Chuong 1. Bien Dang Deo Trong Kim Loai Nguyen Chat - 1.1 Tinh The Hoc

MSE3028 Luyện Kim Vật Lý 2/20/2024
Nội dung
HUST – MSE
• Bài mở đầu. Tổng quan về học phần • 3. Hợp kim hóa

• 1. Biến dạng trong kim loại nguyên chất • 3.1. Hợp kim dung dịch rắn.
• 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại • 3.2. Tương tác của lệch với dung dịch rắn
• 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại • 3.3. Sự tiết pha – Hóa bền tiết pha phân tán
• 3.3.1. Giản đồ pha hợp kim Al hóa bền tiết pha
Luyện kim vật lý

• 1.1.2. Khuyết tật cấu trúc
• 1.1.3. Hình chiếu Stereo • 3.3.2. Tôi, hóa già hợp kim Al
• 1.2. Lệch • 3.3.3. Tương tác lệch – pha phân tán và cơ chế hó
• 1.2.1. Cấu trúc lệch a bền
• 1.2.2. Tương tác lệch với khuyết tật điểm – Năng lượng lệch • 3.3.4. Ảnh hưởng của nhiệt độ hóa già – thời gian
hóa già
Physical Metallurgy •
•
•
1.2.3. Định hướng tinh thể và hành vi của lệch.
1.3. Hóa bền biến dạng nguội
1.3.1. Đường cong ứng suất - biến dạng
•
•
•
3.4. Tăng bền cho hợp kim
3.5. Độ dẻo và độ dai va đập
3.6. Nứt (cracking)
• 1.3.2. Hệ số hóa bền
• 1.4. Song tinh và biến dạng dẻo • 3.6.1. Nứt trong vật liệu – sự tập trung ứng suất
• 3.6.2. Cơ chế phát triển vết nứt
Giảng viên: • 2. Ảnh hưởng của nhiệt đến tổ chức và tính chất của kim loại.
• 3.6.3. Độ dai phá hủy biến dạng phẳng
• 2.1. Ảnh hưởng của nhiệt – Nung kim loại đã qua biến dạng dẻo.
• 3.6.4. Biểu đồ phá hủy
GVC. ThS. Nguyễn Văn Đức • 2.2. Ảnh hưởng của độ biến dạng, nhiệt độ - thời gian ủ đến quá trình
kết tinh lại. • 3.7. Phá hủy mỏi
• 4. Hợp kim kỹ thuật đặc biệt.
TS. Hoàng Văn Vương. • 2.3. Công thức Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov Equation
• Kiểm tra giữa kỳ • 4.1. Hóa bền hợp Fe – C
• 4.1.1. Giản đồ pha Fe – C
Viện: Khoa học và Kỹ thuật vật liệu • 4.1.2. Chuyển pha trong hợp kim Fe – C
• 4.2. Hóa bền hợp kim phi sắt
• 4.3. Ôn tập
Hanoi University of Science and Technology www.hust.edu.vn Hanoi University of Science and Technology www.hust.edu.vn
1 2
Tài liệu học tập Bài mở đầu. Tổng quan về học phần
HUST – MSE HUST – MSE
• Sách giáo trình:

• Bài giảng: Slides bài giảng Luyện kim vật lý.
• Sách tham khảo:
[1] Haidemenopoulos, Gregory N; Physical Metallurgy principles and Design;
CRC Press - Taylor and Francis, ISBN: 978-1-1386-2768-0, 2018
[2] Reza Abbaschian, Robert E. Reed-Hill; Physical Metallurgy Principles, F
ourth Edition; CL-Engineering, ISBN: 978-0-4950-8254-5, 2008
3 4
duc.nguyenvan@hust.edu.vn 1
Bài mở đầu. Tổng quan về học phần Bài mở đầu. Tổng quan về học phần
• Đúc
• Luyện kim bột
Xử lý: • Tạo hình
Tinh thể Cơ – Nhiệt • Hàn
• Gia công cơ khí
Nguyên tử Cấu trúc Tổ chức tế vi Cấu thành
Pha + Khuyết tật + Ứng suất dư

Điện từ
Sự phân bố của chúng
• Cấu trúc có hai loại: tinh thể và điện từ • Lỗ trống

• Lệch
• Tổ chức tế vi: (Pha + Khuyết tật + Ưng suất dư) • Song tinh
và sự phân bố • Khuyết tật xếp
• Biên giới hạt
• Thay đổi tổ chức tế vi bởi xử lý Cơ – Nhiệt • Lỗ hổng
• Vết nứt
5 6
1. Biến dạng trong kim loại nguyên chất 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại
• 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại • 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại
• 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại • 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại
• 1.1.2. Khuyết tật cấu trúc • 1.1.2. Khuyết tật cấu trúc
• 1.1.3. Hình chiếu Stereo • 1.1.3. Hình chiếu Stereo
• 1.2. Lệch • 1.2. Lệch
• 1.2.1. Cấu trúc lệch • 1.2.1. Cấu trúc lệch
• 1.2.2. Tương tác lệch với khuyết tật điểm – Năng lượng lệch • 1.2.2. Tương tác lệch với khuyết tật điểm – Năng lượng lệch
• 1.2.3. Định hướng tinh thể và hành vi của lệch. • 1.2.3. Định hướng tinh thể và hành vi của lệch.
• 1.3. Hóa bền biến dạng nguội • 1.3. Hóa bền biến dạng nguội
• 1.3.1. Đường cong ứng suất - biến dạng • 1.3.1. Đường cong ứng suất - biến dạng
• 1.3.2. Hệ số hóa bền • 1.3.2. Hệ số hóa bền
• 1.4. Song tinh và biến dạng dẻo • 1.4. Song tinh và biến dạng dẻo
7 8
1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại 1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại
Mạng tinh thể gồm các nhóm nguyên tử sắp xếp có trật tự ở các vị trí Ô cơ sở: là hình không gian có thể tích nhỏ nh
xác định ất đặc trưng cho tính đối xứng của mạng tinh t
hể
- Tịnh tiến ô cơ sở theo ba chiều không gian sẽ
xây dựng toàn bộ mạng tinh thể
Cơ sở + Mạng tinh thể = Cấu trúc tinh thể

Biểu diễn ô cơ sở trong không gian
Tính đối xứng của mạng tinh thể: → → →
- Ba véc tơ đơn vị (hằng số mạng): a b c
- Tâm đối xứng
- Các góc , ,  hợp bởi các vectơ đơn vị
- Mặt đối xứng
→ 6 thông số gọi là hằng số cấu trúc mạng
- Trục đối xứng
9 10
Ô cơ sở: Phép tịnh tịnh tiến bảo toàn mạng tinh thể
T = u a + vb + wc
Véc tơ tịnh tiến cơ sở 3D
Trong 3D có bảy hệ tinh thể khác nhau T = 4a + 3b

Ba nghiêng (tam tà) abc  4a
Một nghiêng (đơn tà) abc  =  = 900  
Trực giao abc  =  =  = 900
Ba phương (mặt thoi) a=b=c  =  =   900
3b Mạng tinh thể 2D
Sáu phương (lục giác) a=bc  =  = 900,  = 1200
Chính phương (bốn phương) a=bc  =  =  = 900 a
Lập phương a=b=c  =  =  = 900 b
11 12
Tâm đối xứng: điểm cố định trong mạng tinh thể mà các nguyên tử Trục đối xứng
nằm cách đều điểm đó.
Mặt đối xứng: mặt phẳng trong mạng tinh thể mà qua mặt phẳng đó
tinh thể chia làm hai phần đối xứng nhau.
Tinh thể chỉ có trục đối xứng bậc: 1, 2, 3, 4, 6

13 14
7 hệ tinh thể và 14 kiểu mạng Bravais:

Kiểu mạng
STT Hệ tinh thể thể Thông số mạng tinh thể Trục đối xứng
Bravais
1 Ba nghiêng (Triclinic) a  b  c,      Không P
2 Một nghiêng (Monoclinic) a  b  c,  =  = 900   1 bậc 2 P, C
3 Trực giao (Orthorhombic) a  b  c,  =  =  = 900 3 bậc 2 P, F, I, C
4 Ba phương (Trigonal) a = b = c,  =  =   900 1 bậc 3 P
5 Sáu phương (Hexagonal) a = b  c,  =  = 900,  = 1200 1 bậc 6 P
6 Chính phương (Tetragonal) a = b  c,  =  =  = 900 1 bậc 4 P, I
7 Lập phương (Cubic) a = b = c,  =  =  = 900 4 bậc 3 P, F, I
15 16
Chỉ số Miller Chỉ số Miller của nút mạng, phương mạng và mặt nguyên tử
Nút mạng: để biểu thị tọa độ các nguyên tử
→ → → →
OM = na a + nb b + nc c
• Nút mạng [[na, nb, nc]] là chỉ số Miller nút mạng M

• Phương mạng - Trị số âm được biểu thị bởi dấu “-” ở trên đầu
• Mặt mạng
Chỉ số nút mạng:
A [[0,0,1]]
B [[1,0,0]]
C [[1,1,1]]
D [[0,1/2,0]]
17 18
Chỉ số Miller của nút mạng, phương mạng và mặt ng

uyên tử
• Chỉ số Miller của phương mạng:
z
Phương mạng:
D C
- Đường thẳng đi qua các nút mạng
- Hai phương song song có cùng chỉ số nút mạng (cùng cá B Chỉ số Miller các phương:
E
ch sắp xếp NT) AO [???]
- Kí hiệu [uvw]
CN [???]
- Họ phương <uvw> O H DF [???]
- Quy tắc xác định chỉ số phương: y
+ Qua gốc O kẻ phương OM song song với phương cần xác định; Chỉ số Miller các phương: N
F
+ Xác định chí số nút mạng của M[[na, nb, nc]]; OE [101] A
+ Quy đồng mẫu số chung nhỏ nhất (nếu cần) cho 3 toạ độ: na, nb, x
OB [111]
nc;
+ Tử số của các phân số sau quy đồng là u, v, w là chỉ số Miller [u OH [010]
v w] của phương đã cho.
19 20
Chỉ số Miller của nút mạng, phương mạng và mặt Mặt tinh thể:
nguyên tử
Mặt tinh thể:
- Mặt phẳng chứa các nút mạng không đi qua gốc tọa độ
- Hai mặt song song có cùng chỉ số Miller
- Kí hiệu (hkl)
- Họ mặt {hkl}
- Quy tắc xác định chỉ số mặt (h k l):
+ Xây dựng mặt phẳng P song song với mặt cần xác địn
h; Chỉ số Miller các mặt:
+ Tìm toạ độ giao điểm [[na,0,0]]; [[0,nb,0]]; [[0,0,nc]] củ ABEF (100)
a P trên ba trục Ox, Oy, Oz;
ABCH (010)
+ Lấy các giá trị nghịch đảo na, nb, nc, quy đồng mẫu số
chung; EBCD (001)
+ Các giá trị của tử số, đó chính là các chỉ số h, k, l tươn DFH (111)
g ứng cần tìm.
21 22
Chỉ số Miller – Bravais trong mạng sáu phương Chỉ số Miller – Bravais trong mạng sáu phương
- Trong hệ tọa độ có bốn trục Ox, Oy, Oz, Ou - Trong hệ tọa độ có bốn trục Ox, Oy, Oz, Ou
- Kí hiệu chỉ số phương [u´v´w´] → [uvtw] - Kí hiệu mặt tinh thể (hkil)
i = - (h + k)
Chỉ số Miller các mặ:
(100) (1010)
ABHG
(010) (0110)
BCIH
(001) (0001)
GHIKLM (110) (1100)
AGMF (110) (1120)
ACIH
23 24
Tổng kết Số sắp xếp (số phối trí), Z

- Số lượng các nguyên tử cách đều gần nhất nguyên tử đã cho
- Luôn xác định được chỉ số Miller (Miller – Bravais) của các phương và mặt tinh thể
Số nguyên tử trong một ô cơ sở, nV
- Trong mạng lập phương: [hkl] ⊥ (hkl)
- Số lượng nguyên tử có trong 1 ô cơ sở
- Khoảng cách giữa các mặt tinh thể được xác định: Mật độ nguyên tử
- Mật độ xếp theo phương: Ml = l/L
- Mật độ xếp theo mặt Ms = s/S
- Mật độ xếp theo thể tích Mv = v/V
Kí hiệu Trong đó:
- l, s, v: chiểu dài, diện tích, thể tích nguyên tử chiếm chỗ
[] [uvw] Phương cụ thể
Phương - L, S, V: chiểu dài, diện tích, thể tích đem xét
<> <uvw> Họ phương Lỗ hổng
() (hkl) Mặt cụ thể - Không gian trống bị giới hạn bởi các nguyên tử trong mạng tinh thể
Mặt - Lỗ hỏng tám mặt 8m và lỗ hổng bốn mặt 4m
{} {hkl} Họ mặt
25 26
LPTK (BCC) LPTM (FCC) Lục giác (HCP) Mật độ nguyên tử theo thể tích (Atomic packing factor – APF)
LPTK - BCC
✓ rnt= a3/4 ✓ rnt= a2/4 ✓ rnt= a/2 Mv = vngtử/ô/Vôcơsở
✓ Z=8 ✓ Z = 12 ✓ Z = 12
✓ nv = 2 ✓ nv = 4 ✓ nv = 6
✓ Mv = 68% ✓ Mv = 74% ✓ Mv = 74%
✓ Phương xếp sít nhất: ✓ Phương xếp sít nhất: ✓ Phương xếp sít nhất:
<111> <110>  1120 
✓ Mặt xếp sít nhất: ✓ Mặt xếp sít nhất: ✓ Mặt xếp sít nhất:
{110} {111} {0001}
✓ Kim loại có kiểu mạng A ✓ Kim loại có kiểu mạng A1 ✓ Kim loại có kiểu mạng A3
2: Fe , Cr, Mo, W, V,… : Fe, Au, Ag, Al, Ni, Cu… : Ti , Zn, Mg, Be, Cd, Zr
Mv
Mv = 0,68 (68%)
27 28
Mật độ nguyên tử theo thể tích (Atomic packing factor – APF) , Mv = v/V Mật độ nguyên tử theo thể tích (Atomic packing factor – APF) , Mv = v/V
LPTM - FCC SPXC - HCP
Mv
Mv
Mv = 0,74 (74%) Mv = 0,74 (74%)
29 30
Khối lượng riêng của vật liệu Lỗ hổng bốn mặt (4m – Tetrahedral void) và tám mặt (8m – Octahedral void)
LPTK (BCC) LPTM (FCC)
n: số nguyên tử/ô cơ sở
A: khối lượng nguyên tử - Lỗ hổng 4m: - Lỗ hổng 4m:
VC : thể tích ô cơ sở + Vị trí: ¼ đường nối trung điểm cạnh đối diệ + Vị trí: ¼ đường chéo khối
n của các mặt bên + n4m = 8
NA: Sô Avogadro, 6,023x1023 + n4m = 12 + d4m = 0,225dnt
+ d4m = 0,291dnt - Lỗ hổng 8m:
- Lỗ hổng 8m: + Vị trí: tâm khối và trung điểm các cạnh bên
Ví dụ: tính khối lượng riêng của sắt (Fe) + Vị trí: tâm mặt và trung điểm các cạnh bên + n8m = 4
+ n8m = 6 + d8m = 0,414dnt
+ d8m = 0,154dnt
31 32
Cấu trúc xếp chặt Một số cấu trúc tinh thể khác – chất rắn có liên kết cộng hóa trị
SPXC (HCP) LPTM (FCC) - Tinh thể kim cương A4: Ô cơ sở mạng A1, và 4 nt bên trong
+ + + +
A B A A B C
- Kiểu mạng graphit A3:
- Cấu trúc sợi, ống cacbon và fullerene
33 34
1.1.1. Cấu trúc tinh thể của kim loại 1.1.2. Khuyết tật cấu trúc
Một số cấu trúc tinh thể khác – Chất rắn có liên kết ion
- Ion NaCl • Quá trình kết tinh – đúc kim loại ở trạng thái lỏng
• 2 bước
Cấu trúc tinh thể polymer • Hình thành mầm
• Phát triển mầm tinh thể - cấu trúc hạt
Mầm Phát triển mầm tinh thể Cấu trúc hạt

Kim loại lỏng
Hanoi University of Science and Technology www.hust.edu.vn Hanoi University of Science and Technology Fig.4.14 (b), Callister 7e. www.hust.edu.vn
35 36
1.1.2. Khuyết tật cấu trúc 1.1.2. Khuyết tật cấu trúc
Khuyết tật có ảnh hưởng đến tính chất của vật liệu • Khuyết tật trong vật rắn
➢ 0D, khuyết tật điểm
Liên kết ✓ Nút trống
✓ Nguyên tử xen kẽ
(Bonding) ✓ Nguyên tố tạp chất
+ ➢ 1D, lệch
✓ Lệch biên
Cấu trúc
Tính chất ✓ Lệch xoắn
(Structure) ➢ 2D, biên hạt
(Properties) ✓ Nghiêng
+ ✓ Xoắn
Khuyết tật ➢ 3D, khuyết tật khối, thể tích
✓ Rỗ xốp
(Defects) ✓ Vết nứt
37 38
0D, khuyết tật điểm

➢ 0D, khuyết tật điểm Nút trống – nguyên tử xen kẽ:
✓ Nút trống - Dịch chuyển bằng cách khuếch tán
✓ Nguyên tử xen kẽ - Tốc độ dịch chuyển phụ thuộc tốc độ khuếch tán
- Khi nút trống dịch chuyển ra khỏi bề mặt tạo nên cặp Schottky (nút
✓ Nguyên tố tạp chất trống cation-anion) (Q = 0)
Nguyên tử xen kẽ - Khi nút trống dịch chuyển vào vị trí xen kẽ tạo nên cặp Frenkel (nút
Nút trống
trống cation-nguyên tử xen kẽ cation (Q = 0)
Schottky
Frenkel
39 40
0D, khuyết tật điểm - Tạp chất: 0D, khuyết tật điểm - Tạp chất:
• Mạng tinh thể ion thì khuyết tật điểm (tạp chất) phải tuân theo quy luật
trung hòa điện tích
• Ex: NaCl Na + Cl -
• Tạp chất thay thể cation Nút trống cation
Ca 2+
Na +
Na +
Ca 2+
Tinh thể ban đầu Ca 2+ tạp chất Tinh thể có khuyết tật điểm cation
• Tạp chất thay thế anion Nút trống anion
O 2-
Cl - Cl -
Tinh thể ban đầu O 2- tạp chất Tinh thể có khuyết tật điểm anion
41 42
0D, khuyết tật điểm 0D, khuyết tật điểm

Nồng độ khuyết tật: Xác định năng lượng hoạt hóa:
= exp − QD 
• Tuân theo hàm phân bố Maxwell-Boltzmann ND
• Có thể xác định QD từ thực nghiệm:
NS  k BT 
= exp − QD 
ND
CD =
NS  k BT 
LnCD
CD
NS = số nút mạng/đơn vị thể tích 1
ND = số khuyết tật điểm/đơn vị thể tích
kB = hằng số Boltzmann - QD/kB
QD = năng lượng hình thành một khuyết tật điểm trong mạng tinh thể
T = Nhiệt độ K
T 1/T
43 44
0D, khuyết tật điểm N D = N S exp − QD  Khuyết tật đường – Lệch (dislocation)
 k BT 
Ví dụ: xác định nồng độ khuyết tật Sai lệch đường – lệch: kích thước rất nhỏ (nguyên tử) theo 2 chiều và lớn theo
kB = 1,38  10-23 J/atom-K = 8,62  10-5 eV/atom-K chiều thứ ba.
T = 27o C + 273 = 300 K.
kBT = 300 K  8,62  10-5 eV/K = 0,026 eV
QD = 0,9 eV/atom
NS = NA/Acu
NA = 6,023  1023 atoms/mol
 = 8,4 g/cm3 Lệch biên
Acu = 63,5 g/mol
N A
(6,023 10 23 atoms )  8,4 g 3 
mol  cm 
NS = = = 8 10 22 atoms 3
ACu 63,5 g cm
mol
exp − 0,9 eV atom  = 7,4 107 vacancies / cm3

atoms
N D = 8 10 22
cm3  0,026 eV atom  Lệch xoắn
45 46
Khuyết tật đường – Lệch (dislocation) Khuyết tật đường – Lệch (dislocation)
Lệch biên: chèn thêm bán mặt vào nửa trên của mạng tinh thể lý tưởng. Lệch xoắn: hai phần của mạng tinh thể trượt tương đối so với nhau một hằng số
Véctơ Burger: đóng kín vòng tròn vẽ tr mạng. Các nguyên tử trong vùng lệch sắp xếp theo hình xoắn ốc.
ên mặt phẳng vuông góc với trục lệch
khi chuyển từ tinh thể không lệch sang
có lệch. b⊥trục lệch.
Trục lệch
Trục lệch
b // Trục lệch.
47 48
Khuyết tật đường – Lệch (dislocation) Khuyết tật đường – Lệch (dislocation)
Lệch hỗn hợp: góc α = ( b , trục lệch): 90o (lệch biên), 0o (lệch xoắn), (0o-90o) (lệ
ch hỗn hợp). Lệch hỗn hợp: góc α = (b , trục lệch): 90o (lệch biên), 0o (lệch xoắn),
Hỗn hợp
b=b
bien +b
xoan
(0o-90o) (lệch hỗn hợp). Đường lệch
b = bbien + b xoan b
Hướng véc tơ, b
Đường lệch
Biên
Hỗn hợp: t = [112], b = ½[110].
Xác định: bbien và b xoan
Xoắn
Hướng véc tơ, b b
49 50
Khuyết tật mặt Khuyết tật mặt Năng lượng bề mặt

Mặt ngoài tinh thể. Energy E [ J ] [ Nm] [ N ]
= = → 2 = 2 =
K/n: kích thước lớn theo 2 chiều và nhỏ theo một chiều. Bậc thang Area A [m ] [m ] [m]
Mặt ngoài tinh thể Sức căng bề mặt: giá trị trung bình ứng
suất bề mặt theo hai phương vuông góc
Gờ
  x + y 
Biên giới tinh thể Biên giới pha  = 
 2 
Biên giới góc nhỏ ( ) Mô men xoắn bề mặt (hình thành do đâu)
Torque term →
Biên giới hạt ( )
Biên giới góc lớn Bậc thang
Khuyết tật mặt Bậc thang
Khuyết tật xếp
Mặt song tinh

Gờ trước Gờ bên
Gờ
51 52
Khuyết tật mặt Năng lượng bề mặt Khuyết tật mặt

Mặt ngoài tinh thể. Energy E [ J ] [ Nm] [ N ] Biên giới pha – hạt.
= = → 2 = 2 =
Area A [m ] [m ] [m]
Số nguyên tử/diện tích

n .n .E
γ= a b b Số liên kết bị phá vỡ/nguyên tử
b
2
Năng lượng liên kết/liên kết
Hai bề mặt được tạo thành/liên kết bị phá vỡ
Năng lượng tự do bề mặt () của một số tinh thể (J/m2)

NaCl LiF CaF2 MgO Si Ag Fe Au Cu
Interfacial phenomena in metals and alloys, L.E.Murr, Addison-Wesley, London 1975
0.30 0.34 0.45 1.2 1.24 1.14 1.4 1.4 1.65
53 54
Khuyết tật mặt Khuyết tật mặt Lập phương xếp chặt (CCP)
Song tinh. Khuyết tật xếp.

=
+ +
A B C FCC
Julian Rosalie, MgZn2 Zhao Lingyan, Fe–20Mn–1.3C–3Cu
ACB…
55 56
Khuyết tật mặt Khuyết tật mặt

Khuyết tật xếp.
Khuyết tật xếp. Vùng hoàn chỉnh
Vùng khuyết tật
+ + =
Lập phương xếp chặt (CCP)
A B A HCP …ABC ABC ABC ABC…

HCP
Lục giác xếp chặt (HCP)
CCP với
…ABC AB AB ABC…
khuyết tật xếp
…AB AB AB AB…
FCC
HCP với
khuyết tật xếp
…AB ABC AB AB…
57 58
Khuyết tật mặt Khái niệm: kích thước lớn theo 3 chiều.
Đám nguyên tử Lỗ hổng và vết nứt
Khuyết tật xếp.
WitoldChrominski, ActaMaterialia103(2016)547-557 (Al-Mg-Si)

(a)1h (b)4h (c)14h, (d)CG14h
Các pha phân tán Laure Bourgeois, The Role of Interfacial

Structure and Defects in Precipitation Pat
Tiglet Besara, Non-stoichiometry and Defects in the Weyl Semimetals T
Khuyết tật khối
hways in Aluminium Alloys. The 16th Eu
O. Klein, Journal of Crystal Growth 324(1):63-72 aAs, TaP, NbP, and NbAs ropean Microscopy Congress, Lyon, Fran
Randi Holmestad, Precipitation in an Al-Mg-Si-Ge-Cu Alloy ce
59 60
1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo – The Stereographic projection
• K/n: Hình chiếu cầu – Hình chiếu Stereo

• Phương chiếu [110] ([uvw]) (zone axis) là gì?
• Lưới Wulff (Stereonet)
• Mối quan hệ giữa nhiễu xạ điện tử và hình chiếu Stereo
• Hình chiếu cực Stereo trong hệ lập phương
Hình chiếu cực Stereo

61 62
1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

a)Hình chiếu cầu và hình chiếu cực Hình chiếu cầu và hình chiếu cực
(010)
001 (100) Xác định hình chiếu cầu của mặt: (010)
001 (100)
z [001] • Vẽ hình cầu tâm O bán kính bất kỳ (R)
_ _
(001)
100
• Tịnh tiến mặt tinh thể về tâm O 100
_ • Xác định đường tròn là giao mặt phẳng _
010 010 với mặt cầu, vòng tròn đi qua tâm O (2R), 010 010
(100)
0 (001) gọi là vòng tròn lớn (001)
y [010] 100 100
(010)
_ _
001 001
x [100]
Hình chiếu cầu của mặt và
Xác định hình chiếu cực (pole) của mặt:
Kiểu mạng lập phương: Các mặt tinh thể Hình chiếu cầu của mặt và hình hình chiếu cực
• Tịnh tiến mặt về tâm O
(100), (010), (001) có các pháp tuyến chiếu cực
• Kẻ phương OM ⊥ mặt (pháp tuyến)
tương ứng [100], [010], và [001]
• Xác định giao điểm của OM với mặt cầu
63 64

N N
Hình chiếu Stereo Hình chiếu Stereo M6
M5
M4
• Vẽ hình cầu tâm O bán kính bất kỳ (R)
M Q • Vẽ hình cầu tâm O bán kính bất kỳ (R) M7 M3
• Trục NS qua tâm O là trục chiếu m
M´6
• Trục NS qua tâm O là trục chiếu
• Mặt phẳng Q qua tâm O, ⊥ NS là mặt chiếu K´
• Mặt phẳng Q qua tâm O, ⊥ NS là mặt chiếu M2
• Mặt chiếu cắt mặt cầu tạo thành vòng tròn O M´ • Mặt chiếu cắt mặt cầu tạo thành vòng tròn chiếu O M´2
chiếu K • N, S là điểm nhìn M1

• N, S là điểm nhìn Vòng
M8
tròn chiếu
M´
S Trục Xác định hình chiếu Stereo của một mặt: S
M
chiếu • Về nguyên tắc, hình chiếu Stereo của mặt phẳng là tập hợp các hình chiếu của phương đi qua
các điểm thuộc mặt phẳng đó theo hướng chiếu
• Tịnh tiến mặt phẳng về tâm O, xác định giao của mặt với mặt cầu
Xác định hình chiếu Stereo của một phương: (nửa cầu trên) theo cung M1M2...M7
• Xác định giao điểm M của phương với mặt cầu • Nối S với các điểm của cung và cắt mặt chiếu theo cung M1M´2...M7 là hình
• Nối M với S cắt mặt chiếu tại M´ gọi là hình chiếu của một mặt (là 1 đường cong)
chiếu Stereo của phương Om • Mặt phẳng // mặt chiếu là vòng tròn chiếu
• Mặt phẳng ⊥ mặt chiếu là đường kính mặt tròn chiếu
65 66

Hình chiếu cực của mặt phẳng Phương chiếu – trục vùng [uvw] (zone axis)
• Thực tế thường dùng hình chiếu Stereo của các phương pháp
tuyến ⊥ các mặt, gọi là hình chiếu cực của mặt Trục vùng: Là trục giao cắt của tất cả các mặt phẳng có chung
• Mỗi mặt được thể hiện qua một điểm
• Các trục đối xứng bậc 1, 2, 3, 4, và 6 được biểu diễn trên hình
trục vùng.
chiếu Stereo bởi các ký hiệu: • Chọn trục vùng là phương chiếu
Phương [uvw]
chiếu • Các mặt (hkl) thuộc trục vùng thỏa
• Mặt chiếu là mặt ⊥ trục (hướng) tinh thể nào đó (ví dụ: [001], mãn hu + kv + lw = 0
[011], [111] ...
Hình chiếu cực Stereo trên mặt chiếu (001):

• Mặt ⊥ phương [001], là mặt chiếu (001)
• Hình chiếu cực của mặt (001) là hình chiếu Stereo của phương [001] (tâm O)
• H/c cực của họ mặt {110}, {111} là h/c Stereo của các họ phương <110>, <111> tương
ứng.
67 68

Lưới Wulff (Stereonet) Lưới Wulff (Stereonet)

• Để đo góc giữa hai hướng
• Để tìm cực của vòng tròn lớn
• Để tìm vòng tròn lớn tương ứng
với một cực
• Sử dụng các vòng tròn lớn để đo
góc
• Để tìm góc giữa hai mặt phẳng
• Để xoay hình chiếu xung quanh
một trục nằm trong mặt phẳng hì Vòng tròn lớn
nh chiếu.
69 70

Lưới Wulff (Stereonet) Lưới Wulff (Stereonet)

Góc  giữa hai mặt (hikili) và (hjkjlj) được xác định:
hi h j + ki k j + li l j
Cos =
h + ki2 + li2 . h 2j + k 2j + l 2j
i
2
Vòng tròn nhỏ
71 72

Hình chiếu cực Stereo trong hệ lập phương

Lưới Wulff (Stereonet) Phương chiếu [011] trong hệ lập phương
• Xác định mặt chiếu ⊥ phương chiếu [uvw]
• Xác định h/c cực Stereo của các mặt phẳng (hkl) ⊥ mặt chiếu
( vòng tròn chiếu)
- Nguyên tắc mối quan hệ giữa [uvw] và (hkl) đi qua trục vùng:
•
hu + kv + lw = 0
• Xác định góc giữa hai mặt phẳng (h1k1l1) và (h2k2l2):

hi h j + ki k j + li l j
Cos =
hi2 + ki2 + li2 . h 2j + k 2j + l 2j
- Nguyên tắc: bất kỳ h/c cực Stereo của mặt (hkl) nào nằm giữa hai h/c cực (h1k1l1) và
(h2k2l2) dọc theo vòng tròn lớn:
h = h1 + h2; k = k1 + k2; l = l1 + l2;
73 74

Hình chiếu cực Stereo trong hệ lập phương Hình chiếu cực Stereo trong hệ lập phương
Phương chiếu [011] trong hệ lập phương Phương chiếu [011] trong hệ lập phương
_
[011]
_ → [001] → [0 11]
[011]
z _ _
[111] [111]
_ 109.47o 70,53o
[100] (011) [100] 70.53o (011)
x y _
45o [001] [0 11]
[011]
75 76
1.1.3. Hình chiếu Stereo THE STANDARD STEREOGRAPHIC TRIANGLE FOR CUBIC CRYSTALS
HUST – MSE
Hình chiếu cực Stereo trong hệ lập phương Nhận xét: Các vòng tròn
Phương chiếu [001] và [111] trong hệ lập phương lớn đi qua các poles của
các họ mặt {100} và {110}
chia hình chiếu thành
24 tam giác cong. Đỉnh
của mỗi tam giác là các
poles của họ
<100>; <110> và <111>
77 78
THE STANDARD STEREOGRAPHIC TRIANGLE FOR CUBIC CRYSTALS
• The three lattice directions,

marked a1, a2, and a3, and
shown in Fig. 1.33, are
crystallographically equivalent
• To illustrate this point, let us
assume that it is possible to cut
three tensile specimens, with axes
parallel to a1, a2, and a3, out of a
very large single crystal.
• If tensile tests were to be
performed on these three smaller
crystals now, one would expect
to get identical stress-strain
curves for the three specimens.
Hanoi University of Science and Technology www.hust.edu.vn
79

Chuong 1. Bien Dang Deo Trong Kim Loai Nguyen Chat - 1.1 Tinh The Hoc

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chuong 1. Bien Dang Deo Trong Kim Loai Nguyen Chat - 1.1 Tinh The Hoc

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

MSE3028 Luyện Kim Vật Lý 2/20/2024

• Bài mở đầu. Tổng quan về học phần • 3. Hợp kim hóa

Luyện kim vật lý

• Sách giáo trình:

Nguyên tử Cấu trúc Tổ chức tế vi Cấu thành

Pha + Khuyết tật + Ứng suất dư

• Cấu trúc có hai loại: tinh thể và điện từ • Lỗ trống

Cơ sở + Mạng tinh thể = Cấu trúc tinh thể

Trong 3D có bảy hệ tinh thể khác nhau T = 4a + 3b

Tinh thể chỉ có trục đối xứng bậc: 1, 2, 3, 4, 6

7 hệ tinh thể và 14 kiểu mạng Bravais:

• Nút mạng [[na, nb, nc]] là chỉ số Miller nút mạng M

Chỉ số Miller của nút mạng, phương mạng và mặt ng

Tổng kết Số sắp xếp (số phối trí), Z

Mv = 0,74 (74%) Mv = 0,74 (74%)

Mầm Phát triển mầm tinh thể Cấu trúc hạt

0D, khuyết tật điểm

0D, khuyết tật điểm 0D, khuyết tật điểm

exp − 0,9 eV atom  = 7,4 107 vacancies / cm3

Hướng véc tơ, b

Khuyết tật mặt Khuyết tật mặt Năng lượng bề mặt

Khuyết tật xếp

Mặt song tinh

Khuyết tật mặt Năng lượng bề mặt Khuyết tật mặt

Số nguyên tử/diện tích

Năng lượng tự do bề mặt () của một số tinh thể (J/m2)

Song tinh. Khuyết tật xếp.

Khuyết tật mặt Khuyết tật mặt

A B A HCP …ABC ABC ABC ABC…

WitoldChrominski, ActaMaterialia103(2016)547-557 (Al-Mg-Si)

Các pha phân tán Laure Bourgeois, The Role of Interfacial

• K/n: Hình chiếu cầu – Hình chiếu Stereo

Hình chiếu cực Stereo

1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

chiếu K • N, S là điểm nhìn M1

1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

Hình chiếu cực Stereo trên mặt chiếu (001):

1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

Lưới Wulff (Stereonet) Lưới Wulff (Stereonet)

1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

Lưới Wulff (Stereonet) Lưới Wulff (Stereonet)

Vòng tròn nhỏ

1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

Hình chiếu cực Stereo trong hệ lập phương

• Xác định góc giữa hai mặt phẳng (h1k1l1) và (h2k2l2):

h = h1 + h2; k = k1 + k2; l = l1 + l2;

1.1.3. Hình chiếu Stereo 1.1.3. Hình chiếu Stereo

THE STANDARD STEREOGRAPHIC TRIANGLE FOR CUBIC CRYSTALS

• The three lattice directions,

Hanoi University of Science and Technology www.hust.edu.vn

You might also like