2023/12/15 下午3:26 MOSFET的失效機制 —總結— | MOSFET的失效機制 －前言－ | TechWeb

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MOSFET的失效機制 —總 提供技術資料和選擇指南
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結— 2023.04.26
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至此，我們已經介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩
Si功率元件
崩潰失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首
先不能超過MOSFET規格書中的絕對最大額定值，另外，瞭解 基礎篇
這些MOSFET的失效機制之後再進行電路設計和工作條件設定
評估篇
是非常重要的。
・ 逆變電路中切換元件
下面是每篇文章的連結和關鍵要點匯總。 反向恢復特性的重要
性 －前言－
什麼是SOA（Safety Operation Area）失效 ・ MOSFET的失效機制
－前言－
什麼是SOA（Safety
Operation Area）失
本文的關鍵要點 效
・SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作 什麼是雪崩崩潰失效
什麼是dV/dt失效
區”。 MOSFET的失效機制
・需要在SOA範圍內使用MOSFET等產品。 —總結—
・有五個SOA的制約要素，不滿足其中任何一個要素的要
・ 相移全橋電路的功率
轉換效率提升 —前言
求都有可能會造成失效。 —
・ Si二極體用的散熱性
能出色的小型封裝
什麼是雪崩崩潰失效
“PMDE”評估 前言
・ 什麼是雙脈衝測試？

本文的關鍵要點 產品介紹
FAQ
https://techweb.rohm.com.tw/product/power-device/si/si-evaluation/10777/ 1/3
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・當向MOSFET外加高於絕對最大額定值BVDSS的電壓
時，會造成擊穿並引發雪崩崩潰擊穿。
・發生雪崩崩潰擊穿時，會流過大電流，存在MOSFET失
效的危險。
・雪崩崩潰失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。

什麼是dV/dt失效

本文的關鍵要點
・dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電

流流過基極電阻RB，使寄生雙極電晶體導通而引起短路
從而造成失效的現象。
・dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度越

陡，越容易發生dV/dt失效問題。
・一般來說，反向恢復特性越差，dV/dt的坡度越陡，越容
易失效。

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「MOSFET的失效機制 —總結—」相關文一覽
・MOSFET的失效機制 －前言－
・什麼是SOA（Safety Operation Area）失效
・什麼是雪崩崩潰失效
・什麼是dV/dt失效

https://techweb.rohm.com.tw/product/power-device/si/si-evaluation/10777/ 2/3
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崩潰擊穿 寄生電容Cds 反向恢復特性 VDS的上升坡度陡峭

MOSFET擊穿 雪崩崩潰擊穿和短路造成的失效
雪崩崩潰擊穿和熱量造成的失效 絕對最大額定值BVDSS
汲極電流絕對最大額定值IDP 二次擊穿 額定損耗PD dV/dt失效
MOSFET失效 MOSFET失效機制 SOA失效 雪崩崩潰失效
源-汲極電壓絕對最大額定值VDSS 反向恢復電流 safety-operation-area
soa

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