Your answers will be submitted when the timer is up.

00:03

Bài 4: Transistor trường FET - Khóa chuyển mạch dùng FET

Hi, 22022161@vnu.edu.vn. When you submit this form, the owner will see your name and email address.
1
Đặc điểm của tín hiệu xoay chiều lối ra mạch A4-1 là gì?
(5 Points)
Được khuếch đại và ngược pha so với tín hiệu vào.
Được khuếch đại và cùng pha so với tín hiệu vào.
Không được khuếch đại và ngược pha so với tín hiệu vào.
Không được khuếch đại và đồng pha so với tín hiệu vào.
2
Chọn phát biểu đúng về FET
(5 Points)
Cực cửa G, cực máng D và cực nguồn S có thể (hoán vị) cho nhau
Cực nguồn S và cực cửa G có thể thay thế cho nhau
Cực máng D và cực cửa G có thể thay thế cho nhau
Cực nguồn S và cực máng D có thể thay thế cho nhau trong hầu hết ứng dụng tần số thấp
3
Đặc điểm nào sau đây không đúng về khóa nối tiếp trong thí nghiệm A4-2?
(5 Points)
Khóa đóng khi T1 dẫn.
Khi T1 dẫn thì điện áp lối ra của mạch tỉ lệ với điện áp lối vào bởi hệ số R3/(R3+R1).
Khóa đóng khi T1 không dẫn (cấm).
Khi T1 không dẫn thì điện áp lối ra của mạch bằng 0.
4
Đâu là ký hiệu của NMOS-FET loại kênh không có sẵn
(5 Points)

Option 1

Option 2

Option 3
 Option 4
5
Chọn phát biểu đúng về MOSFET
(5 Points)
Có cực cửa cách ly với kênh dẫn qua lớp oxit kim loại
Có cực cửa tiếp xúc với kênh dẫn qua lớp tiếp giáp P-N
Tiếp giáp P-N giữa cực cửa và kênh dẫn được phân cực ngược
Có thể hoán đổi vị trí giữa cực cửa và cực nguồn
6
Chọn phát biểu đúng về FET
(5 Points)
Tiêu thụ điện năng thấp và chống nhiễu tốt hơn so với transistor BJT
Tiêu thụ điện năng lớn và chống nhiễu kém hơn so với transistor BJT
Tiêu thụ điện năng lớn và chống nhiễu tốt hơn so với transistor BJT
Tiêu thụ điện năng thấp và chống nhiễu kém hơn so với transistor BJT
7
Chọn phát biểu đúng về DMOSFET
(5 Points)
Kênh dẫn có sẵn trong quá trình chế tạo
Kênh dẫn được tạo ra trong quá trình làm việc
Tiếp P-N giữa cực cửa và kênh dẫn được phân cực ngược
Có thể hoán đổi vị trí giữa cực cửa và cực nguồn
8
Chọn phát biểu đúng về EMOSFET
(5 Points)
Kênh dẫn có sẵn trong quá trình chế tạo
Kênh dẫn được tạo ra trong quá trình làm việc
Tiếp P-N giữa cực cửa và kênh dẫn được phân cực ngược
Có thể hoán đổi vị trí giữa cực cửa và cực nguồn
9
Transistor sử dụng trong thí nghiệm A4-1 thuộc loại gì?
(5 Points)
JFET kênh p
MOSFET kênh n
MOSFET kênh p
JFET kênh n
10
Chọn phát biểu đúng JFET kênh N
(5 Points)
Với Ugs < 0, độ rộng của kênh dẫn là lớn nhất
Với Ugs > 0, độ rộng của kênh dẫn là lớn nhất
Với Ugs = 0, độ rộng của kênh dẫn là lớn nhất
Với Ugs = 0, độ rộng của kênh dẫn là nhỏ nhất
11
Chọn phát biểu đúng về FET
(5 Points)
Có trở kháng vào rất nhỏ, trở kháng ra rất lớn
Có trở kháng vào và ra đều rất lớn
Có trở kháng vào rất lớn và trở kháng ra nhỏ
Có trở kháng vào và ra rất nhỏ
12
Khi đóng vai trò khóa chuyển mạch FET chuyển tiếp giữa 2 vùng là
(5 Points)
 Cut-off, Triode
Cut-off, Pinch-off
Triode, Deep triode
Triode, Pinch-off
13
Trong sơ đồ mạch khuếch đại FET cực nguồn chung (CS) hệ số khuếch đại của mạch là
(5 Points)
>1
=1
<1
~1
14
Đây là ký hiệu của linh kiện nào
(5 Points)

JFET kênh loại n

JFET kênh loại p
NMOS-FET
P-MOS-FET
15
Chọn câu đúng: FET là linh kiện
(5 Points)
Trở kháng vào cao và được điều khiển bởi thế
Trở kháng vào thấp và được điều khiển bởi dòng
Trở kháng vào cao và được điều khiển bởi dòng
Trở kháng vào thấp và được điều khiển bởi thế
16
Chọn phát biểu đúng về FET
(5 Points)
Là linh liện được điều khiển bằng dòng điện
Là linh kiện được điều khiển bằng điện áp
Là linh kiện 2 lớp tiếp giáp
Là linh kiện 4 lớp tiếp giáp
17
Chọn phát biểu đúng về FET
(5 Points)
Gồm 2 loại chính JFET (kênh N và P) và MOSFET (EMOSFET kênh N/P và DMOSFET kênh N/P)
Gồm JFET kênh N và BJT loại npn
Gồm MOSFET kênh P và BJT loại npn
JFET kênh N/P, MOSFET kênh N/P, BJT loại npn và pnp
18
Chọn phát biểu đúng về JFET
(5 Points)
Vùng Ohmic (Ohmic area) có điện trở kênh dẫn không thay đổi
Vùng Ohmic (Ohmic area) có điện trở kênh dẫn thay đổi tuyến tính với Id
Vùng Ohmic (Ohmic area) có điện trở kênh dẫn thay đổi tuyến tính với Uds
Vùng Ohmic (Ohmic area) có điện trở kênh dẫn thay đổi theo Id và Uds
19
Sắp trật tự các bước sau để hình thành quy trình đo hệ số khuếch đại điện áp mạch CS trong thí nghiệm A4-4.
B1. Nối nguồn +12V vào bản mạch thí nghiệm;

B2. Nối tín hiệu nhỏ có tần số 1kHz từ máy phát vào lối vào IN của mạch.

B3. Lắp đồng hồ đo dòng ID, thế VDS và chỉnh biến trở P1 để thiết lập điểm Q thích hợp.

B4. Dùng công cụ thước đo trên dao động ký để đo biên độ Vin, Vout từ đó tính hệ số đại A=Vout/Vin.

B5. Nối Kênh 1 dao động ký với lối vào IN, kênh 2 dao động ký với lối ra OUT/C; Chỉnh thang đo và đồng bộ
để có thể 2 tín hiệu dừng và quan sát rõ nét trên màn hình.
(5 Points)
R1-> R3->R2->R5->R4.
R2->R4->R1->R3->R5.
R1->R5->R2->R3->R4->R5.
R3->R2->R1-> R4.
20
Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh N cho ta biết
(5 Points)
Sự phụ thuộc của dòng Id và Ud
Giới hạn hoạt động của JFET
Quan hệ giữa điện áp Ugs và Ud
Điện trở của kênh dẫn phụ thuộc vào Id
Submit

This content is created by the owner of the form. The data you submit will be sent to the form owner. Microsoft is not
responsible for the privacy or security practices of its customers, including those of this form owner. Never give out
your password.
Microsoft Forms | AI-Powered surveys, quizzes and pollsCreate my own form
Privacy and cookies | Terms of use