乾蝕刻技術

C. R. Yang, NTNU MT

Dry etching technique

楊 啟 榮 博士
副教授
國立台灣師範大學 機電科技學系
Department of Mechatronic Technology
National Taiwan Normal University
Tel: 02-23583221 ext. 14
E-mail:ycr@ntnu.edu.tw
台灣師範大學機電科技學系
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C. R. Yang, NTNU MT 溼式與乾式蝕刻

電 漿
蝕刻
遮罩層
結構層

濕式蝕刻法 乾式蝕刻法

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C. R. Yang, NTNU MT 氮化矽乾、溼式蝕刻的差異性
光阻圖案
氮化矽 二氧化矽蝕刻幕罩

微影

基板 基板

蝕刻二氧化矽
氮化矽 二氧化矽蝕刻幕罩 蝕刻
氮化矽

基板 基板

溼式蝕刻：H3PO4(85%)@175℃

乾式蝕刻：CF4(10 sccm)@60 mTorr台灣師範大學機電科技學系

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C. R. Yang, NTNU MT 小於 物理濺擊或離子銑削

100 millitorr 高激發能量
物理動能傳輸

z 乾蝕刻 (dry etching) 非等向性蝕刻

表面破壞
乾蝕刻沒有液態的蝕刻
溶液，主要分為物理濺 活性離子蝕刻

擊或離子銑削、電漿蝕 100 millitorr 兼具物理與化學

範圍
可控制蝕刻之非等向性
刻、與介於兩者之間的
選擇性適中
活性離子蝕刻三類，右
圖是三者蝕刻特性與壓 電漿蝕刻
力、激發能量的分類關 化學反應, 速度快
係圖。 等向性蝕刻
壓力較高 選擇性較高
表面較少破壞

物理濺擊或離子銑削、電漿蝕刻、與
活性離子蝕刻之關係
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 光阻 薄膜
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基板 基板

等向性蝕刻

基板 基板

完全非等向性蝕刻 非等向性蝕刻

等向性蝕刻、非等向性蝕刻與完全非等向性蝕刻

在進行蝕刻時如果對每個方向 (xyz) 的蝕刻速率都一樣則稱為等向性蝕刻

(isotropic etching) ，這種蝕刻線寬會變大而側壁 (side wall) 呈弧形，稱額外
被蝕刻的部份為切底 (undercut) ；反之若每個方向的蝕刻率不同則稱為非等
向性蝕刻，此時切底較改善且側壁趨向垂直，完全非等向性蝕刻是專指對垂
直方向 (z) 進行蝕刻，側壁達到垂直 90° 而且沒有切底。
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活性離子蝕刻兼具物理與化學的特性，係適當的選擇與薄膜進行反應
C. R. Yang, NTNU MT (蝕
刻) 之氣體，通入反應室中並解離成電漿，並施與一偏壓，讓離子轟擊與
電漿蝕刻同時進行，所以具有某種程度的非等向性蝕刻，而且選擇性足
以讓人接受，所以應用比較廣，下圖是活性離子蝕刻系統的示意圖。

流量控制
射頻電源
進氣

+
晶片
氣體

節流閥

真空幫浦

活性離子蝕刻系統示意圖
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電漿蝕刻
Plasma

Etch stop

Substrate Mask
PR, metal, Si3N4, SiO2, Si, Polysilicon…...

Mask材料選擇的原則：高選擇比, 蝕刻深度, 非等向性…

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幾種常用薄膜活性離子蝕刻之氣體與蝕刻率
C. R. Yang, NTNU MT (nm/min) 比較 (本表節錄自 Journal
of Micro-
Micro-Electro- Systems，Vol.5 ， No.4 ，第262頁
Electro-Mechanical Systems， 262頁)
蝕刻氣體 (sccm) 蝕刻 單晶 多晶 二氧化 磷矽 氮化 鋁 鎢 鈦 光阻
物質 矽 矽 矽 玻璃 矽

90CF4/30CHF3/120He 二氧 >10 190 470 620 180 * >10 >10 220

化矽
13SF6/21He 氮化矽 30 73 31 48 82 * >10 >10 69

45CF4/15CHF3/60He 富矽氮化 >10 35 32 45 76 * >10 >10 40

矽
180Cl2/400He 矽 >10 340 0.8 14 56 >10 >10 * 300

30Cl2/50BCl3/20CHCl 鋁 >10 450 68 74 93 600 >10 * 630

3/50N2

80SF6 鎢 >10 580 120 150 260 * 280 >10 240

51O2 光阻 * 0 0 0 0 0 0 * 340

註：單晶矽為 <100> 矽；多晶矽為 n+ ；二氧化矽為溼氧化；磷矽玻璃為經過退火處理；

鋁含 2% 的矽；鎢與鈦都是利用濺鍍沈積；光阻為 OCG 820 PR

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C. R. Yang, NTNU MT

RIE其他應用
z 利用氧電漿對PDMS表面進行改質，使其表面更具
親水性

z 利用氧電漿去除光阻

光阻去除前 光阻去除後
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感應耦合電漿反應性離子蝕刻
Inductively coupled plasma (ICP) reactive ion etch

感應耦合電漿離子蝕刻機ICP 示意圖 感應耦合電漿離子蝕刻系統

(精儀中心)
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C. R. Yang, NTNU MT 蝕刻原理

保護製程步驟

蝕刻製程步驟
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C. R. Yang, NTNU MT ICP-RIE SEM圖

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C. R. Yang, NTNU MT ICP-RIE 缺陷

蝕刻溝槽外擴 蝕刻溝槽內凹 蝕刻延遲

雜草現象 側壁橫紋 台灣師範大學機電科技學系

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C. R. Yang, NTNU MT

Comb-driver Nested Gears

Micromotor Gyroscope
MCNC, USA
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RIE與ICP-RIE比較
RIE ICP-RIE
氣體壓力
~ 100 ~1
(mTorr)
電漿密度
~1010 5×1011
(cm-3)
蝕刻速率
<1 ≧3
(μm/min)

深寬比 <10:1 ≧20:1

造價 低 昂貴

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C. R. Yang, NTNU MT

敬請批評與指教
Thank you for your attention!

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