ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ

BÁO CÁO THỰC HÀNH BUỔI 5

Họ và tên : Nguyễn Hoài Nam

Mã sinh viên : 22026109
Mã lớp học phần : 2324II_ELT2050E_21
Chủ đề : mô phỏng: đo đặc tuyến transistor trường JFET, MOSFET kênh n, kênh p

1. Transitor trường JFET

a. Kênh n
- Thiết lập thí nghiệm trên Proteus như hình vẽ dưới đây.
 Hình 1.1 : Mạch mô phỏng transitor trường JFET kênh n

- Sử dụng Graph Mode → Transfer, ta thu được hình ảnh sau :

 Hình 1.2 : Đồ thị đặc tuyến

b. Kênh p
- Thiết lập thí nghiệm trên Proteus như hình vẽ dưới đây.
 Hình 1.3 : Mạch mô phỏng transitor trường JFET kênh p

- Sử dụng Graph Mode → Transfer, ta thu được hình ảnh sau :

 Hình 1.4 : Đồ thị đặc tuyến
c. Giải trình kết quả
- Khi ta tăng dần thì VDS tăng và I D tăng tuyến tính theo. Khi tăng VDD
thì vùng nghèo có xu hướng rộng ra, tuy nhiên khi VDD chưa đủ lớn thì
bề rộng của vùng nghèo chưa đủ rộng để gây ảnh hưởng tới I D và
VDS có mối quan hệ tuyến tính khi VDD đủ nhỏ. Mối quan hệ này thể
hiện ở đặc tuyến ra (Ohmic Region).
- Khi VDD đã đủ lớn, khi đó VDS cũng đủ lớn, lúc này bề rộng vùng
nghèo bắt đầu gây ảnh hưởng dòng I D . Nó kiềm hãm sự tăng của
dòng I D trước sự tăng của VDS . Mối quan hệ này thể hiện ở đặc tuyến
ra (Saturation Region).
- Khi VDD tiếp tục tăng đến giá trị đủ lớn để đánh thủng tiếp giáp P-N
thì I D tăng đột ngột theo VDS , miền này gọi là Breakdown Region;
JFET làm việc ở chế độ này sẽ bị hỏng.
2. Transitor trường MOSFET
a. Depletion MOSFET
- Thiết lập thí nghiệm trên proteus như hình dưới đây :
+ Với kênh n :

Hình 2.1 : Mạch mô phỏng của Depletion MOSFET kênh n

+ Với kênh p :
 Hình 2.2 : Mạch mô phỏng của Depletion MOSFET kênh p

- Sử dụng Graph Mode → Transfer, ta thu được hình ảnh sau :

+ Với kênh n :

Hình 2.3 : Đồ thị đặc tuyến

+ Với kênh p :
 Hình 2.4 : Đồ thị đặc tuyến

b. Enhancement MOSFET :
- Thiết lập thị nghiệm như hình dưới đây :
+ Với kênh n :
 Hình 2.5 : Mạch mô phỏng của Enhancement MOSFET kênh n
+ Với kênh p :
Hình 2.6 : Mạch mô phỏng của Enhancement MOSFET kênh p

- Sử dụng Graph Mode → Transfer, ta thu được hình ảnh sau :

+ Với kênh n :

Hình 2.7 : Đồ thị đặc tuyến

+ Với kênh p :
 Hình 2.8 : Đồ thị đặc tuyến

c. Giải trình kết quả :

- Khi ta tăng dần thì VDS tăng và I D tăng tuyến tính theo. Khi tăng VDD
thì vùng nghèo có xu hướng rộng ra, tuy nhiên khi VDD chưa đủ lớn thì bề
rộng của vùng nghèo chưa đủ rộng để gây ảnh hưởng tới I D và VDS có
mối quan hệ tuyến tính khi VDD đủ nhỏ. Mối quan hệ này thể hiện ở đặc
tuyến ra (Ohmic Region).
- Khi VDD đã đủ lớn, khi đó VDS cũng đủ lớn, lúc này bề rộng vùng
nghèo bắt đầu gây ảnh hưởng dòng I D . Nó kiềm hãm sự tăng của dòng
I D trước sự tăng của VDS . Mối quan hệ này thể hiện ở đặc tuyến ra
(Saturation Region).
- Khi VDD tiếp tục tăng đến giá trị đủ lớn để đánh thủng tiếp giáp P-N
thì I D tăng đột ngột theo VDS , miền này gọi là Breakdown Region;
MOSFET làm việc ở chế độ này sẽ bị hỏng.