Laboratorium

Analogowe Układy Elektroniczne

Tranzystorowy Układ różnicowy

Rafał Niedbałowski 15.03.2022r.

Mateusz Milewski
Paweł Stolarczyk
1.Charakterystyki przejściowe układu różnicowego

Schemat układu różnicowego

Charakterystyka wyjściowa obu tranzystorów zależnie od sygnału Ub1

Powiększenia 1x

Powiększenie 50x
Obliczenia do asymptot
Dla pierwszej części

Dla części drugiej

Dla trzeciej w którym przypadku tranzystor nie przewodzi.

W dalszej części ćwiczenia sprawdzaliśmy wykresy dla zestawów danych z tabeli w

różnej konfiguracji.
W trakcie wykreślania asymptot zauważyliśmy że dla zestawu 4 danych nie zgadzają
się wartości napięć dla stanów nasyconych oraz odcięcia. Wartości te pasują jednak
do kombinacji:
Dynamiczne obciążenie Rc
Ie=0,5 mA
Więc dla takich wartości zostały te asymptoty wyliczone.Też mniej więcej w tym
momencie zauważyliśmy że układ nawet w stanie w którym tranzystory powinny
osiągnąć Uwy=5V nigdy tej wartości nie osiągnęły co się powtarza w każdym
przypadku.Może sugerować to że wartości niektórych elementów nie zgadzają się z
układem lub wartość napięcia zasilania się nie zgadza z podaną.
2.Wzmocnienie małosygnałowe układu różnicowego
2.1Pomiar metodą przyrostową
Pomiar wzmocnienia różnicowego

Wzory użyte do obliczenia wzmocnienia dla wartości pomiarowych:

❑ ❑
+ ¿=
❑
ΔU wy 2
❑ ¿ −¿=
❑
Δ U wy 1
❑ ¿ ❑ Δ U wy 2 −Δ U wy 1
k ur ΔUr ,
k ur ΔU r , k =
ur ❑ ,
Δ Ur
Obliczenia teoretyczne :
IE=0,5mA , Rc=2kΩ ;
 −3
−1 5∗40∗0 , 5∗1 0 V
−¿= g ¿ R =−(0 , ∗2∗1 03)=−10[ ] ¿
2 m C 2 V ❑
k ur
−3
1 5∗40∗0 ,5∗1 0 V
+ ¿= gm ¿ RC =(0 , ∗2∗103 )=10[ ] ¿
2 2 V ❑
k ur
−3
❑ 40∗0 ,5∗1 0 V 3
k =g ¿ R =(
ur m C ∗2∗1 0 )=20[ ]
2 V ❑

IE=1,5mA , Rc=2kΩ ;
−3
−1 5∗40∗1 ,5∗1 0 V
−¿= g ¿ R =−(0 , ∗2∗1 03)=−30 [ ] ¿
2 m C 2 V ❑
k ur
−3
1 5∗40∗1, 5∗1 0 V
+ ¿= gm ¿ RC =(0 , ∗2∗1 03)=30 [ ] ¿
2 2 V ❑
k ur
−3
❑ 40∗1, 5∗1 0 3 V
k =g ¿ R =−(
ur m C ∗2∗10 )=60 [ ]
2 V ❑

RE=10kΩ , Rc=2kΩ ;
1
∗40∗ I E
−1 2 10∗U E 10∗15 3 V
−¿= g m ¿ RC = ∗R C= ∗R C=−( ∗2∗1 0 )=−30[ ] ¿
2 2 RE 10∗1 0
3
V ❑
k ur
1
∗40∗I E
1 2 10∗U E 10∗15 3 V
+ ¿= gm ¿ RC = ∗RC= ∗RC=( ∗2∗10 )=30 [ ]¿
2 2 RE 10∗1 0
3
V
k ur
❑

❑ 40∗I E 20∗U E 20∗15 3 V

k ur=gm ¿ RC = ∗R C = ∗R C =( 3
∗2∗1 0 )=60 [ ]
2 RE 10∗1 0 ❑
V

IE=0,5mA , dyn. Rc=2kΩ ;

40∗I E V
+¿=gm ¿ RC = ∗RC =20∗0 ,5∗1 0−3∗2∗103 =20 [ ] ¿
k ❑ur=k ur 2 ❑ V

RE=10kΩ , dyn. Rc=2kΩ ;

20∗U E 20∗15 V
+¿=gm ¿ RC = ∗RC =( 3
∗2∗1 03)=20∗0 ,5∗10−3∗2∗1 03=20 [ ]¿
❑ RE 10∗1 0 V
k =k ur
ur
❑

Pomiar wzmocnienia sumacyjnego

Wzory użyte do obliczenia wzmocnienia dla wartości pomiarowych:

❑ ❑
+ ¿=
❑
ΔU wy 2
❑ ¿ −¿=
❑
Δ U wy 1
❑ ¿ ❑ Δ U wy 2− Δ U wy 1
k us ΔUs ,
k us ΔU s , k =
us ❑ ,
ΔU s

Obliczenia teoretyczne :
IE=0,5mA , Rc=2kΩ ;
 ❑ ❑ ❑
¿ −Robc −RC −RC
−2∗1 03 V
k=
¿ ❑ = ❑= ❑❑ = =−0,033333=−33,333 m[ ]¿
2 Re 2 Re U 15 V ,
2 ❑E 2 −3
Ie ❑ 0 ,5∗1 0
IE=1,5mA , Rc=2kΩ ;
❑ ❑ ❑
¿ −Robc −RC −RC
−2∗10 3 V
k=
¿ ❑ = ❑= ❑❑ = =−0 ,1[ ]¿
2 Re 2 Re U 15 V ,
2 ❑E 2 −3
Ie ❑ 1 , 5∗1 0
RE=10kΩ , Rc=2kΩ ;
❑ ❑
−Robc −RC −2∗10 3 V
k ¿¿= ❑ = ❑= 3
=−0,033333=−33,333 m[ ]¿ ,
2 Re 2 Re 2∗10∗1 0 V

Wartości współczynników CMRR

IE=0,5mA , Rc=2kΩ ;
−¿=20 log¿ ¿
CMRR❑
+¿=20log ¿¿
CMRR❑
❑
CMRR❑=20 log ¿

IE=1,5mA , Rc=2kΩ ;
−¿=20 log¿ ¿
CMRR❑
+¿=20log ¿¿
CMRR❑
❑
CMRR❑=20 log ¿

RE=10kΩ , Rc=2kΩ ;
−¿=20 log¿ ¿
CMRR❑
+¿=20log ¿¿
CMRR❑
❑
CMRR❑=20 log ¿

IE=0,5mA , dyn. Rc=2kΩ ;

¿
CMRR¿ =20 log ¿ ¿

RE=10kΩ , dyn. Rc=2kΩ ;

¿
CMRR¿ =20 log ¿ ¿
Porównując wyniki pomiarów z wynikami teoretycznymi możemy zauważyć , że wartości
pomiarów są niewiele niższe niż wartości teoretyczne co w zasadzie pokazuje zgodność
wyników. Różnice w wartościach mogą wynikać z niedoskonałości elementów
rzeczywistych względem idealnych przyjętych teoretycznie.

1) Jakie skutki spowodowałoby zwiększenie RC do wartości 20 k w układzie nr 2?

E E + I E∗R16 +U CE ,T 3+U BE=0
U CE ,T 3=−E E−I E∗R 16−U BE
U CC −¿❑ I C ∗RC −U CE ,T 2−U CE, T 3−I E∗R 16−E E=0 ¿
U CE ,T 2=U CC −¿❑ I C ∗RC −U CE ,T 3−I E∗R16−E E ¿
Po podstawimy wartości wynikających z założenia otrzymamy , że tranzystor T2 jest w stanie
nasycenia co spowoduje zmniejszenie się wartości napięcia kolektor-emiter.

2) Jaka jest maksymalna wartość wzmocnienia różnicowego (rezystancji RC) w układzie nr 2?

U CC 5 5
RC = = −3
= −3
≈ 6,667 kΩ
IE 1 ,5∗1 0 0 , 5∗1 ,5∗1 0
2 2
1 −3 3 V
+¿=gm ¿ RC = ∗40∗I C∗R C=(20∗0 ,5∗1 ,5∗1 0 ∗6,667∗1 0 )=100,005 [ ] ¿
k ❑ur=k ur 2 ❑ V

3) Jaka jest maksymalna wartość wzmocnienia różnicowego (rezystancji RC) w układzie nr 4/5?
Dla układu nr 4:
−E E −U BE 15−0 ,7
I E= = 3
=1 , 43 mA
R 17 10∗1 0
U CC 5 5
RC = = −3
= −3
≈ 6,993 kΩ
IE 1 , 43∗1 0 0 , 5∗1 , 43∗1 0
2 2
1 1 −3 3 V
+¿= gm ¿ RC= ∗40∗I C∗RC =(20∗0 ,5∗1 , 43∗1 0 ∗6,993∗1 0 )=99,999 [ ] ¿
k ❑ur =k ur 2 2 ❑ V

Dla układu nr 5:
Dla układu z obciążonego lustrem prądowym wartość wzmocnienia będzie większa niż w obwodzie z
obciążeniem rezystancyjnym , dodatkowo ograniczają je rezystancje wyjścia pary różnicowej
(r ¿¿ PR)¿ i lustra prądowego (r LP ).
1
+¿= gm∗(rPR )∨¿(r LP )¿
❑ 2
k =k
ur ur

2.2 Pomiar metodą zmienną prądową

Wnioski

W trakcie zbierania danych do “Pomiaru metodą zmienną prądową “

zauważyliśmy że część wartości bardzo odbiega od aktualnie obliczonych
wartości . W trakcie przeprowadzania pomiaru już na samym początku
zauważyliśmy ,że tryby pracy układu i przełącznik z nim związany nie posiada
jednoznacznie przedstawionych trybów przez co jeden z pomiarów kur może
się mocno różnić od rzeczywistości.