Professional Documents
Culture Documents
Ankara Üniversitesi
Nükleer Bilimler Enstitüsü
Enstitü Müdürü
MONTE CARLO NEDİR?
a xo b
Şekil.1
L(x)dx
a
a xo b
Şekil.2
Prof. Dr. Niyazi MERİÇ 5
Geliş sayısı Geliş sayısı/Toplam Atış (10)
4 0,4
3 0,3
Gelen Gelen
sayı sayı
4 5 6 4 5 6
Şekil.1 Şekil.2
L(x) : Sıklık Fonksiyonu f(x) : olasılık yoğunluk fonksiyonu
a F(x)dx
a
P( x ) q P (q) x
1
Reddetme Yöntemi:
r(x)
Reddedilen Bölge
f(x)
Kabul Edilen Bölge
a b x
Şekil.3
Prof. Dr. Niyazi MERİÇ 9
f ( x) X değerinin sıklığının
q f(x) olduğu düşünülerek
r ( x)
x kabul edilir. Değilse
reddedilir ve işlem
tekrarlanır.
T x
Io I I I oe
I I0 e x T
ln(q )
şeklinde azalır. Burada x
T Comp Ray Foto T
Olasılık Yoğunluk fonksiyonu
x ln(q 1)
I0 e xFoto
T
f(x) T e T x
Foto
x0 x
I0 e T
ln(q 2)
0 xRay
Ray
Homojen bir ortam içersinde ilerleyen bir fotonun, x ’
kadar yol aldýktan sonra etkileþme yapma olasılığı ln(q 3)
xComp
x' x'
Comp
q f ( x) dx T e xdx T
0 0
I
Bu fonksiyonun (0-x’) aralığında
herhangi bir değeri alma
olasılığı:
x
x’ xo
ln(q)
x' x’: Fotonun ortalama serbest yol uzunluğu
x' x Etkileşti
I I0 e μT
x
10 e 0.1770 x5
4
( 1 Foton ) l n(q ) l n(0.3194 )
q1 = 0.3194 x Foto 271.7
1
Foto
0.0042
l n(q ) l n(0.6617 )
q2 = 0.6617 x 2
60.72
Ray
Ray
0.0068
l n(q ) l n(0.7653 )
q3 = 0.7653 x Comp
3
y’
1. Fotoelektrik olay
2. Compton Saçılması
3. Rayleigh Saçılması
N N N
1.fotoelektron
Karakteristik Pozitif iyon
E k h E b radyasyon
Geri tepen
elektron
N N
Saçılan
foton Pozitif iyon
m0 c
Compton Saçılması
Geri tepen elektron enerjisi
etkileşme yerinde soğuruldu
Saçılan foton için saçılma açısı ve enerjisi, Compton saçılma
fonksiyonu ile düzeltilmiş Klein-Nishina denkleminden
örneklenir.
d com E' 2 E' E
C ( E , ) r 0 sin( )( ) ( cos 2 1) S m (v)
2
d E E E'
N
S m ( v ) n i S i ( v, Z i )
i 1
E
v 29.1433( 2
) 1 cos
m0 c
Prof. Dr. Niyazi MERİÇ 22
Rayleigh Saçılması
’
’
uyarılmış
d Koh
F ( E , ) r 0 sin (1 cos ) F (v, Z )
2 2 2
d
N
F ( v, Z) n F
2
i 1
i
2
i
Su için F ( v, Z) 2F ( v, Z) F ( v, Z)
2 2
H Dr. Niyazi MERİÇ
Prof.
2
O 24
1. Fotoelektrik Olay
2. Rayleigh Saçılması
d Koh
F( E, ) r 02 sin (1 cos2 ) F2 ( v, Z)
d
N
F 2
( v, Z) ni Fi2 Su İçin F ( v, Z) 2F ( v, Z) F ( v, Z)
2 2
H
2
O
i 1
3. Compton Saçılması
d Com ' '
E E E
F( E, ) r 0 sin( )( )( ' cos2 1) Sm ( v)
2
d E E E
N
Saçıcı ortamın bir
E
' E Sm ( v)
i 1
ni Si ( v, Zi ) molekülü için Compton
Saçılma Fonksiyonu
E
1 (1 cos )
2
E
m0 c v 29.1433( 2
) 1 cos A0
m0 c
Fotoelektrik
olayın olduğu
yerde bütün
enerjiyi biriktir
Gelecek
Bir sonraki
etkileşme yerini Fotoelektrik olay
fotonu
belirle
izle
Compton Saçılması
Koherant Saçılma
Etkileşme
tipini
belirle
Compton saçılma
Form faktör ile fonksiyonu ile
düzeltilmiş Thomson düzeltilmiş
denkleminden Klein-Nishina
saçılma açısını denkleminden,
örnekle saçılma açısını
örnekle
Etkileşme yerinde
e- enerjisini biriktir.
Fotonu izle. Veya
Foton enerjisi < 5 kev
ise enerjiyi biriktir ve
bir sonraki fotonu izle
Rayleigh Saçılması
Etkileşmeden geçen foton
Fotoelektrik Soğurma
Compton Saçılması Enerji
ET, M, DGöz
fantom
girişinde
havadaki
doz, DDGHD
ET 1.6x10- 9 (erg/keV)
DGöz =
M 100(erg/g.rad)
MC = DGöz / DDGHD
Prof. Dr. Niyazi MERİÇ 28
Çizelge(1):
Tüp 20 x 20 25 x 25
Voltajı (cm2) (cm2)
(kVp) Sol Sağ Sol Sağ
70 1.4020.092 0.2030.063 1.4380.093 0.2080.064
75 1.4010.088 0.2080.050 1.4440.094 0.2180.063
80 1.4040.098 0.2580.068 1.4720.170 0.2390.068
85 1.3170.142 0.1910.073 1.3420.190 0.1430.073
90 1.3130.125 0.2200.055 1.2710.266 0.1820.056
100 1.3210.111 0.2290.051 1.3790.196 0.1980.100
Prof. Dr. Niyazi MERİÇ 29
Çizelge (2):
Tüp 20 x 20 25 x 25
Voltajı (cm2) (cm2)
(kVp) Sol Sağ Sol Sağ
Ön-arka:
Sol-sağ:
Wo
Wm dm
Y’ Y d
Hava SU
X’ X
Wd
A = 10 x 10 cm2
A = 10 x 10 cm2
YSTLD = 229.41 nc YHTLD = 180.92 nc
K
K
XSTLD = 179.62 nc XHTLD = 172.33 nc
D su,0
1163.41
1.30
D
su,2910.93
1.07
TAR 0 TAR 2
D Hava,0
893.95 D Hava,2
851.49
cm Sudaki doz Havadaki Havadaki TAR
(mRad) ışınlama Doz
(mR) (mRad)
0 1163.41 1024.00 893.95 1.30
2 910.93 975.36 851.49 1.07