Chương 3.

Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET

Chương 3.

PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU

NHỎ TẦN SỐ THẤP CỦA FET

Mục tiêu:
- Tính toán được phân cực DC cho các dạng mạch khếch đại cơ bản
- Vẽ được mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp cho 3 dạng mạch khuếch đại
cơ bản là S chung, G chung và D chung.
- Thiết lập được phương trình toán học mô tả hệ số khuếch đại dòng và áp của mạch
điện.
- Tính toán được trở kháng vào và ra của mạch

Yêu cầu: Sinh viên ôn tập kiến thức về

- Đặc tính linh kiện FET

Nội dung: Trang

3.1. Phân cực DC và ỗn định phân cực cho mạch khuếch đại FET .................................. 2
3.2. Phân tích mạch khếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp của FET...................................... 6

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 1

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
3.1. Phân cực DC và ỗn định phân cực cho mạch khuếch đại FET
3.1.1. Ký hiệu và phân loại transistor hiệu ứng trường FET (Field Effect Transistor)
Có 2 loại transistor hiệu ứng trường phổ dụng là JFET (Junction FET) và MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor FET). JFET sủ dụng điện cực kim loại nối trực tiếp với vật liệu bán
dẫn còn MOSFET dung điện cực là lớp Oxide Silic cách điện. Với MOSFET thì phổ dụng
nhất hiện nay là loại eMOSFET (enhancement MOSFET) với khả năng nhiểu nội thấp, trỏ
kháng vào cao và độ ỗn định nhiệt tốt hơn nhiều so với BJT.

Hình 3. 1. Cấu tạo JFET kênh N Hình 3. 2. Cấu tạo của JFET kênh P

Q1 Q2
2N3821 2N2608

Hình 3. 3. Ký hiệu của JFET kênh N Hình 3. 4. Ký hiệu của JFET kênh P

Hình 3. 5. Cấu tạo eMOSFET kênh N Hình 3. 6. Cấu tạo của eMOSFET kênh P

Q3 Q4
IRF510 3LP01C-TB-E

Hình 3. 7. Ký hiệu eMOSFET kênh N Hình 3. 8. Ký hiệu của eMOSFET kênh P

3.1.2. Đặc tuyến volt-ampre của FET

a) Junction FET
Với transistor hiệu ứng trường JFET, để khảo sát đặc tính tần số người ta phân cực trực tiếp
cho transistor như Hình 3.9. Khi đó ta thu được dạng đặc tuyến như Hình 3.10.
Mô tả toán học cho hàm phân cực của JFET tại vùng bảo hòa với các điều kiện sauu:

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 2

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
𝑣𝐺𝑆 2
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 + ] (1)
𝑉𝑃

|𝑣𝐺𝑆 | < 𝑉𝑃
Với, {
𝑉𝑃 − |𝑣𝐺𝑆 | < 𝑣𝐷𝑆 < 𝑉𝐵𝑟𝑒𝑎𝑘𝑑𝑜𝑤𝑛

Trong đó VP là giá trị điện áp nghẽn đặt vào 𝑣𝐷𝑆 , tại 𝑣𝐺𝑆 = 0, sao cho IDS = 0. IDSS (Drain-
source saturation current) là dòng IDS bảo hòa cho FET, tại 𝑣𝐺𝑆 = 0 V.

Hình 3. 9. Mạch phân cực cho JFET

kênh N
Hình 3. 10. Đặc tuyến Volt-ampere của JFET kênh N
b) Enhancement MOSFET
Với transistor hiệu ứng trường eMOSFET, để khảo sát đặc tính tần số người ta phân cực
trực tiếp cho transistor như Hình 3.10, với điện áp phân cực VGS và VDS dương. Khi đó ta
thu được dạng đặc tuyến như Hình 3.11. Mô tả toán học cho hàm phân cực của MOSFET
trong vùng bảo hòa là,

Hình 3. 11. Mạch phân cực cho

eMOSFET kênh N Hình 3. 12. Đặc tuyến Volt-ampere của eMOSFET kênh N

𝑖𝐷 = 𝑘 [𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ]2 (2)
𝑣𝐺𝑆 > 𝑉𝑇
Với, {
𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 < 𝑣𝐷𝑆 < 𝑉𝐵𝑟𝑒𝑎𝑘𝑑𝑜𝑤𝑛

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 3

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
Trong đó VT là giá trị điện áp nghưỡng và k là hằng số phụ thuộc vào cấu trúc vật liệu, bề
𝐴
dày và chiều dài của kênh dẫn (10−4 ÷ 10−3 2 ). Vậy 𝑣𝐺𝑆 = 0 là giá trị áp phân cực nhỏ
𝑉
nhất cho eMOSFET.
3.1.3. Phân cực tĩnh (phân cực DC) cho FET
a) Phân cực DC cho JFET
VDD
Cho mạch phân cực DC cho JFET như
Hình vẽ, với VDD = +20V, R1 = 3KΩ, R2
R3
= 1KΩ, R3 = 2KΩ, IDSS = 2mA và Vp= 4V.
Tính phân cực DC cho mạch
Q1

R1
R2

Hình 3. 13. Mạch phân cực cho JFET

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 4

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
b) Phân cực DC cho MOSFET

Cho mạch phân cực DC cho MOSFET như

Hình vẽ, với VDD = +12V, R1 = 3KΩ, R2
= 8KΩ, RS = RD = 1KΩ, k = 3 × 10−4 𝐴/𝑉 2
và VT = 3V. Tính phân cực DC cho mạch.

Hình 3. 14. Mạch phân cực cho MOSFET

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 5

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
3.2. Phân tích mạch khếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp của FET.
3.2.1. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ tần số thấp

Trong đó,
1
- 𝑔𝑚 là trở dẫn (khoảng vài mili )
𝛺

- 𝑐𝑔𝑠 là giá trị cảm kháng ngỏ vào

Hình 3. 15. Mạch tương đương AC tín hiệu nhỏ của FET (vài chục pF)
- 𝑐𝑔𝑑 là giá trị cảm kháng ngỏ vào
(0.1pF - vài pF)
- 𝑐𝑑𝑠 là giá trị cảm kháng ngỏ ra
(vài chục pF)
- 𝑟𝑑𝑠 là giá trị trở kháng ngỏ vào
Hình 3. 16. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp (vài chục KΩ đến vài trăm KΩ)
của FET 𝜕𝑖𝐷
- 𝑔𝑚 = | (1/𝛺)
𝜕𝑣𝐺𝑆 𝑉
𝐷𝑆𝑄

- 𝜇 = 𝑔𝑚 𝑟𝑑𝑠 (1/𝛺)
𝜕𝑣𝐷𝑆
- 𝑟𝑑𝑠 = | (Ω)
𝜕𝑖𝐷 𝑉
𝐺𝑆𝑄

Hình 3. 17. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tần số thấp
của FET
3.2.2. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ của FET cấu hình CS (Common Source)
Bài toán 1: Mạch khếch đại CS dùng JFET

Cho mạch điện như hình bên. Biết JFET

có IDSS = 2mA, VP = 4V. Nguồn có nội
trở là Ri = 50Ω, VDD = 12V. Xem các tụ
là bypass ở tần số làm việc. Chọn điểm
làm việc tại áp phân cực VGS = -3V. Tải
RL = RD = 1KΩ.
a) Thiết kế phân cực cho FET.
b) Tính Av, trở kháng vào và ra của
mạch khuếch đại.
Hình 3. 18. Mạch khuếch đại JFET cấu hình CS

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 6

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 7

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
Bài toán 2: Mạch khếch đại CS cho MOSFET

Cho mạch điện như hình bên. Biết

𝐴
MOSFET có k = 3 × 10−4 2 , VT =
𝑉
4V. Nguồn có nội trở là Ri = 50Ω, VDD
= 9V. Xem các tụ là bypass ở tần số
làm việc. Chọn điểm làm việc tại áp
phân cực VGS = 6V. Tải RL = RD =
1KΩ.
a) Thiết kế phân cực cho FET.
b) Tính Av, trợ kháng vào và ra
của mạch khuếch đại.

Hình 3. 19. Mạch khuếch đại MOSFET cấu hình CS

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 8

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
3.2.3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ của FET cấu hình CD (Common Drain)
hay còn được gọi là FS (Following Source)
Bài toán: Mạch khếch đại FS dùng MOSFET

Cho mạch điện như hình bên. Biết

MOSFET có gm = 1/500 (1/Ω). Nguồn
có nội trở là Ri = 50Ω, R1 = R2 = RS
=RL= 1KΩ, rds = 30KΩ. Xem các tụ là
bypass ở tần số làm việc, và mạch đã
được phân cực DC trong vùng bão hòa.
a) Tính Av, trở kháng vào và ra của
mạch khuếch đại.

Hình 3. 20. Mạch khuếch đại JFET cấu hình CS

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 9

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET
3.2.4. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ của FET cấu hình CG (Common Gate)
Bài toán: Mạch khếch đại CG dùng MOSFET

Cho mạch điện như hình bên. Biết

MOSFET có gm = 1/500(1/Ω) Nguồn
có nội trở là Ri = 50Ω, R1 = R2 = RS
=RL= 1KΩ, rds = 20KΩ. Xem các tụ là
bypass ở tần số làm việc, và mạch đã
được phân cực DC trong vùng bão hòa.
Tính Av, trở kháng vào và ra của mạch
khuếch đại.

Hình 3. 21. Mạch khuếch đại JFET cấu hình CS

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 10

Chương 3. Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp dùng FET

Biên soạn: TS. Bùi Thư Cao 11