ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN VẬT LÝ KỸ THUẬT

VIỆN ĐÀO TẠO QUỐC TẾ VỀ KHOA HỌC VẬT LIỆU

Báo cáo thí nghiệm

Công Nghệ Vi Điện Tử
Giảng viên phụ trách:
PGS.TS. Nguyễn Công Tú
TS. Nguyễn Văn Toán
Nhóm sinh viên thực hiện: Nhóm 04

Tên MSSV Chữ ký

Phùng Minh Hiếu 20196357

Bùi Phi Long 20196404

Nguyễn Thị Như Nguyệt 20185702

Nguyễn Đình Thắng 20196447

Nguyễn Thái Thịnh 20185721

Triệu Tiến Thông 20196457

Triệu Quốc Tùng 20185730

Đỗ Thu Uyên 20196472

Nguyễn Văn Việt 20196475

Hà Nội, tháng 1 năm 2023

 NỘI DUNG THÍ NGHIỆM
Bài 1. Xử lý bề mặt và ăn mòn hóa học
Bài 2. Kỹ thuật quang khắc
Bài 3. Kỹ thuật màng mỏng kim loại bằng phương pháp phóng xạ

2
 BÀI 1: XỬ LÝ BỀ MẶT VÀ ĂN MÒN HÓA HỌC.
I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
I.1. Mục đích của quá trình xử lý hóa học.
- Làm sạch bề mặt bán dẫn (sau khi gia công cơ học hay sau các công đoạn công nghệ chế
tạo linh kiện).
- Tẩy bỏ các lớp hư hỏng sau gia công cơ học
- Ăn mòn để tạo cấu trúc mong muốn.

• After some processing steps

such as dicing, lapping,
etching, and polishing, silicon
wafers will be ready to be used.

Hình 1. Phiến silic và các định hướng mặt tinh thể thường gặp
• For wafers <200mm, the
I.2. Cơ chế của quá trình xử lý bề mặt.
flats are used to
Xử lý mẫu bằng phương
determine thepháp hóa học chủ yếu dựa trên cơ chế của phản ứng oxy hóa –
crystal
tố quyết định ảnh
khử. Yếuorientation andhưởng
the đến các giai đoạn phản ứng là tốc độ của phản ứng nào
xảy ra chậm hơn và nó sẽ xác định tốc độ của quá trình xử lý mẫu. Có thể mô tả hai giai
impurity type of the
đoạn chính của quá trình như sau:
wafer.
- Sự chuyển rời của các chất tham gia phản ứng tới vùng tiếp xúc Si – dung dịch
- Phản ứng hóa học.
I.3. Xử lý bề mặt phiến Si
Việc xử lý bề mặt phiến Si phải được thực hiện trước các công đoạn công nghệ như oxy
hóa, khuếch tán hay epitaxy… Bề mặt phiến Si có thể bị bẩn vì hai nguyên nhân chính sau:
- Bề mặt bị bẩn vật lý: bụi, dầu, mỡ…
- Bề mặt bị bẩn hóa học: do kết quả của các phản ứng hóa học giữa bề mặt phiến Si với
môi trường dẫn tới các oxide, các sulphide, các carbonat, các ion kim loại nặng… đọng lại
trên bề mặt.
3
Như vậy, trên bề mặt phiến Si tồn tại nhiều loại tạp bẩn. Vì thế việc xử lý bề mặt sẽ bao
gồm các quá trình tẩy sạch lần lượt các chất bẩn trên.
II. TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM
II.1. Dụng cụ thí nghiệm
- Phiến Si đã trải qua bước oxy hóa nhiệt
- Dung môi (aceton, ethanol, nước khử ion)
- Máy quay li tâm, máy sấy.

Hình 2. Phiến Si được sử dụng trong bài thí nghiệm là loại p cắt theo mặt (100).
II.2. Các bước tiền hành
Bước 1: Phiến Si được làm sạch bề mặt bằng cách ngâm trong dung dịch axeton khoảng
5-10 phút.

Hình 3. Ngâm phiến Si trong Acetone ( làm sạch các chất hữu cơ )

4
Bước 2: Ngâm phiến Si trong ethanol khoảng 3 phút

Hình 4. Ngâm phiến Si trong Ethanol ( loại bỏ hết axetone )

Bước 3: Sau đó phiến Si được rửa sạch bằng nước khử ion

Hình 5. Rửa phiến Si bằng nước khử ion

Bước 4: Đặt phiến Si đã rửa sạch vào máy quay ly tâm trong 1 phút để loại bỏ nước. Sau
đó sử dụng máy sấy ở nhiệt độ 125℃ trong 5 phút để làm khô phiến.

Hình 6. Quay khô ly tâm phiến Si và sấy ( làm khô phiến )

Cuối cùng ta được phiến Si đã làm sạch bề mặt.

5
III. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
Câu 1. Để xử lý bề mặt phiến Si, ngoài quy trình SC ở trên người ta còn sử dụng những
phương pháp nào khác? Hãy so sánh các phương pháp đó.
Ngoài quy trình SC ở trên còn có thể sử dụng các quy trình khác như: làm sạch tiêu chuẩn
RCA ( the Radio Corporation of America ), nhúng HF
• Nhúng HF
Nhúng phiến vào dung dich HF 2%, (2 phút)
Kiểm tra độ ẩm
Rửa bằng nước khử ion (DI)/ thổi khô
Dọn dẹp, xử lý chất thải
• RCA-1
Chuẩn bị bồn rửa RCA: tỉ lệ 5:1:1 lần lượt gồm nước (H20), dung dịch 27% ammonium
hydroxide (NH4OH),dung dịch 30% hydrogen peroxide (H2O2).
Ngâm phiến trong bồn rửa RCA-1 Ở 70oC trong 15 phút.
Rửa sạch bằng DI và sấy khô.
Dọn dẹp, xử lý chất thải
Câu 2. Làm thế nào để pha 450 ml dung dịch HF 1%, từ dung dịch HF 48%.
Gọi thể tích dung dịch HF 48% là V2 (ml) mct
𝑚𝑐𝑡
C% =
𝑚𝑑𝑑
Vì khối lượng chất tan không đổi nên ta có:
𝐶1 𝑉1 1 𝑉1 450.1
= ⇔ = ⇔ 𝑉1 =
𝐶2 𝑉2 48 450 48
⇒ 𝑉1 = 9.375 𝑚𝑙
Câu 3. Giải thích mục đích của các bước xử lý hóa đã làm.
Mục đích của các bước xử lý hóa đã làm: Việc xử lý bề mặt sẽ giúp chúng ta loại bỏ những
tạp chất vô cơ, hữu cơ hoặc sai hỏng trên bề mặt tấm silicon trước khi chuyển nó vào những
bước công nghệ tiếp theo.

6
 BÀI 2: KỸ THUẬT QUANG KHẮC
I. LÝ THUYẾT
Quá trình quang khắc là tập hợp các quá trình hóa – quang phục vụ cho mục đích tạo ra
các kích thước và hình dạng cần thiết của các phần tử trong mạch tích hợp hay linh kiện.
I.1. Bản chất của quá trình quang khắc.
Trên bề mặt vật liệu được phủ một lớp có cấu tạo nhạy sáng đặc biết gọi là chất cảm quang
(photoresist).

Hình 1. Cảm quang dương và cảm quang âm trong quá trình quang khắc
- Nhạy quang
- Bền vững trong các dung môi axit hoặc kiềm.
Chất cảm quang có nhiệm vụ là lớp bảo vệ có hình dạng cần thiết cho bề mặt khỏi bị tác
động của các dung môi hóa học. Người ta phân lọai cảm quang thành cảm quang dương và
cảm quang âm dựa vào cơ chế phản ứng xảy ra trong cảm quang khi bị chiếu sáng và sự
thay đổi tính chất trong quá trình chiếu sáng. Các cảm quang âm khi bị chiếu sáng trở nên
không bị hoà tan trong các dung môi tương ứng. Còn các cảm quang dương thì ngược lại,
khi bị chiếu sáng sẽ hoà tan trong các dung môi.
I.2. Quá trình công nghệ quang khắc.
Một quy trình quang khắc điển hình được biểu diễn trên sơ đồ dưới đây:

7
 Hình 2. Quy trình thực hiện quá trình quang khắc
II. THỰC NGHIỆM
Phiến SiO2 /Si
Quang khắc: ( MASK 1 )
Bước 1: Phủ lên phiến Si chất kết dính hexa-methylene-di-xiloxane (HMDS), sau đó phủ
lớp cảm quang(dương)–photoresis một lượng khoảng 5ml, sấy nhẹ.

Hình 3. Phủ lớp cảm quang và sấy phiến silic

8
Bước 2: Sau khi sấy, lớp cảm quang đã khô thì ta tiến hành quá trình quang khắc. Đặt lớp
mặt nạ Cr lên trên phiến Si điều chỉnh cho khoảng cách giữa 2 tấm rất nhỏ, chiếu chùng tia
UV từ trên xuống.

Hình 4. Máy quang khắc

Bước 3: Đem tấm Si đã quang khắc đem ngâm trong dung dịch để hiện hình – tẩy phần
photoresist được chiếu sáng, rủa lại bằng nước khử ion, quay li tâm, sấy nhẹ.

Hình 5. Rửa bằng nước khử ion, quay li tâm sau khi quang khắc.

9
Bước 4: Kiểm tra lại tấm Silic đã được quang khắc bằng kính hiển vi

Hình 6. Kiểm tra bằng kính hiển vi

Bước 5: Sấy phiến Si đã được quang khắc ( đóng rắn) để ra khỏi phòng sạch không bị ăn
mòn.

Hình 7. Sấy phiến Si

10
Bước 6: Đo chiều dày lớp cảm quang

Hình 8. Đo chiều dày lớp cảm quang

Một số lưu ý trong quá trình thí nghiệm:
Điều kiện tiến hành ở trong phòng sạch, vì vậy cần tuân thủ các quy định (trang phục, gang
tay đeo, khẩu trang,..) để đảm bảo chất lượng, độ sạch bề mặt cho các phiến Silic.
Trong quá trình thí nghiệm, cần điều chỉnh tốc độ hệ quay phủ phù hợp và khi chiếu sáng
cần căn chỉnh mặt nạ với sai số nhỏ nhất để tấm Silic đạt đúng yêu cầu.
III. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
Câu 1: Có nhất thiết phải sử dụng primer trước khi phủ lớp cảm quang hay không ?
Phải phủ lớp primer ( tăng cường độ bám dính ) trước khi phủ lớp cảm quang bởi lớp này
sẽ đóng vai trò tăng cường khả năng kết dính giữa đế Si và chất cảm quang.
Câu 2: Hãy liệt kê các nguyên nhân có thể khiến quá trình quang khắc không thành công?
Một số nguyên nhân khiến quá trình quang khắc không thành công:
- Phủ lớp cảm quang không đều, thường bị dày hơn ở các đường biên
- Sau khi sấy, lớp cảm quang không khô đều.
- Trong chất cảm quang có các hạt rắn lớn hơn độ dày lớp phủ, hình thành nên các đường
sọc trên bề mặt phiến

11
 BÀI 3: TẠO MÀNG MỎNG BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ
I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
I.1 Mục đích thí nghiệm
- Hiểu về một hệ thống phún xạ bao gồm các bộ phận cơ bản nào
- Nguyên lí cơ bản của quá trình phún xạ
- Các yếu tố ảnh hưởng lên độ dày của màng mỏng
- Cách đo chiều dày màng mỏng tạo ra
I.2 Quy trình phún xạ
a. Thiết bị thí nghiệm
- Hệ phún xạ cơ bản gồm:
+ Hệ chân không, mức chân không cao cỡ khoảng 10-7 Torr, sử dụng bơm chân không cơ
học và bơm Turbo phân tử
+ Hệ nguồn cao áp (DC hoặc RF).
+ Bia và nguồn vật liệu làm bia (Pt, Titan)
+ Hệ thống làm mát
+ Hệ khí (Ar, He..)
- Tấm Silic đã được quang khắc
- Kính hiển vi, máy đo độ dày màng mỏng

Hình 1. Hệ máy phún xạ

12
b. Các bước tiến hành
Bước 1: Cho mẫu (Silic) vào bia đặt trên cực Cathode của nguồn cao áp bằng Locker Box

Hình 2. Cho mẫu Si vào máy phún xạ

Bước 2: Khởi động bơm sơ cấp để tạo chân không thấp cho hệ khoảng 10 phút.
Bước 3: Khởi động bơm Turbo phân tử tạo chân không cao trong khoảng 30 phút.
Bước 4: Bật hệ thống khí, đưa khí Ar vào trong buồng phản ứng.
Bước 5: Bật hệ thống nước làm mát cho nguồn vật liệu. Việc có hệ thống làm mát giúp
giảm thiểu nguồn nhiệt sinh ra trong quá trình tạo plasma => tránh hao hụt vật liệu.
Bước 6: Bật nguồn cao áp, ở điện thế cỡ 2kV. Khi điện trường giữa hai cực Anot và Catot
lớn, sinh ra tia hồ quang. Các phân tử khí Argon khi đi vào vùng điện trường này, dễ dàng
bị ion hóa, trở thành ion mang điện.
Bước 7: Xoay cần gạt của bia Titan trước để phún xạ một lớp mỏng trên phiến. Sau khoảng
2 phút đóng nguồn Titan lại, tiếp tục làm tương tự đối với điện cực bằng Platium. Thời
gian phún xạ bằng nguồn Pt cỡ 4 phút.
Bước 8: Thực hiện quá trình Lift-off để bóc tách phần cảm quang dư.
Bước 9: Kiểm tra và đo chiều dày màng mỏng.

Hình 3. Kiểm tra và đo chiều dày màng mỏng

13
II. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
- Quy trình phún xạ ổn định, dễ lặp lại, dễ tự động hóa
- Độ bám dính của màng đế khá tốt
- Phương pháp dễ dàng đế chế tạo các màng đa lớp
- Màng tạo ra có độ mấp mô bề mặt thấp và có độ chính xác hơn nhiều so với phương pháp
bốc bay nhiệt.
Câu 1: Các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ phún xạ ?
Các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ phún xạ:
- Áp suất khí: để có thể tạo ra quá trình phún xạ, trước tiên bạn cần tạo ra một môi trường
chân không đủ cao (càng cao càng tốt). Áp suất khí quá lớn sẽ làm giảm khả năng phún xạ,
áp suất quá nhỏ thì lại cho quá trình phún xạ quá chậm và yếu.
- Dòng và thế
- Nhiệt độ của đế
- Các loại cấu trúc của vật liệu đích: tốc độ phún xạ nói chung tăng theo sự gia tăng số
lượng nguyên tử mục tiêu
Câu 2: Khi nào sử dụng nguồn DC? Khi nào sử dụng nguồn RF trong phún xạ? Tại sao?
- Sử dụng nguồn DC khi các vật liệu nền là các bia dẫn điện (bia kim loại, hợp kim,…). Vì
đối với các vật liệu nền kim loại, nguồn cung cấp chỉ cần hệ một chiều, khi đó ta sẽ có quá
trình phún xạ một chiều.
- Nguồn RF có thể sử dụng cho các bia không dẫn điện hay điện môi (VD: các bia dạng
gốm). Do dòng điện một chiều không thể truyền qua điện môi, lúc này ta cần đến một
nguồn xoay chiều phát dòng điện cao tần và một bộ phối hợp trở kháng. Vai trò của bộ phố
hợp trở kháng là tạo ra công suất điện lớn nhất trên hệ catot và anot. Khi đó ta có hệ phún
xạ xoay chiều

14