Tái hợp trực tiếp và và tái hợp gián tiếp

Theo cấu trúc intrinsic của vật liệu bán dẫn, sự tái hợp có thể được phân
loại thành tái hợp trực tiếp và tái hợp gián tiếp. Sự tái hợp trực tiếp diễn ra trong
các vật liệu bán dẫn vùng cấm trực tiếp, trong đó, năng lượng tối thiểu của vùng
dẫn của chúng nằm ngay trên năng lượng cực đại của vùng hóa trị trong hệ tọa độ
động lượng-năng lượng như trong Hình 3.6. Do đó, các electron ở dưới cùng của
vùng dẫn có thể kết hợp lại trực tiếp với các lỗ trống ở trên cùng của vùng hóa trị
và chúng phát ra ánh sáng một cách hiệu quả. Trong trường hợp này, xác suất
chuyển đổi từ dải này sang dải khác là cao, dẫn đến sự tái hợp bức xạ nhiều hơn
trong các trường hợp khác vì các hạt tải có động lượng gần giống nhau ở vị trí
năng lượng tốt nhất giữa vùng dẫn và vùng hóa trị trong đó độ lệch mức năng
lượng là thấp nhất.

Hình 3.6.Tái hợp trực tiếp trong vật liệu có vùng cấm trực tiếp (GaN)

Mặt khác, sự tái hợp gián tiếp xảy ra trong các vật liệu bán dẫn có vùng
cấm gián tiếp. Ở đây, năng lượng tối thiểu của dải dẫn của chúng bị dịch chuyển
khỏi năng lượng tối đa của dải hóa trị như trên Hình 3.7. Do đó, có động lượng
không giống nhau đối với các electron ở vị trí năng lượng tối thiểu của vùng dẫn
và bốn lỗ trống ở vị trí năng lượng tối đa của vùng hóa trị và điều này gây khó
khăn cho việc đạt được sự tái hợp bức xạ. Như vậy, để phát ra ánh sáng, các
electron phải thay đổi động lượng của chúng. Do đó, cần phải thêm các phonon
vào vùng tiếp giáp để thiết lập trạng thái động lượng giống nhau cho cả electron
và lỗ trống. Điều này được thiết lập bằng cách thêm tạp chất hoặc chất pha tạp để
hình thành trạng thái donor/acceptor. Sau đó, các trạng thái donor/acceptor này
đóng vai trò là trạm biến áp tái hợp, nơi các electron được thu giữ và bổ sung một
lượng động lượng thích hợp cho quá trình tái hợp của chúng. Nói chung, sự tái
hợp gián tiếp kém hơn so với sự tái hợp trực tiếp xét theo quan điểm phát ra ánh
sáng. Tuy nhiên, cần lưu ý rằng nếu vật liệu bán dẫn pha tạp vùng cấm gián tiếp bị
pha tạp một loại tạp chất nhất định thì vật liệu bán dẫn pha tạp vùng cấm gián tiếp
có thể phát ra nhiều ánh sáng hơn cả vật liệu bán dẫn vùng cấm trực tiếp trong một
số trường hợp đặc biệt.

Hình 3.7 Tái hợp gián tiếp trong vật liệu có vùng cấm gián tiếp (SiC)