Sự tái hợp bức xạ

Tái hợp bức xạ cho phép đèn LED phát ra photon trong khi tái hợp không bức xạ
tạo ra nhiệt: chúng tiêu thụ năng lượng điện đầu vào của đèn LED nhưng năng
lượng điện này không được chuyển đổi thành năng lượng quang. Nó chỉ tạo ra
những dao động mới và tăng thêm năng lượng cho những dao động cũ. Điều này
gây ra sự gia tăng nhiệt độ hạt tải và nhiệt độ tổng thể của cấu trúc bán dẫn của
đèn LED. Những dao động này của nguyên tử được gọi là phonon được miêu tả ở
Hình 3.8.

Hình 3.8. Radiative (a) and nonradiative recombination (b) in the host lattice of LEDs

Hình 3.9 (a) Tái hợp không bức xạ ở deep level, (b) Tái hợp Auger và (c) tái hợp
bức xạ

Có một số lý do dẫn đến sự tái hợp không bức xạ chẳng hạn như tái hợp Auger,
tức là sự tái hợp ở những vùng khuyết tật hay cái gọi là sự phát xạ đa phonon
(multiphonon emission ) ở mức tạp chất sâu (deep impurity levels ) như Hình 3.9.
Tái hợp bức xạ và tái hợp không bức xạ luôn xảy ra đồng thời. Vì vậy, cần phải
xem xét chúng cùng một lúc. Quá trình chèn hạt tải điện liên tiếp gây ra mật độ
hạt tải điện dư thừa trong các lớp bán dẫn. Do đó, để có trạng thái trung tính sau
mỗi chu trình chèn hạt tải (injection cycle), mật độ hạt tải dư thừa của hạt n (Δn)
và của hạt p (Δp) phải trở về trạng thái trung tính trong một chu kỳ thời gian nhất
định (𝜏 tính bằng ns). Để diễn đạt điều này chi tiết hơn, mật độ sóng mang dư thừa
giảm theo cấp số nhân theo thời gian,xem các phương trình (3.12) và (3.13). Điều
này cũng được thể hiện trong Hình 3.10.

Hình 3.10.Mật độ hạt tải n và p là hàm số của thời gian tái hợp
−t
∆n=∆ n0 . e τ (3.12)
−t
∆p=∆ p 0 . e τ (3.13)

Ở đây, Δn0 và Δp0 biểu thị mật độ hạt tải vượt quá ban đầu của các hạt p- và n- và
𝜏 (tính bằng ns) là thời gian tái hợp. Thời gian sống tái hợp này bao gồm cả thời
gian tái hợp bức xạ 𝜏r và thời gian tái hợp không bức xạ 𝜏nr (tính bằng ns) theo
biểu thức. (3.14). Các thời gian sống này khá khác nhau giữa trường hợp kích
thích thấp (𝜏 = hằng số) và trường hợp kích thích cao (𝜏(t) = t + (BΔn0 ) −1 ) với B
là hằng số thích hợp. Kết quả là, cường độ phát quang có thể là hàm phân rã hàm
mũ kéo dài trong trường hợp kích thích cao (Δn ≫ NA ) hoặc nó cũng có thể trở
thành hàm phân rã hàm mũ khác trong trường hợp kích thích thấp (Δn ≪ NA ). Ở
đây NA (tính bằng cm −3 ) là nồng độ pha tạp. Sau đó, tổng xác suất tái hợp được
xác định bằng tổng xác suất bức xạ và không bức xạ, xem biểu thức. (3.14).
 1 1 1
= +
τ τ r τ nr ( 3.14)

Tốc độ tái hợp bức xạ và tốc độ tái hợp không bức xạ là các hàm của mật độ hạt
tải vượt quá và thời gian tái hợp bức xạ hoặc thời gian tái hợp không bức xạ cũng
có thể được biểu thị bằng các phương trình. (3.15) và (3.16).

∆n
Rr = (3.15)
τr

∆n
Rn r = (3.16)
τnr