยใช้ เ ครื่อง ในขณะที่ฟิล์ม O1 O2 และ O3 ที่ถูกเคลือบด้วยโหมดออกไซด์
Universal measurement spectrophotometer (ยี่ห้อ CARY ด้วยศักย์ไฟฟ้าที่ 380 370 และ 360 V ตามลําดับ ฟิล์มสามารถ
รุ่น 7000) ซึ่งได้ทําการวัดค่าเปอร์เซ็นต์การส่งผ่านแสง (%T ) ส่งผ่านแสงได้และพบขอบการดูดกลืนในย่านยูวี
ของฟิล์มในช่วงความยาวคลื่น 200 ถึง 2000 nm แสดงดังรูปที่
100

80
O3
Transmittance (%)

60
18
O1
Transmittance (%)

40
9
T1
0

20 M1
600 800 1000 1200 1400
Wavelength (nm)
O2
0

0 400 800 1200 1600 2000

Wavelength (nm)

รูปที่ 8 สเปกตรัมเปอร์เซ็นต์การส่งผ่านแสงของฟิล์ม M1 T1 O1 O2 และ O3

เมื่อทําการหาค่าเฉลี่ยเปอร์เซ็นต์การส่งผ่านแสงของ
ฟิล์มในย่านที่ตามองเห็นได้ในช่วงความยาวคลื่น 400 ถึง 800
nm พบว่า ฟิล์ม M1 และ T1 ที่ถูก เคลื อ บด้วยโหมดโลหะและ
โหมดทรานซิชันมีค่าเฉลี่ยการส่งผ่านแสงเป็นศูนย์ นั่นแสดงว่า
ฟิ ล์ ม ไม่ ส ามารถส่ ง ผ่ า นแสงในช่ ว งที่ ต ามองเห็ น ได้ เ ลย จึ ง ไม่
สามารถนํามาเป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งแสงได้ ส่วนฟิล์ม O1 O2 และ
O3 ที่เคลือบด้วยโหมดออกไซด์ มีค่าเฉลี่ยเปอร์เซ็นต์การส่งผ่าน
แสงเท่ า กั บ 79 80 และ 83 % ตามลํ า ดั บ ซึ่ ง พบว่ า ค่ า เฉลี่ ย
เปอร์เซ็นต์การส่งผ่านแสงมีค่าเพิ่มขึ้นเมื่อฟิล์มเข้าสู่โหมดออกไซด์
มากขึ้น แต่ อย่า งไรก็ตามเนื่องจากฟิล์ม O3 ไม่นํา ไฟฟ้า จึง ไม่
สามารถนํามาประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งแสงได้
นอกจากนี้ ยั ง สามารถหาค่ า ช่ อ งว่ า งแถบพลั ง งาน
(Energy band gap, E g ) ของฟิ ล์ ม บาง AZO ที่ มี ลั ก ษณะ
ช่องว่างแถบพลังงานเป็นแบบตรง (Direct band gap) ได้จาก
ความสั ม พั น ธ์ ข องการพล็ อ ตกราฟแบบทั ง ค์ (Tauc plot
method) โดยใช้สมการที่ 1
 h  A  h  Eg 
1/2
(1)
เมื่อ  คือ สัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสง (Absorption
coefficient) hv คื อ พลั ง งานของโฟตอน (Photon energy)
และ A คือค่าคงที่ จากสมการที่ 1 เมื่อพล็อตกราฟเปรียบเทียบ
ระหว่าง  h 2 กับ hv โดยกําหนดให้แกน y   h 2 และ
แกน x  hv ทําให้สามารถประมาณค่าช่องว่างแถบพลังงานทาง
แสงได้ โดยทําการลากเส้นตรงตัดกับแกน x ซึ่งเป็นแกนของ
พลังงานโฟตอน และจากการวิเคราะห์ค่าช่องว่างแถบพลังงาน
ของฟิล์มพบว่าฟิล์ม M1 และ T1 ที่ถูกเคลือบด้วยโหมดโลหะและ
โหมดทรานซิ ชั น ไม่ ส ามารถหาค่ า ช่ อ งว่ า งแถบพลั ง งานได้
เนื่องจากฟิล์มไม่สามารถส่งผ่านแสง ในขณะที่ฟิล์ม O1 O2 และ
O3 ที่ ถู ก เคลื อ บด้ ว ยโหมดออกไซด์ พบว่ า มี ค่ า ช่ อ งว่ า ง
แถบพลังงานอยู่ในช่วง 3.31 ถึง 3.58 eV ดังแสดงตามรูปที่ 9 จะ
เห็น ว่า ฟิล์ม O3 มีค่า ช่อ งว่า งแถบพลัง งานน้อยที่สุด ซึ่ง ผลนี้มี
ความสอดคล้องกับผลของคุณสมบัติเชิงโครงสร้างจากเทคนิค
XRD ที่ว่าฟิล์ม O3 มีความเป็นผลึกของโครงสร้าง ZnO ที่น้อย
336 KKU Science Journal Volume 47 Number 2 Research

ที่สุด เมื่อเปรียบเทียบกับฟิล์ม O1 และ O2 หรือฟิล์ม O3 มีค่า มีค่า FWHM ที่ น้ อยที่สุด หรือ ฟิล์ ม มีค วามเป็น ผลึ ก ที่ ดี ที่สุ ด จึง
FWHM มากที่สุดนั่นเอง ในขณะที่ฟิล์ม O2 จากผล XRD ก็พบว่า พบว่าฟิล์มมีค่าช่องว่างพลังงานมากที่สุดที่ 3.58 eV

) O1
-1/2

4
h x10 eV cm

O3
2

3
10

O2
2


1 3.31 eV 3.52 eV
3.58 eV
0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Photon energy (eV)

รูปที่ 9 การพล๊อตกราฟแบบทังค์ ที่แสดงค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิลม์ ที่ถูกเคลือบในโหมดออกไซด์ต่างกัน

ผลการคํานวณค่าฟิกเกอร์ออฟเมอริท 370 ถึง 380 V และไม่ควรเคลือบในช่วงที่เข้าสู่โหมดออกไซด์

ค่าฟิกเกอร์ออฟเมอริท (Figure of merit, FH ) นิยาม มากเกินไป เพราะจะทําให้ฟิล์ม AZO ที่เตรียมได้ไม่นําไฟฟ้า
มาจากค่าเฉลี่ยการส่งผ่านแสงในช่วงที่ตามองเห็นได้ ยกกําลังสิบ T 10
FH  (2)
( T 10 ) ต่อค่าความต้านทานเชิงแผ่น (Sheet resistance, Rsh ) Rsh
ของฟิล์ม ดังแสดงในสมการที่ 2 (Haacke, 1976) โดยทั่วไปมัก
สรุปผลการวิจัย
นํ า มาใช้ ใ นการพิ จ ารณาคุ ณ สมบัติ ท างแสงและคุ ณ สมบั ติท าง
จากผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าการเคลือบฟิล์มบาง
ไฟฟ้าของฟิล์มออกไซด์นําไฟฟ้าโปร่งแสง ถ้าค่าฟิกเกอร์ออฟ-
ซิงค์ออกไซด์เจืออะลูมินัม โดยใช้เป้าโลหะผสมซิงค์เจืออะลูมินัม
เมอริทมากที่สุด แสดงว่าฟิล์มมีประสิทธิภาพดีที่สุด ซึ่งในงานวิจัย
ด้วยเทคนิครีแอคทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง การปรับค่าอัตรา
นี้ พบว่ า ฟิ ล์ ม M1 และ T1 มี ค่ า ฟิ ก เกอร์ อ อฟเมอริ ท เป็ น ศู น ย์
การไหลของแก๊สออกซิเจนจะส่งผลโดยตรงต่อโหมดการเคลือบ
เนื่องจากมีค่าเฉลี่ยการส่งผ่านแสงในช่วงที่ตามองเห็นเท่ากับศูนย์
ฟิ ล์ ม ถ้ า เคลื อ บฟิ ล์ ม ในโหมดโลหะและโหมดทรานซิ ชั น ฟิล์ม
ในขณะฟิ ล์ ม O3 ไม่ ส ามารถหาค่ า ฟิ ก เกอร์ อ อฟเมอริ ท ได้
สามารถนําไฟฟ้าได้ดี แต่ไม่สามารถส่งผ่านแสงได้ โหมดดังกล่าว
เนื่ อ งจากฟิ ล์ ม ไม่ นํ า ไฟฟ้ า ส่ ว นฟิ ล์ ม O1 และฟิ ล์ ม O2 มี ค่ า
นี้จึงไม่เหมาะสมต่อการเคลือบฟิล์มที่ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งแสง
ฟิกเกอร์ออฟเมอริทสูงใกล้เคียงกัน ดังแสดงตามรูปที่ 10 ซึ่งมีค่า
ในขณะที่ฟิล์มที่เคลือบด้วยโหมดออกไซด์สามารถส่งผ่านแสงได้
ฟิ ก เกอร์ อ อฟเมอริ ท สู ง สุ ด เท่ า กั บ 4.29x10-3  และยั ง มี ค่ า 1

ในช่วง 79 ถึง 83 % มีค่าช่องว่างแถบพลังงานอยู่ในช่วง 3.31 ถึง

มากกว่าเมื่อเทียบกับงานวิจัยของ Lin (Lin et al., 2015) ที่มีค่า
3.58 eV และพบว่าเมื่อเพิ่มอัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนมาก
ฟิกเกอร์ออฟเมอริทสูงสุดเท่ากับ 3.22x10-3  จึงสามารถสรุป 1

ขึ้นถึงจุดวิกฤติ จะทําให้ฟิล์ม AZO มีความเป็นผลึกน้อยลงและไม่

ได้ว่าเงื่อนไขในการเคลือบฟิล์ม AZO ที่เหมาะสมคือเคลือบด้วย
นําไฟฟ้าในที่สุด โดยฟิล์มที่มีค่าฟิกเกอร์ออฟเมอริทมากที่สุด คือ
โหมดออกไซด์ที่ใช้อัตราการไหลของแก๊สออกซิเจนในช่วง 4.32
ฟิ ล์ ม ที่ เ คลื อ บในโหมดออกไซด์ ที่ ใ ช้ อั ต ราการไหลของแก๊ ส
ถึง 4.42 sccm ซึ่งทําให้ค่าศักย์ไฟฟ้าในการดิสชาร์จอยู่ในช่วง
ออกซิเจนในช่วง 4.32 ถึง 4.42 sccm ซึ่งทําให้ค่าศักย์ไฟฟ้าใน
การดิสชาร์จอยู่ในช่วง 370 ถึง 380 V
งานวิจัย วารสารวิทยาศาสตร์ มข. ปีที่ 47 เล่มที่ 2 337

100
ก)
80

60

% Tave
40

20

30
ข)

Non-conductive
20
Rsh ( )

10

5
ค)
4
FH x10 ( )
-1

3
-3

0
M1 T1 O1 O2 O3

รูปที่ 10 ก) ค่าเฉลี่ยเปอร์เซ็นต์การส่งผ่านแสงในช่วงที่ตามองเห็นได้ ข) ค่าความต้านทานเชิงแผ่น และ ค) ค่าฟิกเกอร์ออฟเมอริทของ

ฟิล์ม M1 T1 O1 O2 และ O3

กิตติกรรมประกาศ
ขอขอบคุ ณ ศู น ย์ เ ทคโนโลยี อิ เ ล็ ก ทรอนิ ก ส์ แ ละ
คอมพิวเตอร์แห่งชาติ (National Electronics and Computer
Technology Center, NECTEC) ที่ ใ ห้ ก ารสนั บ สนุ น เครื่ อ งมื อ
ด้านการวิเคราะห์ในงานวิจัยนี้
เอกสารอ้างอิง
Ajili, M., Jebbari, N., Turki, N.K., and Castagné, M. (2012). Effect of
Al- doped on physical properties of ZnO Thin films
grown by spray pyrolysis on SnO2: F/glass. EPJ Web of
Conferences 29: 1-9.
Bindu, P. and Thomas, S. (2014). Estimation of lattice strain of
ZnO nanoparticles: X-ray peak profile analysis. Journal
Theory Apply Physics 8: 123-134.
Cullity, B.D. (1978). Element of X-ray diffraction. United States of
America: Addison-.
Haacke, G. (1976). New figure of merit for transparent conductors.
Journal of Applied physics 47: 4086-4089.
Jang, D.S., Jung, S.J., and Lee, J.J. (2012). Al doped zinc oxide thin
films on polymer substrates deposited by inductively
coupled plasma assisted reactive sputtering. Current
Applied Physics 12: S118-S122.
Kim, D., Yun, I., and Kim, H. (2010). Fabrication of rough Al doped
ZnO films deposited by low pressure chemical vapor
deposition for high efficiency thin film solar cells.
Current Applied Physics 10(3): 459-462.
Kim, D.S., Park, J.H., Lee, S.J., Ahn, K.J., Lee, M.S., Ham, M.H., Lee,
W., and Myoung, J.M. (2013). Effects of oxygen
concntration on the properties of Al-doped ZnO
transparent conductive films deposited by pulsed DC
magnetron sputtering. Materials Science in
Seemiconductor Processing 16: 997-1001.
Ko, H., Tai, W.P., Kim, K.C., Kim, S.H., Suh, S.J., and Kim, Y.S. (2005).
Growth of Al- doped ZnO thin films by pulsed DC
magnetron sputtering. Journal of Crystal Grown 277:
352-358.
Li, L.N., Zhao, Y., Chen, X.L., Sun, J., and Zhang, X.D. (2012). Effect
of oxygen flux on the aluminum doped zinc oxide thin
338 KKU Science Journal Volume 47 Number 2
films by direct current manetron sputtering. Physics
Procedia 32: 687-695.
Lin, Y.M., Chu, C.H., Wu H.W., and Huang J.L. (2015). Study of AZO
Thin Films Under Different Annealing Atmosphere on
Structural, Optical and Electrical Properties by rf
Magnetron Sputtering. International MultiConference of
Engineers and Computer Scientists. 18 – 20 March 2015.
Hong Kong.
Liu, Y. , Li, Y. , and Zeng, H. ( 2013) . ZnO- based transparent
conductive thin films: Doping, performance, and
processing. Journal of Nanomaterials 1-9.
May, C., Menner, R., Strumpfel, J., Oertel, M., and Sprecher, B.
(2003). Deposition of TCO films by reactive magnetron
sputtering from metallic Zn:Al alloy target. Surface and
coatings technology 169: 512-516.

Research
Mickan, M. (2017). Deposition of Al-doped ZnO films by high
power impulse magnetron sputtering. Linköping
University, Sweden: LiU-Tryck. 85.
Nomoto, J. I. , Hirano, T. , Miyata, T. , and Minami, T. ( 2011) .
Preparation of Al- doped ZnO transparent electrodes
suitable for thin- film solar cell applications by various
types of magnetron sputtering depositions. Thin Solid
Films 520: 1400-1406.
Shahid, M.U., Deen K.M., Ahmad, A., Akram, M.A., Aslam, M., and
Akhtar, W. (2016). Formation of Al-doped ZnO thin films
on glass by sol– gel process and characterization.
Applied Nanoscience 6(2): 235-241.
Sibiński, M., Znajdek, K., Sawczak, M., and Górski, M. (2014). AZO
layers deposited by PLD method as flexible transparent
emitter electrodes for solar cells. Microelectronic
Engineering 127: 57-60.