‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﺮوﻧﻴﺎ ت ‪I‬‬
‫إﻟﻜ‬

‫ﺘﺮوﻧﻴ ﺔ وﻧﻈﺮﻳ ﺔ اﻟﺪواﺋﺮ‬

‫ﺘﺎ ب ﻧﺼ ﻲ‪ :‬اﻷﺟﻬﺰة اﻹﻟﻜ‬‫ﻛ‬
‫ﺘﻴﺪ‬‫ﺑﻮﻳﻠﻴ ﺴ‬‫ﻣﺆﻟﻒ ت‬
‫ﺑﺮ‬‫‪:‬رو‬

‫اﻟﻤﻮاﺿﻴﻊ‬ ‫ﺒﻮع رﻗﻢ ‪1. 2.‬‬

‫اﻷﺳ‬

‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‪.‬‬
‫ﺘﻴﺎر واﻟ‬
‫ﺜﺎﻓ ﺔ اﻟ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت اﻟﺠﻮ ﻫﺮﻳ ﺔ‪ :‬ﻛ‬
‫أﺷ‬
‫ﺘﺸﺎر‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ ‪ ،‬اﻻﻧﺠﺮاف واﻻﻧ‬
‫ﺘﻴﺎر واﻟ‬
‫ﺜﺎﻓ ﺔ اﻟ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت اﻟﺨﺎرﺟﻴ ﺔ ‪(P ، N):‬ﻛ‬
‫أﺷ‬

‫‪13.‬‬ ‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ‬

‫ﺘﺤﻴﺰ اﻷﻣﺎﻣ ﻲ واﻟ‬
‫ﺑﻨﺎءﺗﻘﺎﻃﻊ ‪PN ،‬اﻟ‬
‫‪12.‬‬ ‫ﺑﺎ ت اﻟﻤﻨﻄﻘﻴ ﺔ(‬
‫ﺒﻮا‬
‫ﺒﻴﻘﺎ ت )اﻟ‬
‫ﺘﻄ‬‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ‪ ،‬اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ ‪ ،‬اﻟ‬
‫ﻧﻤﺬﺟ ﺔ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫‪11.‬‬ ‫ﺘﻤﻮج‬
‫اﻟﻤﻌﺪل )‪(HW) & (FW‬واﻟﻤﺮﺷﺤﺎ ت وﻋﺎﻣﻞ اﻟ‬
‫‪10.‬‬ ‫دواﺋﺮ ‪Clipper & Clamper‬‬
‫‪9.‬‬ ‫ﺛﻴ ﺔ‬
‫ﺛﻼ‬‫ﻣﻀﺎﻋﻔﺎ ت و‬
‫‪8.‬‬ ‫دواﺋﺮ زﻳﻨﺮ دﻳﻮد‬
‫‪7.‬‬ ‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ﻋﺮض ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب‬
‫ﺳﻌ ﺔ أﺷ‬
‫‪6.‬‬ ‫ﺘﺸﺎر‪.‬‬
‫ﺳﻌ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب وﺳﻌ ﺔ اﻻﻧ‬
‫‪5.‬‬ ‫ﺒﻨﺎء ‪BJT‬واﻟﻤﻤﻴﺰا ت‬‫اﻟ‬
‫‪4.‬‬ ‫داﺋﺮة اﻧﺤﻴﺎز ‪BJT‬‬
‫‪3.‬‬ ‫داﺋﺮة اﻧﺤﻴﺎز ‪BJT‬‬

‫‪0‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫اﻟﻔﺼﻞ ‪1‬‬

‫‪1.‬ﻣﺮاﺟﻌ ﺔﺗﺎرﻳﺨﻴ ﺔ‬
‫ﺘﺮون ‪،‬‬
‫ﺒﻴﻖ اﻟﻤﺼﻄﻠﺢ ﻓ ﻲ اﻷﺻﻞ ﻋﲆ دراﺳ ﺔﺳﻠﻮك وﺣﺮﻛ ﺔ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﻜﻨﻮﻟﻮﺟﻴﺎ‪.‬ﺗﻢﺗﻄ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ﻣﻦ اﻟ‬
‫ﺘ‬‫ﺑﺸﻜﻞ اﺳ‬‫ﺘﺮوﻧﻴﺎ ت ﻣﺠﻤﻮﻋ ﺔ واﺳﻌ ﺔ‬
‫ﺗﺸﻤﻞ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت وﺣﻮل‬ ‫ﺒﻴﻌ ﺔ اﻷﺳﺎﺳﻴ ﺔ ﻟﻺﻟﻜ‬
‫ﺘﻘﺪم ﻓ ﻲ اﻟﻤﻌﺮﻓ ﺔ ﺣﻮل اﻟﻄ‬ ‫ﺑﻤﻌﻨﺎه اﻷوﺳﻊ ﻣﻊ اﻟ‬ ‫ﺘﺨﺪاﻣﻪ‬ ‫ﺘﺮون اﻷوﱃ‪.‬ﺗﻢ اﺳ‬ ‫ﺑﻴ ﺐ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺧﺎﺻ ﺔ ﻛﻤﺎ ﻟﻮﺣﻆ ﻓ ﻲ أﻧﺎ‬
‫ﺘﺮوﻧﻴﺎ ت‪.‬‬
‫ﺘﻠﻔ ﺔ ﻣﻦ اﻹﻟﻜ‬‫ﺘﻌﺎﻣﻞ ﻣﻊ ﺟﻮاﻧ ﺐ ﻣﺨ‬ ‫ﺘﻘﻨﻴ ﺔﺗ‬‫ﺘﺨﺼﺼﺎ ت اﻟﻌﻠﻤﻴ ﺔ واﻟ‬ ‫ﺘﺨﺪام ﺣﺮﻛ ﺔ ﻫﺬه اﻟﺠ ﺴﻴﻤﺎ ت‪ .‬اﻟﻴﻮم اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟ‬‫ﺑﻬﺎ اﺳ‬ ‫ﺘ ﻲﻳﻤﻜﻦ‬ ‫اﻟﻄﺮﻳﻘ ﺔ اﻟ‬

‫ﺑﺪور ﻫﺎ ﺟﻌﻠ ﺖ ﻣﻦ‬‫ﺘﻜﺎﻣﻠ ﺔ واﻟﻠﻴﺰر واﻷﻟﻴﺎف اﻟﻀﻮﺋﻴ ﺔ‪ .‬ﻫﺬه‬

‫ﺘﻮرا ت واﻟﺪواﺋﺮ اﻟﻤ‬
‫ﺘﺮاﻧﺰﺳ‬
‫ﺜﻞ اﻟ‬
‫ﺋﻴ ﺴﻴ ﺔ ﻣ‬
‫ﺒﺤ ﺚ ﻓ ﻲ ﻫﺬه اﻟﻤﺠﺎﻻ ت إﱃﺗﻄﻮﻳﺮ أﺟﻬﺰة ر‬
‫أدى اﻟ‬
‫ﺘﺮوﻧﻴ ﺔ واﻟﺼﻨﺎﻋﻴ ﺔ واﻟﻌ ﺴﻜﺮﻳ ﺔ‪ .‬ﻓ ﻲ اﻟﻮاﻗﻊ ‪،‬ﻳﻤﻜﻦ اﻟﻘﻮل أن اﻟﻌﺎﻟﻢ ﻓ ﻲ وﺳﻂ ﻋﺎﻟﻢ‬
‫ﺘﻬﻼﻛﻴ ﺔ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﺠﺎ ت اﻻﺳ‬
‫اﻟﻤﻤﻜﻦﺗﺼﻨﻴﻊ ﻣﺠﻤﻮﻋ ﺔ واﺳﻌ ﺔ ﻣﻦ اﻟﻤﻨ‬
‫ﺘﺮوﻧ ﻲ‪.‬‬
‫إﻟﻜ‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‬
‫‪.2‬ﻣﻮاد أﺷ‬

‫ﺒﻪ‬
‫ﺒﺎدﺋ ﺔ ﺷ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ﻧﻔ ﺴﻪﺗﻠﻤﻴﺤًﺎ ﻟﺨﺼﺎﺋﺼﻪ‪ .‬اﻟ‬
‫ﻳﻮﻓﺮ ﻣﻠﺼﻖ أﺷ‬
‫ﺑﻴﻦ ﺣﺪﻳﻦ‪.‬‬‫ﺘﺼﻒ اﻟﻄﺮﻳﻖ‬
‫ﺘﻮﻳﺎ ت ﻓ ﻲ ﻣﻨ‬ ‫ً‬
‫ﻋﺎدة ﻋﲆ ﻧﻄﺎق ﻣﻦ اﻟﻤ ﺴ‬ ‫ﺒﻴﻘﻪ‬
‫ﺘﻢﺗﻄ‬
‫ﻳ‬
‫ﺒﻖ ﻋﲆ أي ﻣﺎدة ﻣﻦ ﺷﺄﻧﻬﺎ أنﺗﺪﻋﻢﺳﺨﻴ ﺔ‬
‫•ﻣﺼﻄﻠﺢ ﻣﻮﺻﻞﻳﻨﻄ‬
‫ﺒﺮ‬
‫ﺒﻴﻖ ﻣﺼﺪر ﺟﻬﺪ ﻣﺤﺪود اﻟﺤﺠﻢ ﻋ‬
‫ﺘﻢﺗﻄ‬
‫ﺗﺪﻓﻖ اﻟﺸﺤﻨ ﺔ ﻋﻨﺪﻣﺎﻳ‬
‫ﺗﻬﺎ‪.‬‬‫ﻣﺤﻄﺎ‬

‫ﺘﻬﺎ‬ ‫ً‬
‫ﻣﻨﺨﻔﻀﺎ ﺟﺪًا ﻣﻦ اﻟﻤﻮﺻﻠﻴ ﺔﺗﺤ‬ ‫ﺘﻮى‬
‫ﺒﺎرة ﻋﻦ ﻣﺎدةﺗﻮﻓﺮ ﻣ ﺴ‬
‫•اﻟﻌﺎزل ﻋ‬
‫ﺒﻖ‪.‬‬
‫‪essure‬ﻣﻦ ﻣﺼﺪر ﺟﻬﺪ ﻣﻄ‬
‫ﺑﻴﻦ ﻃﺮﻓ ﻲ اﻟﻌﺎزل واﻟﻤﻮﺻﻞ‪.‬‬‫ﺘﻮى ﻣﻮﺻﻠﻴ ﺔ ﻓ ﻲ ﻣﻜﺎن ﻣﺎ‬
‫ﺒﺎرة ﻋﻦ ﻣﺎدة ﻟﻬﺎ ﻣ ﺴ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ﻋ‬
‫•وﻟﺬﻟﻚ ‪ ،‬ﻓﺈن أﺷ‬

‫ُﻘﺎس ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﻤﺎدة‬

‫ﺘﺮﻳ ﺔ ‪،‬ﺗ‬
‫ﺘﻮﻳﺎ ت ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﻤﻮاد‪ .‬ﻓ ﻲ اﻟﻮﺣﺪا ت اﻟﻤ‬
‫ﺘﺨﺪم ﻣﺼﻄﻠﺢ اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ ‪(ρ_ ،‬اﻟﺤﺮف اﻟﻴﻮﻧﺎﻧ ﻲ )‪rho‬ﻋﻨﺪ ﻣﻘﺎرﻧ ﺔ ﻣ ﺴ‬
‫ﺒﺎ ﻣﺎﻳ ﺴ‬
‫ﻏﺎﻟ ً‬
‫ﺑﻮﺣﺪا ت‪cm -‬أو ‪Ω‬‬
‫م‪.‬‬
‫)‪(2‬‬
‫‪ρ = R (Ω).‬‬ ‫)()‪= (Ω.cm‬‬

‫اﻟﺠﺪول ‪1.1‬ﻗﻴﻢ اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﻨﻤﻮذﺟﻴ ﺔ‬

‫ﻣﻮﺻﻞ ‪ρ = 10-6 Ω‬ﺳﻢ‬ ‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ‪ρ = 50‬ﺳﻢ )أﻟﻤﺎﻧ ﻲ(‬ ‫أﺷ‬ ‫ﻋﺎزل‬

‫)ﻧﺤﺎس(‬ ‫‪ρ = 1012‬ﺳﻢ )ﺳﻴﻠﻴﻜﺎ(‬

‫‪ρ = 50 × 103‬ﺳﻢ )ﺳﻴﻠﻴﻜﻮن(‬
‫‪1‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﻤ ﺮًا ﻧﺤﻮ‬

‫ﺘﺤﻮل ﻣ ﺴ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‪ .‬ﻓ ﻲ اﻟ ﺴﻨﻮا ت اﻷﺧﻴﺮة ‪ ،‬ﻛﺎن اﻟ‬
‫ﺘﻤﺎم ﻓ ﻲﺗﻄﻮﻳﺮ أﺟﻬﺰة أﺷ‬
‫ﺗﻠﻘﻰ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم )‪(Ge‬واﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن )‪(Si‬أوﺳﻊ ﻧﻄﺎق ﻣﻦ اﻻ ﻫ‬
‫ﺘﻮاﺿﻊ‪.‬‬
‫ﺘﺎج ﻣ‬
‫ﺑﻌﻴﺪًا ﻋﻦ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ‪ ،‬ﻟﻜﻦ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ﻻﻳﺰال ﻓ ﻲ إﻧ‬
‫اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن و‬

‫ﻛﻼ ﻫﻤﺎ ‪:‬‬

‫ﺑﺪرﺟ ﺔ ﻧﻘﺎء ﻋﺎﻟﻴ ﺔ ﺟﺪا‬‫•ﻣﺼﻨﻌ ﺔ‬

‫ﺒﻴﺮ ﻣﻦ ﺧﻼل ﻋﻤﻠﻴ ﺔﺗ ﺴﻤﻰ "اﻟﻤﻨﺸﻄﺎ ت"‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻛ‬‫•اﻟﻘﺪرة ﻋﲆﺗﻐﻴﻴﺮ ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻟﻤﺎدة‬

‫ﺘﻘﺮا ًرا وﻳﻘﻠﻞ ﻣﻦ‬

‫ﺜﺮ اﺳ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ أﻋﲆ ﻣﻦ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ‪(0.66ev) ،‬ﻣﻤﺎﻳﺠﻌﻞ اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن أﻛ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫ﻧﻄﺎق اﻟﻄﺎﻗ ﺔ اﻟﻤﺤﻈﻮر ﻣﻦ اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ﻫﻮ ‪1.1ev‬و‬
‫ﺘ ﺴﺮ ب‪.‬‬
‫ﺗﻴﺎر اﻟ‬

‫ﺒﻬﺎ اﻟﺬري‪.‬‬
‫ﺑﻌﺾ اﻟﺼﻔﺎ ت اﻟﻔﺮﻳﺪة ﻟـ ‪Ge‬و ‪Si‬اﻟﻤﺬﻛﻮرة أﻋﻼه إﱃﺗﺮﻛﻴ‬‫ﺗﺮﺟﻊ‬
‫ﺒﻴﻦ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ‬
‫ﺑﻠﻮرة وﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣ‬‫ﺘﻤﺮار(‪ .‬ﻧﻤﻂ واﺣﺪ ﻛﺎﻣﻞﻳ ﺴﻤﻰ‬
‫ﺑﺎﺳ‬‫ﺘﻪ )أيﻳﻜﺮر ﻧﻔ ﺴﻪ‬
‫ﺒﻴﻌ‬
‫ﺑﻄ‬‫ﻧﻤﻄﺎ ﻣﺤﺪدًا ﻟﻠﻐﺎﻳ ﺔﻳﻜﻮن دورﻳًﺎ‬
‫ً‬ ‫ﺗﻴﻦ‬
‫ﺘﺎ اﻟﻤﺎد‬
‫ﺗﺸﻜﻞ ذرا ت ﻛﻠ‬
‫ﺘﺮوﻧًﺎ ﻓ ﻲ اﻟﻤﺪار‪ .‬ﻓ ﻲ ﻛﻞ ﺣﺎﻟ ﺔ ‪ ،‬ﻫﻨﺎك ‪4‬إﻟﻜ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ﻓ ﻲ‬ ‫ﺘﻮي اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ﻋﲆ ‪14‬إﻟﻜ‬
‫ﺑﻴﻨﻤﺎﻳﺤ‬‫ﺘﺮوﻧًﺎ ﻓ ﻲ اﻟﻤﺪار ‪،‬‬
‫ﺘﻮي ذرة اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ﻋﲆ ‪32‬إﻟﻜ‬
‫ﺗﺤ‬‫‪1.2.a ،‬‬
‫ﺘﺮون آﺧﺮ‬
‫ﺑ ﺔﻷي إﻟﻜ‬
‫ﺑﻌ ﺔ ﻫﺬه أﻗﻞ ﻣﻦﺗﻠﻚ اﻟﻤﻄﻠﻮ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ اﻷر‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت اﻟ‬
‫ﺑ ﺔ ﻹزاﻟ ﺔ أي ﻣﻦ إﻟﻜ‬
‫ﺘﺄﻳﻦ( اﻟﻤﻄﻠﻮ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ( ‪ .‬إن اﻹﻣﻜﺎﻧﺎ ت )إﻣﻜﺎﻧﺎ ت اﻟ‬
‫اﻟﻐﻼف اﻟﺨﺎرﺟ ﻲ )اﻟ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.3‬ﻟﻠ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن‪.‬ﻳﺸﺎر إﱃ ﻛﻞ ﻣﻦ ‪Ge‬و ‪Si‬ﻋﲆ أﻧﻬﻤﺎ ذرا ت‬
‫ﺑﻠﻮرة اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ﻫﺬه ‪4‬اﻟ‬‫ﻓ ﻲ اﻟﻬﻴﻜﻞ‪ .‬ﻓ ﻲ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم اﻟﻨﻘ ﻲ أو‬
‫ﺘﺠﺎورة ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.3‬ﻟﻠ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن‪.‬ﻳﺸﺎر إﱃ ﻛﻞ ﻣﻦ ‪Ge‬و ‪Si‬‬
‫ﺑﻊ ذرا ت ﻣ‬
‫ﺑﺄر‬‫ﺒﻄ ﺔ‬
‫ﺗ‬‫ﺘﺮوﻧﺎ تﺗﻜﺎﻓﺆ‪ .‬ﻣﺮ‬
‫ﺑﻌ ﺔ إﻟﻜ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆﻷن ﻟﻜﻞ ﻣﻨﻬﻤﺎ أر‬
‫ﺑﺎﻋﻴ ﺔ اﻟ‬
‫ر‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ تﺗﻜﺎﻓﺆ‪.‬‬
‫ﺑﻌ ﺔ إﻟﻜ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆﻷن ﻟﻜﻞ ﻣﻨﻬﻤﺎ أر‬
‫ﺑﺎﻋﻴ ﺔ اﻟ‬
‫ﻋﲆ أﻧﻬﻤﺎ ذرا ت ر‬

‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤ ﻲ‪.‬‬
‫ﺑﻂ اﻟ‬
‫ﺘﺮا‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ‪ ،‬اﻟ‬
‫ﺘﻪ ﻣﻦ ﺧﻼل ﻣﺸﺎرﻛ ﺔ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﻢﺗﻘﻮﻳ‬
‫ﺑﻴﻦ اﻟﺬرا ت ‪ ،‬اﻟﺬيﻳ‬‫ﺑﻂ‬
‫ﺘﺮا‬
‫ﻳ ﺴﻤﻰ اﻟ‬

‫ﺒﻴﺮة‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت إﱃ زﻳﺎدة ﻛ‬‫ﻳﻤﻜﻦ أنﺗﺆدي زﻳﺎدة درﺟ ﺔ ﺣﺮارة أﺷ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت اﻟﺤﺮة ﻓ ﻲ اﻟﻤﺎدة‪.‬‬
‫ﻓ ﻲ ﻋﺪد اﻹﻟﻜ‬

‫‪2‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﺮﻛﻴ ﺐ اﻟﺬري‪) :‬أ( اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ؛ ) ب( اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن‪.‬‬

‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.2‬اﻟ‬ ‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤﻴ ﺔ ﻟﻠ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن‬
‫ﺑﻄ ﺔ اﻟ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.3‬اﻟﺮا‬
‫ذرة‪.‬‬

‫ﺘﻮﻳﺎ ت اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‬
‫‪1.4‬ﻣ ﺴ‬
‫ﺘﺮونﻳﺪور ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.4‬أ‪ .‬ﻓ ﻲ اﻟﻮاﻗﻊ ‪،‬‬
‫ﺑﻜﻞ إﻟﻜ‬‫ﺒﻄ ﺔ‬
‫ﺗ‬‫ﺘﻮﻳﺎ ت ﻃﺎﻗ ﺔ )ﻓﺮدﻳ ﺔ( ﻣﻨﻔﺼﻠ ﺔ ﻣﺮ‬
‫ﺘﺮﻛﻴ ﺐ اﻟﺬري اﻟﻤﻌﺰول ‪،‬ﺗﻮﺟﺪ ﻣ ﺴ‬
‫ﻓ ﻲ اﻟ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ﻓ ﻲ ﻫﻴﻜﻠﻬﺎ اﻟﺬري‪.‬‬
‫ﺑﻬﺎ ﻟﻺﻟﻜ‬‫ﺘﻮﻳﺎ ت اﻟﻄﺎﻗ ﺔ اﻟﻤ ﺴﻤﻮح‬
‫ﺘﻬﺎ اﻟﺨﺎﺻ ﺔ ﻣﻦ ﻣ ﺴ‬
‫ﺳﻴﻜﻮن ﻟﻜﻞ ﻣﺎدة ﻣﺠﻤﻮﻋ‬

‫ﺘﺮﻛﻴ ﺐ اﻟﺬري‪.‬‬
‫ﺘﺮون ﻓ ﻲ اﻟ‬
‫ﺗﻪ اﻷمﻳﻜﻮن ﻟﺪﻳﻪ ﺣﺎﻟ ﺔ ﻃﺎﻗ ﺔ أﻋﲆ ﻣﻦ أي إﻟﻜ‬
‫ﺘﺮونﺗﺮك ذر‬
‫ﺑﻌﻴﺪًا ﻋﻦ اﻟﻨﻮاة ‪ ،‬زاد ت ﺣﺎﻟ ﺔ اﻟﻄﺎﻗ ﺔ ‪ ،‬وأي إﻟﻜ‬‫ﺘﺮون‬
‫ﻛﻠﻤﺎ ﻛﺎن اﻹﻟﻜ‬

‫ﻃﺎﻗ ﺔ‬ ‫ﺘﺎرة )اﻟﻐﻼف اﻟﺨﺎرﺟ ﻲ(‬

‫ﺘﻮى اﻟ ﺴ‬
‫ﻣﺴ‬

‫ﻓﺠﻮة اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ(‬
‫ﺜﺎﻧ ﻲ )اﻟﻐﻼف اﻟﺪاﺧﻠ ﻲ اﻟ‬
‫ﺘﻮى اﻟ‬
‫اﻟﻤ ﺴ‬

‫ﻓﺠﻮة اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‬
‫ﺜﺎﻟ ﺚ )إﻟﺦ‪(.‬‬
‫ﺘﻮى اﻟ‬
‫اﻟﻤ ﺴ‬

‫إﻟﺦ…‬

‫ﻧﻮاة‬

‫أ‬

‫‪3‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﻃﺎﻗ ﺔ‬ ‫ﻃﺎﻗ ﺔ‬ ‫ﻃﺎﻗ ﺔ‬

‫ﺘﺮوﻧﺎ ت‬
‫اﻹﻟﻜ‬
‫"ﻣﺠﺎﻧﺎ ل‬
‫إﻧﺸﺎء‬ ‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‬
‫ﻧﻄﺎق اﻟ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‬
‫ﻧﻄﺎق اﻟ‬ ‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‬
‫اﻟ‬

‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‬
‫ﻧﻄﺎق اﻟ‬

‫ﺘﻜﺎﻓﺆ‬
‫اﻟ‬ ‫ﺘﺪاﺧﻞ‬
‫ﺑﺎ تﺗ‬
‫اﻟﻌﺼﺎ‬
‫‪Egap > 5‬ﺳﻨﻮا ت‬ ‫ﺘﺮوﻧﺎ ت‬
‫اﻹﻟﻜ‬
‫ﻣﻠﺰﻣ ﺔ‬ ‫ﺜﺎل‬
‫ﺒﻴﻞ اﻟﻤ‬
‫ﻋﲆﺳ‬

‫اﻟﺬري‬
‫ﺘﺎرة‬
‫ﻓﺮﻗ ﺔ اﻟ ﺴ‬
‫ﻫﻴﻜﻞ‬

‫ﺘﺎرة‬
‫ﻓﺮﻗ ﺔ اﻟ ﺴ‬
‫ﺘﺎرة‬
‫ﻓﺮﻗ ﺔ اﻟ ﺴ‬

‫ﺜﺎل ‪= 1.1‬ﻓﻮﻟ ﺖ )ﺳ ﻲ(‬

‫ﺒﻴﻞ اﻟﻤ‬
‫ﻋﲆﺳ‬

‫ﺜﺎل )‪= 0.67 eV (Ge‬‬

‫ﺒﻴﻞ اﻟﻤ‬
‫ﻋﲆﺳ‬

‫ﺜﺎل )‪= 1.41 eV (GaAs‬‬

‫ﺒﻴﻞ اﻟﻤ‬
‫ﻋﲆﺳ‬

‫ﻋﺎزل‬ ‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‬

‫ﻣﻮﺻﻞ أﺷ‬

‫ﺒﺎه‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ ﻟﻠﻌﺎزل وأﺷ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ واﻟ‬
‫ﺘﻮﻳﺎ ت اﻟﻤﻨﻔﺼﻠ ﺔ ﻓ ﻲ اﻟﻬﻴﺎﻛﻞ اﻟﺬرﻳ ﺔ اﻟﻤﻌﺰوﻟ ﺔ ؛ ) ب( ﻧﻄﺎﻗﺎ ت اﻟ‬
‫ﺘﻮﻳﺎ ت اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‪) :‬أ( اﻟﻤ ﺴ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.8‬ﻣ ﺴ‬
‫اﻟﻤﻮﺻﻼ ت واﻟﻤﻮﺻﻞ‪.‬‬

‫ﺘﺄﻳﻦ‪:‬‬
‫اﻟ‬
‫ﺘﻼﺣﻆ أن اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‪.‬ﺳ‬
‫ﺘﺮﻛﻴ ﺐ اﻟﺬري واﻟﺪﺧﻮل إﱃ ﻧﻄﺎق اﻟ‬
‫ﺘﺼﺎص ﻃﺎﻗ ﺔ ﻛﺎﻓﻴ ﺔ ﻟﻼﻧﻔﺼﺎل ﻋﻦ اﻟ‬
‫ﺘﺮون ﻣﻦ ﺧﻼﻟﻬﺎ اﻣ‬
‫ﺘ ﻲﻳﻤﻜﻦ ﻟﻺﻟﻜ‬
‫ﻫ ﻲ اﻵﻟﻴ ﺔ اﻟ‬
‫ﺘﺮون ﻓﻮﻟ ﺖ ‪(eV).‬ال‬
‫ﺑﻮﺣﺪا ت اﻹﻟﻜ‬‫ﺘﺮونﺗﻘﺎس‬
‫ﺑﻜﻞ إﻟﻜ‬‫ﺒﻄ ﺔ‬
‫ﺗ‬‫اﻟﻤﺮ‬

‫ﺒ ﺔ ‪ ،‬ﻣﻨﺬ ذﻟﻚ اﻟﺤﻴﻦ‬

‫وﺣﺪة اﻟﻘﻴﺎس اﻟﻤﻨﺎﺳ‬
‫)‪W = Q * V eV …… .. (1.2‬‬
‫ﺘﺮون واﺣﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺈﻟﻜ‬‫ﺒﻄ ﺔ‬
‫ﺗ‬‫اﻟﺸﺤﻨ ﺔ ‪ Q‬ﻫ ﻲ اﻟﺸﺤﻨ ﺔ اﻟﻤﺮ‬
‫ﺑﻤﺎ أن‬‫ﺘﺮون واﺣﺪ ﻓﻮﻟ ﺖ‪.‬‬
‫ﺑﺈﻟﻜ‬‫ُﺸﺎر إﻟﻴﻪ‬
‫ﺘﻮى ﻃﺎﻗ ﺔﻳ‬
‫ﺘﺞ ﻋﻨﻪ ﻣ ﺴ‬ ‫ﺘﺮون وﻓﺮق ﺟﻬﺪ ﻗﺪره ‪1‬ﻓﻮﻟ ﺖ ﻓ ﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟ ﺔ‪(1.2) .‬ﻳﻨ‬ ‫ﺒﺪال ﺷﺤﻨ ﺔ إﻟﻜ‬
‫ﺘ‬‫اﺳ‬
‫ﺘﺮون واﺣﺪ ‪= 1.6 × 10-19‬ﻛﻮﻟﻮم ‪،‬‬ ‫ﺑﺎﻟﺠﻮل وﺷﺤﻨ ﺔ إﻟﻜ‬ ‫اﻟﻄﺎﻗ ﺔﺗﻘﺎس أ ً‬
‫ﻳﻀﺎ‬

‫‪W = Q x V = 1.6 x 10-19 C .1 V‬‬

‫و ‪1‬ﻓﻮﻟ ﺖ ‪= 1.6 × 10-19‬ﺟﻮل‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ﻧﻔ ﺴﻬﺎ ﻣﻐﻠﻘ ﺔ ﻓ ﻲ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ ﻟﻤﻮاد أﺷ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت اﻟ‬
‫ﻋﻨﺪ ‪0‬درﺟ ﺔ ﻣﺌﻮﻳ ﺔ أو اﻟﺼﻔﺮ اﻟﻤﻄﻠﻖ ‪(273.15‬درﺟ ﺔ ﻛﻠﻔﻦ( ‪،‬ﺗﺠﺪ ﺟﻤﻴﻊ إﻟﻜ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪ 1.8‬ب‪ .‬وﻣﻊ ذﻟﻚ ‪ ،‬ﻋﻨﺪ درﺟ ﺔ ﺣﺮارة اﻟﻐﺮﻓ ﺔ ‪(~ 300‬ﻛﻠﻔﻦ ‪،‬‬
‫ﺑﻨﻄﺎق اﻟ‬‫ﺒﻄ ﺔ‬
‫ﺗ‬‫ﺘﻮﻳﺎ ت ﻃﺎﻗ ﺔ ﻣﺮ‬
‫ﺑﻤ ﺴ‬‫ﻏﻼﻓﻬﺎ اﻟﺨﺎرﺟ ﻲ ﻟﻠﺬرة‬
‫ﺑﻮاﺳﻄ ﺔ ‪E‬‬‫ﺒﻮر ﻓﺠﻮة اﻟﻄﺎﻗ ﺔ اﻟﻤﺤﺪدة‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ ‪ ،‬وﻋ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ ﻃﺎﻗ ﺔ ﻛﺎﻓﻴ ﺔ ﻟﻤﻐﺎدرة ﻧﻄﺎق اﻟ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت اﻟ‬
‫ﺒﻴﺮ ﻣﻦ إﻟﻜ‬
‫ﺘ ﺴ ﺐ ﻋﺪد ﻛ‬
‫‪25‬درﺟ ﺔ ﻣﺌﻮﻳ ﺔ( اﻛ‬
‫ﺒ ﺔ ﻟﻠ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ‪Eg 1.1‬ﻓﻮﻟ ﺖ ‪ ،‬وﻟﻠﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ‪0.67‬ﻓﻮﻟ ﺖ ‪ ،‬وﻟﺰرﻧﻴﺨﻴﺪ اﻟﻐﺎﻟﻴﻮم ‪1.41‬‬
‫ﺑﺎﻟﻨ ﺴ‬‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‪.‬‬
‫ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪ 1.8‬ب ودﺧﻮل ﻧﻄﺎق اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ﻓ ﻲ درﺟ ﺔ ﺣﺮارة‬‫ﻓﻮﻟ ﺖ‪ .‬ﻣﻦ اﻟﻮاﺿﺢ أن اﻧﺨﻔﺎض ‪E‬ﻟﻠﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮمﻳﺆدي إﱃ زﻳﺎدة ﻋﺪد اﻟﺤﺎﻣﻼ ت ﻓ ﻲﺗﻠﻚ اﻟﻤﺎدة ﻣﻘﺎرﻧ ﺔ‬
‫ﺘ ﻲﻳﻤﻜﻦ أن‬ ‫ﺘﺮوﻧﺎ ت اﻟ‬
‫ﺑﺸﺪة ﻣﻦ ﻋﺪد اﻹﻟﻜ‬ ‫ﺜﺮ ‪ ،‬ﻣﻤﺎﻳﺤﺪ‬ ‫ً‬
‫ﻋﺎدة ﻣﺎﺗﻜﻮن ‪5‬ﻓﻮﻟ ﺖ أو أﻛ‬ ‫ﺒ ﺔ ﻟﻠﻌﺎزل أن ﻓﺠﻮة اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‬
‫ﺑﺎﻟﻨ ﺴ‬‫اﻟﻐﺮﻓ ﺔ‪ .‬ﻻﺣﻆ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ﻓ ﻲ اﻟ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ ﻓ ﻲ درﺟ ﺔ ﺣﺮارة اﻟﻐﺮﻓ ﺔ‪ .‬اﻟﻤﻮﺻﻞ ﻟﺪﻳﻪ إﻟﻜ‬
‫ﺗﺪﺧﻞ ﻧﻄﺎق اﻟ‬

‫‪4‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺜﻘﻴﻞ ﻟﻠﺸﺤﻨ ﺔ ‪،‬‬

‫ﺘﺪﻓﻖ اﻟ‬
‫ﺜﺮ ﻣﻦ ﺣﺎﻣﻼ ت ﺣﺮة ﻛﺎﻓﻴ ﺔ ﻟﻠﺤﻔﺎظ ﻋﲆ اﻟ‬
‫ﺗﻤﺎﻣﺎ ‪ ،‬إذن ‪ ،‬أﻧﻪﻳﻮﺟﺪ ﻓ ﻲ درﺟ ﺔ ﺣﺮارة اﻟﻐﺮﻓ ﺔ أﻛ‬
‫ً‬ ‫ﺘﻰ ﻓ ﻲ ‪0 C0 .‬ﻣﻦ اﻟﻮاﺿﺢ‬
‫اﻟﻔﺮﻗ ﺔ ﺣ‬
‫ﺘﻴﺎر‪.‬‬
‫أو اﻟ‬
‫ﺘﺤﺪ ث ﺣﺎﻻ ت اﻟﻄﺎﻗ ﺔ ﻓ ﻲ اﻟﻨﻄﺎﻗﺎ ت اﻟﻤﺤﻈﻮرة‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت اﻟﺠﻮ ﻫﺮﻳ ﺔ ‪ ،‬ﻓ ﺴ‬
‫ﺳﻨﺠﺪ ﻓ ﻲ اﻟﻘ ﺴﻢ ‪1.5‬أﻧﻪ إذاﺗﻤ ﺖ إﺿﺎﻓ ﺔ ﺷﻮاﺋ ﺐ ﻣﻌﻴﻨ ﺔ إﱃ ﻣﻮاد أﺷ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ ﻓ ﻲ اﻟﻐﺮﻓ ﺔ درﺟ ﺔ اﻟﺤﺮارة!‬
‫ﺜﺎﻓ ﺔ اﻟﻨﺎﻗﻞ ﻓ ﻲ ﻧﻄﺎق اﻟ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ ‪ ،‬زﻳﺎدة ﻛ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ‪-‬و‬
‫ﻣﻤﺎﺳﻴﺆدي إﱃ اﻧﺨﻔﺎض ﺻﺎﻓ ﻲ ﻓ ﻲ ‪E‬ﻟﻜﻞ ﻣﻦ ﻣﻮاد أﺷ‬

‫‪1.5‬اﻟﻤﻮاد اﻟﺨﺎرﺟﻴ ﺔ ‪-‬اﻟﻨﻮع ‪n‬و ‪p‬‬

‫ﺒ ًﻴﺎ‪ .‬ﻫﺬه اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ ‪،‬‬

‫ﺒﻪ ﻣﻮﺻﻠ ﺔ ﻧﻘﻴ ﺔ ﻧ ﺴ‬
‫ﺒﻴﺮ ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ إﺿﺎﻓ ﺔ ذرا ت ﺷﻮاﺋ ﺐ ﻣﻌﻴﻨ ﺔ إﱃ ﻣﺎدة ﺷ‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻛ‬‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‬
‫ﻳﻤﻜﻦﺗﻐﻴﻴﺮ ﺧﺼﺎﺋﺺ ﻣﻮاد أﺷ‬
‫ﺗﻤﺎﻣﺎ‪.‬‬
‫ً‬ ‫ﺑﺎﺋﻴ ﺔ ﻟﻠﻤﺎدة‬
‫ﺘﻐﻴﻴﺮ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﻜﻬﺮ‬
‫ﻛﺎف ﻟ‬
‫ٍ‬ ‫ﺑﺸﻜﻞ‬‫ﺑﻨﻴ ﺔ اﻟﻨﻄﺎق‬‫ﺘﻬﺎ إﱃ ﺟﺰء واﺣﺪ ﻓﻘﻂ ﻓ ﻲ ‪10‬ﻣﻼﻳﻴﻦ ‪،‬ﻳﻤﻜﻨﻬﺎﺗﻐﻴﻴﺮ‬
‫ﻋﲆ اﻟﺮﻏﻢ ﻣﻦ إﺿﺎﻓ‬

‫ﺑﻤﺎدة ﺧﺎرﺟﻴ ﺔ‪.‬‬‫ﺘ ﻲ ﺧﻀﻌ ﺖ ﻟﻌﻤﻠﻴ ﺔﺗﻌﺎﻃ ﻲ اﻟﻤﻨﺸﻄﺎ ت‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت اﻟ‬
‫ﺗ ﺴﻤﻰ ﻣﺎدة أﺷ‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‪ :‬اﻟﻨﻮع ‪n‬واﻟﻨﻮع ‪p.‬‬ ‫ُﻘﺎس ﻟ‬

‫ﺘﺼﻨﻴﻊ ﺟﻬﺎز أﺷ‬ ‫ﺘ ﻲ ﻻﺗ‬
‫ﻫﻨﺎك ﻧﻮﻋﺎن ﻣﻦ اﻟﻤﻮاد اﻟﺨﺎرﺟﻴ ﺔ ذا ت اﻷ ﻫﻤﻴ ﺔ اﻟ‬

‫ن ﻧﻮع اﻟﻤﻮاد‬

‫ﺒ ًﻘﺎ ﻣﻦ ذرا ت اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ إﱃ ﻗﺎﻋﺪة اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم أو اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن‪.‬ﻳ‬

‫ﺘﻢ إﻧﺸﺎء‬ ‫ﺘﻢﺗﺸﻜﻴﻞ ﻛﻞ ﻣﻦ اﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬و ‪p‬ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ إﺿﺎﻓ ﺔ ﻋﺪد ﻣﺤﺪد ﻣ ﺴ‬
‫ﻳ‬
‫ﺘﻴﻤﻮن واﻟﺰرﻧﻴﺦ واﻟﻔﻮﺳﻔﻮر‪.‬ﻳﺸﺎر‬
‫ﺜﻞ اﻷﻧ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ( ‪ ،‬ﻣ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ تﺗﻜﺎﻓﺆ )ﺧﻤﺎﺳ ﻲ اﻟ‬
‫ﺘﻮي ﻋﲆ ﺧﻤ ﺴ ﺔ إﻟﻜ‬
‫ﺘ ﻲﺗﺤ‬
‫اﻟﻨﻮع ‪n‬ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ إدﺧﺎل ﻋﻨﺎﺻﺮ اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ اﻟ‬
‫ﺑﻌ ﺔ ﻻﺗﺰال ﻣﻮﺟﻮدة‪ .‬وﻣﻊ ذﻟﻚ ‪،‬‬
‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤﻴ ﺔ اﻷر‬
‫ﺑﻂ اﻟ‬
‫ﺘﻴﻤﻮن ﻛﺸﻮاﺋ ﺐ ﻓ ﻲ ﻗﺎﻋﺪة اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن(‪ .‬ﻻﺣﻆ أن اﻟﺮوا‬
‫ﺘﺨﺪام اﻷﻧ‬
‫ﺛﻴﺮ ﻋﻨﺎﺻﺮ اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ ﻓ ﻲ اﺳ‬
‫إﱃﺗﺄ‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻏﻴﺮ ﻣﺤﻜﻢ‬‫ﺒﻂ‬
‫ﺗ‬‫ﺒﻘ ﻲ ‪ ،‬اﻟﻤﺮ‬
‫ﺘ‬‫ﺘﺮون اﻟﻤ‬
‫ﺑﻄ ﺔﺗ ﺴﺎ ﻫﻤﻴ ﺔ ﻣﻌﻴﻨ ﺔ‪ .‬ﻫﺬا اﻹﻟﻜ‬
‫ﺑﺄي را‬‫ﺒﻂ‬
‫ﺗ‬‫ﺘ ﻲ ﻻﺗﺮ‬
‫ﺒ ﺐ ذرة اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ ‪ ،‬واﻟ‬
‫ﺑﺴ‬‫ﺘﺮون ﺧﺎﻣ ﺲ إﺿﺎﻓ ﻲ‬
‫ﻳﻮﺟﺪ إﻟﻜ‬
‫ﺒ ًﻴﺎ‬
‫ﺘﺮون "ﺣﺮ" ﻧ ﺴ‬
‫ﺑﺈﻟﻜ‬‫اﻟﻤﺪﺧﻠ ﺔ‬
‫ﺒﺮﻋ ﺖ ذرة اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ ُ‬ ‫ﺘﺤﺮك داﺧﻞ اﻟﻤﺎدة اﻟﻤﻜﻮﻧ ﺔ ﺣﺪﻳ ً‬
‫ﺜﺎ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n.‬ﻣﻨﺬ أنﺗ‬ ‫ﺒ ًﻴﺎ ﻟﻠ‬
‫ﺘﻴﻤﻮن( ‪،‬ﻳﻜﻮن ﺣ ﺮًا ﻧ ﺴ‬
‫ﺑﺬرة اﻷم )اﻷﻧ‬
‫ﺑﺎﻟﺬرا ت اﻟﻤﺎﻧﺤ ﺔ‪.‬‬‫ﺘﺮوﻧﺎ تﺗﻜﺎﻓﺆ‬
‫ﺘﺸﺮة ﻣﻊ ﺧﻤ ﺴ ﺔ إﻟﻜ‬
‫ﻟﻠﻬﻴﻜﻞ‪:‬ﺗ ﺴﻤﻰ اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ اﻟﻤﻨ‬

‫ﻃﺎﻗ ﺔ‬

‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‬
‫ﻧﻄﺎق اﻟ‬

‫ﺜﺎل )‪= 0.05 eV (Si) ، 0.01 eV (Ge‬‬

‫ﺒﻴﻞ اﻟﻤ‬
‫ﻋﲆﺳ‬
‫ﺘﻮى ﻃﺎﻗ ﺔ اﻟﻤﺎﻧﺤﻴﻦ‬
‫ﻣﺴ‬
‫ﺒﻞ‬
‫ﺜﺎل ﻛﻤﺎ ﻛﺎن ﻣﻦ ﻗ‬
‫ﺒﻴﻞ اﻟﻤ‬
‫ﻋﲆﺳ‬

‫ﺘﻜﺎﻓﺆ‬
‫ﻧﻄﺎق اﻟ‬

‫‪5‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺑﻨﻴ ﺔ ﻧﻄﺎق اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‪.‬‬‫ﺛﻴﺮ اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ اﻟﻤﺎﻧﺤ ﺔ ﻋﲆ‬

‫ﺗﺄ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.10‬‬

‫ف ﻧﻮع اﻟﻤﻮاد‬

‫ﺛﺔ‬
‫ﺛﻼ‬‫ﺘﻮي ﻋﲆ‬
‫ﺘ ﻲﺗﺤ‬
‫ﺑﻠﻮرة اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ﻣﻊ ذرا ت اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ اﻟ‬‫ﺘﻜﻮن اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖﺗﻌﺎﻃ ﻲ اﻟﻤﻨﺸﻄﺎ ت ﻣﻦ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم اﻟﻨﻘ ﻲ أو‬
‫ﺗ‬
‫ﺒﻮرون واﻟﻐﺎﻟﻴﻮم واﻹﻧﺪﻳﻮم‪.‬ﻳﻮﺿﺢ‬
‫ﺒﻮرون واﻟﻐﺎﻟﻴﻮم واﻹﻧﺪﻳﻮم‪ .‬ﻫﺬا اﻟﻐﺮض ﻫﻮ اﻟ‬
‫ﺘﺨﺪاﻣﺎ ﻟﻬﺬا اﻟﻐﺮض ﻫ ﻲ اﻟ‬
‫ً‬ ‫ﺜﺮ اﺳ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ تﺗﻜﺎﻓﺆ‪ .‬اﻟﻌﻨﺎﺻﺮ اﻷﻛ‬
‫إﻟﻜ‬
‫ﺒﻮرون ‪ ،‬ﻋﲆ ﻗﺎﻋﺪة ﻣﻦ اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن‪.‬‬
‫ﺛﻴﺮ أﺣﺪ ﻫﺬه اﻟﻌﻨﺎﺻﺮ ‪ ،‬اﻟ‬
‫ﺗﺄ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.10‬‬

‫ﺒﻮرون ﻓ ﻲ ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪P.‬‬

‫ﺷﻜﻞ ‪1.10‬ﺷﻮاﺋ ﺐ اﻟ‬

‫ﺜﻴﻠﻪ‬
‫ﺘﻢﺗﻤ‬
‫ﺜﻘ ﺐ وﻳ‬
‫ﺑﺎﻟ‬‫ﺗﺞ‬ ‫ﺒﻜ ﺔ اﻟﻤﺸﻜﻠ ﺔ ﺣﺪﻳ ً‬
‫ﺜﺎ‪.‬ﻳ ﺴﻤﻰ اﻟﻔﺮاغ اﻟﻨﺎ‬ ‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤﻴ ﺔ ﻟﻠﺸ‬
‫ﺑﻂ اﻟ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ﻹﻛﻤﺎل اﻟﺮوا‬
‫ﻛﺎف ﻣﻦ اﻹﻟﻜ‬
‫ٍ‬ ‫ﻻﺣﻆ أﻧﻪﻳﻮﺟﺪ اﻵن ﻋﺪد ﻏﻴﺮ‬
‫ﺒ ﺔ‪.‬‬
‫ﺒ ﺐ ﻋﺪم وﺟﻮد ﺷﺤﻨ ﺔﺳﺎﻟ‬
‫ﺑﺴ‬‫ﺒﺔ‬
‫ﺑﺪاﺋﺮة ﺻﻐﻴﺮة أو ﻋﻼﻣ ﺔ ﻣﻮﺟ‬

‫ﺒﻠ ﺔ‪.‬‬
‫ﺘﻘ‬‫ﺘﺮوﻧﺎ تﺗﻜﺎﻓﺆ اﻟﺬرا ت اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺛ ﺔ إﻟﻜ‬
‫ﺛﻼ‬ ‫ﺘﺮوﻧًﺎ "ﺣ ﺮًا"‪:‬ﺗ ﺴﻤﻰ اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ اﻟﻤﻨ‬
‫ﺘﺸﺮة ﻣﻊ‬ ‫ﺑ ﺴﻬﻮﻟ ﺔ إﻟﻜ‬‫ﺒﻞ‬
‫ﺗﺞﺳﻴﻘ‬
‫ﺑﻤﺎ أن اﻟﻔﺮاغ اﻟﻨﺎ‬

‫ﺒﺎ ب اﻟﻤﻮﺿﺤ ﺔ ﻟﻠﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n.‬‬

‫ﺑﺎﺋ ًﻴﺎ ‪ ،‬ﻟﻨﻔ ﺲ اﻷﺳ‬
‫ﺗﺠ ﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬ﻣﺤﺎﻳﺪة ﻛﻬﺮ‬
‫ﺗﻜﻮن اﻟﻤﺎدة اﻟﻨﺎ‬

‫ﺘﻜﺎﻓﺆ ﻃﺎﻗ ﺔ ﺣﺮﻛﻴ ﺔ ﻛﺎﻓﻴ ﺔ ﻟﻜ ﺴﺮ‬

‫ﺘﺮون اﻟ‬
‫ﺘ ﺴ ﺐ إﻟﻜ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.11.‬إذا اﻛ‬
‫ﺜﻘ ﺐ ﻋﲆ اﻟ‬
‫ﺛﻴﺮ اﻟ‬
‫ﺜﻘ ﺐﻳﻈﻬﺮﺗﺄ‬
‫ﺑﻞﺗﺪﻓﻖ اﻟ‬
‫ﺘﺮون ﻣﻘﺎ‬
‫اﻹﻟﻜ‬

‫ﺘﺮون‪.‬‬
‫ﺘ ﻲ أﻃﻠﻘ ﺖ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤﻴ ﺔ اﻟ‬
‫ﺑﻄ ﺔ اﻟ‬
‫ﺛﻘ ﺐ ﻓ ﻲ اﻟﺮا‬‫ﺘﻢ إﻧﺸﺎء ﻓﺮاغ أو‬
‫ﺛﻘ ﺐ ‪ ،‬ﻓ ﺴﻴ‬‫ﺗﺞ ﻋﻦ‬
‫ﺑﻪ وﻣﻞء اﻟﻔﺮاغ اﻟﻨﺎ‬‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤﻴ ﺔ اﻟﺨﺎﺻ ﺔ‬
‫ﺑﻄ ﺔ اﻟ‬
‫اﻟﺮا‬
‫ﺘﺨﺪاﻣﻪ ﻫﻮ‬
‫ﺗﺠﺎه اﻟﺬيﻳﺠ ﺐ اﺳ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت إﱃ اﻟﻴﻤﻴﻦ ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.11.‬اﻻ‬
‫ﺜﻘﻮ ب إﱃ اﻟﻴ ﺴﺎر واﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﻘﺎل ﻟﻠ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ ‪ ،‬ﻫﻨﺎك اﻧ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫و‬
‫ﺜﻘ ﺐ‪.‬‬
‫ﺗﺠﺎهﺗﺪﻓﻖ اﻟ‬
‫ﺘﻘﻠﻴﺪي ‪ ،‬واﻟﺬيﻳﺸﻴﺮ إﻟﻴﻪ ا‬
‫ﺘﺪﻓﻖ اﻟ‬
‫ﺗﺠﺎه اﻟ‬
‫ا‬

‫‪6‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﺤ ﺔ‪.‬‬
‫ﺑﻞﺗﺪﻓﻖ اﻟﻔ‬
‫ﺘﺮون ﻣﻘﺎ‬
‫ﺗﺪﻓﻖ اﻹﻟﻜ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.11‬‬

‫ﺒﻴ ﺔ واﻷﻗﻠﻴ ﺔ‬
‫ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻏﻠ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت اﻟﺤﺮة ﻓ ﻲ ‪Ge‬أو ‪Si‬إﱃ ﻫﺆﻻء اﻟﻘﻼﺋﻞ ﻓﻘﻂ‬
‫ﻓ ﻲ اﻟﺤﺎﻟ ﺔ اﻟﺠﻮ ﻫﺮﻳ ﺔ ‪،‬ﻳﺮﺟﻊ ﻋﺪد اﻹﻟﻜ‬
‫ﺒ ﺖ ﻃﺎﻗ ﺔ ﻛﺎﻓﻴ ﺔ ﻣﻦ اﻟﺤﺮارة أو‬
‫ﺘﺴ‬‫ﺘ ﻲ اﻛ‬
‫ﺘﻜﺎﻓﺆ اﻟ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ﻓ ﻲ ﻧﻄﺎق اﻟ‬
‫اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤ ﻲ أﻋﻤﺎﻟﻨﺎ‬
‫ﺑﻂ اﻟ‬
‫ﺘﺮا‬
‫ﺜﻞ اﻟﻮﻇﺎﺋﻒ اﻟﺸﺎﻏﺮة ﻓ ﻲ ﻫﻴﻜﻞ اﻟ‬
‫ﺘﻬﺎ‪.‬ﺗﻤ‬
‫ﺘ ﻲ ﻻﻳﻤﻜﻦ إزاﻟ‬
‫ﺘ ﺴﺎ ﻫﻤﻴ ﺔ أو اﻟﺸﻮاﺋ ﺐ اﻟﻘﻠﻴﻠ ﺔ اﻟ‬
‫ﺑﻄ ﺔ اﻟ‬
‫ﻣﺼﺎدر اﻟﻀﻮء ﻟﻜ ﺴﺮ اﻟﺮا‬

‫ﺜﻘﻮ ب‬
‫ﺘﻢﺗﻌﻠﻴﻖ ﻋﺪد اﻟ‬
‫ﺜﻘﻮ ب‪ .‬ﻓ ﻲ ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n ،‬ﻟﻢﻳ‬
‫ﻋﺮض ﻣﺤﺪود ﻣﻦ اﻟ‬
‫ﺘﻴﺠ ﺔ اﻟﺼﺎﻓﻴ ﺔ ﻫ ﻲ أن ﻋﺪد‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ ‪ ،‬ﻓﺈن اﻟﻨ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫ﺘﻮى اﻟﺠﻮ ﻫﺮي‪ .‬و‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻣﻠﺤﻮظ ﻣﻦ ﻫﺬا اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺒ ﺐ‪:‬‬
‫ﺜﻘﻮ ب‪ .‬ﻟﻬﺬا اﻟ ﺴ‬
‫ﺜﻴﺮ ﻋﺪد اﻟ‬
‫ﺑﻜ‬‫ﺘﺮوﻧﺎ ت‬
‫ﺗﻔﻮق اﻹﻟﻜ‬
‫ﺜﻘ ﺐ اﻟﻨﺎﻗﻞ اﻷﻗﻠﻴ ﺔ‪.‬‬
‫ﺒﻴ ﺔ واﻟ‬
‫ﺘﺮون ﺣﺎﻣﻞ اﻷﻏﻠ‬
‫ﻓ ﻲ ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪)n‬اﻟﺸﻜﻞ ‪1.13‬أ(ﻳ ﺴﻤﻰ اﻹﻟﻜ‬

‫ﺘﺎﻟ ﻲ‪:‬‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪ 1.13‬ب‪ .‬و‬
‫ﺜﻴﺮ ﻋﺪد اﻹﻟﻜ‬
‫ﺑﻜ‬‫ﺜﻘﻮ بﻳﻔﻮق‬
‫ﺒ ﺔ ﻟﻠﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p ،‬ﻓﺈن ﻋﺪد اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟﻨ ﺴ‬

‫ﺘﺴ ﺐ‬
‫ﺘﺮون اﻟﺨﺎﻣ ﺲ ﻟﺬرة ﻣﺎﻧﺤ ﺔ اﻟﺬرة اﻷم ‪،‬ﺗﻜ‬
‫ﺘﺮك اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﺮون ﻫﻮ اﻟﻨﺎﻗﻞ اﻷﻗﻠﻴ ﺔ‪ .‬ﻋﻨﺪﻣﺎﻳ‬
‫ﺒﻴ ﺔ واﻹﻟﻜ‬
‫ﺜﻘ ﺐ ﻫﻮ ﺣﺎﻣﻞ اﻷﻏﻠ‬
‫ﻓ ﻲ ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p ،‬ﻳﻜﻮن اﻟ‬
‫ﺒ ﺔ ﻓ ﻲ أﻳﻮن‬
‫ﺛﻠ ﺔ ‪،‬ﺗﻈﻬﺮ اﻟﻌﻼﻣ ﺔ اﻟ ﺴﺎﻟ‬
‫ﺒﺎ ب ﻣﻤﺎ‬
‫ﺜﻴﻞ أﻳﻮن اﻟﻤﺎﻧﺢ‪.‬ﻷﺳ‬
‫ﺑﻴ ﺔ ﻓ ﻲﺗﻤ‬
‫ﺗ ﻲ اﻹﺷﺎرة اﻹﻳﺠﺎ‬
‫ﺒ ﺔ ﺻﺎﻓﻴ ﺔ‪ :‬وﻣﻦ ﻫﻨﺎﺗﺄ‬
‫ﺒﻘﻴ ﺔ ﺷﺤﻨ ﺔ ﻣﻮﺟ‬
‫ﺘ‬‫اﻟﺬرة اﻟﻤ‬
‫ﺒﻞ‪.‬‬
‫ﺘﻘ‬‫اﻟﻤ ﺴ‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‬
‫ﺒﻨﺎ ت اﻷﺳﺎﺳﻴ ﺔﻷﺷ‬
‫ﺜﻞ اﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬و ‪p‬اﻟﻠ‬
‫ﺗﻤ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ "اﻻﻧﻀﻤﺎم" ﻟﻤﺎدة ﻣﻔﺮدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬‬
‫اﻷﺟﻬﺰة‪.‬ﺳﻨﺠﺪ ﻓ ﻲ اﻟﻘ ﺴﻢ اﻟ‬
‫ﺒﻴﺮ ‪-‬‬
‫ﺛﻴﺮ ﻛ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ذوﺗﺄ‬
‫ﺘﺞ ﻋﻦ ﻋﻨﺼﺮ أﺷ‬
‫ﺘﺨﺪام ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬ﺳﻴﻨ‬
‫ﺑﺎﺳ‬
‫ﺘﺮوﻧﻴ ﺔ‪.‬‬
‫ﺟﺰء ﻓ ﻲ اﻷﻧﻈﻤ ﺔ اﻹﻟﻜ‬

‫اﻟﺸﻜﻞ ‪)1.13‬أ( ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ؛ ‪ )n‬ب( اﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬‬

‫‪7‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺒﻴ ﺔ‬
‫ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻏﻠ‬

‫ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻗﻠﻴﺎ ت‬

‫ﺒﺮﻋﻴﻦ‬
‫ﺘ‬‫أﻳﻮﻧﺎ ت اﻟﻤ‬ ‫ﺒﻞ‬
‫ﺘﻘ‬‫أﻳﻮﻧﺎ ت اﻟﻤ ﺴ‬

‫ﻧﻮع ‪p‬‬
‫ن ﻧﻮع‬
‫) ب(‬
‫)أ(‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪)1.13‬أ( ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ؛ ‪ )n‬ب( اﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬‬

‫ﺒﻪ اﻟﻤﻮﺻﻞ‬
‫‪1.6‬اﻟﺪﻳﻮد ﺷ‬

‫ﺒﻨﻴ ﺔ ﻣﻦ ﻧﻔ ﺲ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪- Ge‬أو ‪Si) ،‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ‬

‫ﺒ ﺴﺎﻃ ﺔ ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖﺗﺠﻤﻴﻊ ﻣﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p & n‬ﻣﻌً ﺎ )ﻣ‬
‫ﺑ‬‫اﻟﻤﻮﺻ ﻞ‬
‫ﺒﻪ ّ‬ ‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ﺷ‬
‫ﺘﻜﻮن اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﻳ‬
‫ﺘﻘﺎﻃﻊ ‪ ،‬ﻣﻤﺎﻳﺆدي إﱃ ﻧﻘﺺ‬
‫ﺜﻘﻮ ب اﻟﻤﻮﺟﻮدة ﻓ ﻲ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت واﻟ‬
‫ﺘﺤﺪ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺗﻴﻦ ‪،‬ﺳﻮفﺗ‬
‫ﺑﻂ" اﻟﻤﺎد‬
‫ﺘﻢ "ر‬
‫ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.14.‬ﻓ ﻲ اﻟﻮﻗ ﺖ اﻟﺤﺎﻟ ﻲﻳ‬
‫ﺘﻘﺎﻃﻊ‪.‬‬
‫ﺒ ﺔ ﻣﻦ اﻟ‬
‫اﻟﺤﺎﻣﻼ ت ﻓ ﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻘﺮﻳ‬

‫ﺘﻨﻔﺎد اﻟﻨﺎﻗﻼ ت ﻓ ﻲ ﻫﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘ ﺔ‪.‬‬

‫ﺒ ﺐ اﺳ‬
‫ﺑﺴ‬‫ﺒ ﺔ اﻟﻤﻜﺸﻮﻓ ﺔ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب‬
‫ﺒ ﺔ واﻟ ﺴﺎﻟ‬
‫ﺗ ﺴﻤﻰ ﻫﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘ ﺔ ﻣﻦ اﻷﻳﻮﻧﺎ ت اﻟﻤﻮﺟ‬

‫ﺘﻤﺎﻻ ت‪ :‬ﻻﻳﻮﺟﺪﺗﺤﻴﺰ ‪(VD = 0 V).‬‬

‫ﺛ ﺔ اﺣ‬
‫ﺛﻼ‬‫ﺘﺮك‬
‫ﺒﺮ أﻃﺮاﻓﻪﻳ‬
‫ﺒﻴﻖ اﻟﺠﻬﺪ ﻋ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ﻫﻮ ﺟﻬﺎز ذو ﻃﺮﻓﻴﻦ ‪ ،‬ﻓﺈنﺗﻄ‬
‫ﻧﻈ ﺮًاﻷن اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬

‫ﺗﺤﻴﺰ أﻣﺎﻣ ﻲ )‪(VD > 0 V‬‬

‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ ‪(VD <0 V).‬‬
‫واﻟ‬
‫ﺑﻔﺎﻋﻠﻴ ﺔ‪.‬‬‫ﺒﻖ‬
‫ُﻴﻄ ﱠ‬
‫ﺑﻮﺿﻮح إذا ﻛﺎن اﻟﺠﻬﺎزﺳ‬‫ﺘﺨﺪم‬
‫ﺑ ﺔﻳﺠ ﺐ أنﻳﻔﻬﻤﻬﺎ اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺘﺠﺎ‬
‫ﺘﺞ ﻋﻨﻪ اﺳ‬
‫ﻛﻞ ﻣﻨﻬﺎ ﻫﻮ ﺷﺮطﺳﻴﻨ‬

‫‪8‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺗﻘﺎﻃﻊ ﻣﻊ ﻋﺪم وﺟﻮدﺗﺤﻴﺰ ﺧﺎرﺟ ﻲ‪.‬‬

‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.14 pn‬‬

‫ﺒﻖ )‪(VD = 0 V‬‬

‫ﻻﻳﻮﺟﺪﺗﺤﻴﺰ ﻣﻄ‬

‫ﺛﻘﻮ ب( ﻓ ﻲ‬
‫ﺒﻖ( ‪ ،‬ﻓﺈن أي ﻧﺎﻗﻼ ت أﻗﻠﻴ ﺔ )‬
‫ﺑﺪون ﺟﻬﺪ ﻣﻄ‬
‫ﺘﺤﻴﺰ )‬
‫ﻓ ﻲ ﻇﻞ ﻇﺮوف ﻋﺪم اﻟ‬
‫ﺒﺎﺷﺮة إﱃ‬
‫ﺘ ﻲﺗﺠﺪ ﻧﻔ ﺴﻬﺎ داﺧﻞ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ بﺳﻮفﺗﻤﺮ ﻣ‬
‫اﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬اﻟ‬
‫ﺘﻘﺎﻃﻊ ‪ ،‬زاد‬
‫ﺘﺮ ب ﺣﺎﻣﻞ اﻷﻗﻠﻴ ﺔ ﻣﻦ اﻟ‬
‫اﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬ﻛﻠﻤﺎ اﻗ‬
‫ﺒﺔ‬
‫ﺗﻘﻠﻴﻞ ﻣﻌﺎرﺿ ﺔ اﻷﻳﻮﻧﺎ ت اﻟﻤﻮﺟ‬
‫ﺒﺔ و‬
‫ﺒﻘ ﺔ اﻷﻳﻮﻧﺎ ت اﻟ ﺴﺎﻟ‬
‫ﺟﺬ ب ﻃ‬
‫ﺘﻬﺎ‬
‫ﺒ ﺐ ﺣﺮﻛ‬
‫ﺑﺴ‬‫ﺘ ﻲﺗﺠﺪ ﻧﻔ ﺴﻬﺎ ﻓ ﻲ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب‬
‫ﺘﺮض أن ﺟﻤﻴﻊ ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻗﻠﻴ ﺔ ﻟﻠﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬اﻟ‬
‫ﺘﻨﻔﺎد اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n.‬ﺳﻨﻔ‬
‫ﻓ ﻲ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﺳ‬
‫ﺘﺪﻓﻖ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت( ﻟﻠﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪ p.‬ﻫﺬا اﻟ‬
‫ﺛﻠ ﺔ ﻋﲆ ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻗﻠﻴ ﺔ )اﻹﻟﻜ‬
‫ﺒﻴﻖ ﻣﻨﺎﻗﺸ ﺔ ﻣﻤﺎ‬
‫ﺒﺎﺷﺮة إﱃ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬ﻳﻤﻜﻦﺗﻄ‬
‫ﺘﻘﻞ ﻣ‬
‫ﺘﻨ‬‫اﻟﻌﺸﻮاﺋﻴ ﺔﺳ‬
‫اﻟﻨﺎﻗﻞ‬

‫ﺒﻘ ﺔ اﻷﻳﻮﻧﺎ ت‬
‫ﺑ ﺔ ﻟﻄ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت( ﻟﻠﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬ﻋﲆ اﻟﻘﻮى اﻟﺠﺬا‬
‫ﺒﻴ ﺔ )اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﻐﻠ ﺐ ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻏﻠ‬
‫ﺒ ﺔ ﻟﻨﺎﻗﻼ ت اﻷﻗﻠﻴ ﺔ ﻟﻜﻞ ﻣﺎدة‪.‬ﻳﺠ ﺐ أنﺗ‬
‫ﺑﺎﻟﻨ ﺴ‬
‫‪1.14‬‬
‫ﺒ ﺔ ﻓ ﻲ اﻟﻨﻮع ‪p‬‬
‫ﺒ ﺔ ﻓ ﻲ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬ودرع اﻷﻳﻮﻧﺎ ت اﻟ ﺴﺎﻟ‬
‫اﻟﻤﻮﺟ‬

‫ﺘﻨﻔﺎد اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬‬

‫اﻟﻤﻮاد اﻟﻤﺮادﺗﺮﺣﻴﻠﻬﺎ إﱃ اﻟﻤﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻮاﻗﻌ ﺔ ﺧﺎرج ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﺳ‬
‫ﺒﻴ ﺔ ذا ت اﻟﻄﺎﻗ ﺔ اﻟﺤﺮﻛﻴ ﺔ‬
‫ﺋﻤﺎ ﻋﺪد ﺻﻐﻴﺮ ﻣﻦ ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻏﻠ‬
‫ﺑﺤﻴ ﺚﻳﻜﻮن ﻫﻨﺎك دا ً‬
‫ﺒﻴﺮ ﺟﺪًا ﻓ ﻲ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬‬
‫ﺒﻴ ﺔ ﻛ‬
‫وﻣﻊ ذﻟﻚ ‪ ،‬ﻓﺈن ﻋﺪد ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻏﻠ‬
‫ﺛﻘﻮ ب( اﻟﻤﻮاد‬
‫ﺒﻴ ﺔ ﻧﺎﻗﻼ ت )‬
‫ﺒﻴﻖ ﻧﻔ ﺲ اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻟﻤﻨﺎﻗﺸ ﺔ ﻋﲆ ﻏﺎﻟ‬
‫ﺘﻨﻔﺎد إﱃ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬ﻣﺮة أﺧﺮى ‪،‬ﻳﻤﻜﻦﺗﻄ‬
‫ﺒﺮ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻻﺳ‬
‫اﻟﻜﺎﻓﻴ ﺔ ﻟﻠﻤﺮور ﻋ‬
‫ﺒﺮ‪.‬‬
‫ﺒ ﺐ اﻟﻤﻮﺟﺎ ت اﻟﺤﺎﻣﻠ ﺔ اﻷﻛ‬
‫ﺑﺴ‬‫ﺗﺞ‬
‫ﺘﺪﻓﻖ اﻟﻨﺎ‬
‫ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬ﻛﻤﺎﻳﻈﻬﺮ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.14‬اﻟ‬

‫ﺗﺠﺎ ﻫﻴﻦ ﺻﻔﺮاً‪.‬ﺗﻤ ﺖ اﻹﺷﺎرة‬

‫ﺘﺪﻓﻖ ﻓ ﻲ أي ﻣﻦ اﻻ‬
‫ﺘﺪﻓﻖﺗﺠﻌﻞ ﺻﺎﻓ ﻲ اﻟ‬ ‫ﺘﺠﻬﺎ ت اﻟ‬
‫ﺒﻴ ﺔ ﻟﻤ‬
‫ﺳﻴﻜﺸﻒ اﻟﻔﺤﺺ اﻟﺪﻗﻴﻖ ﻟﻠﺸﻜﻞ ‪1.14‬أن اﻟﻤﻘﺎدﻳﺮ اﻟﻨ ﺴ‬
‫ﺜﻘ ﺐ ﻟﻪ‬
‫ﺜﻞﺗﺪﻓﻖ اﻟ‬ ‫ﺘﺠﻪ اﻟﺬيﻳﻤ‬ ‫ﺘﻘﺎﻃﻌ ﺔ‪ .‬ﻃﻮل اﻟﻤ‬ ‫ﺑﻮاﺳﻄ ﺔ اﻟﺨﻄﻮط اﻟﻤ‬‫إﱃ إﻟﻐﺎء اﻟﻨﻮاﻗﻞ‬

‫‪9‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﻮﻳﺎ ت اﻟﻤﻨﺸﻄﺎ ت ﻟﻜﻞ ﻣﺎدة ﻗﺪ‬

‫ﺒﺎ ت أن ﺣﺠﻢ ﻛﻞ ﻣﻨﻬﺎ ﻻﻳﻠﺰم أنﻳﻜﻮن ﻫﻮ ﻧﻔ ﺴﻪ ﻟﻺﻟﻐﺎء وأن ﻣ ﺴ‬
‫ﺛ‬‫ﺘﺮون ﻹ‬
‫ﺘﺪﻓﻖ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺘﺮة أﻃﻮل ﻣﻦ ذﻟﻚ ﻟ‬
‫ﺗﻢ رﺳﻤﻬﺎ ﻟﻔ‬
‫ﺘﺼﺎر ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ‪:‬‬
‫ﺑﺎﺧ‬‫ﺘﺮوﻧﺎ ت‪.‬‬
‫ﺜﻘﻮ ب واﻹﻟﻜ‬
‫ﺴﺎو ﻟﻠ‬
‫ٍ‬ ‫ﺘ‬
‫ﺗﺆدي إﱃﺗﺪﻓﻖ ﻧﺎﻗﻞ ﻏﻴﺮ ﻣ‬

‫ﺒﻖ ‪ ،‬ﻓﺈن ﺻﺎﻓ ﻲﺗﺪﻓﻖ اﻟﺸﺤﻨ ﺔ ﻓ ﻲ أي واﺣﺪ‬

‫ﺘﺤﻴﺰ ﻣﻄ‬
‫ﻓ ﻲ ﺣﺎﻟ ﺔ ﻋﺪم وﺟﻮد ﺟﻬﺪ ﻣ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ﻫﻮ ﺻﻔﺮ‪.‬‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ أﺷ‬
‫ﺗﺠﺎه اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ا‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‪.‬‬

‫ﺛﻨﺎﺋ ﻲ أﺷ‬‫ﺘﺤﻴﺰ ﻟﺼﻤﺎم‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.15‬ﺷﺮوط ﻋﺪم اﻟ‬

‫ﺒﻴﻦ‪.‬‬
‫ﺘ ﻲ اﻟﻨﻮﻋﻴﻦ ‪n‬و ‪p‬اﻟﻤﺼﺎﺣ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.15‬ﻣﻊ ﻣﻨﻄﻘ‬
‫ﺘﻜﺮر رﻣﺰ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﻳ‬
‫ﺘﻴﺎر ﻓ ﻲ أي‬
‫ﺒ ﺔ ﻟﺸﺮط اﻻﻧﺤﺮاف اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ ‪(VD = 0V) ،‬ﻓﺈن اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟﻨ ﺴ‬‫ﺑﻤﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻮع ‪n.‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ‪،‬‬‫ﺑﻤﻜ ﱢﻮن اﻟﻨﻮع ‪p‬واﻟﺸﺮﻳﻂ‬‫ﺒﻂ‬
‫ﺗ‬‫ﻻﺣﻆ أن اﻟ ﺴﻬﻢ ﻣﺮ‬
‫ﺒﻴﺮ‪.‬‬
‫ﺗﺠﺎه ﻫﻮ ‪0‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬
‫ا‬

‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ )‪(VD = 0 V‬‬

‫ﺣﺎﻟ ﺔ اﻟ‬
‫ﺑﺤﻴ ﺚﻳﻜﻮن اﻟﻤﻮﺟ ﺐ‬
‫ﺒﺮﺗﻘﺎﻃﻊ ‪pn‬‬
‫ﺒﻴﻖ ﺟﻬﺪ ﺧﺎرﺟ ﻲ ﻟـ ‪V‬ﻓﻮﻟ ﺖ ﻋ‬
‫إذاﺗﻢﺗﻄ‬
‫ﺑﺎﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ‪1.16 ، .‬ﺳﻴﺰداد ﻋﺪد‬‫ﺘﻢﺗﻮﺻﻴﻞ اﻟﻄﺮف اﻟ ﺴﺎﻟ ﺐ‬
‫ﺑﺎﻟﻤﻮاد ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬وﻳ‬‫ﺘﻢﺗﻮﺻﻴﻞ اﻟﻤﺤﻄ ﺔ اﻟﻄﺮﻓﻴ ﺔ‬
‫ﻳ‬
‫ﺒﻴﺮ ﻋﺪد "اﻟﻤﺠﺎﻧﻴ ﺔ"‬
‫ﺒ ﺐ اﻟﺤﺠﻢ اﻟﻜ‬
‫ﺑﺴ‬‫ﺘﻨﻔﺎد اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬‬
‫ﺒ ﺔ ﻏﻴﺮ اﻟﻤﻐﻄﺎة ﻓ ﻲ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﺳ‬
‫اﻷﻳﻮﻧﺎ ت اﻟﻤﻮﺟ‬

‫ﺒ ﺔ اﻟﻤﻜﺸﻮﻓ ﺔ ﻓ ﻲ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p.‬‬

‫ﺛﻠ ﺔ ‪،‬ﺳﻴﺰداد ﻋﺪد اﻷﻳﻮﻧﺎ ت اﻟ ﺴﺎﻟ‬
‫ﺒﺎ ب ﻣﻤﺎ‬
‫ﺒﻖ‪.‬ﻷﺳ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت إﱃ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻮﺟ ﺐ ﻟﻠﺠﻬﺪ اﻟﻤﻄ‬
‫ﺘﻢﺳﺤ ﺐ اﻹﻟﻜ‬
‫ﻳ‬
‫ﺗ ﺴﺎع ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب‬
‫ﺛﻴﺮ اﻟﺼﺎﻓ ﻲ ﻫﻮﺗﻮﺳﻴﻊ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب‪ .‬ﻫﺬا ا‬
‫ﺘﺄ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ ‪ ،‬ﻓﺈن اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫و‬

‫ﺑﺸﻜﻞ ﻓﻌﺎلﺗﺪﻓﻖ اﻟﻤﻮﺟ ﺔ اﻟﺤﺎﻣﻠ ﺔ إﱃ اﻟﺼﻔﺮ ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ‬‫ﺒﻴ ﺔ اﻟﻤﻮﺟﺎ ت اﻟﺤﺎﻣﻠ ﺔ ‪ ،‬ﻣﻤﺎﻳﻘﻠﻞ‬
‫ﺘﻐﻠ ﺐ ﻋﻠﻴﻪ ﻏﺎﻟ‬ ‫ﺳﻴﺆﺳ ﺲ ﺣﺎﺟ ًﺰا أﻛ‬
‫ﺒﺮ ﻣﻦ أنﺗ‬
‫‪1.16.‬‬

‫ﺗﻘﺎﻃﻊ ‪pn‬اﻟﻤﻨﺤﺎز اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ‪.‬‬

‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.16‬‬

‫ﺑﻨﻔ ﺲ اﻟﺤﺠﻢ اﻟﻤﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ‬‫ﺘﺞ ﻋﻨﻪ ﻧﺎﻗﻼ تﺗﺪﻓﻖ ﺣﺎﻣﻠ ﺔ أﻗﻠﻴ ﺔ‬

‫ﺘ ﻲﺗﺠﺪ ﻧﻔ ﺴﻬﺎﺗﺪﺧﻞ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب ‪ ،‬ﻣﻤﺎﻳﻨ‬
‫ﺘﻐﻴﺮ ﻋﺪد ﻧﺎﻗﻼ ت اﻷﻗﻠﻴ ﺔ اﻟ‬
‫وﻣﻊ ذﻟﻚ ‪ ،‬ﻟﻦﻳ‬
‫ﺒﻖ‪.‬‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.14‬ﻣﻊ ﻋﺪم وﺟﻮد ﺟﻬﺪ ﻣﻄ‬

‫‪10‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺜﻠﻪ ‪Is.‬‬
‫ﺒﻊ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ وﻳﻤ‬
‫ﺘﺸ‬‫ﺘﻴﺎر اﻟ‬
‫ﺑ‬‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤﻮﺟﻮد ﻓ ﻲ ﻇﻞ ﻇﺮوف اﻟ‬
‫ﻳ ﺴﻤﻰ اﻟ‬

‫ﺜﻨﺎء اﻷﺟﻬﺰة ﻋﺎﻟﻴ ﺔ اﻟﻄﺎﻗ ﺔ‪ .‬ﻓ ﻲ اﻟﻮاﻗﻊ ‪ ،‬ﻓ ﻲ اﻟ ﺴﻨﻮا ت اﻷﺧﻴﺮة ‪ ،‬ﻛﺎن‬
‫ﺘ‬‫ﺑﺎﺳ‬‫ﺒﻴﺮا ت اﻟﺼﻐﻴﺮة‬
‫ﺜﺮ ﻣﻦ ﻋﺪد ﻗﻠﻴﻞ ﻣﻦ اﻷﻣ‬
‫ﺒﻊ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ أﻛ‬
‫ﺘﺸ‬‫ﻧﺎد ًرا ﻣﺎﻳﻜﻮنﺗﻴﺎر اﻟ‬
‫ﺒﻊ ﻣﻦ ﺣﻘﻴﻘ ﺔ أﻧﻪﻳﺼﻞ‬
‫ﺘﺸ‬‫ﺗ ﻲ ﻣﺼﻄﻠﺢ اﻟ‬
‫ﺒﻴﺮ ﻣﻨﺨﻔﺾ ﻟﻠﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم‪.‬ﻳﺄ‬ ‫ً‬
‫ﻋﺎدة ﻓ ﻲ ﻧﻄﺎق ‪nanoampere‬ﻷﺟﻬﺰة اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن وﻓ ﻲ ﻧﻄﺎق ﻣﻴﻜﺮو أﻣ‬ ‫ﺘﻮاه‬
‫ﻣﺴ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ‬
‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺒﻴﺮ ﻣﻊ زﻳﺎدة إﻣﻜﺎﻧﻴ ﺔ اﻟ‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻛ‬‫ﺘﻐﻴﺮ‬
‫ﺑ ﺴﺮﻋ ﺔ وﻻﻳ‬‫ﺘﻮى ﻟﻪ‬
‫إﱃ أﻗﺼﻰ ﻣ ﺴ‬

‫ﺗﻘﺎﻃﻊ ‪pn.‬ﻻﺣﻆ ‪ ،‬ﻋﲆ وﺟﻪ‬

‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ و‬
‫ﺗﻢﺗﻮﺿﻴﺢ اﻟﻈﺮوف اﻟﻤﻨﺤﺎزة ﻋﻜ ﺴ ًﻴﺎ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.17‬ﻟﺮﻣﺰ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.19‬ﻟـ ‪VD <0 V.‬‬
‫ﺗﺠﺎه‬
‫اﻟﺨﺼﻮص ‪ ،‬أن اﻻ‬
‫ﺒﻴ ﺔ‬ ‫ﺑﻞﺳﻬﻢ اﻟﺮﻣﺰ‪ .‬ﻻﺣﻆ أ ً‬
‫ﻳﻀﺎ أن اﻹﻣﻜﺎﻧﺎ ت اﻟ ﺴﻠ‬ ‫‪IsD‬ﻣﻘﺎ‬
‫ﺑﻴ ﺔ ﻟﻠﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n — the‬‬
‫ﺑﺎﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬واﻹﻣﻜﺎﻧﺎ ت اﻹﻳﺠﺎ‬‫ﺘﺼﻠ ﺔ‬
‫ﻣ‬
‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ‪.‬‬
‫ﺘﻬﺎ ﺧﻂ ﻟﻜﻞ ﻣﻨﻄﻘ ﺔﻳﻜﺸﻒ ﻋﻦ ﺣﺎﻟ ﺔ اﻟ‬
‫ﺘ ﻲﺗﺤ‬
‫ﺘﻼف ﻓ ﻲ اﻷﺣﺮف اﻟ‬
‫اﻻﺧ‬

‫ﺘﺤﻴﺰ اﻷﻣﺎﻣ ﻲ ‪(VD> 0 V).‬‬

‫ﺷﺮط اﻟ‬

‫ﺒﻴ ﺔ ﻋﲆ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع‬

‫ﺑﻴ ﺔ ﻋﲆ ﻣﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬واﻹﻣﻜﺎﻧﺎ ت اﻟ ﺴﻠ‬
‫ﺒﻴﻖ اﻹﻣﻜﺎﻧﺎ ت اﻹﻳﺠﺎ‬
‫ﺘﺸﻐﻴﻞ" ﻣﻦ ﺧﻼلﺗﻄ‬
‫ﺘﺤﻴﺰ اﻷﻣﺎﻣ ﻲ أو ﺣﺎﻟ ﺔ "اﻟ‬
‫ﺘﻢﺗﺤﺪﻳﺪ اﻟ‬
‫ﻳ‬
‫‪n‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.18.‬‬
‫ﺑ ﻲ واﻟﻨﻮع‬
‫ﺒﺎط ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬واﻹﻳﺠﺎ‬
‫ﺗ‬‫ﺘﻢ إﻧﺸﺎء اﻻر‬ ‫ً‬
‫ﺘﺤﻴ ﺰا ﻟﻸﻣﺎم ﻋﻨﺪﻣﺎﻳ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ﻣ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ أﺷ‬
‫ﺒﻞ ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ‪:‬ﻳﻜﻮن اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺘﻘ‬‫ﻟﻠﺮﺟﻮع إﻟﻴﻬﺎ ﻓ ﻲ اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺒ ﻲ‪.‬‬
‫‪n‬واﻟ ﺴﻠ‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‪.‬‬

‫ﺛﻨﺎﺋ ﻲ أﺷ‬‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ ﻟﺼﻤﺎم‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.17‬ﻇﺮوف اﻟ‬

‫ﺘﺤﻴﺰ اﻷﻣﺎﻣ ﻲ )‪(VD> 0 V‬‬

‫ﺣﺎﻟ ﺔ اﻟ‬

‫ﺒﻴ ﺔ ﻋﲆ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع‬

‫ﺑﻴ ﺔ ﻋﲆ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬واﻹﻣﻜﺎﻧﺎ ت اﻟ ﺴﻠ‬
‫ﺒﻴﻖ اﻹﻣﻜﺎﻧﻴ ﺔ اﻹﻳﺠﺎ‬
‫ﺘﺸﻐﻴﻞ" ﻣﻦ ﺧﻼلﺗﻄ‬
‫ﺘﺤﻴﺰ اﻷﻣﺎﻣ ﻲ أو ﺣﺎﻟ ﺔ "اﻟ‬
‫ﺘﻢﺗﺤﺪﻳﺪ اﻟ‬
‫ﻳ‬
‫ﺒ ﻼً‪:‬‬
‫ﺘﻘ‬‫‪n‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.18.‬ﻟﻠﺮﺟﻮع إﻟﻴﻬﺎ ﻣ ﺴ‬

‫ﺒ ﻲ‪.‬‬
‫ﺑ ﻲ واﻟﻨﻮع ‪n‬واﻟ ﺴﻠ‬
‫ﺒﺎط ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬واﻹﻳﺠﺎ‬
‫ﺗ‬ ‫ﺘﺤﻴ ًﺰا ﻟﻸﻣﺎم ﻋﻨﺪﻣﺎﻳ‬
‫ﺘﻢ إﻧﺸﺎء اﻻر‬ ‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت ﻣ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ أﺷ‬
‫ﻳﻜﻮن اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬

‫‪11‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺗﻘﺎﻃﻊ ‪Pn‬اﻟﻤﻨﺤﺎز ﻟﻸﻣﺎم‪.‬‬

‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.18‬‬

‫ﺗﺤﺎد ﻣﻊ اﻷﻳﻮﻧﺎ ت‬
‫ﺜﻘﻮ ب اﻟﻤﻮﺟﻮدة ﻓ ﻲ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪p‬ﻹﻋﺎدة اﻻ‬
‫ﺘﺮوﻧﺎ ت ﻓ ﻲ اﻟﻤﺎدة ﻣﻦ اﻟﻨﻮع ‪n‬واﻟ‬
‫ﺘﺤﻴﺰ اﻷﻣﺎﻣ ﻲ ‪V‬ﺳﻮف "ﻳﻀﻐﻂ" ﻋﲆ اﻹﻟﻜ‬
‫ﺒﻴﻖ ﺟﻬﺪ اﻟ‬
‫إنﺗﻄ‬
‫ﺗﻘﻠﻴﻞ ﻋﺮض ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟﻨﻀﻮ ب ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.18 .‬‬
‫ﺑﺎﻟﻘﺮ ب ﻣﻦ اﻟﺤﺪود و‬

‫ﺜﺎﻟ ﻲ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ اﻟﻤ‬
‫‪1.1‬اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت دو ًرا ﺣﻴﻮﻳًﺎ ﻟﻠﻐﺎﻳ ﺔ ﻓ ﻲ‬

‫•ﻳﻠﻌ ﺐ ﺟﻬﺎز أﺷ‬
‫ﺘﺮوﻧﻴ ﺔ ‪،‬‬
‫اﻷﻧﻈﻤ ﺔ اﻹﻟﻜ‬

‫ﺘﻠﻔ ﺔ‬
‫ﺒﻴﻘﺎ ت ﻣﺨ‬
‫ﺒ ﺴﻴﻂ‪ .‬ﻟﻬﺎﺗﻄ‬
‫ﺘﺎح اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟﻤﻔ‬‫ﺒﻴﺮ ﻣﻊﺗﻠﻚ اﻟﺨﺎﺻ ﺔ‬
‫ﺑﻖ إﱃ ﺣﺪ ﻛ‬
‫ﺘﻄﺎ‬
‫•ﻟﻬﺎ ﺧﺼﺎﺋﺺﺗ‬

‫ﺜﺎﻟ ﻲ‪:‬ﻳﻌﻨ ﻲ اﻟﻜﻤﺎل ﻓ ﻲ ﻛﻞ ﺷ ﻲء‪.‬‬

‫•اﻟﻤﺼﻄﻠﺢ اﻟﻤ‬

‫ﺜﺎﻟ ﻲ ﻫﻮ ﺟﻬﺎز ذو ﻃﺮﻓﻴﻦ ﻟﻪ اﻟﺮﻣﺰ واﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﻤﻮﺿﺤ ﺔ ﻓ ﻲ اﻷﺷﻜﺎل‪.‬‬

‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ اﻟﻤ‬
‫•اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺘﻮاﻟ ﻲ‪.‬‬
‫‪1.1a‬و ‪b‬ﻋﲆ اﻟ‬

‫ﺑﻮاﺳﻄ ﺔ رﻣﺰ اﻟ ﺴﻬﻢ‬‫ﺗﺠﺎه اﻟﻤﺤﺪد‬

‫ﺘﻴﺎر ﻓ ﻲ اﻻ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ اﻟ‬
‫ﺜﺎﻟﻴ ﺔ ‪،‬ﺳﻴﺠﺮي اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫•ﻣﻦ اﻟﻨﺎﺣﻴ ﺔ اﻟﻤ‬
‫ﺗﺠﺎه اﻟﻤﻌﺎﻛ ﺲ‪.‬‬
‫ﺘﺄﺳﻴ ﺲﺗﻴﺎر ﻓ ﻲ اﻻ‬
‫ﺘﻮﺣ ﺔﻷي ﻣﺤﺎوﻟ ﺔ ﻟ‬
‫وﻳﻌﻤﻞ ﻛﺪاﺋﺮة ﻣﻔ‬

‫ﺜﺎﻟ ﻲ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ اﻟﻤ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪ 1.1‬ﻫﻮ رﻣﺰ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫وﺧﺼﺎﺋﺼﻪ‬
‫ﺗﺠﺎه واﺣﺪ ﻓﻘﻂ‪.‬‬
‫ﺘﻴﺎر ﻓ ﻲ ا‬
‫•اﻟ‬

‫ﻗﻴﻤ ﺔ اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻷﻣﺎﻣﻴ ﺔ ‪RF ،‬ﻋﲆ اﻟﻨﺤﻮ اﻟﻤﺤﺪد ﻓ ﻲ ﻗﺎﻧﻮن أوم‬

‫ﻓﻲ‬ ‫)داﺋﺮة ﻣﻘﺼﻮرة(‬

‫= ‪RF‬‬ ‫أﻧﺎ‬
‫=‬
‫‪2،3 ...‬‬
‫‪= 0Ω‬‬

‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ‬
‫ﺒﺮ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺣﻴ ﺚ ‪ V‬ﻫﻮ اﻟﺠﻬﺪ ﻋ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ‬
‫ﺘﻴﺎر ﻣﻦ ﺧﻼل اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫أﻧﺎ ﻫﻮ اﻟ‬
‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‪.‬‬
‫ﺑﺎﺋﻴ ﺔ ﻗﺼﻴﺮة ﻟﻤﻨﻄﻘ ﺔ اﻟ‬
‫ﺜﺎﻟ ﻲ ﻫﻮ داﺋﺮة ﻛﻬﺮ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ اﻟﻤ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ ‪ ،‬ﻓﺈن اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫و‬
‫ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ ‪ 1.1‬ب‬‫ﺜﺎﻟ ﺚ(‬
‫ﺑﻊ اﻟ‬
‫ﺒﺎ )اﻟﺮ‬
‫ﺒﻘ ﺔﺳﻠ ً‬
‫ﺒﺎرك ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻹﻣﻜﺎﻧﺎ ت اﻟﻤﻄ‬
‫ﺘ‬‫ﺿﻊ ﻓ ﻲ اﻋ‬
‫ص‬ ‫ﺘﻤﺎل اﻧﺤﻴﺎز ﻋﻜ ﺴ ﻲ‬
‫‪_5‬أو ‪_20‬أو أي اﺣ‬
‫= ‪RR‬‬ ‫=‬
‫ﺘﻮﺣ ﺔ(‬ ‫‪0‬‬
‫)داﺋﺮة ﻣﻔ‬

‫ﺘﻮﺻﻴﻞ‪.‬‬
‫ﺘﻮﺣ ﺔ ﻓ ﻲ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ ﻋﺪم اﻟ‬
‫ﺜﺎﻟ ﻲ ﻫﻮ داﺋﺮة ﻣﻔ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ اﻟﻤ‬
‫ﺘﺎﻟ ﻲ ‪ ،‬ﻓﺈن اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫و‬

‫‪12‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت اﻟ ﺴﻠﻴﻜﻮﻧﻴ ﺔ واﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ‪Ge.‬‬

‫ﺛﻨﺎﺋﻴﺎ ت أﺷ‬‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.19‬ﺧﺼﺎﺋﺺ‬

‫ﺘﺤﻴﺰ اﻷﻣﺎﻣ ﻲ واﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ‪:‬‬

‫ﺘﺎﻟﻴ ﺔ ﻟﻤﻨﺎﻃﻖ اﻟ‬
‫ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟ ﺔ اﻟ‬‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ أﺷ‬
‫ﻳﻤﻜﻦﺗﺤﺪﻳﺪ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﻌﺎﻣ ﺔ ﻟ‬

‫)‪- 1)……… (1.4‬‬

‫(=‬
‫ﺒﻊ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ‬
‫ﺘﺸ‬‫ﺗﻴﺎر اﻟ‬
‫ﺣﻴ ﺚ ﻫﻮ =‬

‫‪= 11،600 /‬ﺣﻴ ﺚ ‪ = 1‬ﻟـ ‪Ge‬و ‪ = 2‬ﻟـ ‪Si‬‬ ‫ك ‪،‬‬

‫‪Tk = Tc + 273‬درﺟ ﺔ‬

‫ﺑﻘﻴﻦ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.20‬ﻗﻄﻌ ﺔ ﻣﻦ اﻟ ﺴﺎ‬ ‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‬
‫ﺘﺤﻴﺰ إﱃ اﻷﻣﺎمﻷﺷ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.21‬ﺷﺮوط اﻟ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ‪.‬‬
‫اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬

‫‪13‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﻣﻨﻄﻘ ﺔ زﻳﻨﺮ‬

‫ﺒﻴﻖ اﻟﺠﻬﺪ اﻟ ﺴﺎﻟ ﺐ ﺟﺪًا إﱃ ﺣﺪو ث‬

‫ﺒ ﺔ ‪ ،‬إﻻ أن ﻫﻨﺎك ﻧﻘﻄ ﺔﻳﺆدي ﻓﻴﻬﺎﺗﻄ‬
‫ﺘﺎ ت ﻓ ﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘ ﺔ اﻟ ﺴﺎﻟ‬
‫ﻋﲆ اﻟﺮﻏﻢ ﻣﻦ أن ﻣﻘﻴﺎس اﻟﺸﻜﻞ ‪1.19‬ﻳﻘﻊ ﻓ ﻲ ﻋﺸﺮا ت اﻟﻔﻮﻟ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺣﺎد‬

‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.22‬ﻣﻨﻄﻘ ﺔ زﻳﻨﺮ‪.‬‬

‫ﻓ ﻲ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ‪1.22. .‬‬

‫ﺑﺎﺳﻢﺗﺼﻨﻴﻒ )‪PIV‬أو‬‫ﺒ ﺴﺎﻃ ﺔ‬

‫ﺑ‬‫ﺒﻞ اﻟﺪﺧﻮل إﱃ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ ‪Zener‬ذروة اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ )ﻳﺸﺎر إﻟﻴﻪ‬
‫ﺒﻴﻘﻪ ﻗ‬
‫ُﻄﻠﻖ ﻋﲆ أﻗﺼﻰ ﺟﻬﺪ ﻟﻼﻧﺤﻴﺎز اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲﻳﻤﻜﻦﺗﻄ‬
‫ﻳ‬
‫ﺘﺼﻨﻴﻒ ‪PRV).‬‬
‫ﺑ‬‫ُﺸﺎر إﻟﻴﻪ‬
‫ذروة اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ )ﻳ‬

‫‪14‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺑﻞ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم‬
‫اﻟ ﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ﻣﻘﺎ‬

‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت‬
‫ﺛﻨﺎﺋﻴﺎ ت أﺷ‬‫ﺑﻴﻦ‬‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.23‬ﻣﻘﺎرﻧ ﺔ‬
‫‪Si‬و ‪Ge.‬‬

‫ﺛﻴﺮا ت درﺟ ﺔ اﻟﺤﺮارة‬

‫ﺗﺄ‬

‫ﺑﻤﻘﺪار ‪10‬درﺟﺎ ت ﻣﺌﻮﻳ ﺔ‪.‬‬‫ﺒﺎ ﻟﻜﻞ زﻳﺎدة ﻓ ﻲ درﺟ ﺔ اﻟﺤﺮارة‬

‫ﺒﻊ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲﺗﻘﺮﻳ ً‬
‫ﺘﺸ‬‫ﺘﻀﺎﻋﻒﺗﻴﺎر اﻟ‬
‫ﺳﻮفﻳ‬

‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ﻣﻊﺗﻐﻴﺮ‬
‫ﺒﺎﻳﻦ ﻓ ﻲ ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺘ‬‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.24‬اﻟ‬
‫درﺟ ﺔ اﻟﺤﺮارة‬

‫‪15‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫‪DC‬أو اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ ﺴﺎﻛﻨ ﺔ‬

‫ﺑﻤﺮور‬‫ﺘﻐﻴﺮ‬
‫ﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼ ت إﱃ ﻧﻘﻄ ﺔﺗﺸﻐﻴﻞ ﻋﲆ اﻟﻤﻨﺤﻨﻰ اﻟﻤﻤﻴﺰ ﻟﻦﺗ‬
‫ﺛﻨﺎﺋ ﻲ أﺷ‬‫ﺘﻮي ﻋﲆ ﺻﻤﺎم‬
‫ﺘﻤﺮ ﻋﲆ داﺋﺮةﺗﺤ‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺒﻴﻖ ﺟﻬﺪ اﻟ‬
‫ﺳﻴﺆديﺗﻄ‬
‫ﺑﻠ ﺔ ﻣﻦ ‪VD‬و ‪I‬ﻛﻤﺎ ﻫﻮ ﻣﻮﺿﺢ‬
‫ﺘﻮﻳﺎ ت اﻟﻤﻘﺎ‬
‫ﺒ ﺴﺎﻃ ﺔ ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ إﻳﺠﺎد اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺑ‬‫ﺘﺸﻐﻴﻞ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ﻋﻨﺪ ﻧﻘﻄ ﺔ اﻟ‬
‫ﺜﻮر ﻋﲆ ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫اﻟﻮﻗ ﺖ‪.‬ﻳﻤﻜﻦ اﻟﻌ‬
‫ﺘﺎﻟﻴ ﺔ‪:‬‬
‫ﺒﻴﻖ اﻟﻤﻌﺎدﻟ ﺔ اﻟ‬
‫ﺗﻄ‬‫ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.25‬و‬

‫=‬
‫)‪...... (1.5‬‬

‫ﺗﻔﺎع اﻟﻌﻤﻮدي ﻟﻠﺨﺼﺎﺋﺺ‪ .‬ﻣﻦ‬

‫ﺘ ﻲﺗﻢ اﻟﺤﺼﻮل ﻋﻠﻴﻬﺎ ﻟﻘ ﺴﻢ اﻻر‬‫ﺒﺮ ﻣﻦ اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬ ‫ﺗﺤ ﺖ أﻛ‬ ‫ﺒﺔ و‬ ‫ﺘﻤﺮ ﻋﻨﺪ اﻟﺮﻛ‬‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ ﺴ‬‫ﺘﻮﻳﺎ ت ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺘﻜﻮن ﻣ ﺴ‬‫ﺳ‬
‫ﺒ ًﻴﺎ ‪،‬‬
‫ﺑ ﺖ ﻧﺴ‬
‫ﺛﺎ‬ ‫ً‬
‫ﺘﺨﺪم ﻋﺎدة ﻣﺼﺪرﺗﻴﺎر‬‫ﺗﻔﻌ ﺔ ﺟﺪًا‪ .‬ﻧﻈ ﺮًاﻷن أﺟﻬﺰة ﻗﻴﺎس اﻷومﺗ ﺴ‬‫ﺘﺤﻴﺰ اﻟﻌﻜ ﺴ ﻲ ﻣﺮ‬ ‫ﺘﻮﻳﺎ ت اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ ﻓ ﻲ ﻣﻨﻄﻘ ﺔ اﻟ‬ ‫ﺒﻴﻌ ﻲ أنﺗﻜﻮن ﻣ ﺴ‬
‫اﻟﻄ‬
‫ﺒﻖ‬
‫ﺘﻜﻮن ﻓ ﻲ إﻋﺪاد ﻣ ﺴ‬
‫ﻓﺈن اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﻤﺤﺪدةﺳ‬

‫ﺒﻴﺮ(‪.‬‬
‫ﺑﻀﻌ ﺔ ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬‫ً‬
‫)ﻋﺎدة‬ ‫ﺘﻮى اﻟﺤﺎﻟ ﻲ‬
‫اﻟﻤ ﺴ‬

‫ﺘﻤﺮ ﻟﻠﺪﻳﻮد ﻋﻨﺪ ﻧﻘﻄ ﺔ‬

‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺗﺤﺪﻳﺪ ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.25‬‬
‫ﺗﺸﻐﻴﻞ ﻣﻌﻴﻨ ﺔ‪.‬‬

‫ﺘﻤﺮ‪.‬‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺘﻮى ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺗﻔﻊ ﻣ ﺴ‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ‪ ،‬ار‬
‫ﺘﻴﺎر ﻣﻦ ﺧﻼل اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻋﺎم ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ ‪ ،‬ﻛﻠﻤﺎ اﻧﺨﻔﺾ اﻟ‬

‫ﺜﺎل ‪1.1‬‬
‫ﻣ‬
‫ﺘﻤﺮ ﻟﻠﺪﻳﻮد ﻓ ﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪1.26‬ﻋﻨﺪ‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺘﻮﻳﺎ ت ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺣﺪد ﻣ ﺴ‬

‫ﺒﻴﺮ‬
‫)أ( أﻧﺎ ‪= 2‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬
‫‪(b) ID = 20 mA‬‬
‫)ج( ‪VD = 10V‬‬

‫اﻟﻤﺤﻠﻮل‬

‫ﺒﻴﺮ ‪= 250‬‬
‫ﺒﻴﺮ ‪VD = 0.5 ،‬ﻓﻮﻟ ﺖ )ﻣﻦ اﻟﻤﻨﺤﻨﻰ( و ‪RD = 0.5‬ﻓﻮﻟ ﺖ ‪2 /‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬
‫)أ( ﻋﻨﺪ اﻟﻤﻌﺮف ‪= 2‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬

‫ﺒﻴﺮ ‪VD = 0.8 ،‬ﻓﻮﻟ ﺖ )ﻣﻦ اﻟﻤﻨﺤﻨﻰ( و ‪RD = VD / ID‬‬

‫) ب( ﻋﻨﺪ اﻟﻤﻌﺮف ‪= 20‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬
‫ﺒﻴﺮ ‪= 40Ω‬‬
‫‪RD = 0.8‬ﻓﻮﻟ ﺖ ‪20 /‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬

‫)ج( ﻋﻨﺪ ‪)VD = -10 V ، ID = = -1 μA‬ﻣﻦ اﻟﻤﻨﺤﻨﻰ( و ‪RD = VD / ID = 10 V / 1 μA = 10MΩ‬‬

‫‪16‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﺮدد أو اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﺪﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻴ ﺔ‬

‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ‬
‫اﻟ‬

‫ﺑ ﺔ‪.‬‬
‫ﺘﻨﺎو‬
‫ﺗﺤﺪﻳﺪ اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﺪﻳﻨﺎﻣﻴﻜﻴ ﺔ أو اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟﻤ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪1.27‬‬ ‫ﺘﺮدد ﻋﻨﺪ ﻧﻘﻄ ﺔ ‪Q.‬‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ‬
‫ﺗﺤﺪﻳﺪ ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺷﻜﻞ ‪1.28‬‬

‫ﺘﻐﻴﺮ"‪.‬‬
‫ﺑ ﺖ أو ﻏﻴﺮ ﻣ‬
‫ﺛﺎ‬
‫ﺘ ﻲﺗﻌﻨ ﻲ "‬
‫ﺘﻖ ﻣﻦ ﻛﻠﻤ ﺔ ‪Quiescent ،‬واﻟ‬
‫‪• Q-point‬ﻣﺸ‬ ‫ﺒﺮ ﻧﻘﻄ ﺔ ‪Q.‬‬
‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ ‪c / c‬ﻋ‬
‫ﺳﺎ ﻟﻤﺮور اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬
‫ﺧﻄﺎ ﻣﻤﺎ ً‬
‫•ارﺳﻢ ً‬

‫•أﻛﻤﻞ اﻟﺠﺮ اﻟﺰاوﻳ ﺔ اﻟﻴﻤﻨﻰ‬

‫•ﺣ ﺴﺎ ب ‪ΔVd & ΔId.‬‬
‫=‬
‫‪D • rd‬‬
‫د‬

‫ﺣﻴ ﺚﺗﺸﻴﺮ ‪Δ‬إﱃﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﺤﺪود ﻓ ﻲ اﻟﻜﻤﻴ ﺔ‪………. (1.6) .‬‬

‫ﺘﺮدد‪.‬‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ‬
‫ﺗﻴﺎر أﺻﻐﺮ أو ﺟﻬﺪ أﻗﻞ( زاد ت ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻋﺎم ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ ‪ ،‬ﻛﻠﻤﺎ اﻧﺨﻔﻀ ﺖ ﻧﻘﻄ ﺔ ‪Q‬ﻟﻠﻌﻤﻠﻴ ﺔ )‬

‫ﺜﺎل ‪1.2‬‬
‫ﻣ‬
‫ﺑﻖ‪: .‬‬
‫ﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﺸﻜﻞ اﻟ ﺴﺎ‬
‫ﺒﻴﺮ‪.‬‬
‫ﺘﺮدد ﻋﻨﺪ اﻟﻤﻌﺮف ‪= 2‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ‬
‫)أ( ﺣﺪد ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺒﻴﺮ‪.‬‬
‫ﺘﺮدد ﻋﻨﺪ ﻣﻌﺮف ‪= 25‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ‬
‫) ب( ﺣﺪد ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺘﻮى ﺣﺎﻟ ﻲ‪.‬‬
‫ﺘﻤﺮ ﻋﻨﺪ ﻛﻞ ﻣ ﺴ‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ ﺴ‬
‫ﺑﻤﻘﺎوﻣﺎ ت اﻟ‬‫ﺘﺎﺋﺞ اﻟﺠﺰأﻳﻦ )أ( و ) ب(‬
‫)ج( ﻗﺎرن ﻧ‬

‫‪17‬‬
Machine Translated by Google
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﻖ داﻟ ﺔ ﻋﻨﺪ ﻧﻘﻄ ﺔ ﻣﺎﻳ ﺴﺎوي ﻣﻴﻞ ﺧﻂ اﻟﻤﻤﺎس اﻟﻤﺮﺳﻮم ﻋﻨﺪﺗﻠﻚ اﻟﻨﻘﻄ ﺔ‪.‬‬
‫ﻣﺸ‬

‫‪19‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫[ = )(‬
‫(‬ ‫])‪- 1‬‬

‫)‪= (+‬‬

‫ﺑﺸﻜﻞ ﻋﺎم ‪ID >> ،‬ﻣﻮﺟﻮد ﻓ ﻲ‬

‫ﺘﺎﻟ ﻲ‬
‫ﺑﺎﻟ‬
‫و‬ ‫=اﻟﻤﻌﺮف‬

‫ﺗﻔﺎع اﻟﺮأﺳ ﻲ ﻟﻠﺨﺼﺎﺋﺺ ‪ ،‬اﺣﺼﻞ ﻋﲆ‬

‫ﺒﺪال ‪ = 1‬ﻟـ ‪Ge‬و ‪Si‬ﻓ ﻲ ﻗ ﺴﻢ اﻻر‬
‫ﺘ‬‫اﺳ‬

‫‪11600‬‬ ‫‪11600‬‬
‫=‬ ‫=‬
‫‪1‬‬

‫ﻓ ﻲ درﺟ ﺔ ﺣﺮارة اﻟﻐﺮﻓ ﺔ ‪Tk = Tc + 273 = 298 C‬‬

‫‪11600‬‬
‫=‬ ‫‪38.93‬‬
‫‪298‬‬

‫‪= 38.93‬ﻣﻌﺮف‬

‫ﺒ ﺔ اﻟﻤﻘﺎوﻣ ﺔ )‪(R = V / I‬ﻳﻌﻄﻴﻨﺎ‬

‫ﺘﺤﺪﻳﺪ ﻧ ﺴ‬
‫ﺘﻴﺠ ﺔ ﻟ‬
‫إن ﻗﻠ ﺐ اﻟﻨ‬
‫‪0.026‬‬

‫‪26‬‬
‫أو‬ ‫=‬ ‫‪25‬‬ ‫)‪،………. (1.7‬‬
‫ﺑﺸﻜﻞ ﻋﺎم ‪،‬ﻷي درﺟ ﺔ ﺣﺮارة‬‫وﻟﻜﻦ‬

‫‪+ 273 11600‬‬

‫‪Tk = Tc 11600‬‬
‫=‬ ‫=‬
‫‪1‬‬
‫= = ‪rd‬‬

‫‪20‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺒﻴﺮ‪:‬‬
‫ﺘﺮدد ﻋﻨﺪ ‪25‬ﻣﻠﻠ ﻲ أﻣ‬
‫ﺘﻴﺎر اﻟﻤ‬
‫ﺜﺎل ‪1.2‬ﻣﻘﺎوﻣ ﺔ اﻟ‬
‫ﺒﻴﻞ اﻟﻤ‬
‫ﻋﲆﺳ‬

‫‪21‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺘﻘﻄﻌ ﺔ‬
‫دارة ﻣﻜﺎﻓﺌ ﺔ ﺧﻄﻴ ﺔ ﻣ‬

‫ﺘﻨﻔﻴﺬي‬
‫اﻟﻤﺪﻳﺮ اﻟ‬

‫‪22‬‬
‫‪Machine Translated by Google‬‬

‫ﺒ ﺴﻄ ﺔ‬
‫داﺋﺮة ﻣﻜﺎﻓﺌ ﺔ ﻣ‬

‫ﺜﺎﻟﻴ ﺔ‬
‫اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﻤﻜﺎﻓﺌ ﺔ اﻟﻤ‬

‫ﺜﺎﻟ ﻲ ‪& c / c.‬‬

‫ﺜﻨﺎﺋ ﻲ اﻟﻤ‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ‪1.31‬رﻣﺰ اﻟﺼﻤﺎم اﻟ‬

‫…………………ﻣﻌﺮف ‪0.7‬‬
‫ﺒﺪد‬
‫ﺗ‬ ‫‪(1.‬‬
‫ﻣﻌﺮف ‪VD PD‬‬ ‫)‪PD8‬‬
‫=‬

‫)‪……………… .. (1.9‬‬
‫‪23‬‬
Machine Translated by Google